JP2017053730A - Appearance inspection device and appearance inspection method - Google Patents
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Abstract
【課題】平面および凸曲面を検査することが可能な外観検査装置を提供する。
【解決手段】外観検査装置1は、平坦な表面を有する第1半導体素子20を照明するための第1ユニット30と、第1ユニット30と置き換え可能に設けられ、凸曲面を有する第2半導体素子を照明するための第2ユニット50と、第1半導体素子20および第2半導体素子の表面を撮像する撮像ユニット40と、撮像ユニット40と第1半導体素子20との間に第1ユニット30を配置し、撮像ユニット40と第2半導体素子との間に第2ユニット50を配置する搬送ユニット60と、を備える。
【選択図】図1An appearance inspection apparatus capable of inspecting a flat surface and a convex curved surface is provided.
A visual inspection apparatus includes a first unit for illuminating a first semiconductor element having a flat surface, and a second semiconductor element having a convex curved surface provided so as to be replaceable with the first unit. The first unit 30 is disposed between the imaging unit 40 and the first semiconductor element 20, the imaging unit 40 that images the first semiconductor element 20 and the surface of the second semiconductor element, and the imaging unit 40. And a transport unit 60 for disposing the second unit 50 between the imaging unit 40 and the second semiconductor element.
[Selection] Figure 1
Description
実施形態は、外観検査装置および外観検査方法に関する。 Embodiments relate to an appearance inspection apparatus and an appearance inspection method.
発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)などの半導体素子には、その表面に凸曲面のレンズを有するものがある。そのような半導体素子の外観検査には、平坦な表面を有する素子とは異なる照明方法が適する。しかしながら、半導体素子のそれぞれ表面形状に合わせた複数の外観検査装置を用意することは、製造コストの増加を招く。 Some semiconductor elements such as a light emitting diode (LED) have a convex curved lens on the surface thereof. An illumination method different from that of an element having a flat surface is suitable for appearance inspection of such a semiconductor element. However, providing a plurality of appearance inspection apparatuses that match the surface shape of each semiconductor element causes an increase in manufacturing cost.
実施形態は、平面および凸曲面を検査することが可能な外観検査装置を提供する。 The embodiment provides an appearance inspection apparatus capable of inspecting a flat surface and a convex curved surface.
実施形態に係る外観検査装置は、平坦な表面を有する第1半導体素子を照明するための第1ユニットと、前記第1ユニットと置き換え可能に設けられ、凸曲面を有する第2半導体素子を照明するための第2ユニットと、前記第1半導体素子および前記第2半導体素子の表面を撮像する撮像ユニットと、前記撮像ユニットと前記第1半導体素子との間に前記第1ユニットを配置し、前記撮像ユニットと前記第2半導体素子との間に前記第2ユニットを配置する搬送ユニットと、を備える。 An appearance inspection apparatus according to an embodiment illuminates a first unit for illuminating a first semiconductor element having a flat surface and a second semiconductor element which is provided so as to be replaceable with the first unit and has a convex curved surface. A second unit for imaging, an imaging unit for imaging the first semiconductor element and a surface of the second semiconductor element, the first unit disposed between the imaging unit and the first semiconductor element, and the imaging A transport unit for disposing the second unit between the unit and the second semiconductor element.
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. The same parts in the drawings are denoted by the same reference numerals, detailed description thereof will be omitted as appropriate, and different parts will be described. The drawings are schematic or conceptual, and the relationship between the thickness and width of each part, the size ratio between the parts, and the like are not necessarily the same as actual ones. Further, even when the same part is represented, the dimensions and ratios may be represented differently depending on the drawings.
さらに、各図中に示すX軸、Y軸およびZ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。X軸、Y軸、Z軸は、相互に直交し、それぞれX方向、Y方向、Z方向を表す。また、Z方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。 Furthermore, the arrangement and configuration of each part will be described using the X-axis, Y-axis, and Z-axis shown in each drawing. The X axis, the Y axis, and the Z axis are orthogonal to each other and represent the X direction, the Y direction, and the Z direction, respectively. Further, the Z direction may be described as the upper side and the opposite direction as the lower side.
