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JP2016119489A - 複合基板の製造方法 - Google Patents

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JP2016119489A JP2016022970A JP2016022970A JP2016119489A JP 2016119489 A JP2016119489 A JP 2016119489A JP 2016022970 A JP2016022970 A JP 2016022970A JP 2016022970 A JP2016022970 A JP 2016022970A JP 2016119489 A JP2016119489 A JP 2016119489A
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Tomoyoshi Oi
知義 多井
裕二 堀
Yuji Hori
裕二 堀
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Abstract

【課題】１３族窒化物からなる第１の基板と、セラミックスからなる第２の基板とを貼り合わせた複合基板につき、放熱性をよくすると共に製造時の製造時のプロセスを簡単にする。【解決手段】セラミックスからなる第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３を形成し（ｃ）、この金属膜２３を介して１３族窒化物からなる第１の基板２１と第２の基板１２とを接合する（ｄ）。金属膜２３は一般に酸化膜と比べて熱伝導率が高いため、こうすることで酸化膜を介して第１の基板２１と第２の基板１２とを接合した場合と比べて放熱性のよい複合基板１０を得ることができる。また、酸化膜を用いないため外方拡散の工程が不要となり、プロセスが簡単になる。【選択図】図２

Description

本発明は、複合基板及び複合基板の製造方法に関する。
従来、青色ＬＥＤ，白色ＬＥＤ，青紫色半導体レーザー及びパワー半導体などの半導体デバイスの製作に、窒化ガリウムなどの１３族窒化物からなる基板と下地基板とを貼り合わせた複合基板が用いられている。例えば特許文献１には、このような複合基板の製造方法として、窒化ガリウム基板と下地基板とを酸化膜を介して貼り合わせることが記載されている。具体的には、まず、窒化ガリウム基板と、サファイヤ，炭化珪素，アルミナ等からなる下地基板とを用意する。次に、窒化ガリウム基板には水素イオンを注入してイオン注入層を形成し、下地基板には表面に酸化膜を形成する。続いて、窒化ガリウム基板の裏面と酸化膜の表面とを研磨した上で酸化膜を介して両基板を貼り合わせる。そして、イオン注入層で窒化ガリウム基板を剥離して複合基板としている。このように酸化膜を研磨し、この酸化膜を介して基板を貼り合わせることで、十分な接着力が得られるとしている。
なお、特許文献１における複合基板の製造方法では、イオン注入層を形成して窒化ガリウム基板を剥離することにより、複合基板に残った方の窒化ガリウム基板を所望の厚さとしている。この理由は、剥離した方の窒化ガリウムも別の複合基板の製造に用いることができ、研磨により所望の厚さとする場合と比べて高価な窒化ガリウムを無駄なく利用できるためである。このようなイオン注入による基板の剥離については、特許文献２や非特許文献１にも記載されている。特に特許文献２には、イオン注入でイオンが通過することにより低下した窒化ガリウム基板の結晶性を回復する方法が記載されている。具体的には、窒素含有ガスの雰囲気下で７００℃以上でアニールすることによって結晶性を回復できるとしている。
また、特許文献１に記載された複合基板の製造方法には、酸化膜を介して窒化ガリウム基板と下地基板とを貼り合わせた後、非酸化性雰囲気で９００℃以上に加熱することで、酸化膜を外方拡散させて薄くすることが記載されている。これにより、酸化膜の熱伝導率が低いことによる複合基板の放熱性への悪影響を最小限にできるとしている。
