JP2016139009A - アクチュエータ、及びアクチュエータを用いた可変形状ミラー - Google Patents
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Abstract
【課題】製造工程において、アクチュエータの弾性部材への応力集中を低減できて、弾性部材の破損の抑制を可能とする構成を有するアクチュエータなどを提供する。
【解決手段】アクチュエータ1は、可動部材4と、可動部材と支持部材2とを繋ぐ弾性部材5と、可動部材を反射面に垂直な方向に変位させるための櫛歯電極構造の電極対を有する。可動部材から延出する全ての可動櫛歯電極6が略平行であり、弾性部材5の、可動部材4から延出し始める部分が、可動櫛歯電極6と略平行である。
【選択図】図1
【解決手段】アクチュエータ1は、可動部材4と、可動部材と支持部材2とを繋ぐ弾性部材5と、可動部材を反射面に垂直な方向に変位させるための櫛歯電極構造の電極対を有する。可動部材から延出する全ての可動櫛歯電極6が略平行であり、弾性部材5の、可動部材4から延出し始める部分が、可動櫛歯電極6と略平行である。
【選択図】図1
Description
本発明は、アクチュエータ、アクチュエータを用いた可変形状ミラー、可変形状ミラーを用いた補償光学システムなどの装置、可変形状ミラーの製造方法等に関する。
静電引力によって変位させるタイプの可動ミラーないし可変形状ミラーは、光を利用した様々な分野への応用が期待されている。例えば、眼底検査装置、天体望遠鏡などの補償光学用波面補正デバイスとして利用することができる。静電引力で反射面を変化させるこのような可動ミラーの典型例として、2枚の平行平板電極を使って可動する手法が挙げられるが、この平行平板型の欠点として可動量が小さいことが挙げられる。
それに対して、より大きな可動量を得ることができる櫛歯電極構造を用いた可変形状ミラーが近年提案されている。その一例が特許文献1に開示されている。この可変形状ミラーでは、可動側の櫛歯電極を支持する支持部と、固定側の櫛歯電極を支持する支持部が、それぞれ支持部に垂直な方向の上下に位置している。可動部を可動に支持する弾性部材は、Cuメッキによって作製されている。また、可動櫛歯電極と固定櫛歯電極は、互いに対向し、かつ間隔を隔てて交互になるように配置されている。これにより、上記平行平板型よりも大きな電極重なり面積が生じるので、可動櫛歯電極と固定櫛歯電極間で発生する静電引力が大きくなり、反射部に接続した接続部の可動量を大きくすることができる。
また、特許文献2には、活性層と基板層とをBOX層を介して結合して成るSOI基板が開示されている。そして、特許文献2には、可動櫛歯電極と固定櫛歯電極と弾性体がSOI基板の活性層に形成された静電櫛歯アクチュエ―タ構造が提案されており、これは、可動部が基板平面方向に駆動するものである。
上述した特許文献1に開示されている構造の従来の静電縦櫛歯電極型の可変形状ミラーは、静電櫛歯アクチュエータの弾性部材がCuメッキ膜からなり、よりバネ特性が優れた弾性部材が求められている。
特許文献2では、SOI基板からなる静電櫛歯アクチュエータの弾性部材として、厚みが30μm程度の活性層が開示されている。この活性層は、単結晶シリコンから成るために、弾性部材として用いる場合には、特許文献1で開示されているCuメッキ膜よりも材料特性が優れている。このSOI基板の活性層を弾性部材として使用する場合には、次のことが必要になる。即ち、SOI基板の活性層の弾性部形状へのパターニング、基板層側の弾性部材を包含するエリアに基板層を貫通する開孔を形成してBOX層を表出させること、BOX層を除去して活性層からなる弾性部材をリリースすること、が必要になる。
また、特許文献1のミラーのように静電櫛歯アクチュエータの可動部がSOI基板の垂直方向に変位する構成に、SOI基板の活性層からなる弾性部材を適用することを考える場合、次のようなことが想定される。即ち、可動部の変位量を大きくするためには、この活性層からなる弾性部材をなるべく薄くする必要がある。また、静電櫛歯アクチュエータの上記基板層を貫通する開孔をエッチングで形成する際には、BOX層をエッチングストッパ層として利用するため、BOX層が厚い方が良い。また、静電櫛歯アクチュエータの活性層と基板層をBOX層によって電気的に絶縁する場合には、BOX層が厚い方が良い。よって、上記理由から、静電櫛歯アクチュエータの可動部がSOI基板の垂直方向に変位する構成では、静電櫛歯アクチュエータの弾性部材を薄く、BOX層が厚い構成が望ましい。
