[go: up one dir, main page]

JP2017055328A - 撮像装置及び撮像システム - Google Patents

撮像装置及び撮像システム Download PDF

Info

Publication number
JP2017055328A
JP2017055328A JP2015179347A JP2015179347A JP2017055328A JP 2017055328 A JP2017055328 A JP 2017055328A JP 2015179347 A JP2015179347 A JP 2015179347A JP 2015179347 A JP2015179347 A JP 2015179347A JP 2017055328 A JP2017055328 A JP 2017055328A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
period
photoelectric conversion
pixels
group
conversion unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015179347A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6570384B2 (ja
JP2017055328A5 (ja
Inventor
一成 川端
Kazunari Kawabata
一成 川端
市川 武史
Takeshi Ichikawa
武史 市川
小林 昌弘
Masahiro Kobayashi
昌弘 小林
裕介 大貫
Yusuke Onuki
裕介 大貫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2015179347A priority Critical patent/JP6570384B2/ja
Priority to US15/237,255 priority patent/US9894295B2/en
Publication of JP2017055328A publication Critical patent/JP2017055328A/ja
Publication of JP2017055328A5 publication Critical patent/JP2017055328A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6570384B2 publication Critical patent/JP6570384B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/73Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing the exposure time
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • H04N25/53Control of the integration time
    • H04N25/533Control of the integration time by using differing integration times for different sensor regions
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57Control of the dynamic range
    • H04N25/58Control of the dynamic range involving two or more exposures
    • H04N25/581Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
    • H04N25/583Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with different integration times
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/703SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
    • H04N25/704Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/771Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

【課題】グローバル電子シャッタを用いた撮像においてダイナミックレンジの拡大や焦点検出の高速化を実現しうる撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換部と、光電変換部から転送される電荷を保持する保持部と、保持部から転送される電荷に基づく信号を出力する増幅部とを含む複数の画素を有し、複数の画素は、第1の露光期間の間に生じた電荷に基づく信号を出力する第1のグループと、第1の露光期間よりも長い第2の露光期間の間に生じた電荷に基づく信号を出力する第2のグループとを含み、第2のグループに属する画素は、第2の露光期間の間に、光電変換部で生じた電荷を光電変換部に蓄積するとともに保持部が保持している電荷を前記増幅部に転送する第1の期間と、第1の期間の間に光電変換部で生じた電荷を前記保持部が保持するとともに第1の期間の後に光電変換部で生じた電荷を光電変換部又は保持部が保持する第2の期間とを含む。
【選択図】図3

