JP2017120975A - 撮像素子 - Google Patents
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Abstract
Description
説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。また、様々な処理を行う機能ブロックとして図面に記載される各要素は、ハードウェア的には、CPU、メモリ、その他の回路で構成することができ、ソフトウェア的には、メモリにロードされたプログラムなどによって実現される。したがって、これらの機能ブロックがハードウェアのみ、ソフトウェアのみ、又は、それらの組合せによっていろいろな形で実現できることは当業者には理解されるところであり、いずれかに限定されるものではない。なお、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
図1に実施の形態1にかかるカメラシステム1のブロック図を示す。図1に示すように、カメラシステム1は、ズームレンズ11、絞り機構12、固定レンズ13、フォーカスレンズ14、撮像素子15、ズームレンズアクチュエータ16、フォーカスレンズアクチュエータ17、信号処理回路18、システム制御MCU19、モニタ、記憶装置を有する。ここで、モニタ及び記憶装置は、カメラシステム1で撮影した画像を確認及び記憶するものであり、これらをカメラシステム1とは切り離した別のシステム上に設けても良い。
図2に実施の形態1にかかる撮像素子のフロアレイアウトの一部の概略図を示す。図2では、撮像素子15のフロアレイアウトのうちロウコントローラ20、カラムコントローラ21、画素アレイ22のフロアレイアウトのみを示した。
図3に実施の形態1にかかる撮像素子の画素ユニットの回路図を示す。図3に示す例では、フォトダイオードPD0、PD1を有する画素ユニット23を示した。このフォトダイオードPD0は、例えば、緑色のカラーフィルタに対応するものであり、フォトダイオードPD1は、例えば、赤色のカラーフィルタに対応するものである。
続いて、実施の形態1にかかる画素ユニット23のレイアウトについて説明する。そこで、図4に実施の形態1にかかる画素ユニット23のレイアウトの概略図を示す。なお、図4に示したレイアウト図は、1つの画素ユニットのみを示すものである。また、図4では、電源配線VDD_PXについては図示を省略した。
続いて、画素ユニット23の第1の光電変換素子領域APD0の断面構造について説明する。図5に実施の形態1にかかる撮像素子の第1の光電変換素子領域APD0に含まれるフォトダイオード部分の断面図を示す。図5に示すように、画素ユニット23では、Nサブ層31の上層にPウェル層32が形成され、当該Pウェル層32の表面にフォトダイオードPD0L、PD0Rが形成される。そして、Nサブ層31及びPウェル層32からなる基板層の上層には、配線33〜35が形成される配線層が設けられる。画素ユニット23におけるマイクロレンズは、配線層の上層に形成される。マイクロレンズが形成されるマイクロレンズ層では、カラーフィルタ36の上層にマイクロレンズ37が形成される。そして、図5に示すように、画素ユニット23では、フォトダイオード対を覆うようにマイクロレンズ37が形成される。
ここで、実施の形態1にかかる撮像素子におけるにおける画素ユニット間の接続状態を説明する。そこで、図6に実施の形態1にかかる撮像素子におけるにおける画素ユニット間の接続状態を説明する回路図を示す。図6では、画素ユニット内の素子のうち画素ユニット間の接続に関係する素子のみを示した。
続いて、実施の形態1にかかる撮像素子の画素情報の読み出し動作について説明する。実施の形態1にかかる撮像素子では、一度の読み出し動作で読み出す画素情報を生成する画素ユニットの数を変更することができる。以下の説明では、1つの画素ユニットで生成された画素情報を一度の読み出し動作で読み出す第1の例、2つの画素ユニットで生成された画素情報を一度の読み出し動作で読み出す第2の例、3つの画素ユニットで生成された画素情報を一度の読み出し動作で読み出す第3の例を説明する。
ここで、実施の形態1にかかる画素アレイにおいて読み出される画素情報のSN比について説明する。そこで、図10に実施の形態1にかかる撮像素子におけるSN比を説明する図を示す。まず、図10に示すように、実施の形態1にかる撮像素子では、画素から読み出した画素情報には、半導体に紛れ込む不純物に起因して発生するノイズ、或いは、電源に混入するノイズ等の影響により様々なノイズが混入する。図10に示す例では、これらノイズを分類して、画素ユニット内で発生する画素ノイズNpixと回路ノイズNcirを示した。また、実施の形態1にかかる撮像素子では、1対の画素から読み出した2つの画素情報に対して平均化処理を施すことで画素データを生成する。