しかしながら、この場合、弾性部材が形成される活性層に接するBOX層に隣接する基板層を貫通する開孔を形成する工程後から、弾性部材をリリースするためにBOX層を除去する工程までに、次のことが発生することが懸念される。即ち、弾性部材となる活性層に接しているBOX層の膜応力に起因する撓みによって弾性部材の根元に応力集中が発生して、弾性部材に破損が発生する可能性が高まることが懸念される。よって、可動部がSOI基板の垂直方向に変位する静電櫛歯アクチュエータを用いた可変形状ミラーにおいては、SOI基板の活性層を弾性部材として使用する場合、弾性部材の破損の発生が抑制される構造が要求される。
上記課題に鑑み、本発明に係るアクチュエータは、支持部材と、前記支持部材に設けられ、前記支持部材から延出する複数の固定櫛歯電極と、可動部材と、前記可動部材と前記支持部材とを繋ぐ弾性部材と、前記可動部材に設けられ、前記可動部材から前記固定櫛歯電極と略平行に延出し、かつ前記固定櫛歯電極と間隙を隔てて噛み合う複数の可動櫛歯電極と、を有し、前記可動部材の前記可動櫛歯電極が設けられた面と前記支持部材の前記固定櫛歯電極が設けられた面とが、前記可動部材の可動方向と略平行に配置されているアクチュエータであって、前記複数の可動櫛歯電極が互いに略平行であり、前記弾性部材の、前記可動部材から延出し始める部分が、前記複数の可動櫛歯電極と略平行である。
本発明によれば、上記構成のアクチュエータは、その製造工程において、アクチュエータの弾性部材への応力集中を低減できるため、弾性部材の破損の抑制が可能である。
本発明では、可変形状ミラーなどに係る静電櫛歯型アクチュエータにおいて、可動部材から延出する複数の可動櫛歯電極が互いに略平行であり、可動部材と支持部材を繋ぐ弾性部材の、可動部材から延出し始める部分が、可動櫛歯電極と略平行である。これにより、次の如き懸念を減少することができる。静電櫛歯型アクチュエータの製造工程で、例えばSOI基板に形成した可動櫛歯電極に接するBOX層の延伸方向の撓みと、弾性部材に接するBOX層の延伸方向の撓みの方向が交差することで、弾性部材の根元に応力が集中して弾性部材が破損することがあった。しかし、本発明によれば、こうした懸念を低減できる。
本発明の実施形態を挙げて、本発明の構成例とその作用・効果を説明する。
(可変形状ミラー)
まず、図1、図2、図3を参照しながら本発明の可変形状ミラーのアクチュエータの実施形態について説明する。本実施形態に係る可変形状ミラーのアクチュエータアレイは、複数の静電櫛歯型アクチュエータを有する。ミラー面に対して鉛直(垂直)方向の上側に変位するものであり、変位のストローク(最大変位量)が比較的小さく、例えば、20μmであるが、変位量を細かく制御できる利点がある。図1(a)は、静電櫛歯型アクチュエータアレイの中の1つの静電櫛歯型アクチュエータ1を裏面側から見た平面図である。図1(b)は、作製途中の静電櫛歯型アクチュエータアレイ1を裏面側から見た平面図である。図1(a)に示すように、本実施形態に係る可変形状ミラーは、支持部材2を有する。そして、以下の構成要素を有する。即ち、支持部材2に設けられ、支持部材2の上面(図1の紙面に平行な面)に平行な方向に延出する固定櫛歯電極3と、一方の面が反射面であるミラー部材と、ミラー部材の反射面とは反対側の面に接続された可動部材4を有する。更に、可動部材4と支持部材2とを繋ぐ複数設けられた弾性部材5と、可動部材4に設けられ、固定櫛歯電極3と平行に延出し、かつ固定櫛歯電極3と間隙を隔てて噛み合う可動櫛歯電極6と、を有している。
(可変形状ミラー)
まず、図1、図2、図3を参照しながら本発明の可変形状ミラーのアクチュエータの実施形態について説明する。本実施形態に係る可変形状ミラーのアクチュエータアレイは、複数の静電櫛歯型アクチュエータを有する。ミラー面に対して鉛直(垂直)方向の上側に変位するものであり、変位のストローク(最大変位量)が比較的小さく、例えば、20μmであるが、変位量を細かく制御できる利点がある。図1(a)は、静電櫛歯型アクチュエータアレイの中の1つの静電櫛歯型アクチュエータ1を裏面側から見た平面図である。図1(b)は、作製途中の静電櫛歯型アクチュエータアレイ1を裏面側から見た平面図である。図1(a)に示すように、本実施形態に係る可変形状ミラーは、支持部材2を有する。そして、以下の構成要素を有する。即ち、支持部材2に設けられ、支持部材2の上面(図1の紙面に平行な面)に平行な方向に延出する固定櫛歯電極3と、一方の面が反射面であるミラー部材と、ミラー部材の反射面とは反対側の面に接続された可動部材4を有する。更に、可動部材4と支持部材2とを繋ぐ複数設けられた弾性部材5と、可動部材4に設けられ、固定櫛歯電極3と平行に延出し、かつ固定櫛歯電極3と間隙を隔てて噛み合う可動櫛歯電極6と、を有している。
