JP2018085636A - Mounting structure, ultrasonic device, ultrasonic probe, ultrasonic device, and electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、実装構造体、超音波デバイス、超音波探触子、超音波装置、及び電子機器に関する。 The present invention relates to a mounting structure, an ultrasonic device, an ultrasonic probe, an ultrasonic apparatus, and an electronic apparatus.
回路基板に電子部品を実装する場合に、回路基板側の配線と電子部品側の配線とをバンプ電極を介して電気的に接続する実装方法が知られている(例えば特許文献1参照)。 When mounting electronic components on a circuit board, a mounting method is known in which wiring on the circuit board side and wiring on the electronic component side are electrically connected via bump electrodes (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1では、電子部品は、ICチップ等の電子素子(機能素子)と、機能素子に接続されるバンプ電極と、が基板上に設けられて構成される。これらのうちバンプ電極は、機能素子から引き出された電極パッドに接続される配線と、弾性変形可能な樹脂突起と、を備える。導電膜は、機能素子から基板の周縁部に形成された樹脂突起まで引き出され、当該樹脂突起を跨ぎ、かつ、樹脂突起の表面の一部を覆っている。一方、回路基板は、液晶パネルが形成される基板であり、液晶素子が配置された領域外に電極端子が形成される。この回路基板側の電極端子に電子部品側のバンプ電極を接触させ、弾性変形させることにより、バンプ電極及び電極端子が電気的に接続される。
In
ところで、特許文献1に記載されるような樹脂突起は、例えば、基板上に設けた樹脂材料を加熱溶融させた後に固化させることにより、略半球状に形成される。すなわち、樹脂突起は、基板厚み方向から見た平面視にて中心に向かうにしたがって、基板表面から徐々に立ち上がるように形成される。したがって、基板表面から樹脂突起上に亘って配線を形成する際に、例えば、基板表面に略直交する側面を有する樹脂突起と比べて、樹脂突起と基板との境界において配線を容易に形成でき、配線の形成不良を抑制できる。
By the way, the resin protrusion as described in
しかしながら、上述のように樹脂材料を加熱溶融させる場合、樹脂突起の高さ(厚み方向の寸法)を増大させると、樹脂突起の平面寸法(基板表面に平行な方向の寸法)も増大する。このため、樹脂突起の縦横比(平面寸法に対する高さ寸法の比)を大きくすることは困難であるとの課題があった。また、縦横比を大きくできないため、樹脂突起の高集積化、ひいては配線の高集積化が容易ではなかった。 However, when the resin material is heated and melted as described above, if the height of the resin protrusion (the dimension in the thickness direction) is increased, the planar dimension of the resin protrusion (the dimension in the direction parallel to the substrate surface) also increases. For this reason, there existed a subject that it was difficult to enlarge the aspect ratio (ratio of the height dimension with respect to a plane dimension) of the resin protrusion. In addition, since the aspect ratio cannot be increased, it is not easy to increase the integration of resin protrusions and thus to increase the integration of wiring.
本発明は、配線が形成される樹脂突起の縦横比を増大可能な実装構造体、超音波デバイス、超音波探触子、超音波装置、及び電子機器を提供することを1つの目的とする。 An object of the present invention is to provide a mounting structure, an ultrasonic device, an ultrasonic probe, an ultrasonic device, and an electronic apparatus that can increase the aspect ratio of a resin protrusion on which a wiring is formed.
本発明の一適用例に係る実装構造体は、基板と、前記基板の一面に形成される溝部と、前記溝部に設けられる樹脂突起と、前記基板から前記樹脂突起に亘って設けられる配線と、を備えることを特徴とする。 A mounting structure according to an application example of the present invention includes a substrate, a groove formed on one surface of the substrate, a resin protrusion provided in the groove, a wiring provided from the substrate to the resin protrusion, It is characterized by providing.
本適用例では、樹脂突起は、基板に形成された溝部に設けられる。このような構成では、例えば樹脂突起が基板の平坦面に設けられる構成と比べて、樹脂突起の縦横比を大きくできる。すなわち、上述のように、基板の平坦面において、樹脂突起を加熱溶融させ、固化させて形成する場合、樹脂突起が平坦面に沿って拡がり、例えば略半球状となる。これに対して、溝部に樹脂突起を設けることにより、加熱溶融された樹脂材料が平面方向に拡がることを抑制でき、樹脂突起の縦横比を大きくすることができる。
また、平面視における樹脂突起の平面形状を、溝部の形状に応じた形状とすることができる。したがって、所望の平面寸法及び高さ寸法を有する樹脂突起を、所望の領域に形成することが容易であり、ひいては、樹脂突起及び配線の高集積化を図ることができる。
In this application example, the resin protrusion is provided in a groove formed on the substrate. In such a configuration, for example, the aspect ratio of the resin protrusion can be increased as compared with a structure in which the resin protrusion is provided on the flat surface of the substrate. That is, as described above, when the resin protrusion is formed by heating and melting and solidifying on the flat surface of the substrate, the resin protrusion expands along the flat surface, for example, becomes substantially hemispherical. On the other hand, by providing the resin protrusion in the groove portion, it is possible to suppress the resin material that has been heated and melted from spreading in the planar direction, and the aspect ratio of the resin protrusion can be increased.
In addition, the planar shape of the resin protrusion in a plan view can be a shape corresponding to the shape of the groove. Therefore, it is easy to form resin protrusions having desired planar dimensions and height dimensions in desired areas, and as a result, the resin protrusions and wirings can be highly integrated.
本適用例の実装構造体において、前記溝部は、前記基板の前記一面にて開口し、当該開口を形成する開口端縁を有し、前記樹脂突起は、前記開口端縁に接することが好ましい。
本適用例では、樹脂突起と基板との境界位置である開口端縁において、樹脂突起と基板との間に隙間が形成されていない。したがって、基板から樹脂突起に亘って配線を形成する際に、隙間による配線の形成不良が生じず、境界位置に配線を適切に形成できる。
In the mounting structure according to this application example, it is preferable that the groove portion is open on the one surface of the substrate, has an opening edge that forms the opening, and the resin protrusion is in contact with the opening edge.
In this application example, no gap is formed between the resin protrusion and the substrate at the opening edge that is the boundary position between the resin protrusion and the substrate. Therefore, when forming the wiring from the substrate to the resin protrusion, the formation of the wiring due to the gap does not occur, and the wiring can be appropriately formed at the boundary position.
本適用例の実装構造体において、前記溝部の溝内面は、凹状に湾曲することが好ましい。
本適用例では、凹状に湾曲する溝部の内面によって、樹脂突起を保持できる。例えば、樹脂材料を加熱溶融させて樹脂突起を形成する際に、溶融した樹脂材料を溝部に安定的に保持できる。
In the mounting structure according to this application example, it is preferable that the groove inner surface of the groove is curved in a concave shape.
In this application example, the resin protrusion can be held by the inner surface of the groove that curves in a concave shape. For example, when the resin projection is formed by heating and melting the resin material, the melted resin material can be stably held in the groove portion.
本適用例の実装構造体において、前記基板の厚み方向から見た平面視において、前記溝部及び前記樹脂突起を囲む壁部を備えることが好ましい。
本適用例では、樹脂突起は、溝部及び壁部によって、基板の一面側に形成された凹部に設けられる。このような構成では、溶融された樹脂材料が基板の一面に沿って拡がることを、壁部によってより確実に抑制できる。例えば、樹脂材料の体積を多くすることにより、樹脂突起の高さを高くすることができる。しかしながら、壁部が形成されない構成では、樹脂材料の体積が、溝部の容積に対する許容量を超えると、溶融した樹脂材料が溝部の外側に拡がるおそれがある。これに対して、壁部を設けることにより、溝部よりも大きな容積を有する凹部に樹脂突起を設けることができ、樹脂材料の拡がりをより確実に抑制できる。また、樹脂材料の体積の許容量を増大でき、樹脂材料の高さをより増大できる。
In the mounting structure according to this application example, it is preferable that the mounting structure includes a wall portion surrounding the groove and the resin protrusion in a plan view as viewed from the thickness direction of the substrate.
In this application example, the resin protrusion is provided in the recess formed on the one surface side of the substrate by the groove and the wall. In such a configuration, the wall portion can more reliably suppress the molten resin material from spreading along one surface of the substrate. For example, the height of the resin protrusion can be increased by increasing the volume of the resin material. However, in the configuration in which the wall portion is not formed, if the volume of the resin material exceeds an allowable amount with respect to the volume of the groove portion, the molten resin material may spread to the outside of the groove portion. On the other hand, by providing the wall portion, the resin protrusion can be provided in the concave portion having a volume larger than that of the groove portion, and the expansion of the resin material can be more reliably suppressed. Moreover, the tolerance of the volume of the resin material can be increased, and the height of the resin material can be further increased.
本適用例の実装構造体において、前記壁部は、前記厚み方向において、前記基板とは反対側の頂面を有し、前記樹脂突起は、前記頂面の内周縁に接することが好ましい。
本適用例では、樹脂突起と壁部との境界位置である内周縁において、樹脂突起と壁部との間に隙間が形成されていない。したがって、壁部を跨ぐように基板から樹脂突起に亘って配線を形成する際に、隙間による配線の形成不良が生じず、境界位置に配線を適切に形成できる。
In the mounting structure according to this application example, it is preferable that the wall portion has a top surface opposite to the substrate in the thickness direction, and the resin protrusion is in contact with an inner peripheral edge of the top surface.