特開２００７−２２７４１５号公報 特開２０１０−０４５０９８号公報
Transfers of 2-inch GaN films onto sapphire substrates usingSmart Cut technology ELECTRONICS LETTERS 26th ，May 2005，Vol. 41、No.11
しかしながら、特許文献１に記載の複合基板では、外方拡散により酸化膜を薄くしたとしても、酸化膜に起因する放熱性の悪化を完全になくすことはできないという問題があった。また、酸化膜を薄くするために外方拡散させる工程が必要であり、プロセスが複雑になるという問題もあった。
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、１３族窒化物からなる第１の基板と、セラミックスからなる第２の基板とを貼り合わせた複合基板につき、放熱性をよくすると共に製造時のプロセスを簡単にすることを主目的とする。
本発明は、上述の目的を達成するために以下の手段を採った。
本発明の複合基板の製造方法は、
（ａ）１３族窒化物からなる第１の基板と、セラミックスからなる第２の基板とを用意する工程と、
（ｂ）前記第１の基板の裏面に水素イオン又は希ガスイオンを注入して該第１の基板内部にイオン注入層を形成する工程と
（ｃ）前記第１の基板の裏面と前記第２の基板の表面とのうち、少なくとも該第２の基板の表面に物理蒸着法又は化学蒸着法により金属膜を形成する工程と、
（ｄ）前記第１の基板の裏面と前記第２の基板の表面とを前記金属膜を介して接合する工程と、
（ｅ）前記第１の基板のうち前記イオン注入層から該第１の基板の表面側を剥離する工程と、
を含むものである。
本発明の複合基板の製造方法では、１３族窒化物からなる第１の基板の裏面とセラミックスからなる第２の基板の表面とのうち、少なくとも第２の基板の表面に金属膜を物理蒸着法又は化学蒸着法により形成する。そして、この金属膜を介して第１の基板と第２の基板とを接合する。金属膜は一般に酸化膜と比べて熱伝導率が高いため、こうすることで酸化膜を介して接合した場合と比べて放熱性のよい複合基板を得ることができる。また、酸化膜を用いないため外方拡散の工程が不要となる。以上により、１３族窒化物からなる第１の基板と、セラミックスからなる第２の基板とを貼り合わせた複合基板につき、放熱性をよくすると共に製造時のプロセスを簡単にすることができる。なお、工程（ｃ）で第２の基板の表面にのみ金属膜を形成する場合には、工程（ｄ）において第１の基板の裏面と金属膜の表面とを鏡面研磨した上で接合を行うことが好ましい。同様に、工程（ｃ）で第１の基板の裏面と第２の基板の表面とに共に金属膜を形成する場合には、工程（ｄ）において第１の基板に形成された金属膜の表面と第２の基板に形成された金属膜の表面を鏡面研磨した上で接合を行うことが好ましい。このように接合する面を両面とも予め鏡面研磨することで、接合の接着力を高めることができる。
本発明の複合基板の製造方法において、前記金属膜は、モリブデン，タングステン，銅，金，タンタル，クロム，鉄，ニッケル，白金のいずれか１以上からなるものとしてもよい。また、前記第１の基板は、窒化ガリウムとしてもよい。さらに、前記第２の基板は、窒化アルミニウム又は炭化珪素としてもよい。第１の基板を窒化ガリウムとし、第２の基板を窒化アルミニウム又は炭化珪素とすると、両者の熱膨張係数が近いため、熱処理時の複合基板の反りやクラックの発生を防止できる。
本発明の複合基板は、
１３族窒化物からなる第１の基板と、
セラミックスからなる第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する金属膜と、
を備えたものである。
本発明の複合基板は、上述した本発明の複合基板の製造方法によって得られるようになったものである。この複合基板では、金属膜を介して第１の基板と第２の基板とが接合されているため、酸化膜を介して接合された複合基板と比べて放熱性がよく、製造時のプロセスが簡単なものとなっている。
