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JP2016201291A - Contact connection structure - Google Patents

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JP2016201291A
JP2016201291A JP2015081484A JP2015081484A JP2016201291A JP 2016201291 A JP2016201291 A JP 2016201291A JP 2015081484 A JP2015081484 A JP 2015081484A JP 2015081484 A JP2015081484 A JP 2015081484A JP 2016201291 A JP2016201291 A JP 2016201291A
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JP2015081484A
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昌之 福井
Masayuki Fukui
昌之 福井
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Yazaki Corp
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Yazaki Corp
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Abstract

【課題】端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることのできる接点接続構造を提供する。【解決手段】インデント部4が突設され、母材1Aの外面にメッキ層1Bが形成された第1接点部2と、母材11Aの外面にメッキ層11Bが形成された第2接点部12とを有し、端子挿入完了位置では、第1接点部2のインデント部4が第2接点部12の接触面12aに接触荷重Fによって接触する接点接続構造であって、インデント部4が接触する第2接点部12の箇所の母材11Aは、外面に凹凸11dが設けられ、この凹凸11d上にメッキ層11Bが形成されている。【選択図】図4Provided is a contact connection structure capable of reducing contact resistance without increasing the size of a terminal or making it as complex as possible. A first contact portion 2 in which an indent portion 4 protrudes and a plating layer 1B is formed on the outer surface of a base material 1A, and a second contact portion 12 in which a plating layer 11B is formed on the outer surface of a base material 11A. In the terminal insertion completion position, the indent portion 4 of the first contact portion 2 is in contact with the contact surface 12a of the second contact portion 12 by the contact load F, and the indent portion 4 contacts. As for the base material 11A of the location of the 2nd contact part 12, the unevenness | corrugation 11d is provided in the outer surface, and the plating layer 11B is formed on this unevenness | corrugation 11d. [Selection] Figure 4

Description

この発明は、第1接点部(第1端子)と第2接点部(第2端子)との間の電気的接続を行う接点接続構造に関するものである。   The present invention relates to a contact connection structure that performs electrical connection between a first contact portion (first terminal) and a second contact portion (second terminal).

図6には、従来の接点接続構造を適用したメス端子51とオス端子61とが示されている(類似技術として特許文献1参照)。   FIG. 6 shows a female terminal 51 and a male terminal 61 to which a conventional contact connection structure is applied (see Patent Document 1 as a similar technique).

図6に示すように、メス端子51は、四角形状の箱部52と、箱部52に一体に設けられ、箱部52内に配置された弾性撓み部53とを有している。   As shown in FIG. 6, the female terminal 51 includes a rectangular box portion 52 and an elastic bending portion 53 that is provided integrally with the box portion 52 and disposed in the box portion 52.

弾性撓み部53には、箱部52の底面部52a側に向かって突出するインデント部54が設けられている。   The elastic bending portion 53 is provided with an indent portion 54 that protrudes toward the bottom surface portion 52 a side of the box portion 52.

インデント部54は、外周面(底面部52a側の面)がほぼ球面形状で、中心の頂点が最下方に位置している。   The indent portion 54 has a substantially spherical outer peripheral surface (surface on the bottom surface portion 52a side), and the center vertex is located at the lowest position.

なお、図6では、図示が省略されているが、メス端子51は、図7(a)に示すように、銅合金材の母材51Aの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ(例えば、錫メッキ)が施され、メッキ層51Bが設けられている。このメッキ層51Bの外面側には、酸化膜51Cが形成される。   Although not shown in FIG. 6, the female terminal 51 is connected to the entire outer surface of the copper alloy base material 51A in a high temperature environment as shown in FIG. 7A. Plating (for example, tin plating) is performed from the viewpoint of improving the corrosion resistance and the corrosion resistance in a corrosive environment, and the plated layer 51B is provided. An oxide film 51C is formed on the outer surface side of the plating layer 51B.

図6に示すように、オス端子61は、平板状のタブ部62を有している。   As shown in FIG. 6, the male terminal 61 has a flat tab portion 62.

