JP2017036377A - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】プリント配線板が薄型であっても、部品の実装工程において良好なリフロー挙動を示すプリント配線板をもたらす樹脂組成物、当該樹脂組成物を含有する、シート状積層材料、プリント配線板、及び半導体装置の提供。【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材を含有し、（Ｃ）無機充填材が、下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の表面処理剤で表面処理されている樹脂組成物。Ｘは、ビニル基等を表し、Ｙは、炭素原子数４以上のアルキレン基等を表し、Ｒ１〜Ｒ３は、炭素原子数１〜６のアルキル基等を表し、Ｚは、アルキレン基等を表す。Ｘ−Ｙ−Ｓｉ（ＯＲ１）３・・・（１）（Ｒ２Ｏ）３Ｓｉ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ３）３・・・（２）【選択図】なし

Description

本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、当該樹脂組成物を含有する、シート状積層材料、プリント配線板、及び半導体装置に関する。

プリント配線板の製造技術としては、内層基板上に絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。ビルドアップ方式による製造方法において、絶縁層は、一般に、樹脂組成物を硬化させることにより形成される。

例えば、特許文献１には、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含有し、該無機充填材がアミノアルキルシランで表面処理されており、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、該無機充填材の含有量が５５〜９０質量％である樹脂組成物が記載されている。

特開２０１４−２８８８０号公報

ところで、近年の含鉛半田から鉛フリー半田への代替に伴い、半田リフローによる部品の実装工程における半田リフロー温度は上昇している。また、近年、電子機器の小型化を達成すべく、プリント配線板の更なる薄型化が進められており、内層基板や絶縁層の厚さは次第に薄くなる傾向にある。プリント配線板の薄型化が進むにつれて、リフロー挙動を安定化させるのは困難となる傾向にある。

本発明の課題は、プリント配線板が薄型であっても、部品の実装工程において良好なリフロー挙動を示すプリント配線板をもたらす樹脂組成物、当該樹脂組成物を含有する、シート状積層材料、プリント配線板、及び半導体装置を提供することにある。

本発明者らは、上記の課題につき鋭意検討した結果、特定の表面処理剤で表面処理をなされた無機充填材を使用することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材を含有する樹脂組成物であって、
（Ｃ）無機充填材が、下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の表面処理剤で表面処理されている樹脂組成物。
Ｘ−Ｙ−Ｓｉ（ＯＲ^１）_３ ・・・（１）
（一般式（１）中、Ｘは、ビニル基、エポキシ基、グリシジルエーテル基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、アミノ基、Ａｒ−（ＮＲ）_ｎ−（ＣＨ_２）_ｍ−、Ａｒ−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−、又はＮＨ_２−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−を表し、Ａｒは置換基を有していてもよいフェニル基を表し、Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、ｍは０〜６の整数を表し、ｎは０又は１の整数を表し、Ｙは、置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルキレン基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルケニレン基を表し、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^１は同一であってもよく、異なっていてもよい。）
（Ｒ^２Ｏ）_３Ｓｉ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ^３）_３ ・・・（２）
（Ｚは、置換基を有していてもよいアルキレン基、−ＮＲ−、酸素原子、硫黄原子、又はこれらの２以上の組み合わせからなる基を表し、Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^２及びＲ^３は同一であってもよく、異なっていてもよい。）
［２］ 一般式（１）中のＹが、置換基を有していてもよい炭素原子数６以上のアルキレン基を表す、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ 一般式（２）中のＺが、置換基を有していてもよい炭素原子数６以上のアルキレン基、又は置換基を有していてもよいアルキレン基と−ＮＲ−との組み合わせからなる基を表す、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ 一般式（１）中のＲ^１、一般式（２）中のＲ^２及びＲ^３が、メチル基又はエチル基を表す、［１］〜［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］ 一般式（１）で表される化合物が８−グリシドキシオクチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−８−アミノオクチルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−８−アミノオクチル−トリメトキシシラン、３−（２−グリシジルフェニル）プロピルトリメトキシシラン、６−ビニルヘキシルトリメトキシシラン、及び８−メタクリロイルオキシオクチルトリメトキシシランのいずれかであり、一般式（２）で表される化合物がビストリメトキシシリルヘキサン、ビストリメトキシシリルオクタン、及びビス（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミンのいずれかである、［１］〜［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］ （Ｃ）成分の平均粒径が、０．０１μｍ〜５μｍである、［１］〜［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］ （Ｃ）成分が、シリカである、［１］〜［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］ （Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、５０質量％以上である、［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］ （Ｃ）成分は、（Ｃ）成分１００質量部に対して０．２質量部〜２質量部の表面処理剤で表面処理されている、［１］〜［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］ （Ｃ）成分の単位表面積当たりのカーボン量が、０．０５ｍｇ／ｍ^２〜１ｍｇ／ｍ^２である、［１］〜［９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１１］ （Ａ）成分が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂から選択される１種以上である、［１］〜［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］ （Ｂ）成分が、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上である、［１］〜［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］ プリント配線板の絶縁層形成用である、［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１４］ プリント配線板のビルドアップ層形成用である、［１］〜［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１５］ ［１］〜［１４］のいずれかに記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む、シート状積層材料。
［１６］ ［１］〜［１４］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
［１７］ 絶縁層の反り量が３５０μｍ以下である、［１６］に記載のプリント配線板。
［１８］ ［１６］又は［１７］に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。

本発明によれば、プリント配線板が薄型であっても、部品の実装工程において良好なリフロー挙動を示すプリント配線板をもたらす樹脂組成物、当該樹脂組成物を含有する、シート状積層材料、プリント配線板、及び半導体装置を提供することができるようになった。

以下、本発明の樹脂組成物、当該樹脂組成物を含有する、シート状積層材料、プリント配線板、及び半導体装置について詳細に説明する。

本明細書において、基の直前に付されている「置換基を有していてもよい」という用語は、該基の水素原子が置換基で置換されていない場合、及び、該基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されている場合の双方を意味する。

