JP2017036494A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017036494A JP2017036494A JP2016137029A JP2016137029A JP2017036494A JP 2017036494 A JP2017036494 A JP 2017036494A JP 2016137029 A JP2016137029 A JP 2016137029A JP 2016137029 A JP2016137029 A JP 2016137029A JP 2017036494 A JP2017036494 A JP 2017036494A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield
- shutter
- sputtering apparatus
- target
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3441—Dark space shields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3417—Arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
Claims (9)
- チャンバと、前記チャンバの中で基板を保持するための基板ホルダと、ターゲットを保持するためのターゲットホルダとを有するスパッタリング装置であって、
前記基板ホルダと前記ターゲットホルダとの間に配置され、前記基板ホルダの側の第1面および前記第1面の反対側の第2面を有するシャッターと、
前記シャッターの前記第2面に対向する部分を含む第3面および前記第3面の反対側の第4面を有する第1シールドと、
前記シャッターの端部および前記第1シールドの端部に対向する部分を含む第5面を有する第2シールドと、
前記シャッターの前記第2面と前記第1シールドの前記第3面との間に形成される第1間隙に連通するように前記第1シールドの外側に配置されたガス拡散空間にガスを供給するガス供給部と、を備え、
前記第2シールドは、前記シャッターの端部との間に第2間隙を構成するように前記第5面から突出した突出部を含み、
前記ガス供給部によって前記ガス拡散空間に供給されたガスは、前記第1間隙を通って前記ターゲットの近傍の空間に向かって移動可能である、
ことを特徴とするスパッタリング装置。 - 前記第2間隙は、前記第1シールドと前記第2シールドとの間の最小距離よりも小さい、
ことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。 - 前記第2シールドは、前記第5面に外側凸部を更に含み、前記外側凸部は、前記第1シールドの端部が、前記第5面のうち前記突出部と前記外側凸部との間の部分に対向するように配置されている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリング装置。 - 前記外側凸部と前記第1シールドの端部とで第3間隙が構成され、
前記第3間隙は、前記第2シールドのうち前記突出部と前記外側凸部との間の部分と前記第1シールドとの間の最小距離よりも小さい、
ことを特徴とする請求項3に記載のスパッタリング装置。 - 前記第2シールドは、前記第5面に内側凸部を更に含み、前記内側凸部は、前記シャッターの端部が、前記第5面のうち前記突出部と前記内側凸部との間の部分に対向するように配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のスパッタリング装置。 - 前記シャッターの前記第1面に対向する面を有する第2シャッターを更に備え、前記内側凸部は、前記第2シャッターの端部が、前記第5面のうち前記突出部と前記内側凸部との間の部分に対向するように配置されている、
ことを特徴とする請求項5に記載のスパッタリング装置。 - 前記ガス拡散空間は、前記第1シールドの前記第4面および前記第2シールドの前記第5面によって少なくとも一部が画定される、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のスパッタリング装置。 - 前記第1シールドは、前記ターゲットの周囲を取り囲むように配置された部分を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のスパッタリング装置。 - 前記ターゲットホルダの他に、少なくとも1つのターゲットホルダを更に有する、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013082484 | 2013-04-10 | ||
| JP2013082484 | 2013-04-10 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015510962A Division JP5970607B2 (ja) | 2013-04-10 | 2013-12-24 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017036494A true JP2017036494A (ja) | 2017-02-16 |
| JP6154943B2 JP6154943B2 (ja) | 2017-06-28 |
Family
ID=51689052
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015510962A Active JP5970607B2 (ja) | 2013-04-10 | 2013-12-24 | スパッタリング装置 |
| JP2016137029A Active JP6154943B2 (ja) | 2013-04-10 | 2016-07-11 | スパッタリング装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015510962A Active JP5970607B2 (ja) | 2013-04-10 | 2013-12-24 | スパッタリング装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9966241B2 (ja) |
| JP (2) | JP5970607B2 (ja) |
| KR (1) | KR101683414B1 (ja) |
| TW (1) | TWI516626B (ja) |
| WO (1) | WO2014167615A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022529821A (ja) * | 2019-04-22 | 2022-06-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ガス流システム |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7440912B2 (ja) | 2017-07-19 | 2024-02-29 | インテヴァック インコーポレイテッド | ナノラミネート光学コーティングを形成するためのシステム |
| KR102133279B1 (ko) * | 2018-06-20 | 2020-07-13 | 주식회사 엘지화학 | 회절 격자 도광판용 몰드의 제조방법 및 회절 격자 도광판의 제조방법 |
| TWI815945B (zh) * | 2018-08-10 | 2023-09-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 多陰極沉積系統 |
| US11414748B2 (en) * | 2019-09-25 | 2022-08-16 | Intevac, Inc. | System with dual-motion substrate carriers |
| US11694913B2 (en) | 2018-12-18 | 2023-07-04 | Intevac, Inc. | Hybrid system architecture for thin film deposition |
| JP7134112B2 (ja) * | 2019-02-08 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| JP7670434B2 (ja) * | 2020-12-24 | 2025-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | スパッタ装置及びスパッタ装置の制御方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04325671A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ装置およびスパッタ法 |
| JPH08269705A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置 |
| WO2011077653A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子デバイスの製造方法、およびスパッタリング装置 |