図1は、実施形態に係る外観検査装置1を示す模式図である。図1に示すように、検査ステージ10と、第1照明ユニット30と、撮像ユニット40と、を備える。半導体素子20は、検査ステージ10の上に載置される。第1照明ユニット30は、検査ステージ10に載置された半導体素子20を照明する。撮像ユニット40は、第1照明ユニット30により照明された半導体素子20の表面を撮像する。撮像ユニット40は、例えば、その光軸Cxが検査ステージ10の表面に垂直となるように配置される。そして、半導体素子20は、撮像ユニット40の光軸Cx上に位置するように載置される。
半導体素子20は、例えば、LEDである。半導体素子20は、検査ステージ10に直接載置されても良いし、複数のLEDを収容したトレイを検査ステージ10に載置しても良い。半導体素子20は、例えば、平坦な表面を有する。ここで、「平坦」とは、半導体素子20の上面全体が平坦な場合に限定されず、例えば、複数の平面を有し、相互の境界に段差を有しても良い。
The
第1照明ユニット30は、例えば、同軸照明部31と、斜光照明部33と、拡散光照明部35と、を有する。第1照明ユニット30は、半導体素子20の表面を照明し、撮像ユニット40による撮像を可能にする。同軸照明部31は、撮像ユニット40の光軸Cxに沿った方向に伝播する光により半導体素子20を照明する。斜光照明部33は、光軸Cxと交差する方向に伝播する光により半導体素子20を照明する。拡散光照明部35は、伝播方向に広がる拡散光により半導体素子20を照明する。
The
撮像ユニット40は、結像部41と、撮像部43と、を含む。結像部41は、光学レンズ41aを含み、半導体素子20の表面像を撮像素子43a上に結像する(図2参照)。結像部41は、例えば、ズーム機能を有し、サイズの異なる半導体素子20の撮像を可能とする。撮像部43は、撮像素子43aとして、例えば、CCD(Charge Coupled Device)を有する。
The
外観検査装置1は、第2照明ユニット50と、搬送ユニット60と、をさらに備える。第2照明ユニット50は、第1照明ユニット30と置き換え可能に設けられる。搬送ユニット60は、第1照明ユニット30および第2照明ユニット50を所定の位置に搬送する。
The
第2照明ユニット50は、同軸照明部51と、凸曲面照明部53と、を含む。同軸照明部51は、例えば、検査ステージ10の表面に垂直な光軸Cyに沿った方向に伝播する光を放射する。凸曲面照明部53は、複数の光源57を有する(図4参照)。そして、複数の光源57は、それぞれが異なる方向に伝播する光を放射するように配置される。
The
搬送ユニット60は、例えば、第1照明ユニット30および第2照明ユニット50をX方向および−X方向に搬送する。搬送ユニット60は、例えば、X方向に延びるレール(図示しない)に沿ってX方向および−X方向に移動可能に設けられる。
The
次に、図2(a)〜図3(b)を参照して、実施形態に係る外観検査装置1の照明方法を説明する。図2(a)〜図2(c)は、第1照明ユニット30の照明方法を示す模式図である。図3(a)および図3(b)は、第2照明ユニット50の照明方法を示す模式図である。
Next, an illumination method of the
図2(a)〜図2(c)に示すように、第1照明ユニット30は、表面が平坦な半導体素子20(第1半導体素子)を照明する。図2(a)は、同軸照明部31を用いた照明方法を表している。図2(b)は、斜光照明部33を用いた照明方法を表している。図2(c)は、拡散光照明部35を用いた照明方法を表している。また、図2(a)〜図2(c)では、撮像ユニット40を示す要素として光学レンズ41aと撮像素子43aとを示している。
As shown in FIGS. 2A to 2C, the
図2(a)に示すように、同軸照明部31は、光源31aと、ハーフミラー31bと、を含む。光源31aは、例えば、複数のLEDを含む面光源である。ハーフミラー31bは、光軸Cx上に配置される。光源31aから放射された光L1は、ハーフミラー31bにより反射され半導体素子20の方向に進む。すなわち、半導体素子20は、光軸Cxと同じ方向に伝播する光L1により照明される。
As shown in FIG. 2A, the
半導体素子20の表面で反射された光(反射光LR)は、ハーフミラー31bを通過し、撮像素子43aの方向に伝播する。光学レンズ41aは、反射光LRを集光し、撮像素子43a上に半導体素子20の表面像を結像する。以下、図2(b)〜図3(b)において同じ。
The light reflected by the surface of the semiconductor element 20 (reflected light L R ) passes through the
図2(b)に示すように、斜光照明部33は、斜め上方から半導体素子20を照明する。斜光照明部33は、例えば、LEDを含み、光軸Cxと交差する方向に伝播する光L2を放射する。斜光照明部33には、例えば、指向性の高いLEDを用いることが好ましい。
As shown in FIG. 2B, the
図2(c)に示すように、拡散光照明部35は、伝播するにしたがって拡散する光(拡散光L3)により半導体素子20を照明する。拡散光照明部35には、例えば、斜光照明部33のLEDよりも指向性が低いLEDを用いる。拡散光照明部35は、半導体素子20に対する拡散光L3の入射角が斜光照明部33の光L2の入射角よりも大きくなる位置に配置することが好ましい。
As shown in FIG. 2C, the diffused
図3(a)および図3(b)に示すように、第2照明ユニット50は、凸曲面73を有する半導体素子70(第2半導体素子)を照明する。図3(a)は、同軸照明部51を用いた照明方法を表している。図3(b)は、同軸照明部51および凸曲面照明部53を用いた照明方法を表している。第2照明ユニット50は、搬送ユニット60により光軸CxとCyとが一致する位置に配置される。
