JP2016201780A - 弾性波デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性を向上させることが可能な電子デバイスを提供すること。
【解決手段】主面に中継電極４６および封止金属層５０の少なくとも一方を有し、中継電極４６および封止金属層５０の少なくとも一方が前記主面に形成された凹部５２の底面または凸部５４の上面に設けられた基板３０と、主面に弾性波を励振するＩＤＴ１２とＩＤＴ１２に電気的に接続された素子用電極２０および封止金属層２２の少なくとも一方とを有し、素子用電極２０が半田によって中継電極４６に接合されること及び／又は封止金属層２２がＩＤＴ１２を封止するように半田によって封止金属層５０に接合されることで、基板３０との間にＩＤＴ１２が露出する空隙６４を有して基板３０上に実装された基板１０と、を備える弾性波デバイス。
【選択図】図３

Description

本発明は、弾性波デバイスに関する。

複数の弾性波チップが基板にフリップチップ実装され、当該複数の弾性波チップが樹脂によって封止された弾性波デバイスが知られている（例えば、特許文献１参照）。また、弾性波を励振する機能部が設けられた一方の基板と、弾性波を励振する機能部が設けられた他方の基板とが、互いの機能部が対向するように接合され、それぞれの機能部が封止部で封止された弾性波デバイスが知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開２０１０−２８６３９号公報 特開２００８−１１３１７８号公報

主面に電極と封止金属層が設けられた基板と、主面に機能部と当該機能部に電気的に接続された電極と封止金属層が設けられた基板と、を備え、互いの電極同士および封止金属層同士が半田で接合された弾性波デバイスでは、半田が所定の領域からはみ出して形成される場合がある。この場合、特性などに悪影響を及ぼすことがあるため、信頼性が懸念される。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、信頼性を向上させることが可能な電子デバイスを提供することを目的とする。

本発明は、主面に第１電極および第１封止金属層の少なくとも一方を有し、前記第１電極および前記第１封止金属層の少なくとも一方が前記主面に形成された凹部の底面または凸部の上面に設けられた第１基板と、主面に弾性波を励振する第１機能部と前記第１機能部に電気的に接続された第２電極および第２封止金属層の少なくとも一方とを有し、前記第２電極が半田によって前記第１電極に接合されること及び／又は前記第２封止金属層が前記第１機能部を封止するように半田によって前記第１封止金属層に接合されることで、前記第１基板との間に前記第１機能部が露出する空隙を有して前記第１基板上に実装された第２基板と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、信頼性を向上させることができる。

上記構成において、前記第１基板は、前記第１電極および前記第１封止金属層の両方を有し、前記第２基板は、前記第２電極および前記第２封止金属層の両方を有し、前記第２電極が半田によって前記第１電極に接合され且つ前記第２封止金属層が半田によって前記第１封止金属層に接合されている構成とすることができる。

上記構成において、前記第１電極および前記第１封止金属層の両方が前記凹部の底面または前記凸部の上面に設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記第１封止金属層と前記第２封止金属層との積層体を囲んで、前記積層体の露出面を覆って設けられ、半田よりも融点の高い金属膜を備える構成とすることができる。

