JP2018009237A - Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, laminate, method for producing laminate, method for manufacturing printed wiring board and method for manufacturing electronic equipment - Google Patents
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Abstract
【課題】キャリア引き剥がし時に生じるピンホールの発生を良好に抑制することが可能なキャリア付銅箔を提供する。【解決手段】キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、キャリア付銅箔の極薄銅層側に樹脂を積層し、220℃で2時間、15kg/cm2の条件でキャリア付銅箔と樹脂とを加熱圧着した後にJIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法でキャリア付銅箔からキャリアを引き剥がしたときに極薄銅層に生じる円形度が0.8以下である穴の個数密度が10個/m2以下であるキャリア付銅箔。【選択図】図3An object of the present invention is to provide a copper foil with a carrier that can satisfactorily suppress the generation of pinholes that occur when the carrier is peeled off. A carrier-attached copper foil having a carrier, an intermediate layer, and an ultra-thin copper layer in this order, wherein a resin is laminated on the ultra-thin copper layer side of the carrier-attached copper foil, and the resin is applied at 220° C. for 2 hours at 15 kg/cm 2 . The circularity generated in the ultrathin copper layer when the carrier is peeled off from the carrier-attached copper foil by a 90 ° peeling method in accordance with JIS C 6471 8.1 after the carrier-attached copper foil and resin are heat-pressed under the conditions of A copper foil with a carrier having a number density of holes of 0.8 or less of 10 holes/m2 or less. [Selection drawing] Fig. 3
Description
本発明は、キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法に関する。 The present invention relates to a copper foil with a carrier, a method for producing a copper foil with a carrier, a laminate, a method for producing a laminate, a method for producing a printed wiring board, and a method for producing an electronic device.
プリント配線板は銅箔に絶縁基板を接着させて銅張積層板とした後に、エッチングにより銅箔面に導体パターンを形成するという工程を経て製造されるのが一般的である。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化(ファインピッチ化)や高周波対応等が求められている。 Generally, a printed wiring board is manufactured through a process in which an insulating substrate is bonded to a copper foil to form a copper-clad laminate, and then a conductor pattern is formed on the copper foil surface by etching. In recent years, with the increasing needs for miniaturization and higher performance of electronic devices, higher density mounting of components and higher frequency of signals have progressed, and conductor patterns have become finer (fine pitch) and higher frequency than printed circuit boards. Response is required.
ファインピッチ化に対応して、最近では極薄の銅箔が用いられることがあるが、極薄の銅箔は機械的強度が低くプリント配線板の製造時に破れたり、皺が発生したりしやすいので、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を電着させたキャリア付銅箔が登場している。極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後、キャリアは剥離層を介して剥離除去される。露出した極薄銅層上にレジストで回路パターンを形成した後に、極薄銅層を硫酸-過酸化水素系のエッチャントでエッチング除去する手法(MSAP:Modified-Semi-Additive-Process)により、微細回路が形成される。 Recently, ultra-thin copper foil is sometimes used in response to fine pitches. However, ultra-thin copper foil has low mechanical strength and is easy to break during the production of printed wiring boards and to generate wrinkles. Therefore, a copper foil with a carrier, in which a thick metal foil is used as a carrier and an ultrathin copper layer is electrodeposited on the metal foil via a release layer, has appeared. After bonding the surface of the ultrathin copper layer to an insulating substrate and thermocompression bonding, the carrier is peeled and removed through the peeling layer. After forming a circuit pattern with resist on the exposed ultra-thin copper layer, the ultra-thin copper layer is etched with a sulfuric acid-hydrogen peroxide etchant (MSAP: Modified-Semi-Additive-Process). Is formed.
また、キャリア付銅箔の極薄銅層のピンホールの発生を抑制する技術として、特開2004−169181号公報(特許文献1)、特開2005−076091号公報(特許文献2)が挙げられる。 Moreover, as a technique which suppresses generation | occurrence | production of the pinhole of the ultra-thin copper layer of copper foil with a carrier, Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-169181 (patent document 1) and Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-076091 (patent document 2) are mentioned. .
極薄銅層を有するキャリア付銅箔を用いて上述のようなファインピッチ回路を形成する際等、その薄さに起因してキャリア引き剥がし時に極薄銅層の一部がキャリア側に持っていかれ、残った極薄銅層にピンホール(穴)が生じるという問題がある。極薄銅層に生じたピンホールは、回路の断線を引き起こすおそれがある。そこで、本発明は、キャリア引き剥がし時に生じるピンホールの発生を良好に抑制することが可能なキャリア付銅箔を提供することを課題とする。 When forming a fine pitch circuit as described above using a copper foil with a carrier having an ultrathin copper layer, a part of the ultrathin copper layer is held on the carrier side when the carrier is peeled off due to its thinness. However, there is a problem that pinholes (holes) occur in the remaining ultrathin copper layer. Pinholes generated in the ultrathin copper layer may cause circuit disconnection. Then, this invention makes it a subject to provide the copper foil with a carrier which can suppress well generation | occurrence | production of the pinhole which arises at the time of carrier peeling.
本発明は一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側に樹脂を積層し、220℃で2時間、15kg/cm2の条件で前記キャリア付銅箔と樹脂とを加熱圧着した後にJIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法で前記キャリア付銅箔から前記キャリアを引き剥がしたときに前記極薄銅層に生じる円形度が0.8以下である穴の個数密度が10個/m2以下であるキャリア付銅箔である。 In one aspect, the present invention provides a carrier-attached copper foil having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order, wherein a resin is laminated on the ultrathin copper layer side of the copper foil with carrier, and 220 ° C. for 2 hours. When the carrier is peeled off from the carrier-attached copper foil by a 90 ° peeling method in accordance with JIS C 6471 8.1 after the copper foil with the carrier and the resin are thermocompression bonded under the conditions of 15 kg / cm 2. It is a copper foil with a carrier whose number density of the hole whose circularity produced in an ultra-thin copper layer is 0.8 or less is 10 pieces / m 2 or less.
本発明のキャリア付銅箔は一実施形態において、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側に樹脂を積層し、220℃で2時間、15kg/cm2の条件で前記キャリア付銅箔と樹脂とを加熱圧着した後にJIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法で前記キャリア付銅箔から前記キャリアを引き剥がしたときに前記極薄銅層に生じる円形度が0.8以下である穴の個数密度が0個/m2である。 In one embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention comprises laminating a resin on the ultrathin copper layer side of the carrier-attached copper foil, and the carrier-attached copper foil and resin under conditions of 15 kg / cm 2 at 220 ° C. for 2 hours. When the carrier is peeled off from the carrier-attached copper foil by a 90 ° peeling method in accordance with JIS C 6471 8.1, the circularity generated in the ultrathin copper layer is 0.8 or less. The number density of the holes is 0 / m 2 .
本発明のキャリア付銅箔は別の一実施形態において、JIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法で前記キャリア付銅箔から前記キャリアを引き剥がすときの剥離強度が2〜10N/mである。 In another embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention has a peel strength of 2 to 10 N / m when the carrier is peeled from the copper foil with a carrier by a 90 ° peeling method in accordance with JIS C 6471 8.1. It is.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の厚みが1.6μm以下である。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, the ultrathin copper layer has a thickness of 1.6 μm or less.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の厚みが1.2μm以下である。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, the ultrathin copper layer has a thickness of 1.2 μm or less.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の厚みが1.0μm以下である。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, the ultrathin copper layer has a thickness of 1.0 μm or less.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の厚みが0.9μm以下である。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, the ultrathin copper layer has a thickness of 0.9 μm or less.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の厚みが0.05μm以上である。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, the ultrathin copper layer has a thickness of 0.05 μm or more.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリア付銅箔がキャリアの一方の面に極薄銅層を有する場合において、前記極薄銅層側及び前記キャリア側の少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に、または、前記キャリア付銅箔がキャリアの両方の面に極薄銅層を有する場合において、当該一方または両方の極薄銅層側の表面に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, when the copper foil with a carrier has an ultrathin copper layer on one surface of the carrier, at least one of the ultrathin copper layer side and the carrier side. When the copper foil with a carrier has an ultrathin copper layer on both sides of the carrier, roughening treatment is performed on the surface of one or both of the ultrathin copper layers. It has 1 or more types of layers selected from the group which consists of a layer, a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記防錆層及び前記耐熱層の少なくとも一方が、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛から選択される1つ以上の元素を含む。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, at least one of the rust preventive layer and the heat resistant layer contains one or more elements selected from nickel, cobalt, copper, and zinc.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える。 In still another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention is at least one selected from the group consisting of the roughening treatment layer, the heat-resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer, and the silane coupling treatment layer. A resin layer is provided on the layer.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層上に樹脂層を備える。 In still another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention includes a resin layer on the ultrathin copper layer.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が誘電体を含む。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, the resin layer includes a dielectric.
本発明は別の一側面において、前記キャリア上に、電流密度が0.5A/dm2以下である電解処理によって前記中間層を形成する工程と、前記キャリアの前記中間層側表面に前記極薄銅層を形成する工程とを備えた本発明のキャリア付銅箔の製造方法である。 In another aspect of the present invention, the intermediate layer is formed on the carrier by electrolytic treatment with a current density of 0.5 A / dm 2 or less, and the ultrathin film is formed on the surface of the carrier on the intermediate layer side. It is a manufacturing method of the copper foil with a carrier of this invention provided with the process of forming a copper layer.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造する方法である。 In yet another aspect, the present invention is a method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて積層体を製造する方法である。 In yet another aspect, the present invention is a method for producing a laminate using the carrier-attached copper foil of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体である。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a laminate including the carrier-attached copper foil of the present invention and a resin, wherein the end face of the carrier-attached copper foil is partially or entirely covered with the resin. It is.
本発明は更に別の一側面において、一つの本発明のキャリア付銅箔を前記キャリア側又は前記極薄銅層側から、もう一つの本発明のキャリア付銅箔の前記キャリア側又は前記極薄銅層側に積層した積層体である。 In yet another aspect of the present invention, the carrier-attached copper foil of the present invention is separated from the carrier side or the ultrathin copper layer side of the present invention, and the carrier-side copper foil of the present invention of the other is provided. It is the laminated body laminated | stacked on the copper layer side.
本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体を用いたプリント配線板の製造方法である。 In yet another aspect, the present invention is a method for producing a printed wiring board using the laminate of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又は前記キャリアを剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。 In another aspect of the present invention, the step of providing the laminate of the present invention with two layers of a resin layer and a circuit at least once, and after forming the resin layer and the two layers of the circuit at least once, It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of peeling the ultra-thin copper layer or the carrier from the copper foil with a carrier of the layered product.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔の銅箔キャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。 In yet another aspect of the present invention, the step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate of the present invention, the step of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the copper foil with carrier and the insulating substrate, After laminating, a copper clad laminate is formed through a step of peeling the copper foil carrier of the carrier-attached copper foil, and then by a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-additive method. A method of manufacturing a printed wiring board including a step of forming a circuit.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。 In another aspect of the present invention, the step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the carrier-attached copper foil of the present invention, the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried. After forming the resin layer on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface, peeling the carrier or the ultrathin copper layer, and peeling the carrier or the ultrathin copper layer, A method for producing a printed wiring board, comprising: removing an ultrathin copper layer or the carrier to expose a circuit embedded in the resin layer formed on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface It is.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。 In yet another aspect of the present invention, the step of laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with carrier of the present invention and the resin substrate, laminating with the resin substrate of the copper foil with carrier. A step of providing at least once a resin layer and a circuit on the surface of the ultrathin copper layer opposite to the side or the carrier side surface, and forming the resin layer and the circuit at least once It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of peeling the carrier or the ultra-thin copper layer from the copper foil with a carrier later.
本発明は更に別の一側面において、本発明のプリント配線板の製造方法によって製造したプリント配線板を用いて電子機器を製造する方法である。 In yet another aspect, the present invention is a method of manufacturing an electronic device using a printed wiring board manufactured by the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention.
本発明によれば、キャリア引き剥がし時に生じるピンホールの発生を良好に抑制することが可能なキャリア付銅箔を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the copper foil with a carrier which can suppress suitably generation | occurrence | production of the pinhole which arises at the time of carrier peeling can be provided.
<キャリア付銅箔>
本発明のキャリア付銅箔は、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有する。また、中間層、極薄銅層をキャリアの一方の面または両方の面に設けてもよく、さらに当該一方の面の極薄銅層と他方の面のキャリアまたは当該両方の面の極薄銅層に対して粗化処理等の表面処理を行ってもよい。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶ポリマー、フッ素樹脂等の絶縁基板またはフィルムに貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的に積層体(銅張積層体等)、又は、プリント配線板等を製造することができる。
<Copper foil with carrier>
The copper foil with a carrier of this invention has a carrier, an intermediate | middle layer, and an ultra-thin copper layer in this order. Further, an intermediate layer and an ultrathin copper layer may be provided on one or both sides of the carrier, and the ultrathin copper layer on the one side and the carrier on the other side or the ultrathin copper on both sides The layer may be subjected to a surface treatment such as a roughening treatment. The method of using the copper foil with carrier itself is well known to those skilled in the art. For example, the surface of the ultra-thin copper layer is made of paper base phenol resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth / paper composite. Substrate epoxy resin, glass cloth / glass nonwoven fabric composite epoxy resin and glass cloth substrate epoxy resin, polyester film, polyimide film, liquid crystal polymer, fluororesin, etc. Then, the ultrathin copper layer bonded to the insulating substrate is etched into the intended conductor pattern, and finally a laminate (such as a copper clad laminate) or a printed wiring board can be produced.
