JP2017009801A - Storage type display device and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、記憶型表示装置よび電子機器に関するものである。 The present invention relates to a memory type display device and an electronic apparatus.
液体中に帯電微粒子を分散させた分散系に電場を与えると、帯電微粒子が液体中を移動(泳動)することが知られている。この現象は電気泳動と称され、近年、この電気泳動を利用して所望の情報(画像)を表示させるようにした電気泳動表示装置が一般に普及し始めている。 It is known that when an electric field is applied to a dispersion system in which charged fine particles are dispersed in a liquid, the charged fine particles move (migrate) in the liquid. This phenomenon is referred to as electrophoresis. In recent years, electrophoretic display devices that display desired information (images) using this electrophoresis have generally started to spread.
例えば特許文献1には、画素電極と、対向電極と、画素電極と対向電極との間に配置されたマイクロカプセルとを含むマイクロカプセル型の電気泳動素子を備えた電気泳動表示装置が開示されている。マイクロカプセルには、電気泳動粒子をマイクロカプセル内に分散させるための分散媒と、複数の白色粒子と、複数の黒色粒子とが封入されている。
For example,
特許文献1の装置では、画素ごとにメモリーが内蔵されており、メモリーの内容に応じて画素電極に印加する電圧が設定される。具体的には、メモリーの内容に応じて複数の枝電源線のいずれか一つと画素電極とを接続することにより、当該電源線に供給されている電圧を画素電極に印加する。各行の複数の枝電源線は共通する複数の幹電源線と接続され、複数の幹電源線から各行の複数の枝電源線に電圧が供給される。
In the device of
したがって、たとえ一部の行のみの表示を変更する場合であっても、当該変更に必要な電圧が複数の幹電源線に供給され、総ての行の複数の枝電源線に当該電圧が供給される。その結果、表示の変更を行わない行においては、表示が変更されないようにするための複雑なシーケンスが必要となり、書き換え時間が長くなっていた。また、表示の変更を行わない行においてもメモリーの内容の書き換え等が必要となり、消費電力が増大する結果となっていた。 Therefore, even when the display of only some rows is changed, the voltage necessary for the change is supplied to a plurality of trunk power supply lines, and the voltage is supplied to a plurality of branch power supply lines in all rows. Is done. As a result, in a line where the display is not changed, a complicated sequence for preventing the display from being changed is required, and the rewriting time is increased. In addition, it is necessary to rewrite the contents of the memory even in a line where the display is not changed, resulting in an increase in power consumption.
本発明の目的は、一部の行のみの書き換え時において、画素電極へのデータ信号の書き込みに要する時間の短縮と、消費電力の低減とを実現することが可能な記憶型表示装置および電子機器を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a memory-type display device and an electronic apparatus capable of realizing a reduction in time required for writing a data signal to a pixel electrode and a reduction in power consumption when rewriting only a part of rows. Is to provide.
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
本発明の記憶型表示装置は、n(nは2以上の整数)列分設けられた第1の制御線と、
m(mは2以上の整数)行分設けられた第2の制御線と、
表示素子を一対の基板間に挟持してなり、n×m個の画素からなる表示部と、を備えた記憶型表示装置であって、
前記表示部に、前記画素ごとに形成された画素電極と、前記表示素子を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、前記第1の制御線及び前記第2の制御線に接続され前記画素電極への電源の印加状態を切り替える画素スイッチング素子と、当該画素スイッチング素子に接続された画素メモリー回路と、を備え、
各行ごとに前記画素電極へ電源を供給するための枝電源線と、
各行ごとの前記枝電源線に対して共通に設けられ前記枝電源線に電源を供給するための幹電源線と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容に応じて前記枝電源線と前記画素電極との接続状態を切り替える画素電極スイッチ回路と、
前記幹電源線と各行ごとの前記枝電源線との間にそれぞれ接続され、前記幹電源線と各行ごとの前記枝電源線との接続状態をそれぞれ選択する電源線スイッチ回路と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを各行ごとに遮断または接続させる制御回路と、
前記第2の制御線に信号を出力する走査線駆動回路と、を備え、
前記走査線駆動回路は、前記表示部の所定の端部側に配置され、前記電源線スイッチ回路は、前記表示部の前記所定の端部と異なる端部側に配置されている、ことを特徴とする。
The memory type display device of the present invention includes a first control line provided for n columns (n is an integer of 2 or more),
a second control line provided for m (m is an integer of 2 or more) rows;
A display unit comprising a display element sandwiched between a pair of substrates, and a display unit composed of n × m pixels,
The display unit is connected to a pixel electrode formed for each pixel, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes via the display element, and the first control line and the second control line. A pixel switching element that switches an application state of power to the pixel electrode, and a pixel memory circuit connected to the pixel switching element,
A branch power line for supplying power to the pixel electrode for each row;
A trunk power supply line that is provided in common to the branch power supply line for each row and supplies power to the branch power supply line;
A pixel electrode switch circuit that switches a connection state between the branch power supply line and the pixel electrode according to the content stored in the pixel memory circuit;
A power line switch circuit connected between the trunk power line and the branch power line for each row, and selecting a connection state between the main power line and the branch power line for each row;
A control circuit that cuts off or connects the main power supply line and the branch power supply line for each row in response to the presence or absence of rewriting of the contents stored in the pixel memory circuit;
A scanning line driving circuit for outputting a signal to the second control line,
The scanning line driving circuit is disposed on a predetermined end portion side of the display portion, and the power line switch circuit is disposed on an end portion side different from the predetermined end portion of the display portion. And
これにより、画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えがある場合には、当該画素メモリー回路に対応する行において、制御回路により枝電源線と幹電源線とを接続させればよい。また、画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えがない場合には、当該画素メモリー回路に対応する行において、制御回路により枝電源線と幹電源線とを遮断させればよい。画素メモリー回路の内容の書き換えは、第2の制御線により当該画素メモリー回路に接続された画素スイッチをオン状態とし、当該画素スイッチに接続された第1の制御線から書き換えに応じたデータ信号を供給することにより行われる。画素電極スイッチ回路は、例えば画素メモリー回路にハイレベルのデータ信号が書き込まれた場合には、ハイレベルに対応した電圧を供給するための枝電源線と画素電極とを接続状態にする。書き換えが行われる画素メモリー回路に対応する行においては、枝電源線と幹電源線とが接続されているため、ハイレベルに対応した電圧が供給されている幹電源線からハイレベルに対応した電圧を供給するための枝電源線にハイレベルに対応した電圧が供給され、画素電極にハイレベルに対応した電圧が印加され、画素メモリー回路の内容に応じた書き換えが行われることになる。また、画素メモリー回路にローレベルのデータ信号が書き込まれた場合には、ローレベルに対応した電圧を供給するための枝電源線と画素電極とを接続状態にする。書き換えが行われる画素メモリー回路に対応する行においては、枝電源線と幹電源線とが接続されているため、ローレベルに対応した電圧が供給されている幹電源線からローレベルに対応した電圧を供給するための枝電源線にローレベルに対応した電圧が供給され、画素電極にローレベルに対応した電圧が印加され、画素メモリー回路の内容に応じた書き換えが行われることになる。一方、画素メモリー回路の内容の書き換えが行われない場合には、当該画素メモリー回路に対応する行においては、枝電源線と幹電源線とが遮断されている。したがって、画素電極スイッチ回路が、画素メモリー回路の内容に応じて枝電源線と画素電極とを接続状態にした場合でも、枝電源線には電圧が供給されていないので、結局、画素電極にも電圧は印加されない。したがって、当該メモリー回路に対応する行においては、表示の変更は行われない。以上のように、画素メモリー回路の内容を書き換える行においてのみ枝電源線と幹電源線とを接続させ、第2の制御線による画素スイッチング素子の駆動を行えばよいので、書き換え時間が短縮されると共に、消費電力の低減が図られる。 Thus, when the contents stored in the pixel memory circuit are rewritten, the branch power line and the trunk power line may be connected by the control circuit in the row corresponding to the pixel memory circuit. If the contents stored in the pixel memory circuit are not rewritten, the branch power line and the main power line may be cut off by the control circuit in the row corresponding to the pixel memory circuit. To rewrite the contents of the pixel memory circuit, the pixel switch connected to the pixel memory circuit is turned on by the second control line, and a data signal corresponding to the rewrite is sent from the first control line connected to the pixel switch. This is done by supplying. For example, when a high level data signal is written in the pixel memory circuit, the pixel electrode switch circuit connects the branch power supply line for supplying a voltage corresponding to the high level to the pixel electrode. In the row corresponding to the pixel memory circuit to be rewritten, since the branch power supply line and the trunk power supply line are connected, the voltage corresponding to the high level is supplied from the trunk power supply line to which the voltage corresponding to the high level is supplied. The voltage corresponding to the high level is supplied to the branch power supply line for supplying the voltage, the voltage corresponding to the high level is applied to the pixel electrode, and rewriting according to the contents of the pixel memory circuit is performed. When a low level data signal is written to the pixel memory circuit, the branch power supply line for supplying a voltage corresponding to the low level is connected to the pixel electrode. In the row corresponding to the pixel memory circuit to be rewritten, since the branch power supply line and the trunk power supply line are connected, the voltage corresponding to the low level is supplied from the trunk power supply line to which the voltage corresponding to the low level is supplied. A voltage corresponding to the low level is supplied to the branch power supply line for supplying the voltage, a voltage corresponding to the low level is applied to the pixel electrode, and rewriting according to the contents of the pixel memory circuit is performed. On the other hand, when the contents of the pixel memory circuit are not rewritten, the branch power supply line and the trunk power supply line are cut off in the row corresponding to the pixel memory circuit. Therefore, even when the pixel electrode switch circuit connects the branch power supply line and the pixel electrode according to the contents of the pixel memory circuit, no voltage is supplied to the branch power supply line. No voltage is applied. Therefore, the display is not changed in the row corresponding to the memory circuit. As described above, it is only necessary to connect the branch power supply line and the trunk power supply line and drive the pixel switching element by the second control line only in the row in which the contents of the pixel memory circuit are rewritten. At the same time, power consumption is reduced.
また、走査線駆動回路が表示部の所定の端部側に配置され、電源線スイッチ回路が表示部の前記所定の端部と異なる端部側に配置されていることにより、表示部の所定の端部側と前記所定の端部と異なる端部側とに位置する額縁(非表示領域)の寸法をほぼ均等にすることができる。この場合、例えば、走査線駆動回路を表示部の一端側に配置し、電源線スイッチ回路を表示部の他端側に配置することにより、表示部の一端側と他端側とに位置する額縁の寸法をほぼ均等にすることができる。 Further, the scanning line driving circuit is disposed on a predetermined end side of the display unit, and the power line switch circuit is disposed on an end side different from the predetermined end portion of the display unit, whereby a predetermined part of the display unit is provided. The dimensions of the frame (non-display area) located on the end side and the end side different from the predetermined end can be made substantially uniform. In this case, for example, the scanning line driving circuit is arranged on one end side of the display unit, and the power line switch circuit is arranged on the other end side of the display unit, so that the frames are located on one end side and the other end side of the display unit. Can be made substantially uniform.
なお、第1の制御線はデータ線等を含む概念であり、各列に複数設けてもよい。また、第2の制御線は走査線等を含む概念であり、各行に複数設けてもよい。表示素子は、電気泳動素子、液晶、エレクトロクロミック素子等を含む概念である。画素スイッチング素子はトランジスター、トランスファーゲート等を含む概念である。画素メモリー回路はコンデンサー、ラッチ回路等を含む概念である。枝電源線は各行に複数設けられていてもよく、幹電源線も枝電源線に対応して複数設けられていてもよい。 The first control line is a concept including a data line and the like, and a plurality of first control lines may be provided in each column. The second control line is a concept including a scanning line and the like, and a plurality of second control lines may be provided in each row. The display element is a concept including an electrophoretic element, a liquid crystal, an electrochromic element, and the like. The pixel switching element is a concept including a transistor, a transfer gate, and the like. The pixel memory circuit is a concept including a capacitor, a latch circuit, and the like. A plurality of branch power supply lines may be provided in each row, and a plurality of trunk power supply lines may be provided corresponding to the branch power supply lines.
本発明の記憶型表示装置では、前記走査線駆動回路と前記電源線スイッチ回路とは、前記表示部を介し、前記行の方向に沿って配置されている、ことが好ましい。 In the memory type display device of the present invention, it is preferable that the scanning line driving circuit and the power line switching circuit are arranged along the row direction via the display section.
これにより、表示部の行の方向の一端側と他端側とに位置する額縁(非表示領域)の寸法をほぼ均等にすることができる。 Thereby, the dimension of the frame (non-display area | region) located in the one end side and other end side of the direction of the row | line | column of a display part can be substantially equalized.
本発明の記憶型表示装置は、n(nは2以上の整数)列分設けられた第1の制御線と、
m(mは2以上の整数)行分設けられた第2の制御線と、
表示素子を一対の基板間に挟持してなり、n×m個の画素からなる表示部と、を備えた記憶型表示装置であって、
前記表示部に、前記画素ごとに形成された画素電極と、前記表示素子を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、前記第1の制御線及び前記第2の制御線に接続され前記画素電極への電源の印加状態を切り替える画素スイッチング素子と、当該画素スイッチング素子に接続された画素メモリー回路と、を備え、
各行ごとに前記画素電極へ電源を供給するための枝電源線と、
各行ごとの前記枝電源線に対して共通に設けられ前記枝電源線に電源を供給するための幹電源線と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容に応じて前記枝電源線と前記画素電極との接続状態を切り替える画素電極スイッチ回路と、
前記幹電源線と前記枝電源線との間に接続され、前記幹電源線と前記枝電源線との接続状態を選択する単位電源線スイッチ回路を複数有する電源線スイッチ回路と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを遮断または接続させる制御回路と、を備え、
前記単位電源線スイッチ回路は、前記表示部の前記行の方向の一端側および他端側にそれぞれ配置されており、前記一端側および前記他端側に配置された前記単位電源線スイッチ回路は、同一の前記行の前記枝電源線に接続されている、ことを特徴とする。
The memory type display device of the present invention includes a first control line provided for n columns (n is an integer of 2 or more),
a second control line provided for m (m is an integer of 2 or more) rows;
A display unit comprising a display element sandwiched between a pair of substrates, and a display unit composed of n × m pixels,
The display unit is connected to a pixel electrode formed for each pixel, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes via the display element, and the first control line and the second control line. A pixel switching element that switches an application state of power to the pixel electrode, and a pixel memory circuit connected to the pixel switching element,
A branch power line for supplying power to the pixel electrode for each row;
A trunk power supply line that is provided in common to the branch power supply line for each row and supplies power to the branch power supply line;
A pixel electrode switch circuit that switches a connection state between the branch power supply line and the pixel electrode according to the content stored in the pixel memory circuit;
A power line switch circuit connected between the trunk power line and the branch power line, and having a plurality of unit power line switch circuits for selecting a connection state between the trunk power line and the branch power line;
A control circuit that shuts off or connects the trunk power line and the branch power line in response to whether or not the contents stored in the pixel memory circuit are rewritten,
The unit power line switch circuits are respectively disposed on one end side and the other end side in the row direction of the display unit, and the unit power line switch circuits disposed on the one end side and the other end side are: The branch power supply lines are connected to the same row.
これにより、前記と同様に、書き換え時間が短縮されると共に、消費電力の低減が図られる。 Thereby, similarly to the above, the rewriting time is shortened and the power consumption is reduced.
また、単位電源線スイッチ回路が表示部の行の方向の一端側および他端側にそれぞれ配置されており、その一端側および他端側に配置された単位電源線スイッチ回路が同一の行の枝電源線に接続されているので、表示部の行の方向における表示むらを解消または軽減することができる。 The unit power line switch circuits are arranged on one end side and the other end side in the row direction of the display unit, respectively, and the unit power line switch circuits arranged on the one end side and the other end side are arranged in the same row. Since it is connected to the power supply line, display unevenness in the row direction of the display portion can be eliminated or reduced.
