JP2016120650A - 積層体 - Google Patents

Abstract

【課題】帯電防止層の塗布性が改善され、かつ耐アルカリ性に優れた積層体を提供する。【解決手段】基材上に、ポリチオフェン系ポリマーと、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩および／またはポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩を含有する帯電防止層を有する。【選択図】なし

Description

本発明は、基材上に帯電防止性層を有する積層体に関する。

従来より、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートなどの樹脂フィルムは光学特性に優れ、耐熱性、耐薬品性、機械的強度、寸法安定性、平滑性などでも優れた特性を合わせ持ち、何よりコストパフォーマンスに優れているため、例えば製版用フィルムや光学部品用フィルムといった幅広い用途に供されている。

しかし、これらの樹脂フィルムは絶縁性であることから、摩擦や剥離などによって容易に帯電し、静電気を帯びる。このため製版用フィルムでは、フィルムに埃が付着することによってピンホールや画像の欠落などの問題が生じる。また、光学部品用フィルム用途においてはフィルムに埃が付着することによって外観的な商品価値が低下したり、また電子機器等においては、放電による誤動作が引き起こされるといった問題が生じる。

そこで樹脂フィルムの表面に導電性物質を塗布し帯電防止層を設けることで、絶縁性の基材表面に導電性を付与することが知られている。こうした目的で使用される導電性物質には、界面活性剤のような低分子型帯電防止剤や、高分子ポリマー型帯電防止剤、あるいは金属微粒子、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫等の金属酸化物微粒子、導電性カーボンブラック、その他多種多様な導電性フィラーを挙げることができる。

低分子型帯電防止剤を含有する帯電防止層は、十分な耐水性を付与することが困難であり、例えば製版用フィルムなどの用途においては、画像を形成する現像処理工程において該帯電防止層が洗い流され、画像形成後の製版フィルムに十分な導電性を付与することが困難となる。また帯電防止層が金属微粒子、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫等の金属酸化物微粒子、導電性カーボンブラック等の導電性フィラーを含有した場合、基材の光透過性が低下することから、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどに代表される薄型フラットディスプレイのパネル部材の用途においては、画像の鮮明さが損なわれる場合があった。

高分子ポリマー型帯電防止剤は比較的高い耐水性が得られる。また、高分子ポリマー型帯電防止剤そのものは一般的にやや着色しているものの、非常に薄い帯電防止層であっても十分な導電性を発現するため、優れた光透過性が得られる。中でもポリチオフェン系ポリマーを含有する帯電防止層は、光学特性、耐熱性や耐湿熱性等に優れ、また経時による抵抗値の変化が小さいことが知られており、このことは例えば特開２０１２−１７２０２４号公報（特許文献１）や、特開２０１０−１９６０２２号公報（特許文献２）、特開２０００−０５２５２２号公報（特許文献３）、特開２０１０−０２４４５７号公報（特許文献４）、特開２００３−２４６８７４号公報（特許文献５）等に記載されている。しかしながら、該ポリチオフェン系ポリマーを含有する帯電防止層を基材上に塗布した場合、帯電防止層に塗布欠陥が生じる場合があり、改善が求められていた。

塗布性の改善に界面活性剤やレベリング剤を利用することは一般的であり、例えば、前述の特許文献３〜５には、ポリチオフェン系ポリマーと共にポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルを用いた具体例が記載されている。しかしこの場合、帯電防止層の耐アルカリ性が低下し、やはり製版用フィルム用途などでは、その現像処理過程で該帯電防止層は洗い流され、画像形成後に十分な導電性を保つことができなかった。すなわち、帯電防止層の塗布性と耐アルカリ性を両立することは極めて困難であった。