In this application example, no gap is formed between the resin protrusion and the wall portion at the inner peripheral edge that is the boundary position between the resin protrusion and the wall portion. Therefore, when the wiring is formed from the substrate to the resin protrusion so as to straddle the wall portion, the formation of the wiring due to the gap does not occur, and the wiring can be appropriately formed at the boundary position.
本適用例の実装構造体において、前記壁部は、前記基板の厚み方向の平面視において、前記溝部側の内側面を有し、前記内側面は、凹状に湾曲することが好ましい。
本適用例では、凹状に湾曲する壁部の内側面によって樹脂突起が保持される。このため、例えば、樹脂材料を加熱溶融させて樹脂突起を形成する際に、溶融した樹脂材料を溝部内に安定的に保持できる。
In the mounting structure according to this application example, it is preferable that the wall portion has an inner surface on the groove portion side in a plan view in the thickness direction of the substrate, and the inner surface is curved in a concave shape.
In this application example, the resin protrusion is held by the inner side surface of the wall portion curved in a concave shape. For this reason, for example, when the resin projection is formed by heating and melting the resin material, the melted resin material can be stably held in the groove.
本適用例の実装構造体において、前記壁部は、前記厚み方向において前記基板とは反対側の頂面と、前記平面視において前記溝部とは反対の外側面と、を有し、前記外側面は、前記頂面から前記基板に向かうにしたがって、前記平面視において外側に向かうように傾斜し、前記配線が形成される傾斜部を有することが好ましい。
本適用例では、壁部の頂面と基板の一面とが、外側面の傾斜部によって接続され、平面方向の外側に向かうにしたがって、壁部の厚み方向の寸法が漸減する。このため、一面から壁部の頂面に亘って配線を形成する際に、厚み方向における段差を跨ぐように配線が形成されることを回避でき、配線をより適切に形成できる。
In the mounting structure according to this application example, the wall portion includes a top surface opposite to the substrate in the thickness direction, and an outer surface opposite to the groove portion in the plan view, and the outer surface. It is preferable to have an inclined portion that inclines toward the outside in the plan view as it goes from the top surface to the substrate and in which the wiring is formed.
In this application example, the top surface of the wall portion and one surface of the substrate are connected by the inclined portion of the outer surface, and the dimension in the thickness direction of the wall portion gradually decreases toward the outside in the planar direction. For this reason, when the wiring is formed from one surface to the top surface of the wall portion, it is possible to avoid the wiring from being formed across the step in the thickness direction, and the wiring can be more appropriately formed.
本適用例の実装構造体において、前記壁部の前記溝部側から前記溝部とは反対側に亘って設けられ、前記平面視において、前記壁部の少なくとも一部を覆う下地配線を備え、前記配線は、前記平面視における前記壁部と重なる位置において、前記下地配線に設けられることが好ましい。
本適用例では、溝部側からその反対側に亘って、すなわち壁部の内外に亘って壁部の少なくとも一部を覆うように下地配線が形成される。配線は、壁部と重なる位置において、下地配線に形成される。このような構成では、溝部から基板に亘って形成される配線は、樹脂部と壁部との境界位置や、壁部上は、壁部と基板との境界位置において、下地配線に形成される。これにより、各境界位置や壁部上において、配線が断線することを抑制でき、接続信頼性を向上できる。
In the mounting structure according to the application example, the wiring structure includes a base wiring that is provided from the groove portion side of the wall portion to the opposite side of the groove portion and covers at least a part of the wall portion in the plan view. Is preferably provided in the base wiring at a position overlapping the wall in the plan view.
In this application example, the base wiring is formed so as to cover at least a part of the wall portion from the groove portion side to the opposite side thereof, that is, the inside and outside of the wall portion. The wiring is formed on the base wiring at a position overlapping the wall portion. In such a configuration, the wiring formed from the groove portion to the substrate is formed on the base wiring at the boundary position between the resin portion and the wall portion or on the wall portion at the boundary position between the wall portion and the substrate. . Thereby, it can suppress that a wiring breaks on each boundary position and a wall part, and can improve connection reliability.
本発明の一適用例に係る超音波デバイスは、基板と、前記基板の一面に形成される溝部と、前記溝部に設けられる樹脂突起と、前記基板から前記樹脂突起に亘って設けられる配線と、前記配線に電気的に接続される超音波トランスデューサーと、を備えることを特徴とする。 An ultrasonic device according to an application example of the present invention includes a substrate, a groove formed on one surface of the substrate, a resin protrusion provided in the groove, a wiring provided from the substrate to the resin protrusion, And an ultrasonic transducer electrically connected to the wiring.
本適用例では、上記適用例の圧電デバイスと同様に、樹脂突起は、基板に形成された溝部に設けられる。このような構成では、例えば樹脂突起が基板の平坦面に設けられる構成と比べて、溝部により、加熱溶融された樹脂材料が平面方向に拡がることを抑制でき、樹脂突起の縦横比を大きくすることができる。
また、平面視における樹脂突起の平面形状を、溝部の形状に応じた形状とすることができる。したがって、所望の平面寸法及び高さ寸法を有する樹脂突起を、所望の領域に形成することが容易であり、ひいては、樹脂突起及び配線の高集積化を図ることができる。
In this application example, similarly to the piezoelectric device of the application example, the resin protrusion is provided in a groove formed on the substrate. In such a configuration, for example, compared to a configuration in which the resin protrusion is provided on the flat surface of the substrate, the groove can suppress the resin material that has been heated and melted from spreading in the planar direction, and increase the aspect ratio of the resin protrusion. Can do.
In addition, the planar shape of the resin protrusion in a plan view can be a shape corresponding to the shape of the groove. Therefore, it is easy to form resin protrusions having desired planar dimensions and height dimensions in desired areas, and as a result, the resin protrusions and wirings can be highly integrated.
本発明の一適用例に係る超音波探触子は、基板と、前記基板の一面に形成される溝部と、前記溝部に設けられる樹脂突起と、前記基板から前記樹脂突起に亘って設けられる配線と、前記配線に電気的に接続される超音波トランスデューサーと、を備える超音波デバイスと、前記超音波デバイスを収納する筐体と、を具備することを特徴とする。 An ultrasonic probe according to an application example of the present invention includes a substrate, a groove formed on one surface of the substrate, a resin protrusion provided in the groove, and a wiring provided from the substrate to the resin protrusion. And an ultrasonic transducer that is electrically connected to the wiring, and a housing that houses the ultrasonic device.
本適用例では、上記適用例の圧電デバイスと同様に、樹脂突起は、基板に形成された溝部に設けられる。このような構成では、例えば樹脂突起が基板の平坦面に設けられる構成と比べて、溝部により、加熱溶融された樹脂材料が平面方向に拡がることを抑制でき、樹脂突起の縦横比を大きくすることができる。
また、平面視における樹脂突起の平面形状を、溝部の形状に応じた形状とすることができる。したがって、所望の平面寸法及び高さ寸法を有する樹脂突起を、所望の領域に形成することが容易であり、ひいては、樹脂突起及び配線の高集積化を図ることができる。
In this application example, similarly to the piezoelectric device of the application example, the resin protrusion is provided in a groove formed on the substrate. In such a configuration, for example, compared to a configuration in which the resin protrusion is provided on the flat surface of the substrate, the groove can suppress the resin material that has been heated and melted from spreading in the planar direction, and increase the aspect ratio of the resin protrusion. Can do.
In addition, the planar shape of the resin protrusion in a plan view can be a shape corresponding to the shape of the groove. Therefore, it is easy to form resin protrusions having desired planar dimensions and height dimensions in desired areas, and as a result, the resin protrusions and wirings can be highly integrated.
本発明の一適用例に係る超音波装置は、基板と、前記基板の一面に形成される溝部と、前記溝部に設けられる樹脂突起と、前記基板から前記樹脂突起に亘って設けられる配線と、前記配線に電気的に接続される超音波トランスデューサーと、前記超音波トランスデューサーを制御する制御部と、を備えることを特徴とする。 An ultrasonic device according to an application example of the present invention includes a substrate, a groove formed on one surface of the substrate, a resin protrusion provided in the groove, a wiring provided from the substrate to the resin protrusion, An ultrasonic transducer electrically connected to the wiring, and a control unit that controls the ultrasonic transducer are provided.
本適用例では、上記適用例の圧電デバイスと同様に、樹脂突起は、基板に形成された溝部に設けられる。このような構成では、例えば樹脂突起が基板の平坦面に設けられる構成と比べて、溝部により、加熱溶融された樹脂材料が平面方向に拡がることを抑制でき、樹脂突起の縦横比を大きくすることができる。
また、平面視における樹脂突起の平面形状を、溝部の形状に応じた形状とすることができる。したがって、所望の平面寸法及び高さ寸法を有する樹脂突起を、所望の領域に形成することが容易であり、ひいては、樹脂突起及び配線の高集積化を図ることができる。
In this application example, similarly to the piezoelectric device of the application example, the resin protrusion is provided in a groove formed on the substrate. In such a configuration, for example, compared to a configuration in which the resin protrusion is provided on the flat surface of the substrate, the groove can suppress the resin material that has been heated and melted from spreading in the planar direction, and increase the aspect ratio of the resin protrusion. Can do.
In addition, the planar shape of the resin protrusion in a plan view can be a shape corresponding to the shape of the groove. Therefore, it is easy to form resin protrusions having desired planar dimensions and height dimensions in desired areas, and as a result, the resin protrusions and wirings can be highly integrated.
