JP2017208371A - 回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】柔軟性を有し、且つ優れた信号伝送特性を有する回路基板を実現する。【解決手段】回路基板１は、フレキシブル基板１０及びフレキシブル基板２０を含む。フレキシブル基板１０は、ベース層１１、及びその面１１ａ上に設けられ方向Ｓに延在された信号配線１２を有する。その面１１ａに対向してフレキシブル基板２０が設けられる。フレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０とは、それらの端部２に介在された接着層３０で接着される。フレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０との間の非接着部３には、フレキシブル基板１０の信号配線１２上に実装されたチップコンデンサ４０が介在される。【選択図】図６

Description

本発明は、回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置に関する。

ポリイミド等の絶縁層上に配線を設けたフレキシブル基板、そのようなフレキシブル基板群を、接着剤を用いて接合し、積層した回路基板（多層フレキシブル回路基板）が知られている。

このような回路基板に関し、例えば、フレキシブル基板群を、それらの間に空間部（非接合部）が形成されるように接着剤を用いて接合し、屈曲性或いは柔軟性、繰り返しの曲げによる断線に対する耐性を高める技術が知られている。

特開２００７−５９８２２号公報

接着剤を用いて接合するフレキシブル基板間に、上記のような空間部を設ける回路基板では、それが曲げられた時に、空間部でフレキシブル基板間の距離が変化し得る。曲げられた時に生じるフレキシブル基板間の距離の変化は、それらに設けられている配線間の距離の変化を招き、回路基板の信号伝送特性を低下させる可能性がある。

本発明の一観点によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１面に設けられ第１方向に延在された第１信号配線とを有する第１フレキシブル基板と、前記第１面に対向する第２フレキシブル基板と、前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の第１領域に介在された接着層と、前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の前記第１領域とは異なる第２領域に介在され、前記第１信号配線上に実装された第１電子部品とを含む回路基板が提供される。

また、本発明の一観点によれば、上記のような回路基板の製造方法、及び上記のような回路基板を含む電子装置が提供される。

開示の技術によれば、部分的に接着層を介して接着されるフレキシブル基板間の距離が、介在される電子部品によって確保され、柔軟性を有し、且つ優れた信号伝送特性を有する回路基板が実現される。また、そのような回路基板を備える電子装置が実現される。

回路基板の一例を示す図である。 回路基板の別例を示す図である。 曲げられた回路基板の一例を示す図である。 回路基板の非接着部の様子を示す図（その１）である。 回路基板の非接着部の様子を示す図（その２）である。 第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。 第１の実施の形態に係る回路基板が曲げられた時の様子を示す図である。 回路基板の信号伝送特性の一例を示す図である。 第１の実施の形態に係る回路基板の別例を示す図である。 第１の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図（その１）である。 第１の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図（その２）である。 第２の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。 第２の実施の形態に係る回路基板の別例を示す図である。 第２の実施の形態に係る回路基板の更に別例を示す図である。 第３の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。 第４の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。 第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。 第４の実施の形態に係る回路基板の別例を示す図である。 第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の別例を示す図である。 第５の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。 第６の実施の形態に係る電子機器の一例を示す図である。

はじめに、積層されたフレキシブル基板（Flexible Printed Circuit(s)；ＦＰＣ）群を含む回路基板（多層フレキシブル回路基板）の構成例について述べる。
図１は回路基板の一例を示す図である。図１には、回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。

図１に示す回路基板３００Ａは、フレキシブル基板３１０及びフレキシブル基板３２０、並びにそれらの間に介在された接着層３３０を含む。
フレキシブル基板３１０は、ベース層３１１と、ベース層３１１の一方の面３１１ａに設けられた配線３１２と、ベース層３１１の他方の面３１１ｂに設けられた配線３１３とを有する。ベース層３１１には、例えばポリイミド等の樹脂材料が用いられる。配線３１２及び配線３１３には、銅（Ｃｕ）等の金属材料が用いられる。配線３１２と配線３１３とは、例えば、一方が信号配線、他方がグランド（ＧＮＤ）配線とされる。フレキシブル基板３１０は更に、ベース層３１１の一方の面３１１ａに設けられて配線３１２を覆うカバーレイ層３１４と、ベース層３１１の他方の面３１１ｂに設けられて配線３１３を覆うカバーレイ層３１５とを有する。カバーレイ層３１４及びカバーレイ層３１５には、例えば、ポリイミド等の樹脂材料が用いられる。

フレキシブル基板３２０は、フレキシブル基板３１０と同様の構成を有する。即ち、フレキシブル基板３２０は、ベース層３２１と、ベース層３２１の一方の面３２１ａに設けられた配線３２２と、ベース層３２１の他方の面３２１ｂに設けられた配線３２３とを有する。ベース層３２１には、例えばポリイミド等の樹脂材料が用いられる。配線３２２及び配線３２３には、Ｃｕ等の金属材料が用いられる。配線３２２と配線３２３とは、例えば、一方が信号配線、他方がＧＮＤ配線とされる。フレキシブル基板３２０は更に、ベース層３２１の一方の面３２１ａに設けられて配線３２２を覆うカバーレイ層３２４と、ベース層３２１の他方の面３２１ｂに設けられて配線３２３を覆うカバーレイ層３２５とを有する。カバーレイ層３２４及びカバーレイ層３２５には、例えば、ポリイミド等の樹脂材料が用いられる。

接着層３３０は、上記のようなフレキシブル基板３１０とフレキシブル基板３２０との間に介在され、フレキシブル基板３１０とフレキシブル基板３２０とを接着する。接着層３３０には、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。

図１に示す回路基板３００Ａのように、フレキシブル基板３１０とフレキシブル基板３２０とは、例えば、それらの間が全体的に接着層３３０で接着され、積層される。
図１には、２枚のフレキシブル基板３１０及びフレキシブル基板３２０が接着層３３０で接着、積層される例を示したが、同様にして、３枚目のフレキシブル基板が接着、積層されてもよい。４枚目以降のフレキシブル基板の接着、積層も同様である。

但し、図１に例示するような、積層フレキシブル基板間を全体的に接着する手法を用いると、フレキシブル基板の積層枚数が増えるにつれ、次第に回路基板の柔軟性が失われていく傾向がある。

図２は回路基板の別例を示す図である。図２には、回路基板の別例の要部断面を模式的に図示している。
図２に示す回路基板３００Ｂは、フレキシブル基板３１０とフレキシブル基板３２０との間が、それらの端部において部分的に接着層３３０で接着され、積層されている点で、上記図１に示した回路基板３００Ａと相違する。回路基板３００Ｂにおいて、接着層３３０で接着されない部位（非接着部）３４０は空洞とされる。このように回路基板３００Ｂでは、接着層３３０による接着領域が部分的とされる。

図２には、２枚のフレキシブル基板３１０とフレキシブル基板３２０とが接着層３３０で部分的に接着され、積層される例を示したが、３枚目以降のフレキシブル基板の接着、積層も、同様に行うことができる。

図２に例示するような、積層フレキシブル基板間を部分的に接着する手法を用いると、上記図１に例示するような、積層フレキシブル基板間を全体的に接着する手法を用いる場合と比べ、フレキシブル基板の積層枚数が増えても回路基板の柔軟性の喪失が抑えられる。

しかし、例えば図２に示すような、フレキシブル基板３１０とフレキシブル基板３２０との間を部分的に接着層３３０で接着する手法を採用する回路基板３００Ｂでは、次のようなことが起こり得る。

図３は曲げられた回路基板の一例を示す図である。図３には、曲げられた回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
フレキシブル基板３１０とフレキシブル基板３２０とが接着層３３０で部分的に接着された回路基板３００Ｂでは、それが曲げられた時に、図３に示すように、空洞の非接着部３４０でフレキシブル基板３１０とフレキシブル基板３２０との間の距離が変化し得る。このようにフレキシブル基板３１０とフレキシブル基板３２０との間の距離が変化すると、非接着部３４０で対向する両者の配線３１２と配線３２３との間の距離Ｄが変化し、それに起因して回路基板３００Ｂの信号伝送特性が変化する可能性がある。

