JP2016114780A

JP2016114780A - 表示装置

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Publication number: JP2016114780A
Application number: JP2014253263A
Authority: JP
Inventors: 光隆沖田; Mitsutaka Okita
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2014-12-15
Filing date: 2014-12-15
Publication date: 2016-06-23
Also published as: US20160172377A1; US10068928B2

Abstract

【課題】高い開口率を有するＲＧＢＷ方式の表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第１の方向Ｘに延在する走査線ＧＬ２と、第２の方向Ｙに延在する第１、第２および第３の信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３と、走査線ＧＬ２および第１の信号線ＳＬ１に接続される第１の副画素ＰＥ１と、走査線ＧＬ２および第２の信号線ＳＬ２に接続される第２の副画素ＰＥ２と、走査線ＧＬ２および第３の信号線ＳＬ３に接続される第３の副画素ＰＥ３と、を備える。第１の副画素ＰＥ１と第３の副画素ＰＥ３との間に配置される第２の信号線ＳＬ２は第３の信号線ＳＬ３と平面視で重なるように異なる層で形成される。【選択図】図７

Description

本開示は表示装置に関し、例えばＲＧＢＷ方式の表示装置に適用可能である。

液晶表示装置における白表示輝度は、バックライトの輝度と液晶の透過率によって決定される。バックライトの輝度を向上することは、消費電力が増加することにつながるために、できれば、液晶の透過率を向上させることが望ましい。液晶の透過率を実質的に向上させて、白輝度を高め、白ピーク表示を実現する方法として、例えば、特開２００７−０１０７５３号公報に記載されているように、赤、緑、青の３原色以外に、白色の画素も用いて、消費電力を増やすことなく、透過率特性の向上を実現しようとしている例がある。すなわち、表示装置は、赤、緑、青および白の４つの副画素を持つ画素群で構成されている。

特開２００７−０１０７５３号公報

本発明者らは、赤の副画素（以下、「Ｒ」と略す。）、緑の副画素（以下、「Ｂ」と略す。）、青の副画素（以下、「Ｂ」と略す。）のうち、Ｂの半数を白の副画素（以下、「Ｗ」と略す。）に置き換えるＲＧＢＷ方式の表示装置を検討していたところ、以下の問題があることを見出した。
すなわち、ＲおよびＧの開口率がＷおよびＢの開口率よりも小さくなってしまう。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、表示装置は、第１の方向に延在する走査線と、第２の方向に延在する第１、第２および第３の信号線と、前記走査線および前記第１の信号線に接続される第１の副画素と、前記走査線および前記第２の信号線に接続される第２の副画素と、前記走査線および前記第３の信号線に接続される第３の副画素と、を備える。前記第１の副画素と前記第３の副画素との間に配置される前記第２の信号線は前記第３の信号線と平面視で重なるように異なる層で形成される。

ＲＧＢＷ方式に係る表示装置を説明するための平面図である。比較例１に係る表示装置を説明するための平面図である。比較例１に係る表示装置を説明するための断面図である。比較例１に係る表示装置を説明するための断面図である。比較例２に係る表示装置を説明するための平面図である。比較例２に係る表示装置を説明するための平面図である。実施形態１に係る表示装置を説明するための平面図である。実施形態１に係る表示装置を説明するための断面図である。実施形態１に係る表示装置を説明するための断面図である。変形形態１に係る表示装置を説明するための平面図である。実施例１に係る表示装置を説明するための平面図である。実施例１に係る表示装置を説明するための断面図である。実施例１に係る表示装置を説明するための平面図である。実施例１に係る表示装置を説明するための断面図である。実施例１に係る表示装置を説明するための断面図である。実施形態２に係る表示装置を説明するための平面図である。実施形態２に係る表示装置を説明するための断面図である。実施例２に係る表示装置を説明するための平面図である。実施例２に係る表示装置を説明するための断面図である。実施形態３に係る表示装置を説明するための平面図である。実施形態３に係る表示装置を説明するための断面図である。実施例３に係る表示装置を説明するための平面図である。実施例３に係る表示装置を説明するための断面図である。

以下に、実施形態、実施例および比較例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

＜ＲＧＢＷ方式の画素配列＞
まず、本発明者らが検討したＲＧＢＷ方式（以下、単に「ＲＧＢＷ方式」という）の表示装置の画素配列について図１を用いて説明する。図１はＲＧＢＷ方式の表示装置の画素配列を示す平面図である。
図１に示すように、ＲＧＢＷ方式の表示装置１００Ｓは、Ｒ、ＧおよびＢの副画素で構成される第１の画素と、Ｒ、ＧおよびＷで構成される第２の画素と、が存在する。表示装置１００ＳはＷの追加によって透過率を向上させるため、Ｂの副画素数の１／２をＷに置き換えている。ＧおよびＲのそれぞれの開口面積は、ＢおよびＷのそれぞれの開口面積の約１／２にしている。第１の画素はＹ方向にＲとＧとが隣接配置され、Ｘ方向にＲおよびＧとＢとが隣接配置されている。第２の画素はＹ方向にＲとＧとが隣接配置され、Ｘ方向にＲおよびＧとＷとが隣接配置されている。Ｘ方向に第１の画素と第２の画素とが交互に配置され、Ｙ方向に第１の画素と第２の画素とが交互に配置されている。Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷの開口形状はそれぞれＹ方向の長さがＸ方向の長さより長い矩形状をしている。
Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷは、それぞれ走査線（ゲート線）および信号線（ソース線）に接続される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えている。走査線はＴＦＴのゲート電極に接続され、信号線はＴＦＴのソース電極に接続される。なお、信号線をドレイン線ということもあり、ドレイン線に接続されるＴＦＴの電極をドレイン電極という。
走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間に配置された第１の画素のＲおよびＢは走査線ＧＬ２に接続され、Ｇは走査線ＧＬ１に接続される。また、走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間に配置された第２の画素のＲおよびＷは走査線ＧＬ２に接続され、Ｇの副画素は走査線ＧＬ１に接続される。言い換えると、走査線ＧＬ２を挟んで隣接する第１の画素のＲおよび第２の画素のＧは走査線ＧＬ２に接続される。また、走査線ＧＬ２を挟んで隣接する第２の画素のＲおよび第１の画素のＧは走査線ＧＬ２に接続される。走査線ＧＬ２を挟んで隣接する第１の画素のＢは走査線ＧＬ２に接続され、第２の画素のＷは走査線ＧＬ３に接続される。すなわち、Ｙ方向に隣接するＧとＲとは同一の走査線に接続され、Ｙ方向に隣接するＷとＢとは異なる走査線に接続される。
Ｒは信号線ＳＬ１に接続され、Ｇは信号線ＳＬ２に接続され、ＷおよびＢは信号線ＳＬ３に接続される。ＲおよびＧは信号線ＳＬ１と信号線ＳＬ２との間に配置され、ＷおよびＢは信号線ＳＬ３と信号線ＳＬ４との間に配置される。言い換えると、信号線ＳＬ１と信号線ＳＬ２との間に配置されたＲは信号線ＳＬ１に接続され、信号線ＳＬ１と信号線ＳＬ２との間に配置されたＧは信号線ＳＬ２に接続される。また、信号線ＳＬ３と信号線ＳＬ４との間に配置されたＷおよびＢは信号線ＳＬ３に接続される。なお、信号線ＳＬ２と信号線ＳＬ３との間には副画素は配置されない。すなわち、副画素間に信号線が１本配置されるものと、副画素間に２本の信号線が配置されるものとがある。

＜比較例１＞
次に、本願発明者らが検討した第1技術（以下、比較例１という。）について図２から図４を用いて説明する。図２は図１のＡの部分に相当する部分の平面図である。図３は図２のＡ−Ａ’線における断面図である。図４は図２のＢ−Ｂ’線における断面図である。
比較例１に係る表示装置１００Ｒ１は、走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２の上に形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に形成された信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と、を備える。さらに、表示装置１００Ｒ１は、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の上に形成された有機絶縁膜からなる平坦化膜１６と、平坦化膜１６の開口部（コンタクトホール）および平坦化膜１６の上に形成された層間絶縁膜１８と、を備える。さらに、表示装置１００Ｒ１は、層間絶縁膜１８の開口部（コンタクトホール）および層間絶縁膜１８の上に形成された画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３と、を備える。なお、平坦化膜１６と層間絶縁膜１８との間に、図示していない共通電極が形成される。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は平坦化膜１６のコンタクトホールの中に設けられた層間絶縁膜１８のコンタクトホールを介してそれぞれドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と接続する。画素電極ＰＥ１はＲ用であり、画素電極ＰＥ２はＧ用であり、画素電極ＰＥ３はＢ用である。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は櫛歯状の２本のメイン電極を有し、２本のメイン電極はＹ方向に延在する。画素電極ＰＥ２のメイン電極は図示していないが、−Ｙ方向に延在している。
図１に示すような副画素の配置では、ＲとＧとの間のブラックマトリクスがあるので、Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷのＸ方向の開口部の長さを同じにすると、ＲおよびＧの開口面積はＢおよびＷの開口面積の１／２よりも小さくなってしまう。ＲおよびＧの副画素数はＷおよびＢの副画素数の２倍ではあるが、開口面積が１／２よりも小さくなるので、ＲおよびＧの開口率がＷおよびＢの開口率よりも小さくなってしまう。

