JP2018041565A

JP2018041565A - 表示装置

Info

Publication number: JP2018041565A
Application number: JP2016173039A
Authority: JP
Inventors: 俊哲馬; Chunche Ma
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2016-09-05
Filing date: 2016-09-05
Publication date: 2018-03-15
Also published as: US10032837B2; US20180069062A1

Abstract

【課題】光取り出し効率を向上させた表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、画素ごとに基板上に形成された有機発光素子と、画素の境界に沿って形成され、有機発光素子の発光面の位置に開口部４０ａを有するバンク４０と、発光面が存在する底面と当該底面から立ち上がるバンク４０の側壁部とからなる開口部４０ａの内面に沿って形成された封止膜４３と、封止膜４３上に積層され開口部４０ａを覆う透光膜と、を有する。バンク４０の側壁部は、基板の表面に対する傾斜が第１の角度である第１側壁部４０ｂと、基板からの高さが第１側壁部４０ｂよりも高く、かつ傾斜が第２の角度である第２側壁部４０ｃとを含む。第２の角度は第１の角度よりも大きく、透光膜の屈折率は、当該透光膜に接する封止膜４３の屈折率よりも小さい。【選択図】図５

Description

本発明は各画素に有機発光素子を有し、画素間にバンクが形成された表示装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence：ＥＬ）表示装置は例えば、ガラスや樹脂フィルムからなるアレイ基板に画素回路、有機発光ダイオード（Organic Light-Emitting Diode：ＯＬＥＤ）、封止膜などが積層された構造を備える。封止膜の上には、例えば、接着剤などにより表示面保護膜が貼り合わせられる。

ＯＬＥＤは画素ごとに形成され、画素間の隔壁としてバンクが画素の境界に形成される。ＯＬＥＤは下部電極、有機層及び上部電極を含んで構成される。下部電極及び上部電極はそれぞれＯＬＥＤのアノード電極（陽極）、カソード電極（陰極）を構成する。上部電極は表示領域全体の画素に共通に形成され、駆動部から共通電圧を印加される。一方、下部電極は画素ごとに形成される。バンクは画素間に絶縁層で形成され、下部電極間を電気的に分離する。

特開２００４−２８８４４７号公報

封止膜はＯＬＥＤの上に積層される。封止膜は防湿機能を有し、その上の接着剤などからＯＬＥＤへの水分の浸入を防ぎ、ＯＬＥＤの特性劣化を防止する。封止膜はシリコン窒化物などを用いて形成される。

有機ＥＬ表示装置においても他の表示装置と同様、表示画像の高精細化が図られている。画素領域は高精細化に伴い縮小し、ＯＬＥＤの発光面積も小さくなる。そのため、各画素にてＯＬＥＤからの光の取り出し効率を向上させることが望まれる。

ここで、ＯＬＥＤは、表示装置の表示面の法線方向に光を出射するだけでなく、当該法線方向からずれた方向、つまり斜め方向にも光を出射する。このＯＬＥＤから斜め方向に出射された光は表示面側に取り出せない場合があり、表示装置の光取り出し効率が十分でない場合があった。具体的には、斜めに出射した光はバンクに入射し得、バンクに入射した光はバンクとその上の層との界面で反射して、バンクから表示面側へ出ることができない場合がある。

そこで、本発明は、光取り出し効率を向上させた表示装置の提供を目的とする。

（１）本発明に係る表示装置は、画素ごとに基板上に形成された有機発光素子と、前記画素の境界に沿って形成され、前記有機発光素子の発光面の位置に開口部を有するバンクと、前記発光面が存在する底面と当該底面から立ち上がる前記バンクの側壁部とからなる前記開口部の内面に沿って形成された封止膜と、前記封止膜上に積層され前記開口部を覆う透光膜と、を有し、前記バンクの側壁部は、前記基板の表面に対する傾斜が第１の角度である第１側壁部と、前記基板からの高さが前記第１側壁部よりも高く、かつ前記傾斜が第２の角度である第２側壁部とを含み、前記第２の角度は前記第１の角度よりも大きく、前記透光膜の屈折率は、当該透光膜に接する前記封止膜の屈折率よりも小さい。

