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JP2016140118A - 電源装置 - Google Patents

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JP2016140118A
JP2016140118A JP2015011911A JP2015011911A JP2016140118A JP 2016140118 A JP2016140118 A JP 2016140118A JP 2015011911 A JP2015011911 A JP 2015011911A JP 2015011911 A JP2015011911 A JP 2015011911A JP 2016140118 A JP2016140118 A JP 2016140118A
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肇 志治
Hajime Shiji
肇 志治
良之 鵜野
Yoshiyuki Uno
良之 鵜野
翔平 廣瀬
Shohei Hirose
翔平 廣瀬
吉昭 水島
Yoshiaki Mizushima
吉昭 水島
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

【課題】過電圧異常の原因を判別できる電源装置を提供する。【解決手段】スイッチング素子Q1,Q2、インダクタL1及びキャパシタC1により形成されるコンバータ部分と、直流電源V2が接続される外部接続端子13との間にスイッチング素子S1が接続されている。スイッチング素子S1をオンし、スイッチング素子Q1,Q2をオンオフする第1制御状態で、インダクタL1とスイッチング素子S1との接続点の電圧値Vsを検出する。Vs≧Vth1である場合、スイッチング素子S1をオフし、スイッチング素子Q1,Q2をスイッチング制御する第2制御状態を実行する。第2制御状態でVs≦Vth2である場合、直流電源V2の異常と判定し、Vs>Vth2である場合、コンバータ部分の異常と判定する。【選択図】図1

Description

本発明は、直流電圧を昇圧又は降圧する電源装置に関する。
特許文献1には、直流電源に接続されたDC−DCコンバータ等の電源装置に異常が生じた際の異常判定方法が開示されている。特許文献1に記載の判定方法では、所定位置で検出した電圧が所定値未満の場合、コンバータの還流用半導体素子がショート状態である、又は、コンバータのスイッチング素子がオープン状態であると異常判定する。
特許第5611302号公報
電源装置(DC−DCコンバータ)では、素子のショート異常又はオープン異常が電圧異常の原因になるとは限らず、例えば、電源装置に接続された直流電源が電圧異常の原因となる場合もある。しかしながら、特許文献1に記載の判定方法では、直流電源に電圧異常の原因があることを特定できず、電圧異常検出後の対応を適切に行えない場合がある。特に直流電源が過電圧異常である場合、素子に過電圧が印加され、破壊されるといったおそれがあるため、電圧異常時の対応を適切に行う必要がある。
そこで、本発明の目的は、過電圧異常の原因を判別できる電源装置を提供することにある。
本発明に係る電源装置は、第1直流電源が接続される第1接続部と、第2直流電源が接続される第2接続部と、前記第1接続部からグランドの間に順次直列に接続された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の接続点からグランドの間に、順次直列に接続されたインダクタ及びキャパシタと、前記インダクタ及び前記キャパシタの接続点と、前記第2接続部との間に接続された第3スイッチング素子と、前記インダクタと前記第3スイッチング素子との接続点の電圧を検出する電圧検出部と、前記第3スイッチング素子をオンし、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の少なくとも一方をオンオフする第1制御状態と、前記第1制御状態で前記電圧検出部が検出した電圧が第1しきい値以上である場合、前記第3スイッチング素子をオフし、前記第1制御状態でオンオフしていた前記第1スイッチング素子又は前記第2スイッチング素子をオンオフする第2制御状態とを実行する制御部と、前記第2制御状態で前記電圧検出部が検出した電圧が第2しきい値以下である場合、前記第3スイッチング素子より前記第2接続部側の異常と判定し、前記電圧が前記第2しきい値より大きいである場合、前記第3スイッチング素子より前記第1接続部側の異常と判定する判定部とを備えることを特徴とする。
この構成では、過電圧異常の原因が、前記第1接続部と第3スイッチング素子との間(コンバータ部分)にあるか、第2接続部に接続された第2直流電源にあるか、を判別できるため、異常検出後の対応を適切に行える。また、過電圧を検出したとき、第2直流電源とインダクタとの間の第3スイッチング素子をオフすることで、過電圧が、第2直流電源又はインダクタへ印加されることを防止でき、素子破壊などを防ぐことができる。
