JP2017129500A - Phase shift measuring device - Google Patents
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- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims abstract description 49
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
- G01N21/45—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length using interferometric methods; using Schlieren methods
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/27—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
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- Theoretical Computer Science (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
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Abstract
Description
本発明は、位相シフトマスクの位相シフト量を測定する位相シフト量測定装置に関し、特に構造が簡単で且つ温度安定性に優れた位相シフト量測定装置に係るものである。 The present invention relates to a phase shift amount measuring apparatus for measuring a phase shift amount of a phase shift mask, and particularly relates to a phase shift amount measuring apparatus having a simple structure and excellent temperature stability.
従来の位相シフト量測定装置は、透明基板上に位相シフター層を形成する前後に、その透明基板の同一箇所の透過光の位相差をマッハ・ツェンダー干渉計を用いて測定するもので、透明基板に位相シフター層を形成する間に、透明基板を載置する干渉計のサンプルステージ上にダミー透明基板を代わりに載置して、その間のダミー透明基板を透過する光の位相変動を検出し、透明基板に位相シフター層を形成した後の透明基板を透過する光の位相を測定する際に、その位相変動分を干渉計の一方の光路の光路長補正手段により光路長補正を行って相殺するものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。 A conventional phase shift amount measuring apparatus measures a phase difference of transmitted light at the same location of a transparent substrate before and after forming a phase shifter layer on the transparent substrate using a Mach-Zehnder interferometer. While the phase shifter layer is formed, a dummy transparent substrate is placed instead on the sample stage of the interferometer on which the transparent substrate is placed, and the phase fluctuation of the light transmitted through the dummy transparent substrate in between is detected. When measuring the phase of the light transmitted through the transparent substrate after the phase shifter layer is formed on the transparent substrate, the phase variation is offset by correcting the optical path length with the optical path length correcting means of one optical path of the interferometer. (For example, refer to Patent Document 1).
しかし、このような従来の位相シフト量測定装置において、マッハ・ツェンダー干渉計は、光路を二つに分離すると共にそれを再度合成するもので、構造が複雑であるため二つの光路長を合せる調整作業が難しく、且つ分離された二つの光路の光路長が長いため温度安定性に欠けるという問題があった。 However, in such a conventional phase shift amount measuring apparatus, the Mach-Zehnder interferometer separates the optical path into two and recombines them, and since the structure is complicated, the two optical path lengths are adjusted. There is a problem that the operation is difficult and the optical path length of the two separated optical paths is long, so that the temperature stability is lacking.
また、マスク本体の厚みを含む上記二つの光路の光路差によっても干渉が生じるため、マスクを交換する都度、マスク本体の厚みのばらつきに起因した干渉が生じないように二つの光路の光路長の調整が必要となる。したがって、量産品のマスクの厚みのばらつきを考慮すると実用的ではなかった。 In addition, since interference also occurs due to the optical path difference between the two optical paths including the thickness of the mask body, each time the mask is replaced, the optical path length of the two optical paths is reduced so that interference due to variations in the thickness of the mask body does not occur. Adjustment is required. Therefore, it is not practical in consideration of variations in the thickness of mass-produced masks.
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、構造が簡単で且つ温度安定性に優れた位相シフト量測定装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a phase shift amount measuring apparatus that addresses such problems and has a simple structure and excellent temperature stability.
上記目的を達成するために、本発明による位相シフト量測定装置は、位相シフトマスクの位相シフト量を測定する装置であって、光源から2重干渉像を撮影する撮像装置に至る単一光路上に、直線偏光を回折して複数の回折光を生成する回折格子と、前記位相シフトマスクのパターンの横ずらし2重像を生成すると共に、前記位相シフトマスクのパターン部及び位相シフター部を通過した前記回折光を干渉させるダブルウェッジプリズムと、前記ダブルウェッジプリズムを前記2重像の生成方向にスライド移動させる移動手段と、を備えたものである。 In order to achieve the above object, a phase shift amount measuring device according to the present invention is a device for measuring a phase shift amount of a phase shift mask, on a single optical path from a light source to an imaging device for capturing a double interference image. In addition, a diffraction grating that diffracts linearly polarized light to generate a plurality of diffracted lights, and a laterally shifted double image of the pattern of the phase shift mask are generated, and the pattern portion and the phase shifter portion of the phase shift mask are passed. A double wedge prism that interferes with the diffracted light; and a moving unit that slides the double wedge prism in the double image generation direction.
本発明によれば、二つに分離した光路上に夫々ダブルウェッジプリズムを配置する従来の構造と違って、単一の光路上に一つのダブルウェッジプリズムを移動可能に配置するだけの簡単な構造でシェアリング干渉を実現することができる。したがって、装置の製造コストを低減することができる。また、干渉する二つの光線の光路差はダブルウェッジプリズム内において決まるので極めて小さい。したがって、温度安定性に優れ、位相シフト量を高い精度で測定することができる。さらに、位相シフト量の測定と位相シフター層の透過率の測定を同時に行うことができる。 According to the present invention, unlike a conventional structure in which a double wedge prism is disposed on each of two separate optical paths, a simple structure in which one double wedge prism is movably disposed on a single optical path. Can realize sharing interference. Therefore, the manufacturing cost of the device can be reduced. Further, the optical path difference between the two interfering light beams is extremely small because it is determined in the double wedge prism. Therefore, the temperature stability is excellent, and the phase shift amount can be measured with high accuracy. Furthermore, measurement of the phase shift amount and measurement of the transmittance of the phase shifter layer can be performed simultaneously.
