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JP2016162811A - Light-emitting device and manufacturing method of the same - Google Patents

Light-emitting device and manufacturing method of the same Download PDF

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JP2016162811A
JP2016162811A JP2015038160A JP2015038160A JP2016162811A JP 2016162811 A JP2016162811 A JP 2016162811A JP 2015038160 A JP2015038160 A JP 2015038160A JP 2015038160 A JP2015038160 A JP 2015038160A JP 2016162811 A JP2016162811 A JP 2016162811A
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light
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Satoshi Kinoshita
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device capable of solving the problem of light absorption by a protective element or disconnection of a wire connection part.SOLUTION: The light-emitting device includes: a substrate 10; a light-emitting element 20, disposed on the substrate 10; a protective element 50 or a wire 60, electrically connected to the light-emitting device 20; and a light reflection part 70, formed by three-dimensional molding. The light reflection part 70 is so formed as to cover at least part of the protective element 50 or at least part of the wire 60.SELECTED DRAWING: Figure 1A

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.

従来、キャビティ内の半導体チップとキャビティ側壁とのあいだに反射性の充填物質が配置されており、ベースケーシングのフロント面へ向かう少なくとも1つの表面は半導体チップから見て凹面鏡状すなわち凹形に湾曲しており、一部の放射に対するリフレクタ面を形成している発光装置が知られていた(特許文献1)。反射性の充填物質によりワイヤの接続部を被覆することにより、ワイヤの断線を抑制することができる。
一方、レーザー焼結による3次元造形により、発光装置のリードフレーム上にリフレクタ部を形成する方法が知られている(特許文献2)。
また、発光装置に使用される金属ワイヤの周囲温度や湿度等の環境変化による断線への対策として、金属ワイヤを、発光素子と、および発光素子を配置する基板それぞれの表面に沿うように押し型で変形させて配線させる発光装置が知られている(特許文献3)。
Conventionally, a reflective filler material is disposed between the semiconductor chip in the cavity and the side wall of the cavity, and at least one surface toward the front surface of the base casing is curved in a concave mirror shape or concave shape when viewed from the semiconductor chip. A light-emitting device that forms a reflector surface for a part of radiation has been known (Patent Document 1). By covering the connecting portion of the wire with a reflective filling material, disconnection of the wire can be suppressed.
On the other hand, a method of forming a reflector portion on a lead frame of a light emitting device by three-dimensional modeling by laser sintering is known (Patent Document 2).
In addition, as a countermeasure against disconnection due to environmental changes such as ambient temperature and humidity of the metal wire used in the light emitting device, the metal wire is pushed along the surface of each of the light emitting element and the substrate on which the light emitting element is arranged. A light-emitting device that is deformed and wired is known (Patent Document 3).

特開2004−40099号公報JP 2004-40099 A 特開2012−162025号公報JP 2012-162025 A 特開2013−149927号公報JP 2013-149927 A

特許文献1では、発光素子を収納する凹部を形成し、その凹部を用いて光反射性樹脂を充填することでワイヤの接続部を被覆するため、段差を必要としていた。これにより、発光装置サイズは凹部が無い場合に比べて大きく、また発光装置の高さ自体も高くなる。
特許文献2では、基板上にスライスデータによる3次元造形でリフレクタを形成していた。これにより、リフレクタ部の完成までに多大な時間を要していた。
特許文献3では、金属ワイヤは、発光素子および発光素子を配置する基板それぞれの表面に沿うように押し型で変形させて配線されていた。これにより、金属ワイヤと発光素子、発光素子を配置する基板との間で金属ワイヤのループ部分が接触する事によって、ショートモードによる不灯の発生や、部分的な金属ワイヤの接触による導通抵抗の上昇が懸念される。
In patent document 1, since the recessed part which accommodates a light emitting element was formed and the light reflection resin was filled using the recessed part, the connection part of a wire was coat | covered, and the level | step difference was required. As a result, the light emitting device size is larger than when there is no recess, and the height of the light emitting device itself is also increased.
In Patent Document 2, a reflector is formed on a substrate by three-dimensional modeling using slice data. As a result, a great deal of time was required to complete the reflector portion.
In Patent Document 3, the metal wire is wired by being deformed by a pressing die so as to follow the surface of each of the light emitting element and the substrate on which the light emitting element is arranged. As a result, the loop portion of the metal wire contacts between the metal wire and the light emitting element, and the substrate on which the light emitting element is disposed, thereby causing non-lighting due to the short mode and conduction resistance due to partial metal wire contact. There is concern about the rise.

そこで、作成の時間を短縮した発光装置の製造方法を提供する。また、保護素子による光吸収又はワイヤ接続部の断線を解決する事が可能な発光装置を提供することを目的とする。   Accordingly, a method for manufacturing a light-emitting device with reduced production time is provided. It is another object of the present invention to provide a light emitting device capable of solving light absorption by a protective element or wire connection disconnection.

本発明に係る実施形態は、基板上に半導体素子を載置する第1工程と、第1工程の後に、基板上に3次元造形によって光反射部を形成する第2工程と、を有する発光装置の製造方法である。
また、本発明に係る別の実施形態は、基板と、基板上に配置された発光素子と、発光素子と電気的に接続される保護素子またはワイヤと、3次元造形によって形成された光反射部と、を有し、光反射部は前記保護素子の少なくとも一部または前記ワイヤの少なくとも一部を覆うように形成されている発光装置である。
An embodiment according to the present invention includes a first step of placing a semiconductor element on a substrate, and a second step of forming a light reflecting portion on the substrate by three-dimensional modeling after the first step. It is a manufacturing method.
Further, another embodiment according to the present invention includes a substrate, a light emitting element disposed on the substrate, a protective element or a wire electrically connected to the light emitting element, and a light reflecting portion formed by three-dimensional modeling. And the light reflecting portion is formed so as to cover at least part of the protective element or at least part of the wire.