（２）他の本発明に係る表示装置は、画素ごとに基板上に形成された有機発光素子と、前記画素の境界に沿って形成され、前記有機発光素子の発光面の位置に開口部を有するバンクと、前記発光面が存在する底面と当該底面から立ち上がる前記バンクの側壁部とからなる前記開口部の内面に沿って形成された封止膜と、前記封止膜上に積層され前記開口部を覆う透光膜と、を有し、前記基板の表面を基準とした前記バンクの側壁部の傾斜角度は、前記側壁部の下端より上端にて大きく、かつ前記下端から前記上端へ向けて広義単調増加し、前記透光膜の屈折率は、当該透光膜に接する前記封止膜の屈折率よりも小さい。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の模式的な斜視図である。本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式的な平面図である。本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の各画素の回路図である。本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の垂直断面構造を示す模式的な部分断面図である。１つの開口部におけるＯＬＥＤから上の構造を示す模式的な垂直断面図である。

以下に、本発明の実施の形態（以下実施形態という。）について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を示す模式的な斜視図である。有機ＥＬ表示装置１は、ガラス又は可撓性を有する素材からなるアレイ基板２上に、複数の画素が配置された表示領域３が形成されている。これら複数の画素を制御するための駆動回路（図示せず）がアレイ基板２上に形成されていてもよい。また、複数の画素を制御するための信号や電力は、フレキシブルプリント基板（Flexible Print Circuit：ＦＰＣ）４を介して入力される。ＦＰＣ４は、アレイ基板２上に形成された端子（図示せず）上に圧着され、電気的に接続される。表示領域３を保護するために、表示面保護膜５、又は対向基板が設けられていてもよい。

図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略の構成を示す模式的な平面図である。また、図３は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の各画素の回路図である。有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板２の表示領域３にマトリクス状に設けられた各画素に設けられるＯＬＥＤの発光を制御装置１１、走査線駆動回路１２及び映像線駆動回路１３によって制御し、画像を表示する。

走査線駆動回路１２は画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線１４に接続されている。映像線駆動回路１３は画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線１５に接続されている。

各画素の回路は、画素トランジスタＳＳＴ、駆動トランジスタＤＲＴ及び保持容量Ｃｓを含み、走査信号線１４及び映像信号線１５に接続され、それら信号線から供給される信号に応じて当該画素のＯＬＥＤの発光が制御される。ちなみに、画素トランジスタＳＳＴ、駆動トランジスタＤＲＴはアレイ基板２上に形成される薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）である。

画素トランジスタＳＳＴのゲートは走査信号線１４に電気的に接続される。各画素行の走査信号線１４は当該画素行に並ぶ複数の画素トランジスタＳＳＴのゲートに共通に接続される。画素トランジスタＳＳＴのソース又はドレインの一方は映像信号線１５に電気的に接続され、他方は駆動トランジスタＤＲＴのゲートに電気的に接続される。各画素列の映像信号線１５は当該画素列に並ぶ複数の画素トランジスタＳＳＴに共通に接続される。駆動トランジスタＤＲＴは、例えばｎ型チャネルの電界効果トランジスタであり、ソースがＯＬＥＤの陽極に電気的に接続され、ドレインが電源線１６に電気的に接続される。ＯＬＥＤの陰極は、接地電位又は負電位に固定され、電源線１６にはＯＬＥＤの陰極電位との間に正電圧を生じる電位が供給される。

走査線駆動回路１２は制御装置１１から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線１４を順番に選択し、選択した走査信号線１４に、画素トランジスタＳＳＴをオンする電圧を印加する。