Description

本発明は、撮像装置及び撮像システムに関する。
近年、CMOSイメージセンサにおいて、グローバル電子シャッタ動作による撮像を行うことが提案されている。特許文献1及び特許文献2には、グローバル電子シャッタを備えた撮像装置が記載されている。グローバル電子シャッタを備えた撮像装置には、動きの速い被写体を撮影する場合でも被写体像がゆがまないという利点がある。
特開2004−111590号公報 特開2006−246450号公報
発明者らは、グローバル電子シャッタ機能を備えた撮像装置において、多重露光によるダイナミックレンジの拡大や撮像面での焦点検出の高速化などの高機能化が必要であることを見出した。しかしながら、従来の撮像装置では、このような高機能化に適した撮像装置の構成や駆動方法について検討はなされていなかった。
本発明の目的は、グローバル電子シャッタを用いた撮像において、ダイナミックレンジの拡大や焦点検出の高速化を実現しうる撮像装置を提供することにある。
本発明の一観点によれば、光電変換により電荷を生じる光電変換部と、前記光電変換部から転送される前記電荷を保持する保持部と、前記保持部から転送される前記電荷に基づく信号を出力する増幅部とをそれぞれが含む複数の画素を有し、前記複数の画素は、それぞれのフレームの第1の露光期間の間に前記光電変換部で生じた電荷に基づく信号を出力する前記画素を含む第1のグループと、それぞれの前記フレームの第2の露光期間の間に前記光電変換部で生じた電荷に基づく信号を出力する前記画素を含む第2のグループとを含み、前記第2の露光期間は、前記第1の露光期間よりも長く、少なくとも一部が前記第1の露光期間と重なっており、前記第2のグループに属する前記画素は、前記第2の露光期間の間に、前記光電変換部で生じた前記電荷を前記光電変換部に蓄積するとともに、前記保持部が保持している前記電荷を前記増幅部に転送する第1の期間と、前記第1の期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷を前記保持部が保持するとともに、前記第1の期間の後に前記光電変換部で生じた前記電荷を前記光電変換部又は前記保持部が保持する第2の期間とを含む撮像装置が提供される。
また、本発明の他の観点によれば、光電変換により電荷を生じる光電変換部と、前記光電変換部から転送される前記電荷を保持する保持部と、前記保持部から転送される前記電荷に基づく信号を出力する増幅部とをそれぞれが含む複数の画素を有する撮像装置の駆動方法であって、前記複数の画素のうち第1のグループに属する前記画素については、それぞれのフレームの第1の露光期間の間に前記光電変換部で生じた電荷を前記光電変換部で蓄積し、前記第1の露光期間の後に、前記第1の露光期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷を前記保持部から前記増幅部へと転送し、前記複数の画素のうち第2のグループに属する前記画素については、それぞれのフレームの第2の露光期間の第1の期間の間に、前記光電変換部で生じた電荷を前記光電変換部に蓄積するとともに、前記保持部が保持している電荷を前記増幅部に転送し、前記第2の露光期間の第2の期間の間に、前記第1の期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷を前記保持部で保持するとともに、前記第2の期間の間に前記光電変換部で生じた電荷を前記光電変換部又は前記保持部で保持し、前記第2の露光期間の後に、前記第1の期間及び前記第2の期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷を前記保持部から前記増幅部へと転送する撮像装置の駆動方法が提供される。
本発明によれば、グローバル電子シャッタ機能を備えた撮像装置において、ダイナミックレンジの拡大や焦点検出の高速化を実現することができる。
本発明の第1実施形態による撮像装置の概略構成を示すブロック図である。 本発明の第1実施形態による撮像装置の画素回路の構成例を示す図である。 本発明の第1実施形態による撮像装置の画素アレイ部における画素の配置例を示す図である。 本発明の第1実施形態による撮像装置の動作を示す模式図である。 本発明の第1実施形態による撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の第1実施形態による撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の第2実施形態による撮像装置の画素回路の構成例を示す図である。 本発明の第2実施形態による撮像装置の動作を示す模式図である。 本発明の第2実施形態による撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の第3実施形態による撮像装置の動作を示す模式図である。 本発明の第3実施形態による撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の第4実施形態による撮像装置の画素回路の構成例を示す図である。 本発明の第4実施形態による撮像装置の画素の断面構造を示す図である。 本発明の第4実施形態による撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の第5実施形態による撮像装置の画素の断面構造を示す図である。 本発明の第6実施形態による撮像システムの構成を示すブロック図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。もちろん、本発明に係る実
施形態は、以下に説明される実施形態のみに限定されるものではない。例えば、以下のいずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態による撮像装置について、図1乃至図6を用いて説明する。図1は、本実施形態による撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図2は、本実施形態による撮像装置の画素回路の構成例を示す回路図である。図3は、本実施形態による撮像装置の画素アレイ部における画素の配置例を示す図である。図4は、本実施形態による撮像装置の動作を示す模式図である。図5及び図6は、本実施形態による撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
はじめに、本実施形態による撮像装置の構成について、CMOSイメージセンサを例に挙げ、図1及び図2を用いて説明する。
本実施形態による撮像装置100は、図1に示すように、画素アレイ部10と、垂直駆動回路20と、水平駆動回路30と、制御回路40と、出力回路50とを有している。
画素アレイ部10には、複数行及び複数列に渡って配された複数の画素12が設けられている。それぞれの画素12は、入射光をその光量に応じた電荷に変換する光電変換素子を含む。図1には、5行×2列に配列された10個の画素12からなる画素アレイを示しているが、実際には更に多くの画素12を有している。
画素アレイ部10に配列された複数の画素12には、読み出し対象画素群12aと、非読み出し対象画素群12bとを含むことができる。読み出し対象画素群12aは、後段の信号処理系において用いられる信号を出力する画素12からなる画素群である。信号処理系において用いられる信号には、例えば、画像に用いられる信号(以下、「画像用信号」と表記する)や、焦点検出に用いられる信号(以下、「焦点検出用信号」と表記する)などが含まれる。また、非読み出し対象画素群12bは、出力を画像や焦点検出などに用いない画素12からなる画素群である。なお、非読み出し対象画素群12bは、必ずしも設ける必要はない。
垂直駆動回路20は、それぞれの画素12から信号を読み出す際に画素12内の読み出し回路を駆動するためのものである。水平駆動回路30は、画素12から読み出された信号に対して必要に応じて所望の信号処理を行った後、列毎に順次、出力回路50に転送するためのものである。水平駆動回路30が行う信号処理には、増幅処理やAD変換処理等を含むことができる。制御回路40は、垂直駆動回路20及び水平駆動回路30を制御するためのものである。出力回路50は、画素12から読み出した信号を外部に出力するための回路である。
図2は、画素アレイ部10を構成する画素回路の一例を示す回路図である。図2には、画素アレイ部10を構成する画素12として、図1の読み出し対象画素群12aに対応する4行×2列に配列された8個の画素12を示しているが、実際には更に多くの画素12を有している。なお、以下の説明では、画素アレイの行を上から順に、第m行、第m+1行、第m+2行、第m+3行、といった行番号で表記することがある。
各画素12は、光電変換部D1と、転送トランジスタM1と、転送トランジスタM2と、リセットトランジスタM3と、増幅トランジスタM4と、選択トランジスタM5とを含む。光電変換部D1を構成するフォトダイオードのアノードは接地電圧線に接続され、カソードは転送トランジスタM1のソースに接続されている。転送トランジスタM1のドレインは、転送トランジスタM2のソースに接続されている。転送トランジスタM1のドレインと転送トランジスタM2のソースとの接続ノードは、電荷の保持部C1を構成する。図には、保持部C1を容量素子で表している。転送トランジスタM2のドレインは、リセットトランジスタM3のソース及び増幅トランジスタM4のゲートに接続されている。転送トランジスタM2のドレイン、リセットトランジスタM3のソース及び増幅トランジスタM4のゲートの接続ノードは、電荷の保持部C2を構成する。図には、保持部C2を容量素子で表している。なお、保持部C2は、いわゆるフローティングディフュージョン(FD)である。リセットトランジスタM3のドレイン及び増幅トランジスタM4のドレインは、電源電圧線(VDD)に接続されている。増幅トランジスタM4のソースは、選択トランジスタM5のドレインに接続されている。
画素アレイ部10の画素アレイの各行には、行方向(図2において横方向)に延在して、制御線Tx1、制御線Tx2、制御線RES、制御線SELが、それぞれ配されている。制御線Tx1は、行方向に並ぶ画素12の転送トランジスタM1のゲートにそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。制御線Tx2は、行方向に並ぶ画素12の転送トランジスタM2のゲートにそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。制御線RESは、行方向に並ぶ画素12のリセットトランジスタM3のゲートにそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。制御線SELは、行方向に並ぶ画素12の選択トランジスタM5のゲートにそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。なお、図1には、各制御線の名称に、対応する行番号をそれぞれ付記している(例えば、Tx1(m),Tx1(m+1),Tx1(m+2),Tx1(m+3))。
制御線Tx1、制御線Tx2、制御線RES、制御線SELは、垂直駆動回路20に接続されている。制御線Tx1には、垂直駆動回路20から、転送トランジスタM1を制御するための駆動パルスである制御信号PTx1が出力される。制御線Tx2には、垂直駆動回路20から、転送トランジスタM2を制御するための駆動パルスである制御信号PTx2が出力される。制御線RESには、垂直駆動回路20から、リセットトランジスタM3を制御するための駆動パルスである制御信号PRESが出力される。制御線SELには、垂直駆動回路20から、選択トランジスタM5を制御するための駆動パルスである制御信号PSELが出力される。典型例では、垂直駆動回路20からハイレベルの制御信号が出力されると対応するトランジスタがオンとなり、垂直駆動回路20からローレベルの制御信号が出力されると対応するトランジスタがオフとなる。これら制御信号は、制御回路40からの所定のタイミング信号に応じて、垂直駆動回路20から供給される。垂直駆動回路20には、シフトレジスタやアドレスデコーダなどの論理回路が用いられる。
画素アレイ部10の画素アレイの各列には、列方向(図2において縦方向)に延在して、出力線14が配されている。出力線14は、列方向に並ぶ画素12の選択トランジスタM5のソースにそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。なお、画素12の選択トランジスタM5は、省略してもよい。この場合、出力線14は、増幅トランジスタM4のソースに接続される。出力線14には、電流源16が接続されている。
光電変換部D1は、入射光をその光量に応じた電荷に変換(光電変換)するとともに、光電変換により生じた電荷を蓄積する。転送トランジスタM1は、光電変換部D1が保持する電荷を保持部C1に転送する。保持部C1は、光電変換部D1で生成された電荷を、光電変換部D1とは別の場所で保持する。転送トランジスタM2は、保持部C1が保持する電荷を保持部C2に転送する。保持部C2は、保持部C1から転送された電荷を保持するとともに、増幅部の入力ノード(増幅トランジスタM4のゲート)の電圧を、その容量と転送された電荷の量とに応じた電圧に設定する。リセットトランジスタM3は、保持部C2の電圧をリセットする。選択トランジスタM5は、出力線14に信号を出力する画素12を選択する。増幅トランジスタM4は、ドレインに電源電圧が供給され、ソースに選択トランジスタM5を介して電流源16からバイアス電流が供給される構成となっており、ゲートを入力ノードとする増幅部(ソースフォロワ回路)を構成する。これにより増幅トランジスタM4は、入射光によって生じた電荷に基づく信号Voutを出力線14に出力する。
このような構成により、保持部C1が電荷を保持している間に光電変換部D1で生じた電荷は、光電変換部D1に蓄積することができる。これにより、複数の画素の間で光電変換の期間が一致するような撮像動作、いわゆるグローバル電子シャッタ動作を行うことが可能となる。なお、電子シャッタとは、入射光によって生じた電荷の蓄積を電気的に制御することである。
次に、本実施形態による撮像装置の駆動方法について、図3乃至図6を用いて説明する。ここでは動画を撮影する場合の撮像動作について説明するが、静止画の撮影を行う場合についても同様に行うことができる。
なお、本明細書では、グループ、時刻、期間、露光期間等の名称に、第1、第2、第3等の数詞を付することがあるが、これら数詞は単に説明の便宜上のものである。同じ数詞を用いた同じ名称の構成要素であっても、例えば明細書に記載されたものと特許請求の範囲に記載されたものとは、必ずしも同一のものを意図するものではない。
本実施形態による撮像装置100の駆動方法では、読み出し対象画素群12aを、少なくとも第1のグループと第2のグループとを含む複数のグループに分け、同じフレーム期間内にグループ毎に異なる撮像動作を行う。以下の説明では、読み出し対象画素群12aが第1のグループと第2のグループとを含む場合を例にして説明するが、読み出し対象画素群12aは3つ以上のグループを含んでいてもよい。なお、本実施形態の撮像装置100において、読み出し対象画素群12aのグループ分けは、撮像動作の違いを規定するための便宜的なものであり、各グループに属する画素12に構造的或いは機能的な相違があるわけではない。
本実施形態において、第1のグループに属する画素12と、第2のグループに属する画素12とは、互いに異なる露光期間の間に蓄積された電荷に基づく信号を出力する画素12として用いる。例えば、第1のグループの画素12は、相対的に短い露光時間の間に蓄積された電荷に基づく信号(以下、「短い蓄積時間の信号」と表記する)を出力する画素である。また、第2のグループの画素12は、相対的に長い露光時間の間に蓄積された電荷に基づく信号(以下、「長い蓄積時間の信号」と表記する)を出力する画素である。この場合、第1のグループの画素12から出力される短い蓄積時間の信号は低感度信号に、第2のグループの画素12から出力される長い蓄積時間の信号は高感度信号に、それぞれ対応づけることができる。これら複数の蓄積時間の信号から得られる画像を合成することにより、ワイドダイナミックレンジ画像を得ることが可能となる。
第1のグループの画素12及び第2のグループの画素12の画素アレイ部10内における配置は、特に限定されるものではなく、例えば図3に示すような種々の配置を適用可能である。図3において、斜線を付した領域は第1のグループの画素12を示し、白抜きの領域は第2のグループの画素12を示している。