本発明の一適用例に係る電子機器は、基板と、前記基板の一面に形成される溝部と、前記溝部に設けられる樹脂突起と、前記基板から前記樹脂突起に亘って設けられる配線と、前記配線に電気的に接続される機能素子と、前記機能素子を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。 An electronic apparatus according to an application example of the present invention includes a substrate, a groove formed on one surface of the substrate, a resin protrusion provided in the groove, a wiring provided from the substrate to the resin protrusion, A functional element electrically connected to the wiring, and a control unit that controls the functional element are provided.
本適用例では、上記適用例の圧電デバイスと同様に、樹脂突起は、基板に形成された溝部に設けられる。このような構成では、例えば樹脂突起が基板の平坦面に設けられる構成と比べて、溝部により、加熱溶融された樹脂材料が平面方向に拡がることを抑制でき、樹脂突起の縦横比を大きくすることができる。
また、平面視における樹脂突起の平面形状を、溝部の形状に応じた形状とすることができる。したがって、所望の平面寸法及び高さ寸法を有する樹脂突起を、所望の領域に形成することが容易であり、ひいては、樹脂突起及び配線の高集積化を図ることができる。
In this application example, similarly to the piezoelectric device of the application example, the resin protrusion is provided in a groove formed on the substrate. In such a configuration, for example, compared to a configuration in which the resin protrusion is provided on the flat surface of the substrate, the groove can suppress the resin material that has been heated and melted from spreading in the planar direction, and increase the aspect ratio of the resin protrusion. Can do.
In addition, the planar shape of the resin protrusion in a plan view can be a shape corresponding to the shape of the groove. Therefore, it is easy to form resin protrusions having desired planar dimensions and height dimensions in desired areas, and as a result, the resin protrusions and wirings can be highly integrated.
[第1実施形態]
以下、第1実施形態に係る超音波測定装置について、図面に基づいて説明する。
図1は、超音波測定装置1の概略構成を示す斜視図である。図2は、超音波測定装置1の概略構成を示すブロック図である。
超音波測定装置1は、超音波装置に相当し、図1に示すように、超音波プローブ2と、超音波プローブ2にケーブル3を介して電気的に接続された制御装置10と、を備える。
この超音波測定装置1は、超音波プローブ2を生体(例えば人体)の表面に当接させ、超音波プローブ2から生体内に超音波を送出する。また、生体内の器官にて反射された超音波を超音波プローブ2にて受信し、その受信信号に基づいて、例えば生体内の内部断層画像を取得したり、生体内の器官の状態(例えば血流等)を測定したりする。
[First Embodiment]
Hereinafter, the ultrasonic measurement apparatus according to the first embodiment will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of the
The
The
[制御装置の構成]
制御装置10は、制御部に相当し、図2に示すように、例えば、操作部11と、表示部12と、記憶部13と、演算部14と、を備えて構成される。この制御装置10は、例えば、タブレット端末やスマートフォン、パーソナルコンピューター等の端末装置を用いてもよく、超音波プローブ2を操作するための専用端末装置であってもよい。
操作部11は、ユーザーが超音波測定装置1を操作するためのUI(user interface)であり、例えば表示部12上に設けられたタッチパネルや、操作ボタン、キーボード、マウス等により構成できる。
表示部12は、例えば液晶ディスプレイ等により構成され、画像を表示させる。
記憶部13は、超音波測定装置1を制御するための各種プログラムや各種データを記憶する。
演算部14は、例えばCPU(Central Processing Unit)等の演算回路や、メモリー等の記憶回路により構成される。そして、演算部14は、記憶部13に記憶された各種プログラムを読み込み実行することで、超音波プローブ2に超音波を送信させるための送信信号の生成及び出力処理の制御を行い、超音波プローブ2に超音波を受信させるための各種処理(例えば受信信号の周波数設定やゲイン設定など)の制御を行う。
[Configuration of control device]
The
The
The
The
The
[超音波プローブの構成]
超音波プローブ2は、超音波探触子に相当し、筐体21と、筐体21内部に収納する超音波デバイス22と、超音波デバイス22を制御するためのドライバー回路等が設けられた回路基板23(図2参照)と、を備える。なお、超音波デバイス22と、回路基板23とにより超音波センサー24が構成され、当該超音波センサー24は、超音波モジュールを構成する。
[Configuration of ultrasonic probe]
The
[筐体の構成]
筐体21は、図1に示すように、例えば平面視矩形状の箱状に形成され、厚み方向に直交する一面(センサー面21A)には、センサー窓21Bが設けられており、超音波デバイス22の一部が露出している。また、筐体21の一部(図1に示す例では側面)には、ケーブル3の通過孔21Cが設けられ、ケーブル3は、通過孔21Cから筐体21の内部の回路基板23に接続される。また、ケーブル3と通過孔21Cとの隙間は、例えば樹脂材等が充填されることで、防水性が確保される。
なお、本実施形態では、ケーブル3を用いて、超音波プローブ2と制御装置10とが接続される構成例を示すが、これに限定されず、例えば超音波プローブ2と制御装置10とが無線通信により接続されていてもよく、超音波プローブ2内に制御装置10の各種構成が設けられていてもよい。
[Case configuration]
As shown in FIG. 1, the
In the present embodiment, a configuration example in which the
[回路基板の構成]
回路基板23は、超音波デバイス22が接合され、超音波デバイス22を制御するためのドライバー回路等が設けられる。この回路基板23は、図2に示すように、選択回路231、送信回路232、及び受信回路233を備える。
[Configuration of circuit board]
The
選択回路231は、制御装置10の制御に基づいて、超音波デバイス22と送信回路232とを接続する送信接続、及び超音波デバイス22と受信回路233とを接続する受信接続のいずれかの接続状態に切り替える。
送信回路232は、制御装置10の制御により送信接続に切り替えられた際に、選択回路231を介して超音波デバイス22に超音波を発信させる旨の送信信号を出力する。
受信回路233は、制御装置10の制御により受信接続に切り替えられた際に、選択回路231を介して超音波デバイス22から入力された受信信号を制御装置10に出力する。受信回路233は、例えば低雑音増幅回路、電圧制御アッテネーター、プログラマブルゲインアンプ、ローパスフィルター、A/Dコンバーター等を含んで構成されており、受信信号のデジタル信号への変換、ノイズ成分の除去、所望信号レベルへの増幅等の各信号処理を実施した後、処理後の受信信号を制御装置10に出力する。
Based on the control of the
When the
When the
[超音波デバイスの構成]
図3は、超音波デバイス22の断面図である。図4は、超音波デバイス22における素子基板41を、封止板42側から見た平面図である。図5は、保護膜44側から見た超音波トランスデューサー45を模式的に示す平面図である。なお、図3は、図4におけるA−A線で超音波デバイス22を切断した際の断面図である。
超音波デバイス22は、図3に示すように、素子基板41と、基板に相当する封止板42と、音響層43と、保護膜44と、を含み構成される。これらのうち素子基板41及び封止板42は、図3に示すように、封止板42の導通部5と、素子基板41の配線部415とを介して電気的に接続される。
ここで、以降の説明にあたり、素子基板41の封止板42に対向する面を背面41A、背面41Aとは反対側の面を作動面41Bと称する。また、封止板42の素子基板41に対向する面を内面42A、内面42Aとは反対側の面を外面42Bと称する。なお、素子基板41及び封止板42の厚み方向は、Z方向に略一致する。
[Configuration of ultrasonic device]
FIG. 3 is a cross-sectional view of the
As shown in FIG. 3, the
Here, in the following description, the surface of the
(素子基板の構成)
素子基板41は、図3に示すように、基板本体部411と、基板本体部411に積層された振動膜412と、を備える。また、素子基板41は、図4に示すように、振動膜412の封止板42側に、圧電素子413と、下部電極連結線414と、配線部415と、上部電極引出線416と、接合部417とが設けられる。これらのうち、振動膜412の振動領域である可撓部412Aと圧電素子413とにより、超音波を送受信する超音波トランスデューサー45が構成される。
図4に示すように、素子基板41の中央に位置するアレイ領域Ar1には、超音波を送受信する超音波トランスデューサー45の複数が、X方向及びX方向に交差(本実施形態では直交)するY方向に沿ってマトリクス状に配置される。これら複数の超音波トランスデューサー45により超音波アレイUAが構成される。
(Configuration of element substrate)
As shown in FIG. 3, the
As shown in FIG. 4, in the array region Ar <b> 1 located at the center of the
基板本体部411は、例えばSi等の半導体基板である。基板本体部411におけるアレイ領域Ar1内には、各々の超音波トランスデューサー45に対応した開口部411Aが設けられる。各開口部411Aは、隔壁部411Bによって隔てられる。また、各開口部411Aは、封止板42側(−Z側)に設けられた振動膜412により閉塞される。
The
振動膜412は、例えばSiO2や、SiO2及びZrO2の積層体等より構成され、基板本体部411の−Z側全体を覆って設けられる。この振動膜412のうち、開口部411Aを閉塞する部分は、弾性変形可能な可撓部412Aを構成する。この振動膜412の厚み寸法(厚さ)は、基板本体部411に対して十分小さい厚み寸法(厚さ)となる。基板本体部411をSiにより構成し、振動膜412をSiO2により構成する場合、例えば基板本体部411を酸化処理することで、所望の厚み寸法(厚さ)の振動膜412を容易に形成することが可能となる。また、この場合、SiO2の振動膜412をエッチングストッパーとして基板本体部411をエッチング処理することにより、開口部411Aを容易に形成できる。
The
また、各開口部411Aを閉塞する振動膜412の可撓部412A上には、それぞれ圧電素子413が設けられる。これら可撓部412Aと圧電素子413とにより、1つの超音波トランスデューサー45が構成される。この圧電素子413は、下部電極413A、圧電膜413B、及び上部電極413Cの積層体として構成される。
In addition,