なお、図6では、図示が省略されているが、オス端子61は、図7(b)に示すように、銅合金材の母材61Aの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ(例えば、錫メッキ)が施され、メッキ層61Bが設けられている。このメッキ層61Bの外面側には、酸化膜61Cが形成される。   Although not shown in FIG. 6, the male terminal 61 is connected to the entire area of the outer surface of the base material 61A of the copper alloy material in a high temperature environment as shown in FIG. 7B. Plating (for example, tin plating) is applied from the viewpoint of improving the corrosion resistance and the corrosion resistance in a corrosive environment, and the plated layer 61B is provided. An oxide film 61C is formed on the outer surface side of the plating layer 61B.

上記した構成において、図6の位置に位置するオス端子61のタブ部62をメス端子51の箱部52内へ挿入すると、タブ部62に押されることによって弾性撓み部53が撓み変形することにより、タブ部62の挿入が許容される。   In the above configuration, when the tab portion 62 of the male terminal 61 located at the position of FIG. 6 is inserted into the box portion 52 of the female terminal 51, the elastic bending portion 53 is bent and deformed by being pushed by the tab portion 62. The tab portion 62 is allowed to be inserted.

タブ部62の挿入過程では、弾性撓み部53のインデント部54がタブ部62の接触面62a上を摺動し、端子挿入完了位置では、図8に示すように、弾性撓み部53のインデント部54と、タブ部62の接触面62aとが接触する。   In the insertion process of the tab portion 62, the indent portion 54 of the elastic bending portion 53 slides on the contact surface 62a of the tab portion 62, and at the terminal insertion completion position, as shown in FIG. 54 and the contact surface 62a of the tab part 62 contact.

上記のように、インデント部54がタブ部62の接触面62a上に接触すると、弾性撓み部53の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、図9に示すように、インデント部54に形成された酸化膜51Cが破壊されるとともに、タブ部62に形成されたメッキ層61Bが押し込まれることによって酸化膜61Cが破壊される。   As described above, when the indent portion 54 comes into contact with the contact surface 62a of the tab portion 62, the bending return force of the elastic deflection portion 53 acts as a contact load, thereby forming the indent portion 54 as shown in FIG. The formed oxide film 51C is destroyed, and the plated layer 61B formed on the tab portion 62 is pushed, whereby the oxide film 61C is destroyed.

このように、各酸化膜51C,61Cが破壊されると、各酸化膜51C,61Cの割れ目51Ca,61Caにメッキ層51B,61Bの金属(例えば、錫)が入り込むことにより、メス端子51のインデント部54と、オス端子61のタブ部62の接触面62aとが金属同士で接触する。   Thus, when the oxide films 51C and 61C are destroyed, the metal (for example, tin) of the plating layers 51B and 61B enters the cracks 51Ca and 61Ca of the oxide films 51C and 61C, thereby indenting the female terminal 51. The part 54 and the contact surface 62a of the tab part 62 of the male terminal 61 are in contact with each other.

ところで、酸化膜51C,61Cは、錫や銅に較べて電気抵抗が非常に高い。   By the way, the oxide films 51C and 61C have an extremely high electric resistance as compared with tin and copper.

したがって、接触抵抗の低減を図るためには、酸化膜51C,61Cを破壊してメッキ層51B,61B同士の接触面(オーミック点)を多く(広く)作る必要がある。   Therefore, in order to reduce the contact resistance, it is necessary to destroy the oxide films 51C and 61C to make many (wide) contact surfaces (ohmic points) between the plated layers 51B and 61B.

特開2008−282802号公報JP 2008-282802 A

上記した従来の接点接続構造においては、図9の部分x(インデント部54の先端部分;タブ部62に形成された凹部の底部分)では、インデント部54の接触荷重によって酸化膜61Cをメッキ層61Bへ押し込む。しかし、メッキ層51B,61Bの反力が高いものの、部分xが平坦であることにより、図10(a)に示すように、酸化膜51C,61Cは押し込まれるだけで割れない。   In the conventional contact connection structure described above, the oxide film 61C is plated by the contact load of the indent portion 54 at the portion x in FIG. 9 (the tip portion of the indent portion 54; the bottom portion of the recess formed in the tab portion 62). Push into 61B. However, although the reaction force of the plating layers 51B and 61B is high, the oxide film 51C and 61C is not cracked only by being pushed in, as shown in FIG.

図9の部分y(タブ部62に形成された凹部の中腹周回部分)では、インデント部54の接触荷重によって酸化膜51C,61Cが伸ばされ、割れ目51Ca,61Caが多く発生する。   9, the oxide films 51C and 61C are stretched by the contact load of the indent portion 54, and many cracks 51Ca and 61Ca are generated.

