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JP2017062884A - 表示装置及び発光装置 - Google Patents

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竜也 市川
泰三 田中
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Abstract

【課題】電荷発生層と第１電極との間での短絡を防止することができる表示装置を提供する。【解決手段】発光素子が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置において、各発光素子は、基体上に形成された第１電極５１、第１電極５１上に形成された積層構造体７０、及び、積層構造体７０上に形成された第２電極５２から成り、積層構造体７０は、第１電極側から、少なくとも、第１発光層を含む第１有機層７１、第１のキャリアを注入する第１層７４Ａ及び第２のキャリアを注入する第２層７４Ｂが積層された電荷発生層７４、並びに、第２発光層を含む第２有機層７２が、この順に積層されて成り、欠陥領域８１を含む発光素子では、電荷発生層７４は、欠陥領域８１において高電気抵抗状態又は絶縁状態７４Ａ’にあり、欠陥領域以外の領域８２において低電気抵抗状態７４Ａ”にある。【選択図】図２

Description

本開示は、表示装置及び発光装置に関する。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、『有機ＥＬ素子』と略称する場合がある）を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、『有機ＥＬ表示装置』と略称する場合がある）が注目されている。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であり、消費電力が低いという特性を有しており、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けての開発、商品化が鋭意進められている。また、有機ＥＬ素子を発光部として用いた発光装置（照明装置）の開発、商品化も鋭意進められている。有機ＥＬ素子は、通常、第１電極、有機発光材料から成る発光層を備えた有機層、及び、第２電極が、順次、積層された構造を有する。
ところで、例えば、第１電極上にパーティクル（異物）や突起部が存在すると、また、第１電極に切れ目や切断部が生じると、有機層のカバレッジが完全ではなくなり、第１電極と第２電極との間で短絡が生じる虞がある。そして、このような短絡が生じると、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置においては、短絡を含む画素が欠陥となってしまい、有機ＥＬ表示装置の表示品質を劣化させてしまう。また、パッシブマトリクスの有機ＥＬ表示装置においては、欠線となってしまい、やはり、有機ＥＬ表示装置の表示品質を劣化させてしまう。
このような問題を解決するための手段が、例えば、特開２０１３−２０７０１０号公報に開示されている。具体的には、有機層と第２電極との間に、有機層側から、第１抵抗層及び第２抵抗層が設けられている。
また、第１電極、有機発光材料から成る第１発光層を備えた第１有機層、電荷発生層、有機発光材料から成る第２発光層を備えた第２有機層、及び、第２電極が、順次、積層された構造を有する有機ＥＬ素子が、例えば、特開２０１１−２４９３４９号公報に開示されている。
特開２０１３−２０７０１０号公報 特開２０１１−２４９３４９号公報
特開２０１３−２０７０１０号公報に開示された有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極との間での短絡を効果的に防止することができる。しかしながら、抵抗体層を形成しなければならず、有機ＥＬ素子の製造工程が増加するといった問題、生産性の低下、製造コストの増加といった問題がある。また、電荷発生層と第１電極との間での短絡（図３参照）を防止することができない。電荷発生層と第１電極との間で短絡が発生すると、色ムラや色ずれといった画質低下の原因となる。
従って、本開示の第１の目的は、電荷発生層と第１電極との間での短絡を防止することができる構成、構造を有する表示装置、発光装置を提供することにある。また、本開示の第２の目的は、抵抗体層を形成すること無く第１電極と第２電極との間での短絡を防止することができる構成、構造を有する表示装置、発光装置を提供することにある。
上記の第１の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る表示装置は、発光素子が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
各発光素子は、
（Ａ）基体上に形成された第１電極、
（Ｂ）第１電極上に形成された積層構造体、及び、
（Ｃ）積層構造体上に形成された第２電極、
から成り、
積層構造体は、第１電極側から、少なくとも、
（Ｂ−１）有機発光材料から成る第１発光層を含む第１有機層、
（Ｂ−２）第１のキャリアを注入する第１層及び第２のキャリアを注入する第２層が積層された電荷発生層、並びに、
（Ｂ−３）有機発光材料から成る第２発光層を含む第２有機層、
が、この順に積層されて成り、
欠陥領域を含む発光素子では、電荷発生層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある。
上記の第２の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る表示装置は、
（Ａ）基体上に形成された第１電極、
（Ｂ）有機発光材料から成る発光層を含む有機層、及び、
（Ｃ）第２電極、
がこの順に積層されて成る発光素子が、２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
各発光素子は、第２電極と有機層との間、又は、第１電極と有機層との間に、電極接続層を更に有しており、
欠陥領域を含む発光素子では、電極接続層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある。
上記の第１の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る発光装置は、
（Ａ）基体上に形成された第１電極、
（Ｂ）第１電極上に形成された積層構造体、及び、
（Ｃ）積層構造体上に形成された第２電極、
から成る発光部を備えた発光装置であって、
積層構造体は、第１電極側から、少なくとも、
（Ｂ−１）有機発光材料から成る第１発光層を含む第１有機層、
（Ｂ−２）第１のキャリアを注入する第１層及び第２のキャリアを注入する第２層が積層された電荷発生層、並びに、
（Ｂ−３）有機発光材料から成る第２発光層を含む第２有機層、
が、この順に積層されて成り、
欠陥領域において、電荷発生層は高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において、電荷発生層は低電気抵抗状態にある。
上記の第２の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る発光装置は、
（Ａ）基体上に形成された第１電極、
（Ｂ）有機発光材料から成る発光層を含む有機層、及び、
（Ｃ）第２電極、
がこの順に積層されて成る発光部を備えた発光装置であって、
発光部は、第２電極と有機層との間、又は、第１電極と有機層との間に、電極接続層を更に有しており、
欠陥領域において、電極接続層は高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において、電極接続層は低電気抵抗状態にある。
本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置あるいは発光装置にあっては、電荷発生層あるいは電極接続層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある。ところで、本発明者らの検討によれば、欠陥領域に酸素原子や窒素原子が多く存在することが判明した。そして、これらの酸素原子や窒素原子と電荷発生層あるいは電極接続層を構成する原子（例えば、後述するアルカリ金属又はアルカリ土類金属）とが結合する結果、欠陥領域において電荷発生層あるいは電極接続層が酸化、窒化され、このような電荷発生層あるいは電極接続層の電気抵抗状態が生じると考えられる。それ故、抵抗層を形成しなくとも、電荷発生層と第１電極との間での短絡、第２電極と第１電極との間での短絡を確実に防止することができ、高い信頼性、長寿命、高輝度、高効率、高表示品質を有する表示装置や発光装置を、製造工程の大幅な増加無しに製造することができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。
図１は、実施例１の表示装置の模式的な一部断面図である。 図２は、実施例１の表示装置において、欠陥領域及び正常領域を含む発光素子を拡大した模式的な一部断面図である。 図３は、従来の表示装置において、欠陥領域及び正常領域を含む発光素子を拡大した模式的な一部断面図である。 図４Ａ及び図４Ｂは、実施例１の表示装置及び実施例４の発光装置における積層構造体の概念図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、実施例１の表示装置及び実施例４の発光装置の変形例における積層構造体の概念図である。 図６は、実施例２の表示装置において、欠陥領域及び正常領域を含む発光素子を拡大した模式的な一部断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、実施例２の表示装置及び実施例４の発光装置における積層構造体の概念図である。 図８Ａ及び図８Ｂは、実施例１の表示装置及び実施例４の発光装置の変形例における積層構造体の概念図である。 図９は、実施例３の表示装置の模式的な一部断面図である。 図１０は、試験的に作製した発光素子の走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）の写真である。 図１１は、図１０に示したＳＴＥＭ写真と同一視野におけるエネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）の結果を示す写真である。 図１２は、実施例２の表示装置及び比較例２の表示装置の滅点数を評価した結果を示すグラフである。
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る発光装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る表示装置）
３．実施例２（本開示の第２の態様に係る表示装置）
４．実施例３（実施例１〜実施例２の変形）
５．実施例４（本開示の第１の態様〜実施例２に係る発光装置）
６．その他
本開示の第１の態様に係る表示装置において、
第１電極はアノード電極を構成し、第２電極はカソード電極を構成し、
第１のキャリアは電子であり、第２のキャリアは正孔であり、
電荷発生層を構成する第１層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている形態とすることができる。そして、この場合、
欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
欠陥領域以外の領域における電荷発生層を構成する第１層の組成は、欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層の組成と異なる形態とすることができる。欠陥領域以外の領域における電荷発生層を構成する第１層の組成は、導電性の組成である。
上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る表示装置において、欠陥領域以外の領域における電荷発生層の厚さは、欠陥領域における電荷発生層の厚さよりも厚い形態とすることができ、この場合、欠陥領域における電荷発生層の厚さは５ｎｍ以上であり、欠陥領域以外の領域における電荷発生層の厚さは１０ｎｍ以上であることが好ましい。
以上に説明した各種好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る表示装置において、
積層構造体と第２電極との間、又は、積層構造体と第１電極との間に、電極接続層が形成されており、
欠陥領域を含む発光素子では、電極接続層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある構成とすることができる。
本開示の第１の態様に係る表示装置における上記の好ましい構成、あるいは、本開示の第２の態様に係る表示装置において、電極接続層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている構成とすることができる。そして、この場合、
欠陥領域における電極接続層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
欠陥領域以外の領域における電極接続層の組成は、欠陥領域における電極接続層の組成と異なる構成とすることができる。欠陥領域以外の領域における電極接続層の組成は、導電性の組成である。更には、本開示の第１の態様に係る表示装置におけるこれらの構成、あるいは、これらの構成を含む本開示の第２の態様に係る表示装置において、欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは、欠陥領域における電極接続層の厚さよりも厚い構成とすることができ、更には、欠陥領域における電極接続層の厚さは５ｎｍ以上であり、欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは１０ｎｍ以上であることが好ましい。
本開示の第１の態様に係る発光装置において、
第１電極はアノード電極を構成し、第２電極はカソード電極を構成し、
第１のキャリアは電子であり、第２のキャリアは正孔であり、
電荷発生層を構成する第１層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている形態とすることができる。そして、この場合、
欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
