JP2016201291A - Contact connection structure - Google Patents
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Abstract
【課題】端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることのできる接点接続構造を提供する。【解決手段】インデント部4が突設され、母材1Aの外面にメッキ層1Bが形成された第1接点部2と、母材11Aの外面にメッキ層11Bが形成された第2接点部12とを有し、端子挿入完了位置では、第1接点部2のインデント部4が第2接点部12の接触面12aに接触荷重Fによって接触する接点接続構造であって、インデント部4が接触する第2接点部12の箇所の母材11Aは、外面に凹凸11dが設けられ、この凹凸11d上にメッキ層11Bが形成されている。【選択図】図4Provided is a contact connection structure capable of reducing contact resistance without increasing the size of a terminal or making it as complex as possible. A first contact portion 2 in which an indent portion 4 protrudes and a plating layer 1B is formed on the outer surface of a base material 1A, and a second contact portion 12 in which a plating layer 11B is formed on the outer surface of a base material 11A. In the terminal insertion completion position, the indent portion 4 of the first contact portion 2 is in contact with the contact surface 12a of the second contact portion 12 by the contact load F, and the indent portion 4 contacts. As for the base material 11A of the location of the 2nd contact part 12, the unevenness | corrugation 11d is provided in the outer surface, and the plating layer 11B is formed on this unevenness | corrugation 11d. [Selection] Figure 4
Description
この発明は、第1接点部(第1端子)と第2接点部(第2端子)との間の電気的接続を行う接点接続構造に関するものである。 The present invention relates to a contact connection structure that performs electrical connection between a first contact portion (first terminal) and a second contact portion (second terminal).
図6には、従来の接点接続構造を適用したメス端子51とオス端子61とが示されている(類似技術として特許文献1参照)。
FIG. 6 shows a
図6に示すように、メス端子51は、四角形状の箱部52と、箱部52に一体に設けられ、箱部52内に配置された弾性撓み部53とを有している。
As shown in FIG. 6, the
弾性撓み部53には、箱部52の底面部52a側に向かって突出するインデント部54が設けられている。
The
インデント部54は、外周面(底面部52a側の面)がほぼ球面形状で、中心の頂点が最下方に位置している。
The
なお、図6では、図示が省略されているが、メス端子51は、図7(a)に示すように、銅合金材の母材51Aの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ(例えば、錫メッキ)が施され、メッキ層51Bが設けられている。このメッキ層51Bの外面側には、酸化膜51Cが形成される。
Although not shown in FIG. 6, the
図6に示すように、オス端子61は、平板状のタブ部62を有している。
As shown in FIG. 6, the
なお、図6では、図示が省略されているが、オス端子61は、図7(b)に示すように、銅合金材の母材61Aの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ(例えば、錫メッキ)が施され、メッキ層61Bが設けられている。このメッキ層61Bの外面側には、酸化膜61Cが形成される。
Although not shown in FIG. 6, the
上記した構成において、図6の位置に位置するオス端子61のタブ部62をメス端子51の箱部52内へ挿入すると、タブ部62に押されることによって弾性撓み部53が撓み変形することにより、タブ部62の挿入が許容される。
In the above configuration, when the
タブ部62の挿入過程では、弾性撓み部53のインデント部54がタブ部62の接触面62a上を摺動し、端子挿入完了位置では、図8に示すように、弾性撓み部53のインデント部54と、タブ部62の接触面62aとが接触する。
In the insertion process of the
上記のように、インデント部54がタブ部62の接触面62a上に接触すると、弾性撓み部53の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、図9に示すように、インデント部54に形成された酸化膜51Cが破壊されるとともに、タブ部62に形成されたメッキ層61Bが押し込まれることによって酸化膜61Cが破壊される。
As described above, when the
このように、各酸化膜51C,61Cが破壊されると、各酸化膜51C,61Cの割れ目51Ca,61Caにメッキ層51B,61Bの金属(例えば、錫)が入り込むことにより、メス端子51のインデント部54と、オス端子61のタブ部62の接触面62aとが金属同士で接触する。
Thus, when the
ところで、酸化膜51C,61Cは、錫や銅に較べて電気抵抗が非常に高い。
By the way, the
したがって、接触抵抗の低減を図るためには、酸化膜51C,61Cを破壊してメッキ層51B,61B同士の接触面(オーミック点)を多く(広く)作る必要がある。
Therefore, in order to reduce the contact resistance, it is necessary to destroy the
上記した従来の接点接続構造においては、図9の部分x(インデント部54の先端部分;タブ部62に形成された凹部の底部分)では、インデント部54の接触荷重によって酸化膜61Cをメッキ層61Bへ押し込む。しかし、メッキ層51B,61Bの反力が高いものの、部分xが平坦であることにより、図10(a)に示すように、酸化膜51C,61Cは押し込まれるだけで割れない。
In the conventional contact connection structure described above, the
