JP2016128184A - Solder joint method and power module - Google Patents
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Abstract
【課題】ハンダ接合の信頼性を向上させるハンダ接合方法およびパワーモジュールを提供する。【解決手段】絶縁基板１と、絶縁基板の一側面１ａに第１のハンダ層３および第１の金属層２を介して接合されるパワー半導体素子４と、絶縁基板の他側面１ｂに第２の金属層５および第２のハンダ層６を介して接合される冷却器７とを備えるパワーモジュールＰＭ１のハンダ接合方法であって、第１のハンダ層および第２のハンダ層の少なくとも一方のハンダ層内に、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０を形成させる。【選択図】図４A solder bonding method and a power module for improving the reliability of solder bonding. An insulating substrate, a power semiconductor element bonded to one side surface of an insulating substrate through a first solder layer and a first metal layer, and a second side surface of the insulating substrate on a second side. A power module PM1 solder bonding method comprising a metal layer 5 and a cooler 7 bonded via a second solder layer 6, wherein at least one of the first solder layer and the second solder layer is soldered. A columnar Sn—Cu intermetallic compound 20 is formed in the layer. [Selection] Figure 4
Description
本発明は、ハンダ接合方法および当該ハンダ接合方法を適用して製造されるパワーモジュールに関する。 The present invention relates to a solder bonding method and a power module manufactured by applying the solder bonding method.
パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどのパワー半導体を搭載したパワーモジュールは、電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載される電力変換装置（インバータ）などとして用いられる。 A power module on which a power semiconductor such as a power MOSFET or IGBT is mounted is used as a power conversion device (inverter) mounted on an electric vehicle, a hybrid vehicle, or the like.
一般的なパワーモジュールは、パワー半導体を構成するＳｉチップと、絶縁基板と、ヒートシンク等から構成されており、それぞれがハンダ接合されている。 A general power module is composed of a Si chip that constitutes a power semiconductor, an insulating substrate, a heat sink, and the like, and each of them is soldered.
ここで、パワーモジュールにおいてハンダ接合を行うハンダ層には、熱伝導率および電気抵抗率に関する所定の性能が求められ、また使用環境下において前記各種性能を維持するために所定の耐久性が求められている。 Here, the solder layer that performs solder bonding in the power module is required to have predetermined performance related to thermal conductivity and electrical resistivity, and also to have predetermined durability in order to maintain the various performances under the usage environment. ing.
ハンダ接合部は、他の構造材料とは異なって弾性領域だけではなく塑性領域まで歪みが加わる。そのため、ハンダ接合部には、脆性的な破断を示す材料は採用することができず、クラック進展が進み難い材料や構造が求められている。 Unlike other structural materials, the solder joint is strained not only in the elastic region but also in the plastic region. For this reason, a material that exhibits a brittle fracture cannot be used for the solder joint, and a material or structure that does not easily propagate the crack is required.
ハンダ接合部のクラック発生を抑制する技術は種々提案されている（例えば、特許文献１等）。 Various techniques for suppressing the occurrence of cracks in solder joints have been proposed (for example, Patent Document 1).
特許文献１に係る従来技術では、絶縁基板下の金属層とヒートシンクとの間を接合するハンダ層にクラックが入るのを抑制するために、金属層をアルミニウムと銅とから成る二層構造としている。 In the prior art according to Patent Document 1, the metal layer has a two-layer structure composed of aluminum and copper in order to suppress cracks in the solder layer that joins the metal layer under the insulating substrate and the heat sink. .
本発明は、ハンダ接合の信頼性を高めることができるハンダ接合方法およびパワーモジュールを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a solder bonding method and a power module that can improve the reliability of solder bonding.
