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JP2018073989A - Imprint method, imprint device and method for manufacturing article - Google Patents

Imprint method, imprint device and method for manufacturing article Download PDF

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JP2018073989A
JP2018073989A JP2016212072A JP2016212072A JP2018073989A JP 2018073989 A JP2018073989 A JP 2018073989A JP 2016212072 A JP2016212072 A JP 2016212072A JP 2016212072 A JP2016212072 A JP 2016212072A JP 2018073989 A JP2018073989 A JP 2018073989A
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JP
Japan
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substrate
imprint
imprint material
ebr
pattern
Prior art date
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Application number
JP2016212072A
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Japanese (ja)
Inventor
邦彦 浅田
Kunihiko Asada
邦彦 浅田
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

【課題】基板の周辺領域に存在する段差の位置よりも外周側の領域にインプリント材が供給されることに起因する不具合の発生を防止する。【解決手段】周辺領域に段差22を有する基板の上にインプリント材8のパターンを形成するインプリント方法において、前記基板の前記段差22の位置に基づいて、前記基板の前記段差22の位置よりも外周の側の領域にインプリント材8が配置されないように前記基板の上にインプリント材8を配置する処理を制御する制御情報を生成する生成工程と、前記制御情報に基づいて前記基板の上にインプリント材8を配置する配置工程と、前記基板の上のインプリント材8に型を接触させ該インプリント材を硬化させる硬化工程と、を含む。【選択図】図14An object of the present invention is to prevent the occurrence of problems caused by imprint material being supplied to a region on the outer peripheral side of a position of a step existing in a peripheral region of a substrate. In an imprint method for forming a pattern of an imprint material 8 on a substrate having a step 22 in a peripheral region, based on the position of the step 22 of the substrate, the position of the step 22 of the substrate Generating a control information for controlling a process of arranging the imprint material 8 on the substrate so that the imprint material 8 is not arranged in a region on the outer peripheral side, and a generation process of the substrate based on the control information. An arrangement step of disposing the imprint material 8 thereon and a curing step of bringing the mold into contact with the imprint material 8 on the substrate and curing the imprint material are included. [Selection] Figure 14

Description

本発明は、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint method, an imprint apparatus, and an article manufacturing method.

新たなリソグラフィー技術として、基板の上にインプリント材を配置し、インプリント材に型を接触させた状態でインプリント材を硬化させることによって基板の上に型のパターンを転写するインプリント技術が注目されている。型は、モールドまたはテンプレートとも呼ばれる。インプリント技術では、基板の上の適切な位置にインプリント材を配置することが重要である。   As a new lithography technology, there is an imprint technology in which an imprint material is placed on a substrate and the pattern of the mold is transferred onto the substrate by curing the imprint material while the mold is in contact with the imprint material. Attention has been paid. A mold is also called a mold or a template. In the imprint technique, it is important to place the imprint material at an appropriate position on the substrate.

特許文献1には、滴下制御装置と、インクジェットヘッドと、ステージと、光源とを備えるインプリント装置が記載されている。特許文献1のインプリント装置は、インプリント材を基板上に滴下するとともにテンプレートを基板に押し付けて基板上にテンプレートのパターンを形成する。特許文献1のインプリント装置では、ステージに対するテンプレートの位置ずれ量と、ステージの移動方向に対するインクジェットヘッドのノズル列の位置ずれ量とが補正されるようにステージの移動方向およびインプリント材の吐出量が制御される。   Patent Document 1 describes an imprint apparatus that includes a dropping control device, an inkjet head, a stage, and a light source. The imprint apparatus of Patent Document 1 drops an imprint material onto a substrate and presses the template against the substrate to form a template pattern on the substrate. In the imprint apparatus of Patent Document 1, the movement direction of the stage and the ejection amount of the imprint material are corrected so that the positional deviation amount of the template with respect to the stage and the positional deviation amount of the nozzle row of the inkjet head with respect to the movement direction of the stage are corrected. Is controlled.

特許文献2には、モールドを用いて基板上に供給されたインプリント材を成形するインプリント装置が記載されている。特許文献2のインプリント装置は、インプリント材の液滴を吐出する複数のノズルを有し、基板上に供給させるべきインプリント材の配置を示すマップに従って各ノズルにおける液滴の吐出を制御する。このマップは、モールドを用いて成形されるインプリント材の厚さが許容範囲に収まるように更新される。   Patent Document 2 describes an imprint apparatus that forms an imprint material supplied on a substrate using a mold. The imprint apparatus of Patent Document 2 has a plurality of nozzles that eject droplets of imprint material, and controls the ejection of droplets at each nozzle according to a map that indicates the arrangement of imprint materials to be supplied onto the substrate. . This map is updated so that the thickness of the imprint material formed using the mold falls within an allowable range.

特開2012−69758号公報JP 2012-69758 A 特開2015−213130号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2015-213130

インプリント装置では、一般に、基板のエッジから一定幅の部分の層を除去する処理がなされた基板がインプリント装置に送り込まれうる。この処理は、エッジビード除去(EBR)処理と呼ばれる。EBR処理では、基板を回転させながら基板の外周部に溶剤を供給することによって基板のエッジから一定幅の部分の層が除去されうる。EBR処理によって基板の上に形成される段差は、EBR段差と呼ばれうる。   In an imprint apparatus, generally, a substrate that has been processed to remove a layer of a certain width from the edge of the substrate can be sent to the imprint apparatus. This process is called an edge bead removal (EBR) process. In the EBR process, a layer having a constant width can be removed from the edge of the substrate by supplying a solvent to the outer peripheral portion of the substrate while rotating the substrate. A step formed on the substrate by the EBR process can be referred to as an EBR step.

EBR処理によって形成されるEBR段差が目標位置から大きくずれると、インプリント装置において基板における周辺領域にパターンを形成する際に、EBR段差の外側領域(EBR段差と基板のエッジとの間の領域)にインプリント材が供給されうる。この場合、ショット領域に正常にパターンが形成されない可能性がある。また、EBR段差の位置よりも外周側の領域に供給されたインプリント材が揮発して型に付着し、その後に硬化すると、後のインプリント処理においてパターン欠陥を発生させたり、基板の上のインプリント材に型を接触させた際に型を破損させたりする可能性がある。   When the EBR step formed by the EBR process is greatly deviated from the target position, the outer region of the EBR step (region between the EBR step and the edge of the substrate) is formed when a pattern is formed in the peripheral region of the substrate in the imprint apparatus. An imprint material may be supplied. In this case, there is a possibility that a pattern is not normally formed in the shot area. In addition, if the imprint material supplied to the outer peripheral area from the position of the EBR step is volatilized and adheres to the mold and then hardens, pattern imperfections may occur in the subsequent imprint process, The mold may be damaged when the mold is brought into contact with the imprint material.

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、基板の周辺領域に存在する段差の位置よりも外周側の領域にインプリント材が供給されることに起因する不具合の発生を防止することを目的とする。   The present invention has been made based on the recognition of the above problems, and prevents the occurrence of problems caused by the imprint material being supplied to a region on the outer peripheral side of the position of the step existing in the peripheral region of the substrate. The purpose is to do.

本発明の1つの側面は、周辺領域に段差を有する基板の上にインプリント材によってパターンを形成するインプリント方法に係り、前記インプリント方法は、前記基板の前記段差の位置に基づいて、前記基板の前記段差の位置よりも前記基板の外周側の領域にインプリント材が配置されないように前記基板の上にインプリント材を配置する処理を制御する制御情報を生成する生成工程と、前記制御情報に基づいて前記基板の上にインプリント材を配置する配置工程と、前記基板の上のインプリント材に型を接触させ該インプリント材を硬化させる硬化工程とを含む。   One aspect of the present invention relates to an imprint method for forming a pattern with an imprint material on a substrate having a step in a peripheral region, the imprint method based on the position of the step on the substrate. A generation step of generating control information for controlling a process of arranging the imprint material on the substrate so that the imprint material is not arranged in a region on the outer peripheral side of the substrate from the position of the step of the substrate; and the control An arrangement step of disposing an imprint material on the substrate based on information, and a curing step of bringing the mold into contact with the imprint material on the substrate and curing the imprint material.

本発明によれば、基板の周辺領域に存在する段差の外側領域にインプリント材が供給されることに起因する不具合の発生が防止される。   According to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of problems due to the imprint material being supplied to the outer region of the step existing in the peripheral region of the substrate.

