JP2017067681A - Radiation image imaging apparatus - Google Patents
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Abstract
【課題】ノイズの発生を抑制し、コントラスト、解像度、検出分解能などの特性を向上させ、被曝線量の低線量化を可能にする放射線画像撮影装置を提供すること。【解決手段】基板2と、この基板2に配置された複数の光センサ部4Aと、それぞれの光センサ部4Aに対して、一つずつ対向するように配置された、複数のシンチレータ部51と、を備え、シンチレータ部51は、光センサ部4Aへ向けて光を反射させる集光性を持つ反射面(内側面)52Aで囲まれていることを特徴とする。【選択図】図1An object of the present invention is to provide a radiographic imaging apparatus that suppresses the generation of noise, improves characteristics such as contrast, resolution, and detection resolution, and enables lower exposure doses. SOLUTION: A substrate 2, a plurality of optical sensor sections 4A disposed on the substrate 2, and a plurality of scintillator sections 51 disposed one by one to face each optical sensor section 4A. , and the scintillator section 51 is characterized in that it is surrounded by a reflective surface (inner surface) 52A having a condensing property that reflects light toward the optical sensor section 4A. [Selection diagram] Figure 1
Description
本発明は、放射線を検出して放射線の強度分布に対応する電気信号を出力する放射線画像撮影装置に関する。 The present invention relates to a radiographic imaging apparatus that detects radiation and outputs an electrical signal corresponding to the intensity distribution of the radiation.
図5に示すような、放射線画像撮影装置100が知られている。この放射線画像撮影装置100は、図示しない被写体を透過したX線Rを用いて被写体を撮影する。放射線画像撮影装置100は、基板101と、この基板101上に設けられた薄膜トランジスタ(以下、TFTという)回路部102と、フォトダイオードアレイ103と、フォトダイオードアレイ103の上に配置されたシンチレータアレイ104と、を備えている。
A radiation
フォトダイオードアレイ103は、画素毎に配置された多数のフォトダイオードを備えている。図5では、互いに隣接して配置された3つのフォトダイオードS101〜S103を示す。シンチレータアレイ104は、それぞれの画素毎に、隔壁105で区画された複数のシンチレータ104Aを備えている。また、X線が入射する面には、反射膜106が形成されている。それぞれのシンチレータ104Aは、反射膜106を通過して入射したX線を光(可視光)に変換する機能を有する。このような従来技術としては、例えば、特許文献1に記載されたものが知られている。
The
図5に示すように、例えば、フォトダイオードS102の上方に位置するシンチレータ104Aに、X線Rが入射した場合、このシンチレータ部104Aの内部の発光点LでX線Rが光に変換される。この発光点Lで発光する光は、全方向に向けて拡散する。この放射線画像撮影装置100では、隔壁105や反射膜106が存在するため、符号F1,F2で示すような光が、隣接する画素側へ漏れることを防止できる。したがって、図5に示すように、フォトダイオードS101やフォトダイオードS103に相当する検出座標に示されるような検出強度A3,A4は、検出されない。
As shown in FIG. 5, for example, when the X-ray R is incident on the
しかしながら、隔壁105や反射膜106で反射を繰り返して反射回数が増えることで、拡散する光の光路長が長くなり光が減衰するという問題が生じる。特に、図5に示すように、シンチレータ部104Aを互いに平行をなす隔壁105が挟む構造であるため、光の反射回数が多くなる。したがって、図5に示すように、発光点Lの直下のフォトダイオードS102に実際に入射する光(変換光)の検出強度A1は、拡散する光を集めた場合に想定される検出強度A2よりも大幅に小さくなる。このため、フォトダイオードS102における検出強度が低くなり、撮像画像のコントラスト、解像度、検出分解能などの特性が低下する。検出強度を高めるために、X線発生源の照射出力を高くすると、撮像時における被曝線量が増加するという問題が発生する。
However, when the number of reflections is increased by repeating the reflection at the
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、撮像画像のコントラスト、解像度、検出分解能などの特性を向上させ、撮像時における放射線の被曝線量の低線量化を可能にする放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and improves the characteristics of a captured image, such as contrast, resolution, and detection resolution, and enables a radiation image to reduce the radiation exposure dose during imaging. An object is to provide a photographing apparatus.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る放射線画像撮影装置の態様は、基板と、この基板に配置された複数の光センサ部と、それぞれの光センサ部に対して、一つずつ対向するように配置された、複数のシンチレータ部と、を備え、シンチレータ部は、前記光センサ部へ向けて光を反射させる集光性を持つ反射面で囲まれていることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, an aspect of the radiographic imaging apparatus according to the present invention includes a substrate, a plurality of photosensor units disposed on the substrate, and each photosensor unit. A plurality of scintillator portions arranged so as to face each other, and the scintillator portion is surrounded by a reflecting surface having a light collecting property to reflect light toward the optical sensor portion. Features.