本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔の極薄銅層側に樹脂を積層し、220℃で2時間、15kg/cm2の条件でキャリア付銅箔と樹脂とを加熱圧着した後にJIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法でキャリア付銅箔からキャリアを引き剥がしたときに極薄銅層に生じる円形度が0.8以下である穴の個数密度が10個/m2以下に制御されている。このような構成により、回路の断線を引き起こすおそれがある極薄銅層のピンホールの発生を良好に抑制することができる。また、キャリア付銅箔の極薄銅層側に樹脂を積層し、220℃で2時間、15kg/cm2の条件でキャリア付銅箔と樹脂とを加熱圧着した後にJIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法でキャリア付銅箔からキャリアを引き剥がしたときに極薄銅層に生じる円形度が0.8以下である穴の個数密度が8個/m2以下であることが好ましく、7個/m2以下であることがより好ましく、4個/m2以下であることがより好ましく、3.5個/m2以下であることがより好ましく、3個/m2以下であることがより好ましく、2個/m2以下であることがより好ましく、1個/m2以下であることがより好ましく、0.5個/m2以下であることがより好ましく、0.3個/m2以下であることがより好ましく、0.2個/m2以下であることがより好ましく、0.1個/m2以下であることがより好ましく、0.05個/m2以下であることがより好ましく、0個/m2であることが更により好ましい。 The copper foil with a carrier of the present invention is obtained by laminating a resin on the ultrathin copper layer side of the copper foil with a carrier and thermocompression bonding the copper foil with a carrier and the resin under conditions of 15 kg / cm 2 at 220 ° C. for 2 hours. When the carrier is peeled off from the copper foil with a carrier by a 90 ° peeling method in accordance with JIS C 6471 8.1, the number density of holes having a circularity of 0.8 or less generated in the ultrathin copper layer is 10 / m Controlled to 2 or less. With such a configuration, it is possible to satisfactorily suppress the occurrence of pinholes in the ultrathin copper layer that may cause circuit disconnection. Also, a resin is laminated on the ultrathin copper layer side of the copper foil with carrier, and the copper foil with resin and the resin are thermocompression bonded at 220 ° C. for 2 hours under the condition of 15 kg / cm 2 , and then in accordance with JIS C 6471 8.1. The number density of holes having a circularity of 0.8 or less when the carrier is peeled off from the copper foil with a carrier by a compliant 90 ° peeling method is preferably 8 / m 2 or less. 7 / m 2 or less, more preferably 4 / m 2 or less, more preferably 3.5 / m 2 or less, and 3 / m 2 or less. Is more preferably 2 pieces / m 2 or less, more preferably 1 piece / m 2 or less, more preferably 0.5 pieces / m 2 or less, and 0.3 pieces more preferably / m 2 or less, it is 0.2 pieces / m 2 or less Ri preferably, more preferably 0.1 or / m 2 or less, more preferably 0.05 pieces / m 2 or less, and even more preferably is 0 / m 2.
上記円形度が0.8以下である穴とは、いわゆる「破れピンホール」を意味する。「破れピンホール」は、極薄銅層形成時に元々形成されているピンホール(円形に近い(円形度0.8超)と異なり、円形度が0.8以下であり、円形とはある程度異なる形状を有するピンホールである。より具体的には、本発明において「円形度」は、当該穴(ピンホール)の面積Sと周囲長Lとを用いて、下記式で定義される。
円形度=4π×(面積S)÷(周囲長L)2
The hole having a circularity of 0.8 or less means a so-called “breach pinhole”. A “breaking pinhole” is a pinhole that is originally formed when an ultrathin copper layer is formed (close to a circle (roundness greater than 0.8), and has a roundness of 0.8 or less, which is somewhat different from a circle) More specifically, in the present invention, “circularity” is defined by the following equation using the area S and the peripheral length L of the hole (pinhole).
Circularity = 4π × (area S) ÷ (peripheral length L) 2
本発明のキャリア付銅箔は、JIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法でキャリア付銅箔からキャリアを引き剥がすときの剥離強度が2〜10N/mに制御されているのが好ましい。JIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法でキャリア付銅箔からキャリアを引き剥がすときの剥離強度が10N/mを超えると、キャリア引き剥がし時に、極薄銅層の一部がキャリアに引っ張られ、当該箇所が極薄銅層においてピンホールとなってしまうおそれがある。一方、キャリアと極薄銅層との剥離強度が2N/m未満であると、両者の接着性が不良となるおそれがある。また、本発明のキャリア付銅箔は、JIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法でキャリア付銅箔からキャリアを引き剥がすときの剥離強度が3〜10N/mに制御されているのが好ましく、3〜9N/mに制御されているのがより好ましく、3〜8N/mに制御されているのがより好ましく、3〜5N/mに制御されているのが更により好ましい。 The carrier-attached copper foil of the present invention preferably has a peel strength of 2 to 10 N / m when the carrier is peeled off from the carrier-attached copper foil by a 90 ° peeling method in accordance with JIS C 6471 8.1. . If the peeling strength exceeds 10 N / m when the carrier is peeled off from the copper foil with a carrier by the 90 ° peeling method according to JIS C 6471 8.1, a part of the ultrathin copper layer becomes a carrier when the carrier is peeled off. There is a possibility that the portion may be pinholes in the ultrathin copper layer. On the other hand, if the peel strength between the carrier and the ultrathin copper layer is less than 2 N / m, the adhesion between them may be poor. In addition, the copper foil with a carrier of the present invention is controlled to have a peel strength of 3 to 10 N / m when the carrier is peeled from the copper foil with a carrier by a 90 ° peeling method in accordance with JIS C 6471 8.1. Is preferably controlled to 3 to 9 N / m, more preferably 3 to 8 N / m, and still more preferably 3 to 5 N / m.
<キャリア>
本発明に用いることのできるキャリアは金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCP(液晶ポリマー)フィルム、フッ素樹脂フィルム、ポリアミドフィルム、PETフィルムの形態で提供される。本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
<Career>
Carriers that can be used in the present invention are metal foils or resin films, such as copper foil, copper alloy foil, nickel foil, nickel alloy foil, iron foil, iron alloy foil, stainless steel foil, aluminum foil, aluminum alloy foil, insulation. It is provided in the form of a resin film, a polyimide film, an LCP (liquid crystal polymer) film, a fluororesin film, a polyamide film, and a PET film. Carriers that can be used in the present invention are typically provided in the form of rolled copper foil or electrolytic copper foil. In general, the electrolytic copper foil is produced by electrolytic deposition of copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is produced by repeating plastic working and heat treatment with a rolling roll. Examples of copper foil materials include high-purity copper such as tough pitch copper (JIS H3100 alloy number C1100) and oxygen-free copper (JIS H3100 alloy number C1020 or JIS H3510 alloy number C1011), for example, Sn-containing copper, Ag-containing copper, Cr A copper alloy such as a copper alloy added with Zr or Mg, or a Corson copper alloy added with Ni, Si or the like can also be used. In addition, when the term “copper foil” is used alone in this specification, a copper alloy foil is also included.
本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば5μm以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には35μm以下とするのが好ましい。キャリアの厚みは典型的には8〜70μmであり、より典型的には12〜70μmであり、より典型的には18〜35μmである。また、原料コストを低減する観点からはキャリアの厚みは小さいことが好ましい。そのため、キャリアの厚みは、典型的には5μm以上35μm以下であり、好ましくは5μm以上18μm以下であり、好ましくは5μm以上12μm以下であり、好ましくは5μm以上11μm以下であり、好ましくは5μm以上10μm以下である。なお、キャリアの厚みが小さい場合には、キャリアの通箔の際に折れシワが発生しやすい。折れシワの発生を防止するため、例えばキャリア付銅箔製造装置の搬送ロールを平滑にすることや、搬送ロールと、その次の搬送ロールとの距離を短くすることが有効である。 The thickness of the carrier that can be used in the present invention is not particularly limited, but may be appropriately adjusted to a thickness suitable for serving as a carrier, and may be, for example, 5 μm or more. However, if it is too thick, the production cost becomes high, so generally it is preferably 35 μm or less. The thickness of the carrier is typically 8-70 μm, more typically 12-70 μm, and more typically 18-35 μm. Moreover, it is preferable that the thickness of a carrier is small from a viewpoint of reducing raw material cost. Therefore, the thickness of the carrier is typically 5 μm or more and 35 μm or less, preferably 5 μm or more and 18 μm or less, preferably 5 μm or more and 12 μm or less, preferably 5 μm or more and 11 μm or less, preferably 5 μm or more and 10 μm or less. It is as follows. In addition, when the thickness of a carrier is small, it is easy to generate | occur | produce a wrinkle in the case of a carrier foil. In order to prevent the generation of folding wrinkles, for example, it is effective to smooth the transport roll of the copper foil manufacturing apparatus with a carrier and to shorten the distance between the transport roll and the next transport roll.
キャリアとして電解銅箔を使用する場合の製造条件の一例は、以下に示される。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レべリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
なお、本発明において記載されている、電解液、めっき液等は、特に記載が無い限り残部は水である。
An example of manufacturing conditions when using electrolytic copper foil as a carrier is shown below.
<Electrolytic solution composition>
Copper: 90-110 g / L
Sulfuric acid: 90-110 g / L
Chlorine: 50-100ppm
Leveling agent 1 (bis (3sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
As the amine compound, an amine compound having the following chemical formula can be used.
In addition, as long as there is no description in particular, the remainder of the electrolyte solution, plating solution, etc. described in the present invention is water.
<製造条件>
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
<Production conditions>
Current density: 70 to 100 A / dm 2
Electrolyte temperature: 50-60 ° C
Electrolyte linear velocity: 3-5 m / sec
Electrolysis time: 0.5 to 10 minutes
<中間層>
キャリアの片面又は両面上には中間層を設ける。銅箔キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
<Intermediate layer>
An intermediate layer is provided on one or both sides of the carrier. Another layer may be provided between the copper foil carrier and the intermediate layer. In the intermediate layer used in the present invention, the ultrathin copper layer is hardly peeled off from the carrier before the copper foil with the carrier is laminated on the insulating substrate, while the ultrathin copper layer is separated from the carrier after the lamination step on the insulating substrate. There is no particular limitation as long as it can be peeled off. For example, the intermediate layer of the copper foil with a carrier of the present invention is Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, hydrates thereof, oxides thereof, One or two or more selected from the group consisting of organic substances may be included. The intermediate layer may be a plurality of layers.
また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層、或いは、有機物層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物または有機物からなる層を形成することで構成することができる。 Further, for example, the intermediate layer is a single metal layer composed of one kind of element selected from the element group composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side. Or an alloy layer made of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, or an organic layer A hydrate of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn It can be configured by forming a layer made of an oxide or an organic substance.
また、例えば中間層は、キャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群の内何れか一種の元素からなる単一金属層、あるいはCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群から選択された一種以上の元素からなる合金層あるいは有機物からなる層、その次にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群の内何れか一種の元素からなる単一金属層、あるいはCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群から選択された一種以上の元素からなる合金層で構成することができる。また、他の層には中間層として用いることができる層構成を用いてもよい。 Further, for example, the intermediate layer is a single metal layer made of any one element of the element group of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side, or Cr , Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, an alloy layer made of one or more elements selected from the element group, or a layer made of organic matter, and then Cr, Ni, Co, A single metal layer made of any one of elements of Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, or Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu It can be composed of an alloy layer made of one or more elements selected from the group of elements Al, Zn. Moreover, you may use the layer structure which can be used as an intermediate | middle layer for another layer.
中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面には粗化処理層やNiめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やめっき処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。 When the intermediate layer is provided only on one side, it is preferable to provide a rust preventive layer such as a roughened layer or a Ni plating layer on the opposite side of the carrier. When the intermediate layer is provided by chromate treatment, zinc chromate treatment, or plating treatment, it is considered that some of the attached metal such as chromium and zinc may be hydrates or oxides.
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロム含有層とがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。クロム含有層はクロメート処理層またはクロム層またはクロム合金層であることが好ましい。ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はCo、Fe、Ni、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、AsおよびTi等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、純クロメート処理層や亜鉛クロメート処理層等が挙げられる。本発明においては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層を純クロメート処理層という。また、本発明においては無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層を亜鉛クロメート処理層という。
中間層はNi及びCrを主成分としてもよい。また、中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは200μg/dm2以上30000μg/dm2以下、より好ましくは300μg/dm2以上20000μg/dm2以下、より好ましくは400μg/dm2以上15000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は5μg/dm2以上150μg/dm2以下であることが好ましく、5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることが好ましい。
また、中間層が含む有機物は窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸からなる群から選択される一種以上の有機物であることが好ましい。具体的な窒素含有有機化合物としては、置換基を有するトリアゾール化合物である1,2,3−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N’,N’−ビス(ベンゾトリアゾリルメチル)ユリア、1H−1,2,4−トリアゾール及び3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾール等を用いることが好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、チオシアヌル酸及び2−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
前述の有機物は厚みで5nm以上80nm以下含有するのが好ましく、10nm以上70nm以下含有するのがより好ましい。中間層は前述の有機物を複数種類(一種以上)含んでもよい。
有機物の厚みは以下の様に測定することが可能である。
Further, for example, the intermediate layer can be formed by laminating nickel, a nickel-phosphorus alloy or a nickel-cobalt alloy, and a chromium-containing layer in this order on a carrier. Since the adhesive strength between nickel and copper is higher than the adhesive strength between chromium and copper, when the ultrathin copper layer is peeled off, it peels at the interface between the ultrathin copper layer and chromium. Further, the nickel of the intermediate layer is expected to have a barrier effect that prevents the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin copper layer. The chromium-containing layer is preferably a chromate-treated layer, a chromium layer, or a chromium alloy layer. Here, the chromate-treated layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate. Chromate treatment layer is Co, Fe, Ni, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As, Ti, and other elements (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.) May be included). Specific examples of the chromate treatment layer include a pure chromate treatment layer and a zinc chromate treatment layer. In the present invention, a chromate treatment layer treated with an anhydrous chromic acid or potassium dichromate aqueous solution is referred to as a pure chromate treatment layer. In the present invention, a chromate treatment layer treated with a treatment liquid containing chromic anhydride or potassium dichromate and zinc is referred to as a zinc chromate treatment layer.
The intermediate layer may contain Ni and Cr as main components. The coating weight of the nickel in the intermediate layer is preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, more preferably 200 [mu] g / dm 2 or more 30000μg / dm 2 or less, more preferably 300 [mu] g / dm 2 or more 20000μg / dm 2 or less , more preferably less than 400 [mu] g / dm 2 or more 15000μg / dm 2, the adhesion amount of chromium is preferably 5 [mu] g / dm 2 or more 150 [mu] g / dm 2 or less in the intermediate layer, 5 [mu] g / dm 2 or more 100 [mu] g / dm 2 The following is preferable.
The organic substance contained in the intermediate layer is preferably one or more organic substances selected from the group consisting of nitrogen-containing organic compounds, sulfur-containing organic compounds and carboxylic acids. Specific nitrogen-containing organic compounds include 1,2,3-benzotriazole, carboxybenzotriazole, N ′, N′-bis (benzotriazolylmethyl) urea, 1H-1 which are triazole compounds having a substituent. 2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole and the like are preferably used.
For the sulfur-containing organic compound, it is preferable to use mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzothiazole sodium, thiocyanuric acid, 2-benzimidazolethiol, and the like.
As the carboxylic acid, it is particularly preferable to use a monocarboxylic acid, and it is particularly preferable to use oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, or the like.
The organic material is preferably contained in a thickness of 5 nm to 80 nm, more preferably 10 nm to 70 nm. The intermediate layer may contain a plurality of types (one or more) of the aforementioned organic substances.