近年、タッチパネルの光透過性電極に用いられる光透過性導電材料の用途においては、従来のＩＴＯを用いた光透過性の導電性層に替わり、網目形状の金属パターンを有する導電性層を利用することが知られている。この金属パターンを有する光透過性導電性層を作製する方法として、例えばハロゲン化銀乳剤層を有する導電性材料前駆体に直接現像方式より金属パターンを形成する方法が特開２００４−２２１５６４号公報に開示され、特開２００３−０７７３５０号公報、特開２００７−１８８６５５号公報には、ハロゲン化銀乳剤層を有する導電性材料前駆体に銀塩拡散転写法を用いて金属パターンを形成する方法が開示されている。また特開２００７−２８７９９４号公報、特開２００７−２８７９５３号公報には、基材上に薄い触媒層を形成し、その上にレジストパターンを形成した後、めっき法によりレジスト開口部に金属層を積層し、最後にレジスト層及びレジスト層で保護された下地金属を除去することにより、金属パターンを形成するセミアディティブ方法が記載されている。

これらの方法においては、金属パターンを基材上に形成するため、あるいはレジストパターンを形成するため、アルカリ現像液による現像処理が行われる。そのため帯電防止層には十分な耐アルカリ性が必要であり、耐アルカリ性が十分でない場合、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏ−ＳｔａｔｉｃＤｉｓｃｈａｒｇｅの略語）によって引き起こされる物理的な電極破壊が生じる場合があり、アルカリ環境下に曝された後であっても、十分な導電性（帯電防止性）を維持することは極めて重要である。

特開２０１２−１７２０２４号公報 特開２０１０−１９６０２２号公報 特開２０００−０５２５２２号公報 特開２０１０−０２４４５７号公報 特開２００３−２４６８７４号公報

本発明の目的は、帯電防止層の塗布性が改善され、かつ耐アルカリ性に優れた積層体を提供することにある。

本発明の目的は以下の手段によって達成された。
１．基材上に、ポリチオフェン系ポリマーと、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩および／またはポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩を含有する帯電防止層を有する積層体。

本発明により、帯電防止層の塗布性が改善され、かつ耐アルカリ性に優れた積層体を提供することができる。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明の積層体が有する帯電防止層は、優れた光学特性や帯電防止性、および耐熱性等を得る観点からポリチオフェン系ポリマーを含有する。ポリチオフェン系ポリマーは、水溶性導電性ポリマーまたは水分散性導電性ポリマーとして使用することができる。ポリチオフェン系ポリマーとしては、例えば、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリプロピレンジオキシチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリシクロヘキシレンジオキシチオフェン等が挙げられる。

ポリチオフェン系ポリマーとして、水溶性導電性ポリマーや水分散性導電性ポリマーを用いた場合、帯電防止層を形成する際の塗布液（ポリマー組成物）を水溶液または水分散液として調製でき、塗布液に有機溶剤を用いる必要がない。そのため、有機溶剤による基材フィルム基材の変質や劣化を抑制することが可能となるため好ましい。水溶液または水分散液は、溶媒を水のみとするのが密着性の点から好ましいが、親水性溶媒を少量用いた場合には塗工における安定が増すことから含有してもよい。親水性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−アミルアルコール、イソアミルアルコール、ｓｅｃ−アミルアルコール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、１−エチル−１−プロパノール、２−メチル−１−ブタノール、ｎ−ヘキサノール、及びシクロヘキサノール等のアルコール類が挙げられる。水溶性または水分散性のポリチオフェンのポリスチレン換算による重量平均分子量は４０００００以下であることが好ましく、更に好ましくは３０００００以下である。

上記した水溶性導電性ポリマーの水溶性とは、水１００ｇに対する溶解度が５ｇ以上であることを意味し、より好ましい溶解度は２０〜３０ｇである。水分散性導電性ポリマーとは、ポリチオフェン系樹脂が微粒子状で水中に分散しているものであり、水分散液は液粘度が小さく薄膜塗工が容易であるばかりか、塗布層の均一性に優れている。ここで微粒子のサイズとしては１μｍ以下のものが帯電防止層の均一性という点で好ましい。