下部電極413Aや上部電極413Cは、1又は2以上の導電性材料による層を含み構成される。このような導電性材料としては、例えば、Au,Al,Cu,Ir,Pt,IrOx,Ti,TiW,TiOx等の電極材料を用いることができる。本実施形態では、例えば、下部電極413Aは、振動膜412上にTiW層(50nm)と、Cu層(100nm)とが順に積層されて構成される。
また、圧電膜413Bは、例えば、ペロブスカイト構造を有する遷移金属酸化物、より具体的には、Pb、Ti及びZrを含むチタン酸ジルコン酸鉛を用いて形成される。
The
The
このような超音波トランスデューサー45では、下部電極413A及び上部電極413Cの間に所定周波数の矩形波電圧が印加されることで、開口部411Aの開口領域に位置する可撓部412AをZ方向に沿って振動させて超音波を送出できる。また、対象物から反射された超音波により可撓部412Aが振動されると、圧電膜413Bの上下で電位差が発生する。したがって、下部電極413A及び上部電極413C間に発生する前記電位差を検出することで、受信した超音波を検出することが可能となる。
In such an
また、本実施形態では、図4に示すように、X方向及びY方向に沿って配置された複数の超音波トランスデューサー45のうち、Y方向に並ぶ2つの超音波トランスデューサー45は、1つの送受信チャンネルである超音波トランスデューサー群45Aを構成する。つまり、超音波アレイUAは、送受信チャンネルである超音波トランスデューサー群45Aの複数がX方向及びY方向に沿って配置され、2次元アレイとして構成される。
In the present embodiment, as shown in FIG. 4, two
超音波トランスデューサー群45Aを構成する超音波トランスデューサー45のそれぞれの下部電極413Aは、下部電極連結線414によって連結される。この下部電極連結線414は、各下部電極413Aと一体的に形成される。つまり、下部電極連結線414は、例えば、下部電極413Aと同様に、TiW層(50nm)と、Cu層(100nm)とが積層されて構成される。なお、下部電極連結線414は、下部電極413Aとは別に設けられてもよい。
The
上部電極引出線416は、超音波トランスデューサー45の各上部電極413Cに接続される。上部電極引出線416は、導電性材料で形成され、複数の引出配線部416Aと、この引出配線部416Aと上部電極413Cとを連結する連結部416Bと、配線領域Ar2に配置された接続端子部416Cと、を備える。
The upper
引出配線部416Aは、図4に示すように、例えば、Y方向に沿って配置された複数の超音波トランスデューサー45の列間のうち一つ置きに設けられる。この引出配線部416Aは、各超音波トランスデューサー45の上部電極413Cが連結部416Bにて連結される。
接続端子部416Cは、素子基板41の外周部の配線領域Ar2に形成され、引出配線部416Aと連結する。この接続端子部416Cは、図示を省略するが、配線部材を介して回路基板23のグランド回路(図示省略)に接続され、基準電位(例えば0電位)に設定される。つまり、上部電極413Cは、基準電位が印加される共通電極である。
As shown in FIG. 4, the
The
接合部417は、上述のように構成された素子基板41と封止板42とを接合する。この接合部417は、素子基板41の外縁に沿った位置や、超音波トランスデューサー45に沿った位置に配置される。例えば、接合部417は、図4に示すように、背面41Aの隔壁部411Bと重なる位置に、X方向に沿って配置される。
The
接合部417は、素子基板41と封止板42とを接合可能な材料、例えば各種接着剤や感光性樹脂材料(フォトレジスト)等の樹脂材料を用いて形成される。本実施形態では、接合部417は、感光性樹脂材料を用いて形成される。これにより、接合部417を所望の位置に、所望の形状で形成できる。
The
(配線部の構成)
配線部415は、導電性を有し、背面41Aの超音波トランスデューサー45とは異なる位置に設けられ、下部電極連結線414を介して超音波トランスデューサー45に導通される。具体的には、配線部415は、Z方向から見た平面視において、略矩形状の外形を有し、隔壁部411Bと重なる位置において、下部電極連結線414から封止板42に向かって突設され、後述する導通部5に電気的に接続される。つまり、各超音波トランスデューサー45の下部電極413Aは、下部電極連結線414及び配線部415を介して導通部5に電気的に接続される。また、配線部415は、複数の超音波トランスデューサー群45Aのそれぞれに対して一つずつ設けられる。
(Wiring configuration)
The
図3に示すように、配線部415の封止板42側の端面(以下、端部415Aとも称す)は、超音波トランスデューサー45の圧電素子413の−Z側の端面(以下、Z側端面413Dとも称す)よりも封止板42側に位置する。これにより、封止板42側に設けられた部材(例えば導通部5等)と超音波トランスデューサー45との干渉を抑制できる。例えば、超音波トランスデューサー45が駆動し、圧電素子413のZ側端面413Dが封止板42側に移動したとしても、圧電素子413と導通部5との干渉を抑制できる。
As shown in FIG. 3, the end surface (hereinafter also referred to as
このような配線部415は、例えば、金属材料や導電性フィラーを含む樹脂材料等の導電性を有する材料を用いて形成される。例えば、配線部415は、電界めっき法により、金属材料を下部電極連結線414上に析出させることにより形成される。
なお、Z方向から見た平面視における配線部415の平面形状は、矩形状に限定されず、円形、楕円形、各種多角形状等であってもよい。
Such a
Note that the planar shape of the
(封止板の構成)
図3及び図5に示す封止板42は、例えば半導体基板等により構成され、接合部417により素子基板41に接合され、素子基板41の強度を補強する。封止板42は、図3に示すように、Si等の半導体基板420Aと、半導体基板420Aの表面に形成された絶縁層420Bと、を備える。絶縁層420Bは、半導体基板420Aに熱酸化処理を施すことにより形成され、図3では、内面42A側のみに絶縁層420Bを図示している。なお、封止板42の材質や厚みは、超音波トランスデューサー45の周波数特性に影響を及ぼすため、送受信する超音波の中心周波数に基づいて設定することが好ましい。
この封止板42には、図3に示すように、溝部421と、導通部5と、貫通電極424と、下部電極配線425と、が設けられる。なお、溝部421が設けられた半導体基板420A及び絶縁層420B(封止板42)と、導通部5と、を含み実装構造体が構成される。
(Configuration of sealing plate)
The sealing
As shown in FIG. 3, the sealing
(貫通電極及び下部電極配線の構成)
貫通電極424は、導電性材料にて形成され、図3に示すように、封止板42をZ方向に貫通する。貫通電極424は、内面42A側において導通部5に接続し、外面42B側において下部電極配線425に接続する。
下部電極配線425は、封止板42の外面42Bに、貫通電極424に対して個別に設けられる。この下部電極配線425は、外面42Bに沿って形成された配線(図示略)を介して回路基板23に接続される。すなわち、導通部5は、貫通電極424及び下部電極配線425を介して回路基板23に接続される。なお、貫通電極424は、一つの導通部5に対して少なくとも一つ形成されていればよく、三つ以上であってもよい。
(Configuration of through electrode and lower electrode wiring)
The through
The
(溝部の構成)
図6は、導通部5及び溝部421を含む封止板42の一部の概略構成を示す断面図であり、図7は、平面図である。
溝部421は、図3及び図5に示すように、平面視において配線部415と重なる位置に、内面42Aに形成される溝である。図6に示すように、本実施形態の溝部421は、内面42Aから外面42Bに向かって絶縁層420Bを貫通し、半導体基板420Aに亘って形成される。図7に示すように、溝部421は、平面視において、略円形状の開口端縁422を有する。この溝部421は、すり鉢状に形成されており、溝内面423が湾曲している。換言すると、溝内面423は、平面視において、凹状に湾曲する湾曲面423Aを有する。つまり、XY面に平行な断面における溝部421の径寸法が、内面42Aから外面42Bに向かうにしたがって小さくなる。本実施形態では、溝内面423は、平坦な底面と、平面視において底面の周囲を囲む湾曲面423Aと、を有する。このような溝部421は、ドライエッチング等により形成される。すなわち、湾曲面423Aは、溝部の平面中心Oを通りZ方向に沿う断面(例えばYZ断面)が略半円状である。
(Configuration of groove)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a part of the sealing
As shown in FIGS. 3 and 5, the
(導通部の構成)
導通部5は、図3、及び図5及び図6に示すように、内面42Aに形成された溝部421に設けられる樹脂部51と、樹脂部51の一部を覆い、かつ、貫通電極424に電気的に接続される導電膜52と、を備える。
導通部5は、図3に示すように、素子基板41に設けられた配線部415に密着し、電気的に接続される。すなわち、封止板42を素子基板41に接合する際に、導通部5が配線部415の端部415Aに圧接され、導通部5を構成する樹脂部51及び導電膜52が弾性変形する。弾性変形した樹脂部51の復元力により、導電膜52が配線部415に密着する。これにより、導通部5と配線部415との間の電気的接続の信頼性が向上する。
(Configuration of conduction part)
As shown in FIGS. 3, 5, and 6, the
As shown in FIG. 3, the
導電膜52は、配線に相当し、封止板42の内面42Aの貫通電極424と重なる位置から樹脂部51に亘って設けられる。導電膜52は、平面視において、Y方向に沿って設けられ、樹脂部51の+Z側の端部を含む少なくとも一部を覆い、かつ、貫通電極424に接続している。この導電膜52の厚みを、樹脂部51よりも十分に薄くすることにより、樹脂部51及び導電膜52を弾性変形させることができる。
The
このような導電膜52を形成する導電性材料として、Au、Ag、TiW、Cu、Ni、Pd、Al、Cr、Ti、W、NiCr等や、鉛フリーはんだ等を用いることができる。本実施形態では、例えば、導電膜52は、内面42A側からTiW層(50nm)と、Au層(100nm)とが積層されて構成される。
As a conductive material for forming such a
樹脂部51は、樹脂突起に相当し、弾性を有する樹脂材料で形成される。樹脂部51は、図3に示すように、溝部421に設けられ、すなわち平面視において配線部415と重なる位置に設けられ、内面42Aよりも素子基板41側に突出している。この樹脂部51は、溝内面423に沿って設けられ、溝内面423及び開口端縁422に接する。すなわち、樹脂部51は、平面視において、開口端縁422との間に隙間が生じることがないように溝部421内に形成される。樹脂部51は、素子基板41側に向かって、XY面に平行な断面(略円形)の径寸法が小さくなるように形成される。
The
上述のような樹脂部51は、溝部421内に設けられる樹脂材料により構成され、例えば樹脂材料を熱溶融させた後に固化させることにより形成される。これにより、樹脂部51は、溝内面423に沿うように樹脂部51が形成される。
樹脂部51の形成材料として、感光性樹脂材料(フォトレジスト)を用いることができる。この場合、樹脂部51を所望の位置に、所望の形状で形成することが容易である。また、樹脂部51の形成材料として、感光性樹脂材料以外にも、弾性を有する各種樹脂材料、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及び変性ポリイミド樹脂等を用いることができる。
The
As a forming material of the
図8は、比較例における導通部6を模式的に示す断面図である。
図8に示すように、導通部6は、平坦な内面42Aに設けられる樹脂部61と、内面42Aから樹脂部61に亘って設けられる導電膜62と、を備える。比較例の導通部6は、樹脂部61が溝部421内に設けられていない点を除き、基本的に導通部5と略同様に形成される。すなわち、樹脂部61は、内面42Aに設けられた樹脂材料を熱溶融させた後に固化させることにより、略半球状に形成されている。ここで、平面視における樹脂部61の最大半径(底面の半径)をLcとし、樹脂部61の高さ(Z方向の寸法)をLdとすると、樹脂部61では、最大半径Lcは、高さLdと略同じである(Lc=Ld)。
FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing the conduction portion 6 in the comparative example.