映像線駆動回路１３は制御装置１１から映像信号を入力され、走査線駆動回路１２による走査信号線１４の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線１５に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて画素トランジスタＳＳＴを介して保持容量Ｃｓに書き込まれる。駆動トランジスタＤＲＴは書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤに供給し、これにより、選択された走査信号線１４に対応する画素のＯＬＥＤが発光する。

ここでは、画素を構成するトランジスタとして、画素トランジスタＳＳＴ及び駆動トランジスタＤＲＴを開示しているが、さらに他の機能を有するトランジスタが含まれていても良い。

なお、図２において、走査線駆動回路１２及び映像線駆動回路１３は、別々のブロックとして図示されているが、１つのＩＣ（Integrated Circuit）に組み込まれていてもよいし、３箇所以上に分かれて形成されてもよい。ＩＣに組み込まれる場合は、アレイ基板２上に実装されてもよいし、図１で示したＦＰＣ上に実装されてもよい。

図４は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の画素の垂直断面構造を示す模式的な部分断面図である。

アレイ基板２は樹脂又はガラスからなる。アレイ基板２は、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有するフィルムなどを用いる事もできる。アレイ基板２には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート層２１が形成される。アンダーコート層２１は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等からなり、それらの積層構造であっても良い。

アンダーコート層２１の上には半導体層２２が積層され、当該半導体層２２により画素回路のＴＦＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域が形成される。図４に現れる半導体層２２は駆動トランジスタＤＲＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域に対応する。半導体層２２の形成後、シリコン酸化物等でゲート絶縁膜２３が形成され、その上に積層した金属層をパターニングしてＴＦＴのゲート電極２４や配線２５が形成される。

ゲート電極２４等を覆って、層間絶縁膜として例えばシリコン窒化膜２６及びシリコン酸化膜２７が順次積層される。この層間絶縁膜の上には金属からなる配線層２８が形成され、配線層２８を用いてＴＦＴのソース電極２９及びドレイン電極３０が形成される。ソース電極２９及びドレイン電極３０は、ゲート絶縁膜２３、シリコン窒化膜２６及びシリコン酸化膜２７を貫通するコンタクトホールを介して、ＴＦＴの半導体層２２に電気的に接続する。

シリコン酸化膜２７及び配線層２８を覆って、平坦化膜３１が積層される。平坦化膜３１は絶縁性材料で形成され、その絶縁表面上にＯＬＥＤの下部電極３２が設けられる。平坦化膜３１としては感光性アクリル樹脂等の有機材料が多く用いられる。例えば、下部電極３２は図３のＯＬＥＤの陽極に相当し、複数の単位画素（サブピクセル）それぞれに対応するように構成された複数の画素電極である。平坦化膜３１は基本的に下部電極３２が設けられる面が平坦になるように形成される。

下部電極３２は、平坦化膜３１を貫通するコンタクトホールを介して、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極２９に電気的に接続される。

平坦化膜３１及び下部電極３２の上に、絶縁材料からなるバンク４０が形成される。バンク４０は、画素の境界に沿って形成され、ＯＬＥＤの発光面の位置に開口部４０ａを有する。具体的には、バンク４０は下部電極３２の端部を覆う一方、下部電極３２の一部（例えば中央部）を露出する開口部４０ａを有する。バンク４０の開口部４０ａの底部には、発光層を含む有機層４１が形成される。有機層４１は開口部４０ａの底面を覆うように形成される。なおここでは、有機層４１は開口部４０ａの底部のみを覆うように形成されているが、隣り合う画素の開口部４０ａにかからない限りは、開口部４０ａの側壁部又はバンク４０の上面の一部まで延在しても良い。

