JP2017111592A - 表示装置及びタッチ検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】検出電極と画素との干渉に起因したモアレおよび検出電極に起因したぎらつきを抑制して、表示品位を高めることが可能な表示装置及びタッチ検出装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、表示領域に配列された画素ごとに設けられた複数の画素電極と、複数の画素電極との間で画像表示のための電界を形成する駆動電極と、駆動電極と対向する検出電極ＲＸと、検出電極から得られる信号に基づき、表示領域に近接する物体を検出する検出モジュールと、を備える。この表示装置において、検出電極は、互いに平行に延びる複数の導電線ＣＬ１、ＣＬ２を含み、複数の導電線は、ランダム化されたピッチで並ぶ。
【選択図】図１１

Description

本発明の実施形態は、表示装置及びタッチ検出装置に関する。

表示領域に近接する物体を検出する機能を備えた表示装置が実用化されている。検出方式の一例として、誘電体を介して向かい合う検出電極と駆動電極との間の容量の変化に基づいて物体の近接を検出する静電容量方式がある。
検出電極は、例えば金属線などの導電線によって形成される（例えば特許文献１を参照）。このような検出電極が表示領域と重なるように配置されると、導電線と表示領域に含まれる画素とが干渉し、縞状の模様（いわゆるモアレ）が発生することがある。

モアレの発生を防ぐ方法としては、例えば、異なる角度で延びる導電線が交わる交点をランダムに分散することなどが考えられる（例えば特許文献２，３を参照）。このようにすれば、導電線と画素との干渉の規則性が失われるので、モアレの発生を抑制することができる。

一方で、交点がランダム化された検出電極のパターンは、多数の周波数成分を含むことになる。このような検出電極を備える表示装置に外光が入射すると、その反射光は、検出電極に起因したぎらつき（グレア）として視認され、表示品位が低下し得る。

特開２０１４−１０９９０４号公報 特開２０１４−１１９７６４号公報 特開２０１４−２１９９７３号公報

実施形態の一態様における目的は、検出電極と画素との干渉に起因したモアレおよび検出電極に起因したぎらつきを抑制して、表示品位を高めることが可能な表示装置及びタッチ検出装置を提供することである。

一実施形態に係る表示装置は、表示領域に配列された画素ごとに設けられた複数の画素電極と、上記複数の画素電極との間で画像表示のための電界を形成する駆動電極と、上記駆動電極と対向する検出電極と、上記検出電極から得られる信号に基づき、上記表示領域に近接する物体を検出する検出モジュールと、を備える。この表示装置において、上記検出電極は、互いに平行に延びる複数の導電線を含み、上記複数の導電線は、ランダム化されたピッチで並ぶ。

また、他の実施形態において、上記検出電極は、互いに平行に延びる複数の導電線を含み、上記複数の導電線には、ランダムな位置にスリットが設けられている。
また、さらに他の実施形態において、上記検出電極は、互いに平行に延びる複数の導電線と、上記複数の導電線の間のランダムな位置に配置された、上記導電線と電気的に非接続な複数のダミーパターンと、を含む。

図１は、各実施形態に係る表示装置の概略的な構成を示す平面図である。 図２は、上記表示装置の断面の一例を模式的に示す図である。 図３は、上記表示装置の表示領域に近接する物体の検出原理の一例を示す図である。 図４は、上記表示装置の画像表示に関わる概略的な等価回路を示す図である。 図５は、上記表示装置の画素と検出電極との一例を示す平面図である。 図６は、上記表示装置の検出電極の他の形態を示す平面図である。 図７は、ぎらつきの発生原理の一例を示す図である。 図８は、モアレ及びぎらつきの評価方法の一例を示す図である。 図９は、メッシュ状の検出電極とそのぎらつき評価の一例を示す図である。 図１０は、モアレ対策を施した検出電極とそのぎらつき評価の一例を示す図である。 図１１は、第１実施形態に係る検出電極のパターンの一例を示す図である。 図１２は、第１実施形態の変形例を示す図である。 図１３は、図１１に示した検出電極のパターンから得られるフーリエパターンを示す図である。 図１４は、第２実施形態に係る検出電極のパターンの一例を示す図である。 図１５は、第２実施形態の変形例を示す図である。 図１６は、第３実施形態に係る検出電極のパターンの一例を示す図である。 図１７は、第３実施形態の変形例を示す図である。

いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

各実施形態においては、表示装置及びタッチ検出装置の一例として、液晶表示素子を用いて画像を表示する機能と、タッチ検出の機能とを備えた表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、液晶表示素子以外の表示素子を用いた表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。このような表示装置としては、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、或いは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置などが想定される。また、タッチ検出装置は、表示装置と別体であって、表示装置に取り付けられるものであっても良い。

先ず、図１乃至図１０を参照して、後述する各実施形態に共通する構成等について述べる。図１は、各実施形態に係る表示装置１の概略的な構成を示す平面図である。表示装置１は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。

表示装置１は、表示パネル２と、複数の駆動電極ＴＸ（ＴＸ１〜ＴＸｎ）と、各駆動電極ＴＸと対向する複数の検出電極ＲＸ（ＲＸ１〜ＲＸｍ）と、ドライバモジュールとして機能するドライバＩＣ３と、検出モジュールとして機能するタッチ検出ＩＣ４とを備えている。ｎ及びｍは、例えば２以上の整数である。駆動電極は、共通電極と呼ばれる場合もある。

表示パネル２は、矩形状のアレイ基板ＡＲ（第１基板）と、このアレイ基板ＡＲよりも外形が小さい矩形状の対向基板ＣＴ（第２基板）とを備えている。図１の例において、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴは、３辺を重ねて貼り合わされている。アレイ基板ＡＲは、対向基板ＣＴと対向しない端子領域ＮＡ（非対向領域）を有している。

アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴが対向する領域において、表示パネル２は、画像を表示する表示領域（アクティブエリア）ＤＡと、表示領域ＤＡと表示パネル２の端部との間の周辺領域ＦＡとを有している。図１の例において、表示領域ＤＡは、第１方向Ｘに沿う短辺と、第２方向Ｙに沿う長辺とを有する矩形状である。本実施形態においては、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙが直交するが、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは他の角度で交わっても良い。

表示領域ＤＡにおいて、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎは、第１方向Ｘに延びるとともに第２方向Ｙに並んでいる。駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの透明導電膜で形成することができる。駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎは、例えば表示パネル２の内部、つまり、アレイ基板ＡＲに形成されている。表示領域ＤＡにおいて、検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍは、第２方向Ｙに延びるとともに第１方向Ｘに並んでいる。検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍは、例えば対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面とは反対側の表面に形成されている。なお、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎが第２方向Ｙに延びるとともに第１方向Ｘに並び、検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍが第１方向Ｘに延びるとともに第２方向Ｙに並んでも良い。

ドライバＩＣ３は、画像表示に関する制御を実行するものであり、端子領域ＮＡに実装されている。端子領域ＮＡには、実装端子５が形成されている。実装端子５には、画像データを表示パネル２に供給する第１フレキシブル配線基板６が接続されている。
端子領域ＮＡに沿う対向基板ＣＴの端部には、実装端子７が形成されている。実装端子７には、検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍからの検出信号を出力する第２フレキシブル配線基板８が接続されている。図１の例において、タッチ検出ＩＣ４は、第２フレキシブル配線基板８に実装されている。検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍは、例えば周辺領域ＦＡにおいて対向基板ＣＴの表面に形成された検出配線ＤＬを介して実装端子７と接続されている。

図１の例においては、２つの検出電極ＲＸの間にダミー電極ＤＸが形成されている。ダミー電極ＤＸは、検出配線ＤＬには接続されず、電気的にフローティングな状態にある。ダミー電極ＤＸは、タッチ検出には寄与しないが、検出電極ＲＸが設けられた位置と設けられていない位置とで表示領域ＤＡが光学的に不均一となることを防ぐ役割を担う。なお、図１においては図示の簡略化のために帯状の検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍ及びダミー電極ＤＸを示しているが、実際には図５等で後述するように、検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍ及びダミー電極ＤＸは金属線である導電線にて形成されている。

図２は、表示領域ＤＡにおける表示装置１の断面の一例を模式的に示す図である。この図に示す断面は、１つの副画素ＳＰＸに着目したものである。それぞれ異なる色に対応する複数の副画素ＳＰＸにより、カラー画像を表示するための１つの画素が形成される。

図２の例において、アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０と、第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第１配向膜１３と、画素電極ＰＥと、駆動電極ＴＸとを備えている。第１絶縁層１１は、第１絶縁基板１０の対向基板ＣＴ側の面に形成されている。駆動電極ＴＸは、第１絶縁層１１の上に形成されている。第２絶縁層１２は、駆動電極ＴＸを覆っている。画素電極ＰＥは、副画素ＳＰＸごとに設けられ、第２絶縁層１２の上に形成されている。例えば画素電極ＰＥは、１又は複数のスリットＳＬを有している。第１配向膜１３は、画素電極ＰＥ及び第２絶縁層１２の一部を覆っている。

対向基板ＣＴは、第２絶縁基板２０と、遮光層２１と、カラーフィルタ２２と、オーバーコート層２３と、第２配向膜２４とを備えている。遮光層２１は、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲ側の面に形成され、副画素ＳＰＸを区画している。カラーフィルタ２２は、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲ側の面に形成され、副画素ＳＰＸに対応する色に着色されている。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ２２を覆っている。第２配向膜２４は、オーバーコート層２３を覆っている。

第１配向膜１３と第２配向膜２４との間には、液晶分子を含む液晶層ＬＣが形成されている。検出電極ＲＸは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲと対向しない側の面に形成されている。ダミー電極ＤＸも、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲと対向しない側の面に形成されている。なお、図２の例においては駆動電極ＴＸがアレイ基板ＡＲに形成されているが、駆動電極ＴＸは対向基板ＣＴに形成されても良い。その他、表示パネル２の内部構造はここに示したものに限られず、種々の構造を適用することができる。

続いて、駆動電極ＴＸ及び検出電極ＲＸにより表示領域ＤＡに近接する物体を検出する原理の一例につき、図３を用いて説明する。
互いに対向する駆動電極ＴＸと検出電極ＲＸとの間には、容量Ｃｃが存在する。駆動電極ＴＸに駆動信号Ｓｔｘが供給されると、容量Ｃｃを介して検出電極ＲＸに電流が流れるため、検出電極ＲＸから検出信号Ｓｒｘが得られる。

表示装置１にユーザの指などの導体である物体Ｏが近づくと、物体Ｏに近接する検出電極ＲＸと物体Ｏとの間に容量Ｃｘが生じる。駆動電極ＴＸに駆動信号Ｓｔｘが供給されたとき、物体Ｏに近接する検出電極ＲＸから得られる検出信号Ｓｒｘの波形は、容量Ｃｘの影響を受けて変化する。すなわち、各検出電極ＲＸから得られる検出信号Ｓｒｘに基づけば、タッチ検出ＩＣ４は、表示装置１に近接する物体Ｏを検出することができる。また、各駆動電極ＴＸに駆動信号Ｓｔｘを時分割で順次供給した際に各時相にて各検出電極ＲＸから得られる検出信号Ｓｒｘに基づけば、タッチ検出ＩＣ４は、物体Ｏの第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにおける位置を検出することができる。以上説明した方式は、相互容量方式、又は、ミューチャル検出方式などと呼ばれる。

次に、表示装置１による画像表示について説明する。図４は、画像表示に関わる概略的な等価回路を示す図である。表示装置１は、複数の走査線Ｇと、これら走査線Ｇに交差する複数の信号線Ｓと、第１ゲートドライバＧＤ１と、第２ゲートドライバＧＤ２と、セレクタ（ＲＧＢスイッチ）ＳＤとを備えている。セレクタＳＤは、複数のビデオ線ＶＬを介してドライバＩＣ３と接続されている。