上記構成において、可動部材4の可動櫛歯電極6が設けられた面と支持部材2の固定櫛歯電極3が設けられた面は、可動部材4の可動方向に沿って配置されている。さらに、可動部材4から延出する全ての可動櫛歯電極6は略平行であり、可動櫛歯電極6と、可動部材4と支持部材2を繋ぐ全ての弾性部材5の、可動部材4から延出し始める部分と、が略平行である。ここで、略平行とは、それぞれで成す角度が、例えば、0°以上5°以下の範囲であるが、1°以下が好ましく、0°が最適である。
作成途中の静電櫛歯アクチュエータ1を示す図1(b)に示すように、可動櫛歯電極6に接しているBOX層からなるパターン7と、弾性部材5の裏側に接しているBOX層からなるパターン8は、略平行になっている。このため、本実施形態の可変形状ミラーにおける静電櫛歯アクチュエータ1では、次の利点が得られる。つまり、可動櫛歯電極6に接しているBOX層のパターン7による撓みの方向と、弾性部材5の裏側に接しているBOX層のパターン8による撓みの方向が略平行で交差しないため、弾性部材5において延伸方向に対してねじれる方向に応力集中が起きにくい。このことから、比較的薄い弾性部材5の場合でも、弾性部材5の破損を抑制することが可能となる。ここでは、可動櫛歯電極6に接しているBOX層からなるパターン7と、弾性部材5の裏側に接しているBOX層からなるパターン8は、全長に亘って、略平行になっている。しかし、弾性部材5の、可動部材4から延出し始める部分が略平行で、その他の部分に非平行な部分を含むようなクランク形状の如き形状も可能である。ただし、後述の図3(b)、(d)から分かる様に、支持部材2から延出し始める部分も可動櫛歯電極と略平行であるほうが好ましいと言える。
図3に、可変形状ミラーのアクチュエータについて、可動櫛歯電極71と弾性部材72の延伸方向を変えたサンプル1、2を用いてシミュレーションを行った結果を示す。これは、有限要素法によるアクチュエータの弾性部材への応力集中のシミュレーション結果である。サンプル1は、図3(a)に示すように、可動部70と可動櫛歯電極71、73と弾性部材72からなる簡易な構造であり、可動櫛歯電極71、73と弾性部材72の延伸方向を互いに垂直に配置している。サンプル2は、図3(c)に示すように、可動部70と可動櫛歯電極71、73と弾性部材72からなる簡易な構造であり、可動櫛歯電極71、73と弾性部材72の延伸方向を平行に配置している。
シミュレーションを行うにあたっては、有限要素法の解析が可能な市販ソフト(ANSYS社製)を用いた。シミュレーションの条件は、下記の通りである。なお、可動櫛歯電極71、73と弾性部材72の配置による弾性部材72への応力集中の影響をみるために、一方の可動櫛歯電極71の上面と、可動部70を挟んで他方の可動櫛歯電極73の下面に同じ面荷重を印加した。
可動部の寸法:L(縦)600μm、W(横)300μm、T(厚さ)100μm。
可動櫛歯電極の寸法:L300μm、W100μm、T100μm。
弾性部材:L300μm、W100μm、T10μm。
材料:単結晶シリコン(ヤング率130GPa、ポアソン比0.28)。
拘束面:可動部との接続面とは反対側のバネ(弾性部材)断面。
可動部の寸法:L(縦)600μm、W(横)300μm、T(厚さ)100μm。
可動櫛歯電極の寸法:L300μm、W100μm、T100μm。
弾性部材:L300μm、W100μm、T10μm。
材料:単結晶シリコン(ヤング率130GPa、ポアソン比0.28)。
拘束面:可動部との接続面とは反対側のバネ(弾性部材)断面。
サンプル1について得られたシミュレーション結果を図3(b)に示す。図3(b)では、集中応力の大きさをコンター表示している。図3(b)のシミュレーション結果から、最大の応力強さが弾性部材の可動部側の根元の外側の端部(矢印部)に集中していることが分かる。
次に、サンプル2について得られたシミュレーション結果を図3(d)に示す。図3(d)においても、図3(b)と同様に、集中応力の大きさをコンタ―表示している。図3(d)のシミュレーション結果から、本実施形態に相当するサンプル2では、最大の応力強さが弾性部材72の可動部材70と接する辺に分散しており、比較例の図3(b)と比較して、弾性部材72にかかる最大応力強さが1/3以下であった。よって、図3のシミュレーション結果から、本実施形態に相当するサンプル2は、比較例であるサンプル1に比べて、弾性部材72の破損に繋がる最大応力強さを低減できることが確認できた。
