JP2016212561A - 入力装置及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】薄型の入力装置及び表示装置を提供する。【解決手段】入力装置は、第１面及び第２面を備える第１基板と、第２面側の１つの層に形成される複数の第１導電層と、第１導電層と異なる層に形成され、かつ第２面側の１つの層に形成される複数の第２導電層と、第１導電層と第２導電層との間に形成され、第１導電層及び第２導電層と電気的に接する発光層と、を含む発光素子部と、第１導電層及び第２導電層と絶縁されて形成され、平面視で第２導電層と交差しない複数の第３導電層を備え、第１導電層と第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する第１導電層との間の電界の変化を検出するための第３導電層と、を備える。【選択図】図９

Description

本発明は、外部近接物体を検出可能な入力装置及び表示装置に係り、特に静電容量の変化に基づいて外部から近接する外部近接物体を検出可能な入力装置及び表示装置に関する。

特許文献１には、いわゆるタッチパネルと呼ばれる入力装置と、フロントライトと呼ばれる照明装置とが一体となった入力装置が記載されている。

特開２０１０−１９８４１５号公報

上述した特許文献１に記載の入力装置は、タッチパネルとフロントライトとの境界部分に、タッチパネルとフロントライトとで共用化されるように設けられ、光を透過させることが可能な透光性基板を備えて、薄型化しているが、近年さらなる薄型化が求められている。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、薄型の入力装置及び表示装置を提供することにある。

第１の態様によれば、入力装置は、第１面及び第２面を備える第１基板と、前記第２面側の１つの層に形成される複数の第１導電層と、前記第１導電層と異なる層に形成され、かつ前記第２面側の１つの層に形成される複数の第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に形成され、前記第１導電層及び前記第２導電層と電気的に接する発光層と、を含む発光素子部と、前記第１導電層及び前記第２導電層と絶縁されて形成され、平面視で前記第２導電層と交差せず、前記第１導電層と前記第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する前記第１導電層との間の電界の変化を検出するための複数の第３導電層と、を備える。

第２の態様によれば、表示装置は、第１面及び第２面を備える第１基板と、前記第２面側の１つの層に形成される複数の第１導電層と、前記第１導電層と異なる層に形成され、かつ前記第２面側の１つの層に形成される複数の第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に形成され、前記第１導電層及び前記第２導電層と電気的に接する発光層と、を含む発光素子部と、前記第１導電層及び前記第２導電層と絶縁されて形成され、平面視で前記第２導電層と交差せず、前記第１導電層と前記第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する前記第１導電層との間の電界の変化を検出するための複数の第３導電層と、を備える入力装置と、前記入力装置の前記第２面側に配置され、前記第１面側に画像を表示可能な表示部を備える。

図１は、実施形態１に係る表示装置の構成を説明するためのブロック図である。 図２は、静電容量型近接検出方式の基本原理を説明するため、外部近接物体が接触又は近接していない状態を表す説明図である。 図３は、図２に示す外部近接物体が接触又は近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。 図４は、静電容量型近接検出方式の基本原理を説明するため、外部近接物体が接触又は近接した状態を表す説明図である。 図５は、図４に示す外部近接物体が接触又は近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。 図６は、駆動信号及び近接検出信号の波形の一例を表す図である。 図７は、実施形態１に係る入力装置の駆動電極及び近接検出電極の一例を表す斜視図である。 図８は、実施形態１における近接検出機能付き表示装置の構造を模式的に示す断面図である。 図９は、実施形態１に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。 図１０は、実施形態１に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。 図１１は、実施形態１に係る入力装置の第１導電層、第２導電層及び第３導電層の平面視の位置関係を説明するための説明図である。 図１２は、実施形態１に係る第１駆動電極ドライバ及び第２駆動電極ドライバを説明するための説明図である。 図１３は、発光素子部が非点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。 図１４は、発光素子部が非点灯の状態における近接検出の走査状態を説明する説明図である。 図１５は、発光素子部が点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。 図１６は、発光素子部が点灯の状態における近接検出の走査状態を説明する説明図である。 図１７は、発光素子部が非点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。 図１８は、発光素子部が非点灯の状態における近接検出の走査状態を説明する説明図である。 図１９は、発光素子部が点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。 図２０は、発光素子部が点灯の状態における近接検出の走査状態を説明する説明図である。 図２１は、実施形態２に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。 図２２は、実施形態２に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。 図２３は、実施形態２に係る入力装置の第１導電層、第２導電層及び第３導電層の平面視の位置関係を説明するための説明図である。 図２４は、実施形態２の変形例に係る入力装置の第１導電層、第２導電層及び第３導電層の平面視の位置関係を説明するための説明図である。 図２５は、実施形態２の変形例に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。 図２６は、実施形態３に係る入力装置の第１導電層及び第３導電層の平面視の位置関係を説明するための説明図である。 図２７は、実施形態３に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。 図２８は、実施形態３に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。 図２９は、実施形態３の変形例に係る入力装置において、コンタクト部の照射光を説明するための拡大断面図である。 図３０は、比較例に係る入力装置の照射光を説明するための拡大断面図である。 図３１は、面内の複数の発光素子部の点灯状態を説明するための説明図である。 図３２は、発光素子部が非点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。 図３３は、発光素子部が点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。 図３４は、実施形態４に係る駆動制御において、点灯要求期間と、近接検出期間とが重ならない場合のタイミングチャートである。 図３５は、実施形態４に係る駆動制御において、点灯要求期間と、近接検出期間とが重なる場合のタイミングチャートである。 図３６は、実施形態４に係る駆動制御において、点灯要求期間と、近接検出期間とが重なる場合の他のタイミングチャートである。 図３７は、実施形態４に係る入力装置の領域別調光制御を説明するための説明図である。 図３８は、実施形態４に係る入力装置の領域別調光制御を説明するための説明図である。

以下、発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る表示装置の構成を説明するためのブロック図である。表示システム１００は、近接検出機能付き表示装置１と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、ソースセレクタ部１３Ｓと、第１電極ドライバ１４と、第２電極ドライバ１５と、近接検出処理部４０とを備えている。近接検出機能付き表示装置１において、後述するように、反射型の表示部９と、入力装置２とが平面視で重ねあわされている。表示部９が反射型液晶表示部であり、入力装置２が静電容量型のタッチパネルである。

表示部９は、後述するように、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う装置である。制御部１１は、外部より供給された画像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、第１電極ドライバ１４、第２電極ドライバ１５及び近接検出処理部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路である。本発明における制御装置は、制御部１１、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、第１電極ドライバ１４、第２電極ドライバ１５、近接検出処理部４０を含む。

ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示部９の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。

ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示部９の、表示面にマトリクス状に配置された各画素（各副画素）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。ソースドライバ１３は、１水平ライン分の制御信号から、表示部９の複数の副画素の画素信号Ｖｐｉｘを時分割多重化した画像信号Ｖｓｉｇを生成し、ソースセレクタ部１３Ｓに供給する。また、ソースドライバ１３は、画像信号Ｖｓｉｇに多重化された画素信号Ｖｐｉｘを分離するために必要なスイッチ制御信号Ｖｓｅｌを生成し、画像信号Ｖｓｉｇとともにソースセレクタ部１３Ｓに供給する。ソースセレクタ部１３Ｓは、ソースドライバ１３とソースセレクタ部１３Ｓとの間の配線数を少なくすることができる。

第１電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、入力装置２の、後述する第１導電層に駆動信号に基づく駆動信号パルスＶｔｘを供給する回路である。

第２電極ドライバ１５は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、入力装置２の、後述する第２導電層に駆動信号Ｖｅｌを供給する回路である。

近接検出処理部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、入力装置２から供給された近接検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、入力装置２に対する近接状態の有無を検出し、近接状態がある場合において近接検出領域におけるその座標等を求める回路である。この近接検出処理部４０は近接検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備えている。

近接検出信号増幅部４２は、入力装置２から供給される近接検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。近接検出信号増幅部４２は、近接検出信号Ｖｄｅｔに含まれる高い周波数成分（ノイズ成分）を除去し、近接検出信号の成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過アナログフィルタを備えていてもよい。

（静電容量型近接検出の基本原理）
入力装置２は、静電容量型近接検出の基本原理に基づいて動作し、近接検出信号Ｖｄｅｔを出力する。図１〜図６を参照して、入力装置２における近接検出の基本原理について説明する。図２は、静電容量型近接検出方式の基本原理を説明するため、外部近接物体が接触又は近接していない状態を表す説明図である。図３は、図２に示す外部近接物体が接触又は近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。図４は、静電容量型近接検出方式の基本原理を説明するため、外部近接物体が接触又は近接した状態を表す説明図である。図５は、図４に示す外部近接物体が接触又は近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。図６は、駆動信号及び近接検出信号の波形の一例を表す図である。

例えば、図２に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極、駆動電極Ｅ１及び近接検出電極Ｅ２を備えている。図３に示すように、容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器（近接検出部）ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示す近接検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。

交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波である駆動信号パルスＳｇを印加すると、近接検出電極Ｅ２（容量素子Ｃ１の他端）側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、出力波形（近接検出信号Ｖｄｅｔ）が現れる。

外部近接物体（例えば、指又はスタイラスペン）が近接（又は接触）していない非近接状態（非接触状態を含む）では、図２及び図３に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ_０が流れる。図６に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、駆動信号パルスＳｇに応じた電流Ｉ_０の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ_０）に変換する。

一方、外部近接物体が近接（又は接触）した近接状態（接触状態を含む）では、図４に示すように、外部近接物体によって形成される静電容量Ｃ２が近接検出電極Ｅ２と接している又は近傍にあることにより、駆動電極Ｅ１及び近接検出電極Ｅ２の間にあるフリンジ分の静電容量が遮られ、容量素子Ｃ１の容量値よりも容量値の小さい容量素子Ｃ１’として作用する。そして、図５に示す等価回路でみると、容量素子Ｃ１’に電流Ｉ_１が流れる。図６に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、駆動信号パルスＳｇに応じた電流Ｉ_１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ_１）に変換する。この場合、波形Ｖ_１は、上述した波形Ｖ_０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ_０と波形Ｖ_１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、外部近接物体等の外部からの近接する物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ_０と波形Ｖ_１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出するため、回路内のスイッチングにより、駆動信号パルスＳｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔを設けた動作とすることがより好ましい。

図１に示す入力装置２は、第１電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｔｘに従って、１検出ブロックずつ順次走査して近接検出を行うようになっている。

入力装置２は、複数の後述する近接検出電極から、図３又は図５に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出ブロックごとに近接検出信号Ｖｄｅｔを出力し、近接検出処理部４０の近接信号増幅部４２に供給するようになっている。近接信号増幅部４２は、近接検出信号Ｖｄｅｔを増幅した上で、近接検出信号ＶｄｅｔをＡ／Ｄ変換部４３へ供給する。

Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号に同期したタイミングで、近接検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。

信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、駆動信号をサンプリングした周波数以外の周波数成分（ノイズ成分）を低減するデジタルフィルタを備えている。信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、入力装置２に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、外部近接物体による電圧の差分のみ取り出す処理を行う。この外部近接物体による電圧の差分の信号は、上述した波形Ｖ_０と波形Ｖ_１との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。信号処理部４４は、１検出ブロック当たりの絶対値｜ΔＶ｜を平均化する演算を行い、絶対値｜ΔＶ｜の平均値を求めてもよい。これにより、信号処理部４４は、ノイズによる影響を低減できる。信号処理部４４は、検出した外部近接物体による電圧の差分の信号を所定のしきい値電圧と比較し、電圧の差分がこのしきい値電圧以上であれば、外部近接物体の近接状態であると判断する。一方、信号処理部４４は、検出したデジタル電圧を所定のしきい値電圧と比較し、電圧の差分がしきい値電圧未満であれば、外部近接物体の非近接状態であると判断する。このようにして、近接検出処理部４０は近接検出が可能となる。