図3(a)に示す配置は、第1のグループの画素12と第2のグループの画素12とを千鳥格子状に配置した例である。図3(b)に示す配置は、第1のグループの画素12と第2のグループの画素12とを1行毎に交互に配置した例である。図3(c)に示す配置は、第1のグループの画素12と第2のグループの画素12とを1列毎に交互に配置した例である。このように、蓄積時間の異なる信号を出力する画素12は、同じ行や同じ列に配置されていてもよく、一行毎或いは一列毎に配置されていてもよい。図3(d)に示す配置は、4つの画素を1つの単位ブロックとして、第1のグループの画素12からなる単位ブロックと第2のグループの画素12からなる単位ブロックとを千鳥格子状に配置した例である。図3(e)に示す配置は、第2のグループの画素12の数を第1のグループの画素の数の3倍にした配置例である。図3(f)に示す配置は、第2のグループの画素12の数を第1のグループの画素の数の7倍にした配置例である。例えば図3(e)及び図3(f)に示すように、第1のグループの画素12と第2のグループの画素12は、必ずしも同数である必要はない。
図4は、時間の経過に伴う撮像装置100の動作状態の遷移を示した模式図であり、図面において左から右に向かう方向が時間軸に対応している。図4には、第1のグループの画素12及び第2のグループの画素12のそれぞれについて、第nフレーム及び第n+1フレームにおける撮像動作を示している。
ここで、以下の説明の便宜上、1フレーム期間の間に、時間軸方向に沿って順番に、時刻T1,T2,T3,T4を定義するものとする。時刻T1はフレームの開始時刻であり、時刻T4はフレームの終了時刻である。また、時刻T1と時刻T2との間の期間を第1の期間、時刻T2と時刻T3との間の期間を第2の期間、時刻T3と時刻T4との間の期間を第3の期間と定義するものとする。
第1のグループの撮像動作には、図4に示すように、1フレーム期間の間に、第1の露光期間と、第2の露光期間とが含まれる。第1の露光期間は、第1の期間に対応し、相対的に短い露光期間である。第2の露光期間は、第2の期間と第3の期間の合計の期間に対応し、第1の露光期間と比較して相対的に長い露光期間である。第2の露光期間は、第1の露光期間の後に開始される。
また、第1のグループの撮像動作には、1フレーム期間の間に、蓄積期間PD(n,1),PD(n,2)が含まれる。蓄積期間PD(n,1)は、第1の露光期間において、光電変換部D1が電荷を生成或いは蓄積している期間である。蓄積期間PD(n,2)は、第2の露光期間において、光電変換部D1が電荷を生成或いは蓄積している期間である。
また、第1のグループの撮像動作には、1フレーム期間の間に、保持期間MEM(n−1,2)の一部、保持期間MEM(n,1)及び保持期間MEM(n,2)の一部が含まれる。保持期間MEM(n−1,2)は、前フレーム(図示しない第n−1フレーム)の第2の露光期間に光電変換部D1で生成された電荷を保持部C1が保持している期間である。保持期間MEM(n,1)は、第2の期間に対応し、当該フレーム(第nフレーム)の第1の露光期間に光電変換部D1で生成された電荷を保持部C1が保持している期間である。保持期間MEM(n,2)は、当該フレームの第2の露光期間に光電変換部D1で生成された電荷を保持部C1が保持している期間である。保持期間MEM(n,2)は、当該フレームの第3の期間から次フレーム(第n+1フレーム)の第1の期間までの期間に対応する。
また、第1のグループの撮像動作には、第1の読み出し期間と、第2の読み出し期間とが含まれる。第1の露光期間に蓄積された電荷に基づく信号の読み出し動作を実施する期間が第1の読み出し期間であり、第2の露光期間に蓄積された電荷に基づく信号の読み出し動作を実施する期間が第2の読み出し期間である。第1の読み出し期間は当該フレームの第2の期間内に行われ、第2の読み出し期間は次フレームの第1の期間内に行われる。図には、1行の画素12から一連の読み出し動作を実施する期間を1つの四角印で示している。異なる行の画素12からの読み出し期間を異なる高さの位置に示すことで、行順次で読み出し動作が実施されることを模式的に示している。
第1のグループにおいて、保持期間MEM(n,1)に保持部C1が保持している電荷は、第2の期間内において行順次で保持部C2へ転送され、読み出し動作が順次実施される(第1の読み出し)。保持期間MEM(n,2)に保持部C1が保持している電荷は、次フレームの第1の期間内において行順次で保持部C2へ転送され、読み出し動作が順次実施される(第2の読み出し)。なお、第2の読み出しは、必ずしも実施する必要はない。また、必ずしも第1のグループに属する総ての画素12について読み出しを実施する必要はなく、第1のグループの一部の画素12についてのみ読み出しを実施してもよい。
このように、第1のグループの画素12の1フレーム期間内の動作には、相対的に短い露光期間(以下、「短秒蓄積信号の蓄積期間」とも表記する)と、相対的に長い露光期間(以下、「長秒蓄積信号の蓄積期間」とも表記する)とが含まれる。短秒蓄積信号の蓄積期間は、第1の期間に相当する。また、長秒蓄積信号の蓄積期間は、第2の期間と第3の期間との合計の期間に相当する。或いは、第1の期間の信号の読み出しを終えた後、増幅部の入力ノードをリセットする動作を行わないことにより、長秒蓄積信号の蓄積期間は、第1の期間と第2の期間と第3の期間との合計の期間とすることもできる。すなわち、第1の期間で生じた電荷と、第2の期間及び第3の期間で生じた電荷とを、増幅部の入力ノードの上で加算することになる。長秒蓄積信号の蓄積期間は、用途や撮影状況等に応じて適宜選択することができる。
保持部C1に保持された前フレームの長秒蓄積信号の電荷は、第1の期間に読み出される。そのため、第1の期間が終われば、保持部C1は新たな電荷を保持することができる。また、保持部C1に保持された短秒蓄積信号の電荷は、第2の期間に読み出される。そのため、第2の期間が終われば、保持部C1は新たな電荷を保持することができる。したがって、光電変換部D1は、少なくとも、第1の期間の間に生じる電荷及び第2の期間の間に生じる電荷のうち多い方の電荷を蓄積できればよい。通常は、第1の期間及び第2の期間に生じる電荷の量は、1フレームの露光期間、すなわち第1の期間と第2の期間と第3の期間との合計の期間に生じる電荷の量より少ないため、光電変換部D1の飽和電荷量を小さくすることができる。
本実施形態の駆動方法では、保持部C1が電荷を保持している第3の期間を、第1の期間及び第2の期間よりも長くしている。そのため、光電変換部D1の飽和電荷量をより小さくすることができる。ただし、第1の期間と第2の期間と第3の期間とは等しくてもよいし、第3の期間よりも第1の期間及び第2の期間が長くてもよい。その他にも任意の蓄積時間の組み合わせを採用することができる。
一方、第2のグループの撮像動作には、図4に示すように、1フレーム期間の間に、第3の露光期間が含まれる。第3の露光期間は、1フレーム期間とほぼ等しく、第1の露光期間及び第2の露光期間と重畳している。第3の露光期間は、第1の露光期間及び第2の露光期間と比較して相対的に長い露光期間(長秒蓄積信号の蓄積期間)であるともいえる。
また、第2のグループの撮像動作には、1フレーム期間の間に、蓄積期間PD(n,3)が含まれる。蓄積期間PD(n,3)は、第3の露光期間において、光電変換部D1が電荷を生成或いは蓄積している期間である。
また、第2のグループの撮像動作には、1フレーム期間の間に、保持期間MEM(n−1,3)の一部及び保持期間MEM(n,3)の一部が含まれる。保持期間MEM(n−1,3)は、前フレームの第3の露光期間において光電変換部D1にて生成された電荷を保持部C1が保持している期間である。保持期間MEM(n,3)は、当該フレームの第3の露光期間において光電変換部D1にて生成された電荷を保持部C1が保持している期間である。保持期間MEM(n,3)は、当該フレームの第2の期間から次フレームの第1の期間までの期間に対応する。
また、第2のグループの撮像動作には、1回の読み出し動作が含まれる。第2のグループにおいて、保持期間MEM(n,3)に保持部C1で保持されている電荷は、次フレームの第1の期間内において行順次で保持部C2へ転送され、読み出し動作が順次実施される。なお、必ずしも第2のグループに属する総ての画素12について読み出しを実施する必要はなく、第2のグループの一部の画素12についてのみ読み出しを実施してもよい。
このように、第2のグループの画素12の露光期間は、第1の期間と第2の期間と第3の期間との合計の期間である。第1のグループと同様に、保持部C1に保持された前フレームの電荷は、第1の期間に読み出される。そのため、第1の期間が終われば、保持部C1は新たな電荷を保持することができる。したがって、光電変換部D1は、少なくとも第1の期間に生じる電荷を蓄積できればよい。通常は、第1の期間に生じる電荷の量は、1フレームの露光期間、すなわち第1の期間と第2の期間と第3の期間との合計の期間に生じる電荷の量より少ないため、光電変換部D1の飽和電荷量を小さくすることができる。
本実施形態の駆動方法では、保持部C1が電荷を保持している第2の期間と第3の期間との合計の期間が、第1の期間よりも長い。そのため、光電変換部D1の飽和電荷量をより小さくできる。ただし、第1の期間と第2の期間と第3の期間とは等しくてもよいし、第2の期間と第3の期間との合計の期間よりも第1の期間が長くてもよい。その他にも任意の蓄積時間の組み合わせを採用することができる。
なお、図4では、1行目の画素12から順に読み出し動作を行う例を示している。しかし、読み出し動作を行う順序はこの例に限られない。第1の期間及び第2の期間に、1フレームの画像を構成する画素12のそれぞれに対して、少なくとも1回ずつ読み出しが行われればよい。
このように、第1のグループの画素12については、第1の期間及び第2の期間においてそれぞれ読み出し動作が行われる。また、第2のグループの画素12については、第1の期間において読み出し動作が行われる。これにより、1フレームの読み出し動作において、短秒蓄積信号の読み出しと、長秒蓄積信号の読み出しとが可能となる。
また、図4の読み出し動作では、1フレームの露光が終了してからすぐに、次のフレームの露光を開始することができる。したがって、情報が欠落する期間をほとんどなくすことができるため、画質を向上することができる。
また、光電変換部D1が電荷を蓄積している第1の期間及び第2の期間に、複数の画素12のそれぞれに対して読み出し動作が行われる。このため、光電変換部D1の飽和電荷量が小さくても、画素12の飽和電荷量を増加することができる。画素12の飽和電荷量は、1回の露光で生じる電荷のうち、信号として扱うことができる電荷量の最大値である。なお、光電変換部D1の飽和電荷量及び保持部C1の飽和電荷量は、それぞれ、光電変換部D1が蓄積できる電荷量の最大値及び保持部C1が保持できる電荷量の最大値である。
図5は、本実施形態による撮像装置の駆動方法に用いられる駆動パルスの一例を模式的に示したものである。図5には、第1のグループの画素12及び第2のグループの画素12のそれぞれについて、転送トランジスタM1の制御線Tx1に供給される制御信号PTx1と、転送トランジスタM2の制御線Tx2に供給される制御信号PTx2とを示している。制御信号がハイレベルのときに対応するトランジスタがオンになり、制御信号がローレベルのときに対応するトランジスタがオフになる。
図5では、第1のグループの画素12と第2のグループの画素12とが、図3(b)に示す配置で配列された場合、すなわち、第1のグループの画素12と第2のグループの画素12とが1行毎に交互に配置された場合を想定している。例えば、第m行目の画素12が第1のグループである場合、第m+2行,第m+4行,…,が第1のグループの画素となり、第m+1行,第m+3行,…,が第2のグループの画素となる。行順次の読み出し動作では、例えば図4に示すように、第1のグループの画素12と第2のグループの画素12とが交互に読み出されることになる。
まず、第1のグループの画素12の駆動について説明する。
時刻T1までの期間には、前フレームの露光(第2の露光期間)が行われている。露光とは、光電変換によって生じた電荷が信号として蓄積又は保持されることを意味する。時刻T1より前に生じた前フレームの電荷は、光電変換部D1及び保持部C1に保持されている。制御信号PTx1をハイレベルとして転送トランジスタM1をオンにすることで、前フレームの露光期間に生じた電荷は、総て保持部C1に転送される。時刻T1において制御信号PTx1をローレベルとして総ての画素12で同時に転送トランジスタM1をオフにすることで、前フレームの露光期間は終了する。
光電変換部D1及び保持部C1に蓄積されていた前フレームの電荷が総て保持部C1に転送されると、光電変換部D1は初期状態になる。すなわち、時刻T1において、総ての画素12の光電変換部D1が同時に電荷の蓄積を新たに開始する。このように、本実施形態の駆動方法では、転送トランジスタM1をオフにすることで、光電変換部D1による電荷の蓄積が開始される。時刻T1は、第1のグループの画素12において、第1の露光期間の開始時刻となる。
時刻T1までの間に保持部C1へと転送された電荷に基づく前フレームの信号は、時刻T1以降、順次読み出される(前フレームの第1のグループの第2の読み出し)。すなわち、制御信号PTx2をハイレベルとして転送トランジスタM2をオンにすることで、保持部C1に保持されている電荷を保持部C2に転送する。これにより、保持部C2の容量と転送された電荷の量に応じて増幅部の入力ノード(増幅トランジスタM4のゲート)の電圧が変化し、出力線14には入力ノードの電圧に基づく信号が出力される。同様の動作を、第1のグループの読み出し対象の画素12について、行毎に行う。第1のグループの読み出し対象の画素12の読み出しが総て行われた後には、これら画素12の転送トランジスタM1,M2がオフになっている。
第1の期間に出力する信号の数は、出力する画像のフォーマット等に応じて適宜変更されうる。例えば、動画の撮影であれば、1フレームに用いられる水平ラインに対応する数の行の画素12から信号が出力されればよい。このような実施形態では、必ずしも撮像装置100が備える総ての画素12から信号が出力されなくてもよい。
転送トランジスタM1は、時刻T1から、少なくとも前フレームの第1のグループの第2の読み出しが終了するまで、オフ状態に維持される。本実施形態では、総ての画素12の転送トランジスタM1をオフ状態に維持する例を示すが、少なくとも1つの画素12の転送トランジスタM1をオフ状態に維持すればよい。これにより、転送トランジスタM1をオフ状態で維持した画素12においては、この期間に生じた電荷が光電変換部D1に蓄積される。この期間に生じた電荷は光電変換部D1に蓄積されるので、転送トランジスタM1がオフ状態の間、保持部C1は、時刻T1よりも前に生じた電荷を保持することができる。
次いで、前フレームの第1のグループの第2の読み出しが終了後、制御信号PTx1をハイレベルとして転送トランジスタM1をオンにすることで、時刻T1以降に光電変換部D1で生じた電荷を保持部C1に転送する。転送トランジスタM1をオンにしている間に生じる電荷は、光電変換部D1から保持部C1へと即座に転送される。なお、本実施形態では、第1のグループの読み出し対象の総ての画素12の転送トランジスタM1を同時にオフからオンに遷移する例を示している。しかしながら、転送トランジスタM1は時刻T2までにオンしていればよく、遷移のタイミングは行毎に互いに異なっていてもよい。例えば、前フレームの第2の読み出し動作が終了した画素12から順に、転送トランジスタM1をオンにしてもよい。
時刻T2において、制御信号PTx1をローレベルとして第1のグループの画素12の転送トランジスタM1を同時にオフし、第1の露光期間を終了する。時刻T2は、第1のグループの画素12において第1の露光期間の終了時刻となる。光電変換部D1に保持されていた電荷が総て保持部C1に転送されると、光電変換部D1は初期状態になる。すなわち、時刻T2において、第1のグループの画素12の光電変換部D1が同時に電荷の蓄積を新たに開始する。時刻T2は、第1のグループの画素12において第2の露光期間の開始時刻となる。時刻T1から時刻T2までの期間が、第1の期間である。第1の露光期間に生じた電荷は、時刻T2以降、保持部C1で保持される。時刻T2以降に生じた電荷は光電変換部D1に蓄積されるので、転送トランジスタM1がオフ状態の間、保持部C1は、第1の露光期間に生じた電荷を保持することができる。
