JP2016038930A - 半導体装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】データの保持特性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】オフ電流が低いトランジスタを利用して、記憶回路に記憶したデータを退避させて保持する構成で、トランジスタのバックゲートに印加する電位を、記憶回路毎に設けたバッテリーから与える構成とする。また、トランジスタのバックゲートに印加する電位、バッテリーを充電するための電位は、電圧生成回路で生成する構成とする。記憶回路のパワー・ゲーティングを利用してバッテリーの充電を図るとともに、データ保持特性の改善を図る。
【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、半導体装置、及び電子機器に関する。

なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、撮像装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

特許文献１には、閾値電圧を制御するための電位をトランジスタのバックゲートに定期的に与える構成について開示している。

特開２０１４−７３８６号公報

バックゲートに与える電位を外部より与える構成では、バックゲートに印加する電位を別のトランジスタを用いて定期的に設定する必要がある。そのため、トランジスタのバックゲートに印加する電位が一定とはならず、データの保持特性が十分でない虞がある。

本発明の一態様は、新規な半導体装置、新規な電子機器等を提供することを課題の一とする。

または、本発明の一態様は、データの保持特性に優れた、新規な構成の半導体装置等を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、トランジスタのバックゲートに印加する電位を安定した電位とすることができる、新規な構成の半導体装置等を提供することを課題の一とする。

なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び／又は他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。

本発明の一態様は、第１の回路と、第２の回路と、バッテリーと、電圧生成回路と、スイッチと、を有する半導体装置であって、第１の回路は、データを保持する機能を有し、第１の回路は、第１の電位と、第２の電位と、が与えられ、第２の回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、第１のトランジスタは、第１のゲートと、第２のゲートと、を有し、第２のトランジスタのゲートは、第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、第２の回路は、第２のトランジスタのゲートと第１のトランジスタのソース又はドレインの一方とを接続するノードでデータに応じた電荷を保持する機能を有し、スイッチは、第１の回路と、第１の電位を与える配線との導通状態を制御する機能を有し、バッテリーは、第１の端子と、第２の端子とを有し、バッテリーの第１の端子は第２の電位を与える配線に電気的に接続され、バッテリーの第１の端子の電位は、第２の端子の電位よりも高く、電圧生成回路は、第２の電位より小さい第３の電位を生成する機能を有し、第１のトランジスタの第２のゲートは、バッテリーの第２の端子に電気的に接続され、第２のゲートと、バッテリーの第２の端子と、は、第３の電位が与えられる半導体装置である。

本発明の一態様において、電圧生成回路は、スイッチをオフにすることで、第１の回路に蓄えられた電荷を放電させて、第３の電位を生成する回路である半導体装置が好ましい。

本発明の一態様において、電圧生成回路は、第１の電位を与える動作を間欠的に行うことで第３の電位を生成する回路である半導体装置が好ましい。

本発明の一態様において、第１の回路は、ラッチ回路である半導体装置が好ましい。

本発明の一態様において、第１のトランジスタは、酸化物半導体を半導体層に有する半導体装置が好ましい。

本発明の一態様において、バッテリーは、固体電解質を有する半導体装置が好ましい。

なおその他の本発明の一態様については、以下で述べる実施の形態における説明、及び図面に記載されている。

本発明の一態様は、新規な半導体装置、新規な電子機器等を提供することができる。

または、本発明の一態様は、データの保持特性に優れた、新規な構成の半導体装置等を提供することができる。または、本発明の一態様は、トランジスタのバックゲートに印加する電位を安定した電位とすることができる、新規な構成の半導体装置等を提供することができる。

なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び／又は他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。

本発明の一態様を説明するためのブロック図。 本発明の一態様を説明するための回路図及びタイミングチャート。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するためのタイミングチャート。 本発明の一態様を説明するためのブロック図。 本発明の一態様を説明するための回路図及びタイミングチャート。 本発明の一態様を説明するためのブロック図。 本発明の一態様を説明するためのブロック図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための上面図及び断面図。 本発明の一態様を説明するための上面図及び断面図。 本発明の一態様を説明するための上面図及び断面図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための上面図及び断面図。 本発明の一態様を説明するための断面図およびそのエネルギーバンド図。 本発明の一態様を説明するための説明図。 本発明の一態様を説明するための説明図。 本発明の一態様を説明するための説明図。 本発明の一態様を説明するための説明図。 本発明の一態様を説明するための説明図。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。

また本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域又はソース電極）の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができるものである。

ここで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるため、いずれがソース又はドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソースとして機能する部分、及びドレインとして機能する部分を、ソース又はドレインと呼ばず、ソースとドレインとの一方を第１電極と表記し、ソースとドレインとの他方を第２電極と表記する場合がある。

なお本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。

なお本明細書において、ＡとＢとが接続されている、とは、ＡとＢとが直接接続されているものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、ＡとＢとが電気的に接続されているとは、ＡとＢとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在するとき、ＡとＢとの電気信号の授受を可能とするものをいう。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。

なお図面におけるブロック図の各回路ブロックの配置は、説明のため位置関係を特定するものであり、異なる回路ブロックで別々の機能を実現するよう示していても、実際の回路ブロックにおいては同じ回路ブロック内で別々の機能を実現しうるように設けられている場合もある。また図面における各回路ブロックの機能は、説明のため機能を特定するものであり、一つの回路ブロックとして示していても、実際の回路ブロックにおいては一つの回路ブロックで行う処理を、複数の回路ブロックで行うよう設けられている場合もある。

本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。

また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

（実施の形態１）
本発明の一態様の半導体装置の構成について、図１を用いて説明する。

本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を有する装置全般を指す。又は、半導体特性を利用した回路、あるいは該回路を含むシステム全体を半導体装置という場合がある。

図１は、本発明の一態様の半導体装置の構成を示すブロック図である。

図１において、半導体装置１００は、回路１１０、回路１２０、バッテリー１３０、電圧生成回路１４０、及びスイッチ１５０を有する。回路１２０は、トランジスタ１２１及びトランジスタ１２２を有する。

本発明の一態様では、回路１２０が有するオフ電流が低いトランジスタ１２１を利用して、回路１１０に記憶したデータを退避させて保持させ、このトランジスタ１２１のバックゲートに印加する電位を、回路１１０に対応して設けたバッテリー１３０から与える構成とする。また本発明の一態様では、トランジスタ１２１のバックゲートに印加する電位、バッテリー１３０を充電するための電位を、電圧生成回路１４０で生成する構成とする。電圧生成回路１４０は、スイッチ１５０による半導体装置１００へのパワー・ゲーティングを利用して、電位を生成し、バッテリーの充電を行う構成とする。

回路１１０に記憶したデータを退避させて保持するための、回路１２０が有するトランジスタ１２１のバックゲートに印加する電位は、バッテリー１３０から与えられる電位となる。バッテリー１３０は、トランジスタ１２１のバックゲートの電位を一定の電位に保持し続けることができるため、電位の変動を小さく保つことができる。また、トランジスタ１２１のバックゲートの電位をトランジスタの閾値電圧を改善できる電位に保つことで、回路１２０をデータ保持特性に優れたものとすることができる。

次いで、半導体装置１００の各構成について説明する。

回路１１０は、データｄａｔａを保持することができる機能を有する回路である。回路１１０は、組み合わせ回路及び／又は順序回路を用いて構成される回路である。回路１１０の具体的な回路としては、マイクロプロセッサ、画像処理回路、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、マイクロコントローラを含むＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）やＣＰＬＤ（Ｃｏｍｐｌｅｘ ＰＬＤ）などのプログラマブル論理回路（ＰＬＤ：Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）が、その範疇に含まれる。回路１１０は、集積回路、論理回路、記憶回路、ラッチ回路、フリップフロップ、あるいはレジスタという場合がある。回路１１０は、第１の回路という場合がある。

回路１１０には、パワー・ゲーティングによって電源電圧の供給、停止が制御される。図１において、電源電圧を与えるための電位として、一例として、電位Ｖ_ＶＤＤと、電位ＶＳＳ１とが与えられる。電位Ｖ_ＶＤＤは、電位ＶＤＤと電位ＶＳＳ１とを切り替えることができる電位である。電位Ｖ_ＶＤＤは、スイッチ１５０の導通状態によって電位ＶＤＤと電位ＶＳＳ１とを切り替わる。例えばスイッチ１５０がオンで電位Ｖ_ＶＤＤが電位ＶＤＤのとき、回路１１０には、電源電圧の供給が行われる。また、スイッチ１５０がオフで電荷の放電が生じることで、電位Ｖ_ＶＤＤが電位ＶＤＤから電位ＶＳＳ１となるとき、電源電圧の供給が停止する。

なお電位Ｖ_ＶＤＤはスイッチ１５０と、回路１１０との導通を図る配線の電位に相当する。また、電位ＶＤＤは電位ＶＳＳ１より高い電位である。電位ＶＳＳ１は、電位ＶＤＤより低い電位であればよく、図１に示すようにグラウンド電位ＧＮＤとすることができる。

回路１２０は、回路１１０への電源電圧の供給が停止する期間、データを保持することができる機能を有する回路である。なお回路１２０は、回路１１０と同様に、パワー・ゲーティングによって電源電圧の供給、停止が制御される。図１では、電源電圧の供給が停止してもデータを保持できる構成として、トランジスタ１２１及びトランジスタ１２２とで構成される回路を具体的な構成として示している。なおデータｄａｔａは、別途入力される制御信号によって回路１１０と回路１２０との間で退避あるいは復帰のやり取りが制御される。回路１２０は、第２の回路という場合がある。

トランジスタ１２１及びトランジスタ１２２によってデータを保持する構成では、トランジスタ１２１のソース及びドレインの一方とトランジスタ１２２のゲートとの間のノードＭＮで、データｄａｔａに対応する電荷を保持させて行えばよい。ノードＭＮに保持される電荷は、トランジスタ１２１を非導通状態にし続けることで電荷の移動を極めて少なくすることができる。

トランジスタ１２１は、非導通状態とすることでノードＭＮに保持した電荷の移動を極めて少なくすることができるトランジスタである。ノードＭＮへの電荷の出入りは、トランジスタ１２１のソースとドレインの間の経路が支配的である。この電荷の出入りを少なくするには、オフ電流が極めて低いトランジスタ１２１であることが好ましい。

トランジスタ１２１は、酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタ（ＯＳトランジスタという）であることが好ましい。ＯＳトランジスタは、オフ電流が極めて低いトランジスタとすることができる。なお図１では、ＯＳトランジスタであることを明示するために、酸化物半導体を用いたトランジスタの回路記号に「ＯＳ」の記載を付している。またトランジスタ１２１は、ｎチャネル型のトランジスタとして説明を行う。

本明細書において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。

トランジスタのオフ電流は、Ｖｇｓに依存する場合がある。従って、トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、トランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のＶｇｓにおけるオフ状態、所定の範囲内のＶｇｓにおけるオフ状態、または、十分に低減されたオフ電流が得られるＶｇｓにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。

一例として、しきい値電圧Ｖｔｈが０．５Ｖであり、Ｖｇｓが０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−９Ａであり、Ｖｇｓが０．１Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−１３Ａであり、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−１９Ａであり、Ｖｇｓが−０．８Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−２２Ａであるようなｎチャネル型トランジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおいて、または、Ｖｇｓが−０．５Ｖ乃至−０．８Ｖの範囲において、１×１０^−１９Ａ以下であるから、当該トランジスタのオフ電流は１×１０^−１９Ａ以下である、と言う場合がある。当該トランジスタのドレイン電流が１×１０^−２２Ａ以下となるＶｇｓが存在するため、当該トランジスタのオフ電流は１×１０^−２２Ａ以下である、と言う場合がある。

本明細書では、チャネル幅Ｗを有するトランジスタのオフ電流を、チャネル幅Ｗあたりを流れる電流値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅（例えば１μｍ）あたりを流れる電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流／長さの次元を持つ単位（例えば、Ａ／μｍ）で表される場合がある。

トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、室温、６０℃、８５℃、９５℃、または１２５℃におけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃乃至３５℃のいずれか一の温度）におけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、室温、６０℃、８５℃、９５℃、１２５℃、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃乃至３５℃のいずれか一の温度）、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。

トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Ｖｄｓに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、または２０Ｖにおけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、２０Ｖ、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓ、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。

上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。

本明細書では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。

本明細書において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。

またトランジスタ１２１は、半導体層を間に挟んで存在する一対のゲート（第１のゲート、第２のゲートともいう）を有する。一方のゲートにはトランジスタ１２１の導通状態を制御する信号が、他方のゲートには電位Ｖ_ＢＧが与えられる構成とする。

電位Ｖ_ＢＧは、例えば、トランジスタ１２１の一方のゲートに対応するしきい値電圧Ｖｔｈを制御するための電位である。電位Ｖ_ＢＧは、トランジスタの導通状態を制御する信号の電位よりも低くすることで、しきい値電圧Ｖｔｈを高くできる。その結果、ゲートーソース間電圧Ｖｇｓが０Ｖのときのドレイン電流を低減し、トランジスタ１２１のオフ電流を低減できる。

トランジスタ１２２は、ノードＭＮの電位に従って導通状態が制御されるトランジスタである。トランジスタ１２２は、ＯＳトランジスタであってもよいし、シリコンを半導体層に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）でもよい。トランジスタ１２２をＳｉトランジスタとすることで、ＯＳトランジスタであるトランジスタ１２１と積層して設けることができ、半導体装置の小型化を図ることができる。

バッテリー１３０は、第１の端子と、第２の端子とを有する。第１の端子を正極側の端子、第２の端子を負極側の端子として説明する。すなわち、第１の端子の電位は、第２の端子の電位よりも高く設定する。例えば、バッテリー１３０の第１の端子は電位ＶＳＳ１を与える配線に接続する。バッテリー１３０の第２の端子はトランジスタ１２１のバックゲートに与える電位Ｖ_ＢＧを与える配線に接続される。

バッテリー１３０の起電力を電圧Ｖ_ＢＡＴとすると、第２の端子の電位は、第１の端子の電位ＶＳＳ１から電圧Ｖ_ＢＡＴだけ小さい電位となる。この電位（ＶＳＳ１−Ｖ_ＢＡＴ）をトランジスタ１２１のバックゲートに与える電位Ｖ_ＢＧとして用いることで、トランジスタ１２１の閾値電圧の制御が図られる。