As shown in FIG. 8, the conductive portion 6 includes a
これに対して、本実施形態の樹脂部51では、平面視における樹脂部51の最大半径をLaとし、内面42Aに対する樹脂部51の高さ(内面42Aに対するZ方向における突出量)をLbとすると、La<Lbであり、La,Lbは下記式(1)を満たす。なお、本実施形態では、樹脂部51の最大半径をLaは、溝部421の開口半径である。
例えば、本実施形態の導通部5と比較例の導通部6とで最大径が同じ場合、本実施形態の導通部5の高さLbは、比較例の導通部6の高さ寸法より大きい。すなわち、La=Lcの場合、Lb>Ldである。また、本実施形態の導通部5と比較例の導通部6とで高さが同じ場合、導通部5の最大半径Laは、比較例の導通部6の最大半径Lcよりも小さい。すなわち、Lb=Ldの場合、La<Lcである。
つまり、樹脂部61を溝部421に設けることにより、比較例のように溝部421を設けない場合と比べて、X方向及びY方向の寸法に対して、Z方向の寸法を大きくすることができる。すなわち、樹脂部51は、比較例よりも縦横比が大きい。
On the other hand, in the
For example, when the maximum diameter is the same between the conducting
That is, by providing the
[数1]
Lb/La>1 ・・・(1)
[Equation 1]
Lb / La> 1 (1)
[第1実施形態の作用効果]
上述のように構成される第1実施形態の超音波デバイス22では、以下の効果を得ることができる。
導通部5を構成する樹脂部51は、封止板42に形成された溝部421に設けられる。このような構成では、樹脂部51が溝部421に設けられない構成と比べて、樹脂部51の縦横比を大きくできる。すなわち、図8に示すように、溝部421を設けずに樹脂材料を加熱溶融させて、再固化させる際に、上述のように略半球状(つまり縦横比が略1)の樹脂部61が形成される。これに対して、溝部421に樹脂部51を設けることにより、加熱溶融された樹脂材料が平面方向(X方向及びY方向)に拡がることを抑制でき、樹脂部51の縦横比を増大させることができる。なお、樹脂部51に対して、導電膜62の厚みが非常に小さいため、樹脂部51の縦横比を増大させることにより、導通部5の縦横比を増大させることができる。
[Effects of First Embodiment]
With the
The
また、溝部421によって、樹脂部51の平面形状を規定することができ、所望の位置及び範囲に樹脂部51を形成することができる。したがって、樹脂材料が、設計値以上に拡大し、封止板42に設けられた他の構成(例えば他の配線等)と干渉することを抑制でき、導通部5の高集積化を図ることができる。
また、溝部421によって、樹脂材料の拡大範囲を規制することにより、平面視における樹脂部51の平面形状を、溝部421の形状に応じた形状とすることができる。したがって、所望の平面寸法及び高さ寸法を有する樹脂部51を、所望の領域に形成することが容易であり、ひいては、樹脂部51及び導電膜52の高集積化を図ることができる。
Moreover, the planar shape of the
In addition, by restricting the expansion range of the resin material by the
樹脂部51は、開口端縁422に接している。すなわち、樹脂部51と封止板42との境界位置である開口端縁422において、樹脂部51と封止板42との間に隙間が形成されていない。したがって、封止板42から樹脂部51に亘る導電膜52を形成する際に、隙間によって境界位置に配線の形成不良が生じず、導電膜52を適切に形成できる。
The
溝部421の溝内面423は、すり鉢状に形成されている。すなわち、溝内面423は、凹に湾曲する湾曲面423Aを有する。そして、樹脂部51は、溝内面423に沿って形成され、当該溝内面423によって保持されている。このため、例えば、樹脂材料を加熱溶融させて樹脂部51を形成する際に、溝内面423によって溶融した樹脂材料を安定的に保持できる。
また、上述の湾曲した溝内面423を有する溝部421は、封止板42に対してウェットエッチングを実施することにより、容易に形成することができる。
The groove
The
[第2実施形態]
以下、第2実施形態について説明する。
第2実施形態では、封止板42には、溝部421を囲む壁部が形成され、樹脂突起が壁部の内側に設けられる点で、第1実施形態の構成に相違する。
なお、以降の説明にあたり、第1実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
[Second Embodiment]
Hereinafter, a second embodiment will be described.
In the second embodiment, the sealing
In the following description, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted or simplified.
図9は、第2実施形態の封止板42の一部を拡大して模式的に示す断面図であり、図10は、平面図である。
図9及び図10に示すように、封止板42の内面42Aには、平面視において、溝部421及び樹脂部51を囲む、円環状の壁部7が設けられている。
壁部7は、封止板42に接する基端部71と、封止板42の内面42Aとは反対側(+Z側)の頂面72と、平面視において溝部421側(内側)の内側面73と、溝部421と反対側(外側)の外側面74と、を有する。この壁部の内側面73と溝内面423とにより溝部421を含む凹部70が形成される。樹脂部51は、凹部70に設けられ、溝内面423及び内側面73に保持される。
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing an enlarged part of the sealing
As shown in FIGS. 9 and 10, the
The
基端部71は、平面視において内側の基端側内周縁711と、外側の基端側外周縁712と、を有する。基端側内周縁711は、平面視において、開口端縁422と重なる。すなわち、壁部7は、平面視において開口端縁422に沿って形成される。
頂面72は、平面視において内側の先端側内周縁721と、外側の先端側外周縁722とを有する。平面視において、先端側内周縁721は、基端側内周縁711の外側に位置し、先端側外周縁722は、基端側外周縁712の内側に位置する。
The
The
ここで、先端側内周縁721は、凹部70の開口端縁である。樹脂部51は、この先端側内周縁721に接する。すなわち、先端側内周縁721の半径は、樹脂部51の最大半径Laに相当する。本実施形態においても、樹脂部51の最大半径La、及び、内面42Aに対する樹脂部51の高さLbは、上記式(1)を満たす。
また、壁部7の最大半径Le(すなわち円形の基端側外周縁712の半径)と、樹脂部51の高さLbとは、下記式(2)を満たす。このため、図8のように溝部421や壁部7を設けない構成と樹脂部の高さが同じである場合、図8の比較例の樹脂部61の最大半径Lcよりも、壁部7の最大半径Leを小さくすることができ、配線の高集積化を図ることができる。
Here, the front end side inner
Further, the maximum radius Le of the wall portion 7 (that is, the radius of the circular proximal end outer peripheral edge 712) and the height Lb of the
[数2]
Lb/Le>1 ・・・(2)
[Equation 2]
Lb / Le> 1 (2)
内側面73は、基端側内周縁711と先端側内周縁721との間に位置する、すり鉢状の湾曲面であり、凹状に湾曲している。
外側面74は、傾斜部に相当し、基端側外周縁712から先端側外周縁722に向かって傾斜している。すなわち、外側面74は、頂面72から封止板42(基端部71)に向かうにしたがって、平面視において外
側に向かうように傾斜する。なお、図9に示す例では、外側面74は、凹状に湾曲する。また、外側面74は、全周に亘って傾斜部が形成されているが、外側面74の一部に傾斜部が形成されてもよい。
導電膜52は、外側面74と頂面72と樹脂部51とを跨ぐようにY方向に沿って形成される。
The
The
The
上述の壁部7は、金属材料や酸化物材料を用いて、ドライエッチング等を施すことにより形成できる。金属材料としては、例えば、Au、Ag、TiW、Cu、Ni、Pd、Al、Cr、Ti、W、NiCr等を用いることができる。金属材料を用いることにより、壁部7における導電膜52の断線等による接続信頼性の低下を抑制できる。
また、酸化物材料としては、例えば、ZrO2、Al2O3等の各種金属酸化物や、SiO2である。酸化物材料を用いることにより、金属材料と比べて、壁部7と樹脂部51との密着性を向上させることができる。
The above-mentioned
Examples of the oxide material include various metal oxides such as ZrO 2 and Al 2 O 3 , and SiO 2 . By using the oxide material, the adhesion between the
[第2実施形態の作用効果]
第2実施形態では、第1実施形態と同様の作用効果に加え、以下の作用効果を得ることができる。
樹脂部51は、内面42Aに形成された、溝部421及び壁部7によって形成された凹部70に設けられる。このような構成では、第1実施形態と同様に、樹脂部51が凹部70に設けられず、平坦な内面42Aに設けられる場合と比べて、樹脂部51の縦横比を大きくできる。
[Effects of Second Embodiment]
In 2nd Embodiment, in addition to the effect similar to 1st Embodiment, the following effects can be obtained.