そして、メッキ層51B,61Bの反力が高いことにより、酸化膜51C,61Cの割れ目51Ca,61Caにメッキ層51B,61Bの金属が入り込み、メッキ層51Bとメッキ層61Bとが接触する。   Since the reaction force of the plating layers 51B and 61B is high, the metal of the plating layers 51B and 61B enters the cracks 51Ca and 61Ca of the oxide films 51C and 61C, and the plating layer 51B and the plating layer 61B come into contact with each other.

また、図9の部分z(タブ部62に形成された凹部の上端周回部分)では、インデント部54の接触荷重による酸化膜51C,61Cの伸びが少なくなり、割れ目51Ca,61Caの発生が少なくなる。   Further, in the portion z (upper peripheral portion of the recess formed in the tab portion 62) in FIG. 9, the oxide films 51C and 61C are less stretched by the contact load of the indent portion 54, and the generation of cracks 51Ca and 61Ca is reduced. .

そして、インデント部54の接触荷重によってメッキ層51B,61Bの金属が移動することでメッキ層51B,61Bの反力が低くなることにより、酸化膜51C,61Cの割れ目51Ca、61Caにメッキ層51B,61Bの金属が入りきらず、図10(b)に示すように、メッキ層51Bとメッキ層61Bとが接触しない。   Then, the reaction force of the plating layers 51B and 61B is lowered by the movement of the metal of the plating layers 51B and 61B due to the contact load of the indent portion 54, whereby the plating layers 51B and 61Ca are formed on the cracks 51Ca and 61Ca of the oxide films 51C and 61C. As shown in FIG. 10B, the plated layer 51B and the plated layer 61B do not come into contact with each other because the metal of 61B does not completely enter.

このように、メッキ層51B,61B同士の接触面(オーミック点)を多く作ることができないので、端子挿入完了位置における端子51,61同士の接触時にメッキ層61Bの押し込み量を増やし、酸化膜51C,61Cの破壊を促進するためには、接触部間の接触圧を大きくすることが考えられる。   As described above, since many contact surfaces (ohmic points) between the plating layers 51B and 61B cannot be formed, the pushing amount of the plating layer 61B is increased when the terminals 51 and 61 are in contact with each other at the terminal insertion completion position, and the oxide film 51C. , 61C may be promoted by increasing the contact pressure between the contact portions.

しかしながら、メッキ層61Bが薄く、メッキ層61Bの押し込み量が少ないので、各端子51,61が大型化したり、複雑化するという問題がある。   However, since the plating layer 61B is thin and the pushing amount of the plating layer 61B is small, there is a problem that the terminals 51 and 61 are enlarged or complicated.

この発明は、上記した問題を解決すべくなされたものであり、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることのできる接点接続構造を提供するものである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a contact connection structure capable of reducing contact resistance without increasing the size of a terminal or complicating it as much as possible. .

この発明の接点接続構造は、インデント部が突設され、母材の外面にメッキ層が形成された第1接点部と、母材の外面にメッキ層が形成された第2接点部とを有し、端子挿入完了位置では、前記第1接点部の前記インデント部が前記第2接点部の接触面に接触荷重によって接触する接点接続構造であって、前記インデント部の前記母材と前記インデント部が接触する前記第2接点部の箇所の前記母材の少なくともいずれか一方は、外面に凹凸が設けられ、この凹凸上に前記メッキ層が形成されたことを特徴とする。   The contact connection structure of the present invention has a first contact portion having an indented portion projecting and having a plating layer formed on the outer surface of the base material, and a second contact portion having a plating layer formed on the outer surface of the base material. In the terminal insertion completion position, the indent portion of the first contact portion has a contact connection structure that contacts the contact surface of the second contact portion by a contact load, and the base material of the indent portion and the indent portion At least one of the base materials at the location of the second contact portion in contact with is provided with irregularities on the outer surface, and the plating layer is formed on the irregularities.