上記態様としては、反射面が、シンチレータ部における光センサ部と対向する面以外を覆うように形成された反射膜の内側面であることが好ましい。 As said aspect, it is preferable that a reflective surface is an inner surface of the reflecting film formed so that the surface other than the surface which opposes the optical sensor part in a scintillator part may be covered.
上記態様としては、シンチレータ部の上記基板に直交する方向で切断した断面形状が、凸レンズ形状、半球形状、半楕円体形状、半多角形状およびこれらの形状を含む形状のいずれかであることが好ましい。 As said aspect, it is preferable that the cross-sectional shape cut | disconnected in the direction orthogonal to the said board | substrate of a scintillator part is either a convex lens shape, a hemispherical shape, a semi-ellipsoid shape, a semi-polygon shape, and the shape containing these shapes. .
上記態様としては、上記反射面が、互いに平行をなす平面の対を有しないことが好ましい。 As said aspect, it is preferable that the said reflective surface does not have a pair of planes mutually parallel.
上記態様としては、反射膜に形成された凹部内に、シンチレータ部が配置されていることが好ましい。 As said aspect, it is preferable that the scintillator part is arrange | positioned in the recessed part formed in the reflecting film.
上記態様としては、反射面が、シンチレータ部の前記光センサ部と対向する面以外を覆うように形成された材料膜とシンチレータ部との界面であり、この材料膜の光屈折率がシンチレータ部の構成材料の光屈折率よりも小さい構成としてもよい。 As the above aspect, the reflection surface is an interface between the scintillator portion and the material film formed so as to cover the scintillator portion other than the surface facing the optical sensor portion, and the light refractive index of the material film is that of the scintillator portion. It is good also as a structure smaller than the optical refractive index of a constituent material.
本発明に係る放射線画像撮影装置によれば、撮像画像のコントラスト、解像度、検出分解能などの特性を向上させ、撮像時における放射線の被曝線量の低線量化を図ることができる。 According to the radiographic image capturing apparatus of the present invention, it is possible to improve characteristics such as contrast, resolution, and detection resolution of a captured image, and to reduce the radiation exposure dose during imaging.
以下に、本発明の実施の形態に係る放射線画像撮影装置の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各部材の寸法や寸法の比率や形状などは現実のものと異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率や形状が異なる部分が含まれている。 Below, the detail of the radiographic imaging apparatus which concerns on embodiment of this invention is demonstrated based on drawing. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the dimensions, ratios and shapes of the members are different from actual ones. In addition, the drawings include portions having different dimensional relationships, ratios, and shapes.
