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JP2018047424A - Exhaust gas abatement system - Google Patents

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JP2018047424A
JP2018047424A JP2016184336A JP2016184336A JP2018047424A JP 2018047424 A JP2018047424 A JP 2018047424A JP 2016184336 A JP2016184336 A JP 2016184336A JP 2016184336 A JP2016184336 A JP 2016184336A JP 2018047424 A JP2018047424 A JP 2018047424A
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政彦 高畑
Masahiko Takahata
政彦 高畑
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Abstract

【課題】真空ポンプと除害装置の間の排ガス通路の閉塞を回避でき、設置面積が少なくて済む排ガス除害排出システムを提供すること。【解決手段】排ガス除害排出システム1は、真空ポンプ内蔵型の除害装置12を備えている。除害装置12の装置筐体14内において、プラズマ反応器18に加えて真空ポンプ16が配置され、真空ポンプ16とプラズマ反応器18との間が内部排ガス配管17によって接続されている。外付けの真空ポンプを用いる場合に比べて、排ガス配管の管長を大幅に短くできる。配管が反応生成物の付着堆積により閉塞することが回避され、排ガス除害排出システム1の必要設置面積が少なくて済む。【選択図】図1An exhaust gas abatement / discharge system which can avoid blockage of an exhaust gas passage between a vacuum pump and an abatement apparatus and requires a small installation area. An exhaust gas abatement and discharge system 1 includes an abatement device 12 with a built-in vacuum pump. A vacuum pump 16 is disposed in the apparatus housing 14 of the abatement apparatus 12 in addition to the plasma reactor 18, and the vacuum pump 16 and the plasma reactor 18 are connected by an internal exhaust gas pipe 17. The length of the exhaust gas pipe can be significantly reduced as compared with the case where an external vacuum pump is used. The pipe is prevented from being clogged by the adhesion and deposition of the reaction product, and the required installation area of the exhaust gas abatement / discharge system 1 can be reduced. [Selection diagram] FIG.

Description

本発明は、半導体製造工程等から排出される排ガスを無害化して排出する除害装置を備えた排ガス除害排出システムに関する。   The present invention relates to an exhaust gas abatement / exhaust system including an abatement device that detoxifies and exhausts exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process or the like.

半導体デバイス、液晶ディスプレイデバイスなどの製造装置の反応チャンバ内では、多種類の有害あるいは引火性・爆発性のある危険度の高いガス、オゾンホールの原因となる等の地球環境を害するガスが使用されている。反応チャンバからの排ガスは、真空ポンプによって吸引し、排ガス除害装置(以下、単に、除害装置と呼ぶ。)に通して無害化した後に大気中に排出される。   In the reaction chamber of manufacturing equipment such as semiconductor devices and liquid crystal display devices, various types of harmful or flammable / explosive gases with high risk and gases that harm the global environment such as ozone holes are used. ing. Exhaust gas from the reaction chamber is sucked by a vacuum pump, passed through an exhaust gas abatement device (hereinafter simply referred to as abatement device), rendered harmless, and then discharged into the atmosphere.

特許文献1の図1に記載されているように、一般に、半導体製品等の製造工場においては、一般に、上の階に製造装置が設置され、下の階に真空ポンプおよび除害装置から構成される排ガス除害排出システムが設置される。上の階の製造装置の反応チャンバと下の階の真空ポンプの吸込口の間が配管接続され、下の階においては、真空ポンプの排気口と除害装置の吸気口との間が配管接続される。   As described in FIG. 1 of Patent Document 1, in general, in a manufacturing factory for semiconductor products and the like, a manufacturing apparatus is generally installed on an upper floor, and a vacuum pump and an abatement apparatus are configured on a lower floor. An exhaust gas abatement system will be installed. A piping connection is made between the reaction chamber of the manufacturing equipment on the upper floor and the suction port of the vacuum pump on the lower floor. On the lower floor, a piping connection is made between the exhaust port of the vacuum pump and the suction port of the abatement device. Is done.

除害装置としては、処理対象の排ガスの特性に応じて水などの液体を用いて処理する湿式、有害物質を吸着剤に吸着させる乾式、排ガスに燃料と酸素を混合し、燃焼炎を通して分解する燃焼式のものが知られている。また、排ガスをプラズマ空間に通してプラズマ分解処理を行うプラズマ式のものが知られている。特許文献2には、プラズマ式排ガス除害装置が提案されている。   As a detoxification device, wet processing is performed using a liquid such as water according to the characteristics of the exhaust gas to be processed, dry processing for adsorbing harmful substances to the adsorbent, fuel and oxygen are mixed into the exhaust gas, and decomposition is performed through a combustion flame. A combustion type is known. A plasma type is also known in which an exhaust gas is passed through a plasma space to perform plasma decomposition treatment. Patent Document 2 proposes a plasma exhaust gas abatement apparatus.

真空ポンプとしては、ターボポンプ、メカニカルブースターポンプ、スクリューポンプ等が使用される。特性の異なる複数台の真空ポンプを直列に接続して使用する場合もある。例えば、メカニカルブースターポンプを、スクリュー式真空ポンプなどの粗引きポンプと組み合わせることにより、粗引きポンプの排気速度が落ち込む圧力領域において、排気速度を上げることができる。   As the vacuum pump, a turbo pump, a mechanical booster pump, a screw pump, or the like is used. In some cases, a plurality of vacuum pumps having different characteristics are connected in series. For example, by combining a mechanical booster pump with a roughing pump such as a screw-type vacuum pump, the exhaust speed can be increased in a pressure region where the exhaust speed of the roughing pump drops.

