JP2016129001A

JP2016129001A - 液晶表示装置

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Publication number: JP2016129001A
Application number: JP2015003700A
Authority: JP
Inventors: 水橋　比呂志; Hiroshi Mizuhashi; 比呂志水橋; 康幸寺西; Yasuyuki Teranishi; 俊明福島; Toshiaki Fukushima; 大亮伊藤; Daisuke Ito; 元小出; Hajime Koide; 忠義勝田; Tadayoshi Katsuta
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Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2015-01-09
Filing date: 2015-01-09
Publication date: 2016-07-14
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Abstract

【課題】駆動能力の低下を抑制しながら狭額縁化が可能なタッチ検出機能付き液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、行列状に配置された液晶表示素子を有する液晶素子配列と、液晶素子配列の各行に配置され、対応する行の液晶表示素子に走査信号を供給する走査線と、液晶素子配列の各列に配置され、対応する列の液晶表示素子に、画像信号を供給する信号線と、液晶素子配列の列に配置され、タッチを検出するための駆動信号が供給される駆動電極と、液晶素子配列の行と平行な、液晶素子配列の一方の辺に沿って配置され、画像信号を形成する信号線駆動回路と、液晶素子配列の他方の辺に沿って配置され、駆動信号を形成する第１電極駆動回路を備える。
【選択図】図６

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に外部近接物体を検出可能なタッチ検出機能付き液晶表示装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着または一体化される。このように、タッチパネルが表示装置上に装着または一体化された液晶表示装置、すなわちタッチ検出機能付き液晶表示装置は、表示装置に各種のボタン画像等を表示させ、外部物体がボタン画像に近接したことをタッチパネルで検出する。これにより、タッチパネルを通常の機械式ボタンの代わりとして、情報入力の手段として用いることを可能としている。このようなタッチ検出機能付きの液晶表示装置は、キーボードやマウスのような情報入力の手段を必ずしも必要としないため、コンピュータのほか、携帯電話のような携帯情報端末などでも、使用が拡大する傾向にある。

タッチ検出装置の検出方式としては、光学式、抵抗式、静電容量式などのいくつかの方式が存在する。このなかで、静電容量式のタッチ検出装置は、比較的単純な構造を有し、低消費電力であるため、携帯情報端末などに用いられている。特許文献１には、静電容量式のタッチ検出装置が記載されている。

また、液晶表示装置においては、ますます狭額縁化が求められている。すなわち、液晶表示装置の表示面を囲む額縁を狭くすることが求められている。

特開２０１２−２３０６５７号公報

静電容量式のタッチ検出装置においては、例えば、特許文献１に示されているように、駆動電極と検出電極とが交差する交差部分における容量の値が、指等の外部物体が近接（接触を含む）することにより変化することを利用して、外部物体の近接を検出している。すなわち、駆動電極に駆動信号を供給したとき、検出電極に生じる検出信号に基づいて、外部物体の近接を検出している。タッチ検出装置では、このような駆動電極と検出電極とが、それぞれ複数個設けられ、複数の駆動電極は、列方向に順次配置され、複数の検出電極は、複数の駆動電極と交差するように、行方向に順次配置される。

一方、駆動電極に供給される駆動信号を形成する駆動回路は、額縁によって覆われるモジュールの部位に配置される。そのため、狭額縁化が進むに従って、駆動回路を配置する部位が小さくなり、駆動電極の電圧を所定の時間内で、所定の値にするためには、駆動回路の駆動能力が不足することが考えられる。

特許文献１では、狭額縁化によって生じる駆動回路の駆動能力不足は認識されていない。

本発明の目的は、駆動能力の低下を抑制しながら狭額縁化が可能なタッチ検出機能付き液晶表示装置を提供することにある。

本発明の一態様に係わる液晶表示装置は、行列状に配置された複数の液晶表示素子を有する液晶素子配列と、液晶素子配列の各行に配置され、対応する行に配置された複数の液晶表示素子に走査信号を供給する複数の走査線と、液晶素子配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の液晶表示素子に、画像信号を供給する複数の信号線と、液晶素子配列の列に配置され、タッチを検出するための駆動信号が供給される複数の駆動電極と、液晶素子配列の行と平行な、液晶素子配列の一方の辺に沿って配置され、画像信号を形成する信号線駆動回路と、液晶素子配列の行と平行な、液晶素子配列の他方の辺に沿って配置され、駆動信号を形成する第１電極駆動回路と、を備え、液晶素子配列の列に配置された駆動電極には、液晶素子配列の他方の辺において、第１電極駆動回路から駆動信号が供給される、ものである。

また、他の一態様として、液晶表示装置は、第１電圧を供給する第１電圧配線、第２電圧を供給する第２電圧配線および第３電圧を供給する第３電圧配線を備え、第１電極駆動回路は、第１電圧配線、第２電圧配線および第３電圧配線に接続され、複数の駆動電極のうち、選択された駆動電極に対して、その電圧が、第１電圧配線における電圧に基づいた電圧と第２電圧配線における電圧に基づいた電圧との間で、周期的に変化する駆動信号を供給し、第１電極駆動回路は、複数の駆動電極のうち、非選択の駆動電極に対して、第３電圧配線における電圧に基づいた電圧を供給する、ものである。

また、他の一態様として、第１電圧配線、第２電圧配線および第３電圧配線のそれぞれは、液晶素子配列の他方の辺に沿って配置されている、ものである。

また、他の一態様として、第２電圧と第３電圧は、同じ電圧値である、ものである。

また、他の一態様として、第３電圧配線の線幅は、第２電圧配線の線幅よりも細い、ものである。

また、他の一態様として、液晶表示装置は、液晶素子配列の一方の辺に沿って配置され、駆動信号を形成する第２電極駆動回路を備え、液晶素子配列の列に配置された駆動電極には、液晶素子配列の一方の辺において、第２電極駆動回路から駆動信号が供給され、液晶素子配列の他方の辺において、第１電極駆動回路から駆動信号が供給される、ものである。

また、他の一態様として、液晶表示装置は、第１電圧を供給する第１および第２電圧配線、第２電圧を供給する第３および第４電圧配線、および第３電圧を供給する第５および第６電圧配線を備え、第１電極駆動回路は、第１電圧配線、第３電圧配線および第５電圧配線に接続され、複数の駆動電極のうち、選択された駆動電極に対して、その電圧が、第１電圧配線における電圧に基づいた電圧と第３電圧配線における電圧に基づいた電圧との間で、周期的に変化する駆動信号を供給し、第１電極駆動回路は、複数の駆動電極のうち、非選択の駆動電極に対して、第５電圧配線における電圧に基づいた電圧を供給し、第２電極駆動回路は、第２電圧配線、第４電圧配線および第６電圧配線に接続され、複数の駆動電極のうち、選択された駆動電極に対して、その電圧が、第２電圧配線における電圧に基づいた電圧と第４電圧配線における電圧に基づいた電圧との間で、周期的に変化する駆動信号を供給し、第２電極駆動回路は、複数の駆動電極のうち、非選択の駆動電極に対して、第６電圧配線における電圧に基づいた電圧を供給する、ものである。

また、他の一態様として、第２電圧と第３電圧の電圧値は同じであり、第６電圧配線の線幅は、第４電圧配線の線幅よりも細い、ものである。

また、他の一態様として、液晶表示装置は、第１電圧を供給する第１および第２電圧配線、第２電圧を供給する第３および第４電圧配線、および第３電圧を供給する第５電圧配線を備え、第１電極駆動回路は、第１電圧配線、第３電圧配線および第５電圧配線に接続され、複数のタッチ検出駆動電極のうち、選択された駆動電極に対して、その電圧が、第１電圧配線における電圧に基づいた電圧と第３電圧配線における電圧に基づいた電圧との間で、周期的に変化する駆動信号を供給し、第１電極駆動回路は、複数の駆動電極のうち、非選択の駆動電極に対して、第５電圧配線における電圧に基づいた電圧を供給し、第２電極駆動回路は、第２電圧配線および第４電圧配線に接続され、複数のタッチ検出駆動電極のうち、選択された駆動電極に対して、その電圧が、第２電圧配線における電圧に基づいた電圧と第４電圧配線における電圧に基づいた電圧との間で、周期的に変化する駆動信号を供給し、第２電極駆動回路は、複数の駆動電極のうち、非選択の駆動電極に対して、ハイインピーダンス状態となる、ものである。

また、他の一態様として、第１電極駆動回路は、複数の駆動電極のそれぞれに対応し、第１電圧配線、第３電圧配線および第５電圧配線に接続された複数の第１単位電極駆動回路を備え、複数の第１単位電極駆動回路のそれぞれは、対応する駆動電極と第１電圧配線との間に接続された第１スッチと、対応する駆動電極と第３電圧配線との間に接続された第２スイッチと、対応する駆動電極と第５電圧配線との間に接続された第３スイッチと、第１制御回路と、を備え、第１制御回路により、第１スイッチ、第２スイッチおよび第３スイッチは、択一的に導通状態となるように制御され、第２電極駆動回路は、複数の駆動電極のそれぞれに対応し、第２電圧配線および第４電圧配線に接続された複数の第２単位電極駆動回路を備え、複数の第２単位電極駆動回路のそれぞれは、対応する駆動電極と第２電圧配線との間に接続された第４スッチと、対応する駆動電極と第４電圧配線との間に接続された第５スイッチと、第２制御回路と、を備え、第２制御回路により、第４スイッチおよび第５スイッチのそれぞれが、導通状態または非導通状態となるように制御される、ものである。

また、他の一態様として、複数の駆動電極のそれぞれは、共通電極であり、複数の液晶表示素子は、表示のとき、信号線と共通電極との間に接続され、第１電極駆動回路および第２電極駆動回路から、共通電極へ所定の電圧が供給され、画像信号に従って表示を行う、ものである。

また、他の一態様として、液晶表示装置は、液晶素子配列の行に配置された複数の検出電極と、複数の検出電極に接続され、タッチによって生じる検出電極における信号の変化を検出するタッチ制御装置と、を備える、ものである。

また、他の一態様として、第１電極駆動回路および第２電極駆動回路のそれぞれは、順次選択信号を形成するスキャン回路を備え、第１電極駆動回路および第２電極駆動回路のそれぞれは、選択信号に基づいて、液晶素子配列の列に配置された駆動電極に、順次、駆動信号を供給する、ものである。

また、他の一態様として、液晶表示装置は、駆動電極への駆動信号の供給により、タッチの有無によって生じる駆動電極における信号の変化を検出するタッチ制御装置を備える、ものである。

実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置の構成を示すブロック図である。（Ａ）〜（Ｃ）は、静電容量型タッチ検出（相互容量方式）の基本原理を説明するための説明図である。（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置を実装したモジュールの概略を示す平面図および断面図である。（Ａ）〜（Ｃ）は、実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置を実装したモジュールの概略を示す平面図および断面図である。実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置を実装したモジュールの構成を示す平面図である。実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置を実装したモジュールの構成を示す平面図である。実施の形態１に係わる液晶素子配列の構成を示す回路図である。（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる第１電極駆動回路および第２電極駆動回路の構成を示すブロック図である。実施の形態１に係わる表示パネルの構成を示すブロック図である。実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置の構成を示すブロック図である。（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる第１単位電極駆動回路の構成を示すブロック図および回路図である。（Ａ）〜（Ｅ）は、実施の形態１に係わる第１電極駆動回路および第２電極駆動回路の動作を示す波形図である。（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態２に係わる第１単位電極駆動回路の構成を示すブロック図および回路図である。（Ａ）〜（Ｆ）は、第１電極駆動回路および第２電極駆動回路の動作を示す波形図である。（Ａ）〜（Ｃ）は、静電容量型タッチ検出（自己容量方式）の基本原理を説明するための説明図である。実施の形態３に係わるタッチ用半導体装置の構成を示すブロック図である。実施の形態３に係わる第１単位電極駆動回路の構成を示す回路図である。実施の形態４に係わる第１単位電極駆動回路の構成を示す回路図である。（Ａ）〜（Ｇ）は、実施の形態３に係わる第１電極駆動回路および第２電極駆動回路の動作を示す波形図である。（Ａ）〜（Ｈ）は、実施の形態４に係わる第１電極駆動回路および第２電極駆動回路の動作を示す波形図である。実施の形態５に係わる第１単位電極駆動回路の構成を示す回路図である。実施の形態５に係わる第２単位電極駆動回路の構成を示す回路図である。実施の形態５に係わる液晶表示装置の構成を示すブロック図である。

以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施の形態１）
実施の形態１として、タッチ検出装置が、表示装置と一体化されたインセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。ここで、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置とは、タッチ検出装置に含まれる駆動電極および検出電極の少なくとも一方が、表示装置の液晶を介して対向する一対の基板間に設けられたタッチ検出機能付き液晶表示装置を意味する。実施の形態１においては、タッチ検出装置に含まれる駆動電極が、液晶を駆動する駆動電極としても用いられている場合を説明する。

＜全体構成＞
先ず、タッチ検出機能付き液晶表示装置１の全体構成を、図１を用いて説明する。図１は、タッチ検出機能付き液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。タッチ検出機能付き液晶表示装置１は、液晶パネル（表示パネル）２、表示制御装置５、信号線セレクタ６、タッチ制御装置７およびゲートドライバ８を具備している。図１では、図面を見易くするために、液晶パネル２は、模式的に描かれており、液晶パネル部（表示パネル部）３とタッチ検出パネル部４を具備している。液晶パネル２の構成については、後で図３、図４および図５を用いて説明する。

後述するが、これら液晶パネル部３とタッチ検出パネル部４は、駆動電極等一部の構成を共用している。液晶パネル部３には、ゲートドライバ８から走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐが供給され、さらに信号線セレクタ６を介して表示制御装置５から画像信号ＳＬｄ（０）〜ＳＬｄ（ｐ）が供給され、画像信号ＳＬｄ（０）〜ＶＬｄ（ｐ）に従った画像を表示する。タッチ検出パネル部４は、表示制御装置５から駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）が供給され、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）をタッチ制御装置７に出力する。

表示制御装置５は、制御部９および駆動回路１０を有しており、駆動回路１０は、画像信号を形成し、出力する信号線ドライバ（信号線駆動回路）１１と駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）を出力する駆動電極ドライバ（第１電極駆動回路）１２とを有している。制御部９は、制御端子Ｔｔに供給されるタイミング信号および制御信号と、画像端子Ｔｄに供給される画像信号とを受け、画像端子Ｔｄに供給された画像信号に応じた画像信号Ｓｎを信号線ドライバ１１に供給する。信号線ドライバ１１は、制御部９から供給された画像信号Ｓｎを、特に制限されないが、時間的に多重化して、信号線セレクタ６へ出力する。すなわち、信号線ドライバ１１の１個の出力端子を見た場合、２つの画像信号が、時間的にずらしながら、１個の端子から出力される。

また、制御部９は、時間的に多重化された画像信号を、信号線セレクタ６において、互いに異なる信号線へ振り分けるための選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２を信号線セレクタ６に供給する。信号線セレクタ６は、多重化して供給された画像信号を、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２によって互いに異なる信号線へ振り分け、画像信号ＳＬｄ（０）〜ＳＬｄ（ｐ）として、液晶パネル部３に供給する。信号線セレクタ６は、液晶パネル部３の近傍に配置されている。このように、画像信号を時間的に多重化することにより、表示制御装置５と液晶パネル部３とを電気的に接続する配線の数を低減することが可能となる。言い換えるならば、表示制御装置５と液晶パネル部３との間を接続する配線の線幅を広くし、画像信号の遅延を低減することが可能となる。

制御部９は、制御端子Ｔｔに供給されるタイミング信号および制御信号に基づいて、ゲートドライバ８にタイミング信号を供給する。ゲートドライバ８は、供給されたタイミング信号に基づいて、走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを発生し、液晶パネル部３に供給する。ゲートドライバ８によって発生される走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐは、例えば走査信号Ｖｓ０からＶｓｐに向かって順次ハイレベルとなるようなパルス信号である。

駆動回路１０内の駆動電極ドライバ１２は、タッチ制御装置７から供給されるクロック信号ＳＤＣＫおよび選択信号ＳＤＳＴを受信し、液晶パネル２に含まれている複数の駆動電極ＴＬ（ｉ、ｉ＝０〜ｐ：図３等参照）から、駆動電極ＴＬ（ｉ）を選択し、選択された駆動電極ＴＬ（ｉ）に対して、駆動信号Ｔｘ（ｉ）を供給する。

この実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置１はインセルタイプであり、駆動電極ＴＬ（ｉ）がタッチ検出の駆動と液晶の駆動とに兼用されている。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｉ）は、画像表示のときには、液晶を駆動するための電界を、後で述べる画素電極との間で形成するように機能し、タッチ検出のときには、タッチ検出用の駆動信号を伝達するように機能する。そのため、本明細書においては、以降、駆動電極ＴＬ（ｉ）を共通電極ＴＬ（ｉ）とも称する。特に、共通電極ＴＬ（ｉ）が、タッチ検出用として機能することが明らかな場合には、単に、駆動電極ＴＬ（ｉ）と称することもある。

図１には、共通電極ＴＬ（ｉ）に供給される信号として、駆動信号Ｔｘ（ｉ）が示されている。液晶パネル部３における液晶の画像表示とタッチ検出パネル部４におけるタッチ検出とは、時間的に重ならないように、時分割で行われる。本明細書においては、画像を表示する期間を表示期間と称し、タッチ検出を行う期間をタッチ検出期間と称する。

画像表示を行う表示期間において、駆動電極ドライバ１２は、液晶を駆動するための駆動信号Ｔｘ（ｉ）を液晶パネル２内の共通電極ＴＬ（ｉ）に供給し、タッチ検出を行う検出期間においては、タッチ検出のための駆動信号Ｔｘ（ｉ）を、液晶パネル２内の共通電極ＴＬ（ｉ）に供給する。勿論、駆動回路１０に、タッチ検出のための駆動電極ドライバと液晶を駆動するための駆動電極ドライバとを、別々に設けるようにしてもよい。また、制御部９は、表示期間とタッチ検出期間とを識別するタッチ−表示同期信号ＴＳＨＤを出力する。

タッチ制御装置（タッチ制御部）７は、タッチ検出パネル部４からの検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を処理する検出信号処理部（判定部）ＴＳと、駆動電極ドライバ１２へ供給されるクロック信号ＳＤＣＫ、選択信号ＳＤＳＴおよび複数の制御信号ｃｔｒｓｉｇを形成する駆動信号形成部１７と、検出信号処理部ＴＳおよび駆動信号形成部１７を制御する制御部１８とを具備している。ここで、検出信号処理部ＴＳは、タッチ検出パネル部４がタッチされたか否かを検出し、タッチされていた場合、タッチされた位置の座標を求める処理を行う。また、駆動信号形成部１７は、タッチ検出パネル部４において、タッチを検出する領域の指定と制御を行う。

まず、検出信号処理部ＴＳについて述べると、この検出信号処理部ＴＳは、タッチ検出パネル部４からの検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を受信し、受信した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を増幅するタッチ検出信号増幅部１３と、タッチ検出信号増幅部１３によって増幅されたアナログの検出信号をデジタル信号へ変換するアナログ／デジタル変換部（以下、Ａ／Ｄ変換部と称する）１４とを含んでいる。ここで、タッチ検出信号増幅部１３は、受信した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）から高い周波数の成分（ノイズ成分）を取り除き、増幅動作を行う。また、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、後で図２を用いて説明するが、共通電極ＴＬ（ｉ）に供給される駆動信号Ｔｘ（ｉ）に応答して発生する。そのため、この実施の形態１において、Ａ／Ｄ変換部１４は、駆動信号Ｔｘ（ｉ）に同期して、タッチ検出信号増幅部１３からの増幅信号をサンプリングし、デジタル信号へ変換するように、制御部１８によって、制御される。

さらに、検出信号処理部ＴＳは、Ａ／Ｄ変換部１４による変換動作によって得られたデジタル信号を受信し、当該デジタル信号に対して信号処理を行う信号処理部１５と、信号処理部１５の処理によって得られた信号から、タッチした位置の座標を抽出する座標抽出部１６とを有している。信号処理部１５で行われる信号処理としては、Ａ／Ｄ変換部１４で行ったサンプリングの周波数よりも高い周波数のノイズ成分を取り除き、タッチ検出パネル部４におけるタッチの有無を検出する処理が含まれる。座標抽出部１６により抽出されたタッチされた位置の座標は、出力端子Ｔｏｕｔから座標情報として出力される。

駆動信号形成部１７は、制御部１８からの制御信号に基づいて、クロック信号ＳＤＣＫ、選択信号ＳＤＳＴおよび複数の制御信号ｃｔｒｓｉｇを形成し、駆動電極ドライバ１２へ供給する。後で詳しく説明するが、駆動電極ドライバ１２は、スキャン回路を有している。

スキャン回路は、タッチ検出期間において、クロック信号ＳＤＣＫをシフトクロック信号として受信するシフトレジスタを有している。ここで、シフトレジスタのそれぞれの段が、共通電極ＴＬ（ｉ）に対応しており、シフトレジスタの例えば初段に、選択信号がセットされ、選択信号は、シフトクロック信号であるクロック信号ＳＤＣＫの変化に従って、シフトレジスタ内の段を移動する。駆動電極ドライバ１２は、選択信号が到達した段に対応する共通電極ＴＬ（ｉ）に対して、駆動信号Ｔｘ（ｉ）を形成し、供給する。これにより、クロック信号ＳＤＣＫと選択信号ＳＤＳＴを制御することによって、任意の共通電極ＴＬ（ｉ）から、互いに隣接して配置された複数の共通電極ＴＬ（ｉ）に対応した段へ、選択信号を順次移動させることが可能となり、互いに隣接して配置された複数の共通電極の近傍がタッチされているか否かをスキャンすることが可能となる。

制御部１８は、表示制御装置５の制御部９から出力されているタッチ−表示同期信号ＴＳＨＤを受信し、このタッチ−表示同期信号ＴＳＨＤがタッチ検出期間を表しているときに、駆動信号形成部１７に対して、クロック信号ＳＤＣＫ、選択信号ＳＤＳＴおよび制御信号ｃｔｒｓｉｇを形成する様に制御する。また、タッチ検出期間において、タッチ検出信号増幅部１３が受信した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を変換し、タッチした座標が抽出されるように、Ａ／Ｄ変換部１４、信号処理部１５および座標抽出部１６を制御する。

＜静電容量型タッチ検出（相互容量方式）の基本原理＞
図２（Ａ）〜（Ｃ）は、実施の形態１において用いられている静電容量型タッチ検出の基本原理を示す模式図である。図２（Ａ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、液晶パネル２に設けられた共通電極であり、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、タッチ検出パネル部４に設けられた検出電極である。図２（Ａ）において、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、列方向に延在し、行方向に平行して配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように、行方向に延在し、列方向に平行して配置されている。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との間に隙間が生じるように、検出電極ＲＬ（０）〜Ｒ（ｐ）は、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の上方に形成されている。

図２（Ａ）において、１２−０〜１２−ｐのそれぞれは、駆動電極ドライバ１２内に設けられている単位駆動電極ドライバを模式的に示している。同図では、単位駆動電極ドライバ１２−０〜１２−ｐから、駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）が出力されている。また、１３−０〜１３−ｐのそれぞれは、タッチ検出信号増幅部１３内の単位増幅部を模式的に示している。図２（Ａ）において、実線の○で囲んだパルス信号は、駆動信号Ｔｘ（ｉ）の波形を示している。外部物体として、同図では、指がＦＧとして示されている。

図２の例では、共通電極ＴＬ（２）に、駆動電極ドライバ１２から駆動信号Ｔｘ（２）として供給されている。共通電極ＴＬ（２）にパルス信号である駆動信号Ｔｘ（２）を供給することにより、図２（Ｂ）に示すように、共通電極ＴＬ（２）と交差する検出電極ＲＬ（ｎ）との間で電界が発生する。このとき、指ＦＧが、液晶パネル２の共通電極ＴＬ（２）に近接している位置をタッチしていると、指ＦＧと共通電極ＴＬ（２）との間でも電界が発生し、共通電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間で発生している電界が減少する。これにより、共通電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間の電荷量が減少する。その結果、図２（Ｃ）に示すように、駆動信号Ｔｘ（２）の供給に応答して生じる電荷量は、指ＦＧがタッチしているときは、タッチしていないときに比べてΔＱだけ減少する。電荷量の差は、電圧の差として検出信号Ｒｘ（ｎ）に表れ、タッチ検出信号増幅部１３内の単位増幅部１３−ｎに供給され、増幅される。