[第1の実施の形態]
以下、図1および図2を用いて、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置1の構成を説明する。図1に示すように、放射線画像撮影装置1は、基板としてのガラス基板2と、このガラス基板2の表面に形成されたTFT回路部3と、TFT回路部3の上に形成された光センサアレイ4と、この光センサアレイ4の上に形成されたシンチレータアレイ5と、を備える。
[First Embodiment]
Hereinafter, the configuration of the radiographic
(TFT回路部)
図2に示すように、TFT回路部3は、画素毎に、スイッチング素子としてのTFT31を備える。すなわち、これらのTFT31は、ガラス基板2の表面にマトリクス状に配置されている。この他に、TFT回路部3は、図示しない、電荷蓄積用のキャパシタ、ゲート線、データ線などを備える。
(TFT circuit part)
As shown in FIG. 2, the TFT circuit unit 3 includes a
TFT31は、ガラス基板2の表面に形成されたゲート電極32と、ゲート電極32およびガラス基板2の表面を覆うゲート絶縁膜33と、ゲート電極32と対向するように形成された半導体層34と、半導体層34のゲート電極32を挟む一方側に接合するように配置されたソース電極35と、半導体層34のゲート電極32を挟む他方側に接合するように配置されたドレイン電極36と、を備える。これらTFT31とゲート絶縁膜33の上には、層間絶縁膜37が形成されている。
The TFT 31 includes a
(光センサアレイ)
光センサアレイ4は、多数の光センサ部4Aを備える。図2に示すように、光センサアレイ4は、層間絶縁膜37の上に画素領域毎にパターン形成された多数の画素電極41と、これら画素電極41および層間絶縁膜37上に撮影領域全体に亘って形成された光電変換層42と、この光電変換層42の上に形成された透明電極43と、を備える。
(Optical sensor array)
The optical sensor array 4 includes a large number of
本実施の形態では、画素電極41が金属などの導電性材料で形成されている。透明電極43は、光センサアレイ4の共通電極として、撮影領域全体に亘って形成されている。図1および図2に示すように、光センサ部4Aは、画素電極41と、光電変換層42と、画素電極41と対向する領域の透明電極43と、で構成されている。そして、それぞれの画素電極41は、層間絶縁膜37に形成されたコンタクトホールに埋め込まれた取り出し電極38を介して、対応する画素領域に形成されたTFT31のドレイン電極36に接続されている。
In the present embodiment, the
(シンチレータアレイ)
図1に示すように、シンチレータアレイ5は、光センサ部4Aに対応して配置された多数のシンチレータ部51を備える。図2に示すように、シンチレータアレイ5は、透明電極43の上に形成されている。本実施の形態に係る放射線画像撮影装置1におけるシンチレータ部51は、楕円体を長軸の中心近傍で長軸に直角をなすように半分に切断した半楕円体形状である。すなわち、シンチレータ部51の長軸を含む面で切断した形状は、半楕円形である。図2に示すように、シンチレータ部51は、透明電極43に密着する面である底面部51Aと、シンチレータ部51の頂部から底面部51Aの周縁に向けて広がるような曲面部51Bと、を有する。
(Scintillator array)
As shown in FIG. 1, the
本実施の形態では、シンチレータアレイ5を構成するシンチレータ材料としては、CsI:Tl,Gd2O2S:Tb,LaBr3:Ceなどから選択することができる。
In the present embodiment, the scintillator material constituting the
図1および図2に示すように、シンチレータアレイ5は、反射膜52を備えている。この反射膜52は、反射層53と集光形状層54とを備えている。反射層53は、シンチレータ部51の表面に密着して覆うように形成されている。この反射層53を構成する材料としては、Al,Ag,Ni,Auなどを選択することができる。反射層53は、シンチレータ部51の表面を、この表面に密着した状態で覆っている。この集光形状層54は、反射層53が形成されたシンチレータ部5Aおよび光センサアレイ4の上に形成されている。この集光形状層54は、例えば、合成樹脂で形成することができる。本実施の形態に係る放射線画像撮影装置1の反射膜52の反射面、すなわち反射層53の内側面53Aは、互いに平行をなす平面の対を有しない。シンチレータ部51を覆う反射層53の内側面53Aは、シンチレータ部51内で拡散する光を光センサ部4Aに向かわせる集光性を有する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
(第1の実施の形態の作用および効果)
次に、この放射線画像撮影装置1の作用、効果について説明する。図1は、放射線画像撮影装置1において、光センサ部4A(S2)の上方に位置するシンチレータ部51にX線Rが入射した場合を示す。X線Rは、反射膜52を通過してシンチレータ部51内に入射する。このX線Rは、シンチレータ部51の上部に位置する発光点Lで光に変換される。この発光点Lで発光する光は、全方向に向けて拡散する。