特開2016−33364号公報JP 2016-33364 A 特許第5307556号公報Japanese Patent No. 5307556

排ガス除害排出システムにおいては、排ガスの通過経路内に、排ガスに含まれている異物、排ガスの反応生成物が付着して堆積する。放置すると管路が閉塞するので定期的なクリーニングが必要である。   In the exhaust gas abatement system, foreign substances contained in the exhaust gas and reaction products of the exhaust gas are deposited and deposited in the exhaust gas passage. If left unattended, the pipeline will be blocked, so regular cleaning is required.

特に、真空ポンプの排気側と除害装置の吸気側を繋ぐ配管内面に排ガスの反応生成物が付着堆積しやすい。配管内の生成物付着を回避あるいは抑制できるようにすることが望まれている。   In particular, the reaction product of the exhaust gas tends to adhere and accumulate on the inner surface of the pipe connecting the exhaust side of the vacuum pump and the intake side of the abatement apparatus. It is desired to be able to avoid or suppress product adhesion in the piping.

また、排ガスの通過経路である真空ポンプ内、除害装置の内部に付着した異物、反応生成物を除去するためのポンプクリーニングおよび除害装置クリーニングを、簡単かつ効率良く行えることが望ましい。   In addition, it is desirable that pump cleaning and removing device cleaning for removing foreign substances and reaction products in the vacuum pump, which is an exhaust gas passage, and the inside of the removing device can be performed easily and efficiently.

さらに、半導体製品等の製品の製造工場においては、設置スペースの有効活用の観点から、階下に設置される真空ポンプおよび除害装置の設置スペースに対する削減要求が常にある。   Furthermore, in manufacturing factories for products such as semiconductor products, there is always a demand for reduction in the installation space of vacuum pumps and abatement devices installed downstairs from the viewpoint of effective use of the installation space.

本発明の課題は、このような点に鑑みて、真空ポンプと除害装置の間の排ガス通路が異物付着により閉塞することを回避あるいは抑制可能な排ガス除害排出システムを提供することにある。   In view of the above, an object of the present invention is to provide an exhaust gas abatement / exhaust system capable of avoiding or suppressing an exhaust gas passage between a vacuum pump and an abatement device due to foreign matter adhesion.

また、本発明の課題は、真空ポンプと除害装置の間の排ガス通路の閉塞を回避あるいは抑制可能であり、かつ、設置面積が少なくて済む排ガス除害排出システムを提供することにある。   Another object of the present invention is to provide an exhaust gas abatement / discharge system that can avoid or suppress blockage of the exhaust gas passage between the vacuum pump and the abatement apparatus and that requires a small installation area.

さらに、本発明の課題は、真空ポンプと除害装置の間の排ガス通路の閉塞を回避あるいは抑制可能であり、かつ、真空ポンプ内および除害装置内のクリーニングを簡単かつ効率良く行うことのできる排ガス除害排出システムを提供することにある。   Furthermore, the problem of the present invention is that it is possible to avoid or suppress clogging of the exhaust gas passage between the vacuum pump and the abatement device, and to clean the inside of the vacuum pump and the abatement device easily and efficiently. It is to provide an exhaust gas abatement system.

上記の課題を解決するために、本発明の排ガス除害排出システムは、
処理対象の排ガスを無害化する排ガス処理部を備えた除害装置と、
排ガスを真空吸引して除害装置の排ガス処理部に供給する真空ポンプと
を有しており、
真空ポンプは排ガス除害装置に内蔵されていることを特徴としている。
In order to solve the above problems, the exhaust gas abatement / discharge system of the present invention is:
A detoxification device having an exhaust gas treatment unit for detoxifying the exhaust gas to be treated;
A vacuum pump that sucks the exhaust gas and supplies it to the exhaust gas treatment section of the abatement device,
The vacuum pump is built in the exhaust gas abatement apparatus.

本発明の排ガス除害排出システムは、除害装置に内蔵した真空ポンプを備えている。すなわち、除害装置の装置筐体内に、プラズマ反応器などの排ガス処理部に加えて、真空ポンプが配置されている。真空ポンプと排ガス処理部の間は、装置筐体内に配置される内部配管によって接続される。   The exhaust gas abatement / exhaust system of the present invention includes a vacuum pump built in the abatement apparatus. That is, in addition to the exhaust gas treatment unit such as a plasma reactor, a vacuum pump is disposed in the apparatus housing of the abatement apparatus. The vacuum pump and the exhaust gas treatment unit are connected by an internal pipe disposed in the apparatus housing.

外付けされた真空ポンプを用いる場合に比べて、真空ポンプと除害装置の排ガス処理部の間を接続する配管の管長を大幅に短くできる。よって、配管内に反応生成物が付着堆積して管路が閉塞する可能性が大幅に低下する。また、除害装置と真空ポンプを別置きとする場合に比べて、真空ポンプの設置面積分だけ、双方を設置するために必要な設置面積を削減できる。さらに、除害装置の周囲に、真空ポンプとの間を繋ぐ配管を引き回すための配管スペースを確保する必要が無いので、これによっても、設置面積および設置スペースを大幅に削減できる。   Compared with the case of using an externally attached vacuum pump, the pipe length of the pipe connecting between the vacuum pump and the exhaust gas treatment unit of the abatement apparatus can be significantly shortened. Therefore, the possibility that the reaction product adheres and accumulates in the pipe and the pipe is blocked is greatly reduced. Moreover, compared with the case where a detoxification apparatus and a vacuum pump are installed separately, the installation area required in order to install both can be reduced by the installation area of a vacuum pump. Furthermore, since it is not necessary to secure a piping space around the abatement device for routing the piping connected to the vacuum pump, the installation area and the installation space can be greatly reduced.