なお、図２（Ｃ）において、横軸は時間を示しており、縦軸は電荷量を示している。駆動信号Ｔｘ（２）の立ち上がりに応答して、電荷量は、増加（同図において、上側に増加）し、駆動信号Ｔｘ（２）の電圧の立ち下がりに応答して、電荷量は、増加（同図において、下側に増加）する。このとき、指ＦＧのタッチの有無によって、増加する電荷量が変わる。また、この図面では、電荷量が、上側に増加した後、下側へ増加する前に、リセットが行われており、同様に、電荷量が下側へ増加した後、上側へ増加する前に、電荷量のリセットが行われている。このようにして、リセットされた電荷量を基準として、上下に電荷量が変化する。

共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に、駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）を、順次、供給することにより、駆動信号Ｔｘ（ｉ）を供給した共通電極と交差する複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれから、それぞれの交差部分に近接した位置に指ＦＧがタッチしているか否かに応じた電圧値を有する検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が出力されることになる。Ａ／Ｄ変換部１４（図１）は、指ＦＧがタッチしているか否かにより、電荷量に差ΔＱが生じている時刻において、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）のそれぞれをサンプリングし、デジタル信号へ変換する。

＜モジュール＞
図３（Ａ）は、実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置１を実装したモジュールの概略を示す平面図である。また、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）において、Ｂ−Ｂ’の断面図である。

液晶パネル２は、同図において縦方向に延在し、横方向に並列的に配置された信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と、これらの信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）の延在方向と同じ方向に延在する複数の共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）とを具備している。すなわち、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれも、同図において縦方向に延在し、横方向に並列的に配置されている。なお、選択信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐが供給される走査線および検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を伝達する検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、同図において、横方向に延在し、縦方向に並列的に配置されているが、図３（Ａ）では省略されている。

図１で説明した表示制御装置５および信号線セレクタ６は、液晶パネル２の短辺側に配置されている。すなわち、表示制御装置５および信号線セレクタ６は、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）および共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と直交する方向に延在している。後で図５を用いて説明するが、信号線セレクタ６は、液晶パネル２と同じ基板に形成されており、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、信号線セレクタ６に接続されており、表示制御装置５から出力される画像信号は、信号線セレクタ６を介して液晶パネル２の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に供給される。ここで、表示制御装置５から信号線セレクタ６へ供給される信号は、画像信号と、選択信号である。液晶パネル２は、カラー表示を行うため、表示制御装置５から信号線セレクタ６へ供給される画像信号は、３原色に相当するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画像信号であり、同図ではＲ／Ｇ／Ｂとして示されている。また、同図では、選択信号はＳＥＬ１、ＳＥＬ２として示されている。

信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）のそれぞれは、ガラス基板であるＴＦＴ基板３００の一主面に形成されている。図３に示したモジュールにおいては、１個の共通電極（例えば、共通電極ＴＬ（０））に対して、複数の信号線（例えば、信号線ＳＬ（０）０、ＳＬ（０）１）が対応しており、それぞれの信号線ＳＬ（０）０、ＳＬ（０）１は、画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する３個の信号線を含んでいる。図３（Ｂ）には、信号線ＳＬ（０）０に含まれる画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）と、信号線ＳＬ（１）に含まれる画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する信号線ＳＬ（１）０（Ｒ）、ＳＬ（１）０（Ｇ）、ＳＬ（１）０（Ｂ）とが示されている。

ここで、本明細書で用いている、信号線の表記方法について説明をしておく。信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）および信号線ＳＬ（１）０（Ｒ）を例にして説明すると、先ず（）内の数字は、対応する共通電極の番号を示しており、次の数字は、対応する共通電極における画素の番号を示しており、（）内の英字は、画素の三原色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を示している。すなわち、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）は、共通電極ＴＬ（０）に対応した信号線であり、０番目の画素で、三原色の赤に対応した画像信号を伝達する信号線を示している。同様に、信号線ＳＬ（１）０（Ｒ）は、共通電極ＴＬ（０）の隣に配置されたところの共通電極ＴＬ（１）に対応した信号線であり、０番目の画素で、三原色の赤に対応した画像信号を伝達する信号線を示している。そのため、図３（Ｂ）に示しているＳＬ（１）１（Ｒ）およびＳＬ（１）１（Ｇ）のそれぞれは、共通電極ＴＬ（１）に対応した信号線であり、１番目の画素の三原色の赤および緑に対応した画像信号を伝達する信号線を表していることになる。

図３（Ｂ）に示すように、画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）等の一主面とＴＦＴ基板３００の一主面には、さらに絶縁層３０１が形成され、絶縁層３０１上に共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が形成されている。これらの共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれには、補助電極ＳＭが形成され、補助電極ＳＭは、共通電極と電気的に接続され、共通電極の電気抵抗の低減を図っている。共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と補助電極ＳＭの上面には、絶縁層３０２が形成され、絶縁層３０２の上面には画素電極ＬＤＰが形成されている。図３（Ｂ）において、ＣＲ、ＣＢ、ＣＧのそれぞれは、カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＲ（赤）、ＣＧ（緑）、ＣＢ（青）と絶縁層３０２との間には液晶層３０３が挟まれている。ここで、画素電極ＬＤＰは、走査線と信号線との交点に設けられており、各画素電極ＬＤＰの上方に、それぞれの画素電極ＬＤＰに対応したカラーフィルタＣＲ、ＣＧあるいはＣＢが設けられている。各カラーフィルタＣＲ、ＣＧ、ＣＢ間にはブラックマトリクスＢＭが設けられている。

図４は、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との関係を示す模式図である。図４（Ａ）に示すように、カラーフィルタＣＲ、ＣＧ、ＣＢの上方面には、ガラス基板であるＣＦガラス基板４００が設けられ、ＣＦガラス基板４００の上方面に、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）が形成されている。さらに、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の上方には偏光板４０１が形成されている。なお、ここでは、図４（Ａ）に示すように、同図において上側から目視される場合を例にしているため、上方面として述べているが、目視の方向が変わることにより、上方面は、下方面あるいは側方面となることは言うまでもない。また、図４（Ａ）においては、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との間に形成される容量素子の電極が破線で描かれている。

図３（Ａ）および図４（Ｃ）に示すように、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）および共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、縦方向、すなわち長辺方向に延在し、横方向、すなわち短辺方向に並列に配置されている。これに対して、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、図４（Ｂ）に示すように、ＣＦガラス基板４００に設けられ、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように配置されている。すなわち、図４（Ｂ）において、横方向（短辺）に延在し、縦方向（長辺）に並列的に配置されている。この検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれからの検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、タッチ制御装置７へ供給される。

平面視で見た場合、図３（Ａ）に示すように、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、平行して、延在していると見なすことができる。なお、「平行」とは、互いに一端から他端に亘るまで交わることなく延在することをいうのであって、一方の線の一部又は全部が他方の線に対して傾いた状態で設けられていたとしても、これらの線が一端から他端まで交わるものでなければ、この状態を「平行」とする。

また、信号線セレクタ６および表示制御装置５を基点として、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の配置を捉えた場合、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、基点である信号線セレクタ６および表示制御装置５から遠ざかる方向に延在していると見なすことができる。この場合、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）も、基点である信号線セレクタ６および表示制御装置５から遠ざかる方向に延在していると見なすことができる。

なお、図４（Ａ）では、図３（Ｂ）に示した信号線および画素電極ＬＤＰは省略されている。

＜モジュールの全体構成＞
ここでは、実施の形態１に係わる２種類の全体構成を説明する。

＜＜モジュールの全体構成１＞＞
図５は、第１番目のモジュールの全体構成を示す模式的な平面図であり、タッチ検出機能付き液晶表示装置１を実装したモジュール５００の全体構成を示している。模式的ではあるが、図５は、実際の配置に合わせて描かれている。同図において、５０１は、図３で説明したＴＦＴ基板３００における領域を示しており、５０２は、図４で説明したＴＦＴ基板３００とＣＦガラス基板４００とを有する領域を示している。モジュール５００において、ＴＦＴ基板３００は一体となっている。すなわち、領域５０１と領域５０２とにおいて、ＴＦＴ基板３００は共通であり、領域５０２には、図４に示したように、ＴＦＴ基板３００の上方面に、ＣＦガラス基板４００、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）および偏光板４０１等が、さらに形成されている。

この領域５０２には、モジュール５００の長辺方向に沿って、図１に示したゲートドライバ８が実装されている。この実施の形態においては、複数の共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を挟んだ状態で、モジュール５００の２つの長辺方向に沿ってゲートドライバ８が実装されている。この場合、図１において説明した走査線は、モジュールの短辺方向に沿って延在し、長辺方向に並列に配置されており、ゲートドライバ８に接続されている。また、領域５０２には、先に説明した信号線セレクタ６が実装されている。この実施の形態１においては、信号線セレクタ６は、モジュール５００の短辺に沿って延在するように実装されている。

一方、領域５０１には、表示制御装置５が実装されている。表示制御装置５は、この実施の形態１においては、半導体集積回路装置（以下、半導体装置とも称する）と、複数の電子部品とによって構成されている。電子部品としては、電界効果型トランジスタ（以下、ＭＯＳＦＥＴと称する）が含まれている。複数のＭＯＳＦＥＴは、ＴＦＴ基板３００に形成されている。この実施の形態１においては、複数のＭＯＳＦＥＴは、表示制御装置５を構成する半導体装置によって覆われるＴＦＴ基板３００の領域に形成されている。特に制限されないが、半導体装置によって覆われた複数のＭＯＳＦＥＴにより、駆動電極ドライバ１２（図１）が構成されており、半導体装置が、図１に示した制御部９および信号線ドライバ１１（図１）を有している。

図５においては、複数のＭＯＳＦＥＴにより構成された駆動電極ドライバ１２が、電極駆動回路（第２電極駆動回路）ＣＧＷ―Ｄとして、示されており、電極駆動回路（第２電極駆動回路）ＣＧＷ―Ｄを覆うように実装された半導体装置が、ＤＤＩＣとして示されている。半導体装置ＤＤＩＣは、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）を駆動するため、以下、ドライバ用半導体装置と称する。この実施の形態１においては、特に制限されないが、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣは、１個であり、このドライバ用半導体装置ＤＤＩＣが、図１に示した信号線ドライバ１１および制御部９を有している。この実施の形態１においては、１個のドライバ用半導体装置ＤＤＩＣと、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣとＴＦＴ基板３００との間に挟まれて形成されたＭＯＳＦＥＴにより構成された電極駆動回路ＣＧＷと、あとで述べる電極駆動回路（第１電極駆動回路）ＣＧＷ−Ｕとによって、図１に示した表示制御装置５が構成されている。しかしながら、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣは、図１に示した信号線ドライバ１１のみを有し、別の半導体装置が図１に示した制御部９を有するようにしてもよい。

ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣにおける信号線ドライバ１２（図１）の出力は、信号線セレクタ６を介して、図示されていない信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に供給される。また、電極駆動回路ＣＧＷ―Ｄの出力、すなわち駆動電極ドライバ１２の出力は、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）へ供給される。

特に制限されないが、電極駆動回路ＣＧＷ―Ｄの出力は、信号線セレクタ６へも供給するようにし、タッチ検出期間においては、信号線ＳＬ（ｉ）にも駆動信号を供給するようにしてもよい。この場合、タッチ検出期間において、信号線ＳＬ（ｉ）と共通電極ＴＬ（ｉ）とが電気的に並列に接続するように構成する。これにより、タッチ検出期間において、共通電極ＴＬ（ｉ）のインピーダンスを低減することが可能となり、駆動信号の伝達遅延を低減することが可能となる。また、図５では、省略されているが、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣは、タイミング信号をゲートドライバ８へ供給する。ゲートドライバ８は、供給されたタイミング信号に従って、走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを形成し、図示しない走査線へ供給する。

図４において説明した検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、モジュール５００の長辺と表示パネル２の長辺との間に配置された配線を介して、フレキシブルケーブルＦＢ１に接続されている。当該フレキシブルケーブルＦＢ１には、図１で説明したタッチ制御装置７が実装されており、フレキシブルケーブルＦＢ１内の配線を介して、タッチ制御装置７に検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が供給される。また、領域５０１には、フレキシブルケーブルＦＢ２が接続されており、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣおよび電極駆動回路ＣＧＷ―Ｄの端子はフレキシブルケーブルＦＢ２内の配線に接続されている。

さらに、フレキシブルケーブルＦＢ２には、コネクタＣＮが実装されている。このコネクタＣＮを介して、フレキシブルケーブルＦＢ１とＦＢ２とは電気的に接続されている。このコネクタＣＮを介して、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣおよび電極駆動回路ＣＧＷ―Ｄとタッチ制御装置７との間で複数の信号の送受信が行われる。特に制限されないが、この実施の形態１においては、タッチ制御装置７は、１個の半導体装置により構成されている。ドライバ用半導体装置と区別するために、ここでは、タッチ制御装置７を構成する半導体装置をタッチ用半導体装置７と称する。

図５には、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣおよび電極駆動回路ＣＧＷ―Ｄとタッチ用半導体装置７との間で送受信される複数の信号のうち、タッチ−表示同期信号ＴＳＨＤと、駆動信号ＥｘＶＣＯＭのみが示されている。タッチ−表示同期信号ＴＳＨＤは、図１で説明したように、表示期間とタッチ検出期間を識別する制御信号である。駆動信号ＥｘＶＣＯＭは、図１には示していないが、タッチ検出期間において、周期的に電圧が変化するパルス信号である。このパルス信号である駆動信号ＥｘＶＣＯＭは、タッチ検出期間において、タッチを検出するように選択された共通電極ＴＬ（ｉ）に駆動信号Ｔｘ（ｉ）として供給される。

上記したように、タッチ検出期間においては、選択された共通電極ＴＬ（ｉ）に、パルス信号である駆動信号Ｔｘ（ｉ）が供給されるが、表示期間においては、選択される共通電極または全ての共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に、所定の電圧を有する駆動信号が供給される。このときの駆動信号は、表示用の駆動信号であり、所定の電圧、例えば接地電圧Ｖｓを有していてもよい。すなわち、タッチ検出期間とは異なり、表示期間においては、パルス信号ではなく、直流電圧が駆動信号として、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に供給されてもよい。

図５に示したモジュール５００においては、表示パネル２の２個の短辺２−Ｄ、２−Ｕのそれぞれに沿って、電極駆動回路が配置されている。すなわち、モジュール５００は、表示パネル２の一方の短辺２−Ｕに沿って配置された電極駆動回路（第１電極駆動回路）ＣＧＷ―Ｕと、表示パネル２の他方の短辺２−Ｄに沿って配置された電極駆動回路（第２電極駆動回路）ＣＧＷ−Ｄを備えている。図５では、表示パネル２の一方の短辺２−Ｄに沿って配置された電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄは、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣによって覆われている。また、表示パネル２の他方の短辺２−Ｕに沿って配置された電極駆動回路ＣＧＷ−Ｕは、表示パネル２の他方の短辺２−Ｕとモジュール５００の短辺５００−Ｕとの間に形成されている。特に制限されないが、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｕも、ＴＦＴ基板３００に形成されたＭＯＳＦＥＴにより構成されている。

このように配置することにより、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｕ、ＣＧＷ−Ｄは、縦方向（列方向）に、表示パネル２を挟むことになる。これにより、縦方向（列方向）に延在する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの一方の端部には、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄから駆動信号Ｔｘ（ｉ）が供給され、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの他方の端部には、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｕから駆動信号Ｔｘ（ｉ）が供給されることになる。タッチ検出期間において、共通電極ＴＬ（ｉ）の両端部から駆動信号Ｔｘ（ｉ）が供給されることになるため、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄ、ＣＧＷ−Ｕのそれぞれの駆動能力は比較的小さくても、所定の時間で、共通電極ＴＬ（ｉ）の電圧を周期的に変化させることが可能となる。駆動能力を比較的小さくすることができるため、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄ、ＣＧＷ−Ｕを構成するＭＯＳＦＥＴの小型化を図ることが可能となり、それぞれにより占有される領域を小さくすることが可能となる。

液晶表示装置１の縦額縁の大きさは、モジュール５００の辺（例えば、５００−Ｄ、５００−Ｕ）と表示パネル２の辺（例えば、２−Ｄ、２−Ｕ）との間の領域の大きさに依存する。縦額縁の狭額縁化のために、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣの短辺ＤＤＬは、短くされる。電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄによって占有される領域を小さくすることが可能であるため、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣによって電極駆動回をＣＧＷ−Ｄを覆う状態を維持しながら、縦額縁の狭額縁化を図ることが可能となる。また、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｕも、小さな領域に形成することが可能であるため、モジュール５００の短辺５００−Ｕと表示パネ２の短辺２−Ｕとの間の間隔が大きくなるのを抑制することが可能となる。これにより、縦額縁の狭額縁化が可能な液晶表示装置１を提供することが可能となる。

また、液晶表示装置１の横額縁の大きさは、モジュール５００の辺（例えば、５００−Ｌ、５００−Ｒ）と表示パネル２の辺（例えば、２−Ｌ、２−Ｒ）との間の領域の大きさに依存する。実施の形態においては、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と平行に共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が配置され、表示期間およびタッチ検出期間において共通電極へ駆動信号を供給する電極駆動回路ＣＧＷ−ＵおよびＣＧＷ−Ｄが、表示パネル２の辺２−Ｕおよび２−Ｄに沿って配置されている。すなわち、図５において、表示パネル２の上下に。電極駆動回路ＣＧＷ−ＵおよびＣＧＷ−Ｄが配置されている。これにより、モジュール５００の辺（例えば、５００−Ｌ、５００−Ｒ）と表示パネル２の辺（例えば、２−Ｌ、２−Ｒ）との間の領域を小さくすることが可能となり、横額縁の狭額縁化を図ることが可能である。

これにより、狭額縁化が可能な液晶表示装置１を提供することが可能となる。

図５において、５０３は、信号配線を示している。信号配線５０３は、表示パネル２を囲むように配置されており、タッチ用半導体装置７によって形成された駆動信号ＥｘＶＣＯＭが供給される。電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄ、ＣＧＷ−Ｕのそれぞれは、信号配線５０３に接続され、信号配線５０３を伝達する駆動信号ＥｘＶＣＯＭを、タッチを検出するように選択された共通電極ＴＬ（ｉ）へ供給する。

特に制限されないが、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄ、ＣＧＷ−Ｕのそれぞれは、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに対応したスイッチＭＯＳＦＥＴ（図示せず）を有する。電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄに含まれているスイッチＭＯＳＦＥＴのそれぞれのソース（またはドレイン）は、信号配線５０３に接続され、それぞれのドレイン（またはソース）は、対応する共通電極ＴＬ（ｉ）の一方の端部に接続される。タッチ検出期間においては、駆動信号が供給されるように選択された共通電極にそのドレイン（またはソース）が接続されたスイッチＭＯＳＦＥＴを、導通状態にする。同様に、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｕ内のスイッチＭＯＳＦＥＴのそれぞれのソース（またはドレイン）も、信号配線５０３に接続され、それぞれのドレイン（またはソース）は、対応する共通電極ＴＬ（ｉ）の他方の端部に接続される。電極駆動回路ＣＧＷ−Ｕにおいても、タッチ検出期間において、選択された共通電極にそのドレイン（またはソース）が接続されたスイッチＭＯＳＦＥＴを、導通状態にする。

これにより、タッチ検出期間において、駆動信号が供給されるように選択された共通電極ＴＬ（ｉ）は、信号配線５０３に電気的に接続されることになる。この結果、タッチ用半導体装置７から信号配線５０３に伝達されたクロック信号である駆動信号ＥｘＶＣＯＭは、信号配線５０３を介して、選択された共通電極ＴＬ（ｉ）の両端部に伝達されることになる。共通電極ＴＬ（ｉ）の電圧が、駆動信号ＥｘＶＣＯＭの電圧変化に応じて変化することにより、先に図２で説明したように、選択された共通電極ＴＬ（ｉ）の近傍がタッチされているか否かを検出することが可能となる。

特に制限されないが、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣは、ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ（ＣＯＧ）として形成する。また、信号線セレクタ６およびゲートドライバ８のそれぞれも、半導体装置によって構成してもよい。この場合も、これらの半導体装置は、ＣＯＧとして形成してもよい。図５において、液晶パネル２の４辺に示したＲ、Ｇ、Ｂは、１つの画素を構成する副画素を示している。

図５では、信号配線５０３にタッチ用半導体装置７により形成された駆動信号ＥｘＶＣＯＭを供給する例を説明したが、これに限定されない。例えば、駆動信号ＥｘＶＣＯＭを受信するドライブ用半導体装置ＤＤＩＣにおいて、駆動信号ＥｘＶＣＯＭに同期した駆動信号ＴＳＶＣＯＭ（図示せず）を形成し、信号配線５０３および電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄへ供給するようにしてもよい。このようにすることにより、ドライブ用半導体装置７の駆動能力を利用して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭの電圧変化の速度を向上させることも可能となる。

また、駆動信号ＥｘＶＣＯＭは、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄ、ＣＧＷ−Ｕおよび後述される信号配線により形成してもよい。

上記したように、図５に示したモジュール５００においては、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄ、ＣＧＷ―Ｕを、例えば複数のスイッチＭＯＳＦＥＴにより構成することが可能である。そのため、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄ、ＣＧＷ―Ｕの構成を簡略化することが可能であり、より狭額縁化を図ることが可能となる。

＜＜モジュールの全体構成２＞＞
図６は、第２番目のモジュールの全体構成を示す模式的な平面図であり、タッチ検出機能付き液晶表示装置１を実装したモジュール６００の全体構成を示している。模式的ではあるが、図６も、実際の配置に合わせて描かれている。また、図６は、図１で説明した液晶表示装置１に係わるモジュールの構成を示している。

図６に示すモジュール６００の構成は、図５に示したモジュール５００の構成と類似している。そのため、ここでは、相違点を主に説明する。モジュール６００も、図５に示したフレキシブルケーブルＦＢ１、ＦＢ２、タッチ用半導体装置７、コネクタＣＮおよびタッチ−表示同期信号ＴＳＨＤを有しているが、図６では、省略されている。例えば、フレキシブルケーブルＦＢ１は、図６において６０４として示した端子群に電気的に接続される。フレキシブルケーブルＦＢ１が端子群６０４に接続されることにより、タッチ用半導体装置７とドライバ用半導体装置ＤＤＩＣおよび電極駆動回路ＣＧＷ１、ＣＧＷ２との間で信号の送受信が行われる。なお、図６においては、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣおよび電極駆動回路ＣＧＷ２と、信号セレクタ６および共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）間を電気的に接続する配線が、配線パターン６０１として示されている。

図６においては、図５に示した信号配線５０３は設けられておらず、電圧配線６０５〜６０７が、表示パネル２を取り囲むように配置されている。ここで、電圧配線６０５は、第１電圧ＴＰＨが供給される第１電圧配線であり、電圧配線６０６は、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１が供給される第２電圧配線である。また、電圧配線６０７は、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給される第３電圧配線である。特に制限されないが、第１電圧ＴＰＨは、例えば０Ｖを超え、６Ｖ以下の電圧とされる。また、第１電圧ＶＣＯＭＤＣ１および第２電圧ＶＣＯＭＤＣ２のそれぞれは、互いに同じ電圧とされ、例えば接地電圧Ｖｓ（０Ｖ）とされる。第１電圧ＴＰＨは端子群６０４内の特定の電圧端子に供給される電圧Ｖｄに基づいて形成される。同様に、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１および第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２も、端子群６０４内の特定の電圧端子に供給される接地電圧Ｖｓに基づいて形成される。