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明に係るハンダ接合方法は、絶縁基板と、前記絶縁基板の一側面に第１のハンダ層および第１の金属層を介して接合されるパワー半導体素子と、前記絶縁基板の他側面に第２の金属層および第２のハンダ層を介して接合される冷却器とを備えるパワーモジュールのハンダ接合方法であって、前記第１のハンダ層および前記第２のハンダ層の少なくとも一方のハンダ層内に、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物を形成させることを要旨とする。 In order to achieve the above object, a solder bonding method according to a first aspect of the present invention includes an insulating substrate and a power bonded to one side surface of the insulating substrate via a first solder layer and a first metal layer. A power module solder bonding method comprising: a semiconductor element; and a cooler bonded to the other side surface of the insulating substrate via a second metal layer and a second solder layer, wherein the first solder layer and The gist is to form a columnar Sn—Cu intermetallic compound in at least one solder layer of the second solder layer.
本発明は、第１のハンダ層および第２のハンダ層の少なくとも一方のハンダ層内に、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物を形成したことで、ハンダ接合の信頼性向上を図る。 According to the present invention, columnar Sn—Cu intermetallic compounds are formed in at least one of the first solder layer and the second solder layer, thereby improving the reliability of solder bonding.
以下、本発明の一例としての実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。 Hereinafter, an embodiment as an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Here, in the accompanying drawings, the same reference numerals are given to the same members, and duplicate descriptions are omitted. In addition, since description here is the best form by which this invention is implemented, this invention is not limited to the said form.
［実施の形態に係るハンダ接合方法］
図１から図７を参照して、実施の形態に係るハンダ接合方法について説明する。
[Solder Joining Method According to Embodiment]
With reference to FIG. 1 to FIG. 7, a solder bonding method according to an embodiment will be described.
まず、図１を参照して、本実施の形態に係るハンダ接合方法を適用したパワーモジュールＰＭ１の構成例について説明する。 First, a configuration example of a power module PM1 to which the solder bonding method according to the present embodiment is applied will be described with reference to FIG.
図１は、実施の形態に係るハンダ接合方法を適用したパワーモジュールＰＭ１の構成例を示す分解側面図である。 FIG. 1 is an exploded side view showing a configuration example of a power module PM1 to which a solder bonding method according to an embodiment is applied.
パワーモジュールＰＭ１は、セラミック等で形成される絶縁基板１と、絶縁基板１の一側面１ａに第１のハンダ層３および第１の金属層２を介して接合されるパワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどで構成されるパワー半導体素子４と、絶縁基板１の他側面１ｂに第２の金属層５および第２のハンダ層６を介して接合される冷却器（ヒートシンク）７とを備える。 The power module PM1 includes an insulating substrate 1 made of ceramic or the like, and a power MOSFET, IGBT, or the like joined to one side surface 1a of the insulating substrate 1 via the first solder layer 3 and the first metal layer 2. And a cooler (heat sink) 7 joined to the other side surface 1b of the insulating substrate 1 via a second metal layer 5 and a second solder layer 6.
なお、図示は省略するが、冷却器７の第２のハンダ層６の表面には、Ｎｉメッキによるハンダ付け面が形成されている。 Although illustration is omitted, a soldering surface by Ni plating is formed on the surface of the second solder layer 6 of the cooler 7.
そして、第１のハンダ層３および第２のハンダ層６の少なくとも一方のハンダ層内に、実施の形態に係るハンダ接合方法を適用して柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物を形成させている。 Then, a columnar Sn—Cu intermetallic compound is formed in at least one of the first solder layer 3 and the second solder layer 6 by applying the solder bonding method according to the embodiment.
次に、図２の工程図を参照して、本実施の形態に係るハンダ接合方法によるハンダ接合工程の処理手順について説明する。 Next, with reference to the process diagram of FIG. 2, a processing procedure of a solder bonding process by the solder bonding method according to the present embodiment will be described.
なお、ここに示す例では、図１の第２のハンダ層６に実施の形態に係るハンダ接合方法を適用するものとする。 In the example shown here, the solder bonding method according to the embodiment is applied to the second solder layer 6 of FIG.