また、上記した水溶性または水分散性導電性ポリマーであるポリチオフェン系ポリマーは、分子中に親水性官能基を有することが好ましい。親水性官能基としては、例えばスルホ基、アミノ基、アミド基、イミノ基、四級アンモニウム塩基、ヒドロキシル基、メルカプト基、ヒドラジノ基、カルボキシル基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、またはそれらの塩などが挙げられる。分子内に親水性官能基を有することにより水に対する溶解度が向上したり、あるいは水中における分散安定性が向上するため、ポリチオフェン系ポリマーを含有する塗工液を容易に調製することができる。

上記したポリチオフェン系ポリマーとしては、例えばナガセケムテックス社よりデナトロンシリーズとして市販されており、これを入手し利用することができる。

本発明において、帯電防止層が含有するポリチオフェン系ポリマーの固形分量は、１〜６０ｍｇ／ｍ^２の範囲であることが好ましい。中でも、１５〜４５ｍｇ／ｍ^２であることが特に好ましい。

本発明において帯電防止層が含有するポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩としては、ポリオキシエチレンモノアルキルエーテルリン酸塩（ＲＯ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｍＰＯ（ＯＨ）ＯＭ^＋で表され、Ｒはアルキル基、ｍは正の数、及びＭ^＋はカチオンを表す）であっても、ポリオキシエチレンジアルキルエーテルリン酸塩（Ｒ^１Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｍＰＯ（Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎＲ^２）ＯＭ^＋で表され、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれアルキル基、ｍ及びｎはそれぞれ正の数、並びにＭ^＋はカチオンを表す）であってもよい。Ｒ及びＲ^１、Ｒ^２としては炭素数１２〜１８のものが好ましく、より好ましくは炭素数１２のものである。またｍ及びｎがそれぞれ４〜１０であるものが好ましい。カチオンについては特に制限はなく、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属イオンが挙げられる。

上記したポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンミスチリルエーテルリン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンセチルエーテルリン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンオレイルエーテルリン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸カリウム、ポリオキシエチレンミスチリルエーテルリン酸カリウム、ポリオキシエチレンセチルエーテルリン酸カリウム、ポリオキシエチレンオレイルエーテルリン酸カリウム等が挙げられる。

本発明において帯電防止層が含有するポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩は、Ｒ^４−Ｏ−（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）^ｍ２ＳＯ_３−Ｍ_１で表され、Ｒ^４はアルキルフェニル基、Ｍ_１はアルカリ金属イオン、第４級アンモニウム、第４級ホスホニウム、及びアルカノールアミンから選択されるいずれかを表す。ｍ２は整数を表す。中でもＲ^４のアルキルフェニル基が有する「アルキル」としては、炭素数６〜２０の直鎖または一部置換されたアルキルが好ましく、より好ましくは炭素数８〜１７の直鎖アルキルであり、特に炭素数が９の直鎖アルキルが好ましい。またＭ_１がアルカリ金属イオンであるものが好ましい。

上記したポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンラウリルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンラウリルフェニルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンステアリルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンステアリルフェニルエーテル硫酸アンモニウムなどが挙げられる。

本発明において、帯電防止層が上記したポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩を単独で含有する場合、あるいはポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩を単独で含有する場合、これらの好ましい固形分量は１〜２０ｍｇ／ｍ^２の範囲であり、５〜１５ｍｇ／ｍ^２であることがより好ましい。またポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩とポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩を共に含有する場合においても、好ましい含有量は同様である。なお併用する場合のポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩とポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩の比率は任意である。

本発明において、ポリチオフェン系ポリマーとポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩および／またはポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩の合計量は、帯電防止層の全固形分量に対して９５質量％以上であることが好ましく、より好ましくは９８質量％以上である。