時刻T2までの間に保持部C1へと転送された電荷に基づく信号は、時刻T2以降、順次読み出される(第1グループの第1の読み出し)。すなわち、前フレームの第1のグループの第2の読み出しと同様に、制御信号PTx2をハイレベルとして転送トランジスタM2をオンにすることで、保持部C1に保持されている電荷を保持部C2に転送する。これにより、保持部C2の容量と転送された電荷の量に応じて増幅部の入力ノード(増幅トランジスタM4のゲート)の電圧が変化し、出力線14には入力ノードの電圧に基づく信号が出力される。同様の動作を、第1のグループの読み出し対象の画素12について、行毎に行う。このようにすることで、第1の露光期間に蓄積された電荷に基づく信号が、短秒蓄積信号として出力される。第1のグループの読み出し対象の画素12の読み出しが総て行われた後には、これら画素12の転送トランジスタM1,M2がオフになっている。
転送トランジスタM1は、時刻T2から、少なくとも第1のグループの第1の読み出しが終了するまで、オフ状態に維持される。時刻T2以降、転送トランジスタM1が最初にオンとなるまでの期間において光電変換部D1で生じた電荷は、光電変換部D1に蓄積される。
第1のグループの第1の読み出しが終了した後、制御信号PTx1をハイレベルとして転送トランジスタM1をオンにすることで、時刻T2以降に光電変換部D1で生じた電荷を保持部C1に転送する。本実施形態の例では、図5に示すように、第1のグループの第1の読み出しの終了後、間欠的に3回、転送トランジスタM1をオンにしている。ここで、1回目の間欠駆動における制御信号PTx1の立ち下がりのタイミングが時刻T3であり、3回目の間欠駆動における制御信号PTx1の立ち下がりのタイミングが時刻T4である。また、時刻T2から時刻T3までの期間が第2の期間であり、時刻T3から時刻T4までの期間が第3の期間である。この場合、1回目の間欠駆動において、第2の期間の間に光電変換部D1に蓄積された電荷が、保持部C1に転送される。以後の間欠駆動においても光電変換部D1から保持部C1への電荷の転送が同様に行われ、3回目の間欠駆動の後の時刻T4には、第2の期間及び第3の期間において光電変換部D1で生じた電荷の総てが保持部C1へ転送されることになる。
転送トランジスタM1を間欠的に駆動しているのは、第3の露光期間の間に生成される電荷が光電変換部D1の飽和電荷量を超える前に保持部C1へと転送するためである。間欠動作を行う間隔は、光電変換部D1の飽和電荷量等に応じて適宜選択することができるが、一実施例では、第1の期間或いは第2の期間と同じに設定することができる。間欠動作を行う間隔は、均等であることが望ましい。
なお、時刻T2から時刻T4の間において、光電変換部D1から保持部C1に電荷を転送する期間は、第1のグループの第1の読み出しが終了した後であれば、自由に設定することができる。例えば、転送トランジスタM1を間欠的にオンにする回数は、3回に限定されるものではなく、何度でもよい。また、転送トランジスタM1は、第3の期間の間、常にオン状態に維持していてもよい。その場合には、第3の期間に生じた電荷は、光電変換部D1から即座に保持部C1に転送される。ただし、ノイズを低減する観点からは、転送トランジスタM1をオンにする期間が短い動作、例えば上述の間欠動作が望ましい。
次いで、時刻T4において、制御信号PTx1をハイレベルからローレベルへと遷移することにより、第1のグループの読み出し対象の総ての画素12の転送トランジスタM1を同時にオンからオフに制御する。これにより、1フレームの露光期間が終了する。時刻T4は、第1のグループの画素12において、第2の露光期間の終了時刻となる。
次いで、次フレームの第1の期間において、前述した前フレームの第1のグループの第2の読み出しと同様にして、第nフレームの第2の露光期間に生じた電荷に基づく信号の読み出しを行う(第1のグループの第2の読み出し)。なお、第1のグループの第2の読み出しは、前述の通り、必ずしも行う必要はない。
このように、第1のグループの読み出し対象の総ての画素12の間で、露光期間が互いに一致している。つまり、第1のグループの読み出し対象の総ての画素12において、時刻T1に露光が開始し、時刻T4に露光が終了する。また、時刻T4において、次フレームの露光が開始され、以降、時刻T1から時刻T4までの動作が繰り返される。
次に、第2のグループの画素12の駆動について説明する。なお、ここでは第1のグループの駆動と異なる点についてのみ説明し、同じ部分については説明を省略する。
第2のグループの画素12の駆動が第1のグループの画素12の駆動と異なる点は、第2の期間において信号の読み出しを行わない点である。つまり、第2の期間において、転送トランジスタM2にハイレベルの制御信号PTx2を供給しない。これにより、保持部C1は、第1の期間に光電変換部D1で生じた電荷を保持したまま、第2の期間を終える。第2の期間以降における光電変換部D1から保持部C1への電荷の転送は、第1のグループの画素12と同じである。その後、時刻T4まで、転送トランジスタM2をオンにしない。これにより、第2のグループの画素12の露光期間(第3の露光期間)は、第1の期間と第2の期間と第3の期間との合計の期間となる。時刻T1が第3の露光期間の開始時刻となり、時刻T4が第3の露光期間の終了時刻となる。第3の露光期間に生じた電荷に基づく信号の読み出しは、第1グループの第2の読み出しと同様、次フレームの第1の期間に行われる。
次に、1つの画素12からの信号の読み出し動作について、図6を用いて説明する。図6は、撮像装置100の駆動に用いられる制御信号のタイミングを模式的に示したものである。図6には、選択トランジスタM5に供給される制御信号PSEL、リセットトランジスタM3に供給される制御信号PRES、及び、転送トランジスタM2に供給される制御信号PTx2を示している。制御信号がハイレベルのときに対応するトランジスタがオンとなり、制御信号がローレベルのときに対応するトランジスタがオフとなる。
図6(a)は、第1のグループの画素12の第2の読み出しにおいて、第2の露光期間の蓄積電荷に対応する信号を読み出す場合のタイミングチャートである。図6(b)は、第1のグループの画素12の第2の読み出しにおいて、第3の露光期間の蓄積電荷に対応する信号を読み出す場合のタイミングチャートである。各図において、破断線よりも左側が第1のグループの画素12の第1の読み出しの動作を示し、破断線よりも右側が第1のグループの画素12の第2の読み出しの動作を示している。なお、第2のグループの画素12の読み出しの動作は、第1のグループの画素12の第1の読み出しの動作と同様である。
第1のグループの画素12の第1の読み出しでは、図6(a),(b)に示される駆動パルスに従って、画素の選択、リセット、ノイズ信号の読み出し(N読み)、電荷の転送、光信号の読み出し(S読み)が、順次行われる。
図6(a)に示される第1のグループの画素12の第2の読み出しでは、第1のグループの画素12の第1の読み出し動作と同様に、画素の選択、リセット、ノイズ信号の読み出し(N読み)、電荷の転送、光信号の読み出し(S読み)が、順次行われる。図6(a)の動作では、電荷の転送(PTx2)の前に保持部C2のリセット(PRES)を行っているため、電荷の転送の際に保持部C1から保持部C2へ転送される電荷は、第2の露光期間において生じた電荷となる。なお、上述した図5の説明は、図6(a)の読み出し動作を前提としている。
図6(b)に示される第1のグループの画素12の第2の読み出しでは、画素の選択、電荷の転送、光信号の読み出し(S読み)が、順次行われる。すなわち、第2の読み出しの際には、電荷の転送の前に保持部C2のリセットは行わない。図6(b)の動作では電荷の転送前にリセットを行わないため、電荷の転送前の保持部C2には、第1の露光期間において生じた電荷が残存している。したがって、この状態で第2の露光期間において生じた電荷を保持部C1から保持部C2へ転送すると、保持部C2には、第1の露光期間において生じた電荷と、第2の露光期間において生じた電荷とが転送されることになる。つまり、図6(b)に示される第1のグループの画素12の第2の読み出しは、第3の露光期間の蓄積電荷に対応する信号を読み出すことに相当する。
このようにして画素12から出力された信号は、撮像装置100の外部でAD変換されてもよいし、撮像装置100の内部でAD変換されてもよい。
以上、説明したように、第2のグループの画素12の露光期間(第3の露光期間)は、第1のグループの画素12の露光期間(第1の露光期間)よりも長い。したがって、第1のグループの画素12及び第2のグループの画素12からそれぞれ信号を読み出すことにより、短い蓄積時間の信号と長い蓄積時間の信号とを、同じフレームにおいて取得することができる。したがって、これらの信号から得られる画像を用いることで、ダイナミックレンジを拡大した画像を得ることができる。短い蓄積時間の信号としては、第2の露光期間に蓄積された電荷に基づく信号を用いてもよい。
また、第1のグループの画素12の第1の露光期間と第2のグループの画素12の第3露光期間とは、どちらも時刻T1において開始されるとともに、重複する露光期間(第1の期間)を有する。このように露光期間の開始時刻を揃えることにより、第1のグループの画素12から出力される信号に基づく画像と第2のグループの画素12から出力される信号に基づく画像を合成する際の被写体の位置ずれを低減することができる。これにより、被写体の位置ずれが小さく、黒つぶれや白飛びのないワイドダイナミックレンジ画像を得ることができる。
第1のグループ及び第2のグループの画素12の光電変換部D1は、少なくとも第1の期間或いは第2の期間に生じる電荷を蓄積できればよいため、光電変換部D1の飽和電荷量が小さくても、画素12の飽和電荷量を維持することができる。したがって、このような構成により、画素12の飽和電荷量を維持しつつ、グローバル電子シャッタを行いながら、ワイドダイナミックレンジ画像を得ることができる。なお、画素12の保持部C1が電荷を保持している第3の期間は、第1の期間及び第2の期間よりも長いことが望ましい。このようにすることで、光電変換部D1の飽和電荷量をより小さくすることができる。
なお、本実施形態の第1のグループの画素において、第1の露光期間は第2の露光期間よりも短い時間の露光期間である。しかしながら、第2のグループの画素の露光期間(第3の露光期間)よりも短い時間である限り、第1の露光期間は第2の露光期間よりも長い時間であってもよい。
また、本実施形態の撮像装置100は、ローリングシャッタ動作を行う動作モードを有していてもよい。ローリングシャッタ動作を行う動作モードでは、複数の画素12の光電変換部D1による電荷の蓄積を、順次、開始する。その後、複数の画素の転送トランジスタM1を、順次、オンに制御する。また、本実施形態の撮像装置100は、別の方式のグローバル電子シャッタを行う動作モードを有していてもよい。別の方式のグローバル電子シャッタとは、光電変換部D1が電荷を蓄積している期間が露光期間と等しくなるような動作である。
このように、本実施形態によれば、画素の飽和電荷量を向上しつつ、グローバル電子シャッタ動作を行うことができる。また、ダイナミックレンジを拡大した画像を得ることができる。
[第2実施形態]
本発明の第2実施形態による撮像装置について、図7乃至図9を用いて説明する。図1乃至図6に示す第1実施形態による撮像装置と同様の構成要素については同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図7は、本実施形態による撮像装置の画素回路の構成例を示す回路図である。図8は、本実施形態による撮像装置の動作を示す模式図である。図9は、本実施形態による撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
はじめに、本実施形態による撮像装置100の構成について、図7を用いて説明する。
本実施形態による撮像装置100は、画素12の回路構成が異なるほかは、第1実施形態による撮像装置100と同様である。本実施形態による撮像装置100の画素12は、図7に示すように、光電変換部D1、転送トランジスタM1,M2、リセットトランジスタM3、増幅トランジスタM4、選択トランジスタM5に加え、オーバーフロートランジスタM6を更に有している。
オーバーフロートランジスタM6のソースは、光電変換部D1を構成するフォトダイオードのカソードと転送トランジスタM1のソースとの接続ノードに接続されている。オーバーフロートランジスタM6のドレインは、電源電圧線(VDD)に接続されている。画素アレイ部10の画素アレイの各行には、制御線OFGが更に配されている。制御線OFGは、行方向に並ぶ画素12のオーバーフロートランジスタM6のゲートにそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。制御線OFGは、垂直駆動回路20に接続されている。制御線OFGには、垂直駆動回路20から、オーバーフロートランジスタM6を制御するための制御信号POFGが出力される。典型例では、垂直駆動回路20からハイレベルの制御信号POFGが出力されるとオーバーフロートランジスタM6がオンとなり、垂直駆動回路20からローレベルの制御信号が出力されるとオーバーフロートランジスタM6がオフとなる。
次に、本実施形態による撮像装置の駆動方法について、図8及び図9を用いて説明する。本実施形態による撮像装置の駆動方法は、第1のグループの画素12の露光期間の開始時刻をオーバーフロートランジスタM6によって制御している点において、第1実施形態による撮像装置の駆動方法とは異なっている。第2のグループの画素12の撮像動作は、基本的には第1実施形態と同様である。ここでは、第1実施形態の駆動方法と異なる点を中心に説明し、同じ部分については説明を省略し或いは簡潔にする。
図8は、時間の経過に伴う撮像装置100の動作状態の遷移を示した模式図であり、図面において左から右に向かう方向が時間軸に対応している。図8には、第1のグループ及び第2のグループのそれぞれについて、第nフレーム及び第n+1フレームにおける撮像動作を示している。
第1のグループの撮像動作には、図8に示すように、1フレーム期間の間に、第1の露光期間と、蓄積期間PD(n,1)と、保持期間MEM(n,1)と、排出期間OFDと、1回の読み出し期間とが含まれる。第1の露光期間は、第2のグループの画素12の露光期間である第3の露光期間よりも相対的に短い露光期間である。蓄積期間PD(n,1)は、第1の露光期間において、光電変換部D1が電荷を生成或いは蓄積している期間である。保持期間MEM(n,1)は、第1の露光期間に光電変換部D1で生成された電荷を保持部C1が保持している期間である。排出期間OFDは、オーバーフロートランジスタM6がオンの期間である。排出期間OFD中に光電変換部D1で生じた電荷は、オーバーフロートランジスタM6を介して排出されるため、光電変換部D1には蓄積されない。第1のグループの画素12の読み出し動作は、第1の露光期間の後、第3の期間において行われる。
本実施形態による撮像装置100の駆動方法では、第1のグループの画素12の第1の露光期間が各フレームの中間の期間に配置されるように、第1の露光期間の長さに応じてその開始時刻と終了時刻とを規定している。このような場合、第1の露光期間の開始時刻は、制御信号POFGのタイミングにより制御することができる。また、第1の露光期間の終了時刻は、制御信号PTx1のタイミングにより制御することができる。
より具体的には、第1の露光期間の開始時刻は、フレーム期間の開始後、最初に制御信号POFGがハイレベルからローレベルへと遷移するタイミングによって規定することができる。制御信号POFGがローレベルとなりオーバーフロートランジスタM6をオフにすることで、光電変換部D1で生じた電荷は、オーバーフロートランジスタM6を介して排出されなくなり、光電変換部D1に蓄積されるようになる。第1の露光期間の開始時刻は、第1の露光期間がフレーム期間の中間に配置されるように、第1の露光期間の長さに応じて適宜設定される。第1の露光期間は第3の露光期間よりも短いため、第1の露光期間の開始時刻は時刻T1よりも後である。
また、第1の露光期間の終了時刻は、制御信号PTx1がハイレベルからローレベルへと遷移するタイミングであって、且つ、制御信号POFGがローレベルのときにフレーム期間中に最後に登場するタイミングによって規定することができる。露光期間は、光電変換部D1で生じた電荷を保持部C1に転送することによって終了する。オーバーフロートランジスタM6がオンになると光電変換部D1がリセットされるため、露光期間の終了時刻は、オーバーフロートランジスタM6がオンになるタイミングよりも前に、転送トランジスタM1がオフになる最後のタイミングとなる。第1の露光期間の終了時刻は、第1の露光期間がフレーム期間の中間に配置されるように、第1の露光期間の長さに応じて適宜設定される。第1の露光期間は第3の露光期間よりも短いため、第1の露光期間の終了時刻は時刻T4よりも前である。