また、バンク４０の開口部４０ａの内面に沿ってＯＬＥＤの上部電極４２が形成される。具体的には、開口部４０ａの底面においては有機層４１の上面に被着され、開口部４０ａの側面においてはバンク４０の側壁部に被着される。上部電極４２は図３のＯＬＥＤの陰極に相当する。上部電極４２は表示領域３の全体の画素に亘る共通電極とすることができる。具体的には、上部電極４２は開口部４０ａの内面と、バンク４０の上面とに連続した膜として形成される。なお、上部電極４２は有機層４１から出射される光を透過する材料で形成される。例えば、上部電極４２は酸化インジウム・スズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ）などの透明導電材で形成される。あるいは、マグネシウム、銀、あるいはそれらの合金等の金属層を、光が透過する程度の膜厚、具体的には数ｎｍ〜数十ｎｍの厚さで形成しても良い。

下部電極３２、有機層４１及び上部電極４２からなるＯＬＥＤが形成された表示領域３に、ＯＬＥＤの水分による劣化を防止する封止膜４３が形成される。すなわち、封止膜４３は、ＯＬＥＤの発光面が存在する底面と当該底面から立ち上がるバンク４０の側壁部とからなる開口部４０ａの内面に沿って形成される。また、本実施形態では、封止膜４３はバンク４０の上面も覆う。本実施形態では、共通電極である上部電極４２が基本的に表示領域３の全体に亘り形成されており、封止膜４３は上部電極４２の上に積層される。

封止膜４３の上には、例えば、接着剤などからなり透明である透光膜４４を介して表示面保護膜５又は対向基板が貼り合わせられる。透光膜４４は開口部４０ａを覆うと共に、本実施形態では、バンク４０が形成された画素境界領域にも存在し、基本的に表示領域３の全体に連続して設けられる。

図５は１つの開口部４０ａにおけるＯＬＥＤから上の構造を示す模式的な垂直断面図であり、図５を用いてＯＬＥＤで発生した光の出射に関して説明する。

図５には、ＯＬＥＤの有機層４１から出射された光を矢印により模式的に示している。ＯＬＥＤからの光の出射方向はＯＬＥＤの発光面に対して垂直とは限らず、光は垂直方向から傾いた方向にも出射し得る。そのため、開口部４０ａの側面に入射する光が生じ得る。そこで、特許文献１に示されるように、屈折率の大きい媒質から小さい媒質へ向かう光に対する媒質境界面での全反射を利用して、開口部４０ａの側面に光を反射する機能を持たせる。例えば、バンクの側壁部の表面にバンクよりも屈折率が大きい層を設けて全反射が起こり得るようにして、側面に到達した光のバンク内への入射を阻止し、表示面からの光の取り出し効率の向上を図る。

本実施形態では、バンク４０の屈折率をｎ_Ｂ、上部電極４２の屈折率をｎ_Ｅ、封止膜４３の屈折率をｎ_Ｓと表すと、ｎ_Ｂ＜ｎ_Ｅ＜ｎ_Ｓとなるように構成し、ＯＬＥＤから開口部４０ａの側面に入射した光に全反射が起こり得るようにしている。具体的には、バンク４０はポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、シリコン樹脂などの材料で形成される。バンク４０に用いられる多くの材料の可視光の屈折率は１．９未満であり、１．５〜１．６程度のものが多い。一方、上部電極４２に用いられるＩＴＯやＩＺＯの屈折率は、その組成、成膜方法、結晶構造等により異なるが、ＩＴＯの屈折率はおよそ１．７〜２．３、ＩＺＯの屈折率はおよそ１．９〜２．４であり、高い屈折率を有する。また、封止膜４３はシリコン窒化物（ＳｉＮ）又はシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）で形成され、それらの屈折率は約２．０である。よって、ｎ_Ｂ＜ｎ_Ｅ＜ｎ_Ｓとなるように材料を選択することは可能である。

しかし、開口部４０ａの側面に反射機能を持たせても、当該側面への入射角が臨界角未満である光は反射せずバンク４０内へ漏れ出る。本発明は、開口部４０ａの側面に反射機能を持たせた場合においても生じるバンク４０内への光の漏れ出しを低減し、表示面からの光の取り出し効率の一層の向上を図る。以下、本実施形態における本発明の特徴事項を説明する。