＜比較例２＞
次に、本願発明者らが検討した第２技術（以下、比較例２という。）について図５および図６を用いて説明する。図５は比較例２に係る表示装置の副画素開口パターンを示す平面図である。図６は図５の破線Ａの部分に相当する部分の平面図である。なお、図６のＡ−Ａ’線における断面図は図３と同様であり、図６のＢ−Ｂ’線における断面図は図４と同様である。
比較例２に係る表示装置１００Ｒ２は表示装置１００Ｒ１の信号線が１画素ごとに屈曲したもので、画素および副画素の配列は表示装置１００Ｒ１と同様である。したがって、Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷの開口形状はそれぞれＹ方向の長さがＸ方向の長さより長い平行四辺形状をしている。Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷの画素電極のメイン電極はＹ方向に対して右または左に所定の角度傾いている。これにより、２副画素間で液晶分子の水平回転方向がそれぞれ異なる２つの領域を形成する。これを２画素疑似デュアルドメインという。
図５に示すように、表示装置１００Ｒ２も表示装置１００Ｒ１と同様に、ＲとＧとの間のブラックマトリクスＢＭがあるので、Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷのＸ方向の開口部の長さを同じにすると、ＲおよびＧの開口面積はＢおよびＷの開口面積の１／２よりも小さくなってしまう。ＲおよびＧの副画素数はＷおよびＢの副画素数の２倍ではあるが、開口面積が１／２よりも小さくなるので、ＲおよびＧの開口率がＷおよびＢの開口率よりも小さくなってしまう。

＜実施形態１＞
第1の実施形態（実施形態１）に係る表示装置について図７から図９を用いて説明する。図７は実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。図８は図７のＡ−Ａ’線における断面図である。図９は図８のＢ−Ｂ’線における断面図である。
実施形態１に係る表示装置１００Ａは、信号線の配置を除いて、比較例２に係る表示装置１００Ｒ２と同様な構成である。表示装置１００Ｒ２では信号線は同一平面上（同層）に形成しているが、表示装置１００Ａでは一部の信号線を異なる層（走査線と同層、信号線より下層）に形成して積層する。
表示装置１００Ａの走査線、信号線および画素の配置は表示装置１００Ｓと同様である。ただし、信号線は１画素ごとに屈曲し、Ｒ（第１の副画素）、Ｇ（第２の副画素）、Ｂ（第３の副画素）およびＷの開口形状はそれぞれＹ方向の長さがＸ方向の長さより長い平行四辺形状をしている。Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷの画素電極のメイン電極はＹ方向に対して右または左に所定の角度傾いている。これにより、２画素疑似デュアルドメインを形成している。
表示装置１００Ａは、第１の配線層で形成された走査線ＧＬ２および信号線ＳＬ２（ＧＬ）と、走査線ＧＬ２の上に形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に第２の配線層で形成された信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と、を備える。さらに、表示装置１００Ａは、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の上に形成された有機絶縁膜からなる平坦化膜１６と、平坦化膜１６のコンタクトホールおよび平坦化膜１６の上に形成された層間絶縁膜１８と、を備える。さらに、表示装置１００Ａは、層間絶縁膜１８のコンタクトホールおよび層間絶縁膜１８の上に第２の透明導電層で形成された画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３と、を備える。なお、平坦化膜１６と層間絶縁膜１８との間に、図示していない共通電極が第１の透明導電層で形成される。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は平坦化膜１６のコンタクトホールの中に設けられた層間絶縁膜１８のコンタクトホールを介してそれぞれドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と接続する。画素電極ＰＥ１はＲ用であり、画素電極ＰＥ２はＧ用であり、画素電極ＰＥ３はＢ用である。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は櫛歯状の２本のメイン電極を有し、２本のメイン電極はＹ方向に対し右に所定の角度傾いて延在する。画素電極ＰＥ２のメイン電極は図示していないが、−Ｙ方向に対し左に所定の角度傾いて延在する。走査線ＧＬ２と交差する付近の第２の配線層で形成された信号線ＳＬ２はＹ方向に延在し、第１の配線層で形成された信号線ＳＬ（ＧＬ）はＸ方向に延在する部分とＹ方向に対し右に所定の角度傾いた方向に延在する部分と−方向に対し左に所定の角度傾いた方向に延在する部分とを有する。
Ｒの開口部とＢの開口部との間に配置される信号線ＳＬ２（ＧＬ）は走査線と同層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。これにより、実施形態１のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ３）を比較例２のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ２）よりも長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｒの開口率Ｘを大きくすることができる。Ｇの開口部とＷの開口部との間に配置される信号線ＳＬ２（ＧＬ）も走査線と同層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。これにより、Ｇの開口部のＸ方向の長さを長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｇの開口率を大きくすることができる。信号線を積層して配置することによって画素面積に対する信号線部の面積比率を低くすることができるので高精細画素であっても高開口率化が可能である。