本明細書において、「Ｃ_ｐ〜Ｃ_ｑ」（ｐ及びｑは正の整数であり、ｐ＜ｑを満たす。）という用語は、この用語の直後に記載された有機基の炭素原子数がｐ〜ｑであることを表す。例えば、「Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキル基」という表現は、炭素原子数１〜１０のアルキル基を示し、「Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキルエステル」という表現は、炭素原子数１〜１０のアルキル基とのエステルを示す。

［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材を含有する樹脂組成物であって、（Ｃ）無機充填材が、下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の表面処理剤で表面処理されていることを特徴とする。
Ｘ−Ｙ−Ｓｉ（ＯＲ^１）_３ ・・・（１）
（一般式（１）中、Ｘは、ビニル基、エポキシ基、グリシジルエーテル基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、アミノ基、Ａｒ−（ＮＲ）_ｎ−（ＣＨ_２）_ｍ−、Ａｒ−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−、又はＮＨ_２−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−を表し、Ａｒは置換基を有していてもよいフェニル基を表し、Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、ｍは０〜６の整数を表し、ｎは０又は１の整数を表し、Ｙは、置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルキレン基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルケニレン基を表し、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^１は同一であってもよく、異なっていてもよい。）
（Ｒ^２Ｏ）_３Ｓｉ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ^３）_３ ・・・（２）
（Ｚは、置換基を有していてもよいアルキレン基、−ＮＲ−、酸素原子、硫黄原子、又はこれらの２以上の組み合わせからなる基を表し、Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^２及びＲ^３は同一であってもよく、異なっていてもよい。）

以下、本発明の樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。

＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂（以下、（Ａ）成分ともいう）を含有する。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ａ）成分は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂から選択される１種以上であることが好ましい。

エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス（株）製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、（株）ダイセル製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル（株）製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学（株）製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：６の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：５の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：４の範囲がさらに好ましい。

樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、さらに好ましくは１５質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。

なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。

＜（Ｂ）硬化剤＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｂ）硬化剤（以下、（Ｂ）成分ともいう）を含有する。

硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（Ｂ）成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成（株）製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬（株）製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金（株）製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ（株）製の「ＬＡ７０５２」、「ＬＡ７０５４」、「ＬＡ３０１８」、「ＥＸＢ−９５００」等が挙げられる。

粗化処理後に表面粗さの小さい絶縁層を得る観点、導体層との密着性に優れる絶縁層を得る観点から、活性エステル系硬化剤も好ましい。活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」（ＤＩＣ（株）製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ（株）製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学（株）製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学（株）製）などが挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子（株）製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン（株）製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル（株）製の「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」等が挙げられる。

エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．１〜１：２の範囲が好ましく、１：０．１５〜１：１．５がより好ましく、１：０．２〜１：１がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性がより向上する。

一実施形態において、樹脂組成物は、先述の（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を含む。樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との混合物（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂の質量比は好ましくは１：０．１〜１：８、より好ましくは１：０．３〜１：７、さらに好ましくは１：０．６〜１：６）を、（Ｂ）硬化剤としてフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤からなる群から選択される１種以上（好ましくはフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤及び活性エステル系硬化剤からなる群から選択される１種以上）を、それぞれ含むことが好ましい。

樹脂組成物中の硬化剤の含有量は特に限定されないが、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下、さらにより好ましくは１８質量％以下である。また、下限は特に制限はないが３質量％以上が好ましい。

＜（Ｃ）無機充填材＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｃ）無機充填材（以下、（Ｃ）成分ともいう）を含有し、（Ｃ）成分は、下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の表面処理剤で表面処理されている。
Ｘ−Ｙ−Ｓｉ（ＯＲ^１）_３ ・・・（１）
（一般式（１）中、Ｘは、ビニル基、エポキシ基、グリシジルエーテル基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、アミノ基、Ａｒ−（ＮＲ）_ｎ−（ＣＨ_２）_ｍ−、Ａｒ−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−、又はＮＨ_２−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−を表し、Ａｒは置換基を有していてもよいフェニル基を表し、Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、ｍは０〜６の整数を表し、ｎは０又は１の整数を表し、Ｙは、置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルキレン基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルケニレン基を表し、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^１は同一であってもよく、異なっていてもよい。）
（Ｒ^２Ｏ）_３Ｓｉ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ^３）_３ ・・・（２）
（Ｚは、置換基を有していてもよいアルキレン基、−ＮＲ−、酸素原子、硫黄原子、又はこれらの２以上の組み合わせからなる基を表し、Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^２及びＲ^３は同一であってもよく、異なっていてもよい。）

本発明における（Ｃ）成分は、一般式（１）で表される化合物、及び一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の表面処理剤で表面処理されている。本発明者らの鋭意研究の結果、一般式（１）で表される化合物のように、ケイ素原子と官能基部位（一般式（１）中のＸ）とを結合する２価の基（一般式（１）中のＹ）の主鎖が長鎖である化合物で無機充填材を表面処理すると、樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層のリフロー時の反り量（リフロー挙動最大変異）を小さくすることができることを見出した。また、上記化合物で無機充填材を表面処理することで、最低溶融粘度が低くなり、良好な回路埋め込み性を得ることを見出した。また、本発明者らは、一般式（２）で表される化合物のように両末端にケイ素原子を有する化合物でそれぞれのケイ素原子と結合する２価の基（一般式（２）中のＺ）の主鎖が長鎖である化合物で無機充填材を表面処理しても同様の効果が得られることを見出した。

本明細書では、特に断りがない限り、（Ｃ）成分は表面処理剤で表面処理されている無機充填材を表すものとする。

無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

無機充填材の平均粒径は特に限定されないが、表面粗さの小さい絶縁層を得る観点や微細配線形成性向上の観点から、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下、又は１μｍ以下である。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．１μｍ以上、さらに好ましくは０．３μｍ以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、（株）アドマテックス製「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」、電気化学工業（株）製「ＵＦＰ−３０」、（株）トクヤマ製「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」、（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」等が挙げられる。

無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。

表面処理剤としては、一般式（１）で表される化合物、又は一般式（２）で表される化合物を単独で使用してもよく、一般式（１）で表される化合物、及び一般式（２）で表される化合物を組み合わせて使用してもよい。

