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JP2018054874A - 表示装置 - Google Patents

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雅和 軍司
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Abstract

【課題】タッチセンサ形成による工程負荷を抑え、検出精度を向上させる表示装置を提供する。【解決手段】第１の絶縁表面上において第１方向に延在し、第１方向に交差する第２方向に並設された複数の走査線と、第２の絶縁表面上において第２方向に延在し、第１方向に並設された複数の信号線と、複数の走査線と複数の信号線との交点に対応してそれぞれ設けられた複数の画素電極と、第１の絶縁表面上において第１方向に延在し、第２方向に並設された第１タッチ配線と、第２の絶縁表面上において、第２方向に延在し、第１方向に並設された第２タッチ配線と、第３の絶縁表面上において、平面的に見て隣接する画素電極の間の領域に設けられ、第１タッチ配線と電気的に接続された第１タッチ電極と、第３の絶縁表面上において、隣接する画素電極の間に設けられ、第２タッチ配線と電気的に接続された第２タッチ電極とを有する表示装置。【選択図】図１

Description

本発明の一実施形態は、表示装置に関する。
電気器具および電子機器に用いられる表示装置として、液晶の電気光学効果を利用した液晶表示装置や、有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機エレクトロルミネセンス表示装置が開発、商品化されている。また、表示素子上にタッチセンサを搭載させた表示装置である、タッチパネルが近年急速に普及している。タッチパネルは、スマートフォンなどの携帯情報端末において必要不可欠なものとなっており、情報化社会のさらなる進歩に向けて世界的に開発が進んでいる。
上記タッチパネルは、タッチセンサを表示装置とは別基板で作製し、貼り合わせる方式（アウトセル方式）と、表示装置内部に組み込んでしまう方式（インセル方式）などがある。特許文献１には、表示装置の構造が開示されている。
特開２０１２−２１２０７６号公報
一方で、タッチパネル製造において、タッチセンサ用の新たな配線、電極が必要となり、製造工程の増加やタッチセンサの検出低下が発生してしまう課題を有する。
このような課題に鑑み、本発明は、タッチセンサ形成による工程負荷を抑え、かつ検出精度を向上させる表示装置を提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態によれば、第１の絶縁表面上において、第１方向に延在し、第１方向に交差する第２方向に並設された複数の走査線と、第１の絶縁表面上に設けられた第２の絶縁表面上において、第２方向に延在し、第１方向に並設された複数の信号線と、複数の走査線と複数の信号線との交点に対応してそれぞれ設けられた複数の画素電極と、第１の絶縁表面上において、第１方向に延在し、第２方向に並設された第１タッチ配線と、第２の絶縁表面上において、第２方向に延在し、第１方向に並設された第２タッチ配線と、第２の絶縁表面上に設けられた第３の絶縁表面上において、平面的に見て隣接する画素電極の間の領域に設けられ、第１タッチ配線と電気的に接続された第１タッチ電極と、第３の絶縁表面上において、平面的に見て隣接する画素電極の間の領域に設けられ、第２タッチ配線と電気的に接続された第２タッチ電極と、を有することを特徴とする表示装置が提供される。
本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す上面図および表示領域の一部を示した上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す上面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
また、本明細書において、「導電層」、「電極」、「配線」という言葉とは、同様の意味を有し、状況に応じて入れ替えることが可能である。
（第１実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係る、表示装置１０を示す。図１（Ａ）は、表示装置１０の上面図を示す。
（１．表示装置の構成）
図１（Ａ）において、表示装置１０は、基板１００と、画素を有する表示領域１０３と、周縁部１０４と、ゲートドライバとしての機能を有する駆動回路１０５と、ソースドライバとしての機能を有する駆動回路１０６と、タッチセンサの駆動回路１０７と、フレキシブルプリント基板１０８とを有する。
（１−１．タッチセンサの構成）
図１（Ａ）の表示領域１０３の一部の表示領域１０３ａを図１（Ｂ）に示す。表示領域１０３ａは、走査線（ゲート線）１４５ａ、信号線（ソース線）１４７ａ、画素電極１５５、タッチセンサに用いられる第１タッチ配線１４６、第２タッチ配線１４８、第１タッチ電極１５６ａ、および第２タッチ電極１５６ｂを有する。走査線１４５ａおよび第１タッチ配線１４６は、画素電極１５５の短辺方向（例えば第１方向という）に延在し、並設される。また、信号線１４７ａおよび第１タッチ配線１４８は、第１方向と直交する画素電極１５５の長辺方向（例えば第２方向という）に延在し、並設される。
走査線１４５ａ、第１タッチ配線１４６、信号線１４７ａ、および第２タッチ配線１４８は、画素電極１５５、第１タッチ電極１５６ａ、および第２タッチ電極１５６ｂの下側に設けられている。第１タッチ電極１５６ａはタッチセンサの送信電極としての機能を有し、第２タッチ電極１５６ｂはタッチセンサの受信電極としての機能を有する。
図１（Ｂ）の表示領域１０３ａにおいて、画素電極１５５ａを有する表示領域１０３ａ１の上面図を図２に示す。図２に示すように、第１タッチ電極１５６ａおよび第２タッチ電極１５６ｂは、画素電極１５５ａと、隣接する画素電極１５５との間に設けられている。また、第１タッチ電極１５６ａおよび第２タッチ電極１５６ｂは、それぞれ画素電極１５５を囲むように設けられる。
また、第１タッチ電極１５６ａは、第１タッチ配線１４６と開口部１８１ａを介して電気的に接続する。第１タッチ配線１４６は、走査線１４５ａと同一の、第１絶縁表面（例えば後述するゲート絶縁層１４３）上に設けられる。同様にして、第２タッチ電極１５６ｂは、第２タッチ配線１４８と開口部１８１ｂを介して電気的に接続する。第２タッチ配線１４８は、信号線１４７ａと第２絶縁表面（例えば後述する絶縁層１４９）上に設けられる。また、第１タッチ電極１５６ａおよび第２タッチ電極１５６ｂは、いずれも第３絶縁表面（例えば後述する絶縁層１５４）上に設けられる。また、２つの第１タッチ電極１５６ａと、２つの第２タッチ電極１５６ｂとが近接する四隅の部分には、後述する対向電極１６０の開口部１６１を有する。
また、図３に示すように、表示装置１０において、第１タッチ配線１４６と、第２タッチ配線１４８とは、それぞれ別の層に設けられる。第１タッチ配線１４６の延在する方向と、第２タッチ配線１４８の延在する方向は、直交するように設けられる。
次に、表示装置１０の断面構造を図４に示す。図４は、表示領域１０３ａ１のＡ１−Ａ２間の断面図を示す。
（１−２．トランジスタの構成）
図４において、トランジスタ１１０は、半導体層１４２、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ｂ、およびソース・ドレイン電極１４７ｂを有する。トランジスタ１１０は、トップゲート・トップコンタクト構造を有しているが、これに限定されず、ボトムゲート構造としてもよいし、ボトムコンタクト構造としてもよい。
また、容量素子１２０には、ゲート絶縁層１４３を誘電体として半導体層１４２のソースまたはドレイン領域および容量電極１４５ｃが用いられる。また、容量素子１２１は、絶縁層１５４を誘電体として、導電層１５３、および画素電極１５５が用いられる。
また、表示素子１３０には、画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９、および対向電極１６０が用いられる。表示素子１３０は、有機ＥＬ層１５９で発光した光を対向電極１６０側に放射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有する。なお、表示素子１３０は、トップエミッション型に限定されず、ボトムエミッション型の構造としてもよい。
基板１００、および基板１０１は、ガラス基板又は有機樹脂基板が用いられる。
絶縁層１４１は、基板１００上に設けられ、下地膜としての機能を有する。これにより、基板１００から不純物、代表的にはアルカリ金属、水、水素等の半導体層１４２への拡散を抑制することができる。
半導体層１４２は、絶縁層１４１上に設けられ、シリコン、酸化物半導体、または有機物半導体などが用いられる。
ゲート絶縁層１４３は、絶縁層１４１、および半導体層１４２上に設けられる。ゲート絶縁層１４３は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、或いはその他高誘電率の無機材料を用いることができる。
ゲート電極１４５ｂは、ゲート絶縁層１４３上に設けられ、図１に示す走査線１４５ａと接続している。なお、ゲート電極１４５ｂと容量電極１４５ｃは、同じくゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極１４５ｂと容量電極１４５ｃとは、共にタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた導電材料で形成される。ゲート電極１４５ｂと容量電極１４５ｃとは、前述の導電材料の単層構造であっても良いし、積層構造であっても良い。
絶縁層１４９は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられ、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ｂ、および容量電極１４５ｃ上に設けられる。なお、絶縁層１４９は、単層としてもよいし、上記材料の積層構造としてもよい。
ソース・ドレイン電極１４７ｂは、絶縁層１４９上に設けられ、図１に示す信号線１４７ａと接続している。ソース・ドレイン電極１４７ｂには、ゲート電極１４５ｂの材料例として挙げたものと同様の材料が用いられる。ゲート電極１４５ｂと同じ材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良い。ソース・ドレイン電極１４７ｂに加え、他の配線もこの導電層を用いて形成されるため、低抵抗であること、半導体層１４２との接合性の良いこと、等が求められる。
絶縁層１５０は、平坦化膜としての機能を有し、絶縁層１４９およびソース・ドレイン電極１４７ｂ上に設けられる。絶縁層１５０は主にアクリル樹脂等の有機絶縁材料を用いて形成される。特に図示していないが、例えば有機絶縁材料と無機絶縁材料との積層として形成されても良い。
導電層１５３は、絶縁層１５０上に設けられる。導電層１５３は、ゲート電極１４５ｂと同じ材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良い。導電層１５３に加え、特に図示していないが、前述のソース・ドレイン電極と接合される他の配線もこの導電層を用いて形成されるため、低抵抗であること、ソース・ドレイン電極１４７ｂを構成する導電材料との接合性の良いこと、等が求められる。
絶縁層１５４は、絶縁層１５０および導電層１５３上に設けられ、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられる。
画素電極１５５は、表示素子１３０の陽極としての機能を有し、さらに光を反射させる性質を有することが好ましい。前者の機能として好ましいのはＩＴＯやＩＺＯ等の酸化物導電材料であり、後者の機能として好ましいのはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電材料が挙げられる。これらの機能を両立するため、前述の材料の積層、具体的にはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電層上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム亜鉛）等の酸化物導電層を積層するといった構造が採用される。
有機ＥＬ層１５９は、画素電極１５５上に設けられ、有機エレクトロルミネセンス材料などの発光材料を有する。
対向電極１６０は、表示素子１３０の陰極としての機能を有し、複数の画素電極１５５に跨って、画素電極１５５を連続的に覆うように設けられている。有機ＥＬ層１５９で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有する材料が設けられる。また、対向電極１６０には、開口部１６１が設けられる。
対向電極１６０には透光性が求められるのと同時に、画素電極１５５の反射面との間でマイクロキャビティを形成するための反射性が求められる。このため、対向電極１６０は、半透過膜として形成される。具体的には、銀、マグネシウム、又はそれらの合金でなる層を、光が透過する程度の膜厚で形成される。
バンク層１５７には、画素電極１５５の周縁部を覆うと共に、画素電極１５５の端部で滑らかな段差を形成するために、有機樹脂材料が用いられる。また、バンク層１５７には、表示画像のコントラスト比を高めるために、黒色顔料を含む有機樹脂材料を用いてもよい。