座標抽出部４５は、信号処理部４４において近接状態が検出されたときに、検出領域の面内における近接状態が生じた座標位置を求める論理回路である。検出タイミング制御部４６は、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。座標抽出部４５は、近接物体の座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。

図７は、実施形態１に係る入力装置の駆動電極及び近接検出電極の一例を表す斜視図である。入力装置２は、第１導電層３１と、第１導電層３１と絶縁された状態の第３導電層３３とを備える。第１導電層３１は、駆動信号パルスＳｇを印加する送信側の駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３…Ｔｘｎ（以下、駆動電極Ｔｘということもある。）として、導電体パターンの所定の延在方向に延びるストライプ状の複数の電極パターンを有している。第３導電層３３は、近接検出信号Ｖｄｅｔを出力する近接検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３…Ｒｘｍ（以下、近接検出電極Ｒｘということもある。）として、第１導電層３１の延在方向と交差する方向に延びるストライプ状の複数の電極パターンを有している。近接検出電極Ｒｘの各電極パターンは、近接検出処理部４０の近接検出信号増幅部４２の入力にそれぞれ接続されている。

図７に示すように実施形態１に係る入力装置２において、近接検出電極Ｒｘは、駆動電極Ｔｘと対向している。近接検出電極Ｒｘは、駆動電極Ｔｘと対向せず、駆動電極Ｔｘと同層に形成されていてもよい。また、近接検出電極Ｒｘ又は駆動電極Ｔｘは、ストライプ状に複数に分割される形状に限られない。例えば、近接検出電極Ｒｘ又は駆動電極Ｔｘは、櫛歯形状であってもよい。あるいは近接検出電極Ｒｘ又は第１導電層３１（駆動電極ブロック）は、複数に分割されていればよく、第１導電層３１を分割するスリットの形状は直線であっても、曲線であってもよい。

また、図２に示す駆動電極Ｅ１は、図７に示す駆動電極Ｔｘのそれぞれに相当し、図２に示す近接検出電極Ｅ２は、近接検出電極Ｒｘのそれぞれに相当する。このため、図７に示す駆動電極Ｔｘと近接検出電極Ｒｘとが平面視で互いに交差した交差部分には、図２に示す容量素子Ｃ１の容量値に相当する静電容量が生じる。

次に、近接検出機能付き表示装置１の構造について説明する。図８は、実施形態１における近接検出機能付き表示装置の構造を模式的に示す断面図である。実施形態１において、表示部９は、反射型の画像表示パネルである。表示部９は、半透過型の画像表示パネルであってもよく、観察者２００側から入射する入射光を反射して、画像を表示する表示装置であればよい。図８に示すように、表示部９は、互いに対向するアレイ基板９１と対向基板９２とを有している。アレイ基板９１と対向基板９２との間においては、液晶素子が封入された液晶層９３が設けられている。

アレイ基板９１は、例えばガラス等の透明性を有する透光性基板である。アレイ基板９１は、液晶層９３側の絶縁層９８の面に、複数の画素電極９４を有する。画素電極９４は、スイッチング素子９９を介して信号線に接続されている。画素電極９４には、上述した画素信号Ｖｐｉｘが印加される。画素電極９４は、例えばアルミニウム又は銀のような金属光沢を有する材料で形成され、光の反射性を有する。このため、画素電極９４は、外光又は入力装置２からの光を反射する。

対向基板９２は、例えばガラス等の透明性を有する透光性基板である。対向基板９２は、液晶層９３側の面に、対向電極９５及びカラーフィルタ９６を有する。より詳しくは、対向電極９５は、カラーフィルタ９６の液晶層９３側の面に設けられている。

対向電極９５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）又はＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明性を有する透光性導電性材料で形成されている。対向電極９５には、画素毎に共通の共通電位が与えられている。画素電極９４と対向電極９５とは対向して設けられているため、画素電極９４と対向電極９５との間に画像出力信号による電圧が印加されると、画素電極９４と対向電極９５とは、液晶層９３内に電界を生じさせる。液晶層９３内に生じた電界により液晶素子がツイストして複屈折率が変化し、表示部９からの光量が副画素９７毎に調整される。表示部９は、いわゆる縦電界方式であるが、表示面に平行な方向に電界を発生させる横電界方式であってもよい。

第１の色（例えば赤色Ｒ）、第２の色（例えば緑色Ｇ）及び第３の色（例えば青色Ｂ）のいずれかのカラーフィルタ９６は、画素電極９４に対応して副画素９７毎に設けられる。このように、画素電極９４と、対向電極９５と、各色のカラーフィルタ９６とは、それぞれ副画素９７を構成する。

入力装置２は、表示部９側のＬＦ１方向に向かって光を照射することができる。対向基板９２の液晶層９３と反対側の面には、入力装置２が設けられている。表示部９は、入力装置２を後述するようにフロントライトとして、ＬＦ１方向側に入射された光をＬＦ２方向に反射して画像を表示させる。例えば、画素電極９４が観察者２００側の面（画像を表示する側の面）からＬＦ１方向に入射された光をＬＦ２方向に反射する。また、入力装置２と対向基板９２とは、光学接着層８で接合されている。光学接着層８は、光の散乱機能のある材料を選ぶことが望ましい。光学接着層８において、入力装置２からＬＦ１方向に照射された光が散乱する。これにより、画素電極９４には、入力装置２からの光が均一に照射されやすくなる。また、光学接着層８の位置には、さらに偏光板を形成することもできる。

図９は、実施形態１に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。図１０は、実施形態１に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。図１１は、実施形態１に係る入力装置の第１導電層、第２導電層及び第３導電層の平面視の位置関係を説明するための説明図である。図９に示す断面は、図１１のＡ−Ａ’断面であり、図１０に示す断面は、図１１のＢ−Ｂ’断面である。図９、図１０及び図１１に示すように、入力装置２は、第１基板２１と、第１導電層３１と、第２導電層３２と、発光層２２と、第３導電層３３とを有する。第１導電層３１は、絶縁性の保護層２３で覆われている。絶縁性の保護層２３は、形成しなくてもよい。第１基板２１は、第１面２０１及び第２面２０２を備える、ガラス等の透光性基板である。入力装置２は、図９の第１面２０１が図８に示す観察者２００側となり、第２面２０２が表示部９側になる。

図９及び図１０に示すように、第２導電層３２は、第２電極として、第１基板２１の第２面２０２側の１つの層に形成される導電性の導電層である。図９、図１０及び図１１に示すように、複数の第２導電層３２が平面視で一方向に連続して延びる形状を備える。第２導電層３２と発光層２２との間には、絶縁層２５がある。第２導電層３２は、例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明性を有する透光性導電性材料又は導電性の金属材料で形成されている。第２導電層３２は、金属光沢を有する金属材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、及び、それらを含む合金等で形成されていると、発光層２２の発光を反射できる。

図９及び図１０に示すように、第３導電層３３は、第３電極として、第１基板２１の第２面２０２側の１つの層に形成される導電性の導電層である。図９、図１０及び図１１に示すように、複数の第３導電層が平面視で一方向に連続して延びる形状を備える。第３導電層３３と発光層２２との間には、絶縁層２５がある。第３導電層３３は、複数の第３導電層が、平面視で、複数の第２導電層と同方向に延び、交差することがない。例えば、第３導電層３３は、複数の第３導電層が、平面視で、複数の第２導電層と平行に延びている。

第１導電層３１は、第１電極として、第１基板２１の第２面２０２側の１つの層に形成される導電性の導電層である。複数の第１導電層３１は、平面視で一方向に連続して延びる形状を備え、発光層２２に第１導電層３１の形状に沿って接している。第１導電層３１は、例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明性を有する透光性導電性材料又は導電性の金属材料で形成されている。

第１導電層３１と第３導電層３３とは、平面視で交差する。同様に、第１導電層３１と第２導電層３２とは、平面視で交差する。

発光層２２は、平面視で、複数の上記第２導電層及び第１導電層と重なり合う大きさを有している。例えば、発光層２２は、平面視で、第２面２０２面を覆う大きさを有しているベタ膜である。発光層２２は、図９及び図１０に示すように、第１導電層３１と第２導電層３２との間に形成されている。このため、発光層２２は、第１導電層３１に電気的に接している。発光層２２は、有機材料を含み、不図示のホール注入層、ホール輸送層、有機層、電子輸送層、電子注入層を含む。

具体的には、発光層２２は、図９に示すように、第２面２０２側に突出する凸部２２ａを備えている。絶縁層２５は、第２導電層３２と発光層２２との間に形成されている。このため、発光層２２は、凸部２２ａで第２導電層３２にコンタクト部３６を介して電気的に接している。コンタクト部３６は、凸部２２ａで第２導電層３２に電気的に接している部分であり、言い換えれば、第１導電層３１と第２導電層３２とは、コンタクト部３６で電気的に導通する。

発光素子部ＤＥＬは、第１導電層３１と、発光層２２の凸部２２ａと、第２導電層３２とを有し、第１導電層３１と第２導電層３２とに順バイアス方向の電圧を印加されることで発光層２２の凸部２２ａが発光する。発光素子部ＤＥＬは、電圧が印加されると、発光層２２の凸部２２ａの形状に沿った発光をすることができる。これにより、入力装置２は、図８に示す表示部９に対して、光を照射することのできるフロントライトとして、機能する。

第１導電層３１が延びる方向を第１方向とし、第２導電層３２が延びる方向を第２方向とした場合、第１遮光部３２Ａは、第２導電層３２と同層に形成され、第２方向と交差する第１方向に第２導電層３２の幅が広がる幅広部分である。第１遮光部３２Ａの第１方向の長さは、コンタクト部３６の第１方向の最大長さより長い。第１遮光部３２Ａは、第１基板２１の第１面２０１に垂直な方向でみると、コンタクト部３６を覆うことができる。これにより、コンタクト部３６の抵抗が下がり、発光素子部ＤＥＬの発光効率が向上する。

第１遮光部３２Ａは、遮光性を有している。第１遮光部３２Ａは、遮光性のある材料を問わない。第１遮光部３２Ａは、金属光沢を有する金属材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、及び、それらを含む合金等が発光層２２の発光を反射できるため、好ましい。また、第２導電層３２と同じ材料であると、形成しやすい。以上説明したように、発光素子部ＤＥＬは、第１遮光部３２Ａを備えることで、第１基板２１の第１面２０１側に光漏れすることを抑制することができる。

実施形態１において、図９及び図１０に示す第３導電層３３が形成される第２面２０２の反対側の第１基板２１の第１面２０１は、近接物体の入力座標の基準となる基準平面（座標入力基準面）である。

上述したように、第１導電層３１は、駆動信号パルスＳｇを印加する送信側の駆動電極Ｔｘであり、第３導電層３３は、上述した近接検出電極Ｒｘである（図７参照）。このため、入力装置２が近接検出動作を行う際、第３導電層３３は、第１基板２１の第１面２０１に平面視で重なり合う位置の近接物体の近接又は近接物体の座標に応じて変化する第１導電層３１との間の電界の変化を近接検出処理部４０（図１参照）へ出力できる。