欠陥領域以外の領域における電荷発生層を構成する第１層の組成は、欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層の組成と異なる形態とすることができる。欠陥領域以外の領域における電荷発生層を構成する第１層の組成は、導電性の組成である。
上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光装置において、欠陥領域以外の領域における電荷発生層の厚さは、欠陥領域における電荷発生層の厚さよりも厚い形態とすることができ、この場合、欠陥領域における電荷発生層の厚さは５ｎｍ以上であり、欠陥領域以外の領域における電荷発生層の厚さは１０ｎｍ以上であることが好ましい。
以上に説明した各種好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光装置において、
積層構造体と第２電極との間、又は、積層構造体と第１電極との間に、電極接続層が形成されており、
電極接続層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある構成とすることができる。
本開示の第１の態様に係る発光装置における上記の好ましい構成、あるいは、本開示の第２の態様に係る発光装置において、電極接続層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている構成とすることができる。そして、この場合、
欠陥領域における電極接続層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
欠陥領域以外の領域における電極接続層の組成は、欠陥領域における電極接続層の組成と異なる構成とすることができる。欠陥領域以外の領域における電極接続層の組成は、導電性の組成である。更には、本開示の第１の態様に係る発光装置におけるこれらの構成、あるいは、これらの構成を含む本開示の第２の態様に係る発光装置において、欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは、欠陥領域における電極接続層の厚さよりも厚い構成とすることができ、更には、欠陥領域における電極接続層の厚さは５ｎｍ以上であり、欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは１０ｎｍ以上であることが好ましい。
以上に説明した各種好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置あるいは発光装置を、総称して、単に、『本開示』と呼ぶ場合がある。また、以上に説明した各種好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る表示装置あるいは発光装置を、総称して、『本開示の第１の態様等』と呼ぶ場合があるし、以上に説明した各種好ましい構成を含む本開示の第２の態様に係る表示装置あるいは発光装置を、総称して、『本開示の第２の態様等』と呼ぶ場合がある。更には、以上に説明した各種好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第２の態様の態様に係る表示装置を、総称して、『本開示の表示装置等』と呼ぶ場合があるし、以上に説明した各種好ましい構成を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る発光装置を、総称して、『本開示の発光装置等』と呼ぶ場合がある。
本開示において、欠陥領域では、積層構造体が不連続状態にあり、また、有機層が不連続状態にある。尚、積層構造体あるいは有機層が不連続状態にあるとは、積層構造体あるいは有機層を基体に射影したときの積層構造体あるいは有機層の射影像の一部に、連続したあるいは不連続の切れ目が存在することを意味する。このような欠陥領域は、例えば、第１電極上にパーティクル（異物）や突起部が存在することに起因して、また、何らかの原因で第１電極に切れ目や切断部、欠けが形成されることに起因して、生じる。即ち、欠陥領域とは、第１電極上に存在するパーティクル（異物）及び／又は突起部を含む領域、あるいは、第１電極に形成された切れ目、切断部及び欠けのいずれかを含む領域を指す。あるいは又、欠陥領域とは、積層構造体が積層方向に不均一な状態にある領域を指し、また、有機層が厚さ方向に不均一な状態にある領域を指し、また、設計として見込んだ構造を有していない領域を指す。欠陥領域以外の領域は正常領域であり、積層構造体が積層方向に均一な状態にある領域であり、また、有機層が厚さ方向に均一な状態にある領域であり、また、設計として見込んだ構造を有する領域である。即ち、欠陥領域では積層構造体が不連続状態にある。あるいは又、欠陥領域では有機層が不連続状態にある。あるいは又、欠陥領域には、第１電極上に存在するパーティクルが含まれ、又は、第１電極上に存在する突起部が含まれ、又は、第１電極に形成された切れ目が含まれ、又は、第１電極に形成された切断部が含まれ、又は、第１電極に形成された欠けが含まれる。あるいは又、欠陥領域では、積層構造体が積層方向に不均一である。あるいは又、欠陥領域では、有機層が厚さ方向に不均一である。
本開示において、電荷発生層あるいは電極接続層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にあるが、高電気抵抗状態又は絶縁状態とは、欠陥領域を介して第１電極と第２電極との間に流れる電流の値が、有機層を介して第１電極と第２電極との間に流れる電流の値よりも（大幅に）低い状態であると定義され、低電気抵抗状態とは、欠陥領域を介して第１電極と第２電極との間に流れる電流の値が、有機層を介して第１電極と第２電極との間に流れる電流の値と近い値、あるいは、同程度の値である（即ち、一種のリーク状態である）と定義され、あるいは又、
（高電気抵抗状態又は絶縁状態における電気抵抗率の値）／（低電気抵抗状態における電気抵抗率の値）≧１×１０2
を満足する。
本開示において、欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層（例えば、第１のキャリアである電子を供給する層）あるいは電極接続層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含むが、更には、他の原子あるいは他の組成として、具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属、具体的には、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、ラジウム（Ｒａ）等を含んでいてもよいし、ベリリウム（Ｂｅ）やマグネシウム（Ｍｇ）等を含んでいてもよい。また、欠陥領域以外の領域における電荷発生層を構成する第１層あるいは電極接続層の組成として、具体的には、Ｃａ、Ｌｉ、Ｃｓ、ＣａＬｉＦx、ＣｓＬｉＦx、ＣａＬｉ、ＣｓＬｉ、あるいは、有機層を構成する材料とこれらの組成のいずれかとが混合した組成を挙げることができる。電荷発生層を構成する第２層（例えば、第２のキャリアである正孔を供給する層）は、例えば、ＨＡＴ６ＣＮ等に代表される電荷移動錯体から成り、あるいは又、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、ポリキノキサリン及びこれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子（具体的には、例えば、オリゴアニリン及びポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェン）、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等を挙げることもできる。欠陥領域以外の領域における電荷発生層あるいは電極接続層の厚さは１×１０-9ｍ乃至５×１０-8ｍであり、欠陥領域における電荷発生層あるいは電極接続層の厚さは、１×１０-9ｍ乃至５×１０-8ｍである。
電荷発生層あるいは電極接続層の形成方法として、カバレッジ性の良好な成膜方法、具体的には、斜め蒸着法や、位置の異なる複数の蒸着源による蒸着といった方法を挙げることができる。あるいは又、電荷発生層あるいは電極接続層を蒸着法に基づき成膜しているとき、成膜雰囲気や加熱条件によってカバレッジ状態を改善することができるし、成膜後、加熱したり、第１電極と第２電極と間に電流を流すことによってカバレッジ状態を改善することもできるし、コリメートによって蒸着粒子の直進性を制御することでカバレッジ状態を改善することもできる。
有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。
本開示において、基体は、第１基板、第１基板（あるいは第１基板上）に形成された駆動回路、並びに、第１基板及び駆動回路を覆う層間絶縁層から構成されている。駆動回路は発光素子や発光部を駆動する。第１電極は層間絶縁層上に形成されており、駆動回路と第１電極とは、層間絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して接続される。発光素子あるいは発光部の上方には第２基板が配されている。第２電極と第２基板との間には、例えば、保護膜及び封止層が形成されている。
本開示においては、第２基板から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）あるいは発光装置とすることができるし、第１基板から光を出射するボトムエミッション方式（下面発光方式）の表示装置（下面発光型表示装置）あるいは発光装置とすることができる。そして、本開示の表示装置等は複数の発光素子を有するが、各発光素子によって副画素あるいは画素が構成される。発光素子あるいは発光部を、有機ＥＬ素子から構成することができる。
尚、本開示の第２の態様等において、トップエミッション方式を採用する場合、積層構造体あるいは有機層と第２電極との間に電極接続層を形成すればよい。また、本開示の第２の態様等において、ボトムエミッション方式を採用する場合、積層構造体あるいは有機層と第１電極との間に電極接続層を形成すればよい。
本開示の第１の態様等において、積層構造体は、異なる色を発光する少なくとも２層の有機層から構成されているが、この場合、有機層から出射される光は白色である形態とすることができる。具体的には、積層構造体は、赤色（波長：６２０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）を発光する赤色発光の有機層、緑色（波長：４９５ｎｍ乃至５７０ｎｍ）を発光する緑色発光の有機層、及び、青色（波長：４５０ｎｍ乃至４９５ｎｍ）を発光する青色発光の有機層の３層を有する構造とすることができ、全体として白色を発光する。赤色発光の有機層と緑色発光の有機層との間には電荷発生層が形成され、緑色発光の有機層と青色発光の有機層との間にも電荷発生層が形成されている。あるいは又、青色を発光する青色発光の有機層、及び、黄色を発光する黄色発光の有機層の２層を有する構造とすることができ、全体として白色を発光する。青色発光の有機層と黄色発光の有機層との間には電荷発生層が形成されている。あるいは又、青色を発光する青色発光の有機層、及び、橙色を発光する橙色発光の有機層の２層を有する構造とすることができ、全体として白色を発光する。青色発光の有機層と橙色発光の有機層との間には電荷発生層が形成されている。
そして、本開示の第１の態様に係る表示装置にあっては、このような白色を発光する白色発光素子が赤色カラーフィルタ層を備えることで赤色発光素子が構成され、白色発光素子が緑色カラーフィルタ層を備えることで緑色発光素子が構成され、白色発光素子が青色カラーフィルタ層を備えることで青色発光素子が構成される。赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子によって１画素が構成される。場合によっては、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子及び白色を出射する発光素子（あるいは補色光を出射する発光素子）によって１画素を構成してもよい。
あるいは又、本開示の第１の態様等において、積層構造体は、同じ色を発光する少なくとも２層の有機層を有する形態とすることもできる。即ち、第１有機層、第２有機層を同じ構成とすることもできる。
本開示の第２の態様に係る表示装置にあっては、赤色発光の有機層を有し、赤色を発光する発光素子から構成された副画素、緑色発光の有機層を有し、緑色を発光する発光素子から構成された副画素、及び、青色発光の有機層を有し、青色を発光する発光素子から構成された副画素の３つの副画素（発光素子）から、１つの画素を構成することができる。あるいは又、これらの３つの副画素に加えて、白色を発光する発光素子から構成された副画素（あるいは補色光を出射する発光素子）の４つの副画素（発光素子）から、１つの画素を構成することもできる。
有機層は有機発光材料から成る発光層を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。発光素子あるいは発光部は、単色を発光する１層の有機層を有し（本開示の第２の態様等）、あるいは又、複数色あるいは単色を発光する複数層の有機層を有する（本開示の第１の態様等）。そして、後者の場合、例えば、全体として白色を発光する積層構造体あるいは発光部を得ることができるが、発光層が明確に複数の発光層から構成されているとは識別できない場合がある。
第２電極上には、即ち、第２電極と封止層との間には、有機層への水分の到達防止を目的として、上述したとおり、絶縁性あるいは導電性の保護膜を設けることが好ましい。保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、有機層の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスが最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、既に形成されている電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による有機層の劣化を防止することができる。更には、トップエミッション方式において、保護膜は、有機層で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、以下に示す材料を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。具体的には、保護膜を構成する材料として、発光層で発光した光に対して透明であり、緻密で、水分を透過させない材料を用いることが好ましく、より具体的には、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ1-yＯy）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）、アモルファス酸化・窒化シリコン（α−ＳｉＯＮ）、Ａｌ2Ｏ3を挙げることができる。保護膜を導電材料から構成する場合、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料から構成すればよい。