本発明の複合基板において、前記金属膜は、モリブデン，タングステン，銅，金，タンタル，クロム，鉄，ニッケル，白金のいずれか１以上からなるものとしてもよい。また、前記第１の基板は、窒化ガリウムとしてもよい。さらに、前記第２の基板は、窒化アルミニウム又は炭化珪素としてもよい。第１の基板を窒化ガリウムとし、第２の基板を窒化アルミニウム又は炭化珪素とすると、両者の熱膨張係数が近いため、熱処理時の複合基板の反りやクラックの発生を防止できる。
複合基板１０を模式的に示す断面図である。 複合基板１０の製造プロセスを模式的に示す断面図である。 変形例の工程（ｃ）の様子を模式的に示す断面図である。
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態の複合基板１０を模式的に示す断面図である。この複合基板１０は、第１の基板１１と、第２の基板１２と、第１の基板１１と第２の基板１２とを接着する金属膜１３とから構成されている。
第１の基板１１は、１３族窒化物からなる基板であり、例えば窒化ガリウムからなるものである。この第１の基板１１の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０〜１００ｍｍ、厚さが０．１〜３μｍである。第１の基板１１の表面１１ａの表面粗さは、表面上に半導体デバイスを作製できるよう、例えば算術平均粗さＲａが０．１〜３ｎｍであることが好ましい。
第２の基板１２は、金属膜１３を介して第１の基板１１に接合された、セラミックスからなる基板である。この第２の基板１２は、複合基板１０のハンドリングをしやすくするためや第１の基板１１を保護するための下地基板として機能する。セラミックスの材質としては、ヤング率が１５０ＧＰａ以上であるものが好ましい。また、放熱性が向上するため熱伝導率の高いもの（例えば１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上）が好ましい。具体的な材質としては、特に限定するものではないが、窒化アルミニウム，炭化珪素，窒化珪素などが挙げられる。さらに、熱処理時の複合基板１０の反りやクラックの発生を防止できるため、熱膨張係数が第１の基板１１に近いものが好ましい。例えば、第１の基板１１が窒化ガリウムである場合には、第２の基板１２を窒化アルミニウム又は炭化珪素からなるものとすることが好ましい。この第２の基板１２の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０〜１００ｍｍ、厚さが３００〜５００μｍである。
金属膜１３は、第１の基板１１の裏面１１ｂと第２の基板１２の表面１２ａとを接着するものである。金属膜１３の材質としては、放熱性が向上するため熱伝導率の高いもの（例えば５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上）が好ましい。熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材質が更に好ましい。また、後述する複合基板１０の製造工程において鏡面研磨が可能であること（例えば、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで研磨可能であること）が好ましい。さらに、後述する複合基板１０の製造工程や後の半導体製造工程に耐えうるよう、耐熱温度が１０００℃以上であることが好ましい。特に限定するものではないが、これらの条件を満たす金属膜１３の材質としてはモリブデン，タングステン，銅，金，タンタル，クロム，鉄，ニッケル，白金が挙げられる。なお、第１の基板１１が窒化ガリウムである場合には、第１の基板１１と金属膜１３との熱膨張係数が近くなるため、上記の金属膜１３の材質の中では金とクロム以外が特に好ましい。金属膜１３の厚さは、特に限定するものではないが、例えば０．０１〜２μｍである。金属膜１３の厚さは０．１〜２μｍとしてもよい。また、金属膜１３はモリブデン，タングステン，銅，金，タンタル，クロム，鉄，ニッケル，白金のいずれか１以上からなるものとしてもよい。例えば、金属膜１３が異なる材質の層を複数重ねてなるものであり、各層がそれぞれモリブデン，タングステン，銅，金，タンタル，クロム，鉄，ニッケル，白金のいずれかからなるものとしてもよい。例えば、金属膜１３がクロムの下地層とその上に形成された金の層とからなるものとしてもよい。