＜変形形態＞
実施形態１に係る表示装置の変形形態について図１０を用いて説明する。図１０は変形形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。なお、図１０のＡ−Ａ’線における断面図は図８と同様であり、図１０のＢ−Ｂ’線における断面図は図９と同様である。
変形形態に係る表示装置１００ＡＡは、信号線の配置を除いて、比較例１に係る表示装置１００Ｒ１と同様な構成である。表示装置１００Ｒ１では信号線は同一平面上（同層）に形成しているが、表示装置１００ＡＡでは表示装置１００Ａと同様に一部の信号線を異なる層（走査線と同層）に形成して積層する。
表示装置１００ＡＡは、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ３はＹ方向に直線状に延在し、画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３の２本のメイン電極がＹ方向に延在している以外は、表示装置１００Ａと同様な構成である。表示装置１００ＡＡでは、第２の配線層で形成された信号線ＳＬ２はＹ方向に延在し、第１の配線層で形成された信号線ＳＬ（ＧＬ）はＸ方向に延在する部分とＹ方向に延在する部分とを有する。
表示装置１００ＡＡは表示装置１００Ａと同様に、Ｒの開口部分とＢの開口部分との間に配置される信号線ＳＬ２（ＳＬ）は走査線と同層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。これにより、変形形態のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ４）を比較例のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ１）よりも長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｒの開口率を大きくすることができる。Ｇの開口部分とＷの開口部分との間に配置される信号線ＳＬ２（ＳＬ）も走査線と同層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。これにより、Ｇの開口部のＸ方向の長さを長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｇの開口率を大きくすることができる。信号線を積層して配置することによって画素面積に対する信号線部の面積比率を低くすることができるので高精細画素であっても高開口率化が可能である。