除害装置としてプラズマ式除害装置を用いることができ、その排ガス処理部は、プラズマ反応器、および、その下側に配置された廃液回収・循環タンクを備えている。また、内蔵真空ポンプとして、その吸気口が上端に位置するように縦置き状態で設置されたスクリュー式真空ポンプを用いることができる。この場合には、スクリュー式真空ポンプの排気口を、プラズマ反応器の吸気口と同一あるいは高い位置に配置することが望ましい。   A plasma-type abatement device can be used as the abatement device, and the exhaust gas treatment unit includes a plasma reactor and a waste liquid recovery / circulation tank disposed below the plasma reactor. Further, as the built-in vacuum pump, a screw-type vacuum pump installed in a vertical state so that the inlet port is located at the upper end can be used. In this case, it is desirable to arrange the exhaust port of the screw type vacuum pump at the same position as or higher than the intake port of the plasma reactor.

スクリュー式真空ポンプの吸気口から洗浄液を流すと、洗浄液はスクリュー式真空ポンプ内部および除害装置内部の排ガス通過経路に沿って流れ落ちる。よって、これらの内部に付着した反応生成物等の異物の洗浄を、簡単かつ効率良く行うことができる。   When the cleaning liquid is caused to flow from the intake port of the screw type vacuum pump, the cleaning liquid flows down along the exhaust gas passage route inside the screw type vacuum pump and inside the abatement apparatus. Therefore, foreign substances such as reaction products adhering to the inside can be easily and efficiently cleaned.

なお、本発明において除害装置はプラズマ式に限定されるものではない。先に述べたように、除害装置として、湿式、乾式、燃焼式、プラズマ式などの各種の方式のものが知ら
れている。これらを用いることができることは勿論である。
In the present invention, the abatement apparatus is not limited to the plasma type. As described above, various types of abatement devices such as a wet type, a dry type, a combustion type, and a plasma type are known. Of course, these can be used.

本発明の排ガス除害排出システムは、その吸気側、すなわち、内蔵真空ポンプの吸気口を外付けの配管を介して、処理対象の排ガスの発生元である半導体製造装置等の装置の反応チャンバの排気口に接続して使用される。必要に応じて、排ガス除害排出システムには、排ガスの発生元と内蔵真空ポンプとの間に、前段側真空ポンプが接続される。前段側真空ポンプは、除害装置に外付けされている外付け真空ポンプとすることができる。   The exhaust gas abatement / exhaust system of the present invention includes a reaction chamber of an apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus that is a source of exhaust gas to be processed via an external pipe connected to an intake side of the internal vacuum pump. Used by connecting to the exhaust port. If necessary, a front-stage vacuum pump is connected between the exhaust gas generation source and the built-in vacuum pump in the exhaust gas abatement / exhaust system. The front-stage vacuum pump can be an external vacuum pump that is externally attached to the abatement apparatus.

前段側に接続される上位ポンプである外付け真空ポンプとして、例えば、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプなどの高真空ポンプを用いることができる。後段側に接続される粗引きポンプである内蔵真空ポンプとして、例えば、二葉式、ルーツ式、スクリュー式、ベーン式、水封式などの回転式真空ポンプを用いることができる。   For example, a high vacuum pump such as a mechanical booster pump or a turbo molecular pump can be used as an external vacuum pump that is a higher-order pump connected to the upstream side. As a built-in vacuum pump that is a roughing pump connected to the rear stage side, for example, a rotary vacuum pump such as a two-leaf type, a roots type, a screw type, a vane type, or a water seal type can be used.

一例として、粗引きポンプである内蔵真空ポンプとしてスクリュー式真空ポンプを使用し、上位ポンプである外付け真空ポンプとしてメカニカルブースターポンプを使用することができる。   As an example, a screw-type vacuum pump can be used as a built-in vacuum pump that is a roughing pump, and a mechanical booster pump can be used as an external vacuum pump that is an upper pump.

また、上位ポンプである外付け真空ポンプを、直列接続された異なる形式の真空ポンプの組み合わせとすることができる。例えば、メカニカルブースターポンプとスクリュー式真空ポンプとを用いることができる。また、直列接続された同一形式の真空ポンプの組み合わせとすることもできる。例えば、2台のメカニカルブースターポンプを用いることができる。   Moreover, the external vacuum pump which is a high-order pump can be a combination of different types of vacuum pumps connected in series. For example, a mechanical booster pump and a screw type vacuum pump can be used. Moreover, it can also be set as the combination of the vacuum pump of the same type connected in series. For example, two mechanical booster pumps can be used.