まず、入力装置２の製造方法としては、第１基板２１が用意され、第１基板２１の第２面２０２には、第２導電層３２及び第３導電層３３が同時にパターニングされる。次に、入力装置２は、第２導電層３２及び第３導電層３３を覆う絶縁性の絶縁層２５を形成する。次に、絶縁層２５の一部がウェットエッチング、ドライエッチング等によりエッチングされ、第２導電層３２のコンタクト部３６に対応する位置が露出する。次に、絶縁層２５の表面及びコンタクト部３６を覆うように発光層２２が形成される。次に、入力装置２は、発光層２２の表面に、第１導電層３１がパターニングされる。次に、入力装置２は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の透光性の絶縁体で保護層２３が形成される。

以上説明したように、実施形態１に係る入力装置２は、第２導電層３２及び第３導電層３３が同時に形成され、製造コストが低減できる。そして、入力装置２は、第２導電層３２及び第３導電層３３が同一の階層に形成されるので、厚みを薄くすることができる。

（駆動制御）
図１、図７、図１２から図２０を用いて、実施形態１に係る入力装置２の駆動制御について説明する。入力装置２は、近接検出動作を行う際、図１に示す第１電極ドライバ１４が、図７に示す駆動電極Ｔｘを時分割的に線順次走査するように駆動する。これにより、スキャン方向Ｓｃａｎに第１導電層３１（駆動電極Ｔｘ）の一部が、順次選択される。そして、入力装置２は、近接検出電極Ｒｘから近接検出信号Ｖｄｅｔを出力する。なお、入力装置２は、第１電極ドライバ１４が、図７に示す駆動電極Ｔｘを複数まとめて１検出ブロックとして時分割的に線順次走査するように駆動してもよい。

ここで、第１導電層３１は、発光素子部ＤＥＬの電極として機能するとともに、入力装置２の駆動電極Ｔｘとしても機能する。このため、発光素子部ＤＥＬが発光する必要がない場合でも、第１導電層３１（駆動電極Ｔｘ）に駆動信号パルスＳｇが印加されることで、発光素子部ＤＥＬが発光してしまう可能性がある。そこで、実施形態１に係る入力装置２は、第１導電層３１（駆動電極Ｔｘ）に駆動信号パルスＳｇが印加されても、意図しない発光素子部ＤＥＬの発光を抑制する駆動方法を提供する。

図１２は、実施形態１に係る第１駆動電極ドライバ及び第２駆動電極ドライバを説明するための説明図である。第１電極ドライバ１４は、第１電極制御部１４１と、Ｔｘタイミング合成回路１９と、第１電極バッファー１４２とを備える。第１電極制御部１４１は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、Ｔｘタイミング合成回路１９を制御する。制御部１１は、画像解析部１６が要求する点灯量情報ＡＥＬに基づいて、ＥＬ点灯タイミング生成回路１８に、点灯要求信号ＥＬｒｅｑ１、ＥＬｒｅｑ２を生成させる。ＥＬ点灯タイミング生成回路１８は、例えば点灯期間をハイレベル（Ｈ）とし、非点灯期間をローレベル（Ｌ）として発光素子部ＤＥＬの点灯量に応じた電圧となるように、点灯要求信号ＥＬｒｅｑ１と点灯要求信号ＥＬｒｅｑ２との電圧差を生成する。Ｔｘタイミング合成回路１９は、ＥＬ点灯タイミング生成回路１８からの点灯期間のパルス信号ＥＬｒｅｑ２と、第１電極制御部１４１の制御を合成し、駆動信号Ｖｔｘを第１電極バッファー１４２へ与える。第１電極バッファー１４２は、駆動信号Ｖｔｘに基づいて、増幅された駆動信号パルスＳｇをスキャン方向Ｓｃａｎに順次選択された入力装置２の駆動電極Ｔｘ１からＴｘｎ（第１導電層３１の一部）に供給する。

第２電極ドライバ１５は、第２電極制御部１５１と、電圧制御回路１７と、第２電極バッファー１５２とを備える。第２電極制御部１５１は、点灯要求信号ＥＬｒｅｑ１に基づいた電圧の電力を、電圧制御回路１７へ要求する。電圧制御回路１７は、第２電極制御部１５１から供給される信号に基づいた電圧を生成し、第２電極バッファー１５２に供給する。第２電極バッファー１５２は、第２導電層３２へ供給する電圧又は後述する点灯パルスＳｅｌを生成し、入力装置２の第２導電層３２の全第２導電層（駆動電極Ｔｙ１からＴｙｐの全ての駆動電極）へ供給する。

図１３は、発光素子部が非点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。図１４は、発光素子部が非点灯の状態における近接検出の走査状態を説明する説明図である。図１３から図１６において、第１導電層３１は、発光素子部ＤＥＬのカソードであり、第２導電層３２は、発光素子部ＤＥＬのアノードである。

図６に示すように、入力装置２において、駆動信号パルスＳｇが印加され、第３導電層３３の一部を近接検出電極Ｒｘとして、近接検出電極Ｒｘには外部物体の近接状態に応じた近接検出信号Ｖｄｅｔが出力される。図１に示す近接検出処理部４０は、近接検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、近接状態の有無及び近接検出領域におけるその座標等を求める。ここで、第２電極制御部１５１は、発光素子部ＤＥＬが非点灯の状態とするために、第１導電層３１の電圧Ｖｋに対して第２導電層３２の電圧Ｖａを近づけるように制御する。そうすると、第１導電層３１の電圧Ｖｋと第２導電層３２の電圧Ｖａとの電圧が順方向の発光駆動電圧に達しないようにすることができる。この状態で、図１３に示すように、第１電極ドライバ１４は、第１導電層３１と第２導電層３２との間に、パルスの立ち上がり方向が逆バイアス方向の駆動信号パルスＳｇを印加する。これにより、駆動選択期間Ｈｔｘに、駆動信号パルスＳｇが印加されても、逆バイアス方向の電圧差が第１導電層３１と第２導電層３２との間にかかるだけなので、発光素子部ＤＥＬの発光が抑制される。

図１４に示すように、第１電極ドライバ１４が、駆動電極Ｔｘ１から駆動電極Ｔｘ４を分割的に線順次走査するように駆動すると、それぞれの駆動信号パルスＳｇの印加に応じた近接検出信号Ｖｄｅｔが第３導電層３３より出力される。駆動電極Ｔｘ１から駆動電極Ｔｘ４に印加されるいずれの駆動信号パルスＳｇによっても発光素子部ＤＥＬの発光が抑制される。その結果、全体としてみれば、入力装置２は、フロントライトとして発光状態にある。そして、第１電極ドライバ１４は、駆動信号パルスＳｇを一定のタイミングで供給できる。これにより、フロントライトとして非発光状態であっても、入力装置２の近接検出の精度が変化しない。

図１５は、発光素子部が点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。図１６は、発光素子部が点灯の状態における近接検出の走査状態を説明する説明図である。第２電極制御部１５１は、発光素子部ＤＥＬが点灯の状態の場合、第１導電層３１の電圧Ｖｋに対して第２導電層３２の電圧Ｖａの差を順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬに近づけ、図１５に示すように、第１導電層３１と第２導電層３２との間に発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の順バイアス方向の電圧を印加する。このとき、第１電極ドライバ１４は、第１導電層３１と第２導電層３２との間に、パルスの立ち上がり方向が逆バイアス方向の駆動信号パルスＳｇを印加する。その結果、駆動信号パルスＳｇが印加された駆動選択期間Ｈｔｘを除いて、発光素子部ＤＥＬには発光駆動電圧ΔＶＦＬが印加される。これにより、図１６に示すように、発光駆動電圧ΔＶＦＬが印加されている点灯期間Ｈｆｌでは、発光素子部ＤＥＬは、発光する。

また、第１電極ドライバ１４が、駆動電極Ｔｘ１から駆動電極Ｔｘ４を分割的に順次走査するように駆動すると、それぞれの駆動信号パルスＳｇの印加に応じた近接検出信号Ｖｄｅｔが第３導電層３３より出力される。図１に示す近接検出処理部４０は、近接検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、近接状態の有無及び近接検出領域におけるその座標等を求める。ここで、駆動電極Ｔｘ１から駆動電極Ｔｘ４のいずれの駆動選択期間Ｈｔｘにおいても、第１導電層３１と第２導電層３２との間の電圧が発光駆動電圧ΔＶＦＬ以下となる。このため、駆動電極Ｔｘ１から駆動電極Ｔｘ４に印加されるいずれの駆動信号パルスＳｇによっても発光素子部ＤＥＬの発光が一時的に抑制される。

図１６を用いて時系列に沿って説明すると、まず、駆動電極Ｔｘ１から駆動電極Ｔｘ４となる第１導電層３１と第２導電層３２との間には、発光素子部ＤＥＬの発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の印加がされている。次に、駆動信号パルスＳｇが印加されるので、駆動電極Ｔｘ１に対応する第１導電層３１と接続する発光素子部ＤＥＬだけが一時的に非点灯となる。このとき、駆動電極Ｔｘ２から駆動電極Ｔｘ４に対応する第１導電層３１には、駆動信号パルスＳｇが印加されていない。このため、駆動電極Ｔｘ２から駆動電極Ｔｘ４に対応する第１導電層３１と接続する発光素子部ＤＥＬは、点灯している。このように、駆動電極Ｔｘ１に対応する第１導電層３１（駆動電極Ｔｘ１）に沿って、線状に発光素子部ＤＥＬが一時的に非点灯となる。

次に、駆動信号パルスＳｇが印加されるので、駆動電極Ｔｘ２に対応する第１導電層３１と接続する発光素子部ＤＥＬだけが一時的に非点灯となる。このとき、駆動電極Ｔｘ１、駆動電極Ｔｘ３及び駆動電極Ｔｘ４に対応する第１導電層３１には、駆動信号パルスＳｇが印加されていない。このため、駆動電極Ｔｘ１、駆動電極Ｔｘ３及び駆動電極Ｔｘ４に対応する第１導電層３１と接続する発光素子部ＤＥＬは、点灯している。このように、駆動電極Ｔｘ２に対応する第１導電層３１（駆動電極Ｔｘ２）に沿って、線状に発光素子部ＤＥＬが一時的に非点灯となる。同様に、次に駆動信号パルスＳｇが印加される、駆動電極Ｔｘ３、Ｔｘ４・・・Ｔｘｎの順にそれぞれ対応する第１導電層３１に沿って、線状に発光素子部ＤＥＬが一時的に非点灯となる。そして、線状に非点灯となった発光素子部ＤＥＬ以外の発光素子部ＤＥＬは、点灯している。発光素子部ＤＥＬの発光が抑制される駆動選択期間Ｈｔｘは、点灯期間Ｈｆｌと比べて短いため、発光素子部ＤＥＬの発光の消灯又は減光が認識されにくい。その結果、全体としてみれば、入力装置２は、フロントライトとして発光状態にある。そして、第１電極ドライバ１４は、駆動信号パルスＳｇを一定のタイミングで供給できる。これにより、フロントライトとして発光状態であっても、入力装置２の近接検出の精度が変化しない。なお、発光素子部ＤＥＬの点灯量は、制御部１１の指令に基づき電圧制御回路１７で制御された第２導電層３２の電圧Ｖａに応じて変化する。

第１導電層３１は、発光素子部ＤＥＬのアノードであり、第２導電層３２は、発光素子部ＤＥＬのカソードであってもよい。図１７は、発光素子部が非点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。図１８は、発光素子部が非点灯の状態における近接検出の走査状態を説明する説明図である。図１７から図２０において、第１導電層３１は、発光素子部ＤＥＬのアノードであり、第２導電層３２は、発光素子部ＤＥＬのカソードである。