上記構成において、前記第２基板は、圧電基板であり、前記第１機能部は、ＩＤＴである構成とすることができる。

上記構成において、前記第１基板の前記凹部または前記凸部以外の前記主面に設けられ、前記空隙に露出した、弾性波を励振する第２機能部を備える構成とすることができる。

上記構成において、前記第２機能部は、圧電薄膜共振子の上部電極、圧電薄膜、および下部電極が重なる領域である構成とすることができる。

上記構成において、前記第１基板は、シリコン基板である構成とすることができる。

本発明によれば、信頼性を向上させることができる。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスに備わる一方の基板の平面図、図１（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスに備わる他方の基板の平面図、図１（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。 図２は、圧電薄膜共振子の断面図である。 図３は、図１（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図４は、実施例１に係る弾性波デバイスの斜視図である。 図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。 図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。 図７（ａ）および図７（ｂ）は、凹部の変形例の断面図である。 図８は、実施例２に係る弾性波デバイスの断面図である。 図９（ａ）から図９（ｅ）は、凸部の変形例の断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００に備わる一方の基板１０の平面図、図１（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００に備わる他方の基板３０の平面図、図１（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の平面図である。なお、図１（ａ）から図１（ｃ）では、図を明瞭とするために、構成を簡略化して図示している。また、図１（ｃ）では、基板１０を透視して弾性波素子１６や圧電薄膜共振子３２などを図示し、基板１０の主面に設けられた構成部品を実線で、基板３０の主面に設けられた構成部品を破線で図示している。

実施例１の弾性波デバイス１００に備わる基板１０は、図１（ａ）のように、主面にＩＤＴ（Interdigital Transducer）１２および反射器１４が形成されている。基板１０は、圧電基板であり、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。ＩＤＴ１２は、基板１０内または表面に弾性波を励振する機能部である。反射器１４は、弾性波を反射する。ＩＤＴ１２および反射器１４は、例えば共振器などの弾性波素子１６を形成する。ＩＤＴ１２および反射器１４は、例えばアルミニウム膜、銅膜、または銅が添加されたアルミニウム膜などの金属膜である。

基板１０の主面に、配線１８と素子用電極２０が形成されている。配線１８は、弾性波素子１６同士、および／または、弾性波素子１６と素子用電極２０とを電気的に接続する。配線１８は、例えば下からチタン膜および金膜などが積層された金属膜である。素子用電極２０は、例えば銅ピラーなどの金属ピラーである。

基板１０の主面に形成された複数の弾性波素子１６は、入力電極ＩＮと出力電極ＯＵＴとの間に、配線１８を介して直列に接続されている。また、弾性波素子１６は、配線１８を介してグランド電極ＧＮＤに電気的に接続されている。

基板１０の主面に、封止金属層２２が形成されている。封止金属層２２は、基板１０の外周部に、複数の弾性波素子１６、配線１８、および素子用電極２０をまとめて囲んで形成されている。封止金属層２２は、例えば銅などの柱状金属層である。

実施例１の弾性波デバイス１００に備わる基板３０は、図１（ｂ）のように、主面に圧電薄膜共振子３２が形成されている。基板３０は、例えばシリコン基板である。ここで、圧電薄膜共振子３２について説明する。図２は、圧電薄膜共振子３２の断面図である。図２のように、圧電薄膜共振子３２は、基板３０上に、下部電極３４、圧電薄膜３６、および上部電極３８がこの順に積層されている。下部電極３４は、基板３０との間にドーム状の膨らみを有する空隙４２が形成されるように、基板３０上に設けられている。ドーム状の膨らみとは、例えば空隙４２の周辺では空隙４２の高さが低く、空隙４２の中央ほど空隙４２の高さが高くなるような形状の膨らみである。下部電極３４および上部電極３８は、例えばアルミニウム、銅、クロム、モリブデン、タングステン、タンタル、チタン、白金、ルテニウム、ロジウム、またはイリジウムなどの金属単層膜またはこれらの積層膜である。圧電薄膜３６は、例えば窒化アルミニウム膜、酸化亜鉛膜、チタン酸ジルコン酸鉛膜、またはチタン酸鉛膜などである。

圧電薄膜３６を挟み下部電極３４と上部電極３８が重なる領域が共振領域４０となる。共振領域４０は、例えば楕円形状をしている。共振領域４０においては、圧電薄膜３６内で励振された上下方向に伝搬する弾性波（厚み縦振動のバルク波）が共振する。すなわち、下部電極３４と圧電薄膜３６と上部電極３８が重なる領域（共振領域４０）が、弾性波を励振する機能部となる。なお、基板３０と下部電極３４の間に形成されたドーム状の空隙４２の代わりに、基板３０に設けられた凹部を空隙４２としてもよい。凹部は、基板３０を貫通していてもよいし、貫通していなくてもよい。また、空隙４２の代わりに、弾性波を反射する音響反射膜が形成されていてもよい。