本発明の記憶型表示装置は、n(nは2以上の整数)列分設けられた第1の制御線と、
m(mは2以上の整数)行分設けられた第2の制御線と、
表示素子を一対の基板間に挟持してなり、n×m個の画素からなる表示部と、を備えた記憶型表示装置であって、
前記表示部に、前記画素ごとに形成された画素電極と、前記表示素子を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、前記第1の制御線及び前記第2の制御線に接続され前記画素電極への電源の印加状態を切り替える画素スイッチング素子と、当該画素スイッチング素子に接続された画素メモリー回路と、を備え、
各行ごとに前記画素電極へ電源を供給するための枝電源線と、
各行ごとの前記枝電源線に対して共通に設けられ前記枝電源線に電源を供給するための幹電源線と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容に応じて前記枝電源線と前記画素電極との接続状態を切り替える画素電極スイッチ回路と、
前記幹電源線と前記枝電源線との間に接続され、前記幹電源線と前記枝電源線との接続状態を選択する単位電源線スイッチ回路を複数有する電源線スイッチ回路と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを遮断または接続させる制御回路と、を備え、
前記単位電源線スイッチ回路は、前記表示部の前記行の方向の一端側と他端側に配置されており、かつ、1つの前記枝電源線に対して1つ設けられている、ことを特徴とする。
The memory type display device of the present invention includes a first control line provided for n columns (n is an integer of 2 or more),
a second control line provided for m (m is an integer of 2 or more) rows;
A display unit comprising a display element sandwiched between a pair of substrates, and a display unit composed of n × m pixels,
The display unit is connected to a pixel electrode formed for each pixel, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes via the display element, and the first control line and the second control line. A pixel switching element that switches an application state of power to the pixel electrode, and a pixel memory circuit connected to the pixel switching element,
A branch power line for supplying power to the pixel electrode for each row;
A trunk power supply line that is provided in common to the branch power supply line for each row and supplies power to the branch power supply line;
A pixel electrode switch circuit that switches a connection state between the branch power supply line and the pixel electrode according to the content stored in the pixel memory circuit;
A power line switch circuit connected between the trunk power line and the branch power line, and having a plurality of unit power line switch circuits for selecting a connection state between the trunk power line and the branch power line;
A control circuit that shuts off or connects the trunk power line and the branch power line in response to whether or not the contents stored in the pixel memory circuit are rewritten,
The unit power supply line switch circuit is disposed on one end side and the other end side in the row direction of the display unit, and one unit power supply line switch circuit is provided for one branch power supply line. And
これにより、前記と同様に、書き換え時間が短縮されると共に、消費電力の低減が図られる。 Thereby, similarly to the above, the rewriting time is shortened and the power consumption is reduced.
また、単位電源線スイッチ回路が表示部の行の方向の一端側と他端側に配置されているので、表示部の行の方向における表示むらの方向が、前記一端側に配置された行と前記他端側に配置された行とで逆方向になり、その表示部の行の方向における表示むらが相殺または軽減される。 In addition, since the unit power line switch circuits are arranged on one end side and the other end side in the row direction of the display unit, the direction of display unevenness in the row direction of the display unit is the row arranged on the one end side. The direction is opposite to the row arranged on the other end side, and the display unevenness in the row direction of the display portion is canceled or reduced.
本発明の記憶型表示装置では、前記単位電源線スイッチ回路は、前記表示部の前記行の方向の一端側と他端側とに交互に配置されている、ことが好ましい。 In the memory-type display device of the present invention, it is preferable that the unit power line switch circuits are alternately arranged on one end side and the other end side in the row direction of the display unit.
これにより、表示部の行の方向における表示むらの方向が1行ごとに逆方向になり、その表示部の行の方向における表示むらが相殺または軽減される。 Thereby, the direction of the display unevenness in the direction of the row of the display unit is reversed in every line, and the display unevenness in the direction of the row of the display unit is offset or reduced.
本発明の記憶型表示装置では、前記電源線スイッチ回路は、前記幹電源線と各行ごとの前記枝電源線との間にそれぞれ接続され、前記幹電源線と各行ごとの前記枝電源線との接続状態をそれぞれ選択し、
前記制御回路は、前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを各行ごとに遮断または接続させる、ことが好ましい。
これにより、各画素をそれぞれ個別に制御することが可能である。
In the memory-type display device of the present invention, the power line switch circuit is connected between the main power line and the branch power line for each row, and the main power line and the branch power line for each row are connected. Select each connection status,
It is preferable that the control circuit cuts off or connects the trunk power supply line and the branch power supply line for each row in accordance with whether or not the contents stored in the pixel memory circuit are rewritten.
Thereby, each pixel can be individually controlled.
本発明の記憶型表示装置では、前記電源線スイッチ回路は、前記幹電源線と複数行ごとの前記枝電源線との間にそれぞれ接続され、前記幹電源線と複数行ごとの前記枝電源線との接続状態をそれぞれ選択し、
前記制御回路は、前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを複数行ごとに遮断または接続させる、ことが好ましい。
In the memory-type display device of the present invention, the power line switch circuit is connected between the trunk power line and the branch power line for each of a plurality of rows, and the trunk power line and the branch power line for each of a plurality of rows. Select the connection status with
It is preferable that the control circuit cuts off or connects the main power supply line and the branch power supply line for each of a plurality of rows in accordance with whether or not the contents stored in the pixel memory circuit are rewritten.
これにより、電源線スイッチ回路の構成を簡素化することができ、すなわち、電源線スイッチ回路の規模を小さくすることができる。これにより、消費電力の低減が図られると共に、表示部の外側の額縁(非表示領域)の寸法を小さくすることができる。 Thereby, the configuration of the power line switch circuit can be simplified, that is, the scale of the power line switch circuit can be reduced. Thereby, power consumption can be reduced and the size of the outer frame (non-display area) of the display unit can be reduced.
本発明の記憶型表示装置は、n(nは2以上の整数)列分設けられた第1の制御線と、
m(mは2以上の整数)行分設けられた第2の制御線と、
表示素子を一対の基板間に挟持してなり、n×m個の画素からなる表示部と、を備えた記憶型表示装置であって、
前記表示部に、前記画素ごとに形成された画素電極と、前記表示素子を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、前記第1の制御線及び前記第2の制御線に接続され前記画素電極への電源の印加状態を切り替える画素スイッチング素子と、当該画素スイッチング素子に接続された画素メモリー回路と、を備え、
各行ごとに前記画素電極へ電源を供給するための枝電源線と、
各行ごとの前記枝電源線に対して共通に設けられ前記枝電源線に電源を供給するための幹電源線と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容に応じて前記枝電源線と前記画素電極との接続状態を切り替える画素電極スイッチ回路と、
前記幹電源線と複数行ごとの前記枝電源線との間にそれぞれ接続され、前記幹電源線と複数行ごとの前記枝電源線との接続状態をそれぞれ選択する電源線スイッチ回路と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを複数行ごとに遮断または接続させる制御回路と、を備える、ことを特徴とする。
The memory type display device of the present invention includes a first control line provided for n columns (n is an integer of 2 or more),
a second control line provided for m (m is an integer of 2 or more) rows;
A display unit comprising a display element sandwiched between a pair of substrates, and a display unit composed of n × m pixels,
The display unit is connected to a pixel electrode formed for each pixel, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes via the display element, and the first control line and the second control line. A pixel switching element that switches an application state of power to the pixel electrode, and a pixel memory circuit connected to the pixel switching element,
A branch power line for supplying power to the pixel electrode for each row;
A trunk power supply line that is provided in common to the branch power supply line for each row and supplies power to the branch power supply line;
A pixel electrode switch circuit that switches a connection state between the branch power supply line and the pixel electrode according to the content stored in the pixel memory circuit;
A power line switch circuit connected between the trunk power line and the branch power line for each of a plurality of rows, and selecting a connection state between the trunk power line and the branch power line for each of a plurality of rows;
And a control circuit that cuts off or connects the main power supply line and the branch power supply line for every plurality of rows in accordance with whether or not the contents stored in the pixel memory circuit are rewritten.
これにより、前記と同様に、書き換え時間が短縮されると共に、消費電力の低減が図られる。 Thereby, similarly to the above, the rewriting time is shortened and the power consumption is reduced.
また、電源線スイッチ回路は、幹電源線と複数行ごとの枝電源線との接続状態をそれぞれ選択するように構成されているので、電源線スイッチ回路の構成を簡素化することができ、すなわち、電源線スイッチ回路の規模を小さくすることができる。これにより、消費電力の低減が図られると共に、表示部の外側の額縁(非表示領域)の寸法を小さくすることができる。 Further, since the power supply line switch circuit is configured to select the connection state between the trunk power supply line and the branch power supply line for each of the plurality of rows, the configuration of the power supply line switch circuit can be simplified, that is, The scale of the power line switch circuit can be reduced. Thereby, power consumption can be reduced and the size of the outer frame (non-display area) of the display unit can be reduced.
本発明の記憶型表示装置では、前記画素メモリー回路の高電位電源端子に接続された第1の電源線と、
前記画素メモリー回路の低電位電源端子に接続された第2の電源線と、
前記第1の電源線が接続された第1の共通電源線と、
前記第2の電源線が接続された第2の共通電源線と、を備え、
前記第1の共通電源線と前記第2の共通電源線との少なくとも一方は、前記行の方向に隣り合う2つの前記画素で兼用されている、ことが好ましい。
In the memory type display device of the present invention, a first power line connected to the high potential power terminal of the pixel memory circuit;
A second power line connected to the low potential power terminal of the pixel memory circuit;
A first common power line to which the first power line is connected;
A second common power line to which the second power line is connected,
It is preferable that at least one of the first common power supply line and the second common power supply line is shared by the two pixels adjacent to each other in the row direction.
これにより、行の方向の画素ピッチを小さくすることができ、高精細化が可能であり、また、回路構成を簡素化することができる。 Thereby, the pixel pitch in the row direction can be reduced, high definition can be achieved, and the circuit configuration can be simplified.
本発明の記憶型表示装置では、前記幹電源線に対して遮断状態の前記枝電源線を、前記共通電極に接続される電源線に接続する接続回路を備える、ことが好ましい。 In the memory-type display device of the present invention, it is preferable that the storage type display device further includes a connection circuit that connects the branch power supply line that is cut off with respect to the trunk power supply line to a power supply line connected to the common electrode.
これにより、画素メモリー回路の内容を書き換えない行においては、共通電極に印加される電圧が枝電源線を介して画素電極に印加される。したがって、画素電極と共通電極は同電位となり、表示が変更されることがない。 As a result, in a row where the contents of the pixel memory circuit are not rewritten, the voltage applied to the common electrode is applied to the pixel electrode via the branch power supply line. Therefore, the pixel electrode and the common electrode have the same potential, and the display is not changed.
本発明の記憶型表示装置では、前記画素メモリー回路はコンデンサーである、ことが好ましい。 In the memory type display device of the present invention, it is preferable that the pixel memory circuit is a capacitor.
これにより、コンデンサーに蓄積された電圧に応じて画素電極スイッチ回路により枝電源線と画素電極との接続状態が切り替えられる。 Thus, the connection state between the branch power supply line and the pixel electrode is switched by the pixel electrode switch circuit in accordance with the voltage accumulated in the capacitor.
本発明の記憶型表示装置では、前記画素メモリー回路はラッチ回路を備えている、ことが好ましい。 In the memory type display device of the present invention, it is preferable that the pixel memory circuit includes a latch circuit.
これにより、ラッチ回路に書き込まれた電圧に応じて画素電極スイッチ回路により枝電源線と画素電極との接続状態が切り替えられる。 Thereby, the connection state between the branch power supply line and the pixel electrode is switched by the pixel electrode switch circuit according to the voltage written in the latch circuit.
本発明の記憶型表示装置では、前記電源線スイッチ回路は、トランスファーゲートを備えている、ことが好ましい。 In the memory-type display device of the present invention, it is preferable that the power line switch circuit includes a transfer gate.
これにより、幹電源線に印加された電圧は接続抵抗の低いトランスファーゲートにより確実に枝電源線に供給される。 Thereby, the voltage applied to the trunk power supply line is reliably supplied to the branch power supply line by the transfer gate having a low connection resistance.
本発明の記憶型表示装置では、前記電源線スイッチ回路に接続され、前記電源線スイッチ回路の駆動状態を定める電源線メモリー回路と、当該電源線メモリー回路の内容をリセットするリセット回路とを備える、ことが好ましい。 The memory type display device of the present invention includes a power line memory circuit that is connected to the power line switch circuit and determines a driving state of the power line switch circuit, and a reset circuit that resets the contents of the power line memory circuit. It is preferable.
これにより、電源線メモリー回路に書き込まれた内容に基づいて電源線スイッチ回路がオン状態またはオフ状態となる。つまり、電源線メモリー回路に書き込まれた内容により幹電源線と枝電源線との接続状態が決定される。表示の変更を行う際には、初期設定としてリセット回路により総ての電源線メモリー回路の内容をリセットする。したがって、初期設定時には総ての幹電源線と枝電源線が遮断状態となり、電源線メモリー回路に書き込まれた内容に応じて、内容が書き換えられる画素メモリー回路に対応する行の枝電源線と幹電源線が接続状態とされることになる。 As a result, the power supply line switch circuit is turned on or off based on the contents written in the power supply line memory circuit. That is, the connection state between the trunk power supply line and the branch power supply line is determined by the contents written in the power supply line memory circuit. When changing the display, the contents of all power line memory circuits are reset by a reset circuit as an initial setting. Therefore, at the time of initial setting, all the trunk power supply lines and branch power supply lines are cut off, and the branch power supply lines and trunks corresponding to the pixel memory circuits whose contents are rewritten according to the contents written in the power supply line memory circuit. The power line is connected.
本発明の記憶型表示装置では、前記リセット回路において前記第2の制御線と接続され前記電源線メモリー回路に書き込む電圧を供給する電源線選択信号線と前記電源線メモリー回路との接続状態を切り替えるメモリースイッチング素子と、当該メモリースイッチング素子により前記電源線メモリー回路と前記電源線選択信号線とが接続状態になる際に前記画素スイッチング素子と前記第2の制御線とを遮断するゲートイネーブル回路と、を備える、ことが好ましい。 In the memory type display device of the present invention, the connection state between the power line memory circuit and the power line selection signal line that is connected to the second control line in the reset circuit and supplies a voltage to be written to the power line memory circuit is switched. A memory switching element, and a gate enable circuit that shuts off the pixel switching element and the second control line when the memory switching element connects the power line memory circuit and the power line selection signal line. It is preferable to comprise.
これにより、電源線メモリー回路のリセットを行う際には、メモリースイッチング素子をオン状態にする電圧が第2の制御線から供給され、電源線選択信号線と電源線メモリー回路とが接続状態となり、電源線選択信号線に供給された電圧が電源線メモリー回路に書き込まれる。また、電源線選択信号線と電源線メモリー回路とが接続状態になった際には、ゲートイネーブル回路により、画素スイッチング素子と第2の制御線とが遮断される。したがって、電源線メモリー回路のリセットを行う際に、第2の制御線に供給される電圧が変動しても、画素スイッチング素子に影響を与えることがない。 Thus, when resetting the power line memory circuit, a voltage for turning on the memory switching element is supplied from the second control line, and the power line selection signal line and the power line memory circuit are connected, The voltage supplied to the power line selection signal line is written into the power line memory circuit. Further, when the power supply line selection signal line and the power supply line memory circuit are connected, the gate enable circuit blocks the pixel switching element and the second control line. Therefore, when the power supply line memory circuit is reset, even if the voltage supplied to the second control line fluctuates, the pixel switching element is not affected.
本発明の電子機器は、本発明の記憶型表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、電子機器では、一部の行のみの表示の変更を行う場合でも、書き換え時間が短縮されると共に、消費電力の低減が図られる。なお、電子機器は、タブレット、電子ブック、スマートフォン等を含む概念である。
An electronic apparatus according to the present invention includes the memory-type display device according to the present invention.
Thereby, in the electronic device, even when the display of only a part of the rows is changed, the rewriting time is shortened and the power consumption is reduced. The electronic device is a concept including a tablet, an electronic book, a smartphone, and the like.
以下、本発明の記憶型表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, a memory type display device and an electronic apparatus according to the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
<第1実施形態>
以下、本発明の第1実施形態について説明する。
<First Embodiment>
The first embodiment of the present invention will be described below.
図1は、本発明の第1実施形態に係る記憶型表示装置の一例としての電気泳動表示装置100の主要構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a main configuration of an
なお、以下では、説明の便宜上、図1に示すように、互いに直交する2軸をX軸およびY軸とする(他の図も同様)。また、X軸に平行な方向を「X方向」、「行の方向」とも言い、Y軸に平行な方向を「Y方向」、「列の方向」とも言う。すなわち、X方向と行の方向とは、同じ意味であり、Y方向と列の方向とは、同じ意味である。 In the following, for convenience of explanation, as shown in FIG. 1, two axes orthogonal to each other are defined as an X axis and a Y axis (the same applies to other drawings). In addition, directions parallel to the X axis are also referred to as “X direction” and “row direction”, and directions parallel to the Y axis are also referred to as “Y direction” and “column direction”. That is, the X direction and the row direction have the same meaning, and the Y direction and the column direction have the same meaning.