保護膜と第２基板とは、上述したとおり、封止層によって接合される。封止層を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。
トップエミッション方式の表示装置にあっては、封止層と第２基板との間に、カラーフィルタ層を形成してもよい。ボトムエミッション方式の表示装置にあっては、カラーフィルタ層を第１基板に設けるＯＣＣＦ（オン・チップ・カラーフィルタ）構造を採用すればよい。カラーフィルタ層は、所望の顔料や染料から成る着色剤を添加した樹脂によって構成されており、顔料や染料を選択することにより、目的とする赤色、緑色、青色等の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。白色を発光する発光素子にあっては透明なフィルタ層を配設すればよい。カラーフィルタ層とカラーフィルタ層との間に遮光層（ブラックマトリクス層）を形成してもよい。遮光層は、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド樹脂から成る）、又は、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタから構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物あるいは金属酸化物から成る薄膜を２層以上積層して成り、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタとして、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものを挙げることができる。
上述したとおり、第１電極は、例えば、層間絶縁層上に設けられている。そして、この層間絶縁層は、第１基板上（あるいは、第１基板）に形成された駆動回路を覆っている。駆動回路は、１又は複数のトランジスタ（例えば、ＭＯＳＦＥＴやＴＦＴ）から構成されており、トランジスタと第１電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して電気的に接続されている。駆動回路は、周知の回路構成とすることができる。層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＯＮ系材料を含むＳｉＮ系材料；アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
層間絶縁層及び第１電極上に絶縁層を形成し、第１電極上の絶縁層に開口部を設け、開口部の底部に第１電極を露出させる構造とすることができる。有機層は、開口部の底部に露出した第１電極の上から絶縁層上に亙り形成されている。あるいは又、第１電極と第１電極との間に露出した層間絶縁層の上に絶縁層を形成してもよい。有機層は、第１電極の上から絶縁層の上に亙り形成されている。絶縁層は、上記の層間絶縁層を構成する材料から構成することができる。絶縁層を構成する材料と、層間絶縁層を構成する材料とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
第１基板あるいは第２基板を、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）基板、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）基板、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、シリコン半導体基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）から構成することができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、第２基板を介して光が出射される場合には、第２基板は、発光素子等からの光に対して透明であることが要求されるし、第１基板を介して光が出射される場合には、第１基板は、発光素子等からの光に対して透明であることが要求される。
本開示において、トップエミッション方式を採用する場合、第１電極をアノード電極として機能させ、ボトムエミッション方式を採用する場合、第２電極をアノード電極として機能させればよい。そして、このように第１電極あるいは第２電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等を挙げることができるし、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３質量％〜１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｎｄ合金、Ａｌ−Ｎｉ合金）を挙げることもできる。アノード電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）や、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を挙げることもできるし、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）や、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。
一方、トップエミッション方式を採用する場合、第２電極をカソード電極として機能させ、ボトムエミッション方式を採用する場合、第１電極をカソード電極として機能させればよい。光は、カソード電極を介して外部に出射される。そして、このように第１電極あるいは第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料（半光透過材料あるいは光透過材料）から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）］、マグネシウム−カルシウムとの合金（Ｍｇ−Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ−Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１〜３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１〜１０：１を例示することができる。カソード電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。カソード電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低電気抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、カソード電極全体として低電気抵抗化を図ってもよい。
また、本開示の第２の態様等にあっては、カソード電極を、酸化インジウム、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ2Ｏ3、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）、インジウム−ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・ドープのガリウム−亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ，Ｉｎ−ＧａＺｎＯ4）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ2Ｏ3）］、ＩＴｉＯ（ＴｉドープのＩｎ2Ｏ3）、ＩｎＳｎ、ＩｎＳｎＺｎＯ、酸化錫（ＳｎＯ2）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ2）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム・ドープの酸化亜鉛（ＧＺＯ）、ＢドープのＺｎＯ、ＡｌＭｇＺｎＯ（酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム・ドープの酸化亜鉛）等から成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０-8ｍ乃至１×１０-6ｍ）から構成することができる。前述したとおり、本開示の第２の態様等において、トップエミッション方式を採用する場合、積層構造体あるいは有機層と第２電極（カソード電極）との間に電極接続層を形成すればよい。また、本開示の第２の態様等において、ボトムエミッション方式を採用する場合、積層構造体あるいは有機層と第１電極（カソード電極）との間に電極接続層を形成すればよい。
第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。また、有機層の形成からこれらの電極の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による有機層の劣化を防止するといった観点から好ましい。本開示の表示装置等において、場合によっては、第１電極及び第２電極のいずれか一方はパターニングしなくともよく、所謂共通電極とすることができる。本開示の発光装置等においては、原則、第１電極及び第２電極のパターニングは不要である。
本開示においては、更に一層の光取出し効率の向上を図るために、共振器構造を備えていてもよい。具体的には、アノード電極（あるいは、トップエミッション方式を採用する場合にはアノード電極の下方に、ボトムエミッション方式を採用する場合にはアノード電極の上方に、層間絶縁膜を介して設けられた光反射層）と有機層との界面によって構成された第１界面と、カソード電極と有機層との界面によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部をカソード電極から出射させる形態とすることができる。そして、発光層の最大発光位置から第１界面までの距離をＬ1、光学距離をＯＬ1、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離をＬ2、光学距離をＯＬ2とし、ｍ1及びｍ2を整数としたとき、以下の式（１−１）、式（１−２）、式（１−３）及び式（１−４）を満たしている。
０．７｛−Φ1／（２π）＋ｍ1｝≦２×ＯＬ1／λ≦１．２｛−Φ1／（２π）＋ｍ1｝ （１−１）
０．７｛−Φ2／（２π）＋ｍ2｝≦２×ＯＬ2／λ≦１．２｛−Φ2／（２π）＋ｍ2｝ （１−２）
Ｌ1＜Ｌ2 （１−３）
ｍ1＜ｍ2 （１−４）
ここで、
λ ：発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、発光層で発生し た光の内の所望の波長）
Φ1：第１界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、−２π＜Φ1≦０
Φ2：第２界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、−２π＜Φ2≦０
である。
ここで、最も光取出し効率を高くし得るｍ1＝０，ｍ2＝１である形態とすることができる。
尚、発光層の最大発光位置から第１界面までの距離Ｌ1とは、発光層の最大発光位置から第１界面までの実際の距離（物理的距離）を指し、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離Ｌ2とは、発光層の最大発光位置から第２界面までの実際の距離（物理的距離）を指す。また、光学距離とは、光路長とも呼ばれ、一般に、屈折率ｎの媒質中を距離Ｌだけ光線が通過したときのｎ×Ｌを指す。以下においても、同様である。従って、有機層（あるいは、有機層と層間絶縁膜）の平均屈折率をｎaveとしたとき、
ＯＬ1＝Ｌ1×ｎave
ＯＬ2＝Ｌ2×ｎave
の関係がある。ここで、平均屈折率ｎaveとは、有機層（あるいは、有機層と層間絶縁膜）を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層（あるいは、有機層と層間絶縁膜）の厚さで除したものである。
第１電極、第２電極、光反射層は入射した光の一部を吸収し、残りを反射する。従って、反射される光に位相シフトが生じる。この位相シフト量Φ1，Φ2は、第１電極、第２電極、光反射層を構成する材料の複素屈折率の実数部分と虚数部分の値を、例えばエリプソメータを用いて測定し、これらの値に基づく計算を行うことで求めることができる（例えば、"Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974（PERGAMON PRESS) 参照）。尚、有機層や層間絶縁膜等の屈折率もエリプソメータを用いて測定することで求めることができる。
このように、共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、白色発光素子が赤色カラーフィルタ層を備えることで構成された赤色発光素子は、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）をカソード電極から出射する。また、白色発光素子が緑色カラーフィルタ層を備えることで構成された緑色発光素子は、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）をカソード電極から出射する。更には、白色発光素子が青色カラーフィルタ層を備えることで構成された青色発光素子は、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）をカソード電極から出射する。即ち、発光層で発生した光の内の所望の波長λ（具体的には、赤色の波長、緑色の波長、青色の波長）を決定し、式（１−２）、式（１−２）、式（１−３）、式（１−４）に基づき、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子のそれぞれにおけるＯＬ1，ＯＬ2等の各種パラメータを求めて、各発光素子を設計すればよい。