図１（ｂ）のように、基板３０の主面に、配線４４と中継電極４６と素子用電極４８が形成されている。配線４４は、圧電薄膜共振子３２同士、および／または、圧電薄膜共振子３２と素子用電極４８とを電気的に接続する。中継電極４６は、配線４４に接続されてなく、圧電薄膜共振子３２および素子用電極４８に電気的に接続されていない。配線４４、中継電極４６、および素子用電極４８は、例えば下からチタン膜および金膜などが積層された金属層である。

基板３０の主面に形成された複数の圧電薄膜共振子３２は、入力電極ＩＮと出力電極ＯＵＴとの間に、配線４４を介して直列に接続されている。また、圧電薄膜共振子３２は、配線４４を介してグランド電極ＧＮＤに電気的に接続されている。

基板３０の主面に、封止金属層５０が形成されている。封止金属層５０は、基板３０の外周部に、複数の圧電薄膜共振子３２、配線４４、中継電極４６、および素子用電極４８をまとめて囲んで形成されている。封止金属層５０は、例えば下からチタン膜および金膜などが積層された金属層である。

実施例１の弾性波デバイス１００は、図１（ｃ）のように、基板１０の素子用電極２０が基板３０の中継電極４６に半田（不図示）によって接合され、基板１０の封止金属層２２が基板３０の封止金属層５０に半田（不図示）によって接合されている。これにより、基板３０上に基板１０が実装されている。また、基板１０の弾性波素子１６と基板３０の圧電薄膜共振子３２は対向して配置されている。

図３は、図１（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。図４は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の斜視図である。なお、図３においては、弾性波素子１６および圧電薄膜共振子３２は簡略化して図示している。図３のように、基板１０の主面は平坦であり、弾性波素子１６、配線１８（図３では不図示）、素子用電極２０、および封止金属層２２は、基板１０の平坦主面に設けられている。素子用電極２０および封止金属層２２の高さは、例えば８μｍ〜１２μｍ程度である。

一方、基板３０の主面には、凹部５２が形成されている。凹部５２の深さＤは、例えば３μｍ〜７μｍ程度である。複数の凹部５２それぞれの深さは、同程度となっている。圧電薄膜共振子３２および配線４４（図３では不図示）は、基板３０の主面の凹部５２以外の領域に設けられている。中継電極４６、素子用電極４８、および封止金属層５０は、基板３０の凹部５２の底面に設けられている。中継電極４６、素子用電極４８、および封止金属層５０の表面（上面）は、基板３０の主面の凹部５２以外の領域よりも低くなっていている。中継電極４６が形成された凹部５２と圧電薄膜共振子３２および配線４４（図３では不図示）との最小間隔Ｌは、例えば３μｍ〜７μｍである。

基板３０の内部に、中継電極４６および素子用電極４８に接続する内部配線５６が形成されている。基板３０の圧電薄膜共振子３２などが形成された主面と反対側の主面には、内部配線５６に接続するフットパッド５８が形成されている。フットパッド５８は、外部装置に接続する端子である。

基板１０の素子用電極２０と基板３０の中継電極４６とは、半田６０によって接合されている。また、基板１０の封止金属層２２と基板３０の封止金属層５０とは、半田６２によって接合されている。半田６０、６２は、例えば錫−銀半田である。これにより、基板１０と基板３０は、その間に空隙６４を有して、接合されている。空隙６４の高さＨは、例えば３μｍ〜７μｍである。なお、基板１０および基板３０の応力による歪みを考慮して、空隙６４の高さＨは、数十μｍ程度（例えば２０μｍ〜４０μｍ程度）であってもよい。