第２電極制御部１５１は、発光素子部ＤＥＬが非点灯の状態の場合、第１導電層３１の電圧Ｖａに対して第２導電層３２の電圧Ｖｋを近づけるようにして、第１導電層３１の電圧Ｖｋと第２導電層３２の電圧Ｖａとの電圧が順方向の発光駆動電圧に達しないようにしている。この状態で、図１７に示すように、第１電極ドライバ１４は、第１導電層３１と第２導電層３２との間に、パルスの立ち上がり方向が逆バイアス方向の駆動信号パルスＳｇを印加する。図１７に示す第１導電層３１及び第２導電層３２は、図１３に示すように、極性が異なるため、逆バイアス方向も逆になる。これにより、駆動選択期間Ｈｔｘに、駆動信号パルスＳｇが印加されても、発光素子部ＤＥＬの発光が抑制される。図１８に示すように、第１電極ドライバ１４が、駆動電極Ｔｘ１から駆動電極Ｔｘ４を分割的に線順次走査するように駆動しても、いずれの駆動信号パルスＳｇによっても発光素子部ＤＥＬの発光が抑制される。

図１９は、発光素子部が点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。図２０は、発光素子部が点灯の状態における近接検出の走査状態を説明する説明図である。第２電極制御部１５１は、発光素子部ＤＥＬが点灯の状態とするために、第１導電層３１の電圧Ｖａに対して第２導電層３２の電圧Ｖｋの差を順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬに近づけるように制御する。これにより、図１９に示すように、第１導電層３１と第２導電層３２との間に発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の順バイアス方向の電圧が印加される。このとき、第１電極ドライバ１４は、第１導電層３１と第２導電層３２との間に、パルスの立ち上がり方向が逆バイアス方向の駆動信号パルスＳｇを印加する。その結果、駆動信号パルスＳｇが印加された駆動選択期間Ｈｔｘを除いて、発光素子部ＤＥＬには発光駆動電圧ΔＶＦＬが印加される。

図２０を用いて時系列に沿って説明すると、まず、駆動電極Ｔｘ１から駆動電極Ｔｘ４となる第１導電層３１と第２導電層３２との間には、発光素子部ＤＥＬの発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の印加がされている。駆動信号パルスＳｇが駆動電極Ｔｘ１に印加されると、駆動信号パルスＳｇの印加に応じた近接検出信号Ｖｄｅｔが第３導電層３３（近接検出電極）より出力される。近接検出処理部４０は、駆動信号パルスＳｇの立ち上がり時又は立ち下がり時の少なくとも１つのタイミングにおいて、近接検出信号Ｖｄｅｔの電圧差分を検出する。これにより、入力装置２は、外部近接物体の近接を検出する。このとき、駆動信号パルスＳｇが印加されるので、駆動電極Ｔｘ１に対応する第１導電層３１と接続する発光素子部ＤＥＬだけが一時的に非点灯となる。そして、駆動電極Ｔｘ２から駆動電極Ｔｘ４に対応する第１導電層３１には、駆動信号パルスＳｇが印加されていない。このため、駆動電極Ｔｘ２から駆動電極Ｔｘ４に対応する第１導電層３１と接続する発光素子部ＤＥＬは、点灯している。このように、駆動電極Ｔｘ１に対応する第１導電層３１（駆動電極Ｔｘ１）に沿って、線状に発光素子部ＤＥＬが一時的に非点灯となる。

次に、駆動信号パルスＳｇが駆動電極Ｔｘ２に印加されると、駆動信号パルスＳｇの印加に応じた近接検出信号Ｖｄｅｔが第３導電層３３（近接検出電極）より出力される。近接検出処理部４０は、駆動信号パルスＳｇの立ち上がり時又は立ち下がり時の少なくとも１つのタイミングにおいて、近接検出信号Ｖｄｅｔの電圧差分を検出する。これにより、入力装置２は、外部近接物体の近接を検出する。駆動信号パルスＳｇが印加されるので、駆動電極Ｔｘ２に対応する第１導電層３１と接続する発光素子部ＤＥＬだけが一時的に非点灯となる。このとき、駆動電極Ｔｘ１、駆動電極Ｔｘ３及び駆動電極Ｔｘ４に対応する第１導電層３１には、駆動信号パルスＳｇが印加されていない。このため、駆動電極Ｔｘ１、駆動電極Ｔｘ３及び駆動電極Ｔｘ４に対応する第１導電層３１と接続する発光素子部ＤＥＬは、点灯している。このように、駆動電極Ｔｘ２に対応する第１導電層３１（駆動電極Ｔｘ２）に沿って、線状に発光素子部ＤＥＬが一時的に非点灯となる。同様に、次に駆動信号パルスＳｇが印加される、駆動電極Ｔｘ３、Ｔｘ４・・・Ｔｘｎの順にそれぞれ対応する第１導電層３１に沿って、線状に発光素子部ＤＥＬが一時的に非点灯となる。

発光素子部ＤＥＬの発光が抑制される駆動選択期間Ｈｔｘは、点灯期間Ｈｆｌと比べて短いため、発光素子部ＤＥＬの発光の消灯又は減光が認識されにくい。その結果、全体としてみれば、入力装置２は、フロントライトとして発光状態にある。そして、第１電極ドライバ１４は、駆動信号パルスＳｇを一定のタイミングで供給できる。これにより、フロントライトとして発光状態であっても、入力装置２の近接検出の精度が変化しない。なお、発光素子部ＤＥＬの点灯量は、電圧制御回路１７が制御する第２導電層３２の電圧Ｖｋに応じて変化する。

以上説明したように、実施形態１に係る入力装置２は、第１導電層３１が１つの層に形成される複数の第１導電層を備え、第２導電層３２が、平面視で、複数の第１導電層と重なり合う大きさを有する。発光素子部ＤＥＬが発光する第１導電層３１及び第２導電層３２との間の順バイアス方向の印加電圧に対して逆方向である逆バイアス方向にパルスが立ち上がる駆動信号パルスＳｇが、複数の第１導電層３１の一部に印加される。

具体的には、実施形態１に係る入力装置２は、第１導電層３１に電圧を供給する第１電極ドライバ１４と、第２導電層３２に電圧を供給する第２電極ドライバ１５と、第１基板２１の第１面２０１に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する第１導電層と第３導電層３３との間の電界の変化を駆動信号パルスＳｇに応答する近接検出信号Ｖｄｅｔとして検出する近接検出処理部４０とを備える。そして、上述したように、第１電極ドライバ１４は、第１導電層３１の一部の第１導電層を駆動電極の検出ブロックとして時分割で走査し、駆動信号パルスＳｇを走査した第１導電層３１の一部の第１導電層（駆動電極Ｔｘ）に供給する。

実施形態１に係る入力装置２は、フロントライトとして機能する場合、第２電極ドライバ１５が、第１導電層３１と第２導電層３２との間に順バイアス方向の印加電圧を加え、発光駆動電圧ΔＶＦＬを印加すると、発光素子部ＤＥＬを発光する。第２電極ドライバ１５は、発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電圧値を制御することにより、発光素子部ＤＥＬの発光量を制御する。

これにより、入力装置２は、複数の第１導電層３１の一部に駆動信号パルスＳｇが印加されても、発光素子部ＤＥＬの発光が抑制される。そして、入力装置２は、第１導電層３１の駆動電極Ｔｘに駆動信号パルスＳｇが印加されても、意図しない発光素子部ＤＥＬの発光を抑制することができる。

（実施形態２）
次に、実施形態２に係る入力装置２について説明する。図２１は、実施形態２に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。図２２は、実施形態２に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。図２３は、実施形態２に係る入力装置の第１導電層、第２導電層及び第３導電層の平面視の位置関係を説明するための説明図である。図２１の断面は、図２３のＣ−Ｃ’断面である。図２２の断面は、図２３のＤ−Ｄ’断面である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図２１、図２２及び図２３に示すように、実施形態２に係る入力装置２は、第１基板２１と、第１導電層３１と、第２導電層３２と、発光層２２と、第３導電層３３とを有する。第１導電層３１は、絶縁性の保護層２３で覆われている。絶縁性の保護層２３は、形成しなくてもよい。

図２１、図２２及び図２３に示すように、発光層２２は、平面視で、第２導電層３２の１つの第２導電層及び第１導電層３１の１つの第１導電層と重なり合う大きさを有している。図２３に示すように、発光層２２は、平面視で、島状に点在している。

具体的には、発光層２２は、図２１に示すように、第２面２０２側に突出する凸部２２ａを備えている。絶縁層２５は、第２導電層３２と発光層２２との間に形成されている。このため、発光層２２は、凸部２２ａで第２導電層３２にコンタクト部３６を介して電気的に接している。コンタクト部３６は、凸部２２ａで第２導電層３２に電気的に接している部分であり、言い換えれば、１つの第１導電層３１と１つの第２導電層３２とは、コンタクト部３６で発光層２２を介して電気的に導通する。

図２１及び図２２に示すように、第１導電層３１は、第１基板２１の第２面２０２側の１つの層に形成される導電性の導電層である。図２３に示すように、複数の第１導電層３１が平面視で一方向に連続して延びる形状を備えている。図２１に示すように、発光層２２の周りには、絶縁層２５がある。

図２１、図２２及び図２３に示すように、第２導電層３２及び第３導電層３３は、第１基板２１の第２面２０２側の１つの層に形成される導電性の導電層である。図２３に示すように、複数の第２導電層３２が平面視で一方向に連続して延びる形状を備える。同様に、複数の第３導電層３３が平面視で一方向に連続して延びる形状を備える。図２１及び図２２に示すように、第３導電層３３と、第１導電層３１との間には、絶縁層２５がある。

第１導電層３１が延びる方向を第１方向とし、第２導電層３２が延びる方向を第２方向とする。第１導電層３１と第３導電層３３とが平面視で交差するそれぞれの部分において、第１導電層３１には、第１導電層３１の第２方向の幅を狭くしている凹部３１Ｃがある。言い換えると、第３導電層３３とが平面視で交差する第１導電層３１の交差部３１Ｘの幅ｗ２は、第２導電層３２とが平面視で交差する部分の幅ｗ１よりも狭くなる。この構造により、第１導電層３１と第３導電層３３との間の静電容量が調整される。そして、平面視で隣合う第３導電層３３の間に延びる第１導電層３１の幅ｗ１を広くすることができ、第２導電層３２と第１導電層３１とが平面視で重なる距離を長くとることができる。

発光素子部ＤＥＬは、第１導電層３１と、発光層２２と、第２導電層３２とを有し、第１導電層３１と第２導電層３２とに順バイアス方向の電圧を印加されることで発光層２２の凸部２２ａが発光する。発光素子部ＤＥＬは、電圧が印加されると、発光層２２が発光層２２の形状に沿った発光をすることができる。これにより、平面視で部分的に発光部が生じ、入力装置２は、図８に示す表示部９に対して、光を照射することのできるフロントライトとして、機能する。

第１遮光部３２Ａは、第２導電層３２と同層に形成され、第２導電層３２が延びる第２方向と交差する第１方向に第２導電層３２の幅が広がる幅広部分である。第１遮光部３２Ａの第１方向の長さは、コンタクト部３６の第１方向の最大長さより長い。第１遮光部３２Ａは、第１基板２１の第１面２０１に垂直な方向でみると、コンタクト部３６を覆うことができる。これにより、コンタクト部３６の抵抗が下がり、発光素子部ＤＥＬの発光効率が向上する。

第１遮光部３２Ａは、遮光性を有している。第１遮光部３２Ａは、遮光性のある材料を問わない。第１遮光部３２Ａは、金属光沢を有する金属材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、及び、それらを含む合金等が発光層２２の発光を反射できるため、好ましい。また、第２導電層３２と同じ材料であると、形成しやすい。以上説明したように、発光素子部ＤＥＬは、第１遮光部３２Ａを備えることで、第１基板２１の第１面２０１側に光漏れすることを抑制することができる。