複合基板１０は、青色ＬＥＤ，白色ＬＥＤ，青紫色半導体レーザー及びパワー半導体などの半導体デバイスに用いるものとしてもよい。例えば、照明用のＬＥＤデバイスは以下のように作成することができる。まず、この複合基板１０の第１の基板１１の表面１１ａ上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学堆積）法やＭＢＥ（分子線エピタキシャル）法により１３族窒化物半導体のエピタキシャル層を形成すると共に蒸着法により電極を形成して多数のＬＥＤチップの集合体であるＬＥＤウエハーとする。そして、このＬＥＤウエハーをダイシングにより１つ１つに切り出すことでＬＥＤチップが得られる。このＬＥＤチップを基板に接着し、発光のための配線をワイヤーボンディングにより形成した後、樹脂により封入することで、照明用ＬＥＤデバイスを得ることができる。
次に、こうした複合基板１０の製造方法について、図２を用いて以下に説明する。図２は、複合基板１０の製造工程を模式的に示す断面図である。複合基板１０の製造方法は、（ａ）１３族窒化物からなる第１の基板２１と、セラミックスからなる第２の基板１２とを用意する工程と、（ｂ）第１の基板２１の裏面２１ｂに水素イオン又は希ガスイオンを注入して第１の基板２１内部にイオン注入層２１ｃを形成する工程と、（ｃ）第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３を形成する工程と、（ｄ）第１の基板２１の裏面２１ｂと第２の基板１２の表面１２ａとを金属膜２３を介して接合する工程と、（ｅ）第１の基板２１のうちイオン注入層２１ｃから第１の基板２１の表面２１ａ側を剥離する工程と、を含む。
工程（ａ）では、第１の基板１１となる第１の基板２１と第２の基板１２とを用意する（図２（ａ））。第１の基板２１は、直径が第１の基板１１と同じであり、厚さが第１の基板１１以上のものを用いることができる。特に限定するものではないが、第１の基板２１の厚さは例えば３００〜５００μｍとすることができる。第１の基板２１の厚さは３００〜３５０μｍとしてもよい。
工程（ｂ）では、第１の基板２１の裏面２１ｂに水素イオン又は希ガスイオンを注入して、第１の基板２１内部にイオン注入層２１ｃを形成する（図２（ｂ））。イオン注入層２１ｃの裏面２１ｂからの深さｄは、図１の第１の基板１１の厚さに応じた値であり、例えば０．１〜３μｍである。このようなイオン注入層を形成するためのイオン注入の条件としては、特に限定するものではないが、例えば第１の基板２１の温度を１５０℃とし、注入エネルギーを６０ｋｅＶ、ドーズ量を1×1016〜1×1018ａｔｏｍｓ／ｃｍ2とすれば
よい。
工程（ｃ）では、第２の基板１２の表面１２ａに金属膜１３となる金属膜２３を形成する（図２（ｃ））。金属膜２３としては、上述した材質のものを用いることができる。形成する金属膜２３の厚さは、特に限定するものではないが、例えば０．０１〜２μｍである。金属膜２３の厚さは０．１〜２μｍとしてもよい。金属膜２３の形成は、例えばスパッタリングや真空蒸着等の物理蒸着法のほか、プラズマＣＶＤなどの化学蒸着法を用いることができる。
