JP2016035794A - 磁気ディスク装置、プリアンプ、及び制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】1つの実施形態は、例えば、データの信頼性を向上できる磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【解決手段】1つの実施形態によれば、光源と光照射素子と制御部とを有する磁気ディスク装置が提供される。光源は、駆動信号に応じて発光する。光照射素子は、光源からの光を受け、磁気ディスクに光を照射する。制御部は、書き込みデータの高周波パターンを磁気ディスクへ記録する際に、駆動信号におけるアクティブレベルを基準レベルに維持する。アクティブレベルは、光源の発光に寄与するレベルである。制御部は、書き込みデータの低周波パターンを磁気ディスクへ記録する際に、駆動信号におけるアクティブレベルを基準レベルから段階的に下げる。
【選択図】図1
【解決手段】1つの実施形態によれば、光源と光照射素子と制御部とを有する磁気ディスク装置が提供される。光源は、駆動信号に応じて発光する。光照射素子は、光源からの光を受け、磁気ディスクに光を照射する。制御部は、書き込みデータの高周波パターンを磁気ディスクへ記録する際に、駆動信号におけるアクティブレベルを基準レベルに維持する。アクティブレベルは、光源の発光に寄与するレベルである。制御部は、書き込みデータの低周波パターンを磁気ディスクへ記録する際に、駆動信号におけるアクティブレベルを基準レベルから段階的に下げる。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、磁気ディスク装置、プリアンプ、及び制御方法に関する。
近年、高密度磁気記録が可能な技術として、熱アシスト記録方式が注目されている。熱アシスト記録方式は、光源(レーザダイオード)で発生されたレーザ光を光照射素子(近接場光素子)で近接場光に変換して磁気ディスクの記録層の一部に照射し、局所的に磁気ディスクの温度を上げる。そして、温度が上がった部分に磁界発生素子で磁場を印加してデータを磁気的に記録する。熱アシスト記録方式で記録されたデータの信頼性を向上することが望まれる。
1つの実施形態は、例えば、データの信頼性を向上できる磁気ディスク装置、プリアンプ、及び制御方法を提供することを目的とする。
1つの実施形態によれば、光源と光照射素子と制御部とを有する磁気ディスク装置が提供される。光源は、駆動信号に応じて発光する。光照射素子は、光源からの光を受け、磁気ディスクに光を照射する。制御部は、書き込みデータの高周波パターンを磁気ディスクへ記録する際に、駆動信号におけるアクティブレベルを基準レベルに維持する。アクティブレベルは、光源の発光に寄与するレベルである。制御部は、書き込みデータの低周波パターンを磁気ディスクへ記録する際に、駆動信号におけるアクティブレベルを基準レベルから段階的に下げる。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる磁気ディスク装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
(第1の実施形態)
第1の実施形態にかかる磁気ディスク装置100の概要について図1及び図2を用いて説明する。図1は、実施形態にかかる磁気ディスク装置の構成を示す図である。図2は、実施形態にかかる磁気ディスク装置によるデータ記録に関連する構成を示す図である。
第1の実施形態にかかる磁気ディスク装置100の概要について図1及び図2を用いて説明する。図1は、実施形態にかかる磁気ディスク装置の構成を示す図である。図2は、実施形態にかかる磁気ディスク装置によるデータ記録に関連する構成を示す図である。
磁気ディスク50は、各種情報を記録する記録媒体であり、スピンドルモータ103により回転駆動される。磁気ディスク50は、例えば、スピンドルモータ103の回転中心近傍を中心とする同心円状の複数のトラックを有する。
磁気ディスク50への読み書きは、アーム107の先端のヘッドスライダ104に設けられた磁気ヘッド5によって行われる。磁気ヘッド5は、記録ヘッド5w及び再生ヘッド5rを含む。
磁気ヘッド5は、磁気ディスク50の回転によって生じる揚力によって、磁気ディスク50の表面からわずかに浮いた状態を維持しながら、ダウントラック方向に磁気ディスク50の表面に対して相対的に移動する。記録ヘッド5wは、後述する磁界発生素子5dで磁気ディスク50に情報を記録する。
このとき、記録ヘッド5wでは、図2に示すように、熱アシスト記録方式に従って、光源(例えば、LD:レーザダイオード)5aで発生されたレーザ光を導波路5bにより近接場光素子(光照射素子)5cへ導く。レーザ光は近接場光素子5cで近接場光に変換されて磁気ディスク50の表面の一部に照射される。記録ヘッド5wは、近接場光素子5cからの近接場光により局所的に温度が上がった磁気ディスク50の部分に磁界発生素子5dで磁場を印加して情報を磁気的に記録する。例えば、磁界発生素子5dは、書き込むべきデータのビット値が1か0かで磁界の方向を反転させながらデータを磁気ディスク50に書き込む。すなわち、記録ヘッド5wは、磁気ディスク50に対して、熱アシスト記録方式によるライト動作に用いられる。なお、光源5aは、導波路5bを介して近接場光素子(光照射素子)5cにレーザ光を供給可能に構成されていれば、磁気ヘッド5の外部に設けられていてもよい。再生ヘッド5rは、磁気抵抗素子5eで磁気ディスク50に記録された情報を読み出す。すなわち、再生ヘッド5rは、磁気ディスク50に対するリード動作に用いられる。
図1に示すアーム107のもう一方の端に設けられたボイスコイルモータ102により、アーム107が軸108を中心とする円弧上を回動する。これにより、記録ヘッド5w及び再生ヘッド5rが、磁気ディスク50のクロストラック方向にシーク移動し、読み書きする対象のトラックに位置付けられる。磁気ディスク50、磁気ヘッド5、ボイスコイルモータ102、スピンドルモータ103は、ケース101に収容されている。
また、磁気ディスク装置100は、磁気記録制御部120を有する。磁気記録制御部120は、ヘッド制御部(プリアンプ)123、パワー制御部121、リードライトチャネル(RDC)124、ハードディスク制御部(HDC)122、及び記憶部125を有する。ヘッド制御部123は、ライト電流制御部123a、再生信号検出部123b、及び熱アシスト制御部123cを有する。パワー制御部121は、スピンドルモータ制御部121a及びボイスコイルモータ制御部121bを有する。記憶部125は、例えば、不揮発性メモリ(ROM、フラッシュメモリ、FeRAM、MRAM、ReRAM、PRAMなど)で構成されている。
HDC122は、ホストHSからホストI/F122aを介して受けたコマンド及び/又はデータ1に応じて、所定のコマンド及び/又はデータ51を生成してRDC124へ出力する。RDC124は、入力された所定のコマンド及び/又はデータ51に応じた制御を行う。例えば、RDC124は、書き込みコマンドを受けた場合、磁気ディスク50に書き込むべきデータφ54を生成してプリアンプ123へ出力する。