特徴事項の１つとして、封止膜４３の表面に積層される透光膜４４を封止膜４３よりも屈折率が小さい材料で形成する。これにより、封止膜４３と透光膜４４との間に、封止膜４３から透光膜４４へ向かう光に対して全反射を起こし得る境界面（以下、これを上側反射面５０と称する。）が形成される。一方、上述のように、封止膜４３の上部電極４２側にも全反射を起こし得る境界面（以下、これを下側反射面５１と称する。）が設けられている。すなわち、封止膜４３は光導波路として機能し、開口部４０ａの底面にてＯＬＥＤから封止膜４３に斜めに入射した光を、開口部４０ａの底面から側面へ、さらに開口部４０ａの側面に沿って上方へ進行させて表示面から出射させることを可能とする。例えば、図５に示す光線５２は直進すると開口部４０ａの側面にて下側反射面５１に臨界角未満で入射し、バンク４０内への漏れ出し光５３となり得るが、本実施形態では光線５２は上側反射面５０と下側反射面５１とで反射され、表示面からの出射光５４となり得る。

透光膜４４は例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、シリコン樹脂などの有機樹脂材料で形成される。なお、ＯＬＥＤから封止膜４３に入射した光のうち、図５に示す光線５５のように上側反射面への入射角が臨界角未満となる成分は、透光膜４４に入射し、透光膜４４を通過して表示面からの出射光５６となり得る。

もう１つの特徴事項は、バンク４０の側壁部の傾斜がバンク４０の下端から上端へ向けて徐々に大きくなることである。ここで、アレイ基板２の表面を水平面と定義し、アレイ基板２上の積層構造における面の傾斜の大きさは当該水平面に対する角度で定義する。

封止膜４３からなる光導波路は、光ファイバーにおける曲げ損失と同様、曲率が大きい部分では光の漏れ出しを生じやすくなる。ここで、ＯＬＥＤの発光面積、つまり開口部４０ａの底面を狭くしないで画素を微細化するには、バンク４０の側壁部の傾斜を大きくして開口部４０ａの上端開口が広がらないようにする必要がある。そのため、開口部４０ａの基本的に水平である底部と傾斜が大きい上端部とでの下側反射面の向きの差は比較的大きくなり得る。しかし、本発明では、開口部４０ａの底部と上端部との間にて下側反射面の向きの変化が分散されることで、バンク４０への光の漏れ出しが少なくなり得る。

本実施形態のバンク４０の側壁部は、水平面に対する角度、つまり傾斜が第１の角度θ_１である第１側壁部４０ｂと、第１側壁部４０ｂよりも高い位置にあり、かつ傾斜がθ_１よりも大きい第２の角度θ_２である第２側壁部４０ｃとを含む。例えば、第１側壁部４０ｂと第２側壁部４０ｃとは高さ方向に連続して位置する。また、例えば、θ_１は３０°以下であり、θ_２は６５°以上９０°未満に設定される。なお、有機ＥＬ表示装置１における高さは、図４及び図５において上方向、つまりアレイ基板２から表示面保護膜５又は対向基板への向きに測るものとする。

バンク４０は例えば、第１側壁部４０ｂを有する第１バンク層と第２側壁部４０ｃを有する第２バンク層とを順次積層して形成することができる。例えば、下部電極３２を形成した表示領域３に感光性樹脂を塗布等により成膜し、フォトリソグラフィ技術により第１バンク層を形成する。しかる後、再び感光性樹脂を塗布等により成膜し、フォトリソグラフィ技術により第２バンク層を形成する。第１側壁部４０ｂの傾斜した側面は、露光マスクを用いて感光性樹脂膜のうち第１バンク層を形成する個所を選択的に露光し硬化させる際に傾斜露光を行うことで形成可能である。また第２側壁部４０ｃも同様にして形成可能である。