一般式（１）で表される化合物は以下の構造を有する。
Ｘ−Ｙ−Ｓｉ（ＯＲ^１）_３ ・・・（１）
（一般式（１）中、Ｘは、ビニル基、エポキシ基、グリシジルエーテル基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、アミノ基、Ａｒ−（ＮＲ）_ｎ−（ＣＨ_２）_ｍ−、Ａｒ−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−、又はＮＨ_２−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−を表し、Ａｒは置換基を有していてもよいフェニル基を表し、Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、ｍは０〜６の整数を表し、ｎは０又は１の整数を表し、Ｙは、置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルキレン基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルケニレン基を表し、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^１は同一であってもよく、異なっていてもよい。）

Ｘは、ビニル基、エポキシ基、グリシジルエーテル基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、アミノ基、Ａｒ−（ＮＲ）_ｎ−（ＣＨ_２）_ｍ−、Ａｒ−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−、又はＮＨ_２−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−を表す。

Ａｒは、置換基を有していてもよいフェニル基を表す。該フェニル基が有していてもよい置換基については後述する。
ｍは０〜６の整数を表し、１〜４の整数が好ましく、１〜３の整数がより好ましい。ｎは０又は１の整数を表し、１が好ましい。

Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表す。炭素原子数１〜３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。Ｒは、水素原子が好ましい。

Ａｒ−（ＮＲ）_ｎ−（ＣＨ_２）_ｍ−、Ａｒ−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−、又はＮＨ_２−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−としては、例えば、アミノエチレンアミノ基、ベンジルアミノ基、フェニルアミノ基等が挙げられる。

これらの中でも、Ｘとしては、ビニル基、エポキシ基、グリシジルエーテル基、メタクリロイルオキシ基、アミノエチレンアミノ基、フェニルアミノ基が好ましく、エポキシ基、グリシジルエーテル基、メタクリロイルオキシ基、アミノエチレンアミノ基、フェニルアミノ基がより好ましい。

Ｙは、置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルキレン基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルケニレン基を表す。該アルキレン基及び該アルケニレン基の炭素原子数は、４以上であり、好ましくは５以上、より好ましくは６以上、さらに好ましくは７以上である。上限については特に限定されないが、好ましくは２０以下、より好ましくは１５以下、さらに好ましくは１０以下である。炭素原子数が４未満であると、ケイ素原子と官能基部位との間の結合距離が短く、樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層の反り量がリフロー時に大きくなるとともに、最低溶融粘度が高くなり、回路埋め込み性が劣ってしまう。

置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルキレン基は直鎖状、又は分岐状のいずれであってもよい。置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルキレン基としては、例えば、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン基等が挙げられ、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基が好ましく、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基がより好ましく、オクチレン基がさらに好ましい。

置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルケニレン基は直鎖状、又は分岐状のいずれであってもよい。置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルケニレン基としては、例えば、１−ブテニレン基、１−ペンテニレン基、１−ヘキセニレン基、１−ヘプテニレン基、１−オクテニレン基等が挙げられる。これらの中でも、１−ブテニレン基、１−ペンテニレン基、１−ヘキセニレン基、１−ヘプチニレン基、１−オクチニレン基が好ましく、１−ペンテニレン基がより好ましい。

Ａｒが表すフェニル基、Ｙが表す炭素原子数４以上のアルキレン基及び炭素原子数４以上のアルケニレン基は置換基を有していてもよい。置換基としては、特に制限はなく、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基、アルキリデン基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシ基、スルホ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、オキソ基等が挙げられる。また、置換基は複数有していてもよく、複数の置換基は互いに結合して環を形成していてもよい。

置換基として用いられるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

置換基として用いられるアルキル基は、直鎖状、又は分岐状のいずれであってもよい。該アルキル基の炭素原子数は、好ましくは１〜１２、より好ましくは１〜６、より好ましくは１〜３である。該アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、及びデシル基が挙げられる。

置換基として用いられるシクロアルキル基の炭素原子数は、好ましくは３〜１２、より好ましくは３〜６である。該シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等が挙げられる。

置換基として用いられるアルケニル基の炭素原子数は、好ましくは２〜１２、より好ましくは２〜６である。該アルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基（アリル基）、１−ブテニル基、１−ヘキセニル基等が挙げられる。置換基としてのアルケニル基が複数有する場合、複数のアルケニル基は互いに結合して環を形成してもよい。例えば、炭素原子数４以上のアルケニレン基のエチレン部位に置換基として２つのビニル基を含む場合、ビニル基が互いに結合し、１，２−フェニレン基を形成してもよい。

置換基として用いられるアルコキシ基は、直鎖状又は分岐状のいずれであってもよい。該アルコキシ基の炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１２、さらに好ましくは１〜６である。該アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、及びデシルオキシ基が挙げられる。

置換基として用いられるシクロアルキルオキシ基の炭素原子数は、好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１２、さらに好ましくは３〜６である。該シクロアルキルオキシ基としては、例えば、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、及びシクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

置換基として用いられるアリール基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を１個除いた基である。置換基として用いられるアリール基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。該アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントラセニル基が挙げられる。

置換基として用いられるアリールオキシ基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、及び２−ナフチルオキシ基が挙げられる。

置換基として用いられるアリールアルキル基の炭素原子数は、好ましくは７〜２５、より好ましくは７〜１９、さらに好ましくは７〜１５、さらにより好ましくは７〜１１である。該アリールアルキル基としては、例えば、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、及びアントラセニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基が挙げられる。

置換基として用いられるアリールアルコキシ基の炭素原子数は、好ましくは７〜２５、より好ましくは７〜１９、さらに好ましくは７〜１５、さらにより好ましくは７〜１１である。該アリールアルコキシ基としては、例えば、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、及びナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基が挙げられる。

置換基として用いられる１価の複素環基とは、複素環式化合物の複素環から水素原子１個を除いた基をいう。該１価の複素環基の炭素原子数は、好ましくは３〜２１、より好ましくは３〜１５、さらに好ましくは３〜９である。該１価の複素環基には、１価の芳香族複素環基（ヘテロアリール基）も含まれる。該１価の複素環としては、例えば、チエニル基、ピロリル基、フラニル基、フリル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、及びイソキノリル基が挙げられる。

