JP2018010898A - 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ - Google Patents

発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ Download PDF

Info

Publication number: JP2018010898A
Authority: JP; Japan
Prior art keywords: emitting diode; light emitting; wafer; transparent substrate; diode chip
Prior art date: 2016-07-11
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.): Pending

Application number

JP2016137016A

Other languages

English (en)

Japanese (ja)

Inventor

卓岡村

Taku Okamura

卓岡村

宏北村

Hiroshi Kitamura

宏北村

Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)

Disco Corp

Original Assignee

Disco Abrasive Systems Ltd

Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)

2016-07-11

Filing date

2016-07-11

Publication date

2018-01-18

2016-07-11 Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd

2016-07-11 Priority to JP2016137016A priority Critical patent/JP2018010898A/ja

2017-06-02 Priority to TW106118230A priority patent/TW201813127A/zh

2017-06-30 Priority to KR1020170083296A priority patent/KR20180006848A/ko

2017-07-05 Priority to CN201710541151.1A priority patent/CN107611237A/zh

2018-01-18 Publication of JP2018010898A publication Critical patent/JP2018010898A/ja

Status Pending legal-status Critical Current

Classifications

- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates

Landscapes

Led Devices (AREA)
Dicing (AREA)
Laser Beam Processing (AREA)

JP2016137016A 2016-07-11 2016-07-11 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ Pending JP2018010898A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number	Priority Date	Filing Date	Title
JP2016137016A JP2018010898A (ja)	2016-07-11	2016-07-11	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
TW106118230A TW201813127A (zh)	2016-07-11	2017-06-02	發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片
KR1020170083296A KR20180006848A (ko)	2016-07-11	2017-06-30	발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
CN201710541151.1A CN107611237A (zh)	2016-07-11	2017-07-05	发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number	Priority Date	Filing Date	Title
JP2016137016A JP2018010898A (ja)	2016-07-11	2016-07-11	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ

Publications (1)

Publication Number	Publication Date
JP2018010898A true JP2018010898A (ja)	2018-01-18

Family

ID=60995724

Family Applications (1)

Application Number	Title	Priority Date	Filing Date
JP2016137016A Pending JP2018010898A (ja)	2016-07-11	2016-07-11	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ

Country Status (4)

Country	Link
JP (1)	JP2018010898A (zh)
KR (1)	KR20180006848A (zh)
CN (1)	CN107611237A (zh)
TW (1)	TW201813127A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
CN108445694B (zh) *	2018-03-19	2019-09-03	京东方科技集团股份有限公司	一种led芯片以及制作方法、具有补光拍照功能的装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
JP2005079550A (ja) *	2003-09-03	2005-03-24	Toyoda Gosei Co Ltd	半導体発光素子用複合基板及びその製造方法、並びに半導体発光素子の製造方法
WO2007136065A1 (ja) *	2006-05-23	2007-11-29	Alps Electric Co., Ltd.	半導体発光素子の製造方法
JP2009277884A (ja) *	2008-05-14	2009-11-26	Sharp Corp	電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP2010074090A (ja) *	2008-09-22	2010-04-02	Meijo Univ	発光素子、発光素子用サファイア基板及び発光素子用サファイア基板の製造方法
JP2011009305A (ja) *	2009-06-23	2011-01-13	Koito Mfg Co Ltd	発光モジュール
CN102157654A (zh) *	2011-03-30	2011-08-17	重庆大学	基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装led芯片
JP2012038889A (ja) *	2010-08-06	2012-02-23	Koito Mfg Co Ltd	蛍光部材および発光モジュール
JP2013082006A (ja) *	2011-09-28	2013-05-09	Lps Works Co Ltd	極短パルスレーザによる多次元パターン形成装置及び形成方法
WO2013114480A1 (ja) *	2012-02-01	2013-08-08	パナソニック株式会社	半導体発光素子、その製造方法及び光源装置
JP2014517544A (ja) *	2011-06-15	2014-07-17	センサーエレクトロニックテクノロジーインコーポレイテッド	大型の逆さ光取り出し構造付の装置
JP2014239123A (ja) *	2013-06-06	2014-12-18	株式会社ディスコ	加工方法
US20160197229A1 (en) *	2015-01-05	2016-07-07	Il Woo Park	Semiconductor light emitting device package and method for manufacturing the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
CN102623615A (zh) *	2012-03-30	2012-08-01	东南大学	可自对准的发光二极管的圆片级封装方法

