JP2016162811A - Light-emitting device and manufacturing method of the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.
従来、キャビティ内の半導体チップとキャビティ側壁とのあいだに反射性の充填物質が配置されており、ベースケーシングのフロント面へ向かう少なくとも1つの表面は半導体チップから見て凹面鏡状すなわち凹形に湾曲しており、一部の放射に対するリフレクタ面を形成している発光装置が知られていた(特許文献1)。反射性の充填物質によりワイヤの接続部を被覆することにより、ワイヤの断線を抑制することができる。
一方、レーザー焼結による3次元造形により、発光装置のリードフレーム上にリフレクタ部を形成する方法が知られている(特許文献2)。
また、発光装置に使用される金属ワイヤの周囲温度や湿度等の環境変化による断線への対策として、金属ワイヤを、発光素子と、および発光素子を配置する基板それぞれの表面に沿うように押し型で変形させて配線させる発光装置が知られている(特許文献3)。
Conventionally, a reflective filler material is disposed between the semiconductor chip in the cavity and the side wall of the cavity, and at least one surface toward the front surface of the base casing is curved in a concave mirror shape or concave shape when viewed from the semiconductor chip. A light-emitting device that forms a reflector surface for a part of radiation has been known (Patent Document 1). By covering the connecting portion of the wire with a reflective filling material, disconnection of the wire can be suppressed.
On the other hand, a method of forming a reflector portion on a lead frame of a light emitting device by three-dimensional modeling by laser sintering is known (Patent Document 2).
In addition, as a countermeasure against disconnection due to environmental changes such as ambient temperature and humidity of the metal wire used in the light emitting device, the metal wire is pushed along the surface of each of the light emitting element and the substrate on which the light emitting element is arranged. A light-emitting device that is deformed and wired is known (Patent Document 3).
特許文献1では、発光素子を収納する凹部を形成し、その凹部を用いて光反射性樹脂を充填することでワイヤの接続部を被覆するため、段差を必要としていた。これにより、発光装置サイズは凹部が無い場合に比べて大きく、また発光装置の高さ自体も高くなる。
特許文献2では、基板上にスライスデータによる3次元造形でリフレクタを形成していた。これにより、リフレクタ部の完成までに多大な時間を要していた。
特許文献3では、金属ワイヤは、発光素子および発光素子を配置する基板それぞれの表面に沿うように押し型で変形させて配線されていた。これにより、金属ワイヤと発光素子、発光素子を配置する基板との間で金属ワイヤのループ部分が接触する事によって、ショートモードによる不灯の発生や、部分的な金属ワイヤの接触による導通抵抗の上昇が懸念される。
In patent document 1, since the recessed part which accommodates a light emitting element was formed and the light reflection resin was filled using the recessed part, the connection part of a wire was coat | covered, and the level | step difference was required. As a result, the light emitting device size is larger than when there is no recess, and the height of the light emitting device itself is also increased.
In Patent Document 2, a reflector is formed on a substrate by three-dimensional modeling using slice data. As a result, a great deal of time was required to complete the reflector portion.
In Patent Document 3, the metal wire is wired by being deformed by a pressing die so as to follow the surface of each of the light emitting element and the substrate on which the light emitting element is arranged. As a result, the loop portion of the metal wire contacts between the metal wire and the light emitting element, and the substrate on which the light emitting element is disposed, thereby causing non-lighting due to the short mode and conduction resistance due to partial metal wire contact. There is concern about the rise.
そこで、作成の時間を短縮した発光装置の製造方法を提供する。また、保護素子による光吸収又はワイヤ接続部の断線を解決する事が可能な発光装置を提供することを目的とする。 Accordingly, a method for manufacturing a light-emitting device with reduced production time is provided. It is another object of the present invention to provide a light emitting device capable of solving light absorption by a protective element or wire connection disconnection.
本発明に係る実施形態は、基板上に半導体素子を載置する第1工程と、第1工程の後に、基板上に3次元造形によって光反射部を形成する第2工程と、を有する発光装置の製造方法である。
また、本発明に係る別の実施形態は、基板と、基板上に配置された発光素子と、発光素子と電気的に接続される保護素子またはワイヤと、3次元造形によって形成された光反射部と、を有し、光反射部は前記保護素子の少なくとも一部または前記ワイヤの少なくとも一部を覆うように形成されている発光装置である。
An embodiment according to the present invention includes a first step of placing a semiconductor element on a substrate, and a second step of forming a light reflecting portion on the substrate by three-dimensional modeling after the first step. It is a manufacturing method.