光反射層を構成する材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（例えば、Ａｌ−Ｎｄ）、Ｔｉ／Ａｌ積層構造、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、銀合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｓｍ−Ｃｕ）を挙げることができ、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等によって形成することができる。
層間絶縁膜は、例えば、前述した層間絶縁層を構成する材料から構成することができる。
有機ＥＬ表示装置にあっては、正孔輸送層（正孔供給層）の厚さと電子輸送層（電子供給層）の厚さは、概ね等しいことが望ましい。あるいは又、正孔輸送層（正孔供給層）よりも電子輸送層（電子供給層）を厚くしてもよく、これによって、低い駆動電圧で高効率化に必要、且つ、発光層への十分な電子供給が可能となる。即ち、アノード電極と発光層との間に正孔輸送層を配置し、しかも、電子輸送層よりも薄い膜厚で形成することで、正孔の供給を増大させることが可能となる。そして、これにより、正孔と電子の過不足がなく、且つ、キャリア供給量も十分多いキャリアバランスを得ることができるため、高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことで、キャリアバランスが崩れ難く、駆動劣化が抑制され、発光寿命を長くすることができる。
本開示の表示装置等において、１つの発光素子（表示素子）によって１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、又は、レクタングル配列を挙げることができる。また、複数の発光素子（表示素子）が集合して１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列を挙げることができる。
表示装置あるいは発光装置の光を出射する最外面（第１基板あるいは第２基板の外面）には、紫外線吸収層、汚染防止層、ハードコート層、帯電防止層を形成してもよいし、保護部材を配してもよい。
本開示の表示装置等は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニター装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニター装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダー（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰにおける画像表示装置を構成することができる。本開示の発光装置から、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む各種照明装置を構成することができる。
実施例１は、本開示の第１の態様に係る表示装置（具体的には、有機ＥＬ表示装置）に関する。実施例１の表示装置の模式的な一部断面図を図１に示す。また、実施例１の表示装置における欠陥領域及び正常領域を含む発光素子を拡大した模式的な一部断面図を図２に示し、従来の表示装置における欠陥領域及び正常領域を含む発光素子を拡大した模式的な一部断面図を図３に示す。更には、積層構造体の概念図を図４Ａ及び図４Ｂに示す。図１においては、欠陥領域を含まない発光素子のみを表示した。実施例１の表示装置あるいは後述する実施例２〜実施例３の表示装置は、アクティブマトリックス型のカラー表示の表示装置であり、上面発光型表示装置である。即ち、第２基板を介して光が出射される。
実施例１の表示装置は、発光素子（具体的には、有機ＥＬ素子）１０が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置である。そして、各発光素子１０は、
（Ａ）基体上に形成された第１電極５１、
（Ｂ）第１電極５１上に形成された積層構造体７０、及び、
（Ｃ）積層構造体７０上に形成された第２電極５２、
から成る。
具体的には、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例３の表示装置は、
第１基板１１、及び、第２基板１２、並びに、
第１基板１１と第２基板１２との間に位置し、２次元マトリクス状に配列された複数の発光素子（表示素子）１０、
を備えており、第２基板１２を介して光が出射される。あるいは又、別の表現をすれば、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例３の表示装置は、第１基板１１、第２基板１２、及び、第１基板１１と第２基板１２とによって挟まれた画像表示部１３を備えており、画像表示部１３には、発光素子１０が、複数、２次元マトリクス状に配列されている。発光素子である有機ＥＬ素子は、第１の方向、及び、第１の方向と直交する方向に延びる第２の方向に２次元マトリクス状に配列されている。
そして、実施例１の表示装置において、積層構造体７０は、第１電極５１の側から、少なくとも、
（Ｂ−１）有機発光材料から成る第１発光層７１Ａを含む第１有機層７１、
（Ｂ−２）第１のキャリアを注入する第１層７４Ａ及び第２のキャリアを注入する第２層７４Ｂが積層された電荷発生層７４、並びに、
（Ｂ−３）有機発光材料から成る第２発光層７２Ａを含む第２有機層７２、
が、この順に積層されて成る。電荷発生層を設けることで、発光層をより効率的に発光させることができる。
尚、実施例１の表示装置にあっては、積層構造体７０は、より具体的には、第１電極５１の側から、
有機発光材料から成る第１発光層７１Ａを含む第１有機層７１、
第１のキャリアを注入する第１層７４Ａ及び第２のキャリアを注入する第２層７４Ｂが積層された第１電荷発生層７４、並びに、
有機発光材料から成る第２発光層７２Ａを含む第２有機層７２、
第１のキャリアを注入する第１層７５Ａ及び第２のキャリアを注入する第２層７５Ｂが積層された第２電荷発生層７５、並びに、
有機発光材料から成る第３発光層７３Ａを含む第３有機層７３、
が、この順に積層されて成る。
以下の説明においては、電荷発生層を、第１電荷発生層７４に基づき、単に、「電荷発生層７４」と表現して説明する場合があるが、第２電荷発生層７５も第１電荷発生層７４と同じ構成、構造を有する。また、図２及び図３においては、図面の簡素化のため、第２電荷発生層７５及び第３有機層７３の図示を省略している。
実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例３の表示装置において、第２電極５２の上方には、即ち、第２電極５２と第２基板１２との間には、保護膜１４及び封止層（封止樹脂層）１５が設けられている。絶縁性あるいは導電性の保護膜１４は、積層構造体７０あるいは後述する有機層１７０への水分の到達防止を目的として設けられており、具体的には、例えばＳｉＯ2系材料やＳｉＮ系材料から成る。保護膜１４と第２基板１２とは、例えばアクリル系接着剤やエポキシ系接着剤から成る封止層（封止樹脂層）１５を介して接合されている。封止層１５と第２基板１２との間にはカラーフィルタ層ＣＦが形成されており、カラーフィルタ層ＣＦとカラーフィルタ層ＣＦとの間には遮光層（ブラックマトリクス層）ＢＭが形成されている。カラーフィルタ層ＣＦ及び遮光層ＢＭは第２基板１２に接して形成されている。
そして、実施例１の表示装置において、図２に示すように、欠陥領域８１にあっては、積層構造体７０が不連続状態あるいは積層構造体７０が積層方向に不均一な状態にある。そして、欠陥領域８１を含む発光素子では、電荷発生層７４は、欠陥領域８１において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域８１以外の領域（積層構造体７０が積層方向に均一な状態にある領域であり、『正常領域８２』と呼ぶ）において低電気抵抗状態にある。具体的には、欠陥領域８１における電荷発生層７４の第１層７４Ａは高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、第１層７４Ａのこの領域を参照番号７４Ａ’で示す。また、正常領域８２において低電気抵抗状態にある第１層７４Ａの領域を参照番号７４Ａ”で示す。欠陥領域８１における電荷発生層７４の第１層７４Ａ（領域７４Ａ’）は第１電極５１まで延びている。
一方、従来の表示装置において、図３に示すように、積層構造体７０が不連続状態あるいは積層構造体７０が積層方向に不均一な状態にある欠陥領域８１を含む発光素子では、導電性を有するＬｉＦyから成る第１層を有する電荷発生層１７４が第１電極５１まで延びており、電荷発生層１７４と第１電極５１との間での短絡が発生する。尚、欠陥領域８１における電荷発生層１７４の第１層１７４Ａは低電気抵抗状態にあり、第１層７４Ａのこの領域を参照番号１７４Ａ’で示す。また、正常領域８２において低電気抵抗状態にある第１層１７４Ａの領域を参照番号１７４Ａ”で示す。このような電荷発生層１７４と第１電極５１との間で短絡が発生すると、前述したとおり、色ムラや色ずれといった画質低下の原因となる。
実施例１の表示装置において、第１電極５１はアノード電極を構成し、第２電極５２はカソード電極を構成する。そして、第１のキャリアは電子であり、第２のキャリアは正孔である。また、電荷発生層７４を構成する第１層（例えば、第１のキャリアである電子を供給する層）７４Ａは、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている。具体的には、欠陥領域８１における電荷発生層７４を構成する第１層（領域７４Ａ’）は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含む。一方、欠陥領域８１以外の領域（正常領域８２）における電荷発生層７４を構成する第１層（領域７４Ａ”）の組成は、欠陥領域８１における電荷発生層７４を構成する第１層（領域７４Ａ’）の組成と異なる。より具体的には、実施例１において、第１層（領域７４Ａ”）は、ＣａＬｉＦxと有機層を構成する材料とが混合された物質から成り、導電性の組成である。一方、第１層（領域７４Ａ’）は、ＣａＯXＮYを含み、更には、第１層（領域７４Ａ’）を構成する物質を含み、ＣａＯXＮYの存在によって、全体として高抵抗化され、あるいは又、絶縁状態とされている。電荷発生層７４を構成する第２層７４Ｂ（例えば、第２のキャリアである正孔を供給する層）は、ＨＡＴ６ＣＮを含む。
更には、欠陥領域８１以外の領域（正常領域８２）における電荷発生層７４の厚さは、欠陥領域８１における電荷発生層７４の厚さよりも厚い。具体的には、欠陥領域８１における電荷発生層７４の厚さは５ｎｍ以上であり、欠陥領域８１以外の領域（正常領域８２）における電荷発生層７４の厚さは１０ｎｍ以上（より具体的には、例えば２０ｎｍ）である。
実施例１の表示装置において、１つの画素は、赤色表示副画素ＳＰR（赤色発光素子１０Ｒ）、緑色表示副画素ＳＰG（緑色発光素子１０Ｇ）、及び、青色表示副画素ＳＰB（青色発光素子１０Ｂ）の３つの副画素（３つの発光素子）から構成されている。第２基板１２は、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBを備えている。各色発光副画素は、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBを備えた白色光を発光する発光素子（有機ＥＬ素子）から構成されている。即ち、積層構造体７０、それ自体は、全体として白色を発光する。赤色発光素子（赤色表示素子）１０Ｒ、緑色発光素子（緑色表示素子）１０Ｇ及び青色発光素子（青色表示素子）１０Ｂは、カラーフィルタ層ＣＦを除き、同じ構成、構造を有する。また、カラーフィルタ層ＣＦとカラーフィルタ層ＣＦとの間には、前述したとおり、遮光層（ブラックマトリクス層）ＢＭが設けられている。画素数は、例えば１９２０×１０８０であり、１つの発光素子１０は１つの副画素を構成し、発光素子（具体的には有機ＥＬ素子）１０は画素数の３倍である。
実施例１の表示装置あるいは後述する実施例２〜実施例３の表示装置において、第１電極５１はアノード電極として機能し、第２電極５２はカソード電極として機能する。第１基板１１及び第２基板１２はガラス基板から成る。第１電極５１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。第２電極５２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングされていない。積層構造体７０あるいは後述する有機層１７０もパターニングされていない。実施例１の表示装置あるいは後述する実施例２の表示装置において、第１電極５１は、光反射材料、具体的には、Ａｌ−Ｎｄ合金あるいはＡｌ−Ｎｉ合金から成る。実施例１の表示装置において、第２電極５２はＭｇ−Ａｇ合金から成る。
実施例１の表示装置あるいは後述する実施例２〜実施例３の表示装置において、第１電極５１は、基体上に形成されている。基体は、第１基板１１、第１基板上に形成された駆動回路、並びに、第１基板及び駆動回路を覆う層間絶縁層４０から構成されている。より具体的には、第１電極５１は、ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯＮから成る層間絶縁層４０上に設けられている。そして、この層間絶縁層４０は、第１基板１１上に形成された有機ＥＬ素子駆動部を覆っている。有機ＥＬ素子駆動部は、複数のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２０から構成されており、ＴＦＴ２０と第１電極５１とは、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトプラグ２６を介して電気的に接続されている。積層構造体７０あるいは後述する有機層１７０の実際に発光する部分は、ＳｉＯ2から成る絶縁層６０によって囲まれている。尚、図面においては、１つの有機ＥＬ素子駆動部につき、１つのＴＦＴ２０を図示した。
ＴＦＴ２０は、第１基板１１上に形成されたゲート電極２１、第１基板１１及びゲート電極２１上に形成されたゲート絶縁層２２、ゲート絶縁層２２上に形成されたソース／ドレイン領域２４、ゲート電極２１と対向してソース／ドレイン領域２４の間に形成されたチャネル形成領域２３から構成されている。
実施例１の表示装置において、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体７０は、全画素に共通の連続した層として設けられている。混色により白色光を生じる積層構造体７０は、第１電極側から順に、例えば、
［Ａ］ホール注入層、ホール輸送層、発光層（具体的には、赤色発光層である第１発光層７１Ａ）、並びに、電子輸送層が積層された積層構造から構成された第１有機層７１
［Ｃ］ホール注入層、ホール輸送層、発光層（具体的には、緑色発光層である第２発光層７２Ａ）、並びに、電子輸送層が積層された積層構造から構成された第２有機層７２
［Ｅ］ホール注入層、ホール輸送層、発光層（具体的には、青色発光層である第３発光層７３Ａ）、並びに、電子輸送層が積層された積層構造から構成された第３有機層７３
から成る。また、
［Ｂ］第１有機層７１と第２有機層７２との間には第１電荷発生層７４
［Ｄ］第２有機層７２と第３有機層７３との間には第２電荷発生層７５
が形成されている。
ホール注入層は、ホール輸送層にホール（正孔）を注入するものであり、例えば、ヘキサアザトリフェニレン誘導体から成る。ホール輸送層は、ホール注入層から注入されたホールを発光層へ輸送するものであり、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）や、α−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）から成る。赤色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して赤色の光を発生させるものであり、例えば、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０質量％混合したものから成る。緑色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して緑色の光を発生させるものであり、例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５質量％混合したものから成る。青色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して青色の光を発生させるものであり、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５質量％混合したものから成る。電子輸送層は、電子を発光層へ輸送するものであり、例えば、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）から成る。但し、各層を構成する材料は例示であり、これらの材料に限定するものではない。
実施例１あるいは後述する実施例２の表示装置において、発光素子１０は、積層構造体７０あるいは後述する有機層１７０を共振部とした共振器構造を有していてもよい。この場合、発光面から反射面（具体的には、例えば第１電極５１、及び、第２電極５２）までの距離を適切に調整するために、積層構造体７０あるいは後述する有機層１７０の厚さは、８×１０-8ｍ以上、５×１０-7ｍ以下であることが好ましく、１．５×１０-7ｍ以上、３．５×１０-7ｍ以下であることがより好ましい。
以下、実施例１の表示装置（有機ＥＬ表示装置）の製造方法の概要を説明する。
第２基板１２を準備する。具体的には、第２基板１２の上に、周知の方法に基づき、カラーフィルタ層ＣＦ及び遮光層ＢＭを形成する。
［工程−１００］
一方、第１基板１１に発光素子駆動部を公知のＴＦＴ製造プロセスに基づき形成した後、全面に、層間絶縁層４０をＣＶＤ法に基づき形成する。そして、ＴＦＴ２０の一方のソース／ドレイン領域２４の上方に位置する層間絶縁層４０の部分に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき接続孔を形成する。その後、接続孔を含む層間絶縁層４０の上に金属層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき金属層をパターニングすることで、層間絶縁層４０上に第１電極５１を形成することができる。また、層間絶縁層４０にコンタクトプラグ２６を形成することができる。第１電極５１は、発光素子毎に分離されている。若干数の発光素子において、第１電極上にパーティクル（異物）や突起部が存在することに起因して、また、何らかの原因で第１電極に切れ目や切断部、欠けが形成されることに起因して、第１電極欠陥部が生じる。即ち、欠陥領域８１には、第１電極５１の上に存在するパーティクルが含まれ、又は、第１電極５１の上に存在する突起部が含まれ、又は、第１電極５１に形成された切れ目が含まれ、又は、第１電極５１に形成された切断部が含まれ、又は、第１電極５１に形成された欠けが含まれる。
［工程−１１０］
その後、全面に、ＣＶＤ法に基づき、ＳｉＯ2から成る絶縁層６０を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、第１電極５１の上方に位置する絶縁層６０の部分に開口部６１を形成し、開口部６１の底部に第１電極５１を露出させる。開口部６１の平面形状として、正方形、四隅が丸みを帯びた正方形、長方形、四隅が丸みを帯びた長方形、円形、楕円形を例示することができる。
［工程−１２０］
その後、開口部６１の底部に露出した第１電極５１の部分及び絶縁層６０上に、積層構造体７０の内、第１有機層７１、第２有機層７２及び第３有機層７３を真空蒸着法に基づき成膜し、第１電荷発生層７４及び第２電荷発生層７５を真空蒸着による共蒸着法に基づき成膜する。次いで、例えば真空蒸着法（共蒸着法）に基づき、積層構造体７０の全面に、Ｍｇ−Ａｇ合金から成る第２電極５２を形成する。このようにして、第１電極５１上に、積層構造体７０及び第２電極５２を、例えば、真空雰囲気において連続して成膜することができる。その後、例えばＣＶＤ法又はＰＶＤ法によって、全面に保護膜１４を形成する。第１電極５１に生じた第１電極欠陥部に起因して、積層構造体７０が不連続状態あるいは積層構造体７０が積層方向に不均一な状態にある欠陥領域８１が生じる。
尚、積層構造体７０の最下層を電荷注入・輸送層から構成し、積層構造体７０の形成時、電荷注入・輸送層の少なくとも一部分を、絶縁層６０における開口部６１の縁部６１Ａにおいて不連続状態（段切れ状態）としてもよい。即ち、電荷注入・輸送層を不連続状態とし、あるいは、高電気抵抗状態とする。そして、これによって、電荷注入・輸送層は高電気抵抗化されるので、或る発光素子における第１電極と、隣接発光素子を構成する第２電極との間に、電荷注入・輸送層を介して漏れ電流が流れるといった現象の発生を防止することができる。尚、電荷注入・輸送層を、具体的には、正孔注入層から構成することができるし、正孔注入層が形成されておらず、正孔輸送層が形成されている場合、正孔輸送層から構成することができる。
［工程−１３０］
最後に、封止層（封止樹脂層）１５を介して、保護膜１４と第２基板１２とを貼り合わせる。こうして、図１に示した表示装置を得ることができる。
欠陥領域８１に酸素原子や窒素原子が多く存在する結果、電荷発生層７４，７５の成膜時、あるいは、その後の熱処理時、これらの酸素原子や窒素原子と電荷発生層７４，７５を構成する原子（例えば、Ｃａ）とが結合し、欠陥領域８１において電荷発生層７４，７５（具体的には、第１層７４Ａ，７５Ａ）が酸化、窒化され、ＣａＯXＮYとなり、欠陥領域８１を含む発光素子では、電荷発生層７４，７５は、欠陥領域８１において高電気抵抗状態又は絶縁状態となる。一方、欠陥領域以外の領域（正常領域８２）においては、電荷発生層７４，７５を構成する原子（例えば、Ｃａ）は、殆ど、酸化されることがなく、また、窒化されることがない。それ故、正常領域８２における電荷発生層７４，７５は低電気抵抗状態に止まる。
従って、従来の技術と異なり、電荷発生層と第１電極との間での短絡を確実に防止することができ、高い信頼性、長寿命、高輝度、高効率、高表示品質を有する表示装置を、製造工程の大幅な増加無しに製造することができる。
ガラス基板上にアルミニウムから成る第１電極を形成し、第１電極上に、パーティクル（異物）に相当するシリカ・ビーズを散布し、シリカ・ビーズを含む第１電極上に、有機層を形成し、有機層の上にＣａＬｉＦx層、Ｍｇ−Ａｇ合金から成る第２電極、保護膜を、順次、形成した。こうして得られた試験的に作製した発光素子の走査型透過電子顕微鏡（Scanning Transmission Electron Microscope，ＳＴＥＭ）の写真を図１０に示す。尚、保護膜の成膜時、保護膜に「巣」が入ってしまった。また、図１０に示したＳＴＥＭ写真と同一視野におけるエネルギー分散型Ｘ線分光法（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy，ＥＤＸ）によるカルシウム原子の分析結果及び酸素原子の分析結果を示す写真を、図１１に示す。図１１の写真から、シリカ・ビーズの近傍に位置するＣａＬｉＦx層にあっては、カルシウム原子だけでなく、酸素原子も含まれていることが判る。尚、図１１の写真は白黒写真のため余り鮮明ではないが、実際の分析結果の写真では、ＣａＬｉＦx層に酸素原子が存在していることが明確に確認された。
尚、概念図を図５Ａ及び図５Ｂに示すように、積層構造体７０を、青色発光の有機層と黄色発光の有機層、あるいは、青色発光の有機層と橙色発光の有機層の２層から構成してもよい。積層構造体は、同じ色を発光する少なくとも２層の有機層を有する形態とすることもできる。
実施例２は、本開示の第２の態様に係る表示装置に関する。実施例２の表示装置は、積層構造体の構成が実施例１と異なる。実施例２の表示装置の模式的な一部断面図は、実質的に図１と同様である。欠陥領域及び正常領域を含む発光素子を拡大した模式的な一部断面図を図６に示し、概念図を図７Ａ及び図７Ｂに示すように、実施例２の表示装置は、
（Ａ）基体上に形成された第１電極５１、
（Ｂ）有機発光材料から成る発光層１７０Ａを含む有機層１７０、及び、
（Ｃ）第２電極１５２、
がこの順に積層されて成る発光素子１０が、２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置である。そして、各発光素子１０は、第２電極１５２と有機層１７０との間、又は、第１電極５１と有機層１７０との間に（具体的には、実施例２にあっては、第２電極１５２と有機層１７０との間に）、電極接続層９０を更に有しており、有機層１７０が不連続状態あるいは有機層１７０が厚さ方向に不均一な状態にある欠陥領域９１を含む発光素子では、電極接続層９０は、欠陥領域９１において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域９１以外の領域（正常領域９２）において低電気抵抗状態にある。有機層１７０の構成は、実施例１における第１有機層７１、第２有機層７２あるいは第３有機層７３のいずれかと同じ構成とすればよい。
実施例２の表示装置においては、実施例１と同様に、第１電極５１はアノード電極を構成し、第２電極１５２はカソード電極を構成する。第２電極１５２は、実施例１と異なり、ＩＺＯ等の透明導電材料から成る。電極接続層９０は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている。具体的には、欠陥領域９１における電極接続層９０は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含む。一方、欠陥領域９１以外の領域（正常領域９２）における電極接続層９０の組成は、欠陥領域９１における電極接続層９０の組成と異なる。より具体的には、実施例２において、欠陥領域９１における電極接続層９０の部分９０’は、ＣａＯXＮYを含み、更には、有機層を構成する材料を含み、ＣａＯXＮYの存在によって、全体として高抵抗化され、あるいは又、絶縁状態とされている。一方、正常領域９２における電極接続層９０の部分９０”は、ＣａＬｉＦxを含み、更には、有機層を構成する材料を含み、導電性の組成である。欠陥領域９１における電極接続層９０の部分９０’は、第１電極５１まで延びている。更には、欠陥領域９１以外の領域における電極接続層９０の厚さ（部分９０”の厚さ）は、欠陥領域９１における電極接続層９０の厚さ（部分９０’の厚さ）よりも厚い。具体的には、欠陥領域９１における電極接続層９０（部分９０’）の厚さは５ｎｍ以上であり、欠陥領域９１以外の領域における電極接続層９０（部分９０”）の厚さは１０ｎｍ以上（より具体的には、例えば２０ｎｍ）である。
１つの画素は、実施例１とは異なり、赤色発光の有機層を有し、赤色を発光する発光素子から構成された赤色表示副画素ＳＰR（赤色発光素子１０Ｒ）、緑色発光の有機層を有し、緑色を発光する発光素子から構成された緑色表示副画素ＳＰG（緑色発光素子１０Ｇ）、及び、青色発光の有機層を有し、青色を発光する発光素子から構成された青色表示副画素ＳＰB（青色発光素子１０Ｂ）の３つの副画素（３つの発光素子）から構成されている。尚、これらの発光素子にあっても、カラーフィルタ層を備えることで、色純度を一層高くすることができる。
以下、実施例２の表示装置（有機ＥＬ表示装置）の製造方法の概要を説明する。
実施例１と同様に、第２基板１２を準備する。具体的には、第２基板１２の上に、周知の方法に基づき、カラーフィルタ層ＣＦ及び遮光層ＢＭを形成する。
［工程−２００］
実施例１の［工程−１００］と同様にして、基体上に第１電極５１を形成する。若干数の発光素子において、第１電極上にパーティクル（異物）や突起部が存在することに起因して、また、何らかの原因で第１電極に切れ目や切断部、欠けが形成されることに起因して、第１電極欠陥部が生じる。
［工程−２１０］
その後、実施例１の［工程−１１０］と同様の工程を実行する。
［工程−２２０］
その後、開口部６１の底部に露出した第１電極５１の部分及び絶縁層６０上に、有機層１７０を、実施例１の［工程−１２０］と同様にして形成する。次いで、有機層１７０の上に、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、但し、電荷発生層７４の代わりに、電極接続層９０を形成する。その後、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、電極接続層９０の全面に、ＩＺＯ等の透明導電材料から成る第２電極１５２を形成する。このようにして、第１電極５１上に、有機層１７０、電極接続層９０及び第２電極１５２を、例えば、真空雰囲気において連続して成膜することができる。その後、例えばＣＶＤ法又はＰＶＤ法によって、全面に保護膜１４を形成する。第１電極５１に生じた第１電極欠陥部に起因して、有機層１７０が不連続状態あるいは厚さ方向に不均一な状態にある欠陥領域９１が生じる。即ち、欠陥領域９１には、第１電極５１の上に存在するパーティクルが含まれ、又は、第１電極５１の上に存在する突起部が含まれ、又は、第１電極５１に形成された切れ目が含まれ、又は、第１電極５１に形成された切断部が含まれ、又は、第１電極５１に形成された欠けが含まれる。
