JP2017091878A - 表示装置、及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動時における共通電極の電圧降下の影響が低減される、表示装置及びその製造方法の提供。【解決手段】複数の画素を含む表示部と、表示部の外方にあって表示部を囲うよう配置される、共通電位供給主配線と、表示部のうち複数の画素の間にある間隙領域へ延びるとともに、共通電位供給主配線に電気的に接続される、共通電位配線層と、複数の画素を覆って配置される、有機膜と、表示部及び共通電位供給主配線を覆うとともに、共通電位供給主配線に接して配置される、共通電極膜と、を備える、表示装置であって、共通電位配線層は、間隙領域に複数のコンタクト領域を有し、該複数のコンタクト領域に共通電極膜が接する。【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置、及びその製造方法に関する。

表示装置は画面表示を行う表示部を有し、表示部には複数の画素は配置され、各画素に表示素子が備えられている。表示素子の構造は様々あるが、ここでは、自発光素子を例に説明をする。自発光素子において、基板上に、第１電極、発光層、及び第２電極とが順に積層されている。第１電極と第２電極との間に電圧が印加される（又は、電流が注入される）ことにより、発光層が発光し、画面表示を行う。第２電極を複数の画素に対する共通電極とする場合、第２電極は表示部の全域に亘って形成される。第２電極が共通電極である場合に、第２電極に接続される配線は、表示領域の外側にある額縁領域に配置され、第２電極と該配線は、該額縁領域において、電気的に接続されるのが一般的である。

特開２００２−１２４３８０号公報 特開２００４−１４０００３号公報 特開２０１０−３４０３５号公報

第２電極は例えば透明導電膜で形成される。第２電極の電気伝導が十分ではない（電気抵抗が高い）と、第２電極にて発生する電圧降下の影響が大きくなる。第２電極において、配線との接続箇所からの距離が大きくなるにつれて、かかる影響は大きくなる。表示装置が画面表示を行う際に、第２電極の電位が表示部において変動すると、画面表示に発生する輝度むらが大きくなってしまう。表示画面のサイズ増大とともに、輝度むらはより大きな問題となる。

特許文献１に、ＩＴＯ薄膜を一緒に除去したりガラス基板にダメージを与えること無く、ＩＴＯ薄膜上の有機発光膜を複数の画素に分割、又は有機発光膜にコンタクトホールを形成することが可能なレーザーアブレーション加工方法が開示されている。また、特許文献２に、透明電極に損傷を与えることなく、金属系電極に加工エッジ周辺部への熱的損傷の少ないシャープな微細加工を効率よく施し、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を微細加工する方法が開示されている。さらに、特許文献３に、電極層や有機化合物層を部分的に除去加工するときに加工均一性を保つことが可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法が開示されている。

しかしながら、上記特許文献には、共通電極の電圧降下の影響を低減する構造は開示されていない。本発明は、かかる課題を鑑みてなされたものであり、駆動時における共通電極の電圧降下の影響が低減される、表示装置及びその製造方法の提供を目的とする。

（１）本発明に係る表示装置は、複数の画素を含む表示部と、前記表示部の外方にあって前記表示部を囲うよう配置される、共通電位供給主配線と、前記表示部のうち前記複数の画素の間にある間隙領域へ延びるとともに、前記共通電位供給主配線に電気的に接続される、共通電位配線層と、前記複数の画素を覆って配置される、有機膜と、前記表示部及び前記共通電位供給主配線を覆うとともに、前記共通電位供給主配線に接して配置される、共通電極膜と、を備える、表示装置であって、前記共通電位配線層は、前記間隙領域に複数のコンタクト領域を有し、該複数のコンタクト領域に前記共通電極膜が接する、ことを特徴とする。

（２）上記（１）に記載の表示装置であって、前記複数のコンタクト領域は、前記表示部の周縁から中心へ進むにつれて、疎から密となるよう、配置されてもよい。

（３）上記（１）又は（２）に記載の表示装置であって、前記複数のコンタクト領域は、駆動時における前記共通電極膜の電圧降下を補償するよう、配置されてもよい。

（４）本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の画素を含む表示部と、前記表示部の外方にあって前記表示部を囲うよう配置される、共通電位供給主配線と、を備える、表示装置の製造方法であって、前記表示部のうち前記複数の画素の間にある間隙領域へ延びるとともに、前記共通電位供給主配線に電気的に接続される、共通電位配線層を形成する工程と、前記間隙領域にバンクを形成する工程と、前記バンク上に、前記共通電位配線層に貫通する複数のコンタクトホールを形成する工程と、前記複数の画素を覆って配置される、有機膜を形成する工程と、レーザアブレーション加工により、前記複数のコンタクトホールに形成される前記有機膜を除去する工程と、前記表示部及び前記共通電位供給主配線とを覆うよう、共通電極膜を形成する工程と、を備えていてもよい。