各走査線Ｇは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｘに延びるとともに第２方向Ｙに並んでいる。各信号線Ｓは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延びるとともに第１方向Ｘに並んでいる。各走査線Ｇ及び各信号線Ｓは、アレイ基板ＡＲに形成されている。各走査線Ｇは、第１ゲートドライバＧＤ１及び第２ゲートドライバＧＤ２に接続されている。各信号線Ｓは、セレクタＳＤに接続されている。

図４の例においては、各走査線Ｇ及び各信号線Ｓによって区画された領域が１つの副画素ＳＰＸに相当する。例えば、本実施形態においては、赤色に対応する副画素ＳＰＸＲと、緑色に対応する副画素ＳＰＸＧと、青色に対応する副画素ＳＰＸＢとで１つの画素ＰＸが構成される。画素ＰＸは、白色に対応する副画素ＳＰＸなどをさらに備えても良い。

各副画素ＳＰＸは、アレイ基板ＡＲに形成された薄膜トランジスタＴＦＴ（スイッチング素子）を備えている。薄膜トランジスタＴＦＴは、走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び画素電極ＰＥと電気的に接続されている。表示に際して、駆動電極ＴＸは共通電位に設定され、いわゆる共通電極として機能する。

第１ゲートドライバＧＤ１及び第２ゲートドライバＧＤ２は、各走査線Ｇに対して走査信号を順次供給する。セレクタＳＤは、ドライバＩＣ３に制御されて、各信号線Ｓに対して映像信号を選択的に供給する。ある薄膜トランジスタＴＦＴに接続された走査線Ｇに走査信号が供給され、かつこの薄膜トランジスタＴＦＴに接続された信号線Ｓに映像信号が供給されると、この映像信号に応じた電圧が画素電極ＰＥに印加される。このとき画素電極ＰＥと駆動電極ＴＸとの間に生じる電界によって、液晶層ＬＣの液晶分子の配向が電圧の印加されていない初期配向状態から変化する。このような動作により、表示領域ＤＡに画像が表示される。

以上のような構成の表示装置１は、アレイ基板ＡＲの裏面（対向基板ＣＴと対向しない側の面）に配置されたバックライトからの光を利用して画像を表示する透過型の表示装置、対向基板ＣＴの外面（アレイ基板ＡＲと対向しない側の面）から入射する外光の反射光を利用して画像を表示する反射型の表示装置、或いはこれら透過型及び反射型の双方の機能を備えた表示装置のいずれであっても良い。

続いて、画素ＰＸ及び検出電極ＲＸの詳細について説明する。
図５は、表示領域ＤＡに配列された画素ＰＸと、これら画素ＰＸに重なる検出電極ＲＸとの一例を示す平面図である。この図の例において、画素ＰＸを構成する赤色の副画素ＳＰＸＲ、緑色の副画素ＳＰＸＧ、青色の副画素ＳＰＸＢは、この順で第１方向Ｘに並んでいる。さらに、画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んでいる。

検出電極ＲＸは、導電線ＣＬによって構成されている。導電線ＣＬは、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、又はこれらの合金の少なくとも１つの金属材料にて形成された層を含んだ単層構造或いは多層構造を有している。導電線ＣＬに金属材料を用いることで、ＩＴＯなどの透明導電膜のみで形成する場合に比べ、導電線ＣＬを低抵抗化できる。

より具体的には、図５に示す検出電極ＲＸは、互いに平行に並ぶ複数の第１導電線ＣＬ１と、互いに平行に並ぶ複数の第２導電線ＣＬ２とを含む。各第１導電線ＣＬ１は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交わる第１延出方向Ｄ１に延びている。各第２導電線ＣＬ２は、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び第１延出方向Ｄ１と交わる第２延出方向Ｄ２に延びている。第１延出方向Ｄ１は、第２方向Ｙに対して時計回りに鋭角である角度θ１で傾いている。第２延出方向Ｄ２は、第２方向Ｙに対して反時計回りに鋭角である角度θ２で傾いている。各第１導電線ＣＬ１及び各第２導電線ＣＬ２は互いに交差し、メッシュ状（格子状）のパターンを形成している。

検出電極ＲＸのパターンは、図５に示したものに限られず、種々の形態を採用し得る。一例として、図６に検出電極ＲＸの他の形態を示す。この図に示す検出電極ＲＸは、波形に屈曲して第２方向Ｙに延びる複数の導電線ＣＬ３を含む。各導電線ＣＬ３は、第１方向Ｘに並んでいる。１つの検出電極ＲＸを構成する複数の導電線ＣＬ３は、少なくとも一方の端部において互いに接続されている。

より具体的には、図６に示す導電線ＣＬ３は、第１延出方向Ｄ１に延びる第１部分Ｐ１と、第２延出方向Ｄ２に延びる第２部分Ｐ２とが、端部同士を接続して交互に配置された形状である。図５の場合と同じく、第１延出方向Ｄ１は第２方向Ｙに対して時計回りに角度θ１で傾き、第２延出方向Ｄ２は第２方向Ｙに対して反時計回りに角度θ２で傾いている。

金属材料で形成された導電線ＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）は、ＩＴＯなどの透明導電膜に比べて遮光性が高い。したがって、図５及び図６に示したようなパターンを有する検出電極ＲＸが、規則的に配列された画素ＰＸと重なると、このパターンと画素パターンとが光学的に干渉し得る。画素パターンは、副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢの色の違いにより形成されるパターンや、これら副画素の境界に配置された遮光層２１のパターンを含む。検出電極ＲＸのパターンと画素パターンとの干渉は、画素ピッチに比べて低周波な干渉縞（モアレ）として視認される。

また、金属材料で形成された導電線ＣＬは、外光を反射し得るために、表示領域ＤＡにぎらつき（グレア）が生じ得る。このぎらつきの発生原理を、図７のモデルを用いて説明する。このモデルは、第１方向Ｘに沿う表示パネル２の断面と表示領域ＤＡを見る人の視点との関係を概略的に示している。