実施例１に係る表示装置について図１１から図１５を用いて説明する。図１１は実施例１に係る表示装置の全体平面図である。図１２は図１１のＡ−Ａ’線における断面図である。図１３は実施例１に係る表示装置の画素、走査線および信号線の配置を説明するための平面図である。図１４は図１３のＡ−Ａ線’における断面図である。図１５は図１３のＢ−Ｂ線’における断面図である。
図１１および図１２に示すように、実施例１に係る表示装置１００Ａ１は表示パネル１とドライバＩＣ２とバックライト３とを備える。表示パネル１は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、アレイ基板１０と対向基板２０との間に封入される液晶材料３０と、を備える。アレイ基板１０と対向基板２０とは、表示領域ＤＡを囲む環状のシール材４０で接着されており、液晶材料３０は、アレイ基板１０、対向基板２０、およびシール材４０で囲まれた空間に密封されている。また、アレイ基板１０および対向基板２０の外側を向いた面、すなわち、液晶材料３０と対向する面の裏面には、それぞれ、下偏光板５０Ａおよび上偏光板５０Ｂが設けられている。また、表示領域ＤＡは、例えば、マトリクス状に配置された複数個の画素の集合で構成されている。アレイ基板１０は、後述するＹ方向に延在する信号線やＸ方向に延在する走査線、画素電極、および図示しないＴＦＴで形成された走査線を駆動する走査回路等を備える。対向基板２０は、図示しないブラックマトリクスやカラーフィルタ等を備える。ドライバＩＣ２は、図示しない信号線を駆動する回路等を備える。
図１３から図１５に示すように、表示装置１００Ａ１は、ＴＦＴの半導体層であるポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３の上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２の上に金属膜からなる第１の配線層で形成された走査線ＧＬ２および信号線ＳＬ２（ＧＬ）と、走査線ＧＬ２の上に形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に金属膜からなる第２の配線層で形成された信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と、を備える。さらに、表示装置１００Ａ１は、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の上に形成された有機絶縁膜からなる平坦化膜１６と、平坦化膜１６の上に第１の透明性導電膜であるＩＴＯ膜で形成された共通電極ＣＥと、共通電極ＣＥの上に形成された層間絶縁膜１８と、層間絶縁膜１８の上に第２の透明性導電膜であるＩＴＯ膜形成された画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４と、を備える。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４は平坦化膜１６のコンタクトホールの中に設けられた層間絶縁膜１８のコンタクトホールを介してそれぞれドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と接続する。画素電極ＰＥ１はＲ用であり、画素電極ＰＥ２はＧ用であり、画素電極ＰＥ３はＢ用であり、画素電極ＰＥ４はＷ用である。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４は櫛歯状の２本のメイン電極を有する。画素電極ＰＥ１，ＰＥ３の２本のメイン電極はＹ方向に対し右に所定の角度傾いて延在し、画素電極ＰＥ２，ＰＥ４のメイン電極は−Ｙ方向に対し左に所定の角度傾いて延在する。
Ｒの開口部とＢの開口部との間に配置される信号線ＳＬ２（ＧＬ）は走査線ＧＬ２と同じ層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。第２の配線層で形成された信号線ＳＬ２はＹ方向に延在し、層間絶縁膜１４のコンタクトホールＣＨ２を介して第１の配線層で形成された信号線ＳＬ２（ＧＬ）と接続する。第１の配線層で形成された信号線ＳＬ２（ＧＬ）はＸ方向に延在する部分とＹ方向に対し右方向に所定の角度傾いて延在する部分とを有する。Ｇの開口部とＷの開口部との間に配置される信号線ＳＬ２（ＧＬ）も走査線と同層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。第２の配線層で形成された信号線ＳＬ２はＹ方向に延在し、層間絶縁膜１４のコンタクトホールＣＨ３を介して第１の配線層で形成された信号線ＳＬ２（ＧＬ）と接続する。第１の配線層で形成された信号線ＳＬ２（ＧＬ）はＸ方向に延在する部分と−Ｙ方向に対し左方向に所定の角度傾いて延在する部分とを有する。信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３はそれぞれ層間絶縁膜１４およびゲート絶縁膜１２のコンタクトホールを介してポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３と接続する。

＜実施形態２＞
第２の実施形態（実施形態２）に係る表示装置について図１６および図１７を用いて説明する。図１６は実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。図１７は図１６のＢ−Ｂ’線における断面図である。なお、図１６のＡ−Ａ’線における断面図は図８に示す表示装置１００Ａと同様である。
実施形態１に係る表示装置１００Ｂは、信号線の配置を除いて、実施形態１に係る表示装置１００Ａと同様な構成である。表示装置１００Ａでは信号線ＳＬ２の一部は走査線と同じ層で形成しているが、表示装置１００Ｂでは信号線ＳＬ２の一部を第３の配線層（信号線でも走査線でもない配線層）に形成して積層する。例えば、第３の配線層は信号線よりも上層に形成される。
図１６および図１７に示すように、表示装置１００Ｂは、走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２の上に形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に形成された信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と、を備える。さらに、表示装置１００Ｒ１は、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の上に形成された有機絶縁膜からなる平坦化膜１６と、平坦化膜１６の上に形成された第３の配線層３Ｍ（信号線ＳＬ２）と、平坦化膜１６のコンタクトホール、平坦化膜１６および第３の配線層３Ｍの上に形成された層間絶縁膜１８と、を備える。さらに、表示装置１００Ｂは、層間絶縁膜１８のコンタクトホールおよび層間絶縁膜１８の上に形成された画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３と、を備える。なお、平坦化膜１６と層間絶縁膜１８との間に、図示していない共通電極が形成される。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は平坦化膜１６のコンタクトホールの中に設けられた層間絶縁膜１８のコンタクトホールを介してそれぞれドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と接続する。画素電極ＰＥ１はＲ用であり、画素電極ＰＥ２はＧ用であり、画素電極ＰＥ３はＢ用である。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は櫛歯状の２本のメイン電極を有し、２本のメイン電極はＹ方向に対し右に所定の角度傾いて延在する。画素電極ＰＥ２のメイン電極は図示していないが、−Ｙ方向に対し左に所定の角度傾いて延在する。
ＲとＢとの間に配置される信号線ＳＬ２（３Ｍ）は、信号線ＳＬ３の上層に位置する。これにより、実施形態２のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ５）を比較例２のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ２）よりも長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｒの開口率を大きくすることができる。ＧとＷとの間に配置される信号線ＳＬ２（ＧＬ）も、信号線ＳＬ３の上層に位置する。これにより、Ｇの開口部のＸ方向の長さを長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｇの開口率を大きくすることができる。信号線を積層して配置することによって画素面積に対する信号線部の面積比率を低くすることができるので高精細画素であっても高開口率化が可能である。