この発明の接点接続構造によれば、インデント部の母材とインデント部が接触する第2接点部の箇所の母材の少なくともいずれか一方は、外面に凹凸が設けられ、この凹凸上にメッキ層が形成されていることにより、インデント部が第2接点部の接触面に接触荷重によって接触したとき、第1接点部と第2接点部との少なくとも一方のメッキ層の金属が移動するのを抑制される。   According to the contact connection structure of the present invention, at least one of the base material of the second contact portion where the base material of the indent portion and the indent portion contact is provided with unevenness on the outer surface, and the plating layer is formed on the unevenness. As a result, the metal of the plating layer of at least one of the first contact portion and the second contact portion is prevented from moving when the indent portion contacts the contact surface of the second contact portion by a contact load. Is done.

このように、第1接点部と第2接点部との少なくとも一方の、メッキ層の金属の移動が抑制されることにより、酸化膜の割れ目にメッキ層の金属(例えば、錫)が入り込み、メッキ層同士の接触部を多くして、メッキ層同士の接触面を広くすることができる。   As described above, the movement of the metal of the plating layer of at least one of the first contact portion and the second contact portion is suppressed, so that the metal (for example, tin) of the plating layer enters the cracks in the oxide film, and plating is performed. The contact part between layers can be increased and the contact surface between plating layers can be widened.

したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。   Therefore, the contact resistance can be reduced without increasing the size of the terminal or making it as complex as possible.

この発明の一実施例を示し、接続前のメス端子とオス端子の断面図である。It is sectional drawing of the female terminal and male terminal before connection which show one Example of this invention. (a)はこの発明の一実施例におけるメス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図、(b)はこの発明の一実施例におけるオス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図である。(A) is schematic sectional drawing which shows the structure of the molding material which shape | molds the female terminal in one Example of this invention, (b) is schematic sectional drawing which shows the structure of the molding material which shape | molds the male terminal in one Example of this invention. FIG. この発明の一実施例を示し、接続後のメス端子とオス端子の断面図である。It is sectional drawing of the female terminal after connection and the male terminal which shows one Example of this invention. この発明の一実施例において、インデント部がタブ部に接触した状態を示す概略断面図である。In one Example of this invention, it is a schematic sectional drawing which shows the state which the indent part contacted the tab part. (a)は図4の部分xの拡大断面図、(b)は図4の部分zの拡大断面図である。(A) is an expanded sectional view of the part x of FIG. 4, (b) is an expanded sectional view of the part z of FIG. 従来例を示し、接続前のメス端子とオス端子の断面図である。It is a sectional view of a female terminal and a male terminal before showing a conventional example and connecting. 従来例を示し、(a)はメス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図、(b)はオス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図である。A prior art example is shown, (a) is a schematic sectional drawing which shows the structure of the molding material which shape | molds a female terminal, (b) is a schematic sectional drawing which shows the structure of the molding material which shape | molds a male terminal. 従来例を示し、接続後のメス端子とオス端子の断面図である。It is sectional drawing of the female terminal and male terminal after a prior art example and showing a connection. 従来例を示し、インデント部がタブ部に接触した状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows a prior art example and shows the state which the indent part contacted the tab part. (a)は図9の部分xの拡大断面図、(b)は図9の部分zの拡大断面図である。(A) is an expanded sectional view of the part x of FIG. 9, (b) is an expanded sectional view of the part z of FIG.

この発明の一実施例を、図1〜図5を参照して説明する。   An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1において、メス端子(第1端子)1は、メス側コネクタハウジング(図示省略)内の端子収容室に配置(収容)されている。メス端子1は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属(例えば、銅合金材;成形材)を折り曲げ加工して形成されている。メス端子1は、第1接点部である箱部2を有している。箱部2は、前方(図1の左側)が開口した方形状である。箱部2内には、箱部2の前方上面部より折り曲げられ、前方から後方へ延びた弾性撓み部3が配置されている。   In FIG. 1, a female terminal (first terminal) 1 is disposed (accommodated) in a terminal accommodating chamber in a female connector housing (not shown). The female terminal 1 is formed by bending a conductive metal (for example, a copper alloy material; a molding material) punched into a predetermined shape. The female terminal 1 has a box portion 2 that is a first contact portion. The box part 2 has a rectangular shape with the front (left side in FIG. 1) opened. In the box part 2, there is disposed an elastic bending part 3 that is bent from the front upper surface part of the box part 2 and extends from the front to the rear.