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明による位相シフト量測定装置の一実施形態を示す正面図である。この位相シフト量測定装置は、位相シフトマスクの位相シフト量を測定するためのもので、光源1から2重干渉像を撮影する二次元撮像装置2に至る単一の光路上に、偏光子3と、第1のλ/4板4と、コンデンサレンズ5と、バンドパスフィルタ6と、回折格子7と、照明レンズ8と、サンプルステージ9と、対物レンズ10と、ノマルスキープリズム11と、第2のλ/4板12と、検光子13と、結像レンズ14と、をこの順に備えて構成されている。 Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a front view showing an embodiment of a phase shift amount measuring apparatus according to the present invention. This phase shift amount measuring device is for measuring the phase shift amount of the phase shift mask, and the polarizer 3 is arranged on a single optical path from the light source 1 to the two-dimensional image pickup device 2 that takes a double interference image. The first λ / 4 plate 4, the condenser lens 5, the bandpass filter 6, the diffraction grating 7, the illumination lens 8, the sample stage 9, the objective lens 10, the Nomarski prism 11, and the second The λ / 4 plate 12, the analyzer 13, and the imaging lens 14 are provided in this order.
上記偏光子3は、光源1から放射されるランダム光から直線偏光を取出すものであり、例えば、透過軸と同一方向の偏波を取出す偏光板である。又は、偏光ビームスプリッタであってもよい。なお、ここでは、偏光板を使用した場合について説明する。 The polarizer 3 extracts linearly polarized light from random light emitted from the light source 1, and is, for example, a polarizing plate that extracts polarized light in the same direction as the transmission axis. Alternatively, a polarization beam splitter may be used. Here, a case where a polarizing plate is used will be described.
上記偏光子3の光進行方向下流には、第1のλ/4板4が配置されている。この第1のλ/4板4は、入射光の偏光面にλ/4の位相差を与えて直線偏光を円偏光の状態に変えるためのもので、被測定用の位相シフトマスク(以下「サンプルマスク」という)15の透明基板の複屈折を取り除くために設けられている。なお、この第1のλ/4板4及び後述の第2のλ/4板12は、必須の構成要素ではなく、無くてもよい。 A first λ / 4 plate 4 is disposed downstream of the polarizer 3 in the light traveling direction. The first λ / 4 plate 4 is used to change the linearly polarized light into a circularly polarized state by giving a phase difference of λ / 4 to the polarization plane of incident light. It is provided to remove the birefringence of the transparent substrate 15 (referred to as “sample mask”). The first λ / 4 plate 4 and the second λ / 4 plate 12 described later are not essential components and may be omitted.
上記第1のλ/4板4の光進行方向下流には、コンデンサレンズ5が配置されている。このコンデンサレンズ5は、光源1から放射する光源光を平行光にするもので、光源光を前方に反射する図示省略の楕円反射鏡の第2焦点位置に前焦点を合致させて設けられている。 A condenser lens 5 is disposed downstream of the first λ / 4 plate 4 in the light traveling direction. The condenser lens 5 converts the light source light emitted from the light source 1 into parallel light, and is provided with the front focal point matched with the second focal position of an elliptical reflecting mirror (not shown) that reflects the light source light forward. .
上記コンデンサレンズ5の光進行方向下流には、バンドパスフィルタ6が配置されている。このバンドパスフィルタ6は、特定波長の光を選択的に透過するものであり、例えば、g線(436nm)、h線(405nm)及びi線(365nm)の混合光を選択的に透過するものであっても、g線、h線及びi線のうちから選択された一つの光線のみを透過するものであってもよく、上記各光線を透過するフィルタを切り替え可能に設けたものであってもよい。 A band pass filter 6 is disposed downstream of the condenser lens 5 in the light traveling direction. This band pass filter 6 selectively transmits light of a specific wavelength, for example, selectively transmits mixed light of g-line (436 nm), h-line (405 nm) and i-line (365 nm). However, it may be one that transmits only one light ray selected from the g-line, h-line, and i-line, and is provided with a filter that transmits each of the light beams in a switchable manner. Also good.
上記バンドパスフィルタ6の光進行方向下流には、回折格子7が配置されている。この回折格子7は、入射光を回折して多数次回折光に分離して射出するもので、例えば平行な複数のスリットを等間隔で配列した構造を有している。 A diffraction grating 7 is disposed downstream of the bandpass filter 6 in the light traveling direction. The diffraction grating 7 diffracts incident light and separates it into a multi-order diffracted light and emits it. For example, the diffraction grating 7 has a structure in which a plurality of parallel slits are arranged at equal intervals.
上記回折格子7の光進行方向下流には、照明レンズ8が配置されている。この照明レンズ8は、回折格子7から射出する多数次回折光を絞ってサンプルマスク15に照射するものであり、前焦点を光軸上の上記回折格子7の位置に合致させて設けられている。 An illumination lens 8 is disposed downstream of the diffraction grating 7 in the light traveling direction. The illumination lens 8 squeezes the multi-order diffracted light emitted from the diffraction grating 7 and irradiates the sample mask 15, and is provided with the front focal point matched with the position of the diffraction grating 7 on the optical axis.