図４及び図５は回路基板の非接着部の様子を示す図である。
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）にはそれぞれ、対向するフレキシブル基板の配線の一方が信号配線で他方がＧＮＤ配線である場合の、回路基板が曲げられていない時と曲げられた時の非接着部の断面を模式的に図示している。図４（Ａ）は図２のＬ１−Ｌ１断面模式図に相当し、図４（Ｂ）は図３のＬ２−Ｌ２断面模式図に相当する。

例えば図４（Ａ）に示すように、フレキシブル基板３１０には、ベース層３１１の一方の面３１１ａ側に配線３１２として信号配線３１２ａが設けられ、他方の面３１１ｂ側に配線３１３としてＧＮＤ配線３１３ａが設けられる。フレキシブル基板３２０には、ベース層３２１の一方の面３２１ａ側に配線３２２として信号配線３２２ａが設けられ、他方の面３２１ｂ側に配線３２３としてＧＮＤ配線３２３ａが設けられる。このようなフレキシブル基板３１０とフレキシブル基板３２０とが、互いの信号配線３１２ａとＧＮＤ配線３２３ａとが対向するように、接着、積層される。

フレキシブル基板３１０の信号配線３１２ａのインピーダンスは、例えば、その反対側のＧＮＤ配線３１３ａとの距離、対向するフレキシブル基板３２０のＧＮＤ配線３２３ａとの距離によって調整される。調整された曲げる前の図４（Ａ）の状態から、回路基板３００Ｂが曲げられ、図４（Ｂ）のように非接着部３４０で信号配線３１２ａとＧＮＤ配線３２３ａとが近付くと、インピーダンス不整合を招く恐れがある。

また、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）にはそれぞれ、対向するフレキシブル基板の配線の双方が信号配線である場合の、回路基板が曲げられていない時と曲げられた時の非接着部の断面を模式的に図示している。図５（Ａ）は図２のＬ１−Ｌ１断面模式図に相当し、図５（Ｂ）は図３のＬ２−Ｌ２断面模式図に相当する。

例えば図５（Ａ）に示すように、フレキシブル基板３１０には、ベース層３１１の一方の面３１１ａ側に配線３１２として信号配線３１２ｂが設けられ、他方の面３１１ｂ側に配線３１３としてＧＮＤ配線３１３ｂが設けられる。フレキシブル基板３２０には、ベース層３２１の一方の面３２１ａ側に配線３２２としてＧＮＤ配線３２２ｂが設けられ、他方の面３２１ｂ側に配線３２３として信号配線３２３ｂが設けられる。このようなフレキシブル基板３１０とフレキシブル基板３２０とが、互いの信号配線３１２ｂと信号配線３２３ｂとが対向するように、接着、積層される。

このような回路基板３００Ｂでは、曲げる前の図５（Ａ）の状態から、回路基板３００Ｂが曲げられ、図５（Ｂ）のように非接着部３４０で信号配線３１２ｂと信号配線３２３ｂとが近付くと、クロストークを招く恐れがある。

このように、フレキシブル基板３１０，３２０間を部分的に接着層３３０で接着する回路基板３００Ｂでは、積層による柔軟性の喪失が抑えられる一方、曲げた時の非接着部３４０における配線間距離の変化により、インピーダンス不整合やクロストークが生じ得る。インピーダンス不整合やクロストークは、回路基板３００Ｂの信号伝送特性を劣化させる要因となる。

以上のような点に鑑み、ここでは以下に実施の形態として示すような手法を採用し、柔軟性を有し、且つ優れた信号伝送特性を有する回路基板を実現する。また、そのような回路基板を備える各種電子装置（電子機器）を実現する。

まず、第１の実施の形態について説明する。
図６は第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図６には、第１の実施の形態に係る回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。

図６に示す回路基板１は、フレキシブル基板１０及びフレキシブル基板２０、並びにそれらの間に介在された接着層３０を含む。
フレキシブル基板１０は、ベースの絶縁層であるベース層１１と、ベース層１１の一方の面１１ａに設けられた信号配線１２と、ベース層１１の他方の面１１ｂに設けられたＧＮＤ配線１３とを有する。例えば、信号配線１２は、方向Ｓに延在するライン状のパターンとして設けられ、ＧＮＤ配線１３は、信号配線１２の配設領域に対応する領域を包含する面状のパターンとして設けられる。フレキシブル基板１０は更に、ベース層１１の一方の面１１ａに設けられて信号配線１２を覆う絶縁性のカバーレイ層１４（保護層）と、ベース層１１の他方の面１１ｂに設けられてＧＮＤ配線１３を覆う絶縁性のカバーレイ層１５（保護層）とを有する。

ベース層１１には、各種絶縁材料、例えばポリイミド等の樹脂材料が用いられる。信号配線１２及びＧＮＤ配線１３には、各種導体材料、例えばＣｕ等の金属材料が用いられる。カバーレイ層１４及びカバーレイ層１５には、各種絶縁材料、例えばポリイミド等の樹脂材料が用いられる。

フレキシブル基板１０の信号配線１２上には、電子部品、ここでは一例としてＡＣカップリング用のチップコンデンサ４０が実装される。チップコンデンサ４０の電極４０ａ群にそれぞれ接続された端子４０ｂ群が、カバーレイ層１４を貫通し、信号配線１２（分離された配線部１２−１と配線部１２−２）に接続される。

フレキシブル基板２０は、ベース層２１と、ベース層２１の一方の面２１ａ及び他方の面２１ｂにそれぞれ設けられた配線２２及び配線２３を有する。配線２２及び配線２３のうち、一方は信号配線とされ、他方はＧＮＤ配線とされる。信号配線は、方向Ｓに延在するライン状のパターンとして設けられ、ＧＮＤ配線は、信号配線の配設領域に対応する領域を包含する面状のパターンとして設けられる。フレキシブル基板２０は更に、ベース層２１の一方の面２１ａに設けられて配線２２を覆う絶縁性のカバーレイ層２４（保護層）と、ベース層２１の他方の面２１ｂに設けられて配線２３を覆う絶縁性のカバーレイ層２５（保護層）とを有する。

ベース層２１には、各種絶縁材料、例えばポリイミド等の樹脂材料が用いられる。配線２２及び配線２３には、各種導体材料、例えばＣｕ等の金属材料が用いられる。カバーレイ層２４及びカバーレイ層２５には、各種絶縁材料、例えばポリイミド等の樹脂材料が用いられる。

接着層３０は、フレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０との間の一部、例えば方向Ｓの両端部２に介在され、フレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０とを接着する。接着層３０には、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。

回路基板１では、フレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０とが、それらの間にフレキシブル基板１０の信号配線１２上に実装されたチップコンデンサ４０が介在されるように、接着層３０により接着され、積層される。チップコンデンサ４０は、フレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０との間の、接着層３０で接着されていない部位（非接着部）３に設けられる。フレキシブル基板１０上のチップコンデンサ４０は、例えば、対向するフレキシブル基板２０（そのカバーレイ層２５）と離間自在に接触される。チップコンデンサ４０は、対向するフレキシブル基板２０（そのカバーレイ層２５）に、接着剤等で接着されて固定されてもよい。

回路基板１では、例えば、用いられるチップコンデンサ４０の高さ（カバーレイ層１４の表面からの高さ）を基に、フレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０との距離、又は接着層３０の厚さが設定される。或いは、フレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０との距離、又は接着層３０の厚さを基に、用いられるチップコンデンサ４０の高さが設定される。

上記のような構成を有する回路基板１では、例えば、信号配線１２が延在する方向Ｓの一方の端部２が入力側、他方の端部２が出力側とされ、入力側及び出力側にそれぞれコネクタが接続されて、両コネクタ間で信号配線１２等による信号伝送が行われる。信号配線１２上にチップコンデンサ４０が実装されることで、伝送信号のＤＣ成分の除去、低周波帯のカットが可能な伝送線路が形成される。