本発明の一実施形態のインプリント装置の構成を示す図。The figure which shows the structure of the imprint apparatus of one Embodiment of this invention. EBR段差を説明する図。The figure explaining an EBR level | step difference. EBR段差を説明する図。The figure explaining an EBR level | step difference. EBR段差を説明する図。The figure explaining an EBR level | step difference. EBR段差を説明する図。The figure explaining an EBR level | step difference. EBR段差のずれに起因する問題を説明する図。The figure explaining the problem resulting from the shift | offset | difference of an EBR level | step difference. EBR段差のずれに起因する問題を説明する図。The figure explaining the problem resulting from the shift | offset | difference of an EBR level | step difference. 本発明の一実施形態のインプリント方法の手順を説明する図。The figure explaining the procedure of the imprint method of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の他のインプリント方法の手順を説明する図。The figure explaining the procedure of the other imprint method of one Embodiment of this invention. EBR段差の位置を求める方法を例示する図。The figure which illustrates the method of calculating | requiring the position of an EBR level | step difference. EBR段差の位置の計測とパターン形成とを並行して実施可能なインプリント装置の構成を例示する図。The figure which illustrates the structure of the imprint apparatus which can implement the measurement of the position of an EBR level | step difference, and pattern formation in parallel. EBR段差の位置の計測とパターン形成とを並行して実施する方法を例示する図。The figure which illustrates the method of implementing the measurement of the position of an EBR level | step difference, and pattern formation in parallel. 基板のエッジ、EBR段差およびショットレイアウトの関係を例示する図。The figure which illustrates the relationship between the edge of a board | substrate, an EBR level | step difference, and a shot layout. マップの補正を説明するための図。The figure for demonstrating correction | amendment of a map. 基板駆動機構による基板の駆動速度とインプリント材(液滴)の間隔との関係(a)、および、インプリント材を吐出するための駆動素子の駆動周波数とインプリント材(液滴)の間隔との関係(b)を例示する図。Relationship between the driving speed of the substrate by the substrate driving mechanism and the interval of the imprint material (droplet) (a), and the driving frequency of the driving element for discharging the imprint material and the interval of the imprint material (droplet) The figure which illustrates the relationship (b) with. マップの補正を説明するための図。The figure for demonstrating correction | amendment of a map. マップの補正を説明するための図。The figure for demonstrating correction | amendment of a map. 物品製造方法を例示する図。The figure which illustrates an article manufacturing method.

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。   Hereinafter, the present invention will be described through exemplary embodiments thereof with reference to the accompanying drawings.

図1には、本発明の一実施形態のインプリント装置100の構成が示されている。インプリント装置100は、基板3の上にインプリント材8のパターンを形成するインプリント方法を実施する装置である。インプリント材8としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。   FIG. 1 shows a configuration of an imprint apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. The imprint apparatus 100 is an apparatus that performs an imprint method for forming a pattern of the imprint material 8 on the substrate 3. As the imprint material 8, a curable composition (also referred to as an uncured resin) that is cured by applying curing energy is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, or the like can be used. The electromagnetic wave can be, for example, light having a wavelength selected from a range of 10 nm to 1 mm, for example, infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, and the like. The curable composition may be a composition that is cured by light irradiation or by heating. Among these, the photocurable composition cured by light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may further contain a non-polymerizable compound or a solvent as necessary.

非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、吐出部11により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板3は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。   The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component. The imprint material can be disposed on the substrate in the form of droplets or islands or films formed by connecting a plurality of droplets by the discharge unit 11. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25 ° C.) can be, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less. As the material of the substrate, for example, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like can be used. If necessary, a member made of a material different from the substrate may be provided on the surface of the substrate. The substrate 3 is, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or quartz glass.

本明細書および添付図面では、基板3の表面に平行な方向をXY平面とするXYZ座標系において方向を示す。XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸にそれぞれ平行な方向をX方向、Y方向、Z方向とし、X軸周りの回転、Y軸周りの回転、Z軸周りの回転をそれぞれθX、θY、θZとする。X軸、Y軸、Z軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な方向、Y軸に平行な方向、Z軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θX軸、θY軸、θZ軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な軸の周りの回転、Y軸に平行な軸の周りの回転、Z軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、X軸、Y軸、Z軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θX軸、θY軸、θZ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および/または姿勢を制御することを意味する。   In this specification and the accompanying drawings, directions are shown in an XYZ coordinate system in which a direction parallel to the surface of the substrate 3 is an XY plane. In the XYZ coordinate system, the directions parallel to the X, Y, and Z axes are the X, Y, and Z directions, respectively, and rotation around the X axis, rotation around the Y axis, and rotation around the Z axis are θX and θY, respectively. , ΘZ. The control or drive related to the X axis, Y axis, and Z axis means control or drive related to the direction parallel to the X axis, the direction parallel to the Y axis, and the direction parallel to the Z axis, respectively. The control or drive related to the θX axis, θY axis, and θZ axis relates to rotation around an axis parallel to the X axis, rotation around an axis parallel to the Y axis, and rotation around an axis parallel to the Z axis. Means control or drive. The position is information that can be specified based on the coordinates of the X axis, the Y axis, and the Z axis, and the posture is information that can be specified by the values of the θX axis, the θY axis, and the θZ axis. Positioning means controlling position and / or attitude.

インプリント装置100は、例えば、基板3を保持し駆動する基板駆動機構4、型1を保持し駆動する型駆動機構2、硬化部7、供給部11、計測器5、15および制御部9を備えうる。基板駆動機構4および型駆動機構2は、基板3と型1との相対位置が調整されるように基板3および型1の少なくとも一方を駆動する駆動機構を構成する。基板駆動機構4は、基板3を複数の軸(例えば、X軸、Y軸、θZ軸の3軸)について駆動するように構成されうる。型駆動機構2は、型1を複数の軸(例えば、X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸、θZ軸の6軸)について駆動するように構成されうる。   The imprint apparatus 100 includes, for example, a substrate drive mechanism 4 that holds and drives the substrate 3, a mold drive mechanism 2 that holds and drives the mold 1, a curing unit 7, a supply unit 11, measuring instruments 5 and 15, and a control unit 9. Can be prepared. The substrate drive mechanism 4 and the mold drive mechanism 2 constitute a drive mechanism that drives at least one of the substrate 3 and the mold 1 so that the relative position between the substrate 3 and the mold 1 is adjusted. The substrate driving mechanism 4 can be configured to drive the substrate 3 about a plurality of axes (for example, three axes of the X axis, the Y axis, and the θZ axis). The mold drive mechanism 2 can be configured to drive the mold 1 with respect to a plurality of axes (for example, six axes of X axis, Y axis, Z axis, θX axis, θY axis, and θZ axis).

計測器5は、基板3の周辺領域に存在するEBR段差等の段差の位置を計測するための装置である。計測器5は、例えば、顕微鏡を含みうる。あるいは、計測器5は、変位計などのセンサを含みうる。該センサは、非接触式であることが好ましい。計測器15は、型1を介して計測対象物を計測するための装置である。計測器15は、例えば、型1を介して基板3のアライメントマークを観察しつつ型1のアライメントマークを観察するための顕微鏡を含みうる。計測器15は、基板3の周辺領域に存在するEBR段差等の段差の位置を計測するために使用されてもよい。硬化部7は、基板3の上のインプリント材8に対して、インプリント材8を硬化させるためのエネルギー(例えば、紫外線等の光)を供給する。   The measuring instrument 5 is a device for measuring the position of a step such as an EBR step existing in the peripheral region of the substrate 3. The measuring instrument 5 can include a microscope, for example. Alternatively, the measuring instrument 5 can include a sensor such as a displacement meter. The sensor is preferably a non-contact type. The measuring instrument 15 is an apparatus for measuring a measurement object via the mold 1. The measuring instrument 15 may include, for example, a microscope for observing the alignment mark of the mold 1 while observing the alignment mark of the substrate 3 through the mold 1. The measuring instrument 15 may be used to measure the position of a step such as an EBR step existing in the peripheral region of the substrate 3. The curing unit 7 supplies energy (for example, light such as ultraviolet rays) for curing the imprint material 8 to the imprint material 8 on the substrate 3.

供給部11(ディスペンサ)は、基板3の上にインプリント材8を供給あるいは配置する。供給部11は、例えば、基板駆動機構4による基板3の駆動と同期してインプリント材8を吐出し、基板3上の目標位置にインプリント材8を供給あるいは配置する。型駆動機構2、計測器5、15および硬化部7は、マウント10を介して床によって支持された構造体6によって支持されうる。マウント10は、床から構造体6への振動の伝達を遮断または低減するように構成される。   The supply unit 11 (dispenser) supplies or arranges the imprint material 8 on the substrate 3. For example, the supply unit 11 discharges the imprint material 8 in synchronization with the driving of the substrate 3 by the substrate drive mechanism 4, and supplies or arranges the imprint material 8 at a target position on the substrate 3. The mold driving mechanism 2, the measuring instruments 5 and 15, and the curing unit 7 can be supported by a structure 6 that is supported by a floor via a mount 10. Mount 10 is configured to block or reduce transmission of vibrations from the floor to structure 6.

制御部9は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、又は、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。制御部9は、基板駆動機構4、型駆動機構2、硬化部7、供給部11および計測器5、15を制御する。制御部9は、例えば、インプリント装置100が配置された工場の統括制御部にネットワークを介して接続されうる。   The controller 9 is, for example, PLD (abbreviation of Programmable Logic Device) such as FPGA (abbreviation of Field Programmable Gate Array), or ASIC (abbreviation of Application Specific Integrated Circuit). It can be constituted by a computer or a combination of all or part of them. The control unit 9 controls the substrate drive mechanism 4, the mold drive mechanism 2, the curing unit 7, the supply unit 11, and the measuring instruments 5 and 15. For example, the control unit 9 can be connected to a general control unit of a factory in which the imprint apparatus 100 is arranged via a network.