上記照明レンズ8の光進行方向下流には、サンプルステージ9が設けられている。このサンプルステージ9は、図2に示すような、石英等の透明基板16上に被着された位相シフター層17に、例えば矩形状のパターン部18と位相シフター部19とを形成したサンプルマスク15の周縁部を保持するもので、中央部に開口部20を形成して光が図1において下方から上方に向かって通過できるようになっている。そして、サンプルステージ9に保持されたサンプルマスク15のマスク表面(位相シフター層17を形成した面)が上記照明レンズ8の後焦点に合致するようにされている。これにより、上記回折格子7を射出した多数次回折光がサンプルマスク15の表面で干渉することになる。 A sample stage 9 is provided downstream of the illumination lens 8 in the light traveling direction. As shown in FIG. 2, the sample stage 9 includes a sample mask 15 in which, for example, a rectangular pattern portion 18 and a phase shifter portion 19 are formed on a phase shifter layer 17 deposited on a transparent substrate 16 such as quartz. The opening 20 is formed at the center so that light can pass from the bottom to the top in FIG. The mask surface of the sample mask 15 held on the sample stage 9 (the surface on which the phase shifter layer 17 is formed) matches the rear focus of the illumination lens 8. As a result, the multi-order diffracted light emitted from the diffraction grating 7 interferes with the surface of the sample mask 15.
この場合、回折格子7で分離された光線のサンプルマスク15表面におけるシア量(干渉縞のピッチ)をS1、強め合う回折角をθ、照明レンズ8の焦点距離をf、照明光の波長をλ、回折格子7のスリットピッチをPとすると、シア量S1は、図3により
S1=f×sinθ (1)
と表される。なお、シア量S1は、一般に、サンプルマスク15のパターンの配列ピッチに合せて決められるが、パターンの配列が一定でないときには、例えば平均的な値に決めればよく、設計者が設定する所望の値である。
In this case, the shear amount (interference fringe pitch) of the light beam separated by the diffraction grating 7 on the surface of the sample mask 15 is S 1 , the reinforcing diffraction angle is θ, the focal length of the illumination lens 8 is f, and the wavelength of the illumination light is Assuming that λ and the slit pitch of the diffraction grating 7 are P, the shear amount S 1 is calculated as follows: S 1 = f × sin θ (1)
It is expressed. Incidentally, shear amount S 1 is generally, although determined in accordance with the arrangement pitch of the pattern of the sample mask 15, when the sequence of the pattern is not constant, for example, may be determined on an average value, designer desired to be set Value.
また、回折格子7のスリットピッチPは、回折格子の方程式により
P×sinθ=λ (2)
と表される。
Further, the slit pitch P of the diffraction grating 7 is expressed as follows: P × sin θ = λ (2)
It is expressed.
したがって、回折格子7のスリットピッチPは、上記式(1)、(2)より
P=f×λ/S1 (3)
で表される。
Therefore, the slit pitch P of the diffraction grating 7 is P = f × λ / S 1 (3) from the above equations (1) and (2).
It is represented by
ここで、例えば、シア量S1=2μm、f=50mm、λ=365nmとすると、スリットピッチPは、式(3)により、P=9.125mmとなる。また、シア量S1=2μm、f=50mm、λ=436nmとすると、スリットピッチPは、式(3)により、P=10.9mmとなる。このように、回折格子7のスリットピッチPを10mm程度と比較的粗いピッチで形成しても、サンプルマスク15の表面に約2μmピッチでコントラストの高い干渉縞を生じさせることができる。 Here, for example, when the shear amount S 1 = 2 μm, f = 50 mm, and λ = 365 nm, the slit pitch P is P = 9.125 mm according to the equation (3). Further, when the shear amount S 1 = 2 μm, f = 50 mm, and λ = 436 nm, the slit pitch P is P = 10.9 mm according to the equation (3). Thus, even if the slit pitch P of the diffraction grating 7 is formed with a relatively coarse pitch of about 10 mm, interference fringes with high contrast can be generated on the surface of the sample mask 15 at a pitch of about 2 μm.
上記サンプルステージ9の光進行方向下流には、サンプルマスク15に対向して対物レンズ10が配置されている。この対物レンズ10は、サンプルマスク15を透過した光線を瞳位置に集光するもので、後述の結像レンズ14と協働してサンプルマスク15のパターン像を撮像装置2の撮像面に拡大して結像するようになっている。 An objective lens 10 is disposed facing the sample mask 15 downstream of the sample stage 9 in the light traveling direction. The objective lens 10 collects the light beam that has passed through the sample mask 15 at the pupil position, and cooperates with the imaging lens 14 described later to expand the pattern image of the sample mask 15 onto the imaging surface of the imaging device 2. To form an image.