電位ＶＳＳ１はグラウンド電位のように一定の電位とすることができる。また、電圧Ｖ_ＢＡＴはバッテリー１３０が充電されている場合、一定の電圧とすることができる。そのため、バッテリー１３０は、トランジスタ１２１のバックゲートの電位を一定の電位に保持し続けることができ、トランジスタ１２１のバックゲートの電位の変動を小さく保つことができる。また、トランジスタ１２１のバックゲートの電位をトランジスタの閾値電圧を高くした状態に保つことで、回路１２０をデータ保持特性に優れたものとすることができる。

なお電位Ｖ_ＢＧを与える配線は、バッテリー１３０を利用した電位（ＶＳＳ１−Ｖ_ＢＡＴ）の他、電圧生成回路１４０の動作によって、より低い電位ＶＳＳ２（＜ＶＳＳ１−Ｖ_ＢＡＴ）を与えることができる。この電位ＶＳＳ２が定期的に電位Ｖ_ＢＧを与える配線に加わることで、バッテリー１３０には電圧Ｖ_ＢＡＴよりも大きい電圧を端子間に印加することができる。そのため、バッテリー１３０の充電を定期的に行うことができる。

なおバッテリー１３０は、直列及び／又は並列に複数が接続されて設けていてもよい。なおバッテリー１３０は、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法で形成することのできる無機系固体電解質を用いて作製することが好ましい。無機系固体電解質は、硫化物系固体電解質や酸化物系固体電解質を用いることができる。また、高分子系固体電解質を用いてもよい。さらに、上述した無機系固体電解質と高分子系固体電解質を含む複合的な固体電解質を用いてもよい。

なおバッテリー１３０は、回路１１０及び回路１２０が有するトランジスタ等の素子に積層して設けられることが好ましい。バッテリー１３０は、正極活物質と負極活物質とが重なる領域の面積を０．０１ｃｍ^２以上、１ｃｍ^２以下程度に小型化し、半導体装置毎に形成することができる。

電圧生成回路１４０は、電位Ｖ_ＶＤＤの変化に従って、電位ＶＳＳ１よりも小さい電位ＶＳＳ２を生成する機能を有する回路である。一例としては、電圧生成回路１４０では、電位Ｖ_ＶＤＤの変化を利用して電位ＶＳＳ２を生成する。

パワー・ゲーティングによってスイッチ１５０をオフにして、回路１１０に蓄えられた電荷を放電させる。すると電荷の放電によって電位Ｖ_ＶＤＤが変化する。電圧生成回路１４０では、容量結合を利用して電位Ｖ_ＶＤＤの変化に応じて、電圧生成回路１４０内の電位ＶＳＳ１としたノードの電位を低下するように変化させることにより、電位ＶＳＳ１よりも小さい電位ＶＳＳ２を生成する。

該構成によりパワー・ゲーティングの動作を利用して、電位ＶＳＳ２を生成することができる。そのため、バッテリー１３０ではパワー・ゲーティングの動作毎に、電圧Ｖ_ＢＡＴよりも大きい電圧を端子間に印加することができる。そのため、バッテリー１３０の充電を定期的に行うことができる。

スイッチ１５０は、回路１１０と、電位ＶＤＤを与える配線との導通状態を制御する機能を有する。スイッチ１５０の導通状態を制御することで、電位Ｖ_ＶＤＤを、電位ＶＤＤ又は電位ＶＳＳ１に変化させることができる。スイッチ１５０の一方の端子は、電位ＶＤＤが与えられる配線に接続される。またスイッチ１５０の他方の端子は、回路１１０及び電圧生成回路１４０に接続される。なおスイッチ１５０は、ｐチャネル型のトランジスタを用いればよい。

次いで図２（Ａ）では、図１に示す半導体装置１００の電圧生成回路１４０、スイッチ１５０について、具体的な回路構成の一例を図示する。図２（Ｂ）では、半導体装置１００の動作の一例について説明する。

図２（Ａ）では、図１に示す半導体装置１００の電圧生成回路１４０の一例として、電圧生成回路１４０Ａを示す。

図２（Ａ）に示す回路図で、電圧生成回路１４０Ａは、容量素子１４１、ダイオード１４２、１４３を有する。図２（Ａ）において、容量素子１４１、ダイオード１４２、１４３を互いに接続する配線の電位を、電位Ｖ_１４１とする。

容量素子１４１の一方の電極は、電位Ｖ_ＶＤＤを与える配線に接続される。容量素子１４１の他方の電極は、電位Ｖ_１４１を与える配線に接続される。ダイオード１４２の一方の電極は、電位Ｖ_１４１を与える配線に接続される。ダイオード１４２の他方の電極は、電位ＶＳＳ１を与える配線に接続される。ダイオード１４３の一方の電極は、電位Ｖ_ＢＧを与える配線に接続される。ダイオード１４３の他方の電極は、電位Ｖ_１４１を与える配線に接続される。

図２（Ａ）に示す回路図で、スイッチ１５０は、ｐチャネル型のトランジスタ１５１を有する。

トランジスタ１５１のゲートは、制御信号Ｅ_ＰＧを与える配線に接続される。トランジスタ１５１のソース又はドレインの一方は、電位ＶＤＤを与える配線に接続される。トランジスタ１５１のソース又はドレインの他方は、回路１１０及び電圧生成回路１４０に電位Ｖ_ＶＤＤを与える配線に接続される。制御信号Ｅ_ＰＧは、トランジスタ１５１の導通状態を制御するための信号である。

次いで図２（Ｂ）では、図２（Ａ）に示す半導体装置１００の動作の一例を示すタイミングチャート図を示す。図２（Ｂ）では、スイッチ１５０による回路１１０への電源電圧の供給が行われる状態から、電源電圧の供給が停止する場合に切り替わる際の動作について説明する。

電源電圧の供給が行われる（Ｐｏｗｅｒ ＯＮ）の期間では、制御信号Ｅ_ＰＧを”Ｌ”にすることにより、トランジスタ１５１を導通状態とする。このとき、電位Ｖ_ＶＤＤは電位ＶＤＤとなる。電位Ｖ_ＢＧ、Ｖ_１４１は電位（ＶＳＳ１−Ｖ_ＢＡＴ）となる。従って、トランジスタ１２１のバックゲートの電位は、バッテリー１３０から与える構成とすることができる。

次いで電源電圧の供給が停止する（Ｐｏｗｅｒ ＯＦＦ）の期間では、制御信号Ｅ_ＰＧを”Ｈ”にすることにより、トランジスタ１５１を非導通状態とする。このとき、電位Ｖ_ＶＤＤは電位ＶＳＳ１（ＧＮＤ）となる。電位Ｖ_ＶＤＤが低下することに伴って、電位Ｖ_ＢＧ、Ｖ_１４１は容量素子１４１の容量結合によって電位が電位ＶＳＳ２に低下する。そのため、バッテリー１３０には、起電力Ｖ_ＢＡＴ以上の電圧が印加されることで充電される。バッテリーの充電によって、バッテリー１３０内に電流が流れるため、電位Ｖ_ＢＧは次第に上昇し、電位（ＶＳＳ１−Ｖ_ＢＡＴ）となる。そしてバッテリー１３０の充電が停止するとともに、電位Ｖ_ＢＧは電位（ＶＳＳ１−Ｖ_ＢＡＴ）で安定になる。

以上、図２（Ａ）、（Ｂ）の回路構成、タイミングチャート図からわかるように本発明の一態様では、回路１２０が有するオフ電流が低いトランジスタ１２１を利用して、回路１１０に記憶したデータを退避させて保持させ、このトランジスタ１２１のバックゲートに印加する電位Ｖ_ＢＧを、回路１１０に対応して設けたバッテリー１３０から与える構成とすることができる。また本発明の一態様では、トランジスタ１２１のバックゲートに印加する電位、バッテリー１３０を充電するための電位を、電圧生成回路１４０で生成する構成とする。電圧生成回路１４０は、スイッチ１５０による半導体装置１００へのパワー・ゲーティングを利用して、電位を生成し、バッテリーの充電を行う構成とすることができる。

また、回路１１０に記憶したデータを退避させて保持するための、回路１２０が有するトランジスタ１２１のバックゲートに印加する電位は、バッテリー１３０から与えられる電位となる。バッテリー１３０は、トランジスタ１２１のバックゲートの電位Ｖ_ＢＧを一定の電位に保持し続けることができるため、電位の変動を小さく保つことができる。また、トランジスタ１２１のバックゲートの電位Ｖ_ＢＧをトランジスタの閾値電圧を改善できる電位に保つことで、回路１２０をデータ保持特性に優れたものとすることができる。

なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。または、他の実施の形態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されない。例えば、本発明の一態様として、回路１１０に対応して設けたバッテリー１３０を利用して、トランジスタ１２１のバックゲートに電圧を印加する場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、回路１１０に対応して設けたバッテリー１３０を、様々な配線や素子や電極に、電圧を供給するように配置してもよい。または例えば、場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、トランジスタ１２１のバックゲートは、様々な供給源から、電圧が供給されてもよい。または例えば、場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、トランジスタ１２１のバックゲートは、回路１１０に対応して設けたバッテリー１３０から、電圧が供給されなくてもよい。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態１で説明した異なる回路構成の一例について説明する。特に本実施の形態では、実施の形態１で示した電圧生成回路とは異なる回路構成、及び動作について説明する。

図３に示す半導体装置１００の回路図で、電圧生成回路１４０Ｂは、容量素子１４１、ダイオード１４２、１４３の他、発振回路１４４を有する。発振回路１４４はインバータ１４５で構成されるインバータチェインと、制御信号ＥＮと発振回路１４４の出力信号が入力されるＮＯＲ１４６を有する。

インバータ１４５及びＮＯＲ１４６には、電位Ｖ_ＶＤＤが電位ＶＤＤに変化することによって電源電圧の供給が行われる。発振回路１４４は制御信号ＥＮに従って発振が制御される。図３では、発振回路１４４の出力信号の電位を電位Ｖ_１４４とする。

その他の説明については、図２（Ａ）と同様であり、ここでは説明を省略する。

次いで図４では、図３に示す半導体装置１００の動作の一例を示すタイミングチャート図を示す。図４では、スイッチ１５０による回路１１０への電源電圧の供給が行われる状態から、電源電圧の供給が停止する場合に切り替わる際の動作について説明する。

電源電圧の供給が行われる（Ｐｏｗｅｒ ＯＮ）の期間では、制御信号Ｅ_ＰＧを”Ｌ”にすることにより、トランジスタ１５１を導通状態とする。このとき、電位Ｖ_ＶＤＤは電位ＶＤＤとなる。制御信号ＥＮは、間欠的に”Ｌ”にする。発振回路１４４は、制御信号ＥＮを”Ｌ”にする期間で発振する。発振回路１４４の出力信号にあたる電位Ｖ_１４４は、電位ＶＤＤと電位ＶＳＳ１との間で発振するように変化する。電位Ｖ_１４１は、電位ＶＳＳ１と電位ＶＳＳ２との間で発振するように変化する。電位Ｖ_１４１が変化して電位ＶＳＳ２となる間、電位Ｖ_ＢＧは、ＶＳＳ２とすることができる。そのため、制御信号ＥＮを”Ｌ”にするタイミングでバッテリー１３０を充電することができるため、電源電圧が供給されている期間に定期的にバッテリー１３０の充電を行うことができる。

次いで電源電圧の供給が停止する（Ｐｏｗｅｒ ＯＦＦ）の期間では、制御信号Ｅ_ＰＧを”Ｈ”にすることにより、トランジスタ１５１を非導通状態とする。また、制御信号ＥＮも”Ｈ”にする。このとき、電位Ｖ_ＶＤＤは電位ＶＳＳ１（ＧＮＤ）となる。電位Ｖ_ＢＧ、Ｖ_１４１は、電位Ｖ_１４４が低下することに伴って、容量素子１４１の容量結合が生じ、電位が電位ＶＳＳ２に低下する。そのため、バッテリー１３０には、起電力Ｖ_ＢＡＴ以上の電圧が印加されることで充電される。バッテリーの充電によって、バッテリー１３０内に電流が流れるため、電位Ｖ_ＢＧは次第に上昇し、電位（ＶＳＳ１−Ｖ_ＢＡＴ）となる。そしてバッテリー１３０の充電が停止するとともに、電位Ｖ_ＢＧは電位（ＶＳＳ１−Ｖ_ＢＡＴ）で安定になる。

なお電圧生成回路１４０Ｂは、実施の形態１で説明した電圧生成回路１４０Ａと並列に設け、電位Ｖ_ＢＧを定期的に下げて、バッテリーの充電をおこなってもよい。この場合の半導体装置のブロック図の一例を図５に示す。

以上、図３，４の回路構成、タイミングチャート図からわかるように本発明の一態様では、回路１２０が有するオフ電流が低いトランジスタ１２１を利用して、回路１１０に記憶したデータを退避させて保持させ、このトランジスタ１２１のバックゲートに印加する電位を、回路１１０に対応して設けたバッテリー１３０から与える構成とすることができる。また本発明の一態様では、トランジスタ１２１のバックゲートに印加する電位、バッテリー１３０を充電するための電位を、電圧生成回路１４０で生成する構成とする。電圧生成回路１４０は、スイッチ１５０による半導体装置１００へのパワー・ゲーティングを利用して、電位を生成し、バッテリーの充電を行う構成とすることができる。

また、回路１１０に記憶したデータを退避させて保持するための、回路１２０が有するトランジスタ１２１のバックゲートに印加する電位Ｖ_ＢＧは、バッテリー１３０から与えられる電位となる。バッテリー１３０は、トランジスタ１２１のバックゲートの電位Ｖ_ＢＧを一定の電位に保持し続けることができるため、非充電時の電位の変動を小さく保つことができる。また、トランジスタ１２１のバックゲートの電位Ｖ_ＢＧをトランジスタの閾値電圧を改善できる電位に保つことで、回路１２０をデータ保持特性に優れたものとすることができる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態１、２で説明した回路１１０及び回路１２０の一例を示し、その動作について説明する。図６には、回路１１０及び回路１２０の具体的な回路図を図示している。なお図６に一例として示す回路１１０及び回路１２０は、データ退避可能なラッチ回路２００として機能する回路である。電源電圧の供給時には、回路１１０でデータを保持し、電源電圧の供給停止時には、回路１２０でデータを保持する。