工程（ｄ）では、第１の基板２１の裏面２１ｂと第２の基板１２の表面１２ａとを金属膜２３を介して接合する（図２（ｄ））。この接合は、樹脂製の接着剤を用いずに直接接合するものであればどのような方法で行ってもよい。例えば、常温，真空中で貼り合わせ面にアルゴンビームを照射し、その後に貼り合わせ面を接触させ荷重をかけて接合する方法や、貼り合わせ面にプラズマを照射して大気中で接合した後に加熱する方法により行うことができる。なお、この接合を行う前に、貼り合わせ面である第１の基板２１の裏面２１ｂと金属膜２３の表面とを鏡面研磨しておく。鏡面研磨は、例えば算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下となるように行うことが好ましい。このような研磨は、例えばコロイダルシリカを含んだスラリーやナノダイヤスラリーを用いて行うことができる。こうすることにより、工程（ｄ）の接合で十分な接着力が得られる。ここで、第２の基板１２にセラミックスを用いる場合、第２の基板１２を研磨しても表面１２ａの算術平均粗さＲａが十分小さくならず、第１の基板２１と第２の基板１２とを直接貼り合わせた場合に十分な接着力が得られない場合がある。このような場合でも、第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３を形成してこの金属膜２３を鏡面研磨することで、工程（ｄ）の接合で十分な接着力を得ることができる。
工程（ｅ）では、第１の基板２１のうちイオン注入層２１ｃ（図２（ｄ）参照）から第１の基板２１の表面２１ａ側を剥離する（図２（ｅ））。この剥離は、イオン注入層２１ｃに機械的な衝撃を加えるか、又は加熱することにより引き起こすことができる。機械的な衝撃を加える方法としては、例えば、ガスや液体等の流体ジェットを第１の基板２１の側面から吹き付ける方法や、第１の基板２１の側面からイオン注入層２１ｃに楔を打ち込む方法が挙げられる。第１の基板２１のうちイオン注入層２１ｃから第１の基板２１の表面２１ａ側が剥離することで、第１の基板２１のうち剥離しなかった部分が図１における第１の基板１１となり、第１の基板１１の厚さを所望の値とすることができる。この工程（ｅ）により、図１に示した複合基板１０が得られる。なお、第１の基板１１の表面１１ａ上に半導体デバイスを作製できるよう、表面１１ａの表面粗さが例えば算術平均粗さＲａで０．１〜３ｎｍとなるまで鏡面研磨する工程をさらに行ってもよい。
以上説明した本実施形態の複合基板１０の製造方法によれば、工程（ｃ）でセラミックスからなる第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３を形成する。そして、工程（ｄ）でこの金属膜２３を介して１３族窒化物からなる第１の基板２１と第２の基板１２とを接合する。金属膜２３は一般に酸化膜と比べて熱伝導率が高いため、こうすることで酸化膜を介して第１の基板２１と第２の基板１２とを接合した場合と比べて放熱性のよい複合基板１０を得ることができる。また、酸化膜を用いないため外方拡散の工程が不要となり、製造時のプロセスが簡単になる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施しうることは言うまでもない。
例えば、本実施形態において、工程（ｃ）では、第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３を形成するものとしたが、第１の基板２１の裏面２１ｂにも金属膜を形成するものとしてもよい。この場合の変形例の工程（ｃ）の様子を図３に示す。図示するように、この工程（ｃ）では、第１の基板２１の裏面２１ｂに金属膜２３ａを形成し、第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３ｂを形成する。金属膜２３ａ，２３ｂの形成は上述した本実施形態の工程（ｃ）における金属膜２３の形成と同様にして行うことができる。また、金属膜２３ａ，２３ｂの厚さは、両者の合計厚さが金属膜２３と同様に例えば０．０１〜５μｍとなるようにすればよい。両者の合計厚さは０．１〜５μｍとなるようにしてもよい。なお、この変形例の工程（ｃ）で金属膜２３ａ，２３ｂを形成した場合には、工程（ｄ）での接合時には、金属膜２３ａと金属膜２３ｂとを貼り合わせることになる。このため、上述した工程（ｄ）における接合方法の他に、金属同士の原子拡散を利用して接合する方法を用いることもできる。なお、金属膜２３ａと金属膜２３ｂとは同じ材質であってもよいし異なる材質であってもよい。また、この変形例の工程（ｃ）により金属膜２３ａ，２３ｂを形成した場合には、工程（ｄ）では金属膜２３ａ，２３ｂの表面を共に鏡面研磨してから接合を行うことが好ましい。これにより、第１の基板２１が第２の基板１２と同様に、工程（ｄ）による接合で十分な接着力を得るための算術平均粗さＲａを得ることができないような材質の場合でも、鏡面研磨した金属膜２３ａ，２３ｂを介して第１の基板２１と第２の基板１２とを接合することで十分な接着力が得られる。