本発明に係る実施形態によれば、作成の時間を短縮した発光装置の製造方法を提供する。また、ワイヤ接続部の断線という問題を解決する事が可能な発光装置を提供することができる。 According to the embodiment of the present invention, a method for manufacturing a light emitting device with reduced creation time is provided. In addition, it is possible to provide a light emitting device that can solve the problem of disconnection of the wire connection portion.

第1実施形態に係る配線基板を示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows the wiring board which concerns on 1st Embodiment. 図1AのA−A線における概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in the AA of FIG. 1A. 一実施形態に係る配線基板を示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows the wiring board which concerns on one Embodiment. 図1CのB−B線における概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in the BB line of FIG. 1C. 第2実施形態に係る配線基板を示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows the wiring board which concerns on 2nd Embodiment. 図2AのC−C線における概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in the CC line of FIG. 2A. 図2Aの変形例に係る概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which concerns on the modification of FIG. 2A. 一実施形態に係る配線基板を示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows the wiring board which concerns on one Embodiment. 図2DのD−D線における概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in the DD line of FIG. 2D. 第3実施形態に係る配線基板を示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows the wiring board which concerns on 3rd Embodiment. 図3AのE−E線における概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in the EE line of FIG. 3A. 図3Aの変形例に係る概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which concerns on the modification of FIG. 3A. 図3Aの変形例に係る概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which concerns on the modification of FIG. 3A.

以下に、添付した図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について説明する。但し、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置及び発光装置の製造方法を例示するものであって、本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法を以下に限定するものではない。   EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the form for implementing this invention is demonstrated, referring attached drawing. However, the embodiments shown below exemplify a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention describes the method for manufacturing the light emitting device and the light emitting device as follows. It is not limited.

また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。 Further, the present specification by no means specifies the member shown in the claims as the member of the embodiment. In particular, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in the embodiments are not intended to limit the scope of the present invention only to the extent that there is no specific description. It is just an example. It should be noted that the size and positional relationship of the members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation. Furthermore, in the following description, the same name and symbol indicate the same or the same members, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.

<第1実施形態>
図1Aは、本発明の第1実施形態に係る発光装置100の上面図であり、図1Bは、図1AのA−A線における概略断面図である。図1Cは図1Aにおける光反射部70の位置や形状を変えた変形例であり、図1Dは、図1CのB−B線における概略断面図である。
<First Embodiment>
FIG. 1A is a top view of the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1A. 1C is a modified example in which the position and shape of the light reflecting portion 70 in FIG. 1A are changed, and FIG. 1D is a schematic cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 1C.

本実施形態に係る発光装置100は、基板10と、基板10上に配置された発光素子20と、基板10上に配置された保護素子50と、基板10と発光素子20、基板10と保護素子50をそれぞれ電気的に接続するワイヤ60とを有している。   The light emitting device 100 according to this embodiment includes a substrate 10, a light emitting element 20 disposed on the substrate 10, a protection element 50 disposed on the substrate 10, a substrate 10, the light emitting element 20, and a substrate 10 and a protection element. 50 and the wire 60 which electrically connects each.

基板10は発光素子20が載置される部材であり、成形部材80とリードフレーム90とを有する。リードフレーム90は、発光装置の端子として機能させることができるように少なくとも一対備えられており、発光素子20の電極と電気的に接続されている。基板10には発光素子20を載置する凹部が形成されており、凹部の底面に一対のリードフレーム90が露出するように形成されている。
発光素子20は、基板10の凹部の底面に露出されたリードフレーム90の表面に、接合部材を介して載置されており、発光素子20の正負の電極と、リードフレーム90の上面とが、ワイヤ60を介して電気的に接続されている。
The substrate 10 is a member on which the light emitting element 20 is placed, and includes a molding member 80 and a lead frame 90. The lead frame 90 is provided in at least a pair so that it can function as a terminal of the light emitting device, and is electrically connected to the electrode of the light emitting element 20. The substrate 10 has a recess for mounting the light emitting element 20, and a pair of lead frames 90 are exposed on the bottom surface of the recess.
The light emitting element 20 is placed on the surface of the lead frame 90 exposed on the bottom surface of the concave portion of the substrate 10 via a bonding member, and the positive and negative electrodes of the light emitting element 20 and the upper surface of the lead frame 90 are It is electrically connected via a wire 60.

ここで、第1実施形態においては、基板10の上面(リードフレーム90の上面)であって、ワイヤ60がボンディングされる箇所(すなわち、基板10とワイヤ60との接合箇所)に、リードフレーム90とワイヤ60との接合部分を覆うように、3次元造形により光反射部70が形成されている。ワイヤ60は、その一部が光反射部70に埋設されている。   Here, in the first embodiment, the lead frame 90 is disposed on the upper surface of the substrate 10 (the upper surface of the lead frame 90) at a position where the wire 60 is bonded (that is, a bonding position between the substrate 10 and the wire 60). The light reflecting portion 70 is formed by three-dimensional modeling so as to cover the joint portion between the wire 60 and the wire 60. A part of the wire 60 is embedded in the light reflecting portion 70.