基板１０に形成された弾性波素子１６および配線１８と基板３０に形成された圧電薄膜共振子３２および配線４４は、空隙６４に露出している。弾性波素子１６および圧電薄膜共振子３２が空隙６４に露出することで、弾性波素子１６および圧電薄膜共振子３２の振動が妨げられることが抑制されている。また、弾性波素子１６、圧電薄膜共振子３２、配線１８、４４、素子用電極２０、４８、中継電極４６は、封止金属層２２と封止金属層５０により気密封止されている。封止金属層２２と封止金属層５０の積層体の露出面には、半田６２よりも融点の高い金属（例えばニッケルめっき膜など）からなる金属膜６６が形成されている。図４のように、金属膜６６は、基板１０の周りを囲んで（即ち、封止金属層２２と封止金属層５０の周りを囲んで）設けられている。

次に、実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法について説明する。図５（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法を示す断面図である。図５（ａ）から図６（ｃ）では、多面取りプロセスによる製造方法を示している。また、図５（ａ）および図５（ｂ）は、基板１０側の製造方法を示す断面図であり、図５（ｃ）および図５（ｄ）は、基板３０側の製造方法を示す断面図である。図５（ａ）および図５（ｂ）の製造工程と図５（ｃ）および図５（ｄ）の製造工程とは、別々に（例えば並行して）行われる。

まず、基板１０側の製造方法を説明する。図５（ａ）のように、基板１０上に、金属膜からなるＩＤＴおよび反射器で構成される弾性波素子１６と、金属膜からなる配線１８（図５（ａ）では不図示）と、を形成する。金属膜の形成はスパッタリング法または蒸着法を用いることができ、パターン形成はエッチング法またはリフトオフ法を用いることができる。また、基板１０上に、素子用電極２０と封止金属層２２を形成する。素子用電極２０および封止金属層２２の形成は、めっき法を用いることができる。

図５（ｂ）のように、基板１０の弾性波素子１６などが形成された主面とは反対側の主面にダイシングテープ７０を貼り付ける。その後、ダイシングブレード７２を用いたダイシングによって基板１０を切断することで、複数のチップ７４に個片化する。

次に、基板３０側の製造方法を説明する。図５（ｃ）のように、基板３０の主面に、凹部５２と、凹部５２の底面に接続して基板３０に形成された孔部７６と、を形成する。凹部５２および孔部７６の形成は、エッチング法、レーザ法、またはブラスト法を用いることができる。

図５（ｄ）のように、基板３０の主面の凹部５２以外の領域に圧電薄膜共振子３２および配線４４（図５（ｄ）では不図示）を形成する。凹部５２に中継電極４６、素子用電極４８、および封止金属層５０を形成する。孔部７６に内部配線５６を形成する。基板３０の凹部５２が形成された主面とは反対側の主面に内部配線５６に接続するフットパッド５８を形成する。中継電極４６、素子用電極４８、封止金属層５０、内部配線５６、およびフットパッド５８の形成はスパッタリング法または蒸着法を用いることができ、パターン形成はエッチング法またはリフトオフ法を用いることができる。

図５（ａ）から図５（ｄ）の製造工程を行った後、図６（ａ）のように、チップ７４を、基板３０の凹部５２が形成された主面に仮搭載する。具体的には、基板１０の素子用電極２０の上面（図６（ａ）では下面）に半田６０を形成し、基板１０の封止金属層２２の上面（図６（ａ）では下面）に半田６２を形成した後、半田６０を基板３０の中継電極４６上に配置し、半田６２を基板３０の封止金属層５０上に配置する。なお、図５（ｂ）のチップ７４への個片化の工程を行わずに、ウエハ状の基板１０を基板３０の主面に仮搭載してもよいが、基板の反りを考慮すると、チップ７４を仮搭載することが好ましい。

図６（ｂ）のように、複数のチップ７４を基板３０の主面に仮搭載した後、半田６０、６２を溶融させ、且つ、金属板７８などを用いて複数のチップ７４を基板３０側に押圧する。これにより、素子用電極２０と中継電極４６が、半田６０によって接合される。封止金属層２２と封止金属層５０が、半田６２によって接合される。また、弾性波素子１６と圧電薄膜共振子３２は、基板１０と基板３０の間に形成された空隙６４に露出し、且つ、封止金属層２２と封止金属層５０によって気密封止される。