（５）上記（４）に記載の表示装置の製造方法であって、前記複数のコンタクトホールを形成する工程において、前記表示部の周縁から中心へ進むにつれて、疎から蜜となるよう、前記複数のコンタクトホールを形成してもよい。

本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの等価回路図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの構成を示す模式図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの構成を示す模式図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの主な製造工程を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造工程の途中を説明する模式断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造工程の途中を説明する模式断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造工程の途中を説明する模式断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬパネルの構成を示す模式図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態に係る表示装置は有機ＥＬ表示装置ＤＤであり、アクティブマトリクス方式で駆動される。図１は、当該実施形態に係る有機ＥＬ表示装置ＤＤを示す斜視図である。有機ＥＬ表示装置ＤＤは、上フレームＵＦと下フレームＬＦとで挟まれるように固定された有機ＥＬパネル１を備えている。特に図示していないが、有機ＥＬパネル１を駆動するための外部駆動回路は、有機ＥＬパネル１と共に上フレームＵＦと下フレームＬＦとの内部に設けられてもよいし、引き出し配線を介して外側に設けられてもよい。

図２は、当該実施形態に係る有機ＥＬパネル１の等価回路図である。有機ＥＬパネル１は，基板上に、複数の画素ＰＸを含み画像表示を行う表示部ＤＡ（表示領域）を備える。さらに、表示部ＤＡの周辺となる額縁領域にそれぞれ配置される、データ駆動回路ＤＤＣと、走査駆動回路ＧＤＣと、共通電位供給主配線ＣＢＬ（コモンバスライン）と、２本の電位主配線Ｖ_１，Ｖ_２と、を備える。表示部ＤＡは、走査駆動回路ＧＤＣにそれぞれ接続される複数のゲート線ＧＬと、データ駆動回路ＤＤＣにそれぞれ接続される複数のデータ線ＤＬと、共通電位供給主配線ＣＢＬにそれぞれ接続される複数の共通電位線ＣＬと、２本の電位主配線Ｖ_１，Ｖ_２にスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２を介してそれぞれ接続される複数の電位配線ＰＬと、を備える。

表示部ＤＡは基板のほぼ中央に設けられる。図２に示す通り、データ駆動回路ＤＤＣは表示部ＤＡに対して図の上側に配置され、図の縦方向に延びる複数のデータ線ＤＬに対して画像信号を出力する。走査駆動回路ＧＤＣは表示部ＤＡに対して図の左側に配置され、図の横方向に延びる複数のゲート線ＧＬに対して走査信号を出力する。共通電位供給主配線ＣＢＬは、図２では表示部ＤＡの右側に配置されており、図の横方向に延びる複数の共通電位線ＣＬと接続されており、複数の共通電位線ＣＬは共通電位供給主配線ＣＢＬに印加される基準電位Ｖ_ｓに保持される。なお、図２は、あくまで等価回路を示したものに過ぎず、共通電位供給主配線ＣＢＬ及び複数の共通電位線ＣＬの構成は実際には図２と異なっている。これについては後述する。データ駆動回路ＤＤＣ及び走査駆動回路ＧＤＣは、複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、ＴＦＴと記す）をそれぞれ含むシフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログスイッチ回路などを含んでいる。

表示部ＤＡに、複数のゲート線ＧＬと複数のデータ線ＤＬとが交差する箇所にマトリクス状に複数の画素ＰＸが配置されている。各画素ＰＸは、ドライバトランジスタＴ１と、スイッチトランジスタＴ２と、蓄積容量Ｃ１と、画素容量Ｃ２と、発光素子ＬＤと、を備える。ドライバトランジスタＴ１及びスイッチトランジスタＴ２はともにＴＦＴである。また、発光素子ＬＤは、表示素子の一例であり、ここでは、有機発光ダイオード素子（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）である。

図２に示す通り、ドライバトランジスタＴ１のゲート電極とドレイン電極との間に蓄積容量Ｃ１が接続され、ソース電極に電位配線ＰＬが接続される。スイッチトランジスタＴ２のゲート電極が対応するゲート線ＧＬに接続され、ソース／ドレイン電極の一方が対応するデータ線ＤＬに、他方が蓄積容量Ｃ１（及びドライバトランジスタＴ１のゲート電極）に接続される。画素容量Ｃ２はドライバトランジスタＴ１のドレイン電極と電位配線ＰＬとの間に接続される。発光素子ＬＤは、ドライバトランジスタＴ１のドレイン電極と、基準電位Ｖ_ｓに保持される共通電位線ＣＬとの間に接続される。