実施の形態2では、実施の形態1にかかる画素ユニット23の別の形態となる画素ユニット23aについて説明する。そこで、図11に実施の形態2にかかる画素ユニット23aの回路図を示す。
実施の形態3では、実施の形態1にかかる撮像素子15の別の形態となる撮像素子15aについて説明する。そこで、図13に実施の形態2にかかる撮像素子15aのフロアレイアウトの概略図を示す。なお、図13では、撮像素子15aのフロアレイアウトのうちロウコントローラ40、カラムコントローラ41、画素アレイ42のフロアレイアウトのみを示した。
また、実施の形態3にかかる画素ユニット43は、各行にフローティングディフュージョンスイッチRSW及び共通状態切替スイッチFDSWを有する。実施の形態3にかかる画素ユニット43では、奇数列に配置されるフローティングディフュージョンスイッチRSW及び共通状態切替スイッチFDSWを第1のフローティングディフュージョンスイッチRSW及び第1の共通状態切替スイッチFDSWとした場合、偶数列に配置されるフローティングディフュージョンスイッチRSW及び共通状態切替スイッチFDSWが第2のフローティングディフュージョンスイッチRSW及び第2の共通状態切替スイッチFDSWとなる。
実施の形態4では、実施の形態3にかかる画素ユニット43の別の形態となる画素ユニット43aについて説明する。そこで、図16に実施の形態4にかかる画素ユニット43aの回路図を示す。
実施の形態5では、実施の形態1にかかる画素ユニット23の別の形態について説明する。そこで、実施の形態5にかかる画素ユニット23bの回路図を図18に示す。図18に示すように、実施の形態5にかかる画素ユニット23bは、実施の形態1にかかる画素ユニット23から選択トランジスタTSELA、TSELB、TSELA、TSELBを削除し、増幅トランジスタのソースを出力配線に直接接続したものである。また、図18に示すように、実施の形態5にかかる画素ユニット23bでは、リセットトランジスタRSTA、RSTB、RSTA、RSTBのドレインにドレインリセット配線RST_DRAINが接続される。このドレインリセット配線RST_DRAINには、画素ユニット23bを活性化させる期間にイネーブル状態(例えば、ハイレベル)となるドレインリセット信号が伝達される。
実施の形態6では、実施の形態2にかかる画素ユニット23aの別の形態について説明する。そこで、実施の形態6にかかる画素ユニット23cの回路図を図20に示す。図20に示すように、実施の形態6にかかる画素ユニット23cは、実施の形態2にかかる画素ユニット23bから選択トランジスタTSELA、TSELB、TSELA、TSELBを削除し、増幅トランジスタのソースを出力配線に直接接続したものである。また、図20に示すように、実施の形態6にかかる画素ユニット23cでは、リセットトランジスタRSTA、RSTB、RSTA、RSTBのドレインにドレインリセット配線RST_DRAINが接続される。このドレインリセット配線RST_DRAINには、画素ユニット23cを活性化させる期間にイネーブル状態(例えば、ハイレベル)となるドレインリセット信号が伝達される。
実施の形態7では、実施の形態3にかかる画素ユニット43の別の形態について説明する。そこで、実施の形態7にかかる画素ユニット43bの回路図を図21に示す。図21に示すように、実施の形態7にかかる画素ユニット43bは、実施の形態3にかかる画素ユニット43から選択トランジスタTSELA、TSELB、TSELA、TSELBを削除し、増幅トランジスタのソースを出力配線に直接接続したものである。また、図21に示すように、実施の形態7にかかる画素ユニット43bでは、リセットトランジスタRSTA、RSTB、RSTA、RSTBのドレインにドレインリセット配線RST_DRAINが接続される。このドレインリセット配線RST_DRAINには、画素ユニット43bを活性化させる期間にイネーブル状態(例えば、ハイレベル)となるドレインリセット信号が伝達される。
実施の形態8では、実施の形態4にかかる画素ユニット43aの別の形態について説明する。そこで、実施の形態8にかかる画素ユニット43cの回路図を図22に示す。図22に示すように、実施の形態8にかかる画素ユニット43cは、実施の形態4にかかる画素ユニット43aから選択トランジスタTSELA、TSELB、TSELA、TSELBを削除し、増幅トランジスタのソースを出力配線に直接接続したものである。また、図22に示すように、実施の形態8にかかる画素ユニット43cでは、リセットトランジスタRSTA、RSTB、RSTA、RSTBのドレインにドレインリセット配線RST_DRAINが接続される。このドレインリセット配線RST_DRAINには、画素ユニット23cを活性化させる期間にイネーブル状態(例えば、ハイレベル)となるドレインリセット信号が伝達される。
