JP2016114798A - 光偏向器及び光偏向器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ミラーが共振駆動する共振周波数を、ミラーの偏心を抑制して簡単に調整することができる光偏向器を提供する。【解決手段】光偏向器1は、フレーム2、ミラー3、共振周波数調整リブ4、アーム6~9、トーションバー10〜13及び駆動部14を備える。アーム6~9は一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー10〜13の一端側に接続されている。トーションバー10〜13は他端側がミラー3に接続されている。駆動部14はミラー3を共振駆動させる。共振周波数調整リブ4はミラー3の反射面とは反対側の面の中心部に形成されている。ミラー3が共振駆動する共振周波数は、共振周波数調整リブ4がエッチングされるエッチング量により調整されている。【選択図】図1
Description
本発明は、MEMS(Micro Electro Mechanical System)技術を用いた光偏向器及び光偏向器の製造方法に関する。
光偏向器は、プロジェクタやヘッドマウントディスプレイ等の投射型のディスプレイ分野に用いられている。光偏向器は、偏向駆動するミラーにレーザ光が照射されることで、レーザ光をミラーの偏向方向に走査する。
光偏向器の一形態として、MEMS技術を用いたものがある。MEMS技術を用いた光偏向器は、一般的に、SOI(Silicon on Insulator)ウエハを半導体製造技術を用いて微細加工することで作製される。そのため、MEMS技術を用いた光偏向器は、ポリゴンミラーやガルバノミラー等の他の形態と比較して小型化が容易である。
一方、MEMS技術を用いた光偏向器は、ミラーの共振周波数等の特性が、ウエハ面内でのエッチングばらつき等による影響を受けやすい。
特許文献1には、光偏向器ごとに共振周波数を調整する方法が記載されている。
しかしながら、特許文献1に記載されている光偏向器では、2箇所または4箇所を除去加工して共振周波数を調整するため、除去工程が煩雑になる。
また、箇所ごとの除去加工ばらつきによってミラーの重心が変化しやすい。ミラーの重心がミラーの回転中心軸からずれると、ミラーが偏心した状態で偏向駆動する。従って、照射されたレーザ光を所望の偏向方向に走査することが困難になる。
そこで、本発明は、ミラーが共振駆動する共振周波数を、ミラーの偏心を抑制して簡単に調整することができる光偏向器及び光偏向器の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上述した従来の技術の課題を解決するため、フレームと、前記フレームに一端側がそれぞれ固定された複数のアームと、前記複数のアームの他端側に一端側がそれぞれ対応して接続された複数のトーションバーと、前記複数のトーションバーの他端側が接続され、照射される光を反射する反射面を有するミラーと、前記ミラーの前記反射面とは反対側の面の中心部に形成された共振周波数調整リブと、前記複数のアームを駆動させることにより、前記複数のトーションバーを介して、前記ミラーを共振駆動させる駆動部と、を備え、前記ミラーが共振駆動する共振周波数は、前記共振周波数調整リブがエッチングされるエッチング量により調整されていることを特徴とする光偏向器を提供する。
また、本発明は、ウエハの一面側に駆動部を形成し、前記ウエハの一面側をエッチングして、前記駆動部によって振動する複数のアームと、前記複数のアームの一端側に一端側がそれぞれ対応して接続された複数のトーションバーと、前記複数のトーションバーの他端側が接続され、前記複数のアームの振動が前記複数のトーションバーを介して伝達されることにより共振駆動するミラーと、を形成し、前記ウエハの他面側をエッチングして、前記ミラーの中心部に共振周波数調整リブを形成し、前記共振周波数調整リブをエッチングし、そのエッチング量によって前記ミラーが共振駆動する共振周波数を調整することを特徴とする光偏向器の製造方法を提供する。
本発明の光偏向器及び光偏向器の製造方法によれば、ミラーが共振駆動する共振周波数を、ミラーの偏心を抑制して簡単に調整することができる。
図1を用いて、実施形態の光偏向器を説明する。図1(a)は光偏向器をミラーの反射面側から見た平面図である。図1(b)は光偏向器をミラーの裏面側から見た平面図である。
図1(a),(b)に示すように、光偏向器1は、フレーム2と、ミラー3と、共振周波数調整リブ4と、補強リブ5と、アーム6,7,8,9と、トーションバー10,11,12,13と、圧電素子14,15と、を有して構成されている。
