JP2017194565A - 光通信モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体光素子の実装を容易にする光通信モジュールを供すること。【解決手段】 光通信モジュール（１）は、一端が外側面に位置するようにして光導波路（１１）が形成された光回路基板（１７）と、前記光導波路（１１）の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光するよう、前記光回路基板（１７）上に搭載された半導体光素子（１８）と、を含み、前記光導波路（１１）の前記一端は、前記光回路基板（１７）の表面に対して斜交するミラー面（１５）として構成され、前記半導体光素子（１８）は、前記光導波路（１１）の前記一端に対して光を出射することにより前記光導波路（１１）に光を入力し、又は前記光導波路（１１）の前記一端により反射した光を受光する。【選択図】図１

Description

本発明は、光通信モジュール及びその製造方法に関する。

近年、クラウドサービスの進展やデータセンタの大規模化に伴い、これらのデータ通信を支える光通信用送受信モジュールの大容量化、小型化、低コスト化が強く望まれている。特に４０Ｇｂｉｔ／ｓを超える１００Ｇｂｉｔ／ｓや２００Ｇｂｉｔ／ｓ、ひいては４００Ｇｂｉｔ／ｓ等においては、伝送速度の高速化のみならず、４波長、８波長といった波長多重技術が必須となってきている。

特許文献１では、波長多重光信号をそれぞれの波長ごとに分離するための光分波器、これらの光信号を集光するための複数のレンズ部品、およびそれぞれの信号光を受光する複数のフォトダイオード（以下、ＰＤ）を収容する光通信モジュールが記載されている。しかし特許文献１に係る光通信モジュールでは、反射器と光分波器は一の基板上で互いに離間した状態で実装され、かつ、受光素子は前記一の基板から離れて設けられている。そのため反射器と、光分波器と、受光素子との光学的位置合わせが難しくなる。

また、特許文献２では、光通信モジュールの小型化及び長距離化のため、光合分波器と、半導体増幅器（以下、ＳＯＡ）と、ミラーがモノリシック形成され、その上に面発光レーザー（以下、ＶＣＳＥＬ）アレイがフリップチップ実装されていることが記載されている。特許文献２同様に、特許文献３では、ＶＣＳＥＬアレイの代わりにＰＤアレイをフリップチップ実装することで、光通信モジュールが構成されている。しかし特許文献２及び特許文献３に係る光通信モジュールでは、合分波器集積ＳＯＡアレイ内にミラーが埋め込まれており、レンズ無しでは、ＶＣＳＥＬあるいはＰＤと合分波器集積ＳＯＡアレイとの光学的位置合わせが難しくなる。

特許文献４では、半導体光素子と光導波路ミラー部上面とを互いに嵌合する凹凸構造が設けられ、その凹凸構造がレンズ機能を有する光導波路モジュールが記載されている。特許文献４に係る光導波路モジュールの構成は、半導体光素子のレンズ機能を有する凹構造と、光導波路ミラー部上面のレンズ機能を有する凸構造とを互いに嵌合することにより、簡便なパッシブアライメント実装と実装トレランスを確保している。しかし特許文献４に係る光導波路モジュールでは、端面ミラーはクラッド内に埋め込まれているので、凸構造とミラーとの光学的位置合わせが難しくなる。

特許文献５では、バンドパスフィルタと光導波路で構成される光合分波器が記載されている。特許文献５に係る光合分波器では、光導波路素子と半導体レーザーは端面で結合されている。光導波路素子と半導体レーザーとの光学的位置合わせは、視認可能であるため容易かもしれない。しかし光導波路素子と半導体レーザーとは端面で結合されるため、実装は困難である。

特開２０１３―１４０２９２号公報 特開２０１１―６０９８２号公報 特開２０１２−０３４３１４号公報 国際公開２０１０／０９８１７１号 特開２００５―２４１７３０号公報

本発明の目的は、半導体光素子の実装を容易にする光通信モジュールを供することである。

（１）本発明の光通信モジュールは、一端が外側面に位置するようにして光導波路が形成された光回路基板と、前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光するよう、前記光回路基板上に搭載されたレンズ機能を有する半導体光素子と、を含み、前記光導波路の前記一端は、前記光回路基板の表面に対して斜交するミラー面として構成され、前記半導体光素子は、前記光導波路の前記一端に対して光を出射することにより前記光導波路に光を入力し、又は前記光導波路の前記一端により反射した光を受光する。