まず、ステップＳ１０では、絶縁基板１の他側面１ｂ側の第２の金属層５をロウ付けＣｕで形成する。 First, in step S10, the second metal layer 5 on the other side surface 1b side of the insulating substrate 1 is formed by brazing Cu.
なお、このＣｕから成る第２の金属層５が、第２のハンダ層６に溶出するＣｕの供給源となる。 Note that the second metal layer 5 made of Cu serves as a supply source of Cu eluted to the second solder layer 6.
次いで、ステップＳ１１では、冷却器７の第２のハンダ層６側の表面に、ハンダ付け面をＮｉメッキで形成する。 Next, in step S11, a soldering surface is formed on the surface of the cooler 7 on the second solder layer 6 side by Ni plating.
これにより、冷却器７に対して、ハンダ付け面を介して第２のハンダ層６を形成できる状態となる。 As a result, the second solder layer 6 can be formed on the cooler 7 via the soldering surface.
次に、ステップＳ１２では、第２のハンダ層６をＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎハンダ等）で形成する。なお、第２のハンダ層６は、少なくともＳｎを含んでいればよい。 Next, in step S12, the second solder layer 6 is formed of Sn—Ag—Cu solder (for example, Sn—Ag—Cu—In solder). Note that the second solder layer 6 only needs to contain at least Sn.
そして、ステップＳ１３で、第２のハンダ層６を形成する工程において、ハンダの温度をハンダの融点に６０℃〜９０℃を加えた温度（例えば、２９５℃）まで加熱して１０分〜２０分間保持してステップＳ１４に移行する。 In step S13, in the step of forming the second solder layer 6, the solder temperature is heated to a temperature obtained by adding 60 ° C. to 90 ° C. to the melting point of the solder (for example, 295 ° C.) for 10 minutes to 20 minutes. The process proceeds to step S14.
ステップＳ１４では、溶融した第２のハンダ層６にＣｕを溶出させる。即ち、Ｃｕから成る第２の金属層５が、Ｃｕの供給源となって第２のハンダ層６に溶出する。 In step S14, Cu is eluted in the melted second solder layer 6. That is, the second metal layer 5 made of Cu elutes into the second solder layer 6 as a Cu supply source.
これにより、ステップＳ１５では、第２のハンダ層６内に柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０（後述の図４等参照）が形成される。 Thereby, in step S <b> 15, columnar Sn—Cu intermetallic compounds 20 (see FIG. 4 and the like described later) are formed in the second solder layer 6.
ここで、図３を参照して、柱状金属間化合物の形成過程（形成メカニズム）について簡単に説明する。 Here, with reference to FIG. 3, the formation process (formation mechanism) of the columnar intermetallic compound will be briefly described.
まず、過程（１）〜（２）では、室温でＣｕ（０．７ｗｔ％）の状態（図３（ｂ）に示すように第２のハンダ層６にＣｕの供給源となる第２の金属層５が密着した状態）からリフロー方式で２９５℃まで加熱する。 First, in the steps (1) to (2), a second metal serving as a Cu supply source in the second solder layer 6 as shown in FIG. 3B (Cu (0.7 wt%)) at room temperature. The layer 5 is heated to 295 ° C. by a reflow method.
これにより、第２のハンダ層６は液相状態となる。 Thereby, the 2nd solder layer 6 will be in a liquid phase state.
過程（２）〜（３）では、２９５℃でＣｕ（０．７ｗｔ％）の状態で、図３（ｃ）に示すように第２のハンダ層６に第２の金属層５からＣｕが液相状態で拡散（溶出）し始める。 In the processes (2) to (3), Cu is liquid from the second metal layer 5 to the second solder layer 6 in the state of Cu (0.7 wt%) at 295 ° C. as shown in FIG. Begins diffusing (eluting) in phase.