| WO2012033198A1 (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | 株式会社 アルバック | スパッタ装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05255847A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
| JP4137277B2 (ja) | 1999-04-15 | 2008-08-20 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| JP4902052B2 (ja) * | 2001-04-05 | 2012-03-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
| JP2005187830A (ja) | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk | スパッタ装置 |
| JP5291907B2 (ja) | 2007-08-31 | 2013-09-18 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| KR101067104B1 (ko) | 2008-11-28 | 2011-09-22 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 성막 장치, 전자 디바이스의 제조 방법 |
| WO2011117945A1 (ja) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置及び電子デバイスの製造方法 |
| JP5743266B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置及びキャリブレーション方法 |
| JP5611803B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2014-10-22 | キヤノンアネルバ株式会社 | 反応性スパッタリング装置 |
-
2013
- 2013-12-24 JP JP2015510962A patent/JP5970607B2/ja active Active
- 2013-12-24 WO PCT/JP2013/007530 patent/WO2014167615A1/ja not_active Ceased
- 2013-12-24 KR KR1020157031183A patent/KR101683414B1/ko active Active
-
2014
- 2014-04-09 TW TW103113003A patent/TWI516626B/zh active
-
2015
- 2015-10-08 US US14/878,567 patent/US9966241B2/en active Active
-
2016
- 2016-07-11 JP JP2016137029A patent/JP6154943B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04325671A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ装置およびスパッタ法 |
| JPH08269705A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置 |
| WO2011077653A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子デバイスの製造方法、およびスパッタリング装置 |
| WO2012033198A1 (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | 株式会社 アルバック | スパッタ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022529821A (ja) * | 2019-04-22 | 2022-06-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ガス流システム |
| JP7277609B2 (ja) | 2019-04-22 | 2023-05-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ガス流システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101683414B1 (ko) | 2016-12-06 |
| JP6154943B2 (ja) | 2017-06-28 |
| JPWO2014167615A1 (ja) | 2017-02-16 |
| US20160027623A1 (en) | 2016-01-28 |
| US9966241B2 (en) | 2018-05-08 |
| TWI516626B (zh) | 2016-01-11 |
| KR20150137103A (ko) | 2015-12-08 |
| JP5970607B2 (ja) | 2016-08-17 |
| TW201510255A (zh) | 2015-03-16 |
| WO2014167615A1 (ja) | 2014-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6154943B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| US8869742B2 (en) | Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust | |
| KR102451499B1 (ko) | 샤워헤드 설계 | |
| TW200802667A (en) | Vacuum processing chamber suitable for etching high aspect ratio features and components of same | |
| JP5550602B2 (ja) | 静電チャックおよびこれを備えるドライエッチング装置 | |
| TW200732500A (en) | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition | |
| KR100271244B1 (ko) | 전자빔 여기식 플라즈마장치 | |
| JP6715739B2 (ja) | ハースユニット、蒸発源および成膜装置 | |
| KR20140053665A (ko) | 마그넷 유닛을 이용하는 스퍼터링 장치 및 방법 | |
| SG126120A1 (en) | Lithographic device, device manufacturing method and device manufactured thereby | |
| WO2014052388A1 (en) | An apparatus and method for purging gaseous compounds | |
| JPWO2012033198A1 (ja) | スパッタ装置 | |
| KR101560384B1 (ko) | 캐소드 유닛 및 이 캐소드 유닛을 구비한 스퍼터링 장치 | |
| JP5950866B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JP2022514421A (ja) | 化合物層を堆積させる真空システムおよび方法 | |
| JP5777656B2 (ja) | 基板支持装置及び基板処理装置 | |
| JP5827344B2 (ja) | 処理装置およびシールド | |
| US20140262769A1 (en) | Substrate holder apparatus and vacuum processing apparatus | |
| US20100230276A1 (en) | Device and method for thin film deposition using a vacuum arc in an enclosed cathode-anode assembly | |
| JP2013165276A (ja) | 蓋部品、処理ガス拡散供給装置、及び基板処理装置 | |
| JP5300066B2 (ja) | マグネトロンカソード | |
| JP2007305336A (ja) | 直流高密度プラズマ源、成膜装置および膜の製造方法 | |
| JP2012017511A (ja) | 成膜基板ホルダ及び成膜装置 | |
| JP6847267B2 (ja) | プラズマ源 | |
| US20120145724A1 (en) | Vacuum container |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170405 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170508 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170602 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6154943 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |