JP2017013224A - ケミカルメカニカル研磨パッドのための研磨層の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ケミカルメカニカル研磨層を形成するための様々な従来法、たとえば流込み成形法(すなわち、複数の研磨層へと薄くはがれるケーキを形成する)及び発泡法は、処理を促進するために十分に長いゲル化時間を要する。発泡法及び流込み成形法は、形成された研磨層の表面に最終的な溝パターンを機械加工することを要する。本発明の方法は、研磨層の研磨面に形成される溝パターンの質を大きく改善し、多くの従来の研磨層製造法によって求められるような、完成した研磨層に溝パターンを機械加工する必要性を除く。本発明の方法はまた、従来技術に固有の制約(すなわちゲル化時間の制約)を考慮すると、従来の研磨層製造法に適当であろう組成範囲よりも広い組成範囲を可能にする。
高分子量ポリエーテルポリオール(The Dow Chemical Companyから市販されているVoralux(登録商標)HF505ポリオール)77.62重量%、モノエチレングリコール21.0重量%、シリコーン界面活性剤(Evonikから市販されているTegostab(登録商標)B8418界面活性剤)1.23重量%、スズ触媒(Momentiveから市販されているFomrez(登録商標)UL-28)0.05重量%及び第三級アミン触媒(Air Products, Inc.から市販されているDabco(登録商標)33LV触媒)0.10重量%を含有するポリ側(P)液状成分を準備した。改質ジフェニルメタンジイソシアネート(The Dow Chemical Companyから市販されているIsonate(商標)181MDIプレポリマー)100重量%を含有するイソ側(I)液状成分を準備した。加圧ガス(乾燥空気)を準備した。
Claims (10)
- ケミカルメカニカル研磨パッド研磨層を形成する方法であって、
ベースを有する金型を提供する工程であって、前記ベースが、その中に形成された溝パターンのネガを有する、工程、
(P)側ポリオール類、(P)側ポリアミン類及び(P)側アルコールアミン類の少なくとも一つを含むポリ側(P)液状成分を提供する工程、
少なくとも一つの多官能イソシアネート類を含むイソ側(I)液状成分を提供する工程、
加圧ガスを提供する工程、
内部円柱形チャンバを有する軸混合装置を提供する工程であって、
前記内部円柱形チャンバが、閉止端、開放端、対称軸、前記内部円柱形チャンバに通じる少なくとも一つの(P)側液体供給ポート、前記内部円柱形チャンバに通じる少なくとも一つの(I)側液体供給ポート、及び前記内部円柱形チャンバに通じる少なくとも一つの接線方向加圧ガス供給ポートを有し、
前記閉止端及び前記開放端が前記対称軸に対して垂直であり、
前記少なくとも一つの(P)側液体供給ポート及び前記少なくとも一つの(I)側液体供給ポートが、前記閉止端に近い前記内部円柱形チャンバの周囲に沿って配置され、
前記少なくとも一つの接線方向加圧ガス供給ポートが、前記閉止端から前記少なくとも一つの(P)側液体供給ポート及び前記少なくとも一つの(I)側液体供給ポートより下流で前記内部円柱形チャンバの周囲に沿って配置され、
前記ポリ側(P)液状成分が、前記少なくとも一つの(P)側液体供給ポートを介して6,895〜27,600kPaの(P)側チャージ圧で前記内部円柱形チャンバに導入され、
前記イソ側(I)液状成分が、前記少なくとも一つの(I)側液体供給ポートを介して6,895〜27,600kPaの(I)側チャージ圧で前記内部円柱形チャンバに導入され、
前記内部円柱形チャンバへの前記ポリ側(P)液状成分と前記イソ側(I)液状成分との合計質量流量が1〜500g/sであり、
前記ポリ側(P)液状成分、前記イソ側(I)液状成分及び前記加圧ガスが前記内部円柱形チャンバ内で混ぜ合わされて混合物を形成し、
前記加圧ガスが、前記少なくとも一つの接線方向加圧ガス供給ポートを介して150〜1,500kPaの供給圧で前記内部円柱形チャンバに導入され、
前記内部円柱形チャンバへの前記加圧ガスの入口速度が、20℃及び1気圧の理想気体条件に基づいて計算して50〜600m/sである、工程、
前記混合物を前記内部円柱形チャンバの前記開放端から前記ベースに向けて5〜1,000m/secの速度で放出する工程、
前記混合物をケーキへと固化させる工程、
前記ケーキを前記金型から分離させる工程、及び
前記ケーキからケミカルメカニカル研磨パッド研磨層を得る工程であって、前記ケミカルメカニカル研磨パッド研磨層が研磨面を有し、前記研磨面に溝パターンが形成されており、前記研磨面が、基材を研磨するように適合されている、工程
を含む方法。 - 前記ポリ側(P)液状成分が(P)側ポリオール類25〜95重量%を含み、前記(P)側ポリオール類が高分子量ポリエーテルポリオール類であり、前記高分子量ポリエーテルポリオール類が、2,500〜100,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均4〜8個のヒドロキシル基を有する、請求項1記載の方法。
- 前記イソ側(I)液状成分が、1分子あたり平均2個の反応性イソシアネート基を有する多官能イソシアネート類を含む、請求項1記載の方法。
- 前記加圧ガスが、CO2、N2、空気及びアルゴンからなる群から選択される、請求項1記載の方法。
- 前記加圧ガスが≦10ppmの水分含量を有する、請求項4記載の方法。
- 前記内部円柱形チャンバが、前記内部円柱形チャンバの前記対称軸に対して垂直な平面に円形の断面を有する、請求項1記載の方法。
- 前記内部円柱形チャンバの前記開放端が、前記内部円柱形チャンバの前記対称軸に対して垂直な円形の開口を有し、前記円形の開口が前記円形の断面と同心である、請求項6記載の方法。
- 前記円形の開口が2.5〜6mmの内径を有する、請求項7記載の方法。
- 前記円形の開口が3mmの内径を有する、請求項7記載の方法。
- 前記研磨面が、半導体ウェーハを研磨するように適合されている、請求項1記載の方法。
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