回路１１０は、電源電圧の供給が継続されている期間において、データ”１”又は”０”に対応する電位を保持することが可能なノードＮ１、ノードＮ２を有する。回路１１０には、実施の形態１で説明した電位Ｖ_ＶＤＤ及び電位ＶＳＳ１が供給される。

回路１１０は、一例として、インバータ１０１、インバータ１０２、スイッチ１０３、インバータ１０４及びスイッチ１０５を有する。

なお回路１１０には、一例として、データ信号Ｄ、クロック信号Ｃ、及び反転クロック信号ＣＢが入力され、出力信号Ｑを出力する。

インバータ１０１の入力端子は、ノードＮ１に接続されている。インバータ１０１の出力端子は、ノードＮ２に接続されている。

インバータ１０２の入力端子は、ノードＮ２に接続されている。インバータ１０２の出力端子は、スイッチ１０５の一方の端子に接続されている。またスイッチ１０５の他方の端子は、ノードＮ１に接続されている。スイッチ１０５は、反転クロック信号ＣＢによってオン又はオフが制御される。

スイッチ１０３の一方の端子は、データ信号Ｄを与える配線に接続されている。スイッチ１０３の他方の端子は、ノードＮ１に接続されている。スイッチ１０３は、クロック信号Ｃによってオン又はオフが制御される。

インバータ１０４の入力端子は、ノードＮ２に接続されている。インバータ１０４の出力端子は、出力信号Ｑを与える配線に接続されている。

スイッチ１０３及びスイッチ１０５は、一例としてアナログスイッチで構成すればよい。他にもスイッチ１０３及びスイッチ１０５には、トランジスタを用いることもできる。

なおインバータ１０２及びスイッチ１０５は、別々の構成として示しているが、クロックドインバータを用いることで一つの構成としてもよい。

インバータ１０１、１０２、１０４には、電位Ｖ_ＶＤＤと電位ＶＳＳ１を与えて電源電圧を供給する。

回路１２０は、電源電圧の供給が停止されている期間において、データに対応する電位の保持が可能なノードＭＮ１、ＭＮ２を有する。

回路１２０は、ノードＮ１、Ｎ２のそれぞれに対応して、トランジスタ１２１、トランジスタ１２２、容量素子１２３、及びトランジスタ１２４を有する。また、回路１２０は、回路１１０のノードＮ１，Ｎ２に保持された、データ”１”又は”０”に対応する電位を、少なくとも電源電圧の供給が停止している期間において保持することが可能なノードＭＮ１、ＭＮ２を有する。なおトランジスタ１２１，１２２、１２４は、一例として、ｎチャネル型のトランジスタとして説明する。

トランジスタ１２１は、ゲートが、制御信号Ｓａｖｅ（図中、Ｓで表記）が与えられる配線に接続されている。トランジスタ１２１は、バックゲートが、電位Ｖ_ＢＧが与えられる配線に接続されている。トランジスタ１２１は、ソース又はドレインの一方がノードＮ１（ノードＮ２）に接続されている。トランジスタ１２１は、ソース又はドレインの他方がノードＭＮ１（ＭＮ２）に接続されている。

容量素子１２３は、一方の電極がノードＭＮ１（ＭＮ２）に接続されている。容量素子１２３は、他方の電極が、電位ＶＳＳ１が与えられる配線に接続されている。なお容量素子１２３は、トランジスタ１２２のゲート容量等を大きくしておくことで、省略することが可能である。

トランジスタ１２２は、ゲートがノードＭＮ１（ＭＮ２）に接続されている。トランジスタ１２２は、ソース又はドレインの一方が、電位ＶＳＳ１が与えられる配線に接続されている。なおトランジスタ１２２は、一例として、ｎチャネル型のトランジスタとして説明する。

トランジスタ１２４は、ゲートが、制御信号Ｌｏａｄ（図中、Ｌで表記）が与えられる配線に接続されている。トランジスタ１２４は、ソース又はドレインの一方がトランジスタ１２２のソース又はドレインの他方に接続されている。トランジスタ１２４は、ソース又はドレインの他方がノードＮ２（Ｎ１）に接続されている。

制御信号Ｓａｖｅは、ノードＮ１（Ｎ２）とノードＭＮ１（ＭＮ２）との導通状態を切り替えるための信号である。制御信号ＳａｖｅをＨレベルに切り替えることで、回路１１０のノードＮ１（Ｎ２）のデータは、ノードＭＮ１（ＭＮ２）に退避することができる。また、制御信号ＳａｖｅをＬレベルに切り替えることで、ノードＭＮ１（ＭＮ２）は、データに対応する電荷を保持し続けることができる。

制御信号Ｌｏａｄは、ノードＮ２（Ｎ１）とトランジスタ１２２のソース又はドレインの他方との導通状態を切り替えるための信号である。制御信号ＬｏａｄをＨレベルに切り替えることで、回路１２０のノードＭＮ１（ＭＮ２）のデータは、ノードＮ２（Ｎ１）に復帰することができる。回路１２０は、ノードＭＮ１（ＭＮ２）に保持される電位の電位差がトランジスタ１２２のチャネル抵抗の差に反映されるため、回路１１０のノードＮ２（Ｎ１）に電位差を生じさせることができる。そして回路１１０への電源電圧の供給を再開することに伴って、回路１１０のデータを復帰することができる。

次いで図６（Ｂ）に、図６（Ａ）に示したラッチ回路２００のタイミングチャートを示す。

図６（Ｂ）に示すタイミングチャートでは、図６（Ａ）で説明した、各種信号の電位の変化を示している。ここでは、クロック信号Ｃ、反転クロック信号ＣＢ、データ信号Ｄ、出力信号Ｑ、制御信号Ｓ、制御信号Ｌ、電位Ｖ_ＶＤＤ、ノードＭＮ１の電位、ノードＭＮ２の電位の変化を示している。

図６（Ｂ）に示すタイミングチャート図において、期間Ｐ１乃至Ｐ４は、ラッチ回路２００の状態を表す。期間Ｐ１は、通常動作期間である。期間Ｐ２は、動作停止移行期間である。期間Ｐ３は、動作停止期間である。期間Ｐ４は、動作再開移行期間である。

期間Ｐ１の通常動作期間では、回路１１０は、ラッチ回路として動作することができる。

期間Ｐ２の動作停止移行期間では、クロック信号Ｃ、反転クロック信号ＣＢは変化させない。制御信号ＳをＨレベルにして、回路１１０から回路１２０へのデータの退避を行う。一例として、図６（Ｂ）では、ノードＭＮ１にＨレベル、ノードＭＮ２にＬレベルの電位を保持する構成を示している。また期間Ｐ２では、ラッチ回路２００への電源電圧の供給を停止する。

期間Ｐ３の動作停止期間では、各信号をＬレベルの電位とし、ラッチ回路２００の消費電力はほぼ０とする。なお、ノードＭＮ１（ＭＮ２）の電位は、電流がほとんど流れないため、一定値が保たれる。

期間Ｐ４の動作再開移行期間では、まず、クロック信号Ｃ、反転クロック信号ＣＢの電位を期間Ｐ２の動作停止移行期間の電位にする。そして制御信号ＬをＨレベルにし、電源電圧の供給を再開する。この時、ノードＭＮ１（ＭＮ２）の電位は、トランジスタ１２２のチャネル抵抗が異なることを利用して、回路１１０のノードＮ２（Ｎ１）に復元される。

さらに続いて、クロック信号Ｃ、反転クロック信号ＣＢの供給を再開する。そして、期間Ｐ１の通常動作期間を再開することができる。

以上、図６（Ａ）、（Ｂ）の回路構成及びタイミングチャートでは、データに対応する電荷を保持するためのトランジスタ１２１のバックゲートに印加する電位を、上記実施の形態１、２で説明した構成で与える。すなわち、回路１１０に対応して設けたバッテリー１３０から与える構成とする。バッテリー１３０は、トランジスタ１２１のバックゲートの電位を一定の電位に保持し続けることができるため、電位の変動を小さく保つことができる。また、トランジスタ１２１のバックゲートの電位をトランジスタの閾値電圧を改善できる電位に保つことで、回路１２０をデータ保持特性に優れたものとすることができる。

なおバッテリーは、ラッチ回路２００毎に設ける構成としてもよいし、複数のラッチ回路毎に設ける構成としてもよい。例えば図７（Ａ）に図示するように、回路１１０及び回路１２０を有する複数のラッチ回路２００に対応して、バッテリー１３０及び電圧生成回路１４０を設ける構成としてもよい。なお図７（Ａ）では、スイッチ１５０を複数のラッチ回路２００に対して１つ設ける構成を示しているが、複数設けてもよい。あるいは、図７（Ｂ）に図示するように、回路１１０及び回路１２０を有する複数のラッチ回路２００に対応して、一組のバッテリー１３０及び電圧生成回路１４０を設ける構成としてもよい。

図６（Ａ）、（Ｂ）、図７で説明したデータ退避可能なラッチ回路は、演算処理回路として機能する半導体装置内のレジスタとして適用可能である。演算処理回路として機能する半導体装置一の例について説明する。

図８は、演算処理回路として機能する半導体装置の構成例を示す図である。図８に示す半導体装置は、演算処理部４０１と、電源部４０２と、を有する。演算処理部４０１は、データラッチ及びセレクタとしての機能を有する回路４１１と、内部クロック生成及びリセット制御の機能を有する回路４１２と、デコード部４１４と、演算制御部４１６と、レジスタセット４２０と、演算部４２２と、アドレスバッファ４２４と、を有する。電源部４０２は、電源回路４２６を有する。

さらに、演算処理部４０１の各構成要素には電源部４０２により電源電位が供給される。電源供給制御スイッチ４２７は、上述したスイッチ１５０に相当する。

さらに、演算処理部４０１の各構成要素について説明する。

回路４１１では、入力データのラッチ及び入力データの出力を制御する。

回路４１２では、クロック信号の生成及びリセットのタイミングの制御を行う。

デコード部４１４には、命令レジスタであるレジスタ４１５及び命令デコーダが設けられる。デコード部４１４は、入力された命令データのデコードを行い、命令内容を解析する機能を有する。

演算制御部４１６は、ステート生成部４１８及びレジスタ４１７を有する。さらに、ステート生成部４１８には、レジスタ４１９が設けられる。ステート生成部４１８では、半導体装置の状態を設定するための信号を生成する。

レジスタセット４２０は、複数のレジスタ４２１を有する。複数のレジスタ４２１には、プログラムカウンタ、汎用レジスタ、及び演算レジスタとして機能するレジスタが含まれる。レジスタセット４２０は、演算処理に必要なデータを格納する機能を有する。

演算部４２２は、ＡＬＵ（Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ Ｌｏｇｉｃ Ｕｎｉｔ）４２３を有する。演算部４２２は、ＡＬＵ４２３により入力されるデータの演算処理を行う機能を有する。なお、演算部４２２にもレジスタを設けてもよい。

アドレスバッファ４２４は、レジスタ４２５を有する。アドレスバッファ４２４は、アドレスデータのためのバッファゲートである。

さらに、演算処理部４０１には、書き込み制御信号ＷＥ、読み出し制御信号ＲＤが入力される。また演算処理部４０１には、データバスを介して８ビットのデータが入力される。また演算処理部４０１には、演算制御信号が入力される。

演算処理部４０１からは、１６ビットアドレスデータが出力される。また演算処理部４０１からは、バス制御信号が出力される。

書き込み制御信号ＷＥ及び読み出し制御信号ＲＤは、回路４１２、演算制御部４１６、レジスタセット４２０、及びアドレスバッファ４２４に入力される。８ビットのデータは、データバスを介して、回路４１２、レジスタセット４２０及び演算部４２２に入力される。演算制御信号は、回路４１２、及び演算制御部４１６に入力される。

１６ビットアドレスデータは、アドレスバッファ４２４から出力される。またバス制御信号は、演算制御部４１６から出力される。

演算処理部４０１の各回路は、データバスの他、アドレスバス、コントロールバスを介して、データ、アドレス、演算制御信号の入出力を行うことができる。

演算処理部４０１に設けられた各レジスタは、データ処理の際にデータを一定期間保持する機能を有する。このような機能を有する回路として、図６（Ａ）、（Ｂ）、図７で説明したデータ退避可能なラッチ回路を適用することができる。そのため、データに対応する電荷を保持するためのトランジスタ１２１のバックゲートに印加する電位を、上記実施の形態１、２で説明した構成で与えることができる。すなわち、回路１１０に対応して設けたバッテリー１３０から与える構成とすることができる。バッテリー１３０は、トランジスタ１２１のバックゲートの電位を一定の電位に保持し続けることができるため、電位の変動を小さく保つことができる。また、トランジスタ１２１のバックゲートの電位をトランジスタの閾値電圧を改善できる電位に保つことで、回路１２０をデータ保持特性に優れたものとすることができる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態１又は２で説明した半導体装置１００に適用できるトランジスタ及びバッテリーの断面図について、図９乃至図１１を用いて説明を行う。

＜断面図の例１＞
図９は、同一基板上に作製された、トランジスタ７２０と、トランジスタ７３０と、バッテリー７４０と、を含む半導体装置１０００の断面図を示している。トランジスタ７２０は基板７００に設けられ、トランジスタ７３０はトランジスタ７２０の上に設けられ、バッテリー７４０はトランジスタ７３０の上に設けられている。

半導体装置１０００は、基板７００と、トランジスタ７２０と、素子分離層７２７と、絶縁膜７３１と、トランジスタ７３０と、絶縁膜７３２と、絶縁膜７４１と、バッテリー７４０と、絶縁膜７４２と、プラグ７０１、７０３、７０４及び７０６と、配線７０２及び７０５と、配線７０７と、を有する。トランジスタ７２０は、ゲート電極７２６と、ゲート絶縁膜７２４と、側壁絶縁層７２５と、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域７２１と、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域やエクステンション領域として機能する不純物領域７２２と、チャネル形成領域７２３と、を有する。

不純物領域７２１の不純物濃度は、不純物領域７２２よりも高い。ゲート電極７２６および側壁絶縁層７２５をマスクとして用いて、不純物領域７２１及び不純物領域７２２を自己整合的に形成することができる。