図2(a)には、基板3のエッジ21(基板の外周)、EBR段差22およびショットレイアウト29の関係が例示されている。ショットレイアウト29は、複数のショット領域28の配列によって構成されている。図2(a)では、簡単化のために、複数のショット領域28の間のスクライブラインは図示が省略されている。ショット領域28は、1回のインプリントによってパターンが形成される領域である。インプリントとは、基板3の上のインプリント材8に型1を接触させインプリント材8を硬化させる動作である。ショット領域28は、少なくとも1つのチップ領域を含み、典型的には複数のチップ領域を含む。   FIG. 2A illustrates the relationship between the edge 21 (outer periphery of the substrate), the EBR step 22 and the shot layout 29 of the substrate 3. The shot layout 29 is configured by an array of a plurality of shot areas 28. In FIG. 2A, for the sake of simplicity, the scribe lines between the plurality of shot regions 28 are not shown. The shot area 28 is an area where a pattern is formed by one imprint. The imprinting is an operation of bringing the mold 1 into contact with the imprinting material 8 on the substrate 3 and curing the imprinting material 8. The shot area 28 includes at least one chip area, and typically includes a plurality of chip areas.

基板3のEBR段差22の位置よりも外周側(外側)の領域(以下、外側領域)に食み出した領域を有するショット領域は、欠けショット領域である。欠けショット領域は、少なくとも1つのチップ領域を含みうる。基板3のEBR段差22の外側領域に食み出していないショット領域は、非欠けショット領域(あるいは、完全ショット領域)である。   A shot region having a region that protrudes to a region on the outer peripheral side (outside) (hereinafter referred to as an outer region) from the position of the EBR step 22 of the substrate 3 is a missing shot region. The missing shot area can include at least one chip area. The shot area that does not protrude into the outer area of the EBR step 22 of the substrate 3 is a non-missing shot area (or a complete shot area).

インプリントによってパターンが形成される領域は、EBR段差22の内側領域である。欠けショット領域にインプリントによってパターンを形成する場合は、EBR段差22の内側領域にのみインプリント材が配置されるべきである。EBR段差22の外側領域にインプリント材が配置されると、そのインプリント材は、異物となってしまうだけでなく、インプリント装置内をケミカル汚染したり、型1に付着することによってパターン欠陥を引き起こしたりし、型1を破損させたりしうる。   A region where a pattern is formed by imprinting is an inner region of the EBR step 22. When a pattern is formed by imprinting in the missing shot area, the imprint material should be disposed only in the area inside the EBR step 22. When the imprint material is disposed in the outer region of the EBR step 22, the imprint material not only becomes a foreign substance, but also chemically contaminates the imprint apparatus or adheres to the mold 1 to cause pattern defects. Or the mold 1 may be damaged.

図2(b)、(c)は、図2(a)の部分23を拡大した図である。図2(b)には、欠けショット領域24にパターンを形成するために欠けショット領域24にインプリント材8(の液滴)が配置された様子が模式的に示されている。図2(c)には、非欠けショット領域25にパターンを形成するために欠けショット領域24にインプリント材8(の液滴)が配置された様子が模式的に示されている。インプリント材8の配置は、ショット領域の形状、型1のパターンの幅および密度等に応じて決定されうる。   2B and 2C are enlarged views of the portion 23 in FIG. FIG. 2B schematically shows a state in which the imprint material 8 (droplets) is disposed in the missing shot region 24 in order to form a pattern in the missing shot region 24. FIG. 2C schematically shows a state in which the imprint material 8 (droplets) is arranged in the missing shot region 24 in order to form a pattern in the non-missing shot region 25. The arrangement of the imprint material 8 can be determined according to the shape of the shot area, the width and density of the pattern of the mold 1 and the like.

図3を参照しながらEBR段差22について説明する。図3(a)には、EBR処理が模式的に示されている。基板3は、半導体基板35と、半導体基板35の上に配置された1又は複数の層33、34とで構成されうる。図3(a)の例では、半導体基板35の上に複数の33、34が存在する。半導体基板35は、有効領域36と、有効領域36の外側領域である無効領域37とを有する。有効領域36は、インプリントによってパターンを形成することができる領域であり、無効領域37は、インプリントによってパターンを形成することができない領域である。半導体基板35の無効領域37における層33、34は、EBR装置において除去される。EBR装置は、例えば、基板3を保持するチャックを回転させることによって基板3を回転させながら半導体基板35の無効領域37にノズル31から薬液32を供給することによって、無効領域37内の層33、34を除去する。これにより、無効領域37内の層33、34が除去され、EBR段差22を有する基板3が得られる。EBR段差22は、層33、34の側面SSによって構成される。ここで、EBR段差22は、有効領域36と無効領域37との境界として理解されうるが、EBR段差22より所定距離だけ内側の位置に有効領域36と無効領域37との境界が定められてもよい。EBR段差22は、基板3の周辺領域38に存在する段差である。   The EBR step 22 will be described with reference to FIG. FIG. 3A schematically shows the EBR process. The substrate 3 can be composed of a semiconductor substrate 35 and one or more layers 33 and 34 disposed on the semiconductor substrate 35. In the example of FIG. 3A, a plurality of 33 and 34 exist on the semiconductor substrate 35. The semiconductor substrate 35 has an effective area 36 and an ineffective area 37 that is an outer area of the effective area 36. The effective area 36 is an area where a pattern can be formed by imprinting, and the invalid area 37 is an area where a pattern cannot be formed by imprinting. The layers 33 and 34 in the ineffective region 37 of the semiconductor substrate 35 are removed by the EBR apparatus. The EBR apparatus, for example, supplies the chemical solution 32 from the nozzle 31 to the invalid region 37 of the semiconductor substrate 35 while rotating the substrate 3 by rotating the chuck that holds the substrate 3, thereby causing the layer 33 in the invalid region 37, 34 is removed. Thereby, the layers 33 and 34 in the invalid region 37 are removed, and the substrate 3 having the EBR step 22 is obtained. The EBR step 22 is constituted by the side surfaces SS of the layers 33 and 34. Here, the EBR step 22 can be understood as a boundary between the effective region 36 and the invalid region 37, but even if the boundary between the effective region 36 and the invalid region 37 is determined at a position a predetermined distance from the EBR step 22. Good. The EBR step 22 is a step existing in the peripheral region 38 of the substrate 3.

基板3(半導体基板35)のエッジ21とEBR段差22との間の距離(EBR処理による層の除去幅)は、プロセス条件に応じて決定されうる。EBR段差22は、典型的には、円形である。EBR装置によって形成されるEBR段差22は、基板3の中心と同心の円形を有することが好ましい。しかしながら、例えば、EBR装置への基板3の搬送精度が不十分であると、基板3の中心が基板3を保持するチャックの中心から偏芯し、これにより円形のEBR段差22の中心が基板3の中心から偏芯する。あるいは、薬液32を吐出するノズル31の位置やEBR処理のノズル31の圧力の設定が理想値からずれていると、円形のEBR段差22の径が目標とするEBR段差の径からずれる。   The distance between the edge 21 of the substrate 3 (semiconductor substrate 35) and the EBR step 22 (the removal width of the layer by EBR processing) can be determined according to the process conditions. The EBR step 22 is typically circular. The EBR step 22 formed by the EBR apparatus preferably has a circular shape that is concentric with the center of the substrate 3. However, for example, if the conveyance accuracy of the substrate 3 to the EBR apparatus is insufficient, the center of the substrate 3 is decentered from the center of the chuck that holds the substrate 3, whereby the center of the circular EBR step 22 is the substrate 3. Eccentric from the center. Alternatively, if the position of the nozzle 31 that discharges the chemical liquid 32 or the setting of the pressure of the nozzle 31 for EBR processing deviates from the ideal value, the diameter of the circular EBR step 22 deviates from the target EBR step diameter.

図4(a)には、円形のEBR段差22の中心42が基板3の中心41と一致している状態、即ち、円形のEBR段差22と基板3のエッジ21とが同心である状態が示されている。図4(b)には、円形のEBR段差22の中心42が基板3の中心41と一致していない状態、即ち、円形のEBR段差22と基板3のエッジ21とが同心ではない状態が示されている。図5には、円形のEBR段差22の中心42が基板3の中心41と一致しているが、円形のEBR段差22の径が目標とするEBR段差51の径と異なる状態が例示されている。   FIG. 4A shows a state where the center 42 of the circular EBR step 22 is coincident with the center 41 of the substrate 3, that is, a state where the circular EBR step 22 and the edge 21 of the substrate 3 are concentric. Has been. FIG. 4B shows a state in which the center 42 of the circular EBR step 22 does not coincide with the center 41 of the substrate 3, that is, a state where the circular EBR step 22 and the edge 21 of the substrate 3 are not concentric. Has been. FIG. 5 illustrates a state where the center 42 of the circular EBR step 22 coincides with the center 41 of the substrate 3, but the diameter of the circular EBR step 22 is different from the target diameter of the EBR step 51. .