次に、図2(a)〜(g)を用いて、本実施形態に係る可変形状ミラーの静電櫛歯型アクチュエータ120の製造方法について説明する。図2(a)〜(g)は、図1(a)のA−B断面図に対応する断面図であり、図1(a)に示す構造の製造方法を示す。ここでは、複数の静電櫛歯型アクチュエータを同時にSOI基板に形成する例を、1つの静電櫛歯型アクチュエータ120のみを示して説明する。
初めに、図2(a)に示すように、基板層110、BOX層111、SOI層(シリコン層)112からなるSOI基板109を用意する。基板層110、BOX層111、SOI層112のそれぞれの厚さは、例えば200μm、2μm、2μmである。次に、図1(b)に示すように、SOI基板109の両面に絶縁層113のパターン(113a、113b)を形成する。具体的には、パターン(113a、113b)は、熱酸化による酸化シリコン(SiO2)を絶縁層113として形成した後に、レジストパターン(不図示)を形成し、該レジストパターンをマスクにして、絶縁層113をエッチングして形成する。絶縁層113のエッチングには、例えば、フロン系ガスである四フッ化メタン(CF4)、二フッ化メタン(CH2F2)、三フッ化メタン(CHF3)などによるプラズマエッチングを利用する。これらのフロン系ガスは、単独または他のフロンガスと混合して、更には、アルゴン(Ar)やヘリウム(He)などの不活性ガスと混合して、使用され得る。
次に、図2(c)に示すように、コンタクトホールパターン状の貫通電極114を形成する。具体的には、まず、SOI基板109の裏面にレジストパターン(不図示)を形成し、該レジストパターンをマスクにして、SOI層112及びBOX層111をエッチングして貫通孔を形成する。さらに、電極材料となるクロム(Cr)及び金(Au)を積層成膜した後、レジストパターン(不図示)を形成する。次に、該レジストパターンをマスクにして、金(Au)及びクロム(Cr)をエッチングする。
次に、図2(d)に示すように、櫛歯電極形状を形成する時のマスクを形成する。SOI基板109の基板層110側の表面にレジストパターン115を形成し、基板層110表面の絶縁層113bをエッチングしてパターニングする。ここで、絶縁層113bのエッチングには、図2(b)の工程で例示したフロン系ガスによるプラズマエッチングを利用する。
次に、図2(e)に示すように、基板層110から可動櫛歯電極116及び固定櫛歯電極117を形成する。この工程では、図2(d)で形成したレジストパターン115及び絶縁層113bをマスクにして、基板層110をエッチングする。この工程で、所望の櫛歯電極形状を形成するためには、基板層の表面に対して垂直な方向に深堀エッチングが可能なICP−RIE(Inductive−Coupled−Plasma−Reactive−Ion−Etching)などを用いる。ICP−RIEを用いることにより、高アスペクトで微細な櫛歯電極構造を形成することができる。
次に、図2(f)に示すように、可動櫛歯電極116と固定櫛歯電極117を片面ずつエッチング加工して各櫛歯電極に段差を形成する。固定櫛歯電極117の段差を形成するために、裏面の絶縁層(SiO2)113aをマスクにして、活性層112をエッチングする。そして、エッチングによりパターニングされた活性層112をマスクにしてBOX層111をエッチングする。さらに、エッチングによりパターニングされたBOX層111をマスクにして、固定櫛歯電極117のシリコン(Si)を裏面側から例えば20μmの深さにエッチングする。
また、可動櫛歯電極116に段差を形成するために、表面のレジストパターン115を剥離した後に、表面の絶縁層(SiO2)113bをマスクに、可動櫛歯電極116のシリコン(Si)を表面側から例えば20μmの深さにエッチングする。これらのシリコン(Si)層及び絶縁層のエッチングには、図2(b)で例示したフロン系のガスによるプラズマエッチングや、図2(d)で例示したICP−RIEなどを利用する。これらの櫛歯段差形成工程において、固定櫛歯電極117の下面と可動櫛歯電極116の上面に段差が形成されることで、静電櫛歯型アクチュエータ1が電圧印加によって変位するための櫛歯電極構造が形成される。この櫛歯電極構造による駆動原理は後述する。
ここで、図2(f)における静電櫛歯アクチュエータ120の裏面の平面図に相当するものが図1(b)である。図1(b)において、可動櫛歯電極6と弾性部材5が略平行である。そのため、図2(f)における可動櫛歯電極116の下面にあるBOX層111と弾性部材119の上面にあるBOX層111のそれぞれに相当するBOX層のパターン7、8が、略平行である。よって、BOX層の膜応力によって発生するBOX層のパターン7の撓みとBOX層のパターン8の撓みの方向が略平行で、交差しないため、上述した図3のシミュレーション結果のとおり、弾性部材119の破損を抑制することが可能になる。