Further, another embodiment according to the present invention includes a substrate, a light emitting element disposed on the substrate, a protective element or a wire electrically connected to the light emitting element, and a light reflecting portion formed by three-dimensional modeling. And the light reflecting portion is formed so as to cover at least part of the protective element or at least part of the wire.
本発明に係る実施形態によれば、作成の時間を短縮した発光装置の製造方法を提供する。また、ワイヤ接続部の断線という問題を解決する事が可能な発光装置を提供することができる。 According to the embodiment of the present invention, a method for manufacturing a light emitting device with reduced creation time is provided. In addition, it is possible to provide a light emitting device that can solve the problem of disconnection of the wire connection portion.
以下に、添付した図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について説明する。但し、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置及び発光装置の製造方法を例示するものであって、本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法を以下に限定するものではない。 EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the form for implementing this invention is demonstrated, referring attached drawing. However, the embodiments shown below exemplify a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention describes the method for manufacturing the light emitting device and the light emitting device as follows. It is not limited.
また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。 Further, the present specification by no means specifies the member shown in the claims as the member of the embodiment. In particular, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in the embodiments are not intended to limit the scope of the present invention only to the extent that there is no specific description. It is just an example. It should be noted that the size and positional relationship of the members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation. Furthermore, in the following description, the same name and symbol indicate the same or the same members, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
<第1実施形態>
図1Aは、本発明の第1実施形態に係る発光装置100の上面図であり、図1Bは、図1AのA−A線における概略断面図である。図1Cは図1Aにおける光反射部70の位置や形状を変えた変形例であり、図1Dは、図1CのB−B線における概略断面図である。
<First Embodiment>
FIG. 1A is a top view of the
本実施形態に係る発光装置100は、基板10と、基板10上に配置された発光素子20と、基板10上に配置された保護素子50と、基板10と発光素子20、基板10と保護素子50をそれぞれ電気的に接続するワイヤ60とを有している。
The
基板10は発光素子20が載置される部材であり、成形部材80とリードフレーム90とを有する。リードフレーム90は、発光装置の端子として機能させることができるように少なくとも一対備えられており、発光素子20の電極と電気的に接続されている。基板10には発光素子20を載置する凹部が形成されており、凹部の底面に一対のリードフレーム90が露出するように形成されている。
発光素子20は、基板10の凹部の底面に露出されたリードフレーム90の表面に、接合部材を介して載置されており、発光素子20の正負の電極と、リードフレーム90の上面とが、ワイヤ60を介して電気的に接続されている。
The
The
ここで、第1実施形態においては、基板10の上面(リードフレーム90の上面)であって、ワイヤ60がボンディングされる箇所(すなわち、基板10とワイヤ60との接合箇所)に、リードフレーム90とワイヤ60との接合部分を覆うように、3次元造形により光反射部70が形成されている。ワイヤ60は、その一部が光反射部70に埋設されている。