実施の形態9では、実施の形態1から実施の形態8で説明した画素ユニットから読み出した画素情報の処理方法について説明する。実施の形態1から実施の形態8で説明した画素ユニットは、1つのマイクロレンズに下部に設けられる1対のフォトダイオードから個別に画素情報を読み出すことができる。1対のフォトダイオードから個別に読み出された画素情報を合成することで、画像データを生成することができる。また、1対のフォトダイオードから個別に読み出された画素情報の差分情報は、オートフォーカス制御における位相差情報として利用することができる。
11 ズームレンズ
12 絞り機構
13 固定レンズ
14 フォーカスレンズ
15 撮像素子
16 ズームレンズアクチュエータ
17 フォーカスレンズアクチュエータ
18 信号処理回路
19 システム制御MCU
20 ロウコントローラ
21 カラムコントローラ
22 画素アレイ
42 画素アレイ
23 画素ユニット
43 画素ユニット
31 Nサブ層
32 Pウェル層
33 配線
34 配線
35 配線
36 カラーフィルタ
37 マイクロレンズ
40 ロウコントローラ
41 カラムコントローラ
また、実施の形態3にかかる画素ユニット43は、各行にフローティングディフュージョンスイッチRSW及び共通状態切替スイッチFDSWを有する。実施の形態3にかかる画素ユニット43では、奇数列に配置されるフローティングディフュージョンスイッチRSW及び共通状態切替スイッチFDSWを第1のフローティングディフュージョンスイッチRSW及び第1の共通状態切替スイッチFDSWとした場合、偶数列に配置されるフローティングディフュージョンスイッチRSW及び共通状態切替スイッチFDSWが第2のフローティングディフュージョンスイッチRSW及び第2の共通状態切替スイッチFDSWとなる。
実施の形態5では、実施の形態1にかかる画素ユニット23の別の形態について説明する。そこで、実施の形態5にかかる画素ユニット23bの回路図を図18に示す。図18に示すように、実施の形態5にかかる画素ユニット23bは、実施の形態1にかかる画素ユニット23から選択トランジスタTSELA、TSELBを削除し、増幅トランジスタのソースを出力配線に直接接続したものである。また、図18に示すように、実施の形態5にかかる画素ユニット23bでは、リセットトランジスタRSTA、RSTB、RSTA、RSTBのドレインにドレインリセット配線RST_DRAINが接続される。このドレインリセット配線RST_DRAINには、画素ユニット23bを活性化させる期間にイネーブル状態(例えば、ハイレベル)となるドレインリセット信号が伝達される。
実施の形態6では、実施の形態2にかかる画素ユニット23aの別の形態について説明する。そこで、実施の形態6にかかる画素ユニット23cの回路図を図20に示す。図20に示すように、実施の形態6にかかる画素ユニット23cは、実施の形態2にかかる画素ユニット23aから選択トランジスタTSELA、TSELBを削除し、増幅トランジスタのソースを出力配線に直接接続したものである。また、図20に示すように、実施の形態6にかかる画素ユニット23cでは、リセットトランジスタRSTA、RSTB、RSTA、RSTBのドレインにドレインリセット配線RST_DRAINが接続される。このドレインリセット配線RST_DRAINには、画素ユニット23cを活性化させる期間にイネーブル状態(例えば、ハイレベル)となるドレインリセット信号が伝達される。
実施の形態7では、実施の形態3にかかる画素ユニット43の別の形態について説明する。そこで、実施の形態7にかかる画素ユニット43bの回路図を図21に示す。図21に示すように、実施の形態7にかかる画素ユニット43bは、実施の形態3にかかる画素ユニット43から選択トランジスタTSELA、TSELBを削除し、増幅トランジスタのソースを出力配線に直接接続したものである。また、図21に示すように、実施の形態7にかかる画素ユニット43bでは、リセットトランジスタRSTA、RSTB、RSTA、RSTBのドレインにドレインリセット配線RST_DRAINが接続される。このドレインリセット配線RST_DRAINには、画素ユニット43bを活性化させる期間にイネーブル状態(例えば、ハイレベル)となるドレインリセット信号が伝達される。
実施の形態8では、実施の形態4にかかる画素ユニット43aの別の形態について説明する。そこで、実施の形態8にかかる画素ユニット43cの回路図を図22に示す。図22に示すように、実施の形態8にかかる画素ユニット43cは、実施の形態4にかかる画素ユニット43aから選択トランジスタTSELA、TSELBを削除し、増幅トランジスタのソースを出力配線に直接接続したものである。また、図22に示すように、実施の形態8にかかる画素ユニット43cでは、リセットトランジスタRSTA、RSTB、RSTA、RSTBのドレインにドレインリセット配線RST_DRAINが接続される。このドレインリセット配線RST_DRAINには、画素ユニット43cを活性化させる期間にイネーブル状態(例えば、ハイレベル)となるドレインリセット信号が伝達される。
