JP2018073872A - Etching apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ガラス基板等の被処理基板のエッチング装置に関し、特に板厚の薄い被処理基板を好適に搬送することが可能なエッチング装置に関する。 The present invention relates to an etching apparatus for a substrate to be processed such as a glass substrate, and more particularly to an etching apparatus capable of suitably transporting a thin substrate to be processed.
液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイは、近年、薄型化の要請がますます強くなっている。フラットパネルディスプレイの製造プロセスでは、2枚のガラス基板で液晶層等の画像表示に必要な機能層を封止することによって製造される。薄型ディスプレイを提供するためには、エッチングプロセスによってガラス基板を薄型化することが有効である。 In recent years, there has been an increasing demand for thinning of flat panel displays such as liquid crystal displays. In the manufacturing process of a flat panel display, it is manufactured by sealing functional layers necessary for image display such as a liquid crystal layer with two glass substrates. In order to provide a thin display, it is effective to thin the glass substrate by an etching process.
エッチングプロセスは、ガラス基板をエッチング液と接触させるウェットエッチング処理が一般的に採用されている。ウェットエッチング処理は、枚葉式エッチングと浸漬式エッチングに大別される。枚葉式エッチングは、搬送されているガラス基板に対してスプレー等を用いてエッチング液を噴射する方式である。浸漬式エッチングは、複数のガラス基板が保持された治具を、エッチング液が収容されたエッチング槽に浸漬することによって処理される。特に、枚葉式エッチングは、浸漬式エッチングよりも大型のガラス基板のエッチングに有利とされており、近年では枚葉式エッチングの需要が増大している。 As the etching process, a wet etching process in which a glass substrate is brought into contact with an etching solution is generally employed. The wet etching process is roughly classified into single-wafer etching and immersion etching. Single wafer etching is a method in which an etching solution is sprayed onto a glass substrate being transported using a spray or the like. Immersion etching is processed by immersing a jig holding a plurality of glass substrates in an etching bath containing an etching solution. In particular, single-wafer etching is more advantageous for etching a large glass substrate than immersion etching, and the demand for single-wafer etching has increased in recent years.
しかし、このようなエッチング処理によってガラス基板の薄型化が進むにしたがって、製造工程におけるガラス基板の取り扱いが難しくなった。特にガラス基板の板厚が0.3mm未満になると、ガラス基板の強度が低下してしまい、ディスプレイの製造プロセスの中でガラス基板を破損してしまうことがあった。 However, as the thickness of the glass substrate has been reduced by such an etching process, it has become difficult to handle the glass substrate in the manufacturing process. In particular, when the thickness of the glass substrate is less than 0.3 mm, the strength of the glass substrate is lowered, and the glass substrate may be damaged in the display manufacturing process.
そこで、搬送ローラの外周面により直径の大きなリング状部材を配置するように構成された搬送機構があった(例えば、特許文献1参照。)。この技術によれば、リング状部材によって、ガラス基板と搬送ローラの接触面積を減少させることができるので、ガラス基板が傷ついたり、破損したりするのを防止することができる。このため、エッチング処理時やその他の製造プロセスにおいて安定的にガラス基板を搬送することが可能になるとされていた。 Therefore, there has been a transport mechanism configured to dispose a ring-shaped member having a large diameter on the outer peripheral surface of the transport roller (see, for example, Patent Document 1). According to this technique, the contact area between the glass substrate and the transport roller can be reduced by the ring-shaped member, so that the glass substrate can be prevented from being damaged or broken. For this reason, it has been said that the glass substrate can be stably conveyed during the etching process or in other manufacturing processes.
しかし、上記のような搬送機構だけでは、エッチング装置内における搬送不良を防止することが困難な場合がある。枚葉式エッチング装置でガラス基板を処理していると、自重によって搬送中にガラス基板が撓んでしまうことがある。エッチング処理中にガラス基板が撓むと、搬送ローラの間に挟まったり、落下したりしてガラス基板が破損するおそれがある。また、破損したガラス基板がエッチング装置の搬送機構にも影響を与えてしまい、装置を停止せざるを得ないこともある。このように、板厚の薄いガラス基板を処理する場合、枚葉式エッチング装置における固有の問題が生じるおそれがあるため、安定的な搬送機構を有するエッチング装置が求められていた。 However, it may be difficult to prevent a conveyance failure in the etching apparatus with only the conveyance mechanism as described above. When a glass substrate is processed with a single-wafer etching apparatus, the glass substrate may be bent during transportation due to its own weight. If the glass substrate bends during the etching process, the glass substrate may be damaged by being pinched or dropped between the transport rollers. In addition, the broken glass substrate may affect the transport mechanism of the etching apparatus, and the apparatus may have to be stopped. As described above, when processing a thin glass substrate, there is a possibility that a problem inherent in the single-wafer etching apparatus may occur. Therefore, an etching apparatus having a stable transfer mechanism has been demanded.