Here, in the first embodiment, the
このように基板10の上面と、ワイヤ60がボンディングされた箇所を覆うように、光反射部70を3次元造形することによりワイヤの接合部分を補強し、発光装置100にかかる周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮によって発生する応力を起因とした、ワイヤ60の断線を抑制することができる。
In this way, the
(発光装置100の製造方法)
本実施形態に係る発光装置の製造方法は、基板10上に半導体素子である発光素子20および/又は保護素子50を載置する第1工程と、第1工程の後に、基板10上に3次元造形によって光反射部70を形成する第2工程と、を含む。
このように、発光素子20の載置後に3次元造形によって光反射部70を形成するため、発光素子20と光反射部70とを近接して配置することができる。また、光反射部70は、保護素子50を覆うように形成されることが好ましい。これにより、保護素子50による光吸収を抑制することができる。
(Method for manufacturing light emitting device 100)
The manufacturing method of the light emitting device according to the present embodiment includes a first step of placing the
Thus, since the
また、第1工程と第2工程の間に、第1工程で載置された半導体素子と基板との配線をワイヤ60で接続する第3工程を有し、第2工程において光反射部70が基板とワイヤ60との接合箇所を覆うように形成してもよい。少なくとも接合箇所が覆われていれば、ワイヤの接合部分を補強し、発光装置100にかかる周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮によって発生する応力を起因とした、ワイヤ60の断線を抑制することができる。
また、発光素子20とワイヤ60とを電気的に接続させた後に、ワイヤ60とリードフレーム90の接合部分のみを光反射部70で被覆することもできる。
Moreover, it has the 3rd process of connecting the wiring of the semiconductor element mounted in the 1st process, and a board | substrate with the
In addition, after the
以下、発光装置100の構成部材について詳述する。
(基板10)
基板10は、その表面に、図1Aに示すように、発光素子20を載置する部分と、ワイヤ60とで電気的に接続される部分とを有しており、発光素子に給電(印可)するための導電部材となるリードフレーム90を備える。
Hereinafter, the constituent members of the
(Substrate 10)
As shown in FIG. 1A, the
基板10は、全体として図1A、図1Cに示すような凹部形状としてもよいし、あるいは、平板状を有する形状としてもよい。凹部は、その内側に発光素子20を載置する場合は、基板10の略中央に開口を有する凹部とすることが好ましく、凹部の底面に発光素子20を載置可能な大きさで設けるのが好ましい。
The board |
発光素子20の固定は、例えば、エポキシ、シリコーン等の樹脂、銀、金、パラジウム等の導電性ペースト、低融点を有する金属等のろう材等の固定部材により行うことができる。
The
発光素子20は、基板10と電気的に接続されている。好ましい接続形態の1つは、図示するように、導電部材であるリードフレーム90の上面と、発光素子20の電極とをワイヤ60で接続することである。なお、ワイヤ60は、電気伝導性を有する金属等の各種材料であってよい。好ましくは、金、銅、アルミニウム、または金合金、銀合金などからなる。
The
リードフレーム90は例えば、鉄、リン青銅、銅合金、クラッド材等の電気良導体を用いて形成される。また、必要に応じて、例えば反射率向上を目的に銀、アルミニウム、銅及び金などの金属メッキをすることができる。
The
めっき層は、例えば、銀、金、ニッケル、パラジウム、銅、錫等より選択される金属めっきまたはこれらを組み合わせた合金めっきより成る。好ましくは反射率の高い銀や、ワイヤと良好な密着性を有する金を選択する。めっき層は基板10を形成後、電解めっきにより形成することで、形成することができる。
A plating layer consists of metal plating selected from silver, gold | metal | money, nickel, palladium, copper, tin etc., or alloy plating which combined these, for example. Preferably, silver having high reflectivity or gold having good adhesion to the wire is selected. The plating layer can be formed by forming the
(発光素子20)
発光素子20としては、いわゆる発光ダイオードと呼ばれる素子が好適に用いられる。例えば、基板上に、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体によって、発光層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。
発光素子20は、正負の電極が上方に位置するように基板10に載置されるフェイスアップ構造のものを使用することができる他、正負の電極が基板10側になるように載置されるフェイスダウン構造のものも使用することができる。また、上下方向から導通を取ることが可能なバーティカル構造のものも使用することができる。発光素子20の大きさは特に限定されない。また、発光素子20は、1つであっても良いし、複数個使用してもよい。複数使用する場合には、全て同種類のものでもよく、異種類のものでもよい。