図６（ｃ）のように、基板３０のフットパッド５８が形成された主面に、ダイシングテープ８０を貼り付ける。その後、ウエハ状の基板３０に対して、電解めっき法を用いて、封止金属層２２と封止金属層５０の露出面に金属膜６６を形成する。この際、フットパッド５８は、ダイシングテープ８０で覆われているため、めっきが施されない。その後、ダイシングブレード７２を用いたダイシングによって基板３０を切断することで、複数の弾性波デバイス１００に個片化する。このような製造工程を含んで、実施例１の弾性波デバイス１００は形成される。

実施例１によれば、図３のように、基板１０の素子用電極２０が半田６０によって接合する中継電極４６は、基板３０に形成された凹部５２の底面に設けられている。これにより、中継電極４６と圧電薄膜共振子３２、配線４４、および封止金属層５０との間の距離を長くすることができる。同様に、基板１０の封止金属層２２が半田６２によって接合する封止金属層５０は、基板３０に形成された凹部５２の底面に設けられている。これにより、封止金属層５０と圧電薄膜共振子３２、中継電極４６、素子用電極４８、および配線４４との間の距離を長くすることができる。よって、図６（ｂ）における溶融および押圧によって半田６０、６２が所定の領域よりも広がって形成された場合でも、半田６０、６２が圧電薄膜共振子３２や配線４４などに接触することが抑制され、信頼性を向上させることができる。

また、実施例１によれば、図３および図４のように、封止金属層２２と封止金属層５０の積層体を囲んで、当該積層体の露出面に、半田６２よりも融点の高い金属膜６６が設けられている。これにより、弾性波デバイス１００を実装基板に実装する際などで、半田６２が再溶融した場合でも、空隙６４の気密性が低下することを抑制できる。なお、金属膜６６は、耐湿性が良好な金属である場合が好ましく、例えば封止金属層２２、５０よりも耐湿性が良好な金属である場合が好ましい。

また、実施例１では、基板３０はシリコン基板であるため、凹部５２を容易に形成することができる。

また、実施例１では、図３のように、基板１０の主面に弾性波を励振するＩＤＴ１２を含む弾性波素子１６が形成され、基板３０の主面に弾性波を励振する圧電薄膜共振子３２が形成されている。これにより、複数の弾性波素子を有する小型の弾性波デバイス１００が得られる。なお、小型化の観点から、弾性波素子１６と圧電薄膜共振子３２は、対向して重なるように配置されている場合が好ましい。

また、実施例１によれば、中継電極４６および封止金属層５０それぞれが形成された凹部５２の深さは同じである。このため、基板３０の主面全体において、半田６０、６２が圧電薄膜共振子３２や配線４４などに接触しないようにすることが容易となる。また、複数の凹部５２それぞれの深さが同じであることで、凹部５２を容易に形成することができる。

なお、実施例１において、基板３０の主面に形成された構成部品（例えば圧電薄膜共振子３２など）への半田６０の流入を抑制する点から、中継電極４６が形成された凹部５２の深さは、当該凹部５２と前記構成部品との最小間隔の１．０倍以上が好ましく、２．０倍以上がより好ましく、３．０倍以上がさらに好ましい。同様に、基板３０の主面に形成された構成部品（例えば圧電薄膜共振子３２など）への半田６２の流入を抑制する点から、封止金属層５０が形成された凹部５２の深さは、当該凹部５２と前記構成部品との最小間隔の１．０倍以上が好ましく、２．０倍以上がより好ましく、３．０倍以上がさらに好ましい。

なお、実施例１では、中継電極４６および封止金属層５０の両方が凹部５２の底面に形成されている場合を例に示したが、中継電極４６および封止金属層５０の少なくとも一方が凹部５２の底面に形成されている場合でもよい。

なお、実施例１では、基板１０に素子用電極２０と封止金属層２２の両方が設けられている場合を例に示したが、素子用電極２０および封止金属層２２の少なくとも一方が設けられている場合でもよい。同様に、基板３０に中継電極４６と封止金属層５０の両方が設けられている場合を例に示したが、中継電極４６および封止金属層５０の少なくとも一方が設けられている場合でもよい。