図６において、６０２は、端子群６０４内の特定の電圧端子に供給される電圧Ｖｄを受電し、安定した第１電圧ＴＰＨを形成する電圧発生回路である。特に制限されないが、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１および第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２は、接地電圧Ｖｓであるため、端子群６０４内で、接地電圧Ｖｓが供給される特定の電圧端子に、第２電圧配線６０６および第３電圧配線６０７は接続されている。勿論、安定化した第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１および第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２を形成するために、電圧発生回路を設け、該電圧発生回路から第２および第３電圧配線６０６、６０７へ電圧を供給するようにしてもよい。図６において、６０３は、過電圧保護回路を示している。この過電圧保護回路６０３は、例えば電圧発生回路６０２に、特定の電圧端子から過電圧が印加されたとき、電圧発生回路６０２等を保護するように機能する。

図６において、６００−Ｄは、図５に示したモジュールの辺５００−Ｄと同様に、モジュール６００が有する１対の互いに対向する短辺のうちの一方の辺を示しており、６００−Ｕは、モジュール６００の１対の短辺のうちの他方の辺を示している。

図５に示したモジュール５００と同様に、モジュール６００の短辺のうちの一方の辺６００−Ｄと表示パネル２の短辺のうちの一方の辺２−Ｄとの間には、平面視において、信号線セレクタ６、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣが配置されている。また、ＴＦＴ基板３００に形成されたＭＯＳＦＥＴにより構成された電極駆動回路ＣＧＷ２が、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣによって覆われるように配置されている。また、モジュール６００の他方の辺６００−Ｕと表示パネル２の他方の辺２−Ｕとの間には、平面視において、電極駆動回路ＣＧＷ１が配置されている。この電極駆動回路ＣＧＷ１も、ＴＦＴ基板３００に形成されたＭＯＳＦＥＴにより構成されている。

図６に示した電極駆動回路ＣＧＷ１、ＣＧＷ２は、図５で説明した電極駆動回路ＣＧＷ−Ｕ、ＣＧＷ−Ｄとは異なる構成を有している。あとで説明するが、電極駆動回路ＣＧＷ１、ＣＧＷ２は、互いに同じ構成であっても、異なる構成であってもよい。ここでは、電極駆動回路ＣＧＷ１と電極駆動回路ＣＧＷ２とを区別するために、電極駆動回路ＣＧＷ１を第１電極駆動回路と称し、電極駆動回路ＣＧＷ２を第２電極駆動回路とも称する。

第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２のそれぞれは、第１電圧配線６０５、第２電圧配線６０６および第３電圧配線６０７に接続され、それぞれに第１電圧ＴＰＨ、第２電圧ＶＣＯＭＤＣおよび第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が、第１〜第３電圧配線６０５〜６０７を介して供給される。あとで詳しく説明するが、タッチ検出期間において、第２電極駆動回路ＣＧＷ２は、タッチを検出するように選択された共通電極（以下、選択共通電極とも称する）ＴＬ（ｉ）の一方の端部を、第１電圧配線６０５と第２電圧配線６０６とに電気的に交互に接続する。これにより、選択共通電極ＴＬ（ｉ）には、周期的に第１電圧ＴＰＨと第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１が供給される。また、第１電極駆動回路ＣＧＷ１も、タッチ検出期間において、選択共通電極ＴＬ（ｉ）の他方の端部を、第１電圧配線６０５と第２電圧配線６０６とに電気的に交互に接続する。

この場合、第１電極駆動回路ＣＧＷ１と第２電極駆動回路ＣＧＷ２とは、互いに同期して動作する。すなわち、第１電極駆動回路ＣＧＷ１が、選択共通電極ＴＬ（ｉ）を第１電圧配線６０５へ接続するとき、第２電極駆動回路ＣＧＷ２も選択共通電極ＴＬ（ｉ）を第１電圧配線６０５へ接続する。また、第１電極駆動回路ＣＧＷ１が、選択共通電極ＴＬ（ｉ）を第２電圧配線６０６へ接続するとき、第２電極駆動回路ＣＧＷ２も選択共通電極ＴＬ（ｉ）を第２電圧配線６０６へ接続する。これにより、選択共通電極ＴＬ（ｉ）には、その両端部から、第１電圧ＴＰＨと第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１が、周期的に供給されることになる。この結果、図２において説明したように、選択共通電極の近傍がタッチされているか否かの検出を行うことが可能となる。

図５に示したモジュール５００においては、表示パネル２の１対の長辺２−Ｒ、２−Ｌとモジュール５００の１対の長辺５００−Ｒ、５００−Ｌとの間の領域を、表示パネル２の長辺に沿って信号配線５０３が延在する。一方、選択共通電極ＴＬ（ｉ）に駆動信号Ｔｘ（ｉ）を供給したときに発生する検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を伝達する検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように配置されている。そのため、信号配線５０３と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とが交差し、信号配線５０３と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれとの間が寄生容量により結合される可能性がある。信号配線５０３を伝達する駆動信号ＥｘＶＣＯＭは、選択共通電極ＴＬ（ｉ）の電圧を。所定の時間で変化させることが可能となるように駆動能力を高めることが考えられる。そのため、寄生容量による結合を介して、駆動信号ＥｘＶＣＯＭの電圧変化が、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）に伝達されることが考えられる。すなわち、駆動信号ＥｘＶＣＯＭの電圧変化が、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）にノイズとして表れ、検出精度が低下することが危惧される。

これに対して。図６に示したモジュール６００においては、選択共通電極ＴＬ（ｉ）における電圧を変化させるために、第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２のそれぞれが、第１電圧配線６０５と第２電圧配線６０６とを、交互に、選択共通電極ＴＬ（ｉ）へ接続することで済む。そのため、モジュール６００の長辺６００−Ｒ、６００−Ｌと表示パネル２の長辺２−Ｒ、２−Ｌとの間の領域に、表示パネル２の長辺に沿って、駆動能力を高めた駆動信号を伝達する信号配線を延在させる必要がない。すなわち、表示パネル２の長辺に沿って、第１〜第３電圧配線６０５〜６０７を延在させればよい。これにより、タッチ検出期間において、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）にノイズが乗るのを防ぐことが可能となる。

勿論、図６に示したモジュール６００においても、選択共通電極ＴＬ（ｉ）は、その両端部に、駆動信号、すなわち交番的に変化する第１電圧ＴＰＨと第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１とが供給されるため、第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２のそれぞれを構成するＭＯＳＦＥＴのサイズを大きくしなくても、所定の時間で、選択共通電極ＴＬ（ｉ）における電圧を変化させることが可能となる。これにより、図５に示したモジュール５００と同様に、狭額縁化を図ることが可能となる。

さらに、図６に示したモジュール６００においては、タッチ検出期間において、周期的に電圧が変化する駆動信号が供給されない、すなわち非選択の共通電極（以下、非選択共通電極とも称する）ＴＬ（ｍ）に対して、所定の電圧が、第１電極駆動回路ＣＧＷ１および／または第２電極駆動回路ＣＧＷ２から供給される。この場合、所定の電圧は、第２電圧配線６０６における第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１または第３電圧配線６０７における第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が用いられる。

表示期間において、走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを伝達する走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）は、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように配置されている。そのため、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との間には寄生容量が形成されることになる。タッチ検出期間において、選択共通電極ＴＬ（ｉ）における電圧が、変化すると、この選択共通電極ＴＬ（ｉ）と交差する走査線ＧＬ（ｉ）との間の寄生容量を介して、走査線ＧＬ（ｉ）の電圧が変化する。すなわち、走査線ＧＬ（ｉ）にノイズが乗る。走査線ＧＬ（ｉ）に乗ったノイズは、ゲートドライバ８の電源配線に伝達され、さらに他の走査線ＧＬ（ｎ）に伝達される。非選択共通電極ＴＬ（ｍ）が、フローティング状態、すなわち、電圧が供給されていない状態の場合、他の走査線ＧＬ（ｎ）と非選択共通電極ＴＬ（ｍ）との間の寄生容量を介して、他の走査線ＧＬ（ｎ）におけるノイズが、非選択共通電極ＴＬ（ｍ）へ伝達され、非選択共通電極ＴＬ（ｍ）の電圧が変化する。非選択共通電極ＴＬ（ｍ）の電圧が変化することにより、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）にノイズが乗ることになり、検出精度の低下が危惧される。

これに対して、タッチ検出期間において。非選択共通電極ＴＬ（ｍ）に対して、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１または第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２を供給することにより、走査線ＧＬ（ｎ）におけるノイズにより、非選択共通電極ＴＬ（ｍ）の電圧が変化するのを防ぐことが可能となり、検出精度の低下を防ぐことが可能となる。

タッチ検出期間において、非選択共通電極ＴＬ（ｍ）へ供給される電圧としては、第３電圧配線６０７における第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２とすることが望ましい。これは、タッチ検出期間において、第２電圧配線６０６は、周期的に選択共通電極ＴＬ（ｉ）に接続されるため、第２電圧配線６０６における第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１は、変動することが考えられる。第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１を非選択共通電極ＴＬ（ｍ）へ供給すると、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１の変動により、非選択共通電極ＴＬ（ｍ）の電圧も変化し、検出精度が低下することが危惧される。そのため、第２電圧配線６０６とは異なる第３電圧配線６０７における第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が、タッチ検出期間において、非選択共通電極ＴＬ（ｍ）に供給することが望ましい。

＜液晶素子配列＞
第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２の構成を説明するまえに、表示パネル２の構成を説明する。

図７は、表示パネル２の回路構成を示す回路図である。同図において、一点鎖線で示した複数個のＳＰｉｘのそれぞれは、１個の液晶表示素子を示している。液晶表示素子ＳＰｉｘは、液晶パネル２において、行列状に配置され、液晶素子配列ＬＣＤを構成している。液晶素子配列ＬＣＤは、各行に配置され、行方向に延在する複数の走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、各列に配置され、列方向に延在する信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）〜ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｒ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｇ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｂ）とを具備している。また、液晶素子配列ＬＣＤは、各列に配置され、列方向に延在する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を有している。図７には、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（２）と、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）〜ＳＬ（１）０（Ｒ）、ＳＬ（１）０（Ｇ）、ＳＬ（１）０（Ｂ）と、共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）に関する液晶素子配列の部分が示されている。

図７においては、説明を容易にするために、共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）が、それぞれの列に配置されているように、示されているが、図３（Ａ）および（Ｂ）において説明したように、複数の信号線に対して１個の共通電極が配置されているものと理解されたい。勿論、図７に示すように、液晶素子配列ＬＣＤのそれぞれの列に共通電極を配置してもよい。いずれにおいても、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、信号線と平行するように、液晶素子配列ＬＣＤの列に配置されている。

液晶素子配列ＬＣＤの行と列の交点に配置されたそれぞれの液晶表示素子ＳＰｉｘは、ＴＦＴガラス基板３００に形成された薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒのソースに一方の端子が接続された液晶素子ＬＣとを具備している。液晶素子配列ＬＣＤにおいて、同じ行に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘの薄膜トランジスタＴｒのゲートは、同じ行に配置されている走査線に接続され、同じ列に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘの薄膜トランジスタＴｒのドレインは、同じ列に配置された信号線に接続されている。言い換えるならば、複数の液晶表示素子ＳＰｉｘが、行列状に配置され、各行には、走査線が配置され、走査線には、対応する行に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘが接続されている。また、各列には信号線が配置され、信号線には、対応する列に配置された液晶表示素子ＳＰｉｘが接続されている。また、同じ列に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘの液晶素子ＬＣの他端は、列に配置された共通電極に接続されている。

図７に示した例で説明すれば、同図において、最上段の行に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘのそれぞれの薄膜トランジスタＴｒのゲートは、最上段の行に配置された走査線ＧＬ（０）に接続されている。また、同図において、最も左側の列に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘのそれぞれの薄膜トランジスタＴｒのドレインは、最も左側の列に配置された信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）に接続されている。また、最も左側に列に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘのそれぞれの液晶素子の他端は、図７においては、最も左側に配置された共通電極ＴＬ（０）に接続されている。先にも述べたように、１個の共通電極が、複数の信号線に対応している。そのため、図７に示した例では、共通電極ＴＬ（０）は、３列に対して共通の共通電極となっていると見なすことができる。

１個の液晶表示素子ＳＰｉｘが、先に述べた１個の副画素（サブ画素）に対応する。従って、３個の液晶表示素子ＳＰｉｘによって、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色の副画素が構成される。図７では、同じ行に、連続的に配置された３個の液晶表示素子ＳＰｉｘによって、１つの画素Ｐｉｘが形成され、当該画素Ｐｉｘにてカラーが表現されるものとなる。すなわち、図７において、７００Ｒとして示されている液晶表示素子ＳＰｉｘが、Ｒ（赤）の副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）とされ、７００Ｇとして示されている液晶表示素子ＳＰｉｘが、Ｇ（緑）の副画素ＳＰｉｘ（Ｇ）とされ、７００Ｂとして示されている液晶表示素子ＳＰｉｘが、Ｂ（青）の副画素ＳＰｉｘ（Ｂ）とされる。そのために、７００Ｒとして示されている副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）には、カラーフィルタとして赤色のカラーフィルタＣＲが設けられており、７００Ｇの副画素ＳＰｉｘ（Ｇ）には、カラーフィルタとして青色のカラーフィルタＣＧが設けられており、７００Ｂの副画素ＳＰｉｘ（Ｂ）には、カラーフィルタとして緑色のカラーフィルタＣＢが設けられている。

また、１つの画素を表す信号のうち、Ｒに対応する画像信号が、信号線セレクタ６から、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）に供給され、Ｇに対応する画像信号が、信号線セレクタ６から、信号線ＳＬ（０）０（Ｇ）に供給され、Ｂに対応する画像信号が、信号線セレクタ６から、信号線ＳＬ（０）０（Ｂ）に供給される。

各液晶表示素子ＳＰｉｘにおける薄膜トランジスタＴｒは、特に制限されないが、Ｎチャンネル型のＭＯＳＦＥＴである。走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）には、例えばこの順番で順次ハイレベルとなるパルス状の走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐ（図１）が、ゲートドライバ８から供給される。すなわち、液晶素子配列ＬＣＤにおいて、上段の行に配置された走査線ＧＬ（０）から下段の行に配置された走査線ＧＬ（ｐ）に向かって、走査線の電圧が、順次ハイレベルとなる。これにより、液晶素子配列ＬＣＤにおいて、上段の行に配置された液晶表示素子ＳＰｉｘから下段の行に配置された液晶表示素子ＳＰｉｘに向かって、液晶表示素子ＳＰｉｘにおける薄膜トランジスタＴｒが、順次導通状態となる。

薄膜トランジスタＴｒが導通状態となることにより、そのとき信号線に供給されている画素信号が、導通状態の薄膜トランジスタを介して、液晶素子ＬＣに供給される。液晶素子ＬＣに供給された画素信号の値に従って、液晶素子ＬＣにおける電界が変化し、その液晶素子ＬＣを透過する光の変調が変わる。これにより、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）に供給する走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐに同期して、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）〜ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｒ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｇ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｂ）に供給した画像信号に応じたカラー画像が、液晶パネル２に表示されることになる。

ここで、図５および図６に示したモジュールの配置と、図７に示した回路図との対応を述べておくと、次のようになる。

液晶素子配列ＬＣＤは、その配列の行と実質的に平行な１対の辺と、その配列の列と実質的に平行な１対の辺とを有している。液晶素子配列ＬＣＤの行と平行な１対の辺が、図５および図６に示した表示パネル２の短辺２−Ｕ、２−Ｄに対応し、液晶素子配列ＬＣＤの列と平行な１対の辺が、表示パネル２の長辺２−Ｒ、２−Ｌに対応する。

液晶素子配列ＬＣＤにおいて、行と平行な１対の辺のうちの一方の辺、すなわち、表示パネル２の一方の短辺２−Ｄに沿って、図５および図６に示されているように、信号セレクタ６、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣおよび第２電極駆動回路ＣＧＷ２（図５では、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄ）が配置されている。液晶素子配列ＬＣＤにおいては、この一方の辺（表示パネル２の短辺２−Ｄ）において、信号線セレクタ６を介して、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣ内の信号線ドライバ１１からの画像信号が、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）〜ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｒ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｇ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｂ）に供給される。また、この一方の辺（表示パネル２の辺２−Ｄ）において、第２電極駆動回路ＣＧＷ２（電極駆動回路ＣＧＷ−Ｄ）からの駆動信号Ｔｘ（ｉ）が、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の一方の端部に供給される。

一方、液晶素子配列ＬＣＤにおいて、行と平行な１対の辺のうちの他方の辺、すなわち、表示パネル２の短辺２−Ｕに沿って、第１電極駆動回路ＣＧＷ１（図５では、電極駆動回路ＣＧＷ−Ｕ）が配置されている。また、液晶素子配列ＬＣＤのこの他方の辺おいて、第１電極駆動回路ＣＧＷ１（電極駆動回路ＣＧＷ−Ｕ）から駆動信号Ｔｘ（ｉ）が共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の他方の端部へ供給される。図７を例にして、言い換えると、タッチ検出期間においては、上側および下側の両方から、共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）へ駆動信号Ｔｘ（０）、Ｔｘ（１）が供給されることになる。

また、図６に示したモジュール６００においては、タッチ検出期間において、非選択共通電極ＴＬ（ｍ）に対して、液晶素子配列ＬＣＤの一方の辺（辺２−Ｄに対応）および／または他方の辺（辺２−Ｕに対応）において、第２電極駆動回路ＣＧＷ２および／または第１電極駆動回路ＣＧＷ１から第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給される。

１個の画素を構成する副画素の数が、３個の場合を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば上記ＲＧＢに加えて白（Ｗ）や黄色（Ｙ）、又はＲＧＢの補色（シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ））のいずれか１色又は複数色を加えた副画素で１つの画素としてもよい。

＜電極駆動回路の概略＞
図８は、第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２の構成を、概略的に示すブロック図である。図８（Ａ）は、第１電極駆動回路ＣＧＷ１の概略を示しており、図８（Ｂ）は、第２電極駆動回路ＣＧＷ２の概略を示している。

図８（Ａ）において、ＳＣ１はスキャン回路を示しており、ＬＧ１はロジック回路を示しており、ＳＷ１はスイッチ回路を示している。第１電極駆動回路ＣＧＷ１は、これらのスキャン回路ＳＣ１とロジック回路ＬＧ１とスイッチ回路ＳＷ１を備えている。

スキャン回路ＳＣ１は、この実施の形態１においては、シフトレジスタにより構成されている。シフトレジスタは、複数の段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）を有しており、各段は、互いに同じ構成にされており、例えばフリップフロップ回路により構成されている。シフトクロック信号であるクロック信号ＳＤＣＫ（図１）が変化することにより、所定の段（例えば、ＵＳＣ１（ｎ））は、前段（例えば、ＵＳＣ１（ｎ−１））の出力を取り込み、格納し、取り込んだ前段の出力に従った出力信号を形成して、出力する。この実施の形態１においては、シフトレジスタの各段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）が、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに対応している。例えば、段ＵＳＣ１（０）は、共通電極ＴＬ（０）に対応し、段ＵＳＣ（ｎ）は、共通電極ＴＬ（ｎ）に対応し、段ＵＳＣ１（ｐ）は、共通電極ＴＬ（ｐ）に対応する。

タッチ検出期間において、駆動信号が供給されるように選択される選択共通電極を指定する選択信号ＳＤＳＴ（例えば論理値“１”）を、シフトレジスタの所定の段、例えば初段ＵＳＣ１（０）にセットする。クロック信号ＳＤＣＫを変化させることにより、選択信号ＳＤＳＴ（論理値“１”）は、シフトレジスタを構成する段を移動する。例えば、選択信号ＳＤＳＴ（論理値“１”）は、クロック信号ＳＤＣＫの変化により、段ＵＳＣ１（０）から段ＵＳＣ１（ｐ）へ向けて順次移動する。

スイッチ回路ＳＷ１は、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに対応した複数の第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（０）〜ＵＳＷ１（ｐ）を備えている。第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（０）〜ＵＳＷ１（ｐ）は、互いに同じ構成にされており、図８（Ａ）には、共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（ｎ）およびＴＬ（ｐ）に対応した第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（０）、ＵＳＷ１（ｎ）およびＵＳＷ１（ｐ）のみが示されている。各第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（０）〜ＵＳＷ１（ｐ）は、液晶素子配列ＬＣＤの他方の辺（図６では、２−Ｕ）において、対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に接続されている。また、実施の形態１においては、各第１単位スイッチ回路ＳＷ１（０）〜ＳＷ１（ｐ）は、第１〜第３電圧配線６０５〜６０７（図６）に接続されている。

ロジック回路ＬＧ１も、複数の第１単位ロジック回路ＵＬＧ（０）〜ＵＬＧ（ｐ）を備えており、各第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（０）〜ＵＬＧ（ｐ）は、スキャン回路ＳＣ１を構成する各段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）のそれぞれと１対１に対応している。また、各第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（０）〜ＵＬＧ（ｐ）は、スイッチ回路ＳＷ１を構成する第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（０）〜ＵＳＷ１（ｐ）のそれぞれとも１対１に対応している。この実施の形態１においては、複数の第１単位ロジック回路ＵＬＧ（０）〜ＵＬＧ（ｐ）も、互いに同じ構成にされている。

ロジック回路ＬＧ１は、タッチ検出期間において、スキャン回路ＳＣ１からの出力を受け、受けた出力に基づいて、対応するスイッチ回路ＳＷ１を制御する。すなわち、タッチ検出期間において、各第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（０）〜ＵＬＧ１（ｐ）は、１対１に対応するシフトレジスタの段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ（ｐ）の出力を受け、１対１に対応する第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（０）〜ＵＳＷ１（ｐ）を制御する。例えば、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（０）は、１対１に対応する段ＵＳＣ１（０）の出力を受け、段ＵＳＣ１（０）の出力に基づいて、１対１に対応する第１単位スイッチＳＷ１（０）を制御する。以下、同様に、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）は、段ＵＳＣ１（ｎ）の出力を受け、第１単位スイッチＵＳＷ１（ｎ）を制御し、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｐ）は、段ＵＳＣ１（ｐ）の出力を受け、第１単位スイッチＵＳＷ１（ｐ）を制御する。

あとで、図１１等を用いて、詳しく説明するが、タッチ検出期間において、選択信号ＳＤＳＴ（論理値“１”）の出力を受けた第１単位ロジック回路は、対応する第１単位スイッチ回路に対して、第１電圧配線６０５における第１電圧ＴＰＨと第２電圧配線６０６における第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１を交互に、対応する共通電極へ供給するように制御する。一方、タッチ期間において、非選択信号、すなわち論理値“０”の選択信号ＳＤＳＴの出力を受けた第１単位ロジック回路は、対応する第１単位スイッチ回路に対して、第３電圧配線６０７における第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２を、対応する共通電極へ供給するように制御する。これにより、タッチ検出期間においては、液晶素子配列ＬＣＤの他方の辺において、第１電極駆動回路ＣＧＷ１から選択共通電極ＴＬ（ｉ）に対して第１電圧ＴＰＨと第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１が周期的に供給されることになる。また、非選択共通電極ＴＬ（ｎ）に対しては、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給されることになる。

第１電極駆動回路ＣＧＷ１は、それぞれ共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に対応した複数の第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）によって構成されていると見なすことができる。この場合、タッチ検出期間において、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、対応する第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）によって、第１〜第３電圧配線のいずれかに電気的に接続されることになる。

図８（Ｂ）は、第２電極駆動回路ＣＧＷ２の構成を概略的に示すブロック図である。第２電極駆動回路ＣＧＷ２も、図８（Ａ）で説明した第１電極駆動回路ＣＧＷ１と同様に、スキャン回路とロジック回路とスイッチ回路とを備えている。図８（Ｂ）では、第２電極駆動回路ＣＧＷ２を構成するスキャン回路はＳＣ２、ロジック回路はＬＧ２、スイッチ回路はＳＷ２として示されている。この実施の形態１においては、スキャン回路ＳＣ２はスキャン回路ＳＣ１と、ロジック回路ＬＧ２はロジック回路ＬＧ１と、スイッチ回路ＳＷ２はスイッチ回路ＳＷ１と同じ構成を有している。