図6には、実際のEBR段差22が目標とするEBR段差52の位置からずれた基板3に対してインプリントによってパターンを形成した場合に発生する問題が模式的に示されている。図6(a)のように、実際のEBR段差22が目標とするEBR段差52より内側(基板中心側)に位置する場合、供給部11から吐出されるインプリント材8’は層33、34の上ではなく、半導体基板35の上(EBR段差22の外側領域)に配置されうる。   FIG. 6 schematically shows a problem that occurs when a pattern is formed by imprinting on the substrate 3 in which the actual EBR step 22 is shifted from the target position of the EBR step 52. As shown in FIG. 6A, when the actual EBR level difference 22 is located on the inner side (substrate center side) than the target EBR level difference 52, the imprint material 8 ′ ejected from the supply unit 11 has the layers 33 and 34. It can be disposed on the semiconductor substrate 35 (outside region of the EBR step 22) instead of on the substrate.

半導体基板35の上(EBR段差22の外側領域)に配置されたインプリント材8’は、層33、34の上のインプリント材8に型1を接触させる際に揮発してインプリント材8”として型1に付着しうる。層33、34の上のインプリント材8を硬化させるためにインプリント材8に対して硬化部7によってエネルギーが照射されると、インプリント材8とともにインプリント材8”も硬化しうる。硬化したインプリント材8”は、異物として型1に残ってしまう。   The imprint material 8 ′ disposed on the semiconductor substrate 35 (outer region of the EBR step 22) volatilizes when the mold 1 is brought into contact with the imprint material 8 on the layers 33 and 34, and the imprint material 8. Can be adhered to the mold 1 as the imprint material 8 is irradiated with energy by the curing unit 7 in order to cure the imprint material 8 on the layers 33, 34. Material 8 "can also be cured. The cured imprint material 8 ″ remains in the mold 1 as a foreign matter.

例えば、図7(a)に示される欠けショット領域81に対するパターン形成の後に非欠けショット領域82に対するパターン形成を行う場合を考える。この場合、欠けショット領域81に対するパターン形成の際にインプリント材8”が型1に付着し硬化し、非欠けショット領域82に対するパターン形成の際に、そのインプリント材8”が非欠けショット領域82に異物として付着しうる。一例において、複数の異物8”が円弧状に並ぶようにショット領域に配置されうる。型1に付着し固化したインプリント材8”は、他のショット領域に対するパターン形成においても該他のショット領域に異物として付着しうる。   For example, consider a case where pattern formation is performed on the non-missing shot region 82 after pattern formation on the missing shot region 81 shown in FIG. In this case, the imprint material 8 ″ adheres to the mold 1 and is cured when the pattern is formed on the chipped shot region 81, and the imprint material 8 ″ is formed on the non-missed shot region when the pattern is formed on the non-chipshot region 82. 82 may adhere as foreign matter. In one example, a plurality of foreign matters 8 ″ can be arranged in the shot area so as to be arranged in an arc shape. The imprint material 8 ″ adhered and solidified on the mold 1 is also used in pattern formation for other shot areas. Can adhere as foreign matter.

以上のような問題を解決するために、本実施形態のインプリント装置100では、EBR段差22の外側領域にインプリント材8が配置されないように供給部11による基板3へのインプリント材8の供給が制御される。図8には、インプリント装置100において実行されるインプリント方法の手順が示されている。図8に示されるインプリント方法は、制御部9によって制御されうる。ここでは、基板3がEBR段差22を有する例を説明するが、本発明は、基板3がその周辺領域に他の段差を有する場合にも適用されうる。   In order to solve the above problems, in the imprint apparatus 100 according to the present embodiment, the imprint material 8 applied to the substrate 3 by the supply unit 11 is prevented from being disposed in the outer region of the EBR step 22. Supply is controlled. FIG. 8 shows a procedure of an imprint method executed in the imprint apparatus 100. The imprint method shown in FIG. 8 can be controlled by the control unit 9. Here, an example in which the substrate 3 has the EBR step 22 will be described, but the present invention can also be applied to a case where the substrate 3 has another step in its peripheral region.

まず、工程S901(搬送工程)では、制御部9は、不図示の搬送機構を制御して、基板3を基板駆動機構4の基板チャックに搬送させ、該基板チャックに保持させる。工程S902(取得工程)では、制御部9は、EBR段差22の位置を示す情報を取得する。制御部9は、例えば、計測器5を使ってEBR段差22の位置を計測するための計測工程を実施することによってEBR段差22の位置を取得することができる。あるいは、制御部9は、アライメントマークの位置を計測するための計測器15を使ってEBR段差22の位置を計測するための計測工程を実施することによってEBR段差22の位置を取得することができる。あるいは、制御部9は、他の装置からEBR段差22の位置を示す情報を受信することによって該情報を取得してもよい。   First, in step S901 (transfer process), the control unit 9 controls a transfer mechanism (not shown) to transfer the substrate 3 to the substrate chuck of the substrate drive mechanism 4 and hold it on the substrate chuck. In step S902 (acquisition step), the control unit 9 acquires information indicating the position of the EBR step 22. For example, the control unit 9 can obtain the position of the EBR step 22 by performing a measurement process for measuring the position of the EBR step 22 using the measuring instrument 5. Or the control part 9 can acquire the position of the EBR level | step difference 22 by implementing the measurement process for measuring the position of the EBR level | step difference 22 using the measuring device 15 for measuring the position of an alignment mark. . Or the control part 9 may acquire this information by receiving the information which shows the position of the EBR level | step difference 22 from another apparatus.

計測器5または15を使ってEBR段差22の位置を示す情報を取得する場合、制御部9は、基板3の複数のショット領域の位置を特定するためのグローバルアライメント計測において該情報を取得してもよい。ここで、グローバルアライメント計測は、基板3の複数のショット領域から選択される複数のサンプルショット領域の位置を計測器15によって計測し、その結果に基づいて基板3の複数のショット領域の位置を特定する処理である。複数のサンプルショット領域を計測器15によって計測するために基板駆動機構4によって基板3を駆動する経路中にEBR段差22の位置を計測するための経由位置を含めることが好ましい。つまり、グローバルアライメント計測の際にEBR段差22の計測が実施されうる。ここで、基板3を駆動する経路がなるべく短くなるように該経路を決定することが好ましい。これにより、グローバルアライメント計測およびEBR段差22の位置の計測を別個に実施する場合よりも、グローバルアライメント計測およびEBR段差22の位置の計測に要する時間を短縮することができる。   When acquiring information indicating the position of the EBR step 22 using the measuring instrument 5 or 15, the control unit 9 acquires the information in global alignment measurement for specifying the positions of a plurality of shot areas on the substrate 3. Also good. Here, in the global alignment measurement, the positions of a plurality of sample shot areas selected from the plurality of shot areas on the substrate 3 are measured by the measuring device 15 and the positions of the plurality of shot areas on the substrate 3 are specified based on the results. It is processing to do. In order to measure a plurality of sample shot areas with the measuring instrument 15, it is preferable to include a via position for measuring the position of the EBR step 22 in the path for driving the substrate 3 by the substrate driving mechanism 4. That is, the measurement of the EBR step 22 can be performed during the global alignment measurement. Here, it is preferable to determine the path so that the path for driving the substrate 3 is as short as possible. Thereby, the time required for the global alignment measurement and the measurement of the position of the EBR step 22 can be shortened as compared with the case where the global alignment measurement and the measurement of the position of the EBR step 22 are separately performed.

工程S903(生成工程)では、制御部9は、工程S902で取得した情報(EBR段差22の位置)に基づいて、EBR段差22の外側領域にインプリント材が配置されないように基板3の上にインプリント材を配置する処理を制御する制御情報を生成する。ここで、制御情報は、インプリント材を配置すべき領域を示す情報、および/または、インプリント材を配置すべき複数の位置を示すマップを含みうる。   In step S903 (generation step), the control unit 9 places the imprint material on the substrate 3 so that the imprint material is not disposed in the outer region of the EBR step 22 based on the information (position of the EBR step 22) acquired in step S902. Control information for controlling the process of arranging the imprint material is generated. Here, the control information may include information indicating a region where the imprint material is to be disposed and / or a map indicating a plurality of positions where the imprint material is to be disposed.

工程S904(配置工程)では、制御部9は、欠けショット領域に対しては、工程S903で生成した制御情報に基づいて基板駆動機構4および供給部11を制御することによって、基板3のインプリント対象のショット領域の上にインプリント材8を配置する。ここで、インプリント対象のショット領域は、インプリントによってパターンを形成すべきショット領域を意味する。 欠けショット領域には、設計上のショットレイアウトでは、非欠けショット領域であるが、目標とするEBR段差から実際のEBR段差22がずれることによって欠けショット領域となるショット領域も含まれうる。工程S904(配置工程)では、非欠けショット領域については、工程S903で生成された制御情報に基づくことなく、即ち、EBR段差22の位置に基づくことなく、インプリント材の配置を制御する。   In step S904 (placement step), the control unit 9 controls the substrate drive mechanism 4 and the supply unit 11 based on the control information generated in step S903 for the missing shot region, thereby imprinting the substrate 3. The imprint material 8 is arranged on the target shot area. Here, the shot area to be imprinted means a shot area where a pattern is to be formed by imprinting. The missing shot area is a non-missing shot area in the design shot layout, but may include a shot area that becomes a missing shot area by shifting the actual EBR step 22 from the target EBR step. In step S904 (arrangement step), for the non-missing shot region, the arrangement of the imprint material is controlled without being based on the control information generated in step S903, that is, without being based on the position of the EBR step 22.