記憶部125は、設定パラメータ群125aを格納する。設定パラメータ群125aは、後述するパラメータの調整に用いられるべき候補となる複数のパラメータを含む。
RDC124は、図3に示すように、クロック生成回路157、データ生成回路135、基準パルス生成回路136、第1の遅延回路140、及び第2の遅延回路142を有する。図3は、RDC124及びプリアンプ123の構成を示す図である。クロック生成回路157は、書き込みクロック(Write Clock)φ62を発生してデータ生成回路135及び基準パルス生成回路136へ供給する。データ生成回路135は、書き込みクロックφ62に同期して、コマンド及び/又はデータ51に応じて、磁気ディスク50に書き込むべき書き込みデータ(Write data)φ54を生成する。データ生成回路135は、生成された書き込みデータφ54を第1の遅延回路140で遅延させてプリアンプ123へ供給する。基準パルス生成回路136は、書き込みクロックφ62に同期して、基準パルスφ200を生成する。基準パルスφ200は、プリアンプ123が光源(LD)5aの駆動電流φ58を生成する際の基準となるパルスであり、ハイレベル及びローレベルの間で遷移すべきタイミングを規定するパルスである。基準パルスφ200は、一定の振幅及び一定の周期を有する。基準パルス生成回路136は、例えば、書き込みクロックφ62を基準パルスφ200として生成することができる。基準パルス生成回路136は、生成された基準パルスφ200を第2の遅延回路142で遅延させてプリアンプ123へ供給する。
熱アシスト記録方式では、光源(LD)5aをパルス駆動させて発生させた近接場光で磁気ディスク50を加熱し、磁界発生素子5dからの磁界を変調することで磁気ディスク50に情報を記録する制御が行われることがある。このとき、仮に、磁気ディスク50の記録温度(Write Temperature)が一定となるように制御される場合を考える。
この場合、プリアンプ123は、書き込みクロックφ62に同期した基準パルスφ200を受ける。プリアンプ123は、基準パルスφ200に対応した駆動信号(LDパルス信号)φ58を光源(LD)5aに供給することで光源(LD)5aをパルス駆動する。このとき、磁気ディスク50の記録温度(Write Temperature)が一定となるように制御されて、書き込みデータφ54が磁気ディスク50に記録される。
しかし、このような光源(LD)5aのパルス駆動を用いたデータ記録では、書き込みデータφ54のパターンに応じて、各記録ビットの適正な記録温度が異なることがある。そのため、磁気ディスク50の記録温度が一定となるように制御されると、再生信号品質が劣化する可能性がある。
例えば、書き込みデータφ54には高周波パターンHFP及び低周波パターンLFPが含まれる(図4参照)。高周波パターンHFPは、極性が反転した直後の同極性のビットを所定の周期(例えば、1ビット周期1T)分含むパターンである。低周波パターンLFPは、高周波パターンHFPに続くパターンである。すなわち、低周波パターンLFPは、極性が反転してから同極性のビットが所定の周期(例えば、1ビット周期1T)続いた後において同極性のビットが続くパターンである。低周波パターンLFPの記録では、直前のビットB0から後ろのビットB1〜B4になるに従って、適正な記録温度が低くなる傾向にある。
例えば、「ビット識別子(ビット値)」で表す場合、ビットB30(0)、ビットB0(1)、ビットB1(1)、ビットB2(1)、ビットB3(1)、ビットB4(1)が順に並んだビットパターンを考える。このビットパターンでは、ビットB0(1)が高周波パターンHFPに対応し、ビットB1(1)〜ビットB4(1)が低周波パターンLFPに対応する。記録温度が高周波パターン及び低周波パターンに対して一定となっている場合(図4Dに破線で示す場合)では、高周波パターンHFPの記録において、ビットB0の記録温度が適正化されている。一方、低周波パターンLFPの記録において、各ビットB1〜B4で記録温度が適正化されていない。そのため、書き込みデータφ54に対応した再生データφ57の波形(Read wave)は、低周波パターンLFPを記録した領域で振幅が減衰しやすい。すなわち、(図4Eに破線で示すように)再生信号品質が劣化しやすい。
再生信号品質が劣化する原因として、次のことが考えられる。磁気ディスク50において、同極性のビットが続く領域(低周波パターンLFPの記録領域)において、記録済みビットから受ける静磁気相互作用は記録済みビットを再反転させる(不安定化させる)方向に働く。一方、異なる極性のビットが隣接する領域(高周波パターンHFPの記録領域)において、静磁気相互作用は記録ビットを結合させる(安定化させる)方向に働く。すなわち、同極性のビットが続く領域(低周波パターンLFPの記録領域)では静磁気相互作用によって磁化反転しやすくなっている分だけ記録温度を上昇させる必要はない。しかし、異なる極性のビットが隣接する領域(高周波パターンHFPの記録領域)では静磁気相互作用によって磁化反転させにくいため、低周波パターンLFPより記録温度を高くする必要がある。このため、磁気ディスク50の記録温度を高周波パターンHFPに最適化して、各記録ビットで一定となるように制御して記録すると、静磁気相互作用によって記録ビットが不安定になりやすい低周波パターンLFPの記録領域では、各ビットの記録温度を適正な記録温度より高くしてしまう。これにより、記録(磁化反転)に不必要な、余剰な熱エネルギーを与えることになる。余剰な熱エネルギーを与えると保磁力低下が大きくなりすぎるため記録済みビットを再反転させる方向に働く静磁気相互作用によって記録後の磁化の再反転が増加する。
例えば、磁気ディスク50では、1ビットの情報を複数の磁性粒子の磁化で表現することによって、磁性粒子の位置・大きさのばらつきによるビットエラーの低減を図っている。例えば、「ビット識別子(ビット値)」で表す場合、ビットB20(0)、ビットB10(1)、ビットB11(1)、ビットB12(1)、ビットB13(1)、ビットB14(1)、ビットB15(1)が順に並んだビットパターンを考える。このビットパターンでは、ビットB10(1)が高周波パターンHFPに対応し、ビットB11(1)〜ビットB15(1)が低周波パターンLFPに対応する。高周波パターンHFPの記録を考えると、ビットB20の磁性粒子群MG20とビットB10の磁性粒子群MG10とは、磁気ディスク50上における記録したい磁化の方向が逆向きになっている。これにより、ビットB20の磁性粒子群MG20からビットB10の磁性粒子群MG10が受ける静磁気相互作用は、磁性粒子群MG10の記録したい磁化の方向と略同じになる。