さらに、直列に接続された複数台の真空ポンプ、すなわち、上位ポンプおよび粗引きポンプが、除害装置とは別置きとなっている従来の一般的な排ガス除害排出システムにおいて、その除害装置の代わりに、本発明による内蔵真空ポンプを備えた除害装置からなる排ガス除害排出システムを接続して用いることができる。既存の排ガス除害排出システムに対して、本発明のシステムを簡単に構築できる。   Furthermore, in a conventional general exhaust gas abatement / exhaust system in which a plurality of vacuum pumps connected in series, that is, a host pump and a roughing pump are separated from the abatement apparatus, the abatement apparatus Instead of this, it is possible to connect and use an exhaust gas abatement system comprising an abatement apparatus equipped with a built-in vacuum pump according to the present invention. The system of the present invention can be easily constructed for an existing exhaust gas abatement system.

このように、従来の一般的な排ガス除害排出システムにおいて、その除害装置の代わりに、本発明のシステム、すなわち、内蔵真空ポンプを備えた除害装置(真空ポンプ内蔵型除害装置)を用いた場合には、外付けの真空ポンプと、本発明の除害装置における内蔵真空ポンプとの間を接続する配管内が、内蔵真空ポンプにより減圧される。よって、配管内の反応生成物付着を少なくすることができ、また、外付けの真空ポンプの消費電力を少なくすることができる。   Thus, in the conventional general exhaust gas abatement / exhaust system, instead of the abatement device, the system of the present invention, that is, the abatement device equipped with the built-in vacuum pump (vacuum pump built-in abatement device). When used, the inside of the pipe connecting the external vacuum pump and the built-in vacuum pump in the detoxifying apparatus of the present invention is decompressed by the built-in vacuum pump. Therefore, reaction product adhesion in the piping can be reduced, and power consumption of the external vacuum pump can be reduced.

本発明を適用した排ガス除害排出システムを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the exhaust gas abatement discharge system to which this invention is applied. 内蔵真空ポンプの一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of a built-in vacuum pump. 本発明の排ガス除害排出システムのシステム構成例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the system structural example of the exhaust gas abatement discharge system of this invention. 一般的な排ガス除害排出システムに本発明を適用した例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example which applied this invention to the general exhaust gas abatement discharge system.

以下に、図面を参照して、本発明を適用した排ガス除害排出システムの実施の形態を説明する。   Embodiments of an exhaust gas abatement / discharge system to which the present invention is applied will be described below with reference to the drawings.

図1は本実施の形態に係る排ガス除害排出システムを示す説明図である。排ガス除害排出システム1は、例えば、半導体製品の製造工場において、半導体製造装置2が設置されているクリーンルーム3のある上の階4と下の階5に設置され、半導体製造装置2の真空排気系を構成する。   FIG. 1 is an explanatory view showing an exhaust gas abatement system according to the present embodiment. The exhaust gas abatement / exhaust system 1 is installed in an upper floor 4 and a lower floor 5 where a clean room 3 in which a semiconductor manufacturing apparatus 2 is installed, for example, in a semiconductor product manufacturing factory. Configure the system.

半導体製造装置2には、半導体ウエハの成膜、エッチングその他のプロセスを行うプロセスチャンバ6が設けられている。排ガス除害排出システム1は、プロセスチャンバ6の排気を行う上位ポンプとして用いるメカニカルブースターポンプ11(外付け真空ポンプ)を備えている。また、排ガス除害排出システム1は、下の階5に設置されたプラズマ式除害装置12を備えている。メカニカルブースターポンプ11の排気口11aと、プラズマ式の除害装置12の吸込口12aの間は、上の階4から下の階5に引き出された排ガス配管13によって接続されている。   The semiconductor manufacturing apparatus 2 is provided with a process chamber 6 for performing film formation, etching, and other processes of a semiconductor wafer. The exhaust gas abatement / exhaust system 1 includes a mechanical booster pump 11 (external vacuum pump) used as an upper pump that exhausts the process chamber 6. The exhaust gas abatement / exhaust system 1 includes a plasma abatement apparatus 12 installed on the lower floor 5. The exhaust port 11a of the mechanical booster pump 11 and the suction port 12a of the plasma type detoxifying device 12 are connected by an exhaust gas pipe 13 drawn from the upper floor 4 to the lower floor 5.

下の階5に設置されているプラズマ式の除害装置12は、例えば直方体形状の装置筐体14を備えている。装置筐体14内には、プラズマ式の排ガス処理部15が内蔵されていると共に、粗引きポンプとして用いる真空ポンプ16(内蔵真空ポンプ)が内蔵されている。排ガス処理部15の吸気口15aと真空ポンプ16の排気口16bとの間は、内部排ガス配管17によって接続されている。プラズマ式の排ガス処理部15は、プラズマ反応器18、出口スクラバ19、これらの下側に配置した廃液回収・循環タンク20等を備えている。   The plasma-type abatement apparatus 12 installed on the lower floor 5 includes, for example, a rectangular parallelepiped apparatus housing 14. In the apparatus housing 14, a plasma type exhaust gas treatment unit 15 is incorporated, and a vacuum pump 16 (built-in vacuum pump) used as a roughing pump is incorporated. The exhaust port 15 a of the exhaust gas treatment unit 15 and the exhaust port 16 b of the vacuum pump 16 are connected by an internal exhaust gas pipe 17. The plasma-type exhaust gas treatment unit 15 includes a plasma reactor 18, an outlet scrubber 19, a waste liquid recovery / circulation tank 20 disposed below these, and the like.

