JP2018006377A - 複合基板、電子装置および電子モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 上面および下面を有する絶縁基板1と、絶縁基板1の上面に接合された第1金属板2と、絶縁基板1の下面に接合されており、第1金属板2よりも厚い第2金属板3とからなる積層体9を備えており、積層体9が、平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部9aを有している複合基板10等である。
【選択図】 図1
Description
基板として、絶縁基板の上面に、回路パターン状に形成された銅製の回路板が接合され、下面に、回路板に搭載された電子部品から発生する熱を放熱させるための銅製の放熱板が接合されたものが用いられている。回路板および放熱板は、活性金属を含むろう材等によって絶縁基板の上面または下面に接合されている(例えば、特許文献1参照)。
当する。そのため、この熱応力で、複合基板全体の平坦度を高めることができる。したがって、外部部材に対する密着性を向上させることができ、例えば電子装置としての放熱性の向上に有利な複合基板を提供することができる。
図1(a)は本発明の実施形態の複合基板を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A線における断面図である。複合基板10は、絶縁基板1と、絶縁基板1の上面に接合された第1金属板2と、絶縁基板1の下面に接合された第2金属板3とからなる積層体9を含んでいる。複合基板10は、積層体9以外にめっき膜または樹脂膜等の補助的な部材(図示せず)を含んでいても構わない。
形成され、さらに第2金属板3の下面が外部部材に接続されれば後述する電子モジュール30が形成される。この場合には、電子部品4で発生した熱が、第1金属板2、絶縁基板1および第2金属板3を通って外部部材に伝導される。
応じて選択すればよい。絶縁基板1の大きさは、平面視で、例えば、縦が5〜50mm程度であり、横が10〜60mm程度である。
されても構わない。
実施形態の複合基板10は、例えば次のような工程を含む製造方法で製作することができる。ただし、複合基板10の製造方法は、この例に限定されず、用いる材料の種類または寸法、生産性および経済性等に応じて適宜変更することができる。
複5〜60mm程度の矩形状(正方形状または長方形状)の絶縁基板1を、セラミックグリーンシートを焼成する方法で作製する。
は、例えば無酸素銅等の銅の原板に対して、切断、圧延およびエッチング等の所定の金属加工を施すことによって作製することができる。第1金属板2および第2金属板3は、例えば、平面視において上記の絶縁基板1よりも若干小さい外形寸法を有する平板として作製する。このときに、第2金属板3の厚みが第1金属板2の厚みの約2倍程度になるように、上記の金属加工時の寸法を調整する。なお、第1金属板2および第2金属板3の平面視における大きさ(寸法)は、製作する複合基板10における第1金属板2および第2金属板3の平面視における大きさに応じて適宜調整して構わない。例えば、作製する第1金属板2および第2金属板3の少なくとも一方を、平面視において絶縁基板1以上の大きさにしてもよい。
図2は、本発明の実施形態の電子装置20を示す断面図である。上記構成の複合基板10と、第1金属板2上に搭載された電子部品4とによって実施形態の電子装置20が基本的に構成されている。図2において図1と同様の部位には同様の符号を付している。なお、図2においては、電子部品4と複合基板10とを分け示し、電子部品4が搭載される方向を矢印で示している。また、この電子装置20が外部部材5に実装される方向を矢印で示している。以下の各図においても、図2と同様に、構成部材を分けて示すことがあり、搭載等の方向を矢印で示すことがある。
のLSI(Large Scale Integrated circuit)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)またはMOS−FET(Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor)等の半導体素子である。電子部品4は、半導体素子に限らず、温度センサ素子等のセンサ素子および容量素子等の受動部品を含む各種の電子部品から適宜選択されたものでもよく、複数個でもよい。また、互いに異なる種類の電子部品(図示せず)が搭載されてもよい。
用の接合材は、例えば、はんだ(スズ−鉛共晶はんだ等)、金−スズ(Au−Sn)合金またはスズ−銀−銅(Sn−Ag−Cu)合金等である。
。
図3は、本発明の実施形態の電子モジュールを示す平面図である。上記構成の電子装置20と、電子装置20が接合材6を介して接合された外部部材5とによって、実施形態の電子モジュール30が基本的に構成されている。図3において図1および図2と同様の部位には同様の符号を付している。
の場合にも、例えば中央部において第1金属板2上に電子部品4が搭載されていれば、電子部品4から外部部材5までの距離が小さく抑えられるため、放熱性に関しては向上が可能である。
図4(a)は図1に示す複合基板10の変形例を示す平面図であり、図4(b)は図4(a)のA−A線における断面図であり、図4(c)は図4(a)のB−B線における断面図である。また、図5は、図4に示す複合基板10の要部を拡大して模式的に示す断面図である。図4および図5において図1〜図3と同様の部位には同様の符号を付している。上記電子装置20および電子モジュール30は、この変形例の複合基板10を含むものでも構わない。
図6は、図2に示す電子装置20の変形例を示す断面図である。図6において図1〜図3と同様の部位には同様の符号を付している。
図7は、図3に示す電子モジュール30の変形例を示す断面図である。図7において図1〜図3と同様の部位には同様の符号を付している。
2・・第1金属板
3・・第2金属板
4・・電子部品
5・・外部部材
5(5A)・・外部部材(放熱部材)
5(5B)・・外部部材(バスバー)
6・・接合材
9・・積層体
10・・複合基板
20・・電子装置
30・・電子モジュール
L0・・仮想の水準面
Claims (5)
- 上面および下面を有する絶縁基板と、
該絶縁基板の上面に接合された第1金属板と、
前記絶縁基板の下面に接合されており、前記第1金属板よりも厚い第2金属板とからなる積層体を備えており、
該積層体が、平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有している複合基板。 - 前記積層体が平面視において矩形状であり、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している請求項1に記載の複合基板。
- 前記積層体の角部に近い部分における前記凸部の側面の勾配が、前記積層体の外周側において中央部側よりも大きい請求項2に記載の複合基板。
- 請求項1〜請求項3のいずれかに記載の複合基板と、
前記第1金属板上に搭載された電子部品とを備える電子装置。 - 請求項4に記載の電子装置と、
該電子装置が接合材を介して接合された外部部材とを備える電子モジュール。
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