外光源から表示パネル２に入射する光の一部は、検出電極ＲＸの導電線ＣＬによって反射される。ぎらつきは、この反射における正反射光（０次光）ではなく、１次以降の回折光（１次光、２次光、・・・）を見ることによって生じる。すなわち、視点において視認されるぎらつきは、検出電極ＲＸのパターンの回折光を見たものであって、それは当該パターンをフーリエ変換したフーリエパターンの一部を見ることになる。

図７に示すように、１次以降の回折光の第１方向Ｘにおける視角をθｘ、導電線ＣＬによる正反射光の反射位置から回折光の反射位置までの第１方向Ｘにおける距離をΔｘと定義する。視角θｘは、正反射光の方向と回折光の方向とが成す角度に相当する。同様に、１次以降の回折光の第２方向Ｙにおける視角をθｙ、導電線ＣＬによる正反射光の反射位置から回折光の反射位置までの第２方向Ｙにおける距離をΔｙと定義する。さらに、回折光の反射位置から視点までの距離（視認距離）をＬと定義する。

ここで、モアレ及びぎらつきの評価方法の一例につき、図８を用いて説明する。上段がぎらつき評価の流れであり、下段がモアレ評価の流れである。ぎらつき評価においては、先ず、表示領域ＤＡの実画像Ｉ０から検出電極ＲＸのパターンを示す電極パターン画像Ｉ１を抽出する。さらに、この電極パターン画像Ｉ１をフーリエ変換（ＦＦＴ）することにより、フーリエパターンＩ２を生成する。

ここでのフーリエ変換は、上述の視覚θｘ，θｙに対する回折光の分布を得るための演算である。例えば、フーリエパターンＩ２は、横軸を視角θｘ、縦軸を視角θｙとした平面における回折光の強さの分布を示す。このようなフーリエパターンＩ２は、人間の目によって視認されるぎらつきに相当する。したがって、フーリエパターンＩ２に基づけば、検出電極ＲＸによるぎらつきを評価することができる。

一般に、フーリエパターンＩ２には、原点Ｏ（θｘ＝０，θｙ＝０）を通る直線に沿ったスペクトルが現れる。ぎらつきを評価するための指標の一つとして、この直線状のスペクトルの幅Δθを用いることができる。すなわち、幅Δθが大きいほどぎらつきが重度となり、幅Δθが小さいほどぎらつきが低度となる。

ここで、第１方向Ｘの１次元的なパターンを考えた場合、例えば図７に示した視認距離Ｌが１０ｃｍの場合には、距離Δｘが約１ｍｍ以上になると人間にとって気になる程度のぎらつきが生じる。この場合、幅Δθの許容上限値であるΔθmaxは、
Δθmax＝Δｘ／Ｌ＝１ｍｍ／１００ｍｍ＊１８０／π≒０．６°
と求めることができる。πは円周率である。このように求めたΔθmaxを用いる場合、Δθ＜０．６であればぎらつきが許容範囲と評価することができる。

一方、モアレ評価においては、先ずカラー画像である実画像Ｉ０をグレイ化し、このグレイ化の後の画像をフーリエ変換（ＦＦＴ）することにより、フーリエパターンＩ３を生成する。ここでのフーリエ変換は、第１方向Ｘにおける第１空間周波数と、第２方向Ｙにおける第２空間周波数とについての周波数分布を得るための演算である。例えば、フーリエパターンＩ３は、横軸を第１空間周波数、縦軸を第２空間周波数とした平面における周波数分布を示す。

続いて、フーリエパターンＩ３から人間が視認できる分解能の周波数領域Ｉ４を抽出する。人間の視感特性は、画像のコントラスト及び空間周波数に依存する。すなわち、視認対象のパターンのコントラストが大きいほど、かつ、当該パターンの空間周波数が大きいほど、当該パターンが認識され易い。例えば、周波数領域Ｉ４の抽出は、このような視感特性を考慮して定義されたコントラスト感度関数により、フーリエパターンＩ３をフィルタリングすることで実現できる。

周波数領域Ｉ４の抽出の後、この周波数領域Ｉ４を逆フーリエ変換（ＩＦＦＴ）することにより、モアレ画像Ｉ５を生成する。モアレ画像Ｉ５には、人間が視認可能な干渉縞が表われる。したがって、モアレ画像Ｉ５に基づけば、実画像Ｉ０のモアレの程度を評価することができる。モアレの程度は、例えば、目視によって判断することができる。また他の例として、モアレの程度は、モアレ画像Ｉ５に対する標準偏差を求め、この標準偏差が予め定められた許容範囲に属するか否かにより判断することもできる。

上述のコントラスト感度関数を用いたフィルタリングや、標準偏差を用いたモアレの評価の具体的な演算方法は、例えば特開２０１４−２１９９７３号に開示されている。図８を用いて説明したモアレ評価の方法には、この文献に開示された演算方法を適宜に利用することができる。

上述のぎらつき評価方法による評価例について説明する。図９は、メッシュ状の検出電極ＲＸとそのぎらつき評価の一例を示す図である。図中左側に示すように、この検出電極ＲＸは、一定ピッチで並ぶ複数の第１導電線ＣＬ１と、一定ピッチで並ぶ複数の第２導電線ＣＬ２とで構成されている。この検出電極ＲＸのパターンをフーリエ変換することで生成されるフーリエパターンＩ２を図中右側に示している。

図９のフーリエパターンＩ２には、原点Ｏを通り、かつ直線状に並ぶ２通りの点群が現れている。この例のようにスペクトルが点状に現れて広がりが殆どない場合、視認されるぎらつきは、ごく低度である。
このように、導電線ＣＬが規則的に配置された図９の例のような検出電極ＲＸでは、ぎらつきが低度となる。一方で、このような検出電極ＲＸを画素パターンに重ねた際には、モアレが発生しやすい。すなわち、検出電極ＲＸのパターンと画素パターンとの双方に規則性があるため、これらの重ね合わせによって低周波な干渉縞が生じやすい。