図３は、当該実施形態に係る有機ＥＬパネル１の構成を示す模式図である。当該実施形態に係る有機ＥＬパネル１において、表示部ＤＡに複数のコンタクトホールＣＨが配置されている。図２には共通電位供給主配線ＣＢＬが表示部ＤＡの右側に図示されているが、実際には、共通電位供給主配線ＣＢＬは、表示部ＤＡの外方にあって表示部ＤＡを囲うように配置されている。表示部ＤＡ（表示領域）の形状が矩形状であるので、共通電位供給主配線ＣＢＬは、表示部ＤＡの額縁領域に配置され、所定の幅で表示部ＤＡを囲う額縁形状（矩形の環状）を有している。

当該実施形態に係る有機ＥＬパネル１では、さらに、共通電位配線層（共通電位配線ＣＷ）が共通電位供給主配線ＣＢＬに電気的に接続し、表示部ＤＡ（表示領域）に延びており、格子形状となっている。共通電位配線層全体の形状は格子形状であるが、共通電位配線層が複数の共通電位配線ＣＷで構成されているとすると、各共通電位配線ＣＷは縦方向又は横方向に延伸し、互いに電気的に接続している。なお、共通電位供給主配線ＣＢＬと共通電位配線層は、ともに金属によって形成されており、同一の工程で同一層上に形成され、一体となっている。

基板上に、表示部ＤＡ全域を覆って、すなわち、複数の画素ＰＸを覆って、有機発光層ＯＬＬが形成される。ここで、有機発光層ＯＬＬが配置される領域は表示部ＤＡの領域と一定している。そして、有機発光層ＯＬＬは、表示部ＤＡの領域のうち、複数のコンタクトホールＣＨが形成される領域が除去されている。有機発光層ＯＬＬが配置される領域がハッチングによって図に示されている。

さらに、有機発光層ＯＬＬ全域（表示部ＤＡ全域）を覆って共通電極膜（図示せず）が形成されている。共通電極膜は透明導電膜であり、共通電極膜が配置される領域は、表示部ＤＡ（表示領域）を含んでさらに外側へ広がり、共通電位供給主配線ＣＢＬが形成される領域をも含んでいる。すなわち、共通電極膜は、表示部ＤＡ及び共通電位供給主配線ＣＢＬを覆って配置される。共通電位供給主配線ＣＢＬ上に、複数のコンタクトホール（図示せず）が配置されており、共通電極膜は複数のコンタクトホールを介して物理的に接して配置され、電気的に接続されている。共通電極膜と共通電位供給主配線ＣＢＬとの電気的な接続は、該複数のコンタクトホールにおける物理的な接触により主に確立している。なお、図３に示す通り、表示部ＤＡの下側には、端子接続部ＴＣＡが設けられ、有機ＥＬパネル１の図の下端周辺には、外部配線に接続するための複数の端子が並んで配置されるが、かかる領域には共通電極膜（及び有機発光層ＯＬＬ）は形成されていない。

図に示す通り、複数のコンタクトホールＣＨが、共通電位配線ＣＷ上に配置されており、かかる領域には有機発光層ＯＬＬが形成されていない。それゆえ、共通電極膜と複数の共通電位配線ＣＷは複数のコンタクトホールＣＨを介して物理的に接しており、電気的に接続されている。すなわち、共通電位配線ＣＷのうち、コンタクトホールＣＨが形成される領域が、共通電極膜が接する複数のコンタクト領域である。複数のコンタクトホールＣＨ（コンタクト領域）は、表示部ＤＡの周縁から中心へ進むにつれて、疎から密となるよう、配置されている。ここで、表示部ＤＡは矩形状をしており、表示部ＤＡの周縁は長方形（矩形状）である。そして、表示部ＤＡの中心は、長方形の対角線の交点である。

複数のコンタクトホールＣＨにおける共通電極膜と共通電位配線層との物理的な接触により、共通電極膜と共通電位供給主配線ＣＢＬとの電気的な接続をより強めている。図２には各画素ＰＸに延伸する複数の共通電位線ＣＬが図示されているが、実際には、共通電極膜が、複数の共通電位線ＣＬと、各画素ＰＸの発光素子ＬＤの電極と、を兼ねている。さらに、共通電位配線ＣＷが、補助的に複数の共通電位線ＣＬの役割（の一部）を担っている。表示部ＤＡに複数の画素ＰＸの領域を確保するためには、間隙領域ＩＮＴの領域を出来る限り狭くするのが望ましく、かかる領域にコンタクトホールＣＨを形成するとなると、１０μｍ以下の微細加工が必要となる。コンタクトホールＣＨの形状、面積、及び個数は任意に設定すればよいが、精細度を確保するためには、表示部ＤＡに形成されるコンタクトホールＣＨ（コンタクト領域）の面積の合計は、表示部ＤＡの面積の１０％以下となるのが望ましい。