一方、低周波パターンLFPの記録を考えると、各ビットB11〜B15では、既に記録済みのビット(すなわち、前側のビット)とは、磁気ディスク50上における記録したい磁化の方向が略同じ向きになっている。これにより、既に記録済みのビットの磁性粒子群からビットB11〜B15の磁性粒子群MG11〜MG15が受ける静磁気相互作用は、磁性粒子群の記録したい磁化の方向と逆になる。また、ビットB15の磁性粒子群MG15が受ける静磁気相互作用は、ビットB11の磁性粒子群MG11が受ける静磁気相互作用に比べて、記録したい磁化の方向が同じであるより多くのビットの磁性粒子群から受ける分、そのエネルギーの絶対値が大きくなっている。
すなわち、ビットB10から後ろのビットB11〜B15になるに従って、既に記録済みのビットから受ける静磁気相互作用は、記録したい磁化の方向と逆向きに強くなっていく(そのエネルギーの絶対値が大きくなっていく)傾向にある。このため、低周波パターンLFPの記録では、磁気ディスク50の加熱量(記録温度)が一定となるように制御されると、ビットB10から後ろのビットB11〜B15になるに従って、静磁気相互作用が大きく働くので余剰な熱エネルギーにより再反転が起きやすい。これにより、ビットB0から後ろの各ビットの磁性粒子群における一部の磁性粒子の磁化が再反転すると、再生データの波形における振幅が減衰するので、再生信号品質が劣化しやすい。
そこで、本実施形態では、書き込みデータの低周波パターンを記録する際に、光源の発光に寄与する駆動信号のアクティブレベルを適正化(例えば最適化)することで、低周波パターンの各ビットの磁性粒子群における再反転を抑制させ再生信号品質を改善する。なお、駆動信号のアクティブレベルは、駆動信号がパルス信号の場合はハイレベル、駆動信号が直流信号の場合は直流レベルである。例えば、本実施形態では、低周波パターンを記録する際に、駆動信号のアクティブレベルが徐々に小さい値になるように制御する。
図3に戻り、具体的には、プリアンプ123は、リード・ライト処理部302、調整部303、及び駆動部301を有する。
リード・ライト処理部302は、書き込みデータφ54をRDC124から受ける。リード・ライト処理部302は、書き込みデータφ54に応じて、ライト電流φ56を生成して磁気ヘッド5に供給する。これにより、記録ヘッド5wの磁界発生素子5dは、ライト電流φ56に応じた磁界を発生させて磁気ディスク50にデータを書き込む。
調整部303は、書き込みデータφ54のパターンに応じて、基準パルスφ200を用いて熱アシスト制御信号φ55を生成する。調整部303は、書き込みデータφ54の高周波パターンHFPを磁気ディスク50へ記録する期間であると判断すると、LDパルス信号φ58におけるハイレベルを基準レベルLrefに維持するように指示する熱アシスト制御信号φ55を生成する。調整部303は、書き込みデータφ54の低周波パターンLFPを磁気ディスク50へ記録する期間であると判断すると、LDパルス信号φ58におけるハイレベルを適正化(例えば最適化)するように指示する熱アシスト制御信号φ55を生成する。
例えば、調整部303は、データパターン判別器303a及びレベル設定器303bを有する。データパターン判別器303aは、書き込みデータφ54を入力とし、書き込みデータφ54における記録対象のビットパターンが高周波パターン及び低周波パターンのいずれであるのかを判別する。
データパターン判別器303aは、ビットの極性が反転してからの経過時間が所定の周期(例えば、1ビット周期1T)以内であれば、記録対象のビットパターンが高周波パターンであると判別する。データパターン判別器303aは、記録対象のビットパターンが高周波パターンである場合、高周波パターンであることを示す変調判別信号をレベル設定器303bへ出力する。
データパターン判別器303aは、ビットの極性が反転してからの経過時間が所定の周期(例えば、1ビット周期1T)を超えていれば、記録対象のビットパターンが低周波パターンであると判別する。データパターン判別器303aは、記録対象のビットパターンが低周波パターンである場合、低周波パターンであることを示す変調判別信号をレベル設定器303bへ出力する。
レベル設定器303bには基準パルス信号φ200が入力されている。また、レベル設定器303bは、後述するように、予め調整された設定パラメータが設定されており、この設定パラメータに従って、基準パルス信号φ200に応じた熱アシスト制御信号φ55を生成する。設定パラメータは、振幅設定値及び減衰率設定値を含む。レベル設定器303bは、基準パルス信号φ200に同期してハイレベル及びローレベルの間で遷移するパルス信号を熱アシスト制御信号φ55として生成し、その際にハイレベルの振幅を振幅設定値に従った大きさに設定する。レベル設定器303bは、生成された熱アシスト制御信号φ55を駆動部301に供給する。
例えば、データパターン判別器303aは、図4Aに示す書き込みクロックφ62に同期した図4Bに示す書き込みデータφ54を受ける。図4は、RDC124及びプリアンプ123で扱われる信号を示す波形図である。データパターン判別器303aは、記録対象のビットパターンが高周波パターンHFP及び低周波パターンLFPのいずれであるのかを判別して、判別結果をレベル設定器303bへ供給する。
図4Bに示す高周波パターンHFP−3であることを示す変調判別信号を受けた場合、レベル設定器303bは、図4Cに示すような熱アシスト制御信号φ55を生成する。すなわち、レベル設定器303bは、熱アシスト制御信号φ55の振幅を振幅設定値に従った基準振幅Aに維持させて駆動部301に供給する。これにより、駆動部301のLDドライバ301aは、ハイレベルが基準レベルLrefに維持されるLDパルス信号φ58を生成して光源(LD)5aに供給する。
図4Bに示す低周波パターンLFP−3であることを示す変調判別信号を受けた場合、レベル設定器303bは、図4Cに示すような熱アシスト制御信号φ55を生成する。すなわち、レベル設定器303bは、熱アシスト制御信号φ55の振幅を減衰率設定値に従った減衰率rで基準振幅Aから段階的に減衰させて駆動部301に供給する。これにより、LDドライバ301aは、ハイレベルを基準レベルLrefから段階的に下げるようにLDパルス信号φ58を生成して光源(LD)5aに供給する。
これに応じて、LDドライバ301aは、図4Cに示すように、磁気ディスク50に高周波パターンを書き込むべき場合に、LDパルス信号φ58のハイレベルを基準レベルLrefに維持する。また、駆動部301のLDドライバ301aは、磁気ディスク50に低周波パターンを書き込むべき場合に、LDパルス信号φ58のハイレベルを基準レベルLrefから段階的に下げる(振幅を基準振幅Aから段階的に減衰させる)。これにより、図4Dに示すように、書き込みデータの低周波パターンを記録する際に、磁気ディスク50の記録温度を基準温度Tから段階的に下げることができる。この結果、低周波パターンにおける各ビットの磁性粒子群における再反転を抑制でき、図4Eに示すように、再生信号品質を改善できる。なお、図4Eでは、比較のために、記録温度が高周波パターン及び低周波パターンに対して一定となっている場合の再生信号の波形を破線で示している。