［工程−２３０］
最後に、封止層（封止樹脂層）１５を介して、保護膜１４と第２基板１２とを貼り合わせる。こうして、図１、図６に示した表示装置を得ることができる。
欠陥領域９１に酸素原子や窒素原子が多く存在する結果、電極接続層９０の成膜時、あるいは、その後の熱処理時、これらの酸素原子や窒素原子と電極接続層９０を構成する原子（例えば、Ｃａ）とが結合し、欠陥領域９１において電極接続層９０が酸化、窒化され、ＣａＯXＮYとなり、有機層１７０が不連続状態あるいは厚さ方向に不均一な状態にある欠陥領域９１を含む発光素子では、電極接続層９０は、欠陥領域９１において高電気抵抗状態又は絶縁状態となる。一方、欠陥領域以外の領域（正常領域９２）においては、電極接続層９０を構成する原子（例えば、Ｃａ）は、殆ど、酸化されることがなく、また、窒化されることがない。それ故、正常領域９２における電極接続層９０は低電気抵抗状態に止まる。
従って、従来の技術のように抵抗層を形成しなくとも、第２電極と第１電極との間での短絡を確実に防止することができ、高い信頼性、長寿命、高輝度、高効率、高表示品質を有する表示装置を、製造工程の大幅な増加無しに製造することができる。
実施例２の電極接続層９０を形成する代わりに、ＬｉＦy層を形成した発光素子を備えた表示装置を、比較例２の表示装置として試作した。欠陥領域９１において、ＬｉＦy層は、酸化されることがなく、また、窒化されることがない。
そして、実施例２の表示装置及び比較例２の表示装置において、第１電極５１と第２電極１５２との間に１０ボルトの電圧を印加し、且つ、第１電極５１と第２電極１５２との間に流す電流を、種々、設定して、単位面積当たりの滅点（初期発光不良の発光素子の個数）を調べた。その結果を図１２に示すが、比較例２の表示装置に比べて、実施例２の表示装置は滅点数が激減するという結果が得られた。即ち、第２電極１５２をＩＺＯ等の透明導電材料から構成し、しかも、ＬｉＦy層の代わりにＣａＬｉＦxから成る電極接続層９０を形成することで、高表示品質を有する表示装置を得ることができることが判明した。尚、実施例２の表示装置の駆動電圧と、比較例２の表示装置の駆動電圧の間には差異は認められなかった。
実施例１における積層構造体７０と、実施例２における電極接続層９０とを備えた表示装置（実施例１と実施例２とが組み合わされた表示装置）とすることもできる。即ち、概念図を図８Ａ及び図８Ｂに示すように、実施例１の表示装置において、積層構造体７０と第２電極５２との間、又は、積層構造体７０と第１電極５１との間に（具体的には、例えば、積層構造体７０と第２電極５２との間に）、電極接続層９０が形成されており、欠陥領域８１を含む発光素子では、電極接続層９０は、欠陥領域８１において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域８１以外の領域において低電気抵抗状態にある構成とすることができる。
実施例３は、実施例１〜実施例２の変形である。実施例３において、第１電極の下方に層間絶縁膜を介して光反射層が形成され、光反射層と第２電極との間で共振器構造が構成される。実施例１の表示装置を変形した実施例３の表示装置の模式的な一部断面図を図９に示す。尚、図９においては、欠陥領域を含まない発光素子のみを表示した。
実施例３の発光素子１０は、
下層・層間絶縁膜３１、
下層・層間絶縁膜３１上に形成された光反射層３７、
下層・層間絶縁膜３１及び光反射層３７を覆う上層・層間絶縁膜３２、
上層・層間絶縁膜３２上に形成された第１電極５１、
少なくとも第１電極５１が形成されていない上層・層間絶縁膜３２の領域の上に形成された絶縁層６０、
第１電極５１上から絶縁層６０上に亙り形成された積層構造体７０あるいは有機層１７０（以下、便宜上、『積層構造体７０等』と呼ぶ）
、並びに、
積層構造体７０等の上に形成された第２電極５２，１５２（以下、便宜上、『第２電極５２等』と呼ぶ）、
を備えている。
また、実施例３の表示装置は、
第１発光素子１０Ｒ、第２発光素子１０Ｇ及び第３発光素子１０Ｂから構成された画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
画素は、最下層・層間絶縁膜３３、第１層間絶縁膜３４、第２層間絶縁膜３５及び最上層・層間絶縁膜３６が、順次、積層された積層構造を有している。そして、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、
最上層・層間絶縁膜３６上に形成された第１電極５１、
少なくとも第１電極５１が形成されていない最上層・層間絶縁膜３６の領域の上に形成された絶縁層６０、
第１電極５１上から絶縁層６０上に亙り形成された積層構造体７０等、並びに、
積層構造体７０等の上に形成された第２電極５２等、
を備えており、
第１発光素子１０Ｒは、最下層・層間絶縁膜３３と第１層間絶縁膜３４との間に形成された第１光反射層３８Ｒを備えており、
第２発光素子１０Ｇは、第１層間絶縁膜３４と第２層間絶縁膜３５との間に形成された第２光反射層３８Ｇを備えており、
第３発光素子１０Ｂは、第２層間絶縁膜３５と最上層・層間絶縁膜３６との間に形成された第３光反射層３８Ｂを備えている。
尚、第１層間絶縁膜３４、第２層間絶縁膜３５及び最上層・層間絶縁膜３６を総称して、層間絶縁膜・積層構造体３０と呼ぶ。
また、実施例３の表示装置は、別の表現をすれば、第１基板１１、第２基板１２、及び、第１基板１１と第２基板１２とによって挟まれた画像表示部１３を備えており、画像表示部１３には、実施例３の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）が、複数、２次元マトリクス状に配列されている。ここで、第１基板側に発光素子が形成されている。
第１電極５１はＩＴＯから成る。光反射層３７（第１光反射層３８Ｒ、第２光反射層３８Ｇ、第３光反射層３８Ｂ）は、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）の積層構造から成る。更には、第１基板１１はシリコン半導体基板から成り、第２基板１２はガラス基板から成る。また、ＴＦＴの代わりに、シリコン半導体基板にＭＯＳＦＥＴが形成されている。
実施例３において、積層構造体７０等を、実施例１に例示した材料から構成することができるし、以下に例示する材料から構成することもできる。実施例１〜実施例２においても、積層構造体７０等を以下に例示する材料から構成することもできる。
即ち、実施例３において、積層構造体７０等は、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）、発光層、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）、及び、電子注入層（ＥＩＬ：Electron InjectionLayer）の積層構造を有する。積層構造体７０は、異なる色を発光する少なくとも２層の有機層から構成されており、積層構造体７０から出射される光は白色である。具体的には、積層構造体７０は、赤色を発光する赤色発光の有機層、緑色を発光する緑色発光の有機層、及び、青色を発光する青色発光の有機層の３層が積層された構造を有する。赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ及び青色発光素子１０Ｂは、カラーフィルタ層、光反射層の位置を除き、同じ構成、構造を有する。
正孔注入層は、正孔注入効率を高める層であると共に、リークを防止するバッファ層として機能し、厚さは、例えば２ｎｍ乃至１０ｎｍ程度である。正孔注入層は、例えば、以下の式（Ａ）又は式（Ｂ）で表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体から成る。
ここで、Ｒ1〜Ｒ6は、それぞれ、独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシ基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、又は、シリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲm（ｍ＝１〜６）は環状構造を介して互いに結合してもよい。また、Ｘ1〜Ｘ6は、それぞれ、独立に、炭素又は窒素原子である。
正孔輸送層は発光層への正孔輸送効率を高める層である。発光層では、電界が加わると電子と正孔との再結合が起こり、光を発生する。電子輸送層は発光層への電子輸送効率を高める層であり、電子注入層は発光層への電子注入効率を高める層である。
正孔輸送層は、例えば、厚さが４０ｎｍ程度の４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〈ｍ−ＭＴＤＡＴＡ〉又はα−ナフチルフェニルジアミン〈αＮＰＤ〉から成る。
積層構造体は、混色により白色光を生じさせ、例えば、上述したとおり、赤色発光の有機層、緑色発光の有機層及び青色発光の有機層が積層されて成る。
赤色発光の有機層では、電界が加わることにより、第１電極５１から注入された正孔の一部と、第２電極５２等から注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光が発生する。このような赤色発光の有機層は、例えば、赤色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが５ｎｍ程度の赤色発光層は、例えば、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル〈ＤＰＶＢｉ〉に、２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン〈ＢＳＮ〉を３０質量％混合したものから成る。
緑色発光の有機層では、電界が加わることにより、第１電極５１から注入された正孔の一部と、第２電極５２等から注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光が発生する。このような緑色発光の有機層は、例えば、緑色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが１０ｎｍ程度の緑色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに、クマリン６を５質量％混合したものから成る。
青色発光の有機層では、電界が加わることにより、第１電極５１から注入された正孔の一部と、第２電極５２等から注入された電子の一部とが再結合して、青色の光が発生する。このような青色発光の有機層は、例えば、青色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが３０ｎｍ程度の青色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに、４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル〈ＤＰＡＶＢｉ〉を２．５質量％混合したものから成る。
厚さが２０ｎｍ程度の電子輸送層は、例えば、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム〈Ａｌｑ３〉から成る。厚さが０．３ｎｍ程度の電子注入層は、例えば、ＬｉＦあるいはＬｉ2Ｏ等から成る。
最下層・層間絶縁膜３３、層間絶縁膜・積層構造体３０、積層構造体７０及び第２電極５２等は、複数の発光素子において共通化されている。即ち、最下層・層間絶縁膜３３、層間絶縁膜・積層構造体３０、積層構造体７０及び第２電極５２等は、パターニングされておらず、所謂ベタ膜の状態にある。このように、発光素子毎に有機層を塗り分けて形成する（パターニング形成する）のではなく、全発光素子において共通の有機層をベタ成膜することで、例えば画角が数インチ以下で、画素ピッチが数十マイクロメートル以下である、小型、且つ、高解像度の表示装置にも対応可能となる。
発光素子１０は、積層構造体７０等を共振部とした共振器構造を有している。尚、発光面から反射面迄の距離（具体的には、発光面から光反射層３７及び第２電極５２等迄の距離）を適切に調整するために、積層構造体７０等の厚さは、８×１０-8ｍ以上、５×１０-7ｍ以下であることが好ましく、１．５×１０-7ｍ以上、３．５×１０-7ｍ以下であることがより好ましい。共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、赤色発光素子１０Ｒは、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極５２等から出射する。また、緑色発光素子１０Ｇは、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極５２等から出射する。更には、青色発光素子１０Ｂは、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極５２等から出射する。
実施例３において、下層・層間絶縁膜３１（最下層・層間絶縁膜３３）の下には、シリコン半導体基板（第１基板１１）に形成されたトランジスタ（具体的には、例えば、ＭＯＳＦＥＴ）１２０が備えられている。そして、第１電極５１とシリコン半導体基板（第１基板１１）に形成されたトランジスタ１２０とは、最下層・層間絶縁膜３３及び層間絶縁膜・積層構造体３０に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）２６を介して接続されている。ここで、ＭＯＳＦＥＴから成るトランジスタ１２０は、ゲート電極１２１、ゲート絶縁層１２２、チャネル形成領域１２３、ソース／ドレイン領域１２４から構成されており、各トランジスタ１２０の間には素子分離領域１２５が形成され、これによって、トランジスタ１２０は相互に分離されている。尚、このような構成、構造を、実施例１〜実施例２に適用することができる。また、実施例１において説明した構成、構造を、実施例３に適用することができる。
以上に説明した点を除き、実施例３の表示装置の構成、構造は、実施例１〜実施例２の表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例４は、本開示の第１の態様に係る発光装置に関する。概念図を図４Ａ、図４Ｂあるいは図５Ａ、図５Ｂに示すように、