すなわち、スキャン回路ＵＳＣ２は、スキャン回路ＳＣ１と同様に、複数の段ＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）を有するシフトレジスタにより構成されており、特定の段を見た場合、その段の前段の選択信号ＳＤＳＴを、クロック信号ＳＤＣＫが変化することにより、取り込み、格納し、取り込んだ選択信号に従った出力信号を出力する。特に制限されないが、各段ＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）の構成は、図８（Ａ）に示した段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）と同じ構成を有している。また、各段ＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）も、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に１対１で対応している。

スイッチ回路ＳＷ２は、スイッチ回路ＳＷ１と同様に、複数の第２単位スイッチ回路ＵＳＷ２（０）〜ＵＳＷ２（ｐ）を備えている。第２単位スイッチ回路ＵＳＷ２（０）〜ＵＳＷ２（ｐ）のそれぞれは、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に１対１で対応しており、タッチ検出期間、液晶素子配列ＬＣＤの一方の辺（図６では２−Ｄ）において、第１〜第３電圧配線６０５〜６０７のいずれかを、対応する共通電極へ電気的に接続する。スイッチ回路ＳＷ２を構成する第２単位スイッチＵＳＷ２（０）〜ＵＳＷ２（ｐ）のそれぞれも、互いに同じ構成を有している。

ロジック回路ＬＧ２も、ロジック回路ＬＧ１と同様に、複数の第２単位ロジック回路ＵＬＧ２（０）〜ＵＬＧ（ｐ）によって構成されている。第２単位ロジック回路ＵＬＧ２（０）〜ＵＬＧ２（ｐ）のそれぞれは、図８（Ａ）で説明した第１単位ロジック回路と同様に、段ＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）および第２単位スイッチ回路ＵＳＷ２（０）〜ＵＳＷ２（ｐ）のそれぞれに対応している。また、ロジック回路ＬＧ２を構成する第２単位ロジック回路ＵＬＧ２（０）〜ＵＬＧ２（ｐ）のそれぞれも互いに同じ構成を有している。

図８（Ｂ）においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（ｎ）およびＴＬ（ｐ）のそれぞれ対応する段ＵＳＣ２（０）、ＵＳＣ２（ｎ）、ＵＳＣ２（ｐ）、第２単位ロジック回路ＵＬＧ２（０）、ＵＬＧ２（ｎ）、ＵＬＧ２（ｐ）および第２単位スイッチ回路ＵＳＷ２（０）、ＵＳＷ２（ｎ）、ＵＳＷ２（ｐ）のみが示されている。また、第１電極駆動回路ＣＧＷ１と同様に、第２電極駆動回路ＣＧＷ２は、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに対応した複数の第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）により構成されていると見なすことができる。

第２電極駆動回路ＣＧＷ２の動作は、第１電極駆動回路ＣＧＷ１と同様であるので、説明は省略するが、第２電極駆動回路ＣＧＷ２は、第１電極駆動回路ＣＧＷ１と異なり、タッチ検出期間、液晶素子配列ＬＣＤの一方の辺（２−Ｄ）において、対応する共通電極へ第１〜第３電圧のいずれかを供給する。

この実施の形態１においては、スキャン回路ＳＣ１とスキャン回路ＳＣ２に対して、同じクロック信号ＳＤＣＫがシフトクロック信号として与えられ、また同じ選択信号ＳＤＳＴがセットされる。これにより、タッチ検出期間において、第１電極駆動回路ＣＧＷ１と第２電極駆動回路ＣＧＷ２の両方が、同じ共通電極を選択共通電極とし、第１および第２電圧配線６０５、６０６における電圧を交互に供給する。また、このとき、非選択共通電極には、第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２の両方から、第３電圧配線６０７における第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給されることになる。

＜表示パネル２の要部構成＞
図９は、表示パネル２の要部の構成を模式的に示すブロック図である。同図には、信号線セレクタ６の構成も模式的に示されている。図９には、液晶素子配列ＬＣＤに配置された２行分の副画素ＳＰｉｘと、副画素ＳＰｉｘに対応する２個の共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）が示されている。図８において、副画素ＳＰｉｘおよび共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）の配置は、実際の配置に合わせて描かれている。

図９においては、横方向（液晶素子配列ＬＣＤにおいて、行方向）に配置された４個の画素に対して１個の共通電極が配置されている。図９に記載されている「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」のそれぞれは、副画素ＳＰｉｘを示している。従って、共通電極ＴＬ（０）は、図９において左側から４組の「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」に対応しており、同図において、縦方向（液晶素子配列において、列方向）に延在している。同様に、共通電極ＴＬ（１）は、図９において右側の４組の「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」に対応しており、縦方向（列方向）に延在している。縦方向に延在する共通電極ＴＬ（０）およびＴＬ（１）の一方の端部は、図８（Ｂ）で説明した第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）内の第２単位スイッチ回路ＵＳＷ２（０）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（１）内の第２単位スイッチ回路ＵＳＷ２（１）に接続されている。また、共通電極ＴＬ（０）およびＴＬ（１）の他方の端部は、図８（Ａ）で説明した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）内の第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（０）および第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（１）内の第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（１）に接続されている。

図９において、ＳＰ１１〜ＳＰ１６は、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣの外部端子が接続される端子を示している。ここで述べているドライブ用半導体装置ＤＤＩＣの外部端子は、画像信号を出力する外部端子を示している。図９においては、端子ＳＰ１１〜ＳＰ１６が、１組とされ、１組分の端子ＳＰ１１〜ＳＰ１６が、１個の共通電極に対応している。そのため、図９には、２組分の端子ＳＰ１１〜ＳＰ１６が示されている。端子ＳＰ１１〜ＳＰ１６の組間では、互いに構成は同じであるため、１組分について説明する。

信号線セレクタ６は、端子ＳＰ１１〜ＳＰ１６によって構成された組に対応する単位信号線セレクタを複数有している。各単位信号線セレクタのそれぞれは、互いに同じ構成を有している。ここでは、図９において左側に示した単位信号線セレクタを例にして説明する。単位信号線セレクタは、複数のスイッチＳ１１、Ｓ１２、Ｓ２１、Ｓ２２を有しており、スイッチＳ２１およびＳ２２は、選択線ＳＥＬ１（図１）により、互いに同時に導通／非導通となるように制御される。また、スイッチＳ１１および１２は、選択線ＳＥＬ２により、互いに同時に導通／非導通となるように制御される。

端子ＳＰ１１およびＳＰ１２を例にして説明すると、選択信号ＳＥＬ１が例えば論理値“１”で、選択信号ＳＥＬ２が論理値“０”とされると、スイッチＳ２１、Ｓ２２が導通状態となり、スイッチＳ１１、Ｓ１２は非導通状態となる。このとき、端子ＳＰ１１およびＳＰ１２に供給されている画像信号は、スイッチＳ２１、Ｓ２２を介して、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）に供給される（図７参照）。これにより、「Ｒ」および「Ｇ」に関する画像情報が、液晶素子に与えられる。

次に、選択信号ＳＥＬ１の論理値が、“０”にされ、選択信号ＳＥＬ２の論理値が“１”にされると、スイッチＳ１１、Ｓ１２が導通状態となり、スイッチＳ２１、Ｓ２２が非導通状態となる。このとき、端子ＳＰ１１およびＳＰ１２に供給されている画像信号は、スイッチＳ１１、Ｓ１２を介して信号線ＳＬ（０）０（Ｂ）、ＳＬ（０）１（Ｒ）に供給される（図７参照）。これにより、「Ｂ」に関する画像情報が、液晶素子に与えられるとともに、隣接した画素内の液晶素子に、「Ｒ」に関する画像情報が与えられることになる。すなわち、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２によって、端子ＳＰ１１、ＳＰ１２に供給される画像情報を適切な信号線へ振り分けることが可能となる。同様に、残りの端子ＳＰ１３〜ＳＰ１６においても、これらの端子に供給された画像情報は、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２によって、適切な信号線へ振り分けられる。

なお、図９では、図面が複雑になるのを避けるために、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）は※１として示され、信号線ＳＬ（０）０（Ｇ）は※２として示され。信号線ＳＬ（０）０（Ｂ）は※３として示され、信号線ＳＬ（０）１（Ｒ）は※４として示されている。

＜タッチ検出機能付き液晶表示装置１の構成＞
図１０は、タッチ検出機能付き液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。同図において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、共通電極であり、ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）は、図８（Ａ）で説明した第１単位電極駆動回路を示している、また、ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）は、図８（Ｂ）で説明した第２単位電極駆動回路を示している。共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）の配置は、実際の配置に合わせて描かれている。第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）のそれぞれと、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれは、対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が延在する方向において、挟むように配置されている。これにより、タッチ検出期間においては、選択共通電極の両端部から、第１および第２電圧配線６０５、６０６における第１および第２電圧ＴＰＨ、ＶＣＯＭＤＣ１を交互に供給することが可能となる。

特に制限されないが、第１単位電極駆動回路（第２単位電極駆動回路）は、対応する共通電極に近い順に、第１単位スイッチ回路（第２単位スイッチ回路）、第１単位ロジック回路（第２単位ロジック回路）、シフトレジスタの段が配置されている。図１０において、８（０）〜８（ｐ）は、ゲートドライバ８を構成する単位ゲートドライバを示している。単位ゲートドライバ８（０）〜８（ｐ）には、特に制限されないが、電圧Ｖｄと接地電圧Ｖｓが、共通の電圧配線を介して給電され、電圧Ｖｄを動作電圧として、表示期間において動作する。すなわち、表示期間において、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣから供給されるタイミング信号に従って走査信号を形成し、走査線へ供給する。

なお、図１０では、同図において、左側に配置された単位ゲートドライバ８（０）〜８（ｐ）のみが示されているが、同図において右側にも、複数の単位ゲートドライバが配置されている。すなわち、図１０では、図６において表示パネル２の長辺２−Ｌとモジュール６００の長辺６００−Ｌとの間に延在する単位ゲートドライバのみを示しており、表示パネル２の長辺２−Ｒとモジュール６００の長辺６００−Ｒとの間に延在している単位ゲートドライバは省略している。特に制限されないが、左側に配置された単位ゲートドライバと右側に配置された単位ゲートドライバは、交互に配置された走査線に走査信号を供給する。

また、図１０において、６（０）〜６（ｐ）は、図９において説明した単位信号線セレクタを示しており、これらの単位信号線セレクタ６（０）〜６（ｐ）によって、信号線セレクタ６が構成されている。図１０においては、図面が複雑になるのを避けるために、信号線セレクタに接続された信号線には、符号は付されていないが、信号線であることを明示するために、破線で示されている。同様に、同図では走査線にも符号は付されていないが、一点鎖線で、走査線であることを明示している。また、図２に示した相互容量方式でタッチを検出する場合、検出電極が、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように配置されるが、図１０においては、この検出電極も省略されている。

同図では、タッチ用半導体装置ＤＤＩＣが、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）の下側に描かれ、信号配線ＳＬによりタッチ用半導体装置ＤＤＩＣの端子と端子ＳＰ１１〜ＳＰ１６とが接続するように描かれている。しかしながら、表示パネル２を平面視で見たとき、タッチ用半導体装置ＤＤＩＣは、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）を覆うように実装されている。

この実施の形態１においては、第１電極駆動回路ＣＧＷ１を構成する第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）における各第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（０）〜ＵＳＷ１（ｐ）は、第１電圧配線６０５、第２電圧配線６０６および第３電圧配線６０７に接続されている。同様に、第２電極駆動回路ＣＧＷ２を構成する第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）における各第２単位スイッチ回路ＵＳＷ２（０）〜ＵＳＷ２（ｐ）も、第１電圧配線６０５、第２電圧配線６０６および第３電圧配線６０７に接続されている。しかしながら、第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（０）〜ＵＳＷ１（ｐ）および第２単位スイッチ回路ＵＳＷ２（０）〜ＵＳＷ２（ｐ）に接続される電圧配線は、あとで述べる複数の実施の形態においては、変わる。そのため、これに限定されるものではない。

第１電極駆動回路ＣＧＷ１に含まれるスキャン回路ＳＣ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２に含まれるスキャン回路ＳＣ２には、タッチ用半導体装置７（図１）から、クロック信号ＳＤＣＫと選択信号ＳＤＳＴが供給される。この実施の形態１においては、特に制限されないが、スキャン回路ＳＣ１とスキャン回路ＳＣ２に供給されるクロック信号ＳＤＣＫと選択信号ＳＤＳＴとは、互いに同じ信号とされる。これにより、スキャン回路ＳＣ１とスキャン回路ＳＣ２とは同期して動作する。

第１電極駆動回路ＣＧＷ１を構成する第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（０）〜ＵＬＧ１（ｐ）および第２電極駆動回路ＣＧＷ２を構成する第２ロジック回路ＵＬＧ２（０）〜ＵＬＧ２（ｐ）には、タッチ用半導体装置７から制御信号ｃｔｒｓｉｇが供給される。第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２の構成例は、この実施の形態１およびあとで複数の実施の形態において説明する。実施の形態によって、タッチ用半導体装置７から第１単位ロジック回路および第２単位ロジック回路へ供給される制御信号が変わるため、制御信号ｃｔｒｓｉｇは、これらの制御信号を総括した制御信号である。

＜第１電極駆動回路および第２電極駆動回路＞
図８および図１０において説明したように、第１電極駆動回路ＣＧＷ１は複数の第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）により構成され、第２電極駆動回路ＣＧＷ２は複数の第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）により構成されている。

実施の形態１においては、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）のそれぞれと、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれとが、同じ構成にされている。そのため、ここでは、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を代表として、その構成を説明する。

図１１（Ａ）は、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）の構成を示すブロック図であり、図１１（Ｂ）は、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）の構成を示す回路図である。

先に説明したように、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）は、第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）と、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）と、段（フリップフロップ回路）ＵＳＣ１（ｎ）とを有している。この実施の形態１においては、図１１（Ａ）に示すように、第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）は、第１〜第３電圧配線６０５〜６０７に接続され、第１電圧ＴＰＨ、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１および第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給されている。また、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）には、制御信号ｃｔｒｓｉｇとして、タッチ検出期間において電圧値が周期的に変化する制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが供給される。また、表示期間において、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧は、ロウレベルとなる。

また、段ＵＳＣ１（ｎ）には、前段ＵＳＣ１（ｎ−１）から選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）と、クロック信号ＳＤＣＫが供給される。段ＵＳＣ１（ｎ）は、クロック信号ＳＤＣＫはシフトクロック信号であり、その電圧が変化すると、選択信号ＳＤＳＴの論理値を取り込み、保持して、取り込んだ選択信号ＳＤＳＴに従った出力信号を形成し、出力する。段ＵＳＣ１（ｎ）の出力は、選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）として、次段ＵＳＣ１（ｎ＋１）へ供給されるとともに、スキャン回路（段ＵＳＣ１（ｎ））の出力ＳＲｏｕｔ（ｎ）として、対応する第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）へ供給される。クロック信号ＳＤＣＫは、スキャン回路ＳＣ１を構成する各段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）に並列的に供給されている。そのため、次にクロック信号ＳＤＣＫが変化したとき、次段ＵＳＣ１（ｎ＋１）が、それ以前に段ＵＳＣ１（ｎ）から出力された選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）の論理値を取り込む。これにより、タッチの検出を指定する論理値“１”の選択信号ＳＤＳＫは、順次シフトレジスタ内を移動する。

図１１（Ｂ）には、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）および第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）の回路構成が示されている。第１単位スイッチ回路ＵＬＧ１（ｎ）は、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴＴ（以下、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴと称する）Ｎ１〜ＴＮ３と、Ｐチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ（以下、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴと称する）ＴＰ１〜ＴＰ３とを有している。本明細書においては、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴは、そのゲート電極部に○印を付して、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴと区別化している。また、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴおよびＰ型ＭＯＳＦＥＴに関する説明においては、説明を容易にするために、ソースおよびドレインの表現を用いるが、ソースおよびドレインは、ＭＯＳＦＥＴの端子における電圧によって決まる。そのため、ソースおよびドレインは、説明の都合上で用いるものであり、これに限定されるものではない。

Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１のドレインおよびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１のソースは、第１電圧配線６０５に接続され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１のソースおよびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１のドレインはノードｎ１に接続されている。すなわち、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１とＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１は、第１電圧配線６０５とノードｎ１との間に並列接続されており、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１のそれぞれのゲートに供給されるスイッチ信号によって導通／非導通（オン／オフ）の制御が行われる。言い換えるならば、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１によって、第１電圧配線６０５とノードｎ１との間に接続された第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）が構成され、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１のゲートに供給されるスイッチ信号によって、オン／オフが制御される。

Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ２のドレインは、ノードｎ１に接続され、そのソースは第２電圧配線６０６に接続されている。また、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ２のソースは、ノードｎ１に接続され、そのドレインは第２電圧配線６０６に接続されている。すなわち、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ２とＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ２は、第２電圧配線６０６とノードｎ１との間に並列接続されており、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ２のそれぞれのゲートに供給されるスイッチ信号によって導通／非導通（オン／オフ）の制御が行われる。言い換えるならば、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ２によって、第２電圧配線６０６とノードｎ１との間に接続された第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）が構成され、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ２のゲートに供給されるスイッチ信号によって、オン／オフが制御される。

Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ３のドレインは、ノードｎ１に接続され、そのソースは第３電圧配線６０７に接続されている。また、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ３のソースは、ノードｎ１に接続され、そのドレインは第３電圧配線６０７に接続されている。すなわち、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ３とＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ３は、第３電圧配線６０７とノードｎ１との間に並列接続されており、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ３のそれぞれのゲートに供給されるスイッチ信号によって導通／非導通（オン／オフ）の制御が行われる。言い換えるならば、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ３によって、第３電圧配線６０７とノードｎ１との間に接続された第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）が構成され、第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ３のゲートに供給されるスイッチ信号によって、オン／オフが制御される。

ノードｎ１は、液晶素子配列ＬＣＤの他方の短辺（図６では、２−Ｕ）において、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部と電気的に接続される。これにより、タッチ検出期間において、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）から第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）を、スイッチ信号により制御することにより、共通電極ＴＬ（ｎ）は、第１から第３スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）〜（ＴＮ３、ＴＰ３）のいずれかを介して、第１〜第３電圧配線６０５〜６０７に電気的に接続される。すなわち、タッチ検出期間において、共通電極ＴＬ（ｎ）には、第１電圧ＴＰＨ、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１または第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給される。

第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）は、インバータ回路ＩＶ１〜ＩＶ４、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４〜ＴＮ７、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４〜ＴＰ７を有している。インバータＩＶ１は、対応する段ＵＳＣ１（ｎ）から出力された出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）を受け、位相反転した信号を出力する。出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）は、対応する段ＵＳＣ１（ｎ）に取り込まれ、保持されている選択信号に従った電圧値を有する。段ＵＳＣ１（ｎ）に取り込まれた選択信号ＳＤＳＴは、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）を選択共通電極とする場合には、論理値“１”であり、共通電極ＴＬ（ｎ）を非選択共通電極とする場合には、論理値“０”である。図１１（Ｂ）では、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）をインバータ回路ＩＶ１による位相反転して形成した制御信号をｘｉｎとし、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）と同相の制御信号をｉｎとして説明する。勿論、制御信号ｉｎは、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）と同相であるため、制御信号ｉｎを制御信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）としてもよい。

Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４のドレインは、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬを伝達する信号配線Ｌｎ−Ｖｓｅｌに接続され、そのソースは、信号配線Ｌｎ１に接続され、そのゲートには、制御信号ｉｎが供給される。Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＮ４と並列的に接続されるように、そのソースは、信号配線Ｌｎ−Ｖｓｅｌに接続され、そのドレインは、信号配線／Ｌｎ１に接続され、そのゲートには制御信号ｘｉｎが供給される。Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ５のドレインは、信号配線Ｌｎ１に接続され、そのソースには電圧ＶＧＬが供給され、そのゲートには、制御信号ｘｉｎが供給される。ここで、電圧ＶＧＬは、ロウレベルの電圧であり、例えば接地電圧Ｖｓとされる。

信号配線Ｌｎ１には、第１スイッチを構成するＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１のゲートが接続され、信号配線／Ｌｎ１には、第１スイッチを構成するＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１のゲートが接続されている。

対応する段ＵＳＣ１（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）が、共通電極ＴＬ（ｎ）を選択共通電極にすることを示す論理値“１”となっていた場合、制御信号ｉｎはハイレベルとなり、制御信号ｘｉｎはロウレベルとなる。これにより、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４の両方がオンする。このとき、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ５はオフとなるため、信号配線Ｌｎ−Ｖｓｅｌにおける制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４を介して、信号配線Ｌｎ１に伝達され、インバータ回路ＩＶ２により位相反転された制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが、信号配線／Ｌｎ１に伝達される。すなわち、このときには、信号配線Ｌｎ１に制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが伝達され、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの位相反転された制御信号が信号配線／Ｌｎ１に伝達される。

信号配線Ｌｎ１に伝達された制御信号ＶＣＯＭＳＥＬと、信号配線／Ｌｎ１に伝達された制御信号（制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが位相反転された制御信号）は、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）のスイッチ信号として、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１のそれぞれのゲートに供給される。第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２に、供給される制御信号ＶＣＯＭＳＥＬは、タッチ検出期間において、その電圧が周期的に変化する制御信号である。

制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧が、ハイレベルとなっているとき、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１がオンとなり、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧が、ロウレベルとなっているとき、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１はオフとなる。これにより、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）は、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが、ハイレベルのとき、第１電圧配線６０５を対応する共通電極ＴＬ（ｎ）に電気的に接続し、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬがロウレベルのとき、第１電圧配線６０５と対応する共通電極ＴＬ（ｎ）とを電気的に分離する。すなわち、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧に従って、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）は、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）への第１電圧ＴＰＨの供給と停止とを行う。

これに対して、対応する段ＵＳＣ１（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｎｔ（ｎ）が、共通電極ＴＬ（ｎ）を非選択共通電極にすることを示す論理値“０”となっていた場合、制御信号ｉｎはロウレベルとなり、制御信号ｘｉｎはハイレベルとなる。これにより、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４ともにオフとなる。一方、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ５は、ハイレベルの制御信号ｘｉｎによりオンとなる。そのため、信号配線Ｌｎ１は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ５を介して、ロウレベルの電圧ＶＧＬとなり、信号配線／Ｌｎ１は、インバータＩＶ２によって、ハイレベルになる。その結果、出力信号ＳＲｏｕｎｔ（ｎ）が論理値“０”に対応する電圧のとき、すなわち、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）が非選択共通電極として指定されているときには、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）は、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧とは無関係に、オフとなり、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）は、第１電圧配線６０５と電気的に分離される。

Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ６のドレインは、信号配線Ｌｎ−Ｖｓｅｌに接続され、そのソースはインバータＩＶ３を介して信号配線／Ｌｎ２に接続され、そのゲートには制御信号ｉｎが供給されている。Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ５のソースは、信号配線Ｌｎ−Ｖｓｅｌに接続され、そのドレインは信号配線Ｌｎ２に接続され、そのゲートには制御信号ｘｉｎが供給されている。また、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ６のドレインは、信号配線Ｌｎ２に接続され、そのソースにはハイレベルの電圧ＶＧＨが供給され、そのゲートには制御信号ｉｎが供給される。ここで、電圧ＶＧＨの電圧値は、例えば第１電圧ＴＰＨと同じ電圧値にされる。

対応する段ＵＳＣ１（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｎｔ（ｎ）が、共通電極ＴＬ（ｎ）を選択共通電極にすることを示す論理値“１”となっていた場合、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ６およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ５のそれぞれがオンし、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ６はオフする。これにより、信号配線Ｌｎ−Ｖｓｅｌにおける制御信号ＶＣＯＭＳＥＬは、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ６およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ５のそれぞれを介して、信号配線Ｌｎ２に伝達される。また、インバータＩＶ３により位相反転された制御信号は、信号配線／Ｌｎ２に伝達される。