The thickness of the organic substance can be measured as follows.
<中間層の有機物厚み>
キャリア付銅箔の極薄銅層をキャリアから剥離した後に、露出した極薄銅層の中間層側の表面と、露出したキャリアの中間層側の表面をXPS測定し、デプスプロファイルを作成する。そして、極薄銅層の中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをA(nm)とし、キャリアの中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをB(nm)とし、AとBとの合計を中間層の有機物の厚み(nm)とすることができる。
上記XPSの稼働条件を以下に示す。
・装置:XPS測定装置(アルバックファイ社、型式5600MC)
・到達真空度:3.8×10-7Pa
・X線:単色AlKαまたは非単色MgKα、エックス線出力300W、検出面積800μmφ、試料と検出器のなす角度45°
・イオン線:イオン種Ar+、加速電圧3kV、掃引面積3mm×3mm、スパッタリングレート2.8nm/min(SiO2換算)
<Thickness of organic material in the intermediate layer>
After peeling off the ultrathin copper layer of the carrier-attached copper foil from the carrier, the surface of the exposed ultrathin copper layer on the intermediate layer side and the exposed surface of the intermediate layer side of the carrier are subjected to XPS measurement to create a depth profile. The depth at which the carbon concentration first becomes 3 at% or less from the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer is defined as A (nm), and the carbon concentration is initially 3 at% or less from the surface on the intermediate layer side of the carrier. The resulting depth can be defined as B (nm), and the sum of A and B can be defined as the thickness (nm) of the organic substance in the intermediate layer.
The operating conditions of the XPS are shown below.
・ Device: XPS measuring device (ULVAC-PHI, Model 5600MC)
・ Achieving vacuum: 3.8 × 10 −7 Pa
X-ray: Monochromatic AlKα or non-monochromatic MgKα, X-ray output 300 W, detection area 800 μmφ, angle between sample and detector 45 °
Ion beam: ion species Ar + , acceleration voltage 3 kV, sweep area 3 mm × 3 mm, sputtering rate 2.8 nm / min (in terms of SiO 2 )
<極薄銅層>
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層はキャリアの両面に設けてもよい。極薄銅層は電解銅層であってもよい。ここで、当該電解銅層とは、電気めっき(電解めっき)により形成された銅層のことをいう。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅層で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。なお、極薄銅層を形成するために用いるめっき液に光沢剤を添加してもよい。極薄銅層の厚みは特に限定されないが、0.01〜12μmとすることができる。また、極薄銅層の厚みは、1.6μm以下に制御されていてもよい。このような構成により、当該極薄銅層を用いて極めて微細な回路を形成することが可能となる。極薄銅層の厚みは、薄いほど回路形成性が向上しやすいため、1.2μm以下であるのが好ましく、1.0μm以下であるのが好ましく、0.9μm以下であるのが好ましく、0.85μm以下であるのが好ましく、0.80μm以下であるのがより好ましく、0.75μm以下であるのが更により好ましく、0.70μm以下であるのが更により好ましく、0.65μm以下であるのが更により好ましく、0.60μm以下であるのが更により好ましく、0.50μm以下であるのが更により好ましく、0.45μm以下であるのが更により好ましく、0.40μm以下であるのが更により好ましく、0.35μm以下であるのが更により好ましく、0.32μm以下であるのが更により好ましく、0.30μm以下であるのが更により好ましく、0.25μm以下であるのが更により好ましい。極薄銅層の厚みは小さすぎると取り扱いが困難になるという問題が生じるおそれがあるため、0.01μm以上であることが好ましく、0.05μm以上であることが好ましく、0.10μm以上であることが好ましく、0.15μm以上であるのがより好ましい。極薄銅層の厚みは、典型的には0.01〜0.9μmであり、典型的には0.05〜0.9μmであり、より典型的には0.1〜0.9μmであり、更により典型的には0.15〜0.9μmである。
<Ultrathin copper layer>
An ultrathin copper layer is provided on the intermediate layer. Another layer may be provided between the intermediate layer and the ultrathin copper layer. Ultrathin copper layers may be provided on both sides of the carrier. The ultra-thin copper layer may be an electrolytic copper layer. Here, the said electrolytic copper layer means the copper layer formed by electroplating (electrolytic plating). The ultra-thin copper layer can be formed by electroplating using an electrolytic bath such as copper sulfate, copper pyrophosphate, copper sulfamate, and copper cyanide, and is used in general electrolytic copper layers with a high current density. Since a copper foil can be formed, a copper sulfate bath is preferable. In addition, you may add a brightener to the plating solution used in order to form an ultra-thin copper layer. Although the thickness of an ultra-thin copper layer is not specifically limited, It can be 0.01-12 micrometers. The thickness of the ultrathin copper layer may be controlled to 1.6 μm or less. With such a configuration, an extremely fine circuit can be formed using the ultrathin copper layer. The thinner the ultrathin copper layer, the easier it is to improve the circuit formability. Therefore, the thickness is preferably 1.2 μm or less, preferably 1.0 μm or less, preferably 0.9 μm or less, 0 .85 μm or less is preferred, 0.80 μm or less is more preferred, 0.75 μm or less is even more preferred, 0.70 μm or less is even more preferred, and 0.65 μm or less is preferred. Is more preferably 0.60 μm or less, still more preferably 0.50 μm or less, still more preferably 0.45 μm or less, and 0.40 μm or less. Even more preferably, it is still more preferably 0.35 μm or less, still more preferably 0.32 μm or less, still more preferably 0.30 μm or less, 0.2 Still more preferably of at μm or less. If the thickness of the ultra-thin copper layer is too small, it may cause a problem that handling becomes difficult. Therefore, the thickness is preferably 0.01 μm or more, preferably 0.05 μm or more, and 0.10 μm or more. The thickness is preferably 0.15 μm or more. The thickness of the ultra-thin copper layer is typically 0.01-0.9 μm, typically 0.05-0.9 μm, more typically 0.1-0.9 μm Even more typically, it is 0.15 to 0.9 μm.
<粗化処理及びその他の表面処理>
極薄銅層の表面またはキャリアの表面のいずれか一方または両方には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層および/または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層および/又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。
ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。
<Roughening treatment and other surface treatment>
Either or both of the surface of the ultra-thin copper layer and the surface of the carrier may be provided with a roughening treatment layer by applying a roughening treatment to improve adhesion to the insulating substrate, for example. Good. The roughening treatment can be performed, for example, by forming roughened particles with copper or a copper alloy. The roughening process may be fine. The roughening treatment layer is a layer made of any single element selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc, or an alloy containing one or more of them. Also good. Moreover, after forming the roughened particles with copper or a copper alloy, a roughening treatment can be performed in which secondary particles or tertiary particles are further formed of nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy. Thereafter, a heat-resistant layer and / or a rust-preventing layer may be formed of nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy, and the surface thereof may be subjected to a treatment such as chromate treatment or silane coupling treatment. . Alternatively, a heat-resistant layer and / or rust-preventing layer is formed with nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy without roughening, and the surface is further treated with chromate treatment, silane coupling treatment, etc. May be. That is, one or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust-preventing layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface of the roughening treatment layer. One or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface. In addition, the above-mentioned heat-resistant layer, rust prevention layer, chromate treatment layer, and silane coupling treatment layer may each be formed of a plurality of layers (for example, 2 layers or more, 3 layers or more, etc.).
Here, the chromate-treated layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate. Chromate treatment layer is any element such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.) May be included). Specific examples of the chromate treatment layer include a chromate treatment layer treated with chromic anhydride or a potassium dichromate aqueous solution, a chromate treatment layer treated with a treatment solution containing anhydrous chromic acid or potassium dichromate and zinc, and the like. .
なお、キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けることは、キャリアを当該粗化処理層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離しにくくなるという利点を有する。上述のように極薄銅層又はキャリアの表面の粗化処理層上にさらに耐熱層等の表面処理層を形成することで、積層させる樹脂基材に極薄銅層またはキャリアからの銅等の元素が拡散することを良好に抑制することができ、樹脂基材との積層の際の熱圧着による密着性が向上する。 Note that providing a roughening treatment layer on the surface opposite to the surface on which the ultrathin copper layer of the carrier is provided means that the carrier is laminated on a support such as a resin substrate from the surface side having the roughening treatment layer. At this time, there is an advantage that the carrier and the resin substrate are hardly separated. As described above, by forming a surface treatment layer such as a heat-resistant layer on the ultrathin copper layer or the roughening treatment layer on the surface of the carrier, the ultrathin copper layer or the copper from the carrier is formed on the resin base material to be laminated. It is possible to satisfactorily suppress the diffusion of the elements, and the adhesion by thermocompression bonding at the time of lamination with the resin base material is improved.
耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることが出来る。例えば、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを50wt%〜99wt%、亜鉛を50wt%〜1wt%含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が5〜1000mg/m2、好ましくは10〜500mg/m2、好ましくは20〜100mg/m2であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比(=ニッケルの付着量/亜鉛の付着量)が1.5〜10であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は0.5mg/m2〜500mg/m2であることが好ましく、1mg/m2〜50mg/m2であることがより好ましい。耐熱層および/または防錆層がニッケル−亜鉛合金を含む層である場合、銅箔と樹脂基板との密着性が向上する。 As the heat-resistant layer and the rust-proof layer, known heat-resistant layers and rust-proof layers can be used. For example, the heat-resistant layer and / or the anticorrosive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, tantalum A layer containing one or more elements selected from nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements Further, it may be a metal layer or an alloy layer made of one or more elements selected from the group consisting of iron, tantalum and the like. The heat-resistant layer and / or rust preventive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, and tantalum. An oxide, nitride, or silicide containing one or more elements selected from the above may be included. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% to 99 wt% nickel and 50 wt% to 1 wt% zinc, excluding inevitable impurities. The total adhesion amount of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer may be 5 to 1000 mg / m 2 , preferably 10 to 500 mg / m 2 , preferably 20 to 100 mg / m 2 . Further, the ratio of the nickel adhesion amount and the zinc adhesion amount of the layer containing the nickel-zinc alloy or the nickel-zinc alloy layer (= nickel adhesion amount / zinc adhesion amount) is 1.5 to 10. It is preferable. Further, the nickel - in adhesion amount of nickel in the zinc alloy layer is preferably from 0.5mg / m 2 ~500mg / m 2 , 1mg / m 2 ~50mg / m 2 - zinc alloy layer or the nickel containing More preferably. When the heat resistant layer and / or the rust preventive layer is a layer containing a nickel-zinc alloy, the adhesion between the copper foil and the resin substrate is improved.
例えば耐熱層および/または防錆層は、付着量が1mg/m2〜100mg/m2、好ましくは5mg/m2〜50mg/m2のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が1mg/m2〜80mg/m2、好ましくは5mg/m2〜40mg/m2のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン、ニッケル−亜鉛、ニッケル−モリブデン−コバルト、ニッケル−スズ合金のいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および/または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が2mg/m2〜150mg/m2であることが好ましく、10mg/m2〜70mg/m2であることがより好ましい。また、前述の耐熱層および/または防錆層は、[ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量]/[スズ付着量]=0.25〜10であることが好ましく、0.33〜3であることがより好ましい。当該耐熱層および/または防錆層を用いるとキャリア付銅箔をプリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等が良好になる。 For example heat-resistant layer and / or anticorrosive layer has coating weight of 1 mg / m 2 -100 mg / m 2, preferably from 5 mg / m 2 and to 50 mg / m 2 of nickel or nickel alloy layer, the adhesion amount is 1 mg / m 2 to 80 mg / m 2, preferably it may be obtained by sequentially laminating a tin layer of 5mg / m 2 ~40mg / m 2 , wherein the nickel alloy layer of nickel - molybdenum, nickel - zinc, nickel - molybdenum - cobalt Or any one of nickel-tin alloys. The heat-resistant layer and / or anticorrosive layer, it is preferably, 10mg / m 2 ~70mg / m 2 total deposition amount of nickel or nickel alloy and tin is 2mg / m 2 ~150mg / m 2 It is more preferable. Moreover, it is preferable that the above-mentioned heat-resistant layer and / or rust preventive layer are [nickel or nickel adhesion amount in nickel or nickel alloy] / [tin adhesion amount] = 0.25 to 10, preferably 0.33 to 3. It is more preferable. When the heat-resistant layer and / or the rust-preventing layer is used, the carrier peel-off copper foil is processed into a printed wiring board, and the subsequent circuit peeling strength, the chemical resistance deterioration rate of the peeling strength, and the like are improved.
なお、シランカップリング処理層を設けるために用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、4−グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。 In addition, you may use a well-known silane coupling agent for the silane coupling agent used in order to provide a silane coupling process layer, for example, an amino-type silane coupling agent or an epoxy-type silane coupling agent, a mercapto-type silane coupling An agent may be used. Silane coupling agents include vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxylane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 4-glycidylbutyltrimethoxysilane, and γ-aminopropyl. Triethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, imidazolesilane, triazinesilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane or the like may be used.
前記シランカップリング処理層は、公知のシランカップリング剤を使用して形成してもよく、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シラン、ビニル系シラン、イミダゾール系シラン、トリアジン系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。 The silane coupling treatment layer may be formed using a known silane coupling agent, such as epoxy silane, amino silane, methacryloxy silane, mercapto silane, vinyl silane, imidazole silane, triazine. You may form using silane coupling agents, such as silane. In addition, you may use 2 or more types of such silane coupling agents in mixture. Especially, it is preferable to form using an amino-type silane coupling agent or an epoxy-type silane coupling agent.
ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(N−スチリルメチル−2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−(3−アクリルオキシ−2−ヒドロキシプロピル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、4−アミノブチルトリエトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル−3−アミノプロピル)トリス(2−エチルヘキソキシ)シラン、6−(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3−(1−アミノプロポキシ)−3,3−ジメチル−1−プロペニルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリス(メトキシエトキシエトキシ)シラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、3−(2−N−ベンジルアミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、(N,N−ジエチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、(N,N−ジメチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−(N−スチリルメチル−2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。 The amino silane coupling agent referred to here is N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- Aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N- (3 -Acryloxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) Trimethoxysilane, N (2-aminoethyl-3-aminopropyl) tris (2-ethylhexoxy) silane, 6- (aminohexylaminopropyl) trimethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, 3- (1-aminopropoxy) -3,3- Dimethyl-1-propenyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltris (methoxyethoxyethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, ω-aminoundecyltrimethoxysilane, 3- (2 -N-benzylaminoethylaminopropyl) trimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, (N, N-diethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane, (N, N- Dimethyl-3-aminopropyl) Limethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N -Β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane may be selected from the group consisting of Good.
シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、0.05mg/m2〜200mg/m2、好ましくは0.15mg/m2〜20mg/m2、好ましくは0.3mg/m2〜2.0mg/m2の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、基材と表面処理銅箔との密着性をより向上させることが出来る。 The silane coupling treatment layer is 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2 , preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2 , preferably 0.3 mg / m 2 to 2.0 mg in terms of silicon atoms. / M 2 is desirable. In the case of the above-mentioned range, the adhesiveness between the substrate and the surface-treated copper foil can be further improved.
また、極薄銅層、粗化処理層、耐熱層、防錆層、シランカップリング処理層またはクロメート処理層の表面に、国際公開番号WO2008/053878、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、特開2013−19056号に記載の表面処理を行うことができる。
なお、粗化処理層、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層はそれぞれ一層で構成されてもよいし、複数の層で構成されてもよい。
In addition, on the surface of an ultrathin copper layer, a roughening treatment layer, a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a silane coupling treatment layer or a chromate treatment layer, International Publication No. WO2008 / 053878, JP2008-1111169, Patent No. 5024930 , International Publication No. WO2006 / 028207, Patent No. 4828427, International Publication No. WO2006 / 134868, Patent No. 5046927, International Publication No. WO2007 / 105635, Patent No. 5180815, JP2013-19056A. be able to.
The roughening treatment layer, the heat-resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer, and the silane coupling treatment layer may each be composed of a single layer or a plurality of layers.
また、本発明のキャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
なお、樹脂層は一層で構成されてもよいし、複数の層で構成されてもよい。
The copper foil with a carrier of the present invention is a resin layer on the ultrathin copper layer, on the roughened layer, on the heat-resistant layer, rust-proof layer, chromate-treated layer, or silane coupling-treated layer. May be provided. The resin layer may be an insulating resin layer.
The resin layer may be composed of a single layer or a plurality of layers.
前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。 The resin layer may be an adhesive, or an insulating resin layer in a semi-cured state (B stage state) for bonding. The semi-cured state (B stage state) is a state in which there is no sticky feeling even if the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment. Including that.
また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルスルホン樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、多価カルボン酸の無水物、架橋可能な官能基を有する線状ポリマー、ポリフェニレンエーテル樹脂、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、2,2−ビス(4−グリシジルフェニル)プロパン、ポリフェニレンエーテル−シアネート系樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シアノエステル樹脂、フォスファゼン系樹脂、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミド、フッ素樹脂、ビスフェノール、ブロック共重合ポリイミド樹脂およびシアノエステル樹脂の群から選択される一種以上を含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。 The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. The resin layer may include a thermoplastic resin. Although the type is not particularly limited, for example, epoxy resin, polyimide resin, polyfunctional cyanate ester compound, maleimide compound, polyvinyl acetal resin, urethane resin, polyethersulfone, polyethersulfone resin, aromatic Polyamide resin, polyamideimide resin, rubber-modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group-modified acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine resin, thermosetting polyphenylene oxide resin, cyanate ester resin, polyhydric carboxylic acid anhydride , Linear polymers having crosslinkable functional groups, polyphenylene ether resins, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, phosphorus-containing phenol compounds, manganese naphthenate, 2,2-bis (4 -Glycidylphenyl) propane, polyphenylene ether-cyanate resin, siloxane-modified polyamideimide resin, cyanoester resin, phosphazene resin, rubber modified polyamideimide resin, isoprene, hydrogenated polybutadiene, polyvinyl butyral, phenoxy, polymer epoxy, aromatic Preferred examples include resins containing at least one selected from the group consisting of group polyamides, fluororesins, bisphenols, block copolymerized polyimide resins, and cyanoester resins.
また前記エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に2個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、前記エポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化(臭素化)エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N−ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる1種又は2種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
The epoxy resin has two or more epoxy groups in the molecule and can be used without any problem as long as it can be used for electric / electronic materials. The epoxy resin is preferably an epoxy resin epoxidized using a compound having two or more glycidyl groups in the molecule. The epoxy resin is bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, brominated (Brominated) epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, orthocresol novolac type epoxy resin, rubber modified bisphenol A type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, triglycidyl isocyania Glycidyl amine compounds such as nurate, N, N-diglycidyl aniline, glycidyl ester compounds such as tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester, phosphorus-containing epoxy resins, One type or two or more types selected from the group consisting of a phenyl type epoxy resin, a biphenyl novolac type epoxy resin, a trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, and a tetraphenylethane type epoxy resin can be used, or the epoxy resin These hydrogenated products and halogenated products can be used.
As the phosphorus-containing epoxy resin, a known epoxy resin containing phosphorus can be used. The phosphorus-containing epoxy resin is, for example, an epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide having two or more epoxy groups in the molecule. Is preferred.
前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体(無機化合物及び/または有機化合物を含む誘電体、金属酸化物を含む誘電体等どのような誘電体を用いてもよい)、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材、前述の樹脂、前述の化合物等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号WO2008/004399、国際公開番号WO2008/053878、国際公開番号WO2009/084533、特開平11−5828号、特開平11−140281号、特許第3184485号、国際公開番号WO97/02728、特許第3676375号、特開2000−43188号、特許第3612594号、特開2002−179772号、特開2002−359444号、特開2003−304068号、特許第3992225号、特開2003−249739号、特許第4136509号、特開2004−82687号、特許第4025177号、特開2004−349654号、特許第4286060号、特開2005−262506号、特許第4570070号、特開2005−53218号、特許第3949676号、特許第4178415号、国際公開番号WO2004/005588、特開2006−257153号、特開2007−326923号、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、特開2009−67029号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、特開2009−173017号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、国際公開番号WO2008/114858、国際公開番号WO2009/008471、特開2011−14727号、国際公開番号WO2009/001850、国際公開番号WO2009/145179、国際公開番号WO2011/068157、特開2013−19056号に記載されている物質(樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等)および/または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。 The resin layer may be made of any known dielectric such as a known resin, resin curing agent, compound, curing accelerator, dielectric (dielectric including an inorganic compound and / or organic compound, dielectric including a metal oxide). May be included), a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeletal material, the aforementioned resin, the aforementioned compound, and the like. The resin layer may be, for example, International Publication No. WO2008 / 004399, International Publication No. WO2008 / 053878, International Publication No. WO2009 / 084533, JP-A-11-5828, JP-A-11-140281, Patent 3184485, International Publication No. WO 97/02728, Japanese Patent No. 3676375, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-43188, Japanese Patent No. 3612594, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-179772, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-359444, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-302068, Japanese Patent No. 3992225, Japanese Patent Laid-Open No. 2003 No. 249739, Japanese Patent No. 4136509, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-82687, Japanese Patent No. 4025177, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Patent Application Laid-Open No. No. 5-53218, Japanese Patent No. 3949676, Japanese Patent No. 4178415, International Publication No. WO2004 / 005588, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-257153, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-326923, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-11169, and Japanese Patent No. 5024930. No. WO 2006/028207, Japanese Patent No. 4828427, JP 2009-67029, International Publication No. WO 2006/134868, Japanese Patent No. 5046927, JP 2009-173017, International Publication No. WO 2007/105635, Patent No. 5180815, International Publication Number WO2008 / 114858, International Publication Number WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-14727, International Publication Number WO2009 / 001850, International Publication Number WO2009 / 145179, International Publication Number Nos. WO2011 / 068157, JP-A-2013-19056 (resins, resin curing agents, compounds, curing accelerators, dielectrics, reaction catalysts, crosslinking agents, polymers, prepregs, skeletal materials, etc.) and / or You may form using the formation method and formation apparatus of a resin layer.
(樹脂層が誘電体(誘電体フィラー)を含む場合)
前記樹脂層は誘電体(誘電体フィラー)を含んでもよい。
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体(誘電体フィラー)を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体(誘電体フィラー)には、BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr−Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3・PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等のペロブスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
(When the resin layer contains a dielectric (dielectric filler))
The resin layer may include a dielectric (dielectric filler).
In the case where a dielectric (dielectric filler) is included in any of the above resin layers or resin compositions, it can be used for the purpose of forming the capacitor layer and increase the capacitance of the capacitor circuit. Examples of the dielectric (dielectric filler) include BaTiO 3 , SrTiO 3 , Pb (Zr—Ti) O 3 (common name PZT), PbLaTiO 3 · PbLaZrO (common name PLZT), SrBi 2 Ta 2 O 9 (common name SBT), and the like. A composite oxide dielectric powder having a perovskite structure is used.
前述の樹脂層に含まれる樹脂および/または樹脂組成物および/または化合物を例えばメチルエチルケトン(MEK)、トルエンなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート皮膜層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しBステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は100〜250℃、好ましくは130〜200℃であればよい。 The resin and / or resin composition and / or compound contained in the resin layer is dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone (MEK) or toluene to obtain a resin liquid, which is used on the ultrathin copper layer or the heat-resistant layer. Then, it is coated on the rust preventive layer, the chromate film layer, or the silane coupling agent layer by, for example, a roll coater method, and then heated and dried as necessary to remove the solvent to obtain a B stage state. For example, a hot air drying furnace may be used for drying, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C.
前記樹脂層を備えたキャリア付銅箔(樹脂付きキャリア付銅箔)は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついでキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ(当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である)、そこに所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。 The copper foil with a carrier provided with the resin layer (copper foil with a carrier with resin) is superposed on the base material, and the whole is thermocompression bonded to thermally cure the resin layer, and then the carrier is peeled off. Thus, the ultrathin copper layer is exposed (which is naturally the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer), and a predetermined wiring pattern is formed thereon.
この樹脂付きキャリア付銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。 If this resin-attached copper foil with a carrier is used, the number of prepreg materials used when manufacturing a multilayer printed wiring board can be reduced. In addition, the copper-clad laminate can be manufactured even if the resin layer is made thick enough to ensure interlayer insulation or no prepreg material is used. At this time, the surface smoothness can be further improved by undercoating the surface of the substrate with an insulating resin.
なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、1層の厚みが100μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。 In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved and the laminating process is simplified, which is economically advantageous. Moreover, the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is used. The thickness is reduced, and there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 μm or less can be manufactured.
この樹脂層の厚みは0.1〜80μmであることが好ましい。樹脂層の厚みが0.1μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。 The thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 80 μm. When the thickness of the resin layer is less than 0.1 μm, the adhesive strength is reduced, and when the copper foil with a carrier with the resin is laminated on the base material provided with the inner layer material without interposing the prepreg material, the circuit of the inner layer material It may be difficult to ensure interlayer insulation between the two.
一方、樹脂層の厚みを80μmより厚くすると、1回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。 On the other hand, if the thickness of the resin layer is greater than 80 μm, it is difficult to form a resin layer having a desired thickness in a single coating process, which is economically disadvantageous because of extra material costs and man-hours. Furthermore, since the formed resin layer is inferior in flexibility, cracks are likely to occur during handling, and excessive resin flow occurs during thermocompression bonding with the inner layer material, making smooth lamination difficult. There is.
更に、この樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。 Furthermore, as another product form of this copper foil with a carrier with a resin, on the ultra-thin copper layer, or on the heat-resistant layer, rust-preventing layer, chromate-treated layer, or silane coupling-treated layer After coating with a resin layer and making it into a semi-cured state, the carrier can then be peeled off and manufactured in the form of a copper foil with resin without the carrier.
以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。 Below, some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the copper foil with a carrier which concerns on this invention are shown.
本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔の銅箔キャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。 In one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention, a step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate, and with the carrier After laminating a copper foil and an insulating substrate, a copper clad laminate is formed through a process of peeling the copper foil carrier of the copper foil with carrier, and then a semi-additive method, a modified semi-additive method, a partially additive method, and a subtractive method. Forming a circuit by any of the methods. It is also possible for the insulating substrate to contain an inner layer circuit.
本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。 In the present invention, the semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer, a pattern is formed, and then a conductive pattern is formed using electroplating and etching.
従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing all of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid,
Providing a through hole or / and a blind via in the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the resin and the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing all of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid,
Providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を(フラッシュ)エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。 In the present invention, the modified semi-additive method is a method in which a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, and the copper is thickened in the circuit forming portion by electrolytic plating, and then the resist is removed. Then, a method of forming a circuit on the insulating layer by removing the metal foil other than the circuit forming portion by (flash) etching is indicated.
従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, the step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier,
Forming a circuit by electrolytic plating after providing the plating resist;
Removing the plating resist;
Removing the ultra-thin copper layer exposed by removing the plating resist by flash etching;
including.
モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, the step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a plating resist on the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。 In the present invention, the partial additive method means that a catalyst circuit is formed on a substrate provided with a conductor layer, and if necessary, a substrate provided with holes for through holes or via holes, and etched to form a conductor circuit. Then, after providing a solder resist or a plating resist as necessary, it refers to a method of manufacturing a printed wiring board by thickening through holes, via holes, etc. on the conductor circuit by electroless plating.
従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a partly additive method, a step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Applying catalyst nuclei to the region containing the through-holes and / or blind vias;
Providing an etching resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier,
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultrathin copper layer and the catalyst nucleus by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
A step of providing a solder resist or a plating resist on the surface of the insulating substrate exposed by removing the ultrathin copper layer and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid;
Providing an electroless plating layer in a region where the solder resist or plating resist is not provided,
including.
本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。 In the present invention, the subtractive method refers to a method of forming a conductor pattern by selectively removing unnecessary portions of a copper foil on a copper clad laminate by etching or the like.
従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer;
A step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the ultrathin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultrathin copper layer and the electroless plating layer and the electrolytic plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.
サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Forming a mask on the surface of the electroless plating layer;
Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer on which no mask is formed;
A step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the ultrathin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultra-thin copper layer and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.
スルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。 The process of providing a through hole or / and a blind via and the subsequent desmear process may not be performed.