制御情報がインプリント材を配置すべき領域を示す情報である場合、制御部9は、該情報に基づいて、インプリント材を配置すべき領域内にのみインプリント材8が配置されるように基板駆動機構4および供給部11を制御しうる。制御情報がマップである場合、制御部9は、該マップによって示される各位置にインプリント材8が配置されるように基板駆動機構4および供給部11を制御しうる。   When the control information is information indicating an area where the imprint material is to be arranged, the control unit 9 causes the imprint material 8 to be arranged only within the area where the imprint material is to be arranged based on the information. The substrate driving mechanism 4 and the supply unit 11 can be controlled. When the control information is a map, the control unit 9 can control the substrate driving mechanism 4 and the supply unit 11 so that the imprint material 8 is disposed at each position indicated by the map.

工程S905(接触工程)では、制御部9は、型駆動機構2を制御して、基板3のインプリント対象のショット領域の上のインプリント材8に型1を接触させる。これにより、型1のパターンを構成する凹部にインプリント材8が充填される。工程S906(硬化工程)では、制御部9は、硬化部7を制御して、インプリント材8を硬化させるためのエネルギーを基板3のインプリント対象のショット領域の上にインプリント材8に照射させる。これによって、インプリント対象のショット領域の上のインプリント材8が硬化する。工程S907(分離工程)では、制御部9は、型駆動機構2を制御して、インプリント対象のショット領域の上の硬化したインプリント材8から型1を分離させる。   In step S905 (contact step), the control unit 9 controls the mold driving mechanism 2 to bring the mold 1 into contact with the imprint material 8 on the shot area to be imprinted on the substrate 3. As a result, the imprint material 8 is filled in the recesses constituting the pattern of the mold 1. In step S906 (curing step), the control unit 9 controls the curing unit 7 to irradiate the imprint material 8 with energy for curing the imprint material 8 on the imprint target shot area of the substrate 3. Let Thereby, the imprint material 8 on the shot area to be imprinted is cured. In step S907 (separation step), the control unit 9 controls the mold driving mechanism 2 to separate the mold 1 from the cured imprint material 8 on the shot area to be imprinted.

工程S908では、制御部9は、基板3のインプリント対象の全てのショット領域に対するパターン形成が終了したかどうかを判断し、終了していれば工程S908に進む。一方、終了していなければ、工程S904に戻り、未処理のショット領域に対して工程S904〜S907を実施する。工程S909では、制御部9は、不図示の搬送機構を制御して、基板3を基板駆動機構4からインプリント装置100の装置外へ搬出する。   In step S908, the control unit 9 determines whether or not the pattern formation for all the shot areas to be imprinted on the substrate 3 is completed. If completed, the process proceeds to step S908. On the other hand, if not completed, the process returns to step S904, and steps S904 to S907 are performed on the unprocessed shot area. In step S909, the control unit 9 controls a transport mechanism (not shown) to carry the substrate 3 out of the imprint apparatus 100 from the substrate drive mechanism 4.

図9には、インプリント装置100において実行される他のインプリント方法の手順が示されている。図9に示されるインプリント方法は、制御部9によって制御されうる。ここでは、基板3がEBR段差22を有する例を説明するが、本発明は、基板3がその周辺領域に他の段差を有する場合にも適用されうる。図9に示されたインプリント方法は、図8に示されたインプリント方法に対して工程S910(判断工程)および工程S911(警告工程)が付加されている。   FIG. 9 shows a procedure of another imprint method executed in the imprint apparatus 100. The imprint method shown in FIG. 9 can be controlled by the control unit 9. Here, an example in which the substrate 3 has the EBR step 22 will be described, but the present invention can also be applied to a case where the substrate 3 has another step in its peripheral region. In the imprint method shown in FIG. 9, step S910 (determination step) and step S911 (warning step) are added to the imprint method shown in FIG.

工程S910(判断工程)は、工程S902と工程S903との間に挿入されている。工程S910では、工程S902で取得したEBR段差22の位置が許容範囲内であるかどうかを判断し、EBR段差22の位置が許容範囲内である場合には、前述の工程S903〜工程S909を実行する。一方、EBR段差22の位置が許容範囲外である場合は、工程S911において警告を発した後に工程S909に進む。EBR段差22の位置が許容範囲内である場合は、EBR段差22の外側領域にインプリント材8が配置されないように基板3の上にインプリント材8を配置する処理を制御する制御情報を生成することによって、EBR段差22の位置のずれに対して対処する。一方、EBR段差22の位置が許容範囲外である場合は、そのような基板3に対してインプリント法によってパターンを形成しても無駄になるので、パターンを形成することなくインプリント装置100から基板3が搬出される。EBR段差22の位置が許容範囲であるかどうかは、例えば、EBR段差の目標位置からの実際のEBR段差22のずれが予め設定された閾値以下であるかどうかを判断することによってなされうる。   Step S910 (determination step) is inserted between step S902 and step S903. In step S910, it is determined whether the position of the EBR step 22 acquired in step S902 is within the allowable range. If the position of the EBR step 22 is within the allowable range, the above-described steps S903 to S909 are executed. To do. On the other hand, if the position of the EBR step 22 is out of the allowable range, the process proceeds to step S909 after issuing a warning in step S911. When the position of the EBR step 22 is within an allowable range, control information for controlling the process of placing the imprint material 8 on the substrate 3 is generated so that the imprint material 8 is not placed in the outer region of the EBR step 22 By doing so, the shift of the position of the EBR step 22 is dealt with. On the other hand, when the position of the EBR step 22 is out of the allowable range, it is useless even if a pattern is formed on such a substrate 3 by the imprint method, and therefore, from the imprint apparatus 100 without forming a pattern. The substrate 3 is unloaded. Whether or not the position of the EBR step 22 is within an allowable range can be determined, for example, by determining whether or not the deviation of the actual EBR step 22 from the target position of the EBR step is equal to or less than a preset threshold value.

以下、EBR段差22の位置を取得するための幾つかの方法を例示的に説明する。まず、計測器5が非接触型の変位計である例を説明する。この例では、基板駆動機構4によって基板3のEBR段差22が計測器5の計測軸を横切るように基板3を移動させる。計測器5によって得られる変位の計測値が段差状に変化するときの基板3の位置に基づいてEBR段差22の位置として取得するこができる。例えば、変位の計測値が閾値を越えたときの基板3の位置に基づいてEBR段差22の位置を取得することができる。EBR段差22は、例えば50〜100nmであり、閾値はこの範囲内で設定されうる。   Hereinafter, several methods for obtaining the position of the EBR step 22 will be described as an example. First, an example in which the measuring instrument 5 is a non-contact type displacement meter will be described. In this example, the substrate drive mechanism 4 moves the substrate 3 so that the EBR step 22 of the substrate 3 crosses the measurement axis of the measuring instrument 5. Based on the position of the substrate 3 when the measured displacement value obtained by the measuring instrument 5 changes in a step shape, it can be acquired as the position of the EBR step 22. For example, the position of the EBR step 22 can be acquired based on the position of the substrate 3 when the displacement measurement value exceeds the threshold value. The EBR step 22 is, for example, 50 to 100 nm, and the threshold value can be set within this range.

次に、計測器5が顕微鏡である例を説明する。この例では、EBR段差22を含む領域を計測器5の視野内に収め、顕微鏡によってEBR段差22を含む領域の画像を撮像する。そして、画像を処理することによって(例えば、輝度の変化に基づいて)EBR段差22の位置を取得することができる。ここで、顕微鏡によって得た画像と予め準備された基準画像との比較によってEBR段差22を検出することができる。   Next, an example in which the measuring instrument 5 is a microscope will be described. In this example, the region including the EBR step 22 is placed in the field of view of the measuring instrument 5 and an image of the region including the EBR step 22 is captured by a microscope. Then, the position of the EBR step 22 can be acquired by processing the image (for example, based on a change in luminance). Here, the EBR step 22 can be detected by comparing an image obtained by a microscope with a reference image prepared in advance.

EBR段差22は、その全周にわたって実際に計測されてもよいし、複数個所について実際に計測を行い、その結果に基づいて計算等によって求められてもよい。例えば、EBR段差22が円形である場合、少なくとも3箇所でEBR段差22の位置を計測して、その結果に基づいて幾何学的な方法でEBR段差22の中心位置および径を求めることができる。   The EBR level difference 22 may be actually measured over the entire circumference, or may be actually calculated at a plurality of locations and obtained by calculation or the like based on the result. For example, when the EBR step 22 is circular, the position of the EBR step 22 can be measured at least at three locations, and the center position and the diameter of the EBR step 22 can be obtained by a geometric method based on the result.