(Operation and effect of the first embodiment)
Next, the operation and effect of the radiation
図1において、発光点Lから光センサ部4Aへ直接向かう光をF12、両側の光センサ部4A(S1),4A(S3)へ向かう光をF11,F14、発光点Lより上に向かう光をF13で示す。ここで、発光点Lの直下の光センサ部4A(S2)に隣接する画素領域に向けて進む光F11,F13,F14は、反射層53の内側面53Aで反射されて光F15,F16,F19として光センサ部4A(S2)へ向けて進む。すなわち、これらの光F11,F13,F14は、一回の反射を経て光センサ部4A(S2)へ到達する。
In FIG. 1, the light directing from the light emitting point L to the
上述のように、内側面53Aは、上部から下部(光センサ部側)へ向けて拡がる曲面であるため、この内側面53Aに入射した光は反射を繰り返すことなく、下方の光センサ部4Aへ向けられる。このため、発光点Lから拡散する光が光センサ部4Aに至るまでの光路長は短くなる。このため、発光点Lから拡散する光の減衰は抑制される。
As described above, since the
放射線画像撮影装置1では、内側面53Aで光が反射することにより、隣接する画素へ向けて拡散する光F11,F13,F14などが隣の画素領域に洩れることを防止できる。このため、この放射線画像撮影装置1では、クロストークの発生を抑制でき、撮像画像のコントラスト、解像度、検出分解能などの特性の低下を防止できる。
In the
この放射線画像撮影装置1では、シンチレータ部51内で拡散する光が、反射回数が少ない状態で光センサ部4A(S2)に到達できる。したがって、放射線画像撮影装置1では、拡散する光の減衰を抑制できる。図1に示すように、光センサ部4A(S2)では、上記のクロストークの発生を抑制したことと、拡散する光の減衰を抑制したこと、とにより、高い検出強度を確保できる。図1に示す検出強度B4は、拡散する光の減衰の無い状態で隣接する画素領域へ洩れる光を加えた計算上の検出強度を示している。この放射線画像撮影装置1では、検出強度B4に近似する検出強度B5が検出される。放射線画像撮影装置1では、クロストークを抑制する作用と、拡散光の減衰を抑制する作用と、とにより、撮影時のX線Rの照射量を増やす必要がなくなり、被曝線量の増加を抑制できる。
In this
[第2の実施の形態]
次に、図3を用いて、本発明の第2の実施の形態に係る放射線画像撮影装置60について説明する。この放射線画像撮影装置60は、ガラス基板61の裏面(図3において上面)側からX線Rが入射する構成例である。
[Second Embodiment]
Next, a
図3に示すように、この放射線画像撮影装置60は、ガラス基板61と、ガラス基板61の表面に形成されたTFT回路部62と、光センサアレイ63と、シンチレータアレイ65と、を備えている。光センサアレイ63は、多数の光センサ部63Aを備えている。シンチレータアレイ65は、光センサ部63Aにそれぞれ対応するように配置された多数のシンチレータ部66と、これら多数のシンチレータ部66を覆う反射膜67とを備えている。反射膜67は、シンチレータ部66を密着する内側面67Aを有する。
As shown in FIG. 3, the radiographic
この放射線画像撮影装置60では、X線RがTFT回路部62を通過してシンチレータ部66に入射するようになっている。なお、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置60のシンチレータ部66は、上述の第1の実施の形態に係る放射線画像撮影装置1におけるシンチレータ部51と同様の形状である。
In the radiation
(第2の実施の形態の作用および効果)
X線Rは、TFT回路部62や光センサ部63Aを通過して、シンチレータ部66内に入射してから光に変換される。シンチレータアレイ65のそれぞれのシンチレータ部66で変換された光は、反射膜67の内側面67Aでも反射されて光センサアレイ63側に入射するため、光捕集機能が高く、しかも光路長を短くできる。このため、撮影画像のコントラストを向上できる。なお、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置60における他の作用よび効果は、上記の第1の実施の形態に係る放射線画像撮影装置1と同様である。
(Operation and effect of the second embodiment)
The X-ray R passes through the
[その他の実施の形態]
以上、第1および第2の実施の形態について説明したが、これら実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
[Other embodiments]
Although the first and second embodiments have been described above, it should not be understood that the description and the drawings, which form part of the disclosure of these embodiments, limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.