排ガス除害排出システム1の制御系は、除害装置12の制御盤21と、メカニカルブースターポンプ11および真空ポンプ16を集中制御するポンプ集中制御盤22とを中心に構成されている。除害装置12の制御盤21は、装置筐体14に組み付けられており、ポンプ集中制御盤22は、メカニカルブースターポンプ11が搭載されているポンプラック23に搭載されている。   The control system of the exhaust gas abatement / exhaust system 1 is mainly configured by a control panel 21 of the abatement apparatus 12 and a pump centralized control panel 22 that centrally controls the mechanical booster pump 11 and the vacuum pump 16. The control panel 21 of the abatement apparatus 12 is assembled to the apparatus housing 14, and the pump central control panel 22 is mounted on a pump rack 23 on which the mechanical booster pump 11 is mounted.

このように、排ガス除害排出システム1は、除害装置12と、この除害装置12に内蔵された真空ポンプ16と、外付けのメカニカルブースターポンプ11とを備えている。半導体製造装置2のプロセスチャンバ6からメカニカルブースターポンプ11によって真空吸引された排ガスは、排ガス配管13を通って、除害装置12に内蔵の真空ポンプ16に吸引され、ここを介して、排ガス処理部15のプラズマ反応器18に送り込まれる。   As described above, the exhaust gas abatement / exhaust system 1 includes the abatement apparatus 12, the vacuum pump 16 built in the abatement apparatus 12, and the external mechanical booster pump 11. Exhaust gas vacuumed by the mechanical booster pump 11 from the process chamber 6 of the semiconductor manufacturing apparatus 2 passes through the exhaust gas pipe 13 and is sucked by the vacuum pump 16 built in the abatement apparatus 12, and through this, the exhaust gas treatment unit Fifteen plasma reactors 18 are fed.

プラズマ反応器18において、排ガスはプラズマにより酸化熱分解されて無害化される。次に、排ガスは出口スクラバ19でシャワーリングされて、そこに含まれているプラズマ反応器18で分解生成された副生成物が除去されると共に冷却される。次に、排ガスは、不図示の排気ファンを介して、大気中に放出される。プラズマ反応器18の内壁は水壁となっており、通過する排ガス、その反応生成物が直接にプラズマ反応器18に接触しないので、排ガス通過部分の閉塞、腐食劣化が防止される。   In the plasma reactor 18, the exhaust gas is oxidized and decomposed by plasma to be rendered harmless. Next, the exhaust gas is showered at the outlet scrubber 19, and by-products decomposed and generated by the plasma reactor 18 contained therein are removed and cooled. Next, the exhaust gas is released into the atmosphere via an unillustrated exhaust fan. The inner wall of the plasma reactor 18 is a water wall, and the exhaust gas passing through and its reaction product do not directly contact the plasma reactor 18, so that the exhaust gas passage portion is prevented from being blocked and corroded.

排ガス除害排出システム1では、除害装置12に内蔵の真空ポンプ16と、除害装置12に外付けのメカニカルブースターポンプ11とを用いて、排ガスを真空吸引して除害装置12の排ガス処理部15に供給している。内蔵の真空ポンプ16とプラズマ反応器18との間の常圧側の内部排ガス配管17の管長は極めて短い。排ガスの反応生成物が付着堆積して内部排ガス配管17が閉塞してしまうことを回避あるいは抑制できる。   In the exhaust gas abatement / exhaust system 1, the exhaust gas treatment of the abatement apparatus 12 is performed by vacuum suction of the exhaust gas using a vacuum pump 16 built in the abatement apparatus 12 and an external mechanical booster pump 11 in the abatement apparatus 12. It supplies to the part 15. The length of the internal exhaust gas pipe 17 on the atmospheric pressure side between the built-in vacuum pump 16 and the plasma reactor 18 is extremely short. It can be avoided or suppressed that the reaction product of the exhaust gas adheres and accumulates and the internal exhaust gas pipe 17 is blocked.

また、装置筐体14に真空ポンプ16が内蔵されているので、双方のポンプを除害装置12とは別に配置する場合に比べて、排ガス除害排出システム1の所要設置面積が少なくて済む。これに加えて、除害装置12の外側に、除害装置12と真空ポンプ16とを接続する排ガス配管を引き回す場合には、当該排ガス配管の設置スペースが必要である。本例では、装置筐体14内に内部排ガス配管17を配置すればよいので、排ガス配管の引き回しスペースを除害装置12の外側に確保する必要がない。これによっても、排ガス除害排出システム1の設置スペースを従来に比べて少なくできる。   Further, since the vacuum pump 16 is built in the apparatus housing 14, the required installation area of the exhaust gas abatement / exhaust system 1 can be reduced as compared with the case where both pumps are arranged separately from the abatement apparatus 12. In addition to this, when the exhaust gas pipe connecting the abatement apparatus 12 and the vacuum pump 16 is routed outside the abatement apparatus 12, an installation space for the exhaust gas pipe is necessary. In this example, it is only necessary to arrange the internal exhaust gas pipe 17 in the apparatus housing 14, so that it is not necessary to secure a space for the exhaust gas pipe outside the abatement apparatus 12. Also by this, the installation space of the exhaust gas abatement / exhaust system 1 can be reduced as compared with the conventional case.