上記対物レンズ10の光進行方向下流には、ノマルスキープリズム11が配置されている。このノマルスキープリズム11は、サンプルマスク15のパターンの横ずらし2重像を生成すると共に、サンプルマスク15のパターン部18及び位相シフター部19を透過した回折光(円偏光)を干渉させるものであり、複屈折性のある結晶を二つ、結晶軸をずらして貼り合せたダブルウェッジプリズムで、プリズムの焦点位置を対物レンズ10の瞳位置に合致させて設けられている。 A Nomarski prism 11 is disposed downstream of the objective lens 10 in the light traveling direction. The Nomarski prism 11 generates a laterally shifted double image of the pattern of the sample mask 15 and causes the diffracted light (circularly polarized light) transmitted through the pattern portion 18 and the phase shifter portion 19 of the sample mask 15 to interfere with each other. This is a double wedge prism in which two birefringent crystals are bonded to each other with their crystal axes shifted from each other, and the prism focal point position is made to coincide with the pupil position of the objective lens 10.
詳細には、ノマルスキープリズム11は、サンプルマスク15のパターン部18を透過した円偏光と、位相シフター部19を透過した円偏光とを統合するものである。この場合、パターン部18を透過した円偏光と、位相シフター部19を透過した円偏光との間には、位相シフター部19の位相シフター層17の厚みや屈折率の大きさに応じて位相差が生じる。したがって、統合された偏光は、上記位相差に基づく明暗のコントラストを持った干渉像を生じることになる。 Specifically, the Nomarski prism 11 integrates the circularly polarized light transmitted through the pattern portion 18 of the sample mask 15 and the circularly polarized light transmitted through the phase shifter portion 19. In this case, there is a phase difference between the circularly polarized light transmitted through the pattern unit 18 and the circularly polarized light transmitted through the phase shifter unit 19 depending on the thickness of the phase shifter layer 17 of the phase shifter unit 19 and the refractive index. Occurs. Therefore, the integrated polarized light produces an interference image having a contrast of light and dark based on the phase difference.
この場合、ノマルスキープリズム11は、光射出端面の全面に亘って均一な干渉像が形成されるように、光軸に対して横ずらし2重像の生成方向に傾けて配置するのがよい。なお、ノマルスキープリズム11によって生成される2重像の横ずらし量(シア量S2)は、ノマルスキープリズム11による二つの偏光の分離角と対物レンズの焦点距離とに基づいて求まるものである。したがって、ノマルスキープリズム11は、上記分離角が所望のシア量S2が得られる角度となるように作製される。 In this case, it is preferable that the Nomarski prism 11 is displaced laterally with respect to the optical axis and tilted in the double image generation direction so that a uniform interference image is formed over the entire light exit end face. Note that the lateral shift amount (shear amount S 2 ) of the double image generated by the Nomarski prism 11 is obtained based on the separation angle of the two polarized lights by the Nomarski prism 11 and the focal length of the objective lens. Therefore, the Nomarski prism 11, the separation angle is produced to a desired shear amount angle S 2 is obtained.
より詳細には、ノマルスキープリズム11は、例えばモータとボールねじを備えて構成された移動手段21によって、2重像の生成方向にて、ノマルスキープリズム11の光入射端面又は光射出端面に平行に移動可能になっている。したがって、移動手段21によりノマルスキープリズム11を上記のように移動させると、ノマルスキープリズム11内の光路長が変化し、光射出端面に現れる干渉像に正弦波状の位相変調が生じる。この場合、位相変調量は、移動されるノマルスキープリズム11の位置情報から求めることができる。又は、ノマルスキープリズム11を一定速度で移動するなら、その移動時間から求めることができる。また、位相変調の輝度値は、撮像装置2に結像される干渉像に対応した画素の輝度情報により求めることができる。 More specifically, the Nomarski prism 11 is moved in parallel with the light incident end face or the light exit end face of the Nomarski prism 11 in the double image generation direction by a moving means 21 including, for example, a motor and a ball screw. It is possible. Therefore, when the Nomarski prism 11 is moved by the moving means 21 as described above, the optical path length in the Nomarski prism 11 changes, and a sinusoidal phase modulation occurs in the interference image appearing on the light exit end face. In this case, the phase modulation amount can be obtained from position information of the moved Nomarski prism 11. Alternatively, if the Nomarski prism 11 is moved at a constant speed, it can be obtained from the moving time. Further, the luminance value of the phase modulation can be obtained from the luminance information of the pixel corresponding to the interference image formed on the imaging device 2.
上記ノマルスキープリズム11の光進行方向下流には、第2のλ/4板12が設けられている。この第2のλ/4板12は、円偏光を直線偏光に戻すためのもので、第1のλ/4板4と同じ機能を有するものである。 A second λ / 4 plate 12 is provided downstream of the Nomarski prism 11 in the light traveling direction. The second λ / 4 plate 12 is for returning circularly polarized light to linearly polarized light, and has the same function as the first λ / 4 plate 4.
上記第2のλ/4板12の光進行方向下流には、検光子13が設けられている。この検光子13は、特定の偏波の直線偏光を取出すためのものであり、偏光板又は偏光ビームスプリッタである。なお、ここでは、偏光板を使用した場合について説明する。この場合、偏光板は、透過軸が偏光子3の偏光板の透過軸と直交するように配置される。これにより、検光子13の偏光板を透過する直線偏光は、振動方向が偏光子3を透過する直線偏光の振動方向と直交するものである。 An analyzer 13 is provided downstream of the second λ / 4 plate 12 in the light traveling direction. The analyzer 13 is for extracting linearly polarized light having a specific polarization, and is a polarizing plate or a polarizing beam splitter. Here, a case where a polarizing plate is used will be described. In this case, the polarizing plate is arranged so that the transmission axis is orthogonal to the transmission axis of the polarizing plate of the polarizer 3. Thereby, the linearly polarized light transmitted through the polarizing plate of the analyzer 13 has a vibration direction orthogonal to the vibration direction of the linearly polarized light transmitted through the polarizer 3.