フレーム2は枠状の平面形状を有する。ミラー3は円板形状を有する。
ミラー3、アーム6,7,8,9、及び、トーションバー10,11,12,13は、フレーム2の枠内の空隙部に配置されている。
図1(a)において、ミラー3の紙面手前側の面が、外部から照射されたレーザ光を反射する反射面となっている。なお、ミラー3の反射面とは反対側の面(図1(b)における紙面手前側の面)を裏面と称す。
図1(b)に示すように、ミラー3の裏面には、共振周波数調整リブ4、及び、補強リブ5が形成されている。
共振周波数調整リブ4は、その重心C4の位置が、ミラー3の重心C3を通る回動中心軸B−B上に位置するように、ミラー3の裏面の中心部に円柱状に形成されている。図1(b)に示すように、共振周波数調整リブ4の重心C4の位置はミラー3の重心C3の位置と一致することが好ましい。
共振周波数調整リブ4は、ミラー3を共振駆動させるための共振周波数を調整するための部位である。共振周波数調整リブ4の一部をエッチングし、そのエッチング量を制御することより、共振周波数を調整することができる。
補強リブ5は、その重心C5の位置が回動中心軸B−B上に位置するように、ミラー3の裏面の外周に沿ってリング状に形成されている。図1(b)に示すように、補強リブ5の重心C5の位置はミラー3の重心C3の位置と一致することが好ましい。
ミラーを軽くすることにより慣性モーメントを小さくすることができる。これにより、ミラーを高速に偏向駆動させたり、ミラーを保持するトーションバー等の部材の機械的強度の点からミラーの偏向角を大きくしたりすることができる。従って、ミラーを高速に偏向駆動させたり、ミラーの偏向角を大きくしたりするためには、ミラーは薄い方が好ましい。
一方、ミラーを薄くするほど、ミラーの偏向角を増大させるほど、またはミラーを高速に偏向駆動させるほど、ミラーの撓みが大きくなる傾向にある。ミラーの撓みが大きくなると、レーザ光の走査精度が悪化する。そのため、光偏向器を投射型のディスプレイに用いた場合、画像の解像度を悪化させる要因となる。
補強リブ5は、ミラー3が往復回転駆動しているときに、ミラー3の撓みを抑制する機能を有する。従って、ミラー3に補強リブ5を形成することにより、ミラー3を薄くしてもミラー3の撓みを抑制することができる。
アーム6は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー10の一端側に接続されている。
アーム7は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー11の一端側に接続されている。
アーム8は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー12の一端側に接続されている。
アーム9は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー13の一端側に接続されている。
アーム7は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー11の一端側に接続されている。
アーム8は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー12の一端側に接続されている。
アーム9は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー13の一端側に接続されている。
アーム6及びアーム7は、一対のアームを構成し、ミラー3の重心C3を通り、回動中心軸B−Bと直交する中心線A−Aを線対称として対向配置されている。
アーム8及びアーム9は、一対のアームを構成し、中心線A−Aを線対称として対向配置されている。
アーム8及びアーム9は、一対のアームを構成し、中心線A−Aを線対称として対向配置されている。
アーム6とアーム8は、回動中心軸B−Bを線対称として対向配置されている。
アーム7とアーム9は、回動中心軸B−Bを線対称として対向配置されている。
アーム7とアーム9は、回動中心軸B−Bを線対称として対向配置されている。
トーションバー10は、一端側がアーム6に接続され、他端側がミラー3に接続されている。
トーションバー11は、一端側がアーム7に接続され、他端側がミラー3に接続されている。
トーションバー12は、一端側がアーム8に接続され、他端側がミラー3に接続されている。
トーションバー13は、一端側がアーム9に接続され、他端側がミラー3に接続されている。
