JP2016031991A - セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】水分などの不純物の内部への入り込みによる特性劣化を防止することができるとともに、体積当たりの特性の低下を抑制することができる、セラミック電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】積層コイル１０は、セラミック素子１と、セラミック素子１の表面に設けられた外部電極６ａ，６ｂと、を備えている。セラミック素子１の空隙１ａおよびセラミック素子１と外部電極６ａ、６ｂの界面の空隙３ａ，３ｂには、樹脂組成物８が充填されている。樹脂組成物８は、セラミック素子１の表面をエッチングしてセラミック素子１の構成元素をイオン化する機能を有する樹脂含有溶液を、積層コイル１０に付与することによって形成されている。樹脂組成物８は、樹脂とセラミック素子１からイオン化されて析出したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、セラミック電子部品およびその製造方法に関し、特にセラミック素子とセラミック素子表面に設けられた電極とを備えた、例えば積層コイル、積層セラミックコンデンサ、サーミスタ、バリスタ、多層基板などのセラミック電子部品およびその製造方法に関する。

セラミック電子部品は、セラミック素子にクラック（空隙）が生じることがある。また、セラミック素子とその表面に設けられた電極のような異種材料の接合界面に隙間（空隙）が生じやすい。このようなセラミック素子の空隙やセラミック素子と電極の界面の空隙を介して、セラミック電子部品の内部に水分などの不純物が入り込み、特性劣化（絶縁劣化）を引き起こす場合がある。

そこで、この対策として、セラミック電子部品のセラミック素子表面を、特許文献１に示すように樹脂でコーティングする技術が提案されている。

セラミック電子部品のセラミック素子表面をコーティングすることによって、めっき処理時のめっき液や実装時のフラックスによるセラミック素子への化学的浸食の影響を軽減できる。そして、セラミック素子表面をコーティングすることによって、めっき処理時において、セラミック素子表面へのめっき成長が抑制され、電子部品の導電性不具合を低減できる。

さらに、セラミック素子表面をコーティングすることによって、電子部品の内部に水分、めっき液、フラックスなどが浸入することを防止でき、電子部品の信頼性の劣化、あるいは、内部電極へのめっき析出による電気特性劣化を防ぐことができる。

特表２００４−５００７１９号公報

しかしながら、特許文献１のように、セラミック電子部品のセラミック素子表面を樹脂でコーティングする場合は、セラミック素子の空隙以外のセラミック電子部品の表面に樹脂が付着することでセラミック電子部品のサイズが大きくなってしまう。これにより、セラミック電子部品の体積当たりの特性が低下してしまう。

なお、特許文献１の先行技術による樹脂コーティングでは、樹脂がセラミック素子に強固に付着しているため、バレル研磨により樹脂（膜）を剥離することができない。また、特許文献１の先行技術では、樹脂を除去する工程があるが、セラミック素子やセラミック素子と電極の界面の空隙に付着した樹脂のみを残してセラミック素子表面に付着した樹脂を選択的に除去することは困難である。

それゆえに、本発明の目的は、水分などの不純物の内部への入り込みによる特性劣化を防止することができるとともに、体積当たりの特性の低下を抑制することができる、セラミック電子部品およびその製造方法を提供することである。

本発明は、
セラミック素子と、セラミック素子表面に設けられた電極と、を備えたセラミック電子部品であって、
セラミック素子およびセラミック素子と電極の界面の空隙の少なくとも一部に、樹脂とセラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素とを含む樹脂組成物を充填したこと、を特徴とする、セラミック電子部品である。

セラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック素子から溶け出して析出された状態で、樹脂組成物に含まれている。そして、セラミック素子の構成元素は、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｉのうち少なくとも１種を含む。また、セラミック素子表面に設けられた電極には、めっき皮膜が形成されていてもよい。

本発明のセラミック電子部品は、樹脂の熱分解温度が２４０℃以上であることが好ましい。そして、樹脂は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、フッ素系樹脂のうち少なくとも１種を含むことが好ましい。これにより、セラミック電子部品は耐熱性が向上する。

また、本発明のセラミック電子部品は、樹脂組成物が加熱により架橋したものであることが好ましい。これにより、短時間で樹脂組成物を形成することができる。

また、本発明は、
セラミック素子と、セラミック素子表面に設けられた電極と、セラミック素子およびセラミック素子と電極の界面の空隙の少なくとも一部に充填された樹脂組成物と、を備えたセラミック電子部品の製造方法であって、
セラミック素子表面をエッチングしてセラミック素子の構成元素をイオン化する機能を有する樹脂含有溶液を、セラミック素子表面に付与する工程と、
樹脂とセラミック素子からイオン化されて析出したセラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素とを含む樹脂組成物を、セラミック素子およびセラミック素子と電極の界面の空隙の少なくとも一部に形成する工程とを有する、セラミック電子部品の製造方法である。