次に、図2(g)に示すように、BOX層111と絶縁層113の露出部分を、例えば、バッファードフッ酸(BHF)を用いてエッチングして可動櫛歯電極116と弾性部材119をリリースすることで、静電櫛歯型アクチュエータ120が作製される。なお、上述したアクチュエータ部及びその製造方法は一例であり、これらに限定されるものではない。静電櫛歯型アクチュエータ1のアレイ配置は、例えば三角格子状であり、アレイピッチは、例えば1000μmである。
以上説明した可変形状ミラーに係る静電櫛歯型アクチュエータは、上記理由によって弾性部材の破損を抑制可能である。また、静電櫛歯型アクチュエータを製造する際に、歩留まりを向上して製造コストを低減することが可能になる。また、本実施形態に係る静電櫛歯型アクチュエータ1は、全ての可動櫛歯電極6と弾性部材5が略平行である。そのために、例えば、可動櫛歯電極と弾性部材の延伸方向が垂直なレイアウトと比較して、静電櫛歯型アクチュエータをコンパクトに、かつ、櫛歯電極領域を広くレイアウトすることが可能である。
(可変形状ミラーの製造方法)
次に、図4を参照しながら本発明の可変形状ミラーの製造方法の実施形態を説明する。図4(a)は、本実施形態に係る可変形状ミラー10の平面図であり、図4(b)〜(e)は、図4(a)のA−A’断面におけるプロセス断面図である。本実施形態に係る可変形状ミラー10の形成方法では、SOI基板11の活性層12をミラー基材として、静電櫛歯型アクチュエータアレイ20に移設するものである。
次に、図4を参照しながら本発明の可変形状ミラーの製造方法の実施形態を説明する。図4(a)は、本実施形態に係る可変形状ミラー10の平面図であり、図4(b)〜(e)は、図4(a)のA−A’断面におけるプロセス断面図である。本実施形態に係る可変形状ミラー10の形成方法では、SOI基板11の活性層12をミラー基材として、静電櫛歯型アクチュエータアレイ20に移設するものである。
まず、図4(b)に示すように、活性層、絶縁体層(BOX層)、及び基板層の3層からなる第1基板として、例えばSOI基板11を準備する。SOI基板11は、例えば、シリコンからなる活性層12と基板層14とその間の酸化シリコンからなるBOX層13を有している。また、活性層12上には、静電櫛歯型アクチュエータの可動部材との接続部となるポスト40や、周辺の固定部材との接続部となる周縁接続部41が形成されている。
次に、図4(c)に示すように、ミラー基材である活性層12を変位させるための静電櫛歯型アクチュエータアレイ20を準備する。この静電櫛歯型アクチュエータアレイ20は、前述の通り、支持部材25、周辺の支持部材42と、前記支持部材に設けられ前記支持部材の上面に平行な方向に延出する固定櫛歯電極(不図示)を有する。また、可動部材24と、可動部材24と支持部材25、42とを繋ぐ弾性部材29と、可動部材24に設けられ、前記固定櫛歯電極と平行に延出し、かつ前記固定櫛歯電極と間隙を隔てて噛み合う可動櫛歯電極(不図示)と、を有している。可動部材24の前記可動櫛歯電極が設けられた面と支持部材25、42の前記固定櫛歯電極が設けられた面は、可動部材24の可動方向に沿って配置されている。
さらに、可動部材24から延出する全ての前記可動櫛歯電極は略平行である。そして、前記可動櫛歯電極と、可動部材24と支持部材25、42を繋ぐ全ての弾性部材29の、可動部材24から延出し始める部分と、が略平行である。可動部材24及び周辺の支持部材42上には、ミラー基材12上に設けられたポスト40、41との接続のための接続部(不図示)が形成されている。
次に、図4(d)に示すように、ミラー基材12の元となる第1基板11と、第1のアクチュエータアレイ20を、ポスト40及び周辺接続部41を介して接合する。ポスト40及び周辺接続部41としては、例えば、Auバンプを用いる。また、可動部材24及び周辺の支持部材42上に設けられた接続部としては、例えば、Auパッドを用いる。この接合には、例えば、Au−Au表面活性化接合法を用いる。この方法は、ArプラズマによるAuバンプとAuパッド表面の有機物除去によって活性化した後に接合する方法である。
なお、本実施形態の接合方法には、常温の表面活性化接合を用いたが、これに限定されることはない。ここで、ミラー基材12の元となる第1基板11と第1のアクチュエータ基板20との接合位置合わせは、第1基板に形成の位置合わせマーク(不図示)に対して、第1のアクチュエータ基板に形成の位置合わせマーク(不図示)を合わせすることで行う。上記接合における位置合わせ精度は、±0.5μm以下で行うことができるため、複数の可動部24は、ミラー基材12と高精度に位置合わせされた状態で配置されることが可能である。