無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４、および無機絶縁層１６６は、順に積層され、封止層としての機能を有する。無機絶縁層１６２、１６６は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられる。有機絶縁層１６４は、絶縁層１５０やバンク層１５７と同様の材料が用いられる。
接着層１７４には、無機材料、有機材料、または有機材料と無機材料の複合材料を用いることができる。
なお、図４に示すように、ゲート電極１４５ｂと、第１タッチ配線１４６は、いずれもゲート絶縁層１４３上に設けられる。また、ソース・ドレイン電極１４７ｂと、第２タッチ配線１４８は、いずれも絶縁層１４９上に設けられる。また、第１タッチ電極１５６ａおよび第２タッチ電極１５６ｂは、画素電極１５５とともに、絶縁層１５４上に設けられる。
（タッチセンサの駆動）
次に、タッチセンサの駆動について図３、図４を用いて説明する。
図３に示すように、第１タッチ配線１４６および第２タッチ配線１４８は、駆動回路１０７と接続する。駆動回路１０７から第１タッチ配線１４６を介して第１タッチ電極１５６ａに供給された電圧により、第１タッチ電極１５６ａと第２タッチ電極１５６ｂとの間に電界２００が発生する（図４参照）。例えば、人の指が表示装置１０に触れたとき、第１タッチ電極１５６ａと第２タッチ電極１５６ｂ間の電界変化が生じることで、配線間容量変化が生じ、第２タッチ電極１５６ｂから第２タッチ配線１４８を介して、駆動回路１０７に所定の情報が入力され、位置情報を検知することができる。
なお、本実施形態に係る構成においては、第１タッチ電極１５６ａと、第２タッチ電極１５６ｂが同一層上に設けられているため、小さな容量変化を検知することができるため、検知精度が向上する。
また、図４に示すように対向電極１６０は、第１タッチ電極１５６ａの端部と、第２タッチ電極１５６ｂの端部とが隣接する領域の一部と重畳する領域において開口部１６１が設けられている。これにより、容量の変化を検知しやすくなり、タッチセンサとしての機能をさらに向上させることができる。
また、本実施形態に係る構成においては、第１タッチ配線１４６と、第２タッチ配線１４８とは、別の層に設けられているため、回路設計上の制約を少なくすることができる。
（２．表示装置の製造方法）
以下、表示装置１０の製造方法について、図５乃至図１１を用いて説明する。
（２−１．トランジスタの形成）
まず、図５に示すように、基板１００の第１面（断面方向から見た場合の上面）に、絶縁層１４１、半導体層１４２、ゲート絶縁層１４３を形成後、ゲート絶縁層１４３上にゲート電極１４５ｂを形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法、エッチング法などを用いて、所定の形状とすることができる。
例えば、基板１００として有機樹脂基板を用いる場合、ポリイミド基板が用いられる。有機樹脂基板は、板厚を数マイクロメートルから数十マイクロメートルにすることができ、可撓性を有するシートディスプレイを実現することが可能となる。基板１００は、後述する表示素子からの出射光を外に取り出すために、透明性が求められる場合がある。表示素子からの出射光を取り出さない側にある基板は、透明である必要は無いため、前述の材料に加えて、金属基板の表面に絶縁層を形成したものを用いてもよい。
絶縁層１４１は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン等の材料を用いて形成される。絶縁層１４１は、単層であっても、積層であってもよい。絶縁層１４１は、ＣＶＤ法、スピンコーティング法、印刷法などにより形成することができる。
半導体層１４２としてシリコン材料を用いる場合、例えばアモルファスシリコン、多結晶シリコンなどが用いられる。また、半導体層１４２として酸化物半導体を用いる場合、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、錫、セリウムなどの金属材料を用いることができる。例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛を有する酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いることができる。半導体層１４２は、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、ＣＶＤ法などにより形成することができる。
ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、窒酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウムなどを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。絶縁層１４１と同様の方法により形成することができる。