このように基板10の上面と、ワイヤ60がボンディングされた箇所を覆うように、光反射部70を3次元造形することによりワイヤの接合部分を補強し、発光装置100にかかる周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮によって発生する応力を起因とした、ワイヤ60の断線を抑制することができる。   In this way, the light reflecting portion 70 is three-dimensionally shaped so as to cover the upper surface of the substrate 10 and the portion where the wire 60 is bonded, thereby reinforcing the bonding portion of the wire, and the ambient temperature and humidity applied to the light emitting device 100. The disconnection of the wire 60 caused by the stress generated by the expansion and contraction of the sealing member 30 due to the environmental change can be suppressed.

(発光装置100の製造方法)
本実施形態に係る発光装置の製造方法は、基板10上に半導体素子である発光素子20および/又は保護素子50を載置する第1工程と、第1工程の後に、基板10上に3次元造形によって光反射部70を形成する第2工程と、を含む。
このように、発光素子20の載置後に3次元造形によって光反射部70を形成するため、発光素子20と光反射部70とを近接して配置することができる。また、光反射部70は、保護素子50を覆うように形成されることが好ましい。これにより、保護素子50による光吸収を抑制することができる。
(Method for manufacturing light emitting device 100)
The manufacturing method of the light emitting device according to the present embodiment includes a first step of placing the light emitting element 20 and / or the protective element 50 as a semiconductor element on the substrate 10, and a three-dimensional pattern on the substrate 10 after the first step. A second step of forming the light reflecting portion 70 by modeling.
Thus, since the light reflecting part 70 is formed by three-dimensional modeling after the light emitting element 20 is placed, the light emitting element 20 and the light reflecting part 70 can be disposed close to each other. In addition, the light reflecting portion 70 is preferably formed so as to cover the protection element 50. Thereby, light absorption by the protection element 50 can be suppressed.

また、第1工程と第2工程の間に、第1工程で載置された半導体素子と基板との配線をワイヤ60で接続する第3工程を有し、第2工程において光反射部70が基板とワイヤ60との接合箇所を覆うように形成してもよい。少なくとも接合箇所が覆われていれば、ワイヤの接合部分を補強し、発光装置100にかかる周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮によって発生する応力を起因とした、ワイヤ60の断線を抑制することができる。
また、発光素子20とワイヤ60とを電気的に接続させた後に、ワイヤ60とリードフレーム90の接合部分のみを光反射部70で被覆することもできる。
Moreover, it has the 3rd process of connecting the wiring of the semiconductor element mounted in the 1st process, and a board | substrate with the wire 60 between a 1st process and a 2nd process, and the light reflection part 70 is in a 2nd process. You may form so that the junction location of a board | substrate and the wire 60 may be covered. If at least the bonding portion is covered, the bonding portion of the wire is reinforced, and the stress generated by the expansion and contraction of the sealing member 30 due to the environmental change such as ambient temperature and humidity applied to the light emitting device 100 is caused. Disconnection of the wire 60 can be suppressed.
In addition, after the light emitting element 20 and the wire 60 are electrically connected, only the joint portion between the wire 60 and the lead frame 90 can be covered with the light reflecting portion 70.

以下、発光装置100の構成部材について詳述する。
(基板10)
基板10は、その表面に、図1Aに示すように、発光素子20を載置する部分と、ワイヤ60とで電気的に接続される部分とを有しており、発光素子に給電(印可)するための導電部材となるリードフレーム90を備える。
Hereinafter, the constituent members of the light emitting device 100 will be described in detail.
(Substrate 10)
As shown in FIG. 1A, the substrate 10 has a portion on which the light emitting element 20 is placed and a portion electrically connected to the wire 60 on the surface thereof. A lead frame 90 serving as a conductive member.

基板10は、全体として図1A、図1Cに示すような凹部形状としてもよいし、あるいは、平板状を有する形状としてもよい。凹部は、その内側に発光素子20を載置する場合は、基板10の略中央に開口を有する凹部とすることが好ましく、凹部の底面に発光素子20を載置可能な大きさで設けるのが好ましい。   The board | substrate 10 is good also as a recessed part shape as shown to FIG. 1A and FIG. 1C as a whole, or good also as a shape which has flat form. When the light emitting element 20 is placed inside the recess, the recess is preferably a recess having an opening substantially at the center of the substrate 10, and is provided in a size that allows the light emitting element 20 to be placed on the bottom surface of the recess. preferable.

発光素子20の固定は、例えば、エポキシ、シリコーン等の樹脂、銀、金、パラジウム等の導電性ペースト、低融点を有する金属等のろう材等の固定部材により行うことができる。   The light emitting element 20 can be fixed by a fixing member such as a resin such as epoxy or silicone, a conductive paste such as silver, gold or palladium, or a brazing material such as a metal having a low melting point.

発光素子20は、基板10と電気的に接続されている。好ましい接続形態の1つは、図示するように、導電部材であるリードフレーム90の上面と、発光素子20の電極とをワイヤ60で接続することである。なお、ワイヤ60は、電気伝導性を有する金属等の各種材料であってよい。好ましくは、金、銅、アルミニウム、または金合金、銀合金などからなる。   The light emitting element 20 is electrically connected to the substrate 10. One of the preferable connection forms is to connect the upper surface of the lead frame 90 which is a conductive member and the electrode of the light emitting element 20 with a wire 60 as shown in the figure. The wire 60 may be made of various materials such as a metal having electrical conductivity. Preferably, it consists of gold, copper, aluminum, a gold alloy, a silver alloy, or the like.