［実施例１］
実施例１として、図２を用いて説明した製造方法により図１の複合基板１０を作成した。まず、工程（ａ）として、直径が２インチ，厚さが３５０μｍの窒化ガリウムからなる第１の基板２１と、直径が２インチ，厚さが５００μｍの窒化アルミニウム製のセラミックスからなる第２の基板１２と、を用意した。
次に、工程（ｂ）として、第１の基板２１の裏面２１ｂに水素イオンを注入した。具体的には、イオン注入層２１ｃを形成する深さｄが値０．５μｍとなるように、注入エネルギーが６０ｋｅＶ，ドーズ量が３×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2の注入条件で水素イオンを注入した。
続いて、工程（ｃ）として、第２の基板１２の表面１２ａにモリブデンからなる金属膜２３を形成した。具体的には、平行平板ＲＦスパッタリング装置を用いて、成膜開始真空度１．８×１０-4Ｐａ，ガス（Ａｒ）圧０．３Ｐａ，ガス流量８０ｓｃｃｍの条件で２時間成膜を行った。これにより、金属膜２３の膜厚は１μｍとなった。なお、金属膜２３の表面の１０μｍ四方の測定範囲における算術平均粗さＲａは１５ｎｍであった。
工程（ｄ）では、まず、第１の基板２１の裏面２１ｂの研磨を行った。具体的には、粗研磨として粒径０．５μｍのダイヤモンド砥粒を含んだスラリーと金属定盤とを用いて第１の基板２１の裏面２１ｂの研磨を５時間行った。ＡＦＭ（Atomic Force Microscope：原子間力顕微鏡）により裏面２１ｂの表面粗さを測定したところ、この粗研磨により２０μｍ四方の測定範囲における算術平均粗さＲａが２．７ｎｍから２．０ｎｍまで改善された。続いて、粗研磨後の裏面２１ｂに残った深さ２〜３μｍのスクラッチを除去するため、精密研磨としてＣＭＰ研磨を行った。ＣＭＰ研磨は、コロイダルシリカを含んだスラリーとポリウレタン製のパッドとを用いて２４時間行った。これにより、裏面２１ｂのスクラッチは完全になくなり、１０μｍ四方の測定範囲における算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下になった。
続いて、金属膜２３の表面を鏡面研磨した。具体的には、コロイダルシリカを含んだスラリーとポリウレタンパッドを用いてＣＭＰ研磨を１時間行った。これにより、金属膜２３の表面の１０μｍ四方の測定範囲における算術平均粗さＲａは１ｎｍ未満になった。
次に、第１の基板２１の裏面２１ｂと第２の基板１２の表面１２ａとを金属膜２３を介して接合した。具体的には、まず、真空チャンバー内に第１の基板２１と第２の基板１２とを挿入し、第１の基板２１の裏面２１ｂと第２の基板１２に形成された金属膜２３の表面とにアルゴンビームを３分間照射した。そして、照射した両面を接触させて常温で１トンの荷重をかけて接合した。
工程（ｅ）では、工程（ｄ）で接合した基板を加熱炉に入れ７００℃まで加熱した。これにより、イオン注入層２１ｃから第１の基板２１の表面２１ａ側が剥離した。剥離せず第２の基板１２側に残った第１の基板１１の厚さは０．５μｍであった。以上により、図１に示した実施例１の複合基板１０を得た。
こうして得られた実施例１の複合基板１０は、第１の基板１１と第２の基板１２とが、モリブデンからなる金属膜１３により接合されている。一方、例えば上述した特許文献１に記載の複合基板においては、二酸化珪素や酸化アルミニウムなどの酸化膜により接合されている。ここで、モリブデンの熱伝導率は１５０Ｗ／ｍ・Ｋであり、二酸化珪素及び酸化アルミニウムの熱伝導率はそれぞれ１０Ｗ／ｍ・Ｋ，２０〜４０Ｗ／ｍ・Ｋである。これにより、実施例１の複合基板１０を用いて作成した半導体デバイスでは、酸化膜で接合した複合基板と比べて、第１の基板２１の放熱性が向上することがわかる。