過程（３）〜（４）では、２９５℃でＣｕ（２．５ｗｔ％）となり、図３（ｄ）に示すように第２のハンダ層６にＳｎ−Ｃｕ金属間化合物 （ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ；ＩＭＣ）が徐々に成長する。 In steps (3) to (4), Cu (2.5 wt%) is obtained at 295 ° C., and Sn—Cu intermetallic compounds (IMMC) are formed in the second solder layer 6 as shown in FIG. Gradually grow.
なお、過程（２）〜（４）は、５分間保持した。 In addition, process (2)-(4) was hold | maintained for 5 minutes.
過程（４）〜（５）では、２９５℃から室温まで冷却され、Ｃｕ（５．０ｔ％）となり、図３（ｅ）に示すように第２のハンダ層６に組成がＣｕ６Ｓｎ５である柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０が複数にわたって形成される。 In the processes (4) to (5), it is cooled from 295 ° C. to room temperature to become Cu (5.0 t%), and the composition of the second solder layer 6 is Cu 6 Sn 5 as shown in FIG. A certain columnar Sn—Cu intermetallic compound 20 is formed over a plurality.
図４は、上述のような過程を経て形成される柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の形成例を示す撮像図（電子顕微鏡写真）である。 FIG. 4 is an imaging diagram (electron micrograph) showing an example of forming a columnar Sn—Cu intermetallic compound formed through the process as described above.
図４に示すように、第２のハンダ層６には、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０が複数にわたって形成されていることが分かる。 As shown in FIG. 4, it can be seen that a plurality of columnar Sn—Cu intermetallic compounds 20 are formed in the second solder layer 6.
ここで、図５〜図７では、本実施形態のハンダ層及び従来のハンダ層に対して、同じ条件下で強制的にクラックを生じさせた様子を示すものであり、図５は、Ｃｕ溶出の場合と未溶出の場合の初期断面とクラック進展部を対比する撮像図、図６は、従来のハンダ層に発生したクラックの進展状態を示す撮像図、図７は、実施の形態に係るハンダ接合方法を適用したハンダ層に発生したクラックの抑止状態を示す撮像図である。 Here, FIGS. 5 to 7 show a state in which cracks are forcibly generated under the same conditions for the solder layer of the present embodiment and the conventional solder layer, and FIG. FIG. 6 is an imaging diagram showing a progress state of a crack generated in a conventional solder layer, and FIG. 7 is a solder according to the embodiment. It is an imaging figure which shows the suppression state of the crack which generate | occur | produced in the solder layer to which the joining method is applied.
まず、図５の（ｂ）および図６を参照すると分かるように、従来のハンダ層（Ｃｕが未溶出のハンダ層）１００に発生したクラックＣ２は、矢印Ｄ１方向への進展が止まらず、図上、ほぼ左端から右端まで達している。 First, as can be seen with reference to FIGS. 5B and 6, the crack C <b> 2 generated in the conventional solder layer (solder layer from which Cu is not eluted) 100 does not stop progressing in the direction of arrow D <b> 1. Above, almost from the left end to the right end.
一方、図５の（ａ）および図７を参照すると分かるように、本実施の形態に係るハンダ接合方法を適用した第２のハンダ層６（Ｃｕが溶出したハンダ層）では、発生したクラックＣ１は、矢印Ｄ１方向へ進展するものの、位置Ｐ１で、そのクラックの進展が抑止されていることが分かる。 On the other hand, as can be seen with reference to FIG. 5A and FIG. 7, in the second solder layer 6 (the solder layer from which Cu is eluted) to which the solder bonding method according to the present embodiment is applied, the crack C1 generated is generated. Although it progresses in the direction of arrow D1, it can be seen that the progress of the crack is suppressed at position P1.
これは、本実施の形態に係るハンダ接合方法により、第２のハンダ層６内に複数にわたって形成された柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０により、クラックＣ１の進展が阻害された影響であると推察される。 This is due to the influence of the crack Sn being inhibited by the columnar Sn—Cu intermetallic compound 20 formed in plural in the second solder layer 6 by the solder bonding method according to the present embodiment. Inferred.