(Light emitting element 20)
As the
The light-emitting
(保護素子50)
保護素子50は、発光装置に搭載される公知のもののいずれでもよい。例えば、発光素子に印加される逆方向の電圧を短絡したり、発光素子の動作電圧より高い所定の電圧以上の順方向電圧を短絡したりさせることができる素子、つまり、過熱、過電圧、過電流による損傷から保護する機能を持つ素子や、静電気保護素子等が挙げられる。具体的には、ツェナーダイオード、トランジスタのダイオード等が利用できる。
(Protective element 50)
The
(光反射部70)
光反射部70は、図1Aで図示されるように、基板10と、発光素子20とを電気的に接続するワイヤ60を3次元造形法によって埋設、若しくは一部を覆うように形成されており、周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮によって発生する応力を起因とした、ワイヤ60の断線を抑制することができる。
(Light reflection part 70)
As illustrated in FIG. 1A, the
3次元造形による光反射部70の成型方法は、例えば3Dプリンタ等のインクジェット方式や熱溶解方式を用いた樹脂材料を用いる場合と、粉末焼結方式を用いた金属材料を用いる場合から選択される少なくとも1種により形成されることが好ましい。
光反射部70の材料としては、例えば透明の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂に各種フィラーを添加して、用途に応じて物性や色を調整したものを用いる事が好ましい。
The molding method of the
As a material for the
インクジェット方式や熱溶解方式を用いた樹脂材料による光反射部70の材料としては、上述したように、樹脂とフィラーの樹脂組成物が挙げられる。樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂(シリコーン変性エポキシ樹脂等)、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂(エポキシ変性シリコーン樹脂等)、ハイブリッドシリコーン樹脂、ポリイミド(PI)、変性ポリイミド樹脂、ポリアミド(PA)、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、アクリル樹脂、ポリプロピレン(PP)、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート(PC)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリサルフォン(PSF)、ポリエーテルサルフォン(PES)、変性ポリフェニレンエーテル(m−PPE)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルイミド(PEI)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂、ユリア樹脂、BTレジン、ポリウレタン樹脂、ポリアセタール(POM)、超高分子量ポリエチレン(UHPE)、フッ素樹脂等が挙げられる。
この中でも熱可塑性のポリカーボネート(PC)樹脂、ポリフタルアミド(PPA)を成分とするナイロン樹脂が透明性、耐熱性、耐光性の面から好ましい。樹脂の硬化システムは光硬化、熱硬化、溶融と硬化などが挙げられる。
As described above, the material of the
Among these, a thermoplastic polycarbonate (PC) resin and a nylon resin containing polyphthalamide (PPA) as a component are preferable in terms of transparency, heat resistance, and light resistance. Examples of the resin curing system include photocuring, heat curing, melting and curing.
フィラーとして使用される無機材料は、反射材、拡散材又は光散乱材として使用できる、硫酸バリウム、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等、強度を得るためのガラスクロス、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、導電性を付与する為のカーボン、酸化ケイ素、放熱性を付与する為の窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタン又はこれらの混合物が挙げられる。
樹脂とフィラーは目的に応じて配合され使用される。
Inorganic materials used as fillers can be used as reflectors, diffusers or light scattering materials, such as barium sulfate, titanium dioxide, aluminum oxide, silicon oxide, etc., glass cloth, glass fiber, wollastonite etc. for obtaining strength The fibrous filler, carbon for imparting conductivity, silicon oxide, aluminum nitride for imparting heat dissipation, zirconium oxide, zirconium nitride, titanium nitride, or a mixture thereof.
Resin and filler are blended and used according to the purpose.