回路基板１では、フレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０との間の非接着部３にチップコンデンサ４０が介在されることで、フレキシブル基板１０の信号配線１２とフレキシブル基板２０の配線２３との接近、それに起因した信号伝送特性の低下が抑えられる。

図７は第１の実施の形態に係る回路基板が曲げられた時の様子を示す図である。図７には、第１の実施の形態に係る回路基板が曲げられた時の要部断面を模式的に図示している。

フレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０との間の非接着部３にチップコンデンサ４０を設けた回路基板１では、図７に示すように、曲げられた時にも、フレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０との間の距離が、チップコンデンサ４０で確保される。これにより、フレキシブル基板１０の信号配線１２と、それに対向するフレキシブル基板２０の配線２３との接近が抑えられ、それに起因した回路基板１の信号伝送特性の低下が抑えられる。

例えば、フレキシブル基板１０の信号配線１２に対向するフレキシブル基板２０の配線２３がＧＮＤ配線である場合には、信号配線１２の、対向ＧＮＤ配線との接近、それに起因したインピーダンス不整合が抑えられる。また、フレキシブル基板１０の信号配線１２に対向するフレキシブル基板２０の配線２３が信号配線である場合には、信号配線１２の、対向信号配線との接近、それに起因したクロストークが抑えられる。

図８は回路基板の信号伝送特性の一例を示す図である。
図８（Ａ）及び図８（Ｂ）にはそれぞれ、対向するフレキシブル基板の配線の一方が信号配線で他方がＧＮＤ配線である場合の、回路基板が曲げられていない時と曲げられた時のインピーダンスのシミュレーション結果を示している。図８（Ａ）は回路基板が曲げられていない時のインピーダンスのシミュレーション結果、図８（Ｂ）は回路基板が曲げられた時のインピーダンスのシミュレーション結果である。

図８（Ａ）及び図８（Ｂ）では、フレキシブル基板間の非接着部にチップコンデンサが介在しない回路基板（上記図２〜図４の回路基板３００Ｂに相当）のインピーダンスのシミュレーション結果を点線Ｐで図示している。また、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）では、フレキシブル基板間の非接着部にチップコンデンサが介在する回路基板（上記図６及び図７の回路基板１に相当）のインピーダンスのシミュレーション結果を実線Ｑで図示している。

曲げられていない時は、図８（Ａ）に示すように、フレキシブル基板間の非接着部にチップコンデンサが介在しない回路基板（点線Ｐ）と、介在する回路基板（実線Ｑ）とが、入出力側のコネクタ（Ｘ部，Ｙ部）間（ＦＰＣ）で同等のインピーダンスを示す。

曲げられると、図８（Ｂ）に示すように、フレキシブル基板間の非接着部にチップコンデンサが介在しない回路基板（点線Ｐ）では、信号配線とＧＮＤ配線との接近（Ｚ部）により、曲げられていない時（図８（Ａ））と比べ、インピーダンスが変動する。更に、出力側のコネクタ（Ｙ部）でも、曲げられていない時（図８（Ａ））と比べ、インピーダンスが変動する。

これに対し、フレキシブル基板間の非接着部にチップコンデンサが介在する回路基板では、曲げられてもチップコンデンサによって信号配線とＧＮＤ配線との接近が抑えられる。そのため、図８（Ｂ）に示すように、フレキシブル基板間の非接着部にチップコンデンサが介在する回路基板（実線Ｑ）では、インピーダンスの変動が抑えられ、曲げられていない時（図８（Ａ））と同等のインピーダンスが得られる。

図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、フレキシブル基板間の非接着部にチップコンデンサを介在させる回路基板によれば、信号配線とＧＮＤ配線との接近、それに起因したインピーダンスの変動が効果的に抑えられる。これにより、後段回路とのインピーダンス不整合が抑えられ、信号伝送特性の低下が抑えられる。同様に、信号配線同士が対向するような場合には、それらの接近、それに起因したクロストークが抑えられ、信号伝送特性の低下が抑えられる。

以上説明したように、回路基板１では、チップコンデンサ４０により、曲げられた時のフレキシブル基板１０の信号配線１２とフレキシブル基板２０の配線２３との接近、それに起因した信号伝送特性の低下が抑えられる。上記のようにフレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０との間の非接着部３にチップコンデンサ４０を介在させることで、柔軟性を有し、且つ曲げられた時にも曲げられていない時と同等の高い信号伝送特性を安定して得ることのできる回路基板１が実現される。

上記図６及び図７には、２枚のフレキシブル基板１０とフレキシブル基板２０とを、チップコンデンサ４０を介在させて接着層３０で接着し、積層した回路基板１（配線層数４層）を例示したが、積層枚数（配線層数）はこれに限定されるものではない。

図９は第１の実施の形態に係る回路基板の別例を示す図である。図９には、第１の実施の形態に係る回路基板の別例の要部断面を模式的に図示している。
図９に示す回路基板１Ａは、フレキシブル基板１０Ａ、フレキシブル基板２０Ａ及びフレキシブル基板５０を含む、積層枚数が３枚（配線層数６層）の回路基板である。

フレキシブル基板１０Ａは、上記フレキシブル基板１０と同様の構成を有する。フレキシブル基板２０Ａは、フレキシブル基板１０Ａに対向して設けられ、接着層３０でフレキシブル基板１０Ａと接着される。フレキシブル基板５０は、フレキシブル基板２０Ａに対向して設けられ、接着層６０でフレキシブル基板２０Ａと接着される。

接着層６０は、接着層３０と同様に、フレキシブル基板２０Ａとフレキシブル基板５０との間の、方向Ｓの両端部２に介在される。接着層６０には、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。接着層３０及び接着層６０には、同種の材料が用いられてもよいし、異種の材料が用いられてもよい。

フレキシブル基板２０Ａには、ベース層２１の一方の面２１ａ上の配線２２として信号配線２２ａが設けられ、他方の面２１ｂ上の配線２３としてＧＮＤ配線２３ａが設けられる。信号配線２２ａ及びＧＮＤ配線２３ａはそれぞれ、カバーレイ層２４及びカバーレイ層２５で覆われる。フレキシブル基板２０Ａの信号配線２２ａ上には、ＡＣカップリング用のチップコンデンサ７０が実装される。チップコンデンサ７０の電極７０ａ群にそれぞれ接続された端子７０ｂ群が、カバーレイ層２４を貫通し、信号配線２２ａ（分離された配線部２２ａ−１と配線部２２ａ−２）に接続される。

フレキシブル基板５０は、ベース層５１と、ベース層５１の一方の面５１ａ及び他方の面５１ｂにそれぞれ設けられた配線５２及び配線５３を有する。配線５２及び配線５３のうち、一方は信号配線とされ、他方はＧＮＤ配線とされる。信号配線は、方向Ｓに延在するライン状のパターンとして設けられ、ＧＮＤ配線は、信号配線の配設領域に対応する領域を包含する面状のパターンとして設けられる。配線５２及び配線５３はそれぞれ、絶縁性のカバーレイ層５４及びカバーレイ層５５（保護層）で覆われる。

ベース層５１には、各種絶縁材料、例えばポリイミド等の樹脂材料が用いられる。配線５２及び配線５３には、各種導体材料、例えばＣｕ等の金属材料が用いられる。カバーレイ層５４及びカバーレイ層５５には、各種絶縁材料、例えばポリイミド等の樹脂材料が用いられる。

フレキシブル基板２０Ａの信号配線２２ａ上に実装されるチップコンデンサ７０は、フレキシブル基板２０Ａとフレキシブル基板５０との間の非接着部３に設けられる。チップコンデンサ７０は、例えば、フレキシブル基板２０と対向するフレキシブル基板５０（そのカバーレイ層５５）と離間自在に接触される。チップコンデンサ７０は、フレキシブル基板５０（そのカバーレイ層５５）に、接着剤等で接着されて固定されてもよい。