モアレを抑制する方法としては、検出電極ＲＸのパターンの規則性を和らげることが考えられる。このような対策を施した検出電極ＲＸとそのぎらつき評価の一例を、図１０に示す。この図に示す検出電極ＲＸは、図９の場合と同じくメッシュ状であるものの、４角形の閉パターンの頂点（導電線の交点）をランダムな位置に配置している。したがって、検出電極ＲＸのパターンと画素パターンとが干渉しにくく、モアレが生じにくい。

しかしながら、図１０の検出電極ＲＸについてのフーリエパターンＩ２では、図９の場合と同じく原点Ｏを通りかつ直線状に並ぶ２通りの点群が現れるものの、これら点群の周りにもスペクトルが現れている。この例のように広がりを持ったスペクトルは、例えば幅Δθが上述のΔθmax（≒０．６°）を超えるものであり、重度のぎらつきとして視認される。

このように、検出電極ＲＸのパターンを工夫してモアレを抑制しようとすれば、ぎらつきが増す可能性がある。したがって、検出電極ＲＸは、モアレとぎらつきの双方を抑制可能なパターンとする必要がある。
以下に説明する第１乃至第３実施形態では、検出電極ＲＸのパターンに不規則性を持たせてモアレを抑制するとともに、ぎらつきも抑制可能な検出電極ＲＸのパターンの例を開示する。

（第１実施形態）
図１１は、第１実施形態に係る検出電極ＲＸのパターンの一例を示す図である。このパターンは、図５に示したものと同じく、第２方向Ｙに対して時計回りに角度θ１で傾いた複数の第１導電線ＣＬ１と、第２方向Ｙに対して反時計回りに角度θ２で傾いた複数の第２導電線ＣＬ２とがメッシュ状に交差したパターンである。

角度θ１，θ２によってモアレの程度が変化する。モアレを抑制するためには、例えば、角度θ１，θ２を３０°以上かつ４０°以下、或いは、５０°以上かつ６０°以下とすることが好ましい。図１１においては第１導電線ＣＬ１及び第２導電線ＣＬ２の線幅が一定であるが、配置位置などに応じて変化させても良い。

本実施形態では、隣り合う第１導電線ＣＬ１のピッチＳＡ（…ＳＡｉ−１，ＳＡｉ，ＳＡｉ＋１…）と、隣り合う第２導電線ＣＬ２のピッチＳＢ（…ＳＢｊ−１，ＳＢｊ，ＳＢｊ＋１…）とをランダム化することにより、検出電極ＲＸのパターンに不規則性を持たせる。

ピッチＳＡ，ＳＢは、例えば以下の式（１）（２）により決定される。
ＳＡ＝ＳＡ０±ΔＳＡ・・・（１）
ＳＢ＝ＳＢ０±ΔＳＢ・・・（２）
ＳＡ０及びＳＢ０は一定値、ΔＳＡ及びΔＳＢは一定値ＳＡ０，ＳＢ０からの偏差（ばらつき）である。偏差ΔＳＡ，ΔＳＢは、例えば乱数である。このような乱数の生成方法としては、例えばフィボナッチ数を利用した方法など、種々のものを採用し得る。偏差ΔＳＡ，ΔＳＢは、予め定められた複数の候補の中からランダムに選択されても良い。

偏差ΔＳＡ，ΔＳＢが小さ過ぎると、検出電極ＲＸのパターンに十分な不規則性を与えることができない。また、偏差ΔＳＡ，ΔＳＢが大きすぎると、検出電極ＲＸにおける各導電線ＣＬ１，ＣＬ２の配置密度のムラが大きくなって検出性能に影響し得るし、表示領域ＤＡに輝度ムラも生じ得る。そこで、偏差ΔＳＡ，ΔＳＢは、以下の式（３）（４）を満たすように定めることが好ましい。
０．０１＜ΔＳＡ／ＳＡ０＜０．１・・・（３）
０．０１＜ΔＳＢ／ＳＢ０＜０．１・・・（４）

なお、図１に示したダミー電極ＤＸは、例えば図１１に示す検出電極ＲＸと同様のパターンを有している。このダミー電極ＤＸのパターンは、例えば第１導電線ＣＬ１と第２導電線ＣＬ２との交点の位置において第１導電線ＣＬ１及び第２導電線ＣＬ２がそれぞれ切断されたものであっても良い。ダミー電極ＤＸについても、ピッチＳＡ，ＳＢのランダム化により不規則性を持たせることができる。

図６に示した波形の導電線ＣＬ３を含む検出電極ＲＸのパターンについても、導電線ＣＬ３のピッチの調整により、不規則性を持たせることができる。図１２は、この変形例を説明するための図である。図６に示したものと同じく、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２とを交互に含む複数の導電線ＣＬ３が第１方向Ｘに並んでいる。

図１２の例では、各導電線ＣＬ３が互いに平行である。第１方向Ｘに隣り合う導電線ＣＬ３のピッチＳＣ（…ＳＣｋ−１，ＳＣｋ，ＳＣｋ＋１…）をランダム化することにより、検出電極ＲＸのパターンに不規則性を持たせてある。ピッチＳＣのランダム化は、上述のピッチＳＡ，ＳＢと同様の方法で実現することができる。隣り合う導電線ＣＬ３の形を第２方向Ｙにずらすことで、検出電極ＲＸのパターンに不規則性を持たせても良い。

図１２の検出電極ＲＸとともに用いられるダミー電極ＤＸは、例えば図１２の検出電極ＲＸと同様のパターンを有している。このダミー電極ＤＸのパターンは、例えば第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２の端部において導電線ＣＬ３が切断されたパターンとすることができる。このようなダミー電極ＤＸについても、ピッチＳＣのランダム化により不規則性を持たせることができる。