2016
- 2016-07-11 JP JP2016137016A patent/JP2018010898A/ja active Pending
2017
- 2017-06-02 TW TW106118230A patent/TW201813127A/zh unknown
- 2017-06-30 KR KR1020170083296A patent/KR20180006848A/ko not_active Ceased
- 2017-07-05 CN CN201710541151.1A patent/CN107611237A/zh active Pending

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
JP2005079550A (ja) *	2003-09-03	2005-03-24	Toyoda Gosei Co Ltd	半導体発光素子用複合基板及びその製造方法、並びに半導体発光素子の製造方法
WO2007136065A1 (ja) *	2006-05-23	2007-11-29	Alps Electric Co., Ltd.	半導体発光素子の製造方法
JP2009277884A (ja) *	2008-05-14	2009-11-26	Sharp Corp	電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP2010074090A (ja) *	2008-09-22	2010-04-02	Meijo Univ	発光素子、発光素子用サファイア基板及び発光素子用サファイア基板の製造方法
JP2011009305A (ja) *	2009-06-23	2011-01-13	Koito Mfg Co Ltd	発光モジュール
JP2012038889A (ja) *	2010-08-06	2012-02-23	Koito Mfg Co Ltd	蛍光部材および発光モジュール
CN102157654A (zh) *	2011-03-30	2011-08-17	重庆大学	基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装led芯片
JP2014517544A (ja) *	2011-06-15	2014-07-17	センサーエレクトロニックテクノロジーインコーポレイテッド	大型の逆さ光取り出し構造付の装置
JP2013082006A (ja) *	2011-09-28	2013-05-09	Lps Works Co Ltd	極短パルスレーザによる多次元パターン形成装置及び形成方法
WO2013114480A1 (ja) *	2012-02-01	2013-08-08	パナソニック株式会社	半導体発光素子、その製造方法及び光源装置
JP2014239123A (ja) *	2013-06-06	2014-12-18	株式会社ディスコ	加工方法
US20160197229A1 (en) *	2015-01-05	2016-07-07	Il Woo Park	Semiconductor light emitting device package and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number	Publication date
TW201813127A (zh)	2018-04-01
KR20180006848A (ko)	2018-01-19
CN107611237A (zh)	2018-01-19

Similar Documents

Publication	Publication Date	Title
JP2018014422A (ja)	2018-01-25	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018010898A (ja)	2018-01-18	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018074109A (ja)	2018-05-10	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018014421A (ja)	2018-01-25	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018186171A (ja)	2018-11-22	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018148094A (ja)	2018-09-20	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018074111A (ja)	2018-05-10	発光ダイオードチップの製造方法
JP2018029113A (ja)	2018-02-22	発光ダイオードチップの製造方法
JP2018029110A (ja)	2018-02-22	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018010901A (ja)	2018-01-18	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018041783A (ja)	2018-03-15	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018041780A (ja)	2018-03-15	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018041779A (ja)	2018-03-15	発光ダイオードチップの製造方法
JP2018074112A (ja)	2018-05-10	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018041781A (ja)	2018-03-15	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018010899A (ja)	2018-01-18	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018010902A (ja)	2018-01-18	発光ダイオードチップの製造方法
JP2018074113A (ja)	2018-05-10	発光ダイオードチップの製造方法
JP2018074110A (ja)	2018-05-10	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018014424A (ja)	2018-01-25	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018046065A (ja)	2018-03-22	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018078142A (ja)	2018-05-17	発光ダイオードチップの製造方法
JP2018046064A (ja)	2018-03-22	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018046067A (ja)	2018-03-22	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018148015A (ja)	2018-09-20	発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ

Legal Events

Date	Code	Title	Description
2019-05-23	A621	Written request for application examination	Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190523
2020-05-19	A977	Report on retrieval	Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200519
2020-06-02	A131	Notification of reasons for refusal	Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200602
2020-12-01	A02	Decision of refusal	Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201201