（Ａ）基体上に形成された第１電極５１、
（Ｂ）第１電極５１上に形成された積層構造体７０、及び、
（Ｃ）積層構造体７０上に形成された第２電極５２、
から成る発光部を備えた発光装置である。そして、積層構造体７０は、第１電極５１側から、少なくとも、
（Ｂ−１）有機発光材料から成る第１発光層７１Ａを含む第１有機層７１、
（Ｂ−２）第１のキャリアを注入する第１層及び第２のキャリアを注入する第２層が積層された電荷発生層７４、並びに、
（Ｂ−３）有機発光材料から成る第２発光層７２Ａを含む第２有機層７２、
が、この順に積層されて成り、
欠陥領域８１において、電荷発生層７４は高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域８１以外の領域において、電荷発生層７４は低電気抵抗状態にある。
即ち、このような実施例４の発光装置は、恰も、実施例１の表示装置における１つの発光素子によって、発光装置全体が構成されている。但し、実施例１の表示装置とは異なり、カラーフィルタ層は不要であり、発光装置からは白色光が出射される。
尚、実施例１の表示装置と同様に、第１電極５１はアノード電極を構成し、第２電極５２はカソード電極を構成し；第１のキャリアは電子であり、第２のキャリアは正孔であり；電荷発生層７４を構成する第１層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている。そして、欠陥領域８１における電荷発生層７４を構成する第１層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、欠陥領域８１以外の領域における電荷発生層７４を構成する第１層の組成は、欠陥領域８１における電荷発生層７４を構成する第１層の組成と異なる。また、欠陥領域８１以外の領域（正常領域８２）における電荷発生層７４の厚さは、欠陥領域８１における電荷発生層７４の厚さよりも厚いし、欠陥領域８１における電荷発生層７４の厚さは５ｎｍ以上であり、欠陥領域８１以外の領域における電荷発生層７４の厚さは１０ｎｍ以上である。
あるいは又、実施例４は、本開示の第２の態様に係る発光装置に関する。概念図を図７Ａ、図７Ｂあるいは図８Ａ、図８Ｂに示すように、
（Ａ）基体上に形成された第１電極５１、
（Ｂ）有機発光材料から成る発光層を含む有機層１７０、及び、
（Ｃ）第２電極１５２、
がこの順に積層されて成る発光部を備えた発光装置であって、
発光部は、第２電極１５２と有機層１７０との間、又は、第１電極５１と有機層１７０との間に（具体的には、第２電極１５２と有機層１７０との間に）、電極接続層９０を更に有しており、
欠陥領域９１において、電極接続層９０は高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域９１以外の領域（正常領域９２）において、電極接続層９０は低電気抵抗状態にある。
即ち、このような実施例４の発光装置は、恰も、実施例２の表示装置における１つの発光素子によって、発光装置全体が構成されている。但し、実施例２の表示装置とは異なり、発光装置からは白色光が出射される。
尚、実施例２の表示装置と同様に、電極接続層９０は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている構成とすることができる。そして、この場合、欠陥領域９１における電極接続層９０は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、欠陥領域９１以外の領域（正常領域９２）における電極接続層９０の組成は、欠陥領域８１における電極接続層９０の組成と異なる。更には、欠陥領域９１以外の領域（正常領域９２）における電極接続層９０の厚さは、欠陥領域９１における電極接続層９０の厚さよりも厚く、欠陥領域９１における電極接続層９０の厚さは５ｎｍ以上であり、欠陥領域９１以外の領域における電極接続層９０の厚さは１０ｎｍ以上である。
また、積層構造体７０と第２電極５２との間、又は、積層構造体７０と第１電極５１との間に（具体的には、積層構造体７０と第２電極５２との間に）、電極接続層９０が形成されており、電極接続層９０は、欠陥領域８１において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域８１以外の領域において低電気抵抗状態にある構成とすることもできる。
欠陥領域８１，９１に酸素原子や窒素原子が多く存在する結果、積層構造体７０等の成膜時、あるいは、その後の熱処理時、これらの酸素原子や窒素原子と電荷発生層７４あるいは電極接続層９０を構成する原子（例えば、Ｃａ）とが結合し、欠陥領域８１，９１において電荷発生層７４あるいは電極接続層９０が酸化、窒化され、ＣａＯXＮYとなり、電荷発生層７４あるいは有機層１７０が不連続状態あるいは積層方向（厚さ方向）に不均一な状態にある欠陥領域８１，９１を含む発光部では、電荷発生層７４あるいは電極接続層９０は、欠陥領域８１，９１において高電気抵抗状態又は絶縁状態となる。一方、欠陥領域以外の領域（正常領域８２，９２）においては、電荷発生層７４あるいは電極接続層９０を構成する原子（例えば、Ｃａ）は、殆ど、酸化されることがなく、また、窒化されることがない。それ故、正常領域８２，９２における電荷発生層７４あるいは電極接続層９０は低電気抵抗状態に止まる。従って、従来の技術のように抵抗層を形成しなくとも、電荷発生層７４や第２電極５２と第１電極５１との間での短絡を確実に防止することができるし、高い信頼性、長寿命、高輝度、高効率、高表示品質を有する発光装置を、製造工程の大幅な増加無しに製造することができる。
以上、本開示の表示装置を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示の表示装置や発光装置は、これらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した表示装置や発光素子、発光装置、発光部の構成、構造、表示装置や発光素子、発光部を構成する各種材料、表示装置や発光素子、発光装置、発光部の製造方法等は例示であり、適宜、変更することができる。実施例１においては、専ら、白色発光素子とカラーフィルタ層の組合せから３つの副画素から１つの画素を構成したが、例えば、白色を出射する発光素子を加えた４つの副画素から１つの画素を構成してもよい。あるいは又、実施例２において、白色を発光する発光素子から構成された副画素（あるいは補色光を出射する発光素子）の４つの副画素（発光素子）から構成することもできる。
実施例においては、専ら、第２基板から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）の表示装置に基づき、説明を行ったが、第１基板から光を出射するボトムエミッション方式（下面発光方式）の表示装置（下面発光型表示装置）の表示装置とすることもできる。この場合、実施例１〜実施例４において説明した積層構造体や有機層の構成、第１電極及び第２電極の構成を、天地、逆とすればよい。そして、カラーフィルタ層を第２基板に設ける代わりに、カラーフィルタ層を第１基板に設けるＯＣＣＦ（オン・チップ・カラーフィルタ）構造とすればよい。
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《表示装置：第１の態様》
発光素子が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
各発光素子は、
（Ａ）基体上に形成された第１電極、
（Ｂ）第１電極上に形成された積層構造体、及び、
（Ｃ）積層構造体上に形成された第２電極、
から成り、
積層構造体は、第１電極側から、少なくとも、
（Ｂ−１）有機発光材料から成る第１発光層を含む第１有機層、
（Ｂ−２）第１のキャリアを注入する第１層及び第２のキャリアを注入する第２層が積層された電荷発生層、並びに、
（Ｂ−３）有機発光材料から成る第２発光層を含む第２有機層、
が、この順に積層されて成り、
欠陥領域を含む発光素子では、電荷発生層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある表示装置。
［Ａ０２］第１電極はアノード電極を構成し、第２電極はカソード電極を構成し、
第１のキャリアは電子であり、第２のキャリアは正孔であり、
電荷発生層を構成する第１層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている［Ａ０１］に記載の表示装置。
［Ａ０３］欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
欠陥領域以外の領域における電荷発生層を構成する第１層の組成は、欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層の組成と異なる［Ａ０２］に記載の表示装置。
［Ａ０４］欠陥領域以外の領域における電荷発生層の厚さは、欠陥領域における電荷発生層の厚さよりも厚い［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０５］欠陥領域における電荷発生層の厚さは５ｎｍ以上であり、
欠陥領域以外の領域における電荷発生層の厚さは１０ｎｍ以上である［Ａ０４］に記載の表示装置。
［Ａ０６］積層構造体と第２電極との間、又は、積層構造体と第１電極との間に、電極接続層が形成されており、
欠陥領域を含む発光素子では、電極接続層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０７］電極接続層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている［Ａ０６］に記載の表示装置。
［Ａ０８］欠陥領域における電極接続層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
欠陥領域以外の領域における電極接続層の組成は、欠陥領域における電極接続層の組成と異なる［Ａ０７］に記載の表示装置。
［Ａ０９］欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは、欠陥領域における電極接続層の厚さよりも厚い［Ａ０６］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１０］欠陥領域における電極接続層の厚さは５ｎｍ以上であり、
欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは１０ｎｍ以上である［Ａ０９］に記載の表示装置。
［Ａ１１］欠陥領域では積層構造体が不連続状態にある［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１２］欠陥領域では、積層構造体が積層方向に不均一である［Ａ０１］乃至［Ａ１１］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１３］欠陥領域には、第１電極上に存在するパーティクルが含まれ、又は、第１電極上に存在する突起部が含まれ、又は、第１電極に形成された切れ目が含まれ、又は、第１電極に形成された切断部が含まれ、又は、第１電極に形成された欠けが含まれる［Ａ０１］乃至［Ａ１２］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ０１］《表示装置：第２の態様》
（Ａ）基体上に形成された第１電極、
（Ｂ）有機発光材料から成る発光層を含む有機層、及び、
（Ｃ）第２電極、
がこの順に積層されて成る発光素子が、２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
各発光素子は、第２電極と有機層との間、又は、第１電極と有機層との間に、電極接続層を更に有しており、
欠陥領域を含む発光素子では、電極接続層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある表示装置。
［Ｂ０２］電極接続層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている［Ｂ０１］に記載の表示装置。
［Ｂ０３］欠陥領域における電極接続層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
欠陥領域以外の領域における電極接続層の組成は、欠陥領域における電極接続層の組成と異なる［Ｂ０２］に記載の表示装置。
［Ｂ０４］欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは、欠陥領域における電極接続層の厚さよりも厚い［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ０５］欠陥領域における電極接続層の厚さは５ｎｍ以上であり、
欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは１０ｎｍ以上である［Ｂ０４］に記載の表示装置。
［Ｂ０６］欠陥領域では有機層が不連続状態にある［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ０７］欠陥領域では、有機層が厚さ方向に不均一である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ０８］欠陥領域には、第１電極上に存在するパーティクルが含まれ、又は、第１電極上に存在する突起部が含まれ、又は、第１電極に形成された切れ目が含まれ、又は、第１電極に形成された切断部が含まれ、又は、第１電極に形成された欠けが含まれる［Ｂ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ０１］《発光装置：第１の態様》
（Ａ）基体上に形成された第１電極、
（Ｂ）第１電極上に形成された積層構造体、及び、
（Ｃ）積層構造体上に形成された第２電極、
から成る発光部を備えた発光装置であって、
積層構造体は、第１電極側から、少なくとも、
（Ｂ−１）有機発光材料から成る第１発光層を含む第１有機層、
（Ｂ−２）第１のキャリアを注入する第１層及び第２のキャリアを注入する第２層が積層された電荷発生層、並びに、
（Ｂ−３）有機発光材料から成る第２発光層を含む第２有機層、
が、この順に積層されて成り、
欠陥領域において、電荷発生層は高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において、電荷発生層は低電気抵抗状態にある発光装置。