図1に示すように、電気泳動表示装置100は、電気泳動パネル10と、制御回路20と、を備える。
As shown in FIG. 1, the
電気泳動パネル10は、複数の画素回路Pが配列された表示部30と、各画素回路Pを駆動する駆動部40と、枝電源線選択回路80と、を備える。駆動部40は、走査線駆動回路42と、データ線駆動回路44とを備える。
The
制御回路20は、上位装置から供給される映像信号や同期信号などに基づいて、電気泳動パネル10の各部を統括的に制御する。
The
表示部30には、第2の制御線の一例としてX方向に延在するm本の走査線32と、第1の制御線の一例としてY方向に延在して走査線32に交差するn本のデータ線34とが形成される(m,nは2以上の整数)。複数の画素回路Pは、走査線32とデータ線34との交差に配置されて縦m行×横n列の行列状に配列される。
The
図2は、画素回路Pの構成例を示す図である。図2においては、第i行(1≦i≦m)の第j列目(1≦j≦n)に位置する1個の画素回路(画素)Pのみを図示している。同図に示すように、画素回路Pは、電気泳動素子50と、選択スイッチTsと、メモリー回路25と、スイッチ回路35とを含む。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of the pixel circuit P. In FIG. 2, only one pixel circuit (pixel) P located in the j-th column (1 ≦ j ≦ n) of the i-th row (1 ≦ i ≦ m) is illustrated. As shown in the figure, the pixel circuit P includes an
画素スイッチング素子の一例としての選択スイッチTsは、N−MOS(Negative Metal Oxide Semiconductor)で構成されている。選択スイッチTsのゲート部には走査線32、ソース側にはデータ線34、ドレイン側にはメモリー回路25がそれぞれ接続されている。選択スイッチTsは、走査線駆動回路42から走査線32を介して走査信号が入力される期間中、データ線34とメモリー回路25とを接続させることによって、データ線駆動回路44からデータ線34を介して入力されるデータ信号をメモリー回路25に入力させるために用いられる。
The selection switch Ts as an example of the pixel switching element is configured by an N-MOS (Negative Metal Oxide Semiconductor). A
画素メモリー回路の一例としてのメモリー回路25は、ラッチ回路であり、2つのP−MOS(Positive Metal Oxide Semiconductor)25p1、25p2、及び2つのN−MOS25n1、25n2によって構成されている。P−MOS25p1、25p2のソース側に第1の電源線13が接続され、N−MOS25n1、25n2のソース側には第2の電源線14が接続されている。したがって、P−MOS25p1及びP−MOS25p2のソース側が、メモリー回路25の高電位電源端子であり、N−MOS25n1及びN−MOS25n2のソース側がメモリー回路25の低電位電源端子である。
The
また、画素電極スイッチ回路の一例としてのスイッチ回路35は、第1のトランスファーゲート36と第2のトランスファーゲート37とを備えている。第1のトランスファーゲート36は、P−MOS36pとN−MOS36nとを備えている。第2のトランスファーゲート37は、P−MOS37pとN−MOS37nとを備えている。
The
第1のトランスファーゲート36のソース側は、第1枝電源線63と接続され、第2のトランスファーゲート37のソース側は、第2枝電源線64と接続されている。トランスファーゲート36、37のドレイン側は、画素電極51に接続されている。
The source side of the
メモリー回路25は、選択スイッチTsのドレイン側と接続された入力端子N1と、スイッチ回路35と接続された第1の出力端子N2及び第2の出力端子N3とを備えている。
The
メモリー回路25のP−MOS25p1のゲート部及びN−MOS25n1のゲート部は、メモリー回路25の入力端子N1として機能する。入力端子N1は、選択スイッチTsのドレイン側と接続されるとともに、メモリー回路25の第1の出力端子N2(P−MOS25p2のドレイン側及びN−MOS25n2のドレイン側)と接続されている。
The gate portion of the P-MOS 25p1 and the gate portion of the N-MOS 25n1 of the
さらに、第1の出力端子N2は、第1のトランスファーゲート36のP−MOS36pのゲート部、及び第2のトランスファーゲート37のN−MOS37nのゲート部に接続されている。
Further, the first
メモリー回路25のP−MOS25p2のゲート部及びN−MOS25n2のゲート部は、メモリー回路25の第2の出力端子N3として機能する。
The gate portion of the P-MOS 25p2 and the gate portion of the N-MOS 25n2 of the
第2の出力端子N3は、P−MOS25p1のドレイン側及びN−MOS25n1のドレイン側と接続されるとともに、第1のトランスファーゲート36のN−MOS36nのゲート部、及び第2のトランスファーゲート37のP−MOS37pのゲート部に接続されている。
The second output terminal N3 is connected to the drain side of the P-MOS 25p1 and the drain side of the N-MOS 25n1, and the gate portion of the N-
メモリー回路25は、選択スイッチTsから送られたデータ信号を保持するとともに、スイッチ回路35にデータ信号を入力するために用いられる。
The
スイッチ回路35は、メモリー回路25から入力されたデータ信号に基づいて、第1及び第2枝電源線63、64の何れかを択一的に選択し、画素電極51と接続させるセレクタとして機能する。このとき、第1及び第2のトランスファーゲート36、37は、データ信号のレベルに応じて一方のみが動作する。
The
具体的には、データ信号としてメモリー回路25の入力端子N1にローレベル(L)が入力されると、第1の出力端子N2からはローレベル(L)が出力されるので、第1の出力端子N2(入力端子N1)に接続されたトランジスターのうち、P−MOS36pが動作し、また第2の出力端子N3と接続されたN−MOS36nが動作してトランスファーゲート36が駆動される。したがって、第1枝電源線63と画素電極51とが電気的に接続される。
Specifically, when a low level (L) is input to the input terminal N1 of the
一方、データ信号としてメモリー回路25の入力端子N1にハイレベル(H)が入力されると、第1の出力端子N2からハイレベル(H)が出力されるので、第1の出力端子N2(入力端子N1)に接続されたトランジスターのうち、N−MOS37nが動作し、また第2の出力端子N3と接続されたP−MOS37pが動作してトランスファーゲート37が駆動される。したがって、第2枝電源線64と画素電極51とが電気的に接続される。
On the other hand, when a high level (H) is input as a data signal to the input terminal N1 of the
そして、動作した方のトランスファーゲートを介して、第1枝電源線63又は第2枝電源線64が画素電極51と導通し、画素電極51に電圧が印加される。
Then, the first branch
また、メモリー回路25は、以上のように選択スイッチTsを介して入力されるデータ信号を電圧として保持することができ、一定期間ごとのリフレッシュ操作を行わなくてもスイッチ回路35の状態を保持することができる。したがって、メモリー回路25の機能によって画素電極51の電圧を保持することができる。また、異なる信号を出力する複数の出力端子を設けることができるため、スイッチ回路35の構成に合わせた適切な制御が可能である。
In addition, the
電気泳動素子50は、図3に示すように、向かい合う画素電極51及び共通電極52と、画素電極51と共通電極52との間に配置された複数のマイクロカプセル53とを含む。本実施形態では、共通電極52側が観察側の電極である。なお、共通電極52は、画素電極51に対向する電極であるため対向電極とも称されるが、本実施形態では共通電極として説明する。
As illustrated in FIG. 3, the
表示素子の一例としての電気泳動素子50は、複数のマイクロカプセル53により構成されている。電気泳動素子50は、接着剤層31を用いて素子基板28と対向基板29の間で固定されている。すなわち、電気泳動素子50と両基板28、29との間に接着剤層31が形成されている。
An
なお、素子基板28側の接着剤層31は画素電極51面と接着するために必用なものであるが、対向基板29側の接着剤層31については必須ではない。これは、あらかじめ、対向基板29に対して、共通電極52と複数のマイクロカプセル53と対向基板29側の接着剤層31とを、一貫した製造工程で造り込んだあと、電気泳動シートとして取り扱う場合においては、接着剤層31として必用となるのは、素子基板28側の接着剤層31のみとなる場合が想定されるからである。
The
素子基板28は、例えばガラスやプラスティックなどからなる基板である。素子基板28上に画素電極51が形成され、画素電極51はそれぞれの画素回路Pごとに矩形に形成されている。図示は省略しているが、各画素電極51の間の領域や画素電極51の下面(素子基板28側の層)には、図1、2で示した走査線32、データ線34、第1枝電源線63、第2枝電源線64、第1の電源線13、第2の電源線14、選択スイッチTs、メモリー回路25、スイッチ回路35などが形成されている。
The
対向基板29は、画像を表示する側となるため、例えば、ガラス等の透光性を有する基板とされる。対向基板29上に形成された共通電極52には、透光性と導電性とを備えた材質が用いられ、例えばMgAg(マグネシウム銀)、ITO(インジウム・スズ酸化物)、IZO(インジウム・亜鉛酸化物)等が用いられる。
Since the
なお、電気泳動素子50は、あらかじめ対向基板29側に形成され、接着剤層31までを含めた電気泳動シートとして取り扱われるのが一般的である。また、接着剤層31側には、保護用の剥離紙が貼り付けられている。
The
製造工程においては、別途製造された、画素電極51や前記回路などが形成された素子基板28に対して、剥離紙を剥がした当該電気泳動シートを貼り付けることによって、表示部30を形成している。このため、一般的な構成では、接着剤層31は画素電極51側のみに存在することになる。
In the manufacturing process, the
図4は、マイクロカプセル53の構成図である。マイクロカプセル53は、例えば50μm程度の粒径を有すると共にポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル等のアクリル樹脂、ユリア樹脂、アラビアゴム等の透光性を有する高分子樹脂によって形成されている。このマイクロカプセル53は、共通電極52と上述の画素電極51との間に挟持されており、一つの画素内に複数のマイクロカプセル53が縦横に配列された構成になっている。マイクロカプセル53の周囲を埋めるように、当該マイクロカプセル53を固定するバインダ(図示は省略)が設けられている。
FIG. 4 is a configuration diagram of the
マイクロカプセル53は球状体であり、その内部には、電気泳動粒子を分散させるための溶媒である分散媒54と、電気泳動粒子として複数の白色粒子(電気泳動粒子)55と、複数の黒色粒子(電気泳動粒子)56との帯電微粒子が封入されている。本実施形態では、白色粒子はプラスに帯電しており、黒色粒子はマイナスに帯電している。なお、本発明はこのような態様に限定される訳ではなく、白色粒子をマイナスに帯電し、黒色粒子をプラスに帯電してもよい。
The
分散媒54は、白色粒子55と黒色粒子56とをマイクロカプセル53内に分散させる液体である。
The
分散媒54としては、例えば水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等の各種エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ぺンタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、シクロへキサン、メチルシクロへキサン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼン等の長鎖アルキル基を有するベンゼン類等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、カルボン酸塩又はその他の種々の油類等の単独又はこれらの混合物に界面活性剤等を配合したものを挙げることができる。
Examples of the
白色粒子55は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子(高分子あるいはコロイド)であり、例えば正に帯電されている。
The
黒色粒子56は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック等の黒色顔料からなる粒子(高分子あるいはコロイド)であり、例えば負に帯電されている。
The
このため、白色粒子55及び黒色粒子56は、分散媒54中で画素電極51と共通電極52との間の電位差によって発生する電場により泳動することができる。
For this reason, the
これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンド等の粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤等を添加することができる。 These pigments include electrolytes, surfactants, metal soaps, resins, rubbers, oils, varnishes, charge control agents composed of particles such as compounds, titanium-based coupling agents, aluminum-based coupling agents, silanes as necessary. A dispersant such as a system coupling agent, a lubricant, a stabilizer, and the like can be added.
白色粒子55及び黒色粒子56は溶媒中のイオンによって覆われており、これらの粒子の表面にはイオン層57が形成されている。帯電している白色粒子55及び黒色粒子56とイオン層57との間には、電気二重層が形成されている。一般的に、白色粒子55や黒色粒子56などの帯電微粒子は、10kHz以上の周波数の電場を与えても、電場にほとんど反応せず、ほとんど泳動しないことが知られている。帯電微粒子の周りのイオンは、帯電微粒子に比べて粒子径がはるかに小さいので、周波数が10kHz以上の電場を与えると電場に応じて泳動することが知られている。
The
図5及び図6はマイクロカプセル53の動作を説明した図である。ここでは、イオン層57が形成されない理想的な場合を例に挙げて説明する。
5 and 6 are diagrams illustrating the operation of the
画素電極51と共通電極52との関係において、画素電極51を低電位、共通電極52を高電位にすると、これで発生する電場により、プラスに帯電した白色粒子55がマイクロカプセル53内で画素電極51側に泳動する。一方、マイナスに帯電した黒色粒子56はマイクロカプセル53内で共通電極52側に泳動する。これにより、マイクロカプセル53内の表示面側(共通電極52側)には黒色粒子56が集まることになり、観察側である共通電極52側からこの画素回路Pを見ると、黒色粒子56の色である「黒色」が認識される。
In the relationship between the
他方、画素電極51と共通電極52との関係において、画素電極51を高電位、共通電極52を低電位にすると、これで発生する電場により、マイナスに帯電した黒色粒子56がマイクロカプセル53内で画素電極51側に泳動する。一方、プラスに帯電した白色粒子55はマイクロカプセル53内で共通電極52側に泳動する。これにより、マイクロカプセル53の表示面側(共通電極52側)には白色粒子55が集まることになり、観察側である共通電極52側からこの画素回路Pを見ると、白色粒子55の色である「白色」が認識される。
On the other hand, in the relationship between the
このように、画素電極51と共通電極52との間の電圧を、表示したい階調(明るさ)に応じた値に設定して、電気泳動粒子を泳動させることで、所望の階調表示を得ることができる。
In this way, the voltage between the
なお、画素電極51と共通電極52との間への電圧の印加を停止すると、電場がなくなるので、電気泳動粒子は溶媒の粘性抵抗によって停止する。電気泳動粒子は、溶媒の粘性抵抗により所定の位置に長時間停留することができるので、所定の電圧が印加されたときの表示状態を、当該所定の電圧の印加が停止された後でも維持し得る性質(記憶性)を有する。
Note that when the application of voltage between the
ここでは、白と黒の2粒子種で説明したが、1粒子種あるいは3以上の粒子種であっても良く、粒子の色も白と黒に限定されず、任意の有色粒子の組み合わせであっても良い。 Here, the description has been made with two particle types of white and black, but one particle type or three or more particle types may be used, and the color of the particles is not limited to white and black, and may be any combination of colored particles. May be.
また、マイクロカプセル内に粒子と分散媒を封入した構成に限らず、例えば素子基板28上に細かい空間に分割する隔壁をエポキシ樹脂等で形成し、この中に粒子と分散媒を充填し、共通電極52が形成された対向基板29を、接着剤層31で隔壁の頂部と接合した構造であっても良い。
In addition to the configuration in which particles and a dispersion medium are enclosed in a microcapsule, for example, a partition wall that is divided into fine spaces is formed on the
説明を図1に戻す。
走査線駆動回路42と枝電源線選択回路80とは、表示部30を介して、表示部30のX方向(行の方向)(図1中の左右方向)の一端側と他端側とに配置されている。すなわち、走査線駆動回路42は、表示部30の図1中の右側に配置され、枝電源線選択回路80は、その反対側、すなわち、表示部30の図1中の左側に配置されている。これにより、表示部30の左右に位置する額縁(非表示領域)の寸法をほぼ均等にすることができる。なお、図示の構成では、走査線駆動回路42が右側に配置され、枝電源線選択回路80が左側に配置されているが、これに限らず、例えば、走査線駆動回路42が左側に配置され、枝電源線選択回路80が右側に配置されていてもよい。あるいは、例えば、方形で構成された表示部30の1辺側に枝電源線選択回路80が配置され、前記1辺以外の3つの辺のいずれかに走査線駆動回路42が配置されていてもよい。すなわち、走査線駆動回路42は、表示部30の所定の端部側に配置され、枝電源線選択回路80は、表示部30の前記所定の端部と異なる端部側に配置されていればよい。
Returning to FIG.