本発明の積層体が有する基材としては、ガラスやフレキシブル性を有する樹脂フィルムが挙げられるが、取扱い性が優れている点で、フレキシブル性を有する樹脂フィルムが好ましい。本発明で使用される樹脂フィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ジアセテート樹脂、トリアセテート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂などが挙げられる。これら樹脂フィルムの厚さは、２０〜３００μｍであることが好ましい。また光透過性が必要な用途においては、本発明の積層体が有する基材の全光線透過率は８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８８％以上である。

上記した基材は易接着層を有していてもよい。この易接着層は、主に基材上に塗布する層の塗布性、および基材と塗膜との密着性を向上させることができる。易接着層としては、親水性バインダー、あるいは各種高分子ラテックスを含有する易接着層などが挙げられる。高分子ラテックスは水分散液を用い、易接着層は水系塗工により形成されることが望ましい。更に易接着層はシリカなどのマット剤、滑剤、顔料、染料、界面活性剤、紫外線吸収剤などを含有していてもよい。また基材は耐傷性を目的としたハードコート層（ＨＣ層）や、反射率低減を目的としたアンチリフレクション層（ＡＲ層）など公知の層を有していてもよい。

本発明において、基材上に帯電防止層を設ける方法としては、ポリチオフェン系ポリマーと、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩および／またはポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩を含有する塗布液を作製し、これをブレードコーター、エアーナイフコーター、ロールコーター、バーコーター、グラビアコーター、リバースコーター等の塗布手段を用いて、基材上に塗布すればよい。塗布後の乾燥方法については、直線トンネル乾燥機、アーチドライヤー、エアループドライヤー、サインカーブエアフロートドライヤー等の熱風乾燥機等を利用したものが挙げられ、適宜選択して利用することが可能である。

本発明により得られる帯電防止層は、優れた耐アルカリ性を有する。前述の通り、タッチパネルの光透過性電極に用いられる光透過性導電材料については、従来のＩＴＯを用いた光透過性の導電性層に替わり、網目形状の金属パターンを有する導電性層を利用することが知られている。基材上に金属パターンを有する導電性層を作製する方法としては、例えば、基材上に薄い触媒層を形成し、その上にレジストパターンを形成した後、めっき法によりレジスト開口部に金属層を積層し、最後にレジスト層及びレジスト層で保護された下地金属を除去することにより、金属パターンを形成するセミアディティブ方法が挙げられ、例えば特開２００７−２８７９９４号公報、特開２００７−２８７９５３号公報などに開示されている。これらの技術においてはレジスト層の剥離にアルカリ液が適用されるため、このような系において本発明はとりわけ有効に作用する。

また、基材上に金属パターンを有する導電性層を作製するその他の方法としては、ハロゲン化銀写真感光材料を導電性材料前駆体として用い、露光工程に引きつづき現像処理を行う方法が挙げられる。かかる導電性材料前駆体を利用する方法は、現像処理方式により、（１）銀塩拡散転写法に従う現像処理、（２）直接現像後に定着する現像処理、（３）硬化現像に従う現像処理、の３種に分類できる。例えば（１）の銀塩拡散転写法は、特開２００３−０７７３５０号公報、特開２００７−１８８６５５号公報等に記載されている。（２）の直接現像後に定着する方法は、例えば国際公開第２００１／５１２７６号パンフレット、及び特開２００４−２２１５６４号公報に記載される。（３）の硬化現像は、例えば特開２００７−０５９２７０号公報、特開２００７−０９５４０８号公報等に記載される。これら何れの方法においてもアルカリ性の現像液が利用されるため、このような系においてもまた、本発明はとりわけ有効に作用する。

以下、実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。

本発明の積層体を得るため、基材として、厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製ルミラーＵ３４、両側同一の易接着層あり、全光線透過率は９２％）を用いた。このポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面に、線数１１０本／インチ、深度７０μｍのグラビアパターンを有したグラビアロールを用い、基材の搬送速度５０ｍ／ｍｉｎで塗布液を塗布することで、基材上に下記組成の帯電防止層（ＡＳ−１〜ＡＳ−１４）を形成し、積層体１〜１４を得た。