なお、実施例１では、基板１０が圧電基板で、基板１０の主面に弾性波を励振するＩＤＴ１２を含む弾性波素子１６が形成されている場合を例に示したがこれに限られない。基板１０がシリコン基板、石英基板、ガラス基板、セラミック基板、またはガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板などで、基板１０の主面に弾性波を励振する圧電薄膜共振子が形成された場合でもよい。

なお、実施例１では、基板３０がシリコン基板で、基板３０の主面に弾性波を励振する圧電薄膜共振子３２が形成されている場合を例に示したがこれに限られない。基板３０が石英基板、ガラス基板、セラミック基板、またはガリウム砒素基板などで、基板３０の主面に圧電薄膜共振子３２が形成されている場合でもよい。また、基板３０が圧電基板で、基板３０の主面に弾性波を励振するＩＤＴを含む弾性波素子が形成されている場合でもよい。

なお、実施例１においては、基板３０の主面に圧電薄膜共振子３２が形成されずに、中継電極４６に電気的に接続されていない配線だけが形成されている場合でもよいし、配線の他にインダクタ、キャパシタ、および抵抗などの受動部品が設けられている場合でもよい。また、基板３０の主面に配線が形成されていない場合でも、半田６０、６２が所定の領域よりもはみ出して形成された場合は、弾性波素子１６の特性の変化が起こり得ることから、基板３０の主面に配線が形成されていない場合でもよい。

なお、実施例１においては、図３のように、基板３０に形成された凹部５２の側面が垂直平面である場合を例に示したがこれに限られない。図７（ａ）および図７（ｂ）は、凹部５２の変形例の断面図である。図７（ａ）のように、凹部５２の側面が傾斜面となっている場合でもよい。図７（ｂ）のように、凹部５２の側面が階段状面になっている場合でもよい。また、垂直平面、傾斜面、および階段状面を組み合わせた場合でもよい。

図８は、実施例２に係る弾性波デバイス２００の断面図である。図８のように、実施例２の弾性波デバイス２００では、基板３０の主面に、凹部５２の代わりに、凸部５４が形成されている。凸部５４の高さＨ１は、例えば３μｍ〜７μｍ程度である。複数の凸部５４それぞれの高さは、同程度となっている。圧電薄膜共振子３２は、基板３０の主面の凸部５４以外の領域に設けられている。中継電極４６、素子用電極４８、および封止金属層５０は、基板３０の凸部５４の上面に設けられている。基板１０と基板３０の凸部５４との間隔Ｈ２は、例えば２μｍ程度以下である。凸部５４の高さＨ１は、基板１０と基板３０の凸部５４との間隔Ｈ２よりも大きくなっている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例２によれば、基板１０の素子用電極２０が半田６０によって接合する中継電極４６は、基板３０に形成された凸部５４の上面に設けられている。これにより、中継電極４６と圧電薄膜共振子３２、配線４４、および封止金属層５０との間の距離を長くすることができる。同様に、基板１０の封止金属層２２が半田６２によって接合する封止金属層５０は、基板３０に形成された凸部５４の上面に設けられている。これにより、封止金属層５０と圧電薄膜共振子３２、中継電極４６、素子用電極４８、および配線４４との間の距離を長くすることができる。よって、半田６０、６２が圧電薄膜共振子３２や配線４４などに接触することが抑制され、信頼性を向上させることができる。

また、実施例２のように、中継電極４６および封止金属層５０が基板３０の凸部５４の上面に設けられていることで、素子用電極２０および封止金属層２２が低い場合でも、空隙６４の高さを確保することができる。このように、実施例２では、素子用電極２０および封止金属層２２を低くすることができるため、製造が容易となる。また、凸部５４はエッチングなどによって形成されるために高さを精度良く制御できることから、空隙６４の高さも精度良く制御できるようになる。