金属焼結方式を用いた金属材料による光反射部70の材料としては、ステンレス鋼、工具鋼、スーパー合金、非磁性合金、貴金属とアルミナからなる群から選択される少なくとも1種により形成されることが好ましい。
The material of the
光反射部70を3次元造形によって形成する事で、ポッティングやディスペンスなどの一般的な樹脂材料の塗布方法では形成が困難だった形状を実現する事が出来る。また、ポッティングやディスペンスに比べ、樹脂が硬化するまでに要する時間を短縮することができる。本実施形態では、リードフレーム90とワイヤ60との接合部を略中心として、略半球状に形成されているが、例えば平坦な反射面を形成するように形成されていてもよい。
By forming the
発光素子20とリードフレーム90は、ワイヤ60により電気的に接合される。このとき、図1Aに示すように、ワイヤ60とリードフレーム90とは位置をずらして複数回接合されることが好ましい。
例えば、図1Aの発光装置100では、発光素子20の電極とリードフレーム90とを接続するワイヤ60は、リードフレーム90との接合位置をずらすように2箇所でボンディングされており、ボンディング箇所のそれぞれが光反射部70で被覆されている。接合部と接合部の間のワイヤ60の一部が、光反射部70から露出されている。
The
For example, in the
(封止部材30)
基板10内部の凹部は、図1Bに図示されるように、好ましくは封止部材30により満たされている。なお、説明をわかり易くするために、図1Aでは封止部材は省略されている。
(Sealing member 30)
The recess inside the
封止部材30の材質は、例えば熱可塑性樹脂、または熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
The material of the sealing
封止部材30は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散材、顔料、蛍光物質、反射性物質からなる群から選択される少なくとも1種を混合することもできる。封止部材30中には拡散材を含有させてもよい。具体的な拡散材としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等を好適に用いることができる。また、所望外の波長をカットする目的で、封止部材30に有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させることができる。さらに、封止部材30は、発光素子20からの光を吸収し、波長変換する蛍光物質を含有させることもできる。
The sealing
図1Cは、本実施形態の発光装置100の変形例であり、図1Dは図1CのB−B千における概略断面図である。図1Cに示す発光装置200は発光装置100と同様に、位置をずらして2箇所でボンディングされており、2箇所のボンディング領域の双方を1つの光反射部70で被覆している点が図1Aに示す発光装置100と異なっている。その他の部分は実質的に発光装置100と同様に構成とすることができ、同様の効果を奏する。
FIG. 1C is a modification of the
<第2実施形態>
図2Aは、第2実施形態に係る発光装置300の上面図であり、図2Bは図2AのC−C線における概略断面図である。本実施形態においては、図2Aに示すように基板10の上面に配置された保護素子50及び基板10と保護素子50とを電気的に接続するワイヤ60を、光反射部70が覆うように構成されている。光反射部70は3次元造形により形成されている。保護素子50と、保護素子を接続するワイヤ60とが光反射部70により完全に被覆されているため、保護素子やワイヤによる光吸収を抑制することができる。
光反射部70は、図2Bに示すように保護素子とワイヤとを埋設するように、これらと接して設けられていてもよいし、図2Cに示すように内部が空洞となるように、中空の領域を有して保護素子やワイヤと離間するように形成されていてもよい。
Second Embodiment
2A is a top view of the
The
このように、基板10の上面に配置された保護素子50と、基板10と保護素子50とを電気的に接続するワイヤ60とを覆うように、光反射部70を3次元造形することにより、発光装置100にかかる周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮によって発生する応力を起因とした、ワイヤ60の断線を抑制することができる。
Thus, by forming the
また、図2Cに示すように内部を空洞にすることで、封止部材30がワイヤ60と直接的に接触しなくなるため、応力によるワイヤ60の断線をなくすことができる。
Moreover, since the sealing
図2Dは、第2実施形態に係る発光装置300の変形例であり、図2Eは図2DのD−D線断面図である。図2Dに示す発光装置400は、保護素子50と、保護素子を接続するワイヤ60とが光反射部70により完全に被覆されている点が図2Aの発光装置300と同様であり、発光装置300と同様の効果を有する。
図2Dに示す発光装置400は、光反射部70が、基板10の成形部材80から離間して島状に形成されている点が図2Aに示す発光装置300とは異なっている。
このように、保護素子50とそれを接続するワイヤ60の全てを被覆しつつ、キャビティの凹部の側壁から離間させることで、封止部材30の熱収縮による応力を緩和できる。
FIG. 2D is a modification of the
The
As described above, the stress caused by the thermal contraction of the sealing
<第3実施形態>
図3Aは、第3実施形態により形成された発光装置500を示す。本実施形態においては、図3Aとその断面図である図3Bに示すように、基板10の上面に配置された保護素子50と、前記基板10と保護素子50とを電気的に接続するワイヤ60の周りを囲うように、光反射部70が3次元造形により形成されている。この発光装置500の製造方法は、基板10上に半導体素子(発光素子20および/または保護素子50)を載置する第1工程と、第1工程の後に、基板10上に3次元造形によって光反射部70を形成する第2工程とを有する。
これにより、半導体素子の載置に必要な領域を確保しながら、半導体素子の載置箇所に近接して光反射部70を形成することができる。例えば、発光素子20と光反射部70との距離は、10〜200μm程度とすることができる。
<Third Embodiment>
FIG. 3A shows a
Thus, the
図3Aに示すように、光反射部70は発光素子の載置領域と保護素子の載置領域とを分断するように、壁状に形成されている。光反射部70の高さは、50〜400μm程度で載置されている発光素子20の厚みに応じて変更する事が、好ましい。
また、別の観点から、光反射部70の高さは、基板10のキャビティの下面から上面までの高さの0.1〜1.5倍程度であることが好ましい、これにより配光制御、イエローリング抑制、発光色ムラ低減が期待できる。