回路基板１Ａでは、フレキシブル基板１０Ａとフレキシブル基板２０Ａとの間が部分的に接着層３０で接着され、フレキシブル基板２０Ａとフレキシブル基板５０との間が部分的に接着層６０で接着される。これにより、積層枚数が増えることによる回路基板１Ａの柔軟性の喪失が抑えられる。

また、回路基板１Ａでは、フレキシブル基板１０Ａとフレキシブル基板２０Ａとの間の非接着部３にチップコンデンサ４０が介在され、フレキシブル基板１０Ａの信号配線１２とフレキシブル基板２０ＡのＧＮＤ配線２３ａとの接近が抑えられる。更に、回路基板１Ａでは、フレキシブル基板２０Ａとフレキシブル基板５０との間の非接着部３にチップコンデンサ７０が介在され、フレキシブル基板２０Ａの信号配線２２ａとフレキシブル基板５０の配線５３との接近が抑えられる。信号配線１２とＧＮＤ配線２３ａとの接近、信号配線２２ａと配線５３との接近が抑えられることで、回路基板１Ａの信号伝送特性の低下が抑えられる。

これにより、柔軟性を有し、且つ曲げられた時にも曲げられていない時と同等の高い信号伝送特性を安定して得ることのできる回路基板１Ａが実現される。
フレキシブル基板の積層枚数が４枚以上（配線層数が７層又は８層以上）の回路基板も、上記回路基板１Ａと同様に実現することができ、同様の効果を得ることができる。

続いて、回路基板の形成方法の一例について説明する。
図１０及び図１１は第１の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。図１０（Ａ）〜図１０（Ｅ）及び図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）にはそれぞれ、第１の実施の形態に係る回路基板形成工程の要部断面を模式的に図示している。

図１０（Ａ）に示すような、ベース層１１の両面１１ａ，１１ｂに導体層１６を設けた基板１０ａが準備される。ベース層１１には、ポリイミドや液晶ポリマー等の材料が用いられる。ベース層１１の厚さは、例えば２５μｍ〜１００μｍとされる。導体層１６には、Ｃｕ箔等の材料が用いられる。導体層１６の厚さは、例えば１０μｍ〜３５μｍとされる。

次いで、基板１０ａの導体層１６のパターニングが行われる。導体層１６のパターニングには、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術が用いられる。導体層１６のパターニングにより、ベース層１１の一方の面１１ａ上に、図１０（Ｂ）に示すような方向Ｓに円坐する信号配線１２（配線部１２−１，１２−２）が形成される。ベース層１１の他方の面１１ｂ上には、導体層１６のパターニングが行われずに、或いは導体層１６のパターニングが行われて、ＧＮＤ配線１３が形成される。尚、ベース層１１の一方の面１１ａ上には、信号配線１２と共に、ＧＮＤ配線が形成されてもよく、ベース層１１の他方の面１１ｂ上には、ＧＮＤ配線１３と共に、信号配線が形成されてもよい。

次いで、図１０（Ｃ）に示すように、ベース層１１上に、信号配線１２が覆われるようにカバーレイ層１４が形成され、ＧＮＤ配線１３が覆われるようにカバーレイ層１５が形成される。カバーレイ層１４及びカバーレイ層１５には、ポリイミドやソルダーレジスト等の材料が用いられる。カバーレイ層１４及びカバーレイ層１５の材料には、感光性の材料が用いられてもよい。

次いで、図１０（Ｄ）に示すように、信号配線１２を覆うカバーレイ層１４のパターニングが行われ、チップコンデンサ４０を接続するための、信号配線１２に通じる開口部１４ａが形成される。カバーレイ層１４の開口部１４ａは、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術が用いられて、或いはカバーレイ層１４に感光性の材料が用いられている場合にはフォトリソグラフィ技術が用いられて、形成される。必要に応じ（例えば後述する導電性の接着層８０との電気接続のために）、同様にしてＧＮＤ配線１３を覆うカバーレイ層１５のパターニングが行われてもよい。

次いで、図１０（Ｅ）に示すように、カバーレイ層１４の開口部１４ａの信号配線１２上に、チップコンデンサ４０が実装される。例えば、半田ペースト等の導電性接合材料が用いられ、チップコンデンサ４０の電極４０ａ群が、それぞれ端子４０ｂ群（導電性接合材料）を介して、信号配線１２の配線部１２−１，１２−２と電気的に接続される。

図１０（Ａ）〜図１０（Ｅ）に示すような工程により、信号配線１２上にチップコンデンサ４０が実装されたフレキシブル基板１０Ａ（又はフレキシブル基板１０）が形成される。

このようにして形成されたフレキシブル基板１０Ａが、上記のフレキシブル基板２０（図６）又はフレキシブル基板２０Ａ（図９）といった、他のフレキシブル基板と接着される。フレキシブル基板２０は、図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）の例に従って形成することができる。フレキシブル基板２０Ａは、フレキシブル基板１０Ａと同様に、図１０（Ａ）〜図１０（Ｅ）の例に従って形成することができる。

ここでは、フレキシブル基板１０Ａがフレキシブル基板２０Ａと接着され、そのフレキシブル基板２０Ａがフレキシブル基板５０と接着される回路基板１Ａ（図９）を例にして、接着工程について更に説明する。

図１１（Ａ）に示すように、フレキシブル基板１０Ａとフレキシブル基板２０Ａとが、チップコンデンサ４０及び接着層３０を介して対向され、フレキシブル基板２０Ａとフレキシブル基板５０とが、チップコンデンサ７０及び接着層６０を介して対向される。接着層３０及び接着層６０には、例えば予めパターニングされた熱硬化性の接着シートが用いられる。熱硬化前の接着シートは、チップコンデンサ４０及びチップコンデンサ７０の部品高さよりも少しだけ厚くなるようにしておくことが好ましい。

次いで、接着シート（接着層３０，６０）が硬化する温度で加熱しながら加圧（熱圧着）する。これにより、図１１（Ｂ）に示すように、フレキシブル基板１０Ａとフレキシブル基板２０Ａとが接着層３０で接着され、フレキシブル基板２０Ａとフレキシブル基板５０とが接着層６０で接着される。接着シートの熱硬化により得られる接着層３０及び接着層６０はそれぞれ、チップコンデンサ４０及びチップコンデンサ７０の部品高さと同等か、部品高さよりも少しだけ薄くなるようにすることが好ましい。

図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示すような工程により、上記図９に示したような回路基板１Ａが得られる。
次に、第２の実施の形態について説明する。

図１２は第２の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１２（Ａ）には、第２の実施の形態に係る回路基板の一例の要部平面を模式的に図示し、図１２（Ｂ）には、第２の実施の形態に係る回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のＬ３−Ｌ３断面模式図である。尚、図１２（Ａ）では便宜上、上層フレキシブル基板の、チップコンデンサ群の実装面側の要部を、点線で図示している。

図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示す回路基板１Ｂは、平面視で、方向Ｓに延在する複数本（ここでは一例として４本）の信号配線１２がベース層１１上の方向Ｔに並設されたフレキシブル基板１０Ｂを有する。フレキシブル基板１０Ｂの信号配線１２群、及び反対面側のＧＮＤ配線１３は、それぞれカバーレイ層１４及びカバーレイ層１５で覆われる。フレキシブル基板１０Ｂの信号配線１２群の上には、それぞれＡＣカップリング用のチップコンデンサ４０群（チップコンデンサ４１，４２，４３，４４）が実装される。各チップコンデンサ４０の電極４０ａ群が、カバーレイ層１４を貫通する端子４０ｂ群を介して、各信号配線１２と接続される。