Claims (15)
- 格子状に配置される複数の画素ユニットを有する撮像素子であって、
前記複数の画素ユニットは、それぞれ、
第1の光電変換素子と、
前記第1の光電変換素子に隣接し、前記第1の光電変換素子と共通に設けられるマイクロレンズを介して入射する光を受光する第2の光電変換素子と、
前記第1の光電変換素子から電荷を読み出す第1の転送トランジスタと、
前記第2の光電変換素子から電荷を読み出す第2の転送トランジスタと、
共通する第1の読み出しタイミング信号与える第1の読み出しタイミング信号配線と、
前記第1の転送トランジスタを介して読み出された電荷を蓄積する第1のフローティングディフュージョンと、
前記第2の転送トランジスタを介して読み出された電荷を蓄積する第2のフローティングディフュージョンと、
前記複数の画素ユニットのうち列方向に隣接する画素ユニットに対して共通に設けられる第1の共通フローティングディフュージョン配線と、
前記第1の共通フローティングディフュージョン配線上であって、前記複数の画素ユニットの間を電気的に接続するか否かを切り替える第1のフローティングディフュージョンスイッチと、
前記第1のフローティングディフュージョンと前記第1の共通フローティングディフュージョン配線との電気的な接続状態を切り替える第1の共通状態切替スイッチと、
前記複数の画素ユニットのうち列方向に隣接する画素ユニットに対して共通に設けられる第2の共通フローティングディフュージョン配線と、
前記第1の共通フローティングディフュージョン配線上であって、前記複数の画素ユニットの間を電気的に接続するか否かを切り替える第2のフローティングディフュージョンスイッチと、
前記第2のフローティングディフュージョンと前記第2の共通フローティングディフュージョン配線との電気的な接続状態を切り替える第2の共通状態切替スイッチと、
前記第1の転送トランジスタと前記第2の転送トランジスタとに共通する第1の読み出しタイミング信号を与える第1の読み出しタイミング信号配線と、
前記第1のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づき生成される出力信号を出力する第1の出力配線と、
前記第2のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づき生成される出力信号を出力する第2の出力配線と、を有する撮像素子。 - 前記複数の画素ユニットに設けられるマイクロレンズの下部には、カラーフィルタが設けられ、
前記第1の共通フローティングディフュージョン配線及び前記第2の共通フローティングディフュージョン配線は、異なる前記画素ユニットであって、前記マイクロレンズの下部に形成されるカラーフィルタが同色の画素ユニットの間を接続する請求項1に記載の撮像素子。 - 前記カラーフィルタはベイヤー方式で配置される請求項2に記載の撮像素子。
- 前記第1のフローティングディフュージョンスイッチ、前記第2のフローティングディフュージョンスイッチ、前記第1の共通状態切替スイッチ及び前記第2の共通状態切替スイッチを制御するロウコントローラを有し、
前記ロウコントローラは、
前記電荷を同時に読み出す画素ユニットの数に応じて、前記第1の共通フローティングディフュージョン配線及び前記第2の共通フローティングディフュージョン配線上において連続してオンさせる前記第1のフローティングディフュージョンスイッチ及び前記第2のフローティングディフュージョンスイッチの数を決定し、
前記電荷を同時に読み出す画素ユニット内の前記第1の共通状態切替スイッチ及び前記第2の共通状態切替スイッチをオンさせる請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の転送トランジスタを介して出力される電荷により生じる第1の電圧を増幅して前記第1の出力配線に出力する第1の増幅トランジスタと、
前記第2の転送トランジスタを介して出力される電荷により生じる第2の電圧を増幅して前記第2の出力配線に出力する第2の増幅トランジスタと、
を有する請求項1に記載の撮像素子。 - 第3の光電変換素子と、
前記第3の光電変換素子に隣接し、前記第3の光電変換素子と共通に設けられるマイクロレンズを介して入射する光を受光する第4の光電変換素子と、
前記第3の光電変換素子から電荷を読み出し、前記第1の増幅トランジスタに読み出した電荷により生じる第3の電圧を出力する第3の転送トランジスタと、
前記第4の光電変換素子から電荷を読み出し、前記第2の増幅トランジスタに読み出した電荷により生じる第4の電圧を出力する第4の転送トランジスタと、