（２）本発明の光通信モジュールは、一端が外側面に位置するようにして光導波路が形成された光回路基板と、前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光するよう、前記光回路基板上に搭載されたレンズ機能を有する半導体光素子と、を含み、前記光導波路の前記一端に対向するよう前記光回路基板上に設けられ、前記半導体光素子により出射される光を該一端に向けて反射し、又は該一端から出射される光を前記半導体光素子に向けて反射するミラーをさらに含む。

（３）上記（２）の光通信モジュールにおいて、前記光回路基板は、前記光導波路を含む上側層と、該上側層より下側に位置して、前記一端より外方に突出する下側層と、を含み、前記ミラーは、前記下側層における前記突出する部分に取り付けられてよい。

（４）上記（１）乃至（３）のいずれかの光通信モジュールにおいて、前記光導波路は、複数の波長の光が合成された合成光と、前記複数の波長の光の各々である複数の単波長光と、を変換する光変換器に接続され、１の前記単波長光を案内してよい。

（５）上記（４）に記載の光通信モジュールにおいて、前記光回路基板には、前記光変換器が形成されてよい。

（６）本発明の光通信モジュールの製造方法は、端が外側面に位置するようにして光導波路が形成され、一端にミラーが形成された光回路基板を準備する工程と、発光または受光する機能を有したレンズを備えた半導体光素子を準備する工程と、レセクタプルとパッケージを準備する工程と、前記光半導体素子を、前記光導波路の前記一端に対して光を出射することにより前記光導波路に光を入力する、又は前記光導波路の前記一端により反射した光を受光するように実装する工程と、前記光導波路を前記パッケージ内に配置する工程と、前記レセクタプルと前記光導波路の前記一端の逆側の他端との間の光学的接続を図る工程と、を含む。

本発明は、光導波路を光回路基板の端面に到達させ、かつ、ミラーを光回路基板の端面に設けることで、ミラーの位置を外部から視認可能とすることができるので、光回路基板と該光回路基板上の半導体光素子との光学的位置合わせを容易にし得る。また本発明は、半導体光素子を光回路基板上に実装するので、光通信モジュールにおいて、光回路基板上への半導体光素子の実装を容易にすることを可能にする。

（ａ）は光通信モジュールの一例の上面図を示し、（ｂ）は光通信モジュールの一例の断面図を示している。 （ａ）は本発明による光サブアセンブリの第１実施例の上面図を示し、（ｂ）は本発明による光サブアセンブリの第１実施例の断面図を示している。 （ａ）は本発明による光サブアセンブリの第２実施例の上面図を示し、（ｂ）は本発明による光サブアセンブリの第２実施例の断面図を示している。 （ａ）は本発明による光サブアセンブリの第３実施例の上面図を示し、（ｂ）は本発明による光サブアセンブリの第３実施例の断面図を示している。 （ａ）は本発明による光サブアセンブリの第４実施例の上面図を示し、（ｂ）は本発明による光サブアセンブリの第４実施例の断面図を示している。 （ａ）は本発明による光サブアセンブリの第５実施例の上面図を示し、（ｂ）は本発明による光サブアセンブリの第５実施例の断面図を示している。

［第１の実施形態］
図１（ａ）は、光通信モジュールの一例の上面図を示している。ここで上面図とは、半導体光素子１８が実装される光回路基板１７の面が正面に見える図である。図１（ｂ）は、光通信モジュールの一例の断面図を示している。断面は上面に対して垂直にとられている。

これらの図の光通信モジュール１は、パッケージ６３と、パッケージ６３の一の端部に取り付けられたレセプタクル６１と、パッケージ６３の他の端部に取り付けられたフレキシブル基板６６と、パッケージ６３を封止する蓋６９を有する。パッケージ６３は、レンズ台６７上に設けられたレンズ６２と、光回路基板台６８に支持された光サブアセンブリ１０と、ＩＣ台７０上に設けられたＩＣ６４を内部に含む。

光サブアセンブリ１０は略垂直な一の端面と斜交する他の端面を有する。一の端面はレンズ６２と対向し、他の端面はＩＣ６４と対向する。光サブアセンブリ１０は、光回路基板１７と、光回路基板１７上に設けられた半導体光素子１８を有する。半導体光素子１８にはレンズが設けられている。ＩＣ６４は、ワイヤーボンディング６５によってレンズが設けられた半導体光素子１８及びパッケージ６３と電気的に接続される。レンズが設けられた半導体光素子１８は、光サブアセンブリ１０上であって他の端面側に設けられる。