EBR段差22は、図10に例示されるように基板3にアライメントマークAMが存在する場合には、アライメントマークAMを基準としてEBR段差22の位置が求められてよい。即ち、EBR段差22の位置は、アライメントマークAMに対する相対位置として求められてもよい。   As illustrated in FIG. 10, when the alignment mark AM is present on the substrate 3, the position of the EBR step 22 may be obtained based on the alignment mark AM. That is, the position of the EBR step 22 may be obtained as a relative position with respect to the alignment mark AM.

EBR段差22の位置に計測するために要する時間が許容できない場合には、EBR段差22の計測とインプリント法によるパターンの形成とが並行して実施されてもよい。これは、図11、図12に示されるように、2つの基板駆動機構4を設け、一方の基板駆動機構4で1つの基板を駆動しながらEBR段差の位置を計測し、他方の基板駆動機構4で他の基板を駆動しながらパターンの形成を行うという方法によって達成されうる。   When the time required for measurement at the position of the EBR step 22 cannot be allowed, the measurement of the EBR step 22 and the pattern formation by the imprint method may be performed in parallel. As shown in FIGS. 11 and 12, two substrate driving mechanisms 4 are provided, and the position of the EBR step is measured while one substrate driving mechanism 4 drives one substrate, and the other substrate driving mechanism. 4 can be achieved by forming a pattern while driving another substrate.

また、計測に要する時間の短縮を目的として、まず簡易的に数点でEBR段差の計測を行い、目標位置に対するEBR段差のずれが閾値を超えていたらより詳細にEBR段差の計測を行うという方法が採用されてもよい。複数の基板を処理する場合において、それらの間のばらつきが小さいことが保証されている場合、先頭の少なくとも1枚の基板についてEBR段差の計測を行ってその結果に基づいて制御情報を生成し、他の基板についてはEBR段差の計測を省略してもよい。例えば、複数の基板が同一の装置で同一ロットとして処理されたものである場合には、該複数の基板の間のばらつきが小さいことが保証されていると見做すことができる。   Further, for the purpose of shortening the time required for measurement, first, the EBR step is simply measured at several points, and if the deviation of the EBR step with respect to the target position exceeds the threshold, the EBR step is measured in more detail. May be adopted. In the case of processing a plurality of substrates, if it is guaranteed that the variation between them is small, the EBR step difference is measured for at least one leading substrate, and control information is generated based on the result. For other substrates, measurement of the EBR step may be omitted. For example, when a plurality of substrates are processed as the same lot by the same apparatus, it can be considered that the variation between the plurality of substrates is guaranteed to be small.

以下、EBR段差22の外側領域にインプリント材8が配置されないように基板3の上にインプリント材8を配置する処理を制御する制御情報を生成する生成工程(工程S903)の具体例を例示的に説明する。ここでは、供給部11が複数の吐出口を有し、基板駆動機構4が基板3を移動させながら該複数の吐出口からインプリント材を吐出する方式によって基板3の上にインプリント材を配置する例を説明する。制御情報は、インプリント材(の液滴)を配置すべき複数の位置を示すマップを含みうる。1つのショット領域に配置すべきインプリント材の総量が多少増減しても問題がない場合は、オリジナルのマップにおけるインプリント材(の液滴)を配置すべき複数の位置を増減することによって、補正されたマップ(制御情報)を生成することができる。オリジナルのマップとは、例えば、外部装置または不図示のコンソールからインプリント装置100に提供されるマップ(制御情報)である。   Hereinafter, a specific example of the generation step (step S903) for generating control information for controlling the process of arranging the imprint material 8 on the substrate 3 so that the imprint material 8 is not arranged in the outer region of the EBR step 22 will be exemplified. I will explain it. Here, the imprint material is arranged on the substrate 3 by a method in which the supply unit 11 has a plurality of discharge ports, and the substrate driving mechanism 4 discharges the imprint material from the plurality of discharge ports while moving the substrate 3. An example will be described. The control information may include a map indicating a plurality of positions where the imprint material (droplets) is to be placed. If there is no problem even if the total amount of imprint material to be arranged in one shot area is slightly increased or decreased, by increasing or decreasing the plurality of positions where the imprint material (droplets) in the original map should be arranged, A corrected map (control information) can be generated. The original map is, for example, a map (control information) provided to the imprint apparatus 100 from an external apparatus or a console (not shown).

図13には、基板3のエッジ21、EBR段差22およびショットレイアウト29の関係が例示されている。ショットレイアウト29は、複数のショット領域28の配列によって構成されている。図13では、簡単化のために、複数のショット領域28の間のスクライブラインは図示が省略されている。   FIG. 13 illustrates the relationship between the edge 21 of the substrate 3, the EBR step 22, and the shot layout 29. The shot layout 29 is configured by an array of a plurality of shot areas 28. In FIG. 13, for the sake of simplicity, the scribe lines between the plurality of shot regions 28 are not shown.

図14(a)には、図13の欠けショット領域131、基板3のエッジ21、EBR段差22が拡大して示されている。また、図14(a)には、オリジナルのマップ(制御情報)MPによって指定されるインプリント材8の配置例が黒のドットで示されている。図14(a)は、EBR段差22が目標位置に一致している例である。この場合は、オリジナルのマップMPに従ってインプリント材8を配置すればよく、マップMPを補正して新たなマップを生成する必要はない。   FIG. 14A shows an enlarged view of the missing shot region 131, the edge 21 of the substrate 3, and the EBR step 22 in FIG. Further, in FIG. 14A, an arrangement example of the imprint material 8 specified by the original map (control information) MP is indicated by black dots. FIG. 14A shows an example in which the EBR step 22 matches the target position. In this case, the imprint material 8 may be arranged according to the original map MP, and it is not necessary to correct the map MP and generate a new map.

図14(b)には、EBR段差22の位置が図14(a)に示されたEBR段差22よりも内側(基板3の中心側)に寄った状態が示されている。図14(b)に示された例では、ショット領域131に配置すべき複数のインプリント材8のうちの一部であるインプリント材81がEBR段差22の近傍または外側に配置されている。したがって、オリジナルのマップMPに従ってインプリント材8を配置すると、図6(a)を参照しながら説明したように、インプリント材81がEBR段差22の外側領域に配置され、パターン不良等を生じさせうる。そこで、制御部9は、オリジナルのマップ(制御情報)MPを補正して新たなマップ(制御情報)MP’を生成する。具体的な例を挙げると、制御部9は、EBR段差22の外側領域に配置される可能性があるインプリント材81(最も右側の列)をオリジナルのマップMPから削除することによって新たなマップMP’を生成する。図14(c)は、制御部9は、EBR段差22の外側領域に配置される可能性があるインプリント材81(最も右側の列)をオリジナルのマップMPから削除することによって生成された新たなマップMP’が示されている。図14(b)、(c)を参照して説明した方法は、ショット領域131に配置するインプリント材8の総量(例えば、液滴数)を増減させても問題が発生しない場合に有用である。   FIG. 14B shows a state in which the position of the EBR step 22 is closer to the inner side (center side of the substrate 3) than the EBR step 22 shown in FIG. In the example shown in FIG. 14B, an imprint material 81 that is a part of the plurality of imprint materials 8 to be arranged in the shot region 131 is arranged in the vicinity or outside of the EBR step 22. Therefore, when the imprint material 8 is arranged according to the original map MP, the imprint material 81 is arranged in the outer region of the EBR step 22 as described with reference to FIG. sell. Therefore, the control unit 9 corrects the original map (control information) MP to generate a new map (control information) MP ′. As a specific example, the control unit 9 deletes the imprint material 81 (the rightmost column) that may be disposed in the outer region of the EBR step 22 from the original map MP, thereby creating a new map. MP ′ is generated. In FIG. 14C, the control unit 9 creates a new one generated by deleting the imprint material 81 (the rightmost column) that may be arranged in the outer region of the EBR step 22 from the original map MP. A simple map MP ′ is shown. The method described with reference to FIGS. 14B and 14C is useful when no problem occurs even if the total amount (for example, the number of droplets) of the imprint material 8 arranged in the shot region 131 is increased or decreased. is there.

オリジナルのマップMPから液滴を削除ことによって補正されたマップMP’を生成する方法では、インプリント材の不足によって未充填箇所が生じる可能性がある。また、オリジナルのマップMPに液滴を追加したりすることによって補正されたマップMP’を生成する方法では、インプリント材が過剰なためにショット領域から食み出したりする可能性がある。   In the method of generating the corrected map MP ′ by deleting the droplets from the original map MP, there is a possibility that an unfilled portion is generated due to a shortage of the imprint material. In addition, in the method of generating the corrected map MP ′ by adding droplets to the original map MP, there is a possibility that the imprint material may protrude from the shot area due to excessive imprint material.

以下では、オリジナルのマップMPにおけるインプリント材の総量を維持しつつ補正されたマップMP’を生成する方法を例示的に説明する。ここでは、インプリント材の液滴の間隔を規定するパラメータ値を変更することによってオリジナルのマップMPから補正されたマップMP’を生成する2つの方法を例示的に説明する。   Hereinafter, a method for generating a corrected map MP ′ while maintaining the total amount of imprint materials in the original map MP will be described as an example. Here, two methods for generating a corrected map MP ′ from the original map MP by changing parameter values that define the interval between droplets of the imprint material will be described as an example.