樹脂含有溶液をセラミック素子表面に付与する方法としては、浸漬や塗布などの方法があるが、好ましくは、セラミック素子を樹脂含有溶液中に入れた状態で、樹脂含有溶液およびセラミック素子の攪拌を行ったり、空隙への樹脂含有溶液の真空／加圧含浸を行ったりする。また、樹脂とは、カルボキシル基やアミノ基などの極性基を有する状態に調整されたものであり、有機物もしくは有機物と無機物の複合物として、水系の溶媒中に溶解可能もしくは分散可能なものを意味する。

本発明の樹脂含有溶液は、樹脂を水系の溶媒に分散したものであり、セラミックをエッチング（溶解）する成分と溶解したセラミックイオンと樹脂成分を反応させる成分を有する。
本発明では、樹脂含有溶液が、セラミック素子表面をエッチングして（溶解して）セラミック素子の構成元素をイオン化する。そして、樹脂含有溶液に溶解（分散）している樹脂成分が、イオン化したセラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素と反応することによって、樹脂成分の電荷が中和される。その結果、樹脂成分が、セラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素と共に沈降する。
具体的には、水系の溶媒に安定に分散しているアニオン性の樹脂成分がセラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素と反応することで、不安定化してセラミック素子表面に沈降する。

イオン化したセラミック素子の構成元素と樹脂含有溶液との反応は、セラミック素子表面において起こり易いため、反応物がセラミック素子表面に固定化されるものと思われる。これに対して、セラミック素子表面に形成された電極ではエッチング反応がほとんど起こらないため、イオン化したセラミック素子の構成元素が少なく、樹脂含有溶液との反応は起こらない。そのため、樹脂組成物はセラミック素子表面のみに選択的に析出する。
本発明において形成される樹脂組成物は、前駆体としてエマルジョンの凝集したゲル状態を経る。そのため、このゲル状態の段階において、セラミック素子表面のセラミック素子およびセラミック素子と電極の界面の空隙以外の部分に析出した反応物を、例えばバレル研磨などにより容易に除去することができる。したがって、本発明では、樹脂組成物を、セラミック素子およびセラミック素子と電極の界面の空隙に部分的に形成することができる。

本発明によれば、樹脂組成物がセラミック素子およびセラミック素子と電極の界面の空隙の少なくとも一部に形成される。そのため、水分などの不純物の内部への入り込みによる特性劣化を防止することができるセラミック電子部品を得ることができる。また、化学的作用により樹脂組成物が形成されるため、複雑な形状の空隙や電極を有しているセラミック電子部品にも適応できる。
さらに、本発明によるセラミック電子部品では、セラミック素子およびセラミック素子と電極の界面の空隙に部分的に樹脂組成物が形成されるので、セラミック電子部品のサイズがほとんど大きくならない。そのため、体積当たりの特性の低下を抑制することができるセラミック電子部品を得ることができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

本発明に係るセラミック電子部品の一実施の形態を示す断面図である。 本発明に係るセラミック電子部品の製造方法の実施の形態を示すフローチャートである。 外部電極の拡大断面図である。 別の外部電極の拡大断面図である。 さらに別の外部電極の拡大断面図である。 本発明に係るセラミック電子部品の別の実施の形態を示す断面図である。

本発明に係るセラミック電子部品およびその製造方法の一実施の形態を説明する。
本発明に係るセラミック電子部品について、積層コイルを例にして説明する。

図１は、本発明に係るセラミック電子部品である積層コイル１０を示す断面図である。積層コイル１０は、略直方体のセラミック素子１と、セラミック素子１の左右の端部に形成された外部電極６ａ，６ｂと、を備えている。

セラミック素子１は、厚み方向において、複数のセラミック層２と、複数の内部電極４ａ，４ｂ，４ｃと、を積み重ねた積層体である。

セラミック層２は、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトなどの磁性セラミック材料からなる。

内部電極４ａは、例えば平面的に見てＪ字状に形成され、その端部がセラミック素子１の左端面に引き出され、外部電極６ａに電気的に接続されている。内部電極４ｂは、例えば平面的に見てＪ字状に形成され、その端部がセラミック素子１の右端面に引き出され、外部電極６ｂに電気的に接続されている。複数の内部電極４ｃは、内部電極４ａ，４ｂ間において各セラミック層２間に例えば平面的に見てＣ字状に形成されている。また、内部電極４ａと、複数の内部電極４ｃと、内部電極４ｂとは、各セラミック層２を貫通する各スルーホール電極によってコイル状にかつ直列に接続されている。そして、外部電極６ａ，６ｂ間において、コイル機能が発揮される。内部電極４ａ，４ｂ，４ｃおよびスルーホール電極は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、または、これら金属の合金などからなる。