前記第3の転送トランジスタと前記第4の転送トランジスタとに共通し、かつ、前記第1の読み出しタイミング信号とは異なるタイミングでイネーブル状態となる第2の読み出しタイミング信号を与える第2の読み出しタイミング信号配線と、
を有する請求項5に記載の撮像素子。 - 第5の光電変換素子と、
前記第5の光電変換素子に隣接し、前記第5の光電変換素子と共通に設けられるマイクロレンズを介して入射する光を受光する第6の光電変換素子と、
前記第5の光電変換素子から電荷を読み出し、前記第2の増幅トランジスタに読み出した電荷により生じる第5の電圧を出力する第5の転送トランジスタと、
前記第6の光電変換素子から電荷を読み出す第6の転送トランジスタと、
前記第5の転送トランジスタと前記第6の転送トランジスタとに共通し、かつ、前記第1の読み出しタイミング信号とは異なるタイミングでイネーブル状態となる第3の読み出しタイミング信号を与える第3の読み出しタイミング信号配線と、を有し、
前記第5の転送トランジスタを介して出力される電荷により生じる第5の電圧を前記第2の増幅トランジスタにより増幅して前記第2の出力配線に出力する請求項5に記載の撮像素子。 - 前記第1の増幅トランジスタと前記第1の出力配線との間に設けられる第1の選択トランジスタと、
前記第2の増幅トランジスタと前記第2の出力配線との間に設けられる第2の選択トランジスタと、
前記第1の選択トランジスタ及び前記第2の選択トランジスタに共通する選択信号を与える選択信号配線と、
を有する請求項5に記載の撮像素子。 - ドレインが前記第1の増幅トランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースにリセット電圧が印加される第1のリセットトランジスタと、
ドレインが前記第2の増幅トランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースに前記リセット電圧が印加される第2のリセットトランジスタと、
前記第1のリセットトランジスタ及び前記第2のリセットトランジスタに居欝するリセット信号を与えるリセット信号配線と、
を有する請求項5に記載の撮像素子。 - 格子状に配置される複数の画素ユニットを有する撮像素子であって、
前記複数の画素ユニットは、それぞれ、
第1の光電変換素子と、
前記第1の光電変換素子に隣接し、前記第1の光電変換素子と共通に設けられるマイクロレンズを介して入射する光を受光する第2の光電変換素子と、
前記第1の光電変換素子から電荷を読み出す第1の転送トランジスタと、
前記第2の光電変換素子から電荷を読み出す第2の転送トランジスタと、
前記第1の転送トランジスタを介して読み出された電荷を蓄積する第1のフローティングディフュージョンと、
前記第2の転送トランジスタを介して読み出された電荷を蓄積する第2のフローティングディフュージョンと、
列方向において上位方向に隣接する上位隣接画素ユニットに対して共通に設けられる第1の共通フローティングディフュージョン配線と、
前記第1の共通フローティングディフュージョン配線と前記第1のフローティングディフュージョンとを接続する第1のフローティングディフュージョンスイッチと、
列方向において下位方向に隣接する下位隣接画素ユニットに対して共通に設けられる第2の共通フローティングディフュージョン配線と、
前記第2の共通フローティングディフュージョン配線と前記第1のフローティングディフュージョンとを接続する第2のフローティングディフュージョンスイッチと、
列方向において上位方向に隣接する上位隣接画素ユニットに対して共通に設けられる第3の共通フローティングディフュージョン配線と、
前記第3の共通フローティングディフュージョン配線と前記第2のフローティングディフュージョンとを接続する第3のフローティングディフュージョンスイッチと、
列方向において下位方向に隣接する下位隣接画素ユニットに対して共通に設けられる第4の共通フローティングディフュージョン配線と、
前記第4の共通フローティングディフュージョン配線と前記第2のフローティングディフュージョンとを接続する第4のフローティングディフュージョンスイッチと、
前記第1の転送トランジスタと前記第2の転送トランジスタとに共通する第1の読み出しタイミング信号を与える第1の読み出しタイミング信号配線と、
前記第1のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づき生成される出力信号を出力する第1の出力配線と、
前記第2のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づき生成される出力信号を出力する第2の出力配線と、を有する撮像素子。 - 前記複数の画素ユニットに設けられるマイクロレンズの下部には、カラーフィルタが設けられ、