第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）を構成するＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ２のゲートは、信号配線／Ｌｎ２に接続され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ２のゲートは、信号配線Ｌｎ２に接続されている。そのため、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）が論理値“１”のときには、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）と同様に、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）に、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが、スイッチ信号として供給される。しかしながら、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）と異なり、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）を構成するＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ２のゲートには、インバータＩＶ３により位相反転された制御信号（制御信号ＶＣＯＭＳＥＬに対して位相反転された制御信号）が供給され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ２のゲートに、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが供給されている。これにより、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）を構成するＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ２のそれぞれは、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧がロウレベルのときにオンし、その電圧がハイレベルのときオフする。すなわち、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）は、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬがロウレベルのとき、第２電圧配線６０６と対応する共通電極ＴＬ（ｎ）とを電気的に接続し、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬがハイレベルのとき、第２電圧配線６０６と対応する共通電極ＴＬ（ｎ）とを電気的に分離する。言い換えるならば、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬがロウレベルのとき、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）が、第２電圧ＶＣＯＭＳＥＬ１を、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）へ供給する。

一方、対応する段ＵＳＣ１（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｎｔ（ｎ）が、共通電極ＴＬ（ｎ）を非選択共通電極にすることを示す論理値“０”となっていた場合、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ６およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ５のそれぞれはオフし、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ６がオンする。これにより、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧とは無関係に、信号配線／Ｌｎには、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ６を介してハイレベルの電圧ＶＧＨが供給される。また、信号配線Ｌｎ２には、インバータＩＶ３によって、ロウレベルが供給される。これにより、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）を構成するＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ２のそれぞれはオフする。すなわち、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）は、第２電圧配線６０６と対応する共通電極ＴＬ（ｎ）との間を電気的に分離する。

このように、対応する段ＵＳＣ１（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｎｔ（ｎ）が、共通電極ＴＬ（ｎ）を選択共通電極にすることを示す論理値“１”となっていた場合、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬがハイレベルのとき、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）を介して、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）は第１電圧配線６０５に接続され、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬがロウレベルのときには、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）を介して、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）は第２電圧配線６０６に接続される。その結果、タッチ検出期間においては、選択共通電極ＴＬ（ｎ）に、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧に従って、第１電圧配線６０５における第１電圧ＴＰＨと第２電圧配線６０６における第２電圧ＶＣＯＭＤＣ２とが交互に供給されることになる。これにより、選択共通電極ＴＬ（ｎ）の近傍がタッチされているか否かの検出が可能となる。

一方、対応する段ＵＳＣ１（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｎｔ（ｎ）が、共通電極ＴＬ（ｎ）を非選択共通電極にすることを示す論理値“０”となっていた場合、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）および第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）のそれぞれが、ともにオフとなる。そのため、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）は、第１電圧配線６０５および６０６から電気的に分離された状態となり、フローティング状態となる。

対応する共通電極ＴＬ（ｎ）が非選択共通電極として指定されたとき、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）がフローティング状態になることにより、タッチ検出期間において、この共通電極ＴＬ（ｎ）の電圧が変動するのを防ぐために、この実施の形態１においては、第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ７、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ７およびインバータＩＶ４が設けられている。

すなわち、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ７のドレインは、信号配線Ｌｎ３に接続され、そのソースにはロウレベルの電圧ＶＧＬが供給され、そのゲートには制御信号ｘｉｎが供給されている。また、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ７のドレインは、信号配線Ｌｎ３に接続され、そのソースにはハイレベルの電圧ＶＧＨが供給され、そのゲートには制御信号ｘｉｎが供給されている。さらに、信号配線Ｌｎ３はインバータＩＶ４を介して信号配線／Ｌｎ３に接続されている。すなわち、信号配線Ｌｎ３における電圧は、インバータＩＶ４によって反転され、信号配線／Ｌｎ３に供給される。ここで、第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）を構成するＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ３のゲートは、信号配線／Ｌｎ３に接続され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ３のゲートは、信号配線Ｌｎ３に接続されている。

対応する段ＵＳＣ１（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｎｔ（ｎ）が、共通電極ＴＬ（ｎ）を非選択共通電極にすることを示す論理値“０”となっていた場合、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ７がオンし、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ７はオフする。これにより、信号配線Ｌｎ３には、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ７を介して、ロウレベルの電圧ＶＧＬが供給される。また、このとき、信号配線／Ｌｎ３には、インバータＩＶ４によって、ハイレベルが供給される。

第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）には、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬは供給されず、信号配線Ｌｎ３および／Ｌｎ３における電圧が、第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）のスイッチ信号とされる。出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）が論理値“０”の場合、信号配線Ｌｎ３におけるハイレベルが、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ３のゲートに供給され、信号配線／Ｌｎ３におけるロウレベルが、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ３のゲートに供給されることになる。そのため、第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）を構成するＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ３のそれぞれがオンする。これにより、第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）を介して、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）は、第３電圧配線６０７と電気的に接続される。その結果とし、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）は、非選択共通電極として指定されているとき、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給されることになる。すなわち、非選択共通電極は、フローティング状態ではなく、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２の電圧にされ、タッチ検出期間において、その電圧が変動することを防ぐことが可能となる。

なお、対応する段ＵＳＣ１（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｎｔ（ｎ）が、共通電極ＴＬ（ｎ）を選択共通電極にすることを示す論理値“１”となっていた場合、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ７がオンし、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ７はオフする。これにより、信号配線Ｌｎ３の電圧は、ハイレベルの電圧ＶＧＨとなり、信号配線／Ｌｎ３の電圧はロウレベルとなる。この信号配線Ｌｎ３および／Ｌｎ３の電圧により、第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）を構成するＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ３のそれぞれがオフし、共通電極ＴＬ（ｎ）は、第３電圧配線６０７とは電気的に分離される。そのため、共通電極ＴＬ（ｎ）が選択共通電極となっているときに、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が共通電極ＴＬ（ｎ）へ供給されるのを防ぐことができる。

このように、タッチ検出期間においては、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）が選択共通電極であれば、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧に従って、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）と第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）が交互にオンし、第１電圧配線６０５における第１電圧ＴＰＨと第２電圧配線６０６における第２電圧ＶＣＯＭＤＣを、交互に選択共通電極に供給することができる。一方、タッチ検出期間においては、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）が非選択共通電極であれば、第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）がオンし、第３電圧配線６０７における第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が共通電極ＴＬ（ｎ）に供給される。これにより、対応する共通電極が、選択共通電極とされた場合には、タッチの検出が可能となり、また非選択共通電極とされた場合には、その電圧が変動することにより発生する検出精度の低下を低減することが可能となる。第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ２）、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）および第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）に注目すると、実施の形態においては、タッチ検出期間においては、択一的にオン（導通）状態になっていると見なすことができる。

なお、以上の説明から理解されるように、信号配線／Ｌｎ１〜Ｌｎ３に付されている符号／は、信号配線Ｌｎ１〜Ｌｎ３における信号あるいは電圧に対して位相反転された信号あるいは電圧が供給されることを表している。

第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を例にして説明したが、他の第１単位電極駆動回路および第２単位電極駆動回路のそれぞれについても、構成および動作は同じである。

図１２（Ａ）〜（Ｅ）は、第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２の動作を示す波形図である。図１２（Ａ）〜（Ｅ）では、説明を容易にするために、複数の共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、共通電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）についてのみ示されている。ここで、共通電極ＴＬ（ｎ＋１）は、共通電極ＴＬ（ｎ）の隣に配置された共通電極を示している。共通電極ＴＬ（ｎ）に対応した第１単位電極駆動回路は、ＵＣＧＷ１（ｎ）であり、第２単位電極駆動回路は、ＵＣＧＷ２（ｎ）である。また、共通電極ＴＬ（ｎ＋１）に対応した第１単位電極駆動回路は、ＵＣＧＷ１（ｎ＋１）であり、第２単位電極駆動回路は、ＵＣＧＷ２（ｎ＋１）である。

共通電極ＴＬ（ｎ＋１）は、共通電極ＴＬ（ｎ）の隣に配置されているため、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ＋１）に含まれている段ＵＳＣ１（ｎ＋１）は、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）に含まれている段ＵＳＣ１（ｎ）からの出力である選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）を受ける次段に相当する。同様に、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ＋１）に含まれている段ＵＳＣ２（ｎ＋１）は、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）に含まれている段ＵＳＣ２（ｎ）からの選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）を受ける次段に相当する。

図１２において、横軸は時間を示し、縦軸は電圧を示している。図１２（Ａ）および（Ｂ）は、第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２のそれぞれにおけるスキャン回路ＳＣ１およびＳＣ２から出力される選択信号を示している。

特に、図１２（Ａ）は、第１電極駆動回路ＣＧＷ１を構成する複数の第１単位電極駆動回路のうち、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）に含まれている段ＵＳＣ１（ｎ）から出力されるＳＲｏｕｔ（ｎ）の電圧波形を示している。第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２におけるスキャン回路ＳＣ１およびＳＣ２は、タッチ用半導体装置７から、同じ選択信号ＳＤＳＴと同じクロック信号ＳＤＣＫが供給されており、スキャン回路ＳＣ１とＳＣ２とは同期して動作している。そのため、図１２（Ａ）は、第２電極駆動回路ＣＧＷ２を構成する複数の第２単位電極駆動回路のうち、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）に含まれている段ＵＳＣ２（ｎ）から出力されるＳＲｏｕｔ（ｎ）の電圧波形も示している。

また、図１２（Ｂ）は、第１電極駆動回路ＣＧＷ１を構成する複数の第１単位電極駆動回路のうち、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ＋１）に含まれている段ＵＳＣ１（ｎ＋１）から出力されるＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）の電圧波形を示している。スキャン回路ＳＣ１とＳＣ２とは同期して動作しているため、図１２（Ｂ）は、第２電極駆動回路ＣＧＷ２を構成する複数の第２単位電極駆動回路のうち、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ＋１）に含まれている段ＵＳＣ２（ｎ＋１）から出力されるＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）の電圧波形も示している。図１２（Ｃ）は、タッチ用半導体装置７（図１）から出力される制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧波形を示している。

図１２（Ｄ）および（Ｅ）は、共通電極ＴＬ（ｎ）およびＴＬ（ｎ＋１）の電圧変化を示す電圧波形図である。ここで、共通電極ＴＬ（ｎ）は、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）に対応した共通電極であり、共通電極ＴＬ（ｎ＋１）は、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ＋１）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ＋１）に対応した共通電極である。

タッチ用半導体装置７は、特に制限されないが、タッチ−表示同期信号ＴＳＨＤ（図１）により、タッチ検出期間が指定されると、その電圧が周期的に変化する制御信号ＶＣＯＭＳＥＬを形成する。また、タッチ検出期間でないときには、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧はロウレベルとされる。タッチ検出に際して、タッチ用半導体装置７は、論理値“１”の選択信号ＳＤＳＴを、スキャン回路ＳＣ１を構成するシフトレジスタおよびスキャン回路ＳＣ２を構成するシフトレジスタの両方にセットする。その後で、両方のシフトレジスタに供給されているクロック信号ＳＤＣＫを変化させる。クロック信号ＳＤＣＫを変化させることにより、論理値“１”の選択信号ＳＤＳＴは、それぞれのシフトレジスタの段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）、ＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）を、順次移動する。

図１２において、タッチ検出期間（ＴＨＰ１）は、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ−１）、ＵＳＣ２（ｎ−１）が論理値“１”の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）を出力した後、クロック信号ＳＤＣＫが変化した状態を示している。また、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ−１）、ＵＳＣ２（ｎ−１）が論理値“１”の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）を出力しているとき、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ）、ＵＳＣ２（ｎ）は論理値“０”の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）を出力している。

クロック信号ＳＤＣＫが変化することにより、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ）およびＵＳＣ２（ｎ）は、その前段ＵＳＣ１（ｎ−１）およびＵＳＣ２（ｎ−２）から出力されている論理値“１”の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）を取り込み、取り込んだ選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）の論理値を格納するとともに、取り込んだ選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）の論理値に従った出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）と選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）を出力する。このとき、同様に、シフトレジスタの次段ＵＳＣ１（ｎ＋１）およびＵＳＣ２（ｎ＋１）も、その前段ＵＳＣ１（ｎ）およびＵＳＣ２（ｎ）から出力されている論理値“０”の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）を取り込み、格納して、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）と選択信号ＳＤＳＴ（ｎ＋１）を出力する。

これにより、図１２（Ａ）および（Ｂ）に示されているように、タッチ検出期間（ＴＨＰ１）において、段ＵＳＣ１（ｎ）およびＵＳＣ２（ｎ）のそれぞれの出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）は、倫理値“１”に対応するハイレベルとなり、段ＵＳＣ１（ｎ＋１）およびＵＳＣ２（ｎ＋１）のそれぞれの出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）は、倫理値“０”に対応するロウレベルとなる。段ＵＳＣ１（ｎ）およびＵＳＣ２（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）がハイレベルとなることにより、図１１において説明したように、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）および第２単位ロジック回路ＵＬＧ２（ｎ）は、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧に従って、第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）および第２単位スイッチ回路ＵＳＷ２（ｎ）における第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）または第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）が導通状態となるように制御する。

制御信号ＶＣＯＭＳＥＬは、図１２（Ｃ）に示すように、タッチ検出期間ＴＨＰ１において、周期的に電圧が変化する。そのため、タッチ検出期間ＴＨＰ１において、共通電極ＴＬ（ｎ）は、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）の両方において、第１電圧配線６０５と第２電圧配線６０６とに交互に電気的に接続される。その結果として、選択共通電極である共通電極ＴＬ（ｎ）の電圧は、図１２（Ｄ）に示されているように、第１電圧配線６０５における第１電圧ＴＰＨと第２電圧配線６０６における第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１との間でトグルする。共通電極ＴＬ（ｎ）における電圧が交互に変化することにより、図２で説明したように、この共通電極ＴＬ（ｎ）の近傍がタッチされているか否かに応じた検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が形成される。

一方、タッチ検出期間ＴＨＰ１において、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ＋１）およびＵＳＣ２（ｎ＋１）の出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）は、ロウレベルであるため、この段ＵＳＣ１（ｎ＋１）に対応した第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ＋１）は、対応する第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ＋１）における第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）および第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）のそれぞれがオフとなるように制御し、第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）がオンとなるように制御する。これにより、段ＵＳＣ１（ｎ＋１）に対応した共通電極ＴＬ（ｎ＋１）は、単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ＋１）内の第３スイッチを介して、第３電圧配線６０７に電気的に接続され、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が、非選択共通電極である共通電極ＴＬ（ｎ＋１）に供給される。これにより、図１２（Ｅ）に示されているように、タッチ検出期間ＴＨＰ１では、非選択共通電極ＴＬ（ｎ＋１）の電圧は、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２によって固定される。

特に制限されないが、この実施の形態１においては、段ＵＳＣ２（ｎ＋１）に対応した第２単位ロジック回路ＵＬＧ２（ｎ＋１）も、対応する第２単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ＋１）内の第１スイッチおよび第２スイッチをオフにし、第３スイッチをオンにするように制御する。そのため、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ＋１）からも、非選択共通電極である共通電極ＴＬ（ｎ＋１）に、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給される。

タッチ−表示同期信号ＴＳＨＤにより、タッチ検出期間ＴＨＰ１に続いて、表示を行う表示期間ＤＩＳＰが指定される。表示期間ＤＩＳＰが指定されると、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）のプリチャージが行われる（プリチャージ期間）。

プリチャージ期間および表示期間ＤＩＳＰにおいては、スキャン回路ＳＣ１およびＳＣ２を構成するシフトレジスタの各段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）、ＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）のそれぞれの出力信号ＳＲｏｕｔ（０）〜ＳＲｏｕｔ（ｐ）は、ロウレベルにされる。これにより、各共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の電圧は、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２となる。表示期間ＤＩＳＰにおいて、各共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に供給されている第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２は、表示の際に各液晶素子ＬＣ（図７）に印加される電圧として用いられる。すなわち、表示期間においては、液晶素子ＬＣに、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２と、薄膜トランジスタＴｒ（図７）を介して画像信号に従った電圧とが供給され、画像信号に従った表示が行われる。

スキャン回路ＳＣ１およびＳＣ２を構成するシフトレジスタは、それぞれの段が選択信号の論理値を格納しているため、タッチ−表示同期信号ＴＳＨＤにより、再びタッチ検出期間ＴＨＰ２が指定されたとき、前のタッチ検出期間ＴＨＰ１において各段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ（ｐ）、ＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）が出力した選択信号ＳＤＳＴ（０）〜ＳＤＳＴ（ｐ）が維持されている。タッチ検出期間ＴＨＰ２において、クロック信号ＳＤＣＫが変化することにより、維持されていた選択信号ＳＤＳＴ（０）〜ＳＴＳＴ（ｐ）が、タッチ検出期間ＴＨＰ１のときと同様に、順次次段に取り込まれ、保持され、取り込んだ論理値に対応した選択信号ＳＤＳＴ（０）〜ＳＤＳＴ（ｐ）と出力信号ＳＲｏｕｔ（０）〜ＳＲｏｕｔ（ｐ）を出力する。

タッチ検出期間ＴＨＰ２での動作を、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）、ＵＣＧＷ１（ｎ＋１）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）、ＵＣＧＷ２（ｎ＋１）を例にして説明すると次のようになる。すなわち、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ＋１）、ＵＳＣ２（ｎ＋１）は、前段ＵＳＣ１（ｎ）、ＵＳＣ２（ｎ）に格納され、出力されている選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）を取り込み、格納する。また、取り込んだ選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）の論理値に従った論理値の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ＋１）と電圧値を有する出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）を出力する。タッチ検出期間ＴＨＰ１においては、選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）の論理値が“１”であったため、タッチ検出期間ＴＨＰ２において、段ＵＳＣ１（ｎ＋１）、ＵＳＣ２（ｎ＋１）は、論理値“１”の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ＋１）を出力するとともに、ハイレベルの出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）を出力する。

ハイレベルの出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）により、タッチ検出期間ＴＨＰ１における第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）の動作と同じ動作を、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ＋１）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ＋１）は、タッチ検出期間ＴＨＰ２において行う。その結果、選択共通電極となる共通電極ＴＬ（ｎ＋１）は、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ＋１）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ＋１）の両方において、第１電圧配線６０５と第２電圧配線６０６とに交互に電気的に接続される。これにより、図１２（Ｅ）に示されているように、共通電極ＴＬ（ｎ＋１）の電圧は、第１電圧ＴＰＨと第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１との間でトグルする。

一方、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ）、ＵＳＣ２（ｎ）は、タッチ検出期間ＴＨＰ２におけるクロック信号ＳＤＣＫの変化により、前段ＵＳＣ１（ｎ−１）、ＵＳＣ２（ｎ−１）に格納され、出力されている論理値“０”の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）を取り込み、格納する。取り込んだ選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）の論理値が“０”であるため、論理値“０”の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）を出力するとともに、ロウレベルの出力信号ＲＳｏｕｔ（ｎ）を出力する。

ロウレベルの出力信号ＲＳｏｕｔ（ｎ）が出力されるため、タッチ検出期間ＴＨＰ１における第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ＋１）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ＋１）の動作と同じ動作を、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）は、タッチ検出期間ＴＨＰ２において行う。その結果として、図１２（Ｄ）に示されているように、非選択共通電極ＴＬ（ｎ）の電圧は、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２に固定される。

以降、タッチ−表示同期信号ＴＳＨＤにより、表示期間およびタッチ検出期間が指定される毎に、上記した動作が行われる。

スキャン回路ＳＣ１、ＳＣ２を構成するシフトレジスタに、先に必要な回数だけ、非選択を示す論理値“０”の選択信号ＳＤＳＴをセットし、その後で選択を示す論理値“１”の選択信号ＳＤＳＴをセットする。このようにすることにより、任意の共通電極を選択共通電極として、指定することが可能であり、タッチを検出する領域を任意に選択することが可能となる。また、選択を示す論理値“１”の選択信号ＳＤＳＴは複数回連続して、シフトレジスタにセットしてもよい。このようにすることにより、互いに隣接する複数の共通電極を選択共通電極とすることが可能となり、所謂束ね駆動が可能となる。また、シフトレジスタの最終段ＵＳＣ１（ｐ）、ＵＳＣ２（ｐ）から出力される選択信号ＳＤＳＴ（ｐ）は、シフトレジスタの初段ＵＳＣ１（０）、ＵＳＣ２（０）に入力するようにしてもよい。

表示パネル２、言い換えるならば液晶素子配列ＬＣＤを挟んで、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣの反対側に、電極駆動回路ＣＧＷ−ＵまたはＣＧＷ１が配置されている。すなわち、ドライバ用半導体装置ＤＤＩＣが、液晶素子配列ＬＣＤの一方の辺に沿っては配置されるのに対して、電極駆動回路ＣＧＷ−ＵまたはＣＧＷ１は、液晶素子配列の他方の辺に沿って配置され、液晶素子配列の他方の辺側において、電極駆動回路が共通電極へ駆動信号を供給する。これにより、タッチ検出期間において、選択共通電極における電圧の変化速度の低下を抑制しながら、液晶素子配列の一方の辺側における領域を小さくすることが可能となり、液晶表示装置の狭額縁化を図ることが可能となる。

また、電極駆動回路ＣＧＷ１は、第１電圧配線６０５における第１電圧ＴＰＨに基づいた電圧および第２電圧配線６０６における第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１に基づいた電圧との間で変化する駆動信号を、選択共通電極に供給する。これにより、駆動能力の高い駆動信号を伝達する信号配線を、液晶素子配列の近傍に配置することを避けることが可能であり、タッチ検出の検出精度の低下を抑制することが可能となる。

さらに、電極駆動回路ＣＧＷ１は、タッチ検出期間において、非選択共通電極に対し、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２を供給する。これにより。タッチ検出期間において、非選択共通電極の電圧が変化するのを抑制することが可能となり、タッチ検出の検出精度の低下を抑制することが可能となる。

なお、説明の都合上、図１２（Ｂ）には、信号配線Ｌｎ１〜Ｌｎ３および／Ｌｎ１〜／Ｌｎ３が示されているが、これらの信号配線は、他の単位ロジック回路の信号配線と接続されていない。

（実施の形態２）
実施の形態２においては、図８および図１０に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれの構成が変更される。変更しても、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれの構成は、互いに同じ構成であるため、ここでは、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を代表例として説明する。

図１３（Ａ）は、実施の形態２に係わる第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）の構成を示すブロック図であり、図１３（Ｂ）は、実施の形態２に係わる第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）の構成を示す回路図である。

図１３（Ａ）に示されているように、実施の形態２においても、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）は、実施の形態１と同様に、スキャン回路ＳＣ１を構成するシフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ）と、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）と、第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）とを有している。ここで、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ）の構成および動作は、実施の形態１と同じであり、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）および第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）の構成が、実施の形態１と異なっている。特に、実施の形態２においては、第３電圧配線６０７の線幅が、第１電圧配線６０５および第２電圧配線６０６の線幅に比べて細くされる。なお、第１〜第３電圧配線のそれぞれの立体的な厚みは実質的に同じである。

また、実施の形態２に係わる第１ロジック回路ＬＧ１および第２ロジック回路ＬＧ２には、制御信号ｃｔｒｓｉｇとして、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬと制御信号ＶＣＯＭＦＬが供給される。ここで、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬは、実施の形態１で説明した制御信号ＶＣＯＭＳＥＬと同じである。一方、制御信号ＶＣＯＭＦＬは、表示期間とタッチ検出期間とを識別する制御信号である。この制御信号ＶＣＯＭＦＬは、タッチ用半導体装置７により。例えばタッチ−表示同期信号ＴＳＨＤに基づいて形成される。

次に、図１３（Ｂ）を用いて、実施の形態２に係わる第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）の構成を説明する。

図１３（Ｂ）において、第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１、ＴＮ２、ＴＮ８、ＴＮ９およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ８、ＴＰ９により構成されている。また、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）は、インバータＩＶ１〜ＩＶ３、ＩＶ５、ＩＶ６、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４〜ＴＮ６、ＴＮ１０〜ＴＮ１２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４〜ＴＰ６、ＴＰ１０〜ＴＰ１２により構成されている。

第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）には、第１電圧配線６０５、第２電圧配線６０６および第３電圧配線６０７を介して、第１電圧ＴＰＨ、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ２および第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給される。先の述べたように、第３電圧配線６０７の線幅は、第１電圧配線６０５および第２電圧配線６０７よりも細くされている。これを明示するために、図１３（Ｂ）では、第３電圧配線６０７が、第１電圧配線６０５および第２電圧配線６０６の線に比べて細くされている。

Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１とＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１は、図１１（Ｂ）で説明したように、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）を構成し、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＮ２とＰ型ＭＯＳＦＥＴＰ２は、図１１（Ｂ）で述べたように、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）を構成している。実施の形態２においては、図１２（Ｂ）で説明した第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）の代わりに２個のスイッチが設けられている。すなわち、第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ８とＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ８により構成された第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）と、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ９とＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ９により構成された第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）を有している。

第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）において、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ８のソースと、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ８のドレインは、第３電圧配線６０７に接続され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ８のドレインと、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ８のソースは、ノードｎ１に接続されている。また、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）において、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ９のソースと、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ８のドレインは、第２電圧配線６０７に接続され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ９のドレインと、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ９のソースは、ノードｎ１に接続されている。

図１３（Ｂ）において、インバータＩＶ１は、図１１（Ｂ）において述べたインバータＩＶ１と同様に、対応する段ＵＳＣ１（ｎ）からの出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）の位相を反転し、位相反転された制御信号ｘｉｎを形成する。図１１（Ｂ）と同様に、図１３（Ｂ）においても、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）の位相反転された制御信号はｘｉｎで示され、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）と同相の制御信号はｉｎとして示されている。

第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）における第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ）および第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）は、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）内のＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４〜ＴＮ６、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４〜ＴＰ６およびインバータＩＶ２、ＩＶ３により制御される。これらのＭＯＳＦＥＴおよびインバータによる第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ）および第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）の制御は、図１２（Ｂ）で説明しているので省略する。

Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１０のドレインは、信号配線Ｌｎ４に接続され、そのソースにはロウレベルの電圧ＶＧＬが供給され、そのゲートには制御信号ｉｎが供給される。Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１０のドレインは、信号配線Ｌｎ４に接続され、そのソースは信号配線Ｌｎ−ＦＬに接続され、そのゲートには制御信号ｉｎが供給されている。また、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１１のソースは、信号配線Ｌｎ４に接続され、そのドレインは信号配線Ｌｎ−ＦＬに接続され、そのゲートには制御信号ｘｉｎが供給される。信号配線Ｌｎ４における信号はインバータＩＶ５によって位相反転され、信号配線／Ｌｎ４へ供給される。第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）を構成するＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ８のゲートは、信号配線Ｌｎ４に接続され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ８のゲートは、信号配線／Ｌｎ４に接続されている。

信号配線Ｌｎ−ＦＬには、制御信号ＶＣＯＭＦＬが供給される。この制御信号は、タッチ検出期間ではハイレベルとなり、表示期間においてはロウレベルとなるように、タッチ用半導体装置７が形成する。

図１１（Ｂ）と同様に、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ）から出力される出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）は、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）を選択共通電極として指定するとき、ハイレベルとなり、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）を非選択共通電極として指定するとき、ロウレベルとなる。

タッチ検出期間において、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）が、ロウレベルのとき、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１０がオンし、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１０はオフする。これにより、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１０のそれぞれを介して、信号配線Ｌｎ４とインバータＩＶ５に、信号配線Ｌｎ−ＦＬに供給されている制御信号ＶＣＯＭＦＬが供給される。そのため、信号配線Ｌｎ４には、制御信号ＶＣＯＭＦＬが供給され、信号配線／Ｌｎ４には、制御信号ＶＣＯＭＦＬの位相反転された制御信号が供給されることになる。一方、このときは、タッチ検出期間であるため、制御信号ＶＣＯＭＦＬはハイレベルとなる。その結果、第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）を構成するＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ８のゲートには、ハイレベルが供給され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ８のゲートにはロウレベルが供給され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ８およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ８のそれぞれはオンする。これにより、タッチ検出期間において、非選択共通電極として共通電極ＴＬ（ｎ）が指定された場合、第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）を介して、図１１（Ｂ）の場合と同様に、共通電極ＴＬ（ｎ）は、第３電圧配線６０７に電気的に接続され、非選択共通電極の電圧が変動するのを防ぐことが可能となる。

一方、タッチ検出期間において、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）がハイレベルの場合には、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１０がオンし、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１０がオフするため、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＮ８のゲートには、ロウレベルの電圧ＶＧＬが供給され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ８のゲートには、インバータＩＶ５からハイレベルが供給される。これにより、第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）はオフとなり、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）と第３電圧配線６０７とは電気的に分離される。このとき、図１１で説明したように、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）および第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）が、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）の電圧に従って、オン（導通）／オフ（非導通）する。これにより、選択共通電極として指定された共通電極ＴＬ（ｎ）は、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）または第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）を介して、第１電圧配線６０５または第２電圧配線６０６と電気的に接続される。

すなわち、この実施の形態２においては、タッチ検出期間において、選択共通電極として指定された場合には、その線幅が太い第１電圧配線６０５および第２電圧配線６０６が、選択共通電極に接続され、共通電極の電圧を変化させるための第１電圧ＴＰＨおよび第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１が周期的に供給される。これに対して、タッチ検出期間において、非選択共通電極として指定された共通電極には、その線幅が、第１および第２電圧配線６０５、６０６よりも細い第３電圧配線が接続され、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給される。

また、表示期間においては、制御信号ＶＣＯＭＦＬがロウレベルとなるため、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）がハイレベルになっても、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ８のゲートにはロウレベルが供給され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ８のゲートにはハイレベルが供給されることになる。すなわち、第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）はオフし、第３電圧配線６０７と対応する共通電極ＴＬ（ｎ）とは電気的に分離される。

Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＮ１２のソースは、信号配線Ｌｎ５に接続され、そのドレインは信号配線Ｌｎ−ＦＬに接続され、そのゲートには制御信号ｘｉｎが供給されている。Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１２のドレインは、信号配線Ｌｎ５に接続され、そのソースは信号配線Ｌｎ−ＦＬに接続され、そのゲートには制御信号ｉｎが供給されている。また、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１１のドレインは、信号配線Ｌｎ５に接続され、そのソースにはハイレベルの電圧ＶＧＨが供給され、そのゲートには制御信号ｘｉｎが供給されている。信号配線Ｌｎ５における信号はインバータＩＶ６によって位相反転され、信号配線／Ｌｎ５に供給されている。また、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）において、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ９のゲートは信号配線／ｎ５に接続され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ９のゲートは信号配線Ｌｎ５に接続されている。

表示期間において、段ＵＳＣ１（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）がロウレベルされると、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１２がオンし、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１１がオフする。このとき、制御信号ＶＣＯＭＦＬは、表示期間であるため、ロウレベルとなる。これにより、オンしているＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１２のそれぞれを介して、信号配線Ｌｎ５およびインバータＩＶ６にロウレベルが伝達される。その結果Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ９およびＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ９がオンし、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）を介して、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）と第２電圧配線６０６とが電気的に接続される。なお、表示期間において、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）がハイレベルされると、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１１がオンし、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１２はオフする。そのため、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）はオフする。

なお、タッチ検出期間においては、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）がロウレベルになっても、信号配線Ｌｎ５には、制御信号ＶＣＯＭＦＬのハイレベルが伝達され、信号配線／Ｌｎ５には、信号配線Ｌｎ５における信号を反転したロウレベルが伝達されることになる。これにより、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）はオフする。

これにより、表示期間においては、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）をロウレベルとすることにより、対応する共通電極には、その線幅が太い第２電圧配線６０６を電気的に接続し、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ２を供給することができる。

この実施の形態２においては、タッチ検出期間、非選択共通電極は、その電圧が変動しないように、その線幅が細い第３電圧配線６０７によって電圧が供給され、表示期間では、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）をロウレベルにすることにより、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）には、その線幅が太い第２電圧配線６０６から電圧を供給することが可能となる。これにより、第３電圧配線６０７を設けることによる面積の増加を抑制しながら、ノイズによる精度の低下を低減し、狭額縁化を図ることが可能となる。

図１４（Ａ）〜（Ｆ）は、図１３（Ｂ）に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を、図８および図１０に示した液晶表示装置１に用いた場合の電圧波形が示されている。すなわち、図１０に示した第１電極駆動回路ＣＧＷ１を構成する第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２電極駆動回路ＣＧＷ２を構成する第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれを、図１３（Ｂ）に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）の構成にした場合の電圧波形である。

図１４には、図１２と同様に、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のうち、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）、ＵＣＧＷ１（ｎ＋１）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）〜ＵＣＧＷ２（ｎ＋１）に対応した共通電極駆ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）の電圧波形のみが、図１４（Ｅ）、（Ｆ）に示されている。これに合わせて、シフトレジスタＳＣ１の段ＵＳＣ１（ｎ）、（ｎ＋１）およびシフトレジスタＳＣ２の段ＵＳＣ２（ｎ）、ＵＳＣ２（ｎ＋１）の出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）、ＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）の電圧波形のみが、図１４（Ａ）および（Ｂ）に示されている。

先に述べたように、タッチ用半導体装置７は、タッチ検出期間ＴＨＰ１、ＴＨＰ２において、ハイレベルとなり、表示期間ＤＩＳＰにおいて、ロウレベルとなる制御信号ＶＣＯＭＦＬを形成する。なお、信号線プリチャージ期間においても、制御信号ＶＣＯＭＦＬはロウレベルとなる。また、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬは、実施の形態１と同様に、タッチ検出期間において周期的に、その電圧が変化し、表示期間においては、ロウレベルとなる。

さらに、表示期間において、シフトレジスタＳＣ１、ＳＣ２の各段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）およびＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）の出力信号ＳＲｏｕｔ（０）〜ＳＲｏｕｔ（ｐ）のそれぞれの電圧は、ロウレベルとなる。これは、例えば、シフトレジスタに、制御信号ＶＣＯＭＦＬのロウレベルに応答して、シフトレジスタＳＣ１、ＳＣ２のそれぞれの出力信号ＳＲｏｕｔ（０）〜ＳＲｏｕｔ（ｐ）をロウレベルに設定する回路を設けることにより達成できる。この場合にも、シフトレジスタＳＣ１、ＳＣ２の各段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）およびＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）は、格納した論理値を保持している。

次に、図１０、図１３（Ｂ）および図１４（Ａ）〜（Ｆ）を用いて、実施の形態２に係わる液晶表示装置１の動作を説明する。

タッチ−表示同期信号ＴＳＨＤ（図１）がハイレベルになることにより、タッチ検出期間が指定されると、制御信号ＶＣＯＭＦＬがハイレベルになり、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧が周期的に変化する。シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ）、ＵＳＣ２（ｎ）の出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）が、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）を選択共通電極として指定する論理値”１”（ハイレベル）を出力する。このとき、共通電極ＴＬ（ｎ）の隣の共通電極ＴＬ（ｎ＋１）については、非選択共通電極を指定する論理値”０”に対応するロウレベルの出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）が、対応する段ＵＳＣ１（ｎ＋１）、ＵＳＣ２（ｎ＋１）から出力されているものとする。

図１１（Ｂ）および図１３（Ｂ）で説明したように、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが周期的に変化し、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）がハイレベルとなることにより、タッチ検出期間ＴＨＰ１においては、第１電圧配線６０５または第２電圧配線６０６が、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）または第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）を介して、共通電極ＴＬ（ｎ）に電気的に接続される。そのため、共通電極ＴＬ（ｎ）には、図１４（Ｅ）に示しように、第１電圧ＴＰＨと第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１との間で電圧がトグル状に変化することになる。このとき、非選択共通電極として指定された共通電極ＴＬ（ｎ＋１）に対しては、第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）がオンするため、表示期間ＴＨＰ１においては、第３電圧配線６０７が、共通電極ＴＬ（ｎ＋１）に電気的に接続されることになる。その結果、図１４（Ｆ）に示すように、非選択共通電極として指定された共通電極ＴＬ（ｎ＋１）は、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２に固定される。

次に、表示期間ＤＩＳＰにおいては、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬがロウレベルとなることにより、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）および第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）のそれぞれがオフとなる。また、表示期間ＤＩＳＰにおいては、出力信号ＳＲｏｕｔ（０）〜ＳＲｏｕｔ（ｐ）がロウレベルとなり、第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）もオフとなる。そのため、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、フローティング状態になろうとするが、表示期間ＤＩＳＰにおいては、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）がオンする。そのため、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）を介して第２電圧配線６０６に接続され、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１に固定される（図１４（Ｅ）および（Ｆ）参照）。その結果、信号線に画像信号を供給することにより、走査信号によりオン状態とされている薄膜トランジスタＴｒ（図７）を介して、液晶素子ＬＣ（図７）には、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１と画像信号に従った電圧とが供給されることになり、画像信号に従った表示が行われる。

クロック信号ＳＤＣＫが変化することにより、段ＵＳＣ１（ｎ）、ＵＳＣ１（ｎ）のそれぞれの選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）は、次段ＵＳＣ１（ｎ＋１）、ＵＳＣ２（ｎ＋１）に取り込まれ、格納される。また、段ＵＳＣ１（ｎ＋１）、ＵＳＣ２（ｎ＋１）のそれぞれは、取り込んだ選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）の論理値に従った電圧値を有する出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）を出力する。同様に、段ＵＳＣ１（ｎ）、ＵＳＣ２（ｎ）のそれぞれは、その前段ＵＳＣ１（ｎ−１）、ＵＳＣ２（ｎ−１）の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）を取り込み、格納し、選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）に対応する出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）を出力する。図１４では、段ＵＳＣ１（ｎ＋１）、ＵＳＣ２（ｎ＋１）は、論理値“１”の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）を取り込み、段ＵＳＣ１（ｎ）、ＵＳＣ２（ｎ）は、論理値“０”の選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）を取り込んでいる。そのため、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）はロウレベルとなり、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ＋１）はハイレベルとなる。これにより、選択共通電極として指定された共通電極ＴＬ（ｎ＋１）の電圧は、タッチ検出期間ＴＨＰ２では、図１４（Ｆ）に示すように、第１電圧ＴＰＨと第２電圧ＶＣＯＭＤＣ２との間でトグル状に変化する。一方、非選択共通電極として指定された共通電極ＴＬ（ｎ）の電圧は、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２に固定される。次の表示期間ＤＩＳＰ以降も同じである。また、他の共通電極においても、上記した動作が行われる。

実施の形態２においては、その線幅が細い第３電圧配線６０７を用いることにより、面積の増加を抑制しながら、ノイズによる検出精度の低下を抑制し、狭額縁化を図ることが可能となる。また、表示期間においては、その線幅が太い第２電圧配線６０６によって、所定の電圧（第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１）が、液晶素子ＬＣに供給される。そのため、表示期間において、液晶素子ＬＣに供給される電圧が変動することを防ぐことが可能となる。

＜変形例１＞
図１３に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を、図１０に示した第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２のそれぞれに用いことを説明した。この変形例１においては、図１３に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）が、図１０に示した第１電極駆動回路ＣＧＷ１を構成する第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）のそれぞれに用いられ、第２電極駆動回路ＣＧＷ２を構成する第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれとして、図１１に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を用いる。

＜変形例２＞
この変形例２においては、図１１に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）が、図１０に示した第１電極駆動回路ＣＧＷ１を構成する第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）のそれぞれに用いられ、第２電極駆動回路ＣＧＷ２を構成する第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれとして、図１３（Ｂ）に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を用いる。

変形例１および変形例２によれば、第１電極駆動回路ＣＧＷ１または第２電極駆動回路ＣＧＷ２へ第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２を供給する第３電圧配線６０７の線幅を細くすることが可能となり、面積の増加を抑制することが可能となる。

第１電極駆動回路ＣＧＷ１に第１〜第３の電圧を供給する第１〜第３電圧配線６０５〜６０７を、第１電圧配線、第３電圧配線および第５電圧配線と見なし、第２電極駆動回路ＣＧＷ２にだい１〜第３の電圧を供給する第１〜第３電圧配線６０５〜６０７を、第２電圧配線、第４電圧配線、第６電圧配線と見なすこともできる。この場合、第１、第３および第５電圧配線は、表示パネル２の短辺２−Ｕとモジュール６００−Ｕ（図６）との間に延在し、第２、第４および第６電圧配線は、表示パネル２の短辺２−Ｄとモジュール６００−Ｄ（図６）との間に延在することになる。この場合においても、第５および第６電圧配線の線幅は、第１〜第４電圧配線の線幅よりも細くされる。

（実施の形態３）
実施の形態３に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置１においては、複数のタッチ検出方式から所望のタッチ検出方式を選んで、採用することが可能とされる。すなわち、実施の形態１および実施の形態２において採用された相互容量方式のタッチ検出方式に、この検出方式とは異なるタッチ検出方式も採用できるように、液晶表示装置１は構成される。先ず、実施の形態３において、追加されるタッチ検出方式について、その原理を説明する。

＜静電容量型タッチ検出（自己容量方式）の基本原理＞
図１５（Ａ）〜（Ｃ）は、自己容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図１５（Ａ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、列方向に延在し、行方向に並列的に配置された共通電極であり、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように配置された検出電極である。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように、行方向に延在し、列方向に並列的に配置されている。また、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、平面視においては、交差して見えるが、互いに電気的に接触しないように、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）との間には、絶縁層が介在している。

ここでは、説明の都合上、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を共通電極とし、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を検出電極とするが、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれには、駆動信号が供給され、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）から検出信号が出力される。そのため、外部物体のタッチを検出すると言う観点で見た場合には、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、ともに検出電極であると見なすことができる。

自己容量方式のタッチ検出においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を用いた検出原理も、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を用いた検出原理も同じである。以下、図１５（Ｂ）および（Ｃ）の説明においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とを、纏めて検出電極とする。

検出電極（共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ））のそれぞれには、接地電圧との間で寄生容量が存在する。外部物体として、例えば指ＦＧが、検出電極の近傍をタッチすると、図１５（Ｂ）に示すように、検出電極と指ＦＧとの間で電界が発生する。言い換えるならば、指ＦＧが近接することにより、検出電極と接地電圧との間に接続される容量が増加する。そのため、図１５（Ｂ）において、○で囲んだように、電圧がパルス状に変化する駆動信号を、検出電極に供給すると、検出電極と接地電圧との間に蓄積される電荷量が、検出電極の近傍をタッチしているか否かによって変化する。

図１５（Ｃ）には、指ＦＧが、検出電極の近傍をタッチしているか否かにより、検出電極に蓄積される電荷量の変化が示されている。指ＦＧが検出電極の近傍をタッチした場合、検出電極に接続される容量が増加するため、パルス状の駆動信号を、検出電極に供給したとき、検出電極に蓄積される電荷量が、タッチしていない場合に比べてΔＱだけ増加する。図１５（Ｃ）において、横軸は時間を示し、縦軸は電荷量を示している。また、図１５（Ｃ）において破線は、タッチしたときの電荷量の変化を示している。駆動信号を検出電極に供給したときに、その検出電極に蓄積されている電荷量の差ΔＱを検出することによって、検出電極の近傍がタッチされているか否かの検出をすることが可能となる。

＜タッチ用半導体装置１６００の構成＞
図１６は、タッチ用半導体装置１６００の構成を示すブロック図である。図１６には、図１に示したタッチ用半導体装置７と異なる部分のみが示されている。実施の形態３に係わるタッチ用半導体装置１６００においては、図１に示したタッチ検出信号増幅部１３に加えて、タッチ検出信号増幅部１６０２が設けられている。図１に示したＡ／Ｄ変換部１４、信号処理部１５、座標抽出部１６および検出タイミング制御部１９は、実施の形態３におけるタッチ制御装置１６００にも設けられているが、実施の形態１と同様であるため、図１６においては省略されている。また、図１６には、図１に示した駆動信号形成部１７と類似した駆動信号形成部１６０２が示されている。

駆動信号形成部１６０２は、タッチ検出方式を指定する検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが、相互容量方式を指定しているとき、図１で示した駆動信号形成部１７と同様に、制御部１８からの制御信号に基づいて、クロック信号ＳＤＣＫ、選択信号ＳＤＳＴおよび制御信号ｃｔｒｓｉｇを形成する。駆動信号形成部１６０２は、特に制限されないが、クロック信号φを受信し、このクロック信号φに基づいて、クロック信号φに同期して、その電圧が変化するクロック信号ＳＤＣＫを形成する。

一方、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが、図１５において説明した自己容量方式を指定しているとき、駆動信号形成部１６０２は、クロック信号φに同期した駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）を形成し、端子ＳＴ（０）〜ＳＴ（ｐ）を介して出力する。また、駆動信号形成部１６０２は、特に制限されないが、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが、自己容量方式を指定しているとき、クロック信号ＳＤＣＫは変化させない。また、シフトレジスタＳＣ１、ＳＣ２のそれぞれの段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）およびＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）の出力信号ＳＲｏｕｔ（０）〜ＳＲｏｕｔ（ｐ）はロウレベルとなるようにする。

タッチ検出信号増幅部１６０２は、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）からの検出信号ＳＲｘ（０）〜ＳＲｘ（ｐ）を受信し、共通電極の近傍がタッチされているか否かにより生じる電荷量の差を電圧の差として増幅し、図１に示したＡ／Ｄ変換部１４へ出力する。この実施の形態３においては、特に制限されないが、端子ＳＴ（０）〜ＳＴ（ｐ）は、入出力共通の端子として用いられる。すなわち、駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）を共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）へ供給するときは、出力端子として機能し、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）からの検出信号ＳＲｘ（０）〜ＳＲｘ（ｐ）を受信するときには、入力端子として機能する。

検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが、自己容量方式を指定しているとき、駆動信号形成部１６０２は、駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）を形成したタイミングをタッチ検出信号増幅部１６０１へタイミング信号として知らせる。タッチ検出信号増幅部１６０２は、駆動信号形成１６０２から供給されるタイミング信号に基づいて、端子ＳＴ（０）〜ＳＴ（ｐ）における信号を検出信号ＳＲｘ（０）〜ＳＲｘ（ｐ）として増幅する。これにより、駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）に基づいて、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の電圧が変化し、タッチの有無により、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に生じる電圧の変化を、タッチ検出信号増幅部１６０２によって増幅することが可能とされる。

端子ＳＴ（０）〜ＳＴ（ｐ）は、あとで説明するが、第１電極駆動回路ＣＧＷ１および／または第２電極駆動回路ＣＧＷ２を介して、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に電気的に接続される。Ａ／Ｄ変換部１４によるＡ／Ｄ変換動作のあとは、図１と同じであるので、説明は省略する。

なお、特に制限されないが、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮは、ユーザの設定により、制御部１８において形成され、第１電極駆動回路ＣＧＷ１および／または第２電極駆動回路ＣＧＷ２へ供給される。例えば、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮは、その電圧がハイレベルのとき、検出方式として、自己容量方式を指定し、その電圧がロウレベルのとき、相互容量方式を、検出方式として指定する。また、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮは、表示期間において、ロウレベルにされる。そのため、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮは、自己容量方式イネーブル信号と見なすことができる。

＜液晶表示装置の構成＞
この実施の形態３に係わる液晶表示装置は、図１０に示した構成と類似した構成を有しているので、ここでは図１０に示した液晶表示装置を基にして説明する。先ず、相違する点を説明する。この実施の形態３においては、タッチ検出方式として、図１５で説明した自己容量方式が追加されている。そのため、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と同様に、検出電極Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）にも、タッチ検出用の駆動信号が供給され、検出電極Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）のそれぞれにおける検出信号を基に、タッチの有無の検出が行われる。検出電極Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）へのタッチ検出用の駆動信号の供給と、それに基づいたタッチの有無の検出は、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）へのタッチ検出用の駆動信号の供給と、それに基づいたタッチの有無の検出と、実質的に同じであるため、検出電極Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を用いたタッチの有無の検出については省略する。

実施の形態１および実施の形態２と同様に、この実施の形態３においても、第１電極駆動回路ＣＧＷ１は、複数の第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）により構成されている。また、第２電極駆動回路ＣＧＷ２も、実施の形態１および実施の形態２と同様に、複数の第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）により構成されている。また、この実施の形態３においては、特に制限されないが、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）と第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）とは、互いに同じ構成を有している。