トーションバー11は、一端側がアーム7に接続され、他端側がミラー3に接続されている。
トーションバー12は、一端側がアーム8に接続され、他端側がミラー3に接続されている。
トーションバー13は、一端側がアーム9に接続され、他端側がミラー3に接続されている。
圧電素子14は、アーム6上の領域及びアーム7上の領域を含んで形成されている。図1(a)は、圧電素子14が、アーム6上の領域及びアーム7上の領域を含むコ字状の領域に形成されている形態を示している。
圧電素子15は、アーム8上の領域及びアーム9上の領域を含んで形成されている。図1(a)は、圧電素子15が、アーム8上の領域及びアーム9上の領域を含むコ字状の領域に形成されている形態を示している。
図2を用いて、光偏向器1の各部位の層構成を説明する。図2は図1(a)及び図1(b)の中心線A−Aにおける断面図である。なお、断面図における下側の面を裏面と称す。
図2に示すように、光偏向器1は、シリコン層(第1のシリコン層)21とガラス層22とシリコン層(第2のシリコン層)23とが積層された積層構造を有する。
ミラー3、アーム6,7,8,9、トーションバー10,11,12,13、及びフレーム2の上層は、共通のシリコン層21を加工して形成されている。
そのため、ミラー3と、アーム6,7,8,9と、トーションバー10,11,12,13と、フレーム2の上層とは、同一平面状に位置している。また、ミラー3の厚さと、アーム6,7,8,9の厚さと、トーションバー10,11,12,13の厚さと、フレーム2の上層の厚さとは、ほぼ同じ厚さになっている。
共振周波数調整リブ4及び補強リブ5は、共通のガラス層22と共通のシリコン層23との積層構造を有している。
そのため、共振周波数調整リブ4と補強リブ5とは、同一平面状に位置している。また、共振周波数調整リブ4の厚さと補強リブ5の厚さとは、ほぼ同じ厚さになっている。
フレーム2は、シリコン層21とガラス層22とシリコン層23との積層構造を有している。フレーム2のシリコン層23は、共振周波数調整リブ4及び補強リブ5のシリコン層23よりも厚くなされている。
なお、フレーム2にはハードマスク24が形成されているが、ハードマスク24は、光偏向器1を製造する過程で用いるものであり、フレーム2の構成上、なくてもよい。
圧電素子14は、シリコン層21の上層に形成されている絶縁層30上に、下電極31と圧電体層32と上電極33とが積層された積層構造を有する。
圧電素子15は、シリコン層21の上層に形成されている絶縁層40上に、下電極41と圧電体層42と上電極43とが積層された積層構造を有する。
圧電素子15は、シリコン層21の上層に形成されている絶縁層40上に、下電極41と圧電体層42と上電極43とが積層された積層構造を有する。
絶縁層30,40の材料として二酸化ケイ素(SiO2)を用いることができる。
圧電体層32,42の材料としてチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を用いることができる。
下電極31,41を、チタン(Ti)と白金(Pt)の積層構造とすることができる。
上電極33,43を、チタン(Ti)と金(Au)の積層構造とすることができる。
圧電体層32,42の材料としてチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を用いることができる。
下電極31,41を、チタン(Ti)と白金(Pt)の積層構造とすることができる。
上電極33,43を、チタン(Ti)と金(Au)の積層構造とすることができる。
図1(a)に示すように、フレーム2のシリコン層21上には、圧電素子14の上電極33から延伸する引き出し電極51、及び、圧電素子14の下電極31から延伸する引き出し電極52が、それぞれ形成されている。
フレーム2のシリコン層21上には、圧電素子15の下電極41から延伸する引き出し電極53、及び、圧電素子15の上電極43から延伸する引き出し電極54が、それぞれ形成されている。
フレーム2のシリコン層21上には、圧電素子15の下電極41から延伸する引き出し電極53、及び、圧電素子15の上電極43から延伸する引き出し電極54が、それぞれ形成されている。
圧電素子14は、外部から、引き出し電極51及び引き出し電極52を介して、上電極33及び下電極31に、所定の周波数または調整された周波数の交流電圧が印加されると、交流電圧値に応じた圧電効果によって圧電体層32が変形を繰り返す。
アーム6及びアーム7は、圧電体層32の変形の影響を受け、フレーム2に固定された一端側を支点として、それぞれの他端側が図1(a)及び図1(b)における紙面手前奥方向に振動する。