本発明では、前記制御部は、前記判定部が前記第3スイッチング素子より前記第1接続部側の異常と判定した場合、前記第2制御状態でオンオフしていた前記第1スイッチング素子又は前記第2スイッチング素子をオフする第3制御状態を実行し前記判定部は、前記第3制御状態で前記電圧検出部が検出した電圧が第3しきい値以上である場合、前記第1スイッチング素子の異常と判定し、前記電圧が前記第3しきい値未満である場合、制御系の異常であると判定することが好ましい。
この構成では、過電圧異常の原因がコンバータ部分にあると判定した場合、第1スイッチング素子の異常か、制御系の異常かをさらに判別できる。制御系の異常とは、例えば、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子のデューティ比が異常な場合等である。これにより、異常検出後の対応をさらに適切に行える。
本発明では、前記第3スイッチング素子は、ボディーダイオードが互いに逆方向となるよう接続された2つのMOS−FETから構成された双方向スイッチング素子であることが好ましい。
この構成では、MOS−FETがオフのときであっても、2つのMOS−FETのボディーダイオードが互いに逆方向であるため、第1直流電源から第2直流電源、又はその逆に電流が流れることを防止できる。
本発明によれば、過電圧異常の原因を判別できるため、異常検出後の対応を適切に行える。
実施形態1に係る電源装置の回路図 電源装置の過電圧異常を判定する処理のフローチャート 電源装置の過電圧異常を判定する処理のフローチャート 実施形態2に係る電源装置の回路図
(実施形態1)
図1は、実施形態1に係る電源装置1の回路図である。
電源装置1は、外部接続端子11,12,13,14を備えている。外部接続端子11,12には直流電源V1が接続される。外部接続端子13,14には直流電源V2が接続される。外部接続端子12,14の接続ラインはグランドに接続されている。本実施形態では、電源装置1は、外部接続端子11,12から入力された直流電圧を降圧して、外部接続端子13,14から出力する降圧コンバータとして説明する。
直流電源V1は、本発明に係る「第1直流電源」に相当する。直流電源V2は、本発明に係る「第2直流電源」に相当する。また、外部接続端子11は、本発明に係る「第1接続部」に相当し、外部接続端子13は、本発明に係る「第2接続部」に相当する。
外部接続端子11,12には、スイッチング素子Q1,Q2が順次直列に接続されている。スイッチング素子Q1,Q2はMOS−FETである。スイッチング素子Q1は、本発明に係る「第1スイッチング素子」に相当する。スイッチング素子Q2は、本発明に係る「第2スイッチング素子」に相当する。なお、スイッチング素子Q2はダイオードであってもよい。この場合、ダイオードのカソードがスイッチング素子Q1に接続される。
スイッチング素子Q1,Q2の接続端には、順次インダクタL1とキャパシタC1とが直列に接続されている。インダクタL1とキャパシタC1との接続点は、スイッチング素子S1を介して外部接続端子13に接続されている。スイッチング素子S1はMOS−FETであり、本発明に係る「第3スイッチング素子」に相当する。
電源装置1はコントローラ15を備えている。コントローラ15は、コンバータ制御部151、電圧検出部152及び異常判定部153を有している。
コンバータ制御部151は、スイッチング素子Q1,Q2をスイッチング制御し、外部接続端子11,12から入力された直流電圧を降圧する。なお、スイッチング素子Q2がダイオードである場合、コンバータ制御部151は、スイッチング素子Q1のみをスイッチング制御する。
電圧検出部152は、インダクタL1とスイッチング素子S1の接続点における電圧、すなわち、コンバータ動作により降圧された直流電圧の電圧値Vsを検出する。直列接続された分圧抵抗R1,R2が、キャパシタC1に対して並列に接続されている。電圧検出部152は、分圧抵抗R1,R2により検出される電圧を基に電圧値Vsを検出する。
異常判定部153は、電源装置1の過電圧異常の有無、及び過電圧異常の原因を判定する。異常判定部153は、平時は、スイッチング素子S1をオンにする。スイッチング素子S1がオンの状態で、コンバータ制御部151は、スイッチング素子Q1,Q2をスイッチング制御する。これにより、外部接続端子11,12から入力された直流電圧は降圧され、外部接続端子13,14から出力される。以下では、この状態を、第1制御状態と言う。この第1制御状態では、電源装置1は通常の降圧動作を行う。
第1制御状態において、異常判定部153は、電圧検出部152が検出した電圧値Vsがしきい値Vth1以上であるか否かを判定する。しきい値Vth1は、電源装置1に過電圧による不具合を発生させる電圧値であり、電源装置1を形成する素子の耐圧等によって設定される。電圧値Vsがしきい値Vth1以上である場合、異常判定部153は、過電圧異常が発生したと判定し、スイッチング素子S1をオフにする。スイッチング素子S1をオフにすることで、スイッチング素子Q1またはコンバータ制御の異常により過電圧異常が発生していた場合、外部接続端子13,14へ過電流が流れ、直流電源V2に異常時のストレスがかかることを防止できる。