図9は、本実施形態による撮像装置100の駆動方法に用いられる駆動パルスの一例を模式的に示したものである。図9には、第1のグループの画素12及び第2のグループの画素12のそれぞれについて、制御信号POFGと、制御信号PTx1と、制御信号PTx2とを示している。制御信号がハイレベルのときに対応するトランジスタがオンになり、制御信号がローレベルのときに対応するトランジスタがオフになる。
まず、第1のグループの画素12の駆動について説明する。
時刻T1において、フレーム期間は開始されるが、制御信号POFGはハイレベルでありオーバーフロートランジスタM6がオンになっているため、光電変換部D1で生じた電荷は蓄積されない。第1の露光期間は、制御信号POFGがハイレベルからローレベルへと遷移するタイミング、すなわちオーバーフロートランジスタM6がオフになるタイミングから開始される。オーバーフロートランジスタM6がオフの間、光電変換部D1で生じた電荷は光電変換部D1に蓄積される。読み出し対象の第1のグループの画素12について同時にオーバーフロートランジスタM6をオフにすることで、グローバル電子シャッタ動作が可能となる。
オーバーフロートランジスタM6がオフの期間中に、制御信号PTx1をハイレベルとして転送トランジスタM1をオンにすることで、光電変換部D1で生じた電荷を保持部C1に転送する。本実施形態の例では、図9に示すように、オーバーフロートランジスタM6がオフの間、間欠的に3回、転送トランジスタM1をオンにしている。転送トランジスタM1を間欠的に駆動している理由は、第1実施形態の場合と同様である。
第1の露光期間の終了時刻は、前述のように、オーバーフロートランジスタM6がオンになるタイミングよりも前に、転送トランジスタM1がオフになる最後のタイミングである。図9の例では、転送トランジスタM1の3回目の間欠駆動における制御信号PTx1の立ち下がりのタイミングが、第1の露光期間の終了時刻となる。読み出し対象の第1のグループの画素12について同時に転送トランジスタM1をオフにすることで、グローバル電子シャッタ動作が可能となる。
保持部C1は、第3の期間の間、電荷を保持することができるため、第1の露光期間に生じた電荷に基づく第1のグループの画素12の信号の読み出しは、第1の露光期間よりも後、例えば第3の期間の第1の露光期間の後に行うことができる。第1のグループの画素12の信号の読み出しは、第2のグループの画素12の信号の読み出しと同様、次フレームの第1の期間に行ってもよい。
第1のグループの画素12の駆動については、制御信号POFGを常にローレベルに維持するほかは、第1実施形態と同様である。第2のグループの画素12については、オーバーフロートランジスタM6を持たない第1実施形態の画素12と同様の構成としてもよい。
このようにして、第1のグループの画素12の第1の露光期間をフレーム期間の中間に配置することで、第1の露光期間の時間重心の位置と、第3の露光期間の時間重心の位置とを近づけることができる。これにより、第1のグループの画素12から出力される信号に基づく画像と第2のグループの画素12から出力される信号に基づく画像とを合成する際の被写体の位置ずれを低減することができる。これにより、被写体の位置ずれが小さく、黒つぶれや白飛びのないワイドダイナミックレンジ画像を得ることができる。
[第3実施形態]
本発明の第3実施形態による撮像装置について、図10及び図11を用いて説明する。図1乃至図9に示す第1及び第2実施形態による撮像装置と同様の構成要素については同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図10は、本実施形態による撮像装置の動作を示す模式図である。図11は、本実施形態による撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
本実施形態では、図7に示す回路構成の画素12を有する第2実施形態による撮像装置100の他の駆動方法を説明する。本実施形態による撮像装置100の駆動方法は、第1のグループの画素12の露光期間の終了時刻と、第2のグループの画素12の露光期間の終了時刻とが一致している点において、第2実施形態による撮像装置100の駆動方法とは異なっている。第2のグループの画素12の撮像動作は、第2実施形態と同様である。ここでは、第1及び第2実施形態の駆動方法と異なる点を中心に説明し、同じ部分については説明を省略し或いは簡潔にする。
図10は、時間の経過に伴う撮像装置100の動作状態の遷移を示した模式図であり、図面において左から右に向かう方向が時間軸に対応している。図10には、第1のグループ及び第2のグループのそれぞれについて、第nフレーム及び第n+1フレームにおける撮像動作を示している。本実施形態による撮像装置の駆動方法では、第1のグループの画素12と第2のグループの画素12の両方について、第1の期間に読み出しが行われる。
本実施形態による撮像装置の駆動方法では、第1のグループの画素12の第1の露光期間の終了時刻と、第2のグループの画素12の第3の露光期間の終了時刻とが一致するように、第1の露光期間の開始時刻と終了時刻とを規定している。第2実施形態において説明したように、第1の露光期間の開始時刻は、制御信号POFGのタイミングにより制御することができる。また、第1の露光期間の終了時刻は、制御信号PTx1のタイミングにより制御することができる。
より具体的には、第1の露光期間の開始時刻は、フレーム期間の開始後、最初に制御信号POFGがハイレベルからローレベルへと遷移するタイミングによって規定することができる。制御信号POFGがローレベルとなりオーバーフロートランジスタM6をオフにすることで、光電変換部D1で生じた電荷は、オーバーフロートランジスタM6を介して排出されなくなり、光電変換部D1に蓄積されるようになる。第1の露光期間の開始時刻は、第1の露光期間の終了時刻が時刻T4になるように、第1の露光期間の長さに応じて適宜設定される。第1の露光期間は第3の露光期間よりも短いため、第1の露光期間の開始時刻は時刻T1よりも後である。
また、第1の露光期間の終了時刻は、制御信号PTx1がハイレベルからローレベルへと遷移するタイミングであって、且つ、制御信号POFGがローレベルのときにフレーム期間中に最後に登場するタイミングによって規定することができる。露光期間は、光電変換部D1で生じた電荷を保持部C1に転送することによって終了する。オーバーフロートランジスタM6がオンになると光電変換部D1がリセットされるため、露光期間の終了時刻は、オーバーフロートランジスタM6がオンになるタイミングよりも前に、転送トランジスタM1がオフになる最後のタイミングとなる。本実施形態による駆動方法では、第1の露光期間の終了時刻は時刻T4であり、オーバーフロートランジスタM6がオンになるタイミングは時刻T4以降である。
図11は、本実施形態による撮像装置100の駆動方法に用いられる駆動パルスの一例を模式的に示したものである。図9には、第1のグループの画素12及び第2のグループの画素12のそれぞれについて、制御信号POFGと、制御信号PTx1と、制御信号PTx2とを示している。制御信号がハイレベルのときに対応するトランジスタがオンになり、制御信号がローレベルのときに対応するトランジスタがオフになる。
時刻T1において、フレーム期間は開始されるが、制御信号POFGはハイレベルでありオーバーフロートランジスタM6がオンになっているため、光電変換部D1で生じた電荷は蓄積されない。第1の露光期間は、制御信号POFGがハイレベルからローレベルへと遷移するタイミング、すなわちオーバーフロートランジスタM6がオフになるタイミングから開始される。オーバーフロートランジスタM6がオフの間、光電変換部D1で生じた電荷は光電変換部D1に蓄積される。読み出し対象の第1のグループの画素12について同時にオーバーフロートランジスタM6をオフにすることで、グローバル電子シャッタ動作が可能となる。
オーバーフロートランジスタM6がオフの期間中に、制御信号PTx1をハイレベルとして転送トランジスタM1をオンにすることで、光電変換部D1で生じた電荷を保持部C1に転送する。本実施形態の例では、図11に示すように、オーバーフロートランジスタM6がオフの間、間欠的に2回、転送トランジスタM1をオンにしている。転送トランジスタM1を間欠的に駆動している理由は、第1実施形態の場合と同様である。
第1の露光期間の終了時刻は、前述のように、オーバーフロートランジスタM6がオンになるタイミングよりも前に、転送トランジスタM1がオフになる最後のタイミングである。図11の例では、転送トランジスタM1の2回目の間欠駆動における制御信号PTx1の立ち下がりのタイミングである時刻T4が、第1の露光期間の終了時刻となる。読み出し対象の第1のグループの画素12について同時に転送トランジスタM1をオフにすることで、グローバル電子シャッタ動作が可能となる。
第1の露光期間に生じた電荷に基づく第1のグループの画素12の信号の読み出しは、第1の露光期間よりも後、例えば次フレームの第1の期間に行うことができる。すなわち、第1のグループの画素12の信号の読み出しは、第2のグループの画素12の信号の読み出しと同じ期間に行うことができる。
このようにすることで、第1のグループの画素12の第1の露光期間の終了時刻と第2のグループの画素12の第3の露光期間の終了時刻とを一致させることができる。これにより、第1のグループの画素12から出力される信号に基づく画像と第2のグループの画素12から出力される信号に基づく画像とを合成する際の被写体の位置ずれを低減することができる。これにより、被写体の位置ずれが小さく、黒つぶれや白飛びのないワイドダイナミックレンジ画像を得ることができる。また、第1のグループの画素12の信号の読み出しと第2のグループの画素12の信号読み出しとを同じ期間に行うことで読み出し回路の走査回数を減らすことができるため、消費電力を低減することでできる。
[第4実施形態]
本発明の第4実施形態による撮像装置について、図12乃至図14を用いて説明する。図1乃至図11に示す第1乃至第3実施形態による撮像装置と同様の構成要素については同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図12は、本実施形態による撮像装置の画素回路の構成例を示す回路図である。図13は、本実施形態による撮像装置の断面構造を示す模式図である。図14は、本実施形態による撮像装置の制御信号を示すタイミングチャートである。
はじめに、本実施形態による撮像装置100の構成について、図12及び図13を用いて説明する。
本実施形態による撮像装置100は、画素12の回路構成が異なるほかは、第1実施形態による撮像装置100と同様である。本実施形態による撮像装置100の画素12は、図12に示すように、2つの光電変換部D1A,D1Bを有している。また、光電変換部D1Aから保持部C1に電荷を転送するための転送トランジスタM1Aと、光電変換部D1Bから保持部C1に電荷を転送するための転送トランジスタM1Bとを有している。
光電変換部D1Aを構成するフォトダイオードのアノードは接地電圧線に接続され、カソードは転送トランジスタM1Aのソースに接続されている。光電変換部D1Bを構成するフォトダイオードのアノードは接地電圧線に接続され、カソードは転送トランジスタM1Bのソースに接続されている。転送トランジスタM1Aのドレイン及び転送トランジスタM1Bのドレインは、転送トランジスタM2のソースに接続されている。画素12のその他の構成は、第1実施形態による撮像装置100の画素12と同様である。
画素アレイ部10の画素アレイの各行には、行方向に延在して、制御線Tx1_A、制御線Tx1_Bが、それぞれ配されている。制御線Tx1_Aは、行方向に並ぶ画素12の転送トランジスタM1Aのゲートにそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。制御線Tx1_Bは、行方向に並ぶ画素12の転送トランジスタM1Bのゲートにそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。
制御線Tx1_A、制御線Tx1_Bは、垂直駆動回路20に接続されている。制御線Tx1_Aには、垂直駆動回路20から、転送トランジスタM1Aを制御するための駆動パルスである制御信号PTx1_Aが出力される。制御線Tx1_Bには、垂直駆動回路20から、転送トランジスタM1Bを制御するための駆動パルスである制御信号PTx1_Bが出力される。典型例では、垂直駆動回路20からハイレベルの制御信号が出力されると対応するトランジスタがオンとなり、垂直駆動回路20からローレベルの制御信号が出力されると対応するトランジスタがオフとなる。
図13は、本実施形態による撮像装置の画素12の部分的な断面構造を模式的に示している。図13には一例として表面照射型の撮像装置を示しているが、裏面照射型の撮像装置としてもよい。
N型の半導体基板60内には、N型半導体領域62A,62B,64A,64B,66,68、P型半導体領域70,72,74,76が設けられている。光電変換部D1Aは、N型半導体領域62AとP型半導体領域70との間のPN接合により構成される埋め込み型のフォトダイオード構造を有する。光電変換部D1Bは、N型半導体領域62BとP型半導体領域70との間のPN接合により構成される埋め込み型のフォトダイオード構造を有する。光電変換部D1Aと光電変換部D1Bとの間には、P型半導体領域76からなる分離領域19が設けられている。この分離領域19は、必ずしも均一な濃度で構成されていなくともよい。P型半導体領域70により、半導体基板60の表面部におけるノイズを抑制することが可能となる。
P型半導体領域72は、ウェルを構成する。N型半導体領域62A,62Bの下に、それぞれN型半導体領域64A,64Bが配される。N型半導体領域64A,64Bの不純物濃度は、N型半導体領域62A,62Bの不純物濃度よりも低い。これにより、半導体基板60の深い位置で生じた電荷がN型半導体領域に収集される。N型半導体領域64A,64Bの代わりにP型半導体領域を設けてもよい。N型半導体領域64A,64Bの下には、電荷に対するポテンシャルバリアとなるP型半導体領域74が配される。
保持部C1は、N型半導体領域66を含む。N型半導体領域66に、信号となる電荷が保持される。N型半導体領域66の不純物濃度は、N型半導体領域62A,62Bの不純物濃度より高い。保持部C2は、N型半導体領域68を含む。
N型半導体領域62AとN型半導体領域66との間の半導体基板60上には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極80が設けられている。ゲート電極80は、転送トランジスタM1Aのゲートを構成する。N型半導体領域62A及びN型半導体領域66は、転送トランジスタM1Aのソース及びドレインとしても機能する。
N型半導体領域66とN型半導体領域68との間の半導体基板60上には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極82が設けられている。ゲート電極82は、転送トランジスタM2のゲートを構成する。N型半導体領域66及びN型半導体領域68は、転送トランジスタM2のソース及びドレインとしても機能する。
半導体基板60上には、光電変換部D1A,D1B上に開口部86を有する遮光膜84が設けられている。保持部C1は、遮光膜84によって遮光される。遮光膜84は、タングステンやアルミニウム等の可視光にとって光を通しにくい金属で形成される。遮光膜84の開口86上には、カラーフィルタ88、マイクロレンズ90が配される。
なお、図13の例では、保持部C1等の遮光を遮光膜84により行っているが、他の配線層を用いて遮光するようにしてもよい。また、遮光膜84と他の配線層とによって遮光するようにしていてもよい。また、保持部C1及びゲート電極80等は、必ずしも図示するような構成でなくともよい。例えば、ゲート電極80を保持部C1上に延在するようにしてもよいし、保持部C1の上部に光電変換部D1A,D1Bと同様のP型半導体領域を設けてもよい。
光電変換部D1A及び光電変換部D1Bは、レンズの瞳とほぼ共役となるように配置されている。そして、光電変換部D1A及び光電変換部D1Bは、レンズの瞳の互いに異なる位置を透過した光束を受光する。この構成により、焦点検出が可能である。また、光電変換部D1Aの信号と光電変換部D1Bの信号とを加算することにより、撮像を行う画素として利用することも可能である。すなわち、図13に示した構成によれば、焦点検出用の画素として用いることも、撮像用の画素として用いることも可能である。