As shown in FIGS. 3A and 3B, the
図3(a)に示すように、同軸照明部51は、光源51aと、ハーフミラー51bと、を含む。光源51aは、例えば、複数のLEDを含む面光源である。ハーフミラー51bは、光軸Cx上に配置される。光源51aから放射された光L4は、ハーフミラー51bにより反射され半導体素子70の方向に進む。すなわち、半導体素子70は、光軸Cxと同じ方向に伝播する光L4により照明される。
As shown in FIG. 3A, the
図3(b)に示すように、半導体素子70は、同軸照明部51から放射される光L4および凸曲面照明部53から放射され、伝播方向が異なる複数の光L5により照明される。凸曲面照明部53の光L5は、それぞれ異なる方向から凸曲面73に入射する。
As shown in FIG. 3 (b), the
図4は、実施形態に係る外観検査装置の第2照明ユニット50を示す模式断面図である。図4に示すように、第2照明ユニット50は、同軸照明部51と凸曲面照明部53とを有し、半導体素子70を照明する。同軸照明部51は、凸曲面照明部53の上に設けられる。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the
凸曲面照明部53は、例えば、筐体55と、複数の光源57と、光学窓59と、を有する。筐体55は、検査ステージ10に載置される半導体素子70を覆う位置に配置される。筐体55は、曲面状の内面55aを有し、複数の光源57は、内面55aに一様に配置される。複数の光源57は、例えば、それぞれの出射光L5が検査ステージ10上の半導体素子70に向かう方向に伝播するように配置される。複数の光源57は、例えば、LEDである。筐体55の内面は、例えば、半球面であり、その中心が検査ステージ10の表面上に位置するように設けられる。そして、半導体素子70は、半球面の中心に載置される。また、筐体55の内面は、検査ステージ10の表面上に焦点が位置するように設けられた凹面であっても良い。
The convex curved
光学窓59は、筐体55の外面55bから内面55aに連通する開口55cに設けられる。光学窓59は、例えば、石英ガラスである。筐体55は、例えば、ドーム状の形状を有し、光学窓59は、その頂部に設けられる。
The
図4に示すように、同軸照明部51は、光学窓59の上に設けられる。そして、同軸照明部51から放射される光L4は、光学窓59を通過して半導体素子70を照明する。同軸照明部51の光L4および凸曲面照明部53の光L5を用いて半導体素子70を照明することにより、その凸曲面73の全面を照明することができる。
As shown in FIG. 4, the
このように、第1照明ユニット30および第2照明ユニット50を用いることにより、フラットな表面を有する半導体素子20および凸曲面を有する半導体素子70のそれぞれに対して好適な照明を実施することが可能となり、外観検査の精度を向上させることができる。また、第1照明ユニット30および第2照明ユニット50を搬送ユニット60を用いて相互に置き換えることにより、撮像ユニット40を兼用することができる。また、外観検査装置の小型化および低価格化を実現できる。
As described above, by using the
各照明部に用いられる光源は、例えば、白色LEDである。また、光波長600nm以上のLEDを用いても良い。例えば、半導体素子20および50が蛍光体を含む樹脂を有する場合、蛍光体の励起効率が低い波長帯の光を用いることが好ましい。これにより、蛍光体の発光を抑制し、検査精度を向上させることができる。
The light source used for each illumination unit is, for example, a white LED. Moreover, you may use LED with a light wavelength of 600 nm or more. For example, when the
次に、図1〜図5を参照して、実施形態に係る外観検査方法を説明する。図5は、実施形態に係る外観検査方法を示すフローチャートである。以下に説明する外観検査方法は、例えば、外観検査装置1の各ユニットに接続されたコンピュータ(図示しない)により実行される。
Next, an appearance inspection method according to the embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a flowchart illustrating an appearance inspection method according to the embodiment. The appearance inspection method described below is executed by, for example, a computer (not shown) connected to each unit of the
ステップS01:検査ステージ10に載置された半導体素子のタイプを検出する。例えば、撮像ユニット40により撮像される表面像を解析することにより検出しても良いし、コンピュータに入力されたデータに基づいて検出しても良い。
Step S01: The type of the semiconductor element placed on the