図４は、当該実施形態に係る有機ＥＬパネル１の構成を示す模式図である。図４は、コンタクトホールＣＨとその周辺に配置される画素ＰＸとの配置が示されている。図には、マトリクス状に並ぶ（２×２＝）４個の画素ＰＸが示されている。隣り合う画素ＰＸとの間にある領域が、間隙領域ＩＮＴである。平面視して、共通電位配線ＣＷ（共通電位配線層）が間隙領域ＩＮＴへ延びている。各画素ＰＸには各素子が配置されるので、共通電位配線ＣＷは表示部ＤＡにおいて間隙領域ＩＮＴに配置されるのが望ましい。平面視して、コンタクトホールＣＨは共通電位配線ＣＷ上に形成される。図４では、コンタクトホールＣＨは４個の画素ＰＸに囲まれる位置に配置されているが、これに限定されることはなく、隣り合う２個の画素ＰＸの間に配置されてもよい。

図５は、当該実施形態に係る有機ＥＬパネル１の断面図であり、図３に示すＶ−Ｖ線による断面を示している。当該実施形態に係る有機ＥＬ表示装置ＤＤは、トップエミッション型有機ＥＬ表示装置であり、図５の上方に位置する観測者に対して上向きの光を出射する。

基板１１上に、下地層１２、所定の形状のポリシリコン層１３、第１層間絶縁層１４（ゲート絶縁層）、所定の形状のゲート線層１６、及び第２層間絶縁層１７が、順に積層される。第１層間絶縁層１４及び第２層間絶縁層１７に形成されるスルーホールを埋めて、所定の形状のドレイン電極層１５Ａ及びソース電極層１５Ｂが形成されている。さらに、第３層間絶縁層１８が形成され、第３層間絶縁層１８の上側に、共通電位配線層１９（共通電位配線ＣＷ）及び配線層２０が形成される。共通電位配線層１９及び配線層２０を覆って、第４層間絶縁層２１が形成されている。共通電位配線層１９及び配線層２０は、金属層である。

ここで、基板１１は、ガラス基板であるが、樹脂基板やその他の基板であってもよい。下地層１２はＳｉＮｘ膜又はＳｉＯｘ膜であるが、これらの膜が複数積層される混合膜であってもよい。下地層１２は、ポリシリコン層１３及び第１層間絶縁層１４にＮａやＫなどのイオンが混入するのを抑制するために設けられている。ポリシリコン層１３の所定の形状は、チャネル領域、ドレイン領域、及びソース領域を含んでいる。ドレイン電極層１５Ａ及びソース電極層１５Ｂは、スルーホールを介して、ポリシリコン層１３のドレイン領域及びソース領域とそれぞれ電気的に接続される。配線層２０はデータ線ＤＬであるが、電位配線ＰＬとなる配線層（図示せず）も配置されている。なお、ポリシリコン層１３、ゲート線層１６、ドレイン電極層１５Ａ、及びソース電極層１５Ｂとで、１つのＴＦＴを構成している。図に示すＴＦＴは、ドライバトランジスタＴ１である。第４層間絶縁層２１は平坦化層であり、第４層間絶縁層２１の上表面は平坦化されている。図示されないが、図２に示す画素ＰＸを構成する各素子（スイッチトランジスタＴ２、蓄積容量Ｃ１、及び画素容量Ｃ２）は第４層間絶縁層２１の下方に配置される。

第４層間絶縁層２１の上側に、下部電極膜２２（第１電極）が、画素ＰＸとなる領域を含んで島状に形成される。下部電極膜２２は、第３層間絶縁層１８及び第４層間絶縁層２１に形成されるスルーホールを介して、ドレイン電極層１５Ａと電気的に接続されている。下部電極膜２２のうち画素ＰＸとなる領域を囲うように、バンク２３が形成されている。ここで、画素ＰＸとなる領域は、各画素の発光素子ＬＤが観測者へ到達する光を出射する領域である。バンク２３は、複数の画素ＰＸの間にある間隙領域ＩＮＴに形成されており、バンク２３が形成される領域を間隙領域ＩＮＴと定義してもよい。

下部電極膜２２及びバンク２３を覆って、発光層（有機発光層ＯＬＬ）を含む有機膜２４と、上部電極膜２５（第２電極）と、が順に積層されている。ここで、有機膜２４は表示部ＤＡの全域に亘って（複数のコンタクトホールＣＨが形成される領域を除いて）形成されている。また、上部電極膜２５は共通電極膜であり、表示部ＤＡの全域及びその外側に広がり、共通電位供給主配線ＣＢＬ（図示せず）が形成される領域を含んで、形成されている。前述の通り、上部電極膜２５と共通電位供給主配線ＣＢＬとは、複数のコンタクトホール（図示せず）を介して物理的に接しており、電気的に接続されている。各画素ＰＸにおいて、発光素子ＬＤである有機発光ダイオード素子（ＯＬＥＤ）は、下部電極膜２２（第１電極）と、有機膜２４と、上部電極膜２５（第２電極）とで、構成される。島状に形成される下部電極膜２２及びバンク２３により、隣り合う画素ＰＸそれぞれの下部電極膜２２は電気的に遮断されている。画素ＰＸとなる領域は、下部電極膜２２が有機膜２４を介して上部電極膜２５と対向している領域と定義してもよい。