次に、本実施形態による撮像装置100の駆動方法について、図14を用いて説明する。
本実施形態による撮像装置100の駆動方法では、第1のグループの画素12を、各フレーム期間において転送トランジスタM1Aを先に駆動するグループAと、各フレーム期間において転送トランジスタM1Bを先に駆動するグループBとに更に分ける。そして、同じフレーム期間内に、第1のグループA、第1のグループB、第2のグループ毎に、異なる撮像動作を行う。第1のグループAの画素12及び第1のグループBの画素12が焦点検出用信号を出力する画素であり、第2のグループの画素12が画像用信号を出力する画素である。
図14は、本実施形態による撮像装置100の駆動方法に用いられる駆動パルスの一例を模式的に示したものである。図14には、第1のグループA、第1のグループB、第2のグループのそれぞれについて、制御信号PTx1_Aと、制御信号PTx1_Bと、制御信号PTx2とを示している。制御信号がハイレベルのときに対応するトランジスタがオンになり、制御信号がローレベルのときに対応するトランジスタがオフになる。
まず、第1のグループの画素12の駆動について説明する。
第1のグループAの画素12及び第1のグループBの画素12の撮像動作は、基本的には第1実施形態の第1のグループの画素12の撮像動作と同じである。第1のグループAの画素12については、第1実施形態の制御信号PTx1が、制御信号PTx1_Aに対応する。制御信号PTx1_Bは、第1の期間の間ローレベルで維持しているほかは、制御信号PTx1_Aと同様である。第1のグループBの画素12については、第1実施形態の制御信号PTx1が、制御信号PTx1_Bに対応する。制御信号PTx1_Aは、第1の期間の間ローレベルで維持しているほかは、制御信号PTx1_Bと同様である。制御信号PTx2は、第1実施形態の制御信号PTx2と同じである。
このような撮像動作を行うことにより、第1のグループAの画素12からは、第1の期間に光電変換部D1Aで生じた電荷に基づく信号が、第2の期間において出力される。また、第1のグループBの画素12からは、第1の期間に光電変換部D1Bで生じた電荷に基づく信号が、第2の期間において出力される。これらの信号は、1フレームの露光時間が終了する時刻T4よりも前に出力することができる。より具体的には、第2の期間に信号の読み出しを完了することができる。そのため、ここで得られた信号を用いて焦点検出のための演算を行うことにより、高速に焦点検出を行うことができる。
次に、第2のグループの画素12の駆動について説明する。
第2のグループの画素12は、画像用信号を出力する画素である。そのため、第1のグループの画素12の撮像動作とは異なり、光電変換部D1A及び光電変換部D1Bから保持部C1へ同時に電荷を転送する。すなわち、図14に示すように、光電変換部D1Aと保持部C1との間に設けられた転送トランジスタM1Aと、光電変換部D1Bと保持部C1との間に設けられた転送トランジスタM1Bとを、同期して駆動する。これにより、光電変換部D1Aで生じた電荷と光電変換部D1Bで生じた電荷は、保持部C1上で加算される。第1の期間と第2の期間と第3の期間との合計の期間に生じた電荷は、次のフレームの第1の期間に出力される。
第1のグループAの画素12及び第1のグループBの画素12からは、画像用信号を得ることはできない。しかしながら、これら画素12の周囲に存在する第2のグループの画素12の出力データから、第1のグループAの画素12及び第1のグループBの画素12の位置における補間データを生成することが可能である。
焦点検出用信号を取得するための第1のグループAの画素12及び第1のグループBの画素12からの読み出し動作は、1フレーム中に行われる複数回の読み出し動作のうちの最初に実施することが望ましい。また、画像用信号を取得するための第2のグループの画素12からの読み出し動作は、1フレーム中に行われる複数回の読み出し動作のうちの最後に実施することが望ましい。例えば、当該フレームの第2の期間に焦点検出用信号を出力し、次フレームの第1の期間に撮像信号を出力する本実施形態によれば、撮像信号の出力に先立って焦点検出用信号を得ることができる。これにより、高速な焦点検出動作を行うことができる。
このような構成とすることで、グローバル電子シャッタ動作を行いながら、画像用信号の出力に先立って焦点検出用信号を出力することができ、高速な焦点検出動作を行うことができる。
なお、第1のグループAの画素12、第1のグループBの画素12、第2のグループの画素12の配置については、図3に示した第1のグループの画素12と第2のグループの画素12との配置と同様に、様々なバリエーションが考えられる。このとき、焦点検出用信号を出力する第1のグループAの画素12と第1のグループBの画素12とは、第1のグループ内にほぼ同数含まれていればよい。また、第1のグループAの画素12と第1のグループBの画素12とは、画素アレイのなかで、それぞれ近い位置に存在し、互いに対をなす関係となっていることが望ましい。第1のグループAの画素12と第1のグループBの画素12の対は、画素アレイ部10内に離散的に配置してもよいし、画素アレイの所定の行或いは列の画素12を総て第1のグループAの画素12及び第1のグループBの画素12により構成してもよい。
また、画素アレイ部10を構成する総ての画素12を、複数の光電変換部D1を有する画素12により構成する必要はなく、少なくとも焦点検出用信号を取得する画素12のみを、複数の光電変換部D1を有する画素12により構成すればよい。
[第5実施形態]
本発明の第5実施形態による撮像装置について、図15を用いて説明する。図1乃至図14に示す第1乃至第4実施形態による撮像装置と同様の構成要素については同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図15は、本実施形態による撮像装置の断面構造を示す模式図である。
第4実施形態による撮像装置では、1つの画素12に2つの光電変換部D1A,D1Bを有する撮像装置100を用いて焦点検出信号を取得する例を示したが、画素12は必ずしも2つの光電変換部D1A,D1Bを有する必要はない。互いに異なる瞳領域の光を検出する2つの光電変換部を設ける代わりに、第1の瞳領域の光を選択的に検出する光電変換部D1を有する画素12と、第1の瞳領域とは異なる第2の瞳領域の光を選択的に検出する光電変換部D1を有する画素12とを設けてもよい。
図15は、遮光膜84によって光電変換部が検出する瞳領域を変える例を示したものである。図15(a)は、レンズの瞳の一部の領域(第1の瞳領域)を通過した光が光電変換部D1によって選択的に検出されるように、遮光膜84に開口部86Aを設けた例である。図15(b)は、レンズの瞳の他の一部の領域(第2の瞳領域)を通過した光が選択的に光電変換部D1によって検出されるように、遮光膜84に開口部86Bを設けた例である。図15(c)は、第1の瞳領域及び第2の瞳領域を通過した光が光電変換部D1によって検出されるように、開口部86A及び開口部86Bに対応する領域に開口部86を有する遮光膜84を設けた例である。この場合、図15(a)の構成の画素及び図15(b)の構成の画素を焦点検出用信号を出力する1対の画素12として、図15(c)の構成の画素12を画像用信号を出力する画素として用いることができる。
したがって、例えば、第1のグループAの画素12を図15(a)の構成とし、第1のグループBの画素12を図15(b)の構成とし、第2のグループの画素12を図15(c)の構成とすることで、第4実施形態と同様の機能を実現することができる。この場合、第1のグループAの画素12については図14の制御信号PTx1_Aによって転送トランジスタM1を駆動し、第1のグループBの画素12については図14の制御信号PTx1_Bによって転送トランジスタM1を駆動すればよい。
[第6実施形態]
本発明の第6実施形態による撮像システムについて、図16を用いて説明する。図1乃至図15に示す第1乃至第5実施形態による撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。図16は、本実施形態による撮像システムの構成を示すブロック図である。
上記第1乃至第5実施形態で述べた撮像装置100は、種々の撮像システムに適用可能である。適用可能な撮像システムの例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、監視カメラ、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などが挙げられる。また、レンズなどの光学系と撮像装置とを備えるカメラモジュールも、撮像システムに含まれる。図16には、これらのうちの一例として、デジタルスチルカメラのブロック図を例示している。
図16に例示した撮像システム200は、撮像装置100、被写体の光学像を撮像装置100に結像させるレンズ202、レンズ202を通過する光量を可変にするための絞り204、レンズ202の保護のためのバリア206を有する。レンズ202及び絞り204は、撮像装置100に光を集光する光学系である。撮像装置100は、第1乃至第5実施形態で説明した撮像装置100であって、レンズ202により結像された光学像を画像データに変換する。
撮像システム200は、また、撮像装置100より出力される出力信号の処理を行う信号処理部208を有する。信号処理部208は、撮像装置100が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換を行う。また、信号処理部208はその他、必要に応じて各種の補正、圧縮を行って画像データを出力する動作を行う。信号処理部208の一部であるAD変換部は、撮像装置100が設けられた半導体基板に形成されていてもよいし、撮像装置100とは別の半導体基板に形成されていてもよい。また、撮像装置100と信号処理部208とが同一の半導体基板に形成されていてもよい。
撮像システム200は、さらに、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部210、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部(外部I/F部)212を有する。さらに撮像システム200は、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体214、記録媒体214に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部(記録媒体制御I/F部)216を有する。なお、記録媒体214は、撮像システム200に内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。
さらに撮像システム200は、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部218、撮像装置100と信号処理部208に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部220を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、撮像システム200は少なくとも撮像装置100と、撮像装置100から出力された出力信号を処理する信号処理部208とを有すればよい。
撮像装置100は、撮像信号を信号処理部208に出力する。信号処理部208は、撮像装置100から出力される撮像信号に対して所定の信号処理を実施し、画像データを出力する。第4又は第5実施形態の撮像装置100にあっては、焦点検出用画素が出力する信号に基づく焦点検出用信号と撮像信号をも信号処理部208に出力する。信号処理部208は、焦点検出用信号を用いて、合焦しているか否かを検出する。また、信号処理部208は、撮像信号を用いて、画像を生成する。信号処理部208が合焦していないことを検出した場合には、全体制御・演算部218は、合焦する方向に光学系を駆動する。再び信号処理部208は、撮像装置100から出力される焦点検出用信号を用いて、再び合焦しているか否かを検出する。以下、撮像装置100、信号処理部208、全体制御・演算部218は、合焦するまでこの動作を繰り返す。
ワイドダイナミックレンジ画像を取得する場合にあっては、全体制御・演算部218は、第1のグループの画素12からの出力信号に基づく画像データと、第2のグループの画素12からの出力信号に基づく画像データとを合成する処理を実施する。
第1乃至第5実施形態による撮像装置100を適用することにより、被写体の位置ずれが小さく黒つぶれや白飛びのないワイドダイナミックレンジ画像を取得しうる撮像システムを実現することができる。また、高速な焦点検出動作が可能な撮像システムを実現することができる。
[変形実施形態]
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施形態では、信号電荷として電子を生成する光電変換部D1を用いた撮像装置を例にして説明したが、信号電荷として正孔を生成する光電変換部D1を用いた撮像装置についても同様に適用可能である。この場合、画素12を構成するトランジスタの導電型は、逆導電型になる。なお、上記実施形態に記載したトランジスタのソースとドレインの呼称は、トランジスタの導電型や着目する機能等に応じて異なることもあり、上述のソース及びドレインの全部又は一部が逆の名称で呼ばれることもある。
また、上記第1乃至第5実施形態では、第2のグループの画素12の露光期間(第3の露光期間)をフレーム期間とほぼ等しくしているが、これら期間は必ずしも等しくする必要はない。第2のグループの画素12の露光期間についても、第1のグループの画素12の露光期間と同様に、開始時刻を時刻T1よりも遅く、或いは、終了時刻を時刻T4よりも早くしてもよい。例えば、第2又は第3実施形態に示したようなオーバーフロートランジスタM6を含む画素構成とすることにより、露光期間の開始時刻と終了時刻とを容易に変えることができる。
また、上記第1乃至第5実施形態では、第1のグループの画素12の露光期間(第1の露光期間、第2の露光期間)が、第2のグループの画素12の露光期間(第3の露光期間)に包含されていたが、必ずしも包含されている必要はない。第1のグループの画素12の露光期間の少なくとも一部と第2のグループの画素12の露光期間の少なくとも一部とが重なっている状態であれば、被写体の位置ずれの小さいワイドダイナミックレンジ画像を得ることが可能である。
また、上記第2及び第3実施形態では、第1の露光期間及び第3の露光期間の開始時刻を、オーバーフロートランジスタM6の駆動タイミングによって制御した。しかしながら、例えば静止画の撮像を行う場合、第1の露光期間及び第3の露光期間の開始時刻は、必ずしもオーバーフロートランジスタM6の駆動タイミングによって制御する必要はない。静止画の撮像を行う場合、前フレームの蓄積電荷は必ずしも保持部C1で保持しておく必要はないため、光電変換部D1の初期化を、保持部C1,C2を介してリセットトランジスタM6により行うことも可能である。
また、上記第4実施形態では、撮像信号の取得に先立って焦点検出用信号を取得したが、焦点検出用信号は、必ずしも撮像信号の取得に先立って取得する必要はない。
また、上記第4実施形態では、第1のグループの画素12から焦点検出用の信号を取得したが、第1のグループAの画素12及び第1のグループBの画素12のほかに、撮像信号を出力する画素12を追加してもよい。この画素12については、制御信号PTx1_A,PTx1_Bを同期して駆動するほかは、第1実施形態の第1のグループの画素12と同様にして撮像動作を実施することができる。この画素12からは、ワイドダイナミックレンジ画像に利用可能な短い蓄積時間の信号を出力することができる。
また、第6実施形態に示した撮像システムは、本発明の撮像装置を適用しうる撮像システムの一例を示したものであり、本発明の撮像装置を適用可能な撮像システムは図16に示した構成に限定されるものではない。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
D1,D1A,D1B 光電変換部
C1,C2 保持部
M1,M2 転送トランジスタ
M3 リセットトランジスタ
M4 増幅トランジスタ
M5 選択トランジスタ
M6 オーバーフロートランジスタ
10 画素アレイ部
12 画素
14 出力線
84 遮光膜