＜帯電防止層組成＞１ｍ^２当たり
＜ＡＳ−１＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸ナトリウム １０ｍｇ

＜ＡＳ−２＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸カリウム １０ｍｇ

＜ＡＳ−３＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸ナトリウム ５ｍｇ
ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸カリウム ５ｍｇ

＜ＡＳ−４＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）

＜ＡＳ−５＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレントリデシルエーテル １０ｍｇ

＜ＡＳ−６＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル １０ｍｇ

＜ＡＳ−７＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレンラウリルエーテル １０ｍｇ

＜ＡＳ−８＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレントリデシルエーテルリン酸エステル
・モノエタノールアミン塩 １０ｍｇ

＜ＡＳ−９＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレンフェニルエーテル １０ｍｇ

＜ＡＳ−１０＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレンナフチルエーテル １０ｍｇ

＜ＡＳ−１１＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸アンモニウム液 １０ｍｇ

＜ＡＳ−１２＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸トリエタノールアミン １０ｍｇ

＜ＡＳ−１３＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム １０ｍｇ

＜ＡＳ−１４＞
デナトロンＰ−５０２ＲＧ （固形分として） ２８ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製 ポリチオフェン系ポリマー）
ポリオキシエチレンスルホコハク酸２ナトリウム １０ｍｇ

また、上記帯電防止層の塗工液については、他に溶媒として水とエチルアルコールを用いた。用いたポリチオフェン系ポリマーの濃度が約０．２５ｗｔ％となるように溶媒量を加え、エチルアルコールは、塗工液中の５ｗｔ％になるように調整した。

上記で得られた積層体１〜１４について、帯電防止層を有する側の面の表面抵抗値を測定した。表面抵抗値の測定には、ダイアインスツルメント（株）ハイレスタＵＰ ＭＣＰ−ＨＴ４５０型を用い、印加電圧は１００Ｖとし、２０℃１０％ＲＨの環境下において５ヶ所測定し、その平均値を求め、下記基準にて評価し、結果を表１に記載した（帯電防止性）。
○ ： １×１０^１０Ω／□未満の表面抵抗値が維持できている。
× ： 表面抵抗値が１×１０^１０Ω／□以上、あるいは測定不能。

得られた積層体１〜１４それぞれについて、３０×３０ｃｍ角に無作為に各々１０箇所を採取し、帯電防止層における塗布欠陥を数えて、下記３段階の基準に従って判定を行い、表１に記載した（帯電防止層の塗布欠陥）。なお、塗布欠陥の種類としては、ほぼ全てがハジキであった。
○ ： 塗布欠陥なし
△ ： 塗布欠陥総数＝１〜２個
× ： 塗布欠陥総数＝３個以上

次に、上記で得た積層体１〜１４を用いて光透過性導電材料を作製した。まず光透過性導電材料前駆体を得るために、該積層体１〜１４が有する帯電防止層上に下記組成のアンチハレーション層を塗設した。

＜アンチハレーション層組成＞１ｍ^２当たり
ゼラチン ２ｇ
ロンヂスＫ−２５ ０．１ｇ
（荒川化学工業（株）製 不均化ロジンカリウム塩）
不定形シリカマット剤（平均粒径５μｍ） ２０ｍｇ
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸ナトリウム ４００ｍｇ
染料１ ２００ｍｇ

次に、アンチハレーション層を有する面とは反対側の基材上に、次のようにして調製された硫化パラジウムゾルを用いた下記組成の物理現像核層を塗布した。

＜硫化パラジウムゾルの調製＞
Ａ液 塩化パラジウム ５ｇ
塩酸 ４０ｍｌ
蒸留水 １０００ｍｌ
Ｂ液 硫化ソーダ ８．６ｇ
蒸留水 １０００ｍｌ
Ａ液とＢ液を撹拌しながら混合し、３０分後にイオン交換樹脂の充填されたカラムに通し硫化パラジウムゾルを得た。