The scanning
走査線駆動回路42は、走査信号(信号)GW[1]〜GW[m]を各走査線32に出力する。ここでは、第i行の走査線32に出力される走査信号をGW[i]と表記する。走査線駆動回路42が、走査信号GW[i]を所定期間だけアクティブレベル(ハイレベル)に設定することにより、第i行に属するn個の画素回路Pの選択スイッチTsが一斉にオン状態に変化する。走査信号GW[i]のハイレベルへの移行は第i行の走査線32の選択を意味する。また、走査線駆動回路42は、通常は走査線32を一つずつ選択してハイレベルの電圧を印加するが、必要に応じて総ての走査線32を同時に選択してハイレベルの電圧を印加する機能を有している。さらに、走査線駆動回路42は、特定の走査線32のみを順次選択してハイレベルの電圧を印加する機能を有している。
The scanning
データ線駆動回路44は、走査線駆動回路42が選択した1行分(n個)の画素回路Pに対応するデータ信号(信号)Vx[1]〜Vx[n]を生成して各データ線34に出力する。ここでは、第j列目のデータ線34に出力されるデータ信号をVx[j]と表記する。
The data line driving
ここで、第i行の第j列目に位置する画素回路Pに対してデータ信号Vxが供給される場合を想定する。この場合、データ線駆動回路44は、走査線駆動回路42が第i行の走査線32を選択するタイミングに同期して、当該画素回路Pに対して指定された階調(「指定階調」)に応じた大きさの電圧信号をデータ信号Vx[j]として第j列目のデータ線34に出力する。また、データ線駆動回路44は、必要に応じて総てのデータ線34をハイインピーダンスにする機能も有している。
Here, it is assumed that the data signal Vx is supplied to the pixel circuit P located in the i-th row and the j-th column. In this case, the data
当該データ信号Vx[j]は、オン状態の選択スイッチTs(図2参照)を介して、当該画素回路Pのメモリー回路25の入力端子N1に供給され、メモリー回路25の内容が指定階調にプログラムされる。これにより、当該画素回路Pの電気泳動素子50の両端間の電圧(画素電極51と共通電極52との間の電圧)が、当該画素回路Pの指定階調に応じた値に設定される。
The data signal Vx [j] is supplied to the input terminal N1 of the
このように、駆動部40は、第i行の走査線32を選択すると共に、第i行の第j列目に位置する画素回路Pの指定階調に応じた大きさのデータ信号Vx[j]を第j列目のデータ線34に出力する。この動作を、当該画素回路Pに対するデータ信号Vx[j]の書込動作と称する。
In this way, the
図7は、データ線駆動回路44の一構成例を示す図である。同図に示すように、データ線駆動回路44は、シフトレジスター44−1と第1ラッチ回路44−2と第2ラッチ回路44−3とを備える。
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of the data line driving
シフトレジスター44−1は、制御回路20から供給されたクロック信号CKに従って、スタートパルスSPをシフトして、第1列のデータ線34に対応する1段目から、第n列のデータ線34に対応するn段目まで、順次、サンプリング信号s1〜snを出力する。
The shift register 44-1 shifts the start pulse SP according to the clock signal CK supplied from the
第1ラッチ回路44−2は、サンプリング信号s1〜snが入力された段から順次、当該サンプリング信号s1〜snに対応する期間、映像信号VIDEOを取り込み、第2ラッチ回路44−3へ出力する。なお、映像信号VIDEOは、制御回路20から第1ラッチ回路44−2へ供給される。
The first latch circuit 44-2 sequentially takes in the video signal VIDEO for a period corresponding to the sampling signals s1 to sn from the stage where the sampling signals s1 to sn are input, and outputs them to the second latch circuit 44-3. The video signal VIDEO is supplied from the
第2ラッチ回路44−3は、ラッチパルスLATがアクティブになるタイミングで、第1ラッチ回路44−2の各段から供給された映像信号VIDEO(データ信号Vx[1]〜Vx[n])を取り込んで保持し、一行分のデータ信号Vx[1]〜Vx[n]を、第1列から第n列のデータ線34に同時に供給する。
The second latch circuit 44-3 receives the video signal VIDEO (data signals Vx [1] to Vx [n]) supplied from each stage of the first latch circuit 44-2 at the timing when the latch pulse LAT becomes active. The data signals Vx [1] to Vx [n] for one row are simultaneously supplied from the first column to the
詳細には、制御回路20による制御で、例えば、i行目に対応する一行分のデータ信号Vx[1]〜Vx[n]を映像信号VIDEOから第1ラッチ回路44−2に取り込んだ後、ラッチパルスLATをアクティブにして、i行に対応した一行分のデータ信号Vx[1]〜Vx[n]を、第1列から第n列のデータ線34に同時に供給する。これと同期して、走査線駆動回路42は走査信号Gw[i]をアクティブレベルにする。
これによりi行上の全画素回路Pのメモリー回路25が指定階調にプログラムされる。
Specifically, under the control of the
As a result, the
以下、枝電源線選択回路80の構成及び動作について説明する。
図1に示すように、電源線スイッチ回路の一例としての枝電源線選択回路80は、ゲート部が各走査線32に接続された選択スイッチTraと、各選択スイッチTraのドレイン側に接続されたコンデンサーC1と、ドレイン側が各第1枝電源線63に接続された第1枝電源線選択スイッチTrbと、ドレイン側が各第2枝電源線64に接続された第2枝電源線選択スイッチTrcとを備えている。
The configuration and operation of the branch power supply
As shown in FIG. 1, the branch power supply
メモリースイッチング素子の一例としての選択スイッチTraは、N−MOSで構成されている。選択スイッチTraのゲート部には走査線32、ソース側には電源線選択信号線の一例としての信号線60、ドレイン側には電源線メモリー回路の一例としてのコンデンサーC1及び第1枝電源線選択スイッチTrbと第2枝電源線選択スイッチTrcのゲート部がそれぞれ接続されている。選択スイッチTraは、信号線60とコンデンサーC1とを接続させることによって、コンデンサーC1の電圧を信号線60の電圧VSELに設定するために用いられる。
The selection switch Tra as an example of the memory switching element is configured by an N-MOS. A
第1枝電源線選択スイッチTrbは、N−MOSで構成されている。第1枝電源線選択スイッチTrbのゲート部にはコンデンサーC1、ソース側には第1幹電源線61、ドレイン側には第1のトランスファーゲート36のソース側がそれぞれ接続されている。第1枝電源線選択スイッチTrbは、第1幹電源線61と第1枝電源線63とを接続させることによって、第1のトランスファーゲート36を介して画素電極51の電圧を第1幹電源線61の電圧VEPS0に設定するために用いられる。
The first branch power line selection switch Trb is composed of an N-MOS. A capacitor C1 is connected to the gate portion of the first branch power supply line selection switch Trb, the first trunk
第2枝電源線選択スイッチTrcは、N−MOS(Negative Metal Oxide Semiconductor)で構成されている。第2枝電源線選択スイッチTrcのゲート部にはコンデンサーC1、ソース側には第2幹電源線62、ドレイン側には第2のトランスファーゲート37のソース側がそれぞれ接続されている。第2枝電源線選択スイッチTrcは、第2幹電源線62と第2枝電源線64とを接続させることによって、第2のトランスファーゲート37を介して画素電極51の電圧を第2幹電源線62の電圧VEPS1に設定するために用いられる。
The second branch power line selection switch Trc is configured by an N-MOS (Negative Metal Oxide Semiconductor). A capacitor C1 is connected to the gate portion of the second branch power supply line selection switch Trc, the second trunk
次に、本実施形態に係る電気泳動表示装置100の駆動方法について図面を参照して説明する。図9は電気泳動表示装置100の駆動方法に係るタイミングチャートである。このタイミングチャートにおいては、初期設定期間、プログラム期間、駆動期間、及び表示保持期間が含まれる。なお、以下の説明においては、図8に示すように、表示部30の一部の行(以下、部分行と称する。)においてアルファベットの「A」の文字が表示されており、当該部分行における表示をアルファベットの「B」の文字に変更する場合について説明する。つまり、この例では、当該部分行以外の行における表示はどのような表示であってもよく、かつ変更されない。ここで、本実施形態で使用する2つ電圧の内、低い電圧を基準(0V)として電圧VLと称し、高い電圧を電圧VHと称することにする。
Next, a driving method of the
[初期設定期間]
図9に示すように、初期設定期間ST1においては、制御回路20は信号線60の電圧VSELとして電圧VLを印加し、走査線駆動回路42を制御して総ての走査線32に電圧VHを供給させる。その結果、総ての選択スイッチTraがオン状態となり、信号線60の電圧VSEL、すなわち、電圧VLが総てのコンデンサーC1に印加され、コンデンサーC1の電圧は電圧VLとなる。なお、図9において、C1[1]〜C1[m]における括弧内の数字及び文字は、第何番目の行の走査線32に接続されたコンデンサーC1であるかを示している。したがって、例えばC1[1]〜C1[m]と記載した場合には、1行目の走査線32に接続されたコンデンサーC1から、m行目の走査線32に接続されたコンデンサーC1までを示している。総ての行のコンデンサーC1の電圧が電圧VLになることにより、第1枝電源線選択スイッチTrb及び第2枝電源線選択スイッチTrcはいずれもオフ状態となり、第1幹電源線61と第1枝電源線63とは電気的に遮断され、かつ、第2幹電源線62と第2枝電源線64とは電気的に遮断される。なお、初期設定期間ST1は1ミリ秒以下の非常に短い期間である。
[Initial setting period]
As shown in FIG. 9, in the initial setting period ST1, the
[プログラム期間]
表示の変更を行う場合には、画素メモリー回路としてのメモリー回路25の内容を書き換える必要がある。そこで、制御回路20は、メモリー回路25における内容の書き換えの有無を判定し、内容の書き換えのあるメモリー回路25に対応する行を部分行として特定する。そして、制御回路20は、図9に示すように、プログラム期間ST2においては、制御回路20は信号線60の電圧VSELとして電圧VHを印加し、走査線駆動回路42を制御して前記部分行の走査線32のみにハイレベルの電圧VHを1行ずつ順次供給する。なお、この例では、1行目からj行目までが部分行であると仮定して説明を行う。つまり、図8に示すアルファベットの「A」および「B」の文字を表示する行が、1行目からj行目までの行であるとする。また、制御回路20は、走査線駆動回路42を制御して、部分行以外の行、つまり、この例では、j+1行目からm行目までの走査線32には電圧VLが供給され続ける。また、制御回路20は、データ線駆動回路44を制御して、前記部分行の走査線32に電圧VHを1行ずつ順次供給する。これと同期して、当該部分行の各画素回路Pに対応するデータ線34に対して、各画素回路Pにおいて表示させる画像に対応するデータ信号を出力させる。つまり、データ線駆動回路44は、アルファベットの「B」の文字を表示するために黒色を表示させる画素回路Pに対応するデータ線34には電圧VLのデータ信号を供給し、アルファベットの「B」の文字を表示するために白色を表示させる画素回路Pに対応するデータ線34には電圧VHのデータ信号を供給することになる。
[Program period]
When changing the display, it is necessary to rewrite the contents of the
1行目からj行目までの部分行の走査線32に電圧VHが順次供給されることにより、1行目からj行目までの走査線32に接続された画素回路P内の選択スイッチTsはオン状態となり、当該選択スイッチTsに接続されたデータ線34の電圧が当該選択スイッチTsに接続されたメモリー回路25に書き込まれる。つまり、黒色を表示させる画素回路Pにおいては電圧VLのデータ信号がメモリー回路25に書き込まれ、白色を表示させる画素回路Pにおいては電圧VHのデータ信号がメモリー回路25に書き込まれる。
By sequentially supplying the voltage VH to the
その結果、メモリー回路25に電圧VLのデータ信号が書き込まれた場合には、当該メモリー回路25に接続されたトランスファーゲートのうち、第1のトランスファーゲート36がオン状態となり、第2のトランスファーゲート37はオフ状態となる。したがって、第1枝電源線63が第1のトランスファーゲート36を介して画素電極51と導通状態になる。また、メモリー回路25に電圧VHが書き込まれた場合には、当該メモリー回路25に接続されたトランスファーゲートのうち、第2のトランスファーゲート37がオン状態となり、第1のトランスファーゲート36はオフ状態となる。したがって、第2枝電源線64が第2のトランスファーゲート37を介して画素電極51と導通状態になる。
As a result, when a data signal having a voltage VL is written to the
また、制御回路20は、前記部分行については第1幹電源線及び第2幹電源線と第1枝電源線及び第1枝電源線とを接続させ、前記部分行以外の行については第1幹電源線及び第2幹電源線と第1枝電源線及び第1枝電源線とを遮断させる。つまり、前記部分行の走査線32に電圧VHが供給されることにより、当該走査線32に接続された選択スイッチTraがオン状態となり、当該選択スイッチTraに接続された信号線60の電圧VSEL、すなわち、電圧VHが当該選択スイッチTraに接続されたコンデンサーC1に印加される。その結果、当該コンデンサーC1の電圧は電圧VHになる。この例では、コンデンサーC1[1]〜C1[j]の電圧が電圧VHとなる。したがって、当該コンデンサーC1[1]〜C1[j]に接続された第1枝電源線選択スイッチTrb及び第2枝電源線選択スイッチTrcはいずれもオン状態となり、第1幹電源線61と第1枝電源線63とは電気的に接続され、かつ、第2幹電源線62と第2枝電源線64とは電気的に接続される。このように、前記部分行に対応する第1枝電源線63と第2枝電源線64とが、それぞれ第1幹電源線61と第2幹電源線62とに電気的に接続されることになる。
The
一方、前記部分行以外の走査線32には電圧VLが供給されるので、当該走査線32に接続された選択スイッチTraはオフ状態となり、当該選択スイッチTraに接続されたコンデンサーC1の電圧は電圧VLを維持する。この例では、コンデンサーC1[j+1]〜C1[m]の電圧が電圧VLを維持する。したがって、当該コンデンサーC1[j+1]〜C1[m]に接続された第1枝電源線選択スイッチTrb及び第2枝電源線選択スイッチTrcはいずれもオフ状態となり、第1幹電源線61と第1枝電源線63とは電気的に遮断され、かつ、第2幹電源線62と第2枝電源線64とは電気的に遮断される。このように、前記部分行以外の行に対応する第1枝電源線63と第2枝電源線64とが、それぞれ第1幹電源線61と第2幹電源線62とに電気的に遮断されることになる。
On the other hand, since the voltage VL is supplied to the
[駆動期間]
次に、図9に示すように、駆動期間ST3においては、制御回路20は第1幹電源線61の電圧VEPS0として電圧VLを印加し、第2幹電源線62の電圧VEPS1として電圧VEPHを印加する。ここで、電圧VEPHは電圧VHより低い電圧となっている。これは、枝電源線選択スイッチTrb、Trcのゲート電圧から枝電源線選択スイッチTrb、Trcの閾電圧分低くして、枝電源線選択スイッチTrb、Trcがオン状態になれるようにするためである。その結果、前記部分行に対応する第1枝電源線63と第2枝電源線64は、それぞれ第1幹電源線61と第2幹電源線62に電気的に接続されているので、第1行から第j行の第1枝電源線63の電圧VEP0[1]〜電圧VEP0[j]は電圧VLとなり、第2枝電源線64の電圧VEP1[1]〜電圧VEP1[j]は電圧VEPHとなる。なお、電圧VEP0[1]〜電圧VEP0[j]および電圧VEP1[1]〜電圧VEP1[j]と記載した場合の括弧の中の数字および文字は、第何番目の行の第1枝電源線63および第2枝電源線64の電圧であるかを示している。上述したように、黒色を表示させる画素回路Pにおいては、第1枝電源線63の電圧VEP0が第1のトランスファーゲート36を介して画素電極51に印加されるので、電圧VLが画素電極51に印加される。また、白色を表示させる画素回路Pにおいては、第2枝電源線64の電圧VEP1が第2のトランスファーゲート37を介して画素電極51に印加されるので、電圧VEPHが画素電極51に印加される。
[Driving period]
Next, as shown in FIG. 9, in the driving period ST3, the
また、駆動期間ST3においては、各画素回路Pの共通電極52には、制御回路20により図9に示すような電圧VLと電圧VEPHを所定の周期で繰り返すパルス状の信号が入力される。このような駆動方法を本願においては「コモン振り駆動」と呼ぶ。また、コモン振り駆動の定義としては、駆動期間において、共通電極52に電圧VEPHと電圧VLとを繰り返すパルス状の信号が少なくとも1周期以上印加される駆動方法のことである。コモン振り駆動によれば、黒色粒子と白色粒子をより確実に所望の電極に泳動させることができるため、コントラストを高めることができる。つまり、黒色を表示させる画素回路Pにおいては、電圧VLが画素電極51に印加されているので、共通電極52の電圧Vcomが電圧VLの期間には画素電極51と共通電極52の間に電位差は発生せず、電気泳動素子50の黒色粒子56及び白色粒子55の泳動は起こらない。しかし、共通電極52の電圧Vcomが電圧VEPHの期間には画素電極51と共通電極52の間に大きな電位差が発生し、電気泳動素子50の負帯電の黒色粒子56は共通電極52側に泳動し、正帯電の白色粒子55は画素電極51側に泳動する。その結果、当該画素回路Pにおいては黒色が表示される。
Further, in the driving period ST3, a pulse signal that repeats the voltage VL and the voltage VEPH as shown in FIG. 9 at a predetermined cycle is input to the