間隙領域ＩＮＴには、複数のコンタクトホールＣＨが形成されている。コンタクトホールＣＨは、バンク２３及び第４層間絶縁層２１を貫通するスルーホールであり、コンタクトホールＣＨの底面は共通電位配線層１９に至っている。また、コンタクトホールＣＨに形成される領域において、後述する工程により有機膜２４が除去されている。すなわち、有機膜２４は、表示部ＤＡ（表示領域）のうち、複数のコンタクトホールＣＨが形成される領域を除いて形成されている。上部電極膜２５は表示部ＤＡの全域に亘って（及び共通電位供給主配線ＣＢＬの領域を含んで）形成される。コンタクトホールＣＨには有機膜２４が除去されているので、複数のコンタクトホールＣＨそれぞれにおいて、上部電極膜２５は共通電位配線層１９に物理的に接して形成されており、上部電極膜２５は共通電位配線層１９とコンタクトホールＣＨを介して電気的に接続されている。ここで、上部電極膜２５は透明電極膜であり、例えば、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物：登録商標）膜、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜などで形成される。

ここでは、下部電極膜２２が陽極であり、上部電極膜２５が陰極であるが、互いに反対であってもよい。有機膜２４は多層構造を有しており、下部電極膜２２と上部電極膜２５との間に、下部電極膜２２（陽極）側から順に、ホール輸送層、発光層（有機発光層ＯＬＬ）、及び電子輸送層が積層されている。有機発光ダイオード素子（ＯＬＥＤ）では、上部電極膜２５と下部電極膜２２との間に直流電圧を印加すると、陽極側から注入されたホールがホール輸送層を経由して、また、陰極側から注入された電子が電子輸送層を経由して、それぞれ発光層に到達し、電子−ホールの再結合が生じてここから所定の波長の発光が生じる。なお、有機膜２４の発光層と電子輸送層とは、共通の材料を用いても形成されてもよい。陽極とホール輸送層の間に、陽極バッファ層、又はホール注入層を配置してもよい。ここで、有機膜２４には、陽極と陰極との間に所定の電圧を印加し電流を流すにより、白色発光がなされる材料や構造が採用されている。有機発光ダイオード素子によって白色発光を実現するためには、発光色の異なる複数の発光層をマルチフォトンと呼ばれる構造により積層する方法と、一つの発光層中に発光色が異なる色素をドーピングする方法などがある。いずれの方法を採用する場合であっても、白色発光の有機発光ダイオード素子として発光効率が高く、寿命の長い白色発光が得られるものを用いることが望ましい。また、有機膜２４は、発光層や、ホール輸送層、電子輸送層などの複数の層を含んでいるが、場合によっては無機材料による層を含んでいてもよい。

封止膜２６は、表示部ＤＡの全域を含んで、上部電極膜２５の上側に形成されている。封止膜２６は、水分等が有機発光ダイオード素子の内部に侵入しないようにするために、ガスバリア性が高く可視光に対して透明であることが望ましい。このため、窒化シリコンのような緻密な無機膜、あるいは無機膜と有機膜による積層膜により実現してもよい。

当該実施形態に係る有機ＥＬパネル１は、カラーフィルタ基板２８をさらに含む。カラーフィルタ基板２８は、ガラス基板や樹脂基板などの透明基板上に、カラーフィルタが形成される。そして、封止膜２６とカラーフィルタ基板２８との間に、透明な充填材２７が充填される。充填材２７は、高分子材料であってもよく、この場合、充填材２７を密閉することにより固体封止がなされる。また、充填材２７は、窒素ガスなどの不活性ガスであってもよく、基板１１とカラーフィルタ基板２８の周縁部をシール材で密閉し、内部の空間に充填材２７を封入した後に、封止してもよい。

以上、当該実施形態に係る有機ＥＬパネルの表示部ＤＡの構造について説明した。以下、当該実施形態に係る有機ＥＬパネルの主な製造方法について説明する。

図６は、当該実施形態に係る有機ＥＬパネル１の主な製造工程を示す図である。図７乃至図９は当該実施形態に係る有機ＥＬパネル１の製造工程の途中を説明する模式断面図である。

基板１１上に、ＴＦＴを形成する（Ｓ１：ＴＦＴ形成工程）。かかる工程は、公知の技術を用いて、基板１１上に、下地層１２と、ポリシリコン層１３と、第１層間絶縁層１４と、ゲート線層１６と、第２層間絶縁層１７と、ドレイン電極層１５Ａ及びソース電極層１５Ｂと、第３層間絶縁層１８と、を形成する。