前記第1の共通フローティングディフュージョン配線から前記第4の共通フローティングディフュージョン配線は、異なる前記画素ユニットであって、前記マイクロレンズの下部に形成されるカラーフィルタが同色の画素ユニットの間を接続する請求項10に記載の撮像素子。 - 前記カラーフィルタはベイヤー方式で配置される請求項11に記載の撮像素子。
- 前記第1のフローティングディフュージョンスイッチから前記第4のフローティングディフュージョンスイッチを制御するロウコントローラを有し、
前記ロウコントローラは、
前記電荷を同時に読み出す画素ユニットのうち最も上位に位置する画素ユニットに属する前記第1のフローティングディフュージョンスイッチ及び前記第3のフローティングディフュージョンスイッチをオフし、
前記電荷を同時に読み出す画素ユニットのうち最も下位に位置する画素ユニットに属する前記第2のフローティングディフュージョンスイッチ及び前記第4のフローティングディフュージョンスイッチをオフし、
オフ状態にした前記第1のフローティングディフュージョンスイッチと前記第2のフローティングディフュージョンスイッチに挟まれる前記第1のフローティングディフュージョンスイッチと前記第2のフローティングディフュージョンスイッチをオンさせ、
オフ状態にした前記第3のフローティングディフュージョンスイッチと前記第4のフローティングディフュージョンスイッチに挟まれる前記第3のフローティングディフュージョンスイッチと前記第4のフローティングディフュージョンスイッチをオンさせる請求項10に記載の撮像素子。 - 前記第1の出力配線及び前記第2の出力配線を介して同一の出力タイミングで出力された第1の画素情報と第2の画素情報とを加算して画素データを生成する加算処理部と、
前記第1の出力配線及び前記第2の出力配線を介して同一の出力タイミングで出力された第1の画素情報と第2の画素情報との差分を位相差情報として出力する差分処理部と、
を有する請求項10に記載の撮像素子。 - 格子状に配置される複数の画素ユニットを有する撮像素子であって、
前記複数の画素ユニットと、
加算処理部と、
差分処理部と、を有し、
前記複数の画素ユニットは、それぞれ、
第1の光電変換素子と、
前記第1の光電変換素子に隣接し、前記第1の光電変換素子と共通に設けられるマイクロレンズを介して入射する光を受光する第2の光電変換素子と、
前記第1の光電変換素子から電荷を読み出す第1の転送トランジスタと、
前記第2の光電変換素子から電荷を読み出す第2の転送トランジスタと、
前記第1の転送トランジスタを介して読み出された電荷を蓄積する第1のフローティングディフュージョンと、
前記第2の転送トランジスタを介して読み出された電荷を蓄積する第2のフローティングディフュージョンと、
前記複数の画素ユニットのうち列方向に隣接する画素ユニットに対して共通に設けられる第1の共通フローティングディフュージョン配線と、
前記第1の共通フローティングディフュージョン配線上であって、前記複数の画素ユニットの間を電気的に接続するか否かを切り替える第1のフローティングディフュージョンスイッチと、
前記第1のフローティングディフュージョンと前記第1の共通フローティングディフュージョン配線との電気的な接続状態を切り替える第1の共通状態切替スイッチと、
前記複数の画素ユニットのうち列方向に隣接する画素ユニットに対して共通に設けられる第2の共通フローティングディフュージョン配線と、
前記第1の共通フローティングディフュージョン配線上であって、前記複数の画素ユニットの間を電気的に接続するか否かを切り替える第2のフローティングディフュージョンスイッチと、
前記第2のフローティングディフュージョンと前記第2の共通フローティングディフュージョン配線との電気的な接続状態を切り替える第2の共通状態切替スイッチと、
前記第1の転送トランジスタと前記第2の転送トランジスタとに共通する第1の読み出しタイミング信号を与える第1の読み出しタイミング信号配線と、
前記第1のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づき生成される出力信号を出力する第1の出力配線と、
前記第2のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づき生成される出力信号を出力する第2の出力配線と、を有し、
前記加算処理部は、前記第1の出力配線及び前記第2の出力配線を介して同一の出力タイミングで出力された第1の画素情報と第2の画素情報とを加算して画素データを生成し、
前記差分処理部は、前記第1の出力配線及び前記第2の出力配線を介して同一の出力タイミングで出力された第1の画素情報と第2の画素情報との差分を位相差情報として出力する撮像素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015256249A JP2017120975A (ja) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 撮像素子 |