このようなフレキシブル基板１０Ｂが、上記第１の実施の形態で述べた例に従い、チップコンデンサ４０群が介在されるように、方向Ｓの両端部２に設けられる接着層３０により、他のフレキシブル基板２０Ｂ（フレキシブル基板２０，２０Ａ等）と接着される。チップコンデンサ４０群は、フレキシブル基板１０Ｂと、それに対向して接着されるフレキシブル基板２０Ｂとの間の非接着部３に設けられる。チップコンデンサ４０群は、例えば、フレキシブル基板２０Ｂ（そのカバーレイ層２５）と離間自在に接触される。チップコンデンサ４０群は、フレキシブル基板２０Ｂ（そのカバーレイ層２５）に、接着剤等で接着されて固定されてもよい。

フレキシブル基板１０Ｂのチップコンデンサ４０群は、例えば図１２に示すように、平面視で、方向Ｓと直交する方向Ｔに一列で配列されるように、それぞれ信号配線１２上に実装される。

回路基板１Ｂのように、信号配線１２群を有するフレキシブル基板１０Ｂには、各信号配線１２上にチップコンデンサ４０を実装することができる。これにより、各信号配線１２について、ＤＣ成分の除去、低周波帯のカットが可能な伝送線路が実現される。

図１２には、チップコンデンサ４０（４１〜４４）群が、方向Ｔに一列で配列されるように信号配線１２群にそれぞれ実装される例を示したが、チップコンデンサ４０群の配列は、この例に限定されるものではない。

図１３は第２の実施の形態に係る回路基板の別例を示す図である。図１３（Ａ）には、第２の実施の形態に係る回路基板の別例の要部平面を模式的に図示し、図１３（Ｂ）には、第２の実施の形態に係る回路基板の別例の要部断面を模式的に図示している。図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）のＬ４−Ｌ４断面模式図である。尚、図１３（Ａ）では便宜上、上層フレキシブル基板の、チップコンデンサ群の実装面側の要部を、点線で図示している。図１３（Ｂ）では便宜上、Ｌ４−Ｌ４断面位置のチップコンデンサ以外のチップコンデンサを、点線で図示している。

図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示す回路基板１Ｃのフレキシブル基板１０Ｃは、チップコンデンサ４０（４１〜４４）群が、方向Ｓに延在する信号配線１２群の上にそれぞれ、互いに方向Ｓに位置をずらして実装されている。回路基板１Ｃのフレキシブル基板１０Ｃは、このような点で、上記回路基板１Ｂのフレキシブル基板１０Ｂと相違する。このようなフレキシブル基板１０Ｃが、チップコンデンサ４０群が介在されるように、方向Ｓの両端部２に設けられる接着層３０により、他のフレキシブル基板２０Ｃ（フレキシブル基板２０，２０Ａ等）と接着される。

図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すように、チップコンデンサ４０（４１〜４４）群は、互いに方向Ｓに位置をずらした配列としてもよい。このように配列されたチップコンデンサ４０群によっても、各信号配線１２について、ＤＣ成分の除去、低周波帯のカットが可能な伝送線路が実現される。

また、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すようなチップコンデンサ４０群の配列によれば、信号配線１２群のピッチの増大や本数の削減、回路基板１Ｃの幅の増大が抑えられる。

例えば上記図１２に示す回路基板１Ｂのように、チップコンデンサ４０群を、方向Ｔに一列で配列されるように信号配線１２群に実装する場合、用いるチップコンデンサ４０群の幅によっては、隣接するチップコンデンサ４０同士が干渉することも起こり得る。その場合、隣接するチップコンデンサ４０同士の干渉を避けるため、信号配線１２群のピッチを広げると、回路基板１Ｂの信号配線１２群の本数を削減したり、信号配線１２群の本数を維持するために回路基板１Ｂの幅を広げたりすることが必要になり得る。即ち、回路基板１Ｂの伝送線路数の減少や、回路基板１Ｂの大型化が生じる可能性がある。

これに対し、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すようなチップコンデンサ４０群の配列によれば、方向Ｔに一列に配列すると干渉するようなサイズのチップコンデンサ４０群を用いる場合でも、それらの互いの実装位置を方向Ｓにずらすことで、干渉が避けられる。そのため、チップコンデンサ４０群の実装のために信号配線１２群のピッチを広げることが不要になり、ピッチを広げることで生じ得る信号配線１２群の本数の削減や、回路基板１Ｃの幅の増大が抑えられる。

また、図１４は第２の実施の形態に係る回路基板の更に別例を示す図である。図１４には、第２の実施の形態に係る回路基板の別例の要部断面を模式的に図示している。図１４では便宜上、断面位置のチップコンデンサ以外のチップコンデンサを点線で図示している。

図１４に示す回路基板１Ｄは、フレキシブル基板１０Ｄ及びフレキシブル基板２０Ｄ、並びにフレキシブル基板５０を含む。
フレキシブル基板１０Ｄは、上記フレキシブル基板１０Ｃと同様の構成を有し、方向Ｓに延在する信号配線１２群と、各々の上に方向Ｓに位置をずらして実装されたチップコンデンサ４０（４１〜４４）群とを含む。

フレキシブル基板２０Ｄは、ベース層２１上の方向Ｓに延在する信号配線２２ａ群（図１４では断面位置の１本のみを図示）と、各々の上に方向Ｓに位置をずらして実装されたチップコンデンサ７０群（チップコンデンサ７１，７２，７３，７４）とを含む。信号配線２２ａ群（配線２２）、及び反対面側のＧＮＤ配線２３ａ（配線２３）は、それぞれカバーレイ層２４及びカバーレイ層２５で覆われる。各チップコンデンサ７０の電極７０ａ群が、カバーレイ層２４を貫通する端子７０ｂ群を介して、各信号配線２２ａと接続される。

フレキシブル基板１０Ｄは、チップコンデンサ４０（４１〜４４）群が介在されるように、方向Ｓの両端部２に設けられる接着層３０でフレキシブル基板２０Ｄと接着される。フレキシブル基板２０Ｄは、チップコンデンサ７０（７１〜７４）群が介在されるように、方向Ｓの両端部２に設けられる接着層６０でフレキシブル基板５０と接着される。

チップコンデンサ４０群は、例えば、フレキシブル基板２０Ｄ（そのカバーレイ層２５）と離間自在に接触される。チップコンデンサ４０群は、フレキシブル基板２０Ｄ（そのカバーレイ層２５）に、接着剤等で接着されて固定されてもよい。また、チップコンデンサ７０群は、例えば、フレキシブル基板５０（そのカバーレイ層５５）と離間自在に接触される。チップコンデンサ７０群は、フレキシブル基板５０（そのカバーレイ層５５）に、接着剤等で接着されて固定されてもよい。

図１４に示す回路基板１Ｄでは、フレキシブル基板１０Ｄとフレキシブル基板２０Ｄとの間に介在されるチップコンデンサ４０群の実装位置が、互いに方向Ｓにずらされる。更に、フレキシブル基板２０Ｄとフレキシブル基板５０との間に介在されるチップコンデンサ７０群の実装位置が、互いに方向Ｓにずらされる。この場合、フレキシブル基板２０Ｄとフレキシブル基板５０との間のチップコンデンサ７０群の実装位置は、図１４に示すように、フレキシブル基板１０Ｄとフレキシブル基板２０Ｄとの間のチップコンデンサ４０群の実装位置に対して、方向Ｓにずらされてよい。

このようにして、積層枚数が３枚の回路基板１Ｄを実現することもできる。積層枚数が４枚以上の回路基板も、上記回路基板１Ｄと同様に実現することができる。
次に、第３の実施の形態について説明する。

図１５は第３の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１５には、第３の実施の形態に係る回路基板の一例の要部平面を模式的に図示している。
図１５に示す回路基板１Ｅは、信号配線１２上にチップコンデンサ４０が実装されたフレキシブル基板１０Ｅと、信号配線２２ａ（配線２２）上にチップコンデンサ７０が実装されたフレキシブル基板２０Ｅとを含む。フレキシブル基板１０Ｅの信号配線１２は、ベース層１１の面１１ａ上に設けられ、信号配線１２、及び反対の面１１ｂ上のＧＮＤ配線１３は、それぞれカバーレイ層１４及びカバーレイ層１５で覆われる。フレキシブル基板２０Ｅの信号配線２２ａは、ベース層２１の面２１ａ上に設けられ、信号配線２２ａ、及び反対の面２１ｂ上のＧＮＤ配線２３ａは、それぞれカバーレイ層２４及びカバーレイ層２５で覆われる。