実施例２に係る表示装置について図１８および図１９を用いて説明する。図１８は実施例２に係る表示装置の画素、走査線および信号線の配置を説明するための平面図である。図１９は図１８のＢ−Ｂ線’における断面図である。なお、図１８のＡ−Ａ線’における断面図は図１５に示す表示装置１００Ａ１と同様である。
図１８および図１９に示すように、表示装置１００Ｂ１は、ポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３の上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２の上に形成された走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２の上に形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に形成された信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と、を備える。さらに、表示装置１００Ａ１は、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の上に形成された有機絶縁膜からなる平坦化膜１６と、平坦化膜１６の上に形成された第３の配線３Ｍおよび共通電極ＣＥと、第３の配線３Ｍおよび共通電極ＣＥの上に形成された層間絶縁膜１８と、層間絶縁膜１８の上に形成された画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４と、を備える。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４は平坦化膜１６のコンタクトホールの中に設けられた層間絶縁膜１８のコンタクトホールを介してそれぞれドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と接続する。画素電極ＰＥ１はＲ用であり、画素電極ＰＥ２はＧ用であり、画素電極ＰＥ３はＢ用であり、画素電極ＰＥ４はＷ用である。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４は櫛歯状の２本のメイン電極を有する。画素電極ＰＥ１，ＰＥ３の２本のメイン電極はＹ方向に対し右に所定の角度傾いて延在し、画素電極ＰＥ２，ＰＥ４のメイン電極は−Ｙ方向に対し左に所定の角度傾いて延在する。
ＲとＢとの間に配置される信号線ＳＬ２（３Ｍ）は、信号線ＳＬ３の上層に位置する。ＲとＧとの間にＹ方向に延在する信号線ＳＬ２は平坦化膜１６のコンタクトホールＣＨ４を介して信号線ＳＬ２（３Ｍ）と接続する。ＧとＷとの間に配置される信号線ＳＬ２（３Ｍ）は、信号線ＳＬ３の上層に位置する。ＲとＧとの間にＹ方向に延在する信号線ＳＬ２は平坦化膜１６のコンタクトホールＣＨ５を介して信号線ＳＬ２（３Ｍ）と接続する。信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３はそれぞれ層間絶縁膜１４およびゲート絶縁膜１２のコンタクトホールを介してポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３と接続する。