さらに、白色を表示させる画素回路Pにおいては、電圧VEPHが画素電極51に印加されているので、共通電極52の電圧Vcomが電圧VEPHの期間には画素電極51と共通電極52の間に電位差は発生せず、電気泳動素子50の黒色粒子56及び白色粒子55の泳動は起こらない。しかし、共通電極52の電圧Vcomが電圧VLの期間には画素電極51と共通電極52の間に大きな電位差が発生し、電気泳動素子50の負帯電の黒色粒子56は画素電極51側に泳動し、正帯電の白色粒子55は共通電極52側に泳動する。その結果、当該画素回路Pにおいては白色が表示される。
Further, in the pixel circuit P that displays white, since the voltage VEPH is applied to the
一方、前記部分行以外の行に対応する第1枝電源線63と第2枝電源線64は、それぞれ第1幹電源線61と第2幹電源線62に電気的に遮断されているので、ハイインピーダンス状態となり、ひいては第1枝電源線63または第2枝電源線64のいずれかと導通状態となっている画素電極51もハイインピーダンス状態となるため、当該画素電極51と共通電極52間には電場が発生せず、電気泳動素子50の黒色粒子56及び白色粒子55の泳動は起こらない。したがって、前記部分行以外の行における表示は変化しない。
On the other hand, the first
[表示保持期間]
次に、図9に示すように、表示保持期間ST4においては、制御回路20は、次の表示内容の書き換えまで、共通電極52の電圧Vcom、第1枝電源線63の電圧VEP0、及び第2枝電源線64の電圧VEP1を、総て電圧VLに設定する。したがって、表示保持期間ST4においては、前記部分行に対応する画素回路Pの画素電極51と共通電極52には共に電圧VLが印加されることになり、電位差は生じない。この場合には、電気泳動素子50の保持性能により前記部分行の表示が保持される。前記部分行以外の行に対応する第1枝電源線63と第2枝電源線64は、それぞれ第1幹電源線61と第2幹電源線62に電気的に遮断されたままなので、表示保持期間ST4においても表示は変化しない。
[Display retention period]
Next, as shown in FIG. 9, in the display holding period ST4, the
以上のように、本発明においては、画素メモリー回路としてのメモリー回路25に記憶された内容に応じて、画素電極スイッチ回路としてのスイッチ回路35により第1枝電源線63及び第2枝電源線64と画素電極51との接続状態を切り替える。また、電源線スイッチ回路としての枝電源線選択回路80により、第1幹電源線61及び第2幹電源線と各行ごとの第1枝電源線63及び第2枝電源線64との接続状態をそれぞれ選択する。そして、電源線スイッチ回路としての枝電源線選択回路80は制御回路20により制御される。つまり、制御回路20は、画素メモリー回路としてのメモリー回路25に記憶された内容の書き換えの有無に対応して第1幹電源線61及び第2幹電源線62と第1枝電源線63及び第2枝電源線64とを各行ごとに遮断または接続させる。具体的には、画素メモリー回路としてのメモリー回路25に記憶された内容が書き換えられる前記部分行においては、選択スイッチTraがオン状態とされて第1幹電源線61及び第2幹電源線62と第1枝電源線63及び第2枝電源線64とが接続され、当該部分行においてはデータ信号に従った表示に変更される。その結果、表示部30におけるアルファベットの「A」の文字の表示は、アルファベットの「B」の文字の表示に変更される。しかし、画素メモリー回路としてのメモリー回路25に記憶された内容の書き換えが行われない前記部分行以外の行においては、選択スイッチTraがオフ状態されて第1幹電源線61及び第2幹電源線62と第1枝電源線63及び第2枝電源線64とが遮断され、当該行の画素回路Pには電圧が印加されず表示は変化しない。
As described above, in the present invention, the first
(比較例)
次に、本発明の実施形態と比較される比較例について説明する。図30に示す比較例は、従来の電気泳動表示装置500の主要構成を示す図である。同図に示すように、電気泳動表示装置500は、電気泳動パネル510と、制御回路20と、を備える。電気泳動パネル510の構成は、第1実施形態の電気泳動パネル10の構成とほぼ同様であるが、電気泳動パネル510には、枝電源線選択回路80が設けられていない。つまり、電気泳動パネル510においては、第1幹電源線61と第1枝電源線63、及び、第2幹電源線62と第2枝電源線64は、常に電気的に接続されている。
(Comparative example)
Next, the comparative example compared with embodiment of this invention is demonstrated. The comparative example shown in FIG. 30 is a diagram showing a main configuration of a conventional electrophoretic display device 500. As shown in the figure, the electrophoretic display device 500 includes an
図31は、比較例の画素回路Pの構成例を示す図である。図31に示すように、比較例の画素回路Pの構成は、第1実施形態の画素回路Pの構成例と同様であり、図2に示す第1実施形態の画素回路Pとの共通箇所は同一符号を付してある。 FIG. 31 is a diagram illustrating a configuration example of the pixel circuit P of the comparative example. As shown in FIG. 31, the configuration of the pixel circuit P of the comparative example is the same as the configuration example of the pixel circuit P of the first embodiment, and common points with the pixel circuit P of the first embodiment shown in FIG. The same reference numerals are given.
比較例においては、第1幹電源線61と第1枝電源線63、及び、第2幹電源線62と第2枝電源線64が常に電気的に接続されているので、前記部分行だけを書き換えるために第1幹電源線61の電圧VEPS0を電圧VL、第2幹電源線62の電圧VEPS1を電圧VEPHに設定すると、前記部分行における第1枝電源線63の電圧VEP0と第2枝電源線64の電圧VEP1だけでなく、前記部分行以外の行の第1枝電源線63の電圧VEP0と第2枝電源線64の電圧VEP1も、それぞれ第1幹電源線61の電圧VEPS0と第2幹電源線62の電圧VEPS1に設定される。その結果、上述した本発明の実施形態と異なり、駆動期間では、前記部分行だけでなく、前記部分行以外の行における画素回路Pの画素電極51に電圧が印加される。したがって、比較例においては、前記部分行以外の行における表示が変化しないように、メモリー回路25に書き込むデータ信号、第1枝電源線63の電圧VEP0、第2枝電源線64の電圧VEP1、及び共通電極52の電圧Vcomを設定する必要がある。
In the comparative example, the first trunk
前記部分行以外の行における表示を変化させないためには、プログラム期間では、前記部分行以外の行における画素回路Pのメモリー回路25に、現在の表示に用いられたデータ信号と同じデータ信号を書き込み、駆動期間では、上述した実施形態と同様にコモン振り駆動により現在の表示を維持することも考えられる。しかしながら、このような処理では、消費電力が増大し、制御も複雑になってしまう。そこで、比較例では、アルファベットの「A」の表示から「B」の表示に変化させる際に、前記部分行で白色を表示し続ける画素回路Pと、前記部分行以外の行の画素回路Pとにおいては、画素電極51と共通電極52に同じ電圧を印加することにより電気泳動素子50の黒色粒子及び白色粒子を泳動させずに表示を変化させない駆動方法を採用する。したがって、比較例では、前記部分行で白色を表示している画素回路Pを黒色に直接変化させるのではなく、アルファベットの「A」の文字を表示していた前記部分行の表示を、一旦総て白色の表示とする。そして、アルファベットの「B」の文字を表示させる際に、黒色を表示させる画素回路Pでは画素電極51と共通電極52との間に電位差を生じさせ、アルファベットの「A」から「B」に変化させる際にも白色の表示を維持する画素回路Pと、前記部分行以外の行の画素回路Pとにおいては、画素電極51と共通電極52に同じ電圧を印加することにより電気泳動素子50の黒色粒子及び白色粒子の泳動させずに表示を変化させない。
In order not to change the display in the rows other than the partial row, in the program period, the same data signal as the data signal used for the current display is written in the
以下、比較例の電気泳動表示装置500の具体的な駆動方法について図面を参照して説明する。図32は電気泳動表示装置500の駆動方法に係るタイミングチャートである。このタイミングチャートにおいては、第1プログラム期間、第1駆動期間、第2プログラム期間、第2駆動期間、及び表示保持期間が含まれる。以下の駆動方法の説明は、上述した本発明の実施形態と同様に、表示部30前記部分行においてアルファベットの「A」の文字が表示されており、当該部分行における表示をアルファベットの「B」の文字に変更する場合について説明する。比較例においても当該部分行以外の行における表示は変更されない。
Hereinafter, a specific driving method of the electrophoretic display device 500 of the comparative example will be described with reference to the drawings. FIG. 32 is a timing chart according to the driving method of the electrophoretic display device 500. This timing chart includes a first program period, a first drive period, a second program period, a second drive period, and a display holding period. In the following description of the driving method, as in the embodiment of the present invention described above, the letter “A” of the alphabet is displayed in the partial line of the
[第1プログラム期間]
前記部分行にアルファベットの「A」の文字が表示された状態において、第1プログラム期間では、総て前記部分行のアルファベットの「A」の黒色を表示している画素回路Pのメモリー回路25を電圧VLでプログラムし、「A」の黒色以外の画素回路Pと前記部分行以外の画素回路Pのメモリー回路25を電圧VHでプログラムする。
[First program period]
In the state in which the letter “A” of the alphabet is displayed in the partial row, the
[第1駆動期間]
図32に示すように、第1駆動期間ST3aにおいては、制御回路20は第1幹電源線61に電圧VEPS0として電圧VEPHを印加し、第2幹電源線62の電圧VEPS1として電圧VLを印加する。また、制御回路20は共通電極52の電圧Vcomとして電圧VLを印加する。その結果、黒色を表示していた画素回路Pの画素電極51には電圧VEPHが印加される。したがって、電気泳動素子50の負帯電の黒色粒子56は画素電極51側に泳動し、正帯電の白色粒子55は共通電極52側に泳動する。その結果、当該画素回路Pにおいては黒色から白色に表示が変化することになる。
[First driving period]
As shown in FIG. 32, in the first drive period ST3a, the
一方、白色を表示していた画素回路P及び前記部分行以外の行の画素回路Pの画素電極51には電圧VLが印加される。したがって、画素電極51と共通電極52は同電位となり、電気泳動素子50の黒色粒子56及び白色粒子55は泳動せず、表示が変化しない。以上のような駆動を行うことにより、前記部分行の表示は総て白色の表示となり、前記部分行以外の行の表示は変化しない。
On the other hand, the voltage VL is applied to the
[第2プログラム期間]
第2プログラム期間ST2bにおいては、前記部分行のアルファベットの「B」の黒色を表示している画素回路Pのメモリー回路25を電圧VLでプログラムし、「B」の黒色以外の画素回路Pと前記部分行以外の総ての画素回路Pのメモリー回路25を電圧VHでプログラムする。
[Second program period]
In the second program period ST2b, the
[第2駆動期間]
図32に示すように、第2駆動期間ST3bにおいては、制御回路20は第1幹電源線61に電圧VEPS0として電圧VLを印加し、第2幹電源線62に電圧VEPS1として電圧VEPHを印加する。また、制御回路20は共通電極52に電圧Vcomとして電圧VEPHを印加する。その結果、黒色に対応する位置の画素回路Pの画素電極51には電圧VLが印加される。したがって、電気泳動素子50の正帯電の白色粒子55は画素電極51側に泳動し、負帯電の黒色粒子56は共通電極52側に泳動する。その結果、当該画素回路Pにおいては白色から黒色に表示が変化することになる。
[Second driving period]
As shown in FIG. 32, in the second drive period ST3b, the
一方、白色に対応する位置の画素回路P及び前記部分行以外の行の画素回路Pの画素電極51には電圧VEPHが印加される。したがって、画素電極51と共通電極52は同電位となり、電気泳動素子50の黒色粒子56及び白色粒子55は泳動せず、表示が変化しない。以上のような駆動を行うことにより、前記部分行の表示は総て白色の状態から、アルファベットの「B」の文字を表示する状態に変化し、前記部分行以外の行の表示は変化しない。このようにして、前記部分行のみの表示の書き換えが行われることになる。
On the other hand, the voltage VEPH is applied to the pixel circuit P in the position corresponding to white and the
以上のような比較例と本発明の第1実施形態とを比較すると明らかなように、前記部分行の表示の書き換えを行う際に、比較例では、第1幹電源線61と第1枝電源線63、及び第2幹電源線62と第2枝電源線64が総ての行において常に電気的に接続されているため、総ての画素回路Pにおけるプログラムと駆動制御とが必要となる。その結果、前記部分行を一旦総て白色に表示しつつ、白色を表示し続ける画素回路Pと前記部分行以外の行の画素回路Pの表示を変化させない工程が必要となり、2つのプログラム期間と2つの駆動期間が必要となる。これに対して、本発明の第1実施形態では、前記部分行の表示の書き換えを行う際には、前記部分行以外の行における第1枝電源線63と第2枝電源線64は、第1幹電源線61と第2幹電源線62とからそれぞれ電気的に遮断されるので、前記部分行以外の行の表示に影響を与えることなく、前記部分行において、現在の表示を次の表示に直接書き換えることができ、1つのプログラム期間と1つの駆動期間が済む。第1実施形態では、初期設定期間が必要となるが、初期設定期間は極めて短い期間なので問題とならない。したがって、本発明によれば、前記部分行の表示の書き換え時間を大幅に短縮することができる。その結果、本発明は消費電力の大幅な低減も図ることができる。
As is clear from the comparison between the comparative example as described above and the first embodiment of the present invention, when the display of the partial row is rewritten, in the comparative example, the first trunk
<第2実施形態>
図10は第2実施形態の電気泳動表示装置における1行分の画素回路P及び枝電源線選択回路80の構成を示す図である。
Second Embodiment
FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of the pixel circuit P and the branch power supply
以下、第2実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。 Hereinafter, although the second embodiment will be described, the description will focus on the differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
図10に示すように、電源線スイッチ回路の一例としての枝電源線選択回路80を、トランスファーゲート90、91と、電源線メモリー回路の一例としてのメモリー回路92と、メモリースイッチング素子の一例としての選択スイッチTraとにより構成してもよい。この例では、コンデンサーC1の代わりにメモリー回路92が設けられ、第1枝電源線選択スイッチTrb及び第2枝電源線選択スイッチTrcの代わりに、トランスファーゲート90、91が用いられている。この回路では、信号線60の電圧VSELが電圧VHの時に、メモリー回路92に電圧VHが書き込まれ、トランスファーゲート90、91がオン状態となり、第1枝電源線63及び第2枝電源線64が第1幹電源線61及び第2幹電源線62と接続される。しかし、信号線60の電圧VSELが電圧VLの時に、メモリー回路92に電圧VLが書き込まれ、トランスファーゲート90、91がオフ状態となり、第1枝電源線63及び第2枝電源線64は第1幹電源線61及び第2幹電源線62から遮断される。
As shown in FIG. 10, a branch power
このように構成した場合でも、書き換えを行う部分行のみにおいて第1幹電源線61及び第2幹電源線62と第1枝電源線63及び第2枝電源線64を接続し、部分行以外の行においては第1幹電源線61及び第2幹電源線62と第1枝電源線63及び第2枝電源線64とを遮断することができる。
Even in such a configuration, the first trunk
この構成にすることで、第1幹電源線61及び第2幹電源線62に供給する電圧VEHの上限を電圧VHまで上げることが出来る。すると、画素電極51と共通電極52間の電場強度を高めることが出来、より高速書き換えが可能となる。
見方をかえると、電圧VHを低電圧化できるので低消費電力化が図れる。
With this configuration, the upper limit of the voltage VEH supplied to the first trunk
In other words, since the voltage VH can be lowered, the power consumption can be reduced.
また、本実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Also according to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be exhibited.