ここで、除害装置12に内蔵された粗引きポンプとして用いる真空ポンプ16として、ドライポンプを用いることができる。例えば、図2に示すように、相互にかみ合っている一対のスクリューロータを備えた2軸スクリュー式真空ポンプを用いることができる。この場合には、装置筐体14の内部において、プラズマ反応器18の上側の位置に、スクリュー式真空ポンプ16Aを縦置き状態に設置することが望ましい。具体的には、吸気口16aが上端に位置するようにスクリュー式真空ポンプ16Aを縦置き状態に設置する。また、排気口16bが、プラズマ式の排ガス処理部15の吸気口15aと同一あるいは、それよりも高い位置となるようにする。   Here, a dry pump can be used as the vacuum pump 16 used as a roughing pump built in the abatement apparatus 12. For example, as shown in FIG. 2, a twin screw vacuum pump having a pair of screw rotors meshing with each other can be used. In this case, it is desirable to install the screw type vacuum pump 16 </ b> A in a vertically placed state at a position above the plasma reactor 18 in the apparatus housing 14. Specifically, the screw type vacuum pump 16A is installed in a vertical state so that the intake port 16a is located at the upper end. Further, the exhaust port 16b is set at the same position as or higher than the intake port 15a of the plasma type exhaust gas treatment unit 15.

2軸スクリュー式真空ポンプ16Aは、ポンプケーシング31内に形成したポンプ室32に、相互にかみ合っている一対のスクリューロータ33、34を備えている。ポンプケーシング31の上端に吸気口16aが開口しており、ポンプケーシング31の下端部には横方に開口する排気口16bが開口している。排気口16bにはほぼ水平、あるいは僅かに下向きに内部排ガス配管17が接続されている。内部排ガス配管17の他端は、プラズマ反応器18の上端に形成されている吸気口15aに接続されている。プラズマ反応器18は、垂直に配置された筒状の反応器であり、吸気口15aから流れ込む排ガスはプラズマ反応器18を上から下に向けて流れる。   The biaxial screw type vacuum pump 16 </ b> A includes a pair of screw rotors 33 and 34 that mesh with each other in a pump chamber 32 formed in a pump casing 31. An intake port 16 a is opened at the upper end of the pump casing 31, and an exhaust port 16 b that opens laterally is opened at the lower end portion of the pump casing 31. An internal exhaust pipe 17 is connected to the exhaust port 16b substantially horizontally or slightly downward. The other end of the internal exhaust gas pipe 17 is connected to an intake port 15 a formed at the upper end of the plasma reactor 18. The plasma reactor 18 is a cylindrical reactor arranged vertically, and the exhaust gas flowing from the intake port 15a flows from the top to the bottom of the plasma reactor 18.

縦置きのスクリュー式真空ポンプ16Aを用いた場合において、その内部の洗浄は、上端の吸気口16aから洗浄液を流すことによって行われる。洗浄液は、上端の吸気口16aからポンプ室32内を上から下に流れ落ちて付着物等を洗い流し、下端の排気口16bから内部排ガス配管17に流れ出る。そして、内部排ガス配管17からプラズマ反応器18の上端の吸気口15aからプラズマ反応器18に流れ込み、その中を流れ落ちて、内部排ガス配管17の内周面等に付着している異物を洗い流す。プラズマ反応器18を流れ落ちた洗浄液は、その下側に配置されている廃液回収・循環タンク20に回収されるので、ここから外部に排出させることができる。このように、スクリュー式真空ポンプ16Aの内部、内部排ガス配管17およびプラズマ反応器18の内部の洗浄を、吸気口16aから洗浄液を流すことによって、簡単に行うことができる。   In the case where the vertically installed screw type vacuum pump 16A is used, cleaning of the inside thereof is performed by flowing a cleaning liquid from the upper inlet 16a. The cleaning liquid flows down from the top to the bottom of the pump chamber 32 from the upper intake port 16a to wash away the deposits and the like, and flows out from the lower exhaust port 16b to the internal exhaust gas pipe 17. Then, it flows into the plasma reactor 18 from the intake port 15a at the upper end of the plasma reactor 18 from the internal exhaust gas pipe 17 and flows down there to wash away foreign substances adhering to the inner peripheral surface of the internal exhaust gas pipe 17 and the like. The cleaning liquid that has flowed down the plasma reactor 18 is recovered in the waste liquid recovery / circulation tank 20 disposed below, so that it can be discharged to the outside. As described above, the inside of the screw type vacuum pump 16A, the internal exhaust gas pipe 17 and the inside of the plasma reactor 18 can be easily cleaned by flowing the cleaning liquid from the intake port 16a.

図3は、本発明の排ガス除害排出システムのシステム構成例を示す説明図である。図3(a)に示すシステム構成例1Aは図1に示す排ガス除害排出システム1の場合を示し、真空排気系を構成する真空ポンプとして、上位ポンプとして用いる外付けのメカニカルブースターポンプ11と、粗引きポンプとして用いる除害装置12に内蔵の真空ポンプ16とを備えている。   FIG. 3 is an explanatory diagram showing a system configuration example of the exhaust gas abatement / discharge system of the present invention. A system configuration example 1A shown in FIG. 3A shows the case of the exhaust gas abatement / exhaust system 1 shown in FIG. 1, and an external mechanical booster pump 11 used as an upper pump as a vacuum pump constituting the vacuum exhaust system, A detoxifying device 12 used as a roughing pump is provided with a built-in vacuum pump 16.