第1の例では、基板駆動機構4による基板3の駆動速度とインプリント材8の液滴の配置ピッチ(中心間距離)との関係に基づいて、オリジナルのマップMPから補正されたマップMP’を生成する方法である。図15(a)には、基板駆動機構4による基板3の駆動速度とインプリント材8(液滴)の間隔との関係が例示されている。   In the first example, the map MP ′ corrected from the original map MP based on the relationship between the driving speed of the substrate 3 by the substrate driving mechanism 4 and the arrangement pitch (center-to-center distance) of the droplets of the imprint material 8. Is a method of generating FIG. 15A illustrates the relationship between the driving speed of the substrate 3 by the substrate driving mechanism 4 and the interval between the imprint materials 8 (droplets).

第2の例では、供給部11の吐出口に設けられた駆動素子(例えば、圧電素子)の駆動周波数とインプリント材8の液滴の配置ピッチ(中心間距離)との関係に基づいて、オリジナルのマップMPから補正されたマップMP’を生成する方法である。ここで、駆動素子は、吐出口からインプリント材を吐出するためのインプリント材を駆動する素子である。図15(b)には、駆動素子の駆動周波数とインプリント材8(液滴)の間隔との関係が例示されている。図15(a)、(b)に例示されるような関係は、実験又はシミュレーション等を通して取得可能である。   In the second example, based on the relationship between the drive frequency of a drive element (for example, a piezoelectric element) provided at the discharge port of the supply unit 11 and the arrangement pitch (center distance) of droplets of the imprint material 8, This is a method of generating a corrected map MP ′ from the original map MP. Here, the drive element is an element that drives the imprint material for discharging the imprint material from the discharge port. FIG. 15B illustrates the relationship between the drive frequency of the drive element and the interval between the imprint materials 8 (droplets). The relationships illustrated in FIGS. 15A and 15B can be obtained through experiments or simulations.

図16(a)には、図13の欠けショット領域131、基板3のエッジ21、EBR段差22が拡大して示されている。また、図16(a)には、オリジナルのマップ(制御情報)MPによって指定されるインプリント材8の配置例が黒のドットで示されている。図16(a)は、EBR段差22が目標位置に一致している例である。この場合は、オリジナルのマップMPに従ってインプリント材8を配置すればよく、マップMPを補正して新たなマップを生成する必要はない。図16(a)の例示おいて、例えば、インプリント材8の配置ピッチPを50μmとする。マップMPにおける最も右の列のインプリント材8とEBR段差22との間には、例えば10μmの距離が設定され、これによりEBR段差22の外側にインプリント材8が配置されることが防止される。   FIG. 16A shows an enlarged view of the missing shot region 131, the edge 21 of the substrate 3, and the EBR step 22 in FIG. Further, in FIG. 16A, an arrangement example of the imprint material 8 designated by the original map (control information) MP is indicated by black dots. FIG. 16A shows an example in which the EBR level difference 22 matches the target position. In this case, the imprint material 8 may be arranged according to the original map MP, and it is not necessary to correct the map MP and generate a new map. In the illustration of FIG. 16A, for example, the arrangement pitch P of the imprint material 8 is 50 μm. A distance of, for example, 10 μm is set between the imprint material 8 in the rightmost column in the map MP and the EBR step 22, thereby preventing the imprint material 8 from being disposed outside the EBR step 22. The

図16(b)には、EBR段差22の位置が図16(a)に示されたEBR段差22よりも内側(基板3の中央側)に寄った状態が示されている。図16(b)に示された例では、ショット領域131に配置すべき複数のインプリント材8のうちの一部であるインプリント材81がEBR段差22の近傍または外側に配置されている。したがって、オリジナルのマップMPに従ってインプリント材8を配置すると、図6(a)を参照しながら説明したように、インプリント材81がEBR段差22の外側領域に配置され、パターン不良等を生じさせうる。   FIG. 16B shows a state in which the position of the EBR step 22 is closer to the inner side (center side of the substrate 3) than the EBR step 22 shown in FIG. In the example shown in FIG. 16B, an imprint material 81 that is a part of the plurality of imprint materials 8 to be arranged in the shot region 131 is arranged in the vicinity or outside of the EBR step 22. Therefore, when the imprint material 8 is arranged according to the original map MP, the imprint material 81 is arranged in the outer region of the EBR step 22 as described with reference to FIG. sell.

ショット領域81に配置するインプリント材8の総量を変更するべきではない場合、制御部9は、以下の式(1)に従って、補正された配置ピッチP’を計算することができる。   When the total amount of the imprint material 8 to be arranged in the shot area 81 should not be changed, the control unit 9 can calculate the corrected arrangement pitch P ′ according to the following equation (1).

P’=(D−ΔD)÷(N−1) ・・・(1)
P’:補正後の配置ピッチ
D:EBR段差22の位置から最も遠い列の液滴の位置からEBR段差22の目標位置までの距離
ΔD::EBR段差の目標位置からの実際のEBR段差22の位置のずれ量
N:液滴の配置における列数
図16(c)には、補正された配置ピッチP’に従ったマップ、即ち、補正されたマップMP’が示されている。制御部9は、補正された配置ピッチP’が得られるように、図15(a)、(b)の関係に基づいて基板駆動機構4による基板3の駆動速度または供給部11における駆動素子の駆動周波数を変更する。これにより、補正されたマップMP’に従った位置にインプリント材8の液滴が配置される。
P ′ = (D−ΔD) ÷ (N−1) (1)
P ′: Corrected arrangement pitch D: Distance from the position of the droplet farthest from the position of the EBR step 22 to the target position of the EBR step 22 ΔD :: The actual EBR step 22 from the target position of the EBR step Position shift amount N: Number of columns in the arrangement of droplets FIG. 16C shows a map according to the corrected arrangement pitch P ′, that is, a corrected map MP ′. The control unit 9 drives the driving speed of the substrate 3 by the substrate driving mechanism 4 or the driving element of the supplying unit 11 based on the relationship of FIGS. 15A and 15B so that the corrected arrangement pitch P ′ is obtained. Change the drive frequency. Thereby, the droplet of the imprint material 8 is arranged at a position according to the corrected map MP ′.

以下、オリジナルのマップMPにおけるインプリント材の総量を維持しつつ補正されたマップMP’を生成する他の方法を例示的に説明する。以下で説明される方法では、制御部9は、オリジナルのマップMPにおいてEBR段差22の近傍または外側に配置される液滴の位置をEBR段差22の内側にシフトさせることによって、補正されたマップMP’を生成する。   Hereinafter, another method for generating the corrected map MP ′ while maintaining the total amount of the imprint material in the original map MP will be described as an example. In the method described below, the control unit 9 shifts the position of the droplet disposed near or outside the EBR step 22 in the original map MP to the inside of the EBR step 22 to thereby correct the corrected map MP. Generate '.

図17(a)には、図13の欠けショット領域132、基板3のエッジ21、EBR段差22が拡大して示されている。また、図17(a)には、オリジナルのマップ(制御情報)MPによって指定されるインプリント材8の配置例が黒のドットで示されている。図17(a)の例では、EBR段差22mが目標位置Tから内側にずれている。よって、オリジナルのマップMPに従ってインプリント材8を配置すると、その一部がEBR段差22mの外側領域に配置されうる。   FIG. 17A shows an enlarged view of the missing shot region 132, the edge 21 of the substrate 3, and the EBR step 22 in FIG. Also, in FIG. 17A, an arrangement example of the imprint material 8 specified by the original map (control information) MP is indicated by black dots. In the example of FIG. 17A, the EBR step 22m is shifted inward from the target position T. Therefore, when the imprint material 8 is arranged according to the original map MP, a part of the imprint material 8 can be arranged in the outer region of the EBR step 22m.

そこで、図17(b)に例示されるように、制御部9は、オリジナルのマップMPにおいてEBR段差22の近傍または外側に配置される液滴の位置をEBR段差22mの内側にシフトさせることによって、補正されたマップMP’を生成する。図17(c)には、図17(b)の一部が拡大して示されている。図17(b)、(c)において、白丸はオリジナルのマップMPにおけるインプリント材の位置を示し、矢印は、インプリント材の配置位置のシフトを模式的に示している。シフトは、実際のEBR段差22から所定距離内にインプリント材が配置されないようになされうる。   Therefore, as illustrated in FIG. 17B, the control unit 9 shifts the position of the droplet disposed near or outside the EBR step 22 in the original map MP to the inside of the EBR step 22 m. A corrected map MP ′ is generated. FIG. 17C shows an enlarged part of FIG. In FIGS. 17B and 17C, the white circles indicate the position of the imprint material in the original map MP, and the arrows schematically indicate the shift in the arrangement position of the imprint material. The shift can be performed so that the imprint material is not disposed within a predetermined distance from the actual EBR step 22.

以上のように、本実施形態によれば、基板の周辺領域に存在する段差の外側領域にインプリント材が供給されることに起因する不具合の発生、例えば、パターン欠陥の発生や型の破損等を防止することができる。   As described above, according to the present embodiment, the occurrence of defects due to the supply of the imprint material to the outer region of the step existing in the peripheral region of the substrate, for example, the occurrence of pattern defects or the breakage of the mold, etc. Can be prevented.