なお、磁気ディスク50に低周波パターンを書き込むべき場合に段階的にハイレベルを下げる周期について、図4では、1ビット周期(1T)である場合について例示しているが、N(N≧2)ビット周期(N×T)であってもよい。この場合、データパターン判別器303aは、極性が反転した直後の同極性のビットをNビット周期分含むパターンを高周波パターンとして判別できる。また、データパターン判別器303aは、極性が反転してから同極性のビットがNビット周期続いた後において同極性のビットが続くパターンを低周波パターンとして判別できる。
例えば、段階的にハイレベルを下げる周期を2ビット周期(2T)にすることができる。この場合、データパターン判別器303aは、極性が反転した直後の同極性のビットを2ビット周期(2T)分含むパターンHFPを高周波パターンとして判別する。データパターン判別器303aは、極性が反転してから同極性のビットが2ビット周期(2T)続いた後において同極性のビットが続くパターンLFPを低周波パターンとして判別する。レベル設定器303bは、磁気ディスク50に低周波パターンLFPを書き込むべき場合に、熱アシスト制御信号φ55におけるハイレベルを基準レベルLrefから2ビット周期(2T)で段階的に下げる。
すなわち、段階的にハイレベルを下げる周期を複数ビット周期とすることで、プリアンプ123内の回路(例えば、LDドライバ301a)のタイミングマージンを確保でき、プリアンプ123内の回路動作を安定化できる。
磁気ディスク装置100において、熱アシスト制御信号φ55の生成に用いられる設定パラメータは、予め実験的に取得及び調整されてプリアンプ123に設定されているものとすることもできるが、プリアンプ123の調整部303にトレーニングの機能を持たせることもできる。調整部303がトレーニングの機能を有する場合、磁気ディスク50の記録特性の経年的な変化に対応して設定パラメータを調整することができるので、再生データの信頼性を容易に向上できる。また、この場合、記憶部125を不揮発性メモリに代えて揮発性メモリ(DRAM、SRAMなど)で構成することができる。
そこで、熱アシスト制御信号φ55の生成に用いられる設定パラメータの調整について図5〜図8を用いて説明する。図5は、基準レベルLrefの調整について説明するための図である。図7は、減衰率rの調整について説明するための図である。図6は、再生信号品質と振幅設定値との関係を示す図である。図8は、再生信号品質と減衰率設定値との関係を示す図である。なお、段階的にハイレベルを下げる周期が2ビット周期である場合の設定パラメータの調整について例示するが、段階的にハイレベルを下げる周期が1ビット周期や3ビット周期以上である場合についても同様に適用できる。
まず、高周波パターンを記録するためのLDパルス信号のハイレベル(基準レベルLref)の調整方法について説明する。
LDパルス信号のハイレベル、すなわち基準レベルLrefの決定には、図5に示すように、段階的にハイレベルを下げる周期と同じ2ビット周期(2T)の高周波パターンHFP1〜HFP3を記録した時の再生信号品質を評価指標として用い、調整する。記録再生信号品質としてはSNR(Signal Noise Ratio)を利用する。
具体的には、RDC124において、データ生成回路135は、書き込みクロックφ62に同期して、2ビット周期(2T)でハイレベル・ローレベル間を遷移するトレーニング用の書き込みデータφ54aを生成する。データ生成回路135は、トレーニング用の書き込みデータφ54aに応じた情報をリード・ライト処理部302及び記録ヘッド5w経由で磁気ディスク50に書き込む。
このとき、レベル設定器303bは、記憶部125にアクセスし、基準レベルLrefに対応した基準振幅Aの候補となる複数の振幅設定値を設定パラメータ群125aから取得する。例えば、レベル設定器303bは、図5Cに示す振幅設定値A1,A3,A2を設定パラメータ群125aから取得する。レベル設定器303bは、複数の振幅設定値A1,A3,A2のうち1つの振幅設定値を選択し、選択された振幅設定値に従って基準パルスφ200の振幅を調整して熱アシスト制御信号φ55aを生成する。レベル設定器303bは、生成された熱アシスト制御信号φ55aをLDドライバ301aへ供給する。LDドライバ301aは、熱アシスト制御信号φ55aに対応した駆動信号(LDパルス信号)φ58aで光源(LD)5aをパルス駆動する。
例えば、図5Cに破線で示す振幅設定値A1が選択された場合、磁気ディスク50の記録温度は、図5Dに破線で示す記録温度T1になる。図5Cに実線で示す振幅設定値A2が選択された場合、LDパルス信号φ58aのハイレベルがより高くなっているので、磁気ディスク50の記録温度は、図5Dに実線で示す記録温度T2に上昇する。図5Cに太線で示す振幅設定値A3が選択された場合、LDパルス信号φ58aのハイレベルが振幅設定値A1の場合及び振幅設定値A2の場合の中間レベルになっているので、磁気ディスク50の記録温度は、図5Dに太線で示す記録温度T3になる。
そして、リード・ライト処理部302は、トレーニング用の書き込みデータφ54aに応じた情報を再生ヘッド5r経由で再生信号φ57として磁気ディスク50から読み出す。RDC124は、図3に示すように、信号品質算出回路164をさらに有する。信号品質算出回路164は、リード・ライト処理部302から再生信号φ57を受ける。信号品質算出回路164は、再生信号φ57から信号成分とノイズ成分とをそれぞれ抽出し、信号成分をノイズ成分で除算することでSNRを算出する。信号品質算出回路164は、算出されたSNRをレベル設定器303bへ供給する。
レベル設定器303bは、選択された振幅設定値毎に、信号品質算出回路164から供給されたSNRの値を保持しておく。これにより、レベル設定器303bは、図6に一点鎖線で示すような再生信号品質に関する情報を蓄積でき、複数の振幅設定値のうち再生信号品質が許容範囲に収まるもの(例えば、SNRの値が最も高いもの)を基準振幅Aとして決定できる。図6に示す場合、複数の振幅設定値A1,A3,A2のSNRの値をそれぞれSNR1,SNR3,SNR2とすると、
SNR3>SNR1, SNR3>SNR2
の関係にある。このため、複数の振幅設定値A1,A3,A2のうち振幅設定値A3を基準振幅Aとして決定できる。このとき、振幅設定値A3に対応した記録温度T3が基準温度Tとなる。
SNR3>SNR1, SNR3>SNR2
の関係にある。このため、複数の振幅設定値A1,A3,A2のうち振幅設定値A3を基準振幅Aとして決定できる。このとき、振幅設定値A3に対応した記録温度T3が基準温度Tとなる。