基板７００としては、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムを材料とした化合物半導体基板や、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを用いることができる。半導体基板を用いて形成されたトランジスタは、高速動作が容易である。なお、基板７００としてｐ型の単結晶シリコン基板を用いた場合、基板７００の一部にｎ型を付与する不純物元素を添加してｎ型のウェルを形成し、ｎ型のウェルが形成された領域にｐ型のトランジスタを形成することも可能である。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）等を用いることができる。

また、基板７００は導電体基板、または絶縁基板上に半導体膜を設けたものでもよい。該導電体基板としては、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板などが挙げられる。該絶縁基板として、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。貼り合わせフィルムの一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又は塩化ビニルなどがある。基材フィルムの一例としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。

なお、ある基板を用いて半導体素子を形成し、その後、別の基板に半導体素子を転置してもよい。半導体素子が転置される基板の一例としては、上述した基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。

トランジスタ７２０は素子分離層７２７により、基板７００に形成される他のトランジスタと分離されている。

トランジスタ７２０としてシリサイド（サリサイド）を有するトランジスタや、側壁絶縁層を有さないトランジスタを用いてもよい。シリサイド（サリサイド）を有する構造であると、ソース領域およびドレイン領域がより低抵抗化でき、半導体装置の高速化が可能である。また、低電圧で動作できるため、半導体装置の消費電力を低減することが可能である。

トランジスタ７３０は、酸化物半導体トランジスタである。トランジスタ７３０の詳細については、後述する実施の形態５で説明を行う。

なおトランジスタ７２０が設けられる層を省略して、基板７００上に直接トランジスタ７３０を形成することも可能である。この場合の断面図を図１１に示す。

ここで、下層に設けられるトランジスタ７２０にシリコン系半導体材料を用いた場合、トランジスタ７２０の半導体膜の近傍に設けられる絶縁膜中の水素はシリコンのダングリングボンドを終端し、トランジスタ７２０の信頼性を向上させる効果がある。一方、上層に設けられるトランジスタ７３０に酸化物半導体を用いた場合、トランジスタ７３０の半導体膜の近傍に設けられる絶縁膜中の水素は、酸化物半導体中にキャリアを生成する要因の一つとなるため、トランジスタ７３０の信頼性を低下させる要因となる場合がある。したがって、シリコン系半導体材料を用いたトランジスタ７２０の上層に酸化物半導体を用いたトランジスタ７３０を積層して設ける場合、これらの間に水素の拡散を防止する機能を有する絶縁膜７３１を設けることは特に効果的である。絶縁膜７３１により、下層に水素を閉じ込めることでトランジスタ７２０の信頼性が向上することに加え、下層から上層に水素が拡散することが抑制されることでトランジスタ７３０の信頼性も同時に向上させることができる。

絶縁膜７３１としては、例えば酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）等を用いることができる。

また、酸化物半導体膜を含んで構成されるトランジスタ７３０を覆うように、トランジスタ７３０上に水素の拡散を防止する機能を有する絶縁膜７３２を形成することが好ましい。絶縁膜７３２としては、絶縁膜７３１と同様の材料を用いることができ、特に酸化アルミニウムを適用することが好ましい。酸化アルミニウム膜は、水素、水分などの不純物および酸素の双方に対して膜を透過させない遮断（ブロッキング）効果が高い。したがって、トランジスタ７３０を覆う絶縁膜７３２として酸化アルミニウム膜を用いることで、トランジスタ７３０に含まれる酸化物半導体膜からの酸素の脱離を防止するとともに、酸化物半導体膜への水および水素の混入を防止することができる。

プラグ７０１、７０３、７０４及び７０６並びに配線７０２、７０５及び７０７は、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マンガン（Ｍｎ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉛（Ｐｂ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）の低抵抗材料からなる単体、もしくは合金、またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜の単層または積層とすることが好ましい。特に、プラグ７０１、７０３、７０４及び７０６並びに配線７０２、７０５及び７０７に、Ｃｕ−Ｍｎ合金を用いると、酸素を含む絶縁体との界面に酸化マンガンを形成し、該酸化マンガンがＣｕの拡散を抑制する機能を持つので好ましい。

バッテリー７４０は、充電することで連続使用時間を回復することが可能な二次バッテリーであり、且つ、固体電解質を含む全固体電池である。

また、バッテリー７４０は、半導体製造プロセスを用いて作製することができる。なお、半導体製造プロセスとは、成膜工程、結晶化工程、メッキ工程、洗浄工程、リソグラフィ工程、エッチング工程、研磨工程、不純物注入工程、熱処理工程など、半導体デバイスを製造するときに用いられる手法全般を表す。

なお、バッテリー７４０の詳細については、後述する実施の形態５で説明を行う。

絶縁膜７４１は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化ガリウム、酸化ランタン、酸化セシウム、酸化タンタルまたは酸化マグネシウムの一種以上を選択して、単層または積層で用いればよい。

バッテリー７４０がリチウムを含む場合、絶縁膜７４１はリチウムの拡散を防ぐ（ブロックする）機能を有することが好ましい。バッテリー７４０に含まれるリチウムが、可動イオンとして半導体素子（トランジスタ７２０またはトランジスタ７３０）へ侵入すると、半導体素子の劣化を引き起こす。絶縁膜７４１がリチウムイオンをブロックすることで、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

バッテリー７４０がリチウムを含む場合、絶縁膜７４１は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを含むことが好ましい。絶縁膜７４１がハロゲンを含むことで、アルカリ金属であるリチウムと容易に結合し、リチウムが絶縁膜７４１の中で固定化され、リチウムが絶縁膜７４１の外へ拡散することを防ぐことができる。

例えば、絶縁膜７４１として、窒化シリコンをＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で成膜した場合、原料ガス中に体積比で３％から６％、例えば５％ほどのハロゲンを含むガスを混入させておくと、得られる窒化シリコン膜中にハロゲンが取り込まれる。絶縁膜７４１に含まれるハロゲン元素は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度を、１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、より好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上とする。

絶縁膜７４２は、バッテリー７４０を保護する機能を有する。絶縁膜７４２としては、例えば樹脂（ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂など）、ガラス、アモルファス化合物、セラミックス等の絶縁性材料を用いることができる。また、樹脂の層間に、吸水層としてフッ化カルシウムなどを有する層を設けてもよい。絶縁膜７４２は、スピンコート法、インクジェット法などによって形成する事ができる。また、絶縁膜７４２は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化ガリウム、酸化ランタン、酸化セシウム、酸化タンタルまたは酸化マグネシウムの一種以上を選択して、単層または積層で作製してもよい。

半導体装置１０００は、バッテリー７４０の上に、さらに半導体素子を作製してもよい、この場合、絶縁膜７４１と同様に、絶縁膜７４２にリチウムの拡散を防ぐ（ブロックする）機能を有することが好ましい。絶縁膜７４２がリチウムをブロックすることで、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

バッテリー７４０の上に半導体素子を作製する場合、絶縁膜７４２は、絶縁膜７４１と同様に、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを含むことが好ましい。絶縁膜７４２がハロゲンを含むことで、アルカリ金属であるリチウムと容易に結合し、リチウムが絶縁膜７４２の外へ拡散することを防ぐことができる。

なお、図９乃至図１１において、符号及びハッチングパターンが与えられていない領域は絶縁体で構成された領域を表している。該領域には、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどから選ばれた一種以上含む絶縁体を用いることができる。また、該領域には、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の有機樹脂を用いることもできる。

図９の半導体装置１０００は、バッテリー７４０の上部に、ヒートシンク、水冷クーラー、冷却ファンなどの冷却装置を設けることが好ましい。冷却装置を設けることで、バッテリー７４０の発熱による、半導体装置１０００の誤動作を防ぐことができる。

＜断面図の例２＞
図９では、トランジスタ７２０がプレーナ型のトランジスタの場合を示したが、トランジスタ７２０の形状はこれに限定されない。例えば、ＦＩＮ（フィン）型、ＴＲＩ−ＧＡＴＥ（トライゲート）型などのトランジスタなどとすることができる。その場合の断面図の例を、図１０に示す。

図１０に示す半導体装置１１００は、基板７００に設けられたＦＩＮ型のトランジスタ７５０を有する点で、図９の半導体装置１０００と相違する。図１０において、左側に示したトランジスタ７５０は、トランジスタのチャネル長方向の断面図を示し、右型に示したトランジスタ７５０は、トランジスタのチャネル幅方向の断面図を示している。

図１０では、基板７００の上に、絶縁膜７５７が設けられている。基板７００は、先端の細い凸部（フィンともいう）を有する。なお、凸部の上には、絶縁膜が設けられていてもよい。その絶縁膜は、凸部を形成するときに、基板７００がエッチングされないようにするためのマスクとして機能するものである。なお、凸部は、先端が細くなくてもよく、例えば、略直方体の凸部であってもよいし、先端が太い凸部であってもよい。基板７００の凸部の上には、ゲート絶縁膜７５４が設けられ、その上には、ゲート電極７５６及び側壁絶縁層７５５が設けられている。基板７００には、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域７５１と、ＬＤＤ領域やエクステンション領域として機能する不純物領域７５２と、チャネル形成領域７５３が形成されている。なお、ここでは、基板７００が、凸部を有する例を示したが、本発明の一態様に係る半導体装置は、これに限定されない。例えば、ＳＯＩ基板を加工して、凸部を有する半導体領域を形成しても構わない。

半導体装置１１００のその他の構成要素に関しては、半導体装置１０００の記載を参照する。

以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態４で説明したバッテリー７４０に適用できる、バッテリー７４０Ａ乃至７４０Ｄの構成例について、上面図及び断面図を用いて説明する。

＜バッテリーの構成例１＞
図１２（Ａ）は、バッテリー７４０Ａの上面図であり、図１２（Ａ）における一点鎖線Ｘ−Ｙにおける断面図を図１２（Ｂ）に示す。なお、図１２（Ａ）では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、縮小、または省略して図示している。

図１２（Ａ）に示すバッテリー７４０Ａは、絶縁膜５０１と、絶縁膜５０１上に形成された正極集電体層５０２と、正極集電体層５０２上に形成された正極活物質層５０３と、正極活物質層５０３上に形成された固体電解質層５０４と、固体電解質層５０４上に形成された負極活物質層５０５と、負極活物質層５０５上に形成された負極集電体層５０６と、を有し、正極集電体層５０２及び正極活物質層５０３は正極として機能し、負極集電体層５０６及び負極活物質層５０５は負極として機能する。さらに、少なくとも負極集電体層５０６上に、絶縁膜５０７が成膜され、絶縁膜５０７の開口部には、配線５０８が形成され、配線５０８は、正極集電体層５０２又は負極集電体層５０６と電気的に接続されている。

また、図示していないが、固体電解質層５０４と正極活物質層５０３の界面、または固体電解質層５０４と負極活物質層５０５の界面に、リチウム層が形成されていてもよい。このリチウム層は、バッテリー７４０Ａにおいて、キャリアとなるリチウムを正極活物質層または負極活物質層へ供給する（プレドープともいう。）ための層である。なお、上記リチウム層は、被形成面全てに形成されていてもよい。また、リチウム層と接して、銅層またはニッケル層が形成されてもよい。該銅層またはニッケル層の形状は、リチウム層と略同一であればよい。該銅層またはニッケル層は、リチウム層から、正極活物質層または負極活物質層へリチウムのプレドープを行う際に、集電体として機能することができる。

なお、上記プレドープによってリチウム層の全てのリチウムが正極活物質層または負極活物質層へドープされてもよいし、リチウム層が残っていてもよい。このようにプレドープ後もリチウム層が残っていることによって、その後、バッテリーの充放電による不可逆容量で消失したリチウムを補充するために用いることができる。

絶縁膜５０１の詳細は、実施の形態４における絶縁膜７４１に関する記載を参照すればよい。

正極集電体層５０２、正極活物質層５０３、負極活物質層５０５および負極集電体層５０６は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ナノインプリント法、蒸着法などにより形成することができる。スパッタリング法を用いた場合、ＲＦではなくＤＣ電源を用いて成膜することが好ましい。ＤＣ電源を用いたスパッタリング法は、成膜レートが大きく、そのためタクトが短くなり、好ましい。正極集電体層５０２、正極活物質層５０３、負極活物質層５０５および負極集電体層５０６の膜厚は、例えば１００ｎｍ以上１００μｍ以下とすればよい。

正極集電体層５０２は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）および白金（Ｐｔ）の一種以上を選択して、単層または積層で用いればよい。また、上記金属の合金またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜を、単層または積層で用いてもよい。

正極活物質層５０３は、コバルト酸リチウム、リン酸鉄リチウム、マンガン酸リチウム、ニッケル酸リチウムおよび酸化バナジウムの一種以上を選択して、単層または積層で用いればよい。

また正極活物質層５０３はオリビン型構造のリチウム含有複合リン酸塩を用いることができる。リチウム含有複合リン酸塩（一般式ＬｉＭＰＯ_４（Ｍは、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｍｎ（ＩＩ）、Ｃｏ（ＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）の一以上））の代表例としては、ＬｉＦｅＰＯ_４、ＬｉＮｉＰＯ_４、ＬｉＣｏＰＯ_４、ＬｉＭｎＰＯ_４、ＬｉＦｅ_ａＮｉ_ｂＰＯ_４、ＬｉＦｅ_ａＣｏ_ｂＰＯ_４、ＬｉＦｅ_ａＭｎ_ｂＰＯ_４、ＬｉＮｉ_ａＣｏ_ｂＰＯ_４、ＬｉＮｉ_ａＭｎ_ｂＰＯ_４（ａ＋ｂは１以下、０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）、ＬｉＦｅ_ｃＮｉ_ｄＣｏ_ｅＰＯ_４、ＬｉＦｅ_ｃＮｉ_ｄＭｎ_ｅＰＯ_４、ＬｉＮｉ_ｃＣｏ_ｄＭｎ_ｅＰＯ_４（ｃ＋ｄ＋ｅは１以下、０＜ｃ＜１、０＜ｄ＜１、０＜ｅ＜１）、ＬｉＦｅ_ｆＮｉ_ｇＣｏ_ｈＭｎ_ｉＰＯ_４（ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉは１以下、０＜ｆ＜１、０＜ｇ＜１、０＜ｈ＜１、０＜ｉ＜１）等がある。

固体電解質層５０４は、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法で形成することのできる無機系固体電解質を用いる。無機系固体電解質は、硫化物系固体電解質や酸化物系固体電解質を用いることができる。