本発明の目的は、板厚の薄い被処理基板を好適に搬送することが可能なエッチング装置を提供することである。 The objective of this invention is providing the etching apparatus which can convey the to-be-processed substrate with thin board | plate thickness suitably.
本発明に係るエッチング装置は、所定方向に搬送されている被処理基板に対してエッチング液を噴射するように構成されたエッチング装置である。このエッチング装置は、少なくとも搬送ローラと複数の処理チャンバを備えている。搬送ローラは、被処理基板を水平方向に搬送するように、一定間隔で配置されている。処理チャンバは、被処理基板の搬送方向に沿って連結される。さらに、少なくとも最下流に位置する1つの処理チャンバにおいて、搬送ローラがその前段の処理チャンバの搬送ローラよりも低位置に配置される。搬送ローラを低位置に配置する際には、例えば、薄型化に伴って被処理基板の前端が撓んだ場合に、その撓んだ前端を後段側の搬送ローラの周面で持ち上げることが可能になる程度に、後段側の搬送ローラの位置を下げると良い。通常は、最下流位置にて被処理基板が最も薄型化されることになるため、最下流位置の処理チャンバにて搬送ローラの配置位置を下げているが、必要に応じてその他の処理チャンバにて同様の構成を採用しても良い。 An etching apparatus according to the present invention is an etching apparatus configured to inject an etching solution onto a substrate to be processed that is transported in a predetermined direction. This etching apparatus includes at least a transfer roller and a plurality of processing chambers. The transport rollers are arranged at regular intervals so as to transport the substrate to be processed in the horizontal direction. The processing chambers are connected along the transfer direction of the substrate to be processed. Furthermore, in at least one processing chamber located on the most downstream side, the conveying roller is disposed at a lower position than the conveying roller of the preceding processing chamber. When the transport roller is arranged at a low position, for example, when the front end of the substrate to be processed is bent due to thinning, the bent front end can be lifted by the peripheral surface of the transport roller on the rear stage side. It is better to lower the position of the transport roller on the rear stage side so that Usually, since the substrate to be processed is thinnest at the most downstream position, the arrangement position of the transport roller is lowered in the processing chamber at the most downstream position. A similar configuration may be adopted.
本発明によると、エッチング処理により徐々に板厚が薄くなり、取り扱いが難しくなってしまう被処理基板を好適に搬送することができる。特に、エッチング処理においては、最初は被処理基板の板厚も十分に確保されているため、好適に搬送することができるが、エッチング処理が進むにつれて板厚が薄くなる。本発明は、板厚が薄くなった基板を処理するための後段処理チャンバであっても、搬送ローラを低位置に配置することによって、被処理基板を好適に支持することが可能になる。 According to the present invention, it is possible to suitably transport a substrate to be processed whose thickness is gradually reduced by etching and becomes difficult to handle. In particular, in the etching process, since the thickness of the substrate to be processed is sufficiently secured at the beginning, the substrate can be transported suitably. However, the thickness decreases as the etching process proceeds. In the present invention, even if it is a post-processing chamber for processing a substrate having a thin plate thickness, the substrate to be processed can be suitably supported by disposing the transport roller at a low position.
また、被処理基板がガラス基板であり、搬送ローラの間隔は30〜80mmであり、かつ、低位置に配置された搬送ローラは被処理基板の搬送方向に対して傾斜角が4〜10°の範囲になるように配置されることが好ましい。この範囲に設定することで、エッチング処理により薄型化されて、撓んだガラス基板の前端を、上記のように、低位置に配置された搬送ローラの周面で持ち上げることが可能になる。 Further, the substrate to be processed is a glass substrate, the interval between the conveyance rollers is 30 to 80 mm, and the conveyance roller arranged at a low position has an inclination angle of 4 to 10 ° with respect to the conveyance direction of the substrate to be processed. It is preferable to be arranged so as to fall within the range. By setting within this range, it is possible to lift the front end of the glass substrate that has been thinned and bent by the etching process on the peripheral surface of the transport roller disposed at a low position as described above.