リードフレーム90は例えば、鉄、リン青銅、銅合金、クラッド材等の電気良導体を用いて形成される。また、必要に応じて、例えば反射率向上を目的に銀、アルミニウム、銅及び金などの金属メッキをすることができる。   The lead frame 90 is formed using a good electrical conductor such as iron, phosphor bronze, copper alloy, or a clad material. Further, if necessary, for example, silver, aluminum, copper and gold can be plated with a metal for the purpose of improving the reflectance.

めっき層は、例えば、銀、金、ニッケル、パラジウム、銅、錫等より選択される金属めっきまたはこれらを組み合わせた合金めっきより成る。好ましくは反射率の高い銀や、ワイヤと良好な密着性を有する金を選択する。めっき層は基板10を形成後、電解めっきにより形成することで、形成することができる。   A plating layer consists of metal plating selected from silver, gold | metal | money, nickel, palladium, copper, tin etc., or alloy plating which combined these, for example. Preferably, silver having high reflectivity or gold having good adhesion to the wire is selected. The plating layer can be formed by forming the substrate 10 and then forming it by electrolytic plating.

(発光素子20)
発光素子20としては、いわゆる発光ダイオードと呼ばれる素子が好適に用いられる。例えば、基板上に、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体によって、発光層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。
発光素子20は、正負の電極が上方に位置するように基板10に載置されるフェイスアップ構造のものを使用することができる他、正負の電極が基板10側になるように載置されるフェイスダウン構造のものも使用することができる。また、上下方向から導通を取ることが可能なバーティカル構造のものも使用することができる。発光素子20の大きさは特に限定されない。また、発光素子20は、1つであっても良いし、複数個使用してもよい。複数使用する場合には、全て同種類のものでもよく、異種類のものでもよい。
(Light emitting element 20)
As the light emitting element 20, an element called a so-called light emitting diode is preferably used. For example, a stacked structure including a light emitting layer is formed on a substrate by various semiconductors such as nitride semiconductors such as InN, AlN, GaN, InGaN, AlGaN, and InGaAlN, III-V compound semiconductors, II-VI compound semiconductors, and the like. What was formed is mentioned.
The light-emitting element 20 can be a face-up structure in which the positive and negative electrodes are placed on the substrate 10 so that the positive and negative electrodes are positioned on the upper side, and the positive and negative electrodes are placed on the substrate 10 side. A face-down structure can also be used. Moreover, the thing of the vertical structure which can take conduction | electrical_connection from an up-down direction can also be used. The size of the light emitting element 20 is not particularly limited. Further, the number of the light emitting elements 20 may be one or a plurality may be used. When using a plurality, they may all be of the same type or different types.

(保護素子50)
保護素子50は、発光装置に搭載される公知のもののいずれでもよい。例えば、発光素子に印加される逆方向の電圧を短絡したり、発光素子の動作電圧より高い所定の電圧以上の順方向電圧を短絡したりさせることができる素子、つまり、過熱、過電圧、過電流による損傷から保護する機能を持つ素子や、静電気保護素子等が挙げられる。具体的には、ツェナーダイオード、トランジスタのダイオード等が利用できる。
(Protective element 50)
The protection element 50 may be any known element mounted on the light emitting device. For example, an element capable of short-circuiting a reverse voltage applied to the light-emitting element or short-circuiting a forward voltage higher than a predetermined voltage higher than the operating voltage of the light-emitting element, that is, overheating, overvoltage, overcurrent Examples thereof include an element having a function of protecting from damage caused by the above, an electrostatic protection element, and the like. Specifically, a Zener diode, a transistor diode, or the like can be used.

(光反射部70)
光反射部70は、図1Aで図示されるように、基板10と、発光素子20とを電気的に接続するワイヤ60を3次元造形法によって埋設、若しくは一部を覆うように形成されており、周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮によって発生する応力を起因とした、ワイヤ60の断線を抑制することができる。
(Light reflection part 70)
As illustrated in FIG. 1A, the light reflecting portion 70 is formed so that a wire 60 that electrically connects the substrate 10 and the light emitting element 20 is embedded or partially covered by a three-dimensional modeling method. Further, disconnection of the wire 60 due to stress generated by expansion and contraction of the sealing member 30 due to environmental changes such as ambient temperature and humidity can be suppressed.

3次元造形による光反射部70の成型方法は、例えば3Dプリンタ等のインクジェット方式や熱溶解方式を用いた樹脂材料を用いる場合と、粉末焼結方式を用いた金属材料を用いる場合から選択される少なくとも1種により形成されることが好ましい。
光反射部70の材料としては、例えば透明の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂に各種フィラーを添加して、用途に応じて物性や色を調整したものを用いる事が好ましい。
The molding method of the light reflecting portion 70 by three-dimensional modeling is selected from, for example, a case where a resin material using an ink jet method or a heat melting method such as a 3D printer is used, and a case where a metal material using a powder sintering method is used. It is preferably formed of at least one kind.
As a material for the light reflecting portion 70, for example, it is preferable to use a material in which various fillers are added to a transparent thermosetting resin or thermoplastic resin and the physical properties and colors are adjusted according to the use.