硫化物系固体電解質としては、例えば、Ｌｉ_７Ｐ_３Ｓ_１１、Ｌｉ_３．２５Ｐ_０．９５Ｓ_４、Ｌｉ_１０ＧｅＰ_２Ｓ_１２、Ｌｉ_３．２５Ｇｅ_０．２５Ｐ_０．７５Ｓ_４、Ｌｉ_２Ｓ−Ｐ_２Ｓ_５、Ｌｉ_２Ｓ−ＧｅＳ_２、Ｌｉ_２Ｓ−ＳｉＳ_２−Ｌｉ_３ＰＯ_４、Ｌｉ_２Ｓ−ＳｉＳ_２−Ｇａ_２Ｓ_３、Ｌｉ_２Ｓ−ＳｉＳ_２−Ｌｉ_４ＳｉＯ_４、ＬｉＩ−Ｌｉ_２Ｓ−Ｐ_２Ｓ_５、ＬｉＩ−Ｌｉ_２Ｓ−Ｂ_２Ｓ_３、ＬｉＩ−Ｌｉ_２Ｓ−ＳｉＳ_２、等のリチウム複合硫化物材料が挙げられる。

また、酸化物系固体電解質としては、Ｌｉ_１．３Ａｌ_０．３Ｔｉ_１．７（ＰＯ_４）_３、Ｌｉ_１．０７Ａｌ_０．６９Ｔｉ_１．４６（ＰＯ_４）_３、Ｌｉ_４ＳｉＯ_４−Ｌｉ_３ＢＯ_３、Ｌｉ_２．９ＰＯ_３．３Ｎ_０．４６、Ｌｉ_３．６Ｓｉ_０．６Ｐ_０．４Ｏ_４、Ｌｉ_１．５Ａｌ_０．５Ｇｅ_１．６（ＰＯ_４）_３、Ｌｉ_２Ｏ、Ｌｉ_２ＣＯ_３、Ｌｉ_２ＭｏＯ_４、Ｌｉ_３ＰＯ_４、Ｌｉ_３ＶＯ_４、Ｌｉ_４ＳｉＯ_４、ＬＬＴ（Ｌａ_{２／３−ｘ}Ｌｉ_３ｘＴｉＯ_３）、ＬＬＺ（Ｌｉ_７Ｌａ_３Ｚｒ_２Ｏ_１２）等のリチウム複合酸化物および酸化リチウム材料が挙げられる。

また、固体電解質層５０４には、塗布法等により形成するＰＥＯ（ポリエチレンオキシド）等の高分子系固体電解質を用いてもよい。さらに、上述した無機系固体電解質と高分子系固体電解質を含む複合的な固体電解質を用いてもよい。

負極活物質層５０５は、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、チタン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ケイ素の一種以上を選択して、単層または積層で用いればよい。

負極集電体層５０６は、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ステンレス、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）およびニッケル（Ｎｉ）の一種以上を選択して、単層または積層で用いればよい。また、上記金属の合金またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜を、単層または積層で用いてもよい。

絶縁膜５０７の詳細は、実施の形態４における絶縁膜７４２に関する記載を参照すればよい。

配線５０８の詳細は、実施の形態４における配線７０７に関する記載を参照すればよい。

なお、バッテリー７４０Ａは、図１２（Ｂ）に示す正極と負極の上下関係を入れ替えてもよい。つまり、下から順に、負極集電体層５０６、負極活物質層５０５、固体電解質層５０４、正極活物質層５０３、正極集電体層５０２を作製してもよい。

例えば、正極活物質層５０３に膜厚が１μｍのＬｉＦｅＰＯ_４を用いた場合、バッテリー７４０Ａの容量を計算すると、およそ６０μＡｈ／ｃｍ^２の容量が得られる。

例えば、正極活物質層５０３に膜厚が１μｍのＬｉＣｏＯ_２を用いた場合、バッテリー７４０Ａの容量を計算すると、およそ７０μＡｈ／ｃｍ^２の容量が得られる。

例えば、正極活物質層５０３に膜厚が１μｍのＬｉＭｎ_２Ｏ_４を用いた場合、バッテリー７４０Ａの容量を計算すると、およそ６０μＡｈ／ｃｍ^２の容量が得られる。

なお、上記の計算は全て、負極活物質層５０５にリチウムを仮定し、それぞれの正極活物質の理論容量値（ＬｉＦｅＰＯ_４は１７０ｍＡｈ／ｇ、ＬｉＣｏＯ_２は１３７ｍＡｈ／ｇ、ＬｉＭｎ_２Ｏ_４は１４８ｍＡｈ／ｇ）を用いて計算を行った。

バッテリー７４０Ａは、バックゲートの電位の保持に必要な電力量に応じて、バッテリー７４０Ａの面積及び容量を決定すればよい。例えば、正極活物質層５０３にＬｉＦｅＰＯ_４を用いた場合、上記計算結果を用いると、バッテリー７４０Ａの面積（正極活物質層５０３と負極活物質層５０５が重なる部分の面積）を、０．０１ｃｍ^２以上、１ｃｍ^２以下に収めることで、バッテリー７４０Ａの容量を０．６μＡｈ以上、６０μＡｈ以下にすることができる。

また、バッテリーに接続されるバックゲートの電位の保持に必要な電力量に応じて、複数のバッテリー７４０Ａを、直列および／または並列に接続してもよい。特に、積層された複数のバッテリー７４０Ａを直列および／または並列に接続することで、バッテリーのエネルギー密度を大きくし、且つ占有面積を小さくできるので好ましい。

なお正極活物質層５０３、及び負極活物質層５０５は、必要に応じて、活物質の密着性を高めるための結着剤（バインダ）、を有してもよい。

バインダとしては、例えば水溶性の高分子を含むことが好ましい。水溶性の高分子としては、例えば多糖類などを用いることができる。多糖類としては、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースおよびジアセチルセルロース、再生セルロースなどのセルロース誘導体や、澱粉、などを用いることができる。

また、バインダとしては、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、スチレン・イソプレン・スチレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、エチレン・プロピレン・ジエン共重合体などのゴム材料を用いることが好ましい。これらのゴム材料は、前述の水溶性高分子と併用して用いると、さらに好ましい。

または、バインダとしては、ポリスチレン、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリプロピレンオキシド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、イソブチレン、ポリエチレンテレフタレート、ナイロン、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、等の材料を用いることが好ましい。

バインダは上記のうち二種類以上を組み合わせて使用してもよい。

また、正極活物質層５０３、及び負極活物質層５０５は、活物質層の導電性を高めるための導電助剤等を有してもよい。

導電助剤としては、例えば天然黒鉛、メソカーボンマイクロビーズ等の人造黒鉛、炭素繊維などを用いることができる。炭素繊維としては、例えばメソフェーズピッチ系炭素繊維、等方性ピッチ系炭素繊維等の炭素繊維を用いることができる。また炭素繊維として、カーボンナノファイバーやカーボンナノチューブなどを用いることができる。カーボンナノチューブは、例えば気相成長法などで作製することができる。また、導電助剤として、例えばカーボンブラック（アセチレンブラック（ＡＢ）など）又はグラフェンなどの炭素材料を用いることができる。また、例えば、銅、ニッケル、アルミニウム、銀、金などの金属粉末や金属繊維、導電性セラミックス材料等を用いることができる。

薄片状のグラフェンは、高い導電性を有するという優れた電気特性、及び柔軟性並びに機械的強度という優れた物理特性を有する。そのため、グラフェンを、導電助剤として用いることにより、活物質同士の接触点や、接触面積を増大させることができる。

なお、本明細書において、グラフェンは、単層のグラフェン、又は２層以上１００層以下の多層グラフェンを含む。単層グラフェンとは、π結合を有する１原子層の炭素分子のシートのことをいう。また、酸化グラフェンとは、上記グラフェンが酸化された化合物のことをいう。なお、酸化グラフェンを還元してグラフェンを形成する場合、酸化グラフェンに含まれる酸素は全て脱離されずに、一部の酸素はグラフェンに残存する。グラフェンに一部の酸素が含まれる場合、酸素の割合は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定した場合にグラフェン全体の２％以上２０％以下、好ましくは３％以上１５％以下である。

また、必要に応じて、固体電解質層５０４の中に、正極と負極が短絡しないように、セパレータを設けてもよい。セパレータは、空孔が設けられた絶縁体を用いることが好ましい。例えば、セルロース、ガラス繊維、セラミックス、或いはナイロン（ポリアミド）、ビニロン（ポリビニルアルコール系繊維）、ポリエステル、アクリル、ポリオレフィン、ポリウレタンを用いた合成繊維等で形成されたものを用いることができる。

＜バッテリーの構成例２＞
図１３に、本発明の一態様に含まれるバッテリーの一例を示す。図１３（Ａ）は、バッテリー７４０Ｂの上面図であり、図１３（Ａ）における一点鎖線Ｘ−Ｙにおける断面図を、図１３（Ｂ）に示す。なお、図１３（Ａ）では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、縮小、または省略して図示している。

図１３（Ｂ）に示すバッテリー７４０Ｂは、絶縁膜５０１と、絶縁膜５０１上の同一平面上に形成された正極集電体層５０２および負極集電体層５０６と、正極集電体層５０２上の正極活物質層５０３と、負極集電体層５０６上の負極活物質層５０５と、少なくとも正極活物質層５０３および負極活物質層５０５と接する固体電解質層５０４と、を有し、正極集電体層５０２および正極活物質層５０３は正極として機能し、負極集電体層５０６および負極活物質層５０５は負極として機能する。さらに、少なくとも固体電解質層５０４上に絶縁膜５０７が形成され、絶縁膜５０７の開口部には配線５０８が形成され、配線５０８は、正極集電体層５０２または負極集電体層５０６と、電気的に接続されている。

バッテリー７４０Ｂは、正極集電体層５０２と負極集電体層５０６が同一平面上に形成され、図１３（Ｂ）のＸＹ方向に正極と負極が存在する点で、図１２のバッテリー７４０Ａと異なる。バッテリー７４０Ｂを図１３（Ｂ）に示す構成にすることで、正極と負極の間にある一定の距離を設けることが可能になり、正極と負極の短絡を防ぐことができる。

バッテリー７４０Ｂのそれぞれの構成要素に関する詳細は、図１２のバッテリー７４０Ａの記載を参照すればよい。

なお、バッテリー７４０Ｂの正極集電体層５０２と負極集電体層５０６を、同一材料で同時に形成してもよい。正極と負極の集電体層を同一材料で同時に形成することで、製造工程を簡略化することができる。

＜バッテリーの構成例３＞
図１４に、本発明の一態様に含まれるバッテリーの一例を示す。図１４（Ａ）は、バッテリー７４０Ｃの上面図であり、図１４（Ａ）における一点鎖線Ｘ−Ｙにおける断面図を、図１４（Ｂ）に示す。なお、図１４（Ａ）では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、縮小、または省略して図示している。

図１４（Ｂ）に示すバッテリー７４０Ｃは、絶縁膜５０１と、絶縁膜５０１上の同一平面上に形成された正極集電体層５０２および負極集電体層５０６と、正極集電体層５０２上に形成された正極活物質層５０３と、少なくとも正極活物質層５０３、絶縁膜５０１及び負極集電体層５０６の上に形成された固体電解質層５０４と、固体電解質層５０４を介して正極活物質層５０３の一部と重なり、固体電解質層５０４及び負極集電体層５０６上に形成された負極活物質層５０５と、を有し、正極集電体層５０２および正極活物質層５０３は正極として機能し、負極集電体層５０６および負極活物質層５０５は負極として機能する。さらに、少なくとも負極活物質層５０５上に絶縁膜５０７が形成され、絶縁膜５０７の開口部には配線５０８が形成され、配線５０８は、正極集電体層５０２または負極集電体層５０６と、電気的に接続されている。

図１４（Ｂ）に示すバッテリー７４０Ｃは、負極活物質層５０５が、固体電解質層５０４の上に形成されている点で、図１２（Ｂ）に示すバッテリー７４０Ａと異なる。バッテリー７４０Ｃを図１４（Ｂ）に示す構成にすることで、短絡を防ぐために正極集電体層５０２と負極集電体層５０６との間に、ある一定の距離を設けることができ、イオンの移動を効率よく行うために、正極活物質層５０３と負極活物質層５０５の距離を近づけることができる。

バッテリー７４０Ｃのそれぞれの構成要素に関する詳細は、図１２のバッテリー７４０Ａの記載を参照すればよい。

なお、バッテリー７４０Ｃは、正極と負極の上下関係を入れ替えてもよい。つまり、下から順に、負極活物質層５０５、固体電解質層５０４、正極活物質層５０３を形成してもよい。

また、バッテリー７４０Ｃの正極集電体層５０２と負極集電体層５０６を、同一材料で同時に形成してもよい。正極と負極の集電体層を同一材料で同時に形成することで、製造工程を簡略化することができる。

＜バッテリーの構成例４＞
図１５に、本発明の一態様に含まれるバッテリーの一例を示す。図１５（Ａ）は、バッテリー７４０Ｄの断面図である。

図１５（Ａ）に示すバッテリー７４０Ｄは、絶縁膜５０１と、絶縁膜５０１上に形成された正極集電体層５０２と、正極集電体層５０２上に形成された正極活物質層５０３と、正極活物質層５０３上に形成された固体電解質層５０４と、固体電解質層５０４上に形成された絶縁膜５１０と、固体電解質層５０４および絶縁膜５１０上に形成された負極活物質層５０５と、負極活物質層５０５上に形成された負極集電体層５０６と、を有し、正極集電体層５０２及び正極活物質層５０３は正極として機能し、負極集電体層５０６及び負極活物質層５０５は負極として機能する。さらに、少なくとも負極集電体層５０６の上に、絶縁膜５０７が形成されている。また、図示されていないが、正極集電体層５０２及び負極集電体層５０６は、配線を介して外部と電気的に接続されている。

図１５（Ａ）に示すバッテリー７４０Ｄは、固体電解質層５０４と負極活物質層５０５が接する領域が電池として機能し、電池として機能しない領域は、絶縁膜５１０が固体電解質層５０４と負極活物質層５０５の間に存在することで、正極と負極の短絡を防ぐことができる。

絶縁膜５１０は、例えば、有機樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。有機樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。無機絶縁材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。絶縁膜５１０の作製が容易となるため、特に感光性の樹脂を用いることが好ましい。絶縁膜５１０の形成方法は、特に限定されず、例えば、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いればよい。