置換基として用いられるアルキリデン基とは、アルカンの同一の炭素原子から水素原子を２個除いた基をいう。該アルキリデン基の炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１４、さらに好ましくは１〜１２、さらにより好ましくは１〜６、特に好ましくは１〜３である。該アルキリデン基としては、例えば、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、イソプロピリデン基、ブチリデン基、ｓ−ブチリデン基、イソブチリデン基、ｔ−ブチリデン基、ペンチリデン基、ヘキシリデン基、ヘプチリデン基、オクチリデン基、ノニリデン基、及びデシリデン基が挙げられる。

置換基として用いられるアシル基は、式：−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^４で表される基（式中、Ｒ^４はアルキル基又はアリール基）をいう。Ｒ^４で表されるアルキル基は直鎖状又は分岐状のいずれであってもよい。Ｒで表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントラセニル基が挙げられる。該アシル基の炭素原子数は、好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１３、さらに好ましくは２〜７である。該アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、及びベンゾイル基が挙げられる。

置換基として用いられるアシルオキシ基は、式：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^５で表される基（式中、Ｒ^５はアルキル基又はアリール基）をいう。Ｒで表されるアルキル基は直鎖状又は分岐状のいずれであってもよい。Ｒ^５で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントラセニル基が挙げられる。該アシルオキシ基の炭素原子数は、好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１３、さらに好ましくは２〜７である。該アシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、及びベンゾイルオキシ基が挙げられる。

上述の置換基は、さらに置換基（以下、「二次置換基」という場合がある。）を有していてもよい。二次置換基としては、特に記載のない限り、上述の置換基と同じものを用いてよい。

Ｒ^１は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^１は同一であってもよく、異なっていてもよい。置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基は、直鎖状、又は分岐状のいずれであってもよい。炭素原子数１〜６のアルキル基としては、炭素原子数１〜４のアルキル基が好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基がより好ましい。炭素原子数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基がより好ましく、メチル基、エチル基がさらに好ましい。

Ｒ^１が表す、炭素原子数１〜６のアルキル基は置換基を有していてもよい。置換基としては、Ｙが表す炭素原子数４以上のアルキレン基が有していてもよい置換基と同様であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（１）で表される化合物の具体例としては、８−グリシドキシオクチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−８−アミノオクチルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−８−アミノオクチル−トリメトキシシラン、３−（２−グリシジルフェニル）プロピルトリメトキシシラン、６−ビニルヘキシルトリメトキシシラン、８−メタクリロイルオキシオクチルトリメトキシシラン等を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（２）で表される化合物は以下の構造を有する。
（Ｒ^２Ｏ）_３Ｓｉ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ^３）_３ ・・・（２）
（Ｚは、置換基を有していてもよいアルキレン基、−ＮＲ−、酸素原子、硫黄原子、又はこれらの２以上の組み合わせからなる基を表し、Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^２及びＲ^３は同一であってもよく、異なっていてもよい。）

Ｚは、置換基を有していてもよいアルキレン基、−ＮＲ−、酸素原子、硫黄原子、又はこれらの２以上の組み合わせからなる基を表し、Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表す。Ｚの主鎖は長鎖であることが好ましく、主鎖を構成する原子数（両末端のケイ素原子間の主鎖の原子数）は、好ましくは４以上、より好ましくは５以上、さらに好ましくは６以上である。上限については特に限定されないが、好ましくは２０以下、より好ましくは１５以下、さらに好ましくは１０以下、又は９以下である。主鎖を構成する原子数が４未満であると、樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層の反り量がリフロー時に大きくなるとともに、最低溶融粘度が高くなり、回路埋め込み性が劣ってしまう場合がある。Ｚの主鎖を構成する原子とは、アルキレン基の主鎖の炭素原子、−ＮＲ−の窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子を示す。

Ｚが、置換基を有していてもよいアルキレン基を表す場合、置換基を有していてもよいアルキレン基の炭素原子数としては、好ましくは４以上、より好ましくは５以上、さらに好ましくは６以上である。上限については特に限定されないが、好ましくは２０以下、より好ましくは１５以下、さらに好ましくは１０以下、又は９以下である。該アルキレン基の具体例及び好ましい範囲等は、一般式（１）のＹが表す炭素原子数４以上のアルキレン基と同様である。

Ｚが、上記２以上の組み合わせからなる基を表す場合、２以上の組み合わせからなる基を構成するアルキレン基の炭素原子数としては、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６、さらに好ましくは１〜３である。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などが挙げられ、メチレン基、エチレン基、プロピレン基が好ましく、エチレン基、プロピレン基が好ましい。置換基を有していてもよいアルキレン基は、直鎖状、又は分岐状のいずれであってもよい。

上記２以上の組み合わせからなる基としては、置換基を有していてもよいアルキレン基と−ＮＲ−が結合したもの、複数の置換基を有していてもよいアルキレン基と複数の−ＮＲ−が交互に結合したもの、置換基を有していてもよいアルキレン基と酸素原子が結合したもの、置換基を有していてもよいアルキレン基と硫黄原子が結合したもの等が挙げられ、置換基を有していてもよいアルキレン基と−ＮＲ−が結合したもの、複数の置換基を有していてもよいアルキレン基と複数の−ＮＲ−が交互に結合したもの、即ち置換基を有していてもよいアルキレン基と−ＮＲ−との組み合わせからなる基が好ましい。上記２以上の組み合わせからなる基の具体例としては以下の基を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＊は結合手を表す。

Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表す。Ｒは、一般式（１）のＲと同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^２及びＲ^３は同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ^２及びＲ^３は、一般式（１）のＲ^１と同義であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（２）で表される化合物の具体例としては、ビストリメトキシシリルヘキサン、ビストリメトキシシリルオクタン、ビス（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン等を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１）で表される化合物、及び一般式（２）で表される化合物は、市販品を用いてもよく、公知の合成方法を用いて合成してもよい。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の分散性向上の観点から、（Ｃ）成分１００質量部に対して、０．２質量部〜２質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、０．２質量部〜１質量部で表面処理されていることが好ましく、０．３質量部〜０．８質量部で表面処理されていることが好ましい。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０５ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やシート形態での溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下が更に好ましい。