なお、記録再生信号品質として、SNR(Signal Noise Ratio)に代えて、ER(Error Rate)を利用することもできる。この場合、信号品質算出回路164は、RDC124内の誤り訂正回路(図示せず)から誤り訂正の結果を取得し、誤り訂正の結果に応じてERの値を算出してレベル設定器303bへ供給する。これにより、レベル設定器303bは、図6に実線で示すような再生信号品質に関する情報を蓄積でき、複数の振幅設定値のうち再生信号品質が許容範囲に収まるもの(例えば、ERの値が最も低いもの)を基準振幅Aとして決定できる。図6に示す場合、複数の振幅設定値A1,A3,A2のERの値をそれぞれER1,ER3,ER2とすると、
ER3<ER1, ER3<ER2
の関係にある。このため、複数の振幅設定値A1,A3,A2のうち振幅設定値A3を基準振幅Aとして決定できる。このとき、振幅設定値A3に対応した記録温度T3が基準温度Tとなる。
ER3<ER1, ER3<ER2
の関係にある。このため、複数の振幅設定値A1,A3,A2のうち振幅設定値A3を基準振幅Aとして決定できる。このとき、振幅設定値A3に対応した記録温度T3が基準温度Tとなる。
次に、低周波パターンを記録する時のLDパルス信号の振幅の減衰率の調整方法について説明する。
LDパルス信号の振幅の減衰率の決定には、図7に示すように、ビットの極性が反転してから2ビット周期(2T)経過後の低周波パターンLFP11,LFP12を記録した時の記録再生信号品質を評価指標として用い、調整する。記録再生信号品質としてはSNRを利用する。
具体的には、RDC124において、データ生成回路135は、書き込みクロックφ62に同期して、段階的にハイレベルを下げる周期の3倍以上の周期、たとえば、6ビット周期(6T)でハイレベル・ローレベル間を遷移するトレーニング用の書き込みデータφ54bを生成する。データ生成回路135は、トレーニング用の書き込みデータφ54bに応じた情報をリード・ライト処理部302及び記録ヘッド5w経由で磁気ディスク50に書き込む。
このとき、レベル設定器303bは、記憶部125にアクセスし、減衰率rの候補となる複数の減衰率設定値を設定パラメータ群125aから取得する。例えば、レベル設定器303bは、図7Cに示す減衰率設定値r11,r12を設定パラメータ群125aから取得する。レベル設定器303bは、複数の減衰率設定値r11,r12のうち1つの減衰率設定値を選択し、選択された減衰率設定値に従って基準パルスφ200の振幅を2ビット周期(2T)で段階的に減衰させて熱アシスト制御信号φ55bを生成する。レベル設定器303bは、生成された熱アシスト制御信号φ55bをLDドライバ301aへ供給する。LDドライバ301aは、熱アシスト制御信号φ55bに対応した駆動信号(LDパルス信号)φ58bで光源(LD)5aをパルス駆動する。
例えば、減衰率設定値r11が選択された場合、LDパルス信号φ58bでは、ビットの極性が反転してから1ビット目及び2ビット目のパルスの振幅が基準振幅Aである。また、図7Cに太線で示すように、3ビット目及び4ビット目のパルスの振幅が(r11)×Aである。さらに、図7Cに太線で示すように、5ビット目及び6ビット目のパルスの振幅が(r11)2×Aである。これに応じて、磁気ディスク50の記録温度は、図7Dに太線で示すように、記録温度が基準温度T→記録温度T11a→記録温度T11bへ2ビット周期(2T)で段階的に下がる。
また、減衰率設定値r12が選択された場合、LDパルス信号φ58bでは、ビットの極性が反転してから1ビット目及び2ビット目のパルスの振幅が基準振幅Aである。また、図7Cに実線で示すように3ビット目及び4ビット目のパルスの振幅が(r12)×Aである。さらに、図7Cに実線で示すように5ビット目及び6ビット目のパルスの振幅が(r12)2×Aである。すなわち、LDパルス信号φ58bの振幅の減衰率がより小さくなっているので、磁気ディスク50の記録温度は、図7Dに実線で示すように、記録温度がより小さい変化幅で変化する。すなわち、基準温度T→記録温度T12a→記録温度T12bへ2ビット周期(2T)で段階的により小さい変化幅で下がる。
そして、リード・ライト処理部302は、トレーニング用の書き込みデータφ54bに応じた情報を再生ヘッド5r経由で再生信号φ57として磁気ディスク50から読み出す。信号品質算出回路164は、リード・ライト処理部302から再生信号φ57を受ける。信号品質算出回路164は、再生信号φ57から信号成分とノイズ成分とをそれぞれ抽出し、信号成分をノイズ成分で除算することでSNRを算出する。信号品質算出回路164は、算出されたSNRをレベル設定器303bへ供給する。
レベル設定器303bは、選択された減衰率設定値毎に、信号品質算出回路164から供給されたSNRの値を保持しておく。これにより、レベル設定器303bは、図8に一点鎖線で示すような再生信号品質に関する情報を蓄積でき、複数の減衰率設定値のうち再生信号品質が許容範囲に収まるもの(例えば、SNRの値が最も高いもの)を減衰率rとして決定できる。図8に示す場合、複数の減衰率設定値r11,r12のSNRの値をそれぞれSNR11,SNR12とすると、
SNR11>SNR12
の関係にある。このため、複数の減衰率設定値r11,r12のうち減衰率設定値r11を減衰率rとして決定できる。
SNR11>SNR12
の関係にある。このため、複数の減衰率設定値r11,r12のうち減衰率設定値r11を減衰率rとして決定できる。
なお、記録再生信号品質として、SNR(Signal Noise Ratio)に代えて、ER(Error Rate)を利用することもできる。この場合、信号品質算出回路164は、RDC124内の誤り訂正回路(図示せず)から誤り訂正の結果を取得し、誤り訂正の結果に応じてERの値を算出してレベル設定器303bへ供給する。これにより、レベル設定器303bは、図8に実線で示すような再生信号品質に関する情報を蓄積でき、複数の振幅設定値のうち再生信号品質が許容範囲に収まるもの(例えば、ERの値が最も低いもの)を減衰率rとして決定できる。図8に示す場合、複数の減衰率設定値r11,r12のERの値をそれぞれER11,ER12とすると、
ER11<ER12
の関係にある。このため、複数の減衰率設定値r11,r12のうち減衰率設定値r11を減衰率rとして決定できる。
ER11<ER12
の関係にある。このため、複数の減衰率設定値r11,r12のうち減衰率設定値r11を減衰率rとして決定できる。
以上のように、第1の実施形態では、磁気ディスク装置100のプリアンプ123において、駆動部301が、高周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、LDパルス信号φ58におけるハイレベルを基準レベルLrefに維持する。駆動部301は、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、LDパルス信号φ58におけるハイレベルを基準レベルLrefから段階的に下げる。これにより、磁気ディスク50の低周波パターンの記録領域において各ビットの磁性粒子群における再反転を抑制できるので、磁気ディスク50に書き込まれるデータの信頼性を向上でき、再生信号品質を改善できる。