図１７には、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のうち、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）の構成が、代表として示されている。図１７に示す構成は、図１１（Ｂ）に示した構成と類似しているので、ここでは相違点のみを主に説明する。図１７に示す第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）において、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ）および第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）の構成は、図１１（Ｂ）と同じである。

第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）は、図１１（Ｂ）に示した第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）に対して、自己容量方式を採用する際に用いられる回路が追加されている。すなわち、図１７において、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）は、インバータＩＶ７、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１３、ＴＰ１４が追加されている。ここで、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１３のドレインは信号配線Ｌｎ３に接続され、そのゲートには制御信号ｉｎが供給されている。また、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ７のドレインおよびＰ型ＭＯＳＦＥＴ１３のソースは、図１７においては、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが供給される信号配線Ｌｎ−Ｓｅｌに接続されている。さらに、信号配線Ｌｎ−Ｓｅｌにおける検出方式指定信号ＳＥＬＥＮは、インバータＩＶにより位相反転され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４のゲートに供給され、信号配線Ｌｎ−Ｓｅｌにおける検出方式指定信号ＳＥＬＥＮは、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３のゲートに供給されている。このＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４およびＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３は、ノードｎ１、すなわち対応する共通電極ＴＬ（ｎ）と信号配線Ｌｎ−Ｓ（ｎ）との間に接続されており、スイッチを構成している。信号配線Ｌｎ−Ｓ（ｎ）は、図１６に示したタッチ用半導体装置の入出力端子ＳＴ（ｎ）と１対１に対応している。

Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１３は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ７と同期してオン／オフする。すなわち、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ７がオンのとき、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１３もオンし、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ７がオフするとき、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１３もオフする。図１１（Ｂ）の説明から理解されるように、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ７は、表示期間および対応する共通電極ＴＬ（ｎ）が非選択共通電極として指定されたとき、オンする。これに合わせて、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１３も、表示期間および対応する共通電極ＴＬ（ｎ）が非選択共通電極として指定されたとき、オンする。表示期間および相互容量方式が採用されるときでは、検出方式指定信号ＳＥＬＥＮはロウレベルとなるため、ロウレベルが信号配線Ｌｎ３に伝達され、信号配線／Ｌｎ３はインバータＩＶ４によってハイレベルとなる。そのため、表示期間および相互容量方式が採用されているときには、第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）が導通し、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）は、第３電圧配線６０７に接続されることなる。すなわち、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）には、これらの期間では、実施の形態１と同様に、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給される。

これに対して、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮがハイレベルとなると、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４がオンする。これにより、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）とタッチ用半導体装置７の端子ＳＴ（ｎ）とが電気的に接続されることになる。この状態で、図１６に示した駆動信号形成部１６０２から、その電圧が周期的に変化する駆動信号Ｓ−Ｉｎ（ｎ）を入出力端子ＳＴ（ｎ）へ供給する。これにより、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）における電圧が変化し、図１５において説明したように、共通電極ＴＬ（ｎ）の近傍がタッチされているか否かによって、共通電極ＴＬ（ｎ）における電圧の変化が変わる。共通電極ＴＬ（ｎ）における電圧の変化は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４のそれぞれを介して、入出力端子ＳＴ（ｎ）に伝達され、タッチ検出信号増幅部１６０１により増幅され、Ａ／Ｄ変換部１４によってＡ／Ｄ変換される。なお、このとき、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮがハイレベルであるため、第３スイッチ（ＴＮ３、ＴＰ３）はオフしている。

図１７において、信号配線Ｌｎ−Ｓｅｌは、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）に対して、共通にされている。一方、信号配線Ｌｎ−Ｓ（０）〜Ｌｎ−Ｓ（ｐ）は、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）に１対１に対応している。すなわち、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）における信号配線Ｌｎ−Ｓ（０）〜Ｌｎ−Ｓ（ｐ）は、互いに電気的に分離しており、対応する入出力端子ＳＴ（０）〜ＳＴ（ｐ）に接続されている。同様に、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）における信号配線Ｌｎ−Ｓ（０）〜Ｌｎ−Ｓ（ｐ）も、互いに電気的に分離しており、対応する入出力端子ＳＴ（０）〜ＳＴ（ｐ）に接続されている。

図１９（Ａ）〜（Ｇ）は、実施の形態３に係わる液晶表示装置１の動作を示す電圧波形図である。図１９において、タッチ検出期間ＴＨＰＭ１およびＴＨＰＭ２は、タッチ検出方式として、相互容量方式を採用したときの電圧波形を示しており、タッチ検出期間ＴＨＰＳは、タッチ検出方式として、自己容量方式を採用したときの電圧波形を示している。また、ＩＳＰは、表示期間における電圧波形を示している。

検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが、図１９（Ｃ）に示されているように、ロウレベルにされているときには、相互容量方式が採用され、ハイレベルにされているときには、自己容量方式が採用される。検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮがロウレベルにされているときの電圧波形（図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｆ）および（Ｇ））は、図１２に示した電圧波形（図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および（Ｅ））と同じになるので、説明は省略する。なお、ここで、図１２（Ａ）、（Ｂ）の波形が、図１９（Ａ）、（Ｂ）の波形に対応し、図１２（Ｃ）の波形が、図１９（Ｄ）の波形に対応し、図１２（Ｄ）、（Ｅ）の波形が、図１９（Ｆ）、（Ｇ）の波形に対応している。これらの電圧波形に関しては、表示期間ＤＩＳＰにおいても、図１２と図１９との間で、同じであるため、その説明は省略する。

図１２（Ｃ）に示されているように、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮをハイレベルに変化させることにより、タッチ検出方式が、相互容量方式から自己容量方式に切り替えられる。検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮをハイレベルにすることにより、図１７に示したＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４がオンする。このとき、図１６に示した駆動信号形成部１６０２が、それぞれの電圧が周期的に変化する駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）を形成し、入出力端子ＳＴ（０）〜ＳＴ（ｐ）へ供給する。駆動信号Ｓ−Ｉｎ（ｎ）の波形が、一例として、図１９（Ｅ）に示されている。

第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれにおける、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４を介して、入出力端子ＳＴ（０）〜ＳＴ（ｐ）に供給された駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）は、対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に供給され、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれにおける電圧は、駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）の電圧変化に従って変化する。図１９（Ｆ）、（Ｇ）には、共通電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）の電圧変化が、例として示されている。

駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）の電圧変化に従って、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の近傍がタッチされることにより生じる共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）における電圧変化が、入出力端子Ｔ（０）〜ＳＴ（ｐ）に伝達され、検出信号ＳＲｘ（０）〜ＳＲｘ（ｐ）として、タッチ検出信号増幅部１６０１において増幅され、Ａ／Ｄ変換される。

共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を検出電極として用いる例を説明したが、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）においても同様に、駆動信号を供給し、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における電圧変化を検出信号ＳＲｘ（０）〜ＳＲｘ（ｐ）として増幅する。共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を用いた検出と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を用いた検出とを行い、タッチされた位置の座標を抽出する。

この実施の形態３においては、タッチ検出方式として相互容量方式と自己容量方式とを切り替えて採用することが可能となる。

（実施の形態４）
実施の形態４に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置１においても、実施の形態３と同様に、複数のタッチ検出方式から所望のタッチ検出方式を選んで、採用することが可能とされる。すなわち、ユーザが、相互容量方式のタッチ検出方式と、自己容量方式のタッチ検出方式を選択し、選択したタッチ検出方式を採用することができる。

＜液晶表示装置の構成＞
この実施の形態４に係わる液晶表示装置１は、実施の形態３で説明し液晶表示装置１に類似している。ここでも、実施の形態４に係わる液晶表示装置の構成を、図１０に示した構成に基づいて説明する。まず、実施の形態１〜実施の形態３との相違点を説明する。

実施の形態１〜実施の形態３と同様に、実施の形態４においても、第１電極駆動回路ＣＧＷ１は、複数の第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）により構成されている。また、第２電極駆動回路ＣＧＷ２も、同様に、複数の第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）により構成されている。また、この実施の形態４においては、特に制限されないが、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）と第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）とは、互いに同じ構成を有している。

図１８には、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のうち、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）の構成が、代表として示されている。図１８に示す構成は、図１３に示した構成と類似しているので、ここでは相違点のみを主に説明する。図１８に示す第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）において、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ）および第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）の構成は、図１３と同じである。

第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）は、図１３に示した単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）に対して、自己容量方式を採用する際に用いられる回路が追加されている。すなわち、図１８において、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）は、インバータＩＶ８、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１４、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１５が追加されている。

ここで、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４のゲートは、信号配線Ｌｎ−Ｓｅｌに接続され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１５のゲートは、インバータＩＶ８を介して、信号配線Ｌｎ−Ｓｅｌに接続されている。信号配線Ｌｎ−Ｓｅｌには、実施の形態３と同様に、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが供給される。そのため、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１４のゲートには、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが供給され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１５のゲートには、インバータＩＶ８により位相反転された検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが供給されることになる。このＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１５とＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１４とは、並列的に、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）と対応する信号配線Ｌｎ−Ｓ（ｎ）間に接続され、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮより制御されるスイッチを構成する。

また、図１８においては、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１２のドレインとＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１２のソースは、図１３とは異なり、信号配線Ｌｎ−ＯＲに接続されている。信号配線Ｌｎ−ＯＲには、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮと制御信号ＶＣＯＭＦＬとを受ける２入力の論理和回路（オア回路）ＯＲ１の出力が供給される。説明の都合上、論理和回路ＯＲ１が、図１８に示されているが、この論理和回路ＯＲ１の出力である制御信号は、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）にそれぞれ共通に供給される。そのため、図１６に示した駆動信号形成部１６０２に、論理和回路ＯＲ１は含まれているものと理解されるべきである。

駆動信号形成部１６０２は、タッチ検出方式として相互容量方式が指定されたとき、制御信号ＶＣＯＭＦＬをハイレベルにし、表示期間およびタッチ検出方式として自己容量方式が指定されたときには、制御信号ＶＣＯＭＦＬをロウレベルにする。また、実施の形態３と同様に、自己容量方式が指定されたとき、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮをハイレベルにする。検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮを自己容量方式イネーブル信号と見なした場合、制御信号ＶＣＯＭＦＬは、相互容量方式イネーブル信号と見なすこともできる。論理和回路ＯＲ１は、相互容量方式あるいは自己容量方式が指定されたときにハイレベルとなる。言い換えるならば、論理和回路ＯＲ１の出力信号は、タッチが指定されたとき、ハイレベルとなる。

検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮによって、自己容量方式が指定されると、実施の形態３と同様に、信号配線Ｌｎ−Ｓ（ｎ）と、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）との間のスイッチ（ＴＮ１４、ＴＰ１５）が導通状態となる。これにより、図１６に示した対応する入出力端子ＳＴ（ｎ）からの駆動信号Ｓ−Ｉｎ（ｎ）が、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）へ供給される。また、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）におけるタッチにより生じた電圧変化は、スイッチ（ＴＮ１４、ＴＰ１５）を介して、対応する入出力端子ＳＴ（ｎ）に伝達され、検出信号ＳＲｘ（ｎ）として増幅される。

図１３と異なり、図１８においては、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１２のドレインとＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１２のソースに、論理和回路ＯＲ１の出力信号が供給されている。そのため、自己容量方式を検出方式として指定した場合も、相互容量方式を検出方式として指定した場合も、これらのＭＯＳＦＥＴＴＮ１２、ＴＰ１２がオンしたときには、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）はオフする。一方、タッチ検出が指示されていないときには、論理和回路ＯＲ１の出力信号はロウレベルとなる。これにより、タッチ検出が指示されていない期間、すなわち表示期間においては、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）はオンし、その線幅が太い第２電圧配線６０６が、共通電極と接続されることになる。

次に、図２０（Ａ）〜（Ｈ）を用いて、実施の形態４に係わる液晶表示装置１の動作を説明する。図２０において、タッチ検出期間ＴＨＰＭ１およびＴＨＰＭ２は、タッチ検出方式として、相互容量方式を採用したときの波形を示しており、タッチ検出期間ＴＨＰＳは、タッチ検出方式として、自己容量方式を採用したときの波形を示している。また、ＤＩＳＰは、表示期間における波形を示している。

検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが、図２０（Ｄ）に示されているように、ロウレベルにされているときには、相互容量方式が採用され、ハイレベルにされているときには、自己容量方式が採用される。また、相互容量方式を採用した場合には、図２０（Ｃ）に示すように、タッチ検出期間ＴＨＰＭ１、ＴＨＰＭ２において、制御信号ＶＣＯＭＦＬはハイレベルとなる。検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮがロウレベルにされているときの波形は、図１４に示した波形と同じになるので、説明は省略する。なお、ここで、図１４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の波形が、図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の波形に対応し、図１４（Ｄ）の波形が、図２０（Ｅ）の波形に対応し、図１４（Ｅ）、（Ｆ）の波形が、図２０（Ｇ）、（Ｈ）の波形に対応している。表示期間ＤＩＳＰにおいても、これらの波形に関しては、図１４と図２０との間で、同じであるため、その説明は省略する。

図２０（Ｄ）に示されているように、検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮをハイレベルに変化させることにより、タッチ検出方式が、相互容量方式から自己容量方式に切り替えられる。すなわち、図１８に示したＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１４およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１５がオンする。このとき、図１６に示した駆動信号形成部１６０２が、それぞれの電圧が周期的に変化する駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）を形成し、入出力端子ＳＴ（０）〜ＳＴ（ｐ）へ供給する。駆動信号Ｓ−Ｉｎ（ｎ）の波形が、一例として、図２０（Ｆ）に示されている。

第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれにおける、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１４およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１５を介して、入出力端子ＳＴ（０）〜ＳＴ（ｐ）に供給された駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）は、対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に供給され、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれにおける電圧は、駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）の電圧変化に従って変化する。図２０（Ｇ）、（Ｈ）には、共通電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）の電圧変化が、例として示されている。

この実施の形態４においては、タッチ検出方式として相互容量方式と自己容量方式とを切り替えて採用することが可能となる。

＜変形例１＞
図１８を用いた実施の形態４においては、図１０に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）および第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれとして、図１８に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を用いていた。変形例１では、図１０に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）のそれぞれとして、図１７に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）が用いられ、図１０に示した第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれとして、図１８に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）が用いられる。

＜変形例２＞
変形例２では、図１０に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）のそれぞれとして、図１８に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）が用いられ、図１０に示した第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれとして、図１７に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）が用いられる。

＜変形例３＞
変形例３では、図１０に示した第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれとして、図１８に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）が用いられ、図１０に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）のそれぞれとして、図１１または図１３に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）が用いられる。

＜変形例４＞
変形例４では、図１０に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）のそれぞれとして、図１８に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）が用いられ、図１０に示した第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）のそれぞれとして、図１１または図１３に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）が用いられる。

実施の形態４および変形例１〜変形例４によれば、タッチ検出期間において、非選択共通電極に供給される第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２は、その線幅が細い第３電圧配線６０７から給電される。これにより、例えば図６を参照にした場合、図６において上側および／または下側の額縁が広くなるのを抑制することが可能となる。

勿論、変形例３において、図１８に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）の代わりに、図１７に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を用いてもよい。また、変形例４において、図１８に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）の代わりに、図１７に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を用いてもよい。

（実施の形態５）
実施の形態５では、図１０に示した液晶表示装置１を例にして述べると、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）と、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）とが、異なる構成にされる。また、この実施の形態５においても、自己容量方式と相互容量方式のタッチ検出方式を、ユーザが選択して、採用することができるようにされる。

＜液晶表示装置の構成＞
図２３は、実施の形態５に係わる液晶表示装置の構成を示すブロック図である。同図において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、共通電極を示している。ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）は、シフトレジスタの段を示しており、ＵＬＧ１（０）〜ＵＬＧ１（ｐ）は、第１単位ロジック回路を示しており、ＵＳＷ１（０）〜ＵＳＷ１（ｐ）は、第１単位スイッチ回路を示している。実施の形態１〜４において説明したのと同様に、各段ＵＳＣ１（ｉ）、各第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｉ）、各第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｉ）および各共通電極ＴＬ（ｉ）は、互いに１対１に対応している（ｉ＝０〜ｐ）。図２３では、図面が複雑になるのを避けるために、明示していないが、互いに対応する段ＵＳＣ１（ｉ）、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｉ）および第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｉ）によって、対応する共通電極ＴＬ（ｉ）に対する第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｉ）が構成され、複数の第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）によって、第１電極駆動回路ＣＧＷ１が構成されている。

同様に、ＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）は、シフトレジスタの段を示しており、ＵＬＧ２（０）〜ＵＬＧ２（ｐ）は、第２単位ロジック回路を示しており、ＵＳＷ２（０）〜ＵＳＷ２（ｐ）は、第２単位スイッチ回路を示している。各段ＵＳＣ２（ｉ）、各第２単位ロジック回路ＵＬＧ２（ｉ）、各第２単位スイッチ回路ＵＳＷ２（ｉ）および各共通電極ＴＬ（ｉ）は、互いに１対１に対応している（ｉ＝０〜ｐ）。図２３では、明示していないが、互いに対応する段ＵＳＣ２（ｉ）、第２単位ロジック回路ＵＬＧ２（ｉ）および第１単位スイッチ回路ＵＳＷ２（ｉ）によって、対応する共通電極ＴＬ（ｉ）に対する第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｉ）が構成され、複数の第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）によって、第２電極駆動回路ＣＧＷ２が構成されている。

この実施の形態５においては、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）は互いに同じ構成にされ、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）も互いに同じ構成にされている。ただし、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）の構成と、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）の構成は異なっていることに注意されたい。

図２３において、ＯＲ１ＵおよびＯＲ１Ｄのそれぞれは、制御信号ＶＣＯＭＦＬと検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮとを入力とした２入力論理和回路である。論理和回路ＯＲ１Ｕは、第１電極駆動回路ＣＧＷ１に対応しており、論理和回路ＯＲ１Ｄは、第２電極駆動回路ＣＧＷ２に対応している。これらの論理和回路ＯＲ１ＵおよびＯＲ１Ｄは、図１８に示した論理和回路ＯＲ１に相当し、タッチが指定されているとき、ハイレベルとなる。図２３においては、第１および第２電極駆動回路ＣＧＷ１、ＣＧＷ２のそれぞれに対応した論理和回路が設けられているが、勿論１個の論理和回路により、信号配線Ｌｎ−ＯＲに供給される制御信号を形成するようにしてもよい。

図２３において、ＳＳ（０）〜ＳＳ（ｐ）は、信号配線Ｌｎ−Ｓ（０）〜Ｌｎ−Ｓ（ｐ）と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ）との間に接続されたスイッチである。スイッチＳＳ（０）〜ＳＳ（ｐ）のそれぞれは、図面を見易くするために、同図では、第２電極駆動回路ＣＧＷ２から独立して描かれているが、スイッチＳＳ（０）〜ＳＳ（ｐ）のそれぞれは、第２電極駆動回路ＣＧＷ２内の対応する第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）に設けられている。すなわち、スイッチＳＳ（０）〜ＳＳ（ｐ）のそれぞれは、対応する第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）内の第２単位ロジック回路ＵＬＧ２（０）〜ＵＬＧ２（ｐ）に設けられている。

また図２３では省略されているが、スイッチＳＳ（０）〜ＳＳ（ｐ）のスイッチは、そのスイッチＳＳ（０）〜ＳＳ（ｐ）を有する第２単位ロジック回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）により制御される。なお、信号配線Ｌｎ−Ｓ（０）〜Ｌｎ−Ｓ（ｐ）は、図１６に示した入出力端子ＳＴ（０）〜ＳＴ（ｐ）に接続されている。

また、図２３では、省略されているが、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）が配置されている。

次の第１電極駆動回路ＣＧＷ１および第２電極駆動回路ＣＧＷ２を説明するが、第１電極駆動回路ＣＧＷ１を構成する第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）の構成は、互いに同じであるため、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を代表として、説明する。同様に、第２電極駆動回路ＣＧＷ２を構成する第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）の構成は、互いに同じであるため、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）を代表として、説明する。

＜第１単位電極駆動回路の構成＞
図２１は、実施の形態５に係わる第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）の構成を示す回路図である。なお、図２１には、説明の都合上、図２３に示した論理和回路ＯＲ１Ｕも示されている。

図２１に示す第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）は、図１３および図１８で示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）に類似している。相違点は、図２１に示す第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）は、図１８に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）に対して、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１４、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１５、インバータ回路ＩＶ８および信号配線Ｌｎ−Ｓｅｌを有していないことである。

すなわち、図１３および図１８において説明したのと同様に、図２１に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）においては、第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１、ＴＮ２、ＴＮ８、ＴＮ９およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ８、ＴＰ９を有している。また、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）は、インバータ回路ＩＶ１〜ＩＶ３、ＩＶ５、ＩＶ６、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４〜ＴＮ６、ＴＮ１０〜ＴＮ１２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４〜ＴＰ６、ＴＰ１０〜ＴＰ１２を有している。

ここで、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１により、第１スッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）が構成され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ２により、第２スッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）が構成され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ８およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ８により、第４スッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）が構成され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ９およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ９により、第５スッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）が構成されている。図２３においては、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）が、ＵＳ１として示され、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）が、ＵＳ２として示され、第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）が、ＵＳ４として示され、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）が、ＵＳ５として示されている。

図２１および図２３に示すように、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）ＵＳ１は、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）と第１電圧配線６０５との間に接続され、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）ＵＳ２は、共通電極ＴＬ（ｎ）と第２電圧配線６０６との間に接続されている。また、第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）ＵＳ４は、共通電極ＴＬ（ｎ）と第３電圧配線６０７との間に接続され、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）ＵＳ５は、共通電極ＴＬ（ｎ）と第２電圧配線６０６との間に接続されている。ここで、第３電圧配線６０６の線幅は、第１電圧配線６０５および第２電圧配線６０７の線幅よりも細くされている。図２１および図２３においても、この線幅の相違を明示ずるために、第３電圧配線６０７は細い線で描かれている。

対応するシフトレジスタの段ＵＳＣ１（０）からの出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）が、共通電極ＴＬ（ｎ）を選択共通電極として指定する論理値“１”の場合、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４、ＴＰ５およびＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４、ＴＮ６がオンする。これらのＭＯＳＦＥＴを介して、周期的にその電圧が変化する駆動信号ＶＣＯＭＳＥＬが、信号配線Ｌｎ１、Ｌｎ２に伝達される。また信号配線Ｌｎ１、Ｌｎ２のおける電圧の変化に対して反転した駆動信号が、インバータＩＶ２、ＩＶ３により信号配線／Ｌｎ１、／Ｌｎ２に供給される。これにより、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）ＵＳ１は、駆動信号ＶＣＯＭＳＥＬがハイレベルのとき、オンし、第１電圧配線６０５と対応する共通電極ＴＬ（ｎ）を電気的に接続する。一方、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）ＵＳ２は、駆動信号ＶＣＯＭＳＥＬがロウレベルのとき、オンし、第２電圧配線６０６と対応する共通電極ＴＬ（ｎ）を電気的に接続する。これにより、共通電極ＴＬ（ｎ）には、図１３および図１８の構成と同様に、駆動信号ＶＣＯＭＳＥＬの周期に合わせて、第１電圧ＴＰＨと第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１が供給されることになる。

一方、タッチ検出期間において、対応するシフトレジスタの段ＵＳＣ１（ｎ）からの出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）が、共通電極ＴＬ（ｎ）を非選択共通電極として指定する論理値“０”の場合、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１０がオンする。タッチ検出期間であるため、制御信号ＶＣＯＭＦＬはハイレベルとなる。そのため、オンしているＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１０を介して、ハイレベルの制御信号ＶＣＯＭＦＬは、信号配線Ｌｎ４に伝達される。また、信号配線Ｌｎ４における信号は、インバータＩＶ５により反転され、信号配線／Ｌｎ４に供給される。このときの信号配線Ｌｎ４、／Ｌｎ４によって、第４スイッチ（ＴＮ８、ＴＰ８）ＵＳ４がオンする。そのため、共通電極ＴＬ（ｎ）が非選択共通電極として指定された場合には、この共通電極ＴＬ（ｎ）は、図１３および図１８と同様に、第３電圧配線６０７に電気的に接続されることになる。