これらの図の光通信モジュール１が光送受信機能を実現するため、レセプタクル６１、レンズ６２、光サブアセンブリ１０、及びレンズが設けられた半導体光素子１８は光学的に位置合わせされるように配置される。かかる配置では具体的に以下が実現されている。

（１）レセプタクル６１へ入射する光が、大きな光学的損失を伴うことなく、レンズ６２を通過して光サブアセンブリ１０の光導波路へ入射し、端面ミラーである他の端面を介してレンズが設けられた半導体光素子１８へ到達する。

（２）レンズが設けられた半導体光素子１８から出射される光が、大きな光学的損失を伴うことなく、端面ミラーである他の端面を介して光サブアセンブリ１０の光導波路へ入射し、レンズ６２を通過してレセプタクル６１から出射する。

図２（ａ）は、本発明による光サブアセンブリ１０の第１実施例の上面図を示している。図２（ｂ）は、光サブアセンブリ１０の第１実施例の断面図を示している。

本実施例では、光導波路１１ａ、１１ｂ、１１ｃと、ミラー１５が設けられた光回路基板１７上に、レンズ１９が設けられた半導体光素子１８が実装されている。光導波路１１ｂは、複数の波長の光が合成された合成光と、前記複数の波長の光の各々である複数の単波長光と、を変換する光変換器（光合分波器）であって良い。

光サブアセンブリ１０は、光回路基板１７内に形成される光導波路１１と、レンズ１９が設けられた半導体光素子１８を有する。光導波路１１の一端は、光回路基板１７の側面に位置、かつ斜交するミラー面を構成する。レンズ１９が設けられた半導体光素子１８は、ミラー面である光回路基板１７の一端へ達するように光を出射して良い。あるいはレンズ１９が設けられた半導体光素子１８は、光導波路１１からミラー面である光回路基板１７の一端で反射される光を受光して良い。

光回路基板１７は、光導波路用基板１４の上に光導波路１１が形成されている。光導波路１１は光導波路コア１３の上下を光導波路クラッド１２で挟まれた構成となっている。光導波路１１は、光導波路１１ａ、１１ｂ、１１ｃを含んでいる。さらに光導波路１１の上部（上側の光導波路クラッド１２上）にレンズ１９が設けられた半導体光素子１８を実装するための電極１６が設けられており、さらに一方の光導波路端面を４５度に研磨することによりミラー１５を形成されている。光導波路１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、当業者に周知な任意の方法を用いて形成されて良い。電極１６を設ける際、電極１６の配置は、レンズ１９が設けられた半導体光素子１８の受光中心とミラー１５で反射する光信号中心とが一致するように行われる。ミラー１５は、半導体光素子１８が上に実装される面に対して４５度の角度をなすことが好ましいが、他の角度であってもよい。

レンズ１９が設けられた半導体光素子１８は、半導体光素子１８の裏面側にレンズ１９を形成することによって作成される。レンズ１９が設けられた半導体光素子１８はモノリシック形成されてよい。レンズ１９が設けられた半導体光素子１８は、光回路基板１７上に形成されている電極１６上に半田２０を用いて実装される。このときレンズ１９は光回路基板１７側に配置される。また半導体光素子１８への通電は、光回路基板側より行ってもかまないし、レンズ１９が形成されていない面側にワイヤ等で通電させても構わない。

光導波路用基板１４はＳｉで構成されることが好ましいが、石英系ガラス材料、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の他の基板材料で構成されてもよい。光導波路は石英系で構成されることが好ましいが、ポリマー材料や半導体材料で構成されてもよい。光合分波器１１ｂはアレイ導波路回折格子（以下、ＡＷＧ）であることが好ましいが、他の種類の光合分波器であってもよい。レンズ１９が設けられた半導体光素子１８はアレイであることが好ましいが、複数の単体素子であってもよい。またレンズ１９が設けられた半導体光素子１８はレーザーダイオード（以下、ＬＤ）アレイであってもよい。

この構成は、レンズ１９を半導体光素子１８に設け、ミラー１５を光回路基板１７に設けることで部品点数を減少させている。またこの構成は、レンズ１９をレンズが設けられた半導体光素子１８の裏面に設けることにより、半導体光素子１８の受光中心と裏面レンズ位置とを高い精度で位置合わせすることが可能となる。またこの構成は、光導波路１１を光回路基板１７の端面に到達させ、かつ、ミラー１５を光回路基板１７の端面に設けることで、ミラー１５の位置を外部から視認可能とすることができるので、光回路基板１７と該光回路基板上の半導体光素子１８との光学的位置合わせを容易にし得る。結果として、光通信モジュールにおいて、光回路基板１７上への半導体光素子１８の実装が容易となり得る。さらにこの構成は、実装による簡便なパッシブアライメントを可能にする。またこの構成は、信号光空間伝播距離Ｌを短くすることで高い結合効率を確保することを可能にする。特にこの信号光空間伝播距離Ｌを１００μｍ以下にすると効果的である。