The
ここで、樹脂材料の体積を大きくすることにより、より高い樹脂部51を形成できる。しかしながら、壁部7が形成されない構成では、樹脂材料の体積が、溝部421の容積に対する許容量を超えると、溶融した樹脂材料が溝部421の外側に拡がるおそれがある。
これに対して、壁部7を設けることにより、溝部421よりも大きな容積を有する凹部70に樹脂部51を設けることができ、樹脂材料の拡がりをより確実に抑制できる。
また、樹脂材料の体積の許容量を増大させることができ、樹脂材料の高さを高くすることができる。
Here, a
On the other hand, by providing the
Further, the allowable volume of the resin material can be increased, and the height of the resin material can be increased.
樹脂部51と壁部7の境界位置である先端側内周縁721において、樹脂部51と壁部7との間に隙間が形成されていない。したがって、壁部7を跨ぐように封止板42から樹脂部51に亘って導電膜52を形成する際に、隙間によって導電膜52が適切に形成されないという不具合が生じることを抑制でき、境界位置に導電膜52を適切に形成できる。
No gap is formed between the
内側面73は、凹状に湾曲する。したがって、樹脂材料を溶融させて樹脂部51を形成する際に、溝部421及び内側面73によって、溶融した樹脂材料を安定的に保持させることができる。
The
外側面74は、頂面72から基端部71に向かうにしたがって、平面視における外側に向かって傾斜する。導電膜52は、この傾斜する外側面74に形成される。このような構成では、外側面74が傾斜せずに、頂面72と内面42Aとの間の段差を跨ぐように導電膜52が形成される構成と比べて、導電膜52の形成不良が生じ難く、適切な導電膜52をより容易に形成できる。
The
[第3実施形態]
以下、第3実施形態について説明する。
第3実施形態では、壁部7を跨ぎ溝部421から封止板42に亘って形成される下地配線を備える点で、第2実施形態の構成と相違する。
なお、以降の説明にあたり、第1実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
[Third Embodiment]
Hereinafter, the third embodiment will be described.
The third embodiment is different from the configuration of the second embodiment in that it includes a base wiring formed across the
In the following description, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted or simplified.
図11は、第3実施形態の封止板42の一部を拡大して模式的に示す断面図であり、図12は、平面図である。
図11及び図12に示すように、平面視において、壁部7及び溝部421の内外に亘って下地配線8が設けられている。すなわち、下地配線8は、壁部7及び溝部421を覆うように形成されている。この下地配線8に樹脂部51及び導電膜52が積層される。すなわち、平面視において壁部7の頂面72の先端側内周縁721よりも内側において、樹脂部51は、下地配線8に沿って形成される。また、導電膜52は、平面視において樹脂部51の外側では、すなわち、壁部7と重なる位置では下地配線8上に設けられる。
FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing an enlarged part of the sealing
As shown in FIGS. 11 and 12, the
下地配線8は、導電性を有する各種の配線材料を用いて形成される。配線材料としては、例えばAu、Ag、TiW、Cu、Ni、Pd、Al、Cr、Ti、W、NiCr等の金属材料を用いることができる。ここで、下地配線8は、導電膜52に対して良好な密着性を有することが好ましい。これにより、導電膜52が下地配線8から剥離することを抑制でき、電気的接続の信頼性を向上できる。
The
なお、下地配線8は、溝部421及び壁部7を覆うとしたが、壁部7の少なくとも一部を覆ってもよい。例えば、平面視において、少なくとも壁部7及び導電膜52に重なる位置に、下地配線8が設けられてもよい。
さらに、この場合、壁部7として、樹脂部51と良好な密着性を有する金属酸化物や樹脂材料を用いてもよい。すなわち、平面視において、壁部7の導電膜52と重ならない領域では、樹脂部51に対して良好な密着性を有する壁部7上に樹脂部51が形成される。これにより、樹脂部51及び導電膜52の両方の封止板42に対する密着性を向上させることができる。
Although the
Furthermore, in this case, a metal oxide or resin material having good adhesion to the
[第3実施形態の作用効果]
第3実施形態では、第2実施形態と同様の作用効果に加え、以下の作用効果を得ることができる。
下地配線8は、壁部7の内外に亘って壁部の少なくとも一部を覆い、導電膜52は、この下地配線8上に形成される。このような構成では、導電膜52は、内側面73(頂面72)と樹脂部51との境界位置や、外側面74と封止板42との境界位置や、壁部7上において、下地配線8上に形成される。したがって、各境界位置や頂面72上における、導電膜52の断線を抑制でき、接続信頼性を向上できる。
[Effects of Third Embodiment]
In 3rd Embodiment, in addition to the effect similar to 2nd Embodiment, the following effects can be obtained.
The
[実施形態の変形]
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良、及び各実施形態を適宜組み合わせる等によって得られる構成は本発明に含まれるものである。
(変形例1)
図13は、変形例1における封止板42の一部を拡大して模式的に示す断面図である。
上記各実施形態では、溝部421は、内面42Aから外面42Bに向かって、絶縁層420Bを貫通し、半導体基板420Aに亘って形成されていたが、これに限定されない。例えば、図13に示すように、溝部421は、絶縁層420Bのみに形成されてもよい。このような構成では、例えば、ドライエッチング等により絶縁層420Bのみを選択的に除去することにより、溝部421を形成できる。絶縁層420Bの厚み寸法を調整することにより、溝部421の深さを調整することができる。
[Modification of Embodiment]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the present invention includes configurations obtained by modifying, improving, and appropriately combining the embodiments as long as the object of the present invention can be achieved. Is.