第３層間絶縁層１８上に、間隙領域ＩＮＴへ延びるとともに、共通電位供給主配線ＣＢＬに電気的に接続される、共通電位配線層１９を形成する（Ｓ２：共通電位配線層形成工程）。かかる工程で、配線層２０も併せて形成する。

共通電位配線層１９（及び配線層２０）を覆って、第４層間絶縁層２１（平坦化層）を形成する（Ｓ３：平坦化層形成工程）。さらに、第４層間絶縁層２１上に、下部電極膜２２を所定の形状に形成する（Ｓ４：第１電極形成工程）。その際に、第３層間絶縁層１８及び第４層間絶縁層２１の一部を除去し、ドレイン電極層１５Ａへ貫通するスルーホールを形成した後に、該スルーホールを埋めるよう、下部電極膜２２を形成する。

間隙領域ＩＮＴに、バンク２３を形成する（Ｓ５：バンク形成工程）。さらに、バンク２３上に、共通電位配線層１９に貫通する複数のコンタクトホールＣＨを形成する（Ｓ６：コンタクトホール形成工程）。コンタクトホールＣＨは、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて形成される。図７は、かかる工程後の状態を示している。

複数の画素ＰＸを覆って配置される、有機膜２４を形成する（Ｓ７：有機膜形成工程）。ここで、有機膜２４は基板１１の全域に亘って蒸着により形成される。ここで、有機膜２４は白色発光をする材料によって構成されており、有機膜２４は基板全面に亘って形成されるので、パターニングをする必要がない。図８は、かかる工程後のコンタクトホールＣＨ付近の状態を示している。有機膜２４は蒸着によって形成されるので、コンタクトホールＣＨの底面及びバンク２３の上面には実質的に一様に形成されるが、コンタクトホールＣＨの側面には、有機膜２４は形成されない場合もあり得るし、形成されても不安定な状態となっていることもあり得る。

なお、発光素子ＬＤが白色発光するものではなく、ＲＧＢ各色を発光する素子である場合、発光層はマスクにより各色別々に形成される（塗り分け）。かかる場合であっても、工程簡略化のために、ホール輸送層や電子輸送層などを基板１１の全域に亘って形成し、かかる層を有機膜（有機共通層）とすれば、本発明を適用することが出来る。

レーザアブレーション加工により、複数のコンタクトホールＣＨ（の底面及び側面）に形成される有機膜２４を除去する（Ｓ８：有機膜一部除去工程）。図８に矢印で示す通り、レーザをコンタクトホールＣＨに照射することにより、共通電位配線層１９上に形成される有機膜２４を除去する。照射するレーザの波長は、有機膜２４が吸収する波長を適宜選択すればよい。複数のコンタクトホールＣＨの底面のうち、有機膜２４が除去される部分がコンタクト領域となる。複数のコンタクトホールＣＨの底面に形成される有機膜２４がすべて除去されるのが望ましい。

有機膜２４の光吸収効率が小さい場合には、共通電位配線層形成工程（Ｓ２）において、共通電位配線層１９の上面のうち、コンタクトホールＣＨが形成される領域を含んで、光吸収層を形成してもよい。コンタクトホール形成工程（Ｓ６）において、形成されるコンタクトホールＣＨは、共通電位配線層１９の上面に形成される光吸収層に貫通する貫通孔である。そして、有機膜一部除去工程（Ｓ８）において、レーザアブレーション加工により、有機膜２４と光吸収層を除去する。この場合、照射するレーザの波長は、光吸収層（及び有機膜２４）が吸収する波長を選択すればよい。

さらに、有機膜２４のうち、表示部ＤＡの周辺の額縁領域に形成される部分を、レーザアブレーション加工などによって除去する。コンタクトホールに形成される部分と、額縁領域に形成される部分の除去は、同一の工程で行っても、別々の工程で行ってもよく、レーザを用いる場合は、それぞれ適当な波長を選択して異なる波長で行ってもよい。

表示部ＤＡ及び共通電位供給主配線ＣＢＬとを覆うよう、上部電極膜２５（共通電極膜）を形成する（Ｓ９：第２電極形成工程）。上部電極膜２５は、スパッタ法などにより、基板全面に亘って形成されるので、パターニングをする必要がない。コンタクトホールＣＨの底部の有機膜２４は除去されているので、上部電極膜２５はコンタクトホールＣＨにおいて、共通電位配線層１９と物理的に接しており、電気的な接続が確立される。

上部電極膜２５の上に、封止膜２６を形成する（Ｓ１０：封止膜形成工程）。図９は、かかる工程後の状態を示している。以降の工程は、公知の工程により、有機ＥＬパネル１が作製される。なお、有機ＥＬパネル１の端子接続部ＴＣＡに形成される、封止膜２６、上部電極膜２５、及び有機膜２４を除去する場合は、有機膜２４は剥離層の役割を果たすので、有機ＥＬパネル１の完成品では、端子接続部ＴＣＡには有機膜２４は残存しない。