図１３は、図１１に示した検出電極ＲＸのパターンをフーリエ変換することで得られるフーリエパターンＩ２を示す。このフーリエパターンＩ２には、原点Ｏ付近からθｘ及びθｙが正の方向、θｘ及びθｙが負の方向、θｘが正でθｙが負の方向、θｘが負でθｙが正の方向にそれぞれ直線状に伸びるスペクトルが現れている。図１１の検出電極ＲＸのパターンにおいては、第１導電線ＣＬ１と第２導電線ＣＬ２との交点が、第１導電線ＣＬ１或いは第２導電線ＣＬ２の上で直線状に並ぶ。この場合、フーリエパターンＩ２に含まれる直線状の各スペクトルの幅Δθは、図１０のように導電線の交点の位置をランダム化する場合に比べて小さくなる。例えば、直線状の各スペクトルの幅Δθは、上述のΔθmax（≒０．６°）以下であり、視認されるぎらつきは低度である。同様に、図１２に示した検出電極ＲＸについてのフーリエパターンＩ２にも直線状に延びるスペクトルが現れるが、その幅Δθは小さく、ぎらつきは低度である。
図１１及び図１２に示す検出電極ＲＸのパターンは不規則性を有するために、画素パターンとの干渉によるモアレも抑制することが可能である。

（第２実施形態）
図１４は、第２実施形態に係る検出電極ＲＸのパターンの一例を示す図である。このパターンにおいては、図５の場合と同じく、第２方向Ｙに対して時計回りに角度θ１で傾いた第１延出方向Ｄ１に延びる複数の第１導電線ＣＬ１と、第２方向Ｙに対して反時計回りに角度θ２で傾いた第２延出方向Ｄ２に延びる複数の第２導電線ＣＬ２とがメッシュ状に交差している。

角度θ１，θ２は、第１実施形態と同じく、３０°以上かつ４０°以下、或いは、５０°以上かつ６０°以下とすることが好ましい。図１４においては第１導電線ＣＬ１及び第２導電線ＣＬ２の線幅が一定であるが、配置位置などに応じて変化させても良い。各第１導電線ＣＬ１のピッチ及び各第２導電線ＣＬ２のピッチは、例えば一定であるが、第１実施形態と同様に変化させても良い。

本実施形態では、第１導電線ＣＬ１及び第２導電線ＣＬ２に複数のスリットＳＬを設けることで、検出電極ＲＸのパターンに不規則性を持たせる。スリットＳＬを設ける位置は、ランダムである。スリットＳＬを設ける具体的な位置は、例えばフィボナッチ数を利用して生成される乱数に基づいて決定することができる。スリットＳＬは、第１導電線ＣＬ１のみ、或いは第２導電線ＣＬ２のみに設けられても良い。

スリットＳＬを設けることで電気的にフローティングな部分が検出電極ＲＸのパターンに生じると、この部分は物体の検出に寄与しなくなるので、検出性能が低下し得る。また、スリットＳＬが特定の場所に集中すれば、その部分の光の透過率が高まるので、表示領域ＤＡに輝度ムラが生じ得る。そこで、上記の電気的にフローティングな部分や輝度ムラが生じないように、スリットＳＬの密度や位置が調整されても良い。

第１導電線ＣＬ１と第２導電線ＣＬ２との交点にスリットＳＬが設けられると、検出電極ＲＸのパターンにおいて電流の経路が大幅に減り、検出電極ＲＸの高抵抗化を招き得る。そこで、図１４の例においては、第１導電線ＣＬ１と第２導電線ＣＬ２との交点を避けてスリットＳＬが設けられている。

なお、図１に示したダミー電極ＤＸについても、ランダムな位置にスリットＳＬを設けることにより不規則性を持たせることができる。
本実施形態のようなスリットＳＬによっても、検出電極ＲＸのパターンに不規則性を持たせることができる。したがって、画素パターンとの干渉によるモアレを抑制できる。さらに、スリットＳＬは第１導電線ＣＬ１或いは第２導電線ＣＬ２に沿って設けられているし、各導電線ＣＬ１，ＣＬ２の交点の規則性も保たれている。この場合、検出電極ＲＸのフーリエパターンＩ２は、図１３と同様に幅Δθが小さい直線状のスペクトルを含んだものとなる。したがって、ぎらつきも抑制することができる。

なお、図６に示した波形の導電線ＣＬ３を含む検出電極ＲＸについては、スリットＳＬを設けると導電線ＣＬ３に電気的にフローティングな部分が生じてしまう。したがって、検出電極ＲＸの導電線ＣＬ３にスリットＳＬを設けることができないが、ダミー電極ＤＸの導電線ＣＬ３には設けることができる。

図１５は、この変形例を説明するための図であり、検出電極ＲＸの一部と、この検出電極ＲＸに隣り合うダミー電極ＤＸの一部とを示している。ダミー電極ＤＸにおいては、第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２の端部で導電線ＣＬ３が切断されている。さらに、ダミー電極ＤＸの導電線ＣＬ３には、ランダムな位置にスリットＳＬが設けられている。なお、ダミー電極ＤＸは、第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２の端部が接続されて、ランダムな位置にスリットＳＬが設けられた構成であっても良い。

（第３実施形態）
図１６は、第３実施形態に係る検出電極ＲＸのパターンの一例を示す図である。この検出電極ＲＸのパターンにおいては、図５の場合と同じく、第２方向Ｙに対して時計回りに角度θ１で傾いた複数の第１導電線ＣＬ１と、第２方向Ｙに対して反時計回りに角度θ２で傾いた複数の第２導電線ＣＬ２とがメッシュ状に交差している。

角度θ１，θ２は、第１実施形態と同じく、３０°以上かつ４０°以下、或いは、５０°以上かつ６０°以下とすることが好ましい。図１５においては第１導電線ＣＬ１及び第２導電線ＣＬ２の線幅が一定であるが、配置位置などに応じて変化させても良い。各第１導電線ＣＬ１のピッチ及び各第２導電線ＣＬ２のピッチは、例えば一定であるが、第１実施形態と同様に変化しても良い。