外部電極６ａ，６ｂは、それぞれ、その表面にめっき皮膜７ａ，７ｂが形成されている。めっき皮膜７ａ，７ｂは、外部電極６ａ，６ｂを保護し、かつ、外部電極６ａ，６ｂのはんだ付け性を良好にする。

この積層コイル１０では、例えば、セラミック素子１の表面に空隙１ａを有するとともに、セラミック素子１と外部電極６ａ，６ｂの界面に空隙３ａ，３ｂを有する。そのため、セラミック素子１の空隙１ａと、セラミック素子１と外部電極６ａ，６ｂの界面の空隙３ａ，３ｂとには、それぞれ、樹脂組成物８が充填されている。樹脂組成物８は、樹脂と、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と、を含んでいる。

樹脂組成物８に含まれているセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック素子１のセラミック層２の一部が溶け出して析出したものである。より具体的には、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック層２のＣｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトなどからそれぞれ溶け出して析出したＳｒ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏなどである。

樹脂組成物８に含まれている樹脂は、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、フッ素系樹脂などである。積層コイル１０は、通常、はんだによる実装工程を経るため、樹脂組成物８は高耐熱性（２４０℃以上）を有することが好ましい。従って、熱分解温度が２４０℃以上である樹脂が好ましい。ここで、耐熱性は、（ポリ塩化ビニリデン系樹脂、アクリル系樹脂）＜エポキシ系樹脂＜（ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂）の関係になる。

以上の構成からなる積層コイル１０は、樹脂組成物８が、樹脂と、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と、を含んでおり、積層コイル１０のセラミック素子１の空隙１ａおよびセラミック素子１と外部電極６ａ，６ｂの界面の空隙３ａ，３ｂに樹脂組成物８が形成される。そのため、水分などの不純物が積層コイル１０の内部へ入り込むことによる特性劣化を防止することができる。このようにして、信頼性の改善を図ることができる積層コイル１０を得ることができる。また、化学的作用により樹脂組成物８が形成されるため、複雑な形状の空隙や電極を有している積層コイル１０にも適応できる。

また、この積層コイル１０では、セラミック素子１の空隙１ａおよびセラミック素子１と外部電極６ａ，６ｂの界面の空隙３ａ，３ｂに部分的に樹脂組成物８が形成されるので、積層コイル１０のサイズがほとんど大きくならない。そのため、体積当たりの特性の低下を抑制することができる積層コイル１０を得ることができる。

次に、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法を、積層コイル１０を例にして説明する。図２は、積層コイル１０の製造方法を示すフローチャートである。

工程Ｓ１で、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトなどの磁性セラミック材料に、有機バインダ、分散剤および可塑剤などが添加されて、シート成形用スラリーが作製される。

次に、工程Ｓ２で、シート成形用スラリーは、ドクターブレード法によりシート状に成形され、矩形のセラミックグリーンシートとされる。

次に、工程Ｓ３で、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通するように、Ａｇを含有するスルーホール電極ペーストが周知の方法で塗布され、スルーホール電極となるべき電極ペースト柱が形成された後に、セラミックグリーンシート上に、Ａｇを含有する内部電極ペーストがスクリーン印刷法で塗布され、内部電極４ａ，４ｂ，４ｃとなるべき電極ペースト膜が形成される。

次に、工程Ｓ４で、電極ペースト膜や電極ペースト柱が形成されたセラミックグリーンシートは、電極ペースト膜および電極ペースト柱が所定の位置になるように複数枚積層され、圧着される。この積層セラミックグリーンシートは、個々のセラミック素子１となるべき寸法に切断され、複数の未焼成のセラミック素子１とされる。

次に、工程Ｓ５で、未焼成のセラミック素子１は、４００〜５００℃の温度で脱バインダ処理される。その後、未焼成のセラミック素子１は、９００〜１０００℃の温度で２時間焼成され、焼結したセラミック素子１とされる。セラミックグリーンシートと、電極ペースト膜および電極ペースト柱とは同時焼成され、セラミックグリーンシートはセラミック層２となり、電極ペースト膜は内部電極４ａ，４ｂ，４ｃとなり、電極ペースト柱はスルーホール電極となる。

そして、この後の工程では、［方法１］〜［方法３］の３種類の製造方法が示されている。

（ａ）［方法１］の場合
［方法１］の製造方法の場合は、工程Ｓ６で、焼結したセラミック素子１の両端部に、外部電極ペースト（ＡｇＰｄ合金ペースト）が塗布される。その後、焼結したセラミック素子１は、９００℃の温度で外部電極ペーストが焼き付けられ、内部電極４ａ，４ｂにそれぞれ電気的に接続された外部電極６ａ，６ｂが形成される。