以上、当該実施形態に係る有機ＥＬパネル１の主な製造方法について説明した。当該実施形態に係る有機ＥＬパネル１の上部電極膜２５は、額縁領域に形成される共通電位供給主配線ＣＢＬと物理的に接して電気的接続を得ることに加えて、表示部ＤＡ（表示領域）に配置される複数のコンタクトホールＣＨにおいて、共通電位供給主配線ＣＢＬに接続される共通電位配線層１９と物理的に接して電気的接続を得ることが出来ている。駆動時において、上部電極膜２５の表示部ＤＡ（表示領域）の電圧降下（変動）の面内分布が抑制され、輝度むらが低減される。さらに、複数のコンタクトホールＣＨ（コンタクト領域）を、表示部ＤＡの周縁から中心へ進むにつれて、疎から密となるよう、配置することにより、該面内分布はさらに抑制され、輝度むらがさらに低減される。ここでは、表示部ＤＡの形状を矩形状としているが、これに限定されることはなく、複数のコンタクトホールＣＨ（コンタクト領域）を、駆動時における上部電極膜２５（共通電極膜）の電圧降下を補償するよう、配置すればよい。

有機膜２４の形成にマスクが不要であるので、パネルサイズや配線構造が異なる他の品種の有機ＥＬパネルと同じ工程で、有機膜２４を形成することができ、品種の切換えが容易になるというさらなる効果を奏する。

［第２の実施形態］
図１０は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬパネルの構成を示す模式図である。当該実施形態に係る有機ＥＬパネルは、表示部ＤＡに配置される複数のコンタクトホールＣＨに加えて、複数のダミーホールをさらに含んでいるが、それ以外については、第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１と同じ構造をしている。

第１の実施形態では、バンク２３上に複数のコンタクトホールＣＨが形成され、かかる複数のコンタクトホールＣＨに形成される有機膜２４が除去されている。それゆえ、上部電極膜２５はかかる複数のコンタクトホールＣＨの底部において共通電位配線層１９と物理的に接している。これに対して、当該実施形態では、バンク２３上に複数のコンタクトホールＣＨと同様に、さらに複数のダミーホールＤＨが形成されている。有機膜一部除去工程（Ｓ８）において、レーザアブレーション加工により、複数のコンタクトホールＣＨに形成される有機膜２４が除去される。これに対して、複数のダミーホールＤＨではかかる加工は行わず、複数のダミーホールＤＨにおいて有機膜２４が残存する。第２電極形成工程（Ｓ９）において、上部電極膜２５が形成されるが、複数のダミーホールＤＨにおいて、上部電極膜２５は有機膜２４の上に形成されるために、複数のダミーホールＤＨにおいて、上部電極膜２５は共通電位配線層１９と物理的に接しておらず、かかる箇所において電気的接続は確立していない。

複数のコンタクトホールＣＨに加えて、複数のダミーホールＤＨを配置することにより、以下の効果を奏する。コンタクトホールＣＨとダミーホールＤＨとの違いは、レーザアブレーション加工により、有機膜２４を除去するか否かである（Ｓ８：有機膜一部除去工程）。言い換えれば、有機膜一部除去工程（Ｓ８）において、有機膜２４を除去するホールの数を任意に選択することが出来る。共通するフォトリソグラフィのレジストパターンで、コンタクトホールＣＨ及びダミーホールＤＨを形成することが出来、有機ＥＬパネルの電気的特性に応じて、有機膜２４を除去するホールの個数や配置を選択することが出来るので、コスト削減に顕著な効果を奏する。複数のコンタクトホールＣＨ及び複数のダミーホールＤＨが形成される領域を含んで、共通電位配線層１９を形成することにより、有機膜一部除去工程（Ｓ８）において、有機膜２４を除去するホールの数を任意に選択する以外は、すべて共通の工程で有機ＥＬパネルを製造することが出来る。特に、精密な蒸着マスクを使う必要がないために、有機ＥＬパネルの画面サイズを大きくなったとしても、重量負荷が少ないので装置設計がしやすい。また、マスク部材のコストを低減することができ、マスク洗浄工程及びマスクと基板の位置合わせ工程を削減することが出来るので、さらなるコスト削減を実現できる。

複数のコンタクトホールＣＨの数と配置は、駆動時における上部電極膜２５（共通電極膜）の電圧降下を補償するよう、配置すればよい。表示部ＤＡの周辺に額縁形状の共通電位供給主配線ＣＢＬを配置し、十分な数のコンタクトホールを介して、上部電極膜２５と共通電位供給主配線ＣＢＬの電気的接続を確立する場合を考える。その場合、表示部ＤＡの周縁から中心へ進むにつれて、疎から蜜となるよう、複数のコンタクトホールＣＨ（コンタクト領域）を配置すればよく、さらに厳密には、表示部ＤＡの周辺に形成される共通電位供給主配線ＣＢＬから表示部ＤＡの中心へ進むにつれて、疎から蜜となるよう、複数のコンタクトホールＣＨを配置すればよい。