| US15/378,223 US9888192B2 (en) | 2015-12-28 | 2016-12-14 | Imaging device |
| CN201611236618.3A CN107024754A (zh) | 2015-12-28 | 2016-12-28 | 成像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015256249A JP2017120975A (ja) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017120975A true JP2017120975A (ja) | 2017-07-06 |
Family
ID=59086788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015256249A Pending JP2017120975A (ja) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 撮像素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9888192B2 (ja) |
| JP (1) | JP2017120975A (ja) |
| CN (1) | CN107024754A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2016207010A1 (en) | 2015-01-12 | 2017-08-03 | Kedalion Therapeutics, Inc. | Micro-droplet delivery device and methods |
| WO2016164830A1 (en) | 2015-04-10 | 2016-10-13 | Lagunita Llc | Piezoelectric dispenser with replaceable ampoule |
| US10893224B2 (en) * | 2016-02-29 | 2021-01-12 | Sony Corporation | Imaging element and electronic device |
| KR102866401B1 (ko) | 2017-01-20 | 2025-10-01 | 보슈 롬 아일랜드 리미티드 | 압전 유체 분배기 |
| KR102354991B1 (ko) | 2017-05-24 | 2022-01-24 | 삼성전자주식회사 | 픽셀 회로 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
| JP7164532B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2022-11-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
| JP7436363B2 (ja) | 2017-12-08 | 2024-02-21 | ノバルティス アーゲー | 流体送達アライメントシステム |
| US12350194B1 (en) | 2018-04-12 | 2025-07-08 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Topical ocular delivery of fluids with controlled mass dosing and wireless communication |
| US20190314197A1 (en) | 2018-04-12 | 2019-10-17 | Kedalion Therapeutics, Inc. | Topical Ocular Delivery Methods and Devices for Use in the Same |
| JP2021529598A (ja) | 2018-07-03 | 2021-11-04 | ケダリオン セラピューティックス,インコーポレイテッド | 局所眼内送達装置及びこれを使用した方法 |
| US12097145B2 (en) | 2019-03-06 | 2024-09-24 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Vented multi-dose ocular fluid delivery system |
| US11679028B2 (en) | 2019-03-06 | 2023-06-20 | Novartis Ag | Multi-dose ocular fluid delivery system |