[実施例２]
実施例２として、図３を用いて説明した変形例の工程（ｃ）を含む製造方法により図１の複合基板１０を作成した。まず、工程（ａ）として、直径が２インチ，厚さが４００μｍの窒化ガリウムからなる第１の基板２１と、直径が２インチ，厚さが４００μｍの窒化アルミニウム製のセラミックスからなる第２の基板１２と、を用意した。
次に、工程（ｂ）として、第１の基板２１の裏面２１ｂに水素イオンを注入した。具体的には、イオン注入層２１ｃを形成する深さｄが値１．５μｍとなるように、注入エネルギーが２４０ｋｅＶ，ドーズ量が３×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2の注入条件で水素イオンを注入した。
次に、工程（ｃ）として、まず、第１の基板２１の裏面２１ｂの研磨を行った。具体的には、粗研磨として粒径０．５μｍのダイヤモンド砥粒を含んだスラリーと金属定盤とを用いて第１の基板２１の裏面２１ｂの研磨を５時間行った。ＡＦＭにより裏面２１ｂの表面粗さを測定したところ、この粗研磨により２０μｍ四方の測定範囲における算術平均粗さＲａが２．７ｎｍから２．０ｎｍまで改善された。続いて、粗研磨後の裏面２１ｂに残った深さ２〜３μｍのスクラッチを除去するため、精密研磨としてＣＭＰ研磨を行った。ＣＭＰ研磨は、コロイダルシリカを含んだスラリーとポリウレタン製のパッドとを用いて２４時間行った。これにより、裏面２１ｂのスクラッチは完全になくなり、１０μｍ四方の測定範囲における算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下になった。続いて、第２の基板１２の表面１２ａの研磨を行った。具体的には、コロイダルシリカを含んだスラリーとポリウレタン製のパッドを用いて、5時間行った。これにより、１０μｍ四方の測定範囲における算術平均粗さＲａが２．３ｎｍになった。
続いて、第１の基板２１の裏面２１ａ、第２の基板１２の表面１２ａに、クロムを下地としその上に金を形成した金及びクロムからなる金属膜２３ａ，２３ｂを形成した。具体的には、平行平板ＲＦスパッタリング装置を用いて、成膜開始真空度１．５×１０-5Ｐａ，ガス（Ａｒ）圧０．５Ｐａ，ガス（Ａｒ）流量２０ｓｃｃｍ、基板加熱１５０℃の条件で成膜を行った。成膜チャンバー内のウェハー搬送速度をクロム成膜時は１４０００ｐｐｓ、金成膜時は３６００ｐｐｓ、搬送回数をクロム成膜時は１回、金成膜時は３回とすることにより、金属膜２３ａ，２３ｂのそれぞれについて、金の膜厚は１５０nm、クロムの膜厚は３nmとなった。金の下地にクロムを使用する理由は、金とウェハーの密着力を強くするためである。なお、金属膜２３ａ，２３ｂ表面の１０μｍ四方の測定範囲における算術平均粗さＲａは３ｎｍであった。
次に、工程（ｄ）として、第１の基板２１の裏面２１ｂと第２の基板１２の表面１２ａとを金属膜２３ａ，２３ｂを介して接合した。具体的には、まず、真空チャンバー内に第１の基板２１と第２の基板１２とを挿入し、第１の基板２１の裏面２１ｂに形成された金属膜２３ａの表面と第２の基板１２の表面１２ａに形成された金属膜２３ｂの表面とにアルゴンビームを３分間照射した。そして、照射した両面を接触させて常温で２トンの荷重をかけて接合した。
工程（ｅ）では、工程（ｄ）で接合した基板を加熱炉に入れ７００℃まで加熱した。これにより、イオン注入層２１ｃから第１の基板２１の表面２１ａ側が剥離した。剥離せず第２の基板１２側に残った第１の基板１１の厚さは１．５μｍであった。以上により、図１に示した実施例２の複合基板１０を得た。
［比較例１］
比較例１として、金属膜２３を形成せずに第１の基板２１と第２の基板１２とを直接接合した複合基板を作成した。具体的には、まず、実施例１と同様の工程（ａ），（ｂ）を行った。