Claims (19)

  1. 光電変換により電荷を生じる光電変換部と、前記光電変換部から転送される前記電荷を保持する保持部と、前記保持部から転送される前記電荷に基づく信号を出力する増幅部とをそれぞれが含む複数の画素を有し、
    前記複数の画素は、
    それぞれのフレームの第1の露光期間の間に前記光電変換部で生じた電荷に基づく信号を出力する前記画素を含む第1のグループと、
    それぞれの前記フレームの第2の露光期間の間に前記光電変換部で生じた電荷に基づく信号を出力する前記画素を含む第2のグループとを含み、
    前記第2の露光期間は、前記第1の露光期間よりも長く、少なくとも一部が前記第1の露光期間と重なっており、
    前記第2のグループに属する前記画素は、前記第2の露光期間の間に、
    前記光電変換部で生じた前記電荷を前記光電変換部に蓄積するとともに、前記保持部が保持している前記電荷を前記増幅部に転送する第1の期間と、
    前記第1の期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷を前記保持部が保持するとともに、前記第1の期間の後に前記光電変換部で生じた前記電荷を前記光電変換部又は前記保持部が保持する第2の期間とを含む
    ことを特徴とする撮像装置。
  2. 前記第2のグループに属する前記画素において、前記第1の期間及び前記第2の期間に前記光電変換部で生じた前記電荷は、次のフレームの前記第1の期間に前記保持部に保持されている
    ことを特徴とする請求項1記載の撮像装置。
  3. 前記第1のグループに属する前記画素は、前記第1の露光期間の後に、前記第1の露光期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷を前記保持部が保持する第4の期間を有し、前記第4の期間の間に前記保持部が保持している前記電荷を前記増幅部に転送する
    ことを特徴とする請求項1又は2記載の撮像装置。
  4. 前記第4の期間は、前記第2の期間又は次のフレームの前記第1の期間の間に行われる
    ことを特徴とする請求項3記載の撮像装置。
  5. 前記第2の期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷は、前記第2の期間の間に間欠的に前記保持部へ転送される
    ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の撮像装置。
  6. 前記第1のグループに属する前記画素の前記第1の露光期間は一致しており、
    前記第2のグループに属する前記画素の前記第2の露光期間は一致している
    ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像装置。
  7. 前記第1の露光期間の開始時刻と、前記第2の露光期間の開始時刻とが一致している
    ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の撮像装置。
  8. 前記第1の露光期間の時間重心と、前記第2の露光期間の時間重心とが一致している
    ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の撮像装置。
  9. 前記第1の露光期間の終了時刻と、前記第2の露光期間の終了時刻とが一致している
    ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の撮像装置。
  10. 前記第1のグループの前記画素から出力される前記信号に基づく第1の画像と、前記第2のグループの前記画素から出力される前記信号に基づく第2の画像とから、ワイドダイナミックレンジ画像を取得する
    ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の撮像装置。
  11. 前記第1のグループは、第1の瞳領域を通過した光に基づく信号を出力する第1の画素と、前記第1の瞳領域とは異なる第2の瞳領域を通過した光に基づく信号を出力する第2の画素とを含む
    ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の撮像装置。
  12. 前記第1の画素及び前記第2の画素は、前記第1の瞳領域を通過した光を光電変換する第1の光電変換素子と、前記第2の瞳領域を通過した光を光電変換する第2の光電変換素子とを含む
    ことを特徴とする請求項11記載の撮像装置。
  13. 前記第1の画素の前記光電変換部に前記第1の瞳領域を通過した光を選択的に入射し、前記第2の画素の前記光電変換部に前記第2の瞳領域を通過した光を選択的に入射する遮光膜を有する
    ことを特徴とする請求項11記載の撮像装置。
  14. 前記第1のグループの前記第1の画素及び前記第2の画素から出力される前記信号に基づき焦点検出用信号を取得し、前記第2のグループの前記画素から出力される前記信号に基づき撮像信号を取得する
    ことを特徴とする請求項11乃至13のいずれか1項に記載の撮像装置。
  15. 前記第1のグループに属する前記画素は、それぞれのフレームにおいて、前記第1の露光期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷に基づく前記信号と、前記第1の露光期間とは異なる第3の露光期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷に基づく信号とを出力する
    ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の撮像装置。
  16. 光電変換により電荷を生じる光電変換部と、前記光電変換部から転送される前記電荷を保持する保持部と、前記保持部から転送される前記電荷に基づく信号を出力する増幅部とをそれぞれが含む複数の画素を有する撮像装置の駆動方法であって、
    前記複数の画素のうち第1のグループに属する前記画素については、
    それぞれのフレームの第1の露光期間の間に前記光電変換部で生じた電荷を前記光電変換部で蓄積し、
    前記第1の露光期間の後に、前記第1の露光期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷を前記保持部から前記増幅部へと転送し、
    前記複数の画素のうち第2のグループに属する前記画素については、
    それぞれのフレームの第2の露光期間の第1の期間の間に、前記光電変換部で生じた電荷を前記光電変換部に蓄積するとともに、前記保持部が保持している電荷を前記増幅部に転送し、
    前記第2の露光期間の第2の期間の間に、前記第1の期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷を前記保持部で保持するとともに、前記第2の期間の間に前記光電変換部で生じた電荷を前記光電変換部又は前記保持部で保持し、
    前記第2の露光期間の後に、前記第1の期間及び前記第2の期間の間に前記光電変換部で生じた前記電荷を前記保持部から前記増幅部へと転送する
    ことを特徴とする撮像装置の駆動方法。
  17. 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の撮像装置と、
    前記撮像装置からの信号を処理する信号処理部と
    を有することを特徴とする撮像システム。
  18. 前記信号処理部は、前記第1のグループの前記画素から出力される前記信号に基づき、焦点検出信号を生成する
    ことを特徴とする請求項17記載の撮像システム。
  19. 前記信号処理部は、前記第1のグループの前記画素から出力される前記信号に基づく第1の画像と、前記第2のグループの前記画素から出力される前記信号に基づく第2の画像とから、ワイドダイナミックレンジ画像を取得する
    ことを特徴とする請求項17記載の撮像システム。
JP2015179347A 2015-09-11 2015-09-11 撮像装置及び撮像システム Active JP6570384B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015179347A JP6570384B2 (ja) 2015-09-11 2015-09-11 撮像装置及び撮像システム
US15/237,255 US9894295B2 (en) 2015-09-11 2016-08-15 Imaging device and imaging system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015179347A JP6570384B2 (ja) 2015-09-11 2015-09-11 撮像装置及び撮像システム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017055328A true JP2017055328A (ja) 2017-03-16
JP2017055328A5 JP2017055328A5 (ja) 2018-10-18
JP6570384B2 JP6570384B2 (ja) 2019-09-04