以下、上記の実施形態の変形例を説明する。同一のロットを構成する複数の基板の先頭の少なくとも2枚の基板についてEBR段差の位置を計測した結果のばらつきが所定値以下であった場合、他の基板については、EBR段差の位置を計測することなく、当該結果に基づいてパターン形成を行ってもよい。これにより、EBR段差の位置の計測に要する時間を短縮し、スループットを向上させることができる。   Hereinafter, modifications of the above embodiment will be described. If the variation in the result of measuring the position of the EBR step for at least two substrates at the top of a plurality of substrates constituting the same lot is less than or equal to a predetermined value, the position of the EBR step is measured for other substrates. Instead, pattern formation may be performed based on the result. Thereby, the time required for measuring the position of the EBR step can be shortened and the throughput can be improved.

EBR段差の位置の計測結果をEBR段差に影響を与える装置(例えば、EBR処理を行うEBR装置、EBR装置に基板を搬送する搬送装置、それらを制御する制御装置)にフィードバックし、それによってEBR段差が形成される位置を調整してもよい。これにより、マップを補正する必要がなくなり、また、欠けショット領域の面積が複数のロット間で均一化されうる。フィードバックは、各基板のEBR段差の計測の度になされてもよいし、複数の基板の計測結果を統計処理した結果についてなされてもよい。   The measurement result of the position of the EBR step is fed back to a device that affects the EBR step (for example, an EBR device that performs EBR processing, a transport device that transports a substrate to the EBR device, and a control device that controls them), and thereby the EBR step The position at which is formed may be adjusted. Thereby, it is not necessary to correct the map, and the area of the missing shot area can be made uniform among a plurality of lots. The feedback may be made each time the EBR level difference of each substrate is measured, or may be made on the result of statistical processing of the measurement results of a plurality of substrates.

上記のようなインプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。   The pattern of the cured product formed by using the imprint apparatus as described above is used permanently on at least a part of various articles or temporarily when various articles are manufactured. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit elements include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include an imprint mold.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。   The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation or the like is performed in the substrate processing step, the resist mask is removed.

次に、物品製造方法を例示的に説明する。図18(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。   Next, the article manufacturing method will be exemplarily described. As shown in FIG. 18A, a substrate 1z such as a silicon wafer on which a workpiece 2z such as an insulator is formed is prepared. Subsequently, the substrate 1z is formed on the surface of the workpiece 2z by an inkjet method or the like. A printing material 3z is applied. Here, a state is shown in which the imprint material 3z in the form of a plurality of droplets is applied on the substrate.

図18(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図18(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1と型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。   As shown in FIG. 18 (b), the imprint mold 4z is opposed to the imprint material 3z on the substrate with the side on which the concave / convex pattern is formed facing. As shown in FIG. 18C, the substrate 1 provided with the imprint material 3z is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in a gap between the mold 4z and the workpiece 2z. In this state, when light is irradiated as energy for curing through the mold 4z, the imprint material 3z is cured.

図18(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。   As shown in FIG. 18D, when the imprint material 3z is cured and then the mold 4z and the substrate 1z are separated, a pattern of a cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. This cured product pattern has a shape in which the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, and the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, that is, the concave / convex pattern of the die 4z is transferred to the imprint material 3z. It will be done.

図18(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図18(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。   As shown in FIG. 18 (e), when etching is performed using the pattern of the cured product as an etching-resistant mask, the portion of the surface of the workpiece 2z where there is no cured product or remains thin is removed, and the groove 5z and Become. As shown in FIG. 18 (f), when the pattern of the cured product is removed, an article in which the groove 5z is formed on the surface of the workpiece 2z can be obtained. Although the cured product pattern is removed here, it may be used as, for example, a film for interlayer insulation contained in a semiconductor element or the like, that is, a constituent member of an article without being removed after processing.

100:インプリント装置、1:型、2:型駆動機構、3:基板、4:基板駆動機構、5:計測器、6:構造体、7:硬化部、8:インプリント材、9:制御部、11:供給部、15:計測器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100: Imprint apparatus, 1: type | mold, 2: type | mold drive mechanism, 3: board | substrate, 4: board | substrate drive mechanism, 5: measuring device, 6: structure, 7: hardening part, 8: imprint material, 9: control Part, 11: supply part, 15: measuring instrument

Claims (14)

周辺領域に段差を有する基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板の前記段差の位置に基づいて、前記基板の前記段差の位置よりも前記基板の外周側の領域にインプリント材が配置されないように前記基板の上にインプリント材を配置する処理を制御する制御情報を生成する生成工程と、
前記制御情報に基づいて前記基板の上にインプリント材を配置する配置工程と、
前記基板の上のインプリント材に型を接触させ該インプリント材を硬化させる硬化工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
An imprint method for forming a pattern of an imprint material on a substrate having a step in a peripheral region,
Based on the position of the step of the substrate, the process of arranging the imprint material on the substrate is controlled so that the imprint material is not disposed in the region on the outer peripheral side of the substrate from the position of the step of the substrate. A generation process for generating control information to be performed;
An arrangement step of arranging an imprint material on the substrate based on the control information;
A curing step of bringing the mold into contact with the imprint material on the substrate and curing the imprint material;
The imprint method characterized by including.
前記基板は、半導体基板と、前記半導体基板の上に配置された層とを含み、
前記段差は、前記層の側面によって構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
The substrate includes a semiconductor substrate and a layer disposed on the semiconductor substrate;
The step is constituted by a side surface of the layer.
The imprint method according to claim 1, wherein:
前記制御情報は、インプリント材を配置すべき領域を示す情報を含む、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント方法。
The control information includes information indicating an area where the imprint material is to be arranged.
The imprint method according to claim 1, wherein:
前記制御情報は、インプリント材を配置すべき複数の位置を示すマップを含む、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のインプリント方法。
The control information includes a map indicating a plurality of positions where the imprint material is to be arranged.
The imprint method according to claim 1, wherein the imprint method is performed.
前記段差の位置を取得する取得工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のインプリント方法。
It further includes an acquisition step of acquiring the position of the step.
The imprint method according to claim 1, wherein the imprint method is performed.
前記取得工程は、前記段差の位置を計測する計測工程を含む、
ことを特徴とする請求項5に記載のインプリント方法。
The acquisition step includes a measurement step of measuring the position of the step.
The imprint method according to claim 5.
前記計測工程は、インプリント装置に設けられた計測器によって実施される、
ことを特徴とする請求項6に記載のインプリント方法。
The measurement step is performed by a measuring instrument provided in the imprint apparatus.
The imprint method according to claim 6.
前記計測器は、前記型を介して前記基板を観察するための顕微鏡を含む、
ことを特徴とする請求項7に記載のインプリント方法。
The measuring instrument includes a microscope for observing the substrate through the mold.
The imprint method according to claim 7.
前記計測工程は、前記基板の複数のショット領域の位置を特定するためのグローバルアライメント計測の際に実施される、
ことを特徴とする請求項8に記載のインプリント方法。
The measurement step is performed at the time of global alignment measurement for specifying the positions of a plurality of shot regions on the substrate.
The imprint method according to claim 8.
前記段差は、前記基板のエッジに沿った円を構成するように配置され、
前記計測工程では、前記基板の少なくとも3箇所で前記段差の位置を検出することによって前記基板における前記円の位置を計測する、
ことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載のインプリント方法。
The step is arranged to form a circle along the edge of the substrate;
In the measurement step, the position of the circle on the substrate is measured by detecting the position of the step in at least three places on the substrate.
The imprint method according to claim 7, wherein the imprint method is performed.
周辺領域に段差を有する基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板の上にインプリント材を供給する供給部と、
前記基板の前記段差の位置に基づいて、前記基板の前記段差の位置よりも前記基板の外周側の領域にインプリント材が配置されないように、前記供給部による前記基板の上へのインプリント材の供給を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
An imprint apparatus for forming a pattern of an imprint material on a substrate having a step in a peripheral region,
A supply unit for supplying an imprint material on the substrate;
Based on the position of the step of the substrate, the imprint material on the substrate by the supply unit is arranged so that the imprint material is not disposed in a region on the outer peripheral side of the substrate with respect to the position of the step of the substrate. A control unit for controlling the supply of
An imprint apparatus comprising:
前記基板の前記段差の位置を計測する計測器を備え、
前記制御部は、該計測器の計測結果に基づいて、前記供給部による前記基板の上へのインプリント材の供給を制御することを特徴とする請求項11に記載のインプリント装置。
A measuring instrument for measuring the position of the step of the substrate;
The imprint apparatus according to claim 11, wherein the control unit controls supply of the imprint material onto the substrate by the supply unit based on a measurement result of the measuring instrument.
請求項1乃至10のいずれか1項に記載のインプリント方法により基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
Forming a pattern on a substrate by the imprint method according to claim 1;
Processing the substrate on which the pattern is formed;
An article manufacturing method comprising:
請求項11に記載のインプリント装置により基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
Forming a pattern on a substrate by the imprint apparatus according to claim 11;
Processing the substrate on which the pattern is formed;
An article manufacturing method comprising:
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