回路基板１Ｅでは、フレキシブル基板１０Ｅのチップコンデンサ４０の実装面側と、フレキシブル基板２０Ｅのチップコンデンサ７０の実装面側とが対向される。フレキシブル基板１０Ｅとフレキシブル基板２０Ｅとは、互いのチップコンデンサ４０とチップコンデンサ７０とが介在されるように、方向Ｓの両端部２に設けられる接着層３０で接着される。

チップコンデンサ４０は、例えば、フレキシブル基板２０Ｅ（そのカバーレイ層２４）と離間自在に接触される。チップコンデンサ４０は、フレキシブル基板２０Ｅ（そのカバーレイ層２４）に、接着剤等で接着されて固定されてもよい。また、チップコンデンサ７０は、例えば、フレキシブル基板１０Ｅ（そのカバーレイ層１４）と離間自在に接触される。チップコンデンサ７０は、フレキシブル基板１０Ｅ（そのカバーレイ層１４）に、接着剤等で接着されて固定されてもよい。

回路基板１Ｅでは、フレキシブル基板１０Ｅとフレキシブル基板２０Ｅとが、接着層３０で部分的に接着されて積層されるため、積層による回路基板１Ｅの柔軟性の喪失が抑えられる。

また、回路基板１Ｅでは、チップコンデンサ４０及びチップコンデンサ７０により、フレキシブル基板１０Ｅの信号配線１２及びフレキシブル基板２０Ｅの信号配線２２ａについて、ＤＣ成分の除去、低周波帯のカットが可能な伝送線路が実現される。回路基板１Ｅでは、チップコンデンサ４０及びチップコンデンサ７０により、曲げられた時のフレキシブル基板１０Ｅの信号配線１２とフレキシブル基板２０Ｅの信号配線２２ａとの接近によるクロストークが抑えられ、それに起因した信号伝送特性の低下が抑えられる。

柔軟性を有し、且つ曲げられた時にも曲げられていない時と同等の高い信号伝送特性を安定して得ることのできる回路基板１Ｅが実現される。
この回路基板１Ｅの例に従い、信号配線群の上にそれぞれチップコンデンサ群が実装されたフレキシブル基板同士を接着、積層することもできる。

例えば、上記図１２で述べたような、チップコンデンサ群を、信号配線群の延在方向と直交する方向に一列で配列するフレキシブル基板同士を、それらのチップコンデンサ群の実装面側同士を対向させ、端部を接着する。この場合は、両フレキシブル基板の、互いのチップコンデンサ群の実装位置（列）を、信号配線群の延在方向にずらす。

また、上記図１３及び図１４で述べたような、チップコンデンサ群を、信号配線群の延在方向にずらして配列するフレキシブル基板同士を、それらのチップコンデンサ群の実装面側同士を対向させ、端部を接着する。この場合は、一方のフレキシブル基板のチップコンデンサ群の実装位置に対して、他方のフレキシブル基板のチップコンデンサ群の実装位置を、信号配線群の延在方向にずらす。

次に、第４の実施の形態について説明する。
図１６は第４の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１６（Ａ）には、第４の実施の形態に係る回路基板の一例の要部側面を模式的に図示し、図１６（Ｂ）には、第４の実施の形態に係る回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）のＬ５−Ｌ５断面模式図である。

図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）に示す回路基板１Ｆは、フレキシブル基板１０Ｆとフレキシブル基板２０Ｆとが、方向Ｓの両端部２を接着層３０で接着され、方向Ｔの両端部４を接着層８０で接着された構成を有する。ここで、フレキシブル基板１０Ｆには、上記フレキシブル基板１０Ｃ，１０Ｄのようなもののほか、上記フレキシブル基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｅのようなものが用いられてよい。フレキシブル基板２０Ｆには、上記フレキシブル基板２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅのようなものが用いられてよい。

図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）に示す回路基板１Ｆにおいて、方向Ｓの両端部２の接着層３０には、絶縁性材料が用いられ、方向Ｔの両端部４の接着層８０には、導電性材料が用いられる。接着層８０の導電性材料としては、導電性フィルムや導電性ペースト（例えば銀（Ａｇ）ペースト）等、絶縁性樹脂に導電性フィラーを含有させたものを用いることができる。

導電性材料が用いられた接着層８０は、図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）に示すように、各端部４に沿って方向Ｓに連続して延在された連続壁として設けられる。接着層８０は、フレキシブル基板２０Ｆ及びフレキシブル基板１０Ｆの少なくとも一方に設けられる、ＧＮＤ電位とされる導体部と電気的に接続される。

回路基板１Ｆでは、方向Ｓ、即ち信号配線１２の延在方向に連続壁として設けられ、ＧＮＤ接続される導電性の接着層８０が、電磁シールド機能を発揮する。このような接着層８０により、回路基板１Ｆへの電磁波の入射、回路基板１Ｆからの電磁波の放射が抑えられ、回路基板１Ｆの信号伝送の特性劣化、回路基板１Ｆの周辺に配置される他の電子部品の特性劣化が抑えられる。

図１７は第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）にはそれぞれ、第４の実施の形態に係る回路基板形成工程の要部側面を模式的に図示している。

上記図１０（Ａ）〜図１０（Ｅ）で述べたような方法の例に従って準備されたフレキシブル基板１０Ｆとフレキシブル基板２０Ｆとを、図１７（Ａ）に示すように、チップコンデンサ４０、接着層３０及び接着層８０を介して、対向させる。ここで、接着層３０には、所定の形状とした絶縁性接着シートを用いることができる。接着層８０には、所定の形状とした導電性フィルムを用いることができる。チップコンデンサ４０と、例えばこのような接着層３０及び接着層８０とを介して、フレキシブル基板１０Ｆとフレキシブル基板２０Ｆとを熱圧着することで、接着層３０及び接着層８０を硬化し、図１７（Ｂ）に示すような回路基板１Ｆを得る。

接着層８０に導電性ペーストを用いる場合には、ディスペンサ等を用いた滴下法によって導電性ペーストを端部４に沿って配置し、フレキシブル基板１０Ｆとフレキシブル基板２０Ｆとを熱圧着する。これにより、接着層３０及び接着層８０を硬化し、図１７（Ｂ）に示すような回路基板１Ｆを得る。

接着層８０をＧＮＤ接続するためには、予め上記図１０（Ｄ）の工程の例に従い、カバーレイ層１４及びカバーレイ層２５の少なくとも一方のパターニングが行われ、ＧＮＤ電位とされる導体層が露出される。カバーレイ層１４又はカバーレイ層２５から露出させる導体層は、例えば、上記のような接着層３０及び接着層８０による接着後の回路基板１Ｆに対する孔開け（ドリル加工やエッチング等）とメッキにより、反対面側の導体層と電気的に接続してもよい。このような手法が用いられ、回路基板１Ｆにおける接着層８０のＧＮＤ接続が実現される。

接着層８０による電磁シールドは、次の図１８に示すような回路基板１Ｇでも実現することができる。
図１８は第４の実施の形態に係る回路基板の別例を示す図である。図１８（Ａ）には、第４の実施の形態に係る回路基板の別例の要部側面を模式的に図示し、図１８（Ｂ）には、第４の実施の形態に係る回路基板の別例の要部断面を模式的に図示している。図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）のＬ６−Ｌ６断面模式図である。