＜物理現像核層組成＞１ｍ^２当たり
前記硫化パラジウムゾル ０．４ｍｇ
グリオキザール ０．００４ｍｇ
ポリオキシエチレンソルビタンモノオレート ３ｍｇ
デナコールＥＸ−８３０ １０ｍｇ
（ナガセケムテックス（株）製ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル）
エポミンＳＰ−２００ ０．０２ｇ
（日本触媒（株）製ポリエチレンイミン；平均分子量１０，０００）

次に、物理現像核層の塗布に続いて、下記組成の中間層、ハロゲン化銀乳剤層、および保護層をスライドコーターを用いて、中間層を最下層、保護層を最上層になるよう同時に積層塗布することにより、光透過性導電材料前駆体１〜１４を得た。ハロゲン化銀乳剤は、写真用ハロゲン化銀乳剤の一般的な製造方法であるダブルジェット混合法を用いて製造した。このハロゲン化銀乳剤は、塩化銀９５モル％と臭化銀５モル％で、平均粒径が０．１５μｍになるように調製した。このようにして得られたハロゲン化銀乳剤を定法に従い、チオ硫酸ナトリウムと塩化金酸を用いて金イオウ増感を施した。こうして得られたハロゲン化銀乳剤は銀１ｇあたり０．３ｇのゼラチンを含む。

＜中間層組成＞１ｍ^２当たり
シーピーガムＦＡ（大日本製薬（株）製） ０．０３ｇ
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸ナトリウム １０ｍｇ

＜ハロゲン化銀乳剤層組成＞１ｍ^２当たり
ゼラチン ０．２ｇ
ハロゲン化銀乳剤 ３．８ｇ銀相当
１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール １０ｍｇ
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸ナトリウム ２０ｍｇ

＜保護層組成＞１ｍ^２当たり
ゼラチン １ｇ
不定形シリカマット剤（平均粒径３．５μｍ） １５ｍｇ
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸ナトリウム １０ｍｇ

このようにして得られた光透過性導電材料前駆体１〜１４について、以下の方法で露光、現像処理を行うことにより光透過性導電材料を得た。

＜露光＞
水銀灯を光源とする密着プリンターで４００ｎｍ以下の光をカットする樹脂フィルターを介し、細線幅７μｍで格子間隔３００μｍのメッシュ状パターンの透過原稿を密着させて露光した。

＜現像＞
下記組成のアルカリ処理液により２０℃９０秒の浸漬処理を行った後、３５℃温水シャワーで水洗、乾燥を行った。なお、この浸漬、水洗処理によって、金属パターン（銀パターン）が基材の一方の面上に露出し、また帯電防止層上のアンチハレーション層は除去された。

＜アルカリ処理液組成＞
水酸化カリウム ２５ｇ
ハイドロキノン １８ｇ
１−フェニル−３−ピラゾリドン ２ｇ
亜硫酸カリウム １００ｇ
Ｎ−メチルエタノールアミン １５ｇ
臭化カリウム ０．２ｇ
全量を水で１０００ｍｌ
ｐＨ＝１２．２に調整

このようにして得られた光透過性導電材料の、金属パターンを有する側の面とは反対側の面の表面抵抗値を、先の表面抵抗値１と同様にして測定し、下記基準にて評価した。この結果を表１に記載した（耐アルカリ性）。
○ ： １×１０^１０Ω／□未満の表面抵抗値が維持できている。
△ ： １×１０^１０Ω／□以上であったが、表面抵抗値の測定は可能。
× ： 表面抵抗値の測定ができなかった。

表１の結果から明らかなように、本発明により帯電防止層の塗布性が改善され、かつ耐アルカリ性に優れた積層体が得られることが判る。

Claims (1)

1. 基材上に、ポリチオフェン系ポリマーと、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩および／またはポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩を含有する帯電防止層を有する積層体。