また、第1の実施形態では、磁気ディスク装置100のプリアンプ123において、駆動部301が、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、LDパルス信号φ58の振幅を所定の減衰率rで段階的に減衰させる。これにより、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、LDパルス信号φ58におけるハイレベルを基準レベルLrefから段階的に下げることができる。
また、第1の実施形態では、磁気ディスク装置100のプリアンプ123において、調整部303が、記録された書き込みデータの再生信号品質に応じて、LDパルス信号φ58におけるハイレベルを段階的に下げるためのパラメータを調整する。例えば、調整部303は、再生信号品質に応じて、LDパルス信号φ58の振幅を段階的に減衰させるための減衰率rを調整する。駆動部301は、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、調整部303で調整されたパラメータに従ってLDパルス信号φ58におけるハイレベルを基準レベルLrefから段階的に下げる。例えば、駆動部301は、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、LDパルス信号φ58の振幅を調整部303で調整された減衰率rで段階的に減衰させる。これにより、磁気ディスク50の記録特性の経年的な変化に対応して設定パラメータを調整することができるので、再生データの信頼性を容易に向上できる。
なお、熱アシスト磁気記録のための光源5aとして、レーザーダイオードを例示しているが、光源5aは、熱アシスト磁気記録に適した光を発生できれば、レーザーダイオード以外の発光素子であってもよい。
また、図5に示す基準レベルの調整及び図7に示す減衰率の調整に用いる再生信号品質として、SNR(Signal Noise Ratio)又はER(Error Rate)が例示されているが、再生信号の品質を表すものであれば他の指標を用いてもよい。例えば、再生信号品質として、VMM(Viterbi Metric Margin)、LLR(Log−Likelihood Ratio)、アシンメトリ(Asymmetry)などを用いてもよい。
また、図5に示す基準レベルの調整及び図7に示す減衰率の調整は、磁気ディスク50を複数のゾーンに分割した場合の各ゾーンごとに行われてもよい。複数のゾーンは、例えば、磁気ディスク50における中心から同心円状に分割して設けることができる。
また、駆動部301は、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、LDパルス信号φ58の振幅を所定の減衰率rで段階的に減衰させる代わりに、LDパルス信号φ58の振幅を所定の減衰量ΔAで段階的に減衰させてもよい。これによっても、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、LDパルス信号φ58におけるハイレベルを基準レベルLrefから段階的に下げることができる。
この場合、振幅の減衰量の調整方法は、図7に示す減衰率の調整方法と基本的に同様であるが、図9に示すように、以下の点で異なる調整が行われる。
レベル設定器303bは、記憶部125にアクセスし、減衰量ΔAの候補となる複数の減衰量設定値を設定パラメータ群125aから取得する。例えば、レベル設定器303bは、図9Cに示す減衰量設定値ΔA11,ΔA12を設定パラメータ群125aから取得する。レベル設定器303bは、複数の減衰量設定値ΔA11,ΔA12のうち1つの減衰量設定値を選択し、選択された減衰量設定値に従って基準パルスφ200の振幅を2ビット周期(2T)で段階的に減衰させて熱アシスト制御信号φ55cを生成する。レベル設定器303bは、生成された熱アシスト制御信号φ55cをLDドライバ301aへ供給する。LDドライバ301aは、熱アシスト制御信号φ55cに対応した駆動信号(LDパルス信号)φ58cで光源(LD)5aをパルス駆動する。
例えば、減衰量設定値ΔA11が選択された場合、LDパルス信号φ58cでは、ビットの極性が反転してから1ビット目及び2ビット目のパルスの振幅が基準振幅Aである。また、図9Cに太線で示すように3ビット目及び4ビット目のパルスの振幅がA−(ΔA11)である。さらに、図9Cに太線で示すように5ビット目及び6ビット目のパルスの振幅がA−2×(ΔA11)である。
また、減衰量設定値ΔA12が選択された場合、LDパルス信号φ58cでは、ビットの極性が反転してから1ビット目及び2ビット目のパルスの振幅が基準振幅Aである。また、図9Cに実線で示すように3ビット目及び4ビット目のパルスの振幅がA−(ΔA12)である。さらに、図9Cに実線で示すように5ビット目及び6ビット目のパルスの振幅がA−2×(ΔA12)である。
そして、レベル設定器303bは、選択された減衰量設定値毎に、信号品質算出回路164から供給されたSNRの値を保持しておく。これにより、レベル設定器303bは、複数の減衰量設定値のうち再生信号品質が許容範囲に収まるもの(例えば、SNRの値が最も高いもの)を減衰量ΔAとして決定できる。例えば、複数の減衰率設定値ΔA11,ΔA12のSNRの値をそれぞれSNR11,SNR12とすると、
SNR11>SNR12
の関係にある場合、複数の減衰率設定値ΔA11,ΔA12のうち減衰率設定値ΔA11を減衰量ΔAとして決定できる。
SNR11>SNR12
の関係にある場合、複数の減衰率設定値ΔA11,ΔA12のうち減衰率設定値ΔA11を減衰量ΔAとして決定できる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態にかかる磁気ディスク装置100について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第2の実施形態にかかる磁気ディスク装置100について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
第1の実施形態では、LDパルス信号φ58の振幅を段階的に減衰させることでハイレベルを段階的に下げているが、第2の実施形態では、LDパルス信号φ58の振幅の中心を段階的に下げることでハイレベルを段階的に下げる。
具体的には、プリアンプ123の調整部303において、図10Bに示す高周波パターンHFP−5であることを示す変調判別信号を受けた場合、レベル設定器303b(図3参照)は、図10Cに示すような熱アシスト制御信号φ55dを生成する。すなわち、レベル設定器303bは、熱アシスト制御信号φ55dの振幅の中心を中心設定値に従った基準中心位置CPrefに維持させて駆動部301に供給する。これにより、駆動部301のLDドライバ301aは、ハイレベルが基準レベルLrefに維持されるようにLDパルス信号φ58dを生成して光源(LD)5aに供給する。