アーム6及びアーム7の振動がトーションバー10,11を介してミラー3に伝達されることにより、ミラー3は回動中心軸B−Bまわりに往復回転駆動する。ミラー3に形成されている共振周波数調整リブ4及び補強リブ5もミラー3と共に往復回転駆動する。
外部から、引き出し電極53及び引き出し電極54を介して、圧電素子15の下電極41及び上電極43に、所定の周波数または調整された周波数の交流電圧が印加されることで、圧電素子14と同様にミラー3を往復回転駆動させることができる。
交流電圧の周波数は、ミラー3、トーションバー10,11,12,13、及び、アーム6,7,8,9からなる振動系の共振周波数であり、共振による往復回転駆動するように設定または調整される。
交流電圧値に応じてミラー3の偏向角を設定または調整することができる。すなわち、交流電圧値を大きくすることでミラー3の偏向角を大きくすることができ、交流電圧値を小さくすることでミラー3の偏向角を小さくすることができる。
圧電素子14と圧電素子15の両方に互いに逆位相の交流電圧を印加することで、一方の圧電素子に交流電圧を印加する場合よりもミラー3の偏向角を大きくすることができる。
上述したように、圧電素子14及び圧電素子15の少なくともいずれかは、ミラー3を偏向駆動させるための駆動部である。
なお、本実施形態では、ミラーを偏向駆動させるための駆動部として圧電素子を形成したが、これに限定されるものではない。ミラーを偏向駆動させるための他の駆動部として、静電力を利用してミラーを偏向駆動させる静電アクチュエータ等を用いることもできる。
往復回転駆動するミラー3の反射面にレーザ光等の光を照射することにより、照射光をミラー3の偏向角に応じて走査させることができる。
ミラーを共振駆動させるための共振周波数は、ウエハ面内でのエッチングばらつき等による影響を受けやすい。具体的には、エッチングばらつきによって、トーションバー10,11,12,13の幅等の寸法がばらつき、補強リブ5の高さ等の寸法がばらつく。トーションバー10,11,12,13や補強リブ5の寸法のばらつきにより、共振周波数が設計値からずれてしまう。
そこで、光偏向器ごとに共振周波数の調整を行うことで、外部から所定の周波数または調整された周波数の交流電圧が印加されたときに、ミラーを共振駆動させることができる。
ミラー3の中心部に形成された共振周波数調整リブ4を部分的にエッチングすることにより、共振周波数調整リブ4の質量が変化する。即ち、共振周波数調整リブ4のエッチング量を制御することより、共振周波数調整リブ4の質量を調整することができる。共振周波数調整リブ4の質量を調整することにより、ミラー3を含む振動系の共振周波数を調整することができる。
共振周波数調整リブ4のエッチング方法として、例えばFIB(Focused Ion Beam)法を用いることができる。
本実施形態の光偏向器1では、共振周波数調整リブ4がミラー3の中心部に形成されているので、共振周波数の調整を共振周波数調整リブ4が形成されている1箇所のみで行うことができる。
そのため、複数の箇所で調整を行う従来の光偏向器に比べて、簡単に共振周波数の調整を行うことができる。
そのため、複数の箇所で調整を行う従来の光偏向器に比べて、簡単に共振周波数の調整を行うことができる。
本実施形態の光偏向器1では、共振周波数調整リブ4がミラー3の中心部に形成されているので、エッチング量によるミラー3の重心の変化が起こりにくい。従って、ミラー3の偏心が抑制されるので、照射光を所望の偏向方向に走査することができる。
図3~図13を用いて、光偏向器1の製造方法を説明する。
図3、図7、図8、図10及び図13は、図2に対応する断面図である。図4、図5、図6及び図12(a)は、図1(a)に対応する平面図である。図9、図11及び図12(b)は、図1(b)に対応する平面図である。
なお、説明をわかりやすくするために、同じ構成部には同じ符号を付して説明する。
図3、図7、図8、図10及び図13は、図2に対応する断面図である。図4、図5、図6及び図12(a)は、図1(a)に対応する平面図である。図9、図11及び図12(b)は、図1(b)に対応する平面図である。
なお、説明をわかりやすくするために、同じ構成部には同じ符号を付して説明する。
[圧電素子形成工程]
図3に示すように、シリコン層21とガラス層22とシリコン層23とが積層された積層構造を有するSOIウエハ20のシリコン層21上に、絶縁膜60を成膜する。
絶縁膜60として二酸化ケイ素(SiO2)膜を成膜している。なお、図3における上側を一面側、下側を他面側と称す。