本発明によれば、板厚の薄い被処理基板を好適に搬送することが可能なエッチング装置を提供することが可能になる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the etching apparatus which can convey the to-be-processed substrate with thin board | plate thickness suitably.
ここから、図面を用いて本発明の一実施形態について説明する。図1は、本実施形態に係るエッチング装置10の概略側面図である。エッチング装置10は、搬入部12、前水洗チャンバ14、第1のエッチングチャンバ161〜第3のエッチングチャンバ163、後水洗チャンバ18、乾燥チャンバ20、搬出部22を備えている。
From here, one Embodiment of this invention is described using drawing. FIG. 1 is a schematic side view of an
搬入部12は、被処理基板であるガラス基板24を搬送ローラ30に載置することによってガラス基板24をエッチング装置10に導入するように構成される。ガラス基板24は、搬送ローラ30に水平方向に搬送されながら各チャンバで通過することによってエッチング処理が行われ、所望の板厚になるまでエッチング処理される。ガラス基板24は、所定間隔を設けて順次エッチング装置10に投入される。
The carry-in
搬送ローラ30は、ガラス基板24の搬送方向に沿って一定間隔で配置され、ガラス基板24を下方から支持することによって搬送するように構成される。搬送ローラ30は、円筒状を呈しており、その両端から駆動シャフト32が延出している。駆動シャフト32は、その先端に従動ギア34を備えている。従動ギア34は、ウォームギア36と当接するように構成される。ウォームギア36は回転シャフト38において、搬送ローラ30に対応する位置に配置されている。回転シャフト38はガラス基板24の搬送方向に沿って配置されており、不図示の駆動モータにより回転するように構成される。回転シャフト38の回転がウォームギア36および従動ギア34を介して搬送ローラ30に伝わることによって、搬送ローラ30が回転する。回転シャフト38は、図2に示すように、複数の処理チャンバを貫通するように設けられている。このため、1つの駆動モータで複数チャンバの搬送ローラ30を駆動させることが可能になる。駆動モータはエッチング液の酸雰囲気により汚損しないように各処理チャンバから隔離された領域に配置されている。なお、ガラス基板24の搬送速度は、ガラス基板の大きさや板厚、エッチング液の噴射圧力、エッチング液の組成等を考慮して、適宜設定することが好ましい。
The
前水洗チャンバ14は、搬入部12の後段に配置されている。前水洗チャンバ14は、搬送ローラ30によって搬送されているガラス基板24に対して、搬送ローラ30の上下に配置されたスプレーユニット40より洗浄液を噴射するように構成される。乾燥したガラス基板に対してエッチング液を接触させてしまうと、ガラス基板が白濁してしまうおそれがある。このため、エッチング装置10では、エッチングチャンバの前段にて洗浄液を噴射するように構成される。本実施形態では、洗浄液として市水を使用している。
The
第1のエッチングチャンバ161、第2のエッチングチャンバ162、第3のエッチングチャンバ163は、実質的に同一の構成であり、搬送されているガラス基板24にエッチング液を噴射するように構成される。各処理チャンバは、図2に示すように隔壁によって分離されており、ガラス基板24が通過するためのスリット42が設けられている。エッチングチャンバは、搬送ローラ30の上下にスプレーユニット40が配置されており、スプレーユニット40よりエッチング液が噴射される。スプレーユニット40は、送液配管401に複数の噴射ノズル402が配置されており、ガラス基板24に均一にエッチング液が噴射されるように構成される。また、スプレーユニット40は、図3(A)および図3(B)に示すように、搬送方向と直交する方向にスライド可能な状態で支持されている。スプレーユニット40が往復移動することによって、ガラス基板24により均一にエッチング液を噴射するとともに、ガラス基板24の上面にエッチング液が滞留するのを防止することができる。なお、スプレーユニット40の配置や噴射ノズル402の数は被処理基板の大きさやエッチング量に応じて、適宜変更することができる。
The
なお、本実施形態におけるエッチング液は、少なくともフッ酸が含まれており、塩酸や硫酸等の無機酸や界面活性剤が含まれていてもよい。エッチング液の組成や液温はエッチング量や被処理基板に応じて適宜変更することが可能である。また、エッチング装置10は、3つのエッチングチャンバを有しているが、エッチングチャンバの数は被処理基板や設置場所等を考慮して変更することが可能である。
Note that the etching solution in the present embodiment contains at least hydrofluoric acid, and may contain an inorganic acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid, or a surfactant. The composition and temperature of the etching solution can be appropriately changed according to the etching amount and the substrate to be processed. The
処理チャンバにおける搬送ローラ30の間隔は、30〜80mmに設定することが好ましい。搬送ローラ30の間隔が30mm未満になると、下方から噴射されるエッチング液がガラス基板24に接触しにくく、エッチング処理が好適に行われないおそれがある。また、搬送ローラ30の間隔が80mmを超えると、板厚が薄くなったガラス基板を搬送することが難しくなる。特に0.2mm未満まで薄型化されたガラス基板は、搬送中に撓みやすくなることが出願人の実験によって判明している。