インクジェット方式や熱溶解方式を用いた樹脂材料による光反射部70の材料としては、上述したように、樹脂とフィラーの樹脂組成物が挙げられる。樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂(シリコーン変性エポキシ樹脂等)、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂(エポキシ変性シリコーン樹脂等)、ハイブリッドシリコーン樹脂、ポリイミド(PI)、変性ポリイミド樹脂、ポリアミド(PA)、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、アクリル樹脂、ポリプロピレン(PP)、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート(PC)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリサルフォン(PSF)、ポリエーテルサルフォン(PES)、変性ポリフェニレンエーテル(m−PPE)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルイミド(PEI)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂、ユリア樹脂、BTレジン、ポリウレタン樹脂、ポリアセタール(POM)、超高分子量ポリエチレン(UHPE)、フッ素樹脂等が挙げられる。
この中でも熱可塑性のポリカーボネート(PC)樹脂、ポリフタルアミド(PPA)を成分とするナイロン樹脂が透明性、耐熱性、耐光性の面から好ましい。樹脂の硬化システムは光硬化、熱硬化、溶融と硬化などが挙げられる。
As described above, the material of the light reflecting portion 70 made of a resin material using an inkjet method or a thermal melting method includes a resin composition of a resin and a filler. Examples of the resin include thermosetting resins, thermoplastic resins, modified resins thereof, or hybrid resins containing one or more of these resins. Specifically, epoxy resin, modified epoxy resin (silicone modified epoxy resin, etc.), silicone resin, modified silicone resin (epoxy modified silicone resin, etc.), hybrid silicone resin, polyimide (PI), modified polyimide resin, polyamide (PA) , Polyethylene terephthalate resin, polycyclohexane terephthalate resin, acrylic resin, polypropylene (PP), polyphthalamide (PPA), polycarbonate (PC), polyphenylene sulfide (PPS), polysulfone (PSF), polyethersulfone (PES), modified Polyphenylene ether (m-PPE), polyetheretherketone (PEEK), polyetherimide (PEI), liquid crystal polymer (LCP), ABS resin, phenol resin, acrylic resin , PBT resin, urea resin, BT resin, polyurethane resin, polyacetal (POM), ultrahigh molecular weight polyethylene (UHPE), fluorocarbon resins.
Among these, a thermoplastic polycarbonate (PC) resin and a nylon resin containing polyphthalamide (PPA) as a component are preferable in terms of transparency, heat resistance, and light resistance. Examples of the resin curing system include photocuring, heat curing, melting and curing.

フィラーとして使用される無機材料は、反射材、拡散材又は光散乱材として使用できる、硫酸バリウム、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等、強度を得るためのガラスクロス、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、導電性を付与する為のカーボン、酸化ケイ素、放熱性を付与する為の窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタン又はこれらの混合物が挙げられる。
樹脂とフィラーは目的に応じて配合され使用される。
Inorganic materials used as fillers can be used as reflectors, diffusers or light scattering materials, such as barium sulfate, titanium dioxide, aluminum oxide, silicon oxide, etc., glass cloth, glass fiber, wollastonite etc. for obtaining strength The fibrous filler, carbon for imparting conductivity, silicon oxide, aluminum nitride for imparting heat dissipation, zirconium oxide, zirconium nitride, titanium nitride, or a mixture thereof.
Resin and filler are blended and used according to the purpose.

金属焼結方式を用いた金属材料による光反射部70の材料としては、ステンレス鋼、工具鋼、スーパー合金、非磁性合金、貴金属とアルミナからなる群から選択される少なくとも1種により形成されることが好ましい。   The material of the light reflecting portion 70 made of a metal material using a metal sintering method is formed of at least one selected from the group consisting of stainless steel, tool steel, superalloy, nonmagnetic alloy, noble metal and alumina. Is preferred.

光反射部70を3次元造形によって形成する事で、ポッティングやディスペンスなどの一般的な樹脂材料の塗布方法では形成が困難だった形状を実現する事が出来る。また、ポッティングやディスペンスに比べ、樹脂が硬化するまでに要する時間を短縮することができる。本実施形態では、リードフレーム90とワイヤ60との接合部を略中心として、略半球状に形成されているが、例えば平坦な反射面を形成するように形成されていてもよい。   By forming the light reflecting portion 70 by three-dimensional modeling, it is possible to realize a shape that is difficult to form by a general resin material application method such as potting or dispensing. In addition, the time required for the resin to cure can be shortened compared to potting or dispensing. In the present embodiment, the joint portion between the lead frame 90 and the wire 60 is formed in a substantially hemispherical shape with the center as the center, but may be formed so as to form a flat reflecting surface, for example.

発光素子20とリードフレーム90は、ワイヤ60により電気的に接合される。このとき、図1Aに示すように、ワイヤ60とリードフレーム90とは位置をずらして複数回接合されることが好ましい。
例えば、図1Aの発光装置100では、発光素子20の電極とリードフレーム90とを接続するワイヤ60は、リードフレーム90との接合位置をずらすように2箇所でボンディングされており、ボンディング箇所のそれぞれが光反射部70で被覆されている。接合部と接合部の間のワイヤ60の一部が、光反射部70から露出されている。
The light emitting element 20 and the lead frame 90 are electrically joined by a wire 60. At this time, as shown in FIG. 1A, it is preferable that the wire 60 and the lead frame 90 are joined a plurality of times while being shifted in position.
For example, in the light emitting device 100 of FIG. 1A, the wire 60 that connects the electrode of the light emitting element 20 and the lead frame 90 is bonded at two positions so as to shift the bonding position with the lead frame 90. Is covered with the light reflecting portion 70. A part of the wire 60 between the joint portions is exposed from the light reflecting portion 70.