上述したように、第１導電層３１は、駆動信号パルスＳｇを印加する送信側の駆動電極Ｔｘであり、第３導電層３３は、上述した近接検出電極Ｒｘである（図７参照）。このため、入力装置２が近接検出動作を行う際、第３導電層３３は、第１基板２１の第１面２０１に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する第１導電層３１との間の電界の変化を近接検出処理部４０（図１参照）へ出力できる。

まず、入力装置２の製造方法としては、第１基板２１が用意され、第１基板２１の第２面２０２には、第２導電層３２及び第３導電層３３が同時にパターニングされる。次に、入力装置２は、第２導電層３２及び第３導電層３３を覆う絶縁性の絶縁層２５を形成する。次に、絶縁層２５の一部がウェットエッチング、ドライエッチング等によりエッチングされ、第２導電層３２のコンタクト部３６に対応する位置を露出させる。次に、絶縁層２５の表面及びコンタクト部３６を覆うように発光層２２がパターニングされて形成される。次に、入力装置２は、発光層２２の表面に、第１導電層３１の１つが重なるようにパターニングされる。次に、入力装置２は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の透光性の絶縁体で保護層２３が形成される。以上説明したように、実施形態２に係る入力装置２は、第２導電層３２及び第３導電層３３が同時に形成され、製造コストが低減できる。

入力装置２は、第２導電層３２及び第３導電層３３が同一の階層（同層）に形成されるので、厚みを薄くすることができる。

（実施形態２の変形例）
次に、実施形態２の変形例に係る入力装置２について説明する。図２４は、実施形態２の変形例に係る入力装置の第１導電層、第２導電層及び第３導電層の平面視の位置関係を説明するための説明図である。図２５は、実施形態２の変形例に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。図２５の断面は、図２４のＥ−Ｅ’断面である。なお、上述した実施形態１及び実施形態２で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図２４に示すように、複数の第１導電層３１の矩形の形状が平面視で連続して繋がり、延びる。第１導電層３１の形状は、矩形に限られず、ダイヤモンド形状、菱形状、面取りをした正方形状等の平面形状であってもよい。

発光層２２は、平面視で、複数の上記第２導電層及び第３導電層と重なり合う大きさを有している。例えば、発光層２２は、平面視で、第２面２０２を覆う大きさを有しているベタ膜である。発光層２２は、図２５に示すように、第１導電層３１と第２導電層３２との間に形成されている。このため、発光層２２の凸部２２ａは、第２導電層３２に電気的に接している。

第１遮光部３２Ａは、第２導電層３２と同層に形成され、第１導電層３１が延びる第１方向と交差する第２方向に第２導電層３２の幅が広がる幅広部分である。図２４に示すように、第１遮光部３２Ａは、実施形態２と異なり、平面視で第１導電層３１と交差する部分のうち、全ての部分に形成されておらず、発光層２２の凸部２２ａがある一部分に形成されている。

以上説明したように、実施形態２及び実施形態２の変形例に係る第１導電層３１は、発光素子部ＤＥＬの電極として機能するとともに、入力装置２の駆動電極Ｔｘとしても機能する。このため、入力装置２は、薄型となる。

実施形態２及び実施形態２の変形例に係る入力装置２は、実施形態１に係る入力装置２と同じ駆動制御で駆動できる。

（実施形態３）
次に、実施形態３に係る入力装置２について説明する。図２６は、実施形態３に係る入力装置の第１導電層及び第３導電層の平面視の位置関係を説明するための説明図である。図２７は、実施形態３に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。図２８は、実施形態３に係る入力装置の構造を模式的に示す断面図である。図２７に示す断面は、図２６のＦ−Ｆ’断面である。図２８に示す断面は、図２６に示すＧ−Ｇ’断面である。なお、上述した実施形態１、実施形態２、実施形態２の変形例で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図２６、図２７及び図２８に示すように、実施形態３に係る入力装置２は、第１基板２１と、第１導電層３１と、第２導電層３２と、発光層２２と、第３導電層３３と、絶縁層２５と、第４導電層３５Ｂと、第５導電層３５Ａと、を有する。第２導電層３２は、絶縁性の保護層２３で覆われている。絶縁性の保護層２３は、形成しなくてもよい。

図２７及び図２８に示すように、第１導電層３１は、第１基板２１の第２面２０２側の１つの層に形成される導電性の導電層である。図２７及び図２８に示すように、第１導電層３１は、複数の第１導電層が平面視で点在する島状を備え、発光層２２との間には、絶縁層２５がある。導電性の第５導電層３５Ａは、第３導電層３３で分断された隣合う第１導電層３１の端部同士をコンタクト部３６Ａ、３６Ｂで接続し、第３導電層と絶縁された状態で隣合う第１導電層を跨ぐ。これにより、図２６に示すように、第１導電層３１が第５導電層３５Ａで接続される方向は、一方向に延びる。

図２７及び図２８に示すように、第３導電層３３は、第１基板２１の第２面２０２側の１つの層に形成される導電性の導電層である。図２６に示すように、第３導電層３３は、複数の第３導電層が、平面視で第１導電層３１が延びる第１方向と交差する第２方向に連続して延びる矩形の形状を備える。図２７及び図２８に示すように、第３導電層３３と、発光層２２とは対向していない。第１導電層３１と、第３導電層３３とは、絶縁層２５で絶縁されている。

第１導電層３１の形状は、矩形に限られず、ダイヤモンド形状、菱形状、面取りをした正方形状等の平面形状であってもよく、平面視で、絶縁されつつ、複数の第３導電層３３のうち隣合う第３導電層３３の間の開口を埋める形状であればよい。同様に、第３導電層３３の形状は、矩形に限られず、ダイヤモンド形状、菱形状、面取りをした正方形状等の平面形状を第２方向に電気的に接続した形状でもよく、平面視で、絶縁されつつ、複数の第１導電層３１のうち隣合う第１導電層３１の間の開口を埋める形状であればよい。

第１導電層３１の形状は、幅広であるので、例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明性を有する透光性導電性材料である。これにより、観察者に対し、表示部９からの画像を明るく表示することができる。第３導電層３３の形状は、幅広であるので、例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明性を有する透光性導電性材料である。これにより、観察者に対し、表示部９からの画像を明るく表示することができる。

図２７及び図２８に示すように、第２導電層３２、第１基板２１の第２面２０２側の１つの層に形成される導電性の導電層である。図２６に示すように、複数の第２導電層３２が平面視で一方向に連続して延びる形状を備える。第２導電層３２と発光層２２との間には、絶縁層２５がある。第２導電層３２は、例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明性を有する透光性導電性材料又は導電性の金属材料で形成されている。

図２７及び図２８に示すように、第３導電層３３は、第１基板２１の第２面２０２側の１つの層に形成される導電性の導電層を備え、第３導電層が第１導電層３１と同層に形成される。図２６に示すように、第３導電層３３は、複数の第３導電層が、平面視で一方向に連続して延びる形状を備える。第３導電層３３は、複数の第３導電層が、平面視で、第１導電層３１と同方向に延び、交差することがない。例えば、第３導電層３３は、複数の第３導電層が、平面視で、第１導電層３１と平行に延びている。

図２６及び図２７に示すように、発光層２２は、平面視で、第２導電層３２の１つの第２導電層及び第１導電層３１の１つの第１導電層と重なり合う大きさを有している。つまり、発光層２２は、平面視で、島状に点在している。

具体的には、発光層２２は、図２７に示すように、第２面２０２側に突出する凸部２２ａを備えている。絶縁層２５は、第１導電層３１と発光層２２との間に形成されている。そして、絶縁層２５は、発光層２２の周囲を覆っている。このため、発光層２２は、凸部２２ａで第１導電層３１に第４導電層３５Ｂを介して電気的に接している。コンタクト部３６Ｃは、凸部２２ａで第１導電層３１に第４導電層３５Ｂを介して電気的に接している部分であり、言い換えれば、第１導電層３１の１つの第１導電層と第２導電層３２の１つの第２導電層とは、コンタクト部３６Ｃで電気的に導通する。

発光素子部ＤＥＬは、第１導電層３１と、発光層２２と、第２導電層３２とを有し、第１導電層３１と第２導電層３２とに順バイアス方向の電圧を印加されることで発光層２２が発光する。発光素子部ＤＥＬは、電圧が印加されると、発光層２２の凸部２２ａが第１導電層３１に導通する第４導電層３５Ｂの形状に沿った発光をすることができる。これにより、平面視で部分的に発光部が生じ、入力装置２は、図８に示す表示部９に対して、光を照射することのできるフロントライトとして、機能する。

図２６に示すように、実施形態３に係る入力装置２は、第１導電層３１が幅広であるので、発光素子部ＤＥＬ（第４導電層３５Ｂ）を配置する場所の自由度が大きい。

まず、入力装置２の製造方法としては、第１基板２１が用意され、第１基板２１の第２面２０２には、第１導電層３１及び第３導電層３３が同時にパターニングされる。次に、入力装置２の製造方法としては、第１導電層３１及び第３導電層３３を覆う絶縁性の絶縁層２５を形成する。次に、絶縁層２５の一部がウェットエッチング、ドライエッチング等によりエッチングされ、第１導電層３１のコンタクト部３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃに対応する位置を露出させる。次に、入力装置２は、第３導電層３３で分断された第１導電層３１の端部同士を接続するように、絶縁層２５の表面及びコンタクト部３６Ａ、３６Ｂに第５導電層３５Ａを形成する。同時に、コンタクト部３６Ｃには、第４導電層３５Ｂを形成する。次に、第４導電層３５Ｂを覆うように発光層２２が形成される。次に、入力装置２は、発光層２２に重なるように、第２導電層３２がパターニングされて形成される。次に、入力装置２は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の透光性の絶縁体で保護層２３が形成される。以上説明したように、実施形態２に係る入力装置２は、第１導電層３１及び第３導電層３３が同時に形成され、製造コストが低減できる。

以上説明したように、実施形態３に係る第１導電層３１は、発光素子部ＤＥＬの電極として機能するとともに、入力装置２の駆動電極Ｔｘとしても機能する。このため、入力装置２は、薄型となる。

実施形態３に係る入力装置２は、実施形態１に係る入力装置２と同じ駆動制御で駆動できる。

（実施形態３の変形例）
次に、実施形態３の変形例に係る入力装置２について説明する。図２９は、実施形態３の変形例に係る入力装置において、コンタクト部の照射光を説明するための拡大断面図である。図２９に示す断面は、図２６のＦ−Ｆ’断面の一部分の変形例である。図３０は、比較例に係る入力装置の照射光を説明するための拡大断面図である。なお、上述した実施形態１及び実施形態２で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図２９に示すように、発光層２２は、コンタクト部３６Ｃの第２面２０２と平行な断面の面積が、第２面２０２に近づくにつれて小さくなるように凸部が形成されている。コンタクト部３６Ｃは、金属光沢を有する金属で形成される第４導電層３５Ｂであり、凸部の側面３５Ｒが第２面２０２に対して傾斜する傾斜面である。

図３０に示すように、比較例に係る発光層２２は、第１導電層３１の複数の第１導電層と直接接しており、接している面は、平坦に近い。このため、比較例に係る発光層２２が発光する放射状の光ＬＦ１１、ＬＦ１２、ＬＦ１３のうち、図８に示す入力装置２からＬＦ１方向側に光を照射することができるのは、光ＬＦ１１、ＬＦ１２である。