次に、図4(e)に示すように、前記第1基板のSOI基板11の基板層14及びBOX層13を除去する。これにより、静電櫛歯型アクチュエータアレイ20に、活性層12からなるミラー基材が接続された構造を形成することができる。基板層14の除去は、例えば、シリコンドライエッチングによって行う。このエッチング終点は、プラズマ発光分光法を用いて制御し、SOI基板11のBOX層13をエッチストッパー層として利用する。このシリコンドライエッチングにおいて、エッチストッパー層のBOX層13と基板層とのエッチング選択比が高い条件を用いることで、BOX層13が活性層12を保護するため、活性層12がエッチングされることはない。ここで、基板層14の除去は、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(TMAH)などによるウェットエッチングで行っても良い。
次に、BOX層13の除去は、例えば、バッファードフッ酸(BHF)によるウェットエッチングを用いて行う。このとき、BOX層13の下層の活性層12は、BOX層13に対して高いエッチング選択比を有するため、殆どエッチングされない。そのため、ミラー基材12(活性層12)のダメージがなくBOX層13の除去が可能である。なお、BOX層13の除去には、この他に、ベーパーフッ酸によるドライエッチング法を用いても良い。
次に、ミラー基材の表面に反射膜15を成膜することで、可変形状ミラーの反射率を向上させても良い。この反射膜の材料は、例えば、Auであり、密着層として、例えば、Tiを用いると良い。
以上に述べた様に、本実施形態に係る可変形状ミラーは、静電櫛歯型アクチュエータの弾性部材の破損を抑制しているため、可変形状ミラーを製造する際の歩留まりが向上して製造コストを低減することが可能である。
図5は、本発明に係る静電櫛歯アクチュエータの駆動原理を示す断面図であり、電極対を有する静電櫛歯アクチュエータの構造として、簡易的に可動櫛歯電極60と固定櫛歯電極61のみを示している。(a)の電圧印加直後では、可動櫛歯電極60と固定櫛歯電極61にそれぞれ符号が逆の電荷を与えることで櫛歯電極間に発生した静電引力によって、可動櫛歯電極60が基板垂直方向(Z方向)のプラス側に変位する。即ち、櫛歯電極間に発生した静電引力によって、可動櫛歯電極60を支持している可動部(ここでは不図示)を駆動することができる。なお、この静電引力によって、可動櫛歯電極60は、固定櫛歯電極61に近づこうとするが、水平方向(X方向)に関しては左右に略均等に静電引力を受けるので、垂直方向の上側に変位することになる。
(b)のつり合い状態において、弾性体(ここでは不図示)は、静電引力によって可動櫛歯電極60が変位する時に、この静電引力と弾性体復元力とがつり合う位置で可動櫛歯電極60を停止させる役割を果たす。(c)の電圧開放後では、櫛歯電極間の静電引力が開放されることで、静電引力と弾性体復元力のつり合いがなくなり、可動櫛歯電極60には、弾性体復元力が働く。(d)の変位後には、弾性体復元力によって、可動櫛歯電極60は初期位置に戻る。また、可動櫛歯電極60と固定櫛歯電極61への印加電圧の正負(付与電荷の正負)は、図5とは、逆でも良い。つまり、可動櫛歯電極と固定櫛歯電極へ印加する電圧に応じて可動部の変位が制御される。
ここで、可動櫛歯電極60と固定櫛歯電極61に電位差を与えた時に働く垂直方向の静電引力Fzは以下の(式1)で表わされる。
Fz=[(ε0・N・h)/(2g)]・(Vm−Vf)2 (式1)
ここで、ε0:真空の誘電率、N:櫛歯電極間間隔の数、h:可動櫛歯電極と固定櫛歯電極のオーバーラップ長、Vm:可動櫛歯電極の電位、Vf:固定櫛歯電極の電位、g:櫛歯電極間間隔の幅である。
Fz=[(ε0・N・h)/(2g)]・(Vm−Vf)2 (式1)
ここで、ε0:真空の誘電率、N:櫛歯電極間間隔の数、h:可動櫛歯電極と固定櫛歯電極のオーバーラップ長、Vm:可動櫛歯電極の電位、Vf:固定櫛歯電極の電位、g:櫛歯電極間間隔の幅である。
このため、図4に示すアクチュエータアレイ20は、固定櫛歯電極(不図示)がグランドに接地され、複数の可動部材24に個別に接続された配線(不図示)を介して可動部材24に接続された可動櫛歯電極(不図示)に電圧を印加することで、次のようになる。即ち、複数の可動部材24をミラー基材側に、個別に変位させることができる。なお、図4(a)では、連続した反射面を有する可変形状ミラー10に7個の静電櫛歯型アクチュエータ51、52、53が接続された構造を示す。しかし、これは一例であり、アクチュエータの個数を増やすことで、より複雑なミラー面形状を精度良く実現することが可能になる。