このように、本実施の形態に係るハンダ接合方法によれば、クラックＣ１が柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０に突き当たることにより、クラックＣ１のさらなる進展を抑止することができるため、ハンダ接合の頼性を向上させることができる。 Thus, according to the solder bonding method according to the present embodiment, since the crack C1 hits the columnar Sn—Cu intermetallic compound 20, further progress of the crack C1 can be suppressed. Reliability can be improved.
また、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０の存在によりクラックＣ１を枝分かれさせて（図５の（ａ）のクラックＣ１ａ、Ｃ１ｂ等を参照）、応力を分散させることができる。 Further, the presence of the columnar Sn—Cu intermetallic compound 20 can branch the crack C1 (see the cracks C1a, C1b, etc. in FIG. 5A) to disperse the stress.
さらに、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０の形成により、第２のハンダ層６のせん断応力に対する強度が向上され、パワーモジュールＰ１の機械的強度を高めることができる。 Furthermore, the formation of the columnar Sn—Cu intermetallic compound 20 improves the strength of the second solder layer 6 against the shear stress, and can increase the mechanical strength of the power module P1.
なお、第１のハンダ層３についても、第２のハンダ層６と同様にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎハンダ等）で形成するようにしてもよい。この場合には、第１の金属層２をＣｕで形成するなどして、第１のハンダ層３にＣｕが溶出するように構成することとなる。 Note that the first solder layer 3 may also be formed of Sn—Ag—Cu solder (for example, Sn—Ag—Cu—In solder or the like) in the same manner as the second solder layer 6. In this case, the first metal layer 2 is formed of Cu, for example, so that Cu elutes into the first solder layer 3.
以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本明細書で開示された実施の形態はすべての点で例示であって開示された技術に限定されるものではないと考えるべきである。すなわち、本発明の技術的な範囲は、前記の実施の形態における説明に基づいて制限的に解釈されるものでなく、あくまでも特許請求の範囲の記載にしたがって解釈すべきであり、特許請求の範囲の記載技術と均等な技術および特許請求の範囲内でのすべての変更が含まれる。 Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the embodiments disclosed herein are illustrative in all respects and are not limited to the disclosed technology. Should not be considered. That is, the technical scope of the present invention should not be construed restrictively based on the description in the above embodiment, but should be construed according to the description of the scope of claims. All the modifications within the scope of the claims and the equivalent technique to the described technique are included.
例えば、絶縁基板１の他側面１ｂ側の第２の金属層５をＣｕで形成する方法は、ロウ付に限らず、例えばメッキや蒸着であってもよい。
また、第２のハンダ層６や第１のハンダ層３へのＣｕの供給源として、第２のハンダ層６や第１のハンダ層３自体にＣｕの微粒子等を含有させるようにしてもよい。この場合には、第２の金属層５や第１の金属層２がＣｕを含有しない構成であっても第２のハンダ層６または第１のハンダ層３に柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０を形成することが可能となる。
For example, the method of forming the second metal layer 5 on the other side surface 1b side of the insulating substrate 1 with Cu is not limited to brazing but may be plating or vapor deposition, for example.
Further, as a supply source of Cu to the second solder layer 6 or the first solder layer 3, the second solder layer 6 or the first solder layer 3 itself may contain Cu fine particles or the like. . In this case, even if the second metal layer 5 and the first metal layer 2 do not contain Cu, the columnar Sn—Cu intermetallic compound is formed in the second solder layer 6 or the first solder layer 3. 20 can be formed.
また、冷却器７の第２のハンダ層６の表面にＮｉのハンダ付け面が形成する方法は、メッキに限定されない。 Further, the method of forming the soldering surface of Ni on the surface of the second solder layer 6 of the cooler 7 is not limited to plating.