<第3実施形態>
図11は第3実施形態の電気泳動表示装置における1行分の各画素回路P及び枝電源線選択回路80の構成を示す図である。
<Third Embodiment>
FIG. 11 is a diagram showing a configuration of each pixel circuit P and branch power supply
以下、第3実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。 In the following, the third embodiment will be described. The description will focus on the differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
第1実施形態では、前記部分行以外の行の第1枝電源線63及び第2枝電源線64を第1幹電源線61及び第2幹電源線62から遮断していた。この構成では、リーク電流等で前記部分行以外の行の画素回路Pの画素電極51にも何らかの電圧が印加されて、画素の表示色を変化させることも考えられる。
In the first embodiment, the first branch
そこで、本実施形態では、前記部分行以外の行の第1枝電源線63及び第2枝電源線64を第1幹電源線61及び第2幹電源線62から遮断すると同時に、共通電極52の電源線65と接続する接続回路の一例としての枝電源線接続回路81を設ける。
Therefore, in the present embodiment, the first branch
例えば、図11に示すように、抵抗器93,94により枝電源線接続回路81を構成し、共通電極52の電源線65と接続する。このように構成することにより、前記部分行以外の行における第1枝電源線63及び第2枝電源線64は、第1幹電源線61及び第2幹電源線62から遮断されると共に、枝電源線接続回路81により抵抗器93,94を介して共通電極52の電源線65と接続される。したがって、画素電極51は共通電極52と同電位となり、前記部分行以外の行における表示は変化することがない。
For example, as shown in FIG. 11, the branch power supply
図11に示す回路構成では、消費電流が増えるので、図12に示すように、枝電源線接続回路81を構成してもよい。図12に示す例では、枝電源線接続回路81は、選択スイッチTrd、第1枝電源線接続スイッチTre、第2枝電源線接続スイッチTrfから構成されている。またこの例では、インバーター95により信号線60の電圧VSELを反転させた電圧が印加される信号線66を備えている。
Since the current consumption increases in the circuit configuration shown in FIG. 11, the branch power supply
選択スイッチTrdは、N−MOSで構成されている。選択スイッチTrdのゲート部には走査線32に接続され、ソース側には信号線66、ドレイン側にはコンデンサーC2と、接続スイッチTre、Trfのゲート部が接続されている。選択スイッチTrdは、信号線66とコンデンサーC2とを接続させることによって、コンデンサーC2の電圧を信号線66の電圧、つまり、信号線60の電圧VSELを反転させた電圧に設定するために用いられる。
The selection switch Trd is composed of an N-MOS. A gate portion of the selection switch Trd is connected to the
接続スイッチTre、Trfは、N−MOSで構成されている。接続スイッチTre、Trfのゲート部にはコンデンサーC2、ソース側には共通電極52の電源線65、ドレイン側にはそれぞれ第1枝電源線63と第2枝電源線64が接続されている。接続スイッチTre、Trfは、第1枝電源線63と第2枝電源線64が第1幹電源線61及び第2幹電源線62から遮断された際に、第1枝電源線63と第2枝電源線64と共通電極52の電源線65とを接続するために用いられる。このように構成することにより、前記部分行以外の行における第1枝電源線63及び第2枝電源線64は、第1幹電源線61及び第2幹電源線62から遮断されると共に、枝電源線接続回路81により共通電極52の電源線65と接続される。したがって、画素電極51は共通電極52と同電位となり、前記部分行以外の行における表示は変化することがない。
The connection switches Tre and Trf are composed of N-MOS. A capacitor C2 is connected to the gates of the connection switches Tre and Trf, a
また、第2実施形態のように、枝電源線選択回路80が、トランスファーゲート90、91と、メモリー回路92と、選択スイッチTraとにより構成されている場合には、図13に示すように、枝電源線接続回路81を、トランスファーゲート96、97により構成してもよい。この回路では、信号線60の電圧VSELが電圧VHの時に、メモリー回路92に電圧VHが書き込まれ、トランスファーゲート90、91がオン状態となり、第1枝電源線63及び第2枝電源線64が第1幹電源線61及び第2幹電源線62と接続される。しかし、信号線60の電圧VSELが電圧VLの時に、メモリー回路92に電圧VLが書き込まれ、トランスファーゲート90、91がオフ状態となり、第1枝電源線63及び第2枝電源線64は第1幹電源線61及び第2幹電源線62から遮断される。しかし、メモリー回路92に電圧VLが書き込まれた際には、トランスファーゲート96、97がオン状態となり、第1枝電源線63及び第2枝電源線64は共通電極52の電源線65と接続される。したがって、画素電極51は共通電極52と同電位となり、前記部分行以外の行における表示は変化することがない。
Further, as in the second embodiment, when the branch power
以上のように、本実施形態によれば、前記部分行以外の行の第1枝電源線63及び第2枝電源線64を第1幹電源線61及び第2幹電源線62から遮断される際においても、枝電源線接続回路81により第1幹電源線61及び第2幹電源線62を共通電極52の電源線65と接続するので、画素電極51と共通電極52と同電位となり、前記部分行以外の行における表示の変化をより確実に防止することができる。
As described above, according to the present embodiment, the first branch
また、本実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Also according to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be exhibited.
<変形例>
以下、変形例について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
<Modification>
Hereinafter, although a modification is demonstrated, it demonstrates centering around difference with embodiment mentioned above, and abbreviate | omits the description about the same matter.
(変形例1)
上述した第1実施形態においては、初期設定期間で信号線60の電圧VSELを電圧VLとし、走査線駆動回路42で総ての走査線32を選択して、各行のコンデンサーC1を電圧VLにリセットしている。この時、全画素回路内の選択スイッチTsがオン状態となり、同列の全画素回路Pのメモリー回路25の入力兼出力端子が選択スイッチTsのソース側に電気的に接続されることになり、各メモリー回路25の内容次第では、不必要な消費電流が発生する場合がある。
(Modification 1)
In the first embodiment described above, the voltage VSEL of the
これを回避するために図14に示すような回路構成で全行のコンデンサーC1を電圧VLにリセットしても良い。すなわち、コンデンサーC1の両端に選択スイッチTrgのソースとドレインを接続し、この選択スイッチTrgのゲートにリセット信号線67から電圧VHのリセット信号を入力すれば良い。このようにすれば、走査線駆動回路42で総ての走査線32を非選択の状態で、コンデンサーC1をリセットすることができる。なお、信号線60の電圧VSELは任意でよい。なお、図11及び図12に示す第3実施形態の回路に選択スイッチTrgによるリセット回路を設けてもよい。
In order to avoid this, the capacitors C1 in all rows may be reset to the voltage VL with a circuit configuration as shown in FIG. That is, the source and the drain of the selection switch Trg are connected to both ends of the capacitor C1, and a reset signal of the voltage VH is input from the
また、図10及び図13に示すように、コンデンサーC1の代わりにメモリー回路92を用いた場合には、図15に示すように、選択スイッチTrhを用いてメモリー回路92の内容を電圧VLにリセットするようにしてもよい。この例では、選択スイッチTrhのソースがメモリー回路92の入力兼出力端子に接続され、ゲート部がリセット信号線67に接続され、ドレインが電圧VSSが印加される電源線に接続されている。したがって、初期設定期間にリセット信号線67に電圧VHを印加することにより、選択スイッチTrhがオン状態となり、メモリー回路92の入力兼出力端子は電圧VLとなり、メモリー回路92を電圧VLにリセットすることができる。
10 and 13, when the
(変形例2)
また、初期設定時に画素回路P側にゲート信号が伝わらないように、図16のようにAND回路によるゲートイネーブル回路98を設けても良い。この例では、ゲートイネーブル回路98の一方の入力には走査線32が接続され、他方の入力にはゲートイネーブル線68が接続されている。このような構成において、初期設定期間にゲートイネーブル線68に電圧VLを印加することにより、ゲート信号が画素回路P側に伝わらないようにすることができる。なお、図2に示す第1実施形態の回路、図11乃至図13に示す第3実施形態の回路、及び図15に示す変形例の回路にゲートイネーブル回路98を設けてもよい。
(Modification 2)
Further, a gate enable
(変形例3)
画素回路Pは図17または図18に示すような構成でもよい。図17の例では、それぞれ反転したデータ信号が供給されるデータ線34a、34bを備えており、データ線34a、34bに対応して、選択スイッチも選択スイッチTsa、Tsbが設けられ、画素メモリー回路としてのコンデンサーCa、Cbが選択スイッチTsa、Tsbにそれぞれ接続される。また、駆動トランジスターTdra、TdrbがコンデンサーCa、Cbに接続される。そして、駆動トランジスターTdra、Tdrbのソース側には第1枝電源線63及び第2枝電源線64がそれぞれ接続され、ドレイン側には画素電極51が接続される。
(Modification 3)
The pixel circuit P may be configured as shown in FIG. In the example of FIG. 17,
また、図18に示すように、選択スイッチも選択スイッチTsa、画素メモリー回路としてのコンデンサーCa、駆動トランジスターTdraのみで構成してもよい。この場合には、第1枝電源線63のみが用いられ、第2枝電源線64は不要となる。
In addition, as shown in FIG. 18, the selection switch may be configured only by the selection switch Tsa, the capacitor Ca as the pixel memory circuit, and the drive transistor Tdra. In this case, only the first branch
<第4実施形態>
図19は、本発明の第4実施形態に係る記憶型表示装置の主要構成を示すブロック図である。
<Fourth embodiment>
FIG. 19 is a block diagram showing the main configuration of a memory-type display device according to the fourth embodiment of the present invention.
以下、第4実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。 Hereinafter, the fourth embodiment will be described. The description will focus on the differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
図19に示すように、本実施形態では、枝電源線選択回路80は、複数の単位枝電源線選択回路(単位電源線スイッチ回路)801を備え、表示部30のX方向(行の方向)の一端側および他端側に配置されている。
As shown in FIG. 19, in this embodiment, the branch power supply
単位枝電源線選択回路801は、選択スイッチTraと、コンデンサーC1と、第1枝電源線選択スイッチTrbと、第2枝電源線選択スイッチTrcとを備え、第1実施形態で述べたように接続され、第1幹電源線61と第1枝電源線63との接続状態および第2幹電源線62と第2枝電源線64との接続状態をそれぞれ選択する。
The unit branch power
そして、単位枝電源線選択回路801は、各行において、表示部30のX方向の一端側および他端側にそれぞれ配置されており、その一端側および他端側に配置された2つの単位枝電源線選択回路801は、同一の行の第1枝電源線63および第2枝電源線64に接続されている。
The unit branch power supply
なお、信号線60、第1幹電源線61および第2幹電源線62は、それぞれ、途中で2つに分岐しており、一方は、前記一端側に配置された単位枝電源線選択回路801に接続され、他方は、前記他端側に配置された単位枝電源線選択回路801に接続されている。
The
本実施形態によれば、単位枝電源線選択回路801が、各行において、表示部30のX方向の一端側および他端側にそれぞれ配置されているので、表示部30のX方向における表示むらを解消または軽減することができる。
According to the present embodiment, the unit branch power supply
また、本実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
なお、本実施形態は、他の実施形態や変形例にも適用することができる。
Also according to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be exhibited.
Note that the present embodiment can also be applied to other embodiments and modifications.
<第5実施形態>
図20は、本発明の第5実施形態に係る記憶型表示装置の主要構成を示すブロック図である。
<Fifth Embodiment>
FIG. 20 is a block diagram showing the main configuration of a memory-type display apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.
以下、第5実施形態について説明するが、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。 Hereinafter, the fifth embodiment will be described. The description will focus on the differences from the first embodiment described above, and the description of the same matters will be omitted.
図20に示すように、本実施形態では、枝電源線選択回路80は、複数の単位枝電源線選択回路(単位電源線スイッチ回路)801を備え、表示部30のX方向(行の方向)の一端側および他端側に配置されている。
As shown in FIG. 20, in this embodiment, the branch power supply
単位枝電源線選択回路801は、選択スイッチTraと、コンデンサーC1と、第1枝電源線選択スイッチTrbと、第2枝電源線選択スイッチTrcとを備え、第1実施形態で述べたように接続され、第1幹電源線61と第1枝電源線63との接続状態および第2幹電源線62と第2枝電源線64との接続状態をそれぞれ選択する。
The unit branch power
そして、単位枝電源線選択回路801は、表示部30のX方向の一端側と他端側とに交互に配置されている。すなわち、単位枝電源線選択回路801は、表示部30のX方向の一端側では、1行おきに配置され、他端側では、1行おきで、かつ、前記一端側に対して1行ずらして配置されている。
The unit branch power
なお、信号線60、第1幹電源線61および第2幹電源線62は、それぞれ、途中で2つに分岐しており、一方は、前記一端側に配置された単位枝電源線選択回路801に接続され、他方は、前記他端側に配置された単位枝電源線選択回路801に接続されている。
The
本実施形態によれば、表示部30のX方向における表示むらの方向が1行ごとに逆方向になり、これにより、表示部30のX方向における表示むらが相殺または軽減される。
According to the present embodiment, the direction of display unevenness in the X direction of the
また、本実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Also according to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be exhibited.
なお、本実施形態では、単位枝電源線選択回路801は、表示部30のX方向の一端側と他端側とに1行単位で交互に配置されているが、これに限らず、例えば、1行に1つの単位枝電源線選択回路801を配置する構成例として、単位枝電源線選択回路801を複数行単位(例えば、2行単位)で交互に配置してもよい。また、単位枝電源線選択回路801を規則的に(規則正しく)交互に配置してもよく、また、不規則に交互に配置してもよい。
In the present embodiment, the unit branch power
すなわち、単位枝電源線選択回路801は、表示部30の行の方向の一端側と他端側に配置されており、かつ、1つ(1組)の第1枝電源線63および第2枝電源線64(1つの枝電源線)に対して1つ設けられていればよい。
また、本実施形態は、他の実施形態や変形例にも適用することができる。
That is, the unit branch power supply
The present embodiment can also be applied to other embodiments and modifications.
<第6実施形態>
図21は、本発明の第6実施形態に係る記憶型表示装置の主要構成を示すブロック図である。
<Sixth Embodiment>
FIG. 21 is a block diagram showing the main configuration of a memory-type display device according to the sixth embodiment of the present invention.
以下、第6実施形態について説明するが、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。 Hereinafter, although the sixth embodiment will be described, the description will focus on the differences from the first embodiment described above, and description of similar matters will be omitted.
図21に示すように、本実施形態では、枝電源線選択回路80は、複数の単位枝電源線選択回路(単位電源線スイッチ回路)801を備え、表示部30のX方向(行の方向)の一端側に配置されている。
As shown in FIG. 21, in this embodiment, the branch power supply
単位枝電源線選択回路801は、選択スイッチTraと、コンデンサーC1と、第1枝電源線選択スイッチTrbと、第2枝電源線選択スイッチTrcとを備え、第1実施形態で述べたように接続されている。
The unit branch power
そして、本実施形態では、隣り合う2行分の画素回路Pに対して、1つの単位枝電源線選択回路801が設けられている。
In this embodiment, one unit branch power
この場合、走査線32は、途中で2つに分岐し、分岐後の一方の走査線321は、前記2行のうちの一方に属する画素回路Pに接続され、分岐後の他方の走査線323は、前記2行のうちの他方に属する画素回路Pに接続されている。
In this case, the
同様に、第1枝電源線63は、途中で2つに分岐し、分岐後の一方の第1枝電源線631は、前記2行のうちの一方に属する画素回路Pに接続され、分岐後の他方の第1枝電源線632は、前記2行のうちの他方に属する画素回路Pに接続されている。
Similarly, the first branch
同様に、第2枝電源線64は、途中で2つに分岐し、分岐後の一方の第2枝電源線641は、前記2行のうちの一方に属する画素回路Pに接続され、分岐後の他方の第2枝電源線642は、前記2行のうちの他方に属する画素回路Pに接続されている。
Similarly, the second branch
単位枝電源線選択回路801は、第1幹電源線61と第1枝電源線631、632との接続状態および第2幹電源線62と第2枝電源線641、642との接続状態をそれぞれ選択する。
The unit branch power supply
このように、本実施形態では、枝電源線選択回路80は、第1幹電源線61と2行ごとの第1枝電源線631、632との間、第2幹電源線62と2行ごとの第2枝電源線641、642との間にそれぞれ接続され、第1幹電源線61と2行ごとの第1枝電源線631、632との接続状態、第2幹電源線62と2行ごとの第2枝電源線641、642との接続状態をそれぞれ選択する。また、制御回路20は、メモリー回路25に記憶された内容の書き換えの有無に対応して、2行ごとに、第1幹電源線61と第1枝電源線(すなわち、第1枝電源線631、632)、第2幹電源線62と第2枝電源線(すなわち、第2枝電源線641、642)とを遮断または接続させる。
Thus, in this embodiment, the branch power supply
なお、走査信号(信号)GW[1]〜GW[m´]におけるm´は、第1実施形態の走査信号GW[1]〜GW[m]におけるmの1/2である。 Note that m ′ in the scanning signals (signals) GW [1] to GW [m ′] is ½ of m in the scanning signals GW [1] to GW [m] of the first embodiment.