(封止部材30)
基板10内部の凹部は、図1Bに図示されるように、好ましくは封止部材30により満たされている。なお、説明をわかり易くするために、図1Aでは封止部材は省略されている。
(Sealing member 30)
The recess inside the substrate 10 is preferably filled with a sealing member 30 as shown in FIG. 1B. For ease of explanation, the sealing member is omitted in FIG. 1A.

封止部材30の材質は、例えば熱可塑性樹脂、または熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。   The material of the sealing member 30 is, for example, a thermoplastic resin or a thermosetting resin. Among thermosetting resins, it is preferably formed of at least one selected from the group consisting of epoxy resins, modified epoxy resins, silicone resins, modified silicone resins, acrylate resins, and urethane resins, particularly epoxy resins and modified epoxy resins. Silicone resins and modified silicone resins are preferred.

封止部材30は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散材、顔料、蛍光物質、反射性物質からなる群から選択される少なくとも1種を混合することもできる。封止部材30中には拡散材を含有させてもよい。具体的な拡散材としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等を好適に用いることができる。また、所望外の波長をカットする目的で、封止部材30に有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させることができる。さらに、封止部材30は、発光素子20からの光を吸収し、波長変換する蛍光物質を含有させることもできる。   The sealing member 30 can be mixed with at least one selected from the group consisting of a filler, a diffusing material, a pigment, a fluorescent material, and a reflective material in order to have a predetermined function. The sealing member 30 may contain a diffusing material. As a specific diffusion material, barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, or the like can be suitably used. Further, for the purpose of cutting an undesired wavelength, the sealing member 30 can contain an organic or inorganic coloring dye or coloring pigment. Furthermore, the sealing member 30 can also contain a fluorescent material that absorbs light from the light emitting element 20 and converts the wavelength.

図1Cは、本実施形態の発光装置100の変形例であり、図1Dは図1CのB−B千における概略断面図である。図1Cに示す発光装置200は発光装置100と同様に、位置をずらして2箇所でボンディングされており、2箇所のボンディング領域の双方を1つの光反射部70で被覆している点が図1Aに示す発光装置100と異なっている。その他の部分は実質的に発光装置100と同様に構成とすることができ、同様の効果を奏する。   FIG. 1C is a modification of the light emitting device 100 of the present embodiment, and FIG. 1D is a schematic cross-sectional view taken along the line BB1000 of FIG. 1C. The light emitting device 200 shown in FIG. 1C is bonded at two positions by shifting the position similarly to the light emitting device 100, and the two bonding regions are covered with one light reflecting portion 70 as shown in FIG. 1A. This is different from the light emitting device 100 shown in FIG. Other portions can be configured substantially in the same manner as the light emitting device 100, and the same effects can be obtained.

<第2実施形態>
図2Aは、第2実施形態に係る発光装置300の上面図であり、図2Bは図2AのC−C線における概略断面図である。本実施形態においては、図2Aに示すように基板10の上面に配置された保護素子50及び基板10と保護素子50とを電気的に接続するワイヤ60を、光反射部70が覆うように構成されている。光反射部70は3次元造形により形成されている。保護素子50と、保護素子を接続するワイヤ60とが光反射部70により完全に被覆されているため、保護素子やワイヤによる光吸収を抑制することができる。
光反射部70は、図2Bに示すように保護素子とワイヤとを埋設するように、これらと接して設けられていてもよいし、図2Cに示すように内部が空洞となるように、中空の領域を有して保護素子やワイヤと離間するように形成されていてもよい。
Second Embodiment
2A is a top view of the light emitting device 300 according to the second embodiment, and FIG. 2B is a schematic cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 2A. In the present embodiment, as shown in FIG. 2A, the light reflecting portion 70 covers the protection element 50 disposed on the upper surface of the substrate 10 and the wire 60 that electrically connects the substrate 10 and the protection element 50. Has been. The light reflecting portion 70 is formed by three-dimensional modeling. Since the protection element 50 and the wire 60 connecting the protection element are completely covered by the light reflecting portion 70, light absorption by the protection element and the wire can be suppressed.
The light reflecting portion 70 may be provided in contact with the protective element and the wire as shown in FIG. 2B, or may be hollow so that the inside becomes a hollow as shown in FIG. 2C. And may be formed so as to be separated from the protective element and the wire.

このように、基板10の上面に配置された保護素子50と、基板10と保護素子50とを電気的に接続するワイヤ60とを覆うように、光反射部70を3次元造形することにより、発光装置100にかかる周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮によって発生する応力を起因とした、ワイヤ60の断線を抑制することができる。   Thus, by forming the light reflecting portion 70 three-dimensionally so as to cover the protection element 50 disposed on the upper surface of the substrate 10 and the wire 60 that electrically connects the substrate 10 and the protection element 50, The disconnection of the wire 60 due to the stress generated by the expansion and contraction of the sealing member 30 due to environmental changes such as ambient temperature and humidity applied to the light emitting device 100 can be suppressed.

また、図2Cに示すように内部を空洞にすることで、封止部材30がワイヤ60と直接的に接触しなくなるため、応力によるワイヤ60の断線をなくすことができる。   Moreover, since the sealing member 30 does not come into direct contact with the wire 60 by making the inside hollow as shown in FIG. 2C, the disconnection of the wire 60 due to stress can be eliminated.