これに対し、図２９に示すように、実施形態３の変形例の発光層２２が発光する放射状の光ＬＦ１３は、凸部の側面３５Ｒで反射され、角度が図８に示す入力装置２からＬＦ１方向側に向くようにできる。このため、発光層２２が発光する放射状の光ＬＦ１１、ＬＦ１２、ＬＦ１３のうち、図８に示す入力装置２からＬＦ１方向側に光を照射することができるのは、光ＬＦ１１、ＬＦ１２、ＬＦ１３とすることができ、実施形態３の変形例に係る入力装置２は、フロントライトとして発光効率を向上させることができる。

以上説明した実施形態３の変形例に係る入力装置２は、実施形態１に係る入力装置２と同じ駆動制御で駆動できる。

（実施形態４）
次に、図１、図６、図７、図１２、図３１から図３７を用いて、実施形態４に係る入力装置２の駆動制御について説明する。図３１は、面内の複数の発光素子部の点灯状態を説明するための説明図である。図３２は、発光素子部が非点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。図３３は、発光素子部が点灯の状態において、駆動電極選択期間の第１導電層及び第２導電層の電圧を説明するための説明図である。図３４は、実施形態４に係る駆動制御において、点灯要求期間と、近接検出期間とが重ならない場合のタイミングチャートである。実施形態４に係る入力装置２は、実施形態２の入力装置２を例示して説明するが、上述した実施形態３及び実施形態３の変形例で説明したいずれの入力装置にも適用することができる。なお、上述した実施形態２及び実施形態３で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

上述したように、実施形態１から実施形態３に係る入力装置において、フロントライトとして面全体を発光状態とさせることができる駆動制御が例示されている。実施形態４に係る入力装置２において、フロントライトとして面全体を発光状態とさせるのみならず、フロントライトとして面内の任意の場所を部分的に発光状態とさせる駆動制御について、説明する。図３１から図３７において、第１導電層３１が発光素子部ＤＥＬのアノードであり、第２導電層３２が発光素子部ＤＥＬのカソードとして説明する。なお、上述した他の実施形態のように、第１導電層３１が発光素子部ＤＥＬのカソードであり、第２導電層３２が発光素子部ＤＥＬのアノードとしてもよい。

図３１に示すように、入力装置２は、複数の発光素子部ＤＥＬを面内で部分的に点灯状態ＬＯＮと、非点灯状態ＬＯＦＦとにそれぞれ分けて制御することができる。図１２に示す画像解析部１６は、要求される図３１に示すような点灯状態ＬＯＮと、非点灯状態ＬＯＦＦとを識別して、ＥＬ点灯タイミング生成回路１８に、点灯要求信号ＥＬｒｅｑ１、ＥＬｒｅｑ２を生成させる。第１電極制御部１４１は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、Ｔｘタイミング合成回路１９を制御する。

入力装置２は、近接検出動作を行う際、図１に示す第１電極ドライバ１４が、図７に示す駆動電極Ｔｘを時分割的に線順次走査するように駆動する。これにより、駆動電極Ｔｘとして、第１導電層３１の一部が順次選択される。そして、入力装置２は、駆動信号パルスＳｇの印加に応じた近接検出信号Ｖｄｅｔが第３導電層３３（近接検出電極Ｒｘ）より出力される。なお、入力装置２は、第１電極ドライバ１４が、図７に示す駆動電極Ｔｘを複数まとめて１検出ブロックとして時分割的に線順次走査するように駆動してもよい。

図３２に示すように、第１電極ドライバ１４が第１導電層３１の一部を駆動電極Ｔｘとして、駆動選択期間Ｈｔｘに、駆動信号パルスＳｇを印加している。そして、図３２に示すように、第２電極ドライバ１５は、第１導電層３１の電圧Ｖａの駆動信号パルスＳｇの高電位（Ｈレベル）と同程度の第２導電層３２の電圧Ｖｋを印加している。また、同じ駆動信号パルスＳｇの低電位（Ｌレベル）に対して、第２導電層３２の電圧Ｖｋが発光素子部ＤＥＬにとっての逆バイアス方向での電圧印加となっている。

第１導電層３１の電圧Ｖａと第２導電層３２の電圧Ｖｋとの関係は、同電圧又は逆バイアス方向の電圧となっているので、発光素子部ＤＥＬの発光が消灯又は減光状態（以下、非点灯という。）となる。このように、第２導電層３２に印加される図３２に示す電圧Ｖｋは、発光素子部ＤＥＬの点灯を非選択とする点灯非選択電圧といえる。第２導電層３２に図３２に示す電圧Ｖｋが印加されている場合、駆動信号パルスＳｇの印加の有無に関わらず、発光素子部ＤＥＬが非点灯となる。ここで同電圧とは、第１導電層３１の電圧Ｖａと第２導電層３２の電圧Ｖｋの電圧差が発光素子部ＤＥＬにとっての順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬより小さい電圧であればよい。

図３３に示すように、第１電極ドライバ１４が第１導電層３１の一部を駆動電極Ｔｘとして、駆動選択期間Ｈｔｘに、駆動信号パルスＳｇを印加している。図３３に示すように、第２電極ドライバ１５は、第１導電層３１の電圧Ｖａの駆動信号パルスＳｇの高電位（Ｈレベル）に対して、発光素子部ＤＥＬの順方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電位差で、第２導電層３２の電圧Ｖｋを印加している。また、同じ駆動信号パルスＳｇの低電位（Ｌレベル）に対して、第２導電層３２の電圧Ｖｋが発光素子部ＤＥＬにとっての逆バイアス方向での電圧印加となっている。これにより、第１導電層３１に駆動信号パルスＳｇの印加がある駆動選択期間Ｈｔｘだけ、発光素子部ＤＥＬが点灯する。第２導電層３２に印加される図３３に示す電圧Ｖｋは、発光素子部ＤＥＬの点灯を選択する点灯選択電圧といえる。駆動信号パルスＳｇの低電位（Ｌレベル）が第１導電層３１に印加されている場合には、発光素子部ＤＥＬが非点灯となる。

図３３に示すように、第２導電層３２の電圧Ｖｋが駆動信号パルスＳｇの低電位（Ｌレベル）よりも高い。このように、第２導電層３２の電圧Ｖｋが駆動信号パルスＳｇの低電位（Ｌレベル）よりも、発光素子部ＤＥＬにとって逆バイアス方向の電圧にしておく必要がある。第２導電層３２の電圧Ｖｋが駆動信号パルスＳｇの低電位（Ｌレベル）よりも低くすると、発光素子部ＤＥＬにとって順方向の電圧差が印加され、駆動信号パルスＳｇの有無に関わらず、点灯状態となり、図３１に示す非点灯状態ＬＯＦＦを実現できなくなるからである。

図３２及び図３３に示しているのは、図１２に示すように、駆動電極Ｔｘ１からＴｘｎとなる各第１導電層３１と、駆動電極Ｔｙ１からＴｙｐとなる各第２電極層３２とが平面視で重なり合った位置にある発光素子部ＤＥＬへの電圧印加状態である。図３１に示す複数の発光素子部ＤＥＬは、図１２に示す駆動電極Ｔｘ１からＴｘｎのうち駆動電極Ｔｘ１からＴｘ３と、図１２に示す駆動電極Ｔｙ１からＴｙｐのうち駆動電極Ｔｙ１からＴｙ３とにそれぞれマトリクス状に接続されている。

図１２に示すように、制御部１１は、画像解析部１６が要求する点灯量情報ＡＥＬに基づいて、ＥＬ点灯タイミング生成回路１８に、点灯要求信号ＥＬｒｅｑ１、ＥＬｒｅｑ２を生成させる。ＥＬ点灯タイミング生成回路１８は、各発光素子部ＤＥＬの点灯量に応じた電圧となるように、点灯要求信号ＥＬｒｅｑ１と点灯要求信号ＥＬｒｅｑ２との電圧差を生成する。点灯要求信号ＥＬｒｅｑ１に応じて、図３２に示す点灯非選択電圧とする場合、図３４に示すように、第２電極ドライバ１５が駆動電極Ｔｙ１からＴｙ３に対して高電位の電圧を印加する。点灯要求信号ＥＬｒｅｑ１に応じて、図３３に示す点灯選択電圧とする場合、図３４に示すように、第２電極ドライバ１５が駆動電極Ｔｙ１からＴｙ３に対して低電位の電圧を印加する。このときの低電位の印加が点灯パルスＳｅｌとなる。

図３４に示すタイミングチャートは、複数の発光素子部ＤＥＬのうちいずれかの発光素子部ＤＥＬが点灯する第２期間（点灯要求期間）Ｈ２と、駆動信号パルスＳｇの駆動選択期間Ｈｔｘのある第３期間（近接検出期間）Ｈ３と、が重なり合わない第１期間Ｈ１の場合を示している。

図３４に示す第２期間Ｈ２において、第１電極ドライバ１４は、点灯要求信号ＥＬｒｅｑ２に基づいて、増幅された駆動信号パルスＳｇをスキャン方向Ｓｃａｎに順次選択された入力装置２の駆動電極Ｔｘ１からＴｘ３（第１導電層３１の一部）に供給する。第２電極ドライバ１５は、点灯要求信号ＥＬｒｅｑ１に基づいて点灯パルスＳｅｌを生成し、駆動選択期間Ｈｔｙに、第２導電層３２のうち選択された電極Ｔｙ１から電極Ｔｙ３のいずれかに点灯パルスＳｅｌを供給する。

図３１に示すように、第１電極ドライバ１４は、駆動選択期間Ｈｔｘに、駆動信号パルスＳｇを印加している。複数の発光素子部ＤＥＬは、駆動電極Ｔｘ１からＴｘ３と、駆動電極Ｔｙ１からＴｙ３とにそれぞれマトリクス状に接続されているので、駆動信号パルスＳｇと、点灯パルスＳｅｌとが同時間で印加された発光素子部ＤＥＬだけが点灯状態ＬＯＮとなる。

図３１及び図３４に示すように、駆動電極Ｔｘ１及び電極Ｔｙ１の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり、同時に印加される。駆動信号パルスＳｇ及び点灯パルスＳｅｌが同時に印加された発光素子部ＤＥＬには、順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが点灯状態ＬＯＮになる。

図３１及び図３４に示すように、駆動電極Ｔｘ１及び電極Ｔｙ２の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり合わず、同時に印加されない。駆動信号パルスＳｇのみが印加された発光素子部ＤＥＬは、逆バイアス方向の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが非点灯状態ＬＯＦＦになる。

図３１及び図３４に示すように、駆動電極Ｔｘ１及び電極Ｔｙ３の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり、同時に印加される。駆動信号パルスＳｇ及び点灯パルスＳｅｌが同時に印加された発光素子部ＤＥＬには、順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが点灯状態ＬＯＮになる。

図３１及び図３４に示すように、駆動電極Ｔｘ２及び電極Ｔｙ１の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり合わず、同時に印加されない。駆動信号パルスＳｇのみが印加された発光素子部ＤＥＬは、逆バイアス方向の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが非点灯状態ＬＯＦＦになる。

図３１及び図３４に示すように、駆動電極Ｔｘ２及び電極Ｔｙ２の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり、同時に印加される。駆動信号パルスＳｇ及び点灯パルスＳｅｌが同時に印加された発光素子部ＤＥＬには、順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが点灯状態ＬＯＮになる。

また、駆動電極Ｔｘ２及び電極Ｔｙ３の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが同時に印加される。駆動信号パルスＳｇ及び点灯パルスＳｅｌが印加された発光素子部ＤＥＬには、順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが点灯状態ＬＯＮになる。

図３１及び図３４に示すように、駆動電極Ｔｘ３及び電極Ｔｙ１の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり合わず、同時に印加されない。駆動信号パルスＳｇのみが印加された発光素子部ＤＥＬは、逆バイアス方向の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが非点灯状態ＬＯＦＦになる。