The interval between the conveying
後水洗チャンバ18は、第3のエッチングチャンバ163の後段に配置されている。後水洗チャンバ18は、前水洗チャンバ14と同様にガラス基板24に対して上下方向から洗浄液を噴射することによって、エッチング液を洗い流すように構成される。洗浄液は、前水洗チャンバ14と同様に市水が使用されている。
The
図3に示すように、後水洗チャンバ18に配置されている搬送ローラ30は、第3のエッチングチャンバ163に配置されている搬送ローラ30よりも低い位置に配置されている。後水洗チャンバ18における搬送ローラ30の形状は前段の搬送ローラと同様であるが、駆動機構は分離することが好ましい。これは、回転シャフト38の高さが低くなるため、1つの駆動モータで制御することが困難であるからである。
As shown in FIG. 3, the
薄型化されたガラス基板24は、第3のエッチングチャンバ163と後水洗チャンバ18の連結部において撓んでしまうことがあり、搬送ローラ30の間に落下するおそれがある。このため、後水洗チャンバ18の搬送ローラ30を所定量低く配置することによって、撓んだガラス基板24を好適に支持することが可能になる。ガラス基板24がこの段差部を通過する際は、図5(A)に示すように、ガラス基板24の前端が搬送ローラ30の周面に接触し、搬送ローラの回転により持ち上げられることによって搬送される。
The thinned
また、後水洗チャンバ18に配置されているスプレーユニット42は、搬送ローラ30の位置に応じて配置位置や洗浄液の噴射圧力を制御することが好ましい。さらに、第3のエッチングチャンバ163と後水洗チャンバ18の間のスリット42も搬送ローラ30の高さに応じて、配置を変えることが好ましい。
Further, it is preferable that the
乾燥チャンバ20は、後水洗チャンバ18と連結されており、エアナイフ201によってガラス基板24の主面にエアを吹き付けてガラス基板24を乾燥するように構成される。乾燥チャンバ20の搬送ローラ30は、後水洗チャンバ18と同じ高さになるように構成される。なお、エアナイフ201以外にも絞りローラをガラス基板24の主面に押し当てることで、乾燥処理を行うことも可能である。乾燥処理が行われたガラス基板24は、搬出部22により搬出される。エッチング処理が行われたガラス基板24は、適宜後工程において処理される。
The drying
後水洗チャンバ18の搬送ローラ30を低位置に配置する理由は、各チャンバの連結部においては駆動部の配置やエッチング装置10の水密性および気密性の確保等の制約があり、薄型のガラス基板を搬送するために必要な間隔で搬送ローラ30を配置することが難しいためである。処理チャンバ内の搬送ローラの間隔は適宜設定することが可能であるが、連結部は上記のような理由により、処理チャンバ内よりも搬送ローラ30の配置間隔が広くなってしまう。なお、本発明において連結部とは、処理チャンバ内に配置されている搬送ローラ中で、搬送方向の両端に配置されている搬送ローラ30とスリット42が設けられている隔壁の間の領域のことを示す。このため、板厚が0.2mm未満に薄型化されたガラス基板を処理する場合は、図5(B)に示すようにガラス基板24が連結部において撓んでしまい、搬送ローラ30の間に落下するおそれがある。
The reason why the
なお、エッチング装置10を1つの長大な処理チャンバで構成することによって、連結部がないエッチング装置を使用することも考えられるが、現実的ではない。その理由は、1つの処理チャンバが長くなり過ぎると、送液配管等がエッチング液の重みにより撓んでしまうおそれがあるからである。また、エッチング液は、エッチング速度を向上させるために液温が35℃以上になるように温度管理されており、処理チャンバの分割は熱膨張による送液配管への影響を抑制する効果もある。上記の理由により、エッチング装置10は、各エッチングチャンバや水洗チャンバがあえて分割されている。
Although it is possible to use an etching apparatus having no connecting portion by configuring the
なお、本実施形態では一例として、第3のエッチングチャンバ163と後水洗チャンバ18の連結部において搬送ローラ30の高さを調節しているが、所望のチャンバ間で搬送ローラ30の高さを変更するが可能である。ただし、エッチング処理の開始時点では、ガラス基板の板厚も0.5〜1mm程度の板厚があることが多いため、このような機構を配置する必要性は低い。後水洗チャンバ18は、エッチング装置10において、ガラス基板24に薬液を噴射するように構成される最下流部に位置する処理チャンバであり、ガラス基板24の板厚が最も薄くなった状態で搬送される。また、エッチングチャンバとそのエッチング液を洗浄するための水洗チャンバは使用する薬液が異なるため、配管の配置等の影響により同一の薬液を使用するエッチングチャンバ間よりも連結部の間隔が広くなってしまう。このため、後水洗チャンバ18の搬送ローラ30の高さを変更することで好適にガラス基板を搬送している。なお、後水洗チャンバ18の後段には、乾燥チャンバ20および搬出部22が配置されているが、乾燥チャンバ20や搬出部22は、薬液を噴射する処理チャンバではないため、搬送ローラ30を低位置に搬送する必要性は高くない。
In the present embodiment, as an example, the height of the
低位置に配置される搬送ローラ30は、搬送方向に対して4〜10°の傾斜角になるように配置されることが好ましい。この範囲に設定することで、撓んだガラス基板24の前端が搬送ローラの周面に接触しても、ガラス基板を持ち上げて搬送を続けることができる。
It is preferable that the