図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）に示す回路基板１Ｇは、フレキシブル基板１０Ｆ及びフレキシブル基板２０Ｆの両端部４を接着する接着層８０が、方向Ｔに点在されたポスト壁として設けられている点で、上記回路基板１Ｆと相違する。接着層８０は、フレキシブル基板２０Ｆ及びフレキシブル基板１０Ｆの少なくとも一方に設けられる、ＧＮＤ電位とされる導体部と電気的に接続される。方向Ｓ、即ち信号配線１２の延在方向にポスト壁として設けられ、ＧＮＤ接続される導電性の接着層８０によっても、電磁シールド機能が発揮され、回路基板１Ｇの信号伝送の特性劣化、回路基板１Ｆの周辺に配置される他の電子部品の特性劣化が抑えられる。

図１９は第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の別例を示す図である。図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）にはそれぞれ、第４の実施の形態に係る回路基板形成工程の要部側面を模式的に図示している。

上記図１０（Ａ）〜図１０（Ｅ）で述べたような方法の例に従って準備されたフレキシブル基板１０Ｆとフレキシブル基板２０Ｆとを、図１９（Ａ）に示すように、チップコンデンサ４０、接着層３０及び接着層８０を介して、対向させる。接着層３０には、所定の形状とした絶縁性接着シートを用いる。回路基板１Ｇの形成では、例えばディスペンサ等を用いた滴下法により、図１９（Ａ）に示すような所定の位置に、接着層８０として導電性ペーストを配置する。そして、フレキシブル基板１０Ｆとフレキシブル基板２０Ｆとを熱圧着することにより、接着層３０及び接着層８０を硬化し、図１９（Ｂ）に示すような回路基板１Ｇを得る。

接着層８０をＧＮＤ接続するためには、予め上記図１０（Ｄ）の工程の例に従い、カバーレイ層１４及びカバーレイ層２５の少なくとも一方のパターニングが行われ、ＧＮＤ電位とされる導体層が露出される。カバーレイ層１４又はカバーレイ層２５から露出させる導体層は、例えば、上記のような接着層３０及び接着層８０による接着後の回路基板１Ｇに対する孔開け（ドリル加工やエッチング等）とメッキにより、反対面側の導体層と電気的に接続してもよい。このような手法が用いられ、回路基板１Ｇにおける接着層８０のＧＮＤ接続が実現される。

尚、この第４の実施の形態で述べたような、方向Ｓと直交する方向Ｔの端部４に設ける連続壁又はポスト壁の接着層８０は、上記第１〜第３の実施の形態で述べた回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ等にも同様に適用可能である。

次に、第５の実施の形態について説明する。
上記第１〜第４の実施の形態で述べたような回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ等は、電子部品間の信号伝送に用いることができる。

図２０は第５の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図２０には、第５の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
図２０に示す電子装置１００は、電子部品１１０及び電子部品１２０、並びにそれらを電気的に接続する回路基板、一例として上記第１の実施の形態で述べた回路基板１を含む。

電子部品１１０は、マザーボード１１１（回路基板）と、マザーボード１１１上に実装されたＩＣ（Integrated Circuit）等の半導体チップ１１２（半導体素子）及びコネクタ１１３とを含む。マザーボード１１１は、信号線１１１ａ（ＳＩＧ）及びＧＮＤ線１１１ｂ（ＧＮＤ）を有する。信号線１１１ａは、半導体チップ１１２の半田バンプやＣｕピラー等の信号端子１１２ａと、コネクタ１１３の信号端子１１３ａとに接続される。ＧＮＤ線１１１ｂは、半導体チップ１１２のＧＮＤ端子１１２ｂと、コネクタ１１３のＧＮＤ端子１１３ｂとに接続される。

電子部品１２０も同様に、マザーボード１２１（回路基板）と、マザーボード１２１上に実装されたＩＣ等の半導体チップ１２２（半導体素子）及びコネクタ１２３とを含む。マザーボード１２１は、信号線１２１ａ（ＳＩＧ）及びＧＮＤ線１２１ｂ（ＧＮＤ）を有する。信号線１２１ａは、半導体チップ１２２の半田バンプやＣｕピラー等の信号端子１２２ａと、コネクタ１１３の信号端子１２３ａとに接続される。ＧＮＤ線１２１ｂは、半導体チップ１２２のＧＮＤ端子１２２ｂと、コネクタ１２３のＧＮＤ端子１２３ｂとに接続される。

回路基板１（多層フレキシブル回路基板）は、一端側が電子部品１１０のコネクタ１１３に接続され、他端側が電子部品１２０のコネクタ１２３に接続される。
回路基板１がコネクタ１１３に接続されることで、回路基板１に含まれるフレキシブル基板１０の信号配線１２、及びフレキシブル基板２０の信号配線とされる配線２２又は配線２３が、コネクタ１１３の信号端子１１３ａに接続される。更に、フレキシブル基板１０のＧＮＤ配線１３、及びフレキシブル基板２０のＧＮＤ配線とされる配線２３又は配線２２が、コネクタ１１３のＧＮＤ端子１１３ｂに接続される。

同様に、回路基板１がコネクタ１２３に接続されることで、回路基板１に含まれるフレキシブル基板１０の信号配線１２、及びフレキシブル基板２０の信号配線とされる配線２２又は配線２３が、信号端子１２３ａに接続される。更に、フレキシブル基板１０のＧＮＤ配線１３、及びフレキシブル基板２０のＧＮＤ配線とされる配線２３又は配線２２が、コネクタ１２３のＧＮＤ端子１２３ｂに接続される。

電子装置１００では、電子部品１１０と電子部品１２０との間で、回路基板１を介して信号伝送が行われる。例えば、電子部品１１０側の半導体チップ１１２から出力される信号が、その信号端子１１２ａ、マザーボード１１１の信号線１１１ａ、コネクタ１１３の信号端子１１３ａを介して、回路基板１の信号配線１２等に入力される。回路基板１に入力された信号は、その信号配線１２等を電子部品１２０側へと伝送され、コネクタ１２３の信号端子１２３ａ、マザーボード１２１の信号線１２１ａ、信号端子１２２ａを介して、半導体チップ１２２に入力される。

上記のように回路基板１では、信号配線１２上にチップコンデンサ４０が実装されることで、伝送される信号のＤＣ成分の除去、低周波帯のカットが可能になる。更に、回路基板１では、信号配線１２上に実装されたチップコンデンサ４０により、曲げられた時にも信号配線１２と配線２３との接近が抑えられ、曲げられていない時と同等の信号伝送特性が得られる。このような回路基板１を用いることで、安定して性能が発揮される高信頼性、高品質の電子装置１００が実現される。

ここでは、上記第１の実施の形態で述べた回路基板１を例にしたが、他の回路基板１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ等を用い、電子部品１１０と電子部品１２０との間の信号伝送を行うことが可能である。また、上記の電子部品１１０及び電子部品１２０の構成は一例であって、回路基板１等を用い、各種電子部品間の信号伝送を行うことが可能である。

次に、第６の実施の形態について説明する。
上記第１〜第４の実施の形態で述べたような回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ等を用いた電子装置は、各種電子機器（電子装置とも称する）に搭載することができる。例えば、コンピュータ（パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等）、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に用いることができる。

図２１は第６の実施の形態に係る電子機器の一例を示す図である。図２１には、電子機器の一例を模式的に図示している。
図２１に示すように、例えば上記図２０に示したような電子装置１００が、各種電子機器２００に搭載（内蔵）される。上記のように、電子装置１００に用いられる回路基板１では、チップコンデンサ４０により、電子部品１１０と電子部品１２０との間を伝送される信号のＤＣ成分の除去、低周波帯のカットが可能になる。更に、曲げられた時にも配線同士の接近が抑えられ、安定した信号伝送特性が得られる。これにより、安定して性能が発揮される高信頼性、高品質の電子装置１００が実現され、そのような電子装置１００を搭載した、高信頼性、高品質の電子機器２００が実現される。

ここでは、上記第５の実施の形態で述べたような、回路基板１を用いた電子装置１００を例にしたが、回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ等を用いた各種電子装置を同様に、各種電子機器に搭載することが可能である。