本実施形態によれば、単位枝電源線選択回路801の数を減少させることができ、すなわち、枝電源線選択回路80の規模を小さくすることができる。これにより、消費電力の低減が図られると共に、表示部30の外側の額縁(非表示領域)の寸法を小さくすることができる。
According to the present embodiment, the number of unit branch power supply
また、本実施形態は、例えば、書き換えが行われる部分行の位置や行の数が決まっている場合において、特に有効であり、同様の制御がなされる複数の行をまとめ、それに対して1つの単位枝電源線選択回路801を設ける。
In addition, this embodiment is particularly effective when, for example, the position of the partial row to be rewritten and the number of rows are determined. A unit branch power
また、本実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Also according to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be exhibited.
なお、本実施形態では、2行分の画素回路Pに対して、1つの単位枝電源線選択回路801が設けられているが、これに限らず、3以上の行分の画素回路Pに対して、1つの単位枝電源線選択回路801が設けられていてもよい。また、1つの単位枝電源線選択回路801が設けられる複数の行は、隣り合っていなくてもよい。
また、本実施形態は、他の実施形態や変形例にも適用することができる。
In this embodiment, one unit branch power supply
The present embodiment can also be applied to other embodiments and modifications.
<第7実施形態>
図22および図23は、それぞれ、本発明の第7実施形態に係る記憶型表示装置の主要構成を示すパターンレイアウト図である。
<Seventh embodiment>
FIG. 22 and FIG. 23 are pattern layout diagrams showing the main configuration of the memory-type display device according to the seventh embodiment of the present invention, respectively.
以下、第7実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。 Hereinafter, although the seventh embodiment will be described, the description will focus on the differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
本実施形態では、1画素分の画素回路P1は、図22に示す構成をなしている。
また、画素回路P1の第1の電源線13は、第1の共通電源線130に接続され、第2の電源線14は、第2の共通電源線140に接続されている。第1の共通電源線130は、電源の高電位側に接続され、第2の共通電源線140は、電源の低高電位側またはアースに接続される。また、第1の共通電源線130は、Y方向に延在し、画素回路P1の図22中の左側に配置され、第2の共通電源線140は、Y方向に延在し、画素回路P1の図22中の右側に配置されている。また、第1枝電源線63および第2枝電源線64は、それぞれ、X方向に延在し、Y方向において画素回路P1の内側に配置されている。
In the present embodiment, the pixel circuit P1 for one pixel has the configuration shown in FIG.
In addition, the first
電気泳動表示装置100は、縦m行×横n列の行列状に配列された前記画素回路P1を有している。
The
図23には、2行×2列分の画素回路P1が図示されているが、図23中の左側には、図22に示す姿勢の画素回路P1が配置され、図23中の右側には、図22に示す姿勢の画素回路P1をX方向において反転させたものが配置されている。 FIG. 23 shows a pixel circuit P1 of 2 rows × 2 columns. On the left side of FIG. 23, the pixel circuit P1 having the posture shown in FIG. 22 is arranged, and on the right side of FIG. , A pixel circuit P1 having the posture shown in FIG. 22 inverted in the X direction is arranged.
これにより、第2の共通電源線140をX方向に隣り合う2つの画素回路P1、すなわち2列の画素回路P1で兼用することができる。
Accordingly, the second common
また、図示しないが、図23中の右側の画素回路P1の右側には、その図23中の右側の画素回路P1をX方向において反転させたもの、すなわち、図22に示す姿勢の画素回路P1が配置される。 Although not shown, on the right side of the right pixel circuit P1 in FIG. 23, the right side pixel circuit P1 in FIG. 23 is inverted in the X direction, that is, the pixel circuit P1 in the posture shown in FIG. Is placed.
これにより、第1の共通電源線130をX方向に隣り合う2つの画素回路P1、すなわち2列の画素回路P1で兼用することができる。
As a result, the first common
以上説明したように、本実施形態によれば、第1の共通電源線130および第2の共通電源線140をX方向に隣り合う2列の画素回路P1で兼用することができ、これにより、X方向の画素ピッチを小さくすることができ、高精細化が可能となり、また、回路構成を簡素化することができる。
As described above, according to this embodiment, the first common
また、本実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
なお、本実施形態は、他の実施形態や変形例にも適用することができる。
Also according to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be exhibited.
Note that the present embodiment can also be applied to other embodiments and modifications.
<第8実施形態>
図24および図25は、それぞれ、本発明の第8実施形態に係る記憶型表示装置の主要構成を示すパターンレイアウト図である。
<Eighth Embodiment>
24 and 25 are pattern layout diagrams showing the main configuration of the memory-type display apparatus according to the eighth embodiment of the present invention.
以下、第8実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。 Hereinafter, the eighth embodiment will be described. The description will focus on the differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
本実施形態では、1画素分の画素回路P2は、図24に示す構成をなしている。
また、画素回路P2の第1の電源線13は、第1の共通電源線130に接続され、第2の電源線14は、第2の共通電源線140に接続されている。第1の共通電源線130は、電源の高電位側に接続され、第2の共通電源線140は、電源の低高電位側またはアースに接続される。また、第1の共通電源線130は、Y方向に延在し、画素回路P2の図24中の左側に配置され、第2の共通電源線140は、Y方向に延在し、画素回路P2の図24中の右側に配置されている。また、第1枝電源線63は、X方向に延在し、画素回路P2の図24中の上側に配置されている。また、第2枝電源線64は、X方向に延在し、Y方向において画素回路P2の内側に配置されている。
In the present embodiment, the pixel circuit P2 for one pixel has the configuration shown in FIG.
The first
電気泳動表示装置100は、縦m行×横n列の行列状に配列された前記画素回路P2を有している。
The
図25には、2行×2列分の画素回路P2が図示されているが、図25中の左下には、図24に示す姿勢の画素回路P2が配置され、図25中の右下には、図24に示す姿勢の画素回路P2をX方向において反転させたものが配置されている。また、図25中の左上には、図24に示す姿勢の画素回路P2をY方向において反転させたものが配置され、図25中の右上には、図24に示す姿勢の画素回路P2をX方向およびY方向においてそれぞれ反転させたものが配置されている。 FIG. 25 shows a pixel circuit P2 of 2 rows × 2 columns. In the lower left of FIG. 25, the pixel circuit P2 having the posture shown in FIG. 24 is arranged, and in the lower right of FIG. Are arranged by inverting the pixel circuit P2 in the posture shown in FIG. 24 in the X direction. 25 is arranged by inverting the pixel circuit P2 having the posture shown in FIG. 24 in the Y direction, and the pixel circuit P2 having the posture shown in FIG. Those inverted in the direction and the Y direction are arranged.
これにより、第2の共通電源線140をX方向に隣り合う2つの画素回路P2、すなわち2列の画素回路P2で兼用することができる。また、第1枝電源線63をY方向に隣り合う2つの画素回路P2、すなわち2行の画素回路P2で兼用することができる。
As a result, the second common
また、図示しないが、図25中の右上の画素回路P2の右側には、その図25中の右上の画素回路P2をX方向において反転させたもの、すなわち、図24に示す姿勢の画素回路P2をY方向において反転させたものが配置され、図25中の右下の画素回路P2の右側には、その図25中の右下の画素回路P2をX方向において反転させたもの、すなわち、図24に示す姿勢の画素回路P2が配置される。 Although not shown, on the right side of the upper right pixel circuit P2 in FIG. 25, the upper right pixel circuit P2 in FIG. 25 is inverted in the X direction, that is, the pixel circuit P2 in the posture shown in FIG. Is inverted in the Y direction. On the right side of the lower right pixel circuit P2 in FIG. 25, the lower right pixel circuit P2 in FIG. 25 is inverted in the X direction. A pixel circuit P2 having an attitude shown in FIG.
これにより、第1の共通電源線130をX方向に隣り合う2つの画素回路P2、すなわち2列の画素回路P2で兼用することができる。
As a result, the first common
なお、本実施形態の場合、前記単位枝電源線選択回路801の第1枝電源線選択スイッチTrbは、2行に対して1つ設けられ、第2枝電源線選択スイッチTrcは、1行に対して1つ設けられる。
In the present embodiment, one first branch power supply line selection switch Trb of the unit branch power supply
以上説明したように、本実施形態によれば、第1の共通電源線130および第2の共通電源線140をX方向に隣り合う2列の画素回路P2で兼用することができ、第1枝電源線63をY方向に隣り合う2行の画素回路P2で兼用することができる。これにより、X方向の画素ピッチおよびY方向の画素ピッチを小さくすることができ、高精細化が可能となり、また、回路構成を簡素化することができる。
As described above, according to the present embodiment, the first common
また、本実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Also according to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be exhibited.
なお、前記画素回路P2のY方向における反転と、前記画素回路P2のX方向における反転とのいずれか一方を省略してもよい。
また、本実施形態は、他の実施形態や変形例にも適用することができる。
One of the inversion in the Y direction of the pixel circuit P2 and the inversion in the X direction of the pixel circuit P2 may be omitted.
The present embodiment can also be applied to other embodiments and modifications.
<第9実施形態>
図26および図27は、それぞれ、本発明の第9実施形態に係る記憶型表示装置の主要構成を示すパターンレイアウト図である。
<Ninth Embodiment>
FIG. 26 and FIG. 27 are pattern layout diagrams showing main components of the memory type display device according to the ninth embodiment of the present invention, respectively.
以下、第9実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。 The ninth embodiment will be described below, but the description will focus on the differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
本実施形態では、1画素分の画素回路P3は、図26に示す構成をなしている。
また、画素回路P3の第1の電源線13は、第1の共通電源線130に接続され、第2の電源線14は、第2の共通電源線140に接続されている。第1の共通電源線130は、電源の高電位側に接続され、第2の共通電源線140は、電源の低高電位側またはアースに接続される。また、第1の共通電源線130は、Y方向に延在し、画素回路P3の図26中の左側に配置され、第2の共通電源線140は、Y方向に延在し、画素回路P3の図26中の右側に配置されている。また、第1枝電源線63は、X方向に延在し、画素回路P3の図26中の上側に配置されている。また、第2枝電源線64は、X方向に延在し、画素回路P3の図26中の下側に配置されている。
In the present embodiment, the pixel circuit P3 for one pixel has the configuration shown in FIG.
In addition, the first
電気泳動表示装置100は、縦m行×横n列の行列状に配列された前記画素回路P3を有している。
The
図27には、2行×2列分の画素回路P3が図示されているが、図27中の左上には、図26に示す姿勢の画素回路P3が配置され、図27中の右上には、図26に示す姿勢の画素回路P3をX方向において反転させたものが配置されている。また、図27中の左下には、図26に示す姿勢の画素回路P3をY方向において反転させたものが配置され、図27中の右下には、図26に示す姿勢の画素回路P3をX方向およびY方向においてそれぞれ反転させたものが配置されている。 27 shows a pixel circuit P3 corresponding to 2 rows × 2 columns, the pixel circuit P3 having the posture shown in FIG. 26 is arranged at the upper left in FIG. 27, and the upper right in FIG. 26 are arranged by inverting the pixel circuit P3 in the posture shown in FIG. 26 in the X direction. In the lower left of FIG. 27, a pixel circuit P3 having the posture shown in FIG. 26 inverted in the Y direction is arranged. In the lower right of FIG. 27, the pixel circuit P3 having the posture shown in FIG. Those inverted in the X and Y directions are arranged.
これにより、第2の共通電源線140をX方向に隣り合う2つの画素回路P3、すなわち2列の画素回路P3で兼用することができる。また、第2枝電源線64をY方向に隣り合う2つの画素回路P3、すなわち2行の画素回路P3で兼用することができる。
Thus, the second common
また、図示しないが、図27中の右上の画素回路P3の右側には、その図27中の右上の画素回路P3をX方向において反転させたもの、すなわち、図26に示す姿勢の画素回路P3が配置され、図27中の右下の画素回路P3の右側には、その図27中の右下の画素回路P3をX方向において反転させたもの、すなわち、図26に示す姿勢の画素回路P3をY方向において反転させたものが配置される。 Further, although not shown, on the right side of the upper right pixel circuit P3 in FIG. 27, the upper right pixel circuit P3 in FIG. 27 is inverted in the X direction, that is, the pixel circuit P3 in the posture shown in FIG. 27 is arranged on the right side of the lower right pixel circuit P3 in FIG. 27, which is an inverted version of the lower right pixel circuit P3 in FIG. 27 in the X direction, that is, the pixel circuit P3 in the posture shown in FIG. Are inverted in the Y direction.
これにより、第1の共通電源線130をX方向に隣り合う2つの画素回路P3、すなわち2列の画素回路P3で兼用することができる。
Thereby, the first common
また、図示しないが、図27中の左下の画素回路P3の下側には、その図27中の左下の画素回路P3をY方向において反転させたもの、すなわち、図26に示す姿勢の画素回路P3が配置され、図27中の右下の画素回路P3の下側には、その図27中の右下の画素回路P3をY方向において反転させたものが配置される。 Further, although not shown, below the lower left pixel circuit P3 in FIG. 27, the lower left pixel circuit P3 in FIG. 27 is inverted in the Y direction, that is, the pixel circuit in the posture shown in FIG. P3 is arranged, and an arrangement obtained by inverting the lower right pixel circuit P3 in FIG. 27 in the Y direction is arranged below the lower right pixel circuit P3 in FIG.
これにより、第1枝電源線63をY方向に隣り合う2つの画素回路P3、すなわち2行の画素回路P3で兼用することができる。
As a result, the first
なお、本実施形態の場合、前記単位枝電源線選択回路801の第1枝電源線選択スイッチTrbおよび第2枝電源線選択スイッチTrcは、それぞれ、2行に対して1つ設けられる。
In the present embodiment, one first branch power supply line selection switch Trb and second branch power supply line selection switch Trc of the unit branch power supply
以上説明したように、本実施形態によれば、第1の共通電源線130および第2の共通電源線140をX方向に隣り合う2列の画素回路P3で兼用することができ、第1枝電源線63および第2枝電源線64をY方向に隣り合う2行の画素回路P3で兼用することができる。これにより、X方向の画素ピッチおよびY方向の画素ピッチを小さくすることができ、高精細化が可能となり、また、回路構成を簡素化することができる。
As described above, according to the present embodiment, the first common
また、本実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Also according to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be exhibited.
なお、前記画素回路P3のY方向における反転と、前記画素回路P3のX方向における反転とのいずれか一方を省略してもよい。
また、本実施形態は、他の実施形態や変形例にも適用することができる。
One of the inversion in the Y direction of the pixel circuit P3 and the inversion in the X direction of the pixel circuit P3 may be omitted.
The present embodiment can also be applied to other embodiments and modifications.
(応用例)
本発明を応用した電子機器を以下に例示する。図28及び図29には、以上に例示した電気泳動表示装置100を採用した電子機器の外観が図示されている。
(Application examples)
Examples of electronic devices to which the present invention is applied will be described below. 28 and 29 show the appearance of an electronic apparatus that employs the
図28は、電気泳動表示装置100を利用した携帯型の情報端末(電子書籍)310の斜視図である。図28に示すように、情報端末310は、利用者が操作する操作子312と、表示部314に画像を表示する電気泳動表示装置100とを含んで構成される。操作子312が操作されると表示部314の表示画像が変更される。
FIG. 28 is a perspective view of a portable information terminal (electronic book) 310 using the
図29は、電気泳動表示装置100を利用した電子ペーパー320の斜視図である。図29に示すように、電子ペーパー320は、可撓性の基板(シート)322の表面に形成された電気泳動表示装置100を含んで構成される。
FIG. 29 is a perspective view of an electronic paper 320 using the
本発明が適用される電子機器は以上の例示に限定されない。例えば、携帯電話機や時計(腕時計),携帯型の音響再生装置,電子手帳,タッチパネル搭載型の表示装置など、各種の電子機器に本発明の電気泳動表示装置(記憶型表示装置)を採用することが可能である。 The electronic device to which the present invention is applied is not limited to the above examples. For example, the electrophoretic display device (memory type display device) of the present invention is adopted in various electronic devices such as a mobile phone, a clock (watch), a portable sound reproducing device, an electronic notebook, and a touch panel mounted display device. Is possible.