ゲート電極１４５ｂは、タングステン、アルミニウム、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、インジウム、亜鉛から選ばれた金属元素、または上記金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等の材料を用いて形成される。また、ゲート電極１４５ｂは、上記材料に窒素、酸素、水素などが含有されたものを用いてもよい。例えば、ゲート電極１４５ｂとして、スパッタリング法により形成したアルミニウム（Ａｌ）層、チタン層（Ｔｉ）の積層膜を用いることができる。なお、このときゲート電極１４５ｂと同時に、走査線１４５ａ、第１タッチ配線１４６および容量電極１４５ｃも形成される。
次に、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ｂ上に絶縁層１４９を形成する。絶縁層１４９は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料、方法を用いることができる。例えば、絶縁層１４９として、プラズマＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜を用いることができる。
次に、絶縁層１４９上にソース・ドレイン電極１４７ｂを形成する（図６参照）。ソース・ドレイン電極１４７ｂは、ゲート電極１４５ｂと同様の材料、方法を用いることができる。ソース・ドレイン電極１４７ｂは、絶縁層１４９に開口部を形成してから形成され、半導体層１４２のソース・ドレイン領域と接続される。なお、このときソース・ドレイン電極１４７ｂと同時に、信号線１４７ａおよび第２タッチ配線１４８も形成される。
次に、絶縁層１４９、ソース・ドレイン電極１４７ｂ上に絶縁層１５０を形成する。絶縁層１５０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの有機絶縁材料が用いられる。絶縁層１５０は、スピンコーティング法、印刷法、インクジェット法などにより形成することができる。例えば、絶縁層１５０として、スピンコーティング法により形成したアクリル樹脂を用いることができる。このとき、絶縁層１５０は、上面が平坦となる程度まで形成される。絶縁層１５０は、１μｍ以上の厚みで形成することが好ましい。
（２−２．表示素子の形成）
次に、図７および８に示すように、絶縁層１５０上に、容量素子１２１（導電層１５３、絶縁層１５４、画素電極１５５で形成される）、表示素子１３０（画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９、対向電極１６０で形成される）、バンク層１５７を形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法、エッチング法などを用いて、所定の形状とすることができる。
まず、絶縁層１５０上に導電層１５３を形成する。導電層１５３は、ゲート電極１４５ｂと同様の材料および方法により形成することができる。例えば、導電層１５３として、スパッタリング法により形成したモリブデン、アルミニウム、モリブデンの積層膜を用いることができる。
次に、導電層１５３上に絶縁層１５４を形成する。絶縁層１５４は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料および方法により形成することができる。例えば、絶縁層１５４として、プラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜を用いることができる。
次に、絶縁層１５４上に、画素電極１５５を形成する（図７参照）。例えば、導電層１５３は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、等の光反射性の金属材料を用いてもよいし、正孔注入性に優れるＩＴＯやＩＺＯによる透明導電層と、光反射性の金属層とが積層された構造を有していてもよい。画素電極１５５は、ゲート電極１４５ｂと同様の方法により形成することができる。例えば、画素電極１５５として、スパッタリング法により形成したＩＴＯ、銀、ＩＴＯの積層膜を用いることができる。