上記検光子13の光進行方向下流には、結像レンズ14が設けられている。この結像レンズ14は、対物レンズ10と協働してサンプルマスク15のパターン像を撮像装置2の撮像面上に拡大して結像するもので、集光レンズである。この場合、サンプルマスク15のパターン像は、像光がノマルスキープリズム11を透過する際に、二つに分離されて横にずれるため、撮像装置2の撮像面上に結像されるパターン像は横にずれた2重像となる。なお、計測に使用する光線がg線、h線又はi線等の紫外光であるため、撮像装置2は、紫外線カメラが使用される。 An imaging lens 14 is provided downstream of the analyzer 13 in the light traveling direction. The imaging lens 14 is a condenser lens that cooperates with the objective lens 10 to enlarge and form a pattern image of the sample mask 15 on the imaging surface of the imaging device 2. In this case, the pattern image of the sample mask 15 is separated into two when the image light passes through the Nomarski prism 11 and is shifted laterally. Therefore, the pattern image formed on the imaging surface of the imaging device 2 is horizontal. It becomes a double image shifted to. In addition, since the light beam used for measurement is ultraviolet light such as g-line, h-line, or i-line, an ultraviolet camera is used as the imaging device 2.
次に、このように構成された位相シフト量測定装置の動作について説明する。
ここでは、例えば、サンプルマスク15として、図2に示すような石英等の透明基板16上に被着された半透明膜等の位相シフター層17に矩形状のパターン部18とその外側の位相シフター部19とを形成した位相シフトマスクを使用する場合について説明する。
Next, the operation of the phase shift amount measuring apparatus configured as described above will be described.
Here, for example, as the sample mask 15, a rectangular pattern portion 18 and a phase shifter outside thereof are formed on a phase shifter layer 17 such as a semitransparent film deposited on a transparent substrate 16 such as quartz as shown in FIG. The case where the phase shift mask formed with the portion 19 is used will be described.
光源1から放射されるランダム光の紫外線は偏光子3に入射する。そして、偏光子3から特定方向に振動する偏波の直線偏光が取り出される。この直線偏光は、下流の第1のλ/4板4によって円偏光とされる。 Random light ultraviolet rays emitted from the light source 1 enter the polarizer 3. Then, the linearly polarized light that is polarized in a specific direction is extracted from the polarizer 3. This linearly polarized light is converted into circularly polarized light by the downstream first λ / 4 plate 4.
上記円偏光は、さらに下流のコンデンサレンズ5により平行光にされた後、バンドパスフィルタ6により選択された波長の光線が回折格子7に入射する。 The circularly polarized light is converted into parallel light by the condenser lens 5 further downstream, and then a light beam having a wavelength selected by the bandpass filter 6 enters the diffraction grating 7.
回折格子7に入射した円偏光は、複数のスリットにより多数次回折光に分離されて回折格子7を射出した後、照明レンズ8により絞られてサンプルマスク15を裏面から照明する。そして、上記多数次回折光(円偏光)は、サンプルマスク15の表面(位相シフター層17を形成した面)で干渉する。この干渉光の一部は、サンプルマスク15のパターン部18を透過し、他の干渉光は位相シフター部19を透過する。干渉縞のピッチ(シア量S1)は、図3を用いて説明したように、回折格子7のスリットピッチP、照明レンズ8の焦点距離f、照明光の光線の波長λ及び上記式(3)を用いて算出することができる。 The circularly polarized light incident on the diffraction grating 7 is separated into multi-order diffracted light by a plurality of slits, exits the diffraction grating 7, and then is narrowed down by the illumination lens 8 to illuminate the sample mask 15 from the back surface. The multi-order diffracted light (circularly polarized light) interferes with the surface of the sample mask 15 (the surface on which the phase shifter layer 17 is formed). A part of the interference light passes through the pattern portion 18 of the sample mask 15, and the other interference light passes through the phase shifter portion 19. As described with reference to FIG. 3, the pitch of the interference fringes (shear amount S 1 ) is the slit pitch P of the diffraction grating 7, the focal length f of the illumination lens 8, the wavelength λ of the light beam of the illumination light, and the above formula (3 ).