図3(b)に示すシステム構成例1Bでは、真空ポンプとして、上位ポンプとして用いる直列接続された2台のメカニカルブースターポンプ11A、11Bと、粗引きポンプとして用いる除害装置12に内蔵の真空ポンプ16とを備えている。外付けの真空ポンプとして、メカニカルブースターポンプ以外の真空ポンプを複数台配置することも可能である。   In the system configuration example 1B shown in FIG. 3B, as a vacuum pump, two mechanical booster pumps 11A and 11B connected in series used as a high-order pump and a vacuum pump built in the abatement apparatus 12 used as a roughing pump are used. 16. As an external vacuum pump, a plurality of vacuum pumps other than the mechanical booster pump can be arranged.

図3(c)に示すシステム構成例1Cでは、真空ポンプとして、上位ポンプとして用いる直列接続されたメカニカルブースターポンプ11Cおよびスクリュー式真空ポンプ11Dと、粗引きポンプとして用いる除害装置12に内蔵の真空ポンプ16とを備えている。外付けの真空ポンプとして、メカニカルブースターポンプとスクリュー式真空ポンプの組み合わせ以外の異種形式の真空ポンプの組み合わせを用いることもできる。   In the system configuration example 1C shown in FIG. 3C, a vacuum built in the mechanical booster pump 11C and the screw type vacuum pump 11D connected in series used as the upper pump and the abatement apparatus 12 used as the roughing pump as the vacuum pump. And a pump 16. As an external vacuum pump, a combination of different types of vacuum pumps other than the combination of a mechanical booster pump and a screw type vacuum pump can be used.

なお、図3(d)に示すシステム構成例1Dに示すように、場合によっては、外付けの真空ポンプを用いることなく、真空ポンプ16が内蔵されている除害装置12を、直接に、排ガス発生元である半導体製造装置などの装置のプロセスチャンバ6に接続して用いることも可能である。なお、半導体製造装置などの装置内に、ターボ分子ポンプ(TMP)が配置され、プロセスチャンバ6の真空引きが、ターボ分子ポンプおよび真空ポンプ16を介して行われることもある。   In addition, as shown in the system configuration example 1D shown in FIG. 3D, in some cases, without using an external vacuum pump, the abatement apparatus 12 with the built-in vacuum pump 16 is directly connected to the exhaust gas. It is also possible to connect to the process chamber 6 of an apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus that is a generation source. Note that a turbo molecular pump (TMP) is disposed in an apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus, and the process chamber 6 may be evacuated via the turbo molecular pump and the vacuum pump 16.

次に、図4は、一般的な排ガス除害排出システムに対して、本発明を適用して構築した排ガス除害排出システムを示す説明図である。排ガス除害排出システム1Eは、排ガス発生元の半導体製造装置などの製造装置が設置される階4の下の階5に設置された除害装置12と、別置きの真空ポンプ11Eとを備えている。除害装置12には真空ポンプ16が内蔵されている。真空ポンプ11Eは、直列接続されたメカニカルブースターポンプ41および真空ポンプ42から構成されている。なお、半導体製造装置等の装置内に、ターボ分子ポンプが配置され、ターボ分子ポンプを介して、装置内のプロセスチャンバと別置きの真空ポンプ11Eとが接続される構成の場合もある。   Next, FIG. 4 is an explanatory view showing an exhaust gas abatement / exhaust system constructed by applying the present invention to a general exhaust gas abatement / discharge system. The exhaust gas abatement / exhaust system 1E includes an abatement apparatus 12 installed on a floor 5 below a floor 4 where a manufacturing apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus that generates exhaust gas is installed, and a separate vacuum pump 11E. Yes. The abatement device 12 has a built-in vacuum pump 16. The vacuum pump 11E includes a mechanical booster pump 41 and a vacuum pump 42 connected in series. In some cases, a turbo molecular pump is disposed in an apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus, and a process chamber in the apparatus and a separate vacuum pump 11E are connected via the turbo molecular pump.

この構成の排ガス除害排出システム1Eは、既存の除害装置の代わりに、本発明による真空ポンプ内蔵型の除害装置12を用いることにより構築できる。また、真空ポンプ42と除害装置12との間を接続している排ガス配管13Eの内部は、除害装置12に内蔵の真空ポンプ16により減圧される。したがって、反応生成物の配管内での生成を少なくすることができ、排ガス配管13Eの保守点検作業が軽減される。また、真空ポンプ11Eの消費電力を少なくすることができる。   The exhaust gas abatement / exhaust system 1E having this configuration can be constructed by using the vacuum pump built-in abatement apparatus 12 according to the present invention instead of the existing abatement apparatus. Further, the inside of the exhaust gas pipe 13 </ b> E connecting the vacuum pump 42 and the abatement apparatus 12 is decompressed by the vacuum pump 16 built in the abatement apparatus 12. Therefore, the production | generation in the piping of a reaction product can be decreased, and the maintenance inspection work of the exhaust gas piping 13E is reduced. Moreover, the power consumption of the vacuum pump 11E can be reduced.