続いて、実施例１の工程（ｃ）は行わず、工程（ｄ）として、第２の基板１２の表面１２ａの研磨を行った。しかし、研磨により第２の基板１２の結晶の脱粒が発生し、粒界段差を小さくすることはできなかった。そのため、第２の基板１２の表面１２ａの１０μｍ四方の測定範囲における算術平均粗さＲａは、研磨により１３．２ｎｍから２ｎｍまで改善されたが、これ以上算術平均粗さＲａを改善することはできなかった。次に、第１の基板２１の裏面２１ｂと第２の基板１２の表面１２ａとにアルゴンビームを照射し、照射した両面を接触させて荷重をかけることで、第１の基板２１と第２の基板１２とを直接接合した。そして、工程（ｅ）と同様にしてイオン注入層２１ｃから第１の基板２１の表面２１ａ側を剥離させた。これにより、比較例１の複合基板を得た。
［接着状態の観察］
実施例１，２及び比較例１の複合基板について、第１の基板１１と第２の基板１２との接着状態を肉眼で観察した。その結果、比較例１の複合基板では、外周付近で第１の基板１１と第２の基板１２とが未接着の部分が確認できた。一方、実施例１，２の複合基板１０では、そのような未接着の部分は確認されなかった。これにより、実施例１の複合基板１０は、第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３を形成しこれを鏡面研磨してから第１の基板２１と接着することで、比較例１と比べて接着状態が良好なものとなることが確認できた。また、実施例２の複合基板１０は、第１の基板２１の裏面２１ｂに金属膜２３ａを形成するとともに第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３ｂを形成し、金属膜２３ａ，２３ｂの表面を鏡面研磨してから金属膜２３ａ，２３ｂを接着することで、比較例１と比べて接着状態が良好なものとなることが確認できた。
１０ 複合基板、１１，２１ 第１の基板、１１ａ，２１ａ 表面、２１ｃ イオン注入層、１１ｂ，２１ｂ 裏面、１２ 第２の基板、１２ａ 表面、１３，２３，２３ａ，２３ｂ 金属膜。

Claims (8)

  1. （ａ）１３族窒化物からなる第１の基板と、セラミックスからなる第２の基板とを用意する工程と、
    （ｂ）前記第１の基板の裏面に水素イオン又は希ガスイオンを注入して該第１の基板内部にイオン注入層を形成する工程と
    （ｃ）前記第１の基板の裏面と前記第２の基板の表面とのうち、少なくとも該第２の基板の表面に物理蒸着法又は化学蒸着法により金属膜を形成する工程と、
    （ｄ）前記第１の基板の裏面と前記第２の基板の表面とを前記金属膜を介して接合する工程と、
    （ｅ）前記第１の基板のうち前記イオン注入層から該第１の基板の表面側を剥離する工程と、
    を含む、
    複合基板の製造方法。
  2. 前記金属膜は、モリブデン，タングステン，銅，金，タンタル，クロム，鉄，ニッケル，白金のいずれか１以上からなる、
    請求項１に記載の複合基板の製造方法。
  3. 前記第１の基板は、窒化ガリウムである、
    請求項１又は２に記載の複合基板の製造方法。
  4. 前記第２の基板は、窒化アルミニウム又は炭化珪素である、
    請求項３に記載の複合基板の製造方法。
  5. １３族窒化物からなる第１の基板と、
    セラミックスからなる第２の基板と、
    前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する金属膜と、
    を備えた複合基板。
  6. 前記金属膜は、モリブデン，タングステン，銅，金，タンタル，クロム，鉄，ニッケル，白金のいずれか１以上からなる、
    請求項５に記載の複合基板。
  7. 前記第１の基板は、窒化ガリウムである、
    請求項５又は６に記載の複合基板。
  8. 前記第２の基板は、窒化アルミニウム又は炭化珪素である、
    請求項７に記載の複合基板。
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