| US12496218B1 (en) | 2019-11-12 | 2025-12-16 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Fractionated topical ocular drug delivery methods and devices for use in the same |
| US12290472B2 (en) | 2020-04-17 | 2025-05-06 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Hydrodynamically actuated preservative free dispensing system |
| US12090087B2 (en) | 2020-04-17 | 2024-09-17 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Hydrodynamically actuated preservative free dispensing system having a collapsible liquid reservoir |
| CA3180199A1 (en) | 2020-04-17 | 2021-10-21 | Yehuda Ivri | Hydrodynamically actuated preservative free dispensing system |
| US11938057B2 (en) | 2020-04-17 | 2024-03-26 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Hydrodynamically actuated preservative free dispensing system |
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| JP2013149742A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
| JP2014033054A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Canon Inc | 固体撮像素子および撮像装置 |
| JP2015099977A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及び撮像装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3774597B2 (ja) | 1999-09-13 | 2006-05-17 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JP5644177B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2014-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
| KR101483356B1 (ko) * | 2013-03-07 | 2015-01-15 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 |
| JP6368115B2 (ja) * | 2013-05-10 | 2018-08-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
| JP2015103958A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
-
2015
- 2015-12-28 JP JP2015256249A patent/JP2017120975A/ja active Pending
-
2016
- 2016-12-14 US US15/378,223 patent/US9888192B2/en active Active
- 2016-12-28 CN CN201611236618.3A patent/CN107024754A/zh active Pending
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170187969A1 (en) | 2017-06-29 |
| US9888192B2 (en) | 2018-02-06 |
| CN107024754A (zh) | 2017-08-08 |
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