スイッチング素子S1がオフの状態で、コンバータ制御部151は、スイッチング素子Q1,Q2をスイッチング制御する。以下では、この状態を、第2制御状態と言う。第2制御状態において、電圧検出部152は電圧値Vsを検出する。異常判定部153は、電圧値Vsが、しきい値Vth2以下であるか否かを判定する。しきい値Vth2は、コンバータの出力設定電圧値、又は、直流電源V2が正常動作する電圧範囲等により設定される。仮に直流電源V2が過電圧異常の原因である場合、電圧値Vsは直流電源V2の影響により高くなっているが、スイッチング素子S1をオフにすることで、その影響がなくなり電圧値Vsは下がる。したがって、電圧値Vsがしきい値Vth2以下である場合、異常判定部153は、外部接続端子13,14側、すなわち、直流電源V2が過電圧異常の原因であると判定する。
電圧値Vsがしきい値Vth2以下でない場合、コンバータ制御部151はスイッチング素子Q1,Q2のスイッチング制御を停止し、スイッチング素子Q1,Q2をオフにする。以下では、この状態を、第3制御状態と言う。第3制御状態において、電圧検出部152は電圧値Vsを検出する。電圧検出部152が検出した電圧値Vsが、しきい値Vth3以上であるか否かを判定する。しきい値Vth3は、例えば、直流電源V1の電圧等により設定される。例えば、スイッチング素子Q1がショート破壊(正のゲート電圧が印加されているにもかかわらずドレイン・ソース間が導通状態となる)である場合、コンバータからは、直流電源V1の電圧が出力される。このため、電圧値Vsが、しきい値Vth3以上である場合、異常判定部153は、スイッチング素子Q1のショート破壊が過電圧異常の原因であると判定する。詳しくは、スイッチング素子Q1がオフであるにもかかわらず、電圧値Vsが高いため、異常判定部153は、スイッチング素子Q1のショート破壊による過電圧異常であると判定する。
電圧値Vsがしきい値Vth3未満である場合、異常判定部153は、制御系の異常であると判定する。制御系の異常とは、例えば、コンバータ制御のデューティ比の異常、又は、フィードバック制御の不具合(電圧モニタラインの異常)等である。
以上のように、直流電源V2、スイッチング素子Q1又は制御系の何れかに過電圧異常の原因があると判別できるため、過電圧異常検出後、適切な対応を行うことができる。例えば、制御系に異常がないにもかかわらず、過電圧検出後に制御系の設定を見直す、といった無駄な作業をなくすことができる。また、スイッチング素子Q1又は直流電源V2に異常がないにもかかわらず、これらの部品を交換するといったことを抑制できる。
図2及び図3は、電源装置1の過電圧異常を判定する処理のフローチャートである。図2及び図3に示す処理は、コントローラ15により実行される。
コントローラ15は第1制御状態を実行する(S1)。すなわち、スイッチング素子S1をオンした状態で、コンバータ制御部151は、スイッチング素子Q1,Q2をスイッチング制御する。これにより、外部接続端子11,12から入力された直流電圧は降圧され、外部接続端子13,14から出力される。次に、コントローラ15は、所定時間(例えば10ms)待機する(S2)。その後、電圧検出部152は電圧値Vsを検出する(S3)。
異常判定部153は、電圧値Vsがしきい値Vth1以上(Vs≧Vth1)であるか否かを判定する(S4)。Vs≧Vth1でない場合(S4:NO)、コントローラ15は、S2の処理を再実行する。Vs≧Vth1である場合(S4;YES)、異常判定部153は、スイッチング素子S1をオフにして、第2制御状態を実行する(S5)。電圧検出部152は、電圧値Vsを検出し(S6)、電圧値Vsがしきい値Vth2以下(Vs≦Vth2)であるか否かを判定する(S7)。
Vs≦Vth2である場合(S7:YES)、異常判定部153は直流電源V2の過電圧異常であると判定する(S9)。その後、コントローラ15は、例えば、ステータス異常等により警告し(S14)、本処理を終了する。
Vs≦Vth2でない場合(S7:NO)、コンバータ制御部151はスイッチング素子Q1,Q2をオフにして、第3制御状態を実行する(S8)。電圧検出部152は、電圧値Vsを検出し(S10)、電圧値Vsがしきい値Vth3以上(Vs≧Vth3)であるか否かを判定する(S11)。
Vs≧Vth3である場合(S11:YES)、異常判定部153は、スイッチング素子Q1のショート破壊による過電圧異常であると判定する(S12)。Vs≧Vth3でない場合(S11:NO)、異常判定部153は、制御系の異常であると判定する(S13)。S12,S13の判定後、コントローラ15は警告し(S14)、本処理を終了する。S14で実行する警告は、例えばランプで行う。