＜実施形態３＞
第３の実施形態（実施形態３）に係る表示装置について図２０および図２１を用いて説明する。図２０は実施形態３に係る表示装置の構成を示す平面図である。図２１は図２０のＢ−Ｂ’線における断面図である。なお、図２０のＡ−Ａ線’における断面図は図８に示す表示装置１００Ａと同様である。
実施形態３に係る表示装置１００Ｃは、信号線の配置を除いて、実施形態１に係る表示装置１００Ａと同様な構成である。表示装置１００Ａでは信号線ＳＬ２の一部は走査線と同じ層で形成しているが、表示装置１００Ｃでは信号線ＳＬ２の一部を半導体層（ポリシリコン層）に形成して積層する。半導体層は信号線よりも下層に形成される。
図２０および図２１に示すように、表示装置１００Ｃは、ポリシリコン層で形成された信号線ＳＬ２（ＰＳ）と、信号線ＳＬ２（ＰＳ）の上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２の上に形成された走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２の上に形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に形成された信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と、を備える。さらに、表示装置１００Ｒ１は、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の上に形成された有機絶縁膜からなる平坦化膜１６と、平坦化膜１６のコンタクトホールおよび平坦化膜１６の上に形成された層間絶縁膜１８と、を備える。さらに、表示装置１００Ｒ１は、層間絶縁膜１８のコンタクトホールおよび層間絶縁膜１８の上に形成された画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３と、を備える。なお、平坦化膜１６と層間絶縁膜１８との間に、図示していない共通電極が形成される。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は平坦化膜１６のコンタクトホールの中に設けられた層間絶縁膜１８のコンタクトホールを介してそれぞれドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と接続する。画素電極ＰＥ１はＲ用であり、画素電極ＰＥ２はＧ用であり、画素電極ＰＥ３はＢ用である。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は櫛歯状の２本のメイン電極を有し、２本のメイン電極はＹ方向に対し右に所定の角度傾いて延在する。画素電極ＰＥ２のメイン電極は図示していないが、−Ｙ方向に対し左に所定の角度傾いて延在する。
ＲとＢとの間に配置される信号線ＳＬ２（ＰＳ）はＴＦＴの半導体層と同層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。これにより、実施形態３のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ６）を比較例２のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ２）よりも長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｒの開口率を大きくすることができる。ＧとＷとの間に配置される信号線ＳＬ２（ＧＬ）も走査線と同層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。これにより、Ｇの開口部のＸ方向の長さを長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｇの開口率を大きくすることができる。信号線を積層して配置することによって画素面積に対する信号線部の面積比率を低くすることができるので高精細画素であっても高開口率化が可能である。

実施例３に係る表示装置について図２２および図２３を用いて説明する。図２２は実施例１に係る表示装置の画素、走査線および信号線の配置を説明するための平面図である。図２３は図２２のＢ−Ｂ線’における断面図である。なお、図２２のＡ−Ａ線’における断面図は図１５に示す表示装置１００Ａ１と同様である。
図２２および図２３に示すように、表示装置１００Ｃ１は、ポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３およびポリシリコン層で形成されたＳＬ２（ＰＳ）と、ポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３およびＳＬ２（ＰＳ）の上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２の上に形成された走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２の上に形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に形成された信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と、を備える。さらに、表示装置１００Ａ１は、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の上に形成された有機絶縁膜からなる平坦化膜１６と、平坦化膜１６の上に形成された共通電極ＣＥと、共通電極ＣＥの上に形成された層間絶縁膜１８と、層間絶縁膜１８の上に形成された画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４と、を備える。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４は平坦化膜１６のコンタクトホールの中に設けられた層間絶縁膜１８のコンタクトホールを介してそれぞれドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と接続する。画素電極ＰＥ１はＲ用であり、画素電極ＰＥ２はＧ用であり、画素電極ＰＥ３はＢ用であり、画素電極ＰＥ４はＷ用である。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４は櫛歯状の２本のメイン電極を有する。画素電極ＰＥ１，ＰＥ３の２本のメイン電極はＹ方向に対し右に所定の角度傾いて延在し、画素電極ＰＥ２，ＰＥ４のメイン電極は−Ｙ方向に対し左に所定の角度傾いて延在する。
ＲとＢとの間に配置される信号線ＳＬ２（ＰＳ）はポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３と同じ層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。ＲとＧとの間にＹ方向に延在する信号線ＳＬ２は層間絶縁膜１４のコンタクトホールＣＨ６を介して信号線ＳＬ２（ＰＳ）と接続する。ＧとＷとの間に配置される信号線ＳＬ２（ＰＳ）もポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３と同じ層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。ＲとＧとの間にＹ方向に延在する信号線ＳＬ２は層間絶縁膜１４のコンタクトホールＣＨ７を介して信号線ＳＬ２（ＰＳ）と接続する。信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３はそれぞれ層間絶縁膜１４およびゲート絶縁膜１２のコンタクトホールを介してポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３と接続する。

１・・・表示パネル
２・・・ドライバＩＣ
３・・・バックライト
１０・・・アレイ基板
ＰＳ１，ＰＳ２・・・ポリシリコン層
１２・・・ゲート絶縁膜
１４・・・層間絶縁膜
ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３・・・ドレイン電極
１６・・・平坦化膜
ＣＥ・・・共通電極
１８・・・層間絶縁膜
ＰＥ・・・画素電極
２０・・・対向基板
３０・・・液晶層
４０・・・シール
５０Ａ，５０Ｂ・・・偏光板
１００Ａ，１００ＡＡ，１００Ａ１・・・表示装置
１００Ｂ、１００Ｂ１・・・表示装置
１００Ｃ，１００Ｃ１・・・表示装置
１００Ｒ１，１００Ｒ２，１００Ｓ・・・表示装置
ＧＬ１，ＧＬ２，ＧＬ３・・・走査線
ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４，ＳＬ５，ＳＬ６，ＳＬ７，ＳＬ８，ＳＬ９・・・信号線