なお、実施例２において、基板３０の主面に形成された構成部品（例えば圧電薄膜共振子３２）への半田６０の流入を抑制する点から、中継電極４６が形成された凸部５４の高さは、当該凸部５４と前記構成部品との最小間隔の１．０倍以上が好ましく、２．０倍以上がより好ましく、３．０倍以上がさらに好ましい。同様に、基板３０の主面に形成された構成部品（例えば圧電薄膜共振子３２）への半田６２の流入を抑制する点から、封止金属層５０が形成された凸部５４の高さは、当該凸部５４と前記構成部品との最小間隔の１．０倍以上が好ましく、２．０倍以上がより好ましく、３．０倍以上がさらに好ましい。

なお、実施例２では、中継電極４６および封止金属層５０の両方が凸部５４の上面に形成されている場合を例に示したが、中継電極４６および封止金属層５０の少なくとも一方が凸部５４の上面に形成されている場合でもよい。

なお、実施例２においては、図８のように、基板３０に形成された凸部５４の側面が垂直平面である場合を例に示したがこれに限られない。図９（ａ）から図９（ｅ）は、凸部５４の変形例の断面図である。図９（ａ）のように、凸部５４の側面が、テーパ状の傾斜面となっている場合でもよいし、図９（ｂ）のように、逆テーパ状の傾斜面となっている場合でもよい。図９（ｃ）のように、凸部５４の側面が、垂直平面と傾斜面との組み合わせとなっている場合でもよい。図９（ｄ）のように、凸部５４の側面が、垂直平面と階段状面との組み合わせになっている場合でもよい。また、凸部５４の側面が、階段状面だけである場合でもよいし、傾斜面と階段状面との組み合わせになっている場合でもよい。図９（ｅ）のように、凸部５４の側面の高さが一部で異なっていてもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０、３０ 基板
１２ ＩＤＴ
１６ 弾性波素子
１８ 配線
２０ 素子用電極
２２ 封止金属層
３２ 圧電薄膜共振子
３４ 下部電極
３６ 圧電薄膜
３８ 上部電極
４０ 共振領域
４４ 配線
４６ 中継電極
４８ 素子用電極
５０ 封止金属層
５２ 凹部
５４ 凸部
５６ 内部配線
６０、６２ 半田
６４ 空隙
６６ 金属膜
１００、２００ 弾性波デバイス

Claims (8)

1. 主面に第１電極および第１封止金属層の少なくとも一方を有し、前記第１電極および前記第１封止金属層の少なくとも一方が前記主面に形成された凹部の底面または凸部の上面に設けられた第１基板と、
   主面に弾性波を励振する第１機能部と前記第１機能部に電気的に接続された第２電極および第２封止金属層の少なくとも一方とを有し、前記第２電極が半田によって前記第１電極に接合されること及び／又は前記第２封止金属層が前記第１機能部を封止するように半田によって前記第１封止金属層に接合されることで、前記第１基板との間に前記第１機能部が露出する空隙を有して前記第１基板上に実装された第２基板と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。
2. 前記第１基板は、前記第１電極および前記第１封止金属層の両方を有し、
   前記第２基板は、前記第２電極および前記第２封止金属層の両方を有し、
   前記第２電極が半田によって前記第１電極に接合され且つ前記第２封止金属層が半田によって前記第１封止金属層に接合されていることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
3. 前記第１電極および前記第１封止金属層の両方が前記凹部の底面または前記凸部の上面に設けられていることを特徴とする請求項２記載の弾性波デバイス。
4. 前記第１封止金属層と前記第２封止金属層との積層体を囲んで、前記積層体の露出面を覆って設けられ、半田よりも融点の高い金属膜を備えることを特徴とする請求項２または３記載の弾性波デバイス。
5. 前記第２基板は、圧電基板であり、
   前記第１機能部は、ＩＤＴであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
6. 前記第１基板の前記凹部または前記凸部以外の前記主面に設けられ、前記空隙に露出した、弾性波を励振する第２機能部を備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
7. 前記第２機能部は、圧電薄膜共振子の上部電極、圧電薄膜、および下部電極が重なる領域であることを特徴とする請求項６記載の弾性波デバイス。
8. 前記第１基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
   

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