なお、本実施形態で、電源装置1は降圧コンバータとして説明したが、電源装置1は、外部接続端子13,14から入力された直流電圧を昇圧する昇圧コンバータであってもよい。この場合であっても、コントローラ15は、インダクタL1とスイッチング素子S1との間の電圧値Vsを検出することで、過電圧異常を判定する。この場合、異常判定部153は、直流電源V2の過電圧異常、又は、スイッチング素子Q1のショート破壊による過電圧異常の何れかを判定する。また、昇圧コンバータである場合、スイッチング素子Q1はダイオードであってもよく、この場合、コンバータ制御部151は、スイッチング素子Q2のみをスイッチング制御する。
(実施形態2)
図4は、実施形態2に係る電源装置2の回路図である。
この例では、インダクタL1と外部接続端子13との間に接続されたスイッチング素子S2は、双方向スイッチング素子である。
スイッチング素子S2は、2つのMOS−FET21,22で構成されている。MOS−FET21,22は、それぞれのボディーダイオードD1,D2の方向が互いに逆となるように接続されている。ボディーダイオードD1,D2の方向を逆方向にすることで、直流電源V2側が、直流電源V1側よりも高電位となった場合、外部接続端子13,14からインダクタL1へ流れる電流を遮断できる。これにより、直流電源V2の過電圧異常が定常的に起きた場合、異常判定部153(図1参照)は、直流電源V2の過電圧異常の影響を受けることなく、スイッチング素子S2をオフにしたときの電圧値Vsを検出できる。そして、過電圧異常の判定を精度よく行える。
また、外部接続端子13,14からインダクタL1へ流れる電流を遮断することで、スイッチング素子Q2へ電流が流れ込むことを防止でき、その結果、異常時の素子破壊を抑制できる。
なお、スイッチング素子S2は、ボディーダイオードが形成されないIGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor)、又はGaN−FETであってもよい。この場合、スイッチング素子S2は一つの部品で構成できるため、省スペース化が図れる。
1,2…電源装置
11…外部接続端子(第1接続部)
12,14…外部接続端子
13…外部接続端子(第2接続部)
15…コントローラ(制御部)
21,22…MOS−FET
151…コンバータ制御部
152…電圧検出部
153…異常判定部
C1…キャパシタ
D1,D2…ボディーダイオード
L1…インダクタ
Q1…スイッチング素子(第1スイッチング素子)
Q2…スイッチング素子(第2スイッチング素子)
R1,R2…分圧抵抗
S1,S2…スイッチング素子(第3スイッチング素子)
V1…直流電源(第1直流電源)
V2…直流電源(第2直流電源)

Claims (3)

  1. 第1直流電源が接続される第1接続部と、
    第2直流電源が接続される第2接続部と、
    前記第1接続部からグランドの間に順次直列に接続された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
    前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の接続点からグランドの間に、順次直列に接続されたインダクタ及びキャパシタと、
    前記インダクタ及び前記キャパシタの接続点と、前記第2接続部との間に接続された第3スイッチング素子と、
    前記インダクタと前記第3スイッチング素子との接続点の電圧を検出する電圧検出部と、
    前記第3スイッチング素子をオンし、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の少なくとも一方をオンオフする第1制御状態と、前記第1制御状態で前記電圧検出部が検出した電圧が第1しきい値以上である場合、前記第3スイッチング素子をオフし、前記第1制御状態でオンオフしていた前記第1スイッチング素子又は前記第2スイッチング素子をオンオフする第2制御状態とを実行する制御部と、
    前記第2制御状態で前記電圧検出部が検出した電圧が第2しきい値以下である場合、前記第3スイッチング素子より前記第2接続部側の異常と判定し、前記電圧が前記第2しきい値より大きいである場合、前記第3スイッチング素子より前記第1接続部側の異常と判定する判定部と、
    を備える電源装置。
  2. 前記制御部は、
    前記判定部が前記第3スイッチング素子より前記第1接続部側の異常と判定した場合、前記第2制御状態でオンオフしていた前記第1スイッチング素子又は前記第2スイッチング素子をオフする第3制御状態を実行し、
    前記判定部は、
    前記第3制御状態で前記電圧検出部が検出した電圧が第3しきい値以上である場合、前記第1スイッチング素子の異常と判定し、前記電圧が前記第3しきい値未満である場合、制御系の異常であると判定する、
    請求項1に記載の電源装置。
  3. 前記第3スイッチング素子は、ボディーダイオードの方向が互いに逆方向となるよう接続された2つのMOS−FETから構成された双方向スイッチング素子である、
    請求項1又は2に記載の電源装置。
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