本発明のプリント配線板の製造方法は、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含んでもよい。また、本発明のプリント配線板の製造方法は、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側に樹脂層を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含んでもよい。また、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、前記樹脂層上に別のキャリア付銅箔を極薄銅層側又はキャリア側から貼り合わせ、前記樹脂層に貼り合わせたキャリア付銅箔を用いて前記回路を形成する工程であってもよい。また、前記樹脂層上に貼り合わせる別のキャリア付銅箔が、本発明のキャリア付銅箔であってもよい。 The method for producing a printed wiring board of the present invention includes a step of forming a circuit on the surface of the ultrathin copper layer or the surface of the carrier of the copper foil with a carrier of the present invention, and the copper foil with a carrier so that the circuit is buried. After forming the resin layer on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the step, peeling the carrier or the ultrathin copper layer, and peeling the carrier or the ultrathin copper layer, A step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer or the surface of the carrier by removing the ultrathin copper layer or the carrier may be included. Moreover, the manufacturing method of the printed wiring board of this invention is the process of forming a circuit in the said ultra-thin copper layer side or the said carrier side surface of the copper foil with a carrier of this invention, The said copper with a carrier so that the said circuit may be buried. Forming a resin layer on the surface of the ultrathin copper layer or the carrier side of the foil, forming a circuit on the resin layer, forming a circuit on the resin layer, and then forming the carrier or the ultrathin copper Forming the layer on the surface of the ultrathin copper layer or the carrier side by removing the ultrathin copper layer or the carrier after peeling the carrier or the ultrathin copper layer. The step of exposing the circuit buried in the resin layer may be included. In addition, the step of forming a circuit on the resin layer includes bonding a carrier-attached copper foil on the resin layer from the ultrathin copper layer side or the carrier side, and attaching the carrier-attached copper foil to the resin layer. It may be a step of forming the circuit by using. Moreover, the copper foil with a carrier of the present invention may be another copper foil with a carrier to be bonded onto the resin layer.
ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を図面を用いて詳細に説明する。なお、ここでは極薄銅層表面に粗化処理層が形成されたキャリア付銅箔を例にして説明しているが、粗化処理層は形成されていなくてもよい。
まず、図1−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図1−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図1−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図2−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図2−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図2−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図3−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図3−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図1−B及び図1−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図3−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図4−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図4−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
なお、上述のプリント配線板の製造方法で、「極薄銅層」をキャリアに、「キャリア」を極薄銅層に読み替えて、キャリア付銅箔のキャリア側の表面に回路を形成して、樹脂で回路を埋め込み、プリント配線板を製造することも可能である。
Here, the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention is demonstrated in detail using drawing. In addition, although the copper foil with a carrier by which the roughening process layer was formed on the ultra-thin copper layer surface is demonstrated as an example here, the roughening process layer does not need to be formed.
First, as shown to FIG. 1-A, the copper foil with a carrier (1st layer) which has the ultra-thin copper layer in which the roughening process layer was formed on the surface is prepared.
Next, as shown in FIG. 1-B, a resist is applied onto the roughened layer of the ultrathin copper layer, exposed and developed, and etched into a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 1-C, after the plating for the circuit is formed, the resist is removed to form a circuit plating having a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 2-D, an embedding resin is provided on the ultrathin copper layer so as to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried), and then the resin layer is laminated, followed by another carrier. A copper foil (second layer) is bonded from the ultrathin copper layer side.
Next, as shown to FIG. 2-E, a carrier is peeled from the copper foil with a carrier of the 2nd layer.
Next, as shown in FIG. 2-F, laser drilling is performed at a predetermined position of the resin layer to expose the circuit plating and form a blind via.
Next, as shown in FIG. 3G, copper is embedded in the blind via to form a via fill.
Next, as shown in FIG. 3H, circuit plating is formed on the via fill as shown in FIGS. 1-B and 1-C.
Next, as shown to FIG. 3-I, a carrier is peeled from the copper foil with a carrier of the 1st layer.
Next, as shown in FIG. 4J, the ultrathin copper layers on both surfaces are removed by flash etching, and the surface of the circuit plating in the resin layer is exposed.
Next, as shown in FIG. 4K, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and copper pillars are formed on the solder. Thus, the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention is produced.
In the above-described printed wiring board manufacturing method, “ultra-thin copper layer” is used as a carrier, “carrier” is read as an ultra-thin copper layer, and a circuit is formed on the carrier-side surface of the copper foil with carrier. It is also possible to manufacture a printed wiring board by embedding a circuit with resin.
本発明のキャリア付銅箔を用いて上述のような埋め込み法を行うと、極薄銅層が薄いため、埋め込み回路を露出させるためのエッチングが短時間で完了し、生産性が飛躍的に向上する。 When the above-described embedding method is performed using the copper foil with a carrier of the present invention, since the ultrathin copper layer is thin, the etching for exposing the embedded circuit is completed in a short time, and the productivity is dramatically improved. To do.
上記別のキャリア付銅箔(2層目)は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、図3−Hに示される2層目の回路上に、さらに回路を1層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。 As the another copper foil with a carrier (second layer), the copper foil with a carrier of the present invention may be used, a conventional copper foil with a carrier may be used, and a normal copper foil may be further used. Further, one or more circuits may be formed on the second layer circuit shown in FIG. 3H, and these circuits may be formed by a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-conductor method. You may carry out by any method of an additive method.
本発明のキャリア付銅箔を用いてセミアディティブ法やモディファイドセミアディティブ法を行うと、極薄銅層が薄いため、フラッシュエッチングが短時間で完了し、生産性が飛躍的に向上する。 When the semi-additive method or the modified semi-additive method is performed using the copper foil with a carrier of the present invention, since the ultrathin copper layer is thin, the flash etching is completed in a short time, and the productivity is dramatically improved.
また、前記1層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔のキャリア側表面に基板を有してもよい。当該基板を有することで1層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板には、前記1層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果を有するものであれば、全ての基板を用いることが出来る。例えば前記基板として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。 Moreover, the copper foil with a carrier used for the said 1st layer may have a board | substrate on the carrier side surface of the said copper foil with a carrier. By having the said board | substrate, since the copper foil with a carrier used for the 1st layer is supported and it becomes difficult to wrinkle, there exists an advantage that productivity improves. Any substrate can be used as long as it has the effect of supporting the copper foil with carrier used in the first layer. For example, the carrier, prepreg, resin layer or known carrier, prepreg, resin layer, metal plate, metal foil, inorganic compound plate, inorganic compound foil, organic compound plate, organic compound A foil can be used.
キャリア側表面に基板を形成するタイミングについては特に制限はないが、キャリアを剥離する前に形成することが必要である。特に、前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程の前に形成することが好ましく、キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程の前に形成することがより好ましい。 Although there is no restriction | limiting in particular about the timing which forms a board | substrate in the carrier side surface, It is necessary to form before peeling a carrier. In particular, it is preferably formed before the step of forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier, and the step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier More preferably, it is formed before.
なお、埋め込み樹脂(レジン)には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、BT(ビスマレイミドトリアジン)レジンやBTレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ABFフィルムやABFを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記埋め込み樹脂は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記埋め込み樹脂の種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ブロック共重合ポリイミド樹脂、ブロック共重合ポリイミド樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルスルホン樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、多価カルボン酸の無水物などを含む樹脂や、紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、フッ素樹脂フィルムなどを好適なものとしてあげることができる。また、前記埋め込み樹脂(レジン)には本明細書に記載の樹脂層および/または樹脂および/またはプリプレグおよび/またはフィルムを使用することができる。 A known resin or prepreg can be used as the embedding resin (resin). For example, a prepreg that is a glass cloth impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, an ABF film or ABF manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. can be used. The embedding resin may include a thermosetting resin or a thermoplastic resin. The embedding resin may include a thermoplastic resin. The type of the embedded resin is not particularly limited. For example, epoxy resin, polyimide resin, polyfunctional cyanate compound, maleimide compound, polyvinyl acetal resin, urethane resin, block copolymer polyimide resin, block copolymer Polyimide resin, polyethersulfone, polyethersulfone resin, aromatic polyamide resin, polyamideimide resin, rubber modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group-modified acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine resin, thermosetting polyphenylene Resin containing oxide resin, cyanate ester resin, polycarboxylic acid anhydride, paper base phenolic resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth / paper composite Preferred examples include composite base epoxy resins, glass cloth / glass nonwoven fabric composite base epoxy resins and glass cloth base epoxy resins, polyester films, polyimide films, liquid crystal polymer films, fluororesin films, and the like. Moreover, the resin layer and / or resin and / or prepreg and / or film which are described in this specification can be used for the said embedding resin (resin).
更に、本発明のプリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。
Furthermore, a printed circuit board is completed by mounting electronic components on the printed wiring board of the present invention. In the present invention, the “printed wiring board” includes a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed board on which electronic parts are mounted as described above.
In addition, an electronic device may be manufactured using the printed wiring board, an electronic device may be manufactured using a printed circuit board on which the electronic components are mounted, and a print on which the electronic components are mounted. An electronic device may be manufactured using a substrate.
また、本発明のプリント配線板の製造方法は、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に、樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法(コアレス工法)であってもよい。当該コアレス工法について、具体的な例としては、まず、本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面またはキャリア側表面と樹脂基板とを積層して積層体(銅張積層板、銅張積層体ともいう)を製造する。その後、樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に樹脂層を形成する。キャリア側表面又は極薄銅層側表面に形成した樹脂層には、さらに別のキャリア付銅箔をキャリア側又は極薄銅層側から積層してもよい。
また、樹脂基板を中心として当該樹脂基板の両表面側に、キャリア/中間層/極薄銅層の順あるいは極薄銅層/中間層/キャリアの順でキャリア付銅箔が積層された構成を有する積層体あるいは「キャリア/中間層/極薄銅層/樹脂基板/極薄銅層/中間層/キャリア」の順に積層された構成を有する積層体あるいは「キャリア/中間層/極薄銅層/樹脂基板/キャリア/中間層/極薄銅層」の順に積層された構成を有する積層体あるいは「極薄銅層/中間層/キャリア/樹脂基板/キャリア/中間層/極薄銅層」の順に積層された構成を有する積層体を上述のプリント配線板の製造方法(コアレス工法)に用いてもよい。
そして、両端の極薄銅層あるいはキャリアの露出した表面には、別の樹脂層を設け、さらに銅層又は金属層を設けた後、当該銅層又は金属層を加工することで回路を形成してもよい。さらに、別の樹脂層を当該回路上に、当該回路を埋め込むように設けても良い。また、このような回路及び樹脂層の形成を1回以上行ってもよい(ビルドアップ工法)。そして、このようにして形成した積層体(以下、積層体Bとも言う)について、それぞれのキャリア付銅箔の極薄銅層またはキャリアをキャリアまたは極薄銅層から剥離させてコアレス基板を作製することができる。なお、前述のコアレス基板の作製には、2つのキャリア付銅箔を用いて、後述する極薄銅層/中間層/キャリア/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有する積層体や、キャリア/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/キャリアの構成を有する積層体や、キャリア/中間層/極薄銅層/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有する積層体を作製し、当該積層体を中心に用いることもできる。これら積層体(以下、積層体Aとも言う)の両側の極薄銅層またはキャリアの表面に樹脂層及び回路の2層を1回以上設け、樹脂層及び回路の2層を1回以上設けた後に、それぞれのキャリア付銅箔の極薄銅層またはキャリアをキャリアまたは極薄銅層から剥離させてコアレス基板を作製することができる。前述の積層体は、極薄銅層の表面、キャリアの表面、キャリアとキャリアとの間、極薄銅層と極薄銅層との間、極薄銅層とキャリアとの間には他の層を有してもよい。他の層は樹脂層や樹脂基板であってもよい。なお、本明細書において「極薄銅層の表面」、「極薄銅層側表面」、「キャリアの表面」、「キャリア側表面」、「積層体の表面」、「積層体表面」は、極薄銅層、キャリア、積層体が、極薄銅層表面、キャリア表面、積層体表面に他の層を有する場合には、当該他の層の表面(最表面)を含む概念とする。また、積層体は極薄銅層/中間層/キャリア/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有することが好ましい。当該積層体を用いてコアレス基板を作製した際、コアレス基板側に極薄銅層が配置されるため、モディファイドセミアディティブ法を用いてコアレス基板上に回路を形成しやすくなるためである。また、極薄銅層の厚みは薄いため、当該極薄銅層の除去がしやすく、極薄銅層の除去後にセミアディティブ法を用いて、コアレス基板上に回路を形成しやすくなるためである。
なお、本明細書において、「積層体A」または「積層体B」と特に記載していない「積層体」は、少なくとも積層体A及び積層体Bを含む積層体を示す。
Further, the method for producing a printed wiring board of the present invention includes a step of laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier of the present invention and a resin substrate, and an ultrathin layer laminated with the resin substrate. A step of providing at least once a resin layer and a circuit on the surface of the copper layer with carrier on the opposite side of the copper layer side surface or the carrier side surface, and forming two layers of the resin layer and the circuit Then, a printed wiring board manufacturing method (coreless method) including a step of peeling the carrier or the ultra-thin copper layer from the copper foil with carrier may be used. As a specific example of the coreless construction method, first, an ultrathin copper layer side surface or carrier side surface of the copper foil with carrier of the present invention and a resin substrate are laminated to form a laminate (copper-clad laminate, copper-clad laminate). (Also referred to as a laminate). Thereafter, a resin layer is formed on the surface of the ultrathin copper layer side surface laminated with the resin substrate or the surface of the carrier-attached copper foil opposite to the carrier side surface. You may laminate | stack another copper foil with a carrier from the carrier side or the ultra-thin copper layer side to the resin layer formed in the carrier side surface or the ultra-thin copper layer side surface.
Also, a structure in which a copper foil with a carrier is laminated in the order of carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer or ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier on both surfaces of the resin substrate with the resin substrate as the center. Or a laminate having a structure in which the layers are laminated in the order of “carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / resin substrate / ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier” or “carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / Laminated body having a structure in which the order of “resin substrate / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer” is laminated or “ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier / resin substrate / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer”. You may use the laminated body which has the laminated structure for the manufacturing method (coreless construction method) of the above-mentioned printed wiring board.
Then, another resin layer is provided on the exposed surfaces of the ultra-thin copper layers or carriers on both ends, and further a copper layer or a metal layer is provided, and then the copper layer or the metal layer is processed to form a circuit. May be. Further, another resin layer may be provided on the circuit so as to embed the circuit. Further, such a circuit and a resin layer may be formed one or more times (build-up method). And about the laminated body formed in this way (henceforth the laminated body B), a coreless board | substrate is produced by peeling the ultra-thin copper layer or carrier of each copper foil with a carrier from a carrier or an ultra-thin copper layer. be able to. In addition, for the production of the coreless substrate described above, a laminate having a configuration of an ultrathin copper layer / intermediate layer / carrier / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer described later using two copper foils with a carrier, Laminate having a structure of carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier, or a structure of carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer It is also possible to produce a laminated body and use the laminated body as a center. Two layers of the resin layer and the circuit are provided at least once on the surface of the ultra-thin copper layer or carrier on both sides of these laminates (hereinafter also referred to as the laminate A), and the two layers of the resin layer and the circuit are provided at least once. Later, the coreless substrate can be manufactured by peeling off the ultrathin copper layer or carrier of each copper foil with carrier from the carrier or the ultrathin copper layer. The above-mentioned laminated body has other surfaces between the surface of the ultrathin copper layer, the surface of the carrier, between the carrier, between the ultrathin copper layer and the ultrathin copper layer, and between the ultrathin copper layer and the carrier. You may have a layer. The other layer may be a resin layer or a resin substrate. In this specification, “surface of ultrathin copper layer”, “surface of ultrathin copper layer side”, “surface of carrier”, “surface of carrier side”, “surface of laminate”, “surface of laminate” When an ultrathin copper layer, a carrier, and a laminated body have another layer on the surface of an ultrathin copper layer, a carrier surface, and a laminated body, it is set as the concept containing the surface (outermost surface) of the said other layer. Moreover, it is preferable that a laminated body has the structure of an ultra-thin copper layer / intermediate layer / carrier / carrier / intermediate layer / ultra-thin copper layer. This is because, when a coreless substrate is manufactured using the laminate, an ultrathin copper layer is disposed on the coreless substrate side, so that a circuit can be easily formed on the coreless substrate using the modified semi-additive method. In addition, since the thickness of the ultrathin copper layer is thin, it is easy to remove the ultrathin copper layer, and it becomes easier to form a circuit on the coreless substrate using the semi-additive method after the ultrathin copper layer is removed. .