(Modification 1)
FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing an enlarged part of the sealing
In each of the embodiments described above, the
なお、上記各実施形態では、半導体基板420Aに熱酸化処理を行って絶縁層420Bを形成したのち、溝部421を形成するとしたが、例えば、半導体基板420Aに溝部421を形成した後に、絶縁層420Bを形成してもよい。この場合、溝部421の溝内面423にも絶縁層420Bを形成することができ、封止板42の絶縁性を向上させることができる。
In each of the above embodiments, the
(変形例2)
図14は、変形例2における封止板42の一部を拡大して模式的に示す断面図である。
上記第2実施形態の壁部7は、頂面72から基端部71側に向かうにしたがって、溝部421の内側に向かって傾斜する凹曲面である内側面73と、外側に向かって傾斜する外側面74と、を有していた。これに対して、図14に示す変形例2の壁部7Aでは、内側面73及び外側面74が、Z方向(内面42Aの法線方向)に起立する。
このような壁部7Aは、例えば、金属材料や酸化膜材料の層にドライエッチング等を実施することにより形成される。また、壁部7Aは、予め設けられた下地層上に電界めっき法により金属を析出させることにより形成される。
また、壁部7Aは、樹脂材料である接着剤を溝部421の周囲に塗布することにより形成される。樹脂材料を用いる場合、樹脂部51を構成する樹脂材料よりも高融点の材料を用いる。これにより、加熱溶融により樹脂部51を形成しても、壁部の溶融や変形を抑制できる。
(Modification 2)
FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing an enlarged part of the sealing
The
Such a
The
なお、図14に示すように、壁部7Aを覆うように、第3実施形態の下地配線8を形成することにより、内側面73(頂面72)と樹脂部51との境界位置における接続信頼性を向上させることができる。また、同様に、頂面72と外側面74や、外側面74と封止板42の境界位置における接続信頼性を向上させることができる。
As shown in FIG. 14, connection reliability at the boundary position between the inner side surface 73 (top surface 72) and the
(変形例3)
図15は、変形例3における封止板42の一部を拡大して模式的に示す平面図である。
上記各実施形態及び変形例では、平面視において、樹脂部51及び溝部421は略円形状に形成されていたが、これに限定されない。
図15に示すように、封止板42の内面42Aに溝部426が形成される。溝部426は、平面視においてX方向を長手方向とするオーバル形状(長円形状)を有する点を除き、上記各実施形態の溝部421と略同様に形成される。すなわち、溝部426の溝内面はすり鉢状に湾曲する。この溝部426は、Y方向の寸法が同じである等幅部426Aを有する。
(Modification 3)
FIG. 15 is a plan view schematically showing an enlarged part of the sealing
In each of the above embodiments and modifications, the
As shown in FIG. 15, a
導通部5Aは、溝部426に設けられ、当該溝部426と同様にオーバル形状を有する樹脂部51Aと、長手方向と直交するY方向に沿って樹脂部51Aを跨ぐように形成された複数(図15では2つ)の導電膜52と、を有する。
樹脂部51Aのうち溝部426の等幅部426Aに設けられた中央部511では、弾性変形前において、Y方向において中心に向かうにしたがって高さ寸法(Z方向の寸法)が増大する。また、中央部511では、Y方向の中心位置での高さ寸法(最大寸法)が、X方向に沿って略一定である。なお、中央部511を通るYZ面に平行な断面は、第1実施形態と略同様である(図6参照)。
複数の導電膜52は、平面視において、溝部421の等幅部426Aを跨ぐように、すなわち中央部511を跨ぐように設けられる。なお、複数の導電膜52は、それぞれに貫通電極424が設けられ、個別に回路基板23に接続される。
なお、中央部511及び導電膜52を通り、YZ面に平行な面における変形例3の封止板42の断面は、図6に示す第1実施形態の構成と略同様である。
5 A of conduction | electrical_connection parts are provided in the
In the
The plurality of
Note that the cross section of the sealing
変形例3に係る構成では、導通部5AがX方向を長手方向とするオーバル形状であるため、Y方向に沿って複数の導電膜を形成することができる。
また、導電膜52は、平面視において、溝部421の等幅部426Aを跨ぐように設けられる。すなわち、複数の導電膜52は、Z方向の最大寸法がX方向に沿って略一定である中央部511を跨ぐように設けられるため、導電膜52のZ方向の最大位置のばらつきを抑制することができ、導通部5Aと配線部415との接続信頼性を向上できる。
In the configuration according to the modification example 3, since the conducting
The
(変形例4)
図16は、変形例4における封止板42の一部を拡大して模式的に示す平面図である。
図16に示すように、上記第1実施形態に対する第2実施形態と同様に、上記変形例3の構成に加え、溝部426及び樹脂部51Aを囲む壁部7Aが封止板42に形成されてもよい。
壁部7Aは、平面視における外形がX方向を長手方向とするオーバル形状である点以外は、第2実施形態の壁部7と同様に構成される。すなわち、壁部7Aは、溝部426の開口端縁に沿って形成され、壁部7Aの頂面の内周縁に樹脂部51Aが接している。この壁部7Aは、溝部426の等幅部426Aに沿ってX方向に直線的に形成される2つの直線部75を有する。2つの直線部75は、中央部511をY方向に挟む位置に設けられる。
また、壁部7Aの内側面は、凹状に湾曲することが好ましい。この内側面によって、樹脂部51Aを封止板42に対してより確実に保持できる。また、壁部7Aの外側面が、傾斜することが好ましく、これにより、平面視において外側面と重なる位置に導電膜52を適切に形成でき、接続信頼性を向上させることができる。
(Modification 4)
FIG. 16 is a plan view schematically showing an enlarged part of the sealing
As shown in FIG. 16, in the same manner as the second embodiment with respect to the first embodiment, in addition to the configuration of the modification example 3, a
The
Moreover, it is preferable that the inner surface of the
壁部7Aを酸化膜材料や樹脂材料等の絶縁性を有する材料で形成することにより、複数の導電膜52が電気的に接続されることを抑制できる。したがって、複数の導電膜52を個別に回路基板23に接続可能である。
なお、例えば、各導電膜52に共通の信号が入力又は出力される場合では、壁部7Aを導電性材料である金属材料で形成してもよい。これにより、複数の導電膜52を接続する接続配線を設けなくとも、壁部7Aを介して複数の導電膜52を互いに接続できる。
By forming the
For example, when a signal common to each
(変形例5)
図17は、変形例5における封止板42の一部を拡大して模式的に示す平面図である。
図17に示すように、上記第2実施形態に対する第3実施形態と同様に、上記変形例4の構成に加え、下地配線8Aが封止板42に形成されてもよい。
下地配線8Aは、平面視において複数の導電膜52のそれぞれに重なる位置に少なくとも設けられる。図17に示す変形例5では、下地配線8Aは、平面視において、Y方向に沿って直線状に形成され、溝部426及び壁部7Aの一部を覆う。平面視において、溝部426と重なる位置では、下地配線8Aに樹脂部51Aと導電膜52が積層される。また、平面視において、溝部426の外側では、下地配線8Aに導電膜52が積層される。
(Modification 5)
FIG. 17 is an enlarged plan view schematically showing a part of the sealing
As shown in FIG. 17, in the same manner as the third embodiment relative to the second embodiment, in addition to the configuration of the modified example 4, the
The
なお、複数の導電膜52に共通の信号が入力又は出力される場合では、絶縁性を有する材料で壁部7Aを形成し、複数の導電膜52の全てに重なる位置に一つの下地配線8Aを形成してもよい。これにより、複数の導電膜52を接続する接続配線を設けなくとも、壁部7Aを介して複数の導電膜52を互いに接続できる。
また、全ての導電膜52に共通の信号が入力又は出力される場合では、全ての導電膜52に重なる位置に一つの下地配線8Aを形成してもよい。
When a signal common to the plurality of
In the case where a signal common to all the
(変形例6)
図18は、変形例6における封止板42の一部を拡大して模式的に示す平面図である。
図18に示すように、変形例6では、上記第2実施形態に対して、溝部421の開口端縁422の径寸法が、壁部7の基端側内周縁711の径寸法よりも大きい。すなわち、平面視において、開口端縁422の内側に、基端側内周縁711が位置する。樹脂部51は、溝部421の内部に充填され、平面視にて基端側内周縁711と開口端縁422との間の領域であり、壁部7の下方(−Z側)にも充填される。すなわち、樹脂部51の平面中心(X方向及びY方向における中心)に向かって壁部7の基端側内周縁711が挿入されるように、樹脂部51が凹部70に設けられる。このような構成では、樹脂部51に対してXY面に平行な方向のせん断応力が作用した際に、樹脂部51が封止板42から剥離することをより確実に抑制できる。
(Modification 6)
FIG. 18 is an enlarged plan view schematically showing a part of the sealing
As shown in FIG. 18, in the modified example 6, the diameter dimension of the opening
なお、第1実施形態に記載のように壁部を設けない構成では、例えば、半導体基板420Aの開口径を、絶縁層420Bの開口径より大きくしてもよい。この場合、絶縁層420Bの開口端縁が樹脂部51に挿入されるように、溝部421に樹脂部51が設けられる。これにより、せん断応力によって樹脂部51が封止板42から剥離することをより確実に抑制できる。
In the configuration in which no wall portion is provided as described in the first embodiment, for example, the opening diameter of the
(他の変形例)
上記第2実施形態では、壁部7の基端側内周縁711の径寸法が、溝部421の開口端縁422の径寸法よりも大きい構成を例示したが、これに限定されない。例えば、溝部421の開口端縁422の径寸法が、壁部7の基端側内周縁711の径寸法よりも大きい構成としてもよい。
また、第1実施形態に記載のように壁部を設けない構成では、例えば、絶縁層420Bの開口径が、半導体基板420Aの開口径よりも大きい構成としてもよい。
(Other variations)
In the said 2nd Embodiment, although the diameter dimension of the base end side
In the configuration in which no wall portion is provided as described in the first embodiment, for example, the opening diameter of the insulating
上記各実施形態において、配線部は、当該配線部を被覆する被覆部を有する構成としてもよい。この被覆部を、Au等の比較的に電気伝導率が高い材料を用いて形成することにより、配線部と導通部との間の接触抵抗を低減させることができる。また、導通部の導電膜と被覆部とを、Auを用いて形成する場合、Au層間の拡散接合により、接続信頼性を向上させることができる。 In each of the embodiments described above, the wiring part may have a covering part that covers the wiring part. By forming the covering portion using a material having a relatively high electrical conductivity such as Au, the contact resistance between the wiring portion and the conducting portion can be reduced. Further, when the conductive film and the covering portion of the conductive portion are formed using Au, connection reliability can be improved by diffusion bonding between Au layers.