本実施形態では、第１導電線ＣＬ１及び第２導電線ＣＬ２に加えてダミーパターンＤＰを設けることで、検出電極ＲＸのパターンに不規則性を持たせる。ダミーパターンＤＰは、２本の第１導電線ＣＬ１と２本の第２導電線ＣＬ２とで形成される４角形の閉パターン内に配置されており、第１導電線ＣＬ１及び第２導電線ＣＬ２と電気的に非接続である。ダミーパターンＤＰは、各導電線ＣＬ１，ＣＬ２と同じく金属材料を用いて形成されており、各導電線ＣＬ１，ＣＬ２と同程度の遮光性を有している。一例として、ダミーパターンＤＰは、各導電線ＣＬ１，ＣＬ２の幅と同程度の直径を有する正円形であるが、各導電線ＣＬ１，ＣＬ２の幅よりも大きい直径或いは小さい直径を有しても良いし、楕円形や４角形などの他の形状であっても良い。

例えば、ダミーパターンＤＰは、仮想線分Ｖ上のランダムな位置に配置されている。仮想線分Ｖは、２本の第１導電線ＣＬ１の間を通り、かつ第１延出方向Ｄ１と平行な直線である。仮想線分Ｖ上でのダミーパターンＤＰの具体的な配置位置は、例えばフィボナッチ数を利用して生成される乱数に基づいて決定することができる。なお、ダミーパターンＤＰは、第２導電線ＣＬ２の第２延出方向Ｄ２と平行な仮想線分上のランダムな位置に配置されても良い。ダミー電極ＤＸについても、ダミーパターンＤＰをランダムに配置することで不規則性を持たせることができる。

ダミーパターンＤＰは、仮想線分Ｖ上であって、かつ特定の色の副画素ＳＰＸと重なるように、ランダムに配置されても良い。特定の色は、例えば、画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰＸの色のうちで、人間の視感度が最も高い色とすることができる。赤色、緑色、青色において、人間の視感度が最も高い色は緑色である。したがって、赤色の副画素ＳＰＸＲ、緑色の副画素ＳＰＸＧ、青色の副画素ＳＰＸＢにより画素ＰＸが構成される場合においては、緑色の副画素ＳＰＸＧと重なるようにダミーパターンＤＰを配置する。

視感度の高い色の副画素ＳＰＸは、モアレの発生に寄与しやすい。したがって、視感度が最も高い色の副画素ＳＰＸと重なるようにダミーパターンＤＰを配置することで、この色の副画素ＳＰＸと検出電極ＲＸとの重なりが不規則となり、効果的にモアレを抑制することができる。

図６に示した波形の導電線ＣＬ３を含む検出電極ＲＸのパターンについても、導電線ＣＬ３のピッチの調整により、不規則性を持たせることができる。図１７は、この変形例を説明するための図である。図６に示したものと同じく、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２とを交互に含む複数の導電線ＣＬ３が第１方向Ｘに並んでいる。

図１７の例では、第１延出方向Ｄ１と平行な仮想線分Ｖ上のランダムな位置にダミーパターンＤＰが配置されている。ダミーパターンＤＰは、第２延出方向Ｄ２と平行な仮想線分上のランダムな位置に配置されても良い。図１７の検出電極ＲＸとともに用いられるダミー電極ＤＸについても、ダミーパターンＤＰをランダムに配置することで不規則性を持たせることができる。

本実施形態のようにダミーパターンＤＰを設けることによっても、検出電極ＲＸのパターンに不規則性を持たせることができる。したがって、画素パターンとの干渉によるモアレを抑制できる。さらに、ダミーパターンＤＰは第１延出方向Ｄ１又は第２延出方向Ｄ２と平行な仮想線分Ｖ上に設けられており、各導電線ＣＬ１，ＣＬ２の交点（或いは第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の接続点）の規則性は保たれる。この場合、検出電極ＲＸのフーリエパターンＩ２は、図１３と同様に幅Δθが小さい直線状のスペクトルを含んだものとなる。したがって、ぎらつきも抑制することができる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

例えば、各実施形態においては、第１導電線ＣＬ１及び第２導電線ＣＬ２により構成されるメッシュ状の検出電極ＲＸと、波形に屈曲する導電線ＣＬ３により構成される検出電極ＲＸとを例示した。しかしながら、検出電極ＲＸとしては、その他にも種々の形態を採用し得る。例えば、検出電極ＲＸは、導電線にて形成された４角形以外の多角形の閉パターンを含んでも良いし、曲線状に延びる導電線を含んでも良い。

また、導電線のピッチをランダム化すること、導電線のランダムな位置にスリットを設けること、ランダムな位置にダミーパターンを設けること以外の方法で、検出電極ＲＸのパターンに不規則性を持たせても良い。この場合においても、検出電極ＲＸのパターンをフーリエ変換することで得られるフーリエパターンＩ２において、直線状に延びるスペクトルの幅Δθが例えば０．６°以下程度に小さくなるように検出電極ＲＸのパターンを設計すれば、モアレとぎらつきの双方を抑制することができる。

各実施形態では、駆動電極ＴＸを物体の検出と画像の表示の双方に利用する構成を開示した。しかしながら、物体検出のための電極と、画像表示のための電極とが別々に設けられても良い。この場合においては、例えば、ガラス基板などの透明基板の一方の主面に駆動電極ＴＸを形成し、他方の主面に検出電極ＲＸを形成することでタッチ検出装置を構成しても良い。

各実施形態においては、検出電極ＲＸと駆動電極ＴＸとを用いて物体を検出する相互容量方式に係る構成を開示した。しかしながら、物体の検出方式は、例えば検出電極ＲＸ自体が有する容量を利用して物体を検出する方式（セルフ容量検出方式などと呼ばれる）など、他種の方式であっても良い。

各実施形態に開示した技術的思想は、適宜に組み合わせることができる。すなわち、導電線のピッチをランダム化する方法、導電線のランダムな位置にスリットを設ける方法、ランダムな位置にダミーパターンを設ける方法のうち、いずれか２つ、或いは全てを採用して検出電極ＲＸを構成することができる。