In this specification, “laminate” not specifically described as “laminate A” or “laminate B” indicates a laminate including at least laminate A and laminate B.
なお、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔または積層体(積層体A)の端面の一部または全部を樹脂で覆うことにより、ビルドアップ工法でプリント配線板を製造する際に、中間層または積層体を構成する1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔の間のへの薬液の染み込みを防止することができ、薬液の染み込みによる極薄銅層とキャリアの分離やキャリア付銅箔の腐食を防止することができ、歩留りを向上させることができる。ここで用いる「キャリア付銅箔の端面の一部または全部を覆う樹脂」または「積層体の端面の一部または全部を覆う樹脂」としては、樹脂層に用いることができる樹脂を使用することができる。また、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔または積層体において平面視したときにキャリア付銅箔または積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆ってもよい。また、上述のコアレス基板の製造方法で形成する積層体(積層体A)は、一対のキャリア付銅箔を互いに分離可能に接触させて構成されていてもよい。また、当該キャリア付銅箔において平面視したときにキャリア付銅箔または積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)の外周の全体にわたって樹脂又はプリプレグで覆われてなるものであってもよい。また、平面視した場合に樹脂又はプリプレグはキャリア付銅箔または積層体または積層体の積層部分よりも大きい方が好ましく、当該樹脂又はプリプレグをキャリア付銅箔または積層体の両面に積層し、キャリア付銅箔または積層体が樹脂又はプリプレグにより袋とじ(包まれている)されている構成を有する積層体とすることが好ましい。このような構成とすることにより、キャリア付銅箔または積層体を平面視したときに、キャリア付銅箔または積層体の積層部分が樹脂又はプリプレグにより覆われ、他の部材がこの部分の側方向、すなわち積層方向に対して横からの方向から当たることを防ぐことができるようになり、結果としてハンドリング中のキャリアと極薄銅層またはキャリア付銅箔同士の剥がれを少なくすることができる。また、キャリア付銅箔または積層体の積層部分の外周を露出しないように樹脂又はプリプレグで覆うことにより、前述したような薬液処理工程におけるこの積層部分の界面への薬液の浸入を防ぐことができ、キャリア付銅箔の腐食や侵食を防ぐことができる。なお、積層体の一対のキャリア付銅箔から一つのキャリア付銅箔を分離する際、またはキャリア付銅箔のキャリアと銅箔(極薄銅層)を分離する際には、樹脂又はプリプレグで覆われているキャリア付銅箔又は積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)が樹脂又はプリプレグ等により強固に密着している場合には、当該積層部分等を切断等により除去する必要が生じる場合がある。 In the above-described coreless substrate manufacturing method, by covering part or all of the end face of the copper foil with carrier or the laminate (laminate A) with a resin, when producing a printed wiring board by the build-up method, It is possible to prevent the infiltration of the chemical solution between one copper foil with a carrier and another copper foil with a carrier constituting the intermediate layer or laminate, and separation of the ultrathin copper layer and the carrier due to the infiltration of the chemical solution Corrosion of the copper foil with carrier can be prevented, and the yield can be improved. As the “resin that covers part or all of the end face of the copper foil with carrier” or “resin that covers part or all of the end face of the laminate” used herein, a resin that can be used for the resin layer may be used. it can. Further, in the above-described coreless substrate manufacturing method, the carrier-attached copper foil or laminate when viewed in plan, the carrier-attached copper foil or laminate portion (a laminate portion of the carrier and the ultrathin copper layer, or one At least a part of the outer periphery of the laminated copper foil with carrier and another copper foil with carrier may be covered with resin or prepreg. Moreover, the laminated body (laminated body A) formed with the manufacturing method of the above-mentioned coreless board | substrate may be comprised by making a pair of copper foil with a carrier contact each other so that isolation | separation is possible. Further, when viewed in plan in the copper foil with carrier, the copper foil with carrier or the laminated portion of the laminated body (the laminated portion of the carrier and the ultrathin copper layer, or one copper foil with carrier and another copper with carrier) It may be formed by being covered with a resin or a prepreg over the entire outer periphery of the laminated portion with the foil. In addition, when viewed in plan, the resin or prepreg is preferably larger than the copper foil with carrier or the laminate or the laminated portion of the laminate, and the resin or prepreg is laminated on both sides of the carrier-attached copper foil or laminate, It is preferable to use a laminated body having a configuration in which the attached copper foil or the laminated body is bound (wrapped) with a resin or a prepreg. By adopting such a configuration, when the copper foil with a carrier or a laminate is viewed in plan, the laminated portion of the copper foil with a carrier or the laminate is covered with a resin or prepreg, and other members are in the lateral direction of this portion. That is, it becomes possible to prevent the stacking direction from being hit from the side, and as a result, peeling of the carrier during handling and the ultrathin copper layer or the copper foil with carrier can be reduced. Moreover, by covering the outer periphery of the copper foil with a carrier or the laminated part with a resin or prepreg so as not to be exposed, it is possible to prevent the chemical solution from entering the interface of the laminated part in the chemical treatment process as described above. , Corrosion and erosion of the copper foil with carrier can be prevented. When separating a single copper foil with a carrier from a pair of copper foils with a carrier, or when separating a carrier of a copper foil with a carrier and a copper foil (ultra-thin copper layer), a resin or prepreg is used. Covered copper foil with carrier or laminated part of laminated body (laminated part of carrier and ultrathin copper layer, or laminated part of one copper foil with carrier and another copper foil with carrier) is resin or When the prepreg or the like is firmly attached, it may be necessary to remove the laminated portion by cutting or the like.
本発明のキャリア付銅箔をキャリア側又は極薄銅層側から、もう一つの本発明のキャリア付銅箔のキャリア側または極薄銅層側に積層して積層体を構成してもよい。また、前記一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面と前記もう一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面とが、必要に応じて接着剤を介して、直接積層させて得られた積層体であってもよい。また、前記一つのキャリア付銅箔のキャリア又は極薄銅層と、前記もう一つのキャリア付銅箔のキャリア又は極薄銅層とが接合されていてもよい。ここで、当該「接合」は、キャリア又は極薄銅層が表面処理層を有する場合は、当該表面処理層を介して互いに接合されている態様も含む。また、当該積層体の端面の一部または全部が樹脂により覆われていてもよい。 The copper foil with a carrier of the present invention may be laminated from the carrier side or the ultrathin copper layer side to the carrier side or the ultrathin copper layer side of another copper foil with a carrier of the present invention. Moreover, the said carrier side surface or said ultra-thin copper layer side surface of said one copper foil with a carrier and the said carrier side surface or said ultra-thin copper layer side surface of said another copper foil with a carrier are as needed. Alternatively, a laminate obtained by directly laminating through an adhesive may be used. Further, the carrier or ultrathin copper layer of the one copper foil with carrier and the carrier or ultrathin copper layer of the other copper foil with carrier may be joined. Here, in the case where the carrier or the ultrathin copper layer has a surface treatment layer, the “joining” includes a mode in which the carriers or the ultrathin copper layer are joined to each other via the surface treatment layer. Further, part or all of the end face of the laminate may be covered with resin.
キャリア同士、極薄銅層同士、キャリアと極薄銅層、キャリア付銅箔同士の積層は、単に重ね合わせる他、例えば以下の方法で行うことができる。
(a)冶金的接合方法:融接(アーク溶接、TIG(タングステン・イナート・ガス)溶接、MIG(メタル・イナート・ガス)溶接、抵抗溶接、シーム溶接、スポット溶接)、圧接(超音波溶接、摩擦撹拌溶接)、ろう接;
(b)機械的接合方法:かしめ、リベットによる接合(セルフピアッシングリベットによる接合、リベットによる接合)、ステッチャー;
(c)物理的接合方法:接着剤、(両面)粘着テープ
Lamination of carriers, ultrathin copper layers, carriers and ultrathin copper layers, and copper foils with a carrier can be performed by the following method, for example, in addition to superimposing.
(A) Metallurgical joining method: fusion welding (arc welding, TIG (tungsten inert gas) welding, MIG (metal inert gas) welding, resistance welding, seam welding, spot welding), pressure welding (ultrasonic welding, Friction stir welding), brazing;
(B) Mechanical joining method: caulking, joining with rivets (joining with self-piercing rivets, joining with rivets), stitcher;
(C) Physical joining method: adhesive, (double-sided) adhesive tape
一方のキャリアの一部若しくは全部と他方のキャリアの一部若しくは全部若しくは極薄銅層の一部若しくは全部とを、上記接合方法を用いて接合することにより、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層を積層し、キャリア同士またはキャリアと極薄銅層を分離可能に接触させて構成される積層体を製造することができる。一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが弱く接合されて、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが積層されている場合には、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層との接合部を除去しないでも、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とは分離可能である。また、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが強く接合されている場合には、一方のキャリアと他方のキャリアとが接合されている箇所を切断や化学研磨(エッチング等)、機械研磨等により除去することにより、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層を分離することができる。 By joining part or all of one carrier and part or all of the other carrier or part or all of the ultrathin copper layer using the joining method, one carrier and the other carrier or pole A laminated body constituted by laminating thin copper layers and contacting the carriers or the carrier and the ultrathin copper layer in a separable manner can be produced. When one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer are weakly bonded and one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer are laminated, one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer Even without removing the junction with the thin copper layer, one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer can be separated. In addition, when one carrier and the other carrier or the ultrathin copper layer are strongly bonded, the portion where one carrier and the other carrier are bonded is cut, chemically polished (etching, etc.), machine By removing by polishing or the like, one carrier and the other carrier or the ultrathin copper layer can be separated.
また、このように構成した積層体に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又はキャリアを剥離させる工程を実施することでプリント配線板を作製することができる。なお、当該積層体の一方または両方の表面に、樹脂層と回路との2層を設けてもよい。
前述した積層体に用いる樹脂基板、樹脂層、樹脂、プリプレグは、本明細書に記載した樹脂層であってもよく、本明細書に記載した樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。なお、キャリア付銅箔は平面視したときに樹脂又はプリプレグより小さくてもよい。
Also, a step of providing at least one layer of the resin layer and the circuit on the laminate thus configured, and after forming the two layers of the resin layer and the circuit at least once, the carrier of the laminate is provided with a carrier. A printed wiring board can be produced by carrying out a process of peeling the ultrathin copper layer or carrier from the copper foil. Note that two layers of a resin layer and a circuit may be provided on one or both surfaces of the laminate.
The resin substrate, resin layer, resin, and prepreg used in the laminate described above may be the resin layer described in this specification, and the resin, resin curing agent, compound, and curing used in the resin layer described in this specification. An accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton material, and the like may be included. The carrier-attached copper foil may be smaller than the resin or prepreg when viewed in plan.
<キャリア付銅箔の製造方法>
次に、本発明に係るキャリア付銅箔の製造方法を説明する。本発明に係るキャリア付銅箔を製造するために、キャリアをドラムで支持しつつ、ロール・ツウ・ロール搬送方式で搬送しながら、中間層(剥離層とも言う)、極薄銅層を電解めっきにより形成するか、または極薄銅層を形成する際の製造装置において、搬送ロールと搬送ロールとの間を短くし、さらに、搬送張力を通常の3〜5倍程度として極薄銅層を形成する。
本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層側に樹脂を積層し、220℃で2時間、15kg/cm2の条件でキャリア付銅箔と樹脂とを加熱圧着した後にJIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法でキャリア付銅箔から前記キャリアを引き剥がしたときに極薄銅層に生じる円形が0.8以下である穴の個数密度を10個/m2以下に制御するためには、上記めっき時の電流密度は0.5A/dm2以下に制御する。電流密度は0.4A/dm2以下が好ましく、0.35A/dm2以下がより好ましい。
<Method for producing copper foil with carrier>
Next, the manufacturing method of the copper foil with a carrier which concerns on this invention is demonstrated. In order to produce a copper foil with a carrier according to the present invention, an intermediate layer (also referred to as a release layer) and an ultrathin copper layer are electroplated while being supported by a drum and being conveyed by a roll-to-roll method. In the manufacturing apparatus for forming an ultrathin copper layer, the distance between the transport roll and the transport roll is shortened, and the transport tension is set to about 3 to 5 times the normal thickness to form an ultrathin copper layer. To do.
After laminating a resin on the ultrathin copper layer side of the copper foil with carrier of the present invention and thermocompression bonding the copper foil with carrier and the resin under conditions of 15 kg / cm 2 at 220 ° C. for 2 hours, JIS C 6471 8.1. In order to control the number density of holes having a circular shape of 0.8 or less when the carrier is peeled from the copper foil with a carrier by a 90 ° peeling method in accordance with the above, to 10 pieces / m 2 or less. The current density during plating is controlled to 0.5 A / dm 2 or less. The current density is preferably 0.4 A / dm 2 or less, and more preferably 0.35 A / dm 2 or less.