上記各実施形態では、配線部は、矩形状であり素子基板41から封止板42側に突出する構成を例示した。しかしながら、配線部は、上記構成に限定されず、例えば、素子基板41上に形成された導電膜等でもよい。つまり、配線部は、圧電素子等の機能素子に対して薄く、封止板42側に突出しない構成でもよい。
In each of the above embodiments, the configuration in which the wiring portion is rectangular and protrudes from the
上記各実施形態では、二つの超音波トランスデューサー45によって、送受信チャンネルである超音波トランスデューサー群45Aが構成されるが、三つ以上の超音波トランスデューサー45によって超音波トランスデューサー群45Aが構成されてもよい。また、各超音波トランスデューサー45の下部電極413Aが独立しており、各超音波トランスデューサー45が個別に駆動可能に構成されてもよい。この場合、各超音波トランスデューサー45を一つの送受信チャンネルとして機能させることもできる。
In each of the above embodiments, the
上記各実施形態では、一つの送受信チャンネルとしての超音波トランスデューサー群45Aが、素子基板41のアレイ領域Ar1にマトリクス状に配置された2次元アレイ構造を有するとしたが、これに限定されない。例えば、超音波デバイスは、送受信チャンネルが一方向に沿って複数配置された1次元アレイ構造を有するものでもよい。例えば、X方向に配置された複数の超音波トランスデューサー45により超音波トランスデューサー群45Aが構成され、この超音波トランスデューサー群45AがY方向に複数配置され、1次元アレイ構造の超音波アレイUAが構成されてもよい。
In each of the above embodiments, the
上記各実施形態では、超音波トランスデューサー45として、振動膜412と、当該振動膜412上に形成された圧電素子413と、を備える構成を例示したが、これに限定されない。例えば、超音波トランスデューサー45として、可撓部と、可撓部に設けられた第1電極と、封止板における第1電極に対向する位置に設けられた第2電極と、を備える構成を採用してもよい。この第1電極及び第2電極は、振動子としての静電アクチュエーターを構成する。このような構成では、当該静電アクチュエーターを駆動することにより超音波を送信し、電極間の静電容量を検出することにより超音波を検出する。
In each of the above embodiments, as the
上記各実施形態では、電子機器として、生体内の器官を測定対象とする超音波装置を例示したが、これに限定されない。例えば、各種構造物を測定対象として、当該構造物の欠陥の検出や老朽化の検査を行う測定機に、上記実施形態及び各変形例の構成を適用することができる。また、例えば、半導体パッケージやウェハ等を測定対象として、当該測定対象の欠陥を検出する測定機についても同様である。また、圧電素子を駆動させてインク滴を吐出させるインクジェットヘッドを備える記録装置についても同様である。 In each of the above-described embodiments, the electronic apparatus is exemplified as an ultrasonic device whose measurement target is an organ in a living body, but is not limited thereto. For example, the structure of the said embodiment and each modification is applicable to the measuring machine which performs the detection of the defect of the said structure, and the test | inspection of aging for various structures. Further, for example, the same applies to a measuring machine that uses a semiconductor package, a wafer, or the like as a measurement target and detects a defect of the measurement target. The same applies to a recording apparatus including an inkjet head that drives a piezoelectric element to eject ink droplets.
上記各実施形態では、素子基板に超音波トランスデューサーが設けられる構成を例示したが、これに限定されない。例えば、半導体IC等の電子部品、つまり、基板と、基板に設けられた機能素子、樹脂部(樹脂突起)、及び機能素子に接続する導電膜(配線)と、を備え、当該基板から他の基板に電気的接続が行われる実装構造体や、上記実装構造体を備える各種電子機器にも、上記実施形態及び各変形例の構成を採用できる。 In each of the above embodiments, the configuration in which the ultrasonic transducer is provided on the element substrate is exemplified, but the present invention is not limited to this. For example, an electronic component such as a semiconductor IC, that is, a substrate, a functional element provided on the substrate, a resin portion (resin protrusion), and a conductive film (wiring) connected to the functional element, and from the substrate to another The configurations of the above-described embodiments and modifications can also be adopted for a mounting structure that is electrically connected to a substrate and various electronic devices that include the mounting structure.
その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で上記各実施形態及び変形例を適宜組み合わせることで構成してもよく、また他の構造などに適宜変更してもよい。 In addition, the specific structure for carrying out the present invention may be configured by appropriately combining the above-described embodiments and modifications within the scope that can achieve the object of the present invention, and may be appropriately changed to other structures and the like. May be.
1…超音波測定装置、2…超音波プローブ、5,5A,6…導通部、7,7A…壁部、8,8A…下地配線、10…制御装置、21…筐体、22…超音波デバイス、42…封止板、42A…内面、45…超音波トランスデューサー、51,51A,61…樹脂部、52…導電膜、72…頂面、420A…半導体基板、420B…絶縁層、421,426…溝部、422…開口端縁、423…溝内面。
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記基板の一面に形成される溝部と、
前記溝部に設けられる樹脂突起と、
前記基板から前記樹脂突起に亘って設けられる配線と、を備える
ことを特徴とする実装構造体。 A substrate,
A groove formed on one surface of the substrate;
A resin protrusion provided in the groove,
And a wiring provided from the substrate to the resin protrusion.
前記溝部は、前記基板の前記一面にて開口し、当該開口を形成する開口端縁を有し、
前記樹脂突起は、前記開口端縁に接する
ことを特徴とする実装構造体。 The mounting structure according to claim 1,
The groove has an opening edge that opens on the one surface of the substrate and forms the opening.
The mounting structure according to claim 1, wherein the resin protrusion is in contact with the opening edge.
前記溝部の溝内面は、凹状に湾曲する
ことを特徴とする実装構造体。 In the mounting structure according to claim 1 or 2,
The mounting structure according to claim 1, wherein the groove inner surface of the groove is curved in a concave shape.
前記基板の厚み方向から見た平面視において、前記溝部及び前記樹脂突起を囲む壁部を備える
ことを特徴とする実装構造体。 The mounting structure according to claim 1,
A mounting structure comprising: a wall portion surrounding the groove and the resin protrusion in a plan view as viewed from the thickness direction of the substrate.
前記壁部は、前記厚み方向において、前記基板とは反対側の頂面を有し、
前記樹脂突起は、前記頂面の内周縁に接する
ことを特徴とする実装構造体。 The mounting structure according to claim 4,
The wall portion has a top surface opposite to the substrate in the thickness direction,
The mounting structure, wherein the resin protrusion is in contact with an inner periphery of the top surface.
前記壁部は、前記基板の厚み方向の平面視において、前記溝部側の内側面を有し、
前記内側面は、凹状に湾曲する
ことを特徴とする実装構造体。 In the mounting structure according to claim 4 or 5,
The wall portion has an inner surface on the groove portion side in a plan view in the thickness direction of the substrate,
The mounting structure according to claim 1, wherein the inner surface is curved in a concave shape.
前記壁部は、前記厚み方向において前記基板とは反対側の頂面と、前記平面視において前記溝部とは反対の外側面と、を有し、
前記外側面は、前記頂面から前記基板に向かうにしたがって、前記平面視において外側に向かうように傾斜し、前記配線が形成される傾斜部を有する
ことを特徴とする実装構造体。 In the mounting structure according to any one of claims 4 to 6,
The wall portion has a top surface opposite to the substrate in the thickness direction, and an outer surface opposite to the groove portion in the plan view,
The mounting structure according to claim 1, wherein the outer surface has an inclined portion that inclines toward the outside in the plan view as it goes from the top surface to the substrate, and in which the wiring is formed.
前記壁部の前記溝部側から前記溝部とは反対側に亘って設けられ、前記平面視において、前記壁部の少なくとも一部を覆う下地配線を備え、
前記配線は、前記平面視における前記壁部と重なる位置において、前記下地配線に設けられる
ことを特徴とする実装構造体。 In the mounting structure according to any one of claims 4 to 7,
Provided from the groove part side of the wall part to the opposite side of the groove part, and in the plan view, comprising a ground wiring covering at least a part of the wall part,
The wiring structure is provided on the base wiring at a position overlapping the wall portion in the plan view.
前記基板の一面に形成される溝部と、
前記溝部に設けられる樹脂突起と、
前記基板から前記樹脂突起に亘って設けられる配線と、
前記配線に電気的に接続される超音波トランスデューサーと、を備える
ことを特徴とする超音波デバイス。 A substrate,
A groove formed on one surface of the substrate;
A resin protrusion provided in the groove,
Wiring provided from the substrate to the resin protrusion;
An ultrasonic device, comprising: an ultrasonic transducer electrically connected to the wiring.
前記基板の一面に形成される溝部と、
前記溝部に設けられる樹脂突起と、
前記基板から前記樹脂突起に亘って設けられる配線と、
前記配線に電気的に接続される超音波トランスデューサーと、を備える超音波デバイスと、
前記超音波デバイスを収納する筐体と、を具備する
ことを特徴とする超音波探触子。 A substrate,
A groove formed on one surface of the substrate;
A resin protrusion provided in the groove,
Wiring provided from the substrate to the resin protrusion;
An ultrasonic device electrically connected to the wiring, and an ultrasonic device comprising:
An ultrasonic probe comprising: a housing that houses the ultrasonic device.
前記基板の一面に形成される溝部と、
前記溝部に設けられる樹脂突起と、
前記基板から前記樹脂突起に亘って設けられる配線と、
前記配線に電気的に接続される超音波トランスデューサーと、
前記超音波トランスデューサーを制御する制御部と、を備える
ことを特徴とする超音波装置。 A substrate,
A groove formed on one surface of the substrate;
A resin protrusion provided in the groove,
Wiring provided from the substrate to the resin protrusion;
An ultrasonic transducer electrically connected to the wiring;
A control unit that controls the ultrasonic transducer.
前記基板の一面に形成される溝部と、
前記溝部に設けられる樹脂突起と、
前記基板から前記樹脂突起に亘って設けられる配線と、
前記配線に電気的に接続される機能素子と、
前記機能素子を制御する制御部と、を備える
ことを特徴とする電子機器。 A substrate,
A groove formed on one surface of the substrate;
A resin protrusion provided in the groove,
Wiring provided from the substrate to the resin protrusion;
A functional element electrically connected to the wiring;
And a control unit that controls the functional element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016227900A JP2018085636A (en) | 2016-11-24 | 2016-11-24 | Mounting structure, ultrasonic device, ultrasonic probe, ultrasonic device, and electronic device |
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| JP (1) | JP2018085636A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11453031B2 (en) | 2018-10-24 | 2022-09-27 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic element and ultrasonic device |
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2016
- 2016-11-24 JP JP2016227900A patent/JP2018085636A/en active Pending
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