なお、ガラス基板を支持するための治具を連結部に配置することも考えられるが、ガラス基板の主面を均一にエッチングできず、ガラス基板の主面上に微小な凹凸が発生するおそれがある。このため、ガラス基板に対して薬液を噴射する処理チャンバにおいてはガラス基板に接触する治具は可能な限り使用しないことが好ましい。 Although it is conceivable to place a jig for supporting the glass substrate in the connecting portion, the main surface of the glass substrate cannot be etched uniformly, and there is a risk that minute irregularities will occur on the main surface of the glass substrate. is there. For this reason, it is preferable not to use the jig | tool which contacts a glass substrate as much as possible in the processing chamber which injects a chemical | medical solution with respect to a glass substrate.
上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The above description of the embodiment is to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above embodiments but by the claims. Furthermore, the scope of the present invention is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of the claims.
10‐エッチング装置
12‐搬入部
14-前水洗チャンバ
161‐第1のエッチングチャンバ
18-後水洗チャンバ
20‐乾燥チャンバ
22-搬出部
24‐ガラス基板
30-搬送ローラ
32‐シャフト
34-従動ギア
36-ウォームギア
38-回転シャフト
40-スプレーユニット
42‐スリット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10-Etching apparatus 12-Carry-in part 14-Pre-washing chamber 161-1st etching chamber 18-Post-washing chamber 20-Drying chamber 22-Carry-out part 24-Glass substrate 30-Conveyance roller 32-Shaft 34-Driven gear 36- Worm gear 38-Rotating shaft 40-Spray unit 42-Slit
Claims (2)
前記被処理基板を水平方向に搬送するように一定間隔で配置される搬送ローラと
前記被処理基板の搬送方向に沿って連結された複数の処理チャンバと、
を少なくとも備えており、
前記複数の処理チャンバのうちの少なくとも最下流に位置する1つの処理チャンバにおいて、搬送ローラがその前段の処理チャンバの搬送ローラよりも低位置に配置されることを特徴とするエッチング装置。 An etching apparatus configured to inject an etching liquid onto a substrate to be processed being conveyed in a predetermined direction,
A transport roller disposed at regular intervals so as to transport the substrate to be processed in a horizontal direction, and a plurality of processing chambers coupled along the transport direction of the substrate to be processed;
At least,
An etching apparatus characterized in that, in at least one processing chamber located at the most downstream of the plurality of processing chambers, a transfer roller is disposed at a position lower than a transfer roller of a preceding process chamber.
前記搬送ローラの間隔は30〜80mmであり、かつ、低位置に配置された前記搬送ローラは前記被処理基板の搬送方向に対して傾斜角が4〜10°の範囲になるように配置されることを特徴とする請求項1に記載のエッチング装置。 The substrate to be processed is a glass substrate;
The interval between the conveyance rollers is 30 to 80 mm, and the conveyance rollers arranged at a low position are arranged such that the inclination angle is in the range of 4 to 10 ° with respect to the conveyance direction of the substrate to be processed. The etching apparatus according to claim 1.
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2016
- 2016-10-25 JP JP2016208213A patent/JP2018073872A/en active Pending
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