図3に示すように、シリコン層21とガラス層22とシリコン層23とが積層された積層構造を有するSOIウエハ20のシリコン層21上に、絶縁膜60を成膜する。
絶縁膜60として二酸化ケイ素(SiO2)膜を成膜している。なお、図3における上側を一面側、下側を他面側と称す。
シリコン層21の厚さは、ミラー3が往復回転駆動しているときのアーム6,7,8,9、トーションバー10,11,12,13、及びミラー3の機械的強度や共振条件等を鑑みて設定される。シリコン層21の厚さは例えば50μmである。
ガラス層22の厚さは、シリコン層21及びシリコン層23のエッチング条件等を鑑みて設定される。ガラス層22の厚さは例えば2μmである。
シリコン層23の厚さは、ミラー3の動作範囲、並びに、共振周波数調整リブ4及び補強リブ5の厚さ等を鑑みて設定される。シリコン層23の厚さは例えば370μmである。
絶縁膜60上に、金属膜61、圧電体膜62、及び、金属膜63を順次成膜する。
金属膜61としてチタン(Ti)膜と白金(Pt)膜とを順次成膜している。
圧電体膜62としてチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を成膜している。
金属膜63としてチタン(Ti)膜と金(Au)膜を順次成膜している。
圧電体膜62としてチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を成膜している。
金属膜63としてチタン(Ti)膜と金(Au)膜を順次成膜している。
図4に示すように、金属膜63をフォトリソグラフィを用いてエッチングし、それぞれパターン化された上電極33,43、及び、引き出し電極51,54を形成する。
さらに、上電極33,43、及び、引き出し電極51,54が形成されている領域以外の圧電体膜62をエッチングし、圧電体層32,42(図2参照)を形成する。
さらに、上電極33,43、及び、引き出し電極51,54が形成されている領域以外の圧電体膜62をエッチングし、圧電体層32,42(図2参照)を形成する。
図5に示すように、金属膜61を、フォトリソグラフィを用いてエッチングし、それぞれパターン化された下電極31,41(図2参照)、及び、引き出し電極52,53を形成する。
なお、金属膜61をエッチングする際、下電極31,41、及び、引き出し電極52,53が形成される領域以外の絶縁膜60もエッチングされる。
上記エッチングで残った下電極31及び引き出し電極51,52の下層の絶縁膜60は、絶縁層30(図2参照)となる。上記エッチングで残った下電極41及び引き出し電極53,54の下層の絶縁膜60は、絶縁層40(図2参照)となる。
上記エッチングで残った下電極31及び引き出し電極51,52の下層の絶縁膜60は、絶縁層30(図2参照)となる。上記エッチングで残った下電極41及び引き出し電極53,54の下層の絶縁膜60は、絶縁層40(図2参照)となる。
上述した一連のエッチングにより、絶縁層30上に下電極31と圧電体層32と上電極33とが積層された積層構造を有する圧電素子13と、絶縁層40上に下電極41と圧電体層42と上電極43とが積層された積層構造を有する圧電素子14とが、一度に形成される。
[アーム・トーションバー・ミラー形成工程]
図6に示すように、シリコン層21を、フォトリソグラフィを用いてエッチングし、それぞれパターン化されたミラー3、アーム6,7,8,9、及び、トーションバー10,11,12,13を形成する。
図6に示すように、シリコン層21を、フォトリソグラフィを用いてエッチングし、それぞれパターン化されたミラー3、アーム6,7,8,9、及び、トーションバー10,11,12,13を形成する。
[フレーム・共振周波数調整リブ・補強リブ形成工程]
図7に示すように、シリコン層23の裏面側に、フォトリソグラフィを用いてハードマスク24を形成する。
ハードマスク24はフレーム2(図1(b)参照)に対応する領域に形成される。
図7に示すように、シリコン層23の裏面側に、フォトリソグラフィを用いてハードマスク24を形成する。
ハードマスク24はフレーム2(図1(b)参照)に対応する領域に形成される。
ハードマスク24をエッチングマスクとして、シリコン層23をエッチングする。
シリコン層23のエッチング深さを190μmとしている。即ち、エッチングされた領域のシリコン層23の厚さは180μmである。
なお、エッチング後にハードマスク24を除去してもよい。
シリコン層23のエッチング深さを190μmとしている。即ち、エッチングされた領域のシリコン層23の厚さは180μmである。