図9の部分y(タブ部62に形成された凹部の中腹周回部分)では、インデント部54の接触荷重によって酸化膜51C,61Cが伸ばされ、割れ目51Ca,61Caが多く発生する。
9, the
そして、メッキ層51B,61Bの反力が高いことにより、酸化膜51C,61Cの割れ目51Ca,61Caにメッキ層51B,61Bの金属が入り込み、メッキ層51Bとメッキ層61Bとが接触する。
Since the reaction force of the
また、図9の部分z(タブ部62に形成された凹部の上端周回部分)では、インデント部54の接触荷重による酸化膜51C,61Cの伸びが少なくなり、割れ目51Ca,61Caの発生が少なくなる。
Further, in the portion z (upper peripheral portion of the recess formed in the tab portion 62) in FIG. 9, the
そして、インデント部54の接触荷重によってメッキ層51B,61Bの金属が移動することでメッキ層51B,61Bの反力が低くなることにより、酸化膜51C,61Cの割れ目51Ca、61Caにメッキ層51B,61Bの金属が入りきらず、図10(b)に示すように、メッキ層51Bとメッキ層61Bとが接触しない。
Then, the reaction force of the
このように、メッキ層51B,61B同士の接触面(オーミック点)を多く作ることができないので、端子挿入完了位置における端子51,61同士の接触時にメッキ層61Bの押し込み量を増やし、酸化膜51C,61Cの破壊を促進するためには、接触部間の接触圧を大きくすることが考えられる。
As described above, since many contact surfaces (ohmic points) between the
しかしながら、メッキ層61Bが薄く、メッキ層61Bの押し込み量が少ないので、各端子51,61が大型化したり、複雑化するという問題がある。
However, since the
この発明は、上記した問題を解決すべくなされたものであり、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることのできる接点接続構造を提供するものである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a contact connection structure capable of reducing contact resistance without increasing the size of a terminal or complicating it as much as possible. .
この発明の接点接続構造は、インデント部が突設され、母材の外面にメッキ層が形成された第1接点部と、母材の外面にメッキ層が形成された第2接点部とを有し、端子挿入完了位置では、前記第1接点部の前記インデント部が前記第2接点部の接触面に接触荷重によって接触する接点接続構造であって、前記インデント部の前記母材と前記インデント部が接触する前記第2接点部の箇所の前記母材の少なくともいずれか一方は、外面に凹凸が設けられ、この凹凸上に前記メッキ層が形成されたことを特徴とする。 The contact connection structure of the present invention has a first contact portion having an indented portion projecting and having a plating layer formed on the outer surface of the base material, and a second contact portion having a plating layer formed on the outer surface of the base material. In the terminal insertion completion position, the indent portion of the first contact portion has a contact connection structure that contacts the contact surface of the second contact portion by a contact load, and the base material of the indent portion and the indent portion At least one of the base materials at the location of the second contact portion in contact with is provided with irregularities on the outer surface, and the plating layer is formed on the irregularities.
この発明の接点接続構造によれば、インデント部の母材とインデント部が接触する第2接点部の箇所の母材の少なくともいずれか一方は、外面に凹凸が設けられ、この凹凸上にメッキ層が形成されていることにより、インデント部が第2接点部の接触面に接触荷重によって接触したとき、第1接点部と第2接点部との少なくとも一方のメッキ層の金属が移動するのを抑制される。 According to the contact connection structure of the present invention, at least one of the base material of the second contact portion where the base material of the indent portion and the indent portion contact is provided with unevenness on the outer surface, and the plating layer is formed on the unevenness. As a result, the metal of the plating layer of at least one of the first contact portion and the second contact portion is prevented from moving when the indent portion contacts the contact surface of the second contact portion by a contact load. Is done.
このように、第1接点部と第2接点部との少なくとも一方の、メッキ層の金属の移動が抑制されることにより、酸化膜の割れ目にメッキ層の金属(例えば、錫)が入り込み、メッキ層同士の接触部を多くして、メッキ層同士の接触面を広くすることができる。 As described above, the movement of the metal of the plating layer of at least one of the first contact portion and the second contact portion is suppressed, so that the metal (for example, tin) of the plating layer enters the cracks in the oxide film, and plating is performed. The contact part between layers can be increased and the contact surface between plating layers can be widened.
したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。 Therefore, the contact resistance can be reduced without increasing the size of the terminal or making it as complex as possible.
この発明の一実施例を、図1〜図5を参照して説明する。 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
図1において、メス端子(第1端子)1は、メス側コネクタハウジング(図示省略)内の端子収容室に配置(収容)されている。メス端子1は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属(例えば、銅合金材;成形材)を折り曲げ加工して形成されている。メス端子1は、第1接点部である箱部2を有している。箱部2は、前方(図1の左側)が開口した方形状である。箱部2内には、箱部2の前方上面部より折り曲げられ、前方から後方へ延びた弾性撓み部3が配置されている。
In FIG. 1, a female terminal (first terminal) 1 is disposed (accommodated) in a terminal accommodating chamber in a female connector housing (not shown). The
弾性撓み部3には、箱部2の底面部2a側に向かって突出するほぼ球面形状のインデント部4が設けられている。インデント部4は、中心の頂点が最下方に位置し、弾性撓み部3の弾性変形によって上方に変位する。弾性撓み部3と、固定面部である箱部2の底面部2aとは、間隔を置いて配置されている。弾性撓み部3と、箱部2の底面部2aとの間に、図1に示すオス端子11が挿入される。
メス端子1は、図2(a)に示すように、導電性金属の母材1Aの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ(例えば、錫メッキ)が施され、メッキ層1Bが設けられている。このメッキ層1Bの外面側に酸化膜1Cが形成される。
The
As shown in FIG. 2 (a), the
図1において、オス端子(第2端子)11は、オス側コネクタハウジング(図示せず)内の端子収容室に配置(収容)されている。オス端子11は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属(例えば、銅合金材;成形材)を折り曲げ加工して形成されている。オス端子11は、第2接点部であるタブ部12を有している。タブ部12は、フラットな板形状である。
In FIG. 1, a male terminal (second terminal) 11 is disposed (accommodated) in a terminal accommodating chamber in a male connector housing (not shown). The
オス端子11は、図2(b)に示すように、導電性金属の母材11Aと、この導電性金属の母材11Aの外面の全域に設けられたメッキ層11Bと、このメッキ層11Bの外面側に形成された酸化膜11Cとで構造されている。
As shown in FIG. 2 (b), the
母材11Aの外面には、凹凸11dが設けられている。この凹凸11dは、例えば、母材11Aの圧延時に形成される。そして、凹凸11dは、母材表面粗度を粗くすることによって形成され、規則正しく縦横に整列させて設けたり、ランダムに設けたり、一定の大きさの凹凸であったり、大きさの異なる凹凸であってもよい。
Concavities and
次に、メス端子1とオス端子11との接続について説明する。図1の位置に位置するオス端子11のタブ部12をメス端子1の箱部2内へ挿入すると、タブ部12に押されることによって弾性撓み部3が撓み変形することにより、タブ部12の挿入が許容される。
Next, the connection between the
タブ部12の挿入過程では、弾性撓み部3のインデント部4がタブ部12の接触面12a上を摺動し、端子挿入完了位置では、図3に示すように、弾性撓み部3のインデント部4がタブ部12の接触面12aに接触する。
In the insertion process of the
上記のように、インデント部4がタブ部12の接触面12a上に接触すると、弾性撓み部3の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、図4に示すように、インデント部4に形成された酸化膜1Cが破壊されるとともに、タブ部12に形成されたメッキ層11Bが押し込まれることによって酸化膜11Cが破壊(切断)される。
As described above, when the indent portion 4 comes into contact with the
図4の部分x(インデント部4の先端部分;タブ部12に形成された凹部の底部分)では、インデント部4の接触荷重Fによって酸化膜11Cをメッキ層11Bへ押し込む。ここで、接触荷重Fを受けると、メッキ層11Bの金属は、外側に逃げようとするが、母材11Aの凹部内の金属は、図2(b)の矢印bで示すように、両側の凸部によって外側に逃げることができず、凹部内の金属の矢印a方向の反力が高くなる。これにより、図5(a)に示すように、酸化膜1C,11Cに割れ目1Ca,11Caが発生し、割れ目1Ca,11Caへの金属の入り込みが促進される。これにより、金属同士の接触箇所が多くなる。
In the portion x of FIG. 4 (the tip portion of the indent portion 4; the bottom portion of the recess formed in the tab portion 12), the
図4の部分y(タブ部12に形成された凹部の中腹周回部分)では、部分xがメッキ層11B側に押し込まれることによって、メッキ層11Bの伸び量が大きい。そのため、メッキ層1B,11Bに割れ目ができ易い箇所であるが、母材11Aの凹凸11dによっておよび上記した理由によって酸化膜1C,11Cの割れ目1Ca,11Caの発生が促進される。したがって、母材11Aの表面がフラットな場合に比べて、金属同士の接触箇所が多くなる。
In the portion y of FIG. 4 (the middle circumferential portion of the recess formed in the tab portion 12), the portion x is pushed toward the