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、（株）堀場製作所製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。

無機充填材は、一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される表面処理剤に加えて、さらに他の表面処理剤で表面処理されていてもよい。他の表面処理剤としては、例えば、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。このような他の表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）等が挙げられる。

樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、熱膨張率の低い絶縁層を得る観点から、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上である。樹脂組成物中の無機充填材の含有量の上限は、絶縁層の機械強度の観点から、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８５質量％以下、８０質量％以下、又は７５質量％以下である。

＜（Ｄ）熱可塑性樹脂＞
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｃ）成分の他に（Ｄ）熱可塑性樹脂（以下、（Ｄ）成分ともいう）を含有することが好ましい。

熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられ、フェノキシ樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として（株）島津製作所製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学（株）製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製の「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。

ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、例えば、電気化学工業（株）製の「電化ブチラール４０００−２」、「電化ブチラール５０００−Ａ」、「電化ブチラール６０００−Ｃ」、「電化ブチラール６０００−ＥＰ」、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のポリイミド）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のポリイミド）等の変性ポリイミドが挙げられる。

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業（株）製の「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」（ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド）等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。

中でも、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましい。したがって好適な一実施形態において、（Ｄ）成分は、フェノキシ樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される１種以上を含む。

樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは０．１質量％〜２０質量％、より好ましくは０．５質量％〜１０質量％、さらに好ましくは１質量％〜５質量％である。

＜（Ｅ）硬化促進剤＞
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｃ）成分の他に（Ｅ）硬化促進剤（以下、（Ｅ）成分ともいう）を含有することが好ましい。

硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学（株）製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。

樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は特に限定されないが、エポキシ樹脂と硬化剤の不揮発成分合計量を１００質量％としたとき、０．０５質量％〜３質量％の範囲で使用することが好ましい。

＜（Ｆ）難燃剤＞
本発明の樹脂組成物は、難燃剤（以下、（Ｆ）成分ともいう）を含んでもよい。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光（株）製の「ＨＣＡ−ＨＱ」等が挙げられる。

樹脂組成物中の難燃剤の含有量は特に限定されないが、好ましくは０．５質量％〜２０質量％、より好ましくは０．５質量％〜１５質量％、さらに好ましくは０．５質量％〜１０質量％がさらに好ましい。

＜（Ｇ）有機充填材＞
樹脂組成物は、伸びを向上させる観点から、さらに有機充填材（以下、（Ｇ）成分ともいう）を含んでもよい。（Ｇ）成分としては、プリント配線板の絶縁層を形成するに際し使用し得る任意の有機充填材を使用してよく、例えば、ゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子等が挙げられる。

ゴム粒子としては、市販品を用いてもよく、例えば、ダウ・ケミカル日本（株）製の「ＥＸＬ−２６５５」、ガンツ化成（株）製の「ＡＣ３８１６Ｎ」等が挙げられる。

樹脂組成物中の（Ｇ）成分の含有量は、好ましくは０．１質量％〜２０質量％、より好ましくは０．２質量％〜１０質量％、さらに好ましくは０．３質量％〜５質量％、又は０．５質量％〜３質量％である。

樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、アクリレート樹脂（例えばダイセル・オルネクス（株）製の（ＡＣＡ）Ｚ２５１、共栄社化学（株）製のライトアクリレートＤＣＰ−Ａ等）、フォスフィンオキサイド化合物（例えばＢＡＳＦジャパン（株）製のＩ８１９等）、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、並びに着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。

本発明の樹脂組成物は、良好なリフロー挙動を示す絶縁層をもたらす。したがって本発明の樹脂組成物は、プリント配線板の絶縁層を形成するための樹脂組成物（プリント配線板の絶縁層用樹脂組成物）として好適に使用することができ、プリント配線板の層間絶縁層を形成するための樹脂組成物（プリント配線板の層間絶縁層用樹脂組成物）としてより好適に使用することができる。

［シート状積層材料］
本発明の樹脂組成物は、ワニス状態で塗布して使用することもできるが、工業的には一般に、該樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含むシート状積層材料の形態で用いることが好適である。

シート状積層材料としては、以下に示す接着フィルム、プリプレグが好ましい。

一実施形態において、接着フィルムは、支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層（接着層）とを含んでなり、樹脂組成物層（接着層）が本発明の樹脂組成物から形成される。

樹脂組成物層の厚さは、プリント配線板の薄型化の観点から、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは５０μｍ以下又は４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上等とし得る。

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ（株）製「ルミラーＴ６ＡＭ」等が挙げられる。

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

接着フィルムは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

接着フィルムにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。接着フィルムは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。接着フィルムが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

一実施形態において、プリプレグは、シート状繊維基材に本発明の樹脂組成物を含浸させて形成される。

プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。プリント配線板の薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは４０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、さらにより好ましくは２０μｍ以下である。シート状繊維基材の厚さの下限は特に限定されないが、通常、１０μｍ以上である。

プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。

プリプレグの厚さは、上述の接着フィルムにおける樹脂組成物層と同様の範囲とし得る。

シート状積層材料における樹脂組成物層の最低溶融粘度は、良好な回路埋め込み性を得る観点から、６０００ｐｏｉｓｅ（６００Ｐａ・ｓ）以下が好ましく、５０００ｐｏｉｓｅ（５００Ｐａ・ｓ）以下がより好ましく、４０００ｐｏｉｓｅ（４００Ｐａ・ｓ）以下、３５００ｐｏｉｓｅ（３５０Ｐａ・ｓ）以下、又は３０００ｐｏｉｓｅ（３００Ｐａ・ｓ）以下がさらに好ましい。該最低溶融粘度の下限は、１００ｐｏｉｓｅ（１０Ｐａ・ｓ）以上が好ましく、２００ｐｏｉｓｅ（２０Ｐａ・ｓ）以上がより好ましく、２５０ｐｏｉｓｅ（２５Ｐａ・ｓ）以上がさらに好ましい。

樹脂組成物層の最低溶融粘度とは、樹脂組成物層の樹脂が溶融した際に樹脂組成物層が呈する最低の粘度をいう。詳細には、一定の昇温速度で樹脂組成物層を加熱して樹脂を溶融させると、初期の段階は溶融粘度が温度上昇とともに低下し、その後、ある程度を超えると温度上昇とともに溶融粘度が上昇する。最低溶融粘度とは、斯かる極小点の溶融粘度をいう。樹脂組成物層の最低溶融粘度は、動的粘弾性法により測定することができ、例えば、後述する＜最低溶融粘度の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。

［プリント配線板］
本発明のプリント配線板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含むことを特徴とする。

例えば、本発明のプリント配線板は、上述の接着フィルムを用いて、下記（Ｉ）及び（ＩＩ）の工程を含む方法により製造することができる。
（Ｉ）内層基板上に、接着フィルムを、該接着フィルムの樹脂組成物層が内層基板と接合するように積層する工程
（ＩＩ）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程

工程（Ｉ）で用いる「内層基板」とは、主として、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板、又は該基板の片面又は両面にパターン加工された導体層（回路）が形成された回路基板をいう。またプリント配線板を製造する際に、さらに絶縁層及び／又は導体層が形成されるべき中間製造物の内層回路基板も本発明でいう「内層基板」に含まれる。プリント配線板が部品内蔵回路板である場合、部品を内蔵した内層基板を使用すればよい。

内層基板と接着フィルムの積層は、例えば、支持体側から接着フィルムを内層基板に加熱圧着することにより行うことができる。接着フィルムを内層基板に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を接着フィルムに直接プレスするのではなく、内層基板の表面凹凸に接着フィルムが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。

内層基板と接着フィルムの積層は、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。

積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製のバキュームアップリケーター等が挙げられる。

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された接着フィルムの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

支持体は、工程（Ｉ）と工程（ＩＩ）の間に除去してもよく、工程（ＩＩ）の後に除去してもよい。

工程（ＩＩ）において、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。

樹脂組成物層の熱硬化条件は特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を使用してよい。

例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２２０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜２００℃の範囲）、硬化時間は５分間〜１２０分間の範囲（好ましくは１０分間〜１００分間、より好ましくは１５分間〜９０分間）とすることができる。

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）予備加熱してもよい。

プリント配線板を製造するに際しては、（ＩＩＩ）絶縁層に穴あけする工程、（ＩＶ）絶縁層を粗化処理する工程、（Ｖ)導体層を形成する工程をさらに実施してもよい。これらの工程（ＩＩＩ）乃至（Ｖ）は、プリント配線板の製造に用いられる、当業者に公知の各種方法に従って実施してよい。なお、支持体を工程（ＩＩ）の後に除去する場合、該支持体の除去は、工程（ＩＩ）と工程（ＩＩＩ）との間、工程（ＩＩＩ）と工程（ＩＶ）の間、又は工程（ＩＶ）と工程（Ｖ）との間に実施してよい。

工程（ＩＩＩ）は、絶縁層に穴あけする工程であり、これにより絶縁層にビアホール、スルーホール等のホールを形成することができる。工程（ＩＩＩ）は、絶縁層の形成に使用した樹脂組成物の組成等に応じて、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を使用して実施してよい。ホールの寸法や形状は、プリント配線板のデザインに応じて適宜決定してよい。

工程（ＩＶ）は、絶縁層を粗化処理する工程である。粗化処理の手順、条件は特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施して絶縁層を粗化処理することができる。膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０℃〜９０℃の膨潤液に絶縁層を１分間〜２０分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃〜８０℃の膨潤液に硬化体を５分間〜１５分間浸漬させることが好ましい。酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層を１０分間〜３０分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％〜１０質量％が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」が挙げられる。中和液による処理は、酸化剤による粗化処理がなされた処理面を３０℃〜８０℃の中和液に５分間〜３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤による粗化処理がなされた対象物を、４０℃〜７０℃の中和液に５分間〜２０分間浸漬する方法が好ましい。

一実施形態において、粗化処理後の絶縁層表面の算術平均粗さＲａは、好ましくは４００ｎｍ以下、より好ましくは３５０ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下、２５０ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、又は１００ｎｍ以下である。絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ社製の「ＷＹＫＯ ＮＴ３３００」が挙げられる。

工程（Ｖ）は、導体層を形成する工程である。

導体層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。導体層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成された層が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。

導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。

導体層の厚さは、所望のプリント配線板のデザインによるが、一般に３μｍ〜３５μｍ、好ましくは５μｍ〜３０μｍである。

一実施形態において、導体層は、めっきにより形成してよい。例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。以下、導体層をセミアディティブ法により形成する例を示す。

まず、絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより金属層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。

本発明の樹脂組成物を使用して形成された絶縁層は、良好なリフロー挙動を示す。一実施形態において、絶縁層のリフロー挙動最大変異（反り量）は、好ましくは３５０μｍ以下、より好ましくは３３０μｍ以下、さらに好ましくは３２０μｍ以下、３１０μｍ以下、又は３００μｍ以下である。リフロー挙動最大変異の下限値は特に限定されないが、０．５μｍ以上、１μｍ以上等とし得る。絶縁層のリフロー挙動最大変異は、例えば、後述する＜リフロー挙動最大変異の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。

本発明のプリント配線板における絶縁層は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成されたので、プリント配線板が薄型であっても良好なリフロー挙動を示す。本発明のプリント配線板の厚みは、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下である。下限については特に限定されないが、５μｍ以上である。

他の実施形態において、本発明のプリント配線板は、上述のプリプレグを用いて製造することができる。製造方法は基本的に接着フィルムを用いる場合と同様である。

［半導体装置］
本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板を含むことを特徴とする。本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板を用いて製造することができる。

半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。

本発明の半導体装置は、プリント配線板の導通箇所に、部品（半導体チップ）を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。

本発明の半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されないが、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）による実装方法、非導電性フィルム（ＮＣＦ）による実装方法、等が挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法」とは、「半導体チップをプリント配線板の凹部に直接埋め込み、半導体チップとプリント配線板上の配線とを接続させる実装方法」のことである。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。また、構造式中のＭｅはメチル基を表す。