(眼科装置)
以上説明した可変形状ミラーを、光学収差を補償する波面補正デバイスとして用いた補償光学システムについて、走査型レーザ顕眼鏡(Scanning Laser Ophthalmoscope:以下SLO装置と記述する)を例にとって説明する。SLO装置とは、光を眼底に照射し、視細胞・網膜神経線維束・血球動態等の観察を可能にする眼科装置である。
以上説明した可変形状ミラーを、光学収差を補償する波面補正デバイスとして用いた補償光学システムについて、走査型レーザ顕眼鏡(Scanning Laser Ophthalmoscope:以下SLO装置と記述する)を例にとって説明する。SLO装置とは、光を眼底に照射し、視細胞・網膜神経線維束・血球動態等の観察を可能にする眼科装置である。
本実施形態にかかるSLO装置の概略構成を図6に示す。光源301から出射した光は、単一モード光ファイバー302を伝播し、コリメータ303を通過して平行光線となる。平行光線は、測定光305として光分割手段であるビームスプリッタ304を透過し、補償光学システム320に導光される。例えばレーザ光を出射する光源301の波長は特に制限されるものではないが、特に眼底撮像用としては被験者の眩しさの軽減と分解能維持のために、800〜1500nm程度(例えば、850nm帯以下)が好適に用いられる。補償光学システム320は、光分割手段であるビームスプリッタ306、波面センサ(収差測定ユニット)315、反射型光変調素子をなす可変形状ミラー(波面補正デバイス)308および、それらに導光するための反射ミラー307−1〜4から構成される。各反射ミラー307は、少なくとも被検眼の瞳と波面センサ315、可変形状ミラー308とが光学的に共役関係になるように設置されている。
補償光学システム320を通過した光は、光走査部309によって、1次元もしくは2次元に走査される。光走査部309で走査された測定光は、接眼レンズ310−1および310−2を通して被検眼311に照射される。接眼レンズ310−1および310−2の位置を調整することによって、被検眼311の視度にあわせて最適な照射を行うことが可能となる。ここでは接眼部にレンズを用いているが、球面ミラー等で構成しても良い。
被検眼311に照射された測定光は眼底(網膜)で反射もしくは散乱される。被検眼311の眼底で反射散乱された光は、入射した時と同様の経路を逆向きに進行し、ビームスプリッタ306によって一部が反射されて波面センサ315に入射し、光線の波面測定に用いられる。波面センサ315には、公知のシャックハルトマンセンサを用いることができる。ビームスプリッタ306を透過した反射散乱光は、ビームスプリッタ304によって一部が反射され、コリメータ312、光ファイバー313を通して光強度センサ314に導光される。光強度センサ314に入射した光は電気信号に変換され、画像処理手段325にて眼底画像へと加工される。
波面センサ315は、制御ユニットである補償光学制御機316に接続されており、受光した光線の波面の測定結果を補償光学制御機316に伝える。補償光学制御機316は本発明に係る静電櫛歯型アクチュエータを有する可変形状ミラー308に接続されており、ミラー308を補償光学制御機316から指示された形状に変形する。
補償光学制御機316は、波面センサ315から取得した波面を基に、収差のない波面へと補正するようなミラー形状を計算する。そして、可変形状ミラー308がその形状を再現するために必要な各櫛歯電極の印加電圧差を算出して、可変形状ミラー308へと送る。可変形状ミラー308は、補償光学制御機316から送られる電位差を可動櫛歯電極と固定櫛歯電極との間に印加し、所定の形状になるようにミラー面を変形させる。
このような波面センサ315による波面の測定と、その波面の補償光学制御機316への伝達と、補償光学制御機316による収差の補正の可変形状ミラーへの指示は、繰り返し処理されて常に最適な波面となるようにフィードバック制御が行われる。なお、反射型変調素子をなす可変形状ミラーは、測定光および戻り光の少なくとも一方の波面収差を補正するように設けられればよい。
以上に説明した本実施形態にかかる補償光学システムは、静電櫛歯アクチュエータのバネの破損を抑制しているため、補償光学システムを製造する際の製造コストを低減することが可能である。