また、本発明の表示素子は、電気泳動素子に限定されるものではなく、エレクトロクロミック素子、液晶素子等にも適用可能である。したがって、本発明の記憶型表示装置は、電気泳動表示装置に限定されるものではなく、メモリー性を有するエレクトロクロミック表示装置、あるいは液晶表示装置にも適用可能である。また、電子機器の例としても、エレクトロクロミック表示装置あるいは液晶表示装置を用いた情報端末、携帯電話機や時計(腕時計),携帯型の音響再生装置,電子手帳,タッチパネル搭載型の表示装置など、各種の電子機器に本発明の記憶型表示装置を採用することが可能である。 Further, the display element of the present invention is not limited to the electrophoretic element, and can be applied to an electrochromic element, a liquid crystal element, and the like. Therefore, the memory-type display device of the present invention is not limited to the electrophoretic display device, but can be applied to an electrochromic display device having a memory property or a liquid crystal display device. Examples of electronic devices include various information terminals such as an information terminal using an electrochromic display device or a liquid crystal display device, a mobile phone or a watch (watch), a portable sound reproducing device, an electronic notebook, and a touch panel mounted display device. It is possible to employ the memory type display device of the present invention in such electronic equipment.
以上、本発明の記憶型表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物が付加されていてもよい。 As mentioned above, the memory type display device and the electronic apparatus according to the present invention have been described based on the illustrated embodiment. However, the present invention is not limited to this, and the configuration of each unit is an arbitrary configuration having the same function. Can be substituted. Moreover, other arbitrary components may be added.
また、本発明は、前記各実施形態、前記各変形例のうちの、任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。 Further, the present invention may be a combination of any two or more configurations (features) of the embodiments and the modifications.
10…電気泳動パネル、13…第1の電源線、14…第2の電源線、20…制御回路、25…メモリー回路、28…素子基板、29…対向基板、30…表示部、31…接着剤層、32,321,323…走査線、34、34a、34b…データ線、35…スイッチ回路、36,37…トランスファーゲート、40…駆動部、42…走査線駆動回路、44…データ線駆動回路、44−1…シフトレジスター、44−2…第1ラッチ回路、44−3…第2ラッチ回路、50…電気泳動素子、51…画素電極、52…共通電極、53…マイクロカプセル、54…分散媒、55…白色粒子、56…黒色粒子、57…イオン層、60…信号線、61…第1幹電源線、62…第2幹電源線、63,631,632…第1枝電源線、64,641,642…第2枝電源線、65…電源線、66…信号線、67…リセット信号線、68…ゲートイネーブル線、80…枝電源線選択回路、81…枝電源線接続回路、801…単位枝電源線接続回路、90,91…トランスファーゲート、92…メモリー回路、93,94…抵抗器、95…インバーター、96,97…トランスファーゲート、98…ゲートイネーブル回路、100…電気泳動表示装置、130…第1の共通電源線、140…第2の共通電源線、310…情報端末、312…操作子、314…表示部、320…電子ペーパー、322…基板、500…電気泳動表示装置、510…電気泳動パネル、25p1,25p2,36p,37p…P−MOS、25n1,25n2,36n,37n…N−MOS、C1,C2,Ca,Cb…コンデンサー、GW…走査信号、N1…入力端子、N2,N3…出力端子、P,P1,P2,P3…画素回路、s1〜sn…サンプリング信号、ST1…初期設定期間、ST2…プログラム期間、ST3…駆動期間、ST4…表示保持期間、ST2b…第2プログラム期間、ST3a…第1駆動期間、ST3b…第2駆動期間、Ts…選択スイッチ、Tdra,Tdrb…駆動トランジスター、Tra…選択スイッチ、Trb…第1枝電源線選択スイッチ、Trc…第2枝電源線選択スイッチ、Trd…選択スイッチ、Tre…第1枝電源線接続スイッチ、Trf…第2枝電源線接続スイッチ、Trg,Trh,Tsa,Tsb…選択スイッチ、Vx…データ信号
DESCRIPTION OF
Claims (16)
m(mは2以上の整数)行分設けられた第2の制御線と、
表示素子を一対の基板間に挟持してなり、n×m個の画素からなる表示部と、を備えた記憶型表示装置であって、
前記表示部に、前記画素ごとに形成された画素電極と、前記表示素子を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、前記第1の制御線及び前記第2の制御線に接続され前記画素電極への電源の印加状態を切り替える画素スイッチング素子と、当該画素スイッチング素子に接続された画素メモリー回路と、を備え、
各行ごとに前記画素電極へ電源を供給するための枝電源線と、
各行ごとの前記枝電源線に対して共通に設けられ前記枝電源線に電源を供給するための幹電源線と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容に応じて前記枝電源線と前記画素電極との接続状態を切り替える画素電極スイッチ回路と、
前記幹電源線と各行ごとの前記枝電源線との間にそれぞれ接続され、前記幹電源線と各行ごとの前記枝電源線との接続状態をそれぞれ選択する電源線スイッチ回路と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを各行ごとに遮断または接続させる制御回路と、
前記第2の制御線に信号を出力する走査線駆動回路と、を備え、
前記走査線駆動回路は、前記表示部の所定の端部側に配置され、前記電源線スイッチ回路は、前記表示部の前記所定の端部と異なる端部側に配置されている、
ことを特徴とする記憶型表示装置。 a first control line provided for n columns (n is an integer of 2 or more);
a second control line provided for m (m is an integer of 2 or more) rows;
A display unit comprising a display element sandwiched between a pair of substrates, and a display unit composed of n × m pixels,
The display unit is connected to a pixel electrode formed for each pixel, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes via the display element, and the first control line and the second control line. A pixel switching element that switches an application state of power to the pixel electrode, and a pixel memory circuit connected to the pixel switching element,
A branch power line for supplying power to the pixel electrode for each row;
A trunk power supply line that is provided in common to the branch power supply line for each row and supplies power to the branch power supply line;
A pixel electrode switch circuit that switches a connection state between the branch power supply line and the pixel electrode according to the content stored in the pixel memory circuit;
A power line switch circuit connected between the trunk power line and the branch power line for each row, and selecting a connection state between the main power line and the branch power line for each row;
A control circuit that cuts off or connects the main power supply line and the branch power supply line for each row in response to the presence or absence of rewriting of the contents stored in the pixel memory circuit;
A scanning line driving circuit for outputting a signal to the second control line,
The scanning line driving circuit is disposed on a predetermined end side of the display unit, and the power line switch circuit is disposed on an end side different from the predetermined end portion of the display unit.
A memory-type display device.
ことを特徴とする請求項1に記載の記憶型表示装置。 The scanning line driving circuit and the power line switching circuit are arranged along the row direction via the display unit.
The memory-type display device according to claim 1.
m(mは2以上の整数)行分設けられた第2の制御線と、
表示素子を一対の基板間に挟持してなり、n×m個の画素からなる表示部と、を備えた記憶型表示装置であって、
前記表示部に、前記画素ごとに形成された画素電極と、前記表示素子を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、前記第1の制御線及び前記第2の制御線に接続され前記画素電極への電源の印加状態を切り替える画素スイッチング素子と、当該画素スイッチング素子に接続された画素メモリー回路と、を備え、
各行ごとに前記画素電極へ電源を供給するための枝電源線と、
各行ごとの前記枝電源線に対して共通に設けられ前記枝電源線に電源を供給するための幹電源線と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容に応じて前記枝電源線と前記画素電極との接続状態を切り替える画素電極スイッチ回路と、
前記幹電源線と前記枝電源線との間に接続され、前記幹電源線と前記枝電源線との接続状態を選択する単位電源線スイッチ回路を複数有する電源線スイッチ回路と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを遮断または接続させる制御回路と、を備え、
前記単位電源線スイッチ回路は、前記表示部の前記行の方向の一端側および他端側にそれぞれ配置されており、前記一端側および前記他端側に配置された前記単位電源線スイッチ回路は、同一の前記行の前記枝電源線に接続されている、
ことを特徴とする記憶型表示装置。 a first control line provided for n columns (n is an integer of 2 or more);
a second control line provided for m (m is an integer of 2 or more) rows;
A display unit comprising a display element sandwiched between a pair of substrates, and a display unit composed of n × m pixels,
The display unit is connected to a pixel electrode formed for each pixel, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes via the display element, and the first control line and the second control line. A pixel switching element that switches an application state of power to the pixel electrode, and a pixel memory circuit connected to the pixel switching element,
A branch power line for supplying power to the pixel electrode for each row;
A trunk power supply line that is provided in common to the branch power supply line for each row and supplies power to the branch power supply line;
A pixel electrode switch circuit that switches a connection state between the branch power supply line and the pixel electrode according to the content stored in the pixel memory circuit;
A power line switch circuit connected between the trunk power line and the branch power line, and having a plurality of unit power line switch circuits for selecting a connection state between the trunk power line and the branch power line;
A control circuit that shuts off or connects the trunk power line and the branch power line in response to whether or not the contents stored in the pixel memory circuit are rewritten,
The unit power line switch circuits are respectively disposed on one end side and the other end side in the row direction of the display unit, and the unit power line switch circuits disposed on the one end side and the other end side are: Connected to the branch power line in the same row,
A memory-type display device.
m(mは2以上の整数)行分設けられた第2の制御線と、
表示素子を一対の基板間に挟持してなり、n×m個の画素からなる表示部と、を備えた記憶型表示装置であって、
前記表示部に、前記画素ごとに形成された画素電極と、前記表示素子を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、前記第1の制御線及び前記第2の制御線に接続され前記画素電極への電源の印加状態を切り替える画素スイッチング素子と、当該画素スイッチング素子に接続された画素メモリー回路と、を備え、
各行ごとに前記画素電極へ電源を供給するための枝電源線と、
各行ごとの前記枝電源線に対して共通に設けられ前記枝電源線に電源を供給するための幹電源線と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容に応じて前記枝電源線と前記画素電極との接続状態を切り替える画素電極スイッチ回路と、
前記幹電源線と前記枝電源線との間に接続され、前記幹電源線と前記枝電源線との接続状態を選択する単位電源線スイッチ回路を複数有する電源線スイッチ回路と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを遮断または接続させる制御回路と、を備え、
前記単位電源線スイッチ回路は、前記表示部の前記行の方向の一端側と他端側に配置されており、かつ、1つの前記枝電源線に対して1つ設けられている、
ことを特徴とする記憶型表示装置。 a first control line provided for n columns (n is an integer of 2 or more);
a second control line provided for m (m is an integer of 2 or more) rows;
A display unit comprising a display element sandwiched between a pair of substrates, and a display unit composed of n × m pixels,
The display unit is connected to a pixel electrode formed for each pixel, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes via the display element, and the first control line and the second control line. A pixel switching element that switches an application state of power to the pixel electrode, and a pixel memory circuit connected to the pixel switching element,
A branch power line for supplying power to the pixel electrode for each row;
A trunk power supply line that is provided in common to the branch power supply line for each row and supplies power to the branch power supply line;
A pixel electrode switch circuit that switches a connection state between the branch power supply line and the pixel electrode according to the content stored in the pixel memory circuit;
A power line switch circuit connected between the trunk power line and the branch power line, and having a plurality of unit power line switch circuits for selecting a connection state between the trunk power line and the branch power line;
A control circuit that shuts off or connects the trunk power line and the branch power line in response to whether or not the contents stored in the pixel memory circuit are rewritten,
The unit power line switch circuit is disposed on one end side and the other end side in the row direction of the display unit, and one unit power line switch circuit is provided for one branch power line.
A memory-type display device.
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の記憶型表示装置。 The unit power line switch circuits are alternately arranged on one end side and the other end side in the row direction of the display unit,
The memory-type display device according to claim 1, wherein the display device is a storage-type display device.
前記制御回路は、前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを各行ごとに遮断または接続させる、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の記憶型表示装置。 The power line switch circuit is connected between the trunk power line and the branch power line for each row, respectively, and selects a connection state between the trunk power line and the branch power line for each row, respectively.
The control circuit shuts off or connects the trunk power supply line and the branch power supply line for each row in accordance with whether or not the contents stored in the pixel memory circuit are rewritten.
The memory-type display device according to claim 1, wherein
前記制御回路は、前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを複数行ごとに遮断または接続させる、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の記憶型表示装置。 The power supply line switch circuit is connected between the trunk power supply line and the branch power supply line for each of a plurality of rows, and selects a connection state between the trunk power supply line and the branch power supply line for each of a plurality of rows, respectively.
The control circuit is configured to cut off or connect the trunk power supply line and the branch power supply line for each of a plurality of rows in accordance with whether or not the content stored in the pixel memory circuit is rewritten.
The memory-type display device according to claim 1, wherein
m(mは2以上の整数)行分設けられた第2の制御線と、
表示素子を一対の基板間に挟持してなり、n×m個の画素からなる表示部と、を備えた記憶型表示装置であって、
前記表示部に、前記画素ごとに形成された画素電極と、前記表示素子を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、前記第1の制御線及び前記第2の制御線に接続され前記画素電極への電源の印加状態を切り替える画素スイッチング素子と、当該画素スイッチング素子に接続された画素メモリー回路と、を備え、
各行ごとに前記画素電極へ電源を供給するための枝電源線と、
各行ごとの前記枝電源線に対して共通に設けられ前記枝電源線に電源を供給するための幹電源線と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容に応じて前記枝電源線と前記画素電極との接続状態を切り替える画素電極スイッチ回路と、
前記幹電源線と複数行ごとの前記枝電源線との間にそれぞれ接続され、前記幹電源線と複数行ごとの前記枝電源線との接続状態をそれぞれ選択する電源線スイッチ回路と、
前記画素メモリー回路に記憶された内容の書き換えの有無に対応して前記幹電源線と前記枝電源線とを複数行ごとに遮断または接続させる制御回路と、を備える、
ことを特徴とする記憶型表示装置。 a first control line provided for n columns (n is an integer of 2 or more);
a second control line provided for m (m is an integer of 2 or more) rows;
A display unit comprising a display element sandwiched between a pair of substrates, and a display unit composed of n × m pixels,
The display unit is connected to a pixel electrode formed for each pixel, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes via the display element, and the first control line and the second control line. A pixel switching element that switches an application state of power to the pixel electrode, and a pixel memory circuit connected to the pixel switching element,
A branch power line for supplying power to the pixel electrode for each row;
A trunk power supply line that is provided in common to the branch power supply line for each row and supplies power to the branch power supply line;
A pixel electrode switch circuit that switches a connection state between the branch power supply line and the pixel electrode according to the content stored in the pixel memory circuit;
A power line switch circuit connected between the trunk power line and the branch power line for each of a plurality of rows, and selecting a connection state between the trunk power line and the branch power line for each of a plurality of rows;
A control circuit that cuts off or connects the main power supply line and the branch power supply line for every plurality of rows in response to whether or not the contents stored in the pixel memory circuit are rewritten.
A memory-type display device.
前記画素メモリー回路の低電位電源端子に接続された第2の電源線と、
前記第1の電源線が接続された第1の共通電源線と、
前記第2の電源線が接続された第2の共通電源線と、を備え、
前記第1の共通電源線と前記第2の共通電源線との少なくとも一方は、前記行の方向に隣り合う2つの前記画素で兼用されている、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の記憶型表示装置。 A first power line connected to a high potential power terminal of the pixel memory circuit;
A second power line connected to the low potential power terminal of the pixel memory circuit;
A first common power line to which the first power line is connected;
A second common power line to which the second power line is connected,
At least one of the first common power line and the second common power line is shared by the two pixels adjacent in the row direction.
The memory-type display device according to any one of claims 1 to 8, wherein
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の記憶型表示装置。 A connection circuit for connecting the branch power supply line in a cutoff state with respect to the trunk power supply line to a power supply line connected to the common electrode;
The memory-type display device according to any one of claims 1 to 9, wherein
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の記憶型表示装置。 The pixel memory circuit is a capacitor;
The memory-type display device according to claim 1, wherein the memory-type display device is a display device.
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の記憶型表示装置。 The pixel memory circuit includes a latch circuit;
The memory-type display device according to claim 1, wherein the memory-type display device is a display device.
ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の記憶型表示装置。 The power line switch circuit includes a transfer gate,
The memory-type display device according to any one of claims 1 to 12,
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の記憶型表示装置。 A power line memory circuit that is connected to the power line switch circuit and determines a drive state of the power line switch circuit; and a reset circuit that resets the contents of the power line memory circuit.
The memory-type display device according to claim 1, wherein the memory-type display device is a display device.
ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の記憶型表示装置。 A memory switching element for switching a connection state between the power line memory circuit and a power line selection signal line that is connected to the second control line and supplies a voltage to be written to the power line memory circuit in the reset circuit; A gate enable circuit that shuts off the pixel switching element and the second control line when the power line memory circuit and the power line selection signal line are connected to each other.
The memory type display device according to claim 1, wherein the memory type display device is a memory type display device.
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