まずは各種測定方法・評価方法について説明する。

［リフロー挙動最大変異の測定］
（１）測定用基板サンプルの調整
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ３μｍ、基板厚み０．１ｍｍ、日立化成（株）製、ＭＣＬ−Ｅ−７７０Ｇ）の片面に実施例及び比較例で作製した接着フィルム（フィルム厚み４０μｍ）を、バッチ式真空加圧ラミネーター（（株）名機製作所製、製品名ＭＬＶＰ−５００）を用いて、内層回路基板の両面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａで圧着することにより行った。

（２）サンプルの硬化
実施例及び比較例で作製した接着フィルムを片面に圧着したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板を、治具により四辺を固定してオーブンで２００℃にて９０分間硬化させて取り出した。

（３）リフロー挙動最大変異（μｍ）の測定
測定用に調整したサンプルを２ｃｍ角に切り出し、内中心の１．０ｃｍ角を測定範囲として、反り測定分析システム（ＡＫＲＯＭＥＴＲＩＸ社製、サーモレイＡＸＰ）を用いてリフロー挙動最大変異の測定を行った。昇温速度は０．６７℃／秒で３０℃から２６０℃まで昇温させた後に、放熱して３０℃まで戻す過程を２回行い、２回目の測定中におけるサンプルの反り挙動の最大値と最小値の差を算出し、リフロー挙動最大変異（μｍ）として示した。

［最低溶融粘度の測定］
実施例及び比較例で作製した接着フィルムの熱硬化性樹脂組成物層を動的粘弾性測定装置（（株）ユー・ビー・エム製「Ｒｈｅｏｓｏｌ−Ｇ３０００」）を用いて、動的粘弾性を測定した。測定は開始温度６０℃から昇温速度５℃／分で測定間隔温度２．５℃、振動数１Ｈｚ／ｄｅｇで測定した。

［単位表面積当たりのカーボン量の算出］
下記の各無機充填材の３ｇをそれぞれ試料として用いた。試料と３０ｇのＭＥＫ（メチルエチルケトン）とを遠心分離機の遠心管に入れ、撹拌し固形分を懸濁させて、５００Ｗの超音波を５分間照射した。その後、遠心分離により固液分離し、上澄液２０ｇを除去した。さらに、２０ｇのＭＥＫを足し、撹拌して固形分を懸濁させて、５００Ｗの超音波を５分間照射した。その後、遠心分離により固液分離し、上澄液２６ｇを除去した。残りの懸濁液を１６０℃にて３０分間乾燥させた。この乾燥試料０．３ｇを測定用坩堝に正確に量りとり、さらに測定用坩堝に助燃剤（タングステン３．０ｇ及びスズ０．３ｇ）を入れた。測定用坩堝をカーボン分析計（（株）堀場製作所製「ＥＭＩＡ−３２１Ｖ２」）にセットし、カーボン量を測定した。カーボン量の測定値を、使用した無機充填剤の比表面積で除すことにより、単位表面積当たりのカーボン量を算出した。

＜使用した無機充填材＞
無機充填材１：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、下記構造式で示される８−グリシドキシオクチルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、分子量３０６．２）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．３３ｍｇ／ｍ^２であった。

無機充填材２：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、下記構造式で示されるＮ−２−（アミノエチル）−８−アミノオクチルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、分子量２９１．２）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．２７ｍｇ／ｍ^２であった。

無機充填材３：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、下記構造式で示されるビストリメトキシシリルヘキサン（信越化学工業（株）製、分子量３２６．２）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．２８ｍｇ／ｍ^２であった。

無機充填材４：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、下記構造式で示されるビストリメトキシシリルオクタン（信越化学工業（株）製、分子量３５４．２）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．２８ｍｇ／ｍ^２であった。

無機充填材５：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、下記構造式で示されるビス（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン（信越化学工業（株）製、分子量３８４．２）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．２８ｍｇ／ｍ^２であった。

無機充填材６：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、下記構造式で示されるＮ−フェニル−８−アミノオクチル−トリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、分子量３２５．２）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．３３ｍｇ／ｍ^２であった。

無機充填材７：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、下記構造式で示される３−（２−グリシジルフェニル）プロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、分子量３１２．１）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．２８ｍｇ／ｍ^２であった。

無機充填材８：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、下記構造式で示される８−メタクリロキシオクチルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、分子量３１８．２）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．２８ｍｇ／ｍ^２であった。

無機充填材９：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ４０３」、分子量２３６．３）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．２１ｍｇ／ｍ^２であった。

無機充填材１０：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ６０３」、分子量２２２．４）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．２２ｍｇ／ｍ^２であった。

無機充填材１１：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピル−トリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ５７３」、分子量２５５．４）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．２４ｍｇ／ｍ^２であった。

無機充填材１２：球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ５０３」、分子量２４８．４）０．６部で表面処理したもの。単位面積当たりのカーボン量は０．２２ｍｇ／ｍ^２であった。

［実施例１］
ビキシレノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９０、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」）１４部、液状ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量約１６５、新日鉄住金化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）１２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６９、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」）１５部をソルベントナフサ３０部に撹拌しながら加熱溶解させ、その後室温にまで冷却した。その混合溶液に、ゴム粒子（ガンツ化成（株）製、ＡＣ３８１６Ｎ）０．５部をソルベントナフサ６部に１２時間、２０℃で静置膨潤したもの、無機充填材１を１５０部混合し、さらに難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１μｍ）２部を添加し、３本ロールで混練し分散させた。そこへ、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の不揮発分６５質量％のトルエン溶液）１４部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ３０１８−５０Ｐ」水酸基当量約１５１）の固形分５０％の２−メトキシプロパノール溶液１０部、フェノキシ樹脂（重量平均分子量３５０００、三菱化学（株）製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」不揮発分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）１５部、硬化促進剤として４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）の５質量％のＭＥＫ溶液２部を混合し、回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスをアルキド系離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ−５」、厚さ３８μｍ）の離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが４０μｍとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、８０〜１１０℃（平均９５℃）で５分間乾燥し、接着フィルムを得た。