弾性撓み部3には、箱部2の底面部2a側に向かって突出するほぼ球面形状のインデント部4が設けられている。インデント部4は、中心の頂点が最下方に位置し、弾性撓み部3の弾性変形によって上方に変位する。弾性撓み部3と、固定面部である箱部2の底面部2aとは、間隔を置いて配置されている。弾性撓み部3と、箱部2の底面部2aとの間に、図1に示すオス端子11が挿入される。

メス端子1は、図2(a)に示すように、導電性金属の母材1Aの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ(例えば、錫メッキ)が施され、メッキ層1Bが設けられている。このメッキ層1Bの外面側に酸化膜1Cが形成される。
The elastic bending portion 3 is provided with a substantially spherical indent portion 4 protruding toward the bottom surface portion 2a side of the box portion 2. The indent portion 4 has a central vertex located at the lowermost position, and is displaced upward by elastic deformation of the elastic bending portion 3. The elastic bending part 3 and the bottom part 2a of the box part 2 which is a fixed surface part are arranged at intervals. A male terminal 11 shown in FIG. 1 is inserted between the elastic bending portion 3 and the bottom surface portion 2 a of the box portion 2.

As shown in FIG. 2 (a), the female terminal 1 is provided on the entire outer surface of the conductive metal base material 1A in terms of improving connection reliability in a high temperature environment and improving corrosion resistance in a corrosive environment. Plating (for example, tin plating) is applied, and a plating layer 1B is provided. An oxide film 1C is formed on the outer surface side of the plating layer 1B.

図1において、オス端子(第2端子)11は、オス側コネクタハウジング(図示せず)内の端子収容室に配置(収容)されている。オス端子11は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属(例えば、銅合金材;成形材)を折り曲げ加工して形成されている。オス端子11は、第2接点部であるタブ部12を有している。タブ部12は、フラットな板形状である。   In FIG. 1, a male terminal (second terminal) 11 is disposed (accommodated) in a terminal accommodating chamber in a male connector housing (not shown). The male terminal 11 is formed by bending a conductive metal (for example, a copper alloy material; a molding material) punched into a predetermined shape. The male terminal 11 has a tab portion 12 that is a second contact portion. The tab portion 12 has a flat plate shape.

オス端子11は、図2(b)に示すように、導電性金属の母材11Aと、この導電性金属の母材11Aの外面の全域に設けられたメッキ層11Bと、このメッキ層11Bの外面側に形成された酸化膜11Cとで構造されている。   As shown in FIG. 2 (b), the male terminal 11 includes a conductive metal base material 11A, a plating layer 11B provided over the entire outer surface of the conductive metal base material 11A, and the plating layer 11B. It is structured with an oxide film 11C formed on the outer surface side.

母材11Aの外面には、凹凸11dが設けられている。この凹凸11dは、例えば、母材11Aの圧延時に形成される。そして、凹凸11dは、母材表面粗度を粗くすることによって形成され、規則正しく縦横に整列させて設けたり、ランダムに設けたり、一定の大きさの凹凸であったり、大きさの異なる凹凸であってもよい。   Concavities and convexities 11d are provided on the outer surface of the base material 11A. For example, the unevenness 11d is formed when the base material 11A is rolled. The irregularities 11d are formed by increasing the surface roughness of the base material. The irregularities 11d are regularly arranged in a vertical and horizontal manner, randomly provided, irregularities of a certain size, or irregularities of different sizes. May be.

次に、メス端子1とオス端子11との接続について説明する。図1の位置に位置するオス端子11のタブ部12をメス端子1の箱部2内へ挿入すると、タブ部12に押されることによって弾性撓み部3が撓み変形することにより、タブ部12の挿入が許容される。   Next, the connection between the female terminal 1 and the male terminal 11 will be described. When the tab portion 12 of the male terminal 11 located at the position of FIG. 1 is inserted into the box portion 2 of the female terminal 1, the elastic bending portion 3 is bent and deformed by being pushed by the tab portion 12. Insertion is allowed.

タブ部12の挿入過程では、弾性撓み部3のインデント部4がタブ部12の接触面12a上を摺動し、端子挿入完了位置では、図3に示すように、弾性撓み部3のインデント部4がタブ部12の接触面12aに接触する。   In the insertion process of the tab portion 12, the indent portion 4 of the elastic bending portion 3 slides on the contact surface 12a of the tab portion 12, and at the terminal insertion completion position, as shown in FIG. 3, the indent portion of the elastic bending portion 3 4 contacts the contact surface 12 a of the tab portion 12.