図10Bに示す低周波パターンLFP−5であることを示す変調判別信号を受けた場合、レベル設定器303bは、図10Cに示すような熱アシスト制御信号φ55dを生成する。すなわち、レベル設定器303bは、熱アシスト制御信号φ55dの振幅の中心をオフセット設定値に従ったオフセット量OFaで基準中心位置CPrefから段階的に下げて駆動部301に供給する。これにより、駆動部301のLDドライバ301aは、ハイレベルを基準レベルLrefから段階的に下げるようにLDパルス信号φ58dを生成して光源(LD)5aに供給する。
なお、磁気ディスク50に低周波パターンを書き込むべき場合に段階的にハイレベルを下げる周期について、図10では、1ビット周期(1T)である場合について例示しているが、N(N≧2)ビット周期(N×T)であってもよい。例えば、段階的にハイレベルを下げる周期を2ビット周期(2T)とすることができる。この場合、レベル設定器303bは、磁気ディスク50に低周波パターンを書き込むべき際に、2ビット周期(2T)毎に、熱アシスト制御信号φ55dの振幅の中心を基準中心位置CPrefからオフセット量OFで段階的に下げる。すなわち、段階的にハイレベルを下げる周期を複数ビット周期とすることで、プリアンプ123内の回路(例えば、LDドライバ301a)のタイミングマージンを確保でき、プリアンプ123内の回路動作を安定化できる。
また、オフセット量の調整方法は、図7に示す減衰率の調整方法と基本的に同様であるが、図11に示すように、以下の点で異なる調整が行われる。
レベル設定器303bは、記憶部125にアクセスし、オフセット量OFの候補となる複数のオフセット量設定値を設定パラメータ群125aから取得する。例えば、レベル設定器303bは、図11Cに示すオフセット量OF21,OF22を設定パラメータ群125aから取得する。レベル設定器303bは、複数のオフセット量設定値OF21,OF22のうち1つのオフセット量設定値を選択し、選択されたオフセット量設定値に従って基準パルスφ200の振幅の中心を基準中心位置CPrefから2ビット周期(2T)で段階的に下げて熱アシスト制御信号φ55eを生成する。レベル設定器303bは、生成された熱アシスト制御信号φ55eをLDドライバ301aへ供給する。LDドライバ301aは、熱アシスト制御信号φ55eに対応した駆動信号(LDパルス信号)φ58eで光源(LD)5aをパルス駆動する。
例えば、オフセット量設定値OF21が選択された場合、LDパルス信号φ58eでは、ビットの極性が反転してから1ビット目及び2ビット目のパルスの振幅の中心が基準中心位置CPrefである。また、図11Cに太線で示すように、3ビット目及び4ビット目のパルスの振幅の中心がCPref−(OF21)である。さらに、図11Cに太線で示すように、5ビット目及び6ビット目のパルスの振幅の中心がCPref−2×(OF21)である。
また、オフセット量設定値OF22が選択された場合、LDパルス信号φ58eでは、ビットの極性が反転してから1ビット目及び2ビット目のパルスの振幅の中心が基準中心位置CPrefである。また、図11Cに実線で示すように、3ビット目及び4ビット目のパルスの振幅の中心がCPref−(OF22)である。さらに、図11Cに実線で示すように、5ビット目及び6ビット目のパルスの振幅の中心がCPref−2×(OF22)である。
そして、レベル設定器303bは、選択されたオフセット量設定値毎に、信号品質算出回路164から供給されたSNRの値を保持しておく。これにより、レベル設定器303bは、複数のオフセット量設定値のうち再生信号品質が許容範囲に収まるもの(例えば、SNRの値が最も高いもの)をオフセット量OFとして決定できる。例えば、複数のオフセット量設定値OF21,OF22のSNRの値をそれぞれSNR21,SNR22とすると、
SNR21>SNR22
の関係にある場合、複数のオフセット量設定値OF21,OF22のうちオフセット量設定値OF21をオフセット量OFとして決定できる。
SNR21>SNR22
の関係にある場合、複数のオフセット量設定値OF21,OF22のうちオフセット量設定値OF21をオフセット量OFとして決定できる。
以上のように、第2の実施形態では、磁気ディスク装置100のプリアンプ123において、駆動部301が、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、LDパルス信号φ58の振幅の中心を所定のオフセット量OFで段階的に下げる。これにより、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、LDパルス信号φ58におけるハイレベルを基準レベルLrefから段階的に下げることができる。
また、第2の実施形態では、磁気ディスク装置100のプリアンプ123において、調整部303が、再生信号品質に応じて、LDパルス信号φ58の振幅の中心を段階的に下げるためのオフセット量OFを調整する。駆動部301は、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、LDパルス信号φ58の振幅の中心を調整部303で調整されたオフセット量OFで段階的に下げる。これにより、磁気ディスク50の記録特性の経年的な変化に対応して設定パラメータを調整することができるので、再生データの信頼性を容易に向上できる。
(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態にかかる磁気ディスク装置100について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第3の実施形態にかかる磁気ディスク装置100について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
第1,2の実施形態では、駆動部301が光源5aをパルス駆動する場合を例示しているが、第3の実施形態では、駆動部301が光源5aを直流駆動する場合を例示する。
具体的には、プリアンプ123の調整部303において、図12Bに示す高周波パターンHFP−7であることを示す変調判別信号を受けた場合、レベル設定器303b(図3参照)は、図12Cに示すような熱アシスト制御信号φ55fを生成する。すなわち、レベル設定器303bは、熱アシスト制御信号φ55fを直流的な信号にするとともに熱アシスト制御信号φ55fの直流レベルを基準レベルLrefに維持させて駆動部301に供給する。これにより、駆動部301のLDドライバ301aは、直流レベルが基準レベルLrefに維持されるように駆動信号(直流信号)φ58fを生成して光源(LD)5aに供給する。