本発明の実施形態に係るキャリア付銅箔の製造方法は、ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状のキャリアの表面を処理することで、キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔を製造することができる。本発明の実施形態に係るキャリア付銅箔の製造方法は、搬送ロールで搬送されるキャリアをドラムで支持しながら、めっき(例えば電解めっき、無電解めっき等の湿式めっきまたはスパッタリング、CVD、PVD等による乾式めっき)によりキャリア表面に中間層を形成する工程と、中間層が形成されたキャリアをドラムで支持しながら、めっき(例えば電解めっき、無電解めっき等の湿式めっきまたはスパッタリング、CVD、PVD等による乾式めっき)により中間層表面に極薄銅層を形成する工程と、キャリアをドラムで支持しながら、めっき(例えば電解めっき、無電解めっき等の湿式めっきまたはスパッタリング、CVD、PVD等による乾式めっき)により極薄銅層表面に粗化処理層を形成する工程とを含む。例えば各工程ではドラムにて支持されているキャリアの処理面がカソードを兼ねており、このドラムと、ドラムに対向するように設けられたアノードとの間のめっき液中で各電解めっきが行われる。このように、キャリアをドラムで支持しつつ、ロール・ツウ・ロール搬送方式で搬送しながら、中間層、極薄銅層をめっき(例えば電解めっき、無電解めっき等の湿式めっきまたはスパッタリング、CVD、PVD等による乾式めっき)により形成することにより、めっきにおけるアノード−カソード間の極間距離が安定する。このため、形成する層の厚みのバラツキが良好に抑制され、本発明のような超極薄銅層を精度良く作製することが可能となる。また、めっきにおけるアノード−カソード間の極間距離が安定することで、キャリア表面に形成される中間層の厚みバラツキが良好に抑制されると、キャリアから極薄銅層へのCuの拡散も一様に抑制される。このため、極薄銅層におけるピンホールの発生が良好に抑制される。
また、ドラムで支持する以外の方法としては、極薄銅層を形成する際の製造装置において、搬送ロールと搬送ロールとの間を短くし、さらに、搬送張力を通常の3〜5倍程度として極薄銅層を形成するという方策もある。サポートロール等を導入することにより搬送ロールと搬送ロールとの間を短くし(例えば800〜1000mm程度)、さらに、搬送張力を通常の3〜5倍程度とすることで、キャリアの位置が安定し、アノード−カソード間の極間距離が安定するためである。極間距離が安定することにより、アノードとカソードの距離を通常よりも小さくすることができる。
なお、ドラム方式ではなく、スパッタリングや無電解めっきで形成すると、装置を維持するためのランニングコストや、スパッタリングターゲット、めっき液の薬液等のコストが高いため、製造コストが高い場合があるという問題がある。
The manufacturing method of the copper foil with a carrier which concerns on embodiment of this invention is processing a carrier on a carrier by carrying out the surface of the elongate carrier conveyed in a length direction by a roll-to-roll conveyance system. A copper foil with a carrier comprising a laminated intermediate layer and an ultrathin copper layer laminated on the intermediate layer can be produced. The method for producing a copper foil with a carrier according to an embodiment of the present invention includes plating (for example, wet plating such as electrolytic plating and electroless plating or sputtering, CVD, PVD, etc.) while supporting the carrier conveyed by a conveyance roll with a drum. A step of forming an intermediate layer on the surface of the carrier by dry plating), and plating (for example, wet plating such as electrolytic plating or electroless plating or sputtering, CVD, PVD, etc. while supporting the carrier on which the intermediate layer is formed with a drum. The process of forming an ultra-thin copper layer on the surface of the intermediate layer by dry plating), and plating (for example, wet plating such as electrolytic plating and electroless plating or sputtering, CVD, PVD, etc. while supporting the carrier with a drum) ) To form a roughened layer on the surface of the ultrathin copper layer. For example, in each process, the treatment surface of the carrier supported by the drum also serves as the cathode, and each electroplating is performed in a plating solution between this drum and an anode provided to face the drum. . In this way, while supporting the carrier with the drum, while transporting in a roll-to-roll transport system, the intermediate layer and the ultrathin copper layer are plated (for example, electroplating, electroless plating or other wet plating or sputtering, CVD, By forming by dry plating using PVD or the like, the distance between the anode and the cathode in plating is stabilized. For this reason, the variation in the thickness of the layer to be formed is suppressed satisfactorily, and an ultra-thin copper layer as in the present invention can be produced with high accuracy. In addition, when the distance between the anode and the cathode in the plating is stabilized and the variation in the thickness of the intermediate layer formed on the carrier surface is suppressed well, the diffusion of Cu from the carrier to the ultrathin copper layer is also reduced. To be suppressed. For this reason, generation | occurrence | production of the pinhole in an ultra-thin copper layer is suppressed favorably.
In addition, as a method other than supporting with a drum, in the manufacturing apparatus for forming an ultrathin copper layer, the distance between the transport roll and the transport roll is shortened, and the transport tension is set to about 3 to 5 times the usual. There is also a strategy to form an ultra-thin copper layer. By introducing a support roll or the like, the distance between the transport roll and the transport roll is shortened (for example, about 800 to 1000 mm), and further, the position of the carrier is stabilized by increasing the transport tension to about 3 to 5 times the normal. This is because the distance between the anode and the cathode is stabilized. By stabilizing the distance between the electrodes, the distance between the anode and the cathode can be made smaller than usual.
In addition, if it is formed by sputtering or electroless plating instead of the drum method, there is a problem that the manufacturing cost may be high because the running cost for maintaining the apparatus and the cost of the sputtering target, the chemical solution of the plating solution, etc. are high. is there.
以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。 The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to these examples.
1.キャリア付銅箔の製造
キャリアとして、表1に記載の厚みの銅箔を準備した。表中の「電解銅箔」はJX金属社製の電解銅箔を用い、「圧延銅箔」はJX金属社製タフピッチ銅箔(JIS−H3100−C1100)を用いた。
1. Production of Copper Foil with Carrier A copper foil having the thickness shown in Table 1 was prepared as a carrier. “Electrolytic copper foil” in the table used electrolytic copper foil made by JX Metals, and “rolled copper foil” used tough pitch copper foil (JIS-H3100-C1100) made by JX Metals.
この銅箔のシャイニー面に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続ラインで以下の条件で表1に記載の中間層、極薄銅層及び粗化処理層の各形成処理を行った。 With respect to the shiny surface of this copper foil, the intermediate layer, the ultrathin copper layer and the roughened layer shown in Table 1 are formed under the following conditions in a roll-to-roll type continuous line under the following conditions. went.
(中間層形成)
中間層形成条件は表1に記載の通りとした。
−中間層形成時めっき電流密度−
表1の中間層形成時電流密度の条件を以下に示す。
◎:0.35A/dm2以下
〇:0.35A/dm2超0.4A/dm2以下
△:0.4A/dm2超0.5A/dm2以下
×:0.5A/dm2超
(Intermediate layer formation)
The intermediate layer formation conditions were as shown in Table 1.
−Plating current density during intermediate layer formation−
The conditions for the current density during formation of the intermediate layer in Table 1 are shown below.
◎: 0.35A / dm 2 or less 〇: 0.35A / dm 2 ultra-0.4A / dm 2 or less △: 0.4A / dm 2 ultra-0.5A / dm 2 or less ×: 0.5A / dm 2 more than
−中間層形成方法−
表1の中間層形成方法の条件を以下に示す。
(A)ドラムによる運箔方式
・アノード:不溶解性電極
・カソード:直径100cmドラムに支持されたキャリア表面
・極間距離:10mm
・キャリア搬送張力:0.05kg/mm
(B)改良した九十九折による運箔方式
・アノード:不溶解性電極
・カソード:キャリア処理面
・極間距離:10mm
・キャリア搬送張力:0.20kg/mm
・サポートロールを搬送ロール間に設けて、極薄銅層形成時のロール間距離を通常の1/2(800〜1000mm程度)とした。
-Intermediate layer formation method-
The conditions of the intermediate layer forming method in Table 1 are shown below.
(A) Foil handling system using drums ・ Anode: Insoluble electrode ・ Cathode: Carrier surface supported by drum of 100 cm in diameter ・ Distance between electrodes: 10 mm
・ Carrier transport tension: 0.05kg / mm
(B) Improved foil handling method with 99 folds ・ Anode: Insoluble electrode ・ Cathode: Carrier treatment surface ・ Distance between electrodes: 10 mm
・ Carrier transport tension: 0.20 kg / mm
-A support roll was provided between the conveyance rolls, and the distance between the rolls when forming the ultrathin copper layer was set to 1/2 (about 800 to 1000 mm).
なお、表中の「中間層」の欄の記載は以下の処理をしたことを意味する。また、例えば「Ni/クロメート」は、ニッケルめっき処理を行った後に、クロメート処理を行ったことを意味する。 In addition, the description in the column of “intermediate layer” in the table means that the following processing was performed. For example, “Ni / chromate” means that the chromate treatment was performed after the nickel plating treatment.
・「Ni」:ニッケルめっき
(液組成)硫酸ニッケル:270〜280g/L、塩化ニッケル:35〜45g/L、酢酸ニッケル:10〜20g/L、クエン酸三ナトリウム:15〜25g/L、光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等、ドデシル硫酸ナトリウム:55〜75ppm
(pH)4〜6
(通電時間)1〜20秒
"Ni": Nickel plating (Liquid composition) Nickel sulfate: 270-280 g / L, Nickel chloride: 35-45 g / L, Nickel acetate: 10-20 g / L, Trisodium citrate: 15-25 g / L, luster Agents: Saccharin, butynediol, etc. Sodium dodecyl sulfate: 55-75 ppm
(PH) 4-6
(Energization time) 1 to 20 seconds
・「クロメート」:電解純クロメート処理
(液組成)重クロム酸カリウム:1〜10g/L
(pH)7〜10
(クーロン量)0.5〜90As/dm2
(通電時間)1〜30秒
・ "Chromate": Electrolytic pure chromate treatment (Liquid composition) Potassium dichromate: 1-10g / L
(PH) 7-10
(Coulomb amount) 0.5 to 90 As / dm 2
(Energization time) 1 to 30 seconds
・「有機物」:有機物層形成処理
濃度1〜30g/Lのカルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)を含む、液温40℃、pH5の水溶液を、20〜120秒間シャワーリングして噴霧することにより行った。
-"Organic substance": Organic substance layer formation process It carried out by showering for 20 to 120 seconds and spraying the aqueous solution of liquid temperature 40 degreeC and pH5 containing the carboxybenzotriazole (CBTA) with a density | concentration of 1-30 g / L.
・「Ni−Mo」:ニッケルモリブデン合金めっき
(液組成)硫酸Ni六水和物:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
(通電時間)3〜25秒
"Ni-Mo": nickel molybdenum alloy plating (Liquid composition) Ni sulfate hexahydrate: 50 g / dm 3 , sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3 , sodium citrate: 90 g / dm 3
(Energization time) 3 to 25 seconds
・「Cr」:クロムめっき
(液組成)CrO3:200〜400g/L、H2SO4:1.5〜4g/L
(pH)1〜4
(通電時間)1〜20秒
- "Cr": chromium plating (liquid composition) CrO 3: 200~400g / L, H 2 SO 4: 1.5~4g / L
(PH) 1-4
(Energization time) 1 to 20 seconds
・「Co−Mo」:コバルトモリブデン合金めっき
(液組成)硫酸Co:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
(通電時間)3〜25秒
"Co-Mo": Cobalt molybdenum alloy plating (Liquid composition) Co sulfate 50 g / dm 3 , Sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3 , Sodium citrate 90 g / dm 3
(Energization time) 3 to 25 seconds
・「Ni−P」:ニッケルリン合金めっき
(液組成)Ni:30〜70g/L、P:0.2〜1.2g/L
(pH)1.5〜2.5
(通電時間)0.5〜30秒
"Ni-P": Nickel phosphorus alloy plating (Liquid composition) Ni: 30 to 70 g / L, P: 0.2 to 1.2 g / L
(PH) 1.5-2.5
(Energization time) 0.5-30 seconds
(極薄銅層形成)
極薄銅層は以下に示すドラムによる運箔方式によって形成した。
・アノード:不溶解性電極
・カソード:直径100cmドラムに支持されたキャリア表面
・極間距離:10mm
・電解液組成:銅濃度80〜120g/L、硫酸濃度80〜120g/L
・電解めっきの浴温:50〜80℃
・電解めっきの電流密度:90A/dm2
・キャリア搬送張力:0.05kg/mm
(Ultra-thin copper layer formation)
The ultra-thin copper layer was formed by the following foil transport method.
・ Anode: Insoluble electrode ・ Cathode: Carrier surface supported on a drum with a diameter of 100 cm ・ Distance between electrodes: 10 mm
Electrolyte composition: copper concentration 80-120 g / L, sulfuric acid concentration 80-120 g / L
-Electroplating bath temperature: 50-80 ° C
-Current density of electroplating: 90 A / dm 2
・ Carrier transport tension: 0.05kg / mm
(粗化処理層形成)
表1の粗化処理有無の欄が「有」の実施例及び比較例について、前述の極薄銅層形成後に、極薄銅層の上に更に粗化処理層を形成した。
粗化処理層は以下に示すドラムによる運箔方式によって形成した。
・アノード:不溶解性電極
・カソード:直径100cmドラムに支持されたキャリア表面
・極間距離:10mm
・キャリア搬送張力:0.05kg/mm
(Roughening treatment layer formation)
About the Example and comparative example whose column of the presence or absence of the roughening process of Table 1 is "Yes", the roughening process layer was further formed on the ultrathin copper layer after the above-mentioned ultrathin copper layer formation.
The roughening treatment layer was formed by the following foil transport method using a drum.
・ Anode: Insoluble electrode ・ Cathode: Carrier surface supported on a drum with a diameter of 100 cm ・ Distance between electrodes: 10 mm
・ Carrier transport tension: 0.05kg / mm
また、粗化処理条件を以下に示す。
(液組成)
Cu:10〜20g/L
Ni:5〜15g/L
Co:5〜15g/L
(電気めっき条件)
温度:25〜60℃
電流密度:35〜55A/dm2
粗化クーロン量:5〜50As/dm2
めっき時間:0.1〜1.4秒
Moreover, roughening process conditions are shown below.
(Liquid composition)
Cu: 10 to 20 g / L
Ni: 5-15 g / L
Co: 5 to 15 g / L
(Electroplating conditions)
Temperature: 25-60 ° C
Current density: 35 to 55 A / dm 2
Roughening coulomb amount: 5-50 As / dm 2
Plating time: 0.1 to 1.4 seconds
また、以下に示す条件により、粗化処理層を形成後、さらに耐熱層、防錆層及びシランカップリング処理層を形成した。
(耐熱層形成)
「Cu-Zn」:銅−亜鉛合金メッキ
(液組成)
NaOH:40〜200g/L
NaCN:70〜250g/L
CuCN:50〜200g/L
Zn(CN)2:2〜100g/L
As2O3:0.01〜1g/L
(液温)
40〜90℃
(電流条件)
電流密度:1〜50A/dm2
めっき時間:1〜20秒
Moreover, after forming a roughening process layer on the conditions shown below, the heat-resistant layer, the antirust layer, and the silane coupling process layer were further formed.