以上の説明では、多層フレキシブル回路基板に含まれるフレキシブル基板間にチップコンデンサを介在させたが、チップコンデンサに代えて、或いはチップコンデンサと共に、他の電子部品、例えばチップ抵抗やチップインダクタを介在させるようにしてもよい。このような電子部品を利用し、多層フレキシブル回路基板が曲げられた時のフレキシブル基板間（それらの配線間）の接近を抑え、それに起因した信号伝送特性の低下を抑えるようにすることもできる。

以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１） 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１面に設けられ第１方向に延在された第１信号配線とを有する第１フレキシブル基板と、
前記第１面に対向する第２フレキシブル基板と、
前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の第１領域に介在された接着層と、
前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の前記第１領域とは異なる第２領域に介在され、前記第１信号配線上に実装された第１電子部品と
を含むことを特徴とする回路基板。

（付記２） 前記第１電子部品は、前記第１信号配線側と反対側が前記第２フレキシブル基板と接触することを特徴とする付記１に記載の回路基板。
（付記３） 前記第１フレキシブル基板は、前記第１面に設けられ前記第１方向に延在された第２信号配線を更に有し、
前記第２領域に介在され、前記第２信号配線上に実装された第２電子部品を更に含むことを特徴とする付記１又は２に記載の回路基板。

（付記４） 前記第１フレキシブル基板は、前記第１面に設けられ前記第１方向に延在された第２信号配線を更に有し、
前記第２領域に介在され、前記第２信号配線上の、前記第１電子部品に対して前記第１方向にずれた位置に実装された第２電子部品を更に含むことを特徴とする付記１又は２に記載の回路基板。

（付記５） 前記第２電子部品は、前記第２信号配線側と反対側が前記第２フレキシブル基板と接触することを特徴とする付記３又は４に記載の回路基板。
（付記６） 前記第２フレキシブル基板は、
第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の、前記第１面と対向する第２面に設けられた第１グランド配線と
を有することを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の回路基板。

（付記７） 前記第２フレキシブル基板は、
第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の、前記第１面と対向する第２面に設けられ前記第１方向に延在された第３信号配線と
を有することを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の回路基板。

（付記８） 前記第２フレキシブル基板は、前記第２領域に介在され前記第３信号配線上に実装された第３電子部品を更に含むことを特徴とする付記７に記載の回路基板。
（付記９） 前記第３電子部品は、前記第３信号配線側と反対側が前記第１フレキシブル基板と接触することを特徴とする付記８に記載の回路基板。

（付記１０） 前記接着層は、前記第１フレキシブル基板及び前記第２フレキシブル基板の、前記第１方向と直交する第２方向の端部に設けられた導電性の接着部を含むことを特徴とする付記１乃至９のいずれかに記載の回路基板。

（付記１１） 前記接着部は、前記第１フレキシブル基板又は前記第２フレキシブル基板に設けられた第２グランド配線と電気的に接続されることを特徴とする付記１０に記載の回路基板。

（付記１２） 前記接着部は、前記第１方向に延在された連続壁であることを特徴とする付記１０又は１１に記載の回路基板。
（付記１３） 前記接着部は、前記第１方向に点在されたポスト壁であることを特徴とする付記１０又は１１に記載の回路基板。

（付記１４） 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１面に設けられ第１方向に延在された第１信号配線とを有する第１フレキシブル基板の、第１領域の前記第１信号配線上に、第１電子部品を実装する工程と、
前記第１電子部品が実装された前記第１フレキシブル基板と、前記第１面に対向して配置された第２フレキシブル基板とを、前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の前記第１領域とは異なる第２領域で接着層により接着する工程と
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。

（付記１５） 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１面に設けられ第１方向に延在された第１信号配線とを有する第１フレキシブル基板と、
前記第１面に対向する第２フレキシブル基板と、
前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の第１領域に介在された接着層と、
前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の前記第１領域とは異なる第２領域に介在され、前記第１信号配線上に実装された第１電子部品と
を含む第１回路基板と、
前記第１回路基板の前記第１方向の端部に設けられ、前記第１信号配線と電気的に接続された第２電子部品と
を含むことを特徴とする電子装置。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，３００Ａ，３００Ｂ 回路基板
２，４ 端部
３，３４０ 非接着部
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，５０，３１０，３２０ フレキシブル基板
１０ａ 基板
１１，２１，５１，３１１，３２１ ベース層
１１ａ，１１ｂ，２１ａ，２１ｂ，５１ａ，５１ｂ，３１１ａ，３１１ｂ，３２１ａ，３２１ｂ 面
１２，２２ａ，３１２ａ，３１２ｂ，３２２ａ，３２３ｂ 信号配線
１２−１，１２−２，２２ａ−１，２２ａ−２ 配線部
１３，２３ａ，３１３ａ，３１３ｂ，３２２ｂ，３２３ａ ＧＮＤ配線
１４，１５，２４，２５，５４，５５，３１４，３１５，３２４，３２５ カバーレイ層
１４ａ 開口部
１６ 導体層
２２，２３，５２，５３，３１２，３１３，３２２，３２３ 配線
３０，６０，８０，３３０ 接着層
４０，４１，４２，４３，４４，７０，７１，７２，７３，７４ チップコンデンサ
４０ａ，７０ａ 電極
４０ｂ，７０ｂ 端子
１００ 電子装置
１１０，１２０ 電子部品
１１１，１２１ マザーボード
１１１ａ，１２１ａ 信号線
１１１ｂ，１２１ｂ ＧＮＤ線
１１２，１２２ 半導体チップ
１１２ａ，１１３ａ，１２２ａ，１２３ａ 信号端子
１１２ｂ，１１３ｂ，１２２ｂ，１２３ｂ ＧＮＤ端子
１１３，１２３ コネクタ
２００ 電子機器（電子装置）

Claims (8)

1. 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１面に設けられ第１方向に延在された第１信号配線とを有する第１フレキシブル基板と、
   前記第１面に対向する第２フレキシブル基板と、
   前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の第１領域に介在された接着層と、
   前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の前記第１領域とは異なる第２領域に介在され、前記第１信号配線上に実装された第１電子部品と
   を含むことを特徴とする回路基板。
2. 前記第１フレキシブル基板は、前記第１面に設けられ前記第１方向に延在された第２信号配線を更に有し、
   前記第２領域に介在され、前記第２信号配線上の、前記第１電子部品に対して前記第１方向にずれた位置に実装された第２電子部品を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
3. 前記第２フレキシブル基板は、
   第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の、前記第１面と対向する第２面に設けられた第１グランド配線と
   を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
4. 前記第２フレキシブル基板は、
   第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の、前記第１面と対向する第２面に設けられ前記第１方向に延在された第３信号配線と
   を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
5. 前記第２フレキシブル基板は、前記第２領域に介在され前記第３信号配線上に実装された第３電子部品を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
6. 前記接着層は、前記第１フレキシブル基板及び前記第２フレキシブル基板の、前記第１方向と直交する第２方向の端部に設けられた導電性の接着部を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の回路基板。
7. 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１面に設けられ第１方向に延在された第１信号配線とを有する第１フレキシブル基板の、第１領域の前記第１信号配線上に、第１電子部品を実装する工程と、
   前記第１電子部品が実装された前記第１フレキシブル基板と、前記第１面に対向して配置された第２フレキシブル基板とを、前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の前記第１領域とは異なる第２領域で接着層により接着する工程と
   を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
8. 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１面に設けられ第１方向に延在された第１信号配線とを有する第１フレキシブル基板と、
   前記第１面に対向する第２フレキシブル基板と、
   前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の第１領域に介在された接着層と、
   前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板との間の前記第１領域とは異なる第２領域に介在され、前記第１信号配線上に実装された第１電子部品と
   を含む第１回路基板と、
   前記第１回路基板の前記第１方向の端部に設けられ、前記第１信号配線と電気的に接続された第２電子部品と
   を含むことを特徴とする電子装置。

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