１…表示装置、ＴＸ…駆動電極、ＲＸ…検出電極、ＬＣ…液晶層、ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、ＤＸ…ダミー電極、ＳＰＸ…副画素、ＣＬ（ＣＬ１〜ＣＬ３）…導電線、Ｉ０…実画像、Ｉ１…電極パターン画像、Ｉ２…フーリエパターン、Ｉ３…フーリエパターン、Ｉ４…周波数領域、Ｉ５…モアレ画像、θｘ…第１方向の視角、θｙ…第２方向の視角、ＳＡ，ＳＢ…導電線のピッチ、ＳＬ…スリット、ＤＰ…ダミーパターン。Ｖ…仮想線分。

Claims (14)

1. 表示領域に配列された画素ごとに設けられた複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極との間で画像表示のための電界を形成する駆動電極と、
   前記駆動電極と対向する検出電極と、
   前記検出電極から得られる信号に基づき、前記表示領域に近接する物体を検出する検出モジュールと、
   を備え、
   前記検出電極は、互いに平行に延びる複数の導電線を含み、
   前記複数の導電線は、ランダム化されたピッチで並んでいる、
   表示装置。
2. 前記複数の導電線のピッチＳは、一定値Ｓ０及び偏差ΔＳを用いて、Ｓ＝Ｓ０±ΔＳで表され、
   前記偏差ΔＳは、０．０１＜ΔＳ／Ｓ０＜０．１を満たす乱数である、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 表示領域に配列された画素ごとに設けられた複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極との間で画像表示のための電界を形成する駆動電極と、
   前記駆動電極と対向する検出電極と、
   前記検出電極から得られる信号に基づき、前記表示領域に近接する物体を検出する検出モジュールと、
   を備え、
   前記検出電極は、互いに平行に延びる複数の導電線を含み、
   前記複数の導電線には、ランダムな位置にスリットが設けられている、
   表示装置。
4. 前記検出電極は、第１延出方向に延びるとともに互いに平行に並ぶ複数の第１導電線と、前記第１延出方向と交わる第２延出方向に延びるとともに互いに平行に並ぶ複数の第２導電線とを含み、前記複数の第１導電線と前記複数の第２導電線とが交差するメッシュ状のパターンを有し、
   前記スリットは、前記第１導電線及び前記第２導電線の少なくとも一方において、前記第１導電線と前記第２導電線との交点を避けたランダムな位置に設けられている、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 表示領域に配列された画素ごとに設けられた複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極との間で画像表示のための電界を形成する駆動電極と、
   前記駆動電極と対向する検出電極と、
   前記検出電極から得られる信号に基づき、前記表示領域に近接する物体を検出する検出モジュールと、
   を備え、
   前記検出電極は、
   互いに平行に延びる複数の導電線と、
   前記複数の導電線の間のランダムな位置に配置された、前記導電線と電気的に非接続な複数のダミーパターンと、
   を含む表示装置。
6. 前記画素は、それぞれ異なる色に対応する複数の副画素を含み、
   前記ダミーパターンは、前記複数の副画素の色のうち、特定の色の副画素と重なる位置に配置されている、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記検出電極のパターンを、第１方向の視角とこの第１方向に直交する第２方向の視角とについてフーリエ変換することで得られるフーリエパターンが、幅が０．６°以下の直線状のスペクトルを含む、
   請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
8. 透明基板と、
   前記透明基板に配置された検出電極と、
   前記検出電極から得られる信号に基づき、前記透明基板に近接する物体を検出する検出モジュールと、
   を備え、
   前記検出電極は、互いに平行に延びる複数の導電線を含み、
   前記複数の導電線は、ランダム化されたピッチで並んでいる、
   タッチ検出装置。
9. 前記複数の導電線のピッチＳは、一定値Ｓ０及び偏差ΔＳを用いて、Ｓ＝Ｓ０±ΔＳで表され、
   前記偏差ΔＳは、０．０１＜ΔＳ／Ｓ０＜０．１を満たす乱数である、
   請求項８に記載のタッチ検出装置。
10. 透明基板と、
    前記透明基板に配置された検出電極と、
    前記検出電極から得られる信号に基づき、前記透明基板に近接する物体を検出する検出モジュールと、
    を備え、
    前記検出電極は、互いに平行に延びる複数の導電線を含み、
    前記複数の導電線には、ランダムな位置にスリットが設けられている、
    タッチ検出装置。
11. 前記検出電極は、第１延出方向に延びるとともに互いに平行に並ぶ複数の第１導電線と、前記第１延出方向と交わる第２延出方向に延びるとともに互いに平行に並ぶ複数の第２導電線とを含み、前記複数の第１導電線と前記複数の第２導電線とが交差するメッシュ状のパターンを有し、
    前記スリットは、前記第１導電線及び前記第２導電線の少なくとも一方において、前記第１導電線と前記第２導電線との交点を避けたランダムな位置に設けられている、
    請求項１０に記載のタッチ検出装置。
12. 透明基板と、
    前記透明基板に配置された検出電極と、
    前記検出電極から得られる信号に基づき、前記透明基板に近接する物体を検出する検出モジュールと、
    を備え、
    前記検出電極は、
    互いに平行に延びる複数の導電線と、
    前記複数の導電線の間のランダムな位置に配置された、前記導電線と電気的に非接続な複数のダミーパターンと、
    を含むタッチ検出装置。
13. 前記ダミーパターンは、前記導電線と平行な線分上で、ランダムな位置に配置されている、
    請求項１２に記載のタッチ検出装置。
14. 前記検出電極のパターンを、第１方向の視角とこの第１方向に直交する第２方向の視角とについてフーリエ変換することで得られるフーリエパターンが、幅が０．６°以下の直線状のスペクトルを含む、
    請求項８乃至１３のうちいずれか１項に記載のタッチ検出装置。

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