ここで本実施形態にかかる光通信モジュールの製造方法について説明する。まず光回路基板１７の所望の位置に半導体光素子１８を実装する。上述したように、光回路基板１７の所望の位置に半導体光素子１８を例えばパッシブアライメントにて実装するだけで簡便に光回路基板１７と半導体光素子１８の光学的な接続が得られる。次に、光通信モジュールのパッケージ６３内の所定の位置に光回路基板１７、ＩＣ６４を配置する。すなわち、光回路基板１７は光回路基板台６８を介してパッケージ６３の底面に配置され、ＩＣ６４はＩＣ台７０を介してパッケージ６３の底面に配置される。この時、半導体光素子１８の上面（レンズ１９が形成されていない側の面）の高さとＩＣ６４の上面の高さの差が極力小さくなるように、光回路基板台６８及びＩＣ台７０の高さは設定されている。ただし、この高さはこれに限定されることはなく、必要に応じて任意の高さに設定しても構わない。また半導体光素子１８を実装する前に、光回路基板１７をパッケージ６３に配置しても構わない。なおパッケージ６３は内部が刳り貫かれた箱状が一般的であり、先に半導体光素子１８を実装してから光回路基板１７を配置した方が作業性は良い。次に、レンズ６２を配置する。この時、この後に組み立てるレセプタクル６１の仮想位置と半導体光素子１７のミラー１７が形成されていない他端との間の光学接続が最適となるようにレンズ６２を実装する。そして、蓋６９をすることでパッケージ６３内部を気密封止する。その後、レセプタクル６１を半導体光素子１７のミラー１７が形成されていない他端との間の光学接続が最適となるように調整し固定する。最後に必要に応じてフレキシブル基板６６を設置して光通信モジュールは完成する。以上のように、本実施形態によればアクティブな光学調心は、レセプタクル６１の配置時だけであり、複雑な光学的な位置合わせを必要とせずに光通信モジュールを作成することができる。

なお、各々の部品配置は上述した順番には限定されない。例えば、半導体光素子１８を実装する前に光回路基板１７をパッケージ６３に配置し、レンズ６２を配置しても構わない。ただし、レセプタクル６１の調心においては、半導体光素子１８が受光素子の場合は、レセプタクル６１から入光し半導体光素子１８の出力をモニタしながら調整すると作業性が高く、先に半導体光素子１８を実装する方が好ましい。さらに、ＩＣ６４は必要に応じてパッケージ６４内に設ければよく、本願発明の必須要件ではない。

［第２の実施形態］
図３（ａ）は、本発明による光サブアセンブリの第２実施例の上面図を示している。図３（ｂ）は、光サブアセンブリの第２実施例の断面図を示している。本実施例は図２の実施例と実質的に同一である。しかし本実施例では、光導波路１１ａ、１１ｂ、１１ｃと、光合分波器とミラー１５が設けられた光回路基板１７と、レンズ１９が設けられた半導体光素子１８が実装用基板２１上に実装されている。光導波路１１ｂは光合分波器を構成して良い。

実装用基板２１の表面は凸部２３と凹部２４を有する。凸部２３には接着剤２２を用いて光回路基板１７が実装される。凹部２４には電極１６が形成され、電極１６上にレンズ１９が設けられた半導体光素子１８が半田２０を用いて実装される。このときレンズ１９が設けられた半導体光素子１８の裏面に作り込まれたレンズ１９は光回路基板１７上の光導波路に対向する。またレンズ１９が設けられた半導体光素子１８の受光中心とミラー１５で反射する光信号中心が一致するように、光回路基板１７は実装される。

光導波路用基板１４はＳｉで構成されることが好ましいが、石英系ガラス材料、ＧａＡs、ＩｎＰ等の他の基板材料で構成されてもよい。光導波路は石英系光導波路であることが好ましいが、ポリマー材料や半導体材料で構成されてもよい。光合分波器はアレイ導波路回折格子（以下、ＡＷＧ）であることが好ましいが、他の種類の光合分波器であってもよい。