なお、このとき画素電極１５５の形成と同時に第１タッチ電極１５６ａ、第２タッチ電極１５６ｂも形成される。第１タッチ電極１５６ａは、絶縁層１４９および絶縁層１５０に設けられた開口部を介して第１タッチ配線１４６と電気的に接続される。同様にして、第２タッチ電極１５６ｂは、絶縁層１５０に設けられた開口部を介して第２タッチ配線１４８と電気的に接続される。
次に、絶縁層１５４および画素電極１５５上に、バンク層１５７を形成する。バンク層１５７は、画素電極１５５の上面を露出するように開口部が形成される。バンク層１５７の開口部の端部は、なだらかなテーパー形状となるのが好ましい。例えば、バンク層１５７として、スピンコーティング法により形成したポリイミド膜を用いることができる。
次に、画素電極１５５、バンク層１５７上に有機ＥＬ層１５９を形成する。有機ＥＬ層１５９は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、有機ＥＬ層１５９は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成されていてもよい。
また、有機ＥＬ層１５９は、少なくとも画素電極１５５と重畳するように形成される。有機ＥＬ層１５９は、真空蒸着法、印刷法、スピンコーティング法などにより形成される。有機ＥＬ層１５９を真空蒸着法により形成する場合、適宜シャドーマスクを用い、成膜されない領域を設けながら形成してもよい。有機ＥＬ層１５９は、隣接する画素と異なる材料を用いて形成してもよいし、全ての画素において同一の有機ＥＬ層１５９を用いてもよい。
次に、図８に示すように、画素電極１５５および有機ＥＬ層１５９に跨るように、対向電極１６０を形成する。対向電極１６０には、ＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜、または銀（Ａｇ）とマグネシウムの合金を用いることができる。また、対向電極１６０は、真空蒸着法、スパッタリング法により形成することができる。例えば、対向電極１６０として、スパッタリング法により成膜したＩＺＯ膜を用いることができる。
次に、図９に示すように、対向電極１６０に、開口部１６１を形成する。第１タッチ電極１５６ａおよび第２タッチ電極１５６ｂの上面の重畳する領域において開口部１６１を形成する場合は、メタルマスクを用いて非成膜領域を形成することで行ってもよいし、インクジェット法を用いて、対向電極１６０を予め開口部１６１を有する形状として形成してもよい。
（２−３．封止層の形成）
次に、図１０に示すように、対向電極１６０、バンク層１５７上に、封止層となる無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４、無機絶縁層１６６を順に形成する。
無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコン、などを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。このとき、表示領域１０３は、無機絶縁層１６２により、覆われていることが好ましい。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、蒸着法、スピンコーティング法、スプレー法、または印刷法を用いて形成することができる。例えば、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜を用いることができる。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６の膜厚は、数十ｎｍから数μｍとすることができる。
有機絶縁層１６４には、アクリル、ポリイミド、エポキシ等の材料を用いることができる。また、有機絶縁層１６４は、スピンコーティング法、蒸着法、スプレー法、インクジェット法、印刷法などを用いて数μｍから数十μｍ程度の厚さに形成することができる。
（２−４．対向基板との貼り合わせ）
次に、図１１に示すように、対向基板となる基板１０１を、接着層１７４を用いて基板１００と貼り合わせる。接着層１７４として、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、などを用いることができる。
上記製造方法を用いることにより、表示装置１０を製造することができる。本実施形態に係る構成においては、走査線１４５ａ、ゲート電極１４５ｂおよび第１タッチ配線１４６が同一層上に設けられる。また、信号線１４７ａ、ソース・ドレイン電極１４７ｂおよび第２タッチ配線１４８も同一層上に設けられる。さらには画素電極１５５、第１タッチ電極１５６ａ、および第２タッチ電極１５６ｂも同一の層に設けられる。これにより、タッチセンサ形成のための新たな工程を設ける必要がない。したがって、表示装置製造における工程負荷を抑え、かつ検出精度を向上させることができる。