バッテリー７４０Ｄのその他の構成要素に関する詳細は、図１２のバッテリー７４０Ａの記載を参照すればよい。

なお、バッテリー７４０Ｄは図１５（Ｂ）に示すように、正極活物質層５０３の上に、絶縁膜５１０を形成してもよい。

なお、図１５（Ａ）及び（Ｂ）に示すバッテリー７４０Ｄは、正極と負極の上下関係を入れ替えてもよい。つまり、下から順に、負極集電体層５０６、負極活物質層５０５、固体電解質層５０４、正極活物質層５０３、正極集電体層５０２を作製してもよい。

以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態４で示した酸化物半導体を半導体層に有するトランジスタ７３０（ＯＳトランジスタ）について図を用いて説明する。なお、本実施の形態に示すＯＳトランジスタは一例であり、本発明に用いることができるトランジスタの形状はこれに限定されない。

＜酸化物半導体トランジスタの構成例＞
図１６（Ａ）乃至図１６（Ｄ）は、トランジスタ７３０の上面図および断面図である。図１６（Ａ）は上面図であり、図１６（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２方向の断面が図１６（Ｂ）に相当し、図１６（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２方向の断面が図１６（Ｃ）に相当し、図１６（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ３−Ｘ４方向の断面が図１６（Ｄ）に相当する。なお、図１６（Ａ）乃至図１６（Ｄ）では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、縮小、または省略して図示している。また、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２方向をチャネル長方向、一点鎖線Ｘ１−Ｘ２方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。

なお、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソース（ソース領域またはソース電極）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極）との間の距離をいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。

チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。

なお、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネル幅（以下、実効的なチャネル幅と呼ぶ。）と、トランジスタの上面図において示されるチャネル幅（以下、見かけ上のチャネル幅と呼ぶ。）と、が異なる場合がある。例えば、立体的な構造を有するトランジスタでは、実効的なチャネル幅が、トランジスタの上面図において示される見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細かつ立体的な構造を有するトランジスタでは、半導体の上面に形成されるチャネル領域の割合に対して、半導体の側面に形成されるチャネル領域の割合が大きくなる場合がある。その場合は、上面図において示される見かけ上のチャネル幅よりも、実際にチャネルの形成される実効的なチャネル幅の方が大きくなる。

ところで、立体的な構造を有するトランジスタにおいては、実効的なチャネル幅の、実測による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。

そこで、本明細書では、トランジスタの上面図において、半導体とゲート電極とが重なる領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さである見かけ上のチャネル幅を、「囲い込みチャネル幅（ＳＣＷ：Ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｗｉｄｔｈ）」と呼ぶ場合がある。また、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを取得して、その画像を解析することなどによって、値を決定することができる。

なお、トランジスタの電界効果移動度や、チャネル幅当たりの電流値などを計算して求める場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。

トランジスタ７３０は、基板６４０上の絶縁膜６５１と、絶縁膜６５１上のゲート電極６７４と、ゲート電極６７４上の絶縁膜６５２と、絶縁膜６５２上に、第１の酸化物半導体６６１、第２の酸化物半導体６６２の順で形成された積層と、該積層の一部と電気的に接続するソース電極６７１およびドレイン電極６７２と、該積層の一部、ソース電極６７１の一部、およびドレイン電極６７２の一部を覆う第３の酸化物半導体６６３と、該積層の一部、ソース電極６７１の一部、ドレイン電極６７２の一部、第３の酸化物半導体６６３と重なるゲート絶縁膜６５３およびゲート電極６７３と、ソース電極６７１およびドレイン電極６７２、ならびにゲート電極６７３上の絶縁膜６５４と、絶縁膜６５４上の絶縁膜６５５を有する。なお、第１の酸化物半導体６６１、第２の酸化物半導体６６２および第３の酸化物半導体６６３をまとめて、酸化物半導体６６０と呼称する。

なお、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の、表面、側面、上面、および／又は、下面の少なくとも一部（又は全部）に設けられている。

または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の、表面、側面、上面、および／又は、下面の少なくとも一部（又は全部）と、接触している。または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の少なくとも一部（又は全部）と、接触している。

または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の、表面、側面、上面、および／又は、下面の少なくとも一部（又は全部）と、電気的に接続されている。または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の一部（又は全部）と、電気的に接続されている。

または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の、表面、側面、上面、および／又は、下面の少なくとも一部（又は全部）に、近接して配置されている。または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の一部（又は全部）に、近接して配置されている。

または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の、表面、側面、上面、および／又は、下面の少なくとも一部（又は全部）の横側に配置されている。または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の一部（又は全部）の横側に配置されている。

または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の、表面、側面、上面、および／又は、下面の少なくとも一部（又は全部）の斜め上側に配置されている。または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の一部（又は全部）の斜め上側に配置されている。

または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の、表面、側面、上面、および／又は、下面の少なくとも一部（又は全部）の上側に配置されている。または、ソース電極６７１（および／又は、ドレイン電極６７２）の、少なくとも一部（又は全部）は、第２の酸化物半導体６６２（および／又は、第１の酸化物半導体６６１）などの半導体層の一部（又は全部）の上側に配置されている。

なお、トランジスタの「ソース」や「ドレイン」の機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」という用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

本発明の一態様のトランジスタは、チャネル長が１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくはチャネル長が２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より好ましくはチャネル長が３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のトップゲート型構造である。

以下に、本実施の形態の半導体装置に含まれる構成要素について、詳細に説明する。

＜基板＞
基板６４０は、単なる支持材料に限らず、他のトランジスタなどのデバイスが形成された基板であってもよい。この場合、トランジスタ７３０のゲート電極６７３、ソース電極６７１、およびドレイン電極６７２の一つは、上記の他のデバイスと電気的に接続されていてもよい。

＜下地絶縁膜＞
絶縁膜６５１、絶縁膜６５２は、基板６４０からの不純物の拡散を防止する役割を有するほか、酸化物半導体６６０に酸素を供給する役割を担うことができる。したがって、絶縁膜６５１、絶縁膜６５２は酸素を含む絶縁膜であることが好ましく、化学量論組成よりも多い酸素を含む絶縁膜であることがより好ましい。例えば、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算した、酸素の脱離量が１．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である膜とする。また、上述のように基板６４０が他のデバイスが形成された基板である場合、絶縁膜６５２は、表面が平坦になるようにＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等で平坦化処理を行うことが好ましい。上記ＴＤＳ分析時における膜の表面基板温度としては１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上５００℃以下の範囲が好ましい。

絶縁膜６５１、絶縁膜６５２は、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルなどの酸化物絶縁膜、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物絶縁膜、または上記材料を混合した膜を用いて形成することができる。

＜酸化物半導体＞
酸化物半導体６６０は、代表的には、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）がある。とくに、酸化物半導体６６０としては、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）を用いると好ましい。

ただし、酸化物半導体６６０は、インジウムを含む酸化物に限定されない。酸化物半導体６６０は、例えば、Ｚｎ−Ｓｎ酸化物、Ｇａ−Ｓｎ酸化物であっても構わない。

酸化物半導体６６０がスパッタリング法で作製されたＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３が好ましい。なお、成膜される酸化物半導体６６０の原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。

次に、第１の酸化物半導体６６１、第２の酸化物半導体６６２、および第３の酸化物半導体６６３の積層により構成される酸化物半導体６６０の機能およびその効果について、図１７（Ｂ）に示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図１７（Ａ）は、図１６（Ｂ）に示すトランジスタ７３０のチャネル部分を拡大した図で、図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）にＡ１−Ａ２の鎖線で示した部位のエネルギーバンド構造を示している。また、図１７（Ｂ）は、トランジスタ７３０のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造を示している。

図１７（Ｂ）中、Ｅｃ６５２、Ｅｃ６６１、Ｅｃ６６２、Ｅｃ６６３、Ｅｃ６５３は、それぞれ、絶縁膜６５２、第１の酸化物半導体６６１、第２の酸化物半導体６６２、第３の酸化物半導体６６３、ゲート絶縁膜６５３の伝導帯下端のエネルギーを示している。

ここで、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差（「電子親和力」ともいう。）は、真空準位と価電子帯上端のエネルギーとの差（イオン化ポテンシャルともいう。）からエネルギーギャップを引いた値となる。なお、エネルギーギャップは、分光エリプソメータ（ＨＯＲＩＢＡ ＪＯＢＩＮ ＹＶＯＮ社 ＵＴ−３００）を用いて測定できる。また、真空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光分析（ＵＰＳ：Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）装置（ＰＨＩ社 ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ）を用いて測定できる。

なお、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２のスパッタリングターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．５ｅＶ、電子親和力は約４．５ｅＶである。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４のスパッタリングターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．４ｅＶ、電子親和力は約４．５ｅＶである。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：６のスパッタリングターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．３ｅＶ、電子親和力は約４．５ｅＶである。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：２のスパッタリングターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．９ｅＶ、電子親和力は約４．３ｅＶである。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：８のスパッタリングターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．５ｅＶ、電子親和力は約４．４ｅＶである。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：１０のスパッタリングターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．５ｅＶ、電子親和力は約４．５ｅＶである。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のスパッタリングターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．２ｅＶ、電子親和力は約４．７ｅＶである。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２のスパッタリングターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約２．８ｅＶ、電子親和力は約５．０ｅＶである。

絶縁膜６５２とゲート絶縁膜６５３は絶縁体であるため、Ｅｃ６５３とＥｃ６５２は、Ｅｃ６６１、Ｅｃ６６２、およびＥｃ６６３よりも真空準位に近い（電子親和力が小さい）。

また、Ｅｃ６６１は、Ｅｃ６６２よりも真空準位に近い。具体的には、Ｅｃ６６１は、Ｅｃ６６２よりも０．０５ｅＶ以上、０．０７ｅＶ以上、０．１ｅＶ以上または０．１５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、１ｅＶ以下、０．５ｅＶ以下または０．４ｅＶ以下真空準位に近いことが好ましい。

また、Ｅｃ６６３は、Ｅｃ６６２よりも真空準位に近い。具体的には、Ｅｃ６６３は、Ｅｃ６６２よりも０．０５ｅＶ以上、０．０７ｅＶ以上、０．１ｅＶ以上または０．１５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、１ｅＶ以下、０．５ｅＶ以下または０．４ｅＶ以下真空準位に近いことが好ましい。

また、第１の酸化物半導体６６１と第２の酸化物半導体６６２との界面近傍、および、第２の酸化物半導体６６２と第３の酸化物半導体６６３との界面近傍では、混合領域が形成されるため、伝導帯下端のエネルギーは連続的に変化する。即ち、これらの界面において、準位は存在しないか、ほとんどない。

従って、当該エネルギーバンド構造を有する積層構造において、電子は第２の酸化物半導体６６２を主として移動することになる。そのため、第１の酸化物半導体６６１と絶縁膜６５２との界面、または、第３の酸化物半導体６６３とゲート絶縁膜６５３との界面に準位が存在したとしても、当該準位は電子の移動にほとんど影響しない。また、第１の酸化物半導体６６１と第２の酸化物半導体６６２との界面、および第３の酸化物半導体６６３と第２の酸化物半導体６６２との界面に準位が存在しないか、ほとんどないため、当該領域において電子の移動を阻害することもない。従って、上記酸化物半導体の積層構造を有するトランジスタ７３０は、高い電界効果移動度を実現することができる。

なお、図１７（Ｂ）に示すように、第１の酸化物半導体６６１と絶縁膜６５２の界面、および第３の酸化物半導体６６３とゲート絶縁膜６５３の界面近傍には、不純物や欠陥に起因したトラップ準位Ｅｔ６００が形成され得るものの、第１の酸化物半導体６６１、および第３の酸化物半導体６６３があることにより、第２の酸化物半導体６６２と当該トラップ準位とを遠ざけることができる。

特に、本実施の形態に例示するトランジスタ７３０は、チャネル幅方向において、第２の酸化物半導体６６２の上面と側面が第３の酸化物半導体６６３と接し、第２の酸化物半導体６６２の下面が第１の酸化物半導体６６１と接して形成されている（図１６（Ｃ）参照）。このように、第２の酸化物半導体６６２を第１の酸化物半導体６６１と第３の酸化物半導体６６３で覆う構成とすることで、上記トラップ準位の影響をさらに低減することができる。

ただし、Ｅｃ６６１またはＥｃ６６３と、Ｅｃ６６２とのエネルギー差が小さい場合、第２の酸化物半導体６６２の電子が該エネルギー差を越えてトラップ準位に達することがある。トラップ準位に電子が捕獲されることで、絶縁膜の界面にマイナスの固定電荷が生じ、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。

従って、Ｅｃ６６１、およびＥｃ６６３と、Ｅｃ６６２とのエネルギー差を、それぞれ０．１ｅＶ以上、好ましくは０．１５ｅＶ以上とすると、トランジスタのしきい値電圧の変動が低減され、トランジスタの電気特性を良好なものとすることができるため、好ましい。

また、第１の酸化物半導体６６１、および第３の酸化物半導体６６３のバンドギャップは、第２の酸化物半導体６６２のバンドギャップよりも広いほうが好ましい。

第１の酸化物半導体６６１および第３の酸化物半導体６６３には、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆを第２の酸化物半導体６６２よりも高い原子数比で含む材料を用いることができる。具体的には、当該原子数比を１．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは３倍以上とする。前述の元素は酸素と強く結合するため、酸素欠損が酸化物半導体に生じることを抑制する機能を有する。すなわち、第１の酸化物半導体６６１および第３の酸化物半導体６６３は、第２の酸化物半導体６６２よりも酸素欠損が生じにくいということができる。

なお、第１の酸化物半導体６６１、第２の酸化物半導体６６２、第３の酸化物半導体６６３が、少なくともインジウム、亜鉛およびＭ（Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物であるとき、第１の酸化物半導体６６１をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ_１：ｙ_１：ｚ_１［原子数比］、第２の酸化物半導体６６２をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ_２：ｙ_２：ｚ_２［原子数比］、第３の酸化物半導体６６３をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ_３：ｙ_３：ｚ_３［原子数比］とすると、ｙ_１／ｘ_１およびｙ_３／ｘ_３がｙ_２／ｘ_２よりも大きくなることが好ましい。ｙ_１／ｘ_１およびｙ_３／ｘ_３はｙ_２／ｘ_２よりも１．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは３倍以上とする。このとき、第２の酸化物半導体６６２において、ｙ_２がｘ_２以上であるとトランジスタの電気特性を安定させることができる。ただし、ｙ_２がｘ_２の３倍以上になると、トランジスタの電界効果移動度が低下してしまうため、ｙ_２はｘ_２の３倍未満であることが好ましい。