サンプルマスク15のパターン部18及び位相シフター部19を透過した多数次回折光は、夫々、対物レンズ10の瞳位置に集光した後、再び分散してノマルスキープリズム11に入射する。ノマルスキープリズム11は、互いに直交する振動面を持つ二つの偏光を一つの偏光に統合する作用を有する。したがって、分散してノマルスキープリズム11に入射した各二つの多数次回折光(パターン部18及び位相シフター部19を透過した多数次回折光)は、夫々、ノマルスキープリズム11によって再び一つの偏光(円偏光)に統合されてノマルスキープリズム11を射出する。このように、パターン部18及び位相シフター部19を透過した多数次回折光がノマルスキープリズム11によって一つの偏光に統合されることにより、ノマルスキープリズム11の光射出端面には、複数の干渉縞が生じることになる。 The multi-order diffracted lights transmitted through the pattern portion 18 and the phase shifter portion 19 of the sample mask 15 are condensed at the pupil position of the objective lens 10 and then dispersed again and enter the Nomarski prism 11. The Nomarski prism 11 has an action of integrating two polarized lights having vibration planes orthogonal to each other into one polarized light. Therefore, each of the two multi-order diffracted lights (the multi-order diffracted lights transmitted through the pattern unit 18 and the phase shifter unit 19) dispersed and incident on the Nomarski prism 11 is again converted into one polarized light (circularly polarized light) by the Nomarski prism 11. The integrated Nomarski prism 11 is emitted. As described above, the multi-order diffracted light transmitted through the pattern unit 18 and the phase shifter unit 19 is integrated into one polarized light by the Nomarski prism 11, thereby generating a plurality of interference fringes on the light exit end face of the Nomarski prism 11. become.
ノマルスキープリズム11で統合された複数の多数次回折光の円偏光は、第2のλ/4板12によって直線偏光に戻られた後、検光子13に入射する。検光子13は、透過軸が偏光子3の透過軸に対して直交するように配置されたものである。したがって、上記直線偏光の内、検光子13の透過軸と同一方向に振動する偏波の直線偏光が検光子13を透過し、後段の結像レンズ14により、撮像装置2の撮像面上に集光される。 The circularly polarized light of the plurality of multi-order diffracted lights integrated by the Nomarski prism 11 is returned to linearly polarized light by the second λ / 4 plate 12 and then enters the analyzer 13. The analyzer 13 is arranged so that the transmission axis is orthogonal to the transmission axis of the polarizer 3. Therefore, of the linearly polarized light, polarized linearly polarized light that vibrates in the same direction as the transmission axis of the analyzer 13 is transmitted through the analyzer 13 and collected on the imaging surface of the imaging device 2 by the imaging lens 14 at the subsequent stage. Lighted.
これにより、撮像装置2の撮像面には、サンプルマスク15のパターン像がノマルスキープリズム11の作用により横にずれた(例えば図2においてX方向にずれた)二つの画像(干渉画像)に分離された状態で拡大結像される。また、各画像内には、二つの画像の位相差が輝度変化となって現れる。 Thereby, on the imaging surface of the imaging device 2, the pattern image of the sample mask 15 is separated into two images (interference images) shifted laterally (for example, shifted in the X direction in FIG. 2) by the action of the Nomarski prism 11. Enlarged image is formed with In each image, the phase difference between the two images appears as a luminance change.
ここで、移動手段21を駆動してノマルスキープリズム11を2重像の生成方向にスライド移動させて2重像の干渉像に位相変調を生じさせると、二つの干渉画像には、図4に示すような輝度変化が現れる。同図において、L0は透明基板に相当する位置における輝度変化を示し、L1は二つの干渉画像の一方の干渉画像位置における輝度変化を示し、L2は二つの干渉画像の他方の干渉画像位置における輝度変化を示しており、夫々、振幅の中点の値により規格化して表したものである。また、同図において、Φ1は輝度変化L1の位相差を示し、Φ2は輝度変化L2の位相差を示す。したがって、サンプルマスク15の位相シフト量δは、両干渉画像の位相差(Φ2−Φ1)を計算することにより、δ=(Φ2−Φ1)/2を演算して求めることができる。この演算は、撮像装置2内又は別に設けた信号処理装置で行うことができる。なお、図4において、各輝度変化のグラフの振幅は、透過率に比例する。 Here, when the moving means 21 is driven and the Nomarski prism 11 is slid in the double image generation direction to cause phase modulation in the interference image of the double image, the two interference images are shown in FIG. Such a luminance change appears. In the figure, L 0 indicates a luminance change at a position corresponding to the transparent substrate, L 1 indicates a luminance change at one interference image position of two interference images, and L 2 indicates the other interference image of the two interference images. The change in luminance at the position is shown, and each is normalized and represented by the value of the midpoint of the amplitude. In the figure, Φ 1 indicates the phase difference of the luminance change L 1 , and Φ 2 indicates the phase difference of the luminance change L 2 . Therefore, the phase shift amount δ of the sample mask 15 can be obtained by calculating δ = (Φ 2 −Φ 1 ) / 2 by calculating the phase difference (Φ 2 −Φ 1 ) of both interference images. . This calculation can be performed in the imaging device 2 or a signal processing device provided separately. In FIG. 4, the amplitude of each luminance change graph is proportional to the transmittance.
以下、サンプルマスク15の位相シフト量の測定及び位相シフター層17の透過率の測定方法について詳細に説明する。
例えば、幅がWの矩形状のパターン部18を有するサンプルマスク15をシア量S2がWのノマルスキープリズム11を透して観察すると、撮像装置2には、図5(a)に示すように、ノマルスキープリズム11の作用により、横にずれた2重像として現れる。この場合、同図に実線で示すパターン画像22Aの干渉画像は、図4における輝度変化L2を示す干渉画像に対応し、破線で示すパターン画像22Bの干渉画像は、輝度変化L1を示す干渉画像に対応する。したがって、ノマルスキープリズム11を2重画像の生成方向に移動しながら、撮像装置2の各干渉画像に対応した位置の画素の輝度情報を取得すると、図4における輝度変化L1,L2の正弦波形が得られる。
Hereinafter, the measurement method of the phase shift amount of the sample mask 15 and the measurement method of the transmittance of the phase shifter layer 17 will be described in detail.