図4の部分z(タブ部12に形成された凹部の上端周回部分)では、小さな接触荷重しか作用しないため、酸化膜11Cの伸びが小さいものの、母材11Aの凹凸11dによっておよび上記した理由によって酸化膜1C,11Cの割れ目1Ca,11Caが発生する。したがって、母材11Aの表面がフラットな場合に比べて、金属同士の接触箇所が多くなる。
In the portion z (upper peripheral portion of the recess formed in the tab portion 12) in FIG. 4, only a small contact load acts, so the
このように、母材11Aに凹凸11dを形成する(設ける)ことにより、メッキ層11Bの金属の移動が抑制されるため、酸化膜1C,11Cの割れ目1Ca,11Caにメッキの金属が入り込み、金属同士の接触部を多くして、金属同士の接触面を広くすることができる。
In this way, by forming (providing) the
したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。 Therefore, the contact resistance can be reduced without increasing the size of the terminal or making it as complex as possible.
この発明の一実施例によれば、メス端子1の母材11Aの外面に凹凸11dを設け、この凹凸11d上にメッキ層11Bを形成したことにより、インデント部4がタブ部12の接触面12aに接触荷重Fによって接触したとき、メッキ層11Bの金属が移動するのを抑制される。
According to one embodiment of the present invention, the indentation 4 is formed on the outer surface of the
このように、メッキ層11Bの金属の移動が抑制されることにより、酸化膜1C,11Cの割れ目1Ca,11Caにメッキ層1B,11Bの金属が入り込み、メッキ層1B,11B同士の接触部を多くして、メッキ層1B,11B同士の接触面を広くすることができる。
In this way, by suppressing the movement of the metal of the
したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。 Therefore, the contact resistance can be reduced without increasing the size of the terminal or making it as complex as possible.
上記した実施例では、メス端子1を、表面に凹凸11dが形成された母材11Aにメッキ層11Bを形成した例で説明したが、オス端子を、表面に凹凸が形成された母材にメッキを形成しても、同様な効果を得ることができる。
In the above-described embodiment, the
したがって、メス端子(第1接点部)とオス端子(第2接点部)との少なくとも一方を、表面に凹凸が形成された母材にメッキ層を形成しても、同様な効果を得ることができる。 Therefore, even if at least one of the female terminal (first contact portion) and the male terminal (second contact portion) is formed with a plating layer on the base material having irregularities formed on the surface, the same effect can be obtained. it can.
1 メス端子(第1端子)
1A 母材
1B メッキ層
1C 酸化層
1Ca 割れ目
2 箱部(第1接点部)
2a 底面部(固定面部)
3 弾性撓み部
4 インデント部
11 オス端子(第2端子)
11A 母材
11B メッキ層
11C 酸化層
11Ca 割れ目
11d 凹凸
12 タブ部(第2接点部)
12a 接触面
13 メッキ層
14 酸化膜
F 接触荷重
1 Female terminal (1st terminal)
2a Bottom (fixed surface)
3 Elastic Deflection Part 4
12a Contact surface 13 Plating layer 14 Oxide film F Contact load
Claims (1)
前記インデント部の前記母材と前記インデント部が接触する前記第2接点部の箇所の前記母材の少なくともいずれか一方は、外面に凹凸が設けられ、この凹凸上に前記メッキ層が形成されたことを特徴とする接点接続構造。 An indented portion is provided, and includes a first contact portion in which a plating layer is formed on the outer surface of the base material, and a second contact portion in which a plating layer is formed on the outer surface of the base material. A contact connection structure in which the indent portion of the first contact portion contacts the contact surface of the second contact portion by a contact load;
At least one of the base material at the location of the second contact portion where the base material of the indent portion and the indent portion are in contact is provided with irregularities on the outer surface, and the plating layer is formed on the irregularities. A contact connection structure characterized by that.
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170704 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20170803 |