As shown in FIG. 3A, the
From another point of view, the height of the
光反射部70を形成することにより、発光素子20の光が保護素子50及び保護素子を接続するワイヤ60に到達する前に、光反射部70で発光素子の出射光を反射し、保護素子50及び保護素子を接続するワイヤ60による光吸収を抑制することができる。光反射部70は、図3Bのように発光素子の載置面と、光反射部70の高さ方向に延びる面(反射面)が略垂直になるように形成されていてもよいし、図3Cに示すように発光素子の載置面に対し、光反射部70の高さ方向に延びる面(反射面)が傾斜するように形成されていてもよい。
By forming the
このように基板10の上面と、基板10の上面に配置された保護素子50と、前記基板10と保護素子50とを電気的に接続するワイヤ60とを覆うように、光反射部70を3次元造形する。これにより、光反射部70がアンカーとして機能し、発光装置100にかかる周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮が抑制され、ワイヤ60の断線を抑制することができる。
As described above, the
また、図3Cに示すように光反射部70によるワイヤ60の断線への応力緩和と同時に、リフレクタ形成をする事も可能である。
Further, as shown in FIG. 3C, it is also possible to form a reflector at the same time as the stress relieving to the disconnection of the
また、図3Dに示すように、光反射部70は基板10のキャビティの内壁面と接続されていなくてもよいし、光反射部70を複数(70A、70B)で形成してもよい。
この発光装置600においても、周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮によって発生する応力を起因とした、ワイヤ60の断線を抑制することができる。
Further, as shown in FIG. 3D, the
Also in the
なお、上述した実施形態においては、リードフレームを用いた実施例であるが、セラミックやガラスエポキシを用いた基板であってもよい。また、上述した実施形態では半導体素子を発光素子や保護素子としたが、例えばコンデンサ等、その他の半導体素子であってもよい。 In the above-described embodiment, the lead frame is used, but a substrate using ceramic or glass epoxy may be used. In the above-described embodiments, the semiconductor element is a light emitting element or a protective element, but other semiconductor elements such as a capacitor may be used.
本実施形態の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。 The light-emitting device of the present embodiment includes a liquid crystal display backlight source, various lighting fixtures, a large display, various displays such as advertisements, destination guides, and an image reading device in a digital video camera, facsimile, copier, scanner, etc. It can be used for projector devices.
100、200、300、400、500、600 発光装置
10 基板
20 発光素子
30 封止部材
50 保護素子
60 ワイヤー
70、70A、70B 光反射部
100, 200, 300, 400, 500, 600
Claims (12)
前記第1工程の後に、前記基板上に3次元造形によって光反射部を形成する第2工程と、を有する発光装置の製造方法。 A first step of placing a semiconductor element on a substrate;
After the first step, a second step of forming a light reflecting portion on the substrate by three-dimensional modeling, a method for manufacturing a light emitting device.
前記第2工程において、前記光反射部が前記基板と前記ワイヤとの接合箇所を覆うように形成する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。 A third step of connecting the semiconductor element and the wiring of the substrate with a wire between the first step and the second step;
6. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein in the second step, the light reflecting portion is formed so as to cover a joint portion between the substrate and the wire.
前記基板上に配置された発光素子と、
前記発光素子と電気的に接続される保護素子またはワイヤと、
3次元造形によって形成された光反射部と、を有し、
前記光反射部は前記保護素子の少なくとも一部または前記ワイヤの少なくとも一部を覆うように形成されている発光装置。 A substrate,
A light emitting device disposed on the substrate;
A protective element or wire electrically connected to the light emitting element;
A light reflecting portion formed by three-dimensional modeling,
The light reflecting unit is a light emitting device formed to cover at least a part of the protective element or at least a part of the wire.
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