(Heat-resistant layer formation)
"Cu-Zn": Copper-zinc alloy plating (liquid composition)
NaOH: 40-200 g / L
NaCN: 70 to 250 g / L
CuCN: 50-200 g / L
Zn (CN) 2 : 2 to 100 g / L
As 2 O 3 : 0.01 to 1 g / L
(Liquid temperature)
40-90 ° C
(Current condition)
Current density: 1 to 50 A / dm 2
Plating time: 1 to 20 seconds
(防錆層形成)
「クロメート」:クロメート処理
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或いはCrO3):2〜10g/L
NaOH又はKOH:10〜50g/L
ZnOH又はZnSO4・7H2O:0.05〜10g/L
pH:7〜13
浴温:20〜80℃
電流密度:0.05〜5A/dm2
時間:5〜30秒
(Rust prevention layer formation)
“Chromate”: Chromate treatment K 2 Cr 2 O 7 (Na 2 Cr 2 O 7 or CrO 3 ): 2 to 10 g / L
NaOH or KOH: 10-50 g / L
ZnOH or ZnSO 4 .7H 2 O: 0.05 to 10 g / L
pH: 7-13
Bath temperature: 20-80 ° C
Current density: 0.05 to 5 A / dm 2
Time: 5-30 seconds
(シランカップリング処理層形成)
0.1vol%〜0.3vol%の3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン水溶液をスプレー塗布した後、100〜200℃の空気中で0.1〜10秒間乾燥・加熱した。
(Silane coupling treatment layer formation)
After spray-applying 0.1 vol% to 0.3 vol% 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane aqueous solution, it was dried and heated in air at 100 to 200 ° C. for 0.1 to 10 seconds.
2.キャリア付銅箔の評価
上記のようにして得られたキャリア付銅箔について、以下の方法で各評価を実施した。
2. Evaluation of copper foil with carrier The copper foil with carrier obtained as described above was evaluated by the following methods.
<極薄銅層の厚みの測定>
キャリア付銅箔の重量を測定した後、キャリアを引き剥がし、キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。
・試料の大きさ:10cm角シート(プレス機で打ち抜いた10cm角シート)
・試料の採取:任意の3箇所
・以下の式により各試料の重量法による極薄銅層の厚みを算出した。
重量法による極薄銅層の厚み(μm)={(10cm角シートのキャリア付銅箔の重量(g/100cm2))−(前記10cm角シートのキャリア付銅箔から極薄銅層を引き剥がした後の、キャリアの重量(g/100cm2))}/銅の密度(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm
なお、試料の重量測定には、小数点以下4桁まで測定可能な精密天秤を使用した。そして、得られた重量の測定値をそのまま上記計算に使用した。
・3箇所の重量法による極薄銅層の厚みの算術平均値を、重量法による極薄銅層の厚みとした。
また、精密天秤にはアズワン株式会社 IBA−200を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製HAP−12を用いた。
なお、極薄銅層の上に粗化処理層等の表面処理層を形成した場合には、当該表面処理層を形成した後に上記測定を行った。
<Measurement of the thickness of the ultrathin copper layer>
After measuring the weight of the copper foil with the carrier, the carrier is peeled off, the weight of the carrier is measured, and the difference between the former and the latter is defined as the weight of the ultrathin copper layer.
Sample size: 10 cm square sheet (10 cm square sheet punched with a press)
-Sample collection: Arbitrary three locations-The thickness of the ultrathin copper layer by the weight method of each sample was calculated by the following formula.
Thickness of ultrathin copper layer by weight method (μm) = {(weight of copper foil with carrier of 10 cm square sheet (g / 100 cm 2 )) − (drawing ultrathin copper layer from copper foil with carrier of 10 cm square sheet) Carrier weight (g / 100 cm 2 ))} / copper density (8.96 g / cm 3 ) × 0.01 (100 cm 2 / cm 2 ) × 10000 μm / cm after peeling
A precision balance capable of measuring up to 4 digits after the decimal point was used for measuring the weight of the sample. And the measured value of the obtained weight was used for the said calculation as it was.
-The arithmetic average value of the thickness of the ultrathin copper layer by three weight methods was made into the thickness of the ultrathin copper layer by the weight method.
Moreover, aswan IBA-200 was used for the precision balance, and Noguchi Press Co., Ltd. HAP-12 was used for the press.
In addition, when surface treatment layers, such as a roughening process layer, were formed on the ultra-thin copper layer, the said measurement was performed after forming the said surface treatment layer.
<剥離強度(常態剥離強度)の測定>
キャリア付銅箔の極薄銅層側の表面をBT樹脂(トリアジン−ビスマレイミド系樹脂、三菱瓦斯化学株式会社製)に貼り付けて220℃で2時間、15kg/cm2で加熱圧着した。次に、引張試験機にてキャリア側を引っ張り、JIS C 6471 8.1に準拠してキャリアを剥がしたときの剥離強度を測定した。
<Measurement of peel strength (normal peel strength)>
The ultrathin copper layer side surface of the copper foil with a carrier was attached to BT resin (triazine-bismaleimide resin, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) and thermocompression bonded at 220 ° C. for 2 hours at 15 kg / cm 2 . Next, the carrier side was pulled with a tensile tester, and the peel strength when the carrier was peeled off in accordance with JIS C 6471 8.1 was measured.
<破れピンホール>
キャリア付銅箔の極薄銅層側の表面をBT樹脂(トリアジン−ビスマレイミド系樹脂、三菱瓦斯化学株式会社製)に貼り付けて220℃で2時間、15kg/cm2で加熱圧着した。次に、キャリア側を上に向け、JIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法でキャリア付銅箔からキャリアを剥がした。続いて、光源として民生用の写真用バックライトを前述のキャリア付銅箔からキャリアを剥がしてBT樹脂上に残った極薄銅層のBT樹脂側に設置した。その後、前述のBT樹脂と加熱圧着した側とは反対側の極薄銅層表面を目視で観察することにより、極薄銅層に存在するピンホール(穴)の位置を特定した。その後、走査型電子顕微鏡(SEM、型式:S−4700、株式会社日立ハイテクノロジーズ製)を用いて、前述のピンホールについて写真撮影を行った。そして、オープンソフトウェアの画像処理ソフト(ImageJ ver.1.48v)を用いて、得られた写真中のピンホールの面積S及びピンホールの周囲長Lを測定した。なお、前述の画像処理ソフトは以下のウェブサイトにおいて入手することができる。
ウェブサイト:https://imagej.nih.gov/ij/notes.html
そして、ピンホールの円形度を以下の式により算出をした。
円形度=4π×(面積S)÷(周囲長L)2
そして、ピンホールについて円形度が0.8以下か否かを判定した。そして、円形度0.8以下の穴(破れピンホール)の数を数えた。前述の測定を大きさ250mm×250mmのサンプル5枚について行った。
そして、以下の式により単位面積(m2)当たりの破れピンホールの個数を算出した。
単位面積(m2)当たりの破れピンホールの個数(個/m2)=大きさ250mm×250mmのサンプル5枚について測定された破れピンホールの個数の合計(個)/観察した表面領域の合計面積(5枚×0.0625m2/枚)
そして、以下の基準により、破れピンホールの評価を行った。
◎(極めて良好):0個/m2
〇(良好):1〜10個/m2
×(不良):10個超/m2
実施例及び比較例の作製条件及び評価結果を表1に示す。
<Tear pinhole>
The ultrathin copper layer side surface of the copper foil with a carrier was attached to BT resin (triazine-bismaleimide resin, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) and thermocompression bonded at 220 ° C. for 2 hours at 15 kg / cm 2 . Next, the carrier side was turned up, and the carrier was peeled off from the copper foil with a carrier by a 90 ° peeling method in accordance with JIS C 6471 8.1. Subsequently, a consumer photographic backlight as a light source was placed on the BT resin side of the ultrathin copper layer remaining on the BT resin after the carrier was peeled off from the aforementioned copper foil with carrier. Then, the position of the pinhole (hole) which exists in an ultra-thin copper layer was specified by observing the ultra-thin copper layer surface on the opposite side to the above-mentioned side heat-pressed with BT resin. Thereafter, the above-described pinhole was photographed using a scanning electron microscope (SEM, model: S-4700, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). And the area S of the pinhole in the obtained photograph and the perimeter L of the pinhole were measured using the image processing software (ImageJ ver.1.48v) of open software. The aforementioned image processing software can be obtained from the following website.
Website: https://imagej.nih.gov/ij/notes.html
And the circularity of the pinhole was calculated by the following formula.
Circularity = 4π × (area S) ÷ (peripheral length L) 2
And it was determined whether the circularity of the pinhole was 0.8 or less. Then, the number of holes (breaking pinholes) having a circularity of 0.8 or less was counted. The above measurement was performed on five samples having a size of 250 mm × 250 mm.
Then, the number of broken pinholes per unit area (m 2 ) was calculated by the following formula.
Number of broken pinholes per unit area (m 2 ) (number / m 2 ) = total number of broken pinholes measured for 5 samples of size 250 mm × 250 mm / total surface area observed Area (5 sheets x 0.0625 m 2 / sheet)
And the tear pinhole was evaluated according to the following criteria.
◎ (very good): 0 / m 2
○ (Good): 1 to 10 / m 2
X (defect): More than 10 / m 2
Table 1 shows the production conditions and evaluation results of Examples and Comparative Examples.
(評価結果)
実施例1〜18はいずれもキャリア付銅箔の極薄銅層側に樹脂を積層し、220℃で2時間、15kg/cm2の条件でキャリア付銅箔と樹脂とを加熱圧着した後にJIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法でキャリア付銅箔からキャリアを引き剥がしたときに極薄銅層に生じる円形度が0.8以下である穴の個数密度が10個/m2以下に制御されており、キャリア引き剥がし時に生じるピンホールの発生を良好に抑制することができた。
比較例1〜9はいずれもキャリア付銅箔の極薄銅層側に樹脂を積層し、220℃で2時間、15kg/cm2の条件でキャリア付銅箔と樹脂とを加熱圧着した後にJIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法でキャリア付銅箔からキャリアを引き剥がしたときに極薄銅層に生じる円形度が0.8以下である穴の個数密度が10個/m2を超えており、キャリア引き剥がし時に生じるピンホールの発生を良好に抑制することができなかった。
(Evaluation results)
In each of Examples 1 to 18, the resin was laminated on the ultrathin copper layer side of the carrier-attached copper foil, and the carrier-attached copper foil and the resin were thermocompression bonded at 220 ° C. for 2 hours under the condition of 15 kg / cm 2. The number density of holes having a circularity of 0.8 or less generated in the ultrathin copper layer when the carrier is peeled off from the copper foil with a carrier by a 90 ° peeling method in accordance with C 6471 8.1 is 10 / m 2 It was controlled as follows, and the generation of pinholes that occurred when the carrier was peeled off was successfully suppressed.
In each of Comparative Examples 1 to 9, a resin was laminated on the ultrathin copper layer side of the copper foil with carrier, and the copper foil with carrier and the resin were thermocompression bonded at 220 ° C. for 2 hours under the condition of 15 kg / cm 2. The number density of holes having a circularity of 0.8 or less generated in the ultrathin copper layer when the carrier is peeled off from the copper foil with a carrier by a 90 ° peeling method in accordance with C 6471 8.1 is 10 / m 2 Therefore, it was not possible to satisfactorily suppress the generation of pinholes that occurred during carrier peeling.
Claims (29)
前記キャリア付銅箔の極薄銅層側に樹脂を積層し、220℃で2時間、15kg/cm2の条件で前記キャリア付銅箔と樹脂とを加熱圧着した後にJIS C 6471 8.1に準拠の90°剥離法で前記キャリア付銅箔から前記キャリアを引き剥がしたときに前記極薄銅層に生じる円形度が0.8以下である穴の個数密度が10個/m2以下であるキャリア付銅箔。 A carrier-attached copper foil having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order,
After laminating a resin on the ultrathin copper layer side of the copper foil with carrier, the copper foil with carrier and the resin were thermocompression bonded at 220 ° C. for 2 hours under the condition of 15 kg / cm 2 , and then in accordance with JIS C 6471 8.1. When the carrier is peeled from the carrier-attached copper foil by a compliant 90 ° peeling method, the number density of holes having a circularity of 0.8 or less generated in the ultrathin copper layer is 10 / m 2 or less. Copper foil with carrier.
前記キャリア付銅箔がキャリアの両方の面に極薄銅層を有する場合において、当該一方または両方の極薄銅層側の表面に、
粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項1〜13のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 In the case where the copper foil with carrier has an ultrathin copper layer on one side of the carrier, at least one surface of the ultrathin copper layer side and the carrier side, or both surfaces, or
In the case where the copper foil with carrier has an ultrathin copper layer on both sides of the carrier, on the surface of the one or both ultrathin copper layers side,
14. With a carrier according to claim 1, comprising at least one layer selected from the group consisting of a roughening treatment layer, a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer. Copper foil.
前記キャリアの前記中間層側表面に前記極薄銅層を形成する工程と
を備えた請求項1〜18のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。 Forming the intermediate layer on the carrier by electrolytic treatment with a current density of 0.5 A / dm 2 or less;
The manufacturing method of the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-18 provided with the process of forming the said ultra-thin copper layer in the said intermediate layer side surface of the said carrier.
前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又は前記キャリアを剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 A step of providing at least once two layers of a resin layer and a circuit on the laminate according to claim 22 or 23; and
A method for producing a printed wiring board, comprising: forming the resin layer and the circuit layer at least once, and then peeling the ultrathin copper layer or the carrier from the copper foil with a carrier of the laminate.
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔の銅箔キャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 A step of preparing the carrier-attached copper foil according to any one of claims 1 to 18 and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, a copper clad laminate is formed through a step of peeling the copper foil carrier of the copper foil with carrier,
Then, the manufacturing method of a printed wiring board including the process of forming a circuit by any method of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, or a modified semi-additive method.
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 A step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the carrier-attached copper foil according to any one of claims 1 to 18,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with carrier so that the circuit is buried;
Peeling the carrier or the ultra-thin copper layer, and
After the carrier or the ultrathin copper layer is peeled off, the ultrathin copper layer or the carrier is removed to be buried in the resin layer formed on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface. A method of manufacturing a printed wiring board including a step of exposing a circuit that is connected.
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 The step of laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 18 and a resin substrate,
A step of providing at least once two layers of a resin layer and a circuit on the surface of the ultrathin copper layer opposite to the side laminated with the resin substrate of the copper foil with carrier or on the surface of the carrier; and
A method for producing a printed wiring board comprising a step of peeling the carrier or the ultrathin copper layer from the copper foil with carrier after forming the resin layer and the two layers of the circuit at least once.
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