なお、エッチング後にハードマスク24を除去してもよい。
図8及び図9に示すように、シリコン層23のエッチングされた領域に、フォトリソグラフィを用いてパターン化されたレジスト72を形成する。
レジスト72は、共振周波数調整リブ4、及び、補強リブ12(図1(b)参照)に対応する領域にパターン形成される。
なお、ハードマスク24が除去されている場合には、ハードマスク24が除去されている領域にもレジスト72を形成する。
レジスト72は、共振周波数調整リブ4、及び、補強リブ12(図1(b)参照)に対応する領域にパターン形成される。
なお、ハードマスク24が除去されている場合には、ハードマスク24が除去されている領域にもレジスト72を形成する。
図10及び図11に示すように、レジスト72及びハードマスク24をマスクとして、シリコン層23を例えばICP−RIE(Inductive Coupled Plasma - Reactive Ion Etching)にてエッチングする。
シリコン層23のエッチングは、ガラス層22の表面(裏面)で終点検出される。
シリコン層23のエッチングは、ガラス層22の表面(裏面)で終点検出される。
図12(a),(b)及び図13に示すように、レジスト72をマスクとして、ガラス層22をエッチングする。
このエッチングにより、シリコン層23とガラス層22とからなるフレーム2、共振周波数調整リブ4、及び、補強リブ12が形成される。
このエッチングにより、シリコン層23とガラス層22とからなるフレーム2、共振周波数調整リブ4、及び、補強リブ12が形成される。
レジスト72を除去することで、図1(a),(b)及び図2に示す光偏向器1が作製され、共振周波数調整用リブ4をエッチングしてミラー3を含む振動系の共振周波数を調整する。共振周波数調整用リブ4のエッチングは、ミラー3の重心C3または回動中心軸B−Bに対して対象となるようにエッチングを行う。
以上の製造方法によれば、ミラーが共振駆動する共振周波数が、ウエハ面内でのエッチングばらつき等によって設計値からずれたとしても、ミラーの偏心を抑制して簡単に調整することが可能な光偏向器を容易に作製することができる。
なお、本発明に係る実施形態は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
1 光偏向器
2 フレーム
3 ミラー
4 共振周波数調整リブ
6,7,8,9 アーム
10,11,12,13 トーションバー
14,15 圧電素子(駆動部)
2 フレーム
3 ミラー
4 共振周波数調整リブ
6,7,8,9 アーム
10,11,12,13 トーションバー
14,15 圧電素子(駆動部)
Claims (4)
- フレームと、
前記フレームに一端側がそれぞれ固定された複数のアームと、
前記複数のアームの他端側に一端側がそれぞれ対応して接続された複数のトーションバーと、
前記複数のトーションバーの他端側が接続され、照射される光を反射する反射面を有するミラーと、
前記ミラーの前記反射面とは反対側の面の中心部に形成された共振周波数調整リブと、
前記複数のアームを駆動させることにより、前記複数のトーションバーを介して、前記ミラーを共振駆動させる駆動部と、
を備え、
前記ミラーが共振駆動する共振周波数は、前記共振周波数調整リブがエッチングされるエッチング量により調整されていることを特徴とする光偏向器。 - 前記ミラーは、所定の回動中心軸まわりに往復回転駆動され、
前記共振周波数調整リブは、その重心が前記回動中心軸上に位置するように形成されていることを特徴とする請求項1記載の光偏向器。 - 前記ミラーの前記反射面とは反対側の面に、前記ミラーの外周に沿って形成された補強リブをさらに備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の光偏向器。
- ウエハの一面側に駆動部を形成し、
前記ウエハの一面側をエッチングして、前記駆動部によって振動する複数のアームと、前記複数のアームの一端側に一端側がそれぞれ対応して接続された複数のトーションバーと、前記複数のトーションバーの他端側が接続され、前記複数のアームの振動が前記複数のトーションバーを介して伝達されることにより共振駆動するミラーと、を形成し、
前記ウエハの他面側をエッチングして、前記ミラーの中心部に共振周波数調整リブを形成し、
前記共振周波数調整リブをエッチングし、そのエッチング量によって前記ミラーが共振駆動する共振周波数を調整することを特徴とする光偏向器の製造方法。
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