図12Bに示す低周波パターンLFP−7であることを示す変調判別信号を受けた場合、レベル設定器303bは、図12Cに示すような熱アシスト制御信号φ55fを生成する。すなわち、レベル設定器303bは、熱アシスト制御信号φ55を直流的な信号にするとともに熱アシスト制御信号φ55fの直流レベルを減衰率設定値に従った減衰率r(図4参照)で基準レベルLrefから段階的に下げて駆動部301に供給する。これにより、駆動部301のLDドライバ301aは、直流レベルを基準レベルLrefから段階的に下げるように駆動信号(直流信号)φ58fを生成して光源(LD)5aに供給する。
なお、直流レベルの減衰率の調整方法は、第1,2の実施形態における減衰率の調整方法と同様である。
以上のように、第3の実施形態では、磁気ディスク装置100のプリアンプ123において、駆動部301が、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、直流レベルを所定の減衰率rで段階的に下げる。これにより、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、光源5aの駆動信号(直流信号)φ58の直流レベルを基準レベルLrefから段階的に下げることができる。
また、第3の実施形態では、磁気ディスク装置100のプリアンプ123において、調整部303が、記録された書き込みデータの再生信号品質に応じて、直流レベルを段階的に下げるための減衰率rを調整する。駆動部301は、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、直流レベルを調整部303で調整された減衰率rで段階的に下げる。これにより、磁気ディスク50の記録特性の経年的な変化に対応して設定パラメータを調整することができるので、再生データの信頼性を容易に向上できる。
なお、駆動部301は、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、直流レベルを所定の減衰率rで段階的に下げる代わりに、直流レベルを所定の減衰量ΔAで段階的に下げてもよい。これによっても、低周波パターンを磁気ディスク50へ記録する際に、光源5aの駆動信号(直流信号)φ58における直流レベルを基準レベルLrefから段階的に下げることができる。この場合、直流レベルの減衰量の調整方法は、第1の実施形態の変形例における減衰量の調整方法と同様である。
(第4の実施形態)
次に、第4の実施形態にかかる磁気ディスク装置100について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第4の実施形態にかかる磁気ディスク装置100について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
第1の実施形態では、調整部303がプリアンプ123内に設けられる場合を例示しているが、第4の実施形態では、調整部303がRDC124内に設けられる場合を例示する。
具体的には、図13に示すように、プリアンプ123が調整部303を有さず、代わりに、RDC124が調整部303を有する。この場合、信号品質算出回路164を調整部303の近くに配置することができるので、信号品質算出回路164から調整部303への信号伝達を高速化できる。
また、調整部303がRDC124内に設けられる場合、プリアンプ123内に設けられる場合に比べて、クロック信号の高速化が容易であるため、例えば書き込みクロックより高速のクロックを用いてLDパルス信号をさらに高周波数化できる。これにより、光源5aの駆動信号(LDパルス信号)φ58のハイレベルを基準レベルLrefから段階的に下げる処理をさらに細かい時間単位で行うことができる。
さらに、信号品質算出回路164の算出結果をプリアンプ123へ伝送する必要がないので、RDC124とプリアンプ123との間の伝送線の本数を低減できる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
5a 光源、5c 近接場光素子、50 磁気ディスク、100 磁気ディスク装置、123 プリアンプ、301 駆動部、303 調整部。
Claims (6)
- 駆動信号に応じて発光する光源と、
前記光源からの光を受け、磁気ディスクに光を照射する光照射素子と、
書き込みデータの高周波パターンを前記磁気ディスクへ記録する際に、前記駆動信号における前記光源の発光に寄与するアクティブレベルを基準レベルに維持し、書き込みデータの低周波パターンを前記磁気ディスクへ記録する際に、前記駆動信号におけるアクティブレベルを前記基準レベルから段階的に下げる制御部と、
を備えた磁気ディスク装置。 - 前記制御部は、前記駆動信号をパルス駆動し、書き込みデータの低周波パターンを前記磁気ディスクへ記録する際に、前記駆動信号としてのパルス信号におけるハイレベルを前記基準レベルから段階的に下げる
請求項1に記載の磁気ディスク装置。 - 前記制御部は、前記駆動信号を直流駆動し、書き込みデータの低周波パターンを前記磁気ディスクへ記録する際に、前記駆動信号としての直流信号のレベルを前記基準レベルから段階的に下げる
請求項1に記載の磁気ディスク装置。 - 前記制御部は、前記磁気ディスクに書き込みデータを記録して再生させた際の再生信号品質に応じて、前記駆動信号におけるアクティブレベルを段階的に下げるためのパラメータを調整し、書き込みデータの低周波パターンを前記磁気ディスクへ記録する際に、前記調整されたパラメータに従って前記駆動信号におけるアクティブレベルを前記基準レベルから段階的に下げる
請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気ディスク装置。 - 駆動信号に応じて発光する光源と、前記光源からの光を受け磁気ディスクに光を照射する光照射素子とを有する磁気ディスク装置における前記駆動信号を制御するプリアンプであって、
書き込みデータの高周波パターンを前記磁気ディスクへ記録する際に、前記駆動信号における前記光源の発光に寄与するアクティブレベルを基準レベルに維持し、書き込みデータの低周波パターンを前記磁気ディスクへ記録する際に、前記駆動信号におけるアクティブレベルを前記基準レベルから段階的に下げる制御部と、
前記制御部で制御される駆動信号を前記光源に対して供給する駆動部と、
を備えたプリアンプ。 - 駆動信号に応じて発光する光源と、前記光源からの光を受け磁気ディスクに光を照射する光照射素子とを有する磁気ディスク装置における前記駆動信号を制御する制御方法であって、
書き込みデータの高周波パターンを前記磁気ディスクへ記録する際に、前記駆動信号における前記光源の発光に寄与するアクティブレベルを基準レベルに維持することと、
書き込みデータの低周波パターンを前記磁気ディスクへ記録する際に、前記駆動信号におけるアクティブレベルを前記基準レベルから段階的に下げることと、
を備えた制御方法。
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