レンズが設けられた半導体光素子１８はＰＤアレイであることが好ましいが、複数の単体素子であってもよい。また半導体光素子１８はＬＤアレイであってもよい。

この構成は、レンズ１９を半導体光素子１８に設け、ミラー１５を光回路基板１７に設けることで部品点数を減少させている。またこの構成は、レンズ１９をレンズが設けられた半導体光素子１８の裏面に設けることにより、半導体光素子１８の受光中心と裏面レンズ位置とを高い精度で位置合わせすることが可能となる。またこの構成は、光導波路を光回路基板の端面に到達させ、かつ、ミラー１５を光回路基板１７の端面に設けることで、ミラー１５の位置を外部から視認可能とすることができるので、光回路基板１７と該光回路基板上の半導体光素子１８との光学的位置合わせを容易にし得る。結果として、光通信モジュールにおいて、光回路基板１７上への半導体光素子１８の実装が容易となり得る。さらにこの構成は、簡便なパッシブアライメントを可能にする。

本実施例ではレンズ１９が設けられた半導体光素子１８としてＰＤアレイを例示したがアレイではなく複数の単体素子が使用されてもよい。さらにはＰＤではなくレンズが設けられた面出射型のＬＤが用いられてもよい。

本実施例ではＣＷＤＭ(Coarse Wavelength Division Multiplexing)に対応した４波長が例示されているが、ＬＡＮＷＤＭ(Local Area Network Wavelength Division Multiplexing)やＤＷＤＭ(Dense Wavelength Division Multiplexing)等のＷＤＭが用いられてもよく、また２波長以上の複数の波長数が用いられてもよい。

［第３の実施形態］
図４（ａ）は、光サブアセンブリの第３実施例の上面図を示している。図４（ｂ）は、光サブアセンブリの第３実施例の断面図を示している。本実施例は図２の実施例と実質的に同一である。しかし図２の実施例ではミラー１５は光回路基板１７の導波路端面を４５度に研磨することにより形成されているが、本実施例では、光回路基板３２上に別部品のミラー３１が搭載されている。

本実施例の光サブアセンブリは、光導波路１１を含む上側層及び該上側層より下側に位置して一端より右側に突出する下側層を有する光回路基板３２と、前記下側層の突出する部分の上に設けられるミラー３１と、光導波路１１とミラー３１の上に実装されたレンズ１９が設けられた半導体光素子１８を有する。光導波路１１の一端は光回路基板３２の側面に位置する。レンズ１９が設けられた半導体光素子１８は、電極１６を用いてフリップフロップ実装されてよい。レンズ１９が設けられた半導体光素子１８は、ミラー３１へ達するように光を出射して良い。あるいはレンズ１９が設けられた半導体光素子１８は、光導波路１１からミラー３１で反射される光を受光しても良い。

光回路基板３２は、光導波路１１ａ、１１ｂ、１１ｃが光導波路用基板１４上の一部に形成し、光導波路用基板１４上の光導波路１１が設けられていない領域上にミラー３１を設けられることによって形成されてよい。光導波路１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、当業者に周知な任意の方法を用いて形成されて良い。電極１６を設ける際、電極１６の配置は、レンズ１９が設けられた半導体光素子１８の受光中心とミラー１５で反射する光信号中心とが一致するように行われる。

本実施例では、信号光空間伝播距離はＬ_１＋Ｌ_２で表される。またミラー３１は、光導波路１１の端面に対して４５度の角度をなすことが好ましいが、他の角度であってもよい。

［第４の実施形態］
図５（ａ）は、光サブアセンブリの第４実施例の上面図を示している。図５（ｂ）は、光サブアセンブリの第４実施例の断面図を示している。本実施例は図２の実施例と実質的に同一である。しかし図２の実施例では、半導体光素子１８は、半田２０を用いて光回路基板１７上の電極１６にフリップチップ実装されているが、本実施例では、半田２０の代わりに透明樹脂４１によってレンズ１９が設けられた半導体光素子１８が実装されている。透明樹脂４１はＵＶ硬化接着剤等であってよい。

［第５の実施形態］
図６（ａ）は、光サブアセンブリの第５実施例の上面図を示している。図６（ｂ）は、光サブアセンブリの第５実施例の断面図を示している。本実施例は図２乃至図５の実施例と実質的に同一である。しかし図２乃至図５の実施例では、光合分波器としてＡＷＧが用いられているが、本実施例の光合分波器５１は、ミラー５３と、４つのフィルタ５４と、光導波路１１ｂを有する。