ステップS02:半導体素子の表面が平面であるか凸曲面であるかを判定する。ステップS01で検出された半導体素子のタイプに基づいて、凸曲面の有無を判定する。半導体素子の表面が平面である場合(以下、半導体素子20の場合)は、ステップS03に進み、半導体素子が凸曲面を有する場合(以下、半導体素子70の場合)には、ステップS08に進む。 Step S02: It is determined whether the surface of the semiconductor element is a flat surface or a convex curved surface. The presence or absence of a convex curved surface is determined based on the type of semiconductor element detected in step S01. If the surface of the semiconductor element is a flat surface (hereinafter referred to as semiconductor element 20), the process proceeds to step S03. If the semiconductor element has a convex curved surface (hereinafter referred to as semiconductor element 70), the process proceeds to step S08.
ステップS03:撮像ユニット40と半導体素子20との間に第1照明ユニット30を配置する。例えば、撮像ユニット40と半導体素子20との間に第1照明ユニット30が配置されている場合は、その状態を維持する。撮像ユニット40と半導体素子20との間に第2照明ユニット50が配置されている場合は、搬送ユニット60を駆動し、第1照明ユニット30に置き換える。
Step S03: The
ステップS04:同軸照明部31により半導体素子20を照明し、撮像ユニット40を用いて半導体素子20の表面像を取得する。撮像ユニット40の光軸Cxに沿った方向に伝播する光L1により半導体素子20を照明し、その表面を撮像する。
Step S04: The
ステップS05:斜光照明部33により半導体素子20を照明し、撮像ユニット40を用いて半導体素子20の表面像を取得する。光軸Cxに交差する方向に伝播する光L2により半導体素子20を照明し、その表面を撮像する。また、同軸照明部31の光L1および斜光照明部33の光L2の両方を用いて半導体素子20を照明しても良い。
Step S05: The
ステップS06:拡散光照明部35により半導体素子20を照明し、撮像ユニット40を用いて半導体素子20の表面像を取得する。拡散光照明部35から放射される拡散光L3(拡散光)により半導体素子20を照明し、半導体素子20の表面を撮像する。また、同軸照明部31の光L1および拡散光L3の両方を用いて半導体素子20を照明しても良い。
Step S06: The
ステップS07:ステップS04〜06で取得した表面像を解析し、半導体素子20の良否判定を行う。例えば、表面像の輝度分布を数値化し、コントラストが所定の値を超える部分を欠陥と判定する。そして、欠陥を有しない半導体素子20を良品と判定する。
Step S07: The surface image acquired in Steps S04 to 06 is analyzed, and the quality of the
ステップS08:ステップS02において、半導体素子が凸曲面73を有すると判定された場合には、撮像ユニット40と半導体素子70との間に第2照明ユニット50を配置する。
Step S08: If it is determined in step S02 that the semiconductor element has the convex
ステップS09:同軸照明部51により半導体素子70を照明し、撮像ユニット40を用いて半導体素子70の表面像を取得する。撮像ユニット40の光軸Cxに沿った方向に伝播する光L4により半導体素子70を照明し、その表面を撮像する。
Step S09: The
ステップS10:同軸照明部51および凸曲面照明部53により半導体素子70を照明し、撮像ユニット40を用いて半導体素子70の表面像を取得する。これにより、凸曲面73の全体を異なる方向から照明した表面像を取得することができる。
Step S <b> 10: The
続いて、ステップS07へ進み、半導体素子70の良否判定を行う。本実施形態では、異なる照明方法により取得した半導体素子の表面像に基づいて欠陥の有無を判定することにより、その精度を向上させることができる。なお、上記の外観検査方法は例示であり、これに限定される訳ではない。例えば、第1照明ユニット30を用いた検査において、斜光照明部33と拡散光照明部35とを組み合わせても良い。また、第2照明ユニット50を用いた検査において、凸曲面照明部53だけで照明した表面像を取得しても良い。
Then, it progresses to step S07 and the quality determination of the
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
1・・・外観検査装置、 10・・・検査ステージ、 20、70・・・半導体素子、 30・・・第1照明ユニット、 31、51・・・同軸照明部、 31a、51a、57・・・光源、 31b、51b・・・ハーフミラー、 33・・・斜光照明部、 35・・・拡散光照明部、 40・・・撮像ユニット、 41・・・結像部、 41a・・・光学レンズ、 43・・・撮像部、 43a・・・撮像素子、 50・・・第2照明ユニット、 53・・・凸曲面照明部、 55・・・筐体、 55a・・・内面、 55b・・・外面、 55c・・・開口、 59・・・光学窓、 60・・・搬送ユニット、 73・・・凸曲面、 Cx、Cy・・・光軸