図2Dは、第2実施形態に係る発光装置300の変形例であり、図2Eは図2DのD−D線断面図である。図2Dに示す発光装置400は、保護素子50と、保護素子を接続するワイヤ60とが光反射部70により完全に被覆されている点が図2Aの発光装置300と同様であり、発光装置300と同様の効果を有する。
図2Dに示す発光装置400は、光反射部70が、基板10の成形部材80から離間して島状に形成されている点が図2Aに示す発光装置300とは異なっている。
このように、保護素子50とそれを接続するワイヤ60の全てを被覆しつつ、キャビティの凹部の側壁から離間させることで、封止部材30の熱収縮による応力を緩和できる。
FIG. 2D is a modification of the light emitting device 300 according to the second embodiment, and FIG. 2E is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 2D. The light emitting device 400 shown in FIG. 2D is the same as the light emitting device 300 in FIG. 2A in that the protective element 50 and the wire 60 connecting the protective elements are completely covered by the light reflecting portion 70. Has the same effect.
The light emitting device 400 shown in FIG. 2D is different from the light emitting device 300 shown in FIG. 2A in that the light reflecting portion 70 is formed in an island shape apart from the forming member 80 of the substrate 10.
As described above, the stress caused by the thermal contraction of the sealing member 30 can be reduced by covering the protective element 50 and the wire 60 connecting the protective element 50 and separating the protective element 50 from the side wall of the concave portion of the cavity.

<第3実施形態>
図3Aは、第3実施形態により形成された発光装置500を示す。本実施形態においては、図3Aとその断面図である図3Bに示すように、基板10の上面に配置された保護素子50と、前記基板10と保護素子50とを電気的に接続するワイヤ60の周りを囲うように、光反射部70が3次元造形により形成されている。この発光装置500の製造方法は、基板10上に半導体素子(発光素子20および/または保護素子50)を載置する第1工程と、第1工程の後に、基板10上に3次元造形によって光反射部70を形成する第2工程とを有する。
これにより、半導体素子の載置に必要な領域を確保しながら、半導体素子の載置箇所に近接して光反射部70を形成することができる。例えば、発光素子20と光反射部70との距離は、10〜200μm程度とすることができる。
<Third Embodiment>
FIG. 3A shows a light emitting device 500 formed according to the third embodiment. In this embodiment, as shown in FIG. 3A and FIG. 3B, which is a cross-sectional view thereof, the protection element 50 disposed on the upper surface of the substrate 10 and the wire 60 that electrically connects the substrate 10 and the protection element 50. The light reflecting portion 70 is formed by three-dimensional modeling so as to surround the periphery of the. The manufacturing method of the light emitting device 500 includes a first step of placing a semiconductor element (the light emitting element 20 and / or the protective element 50) on the substrate 10, and a three-dimensional modeling on the substrate 10 after the first step. A second step of forming the reflection portion 70.
Thus, the light reflecting portion 70 can be formed in the vicinity of the place where the semiconductor element is placed while securing a region necessary for placing the semiconductor element. For example, the distance between the light emitting element 20 and the light reflecting portion 70 can be about 10 to 200 μm.

図3Aに示すように、光反射部70は発光素子の載置領域と保護素子の載置領域とを分断するように、壁状に形成されている。光反射部70の高さは、50〜400μm程度で載置されている発光素子20の厚みに応じて変更する事が、好ましい。
また、別の観点から、光反射部70の高さは、基板10のキャビティの下面から上面までの高さの0.1〜1.5倍程度であることが好ましい、これにより配光制御、イエローリング抑制、発光色ムラ低減が期待できる。
As shown in FIG. 3A, the light reflecting portion 70 is formed in a wall shape so as to divide the mounting region of the light emitting element and the mounting region of the protection element. It is preferable to change the height of the light reflecting portion 70 in accordance with the thickness of the light emitting element 20 mounted at about 50 to 400 μm.
From another point of view, the height of the light reflecting portion 70 is preferably about 0.1 to 1.5 times the height from the lower surface to the upper surface of the cavity of the substrate 10, thereby controlling the light distribution. It can be expected to suppress yellow ring and reduce emission color unevenness.

光反射部70を形成することにより、発光素子20の光が保護素子50及び保護素子を接続するワイヤ60に到達する前に、光反射部70で発光素子の出射光を反射し、保護素子50及び保護素子を接続するワイヤ60による光吸収を抑制することができる。光反射部70は、図3Bのように発光素子の載置面と、光反射部70の高さ方向に延びる面(反射面)が略垂直になるように形成されていてもよいし、図3Cに示すように発光素子の載置面に対し、光反射部70の高さ方向に延びる面(反射面)が傾斜するように形成されていてもよい。   By forming the light reflecting portion 70, the light reflected from the light emitting element is reflected by the light reflecting portion 70 before the light from the light emitting element 20 reaches the protective element 50 and the wire 60 connecting the protective elements, and the protective element 50. And the light absorption by the wire 60 which connects a protection element can be suppressed. The light reflecting portion 70 may be formed so that the mounting surface of the light emitting element and the surface (reflecting surface) extending in the height direction of the light reflecting portion 70 are substantially perpendicular as shown in FIG. 3B. As shown in 3C, the surface (reflecting surface) extending in the height direction of the light reflecting portion 70 may be inclined with respect to the mounting surface of the light emitting element.