図３１及び図３４に示すように、駆動電極Ｔｘ３及び電極Ｔｙ２の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり、同時に印加される。駆動信号パルスＳｇ及び点灯パルスＳｅｌが印加された発光素子部ＤＥＬには、順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが点灯状態ＬＯＮになる。

また、図３１及び図３４に示すように、駆動電極Ｔｘ３及び電極Ｔｙ３の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり合わず、同時に印加されない。駆動信号パルスＳｇのみが印加された発光素子部ＤＥＬは、逆バイアス方向の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが非点灯状態ＬＯＦＦになる。

以上により、図３４に示す第２期間Ｈ２において、実施形態４に係る第１電極ドライバ１４及び第２電極ドライバ１５は、図３１に示すように複数の発光素子部ＤＥＬを部分的に点灯状態ＬＯＮと、非点灯状態ＬＯＦＦとにそれぞれ分けて、点灯するように制御することができる。そして、第２期間Ｈ２において、近接検出処理部４０は、駆動信号パルスＳｇの検出をしていないか、検出しても駆動選択期間Ｈｔｘとして扱わない。

図３４に示す第２期間Ｈ２において、点灯パルスＳｅｌは、単独の電圧差が順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬを超えない。これにより、複数の発光素子部ＤＥＬを部分的に点灯状態ＬＯＮと、非点灯状態ＬＯＦＦとにそれぞれ分けることができる。

図３４に示す第３期間Ｈ３においては、駆動信号パルスＳｇのみが印加された発光素子部ＤＥＬは、逆バイアス方向の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが非点灯状態ＬＯＦＦになる。上述したように、駆動電極Ｔｙ１からＴｙ３に対して高電位の電圧を印加しているので、第２導電層３２に図３２に示す電圧Ｖｋが印加されている場合と同じとなり、駆動信号パルスＳｇの印加の有無に関わらず、発光素子部ＤＥＬが非点灯となる。近接検出処理部４０は、駆動信号パルスＳｇの立ち上がり時又は立ち下がり時の少なくとも１つのタイミングにおいて、近接検出信号Ｖｄｅｔの電圧差分を検出する。これにより、入力装置２は、外部近接物体の近接を検出することができる。

図３５は、実施形態４に係る駆動制御において、点灯要求期間と、近接検出期間とが重なる場合のタイミングチャートである。図３５に示すタイミングチャートは、複数の発光素子部ＤＥＬのうちいずれかの発光素子部ＤＥＬが点灯する第２期間（点灯要求期間）Ｈ２と、駆動信号パルスＳｇの駆動選択期間Ｈｔｘのある第３期間（近接検出期間）Ｈ３と、が重なり合う第１期間Ｈ１の場合を示している。

図３５に示すように、駆動電極Ｔｘ１及び電極Ｔｙ１の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり、同時に印加される。駆動信号パルスＳｇ及び点灯パルスＳｅｌが同時に印加された発光素子部ＤＥＬには、順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが点灯状態ＬＯＮになる。このように、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なる期間が、点灯期間Ｈｆｌとなり、駆動電極Ｔｘ１及び電極Ｔｙ１の交差部分にある発光素子部ＤＥＬが点灯状態ＬＯＮになる。このとき、近接検出処理部４０は、駆動信号パルスＳｇの矢印で示す立ち上がり時の電圧差分を検出する。これにより、入力装置２は、外部近接物体の近接を検出することができる。

図３５に示すように、第１電極ドライバ１４は、発光素子部ＤＥＬの点灯、非点灯によらず駆動信号パルスＳｇを一定のタイミングで供給できる。これにより、発光素子部ＤＥＬが点灯又は非点灯のいずれの状態であっても、入力装置２の近接検出の精度が変化しない。

図３５に示すように、駆動電極Ｔｘ１及び電極Ｔｙ２の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり合わず、同時に印加されない。駆動信号パルスＳｇのみが印加された発光素子部ＤＥＬは、逆バイアス方向の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが非点灯状態ＬＯＦＦになる。

図３５に示すように、駆動電極Ｔｘ１及び電極Ｔｙ３の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり、同時に印加される。駆動信号パルスＳｇ及び点灯パルスＳｅｌが同時に印加された発光素子部ＤＥＬには、順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが点灯状態ＬＯＮになる。

図３５に示すように、駆動電極Ｔｘ２及び電極Ｔｙ１の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり合わず、同時に印加されない。駆動信号パルスＳｇのみが印加された発光素子部ＤＥＬは、逆バイアス方向の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが非点灯状態ＬＯＦＦになる。

図３５に示すように、駆動電極Ｔｘ２及び電極Ｔｙ２の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なる点灯期間Ｈｆｌで、同時に印加される。駆動信号パルスＳｇ及び点灯パルスＳｅｌが印加された発光素子部ＤＥＬには、順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが点灯状態ＬＯＮになる。このとき、近接検出処理部４０は、駆動信号パルスＳｇの矢印で示す立ち上がり時の電圧差分を検出する。これにより、入力装置２は、外部近接物体の近接を検出することができる。

また、駆動電極Ｔｘ２及び電極Ｔｙ３の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なる点灯期間Ｈｆｌで、同時に印加される。駆動信号パルスＳｇ及び点灯パルスＳｅｌが印加された発光素子部ＤＥＬには、順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが点灯状態ＬＯＮになる。

図３５に示すように、駆動電極Ｔｘ３及び電極Ｔｙ１の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり合わず、同時に印加されない。駆動信号パルスＳｇのみが印加された発光素子部ＤＥＬは、逆バイアス方向の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが非点灯状態ＬＯＦＦになる。

図３５に示すように、駆動電極Ｔｘ３及び電極Ｔｙ２の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なる点灯期間Ｈｆｌで、同時に印加される。駆動信号パルスＳｇ及び点灯パルスＳｅｌが印加された発光素子部ＤＥＬには、順バイアス方向の発光駆動電圧ΔＶＦＬ以上の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが点灯状態ＬＯＮになる。

また、図３５に示すように、駆動電極Ｔｘ３及び電極Ｔｙ３の交差部分にある発光素子部ＤＥＬには、駆動選択期間Ｈｔｘの駆動信号パルスＳｇ及び駆動選択期間Ｈｔｙの点灯パルスＳｅｌが重なり合わず、同時に印加されない。駆動信号パルスＳｇのみが印加された発光素子部ＤＥＬは、逆バイアス方向の電圧が印加されるので、発光素子部ＤＥＬが非点灯状態ＬＯＦＦになる。このとき、近接検出処理部４０は、駆動信号パルスＳｇの矢印で示す立ち上がり時の電圧差分を検出する。これにより、入力装置２は、外部近接物体の近接を検出することができる。

図３６は、実施形態４に係る駆動制御において、点灯要求期間と、近接検出期間とが重なる場合の他のタイミングチャートである。図３６に示すように、近接検出処理部４０は、駆動信号パルスＳｇの矢印で示す立ち下がり時の電圧差分を検出する。これにより、入力装置２は、外部近接物体の近接を検出することができる。

図３７及び図３８は、実施形態４に係る入力装置の領域別調光制御を説明するための説明図である。以上説明したように、実施形態４に係る入力装置は、複数の発光素子部ＤＥＬを備え、それぞれの発光素子部ＤＥＬを点灯状態ＬＯＮと、非点灯状態ＬＯＦＦとにそれぞれ制御することができる。実施形態４に係る第１電極ドライバ１４及び第２電極ドライバ１５は、図３７に示すように、実線で示す駆動電極Ｔｘ１からＴｘｎに駆動信号パルスＳｇを印加し、かつ実線で示す電極Ｔｙ１からＴｙｐに、駆動信号パルスＳｇと同時に、点灯パルスＳｅｌを印加する。これにより、実施形態４に係る第１電極ドライバ１４及び第２電極ドライバ１５は、全面を点灯状態ＬＯＮとしたフロントライトとすることができる。

実施形態４に係る第１電極ドライバ１４及び第２電極ドライバ１５は、図３８に示すように、実線で示す駆動電極Ｔｘ１からＴｘｎの一部に駆動信号パルスＳｇを印加し、かつ実線で示す電極Ｔｙ１からＴｙｐの一部に、駆動信号パルスＳｇと同時に、点灯パルスＳｅｌを印加する。これにより、実施形態４に係る第１電極ドライバ１４及び第２電極ドライバ１５は、面内のうち一部を点灯状態ＬＯＮ、他の部分を非点灯状態ＬＯＦＦとした領域別の調光制御を行うことができる。

また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

（本態様の構成）
また、本実施形態は、以下の構成をとることもできる。

（１）第１面及び第２面を備える第１基板と、
前記第２面側の１つの層に形成される複数の第１導電層と、前記第１導電層と異なる層に形成され、かつ前記第２面側の１つの層に形成される複数の第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に形成され、前記第１導電層及び前記第２導電層と電気的に接する発光層と、を含む発光素子部と、
前記第１導電層及び前記第２導電層と絶縁されて形成され、平面視で前記第２導電層と交差せず、前記第１導電層と前記第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する前記第１導電層との間の電界の変化を検出するための複数の第３導電層と、を備える、入力装置。

（２）前記第３導電層は、平面視で一方向に連続して延び、平面視で前記第２導電層と同方向に延びている、（１）に記載の入力装置。

（３）前記第１導電層は、平面視で一方向に連続して延び、平面視で第２導電層及び第３導電と交差する、（１）又は（２）に記載の入力装置。

（４）前記発光層は、平面視で、複数の前記第１導電層及び複数の前記第２導電層と重なり合う大きさを有する、
（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の入力装置。

（５）前記発光素子部は、前記発光層が前記第２導電層に電気的に接するコンタクト部の形状に沿った発光が可能である、（４）に記載の入力装置。

（６）前記第１導電層が延びる方向を第１方向とし、第２導電層が延びる方向を第２方向とした場合、
前記発光素子部は、前記発光層よりも前記第１面寄りに第１遮光部を備え、
前記第１遮光部は、前記第２導電層と同層に形成され、前記第１方向に前記第２導電層の幅が広がる幅広部分であり、前記第１方向の長さは、前記コンタクト部の前記第１方向の最大長さより長い、（５）に記載の入力装置。

（７）前記第３導電層は、前記第２導電層と同層に形成される、
（１）乃至（６）のいずれか１つに記載の入力装置。

（８）前記第３導電層は、前記第１導電層と同層に形成される、
（１）又は（２）のいずれか１つに記載の入力装置。

（９）前記第１導電層は、絶縁層を介して前記発光層に積層され、
前記第１導電層と前記第２導電層とが交差する部分には、前記第１導電層に接する第４導電層を備え、
前記第４導電層は、前記発光層の一部とコンタクト部で電気的に接続されている、（８）に記載の入力装置。

（１０）前記第４導電層は、金属光沢を有する金属材料で形成されている（９）に記載の入力装置。

（１１）前記第１導電層は、絶縁層を介して前記発光層に積層され、かつ平面視で点在する島状であり、
前記第１導電層と前記第３導電層とが交差する部分には、前記第３導電層を挟む前記第１導電層の端部同士を接続し、前記第３導電層と絶縁された状態で前記第３導電層を跨ぐ導電性の第５導電層を複数備え、前記第５導電層で接続される第１方向が一方向に延び、
前記第３導電層は、前記発光層に前記絶縁層を介して積層され、かつ平面視で前記第５導電層で接続される前記第１方向と交差する第２方向に連続して延びる形状を備える、（１）、（２）、（３）又は（１０）に記載の入力装置。