第１の酸化物半導体６６１および第３の酸化物半導体６６３のＺｎおよびＯを除いてのＩｎおよびＭの原子数比率は、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％以上、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％以上とする。また、第２の酸化物半導体６６２のＺｎおよびＯを除いてのＩｎおよびＭの原子数比率は、好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％未満、さらに好ましくはＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。

第１の酸化物半導体６６１および第３の酸化物半導体６６３の厚さは、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。また、第２の酸化物半導体６６２の厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。また、第２の酸化物半導体６６２は、第１の酸化物半導体６６１および第３の酸化物半導体６６３より厚い方が好ましい。

なお、酸化物半導体をチャネルとするトランジスタに安定した電気特性を付与するためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減し、酸化物半導体を真性または実質的に真性にすることが有効である。ここで、実質的に真性とは、酸化物半導体のキャリア密度が、１×１０^１７／ｃｍ^３未満であること、好ましくは１×１０^１５／ｃｍ^３未満であること、さらに好ましくは１×１０^１３／ｃｍ^３未満であることを指す。

また、酸化物半導体において、水素、窒素、炭素、シリコン、および主成分以外の金属元素は不純物となる。例えば、水素および窒素はドナー準位の形成に寄与し、キャリア密度を増大させてしまう。また、シリコンは酸化物半導体中で不純物準位の形成に寄与する。当該不純物準位はトラップとなり、トランジスタの電気特性を劣化させることがある。したがって、第１の酸化物半導体６６１、第２の酸化物半導体６６２および第３の酸化物半導体６６３の層中や、それぞれの界面において不純物濃度を低減させることが好ましい。

酸化物半導体を真性または実質的に真性とするためには、ＳＩＭＳ分析において、例えば、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域において、シリコン濃度を１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満とする。また、水素濃度は、例えば、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域において、２×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。また、窒素濃度は、例えば、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域において、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

また、酸化物半導体が結晶を含む場合、シリコンや炭素が高濃度で含まれると、酸化物半導体の結晶性を低下させることがある。酸化物半導体の結晶性を低下させないためには、例えば、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域において、シリコン濃度を１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満とする部分を有していればよい。また、例えば、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域において、炭素濃度を１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満とする部分を有していればよい。

また、上述のように高純度化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタのオフ電流は極めて小さい。例えば、ソースとドレインとの間の電圧を０．１Ｖ、５Ｖ、または、１０Ｖ程度とした場合に、トランジスタのチャネル幅で規格化したオフ電流を数ｙＡ／μｍから数ｚＡ／μｍにまで低減することが可能となる。

本実施の形態に例示するトランジスタ７３０は、酸化物半導体６６０のチャネル幅方向を電気的に取り囲むようにゲート電極６７３が形成されているため、酸化物半導体６６０に対しては垂直方向からのゲート電界に加えて、側面方向からのゲート電界が印加される（図１６（Ｃ）参照）。すなわち、酸化物半導体の全体的にゲート電界が印加させることとなり、電流はチャネルとなる第２の酸化物半導体６６２全体に流れるようになり、さらにオン電流を高められる。

＜酸化物半導体の結晶構造＞
次に、酸化物半導体膜の構造について説明する。

酸化物半導体膜は、単結晶酸化物半導体膜と非単結晶酸化物半導体膜とに大別される。非単結晶酸化物半導体膜とは、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、多結晶酸化物半導体膜、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜などをいう。

非晶質酸化物半導体膜は、膜中における原子配列が不規則であり、結晶成分を有さない酸化物半導体膜である。微小領域においても結晶部を有さず、膜全体が完全な非晶質構造の酸化物半導体膜が典型である。

微結晶酸化物半導体膜は、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の大きさの微結晶（ナノ結晶ともいう。）を含む。従って、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも原子配列の規則性が高い。そのため、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低いという特徴がある。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つであり、ほとんどの結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさである。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、一辺が１０ｎｍ未満、５ｎｍ未満または３ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさの場合も含まれる。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、微結晶酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低いという特徴がある。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって観察すると、結晶部同士の明確な境界、即ち結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略平行な方向からＴＥＭによって観察（断面ＴＥＭ観察）すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映した形状であり、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。

本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。

一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略垂直な方向からＴＥＭによって観察（平面ＴＥＭ観察）すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。

断面ＴＥＭ観察および平面ＴＥＭ観察より、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部は配向性を有していることがわかる。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶の（００９）面に帰属されることから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に概略垂直な方向を向いていることが確認できる。

一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、ｃ軸に概略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐｌａｎｅ法による解析では、２θが５６°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＩｎＧａＺｎＯ_４の単結晶酸化物半導体膜であれば、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させながら分析（φスキャン）を行うと、（１１０）面と等価な結晶面に帰属されるピークが６本観察される。これに対し、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の場合は、２θを５６°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。

以上のことから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜では、異なる結晶部間ではａ軸およびｂ軸の配向は不規則であるが、ｃ軸配向性を有し、かつｃ軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面ＴＥＭ観察で確認された層状に配列した金属原子の各層は、結晶のａｂ面に平行な面である。

なお、結晶部は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜した際、または加熱処理などの結晶化処理を行った際に形成される。上述したように、結晶のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。

また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の結晶化度が均一でなくてもよい。例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部が、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。

なお、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向性を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、２θが３１°近傍にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気的特性の変動が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。

また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、基板の曲げによる変形など、外力に対する耐性がＰｏｌｙ−Ｓｉトランジスタまたは単結晶Ｓｉトランジスタより強く、例えばプラスチックなど柔軟性の高い基板に適している。

なお、酸化物半導体膜は、例えば、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。

また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜をスパッタリング法で成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。

成膜時の不純物混入を低減することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制できる。例えば、処理室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素、および窒素など）を低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が−８０℃以下、好ましくは−１００℃以下である成膜ガスを用いる。

また、成膜時の基板加熱温度を高めることで、基板到達後にスパッタリング粒子のマイグレーションが起こる。具体的には、基板加熱温度を１００℃以上７４０℃以下、好ましくは２００℃以上５００℃以下として成膜する。成膜時の基板加熱温度を高めることで、平板状またはペレット状のスパッタリング粒子が基板に到達した場合、基板上でマイグレーションが起こり、スパッタリング粒子の平らな面が基板に付着する。

また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメージを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、好ましくは１００体積％とする。

ターゲットの一例として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物ターゲットについて以下に示す。

ＩｎＯ_Ｘ粉末、ＧａＯ_Ｙ粉末およびＺｎＯ_Ｚ粉末を所定のｍｏｌ数比で混合し、加圧処理後、１０００℃以上１５００℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物ターゲットとする。なお、Ｘ、ＹおよびＺは任意の正数である。ここで、所定のｍｏｌ数比は、例えば、ＩｎＯ_Ｘ粉末、ＧａＯ_Ｙ粉末およびＺｎＯ_Ｚ粉末が、２：２：１、８：４：３、３：１：１、１：１：１、４：２：３、１：４：４、３：１：２または２：１：３である。なお、粉末の種類、およびその混合するｍｏｌ数比は、作製するターゲットによって適宜変更すればよい。

＜ゲート電極＞
ゲート電極６７３、ゲート電極６７４は、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）から選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金、または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、ゲート電極６７３、ゲート電極６７４は、一層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造、Ｃｕ−Ｍｎ合金膜の単層構造、Ｃｕ−Ｍｎ合金膜上にＣｕ膜を積層する二層構造、Ｃｕ−Ｍｎ合金膜上にＣｕ膜を積層し、さらにその上にＣｕ−Ｍｎ合金膜を積層する三層構造等がある。特にＣｕ−Ｍｎ合金膜は、電気抵抗が低く、且つ、酸素を含む絶縁膜との界面に酸化マンガンを形成し、Ｃｕの拡散を防ぐことができるため好ましい。

また、ゲート電極６７３、ゲート電極６７４には、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。

＜ゲート絶縁膜＞
ゲート絶縁膜６５３には、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。また、ゲート絶縁膜６５３は上記材料の積層であってもよい。なお、ゲート絶縁膜６５３に、ランタン（Ｌａ）、窒素、ジルコニウム（Ｚｒ）などを、不純物として含んでいてもよい。

また、ゲート絶縁膜６５３の積層構造の一例について説明する。ゲート絶縁膜６５３は、例えば、酸素、窒素、シリコン、ハフニウムなどを有する。具体的には、酸化ハフニウム、および酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含むと好ましい。

酸化ハフニウムは、酸化シリコンや酸化窒化シリコンと比べて比誘電率が高い。したがって、酸化シリコンを用いた場合と比べて、ゲート絶縁膜６５３の膜厚を大きくできるため、トンネル電流によるリーク電流を小さくすることができる。即ち、オフ電流の小さいトランジスタを実現することができる。さらに、結晶構造を有する酸化ハフニウムは、非晶質構造を有する酸化ハフニウムと比べて高い比誘電率を備える。したがって、オフ電流の小さいトランジスタとするためには、結晶構造を有する酸化ハフニウムを用いることが好ましい。結晶構造の例としては、単斜晶系や立方晶系などが挙げられる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されない。

＜ソース電極およびドレイン電極＞
ソース電極６７１およびドレイン電極６７２は、ゲート電極６７３と同様の材料で作製することができる。特にＣｕ−Ｍｎ合金膜は、電気抵抗が低く、且つ、酸化物半導体６６０との界面に酸化マンガンを形成し、Ｃｕの拡散を防ぐことができるため好ましい。

＜保護絶縁膜＞
絶縁膜６５４は、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキングできる機能を有する。絶縁膜６５４を設けることで、酸化物半導体６６０からの酸素の外部への拡散と、外部から酸化物半導体６６０への水素、水等の入り込みを防ぐことができる。絶縁膜６５４としては、例えば、窒化物絶縁膜を用いることができる。該窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等がある。なお、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキング効果を有する窒化物絶縁膜の代わりに、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜を設けてもよい。酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。

酸化アルミニウム膜は、水素、水分などの不純物、および酸素の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高いので絶縁膜６５４に適用するのに好ましい。したがって、酸化アルミニウム膜は、トランジスタの作製工程中および作製後において、トランジスタの電気特性の変動要因となる水素、水分などの不純物の酸化物半導体６６０への混入防止、酸化物半導体６６０を構成する主成分材料である酸素の酸化物半導体からの放出防止、絶縁膜６５２からの酸素の不必要な放出防止の効果を有する保護膜として用いることに適している。また、酸化アルミニウム膜に含まれる酸素を酸化物半導体中に拡散させることもできる。

＜層間絶縁膜＞
また、絶縁膜６５４上には絶縁膜６５５が形成されていることが好ましい。当該絶縁膜には、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。また、当該酸化物絶縁膜は上記材料の積層であってもよい。

以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図１８を用いて説明を行う。

図１８（Ａ）乃至図１８（Ｆ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。

図１８（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図１８（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１８（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図１８（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１８（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図１８（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。

図１８（Ａ）乃至図１８（Ｆ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１８（Ａ）乃至図１８（Ｆ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

本実施の形態において述べた電子機器は、複数のバッテリーを内蔵し、無線充電できる無線受信部を有することを特徴とする。

また、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）に電子機器の使用例について説明する。

図１９（Ａ）は、車などの移動体の車内で情報端末を操作している例を示す。

５１０３はハンドルであり、内部にアンテナを有している。ハンドル５１０３内部のアンテナから電子機器５１００に電力供給できるようにする。電子機器５１００は複数のバッテリーを有しており、そのうちの少なくとも一つが無線充電によって充電される。ハンドル５１０３に電子機器５１００を固定できるような治具を設けてもよい。ハンドル５１０３に電子機器５１００を固定すれば、ハンドフリーで電話、またはテレビ電話をかけることもできる。また、電子機器５１００に設けたマイクで音声認証し、操縦者の音声によって車を操縦することもできる。

例えば、電子機器５１００を停車中に操作して位置情報を表示部５１０２に表示させることができる。また、車の表示部５１０１に表示していない情報、例えばエンジン回転数、ハンドル角度、温度、タイヤ空気圧などを表示部５１０２に表示させてもよい。表示部５１０２はタッチ入力機能を有する。また、車外を撮影する１つまたは複数のカメラを用いて車外の様子を表示部５１０２に表示させることもでき、例えばバックモニターとしても用いることができる。また、居眠り運転を防止するために、車から走行速度などの情報を無線で受信し、走行速度をモニタリングしながら走行時は、電子機器５１００から運転手を撮影し、目を閉じている状態が長いと電子機器５１００を振動させる、または、警告音や、音楽が流れるようにする設定などを運転手が適宜選択できる。また、車の停止時には運転手の撮影を停止して省電力を図り、さらに停止中には無線で電子機器５１００のバッテリーを充電することができるようにしてもよい。

車などの移動体においては、上述したように様々な利用が考えられ、電子機器５１００は、そのいろいろな機能を持たせるために多くのセンサや、複数のアンテナが内蔵されることが望まれる。車などの移動体は、電源を有しているが制限があり、移動体を駆動させる電力などを考慮すると、電子機器５１００に使用する電力はなるべく少なく抑えることが好ましく、特に電気自動車などは電子機器５１００が使用する消費電力によって走行距離が短くなる恐れがある。電子機器５１００にいろいろな機能を持たせても同時に全ての機能を使用することは少なく、必要に応じて１つの機能または２つの機能だけ使用することが多い。機能ごとにバッテリーを用意し、複数のバッテリーを有する電子機器５１００にいろいろな機能を持たせる場合、使用したい機能だけをオン状態としてそれぞれの機能に対応するバッテリーから電力を供給することで省電力化が図れる。さらに、複数のバッテリーのうち、停止している機能に対応するバッテリーは、車に設けたアンテナから無線充電することができる。

また、図１９（Ｂ）は、飛行機などの機内で情報端末を操作している例を示す。飛行機などの機内においては個人の情報端末を使用できる時間などが制限されることもあり、長時間のフライトである場合には飛行機に備え付けの情報端末が使用できることが望まれる。

電子機器５２００は、映画やゲームや宣伝などの映像を表示する表示部５２０２を有しており、通信機能により現在の飛行位置や、残りの到着時間などをリアルタイムに取得できる情報端末である。また、表示部５２０２はタッチ入力機能を有する。