Family

ID=58257745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015179347A Active JP6570384B2 (ja) 2015-09-11 2015-09-11 撮像装置及び撮像システム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9894295B2 (ja)
JP (1) JP6570384B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021172364A1 (ja) * 2020-02-25 2021-09-02 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
US11297252B2 (en) 2018-05-23 2022-04-05 Sony Corporation Signal processing apparatus and signal processing method, and imaging device
US11792533B2 (en) 2017-04-05 2023-10-17 Nikon Corporation Image sensor and imaging device
WO2024203423A1 (ja) * 2023-03-24 2024-10-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置及び電子機器
JP2024171629A (ja) * 2023-05-30 2024-12-12 キヤノン株式会社 光電変換装置、移動体、光電変換方法、及びコンピュータプログラム

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10205894B2 (en) 2015-09-11 2019-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device and imaging system
KR102407036B1 (ko) * 2015-11-03 2022-06-10 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미지 센서의 동작 방법
JP6744748B2 (ja) 2016-04-06 2020-08-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP6688165B2 (ja) 2016-06-10 2020-04-28 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP6776011B2 (ja) 2016-06-10 2020-10-28 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP6727938B2 (ja) 2016-06-10 2020-07-22 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法、及び撮像システム
JP7013119B2 (ja) 2016-07-21 2022-01-31 キヤノン株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び撮像システム
JP2018092976A (ja) 2016-11-30 2018-06-14 キヤノン株式会社 撮像装置
JP7193907B2 (ja) 2017-01-23 2022-12-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP6957157B2 (ja) 2017-01-26 2021-11-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置、撮像システム、および固体撮像装置の製造方法
JP6701108B2 (ja) * 2017-03-21 2020-05-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP6929114B2 (ja) * 2017-04-24 2021-09-01 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
US10818715B2 (en) 2017-06-26 2020-10-27 Canon Kabushiki Kaisha Solid state imaging device and manufacturing method thereof
JP2019029693A (ja) * 2017-07-25 2019-02-21 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、移動体
JP6987562B2 (ja) 2017-07-28 2022-01-05 キヤノン株式会社 固体撮像素子
KR102540242B1 (ko) * 2018-01-12 2023-06-02 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP7091080B2 (ja) 2018-02-05 2022-06-27 キヤノン株式会社 装置、システム、および移動体
JP7108421B2 (ja) 2018-02-15 2022-07-28 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP7161317B2 (ja) 2018-06-14 2022-10-26 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム及び移動体
US11172142B2 (en) * 2018-09-25 2021-11-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor for sensing LED light with reduced flickering
JP7292868B2 (ja) 2018-12-18 2023-06-19 キヤノン株式会社 検出器
JP7237622B2 (ja) 2019-02-05 2023-03-13 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP7516031B2 (ja) 2019-11-19 2024-07-16 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP7610422B2 (ja) 2021-02-03 2025-01-08 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システムおよび移動体
JP7753044B2 (ja) 2021-10-20 2025-10-14 キヤノン株式会社 光電変換装置
US12549870B2 (en) * 2022-02-09 2026-02-10 Ams Sensors Belgium Bvba Imaging device, optoelectronic device and method for operating an imaging device
JP2024073685A (ja) 2022-11-18 2024-05-30 キヤノン株式会社 光電変換装置及びその駆動方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009268072A (ja) * 2008-04-01 2009-11-12 Fujifilm Corp 撮像装置及び撮像装置の駆動方法
JP2010136205A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Canon Inc 撮像装置及び撮像方法
JP2010157893A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Canon Inc 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システム
JP2013021533A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器
JP2013055500A (ja) * 2011-09-02 2013-03-21 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
JP2013172210A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Canon Inc 撮像装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4403687B2 (ja) 2002-09-18 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動制御方法
JP5224633B2 (ja) 2004-03-30 2013-07-03 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2006197393A (ja) 2005-01-14 2006-07-27 Canon Inc 固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法
JP4273124B2 (ja) 2005-02-04 2009-06-03 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP4487944B2 (ja) * 2006-02-09 2010-06-23 ソニー株式会社 固体撮像装置
US8059174B2 (en) * 2006-05-31 2011-11-15 Ess Technology, Inc. CMOS imager system with interleaved readout for providing an image with increased dynamic range
JP5132102B2 (ja) 2006-08-01 2013-01-30 キヤノン株式会社 光電変換装置および光電変換装置を用いた撮像システム
JP4818018B2 (ja) 2006-08-01 2011-11-16 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム
US20080198251A1 (en) * 2007-02-15 2008-08-21 Micron Technology, Inc. Method, apparatus, and system providing multiple pixel integration periods
JP5127536B2 (ja) 2008-03-31 2013-01-23 キヤノン株式会社 固体撮像装置の駆動方法及び撮像システム
JP5213501B2 (ja) 2008-04-09 2013-06-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP4494492B2 (ja) 2008-04-09 2010-06-30 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
JP4759590B2 (ja) 2008-05-09 2011-08-31 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム
JP2009278241A (ja) 2008-05-13 2009-11-26 Canon Inc 固体撮像装置の駆動方法および固体撮像装置
JP5279352B2 (ja) 2008-06-06 2013-09-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2010206181A (ja) 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置及び撮像システム
JP2010268080A (ja) 2009-05-12 2010-11-25 Canon Inc 固体撮像装置
JP5623068B2 (ja) 2009-12-07 2014-11-12 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2013093553A (ja) 2011-10-04 2013-05-16 Canon Inc 光電変換装置及びその製造方法、並びに光電変換システム
JP5967944B2 (ja) 2012-01-18 2016-08-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP6053505B2 (ja) 2012-01-18 2016-12-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2014049727A (ja) 2012-09-04 2014-03-17 Canon Inc 固体撮像装置
JP6355311B2 (ja) 2013-10-07 2018-07-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その製造方法及び撮像システム
JP6261361B2 (ja) 2014-02-04 2018-01-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
KR102149187B1 (ko) * 2014-02-21 2020-08-28 삼성전자주식회사 전자 장치와, 그의 제어 방법
JP6274567B2 (ja) 2014-03-14 2018-02-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP6595750B2 (ja) 2014-03-14 2019-10-23 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP6541347B2 (ja) 2014-03-27 2019-07-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP2016058538A (ja) 2014-09-09 2016-04-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP6417197B2 (ja) 2014-11-27 2018-10-31 キヤノン株式会社 固体撮像装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009268072A (ja) * 2008-04-01 2009-11-12 Fujifilm Corp 撮像装置及び撮像装置の駆動方法
JP2010136205A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Canon Inc 撮像装置及び撮像方法
JP2010157893A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Canon Inc 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システム
JP2013021533A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器
JP2013055500A (ja) * 2011-09-02 2013-03-21 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
JP2013172210A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Canon Inc 撮像装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11792533B2 (en) 2017-04-05 2023-10-17 Nikon Corporation Image sensor and imaging device
US12075169B2 (en) 2017-04-05 2024-08-27 Nikon Corporation Image sensor and imaging device
US12542977B2 (en) 2017-04-05 2026-02-03 Nikon Corporation Imaging device for performing focus adjustment of optical system
US11297252B2 (en) 2018-05-23 2022-04-05 Sony Corporation Signal processing apparatus and signal processing method, and imaging device
WO2021172364A1 (ja) * 2020-02-25 2021-09-02 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JPWO2021172364A1 (ja) * 2020-02-25 2021-09-02
US11800255B2 (en) 2020-02-25 2023-10-24 Nuvoton Technology Corporation Japan Solid-state imaging device including driver circuits comprising multi-stage buffer elements
JP7630491B2 (ja) 2020-02-25 2025-02-17 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
WO2024203423A1 (ja) * 2023-03-24 2024-10-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置及び電子機器
JP2024171629A (ja) * 2023-05-30 2024-12-12 キヤノン株式会社 光電変換装置、移動体、光電変換方法、及びコンピュータプログラム
JP7753292B2 (ja) 2023-05-30 2025-10-14 キヤノン株式会社 光電変換装置、移動体、光電変換方法、及びコンピュータプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JP6570384B2 (ja) 2019-09-04
US9894295B2 (en) 2018-02-13
US20170078594A1 (en) 2017-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6570384B2 (ja) 撮像装置及び撮像システム
JP6688165B2 (ja) 撮像装置及び撮像システム
JP6541523B2 (ja) 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の制御方法
US9762840B2 (en) Imaging device and method of driving the same
JP6776011B2 (ja) 撮像装置及び撮像システム
KR101177140B1 (ko) 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법 및 촬상 장치
JP4971586B2 (ja) 固体撮像装置
CN101796821B (zh) 固体摄像元件和该固体摄像元件的驱动方法
KR101945052B1 (ko) 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기
KR102749624B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 촬상 장치
CN103227897A (zh) 固态图像传感器和相机系统
US9794497B2 (en) Solid-state imaging device controlling read-out of signals from pixels in first and second areas
CN102057671A (zh) 固体摄像元件及其驱动方法
JP2018191041A (ja) 光電変換装置及びその駆動方法
US9930273B2 (en) Image pickup apparatus, image pickup system, and control method for the image pickup apparatus for controlling transfer switches
JP6574653B2 (ja) 撮像装置及び撮像システム
US8300122B2 (en) Solid-state imaging device, camera system, and signal reading method
JP6245856B2 (ja) 光電変換装置、光電変換システム
JP2018085709A (ja) 読出し制御回路、固体撮像素子、および撮像素子の駆動方法
EP3035669B1 (en) Driving method for image pickup apparatus
JP6676317B2 (ja) 撮像装置、および、撮像システム
JP2016092594A (ja) 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法
JP2009100381A (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム
JP5945463B2 (ja) 固体撮像装置
JP2016010050A (ja) 画素回路およびこれを搭載した撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20171214

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180906

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180906

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190606

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190709

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190806

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6570384

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151