（１２）前記第１導電層の第１導電層の外形形状は、平面視で、絶縁されつつ、複数の前記第３導電層のうち隣合う前記第３導電層の間の開口を埋める形状である、（１１）に記載の入力装置。

（１３）前記第１導電層及び前記第２導電層は、透光性導電材料である、（１１）又は（１２）に記載の入力装置。

（１４）前記発光層は、前記コンタクト部の前記第２面と平行な断面の面積が、前記第２面に近づくにつれて小さくなるように凸部が形成されており、
前記第４導電層は、金属光沢を有する金属で形成され、前記凸部の側面が前記第２面に対して傾斜する傾斜面を覆う、（９）に記載の入力装置。

（１５）前記発光層は、平面視で、１つの前記第１導電層及び１つの前記第２導電層に重なり合う大きさを有する、（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の入力装置。

（１６）前記発光層は、平面視で複数島状に配置され、かつ前記第２面側に突出する複数の凸部を備え、
前記第１導電層の一部が導電性の第４導電層を介して、前記発光層の凸部に接続している、（１５）に記載の入力装置。

（１７）前記発光層は、有機発光層である、（１）乃至（１６）のいずれか１つに記載の入力装置。

（１８）前記第１導電層、前記第２導電層及び前記第３導電層が、前記第１基板の第２面側にある、（１）乃至（１７）のいずれか１つに記載の入力装置。

（１９）第１面及び第２面を備える第１基板と、
前記第２面側の１つの層に形成される複数の第１導電層と、前記第１導電層と異なる層に形成され、かつ前記第２面側の１つの層に形成される複数の第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に形成され、前記第１導電層及び前記第２導電層と電気的に接する発光層と、を含む発光素子部と、
前記第１導電層及び前記第２導電層と絶縁されて形成され、平面視で前記第２導電層と交差せず、前記第１導電層と前記第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する前記第１導電層との間の電界の変化を検出するための複数の第３導電層と、を備え、
前記発光素子部が発光する前記第１導電層と前記第２導電層との間の順バイアス方向の印加電圧に対して逆方向である逆バイアス方向にパルスが立ち上がる駆動信号パルスが複数の前記第１導電層の一部に印加される、入力装置。

（２０）前記第１導電層に電圧を供給する第１電極ドライバと、
前記第２導電層に電圧を供給する第２電極ドライバと、
前記第１基板の第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する第１導電層と前記第３導電層との間の電界の変化を前記駆動信号パルスに応答する近接検出信号として処理する近接検出処理部と、をさらに備え、
前記第１電極ドライバは、前記第１導電層の一部を駆動電極として時分割で走査し、前記駆動信号パルスを走査した前記第１導電層の一部に供給する、（１９）に記載の入力装置。

（２１）前記第１導電層に電圧を供給する第１電極ドライバと、
前記第２導電層に電圧を供給する第２電極ドライバと、
前記第１基板の第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する第１導電層と前記第３導電層との間の電界の変化を前記駆動信号パルスに応答する近接検出信号として処理する近接検出処理部と、をさらに備え、
前記第２電極ドライバは、前記第１導電層と前記第２導電層との間に順バイアス方向の印加電圧を加え、前記発光素子部を発光させる、（１９）又は（２０）に記載の入力装置。

（２２）前記第１導電層に電圧を供給する第１電極ドライバと、
前記第２導電層に電圧を供給する第２電極ドライバと、
前記第１基板の第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する前記第１導電層と前記第３導電層との間の電界の変化を前記駆動信号パルスに応答する近接検出信号として処理する近接検出処理部と、をさらに備え、
前記第２電極ドライバは、前記順バイアス方向にパルスが立ち上がる点灯パルスを印加し、前記駆動信号パルスと同時に印加された前記点灯パルスに応じて前記発光素子部を発光させる、（１９）又は（２０）に記載の入力装置。

（２３）第１面及び第２面を備える第１基板と、
前記第２面側の１つの層に形成される複数の第１導電層と、前記第１導電層と異なる層に形成され、かつ前記第２面側の１つの層に形成される複数の第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に形成され、前記第１導電層及び前記第２導電層と電気的に接する発光層と、を含む発光素子部と、
前記第１導電層及び前記第２導電層と絶縁されて形成され、平面視で前記第２導電層と交差せず、前記第１導電層と前記第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する前記第１導電層との間の電界の変化を検出するための複数の第３導電層と、を備える入力装置と、
前記入力装置の前記第２面側に配置され、前記第１面側に画像を表示可能な表示部を備える表示装置。

１ 表示装置
２ 入力装置
９ 表示部
１１ 制御部
１２ ゲートドライバ
１３ ソースドライバ
１４ 第１電極ドライバ
１５ 第２電極ドライバ
２１ 第１基板
２２ 発光層
２２ａ 凸部
２３ 保護層
２５ 絶縁層
３１ 第１導電層
３２ 第２導電層
３２Ａ 第１遮光部
３３ 第３導電層
３５Ｒ 側面
３５Ｂ 第４導電層
３５Ａ 第５導電層
３６、３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃ コンタクト部
４０ 近接検出処理部
９１ アレイ基板
９２ 対向基板
９３ 液晶層
９４ 画素電極
９５ 対向電極
９６ カラーフィルタ
９７ 副画素
９９ スイッチング素子
１４１ 第１電極制御部
１５１ 第２電極制御部
２０１ 第１面
２０２ 第２面
ＤＥＬ 発光素子部
Ｓｃａｎ スキャン方向
Ｓｅｌ 点灯パルス
Ｓｇ 駆動信号パルス
ΔＶＦＬ 発光駆動電圧

Claims (18)

1. 第１面及び第２面を備える第１基板と、
   前記第２面側の１つの層に形成される複数の第１導電層と、前記第１導電層と異なる層に形成され、かつ前記第２面側の１つの層に形成される複数の第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に形成され、前記第１導電層及び前記第２導電層と電気的に接する発光層と、を含む発光素子部と、
   前記第１導電層及び前記第２導電層と絶縁されて形成され、平面視で前記第２導電層と交差せず、前記第１導電層と前記第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する前記第１導電層との間の電界の変化を検出するための複数の第３導電層と、を備える、入力装置。
2. 前記発光層は、平面視で、複数の前記第１導電層及び複数の前記第２導電層と重なり合う大きさを有する、
   請求項１に記載の入力装置。
3. 前記発光素子部は、前記発光層が前記第２導電層に電気的に接するコンタクト部の形状に沿った発光が可能である、請求項２に記載の入力装置。
4. 前記第１導電層が延びる方向を第１方向とし、第２導電層が延びる方向を第２方向とした場合、
   前記発光素子部は、前記発光層よりも前記第１面寄りに第１遮光部を備え、
   前記第１遮光部は、前記第２導電層と同層に形成され、前記第１方向に前記第２導電層の幅が広がる幅広部分であり、前記第１方向の長さは、前記コンタクト部の前記第１方向の最大長さより長い、請求項３に記載の入力装置。
5. 前記第３導電層は、前記第２導電層と同層に形成される、
   請求項１乃至４のいずれか１項に記載の入力装置。
6. 前記第３導電層は、前記第１導電層と同層に形成される、
   請求項１に記載の入力装置。
7. 前記第１導電層は、絶縁層を介して前記発光層に積層され、
   前記第１導電層と前記第２導電層とが交差する部分には、前記第１導電層に接する第４導電層を備え、
   前記第４導電層は、前記発光層の一部とコンタクト部で電気的に接続されている、請求項６に記載の入力装置。
8. 前記第１導電層は、絶縁層を介して前記発光層に積層され、かつ平面視で点在する島状であり、
   前記第１導電層と前記第３導電層とが交差する部分には、前記第３導電層を挟む前記第１導電層の端部同士を接続し、前記第３導電層と絶縁された状態で前記第３導電層を跨ぐ導電性の第５導電層を複数備え、前記第５導電層で接続される方向が一方向に延び、
   前記第３導電層は、前記発光層に前記絶縁層を介して積層され、かつ平面視で前記第５導電層で接続される第１方向と交差する第２方向に連続して延びる形状を備える、請求項１又は２に記載の入力装置。
9. 前記第１導電層の外形形状は、平面視で、絶縁されつつ、複数の前記第３導電層のうち隣合う前記第３導電層の間の開口を埋める形状である、請求項８に記載の入力装置。
10. 前記発光層は、前記コンタクト部の前記第２面と平行な断面の面積が、前記第２面に近づくにつれて小さくなるように凸部が形成されており、
    前記第４導電層は、金属光沢を有する金属で形成され、前記凸部の側面が前記第２面に対して傾斜する傾斜面を覆う、請求項７に記載の入力装置。
11. 前記発光層は、平面視で、１つの前記第１導電層及び１つの前記第２導電層に重なり合う大きさを有する、請求項１に記載の入力装置。
12. 前記発光層は、平面視で複数島状に配置され、かつ前記第２面側に突出する複数の凸部を備え、
    前記第１導電層の一部が導電性の第４導電層を介して、前記発光層の凸部に接続している、請求項１１に記載の入力装置。
13. 前記発光層は、有機発光層である、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の入力装置。
14. 前記発光素子部が発光する前記第１導電層と前記第２導電層との間の順バイアス方向の印加電圧に対して逆方向である逆バイアス方向にパルスが立ち上がる駆動信号パルスが複数の前記第１導電層の一部に印加される、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の入力装置。
15. 前記第１導電層に電圧を供給する第１電極ドライバと、
    前記第２導電層に電圧を供給する第２電極ドライバと、
    前記第１基板の第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する第１導電層と前記第３導電層との間の電界の変化を前記駆動信号パルスに応答する近接検出信号として処理する近接検出処理部と、をさらに備え、
    前記第１電極ドライバは、前記第１導電層の一部を駆動電極として時分割で走査し、前記駆動信号パルスを走査した前記第１導電層の一部に供給する、請求項１４に記載の入力装置。
16. 前記第１導電層に電圧を供給する第１電極ドライバと、
    前記第２導電層に電圧を供給する第２電極ドライバと、
    前記第１基板の第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する第１導電層と前記第３導電層との間の電界の変化を前記駆動信号パルスに応答する近接検出信号として処理する近接検出処理部と、をさらに備え、
    前記第２電極ドライバは、前記第１導電層と前記第２導電層との間に順バイアス方向の印加電圧を加え、前記発光素子部を発光させる、請求項１４又は１５に記載の入力装置。
17. 前記第１導電層に電圧を供給する第１電極ドライバと、
    前記第２導電層に電圧を供給する第２電極ドライバと、
    前記第１基板の第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する前記第１導電層と前記第３導電層との間の電界の変化を前記駆動信号パルスに応答する近接検出信号として処理する近接検出処理部と、をさらに備え、
    前記第２電極ドライバは、前記順バイアス方向にパルスが立ち上がる点灯パルスを印加し、前記駆動信号パルスと同時に印加された前記点灯パルスに応じて前記発光素子部を発光させる、請求項１４又は１５に記載の入力装置。
18. 第１面及び第２面を備える第１基板と、
    前記第２面側の１つの層に形成される複数の第１導電層と、前記第１導電層と異なる層に形成され、かつ前記第２面側の１つの層に形成される複数の第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に形成され、前記第１導電層及び前記第２導電層と電気的に接する発光層と、を含む発光素子部と、
    前記第１導電層及び前記第２導電層と絶縁されて形成され、平面視で前記第２導電層と交差せず、前記第１導電層と前記第１面に平面視で重なり合う位置の近接物体の座標に応じて変化する前記第１導電層との間の電界の変化を検出するための複数の第３導電層と、を備える入力装置と、
    前記入力装置の前記第２面側に配置され、前記第１面側に画像を表示可能な表示部を備える表示装置。

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