上記のように、インデント部4がタブ部12の接触面12a上に接触すると、弾性撓み部3の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、図4に示すように、インデント部4に形成された酸化膜1Cが破壊されるとともに、タブ部12に形成されたメッキ層11Bが押し込まれることによって酸化膜11Cが破壊(切断)される。   As described above, when the indent portion 4 comes into contact with the contact surface 12a of the tab portion 12, the bending return force of the elastic deflection portion 3 acts as a contact load, thereby forming the indent portion 4 as shown in FIG. The oxidized film 1C is destroyed and the plated layer 11B formed on the tab portion 12 is pushed, whereby the oxide film 11C is destroyed (cut).

図4の部分x(インデント部4の先端部分;タブ部12に形成された凹部の底部分)では、インデント部4の接触荷重Fによって酸化膜11Cをメッキ層11Bへ押し込む。ここで、接触荷重Fを受けると、メッキ層11Bの金属は、外側に逃げようとするが、母材11Aの凹部内の金属は、図2(b)の矢印bで示すように、両側の凸部によって外側に逃げることができず、凹部内の金属の矢印a方向の反力が高くなる。これにより、図5(a)に示すように、酸化膜1C,11Cに割れ目1Ca,11Caが発生し、割れ目1Ca,11Caへの金属の入り込みが促進される。これにより、金属同士の接触箇所が多くなる。   In the portion x of FIG. 4 (the tip portion of the indent portion 4; the bottom portion of the recess formed in the tab portion 12), the oxide film 11C is pushed into the plating layer 11B by the contact load F of the indent portion 4. Here, when the contact load F is received, the metal of the plating layer 11B tends to escape to the outside, but the metal in the recess of the base material 11A is on both sides as shown by the arrow b in FIG. The convex portion cannot escape to the outside, and the reaction force of the metal in the concave portion in the direction of arrow a increases. As a result, as shown in FIG. 5A, cracks 1Ca and 11Ca are generated in the oxide films 1C and 11C, and the metal enters the cracks 1Ca and 11Ca is promoted. Thereby, the contact location of metals increases.

図4の部分y(タブ部12に形成された凹部の中腹周回部分)では、部分xがメッキ層11B側に押し込まれることによって、メッキ層11Bの伸び量が大きい。そのため、メッキ層1B,11Bに割れ目ができ易い箇所であるが、母材11Aの凹凸11dによっておよび上記した理由によって酸化膜1C,11Cの割れ目1Ca,11Caの発生が促進される。したがって、母材11Aの表面がフラットな場合に比べて、金属同士の接触箇所が多くなる。   In the portion y of FIG. 4 (the middle circumferential portion of the recess formed in the tab portion 12), the portion x is pushed toward the plating layer 11B, so that the amount of extension of the plating layer 11B is large. Therefore, although the plating layers 1B and 11B are easily cracked, the generation of the cracks 1Ca and 11Ca in the oxide films 1C and 11C is promoted by the unevenness 11d of the base material 11A and for the reason described above. Therefore, compared with the case where the surface of 11 A of base materials is flat, the contact location of metals increases.

図4の部分z(タブ部12に形成された凹部の上端周回部分)では、小さな接触荷重しか作用しないため、酸化膜11Cの伸びが小さいものの、母材11Aの凹凸11dによっておよび上記した理由によって酸化膜1C,11Cの割れ目1Ca,11Caが発生する。したがって、母材11Aの表面がフラットな場合に比べて、金属同士の接触箇所が多くなる。   In the portion z (upper peripheral portion of the recess formed in the tab portion 12) in FIG. 4, only a small contact load acts, so the oxide film 11C has a small elongation, but due to the unevenness 11d of the base material 11A and for the reasons described above. Cracks 1Ca and 11Ca in the oxide films 1C and 11C are generated. Therefore, compared with the case where the surface of 11 A of base materials is flat, the contact location of metals increases.

このように、母材11Aに凹凸11dを形成する(設ける)ことにより、メッキ層11Bの金属の移動が抑制されるため、酸化膜1C,11Cの割れ目1Ca,11Caにメッキの金属が入り込み、金属同士の接触部を多くして、金属同士の接触面を広くすることができる。   In this way, by forming (providing) the unevenness 11d on the base material 11A, the movement of the metal of the plating layer 11B is suppressed, so that the plating metal enters the cracks 1Ca and 11Ca of the oxide films 1C and 11C. The contact surface between metals can be increased and the contact surface between metals can be widened.

したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。   Therefore, the contact resistance can be reduced without increasing the size of the terminal or making it as complex as possible.

この発明の一実施例によれば、メス端子1の母材11Aの外面に凹凸11dを設け、この凹凸11d上にメッキ層11Bを形成したことにより、インデント部4がタブ部12の接触面12aに接触荷重Fによって接触したとき、メッキ層11Bの金属が移動するのを抑制される。   According to one embodiment of the present invention, the indentation 4 is formed on the outer surface of the base material 11A of the female terminal 1 and the plating layer 11B is formed on the irregularity 11d. The metal of the plating layer 11 </ b> B is restrained from moving when contacted by the contact load F.

このように、メッキ層11Bの金属の移動が抑制されることにより、酸化膜1C,11Cの割れ目1Ca,11Caにメッキ層1B,11Bの金属が入り込み、メッキ層1B,11B同士の接触部を多くして、メッキ層1B,11B同士の接触面を広くすることができる。   In this way, by suppressing the movement of the metal of the plating layer 11B, the metal of the plating layers 1B and 11B enters the cracks 1Ca and 11Ca of the oxide films 1C and 11C, and there are many contact portions between the plating layers 1B and 11B. Thus, the contact surface between the plating layers 1B and 11B can be widened.

したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。   Therefore, the contact resistance can be reduced without increasing the size of the terminal or making it as complex as possible.

上記した実施例では、メス端子1を、表面に凹凸11dが形成された母材11Aにメッキ層11Bを形成した例で説明したが、オス端子を、表面に凹凸が形成された母材にメッキを形成しても、同様な効果を得ることができる。   In the above-described embodiment, the female terminal 1 is described as an example in which the plating layer 11B is formed on the base material 11A having the unevenness 11d formed on the surface. However, the male terminal is plated on the base material having the unevenness formed on the surface. Even if formed, the same effect can be obtained.

したがって、メス端子(第1接点部)とオス端子(第2接点部)との少なくとも一方を、表面に凹凸が形成された母材にメッキ層を形成しても、同様な効果を得ることができる。   Therefore, even if at least one of the female terminal (first contact portion) and the male terminal (second contact portion) is formed with a plating layer on the base material having irregularities formed on the surface, the same effect can be obtained. it can.

1 メス端子(第1端子)
1A 母材
1B メッキ層
1C 酸化層
1Ca 割れ目
2 箱部(第1接点部)
2a 底面部(固定面部)
3 弾性撓み部
4 インデント部
11 オス端子(第2端子)
11A 母材
11B メッキ層
11C 酸化層
11Ca 割れ目
11d 凹凸
12 タブ部(第2接点部)
12a 接触面
13 メッキ層
14 酸化膜
F 接触荷重
1 Female terminal (1st terminal)
1A Base material 1B Plating layer 1C Oxidation layer 1Ca Crack 2 Box part (first contact part)
2a Bottom (fixed surface)
3 Elastic Deflection Part 4 Indentation Part 11 Male Terminal (Second Terminal)
11A Base material 11B Plating layer 11C Oxidation layer 11Ca Crack 11d Concavity and convexity 12 Tab part (second contact part)
12a Contact surface 13 Plating layer 14 Oxide film F Contact load

Claims (1)

インデント部が突設され、母材の外面にメッキ層が形成された第1接点部と、母材の外面にメッキ層が形成された第2接点部とを有し、端子挿入完了位置では、前記第1接点部の前記インデント部が前記第2接点部の接触面に接触荷重によって接触する接点接続構造であって、
前記インデント部の前記母材と前記インデント部が接触する前記第2接点部の箇所の前記母材の少なくともいずれか一方は、外面に凹凸が設けられ、この凹凸上に前記メッキ層が形成されたことを特徴とする接点接続構造。
An indented portion is provided, and includes a first contact portion in which a plating layer is formed on the outer surface of the base material, and a second contact portion in which a plating layer is formed on the outer surface of the base material. A contact connection structure in which the indent portion of the first contact portion contacts the contact surface of the second contact portion by a contact load;
At least one of the base material at the location of the second contact portion where the base material of the indent portion and the indent portion are in contact is provided with irregularities on the outer surface, and the plating layer is formed on the irregularities. A contact connection structure characterized by that.
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