なお、本実施形態において、絶縁層１４３、絶縁層１４９上に配線を形成することで発明が実現されている例を述べたが、この例に限られない。例えば、別の絶縁層上に設けてもよい。また、組み合わせて用いてもよい。
また、本実施形態では、対向電極１６０が開口部１６１を有することで、発明が実現されている例を述べたが、この例に限られない。例えば、対向電極１６０が開口部１６１を設けなくてもよい。
また、本実施の形態では、第１方向と、第２方向とが直交されるものとして、発明が実現されている例を述べたが、この例に限られない。例えば、第１方向と、第２方向とが、交差していてもよい。
また、本実施の形態では、画素電極１５５と、第１タッチ電極１５６ａ、および第２タッチ電極１５６ｂが同一の絶縁層１５４上に設けられるものとして、発明が実現されている例を述べたが、この例に限られない。例えば、第１タッチ電極１５６ａおよび第２タッチ電極１５６ｂが、画素電極１５５と異なる絶縁層上に設けられてもよい。
（第２実施形態）
以下に、異なる形状を有するタッチセンサを搭載する表示装置ついて図面を用いて説明する。なお、第１実施形態に示す構造、方法と同様の部分については、その説明を援用する。
図１２に表示領域１０３の拡大図、および図１３に図１２のＢ１−Ｂ２間の断面図を示す。図１２において、第１タッチ電極２５６ａ、第２タッチ電極２５６ｂは、画素電極１５５ｂ、画素電極１５５ｃ、画素電極１５５ｄの画素電極を３つ囲むように設けられてもよい。
また、第１タッチ電極２５６ａ、第２タッチ電極２５６ｂは、さらに複数個の画素電極１５５を囲うように広い領域にわたって設けてもよい。例えば、図１４に示すように、第１方向において、画素電極１５５の中間から、隣接する画素電極１５５の中間までの距離を第１画素電極ピッチ１５５０ａと定義する。また、第２方向において、画素電極１５５の中間から、隣接する画素電極１５５の中間までの距離を第２画素電極ピッチ１５５０ｂと定義する。このとき、第１タッチ電極１１５６ａは、第１方向において等倍の第１画素電極ピッチ１５５０ａの長さを有する領域と、第２方向において等倍の第２画素電極ピッチ１５５０ｂの長さを有する領域とを交互に接続する形で延在している。これにより、第１タッチ電極１１５６ａは、多くの画素電極１５５を囲んだ形状となる。また、第２タッチ電極１１５６ｂも同様の形状を有して延在している。上記形状において、第１タッチ電極１１５６ａと、第２タッチ電極１１５６ｂとが、第１方向において、等倍の第１画素電極ピッチ１５５０ａの長さを有して離間する領域と、２倍の第１画素電極ピッチ１５５０ａの長さを有して離間する領域とが設けられる。第２方向においても、等倍の第２画素電極ピッチ１５５０ｂを有して離間する領域と、２倍の第２画素電極ピッチ１５５０ｂを有して離間する領域とが設けられる。上記離間する領域において、画素電極１５５は、第１タッチ電極１１５６ａと第２タッチ電極１１５６ｂとの間に配置されているということができる。また、画素電極１５５は、第１タッチ電極１１５６ａ及び第２タッチ電極１１５６ｂと平面的に見て重畳しない領域に配置されているということができる。
また、図１５に示すように、第１タッチ電極２１５６ａ、または第２タッチ電極２１５６ｂが、第１方向において２倍の第１画素電極ピッチ１５５０ａの長さを有する領域と、第２方向において第２画素電極ピッチ１５５０ｂの長さを有する領域と、第１方向に第１画素電極ピッチ１５５０ａを有する領域とを組み合わせて用いてもよい。上記形状の場合、第１タッチ電極１１５６ａと、第２タッチ電極１１５６ｂとが、第１方向において、等倍、２倍、または３倍の第１画素電極ピッチ１５５０ａの長さを有して離間する領域が設けられる。また、第２方向において、等倍または２倍の第１画素電極ピッチ１５５０ａの長さを有して離間する領域が設けられる。
また、図１６に示すように、第１タッチ電極３１５６ａ、第２タッチ電極３１５６ｂが、それぞれ画素電極１５５を一つずつ囲みつつ、外周部の形状は図１５と同様としてもよい。
また、図１７に示すように、第１タッチ電極４１５６ａが、画素電極１５５を一つずつ囲みつつ、外周部は第１方向に５倍の第１画素電極ピッチ１５５０ａの長さを有する領域と、第２方向に３倍の第２画素電極ピッチ１５５０ｂの長さを有する領域とを有し、外形としては矩形を有してもよい。また、第２タッチ電極４１５６ｂは、第１タッチ電極４１５６ａ、第２方向において等倍の第２画素電極ピッチ１５５０ｂの長さを有して離間しつつ、第１方向に２倍の第１画素電極ピッチ１５５０ａの長さを有して、線状に設けられてもよい。