For example, the width of shear amount S 2 of the sample mask 15 having a rectangular pattern portions 18 of W is observing it through Nomarski prism 11 W, the image pickup apparatus 2, as shown in FIG. 5 (a) As a result of the operation of the Nomarski prism 11, a double image appears laterally shifted. In this case, the interference image of the pattern image 22A shown by the solid line in the figure corresponds to the interference images showing luminance change L 2 in FIG. 4, the interference image of the pattern image 22B indicated by a broken line, the interference indicating a luminance change in L 1 Corresponds to the image. Therefore, when the luminance information of the pixel at the position corresponding to each interference image of the imaging device 2 is acquired while moving the Nomarski prism 11 in the double image generation direction, the sine waveforms of the luminance changes L 1 and L 2 in FIG. Is obtained.
したがって、サンプルマスク15の位相シフト量δは、輝度変化L1,L2の正弦波形のピーク間の位相差(Φ2−Φ1)を計算することにより、δ=(Φ2−Φ1)/2を演算して求めることができる。この場合は、図4に示す透明基板に相当する位置における輝度変化L0は得られない。したがって、位相シフター層17の透明基板に対する透過率は、測定することができない。 Therefore, the phase shift amount δ of the sample mask 15 is calculated by calculating the phase difference (Φ 2 −Φ 1 ) between the peaks of the sinusoidal waveforms of the luminance changes L 1 and L 2 , thereby obtaining δ = (Φ 2 −Φ 1 ). / 2 can be calculated. In this case, the luminance change L 0 at the position corresponding to the transparent substrate shown in FIG. 4 cannot be obtained. Therefore, the transmittance of the phase shifter layer 17 with respect to the transparent substrate cannot be measured.
サンプルマスク15の位相シフト量及び位相シフター層17の透過率の両方を測定するには、ノマルスキープリズム11として、シア量S2がパターン部18の幅Wに対してS2<W(例えばS2=W/2)となるように作製したものを使用するとよい。このようなノマルスキープリズム11を透してサンプルマスク15を観察すると、撮像装置2には、図5(b)に示すような、例えば横ずらし量がW/2の2重画像が現れる。この場合、図5(b)に実線で示すパターン画像22Aの左半分の干渉画像は、図4における輝度変化L2を示す干渉画像に対応し、図5(b)に実線で示すパターン画像22Aの右半分の干渉画像(又は破線で示すパターン画像22Bの左半分の干渉画像)は、図4における輝度変化L0を示す干渉画像に対応し、図5(b)に破線で示すパターン画像22Bの右半分の干渉画像は、図4における輝度変化L1を示す干渉画像に対応する。そこで、ノマルスキープリズム11を2重画像の生成方向に移動しながら、撮像装置2の各干渉画像に対応した位置の画素の輝度情報を取得すると、図4における輝度変化L0,L1,L2の正弦波形が得られる。 In order to measure both the phase shift amount of the sample mask 15 and the transmittance of the phase shifter layer 17, as the Nomarski prism 11, the shear amount S 2 is S 2 <W (for example, S 2) with respect to the width W of the pattern portion 18. = W / 2) is preferably used. When the sample mask 15 is observed through such a Nomarski prism 11, a double image having a lateral shift amount of W / 2, for example, as shown in FIG. In this case, the left half of the interference image of the pattern image 22A shown by the solid line in FIG. 5 (b) corresponds to the interference images showing luminance change L 2 in FIG. 4, the pattern image 22A shown by the solid line in FIG. 5 (b) the right half of the interference image (or left half of the interference image of the pattern image 22B indicated by a broken line) corresponds to the interference images showing changes in luminance L 0 in FIG. 4, the pattern image 22B indicated by a broken line in FIG. 5 (b) right half of the interference image corresponds to the interference images showing luminance change L 1 in FIG. 4. Therefore, when the luminance information of the pixel at the position corresponding to each interference image of the imaging device 2 is acquired while moving the Nomarski prism 11 in the double image generation direction, the luminance changes L 0 , L 1 , L 2 in FIG. The sine waveform is obtained.
したがって、サンプルマスク15の位相シフト量δは、輝度変化L1,L2の正弦波形のピーク間の位相差(Φ2−Φ1)を計算することにより、δ=(Φ2−Φ1)/2を演算して求めることができる。また、前述したように、各輝度変化の振幅が透過率に比例するから、各輝度変化の振幅を比較することにより、例えば透明基板の透過率に対する位相シフター層17の透過率を求めることができる。例えば、輝度変化L0の振幅をA0、輝度変化L1,L2の振幅をA1とすると、相対透過率TはT=A1/A0を計算することにより求めることができる。 Therefore, the phase shift amount δ of the sample mask 15 is calculated by calculating the phase difference (Φ 2 −Φ 1 ) between the peaks of the sinusoidal waveforms of the luminance changes L 1 and L 2 , thereby obtaining δ = (Φ 2 −Φ 1 ). / 2 can be calculated. Further, as described above, since the amplitude of each luminance change is proportional to the transmittance, for example, the transmittance of the phase shifter layer 17 with respect to the transmittance of the transparent substrate can be obtained by comparing the amplitude of each luminance change. . For example, when the amplitude of the luminance change L 0 is A 0 and the amplitudes of the luminance changes L 1 and L 2 are A 1 , the relative transmittance T can be obtained by calculating T = A 1 / A 0 .