Claims

表示装置は、
第１の方向に延在する走査線と、
第２の方向に延在する第１、第２および第３の信号線と、
前記走査線および前記第１の信号線に接続される第１の副画素と、
前記走査線および前記第２の信号線に接続される第２の副画素と、
前記走査線および前記第３の信号線に接続される第３の副画素と、
を備え、
前記第１の副画素と前記第３の副画素との間に配置される前記第２の信号線は前記第３の信号線と平面視で重なるように異なる層で形成される。
請求項１の表示装置において、
前記第１および第２の副画素は前記第２の方向に隣接するように配置され、
前記第１の副画素は前記第３の副画素と前記第１の方向に隣接するように配置される。
請求項１の表示装置において、
前記第２の信号線が前記走査線と交差する付近では、前記第２の信号線は前記第３の信号線と同じ層で形成される。
請求項１の表示装置において、
前記第１の副画素と前記第３の副画素との間に配置される前記第２の信号線は前記第３の信号線よりも下層で形成される。
請求項４の表示装置において、
前記第１の副画素と前記第３の副画素との間に配置される前記第２の信号線は前記走査線と同じ層で形成される。
請求項４の表示装置において、
前記第１の副画素と前記第３の副画素との間に配置される前記第２の信号線は半導体層で形成される。
請求項１の表示装置において、
前記第１の副画素と前記第３の副画素との間に配置される前記第２の信号線は前記第３の信号線よりも上層で形成される。
請求項１の表示装置において、
前記第１の副画素と前記第３の副画素との間に配置される前記第２の信号線は前記走査線および前記第３の信号線とは異なる第３の配線層で形成される。
請求項１の表示装置において、
前記第１の副画素と前記第３の副画素との間に配置される前記第２および第３の信号線は前記第１の方向と直交する方向より所定の角度傾いて延在する。
請求項９の表示装置において、
前記第２および第３の信号線が前記走査線と交差する付近では、前記第２および第３の信号線は前記第１の方向と直交する方向に延在する。
表示装置は、
第１の方向に延在する走査線と、
第１、第２および第３の信号線と、
前記走査線および前記第１の信号線に接続される第１の副画素と、
前記走査線および前記第２の信号線に接続される第２の副画素と、
前記走査線および前記第３の信号線に接続される第３の副画素と、
を備え、
前記第２の信号線は、第２の方向に延在する部分と前記第１の方向に延在する部分と第３の方向に延在する部分を有し、
前記第１および第３の信号線は、それぞれ前記第２の方向に延在する部分と前記第３の方向に延在する部分を有し、
前記第２の信号線の前記第３の方向に延在する部分は、前記第３の信号線の前記第３の方向に延在する部分と平面視で重なるように異なる層で形成される。
請求項１１の表示装置において、
前記第２の信号線が前記走査線と交差する付近では、前記第２の信号線は前記第２の方向に延在する。
請求項１２の表示装置において、
前記第３の方向は前記第２の方向と同じ方向である。
請求項１２の表示装置において、
前記第３の方向は前記第２の方向より所定の角度傾いている。
請求項１１の表示装置において、
前記第２の信号線の前記第１の方向に延在する部分は前記第２の信号線の前記第３の方向に延在する部分と同じ層で形成される。
請求項１１の表示装置において、
前記第２の信号線の前記第３の方向に延在する部分は、前記第３の信号線の前記第３の方向に延在する部分よりも下層で形成される。
請求項１６の表示装置において、
前記第２の信号線の前記第３の方向に延在する部分は、前記走査線と同じ層で形成される。
請求項１６の表示装置において、
前記第２の信号線の前記第３の方向に延在する部分は、半導体層で形成される。
請求項１１の表示装置において、
前記第２の信号線の前記第３の方向に延在する部分は、前記第３の信号線の前記第３の方向に延在する部分よりも上層で形成される。
請求項１１の表示装置において、
前記第２の信号線の前記第３の方向に延在する部分は、前記走査線および前記第３の信号線とは異なる第３の配線層で形成される。