［Ｃ０２］第１電極はアノード電極を構成し、第２電極はカソード電極を構成し、
第１のキャリアは電子であり、第２のキャリアは正孔であり、
電荷発生層を構成する第１層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている［Ｃ０１］に記載の発光装置。
［Ｃ０３］欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
欠陥領域以外の領域における電荷発生層を構成する第１層の組成は、欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層の組成と異なる［Ｃ０２］に記載の発光装置。
［Ｃ０４］欠陥領域以外の領域における電荷発生層の厚さは、欠陥領域における電荷発生層の厚さよりも厚い［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の発光装置。
［Ｃ０５］欠陥領域における電荷発生層の厚さは５ｎｍ以上であり、
欠陥領域以外の領域における電荷発生層の厚さは１０ｎｍ以上である［Ｃ０４］に記載の発光装置。
［Ｃ０６］積層構造体と第２電極との間、又は、積層構造体と第１電極との間に、電極接続層が形成されており、
電極接続層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある［Ｃ０１］乃至［Ｃ０５］のいずれか１項に記載の発光装置。
［Ｃ０７］電極接続層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている［Ｃ０６］に記載の発光装置。
［Ｃ０８］欠陥領域における電極接続層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
欠陥領域以外の領域における電極接続層の組成は、欠陥領域における電極接続層の組成と異なる［Ｃ０７］に記載の発光装置。
［Ｃ０９］欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは、欠陥領域における電極接続層の厚さよりも厚い［Ｃ０６］乃至［Ｃ０８］のいずれか１項に記載の発光装置。
［Ｃ１０］欠陥領域における電極接続層の厚さは５ｎｍ以上であり、
欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは１０ｎｍ以上である［Ｃ０９］に記載の発光装置。
［Ｃ１１］欠陥領域では積層構造体が不連続状態にある［Ｃ０１］乃至［Ｃ１０］のいずれか１項に記載の発光装置。
［Ｃ１２］欠陥領域では、積層構造体が積層方向に不均一である［Ｃ０１］乃至［Ｃ１１］のいずれか１項に記載の発光装置。
［Ｃ１３］欠陥領域には、第１電極上に存在するパーティクルが含まれ、又は、第１電極上に存在する突起部が含まれ、又は、第１電極に形成された切れ目が含まれ、又は、第１電極に形成された切断部が含まれ、又は、第１電極に形成された欠けが含まれる［Ｃ０１］乃至［Ｃ１２］のいずれか１項に記載の発光装置。
［Ｄ０１］《発光装置：第２の態様》
（Ａ）基体上に形成された第１電極、
（Ｂ）有機発光材料から成る発光層を含む有機層、及び、
（Ｃ）第２電極、
がこの順に積層されて成る発光部を備えた発光装置であって、
発光部は、第２電極と有機層との間、又は、第１電極と有機層との間に、電極接続層を更に有しており、
欠陥領域において、電極接続層は高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において、電極接続層は低電気抵抗状態にある発光装置。
［Ｄ０２］電極接続層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている［Ｄ０１］に記載の発光装置。
［Ｄ０３］欠陥領域における電極接続層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
欠陥領域以外の領域における電極接続層の組成は、欠陥領域における電極接続層の組成と異なる［Ｄ０２］に記載の発光装置。
［Ｄ０４］欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは、欠陥領域における電極接続層の厚さよりも厚い［Ｄ０１］乃至［Ｄ０３］のいずれか１項に記載の発光装置。
［Ｄ０５］欠陥領域における電極接続層の厚さは５ｎｍ以上であり、
欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは１０ｎｍ以上である［Ｄ０４］に記載の発光装置。
［Ｄ０６］欠陥領域では有機層が不連続状態にある［Ｄ０１］乃至［Ｄ０５］のいずれか１項に記載の発光装置。
［Ｄ０７］欠陥領域では、有機層が厚さ方向に不均一である［Ｄ０１］乃至［Ｄ０５］のいずれか１項に記載の発光装置。
［Ｄ０８］欠陥領域には、第１電極上に存在するパーティクルが含まれ、又は、第１電極上に存在する突起部が含まれ、又は、第１電極に形成された切れ目が含まれ、又は、第１電極に形成された切断部が含まれ、又は、第１電極に形成された欠けが含まれる［Ｄ０１］乃至［Ｄ０７］のいずれか１項に記載の発光装置。
１０・・・発光素子（表示素子）、１０Ｒ・・・赤色発光素子（第１発光素子）、１０Ｇ・・・緑色発光素子（第２発光素子）、１０Ｂ・・・青色発光素子（第３発光素子）、ＳＰR・・・赤色表示副画素、ＳＰG・・・緑色表示副画素、ＳＰB・・・青色表示副画素、１１・・・第１基板、１２・・・第２基板、１３・・・画像表示部、１４・・・保護膜、１５・・・封止層（封止樹脂層）、２０・・・ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１２０・・・ＭＯＳＦＥＴ、２１，１２１・・・ゲート電極、２２，１２２・・・ゲート絶縁層、２３，１２３・・・チャネル形成領域、２４，１２４・・・ソース／ドレイン領域、１２５・・・素子分離領域、２６・・・コンタクトホール（コンタクトプラグ）、３０・・・層間絶縁膜・積層構造体、３１・・・下層・層間絶縁膜、３２・・・上層・層間絶縁膜、３３・・・最下層・層間絶縁膜、３４・・・第１層間絶縁膜、３５・・・第２層間絶縁膜、３６・・・最上層・層間絶縁膜、３７・・・光反射層、３８Ｒ・・・第１光反射層、３８Ｇ・・・第２光反射層、３８Ｂ・・・第３光反射層、４０・・・層間絶縁層、５１・・・第１電極、５２，１５２・・・第２電極、６０・・・絶縁層、６１・・・開口部、６１Ａ・・・開口部の縁部、７０・・・積層構造体、７１，７２，７３・・・有機層、７１Ａ，７２Ａ，７３Ａ・・・発光層、７４，７５・・・電荷発生層、７４Ａ’・・・欠陥領域における電荷発生層の第１層が高電気抵抗状態又は絶縁状態にある領域、７４Ａ”・・・正常領域において低電気抵抗状態にある電荷発生層の第１層の領域、７４Ａ，７５Ａ・・・電荷発生層における第１のキャリアを注入する第１層、７４Ｂ，７５Ｂ・・・電荷発生層における第２のキャリアを注入する第２層、８１，９１・・・欠陥領域、８２，９２・・・正常領域、９０・・・電極接続層、９０’・・・欠陥領域における電極接続層の部分、９０”・・・正常領域における電極接続層の部分、１７０・・・有機層、ＣＦ，ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB・・・カラーフィルタ層、ＢＭ・・・遮光層（ブラックマトリクス層）

Claims (20)

  1. 発光素子が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
    各発光素子は、
    （Ａ）基体上に形成された第１電極、
    （Ｂ）第１電極上に形成された積層構造体、及び、
    （Ｃ）積層構造体上に形成された第２電極、
    から成り、
    積層構造体は、第１電極側から、少なくとも、
    （Ｂ−１）有機発光材料から成る第１発光層を含む第１有機層、
    （Ｂ−２）第１のキャリアを注入する第１層及び第２のキャリアを注入する第２層が積層された電荷発生層、並びに、
    （Ｂ−３）有機発光材料から成る第２発光層を含む第２有機層、
    が、この順に積層されて成り、
    欠陥領域を含む発光素子では、電荷発生層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある表示装置。
  2. 第１電極はアノード電極を構成し、第２電極はカソード電極を構成し、
    第１のキャリアは電子であり、第２のキャリアは正孔であり、
    電荷発生層を構成する第１層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている請求項１に記載の表示装置。
  3. 欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
    欠陥領域以外の領域における電荷発生層を構成する第１層の組成は、欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層の組成と異なる請求項２に記載の表示装置。
  4. 欠陥領域以外の領域における電荷発生層の厚さは、欠陥領域における電荷発生層の厚さよりも厚い請求項１に記載の表示装置。
  5. 欠陥領域における電荷発生層の厚さは５ｎｍ以上であり、
    欠陥領域以外の領域における電荷発生層の厚さは１０ｎｍ以上である請求項４に記載の表示装置。
  6. 積層構造体と第２電極との間、又は、積層構造体と第１電極との間に、電極接続層が形成されており、
    欠陥領域を含む発光素子では、電極接続層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある請求項１に記載の表示装置。
  7. （Ａ）基体上に形成された第１電極、
    （Ｂ）有機発光材料から成る発光層を含む有機層、及び、
    （Ｃ）第２電極、
    がこの順に積層されて成る発光素子が、２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
    各発光素子は、第２電極と有機層との間、又は、第１電極と有機層との間に、電極接続層を更に有しており、
    欠陥領域を含む発光素子では、電極接続層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある表示装置。
  8. 電極接続層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている請求項７に記載の表示装置。
  9. 欠陥領域における電極接続層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
    欠陥領域以外の領域における電極接続層の組成は、欠陥領域における電極接続層の組成と異なる請求項８に記載の表示装置。
  10. 欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは、欠陥領域における電極接続層の厚さよりも厚い請求項７に記載の表示装置。
  11. 欠陥領域における電極接続層の厚さは５ｎｍ以上であり、
    欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは１０ｎｍ以上である請求項１０に記載の表示装置。
  12. （Ａ）基体上に形成された第１電極、
    （Ｂ）第１電極上に形成された積層構造体、及び、
    （Ｃ）積層構造体上に形成された第２電極、
    から成る発光部を備えた発光装置であって、
    積層構造体は、第１電極側から、少なくとも、
    （Ｂ−１）有機発光材料から成る第１発光層を含む第１有機層、
    （Ｂ−２）第１のキャリアを注入する第１層及び第２のキャリアを注入する第２層が積層された電荷発生層、並びに、
    （Ｂ−３）有機発光材料から成る第２発光層を含む第２有機層、
    が、この順に積層されて成り、
    欠陥領域において、電荷発生層は高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において、電荷発生層は低電気抵抗状態にある発光装置。
  13. 第１電極はアノード電極を構成し、第２電極はカソード電極を構成し、
    第１のキャリアは電子であり、第２のキャリアは正孔であり、
    電荷発生層を構成する第１層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている請求項１２に記載の発光装置。
  14. 欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
    欠陥領域以外の領域における電荷発生層を構成する第１層の組成は、欠陥領域における電荷発生層を構成する第１層の組成と異なる請求項１３に記載の発光装置。
  15. 欠陥領域以外の領域における電荷発生層の厚さは、欠陥領域における電荷発生層の厚さよりも厚い請求項１２に記載の発光装置。
  16. 積層構造体と第２電極との間、又は、積層構造体と第１電極との間に、電極接続層が形成されており、
    電極接続層は、欠陥領域において高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において低電気抵抗状態にある請求項１２に記載の発光装置。
  17. （Ａ）基体上に形成された第１電極、
    （Ｂ）有機発光材料から成る発光層を含む有機層、及び、
    （Ｃ）第２電極、
    がこの順に積層されて成る発光部を備えた発光装置であって、
    発光部は、第２電極と有機層との間、又は、第１電極と有機層との間に、電極接続層を更に有しており、
    欠陥領域において、電極接続層は高電気抵抗状態又は絶縁状態にあり、欠陥領域以外の領域において、電極接続層は低電気抵抗状態にある発光装置。
  18. 電極接続層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料から構成されている請求項１７に記載の発光装置。
  19. 欠陥領域における電極接続層は、ＣａＯXＮY又はＣｓＯXＮY（但し、１＜Ｘ＜１０，１＜Ｙ＜１０）を含み、
    欠陥領域以外の領域における電極接続層の組成は、欠陥領域における電極接続層の組成と異なる請求項１８に記載の発光装置。
  20. 欠陥領域以外の領域における電極接続層の厚さは、欠陥領域における電極接続層の厚さよりも厚い請求項１７に記載の発光装置。
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