なお、上記実施形態においては、サンプルマスク15の図2におけるX方向の位相シフト量を測定する場合について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、図2におけるX,Yの両方向の位相シフト量の測定を可能にするには、回折格子7とノマルスキープリズム11とを一体的に光軸回りに90度回転させる回転手段を備えるとよい。又は、ノマルスキープリズム11を光軸を中心に90度ずれた位置に夫々配置すると共に、回折格子7を90度回転させるようにしてもよい。又は、回折格子7の代わりに、図6に示すような複数のピンホール23をマトリクス状に備えたピンホール板24を使用してもよい。さらには、上記実施形態において、サンプルステージ9を90度回転可能に構成してもよい。 In the above embodiment, the case of measuring the phase shift amount in the X direction in FIG. 2 of the sample mask 15 has been described, but the present invention is not limited to this. For example, in order to enable measurement of the phase shift amounts in both the X and Y directions in FIG. 2, it is preferable to include a rotating means that integrally rotates the diffraction grating 7 and the Nomarski prism 11 about 90 degrees around the optical axis. Alternatively, the Nomarski prism 11 may be arranged at a position shifted by 90 degrees about the optical axis, and the diffraction grating 7 may be rotated by 90 degrees. Alternatively, instead of the diffraction grating 7, a pinhole plate 24 having a plurality of pinholes 23 as shown in FIG. 6 in a matrix may be used. Furthermore, in the above embodiment, the sample stage 9 may be configured to be rotatable by 90 degrees.
1…光源
2…撮像装置
4…第1のλ/4板
6…バンドパスフィルタ
7…回折格子
11…ノマルスキープリズム(ダブルウェッジプリズム)
12…第2のλ/4板
15…サンプルマスク(位相シフトマスク)
21…移動手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light source 2 ... Imaging device 4 ... 1st (lambda) / 4 board 6 ... Band pass filter 7 ... Diffraction grating 11 ... Nomarski prism (double wedge prism)
12: Second λ / 4 plate 15: Sample mask (phase shift mask)
21 ... Moving means
Claims (5)
光源から2重干渉像を撮影する撮像装置に至る単一光路上に、
直線偏光を回折して複数の回折光を生成する回折格子と、
前記位相シフトマスクのパターンの横ずらし2重像を生成すると共に、前記位相シフトマスクのパターン部及び位相シフター部を通過した前記回折光を干渉させるダブルウェッジプリズムと、
前記ダブルウェッジプリズムを前記2重像の生成方向にスライド移動させる移動手段と、
を備えたことを特徴とする位相シフト量測定装置。 An apparatus for measuring a phase shift amount of a phase shift mask,
On a single optical path from the light source to the imaging device that captures the double interference image,
A diffraction grating that diffracts linearly polarized light to generate a plurality of diffracted lights;
A double wedge prism that generates a laterally shifted double image of the pattern of the phase shift mask and interferes the diffracted light that has passed through the pattern portion and the phase shifter portion of the phase shift mask;
Moving means for slidingly moving the double wedge prism in the double image generation direction;
A phase shift amount measuring apparatus comprising:
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016010124A JP2017129500A (en) | 2016-01-21 | 2016-01-21 | Phase shift measuring device |
| PCT/JP2016/084591 WO2017126215A1 (en) | 2016-01-21 | 2016-11-22 | Phase shift amount measurement device |
| CN201680068726.6A CN108603833B (en) | 2016-01-21 | 2016-11-22 | Phase shift amount measuring device |
| KR1020187016724A KR20180103850A (en) | 2016-01-21 | 2016-11-22 | Phase shift amount measuring device |
| TW106101785A TW201736810A (en) | 2016-01-21 | 2017-01-19 | Phase shift amount measurement device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016010124A JP2017129500A (en) | 2016-01-21 | 2016-01-21 | Phase shift measuring device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017129500A true JP2017129500A (en) | 2017-07-27 |
Family
ID=59361673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016010124A Pending JP2017129500A (en) | 2016-01-21 | 2016-01-21 | Phase shift measuring device |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2017129500A (en) |
| KR (1) | KR20180103850A (en) |
| CN (1) | CN108603833B (en) |
| TW (1) | TW201736810A (en) |
| WO (1) | WO2017126215A1 (en) |
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- 2016-11-22 WO PCT/JP2016/084591 patent/WO2017126215A1/en not_active Ceased
-
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| KR102546388B1 (en) | 2018-05-22 | 2023-06-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Photomask Inspection Device and Photomask Inspection Method |
| KR20240059563A (en) * | 2022-10-27 | 2024-05-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Phase difference measuring apparatus and phase difference measuring method |
| KR102792277B1 (en) | 2022-10-27 | 2025-04-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Phase difference measuring apparatus and phase difference measuring method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108603833B (en) | 2021-06-01 |
| TW201736810A (en) | 2017-10-16 |
| KR20180103850A (en) | 2018-09-19 |
| WO2017126215A1 (en) | 2017-07-27 |
| CN108603833A (en) | 2018-09-28 |
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