なお、第１バンク層と第２バンク層とは異なる材料で形成しても良い。また、バンク４０に設けられる側面の傾斜が異なる側壁部は３つ以上であってもよい。バンク４０を構成するｍ個（ｍは３以上の自然数である。）の側壁部を下から順番に第ｋ側壁部（ｋは１≦ｋ≦ｍなる自然数である。）とし、それらの側面の傾斜角度をθ_ｋとすると、ｍ−１以下の任意の自然数ｋについてθ_ｋ＜θ_ｋ＋１となるように構成される。

一般には、側壁部は、傾斜角度が側壁部の下端より上端にて大きく、かつ側壁部の下端から上端へ向けて広義単調増加する形状とすることができる。例えば、バンク４０の側壁部は、傾斜角度が連続的に変化する部分を含んでいてもよい。なお、広義単調増加は値が変化しない場合を含むが、ここでは傾斜角度が側壁部の下端より上端にて大きいという条件により、傾斜角度が下端から上端までの間において変化しない場合は除かれる。一方、下端から上端までの範囲の一部にて傾斜角度が変化しない場合は含まれる。この一般の場合においてもバンク４０の側壁部の下端における傾斜角度は３０°以下とすることができる。

また、上述の実施形態では封止膜４３の表面に積層される低屈折率の透光膜４４は、表示面保護膜５を接着するための層としたが、透光膜４４は接着のための層である必要はなく、例えば、封止膜４３と接着剤からなる層との間に別途、低屈折率の透光膜４４を形成しても良い。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１有機ＥＬ表示装置、２アレイ基板、３表示領域、４ＦＰＣ、５表示面保護膜、１１制御装置、１２走査線駆動回路、１３映像線駆動回路、１４走査信号線、１５映像信号線、１６電源線、２１アンダーコート層、２２半導体層、２３ゲート絶縁膜、２４ゲート電極、２５配線、２６シリコン窒化膜、２７シリコン酸化膜、２８配線層、２９ソース電極、３０ドレイン電極、３１平坦化膜、３２下部電極、４０バンク、４０ａ開口部、４０ｂ第１側壁部、４０ｃ第２側壁部、４１有機層、４２上部電極、４３封止膜、４４透光膜。

Claims

画素ごとに基板上に形成された有機発光素子と、
前記画素の境界に沿って形成され、前記有機発光素子の発光面の位置に開口部を有するバンクと、
前記発光面が存在する底面と当該底面から立ち上がる前記バンクの側壁部とからなる前記開口部の内面に沿って形成された封止膜と、
前記封止膜上に積層され前記開口部を覆う透光膜と、を有し、
前記バンクの側壁部は、前記基板の表面に対する傾斜が第１の角度である第１側壁部と、前記基板からの高さが前記第１側壁部よりも高く、かつ前記傾斜が第２の角度である第２側壁部とを含み、
前記第２の角度は前記第１の角度よりも大きく、
前記透光膜の屈折率は、当該透光膜に接する前記封止膜の屈折率よりも小さいこと、
を特徴とする表示装置。
前記第１の角度は３０°以下であり、
前記第２の角度は６５°以上９０°未満であることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
画素ごとに基板上に形成された有機発光素子と、
前記画素の境界に沿って形成され、前記有機発光素子の発光面の位置に開口部を有するバンクと、
前記発光面が存在する底面と当該底面から立ち上がる前記バンクの側壁部とからなる前記開口部の内面に沿って形成された封止膜と、
前記封止膜上に積層され前記開口部を覆う透光膜と、を有し、
前記基板の表面を基準とした前記バンクの側壁部の傾斜角度は、前記側壁部の下端より上端にて大きく、かつ前記下端から前記上端へ向けて広義単調増加し、
前記透光膜の屈折率は、当該透光膜に接する前記封止膜の屈折率よりも小さいこと、
を特徴とする表示装置。
前記バンクの側壁部の下端における前記傾斜角度は３０°以下であることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
前記透光膜は有機樹脂材料を含み、
前記透光膜に接する前記封止膜は、シリコン窒化物又はシリコン酸窒化物を含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の表示装置。