Ｐ１…パワーモジュール
１…絶縁基板
１ａ…一側面
１ｂ…他側面
２…第１の金属層
３…第１のハンダ層
４…パワー半導体素子
５…第２の金属層
６…第２のハンダ層
７…冷却器
２０…Ｃｕ金属間化合物
DESCRIPTION OF SYMBOLS P1 ... Power module 1 ... Insulating substrate 1a ... One side 1b ... Other side 2 ... 1st metal layer 3 ... 1st solder layer 4 ... Power semiconductor element 5 ... 2nd metal layer 6 ... 2nd solder layer 7 ... Cooler 20 ... Cu intermetallic compound
Claims (4)
前記第１のハンダ層および前記第２のハンダ層の少なくとも一方のハンダ層内に、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（２０）を形成させることを特徴とするハンダ接合方法。 An insulating substrate (1); a power semiconductor element (4) bonded to one side surface (1a) of the insulating substrate via a first solder layer (3) and a first metal layer (2); A solder bonding method for a power module (PM1) comprising a cooler (7) bonded to the other side surface (1b) of the substrate via a second metal layer (5) and a second solder layer (6). And
A solder bonding method, wherein a columnar Sn—Cu intermetallic compound (20) is formed in at least one of the first solder layer and the second solder layer.
前記冷却器の前記第２のハンダ層側の表面に、Ｎｉ層で形成する工程と、
前記第１のハンダ層および前記第２のハンダ層の少なくとも一方のハンダ層をＳｎ系ハンダで形成する工程と
を有し、
前記ハンダ層を形成する工程において、前記ハンダの温度をハンダの融点に６０℃〜９０℃を加えた温度まで加熱して所定時間保持することを特徴とする請求項１に記載のハンダ接合方法。 Forming a second metal layer on the other side surface of the insulating substrate with Cu;
Forming a Ni layer on the surface of the cooler on the second solder layer side;
Forming at least one of the first solder layer and the second solder layer with Sn-based solder,
2. The solder bonding method according to claim 1, wherein in the step of forming the solder layer, the temperature of the solder is heated to a temperature obtained by adding 60 ° C. to 90 ° C. to the melting point of the solder and held for a predetermined time.
前記第１のハンダ層および前記第２のハンダ層の少なくとも一方のハンダ層内に、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（２０）が形成されていることを特徴とするパワーモジュール。 An insulating substrate (1); a power semiconductor element (4) bonded to one side surface (1a) of the insulating substrate via a first solder layer (3) and a first metal layer (2); A power module comprising a cooler (7) joined to the other side surface (1b) of the substrate via a second metal layer (5) and a second solder layer (6),
A power module, wherein a columnar Sn—Cu intermetallic compound (20) is formed in at least one of the first solder layer and the second solder layer.
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|---|---|
| JP (1) | JP2016128184A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017220638A (en) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | カルソニックカンセイ株式会社 | Solder joint and solder joining method |
| JP2018022863A (en) * | 2016-07-21 | 2018-02-08 | 有限会社 ナプラ | Semiconductor device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005056873A (en) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor power module |
| JP2006167735A (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Hitachi Ltd | Manufacturing methods for equipment, structural materials, etc. |
| US20090243089A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Infineon Technologies Ag | Module including a rough solder joint |
| JP2010179336A (en) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Toyota Central R&D Labs Inc | Joint product, semiconductor module, and method for manufacturing the joint product |
| JP2013033891A (en) * | 2011-08-03 | 2013-02-14 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
-
2015
- 2015-01-09 JP JP2015003143A patent/JP2016128184A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005056873A (en) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor power module |
| JP2006167735A (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Hitachi Ltd | Manufacturing methods for equipment, structural materials, etc. |
| US20090243089A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Infineon Technologies Ag | Module including a rough solder joint |
| JP2010179336A (en) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Toyota Central R&D Labs Inc | Joint product, semiconductor module, and method for manufacturing the joint product |
| JP2013033891A (en) * | 2011-08-03 | 2013-02-14 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017220638A (en) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | カルソニックカンセイ株式会社 | Solder joint and solder joining method |
| WO2017213189A1 (en) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | カルソニックカンセイ株式会社 | Solder joint body and solder joining method |
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