［実施例２］
実施例１において、無機充填材１を無機充填材２に変更した以外は実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを得た。

［実施例３］
実施例１において、無機充填材１を無機充填材３に変更した以外は実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを得た。

［実施例４］
実施例１において、無機充填材１を無機充填材４に変更した以外は実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを得た。

［実施例５］
実施例１において、無機充填材１を無機充填材５に変更した以外は実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを得た。

［実施例６］
実施例１において、無機充填材１を無機充填材６に変更した以外は実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを得た。

［実施例７］
実施例１において、無機充填材１を無機充填材７に変更した以外は実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを得た。

［実施例８］
ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」）１０部、液状ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）１０部、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＥＳＮ−４７５Ｖ」）２０部、フェノキシ樹脂（重量平均分子量３５０００、三菱化学（株）製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、不揮発成分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）１５部をソルベントナフサ５０部に撹拌しながら加熱溶解させ、その後室温にまで冷却した。次いで、活性エステル化合物（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」、活性エステル当量２２３、固形分６５％のトルエン溶液）１２部、ビスフェノールＡジシアネートのプレポリマー（ロンザジャパン（株）製「ＢＡ２３０Ｓ７５」、シアネート当量約２３２、不揮発分７５質量％のＭＥＫ溶液）１２部、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０Ｓ」、シアネート当量約１３３、不揮発分８５質量％のＭＥＫ溶液）６部、ゴム粒子（ガンツ化成（株）製、スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ）０．５部をソルベントナフサ５部に室温で１２時間膨潤させておいたもの、無機充填剤７を１５０部、難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１μｍ）２部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）２部を加え、回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次いで、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

［実施例９］
酸基含有アクリレート樹脂（ダイセル・オルネクス（株）製「（ＡＣＡ）Ｚ２５１」重量平均分子量１４０００、樹脂酸価６６ｍｇＫＯＨ／ｇ、固形分４５質量％のジプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液）３６部、液状１，４−グリシジルシクロヘキサン（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１６５８ＧＳ」）３部、液状ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７７６０」）６部、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート（共栄社化学（株）製「ライトアクリレートＤＣＰ−Ａ」）５部をソルベントナフサ１６部に撹拌しながら加熱溶解させ、その後室温にまで冷却した。次いで、無機充填材８を８０部、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦジャパン（株）製「Ｉ８１９」、固形分１５％のＭＥＫ溶液）５部を加え、回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次いで、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

［比較例１］
実施例１において、無機充填材１を無機充填材９に変更した以外は実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを得た。

［比較例２］
実施例１において、無機充填材１を無機充填材１０に変更した以外は実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを得た。

［比較例３］
実施例１において、無機充填材１を無機充填材１１に変更した以外は実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを得た。

［比較例４］
実施例８において、無機充填材６を無機充填材１１に変更した以外は実施例８と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを得た。

［比較例５］
実施例９において、無機充填材８を無機充填材１２に変更した以外は実施例９と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを得た。

Claims (18)

1. （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材を含有する樹脂組成物であって、
   （Ｃ）無機充填材が、下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の表面処理剤で表面処理されている樹脂組成物。
   Ｘ−Ｙ−Ｓｉ（ＯＲ^１）_３ ・・・（１）
   （一般式（１）中、Ｘは、ビニル基、エポキシ基、グリシジルエーテル基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、アミノ基、Ａｒ−（ＮＲ）_ｎ−（ＣＨ_２）_ｍ−、Ａｒ−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−、又はＮＨ_２−（ＣＨ_２）_ｍ−（ＮＲ）_ｎ−を表し、Ａｒは置換基を有していてもよいフェニル基を表し、Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、ｍは０〜６の整数を表し、ｎは０又は１の整数を表し、Ｙは、置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルキレン基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数４以上のアルケニレン基を表し、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^１は同一であってもよく、異なっていてもよい。）
   （Ｒ^２Ｏ）_３Ｓｉ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ^３）_３ ・・・（２）
   （Ｚは、置換基を有していてもよいアルキレン基、−ＮＲ−、酸素原子、硫黄原子、又はこれらの２以上の組み合わせからなる基を表し、Ｒは、水素原子、又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、複数のＲ^２及びＲ^３は同一であってもよく、異なっていてもよい。）
2. 一般式（１）中のＹが、置換基を有していてもよい炭素原子数６以上のアルキレン基を表す、請求項１に記載の樹脂組成物。
3. 一般式（２）中のＺが、置換基を有していてもよい炭素原子数６以上のアルキレン基、又は置換基を有していてもよいアルキレン基と−ＮＲ−との組み合わせからなる基を表す、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
4. 一般式（１）中のＲ^１、一般式（２）中のＲ^２及びＲ^３が、メチル基又はエチル基を表す、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
5. 一般式（１）で表される化合物が８−グリシドキシオクチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−８−アミノオクチルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−８−アミノオクチル−トリメトキシシラン、３−（２−グリシジルフェニル）プロピルトリメトキシシラン、６−ビニルヘキシルトリメトキシシラン、及び８−メタクリロイルオキシオクチルトリメトキシシランのいずれかであり、一般式（２）で表される化合物がビストリメトキシシリルヘキサン、ビストリメトキシシリルオクタン、及びビス（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミンのいずれかである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
6. （Ｃ）成分の平均粒径が、０．０１μｍ〜５μｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
7. （Ｃ）成分が、シリカである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
8. （Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、５０質量％以上である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
9. （Ｃ）成分は、（Ｃ）成分１００質量部に対して０．２質量部〜２質量部の表面処理剤で表面処理されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
10. （Ｃ）成分の単位表面積当たりのカーボン量が、０．０５ｍｇ／ｍ^２〜１ｍｇ／ｍ^２である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
11. （Ａ）成分が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂から選択される１種以上である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
12. （Ｂ）成分が、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
13. プリント配線板の絶縁層形成用である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
14. プリント配線板のビルドアップ層形成用である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
15. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む、シート状積層材料。
16. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
17. 絶縁層の反り量が３５０μｍ以下である、請求項１６に記載のプリント配線板。
18. 請求項１６又は１７に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。