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記第1ユニットと置き換え可能に設けられ、凸曲面を有する第2半導体素子を照明するための第2ユニットと、
前記第1半導体素子および前記第2半導体素子の表面を撮像する撮像ユニットと、
前記撮像ユニットと前記第1半導体素子との間に前記第1ユニットを配置し、前記撮像ユニットと前記第2半導体素子との間に前記第2ユニットを配置する搬送ユニットと、
を備えた外観検査装置。 A first unit for illuminating a first semiconductor element having a flat surface;
A second unit for illuminating a second semiconductor element having a convex curved surface, provided to be replaceable with the first unit;
An imaging unit that images surfaces of the first semiconductor element and the second semiconductor element;
A transport unit that arranges the first unit between the imaging unit and the first semiconductor element, and arranges the second unit between the imaging unit and the second semiconductor element;
Appearance inspection device with
前記撮像ユニットの光軸上に配置された照明ユニットであって、
前記光軸に沿った方向に伝播する光を放射する第1照明部と、
前記光軸上に配置された光学窓と、前記光学窓が設けられた筐体と、前記筐体の内面に配置された複数の光源と、を有する第2照明部と、
を備え、
前記第1照明部から放射される前記光は、前記光学窓を通過して半導体素子を照明し、
前記複数の光源は、前記半導体素子に向かって光を放射するように配置された外観検査装置。 An imaging unit;
An illumination unit disposed on the optical axis of the imaging unit,
A first illumination unit that emits light propagating in a direction along the optical axis;
A second illumination unit comprising: an optical window disposed on the optical axis; a housing provided with the optical window; and a plurality of light sources disposed on an inner surface of the housing;
With
The light emitted from the first illumination unit illuminates the semiconductor element through the optical window,
The visual inspection apparatus in which the plurality of light sources are arranged to emit light toward the semiconductor element.
前記撮像ユニットの光軸に沿った方向に伝播する光により前記半導体素子を照明し、前記半導体素子を撮像するステップと、
前記光軸に交差する方向に伝播する光により前記平坦な表面を照明するか、または、前記凸曲面を複数の異なる方向から照明し、前記半導体素子を撮像するステップと、
を備えた外観検査方法。 Disposing a first unit for illuminating a flat surface of the semiconductor element or a second unit for illuminating a convex curved surface of the semiconductor element between the imaging unit and the semiconductor element;
Illuminating the semiconductor element with light propagating in a direction along the optical axis of the imaging unit, and imaging the semiconductor element;
Illuminating the flat surface with light propagating in a direction intersecting the optical axis, or illuminating the convex curved surface from a plurality of different directions to image the semiconductor element;
Appearance inspection method with
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