例えば、上述の第1および第2の実施の形態に係る放射線画像撮影装置1,60におけるシンチレータ部51,66としては、半楕円体形状のものを用いたが、図4−1に示す変形例1のように、半球状、すなわち断面半円状のシンチレータ部55としてもよい。このシンチレータ部55は、底面部55Aと曲面部55Bとからなり、曲面部55Bを覆う図示しない反射層52、反射膜67がシンチレータ部55内で拡散する光を図示しない光センサ部4A側へ集光させる作用がある。
For example, as the
図4−2は、上述の第1および第2の実施の形態に係る放射線画像撮影装置1,60におけるシンチレータ部51,66の変形例2としてのシンチレータ部56を示す。このシンチレータ部56の断面形状は、半多角形状である。このシンチレータ部56は、底面部56Aと、多角柱の周面をなすような複数の平面部56Bと、を備える。複数の平面部56Bを密着して覆う図示しない反射層53、反射膜67がシンチレータ部56内で拡散する光を図示しない光センサ部4A側へ集光させる作用がある。
FIG. 4B shows a
図4−3は、上述の第1および第2の実施の形態に係る放射線画像撮影装置1,60におけるシンチレータ部51,66の変形例3としてのシンチレータ部57を示す。このシンチレータ部57は、底面部57Aと、集光させる作用を持つ3つの曲面部57B,57C,57Dとを備える。これら3つの曲面部57B,57C,57Dを密着して覆う図示しない反射層53、反射膜67がシンチレータ部57内で拡散する光を図示しない光センサ部4A側へ集光させる作用がある。
FIG. 4-3 shows a
なお、シンチレータ部の構造としては、この他に、両凸レンズ、平凸レンズ、凸メニスカスレンズなどの凸レンズ形状、半球形状、半多角形状、シリンドリカルレンズ形状柱状の構造体を軸に平行な面で切断した形状などを採用してもよい。 As the structure of the scintillator, in addition to this, a convex lens shape such as a biconvex lens, a plano-convex lens, and a convex meniscus lens, a hemispherical shape, a semi-polygonal shape, and a cylindrical lens-shaped structure are cut along a plane parallel to the axis. A shape or the like may be adopted.
上述の第1および第2の実施の形態に係る放射線画像撮影装置1,60においては、シンチレータ部51,66を例えば、金属などの反射膜52,67で覆う構成であるが、このような反射層53、反射膜67に代えて、シンチレータ部51,66の構成材料の光屈折率よりも小さい光屈折率をもつ材料膜(図示省略する)でシンチレータ部51,66を密着して覆う構成としてもよい。この場合、シンチレータ部51,66内でX線が光に変換されて拡散したときに、シンチレータ部51,66と材料膜との界面で光をシンチレータ部51,66内で反射させて光センサ部側へ反射させることができる。
In the
上述の第1および第2の実施の形態に係る放射線画像撮影装置1,60では、光センサアレイ4、63を、フォトダイオードを用いて構成したが、CCDセンサや、CMOSセンサなどの各種の光検出素子を適用してもよい。
In the
1,60 放射線画像撮影装置
2,6 ガラス基板(基板)
3,62 TFT回路部
4,64 光センサアレイ
4A,63A 光センサ部
5,65 シンチレータアレイ
51,55,56,57,66 シンチレータ部
52、67 反射膜
53 反射層
54 集光形状層
53A,67A 内側面
1,60
3,62
Claims (6)
該基板に配置された複数の光センサ部と、
それぞれの前記光センサ部に対して、一つずつ対向するように配置された、複数のシンチレータ部と、
を備え、
前記シンチレータ部は、前記光センサ部へ向けて光を反射させる集光性を持つ反射面で囲まれている
ことを特徴とする放射線画像撮影装置。 A substrate,
A plurality of optical sensor units disposed on the substrate;
A plurality of scintillator units arranged to face each of the photosensor units one by one;
With
The scintillator section is surrounded by a reflecting surface having a light collecting property for reflecting light toward the optical sensor section.
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線画像撮影装置。 The radiographic image capturing apparatus according to claim 1, wherein the reflection surface is an inner surface of a reflection film formed so as to cover a surface of the scintillator unit other than the surface facing the optical sensor unit.
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の放射線画像撮影装置。 The cross-sectional shape of the scintillator section cut in a direction perpendicular to the substrate is any one of a convex lens shape, a hemispherical shape, a semi-ellipsoidal shape, a semi-polygonal shape, and a shape including these shapes. The radiographic imaging apparatus of Claim 1 or Claim 2.
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の放射線画像撮影装置。 The radiographic imaging apparatus according to claim 1, wherein the reflection surface does not have a pair of planes parallel to each other.
ことを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。 The radiographic imaging apparatus according to any one of claims 2 to 4, wherein the scintillator section is disposed in a recess formed in the reflective film.
前記材料膜の光屈折率が前記シンチレータ部の構成材料の光屈折率よりも小さい
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線画像撮影装置。 The reflective surface is an interface between the scintillator portion and a material film formed so as to cover other than the surface of the scintillator portion facing the optical sensor portion,
The radiographic imaging apparatus according to claim 1, wherein a light refractive index of the material film is smaller than a light refractive index of a constituent material of the scintillator portion.
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