1 排ガス除害排出システム
1A、1B、1C、1D システム構成
1E 排ガス除害排出システム
2 半導体製造装置
3 クリーンルーム
4 上の階
5 下の階
6 プロセスチャンバ
11、11A、11B、11C、41 メカニカルブースターポンプ
11E、42 真空ポンプ
11a 排気口
12 除害装置
12a 吸込口
13、13E 排ガス配管
14 装置筐体
15 排ガス処理部
15a 吸気口
16 真空ポンプ
16A スクリュー式真空ポンプ
16a 吸気口
16b 排気口
17 内部排ガス配管
18 プラズマ反応器
19 出口スクラバ
20 廃液回収・循環タンク
21 制御盤
22 ポンプ集中制御盤
23 ポンプラック
31 ポンプケーシング
32 ポンプ室
33、34 スクリューロータ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Exhaust gas elimination system 1A, 1B, 1C, 1D System configuration 1E Exhaust gas elimination system 2 Semiconductor manufacturing device 3 Clean room 4 Upper floor 5 Lower floor 6 Process chamber 11, 11A, 11B, 11C, 41 Mechanical booster pump 11E, 42 Vacuum pump 11a Exhaust port 12 Detoxifying device 12a Suction port 13, 13E Exhaust gas pipe 14 Device housing 15 Exhaust gas processing part 15a Inlet port 16 Vacuum pump 16A Screw type vacuum pump 16a Inlet port 16b Exhaust port 17 Internal exhaust gas tube 18 Plasma reactor 19 Outlet scrubber 20 Waste liquid recovery / circulation tank 21 Control panel 22 Centralized pump control panel 23 Pump rack 31 Pump casing 32 Pump chambers 33 and 34 Screw rotor

Claims (8)

処理対象の排ガスを無害化する排ガス処理部を備えた除害装置と、
前記排ガスを真空吸引して前記排ガス処理部に供給する真空ポンプと
を有しており、
前記真空ポンプは前記除害装置に内蔵されている内蔵真空ポンプである排ガス除害排出システム。
A detoxification device having an exhaust gas treatment unit for detoxifying the exhaust gas to be treated;
A vacuum pump that vacuum sucks the exhaust gas and supplies the exhaust gas to the exhaust gas treatment unit,
The exhaust gas abatement / exhaust system, wherein the vacuum pump is a built-in vacuum pump built in the abatement apparatus.
請求項1において、
前記除害装置はプラズマ式の除害装置であり、前記排ガス処理部は、プラズマ反応器、および、その下側に配置された廃液回収・循環タンクを備えており、
前記内蔵真空ポンプは、その吸気口が上端に位置するように縦置き状態で設置されたスクリュー式真空ポンプであり、
前記スクリュー式真空ポンプの排気口は、前記プラズマ反応器の吸気口と同一あるいは高い位置に配置されている排ガス除害排出システム。
In claim 1,
The detoxification device is a plasma type detoxification device, and the exhaust gas treatment unit includes a plasma reactor, and a waste liquid recovery / circulation tank disposed below the plasma reactor,
The built-in vacuum pump is a screw-type vacuum pump installed in a vertically placed state so that the intake port is located at the upper end,
The exhaust port of the screw type vacuum pump is an exhaust gas abatement / exhaust system arranged at the same position as or higher than the intake port of the plasma reactor.
請求項1において、さらに、
前記排ガスを真空吸引して前記内蔵真空ポンプに供給する前段側の真空ポンプを有しており、
前記前段側の真空ポンプは、前記除害装置に外付けされている外付け真空ポンプである排ガス除害排出システム。
The claim 1, further comprising:
Having a vacuum pump on the front side for vacuum suction of the exhaust gas and supplying it to the built-in vacuum pump;
The exhaust gas abatement / discharge system, wherein the front-stage vacuum pump is an external vacuum pump externally attached to the abatement apparatus.
請求項3において、
前記内蔵真空ポンプはスクリュー式真空ポンプであり、
前記外付け真空ポンプはメカニカルブースターポンプである排ガス除害排出システム。
In claim 3,
The built-in vacuum pump is a screw type vacuum pump,
The external vacuum pump is an exhaust gas abatement system that is a mechanical booster pump.
請求項4において、
前記除害装置はプラズマ式の除害装置であり、前記排ガス処理部は、プラズマ反応器、および、その下側に配置された廃液回収・循環タンクを備えており、
前記内蔵真空ポンプは、その吸気口が上端に位置するように縦置き状態で設置されたスクリュー式真空ポンプであり、
前記スクリュー式真空ポンプの排気口は、前記プラズマ反応器の吸気口と同一あるいは高い位置に配置されている排ガス除害排出システム。
In claim 4,
The detoxification device is a plasma type detoxification device, and the exhaust gas treatment unit includes a plasma reactor, and a waste liquid recovery / circulation tank disposed below the plasma reactor,
The built-in vacuum pump is a screw-type vacuum pump installed in a vertically placed state so that the intake port is located at the upper end,
The exhaust port of the screw type vacuum pump is an exhaust gas abatement / exhaust system arranged at the same position as or higher than the intake port of the plasma reactor.
請求項3において、
前記外付け真空ポンプとして、直列に接続された複数台の真空ポンプを備えている排ガス除害排出システム。
In claim 3,
An exhaust gas abatement / discharge system comprising a plurality of vacuum pumps connected in series as the external vacuum pump.
請求項6において、
前記外付け真空ポンプとして、メカニカルブースターポンプとスクリュー式真空ポンプとを備えている排ガス除害排出システム。
In claim 6,
An exhaust gas abatement / discharge system comprising a mechanical booster pump and a screw type vacuum pump as the external vacuum pump.
請求項6において、
前記外付け真空ポンプとして、複数台のメカニカルブースターポンプを備えている排ガス除害排出システム。
In claim 6,
An exhaust gas abatement system comprising a plurality of mechanical booster pumps as the external vacuum pump.
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