このように基板10の上面と、基板10の上面に配置された保護素子50と、前記基板10と保護素子50とを電気的に接続するワイヤ60とを覆うように、光反射部70を3次元造形する。これにより、光反射部70がアンカーとして機能し、発光装置100にかかる周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮が抑制され、ワイヤ60の断線を抑制することができる。   As described above, the light reflecting portion 70 is formed so as to cover the upper surface of the substrate 10, the protective element 50 disposed on the upper surface of the substrate 10, and the wire 60 that electrically connects the substrate 10 and the protective element 50. Dimensional modeling. Thereby, the light reflection part 70 functions as an anchor, the expansion and contraction of the sealing member 30 due to environmental changes such as ambient temperature and humidity applied to the light emitting device 100 are suppressed, and the disconnection of the wire 60 can be suppressed. .

また、図3Cに示すように光反射部70によるワイヤ60の断線への応力緩和と同時に、リフレクタ形成をする事も可能である。   Further, as shown in FIG. 3C, it is also possible to form a reflector at the same time as the stress relieving to the disconnection of the wire 60 by the light reflecting portion 70.

また、図3Dに示すように、光反射部70は基板10のキャビティの内壁面と接続されていなくてもよいし、光反射部70を複数(70A、70B)で形成してもよい。
この発光装置600においても、周囲温度や湿度等の環境変化による、封止部材30の膨張、収縮によって発生する応力を起因とした、ワイヤ60の断線を抑制することができる。
Further, as shown in FIG. 3D, the light reflecting portion 70 may not be connected to the inner wall surface of the cavity of the substrate 10, or a plurality of light reflecting portions 70 (70A, 70B) may be formed.
Also in the light emitting device 600, disconnection of the wire 60 caused by stress generated by expansion and contraction of the sealing member 30 due to environmental changes such as ambient temperature and humidity can be suppressed.

なお、上述した実施形態においては、リードフレームを用いた実施例であるが、セラミックやガラスエポキシを用いた基板であってもよい。また、上述した実施形態では半導体素子を発光素子や保護素子としたが、例えばコンデンサ等、その他の半導体素子であってもよい。   In the above-described embodiment, the lead frame is used, but a substrate using ceramic or glass epoxy may be used. In the above-described embodiments, the semiconductor element is a light emitting element or a protective element, but other semiconductor elements such as a capacitor may be used.

本実施形態の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。   The light-emitting device of the present embodiment includes a liquid crystal display backlight source, various lighting fixtures, a large display, various displays such as advertisements, destination guides, and an image reading device in a digital video camera, facsimile, copier, scanner, etc. It can be used for projector devices.

100、200、300、400、500、600 発光装置
10 基板
20 発光素子
30 封止部材
50 保護素子
60 ワイヤー
70、70A、70B 光反射部
100, 200, 300, 400, 500, 600 Light emitting device 10 Substrate 20 Light emitting element 30 Sealing member 50 Protection element 60 Wire 70, 70A, 70B Light reflecting portion

Claims (12)

基板上に半導体素子を載置する第1工程と、
前記第1工程の後に、前記基板上に3次元造形によって光反射部を形成する第2工程と、を有する発光装置の製造方法。
A first step of placing a semiconductor element on a substrate;
After the first step, a second step of forming a light reflecting portion on the substrate by three-dimensional modeling, a method for manufacturing a light emitting device.
前記半導体素子は、発光素子である請求項1に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the semiconductor element is a light emitting element. 前記半導体素子は、保護素子である請求項1に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the semiconductor element is a protective element. 前記半導体素子は、発光素子及び保護素子である請求項1に記載の発光装置の製造方法。 The method of manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the semiconductor element is a light emitting element and a protective element. 前記光反射部が前記保護素子を覆うように形成する、請求項3または4に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 3, wherein the light reflecting portion is formed so as to cover the protection element. 前記第1工程と前記第2工程の間に、前記半導体素子と前記基板の配線とをワイヤで接続する第3工程を有し、
前記第2工程において、前記光反射部が前記基板と前記ワイヤとの接合箇所を覆うように形成する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
A third step of connecting the semiconductor element and the wiring of the substrate with a wire between the first step and the second step;
6. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein in the second step, the light reflecting portion is formed so as to cover a joint portion between the substrate and the wire.
基板と、
前記基板上に配置された発光素子と、
前記発光素子と電気的に接続される保護素子またはワイヤと、
3次元造形によって形成された光反射部と、を有し、
前記光反射部は前記保護素子の少なくとも一部または前記ワイヤの少なくとも一部を覆うように形成されている発光装置。
A substrate,
A light emitting device disposed on the substrate;
A protective element or wire electrically connected to the light emitting element;
A light reflecting portion formed by three-dimensional modeling,
The light reflecting unit is a light emitting device formed to cover at least a part of the protective element or at least a part of the wire.
前記光反射部は樹脂材料からなる請求項7に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 7, wherein the light reflecting portion is made of a resin material. 前記光反射部は金属材料からなる請求項7に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 7, wherein the light reflecting portion is made of a metal material. 前記保護素子は、前記光反射部により埋設されている請求項7〜9のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 7, wherein the protective element is embedded by the light reflecting portion. 前記光反射部は中空の領域を有する請求項7〜10のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 7, wherein the light reflecting portion has a hollow area. 前記光反射部は、前記基板と前記ワイヤとの接合箇所を被覆する請求項7〜11のいずれか1項に記載の発光装置。 The light-emitting device according to claim 7, wherein the light reflecting portion covers a joint portion between the substrate and the wire.
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