上記構造を有することで、検出感度を高くしつつ、さまざまな形状のタッチセンサを設けることができる。
本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動表示素子等を有する電子ペーパー型表示装置、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
なお、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
１０・・・表示装置、１００・・・基板、１０１・・・基板、１０３・・・表示領域、１０４・・・周縁部、１０５・・・駆動回路、１０６・・・駆動回路、１０７・・・駆動回路、１０８・・・フレキシブルプリント基板、１１０・・・トランジスタ、１１１・・・トランジスタ、１２０・・・容量素子、１２１・・・容量素子、１３０・・・表示素子、１４１・・・絶縁層、１４２・・・半導体層、１４３・・・ゲート絶縁層、１４５ａ・・・走査線、１４５ｂ・・・ゲート電極、１４５ｃ・・・容量電極、１４６・・・第１タッチ配線、１４７ａ・・・信号線、１４７ｂ・・・ソース・ドレイン電極、１４８・・・第２タッチ配線、１４９・・・絶縁層、１５０・・・絶縁層、１５３・・・導電層、１５４・・・絶縁層、１５５・・・画素電極、１５６ａ・・・第１タッチ電極、１５６ｂ・・・第２タッチ電極、１５７・・・バンク層、１５９・・・有機ＥＬ層、１６０・・・対向電極、１６２・・・無機絶縁層、１６４・・・有機絶縁層、１６６・・・無機絶縁層、１７４・・・接着層、１１５６ａ・・・第１タッチ電極、１１５６ｂ・・・第２タッチ電極、１５５０ａ・・・第１画素電極ピッチ、１５５０ｂ・・・第２画素電極ピッチ、２１５６ａ・・・第１タッチ電極、２１５６ｂ・・・第２タッチ電極、２１５６ａ・・・第１タッチ電極、２１５６ｂ・・・第２タッチ電極

Claims (6)

  1. 第１の絶縁表面上において、第１方向に延在し、前記第１方向に交差する第２方向に並設された複数の走査線と、
    前記第１の絶縁表面上に設けられた第２の絶縁表面上において、前記第２方向に延在し、前記第１方向に並設された複数の信号線と、
    前記複数の走査線と前記複数の信号線との交点に対応してそれぞれ設けられた複数の画素電極と、
    前記第１の絶縁表面上において、前記第１方向に延在し、前記第２方向に並設された第１タッチ配線と、
    前記第２の絶縁表面上において、前記第２方向に延在し、前記第１方向に並設された第２タッチ配線と、
    前記第２の絶縁表面上に設けられた第３の絶縁表面上において、平面的に見て隣接する前記画素電極の間の領域に設けられ、前記第１タッチ配線と電気的に接続された第１タッチ電極と、
    前記第３の絶縁表面上において、平面的に見て隣接する前記画素電極の間の領域に設けられ、前記第２タッチ配線と電気的に接続された第２タッチ電極と、
    を有することを特徴とする、表示装置。
  2. 前記画素電極は、前記第３の絶縁表面上に設けられることを特徴とする、
    請求項１記載の表示装置。
  3. 前記第１タッチ電極、および前記第２タッチ電極はそれぞれ、前記画素電極の少なくとも一を囲んで配置されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記第２の絶縁表面は、前記走査線および前記第１タッチ配線上に設けられ、
    前記第３の絶縁表面は、前記信号線および前記第２タッチ配線上に設けられ、
    前記複数の画素電極に跨って、前記複数の画素電極を覆うように設けられた対向電極と、
    前記複数の画素電極の一と前記対向電極との間に設けられた、発光層を含む有機層と、
    をさらに有することを特徴とする、
    請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の表示装置。
  5. 前記対向電極は、平面的に見て隣接する前記第１タッチ電極と前記第２タッチ電極との間の領域の一部と重畳する領域に開口部を有することを特徴とする、請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記第１タッチ電極及び前記第２タッチ電極と平面的に見て重畳しない領域に、前記画素電極が配置されていることを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示装置。
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