また、表示期間においては、対応するシフトレジスタの段ＵＳＣ１（０）からの出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）の論理値は“０”（ロウレベル）にされる。これにより、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１２がオンする。表示期間においては、制御信号ＶＣＯＭＦＬおよび検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮのそれぞれが、ロウレベルとされるため、信号配線Ｌｎ−ＦＬの電圧はロウレベルとなる。このロウレベルは、オンしているＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１２を介して、信号配線Ｌｎ５に伝達される。また、インバータＩＶ６によって、信号配線Ｌｎ５の電圧は反転され、信号配線／Ｌｎ５に伝達される。これにより、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）ＵＳ５がオンし、第２電圧配線６０６が共通電極ＴＬ（ｎ）に接続される。

なお、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１２およびＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１２は、タッチ期間において、出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）が論理値“０”のときもオンするが、このときの信号配線Ｌｎ−ＯＲの電圧は、論理和回路ＯＲ１Ｕによりハイレベルにされるため、第５スイッチ（ＴＮ９、ＴＰ９）ＵＳ５はオンしない。

ここで、シフトレジスタの段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）およびＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）について、段ＵＳＣ１（ｎ）およびＵＳＣ２（ｎ）を例にして説明しておく。図２３に示されているように、それぞれの段ＵＳＣ１（０）〜ＵＳＣ１（ｐ）およびＵＳＣ２（０）〜ＵＳＣ２（ｐ）には、クロック信号ＳＤＣＫが供給されており、それぞれの段は、その前段からの選択信号が供給される。クロック信号ＳＤＣＫの電圧が変化すると、それぞれの段は、その前段からの選択信号を取り込み、格納する、また、取り込んだ選択信号の論理値に対応した出力信号ＳＲｏｕｔ（０）〜ＳＲｏｕｔ（ｐ）を、対応する第１および第２単位ロジック回路へ出力する。段ＵＳＣ１（ｎ）、ＵＳＣ２（ｎ）について述べると、その前段である段ＵＳＣ１（ｎ−１）、ＵＳＣ２（ｎ−１）からの選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）を取り込み、格納する。また、取り込んだ選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）の論理値“１”または“０”に応じた電圧の出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）を、第１および第２単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）、ＵＬＧ２（ｎ）へ出力する。さらに取り込んだ選択信号ＳＤＳＴ（ｎ−１）の論理値を選択信号ＳＤＳＴ（ｎ）として出力する。

シフトレジスタの初段ＵＳＣ１（０）、ＵＳＣ２（０）には、タッチ用半導体装置７により、選択信号ＳＤＳＴがセットされる。例えば、論理値“１”の選択信号ＳＤＳＴが、１回セットされ、以降は、クロック信号ＳＤＣＫを変化させながら、論理値“０”の選択信号ＳＤＳＴをセットする。これにより、選択共通電極を指定する論理値“１”の選択信号ＳＤＳＴは、シフトレジスタ内を移動する。すなわち、図２３の例では、論理値“１”は、左側の段ＵＳＣ１（０）、ＵＳＣ２（０）から、右側の段ＵＳＣ１（ｐ）、ＵＳＣ２（ｐ）へ向かって移動する。

これにより、相互容量方式のタッチ検出方式が採用された場合には、共通電極ＴＬ（０）からＴＬ（ｐ）の順に、選択共通電極として指定される。選択共通電極として指定されると、図２１を用いて説明したように、選択共通電極は、駆動信号ＶＣＯＭＳＥＬの電圧変化に従って、第１電圧配線６０５または第２電圧配線６０６に接続され、第１電圧ＴＰＨと第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１とが交互に供給される。

一方、タッチ検出期間において、非選択共通電極として指定された共通電極は、図２１で説明したように、第３電圧配線６０７に接続され、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２が供給される。この場合、非選択共通電極として指定された共通電極に供給される第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２は、タッチ検出のときのように、容量を高速に放電する必要はなく、ノイズが発生しないように、非選択共通電極の電圧を固定できればよい、そのため、第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２を伝達する第３電圧配線６０７の線幅は細くされている。

なお、表示期間においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、第２電圧配線６０６に接続される。これにより、表示期間においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、表示のための液晶素子の電圧として用いられる。

＜第２単位電極駆動回路の構成＞
図２２は、実施の形態５に係わる第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）の構成を示す回路図である。なお、図２２においても、説明の都合上、図２３に示した論理和回路ＯＲ１Ｄも描かれている。

図２２に示す第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）は、図１１および図１７で示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）に類似している。相違点は、図２２に示す第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）は、図１７に示した第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷ１（ｎ）に対して、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ３、ＴＮ７、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ３、ＴＰ７、ＴＰ１３、インバータ回路ＩＶ４、信号配線Ｌｎ３、／Ｌｎ３、Ｌｎ４、／Ｌｎ４および第３電圧配線６０７を有していないことである。また、図２２に示す第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）には、論理和回路ＯＲ１Ｄの出力が供給される信号配線Ｌｎ−ＯＲおよびＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１５が追加されている。

すなわち、図１１および図１７において説明したのと同様に、図２２に示した第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２（ｎ）においては、第１単位スイッチ回路ＵＳＷ２（ｎ）は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１、ＴＮ２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１、ＴＰ２を有している。また、第１単位ロジック回路ＵＬＧ２（ｎ）は、インバータ回路ＩＶ１〜ＩＶ３、ＩＶ７、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４〜ＴＮ６、ＴＮ１３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４〜ＴＰ６、ＴＰ１４を有している。図２２に示したインバータ回路ＩＶ１〜ＩＶ３、ＩＶ７、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４〜ＴＮ６、ＴＮ１３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４〜ＴＰ６、ＴＰ１４の配置が、図１７に示したこれらの素子の配置と異なっているために、異なる回路構成のように見えるが、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１５が追加されていることと、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ６のドレインの接続先が変更されていることを除き、これらの素子の接続は、図２２と図１８との間で同じである。

図１８に対して追加されたＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１５のゲートは、インバータＩＶ１の出力（図１８で述べるならば、信号ｘｉｎ）に接続され、そのソースは信号配線Ｌｎ−ＯＲに接続され、そのドレインは信号配線Ｌｎ２に接続されている。また、図２２では、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ６のドレインは、信号配線Ｌｎ−ＯＲに接続されている。

ここで、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１により、第１スッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）が構成され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ２およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ２により、第２スッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）が構成されている。図２３においては、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）が、ＤＳ１として示され、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）が、ＤＳ２として示されている。

タッチ検出方式として、相互容量方式が指定され、タッチ検出期間になると、信号配線Ｌｎ−Ｓｅｌには、ロウレベルの検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが供給され、信号配線Ｌｎ−ＯＲには、論理和回路ＯＲ１Ｄからハイレベルの制御信号が供給される。

このタッチ検出期間において、シフトレジスタの段ＵＳＣ２（ｎ）から、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）を選択共通電極として指定する論理値“１”の出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）が出力されると、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４、ＴＮ６、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４、ＴＰ５がオンする。

タッチ検出期間において、その電圧が周期的に変化する駆動信号ＶＣＯＭＳＥＬは、オンしているＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ４およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ４を介して、信号配線Ｌｎ１に伝達される、また、信号配線／Ｌｎ１には、信号配線Ｌｎ１における信号が、インバータＩＶ２により反転され、伝達される。また、駆動信号ＶＣＯＭＳＥＬは、オンしているＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ６およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ５を介して、信号配線Ｌｎ２に伝達される、また、信号配線／Ｌｎ２には、信号配線Ｌｎ２における信号が、インバータＩＶ３により反転され、伝達される。

第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）ＤＳ１は、信号配線Ｌｎ１、／Ｌｎ１の電圧によりオン／オフする。この場合、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）ＤＳ１は、信号配線Ｌｎ１がハイレベルで、信号配線／Ｌｎ１がロウレベルのとき、オンする。すなわち、駆動信号ＶＣＯＭＤＣがハイレベルのとき、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）ＤＳ１は、オンし、第１電圧配線６０５を対応する共通電極ＴＬ（ｎ）に電気的に接続する。一方、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）ＤＳ２は、信号配線／Ｌｎ２、Ｌｎ２の電圧によりオン／オフする。この場合、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）ＤＳ２は、信号配線／Ｌｎ２がハイレベルで、信号配線Ｌｎ２がロウレベルのとき、オンする。すなわち、駆動信号ＶＣＯＭＤＣがロウレベルのとき、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）ＤＳ２は、オンし、第２電圧配線６０６を対応する共通電極ＴＬ（ｎ）に電気的に接続する。

一方、タッチ検出期間において、シフトレジスタの段ＵＳＣ２（ｎ）から、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）を非選択共通電極として指定する論理値“０”の出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）が出力されると、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ５、ＴＮ１５、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ６がオンする。これにより、オンしているＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ５を介して、信号配線Ｌｎ１にはロウレベルである電圧ＶＧＬが供給され、信号配線／Ｌｎ１には、インバータＩＶ２によりハイレベルが供給される。また、信号配線Ｌｎ２には、オンしているＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ６およびＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１５を介して、信号配線Ｌｎ−ＯＲにおけるハイレベルが伝達される。このとき、信号配線／Ｌｎ２には、インバータＩＶ３によりロウレベルが供給される。これにより、第１スイッチ（ＴＮ１、ＴＰ１）ＤＳ１および第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）のそれぞれが、オフする。

すなわち、この実施の形態５においては、相互容量方式のタッチ検出方式が指定された場合、選択共通電極ＴＬ（ｎ）は、その一方の端側が、第１電極駆動回路ＵＣＧＷ１において、第１電圧配線６０５または第２電圧配線６０６に接続され、さらに第２電極駆動回路ＵＣＧＷ１において、選択共通電極ＴＬ（ｎ）の他端側が、第１電圧配線６０５または第２電圧配線６０６に接続される。これに対して、非選択共通電極ＴＬ（ｎ）は、その一方の端側においてのみ、第１電極駆動回路ＵＣＧＷ１において、第３電圧配線６０７に接続される。このようにすることにより、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣ側に配置される第２電極駆動回路ＣＧＷ２を構成する素子および電圧配線を少なくすることが可能となり、小型化が図れる。図６を例にして述べると、下側の額縁を狭くすることが可能となる、また、非選択共通電極に供給される第３電圧を給電する第３電圧配線６０７の線幅が細いため、図６を例にすると、上側の額縁が広くなるのを抑制することが可能となる。

また、表示期間においては、論理和回路ＯＲ１Ｄの出力信号がロウレベルとなり、段ＵＳＣ２（ｎ）から出力される出力信号ＳＲｏｕｔ（ｎ）がロウレベルとなるため、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１５およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ６がオンし、信号配線Ｌｎ−ＯＲにおけるロウレベルが、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１５およびＰ型ＭＯＳＦＥＲＴＴＰ６を介して、信号配線Ｌｎ２へ伝達され、信号配線／Ｌｎ２には、インバータＩＶ３によりハイレベルが供給される。これにより、表示期間においては、第２スイッチ（ＴＮ２、ＴＰ２）ＤＳ２がオンし、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）は、第２電圧配線６０６に接続される。すなわち、表示期間においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、その一端側が、第１電極駆動回路ＣＧＷ１において、第２電圧配線６０６に接続され、その他端側は、第２電極駆動回路ＣＧＷ２において、第２電圧配線６０６に接続される。これにより、表示期間において、液晶素子ＬＣに供給される電圧が変動するのを抑制することが可能となる。

自己容量方式が指定された場合、ハイレベルの検出方式指定信号ＳＥＬＦＥＮが信号配線Ｌｎ−Ｓｅｌに供給される。これにより、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４がオンする。そのため、信号配線Ｌｎ−Ｓ（ｎ）と対応する共通電極ＴＬ（ｎ）とが、オンしているＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４を介して電気的に接続される。自己容量方式を指定したタッチ検出期間においては、図１６に示した駆動信号形成部１６０２からの駆動信号Ｓ−Ｉｎ（０）〜Ｓ−Ｉｎ（ｐ）が、第２電極駆動回路ＣＧＷ２に供給される。駆動信号Ｓ−Ｉｎ（ｎ）を例にすると、第２電極駆動回路ＣＧＷ２内の第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２内のＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４を介して、駆動信号Ｓ−ＩＮ（ｎ）は、対応する共通電極ＴＬ（ｎ）に供給される。この共通電極ＴＬ（ｎ）の近傍がタッチされているか否かにより生じる共通電極ＴＬ（ｎ）における電圧変化は、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷ２内のＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４を介して、図１６に示した入出力端子ＳＴ（ｎ）に伝えられ、検出信号ＳＲｘ（ｎ）としてタッチ検出信号増幅部１６０１で増幅される。

第１電極駆動回路ＣＧＷ１に第１〜第３電圧を供給する第１〜第３電圧配線は、第１電圧配線、第３電圧配線およびだい５電圧配線と見なすことができる。この場合、第２電極駆動回路ＣＧＷ２に第１および第２電圧を供給する第１および第２電圧配線は、第２電圧配線および第４電圧配線と見なすことができる。また、第２電極駆動回路ＣＧＷ２を構成する第２単位電極駆動回路ＵＣＧ２（０）〜ＵＣＧ２（ｐ）のそれぞれにおいて、スイッチＤＳ１およびＤＳ２がオフ状態となっているときは、第２電極駆動回路ＣＧＷ２がハイインピーダンス状態であると見なすことができる。

実施の形態１〜５において、第１単位電極駆動回路ＵＣＧＷＬ１（ｎ）において、第１単位ロジック回路ＵＬＧ１（ｎ）は、第１単位スイッチ回路ＵＳＷ１（ｎ）を構成する複数のスイッチを制御する第１制御回路と見なすことができる。この場合、同様に、第２単位電極駆動回路ＵＣＧＷＬ２（ｎ）において、第２単位ロジック回路ＵＬＧ２（ｎ）は、第２単位スイッチ回路ＵＳＷ２（ｎ）を構成する複数のスイッチを制御する第２制御回路と見なすことができる。

例えば、実施の形態５を見た場合、第１スイッチＵＳ１、第２スイッチＵＳ２、第４スイッチＵＳ４および第５スイッチＵＳ５は、択一的に導通状態となるように、第１制御回路により制御されていることになる。ここで、第２電圧ＶＣＯＭＤＣ１と第３電圧ＶＣＯＭＤＣ２とは同じ電圧であるため、第４スイッチＵＳ４と第５スイッチＵＳ５を合わせて第３スイッチと見なした場合、第１スイッチから第３スイッチが、択一的に導通状態になるように、第１制御回路により制御されていると見なすことができる。一方、第１スイッチＤＳ１および第２スイッチＤＳ２を、それぞれ第４スイッチおよび第５スイッチと見なした場合、第２制御回路は、これらの第４スイッチ（ＤＳ１）および第５スイッチ（ＤＳ２）が、同時にオンとる状態が発生しないように制御するが、ともにオフ（非導通）となるような状態が発生するように制御することになる。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

例えば、実施の形態においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、列方向に延在し、行方向に配置されている場合を説明したが、行方向および列方向は、見る視点により変化する。見る視点を変えて、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が、行方向に延在し、列方向に配置されている場合も本発明の範囲に含まれるものである。

また、実施の形態３〜５において、自己容量方式を採用するために追加されたスイッチを構成するＮ型ＭＯＳＦＥＴＴＮ１３、ＴＮ１４およびＰ型ＭＯＳＦＥＴＴＰ１４、ＴＰ１５は、例えば液晶表示の際に用いるように予め設けられているＭＯＦＥＴを流用するようにしてもよい。流用することにより、ＭＯＳＦＥＴの個数を低減することが可能となり、面積の増加を抑制することが可能となる。

１タッチ検出機能付き液晶表示装置
２液晶パネル
５表示制御装置
６信号線セレクタ
７タッチ制御装置
８ゲートドライバ
１０駆動回路
１１信号線ドライバ
１２駆動電極ドライバ
１７駆動信号形成部
６００モジュール
６０５第１電圧配線
６０６第２電圧配線
６０７第３電圧配線
ＣＧＷ１第１電極駆動回路
ＣＧＷ２第２電極駆動回路
ＵＣＧＷ１（０）〜ＵＣＧＷ１（ｐ）第１単位電極駆動回路
ＵＣＧＷ２（０）〜ＵＣＧＷ２（ｐ）第２単位電極駆動回路
ＳＰｉｘ液晶表示素子
ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）共通電極
ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）信号線
ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）検出電極
ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）走査線

Claims

行列状に配置された複数の液晶表示素子を有する液晶素子配列と、
前記液晶素子配列の各行に配置され、対応する行に配置された複数の液晶表示素子に走査信号を供給する複数の走査線と、
前記液晶素子配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の液晶表示素子に、画像信号を供給する複数の信号線と、
前記液晶素子配列の列に配置され、タッチを検出するための駆動信号が供給される複数の駆動電極と、
前記液晶素子配列の行と平行な、前記液晶素子配列の一方の辺に沿って配置され、前記画像信号を形成する信号線駆動回路と、
前記液晶素子配列の行と平行な、前記液晶素子配列の他方の辺に沿って配置され、前記駆動信号を形成する第１電極駆動回路と、
を備え、
前記液晶素子配列の列に配置された駆動電極には、前記液晶素子配列の前記他方の辺において、前記第１電極駆動回路から駆動信号が供給される、液晶表示装置。
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記液晶表示装置は、第１電圧を供給する第１電圧配線、第２電圧を供給する第２電圧配線および第３電圧を供給する第３電圧配線を備え、
前記第１電極駆動回路は、前記第１電圧配線、前記第２電圧配線および前記第３電圧配線に接続され、前記複数の駆動電極のうち、選択された駆動電極に対して、その電圧が、前記第１電圧配線における電圧に基づいた電圧と前記第２電圧配線における電圧に基づいた電圧との間で、周期的に変化する駆動信号を供給し、
前記第１電極駆動回路は、前記複数の駆動電極のうち、非選択の駆動電極に対して、前記第３電圧配線における電圧に基づいた電圧を供給する、液晶表示装置。
請求項２に記載の液晶表示装置において、
前記第１電圧配線、前記第２電圧配線および前記第３電圧配線のそれぞれは、前記液晶素子配列の前記他方の辺に沿って配置されている、液晶表示装置。
請求項３に記載の液晶表示装置において、
前記第２電圧と前記第３電圧は、同じ電圧値である、液晶表示装置。
請求項４に記載の液晶表示装置において、
前記第３電圧配線の線幅は、前記第２電圧配線の線幅よりも細い、液晶表示装置。
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記液晶表示装置は、前記液晶素子配列の前記一方の辺に沿って配置され、前記駆動信号を形成する第２電極駆動回路を備え、
前記液晶素子配列の列に配置された駆動電極には、前記液晶素子配列の前記一方の辺において、前記第２電極駆動回路から駆動信号が供給され、前記液晶素子配列の前記他方の辺において、前記第１電極駆動回路から駆動信号が供給される、液晶表示装置。
請求項６に記載の液晶表示装置において、
前記液晶表示装置は、第１電圧を供給する第１および第２電圧配線、第２電圧を供給する第３および第４電圧配線、および第３電圧を供給する第５および第６電圧配線を備え、
前記第１電極駆動回路は、前記第１電圧配線、前記第３電圧配線および前記第５電圧配線に接続され、前記複数の駆動電極のうち、選択された駆動電極に対して、その電圧が、前記第１電圧配線における電圧に基づいた電圧と前記第３電圧配線における電圧に基づいた電圧との間で、周期的に変化する駆動信号を供給し、
前記第１電極駆動回路は、前記複数の駆動電極のうち、非選択の駆動電極に対して、前記第５電圧配線における電圧に基づいた電圧を供給し、
前記第２電極駆動回路は、前記第２電圧配線、前記第４電圧配線および前記第６電圧配線に接続され、前記複数の駆動電極のうち、選択された駆動電極に対して、その電圧が、前記第２電圧配線における電圧に基づいた電圧と前記第４電圧配線における電圧に基づいた電圧との間で、周期的に変化する駆動信号を供給し、
前記第２電極駆動回路は、前記複数の駆動電極のうち、非選択の駆動電極に対して、前記第６電圧配線における電圧に基づいた電圧を供給する、液晶表示装置。
請求項７に記載の液晶表示装置において、
前記第２電圧と前記第３電圧の電圧値は同じであり、前記第６電圧配線の線幅は、前記第４電圧配線の線幅よりも細い、液晶表示装置。
請求項６に記載の液晶表示装置において、
前記液晶表示装置は、第１電圧を供給する第１および第２電圧配線、第２電圧を供給する第３および第４電圧配線、および第３電圧を供給する第５電圧配線を備え、
前記第１電極駆動回路は、前記第１電圧配線、前記第３電圧配線および前記第５電圧配線に接続され、複数のタッチ検出駆動電極のうち、選択された駆動電極に対して、その電圧が、前記第１電圧配線における電圧に基づいた電圧と前記第３電圧配線における電圧に基づいた電圧との間で、周期的に変化する駆動信号を供給し、
前記第１電極駆動回路は、前記複数の駆動電極のうち、非選択の駆動電極に対して、前記第５電圧配線における電圧に基づいた電圧を供給し、
前記第２電極駆動回路は、前記第２電圧配線および前記第４電圧配線に接続され、前記複数のタッチ検出駆動電極のうち、選択された駆動電極に対して、その電圧が、前記第２電圧配線における電圧に基づいた電圧と前記第４電圧配線における電圧に基づいた電圧との間で、周期的に変化する駆動信号を供給し、
前記第２電極駆動回路は、前記複数の駆動電極のうち、非選択の駆動電極に対して、ハイインピーダンス状態となる、液晶表示装置。
請求項９に記載の液晶表示装置において、
前記第１電極駆動回路は、前記複数の駆動電極のそれぞれに対応し、前記第１電圧配線、前記第３電圧配線および前記第５電圧配線に接続された複数の第１単位電極駆動回路を備え、
前記複数の第１単位電極駆動回路のそれぞれは、対応する駆動電極と前記第１電圧配線との間に接続された第１スッチと、対応する駆動電極と前記第３電圧配線との間に接続された第２スイッチと、対応する駆動電極と前記第５電圧配線との間に接続された第３スイッチと、第１制御回路と、を備え、
前記第１制御回路により、前記第１スイッチ、前記第２スイッチおよび前記第３スイッチは、択一的に導通状態となるように制御され、
前記第２電極駆動回路は、前記複数の駆動電極のそれぞれに対応し、前記第２電圧配線および前記第４電圧配線に接続された複数の第２単位電極駆動回路を備え、
前記複数の第２単位電極駆動回路のそれぞれは、対応する駆動電極と前記第２電圧配線との間に接続された第４スッチと、対応する駆動電極と前記第４電圧配線との間に接続された第５スイッチと、第２制御回路と、を備え、
前記第２制御回路により、前記第４スイッチおよび前記第５スイッチのそれぞれが、導通状態または非導通状態となるように制御される、液晶表示装置。
請求項６に記載の液晶表示装置において、
前記複数の駆動電極のそれぞれは、共通電極であり、
前記複数の液晶表示素子は、表示のとき、前記信号線と前記共通電極との間に接続され、前記第１電極駆動回路および前記第２電極駆動回路から、前記共通電極へ所定の電圧が供給され、画像信号に従って表示を行う、液晶表示装置。
請求項１１に記載の液晶表示装置において、
前記液晶表示装置は、
前記液晶素子配列の行に配置された複数の検出電極と、
前記複数の検出電極に接続され、タッチによって生じる検出電極における信号の変化を検出するタッチ制御装置と、
を備える、液晶表示装置。
請求項１２に記載の液晶表示装置において、
前記第１電極駆動回路および前記第２電極駆動回路のそれぞれは、順次選択信号を形成するスキャン回路を備え、
前記第１電極駆動回路および前記第２電極駆動回路のそれぞれは、前記選択信号に基づいて、前記液晶素子配列の列に配置された駆動電極に、順次、駆動信号を供給する、液晶表示装置。
請求項１１に記載の液晶表示装置において、
前記液晶表示装置は、前記駆動電極への駆動信号の供給により、タッチの有無によって生じる前記駆動電極における信号の変化を検出するタッチ制御装置を備える、液晶表示装置。