光合分波器５１は、光回路基板５５に２つの溝５２を設け、溝５２のうちの一方にミラー５３を挿入し、その後、溝５２のうちの他方に各波長に対応する４つのバンドパスフィルタ５４を挿入することによって形成される。さらにはエシェルグレーティング等の回折格子用いた光合分波器が、光合分波器５１として用いられてもよい。

また、本実施例ではレンズ１９が設けられた半導体光素子１８としてＰＤアレイが例示されているがアレイに限定されず、複数の単体素子が用いられてもよい。さらに、ＰＤではなくレンズを設けた面出射型のＬＤを用いて送信光アセンブリが構成されてもよい。

光導波路用基板１４はＳｉで構成されることが好ましいが、石英系ガラス材料、ＧａＡs、ＩｎＰ等の他の基板材料で構成されてもよい。光導波路は石英系で構成されることが好ましいが、ポリマー材料や半導体材料で構成されてもよい。

本実施例ではＣＷＤＭ(Coarse Wavelength Division Multiplexing)に対応した４波長が例示されているが、ＬＡＮＷＤＭ(Local Area Network Wavelength Division Multiplexing)やＤＷＤＭ(Dense Wavelength Division Multiplexing)等のＷＤＭを用いても同様であり、また波長数も２波長以上の複数波長であれば同等である。

１ 光通信モジュール、１０ 光サブアセンブリ、１１ 光導波路、１２ 光導波路クラッド、１３ 光導波路コア、１４ 光導波路用基板、１５ ミラー、１６ 電極、１７ 光回路基板、１８ 半導体光素子、１９ レンズ、２０ 半田、２１ 実装用基板、２２ 接着剤、２３ 凸部、２４ 凹部、３１ ミラー、３２ 光回路基板、４１ 透明樹脂、５１ 光合分波器、５２ 溝、５３ ミラー、５４ バンドパスフィルタ、５５ 光回路基板、６１ レセプタクル、６２ レンズ、６３ パッケージ、６４ ＩＣ、６５ ワイヤーボンディング、６６ フレキシブル基板、６７ レンズ台、６８ 光回路基板台、６９ 蓋、７０ ＩＣ台。

Claims (6)

1. 一端が外側面に位置するようにして光導波路が形成された光回路基板と、
   前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光するよう、前記光回路基板上に搭載されたレンズ機能を有する半導体光素子と、
   を含み、
   前記光導波路の前記一端は、前記光回路基板の表面に対して斜交するミラー面として構成され、
   前記半導体光素子は、前記光導波路の前記一端に対して光を出射することにより前記光導波路に光を入力し、又は前記光導波路の前記一端により反射した光を受光する、
   光通信モジュール。
2. 一端が外側面に位置するようにして光導波路が形成された光回路基板と、
   前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光するよう、前記光回路基板上に搭載されたレンズ機能を有する半導体光素子と、
   を含み、
   前記光導波路の前記一端に対向するよう前記光回路基板上に設けられ、前記半導体光素子により出射される光を該一端に向けて反射し、又は該一端から出射される光を前記半導体光素子に向けて反射するミラーをさらに含む、
   光通信モジュール。
3. 請求項２に記載の光通信モジュールにおいて、
   前記光回路基板は、前記光導波路を含む上側層と、該上側層より下側に位置して、前記一端より外方に突出する下側層と、を含み、
   前記ミラーは、前記下側層における前記突出する部分に取り付けられる、
   光通信モジュール。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の光通信モジュールにおいて、
   前記光導波路は、複数の波長の光が合成された合成光と、前記複数の波長の光の各々である複数の単波長光と、を変換する光変換器に接続され、１の前記単波長光を案内する、
   光通信モジュール。
5. 請求項４に記載の光通信モジュールにおいて、
   前記光回路基板には、前記光変換器が形成される、
   光通信モジュール。
6. 端が外側面に位置するようにして光導波路が形成され、一端にミラーが形成された光回路基板を準備する工程と、
   発光または受光する機能を有したレンズを備えた半導体光素子を準備する工程と、
   レセクタプルを有するパッケージを準備する工程と、
   前記光半導体素子を、前記光導波路の前記一端に対して光を出射することにより前記光導波路に光を入力する、又は前記光導波路の前記一端により反射した光を受光するように実装する工程と、
   前記光導波路を前記パッケージ内に配置する工程と、
   前記レセクタプルと前記光導波路の前記一端の逆側の他端との間の光学的接続を図る工程と、を含む
   光通信モジュールの製造方法。

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