また、シート５２０１に設けられた凹部に電子機器５２００をはめこみ、電子機器５２００と重なる位置にアンテナ設置部５２０３を設け、はめ込んでいる間は無線充電できるようにする。また、電子機器５２００は、使用者が体調不良などを乗務員に連絡したい場合の電話や連絡ツールとしても機能させることができる。電子機器５２００に翻訳機能などを持たせておけば、乗務員とは言語の異なる乗員であっても電子機器５２００の表示部５２０２を用いてコミュニケーションをとることができる。また、隣り合った言語の異なる乗員同士でも電子機器５２００の表示部５２０２を用いてコミュニケーションをとることができる。また、例えば、乗員が寝ている間、表示部５２０２に「睡眠中」と英語表示させ続ける、など伝言板としても機能させることもできる。

電子機器５２００は、機能ごとにバッテリーを複数有し、複数のバッテリーを有する電子機器であり、使用したい機能だけをオン状態とし、使用していない機能をオフ状態とし、省電力化が図れる。さらに、複数のバッテリーのうち、停止している機能に対応するバッテリーは、アンテナ設置部５２０３から無線充電することができる。

また、機内においては、危険物は持ち込むことが困難であり、小型バッテリーを複数有する電子機器５２００は、安全性が高く、例え一つのバッテリーが爆発したとしてもサイズが小さいため、被害がほとんどなく、筐体内での焼け付きに抑えることができる。また、故障、爆発、または破壊によって、一つのバッテリーが使えなくなっても他のバッテリーを用いることで電子機器５２００が有する機能の一部は使用できる。

また、飛行機の電力系統の異常があった場合、複数のシートにそれぞれある電子機器５２００の複数のバッテリーを非常用に使用できるように設計してもよい。複数のシートにそれぞれある電子機器５２００は全て同じ製品であり、同じ設計であるため、非常用電源として直列接続できるようにシステムを構築してもよい。

電子機器５２００が有する複数の小型バッテリーとしては、リチウムポリマー電池などのリチウムイオン二次電池、リチウムイオンキャパシタ、電気二重層キャパシタ、レドックスキャパシタのいずれか一、または複数種用いることができる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様である人工臓器の例を示す。

図２０は、ペースメーカの一例を示す断面模式図である。

ペースメーカ本体５３００は、バッテリー５３０１ａ、５３０１ｂと、レギュレータと、制御回路と、アンテナ５３０４と、右心房へのワイヤ５３０２、右心室へのワイヤ５３０３とを少なくとも有している。

ペースメーカ本体５３００は手術により体内に設置され、二本のワイヤは、人体の鎖骨下静脈５３０５及び上大静脈５３０６を通過させて一方のワイヤ先端が右心室、もう一方のワイヤ先端が右心房に設置されるようにする。

また、アンテナ５３０４で電力が受信でき、その電力は複数のバッテリー５３０１ａ、５３０１ｂに充電され、ペースメーカの交換頻度を少なくすることができる。ペースメーカ本体５３００は複数のバッテリーを有しているため、安全性が高く、一方が故障したとしてももう一方が機能させることができるため、補助電源としても機能する。また、ペースメーカに設けるバッテリーをさらに複数に分けて薄型のバッテリーとすれば、ＣＰＵなどを含む制御回路が設けられているプリント基板に搭載し、ペースメーカ本体５３００の小型化や、ペースメーカ本体５３００の厚さを薄くすることができる。

また、電力を受信できるアンテナ５３０４とは別に、生理信号を送信できるアンテナを有していてもよく、例えば、脈拍、呼吸数、心拍数、体温などの生理信号を外部のモニタ装置で確認できるような心臓活動を監視するシステムを構成してもよい。

本実施の形態により、小型化や薄型化が実現できれば、ペースメーカ本体５３００を埋め込んだ場所に生じる凸部を目立たない大きさにすることができる。

なお、このペースメーカの設置方法も一例であって、心臓疾患に合わせて様々な形態となる場合がある。

また、本実施の形態は、ペースメーカに限定されない。ペースメーカよりも普及している人工臓器として人工内耳がある。人工内耳は音を電気信号に変え、蝸牛の中に入れた刺激装置で聴神経を直接刺激する装置である。

人工内耳は手術で耳の奥などに埋め込む第１の装置と、音をマイクで拾って埋め込んだ第１の装置へ送る第２の装置とで構成される。第１の装置と第２の装置は電気的には接続されておらず、ワイヤレスで送受信するシステムである。第１の装置は、音を変換した電気信号を受信するアンテナと、蝸牛に達するワイヤとを少なくとも有している。また、第２の装置は、音を電気信号に変換するための音声処理部と、その電気信号を第１の装置に送信する送信回路とを少なくとも有している。

本実施の形態では、第１の装置と第２の装置の両方に小型のバッテリーを設けることで、人工内耳の小型化を図ることができる。

また、人工内耳は小児の段階で手術して埋め込むことが多く、小型化が望まれている。

本実施の形態により、人工内耳の小型化が実現できれば、人工内耳を埋め込んだ場所に生じる凸部を目立たない大きさにすることができる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様であるウェアラブルな電子機器の例を示す。

複雑な外形形状の電子機器とする場合、複数の小型のバッテリーを適宜、所定の場所に配置させることで、電子機器の設計の自由度を上げることができる。図２１（Ａ）に示すように電子機器５４００は、円筒形であり、人体に装着するためには、１つのバッテリーよりも複数のバッテリーに分けて適宜配置することで重量感を緩和させることができる。また、多くの機能を持たせると、待機時のバッテリーの消費が多くなるため、機能ごとにバッテリーを用意する。複数のバッテリーを有する電子機器５４００にいろいろな機能を持たせる場合、使用したい機能だけをオン状態としてそれぞれの機能に対応するバッテリーから電力を供給することで省電力化が図れる。

図２１（Ａ）に示すように電子機器５４００は、左腕の上腕部に位置する服５４０１の上から装着している。服５４０１としては、軍服、防護服、スーツ、制服、宇宙服などの袖のある服が挙げられる。装着する方法としては特に限定されないが、上腕部に重なる服に縫製加工によって縫い付ける方式や、上腕部に重なる服に面状ファスナなどを設けて電子機器５４００を貼り付ける方式、バンドや留め金などで固定する方式、帯状の板バネを巻きつける方式などがある。

また、電子機器５４００はアンテナを有しており、電子機器５４００を肌の上から装着し、無線充電を行っている場合の斜視図を図２１（Ｂ）に示す。図２１（Ｂ）では、上腕５４０２に電子機器５４００を装着している。皮膚に接するため、電子機器５４００の肌に触れる表面は、肌に優しいフィルムや、皮革、紙、布などの天然素材を用いることが好ましい。また、５４１２は、電力送信装置であり、電子機器５４００に電波５４１３を用いて無線で充電を行うことができる。また、電力だけでなく、その他の情報も送受信できるアンテナや回路を設けることで、その他の情報も送受信できる。例えば、新規デバイスをスマートフォンのように用いることもできる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態１０）
本実施の形態では、図２２を用いて、本発明の一態様に適用することのできる電子デバイスの一例について説明する。

図２２（Ａ）は眼鏡型デバイス５５００の上面図、図２２（Ｂ）はその斜視図である。

眼鏡型デバイス５５００は、装着時に使用者の側頭部に沿って配置される部分、以下テンプル部というが、左右のテンプル部それぞれに複数の二次電池５５０１を有する。

また眼鏡型デバイス５５００は、端子部５５０４を有していてもよい。端子部５５０４から二次電池５５０１に充電をすることができる。また二次電池５５０１同士は電気的に接続されていることが好ましい。二次電池５５０１同士が電気的に接続されていることで、一つの端子部５５０４から全ての二次電池５５０１に充電をすることができる。

また眼鏡型デバイス５５００は、表示部５５０２を有していてもよい。また制御部５５０３を有していてもよい。制御部５５０３により、二次電池５５０１の充放電を制御し、また表示部５５０２に表示する画像データを生成することができる。また制御部５５０３に無線通信機能を有するチップを搭載することで、外部とデータの送受信が行える。

また、図２２（Ｃ）の上面図に示すように、表示部５５０２を有さない眼鏡型デバイス５５１０としてもよい。眼鏡型デバイス５５１０には、外付けの表示部５５１２を取り付けてもよい。眼鏡型デバイス５５１０に外付けの表示部５５１２を取り付けることで、使用者の目と表示部５５１２との距離を調整することが容易となる。

また、眼鏡型デバイス５５１０と、外付けの表示部５５１２との間で無線通信および無線給電を行ってもよい。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

ＭＮ ノード
ＭＮ１ ノード
ＭＮ２ ノード
Ｎ１ ノード
Ｎ２ ノード
Ｐ１ 期間
Ｐ２ 期間
Ｐ３ 期間
Ｐ４ 期間
ＶＤＤ 電位
Ｖ_ＶＤＤ 電位
Ｖ_１４１ 電位
Ｖ_１４４ 電位
Ｖ２ 電位
ＶＳＳ１ 電位
ＶＳＳ２ 電位
ＶＢＧ 電位
ＧＮＤ グラウンド電位
Ｘ１−Ｘ２ 一点鎖線
Ｘ３−Ｘ４ 一点鎖線
Ｙ１−Ｙ２ 一点鎖線
１００ 半導体装置
１０１ インバータ
１０２ インバータ
１０３ スイッチ
１０４ インバータ
１０５ スイッチ
１１０ 回路
１２０ 回路
１２１ トランジスタ
１２２ トランジスタ
１２３ 容量素子
１２４ トランジスタ
１３０ バッテリー
１４０ 電圧生成回路
１４０Ａ 電圧生成回路
１４０Ｂ 電圧生成回路
１４１ 容量素子
１４２ ダイオード
１４３ ダイオード
１４４ 発振回路
１４５ インバータ
１５０ スイッチ
１５１ トランジスタ
２００ ラッチ回路
４０１ 演算処理部
４０２ 電源部
４１１ 回路
４１２ 回路
４１４ デコード部
４１５ レジスタ
４１６ 演算制御部
４１７ レジスタ
４１８ ステート生成部
４１９ レジスタ
４２０ レジスタセット
４２１ レジスタ
４２２ 演算部
４２３ ＡＬＵ
４２４ アドレスバッファ
４２５ レジスタ
４２６ 電源回路
４２７ 電源供給制御スイッチ
５０１ 絶縁膜
５０２ 正極集電体層
５０３ 正極活物質層
５０４ 固体電解質層
５０５ 負極活物質層
５０６ 負極集電体層
５０７ 絶縁膜
５０８ 配線
５１０ 絶縁膜
６４０ 基板
６５１ 絶縁膜
６５２ 絶縁膜
６５３ ゲート絶縁膜
６５４ 絶縁膜
６５５ 絶縁膜
６６０ 酸化物半導体
６６１ 酸化物半導体
６６２ 酸化物半導体
６６３ 酸化物半導体
６７１ ソース電極
６７２ ドレイン電極
６７３ ゲート電極
６７４ ゲート電極
７００ 基板
７０１ プラグ
７０２ 配線
７０３ プラグ
７０４ プラグ
７０５ 配線
７０７ 配線
７２０ トランジスタ
７２１ 不純物領域
７２２ 不純物領域
７２３ チャネル形成領域
７２４ ゲート絶縁膜
７２５ 側壁絶縁層
７２６ ゲート電極
７２７ 素子分離層
７３０ トランジスタ
７３１ 絶縁膜
７３２ 絶縁膜
７４０ バッテリー
７４０Ａ バッテリー
７４０Ｂ バッテリー
７４０Ｃ バッテリー
７４０Ｄ バッテリー
７４１ 絶縁膜
７４２ 絶縁膜
７５０ トランジスタ
７５１ 不純物領域
７５２ 不純物領域
７５３ チャネル形成領域
７５４ ゲート絶縁膜
７５５ 側壁絶縁層
７５６ ゲート電極
７５７ 絶縁膜
１０００ 半導体装置
１１００ 半導体装置
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５１００ 電子機器
５１０１ 表示部
５１０２ 表示部
５１０３ ハンドル
５２００ 電子機器
５２０１ シート
５２０２ 表示部
５２０３ アンテナ設置部
５３００ ペースメーカ本体
５３０１ａ バッテリー
５３０１ｂ バッテリー
５３０２ ワイヤ
５３０３ ワイヤ
５３０４ アンテナ
５３０５ 鎖骨下静脈
５４００ 電子機器
５４０１ 服
５４０２ 上腕
５４１３ 電波
５５００ 眼鏡型デバイス
５５０１ 二次電池
５５０２ 表示部
５５０３ 制御部
５５０４ 端子部
５５１０ 眼鏡型デバイス
５５１２ 表示部

Claims (7)

1. 第１の回路と、
   第２の回路と、
   バッテリーと、
   電圧生成回路と、
   スイッチと、を有する半導体装置であって、
   前記第１の回路は、データを保持する機能を有し、
   前記第１の回路は、第１の電位と、第２の電位と、が与えられ、
   前記第２の回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、第１のゲートと、第２のゲートと、を有し、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第２の回路は、前記第２のトランジスタのゲートと前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方とを接続するノードにおいて、前記データに応じた電荷を保持する機能を有し、
   前記スイッチは、前記第１の回路と、前記第１の電位を与える配線との導通状態を制御する機能を有し、
   前記バッテリーは、第１の端子と、第２の端子とを有し、
   前記バッテリーの第１の端子は前記第２の電位を与える配線に電気的に接続され、
   前記バッテリーの第１の端子の電位は、前記第２の端子の電位よりも高く、
   前記電圧生成回路は、前記第２の電位より小さい第３の電位を生成する機能を有し、
   前記第１のトランジスタの前記第２のゲートは、前記バッテリーの第２の端子に電気的に接続され、
   前記第２のゲートと、前記バッテリーの第２の端子と、は、前記第３の電位が与えられる、ことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記電圧生成回路は、前記スイッチをオフにすることで、前記第１の回路に蓄えられた電荷を放電させて、前記第３の電位を生成する回路であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１において、
   前記電圧生成回路は、前記第１の電位を与える動作を間欠的に行うことで前記第３の電位を生成する回路であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１の回路は、ラッチ回路であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を半導体層に有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記バッテリーは、固体電解質を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置と、
   表示装置と、を有することを特徴とする電子機器。

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