1:静電櫛歯型アクチュエータ、2、25、42:支持部材、3:固定櫛歯電極、4、24:可動部材、5、29:弾性部材、6:可動櫛歯電極、7、8:BOX層からなるパターン、10、308:可変形状ミラー、305:測定光、311:被検眼、315:収差測定ユニット、316:制御ユニット、320:反射型光変調素子
Claims (9)
- 支持部材と、前記支持部材に設けられ、前記支持部材から延出する複数の固定櫛歯電極と、可動部材と、前記可動部材と前記支持部材とを繋ぐ弾性部材と、前記可動部材に設けられ、前記可動部材から前記固定櫛歯電極と略平行に延出し、かつ前記固定櫛歯電極と間隙を隔てて噛み合う複数の可動櫛歯電極と、を有し、前記可動部材の前記可動櫛歯電極が設けられた面と前記支持部材の前記固定櫛歯電極が設けられた面とが、前記可動部材の可動方向と略平行に配置されているアクチュエータであって、
前記複数の可動櫛歯電極が互いに略平行であり、
前記弾性部材の、前記可動部材から延出し始める部分が、前記複数の可動櫛歯電極と略平行であることを特徴とするアクチュエータ。 - 前記弾性部材は複数設けられ、複数の前記弾性部材の、前記可動部材から延出し始める部分が、前記複数の可動櫛歯電極と略平行であることを特徴とする請求項2に記載のアクチュエータ。
- 前記弾性部材は、全長に亘って、前記複数の可動櫛歯電極と略平行であることを特徴とする請求項1に記載のアクチュエータ。
- 前記弾性部材は複数設けられ、全ての前記弾性部材が、全長に亘って、前記可動部材から延出し始める部分が、前記複数の可動櫛歯電極と略平行であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のアクチュエータ。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のアクチュエータと、
一方の面が反射面であるミラー部材と、を有し、
前記アクチュエータの可動部材は、前記ミラー部材の前記反射面とは反対側の面に接続されていることを特徴とする可変形状ミラー。 - 被検眼の画像を取得する眼科装置であって、
測定光及び戻り光の少なくとも一方の波面収差を補正する反射型光変調素子と、
前記被検眼にて発生する収差を測定する収差測定ユニットと、
前記収差測定ユニットの測定結果に基づいて前記反射型光変調素子を制御する制御ユニットと、を有し、
前記反射型光変調素子が請求項5に記載の可変形状ミラーを含んでいることを特徴とする眼科装置。 - 波面収差を補正する補償光学システムであって、
入射する光の波面収差を補正する反射型光変調素子と、
入射する光の波面収差を測定する収差測定ユニットと、
前記収差測定ユニットの測定結果に基づいて前記反射型光変調素子を制御する制御ユニットと、を有し、
前記反射型光変調素子が請求項5に記載の可変形状ミラーを含んでいることを特徴とする補償光学システム。 - シリコン層、絶縁体層、及び基板層の3層からなる第1基板を用意する工程と、
シリコン層、絶縁体層、及び基板層の3層からなる第2基板に、接続部と、該接続部をミラー部材の反射面に垂直な方向に変位させるための櫛歯電極構造の電極対を有するアクチュエータと、を形成する工程と、
を有するアクチュエータの製造方法であって、
前記アクチュエータは、支持部材と、前記支持部材に設けられ、前記支持部材から延出する複数の固定櫛歯電極と、前記垂直な方向に可動な可動部材と、前記可動部材と前記支持部材とを繋ぐ弾性部材と、前記可動部材に設けられ、前記可動部材から前記固定櫛歯電極と略平行に延出し、かつ前記固定櫛歯電極と間隙を隔てて噛み合う複数の可動櫛歯電極と、を有し、前記可動部材の前記可動櫛歯電極が設けられた面と前記支持部材の前記固定櫛歯電極が設けられた面とが、前記垂直な方向と略平行に配置されており、
前記接続部と前記アクチュエータとを形成する工程において、
前記可動部材から延出する前記可動櫛歯電極に接する前記第2基板の絶縁体層からなる全てのパターンが略平行であり、
前記可動櫛歯電極に接するパターンと、前記可動部材と前記支持部材を繋ぐ前記弾性部材に接する前記第2基板の絶縁体層からなるパターンの、前記可動部材から延出し始める部分と、を略平行にすることを特徴とするアクチュエータの製造方法。 - 請求項8に記載のアクチュエータの製造方法の各工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを、前記接続部を介して接合する工程と、
前記第1基板の前記ハンドル層と前記絶縁体層を除去する工程と、
を有する形状可変ミラーの製造方法。
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