表示部ＤＡは通常の場合矩形状であるので、矩形の各辺の二等分線に沿って、周縁から中心へ沿って、疎密をみればよい。ここで、疎や蜜とは、表示部ＤＡにおいて、単位面積当たりのコンタクト領域の合計面積が小さい場合が疎（図の領域Ａ１）であり、大きい場合が密（図の領域Ａ２）である。各コンタクトホールＣＨにおいて、上部電極膜２５と共通電位配線層１９とが物理的に接する面積が等しい場合は、疎密は、単位面積当たりのコンタクトホールＣＨの数で示すことが出来る。

以上、本発明の実施形態に係る表示装置及びその製造方法について有機ＥＬ表示装置を例に説明した。しかし、複数の画素を覆って有機膜及び共通電極膜が形成される表示装置であれば、有機ＥＬ表示装置に限定されることなく、自発光表示装置に本発明を広く適用することが出来る。また、同様に有機膜及び共通電極膜が形成される表示装置であれば、光源が出射する光を制御する表示装置にも広く適用することが出来る。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

１ 有機ＥＬパネル、１１ 基板、１２ 下地層、１３ ポリシリコン層、１４ 第１層間絶縁層、１５Ａ ドレイン電極層、１５Ｂ ソース電極層、１６ ゲート線層、１７ 第２層間絶縁層。１８ 第３層間絶縁層、１９ 共通電位配線層、２０ 配線層、２１ 第４層間絶縁層、２２ 下部電極膜、２３ バンク、２４ 有機膜、２５ 上部電極膜、２６ 封止膜、２７ 充填材、２８ カラーフィルタ基板、Ｃ１ 蓄積容量、Ｃ２ 画素容量、ＣＢＬ 共通電位供給主配線、ＣＨ コンタクトホール、ＣＬ 共通電位線、ＣＷ 共通電位配線、ＤＡ 表示部、ＤＤ 有機ＥＬ表示装置、ＤＤＣ データ駆動回路、ＤＨ ダミーホール、ＤＬ データ線、ＧＤＣ 走査駆動回路、ＧＬ ゲート線、ＩＮＴ 間隙領域、ＬＤ 発光素子、ＬＦ 下フレーム、ＰＬ 電位配線、ＰＸ 画素、Ｓ１，Ｓ２ スイッチング素子、Ｔ１ ドライバトランジスタ、Ｔ２ スイッチトランジスタ、ＴＣＡ 端子接続部、ＵＦ 上フレーム、Ｖ_１，Ｖ_２ 電位主配線、Ｖ_ｓ 基準電位。

Claims (5)

1. 複数の画素を含む表示部と、
   前記表示部の外方にあって前記表示部を囲うよう配置される、共通電位供給主配線と、
   前記表示部のうち前記複数の画素の間にある間隙領域へ延びるとともに、前記共通電位供給主配線に電気的に接続される、共通電位配線層と、
   前記複数の画素を覆って配置される、有機膜と、
   前記表示部及び前記共通電位供給主配線を覆うとともに、前記共通電位供給主配線に接して配置される、共通電極膜と、
   を備える、表示装置であって、
   前記共通電位配線層は、前記間隙領域に複数のコンタクト領域を有し、該複数のコンタクト領域に前記共通電極膜が接する、
   ことを特徴とする、表示装置。
2. 前記複数のコンタクト領域は、前記表示部の周縁から中心へ進むにつれて、疎から密となるよう、配置される、
   ことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記複数のコンタクト領域は、駆動時における前記共通電極膜の電圧降下を補償するよう、配置される、
   ことを特徴とする、請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 複数の画素を含む表示部と、
   前記表示部の外方にあって前記表示部を囲うよう配置される、共通電位供給主配線と、
   を備える、表示装置の製造方法であって、
   前記表示部のうち前記複数の画素の間にある間隙領域へ延びるとともに、前記共通電位供給主配線に電気的に接続される、共通電位配線層を形成する工程と、
   前記間隙領域にバンクを形成する工程と、
   前記バンク上に、前記共通電位配線層に貫通する複数のコンタクトホールを形成する工程と、
   前記複数の画素を覆って配置される、有機膜を形成する工程と、
   レーザアブレーション加工により、前記複数のコンタクトホールに形成される前記有機膜を除去する工程と、
   前記表示部及び前記共通電位供給主配線とを覆うよう、共通電極膜を形成する工程と、
   を備える、表示装置の製造方法。
5. 前記複数のコンタクトホールを形成する工程において、前記表示部の周縁から中心へ進むにつれて、疎から蜜となるよう、前記複数のコンタクトホールを形成する、
   ことを特徴とする、請求項４に記載の表示装置の製造方法。

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