次に、工程Ｓ７で、セラミック素子１には、樹脂含有溶液が浸漬法により付与され、もしくは、スピンコーティングにより塗布される。樹脂含有溶液がセラミック素子１の空隙１ａおよびセラミック素子１と外部電極６ａ，６ｂの界面の空隙３ａ，３ｂに入りやすくするために、セラミック素子１を樹脂含有溶液中に入れた状態で、樹脂含有溶液およびセラミック素子１の攪拌を行ったり、空隙１ａ，３ａ，３ｂへの樹脂含有溶液の真空／加圧含浸を行ったりすることが好ましい。

樹脂含有溶液は、セラミック素子１の表面をエッチングして、セラミック素子１の構成元素をイオン化する機能を有し、かつ、水系の溶媒に溶解もしくは分散した樹脂成分を含む。さらに、樹脂含有溶液は、樹脂成分を溶解もしくは分散するための中和剤および必要に応じて溶解したセラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素と反応させるための界面活性剤などを含む。

従って、樹脂含有溶液は、セラミック素子１の表面をエッチングして（溶解して）セラミック素子１の構成元素をイオン化する。樹脂含有溶液のエッチング（溶解）作用は、積層コイル１０の場合、イオン性の高い金属元素を含むため、エッチング促進成分を添加しなくても、樹脂含有溶液の構成成分だけで、エッチング（溶解）反応を起こすことができる。すなわち、樹脂含有溶液のｐＨが、イオン性の高い金属元素がイオンとして安定に存在するｐＨ領域（ｐＨ＜５、ｐＨ＞１１）に設定されることにより、エッチング（溶解）反応は進行する。

そして、樹脂含有溶液に溶解（分散）している樹脂成分が、イオン化したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と反応することによって、樹脂成分の電荷が中和される。その結果、樹脂成分が、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と共に沈降し、セラミック素子表面に析出する。従って、析出した樹脂成分には、溶解してイオン化したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素が取り込まれている。

形成される樹脂組成物８は、前駆体としてエマルジョンの凝集したゲル状態を経る。そのため、このゲル状態の段階において、セラミック素子表面のセラミック素子１の空隙１ａおよびセラミック素子１と外部電極６ａ，６ｂの界面の空隙３ａ，３ｂ以外の部分に析出した反応物を、例えばバレル研磨などにより容易に除去することができる。したがって、樹脂組成物８を、セラミック素子１の空隙１ａおよびセラミック素子１と外部電極６ａ，６ｂの界面の空隙３ａ，３ｂに部分的に形成することができる。なお、その後、セラミック素子１は、必要に応じて純水などの極性溶媒により洗浄されてもよい。

樹脂含有溶液に含まれる樹脂は、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、フッ素系樹脂などであるけれども、基本的には本処理によって析出する樹脂であればよく、その種類は問わない。

こうして、セラミック素子１からイオン化されて析出したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と樹脂とを含む樹脂組成物８が、セラミック素子１の空隙１ａおよびセラミック素子１と外部電極６ａ，６ｂの界面の空隙３ａ，３ｂとに形成される。その後、樹脂組成物８は加熱処理がされる。加熱処理は、析出した樹脂含有溶液の樹脂成分同士の架橋反応を促進するためであり、樹脂成分の種類によって加熱条件は異なる。一般的に、架橋反応は高温下で進行し易い。しかし、高温になり過ぎると、樹脂成分の分解反応が大きくなってしまう。従って、樹脂成分に合わせて、最適な温度と時間を設定する必要がある。

次に、工程Ｓ８で、めっき皮膜７ａ，７ｂが、電解または無電解めっき法により、外部電極６ａ，６ｂの上に形成される。めっき皮膜７ａ，７ｂは、例えば、下層のＮｉめっき膜と上層のＳｎめっき膜とで構成された２重構造を採用している。図３は、［方法１］の製造方法によって外部電極６ｂが形成されている部分の拡大断面図である。

（ｂ）［方法２］の場合
［方法２］の製造方法の場合は、工程Ｓ９で、セラミック素子１には、樹脂含有溶液が浸漬法により付与され、もしくは、スピンコーティングにより塗布され、好ましくは、攪拌を行ったり、真空／加圧含浸を行ったりして付与ないしは塗布される。樹脂含有溶液は、セラミック素子１の表面をエッチングして（溶解して）セラミック素子１の構成元素をイオン化する。そして、樹脂含有溶液に溶解（分散）している樹脂成分が、イオン化したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と反応することによって、樹脂成分の電荷が中和される。その結果、樹脂成分が、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と共に沈降し、セラミック素子１の略全表面に析出する。従って、析出した樹脂成分には、溶解してイオン化したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素が取り込まれている。なお、樹脂含有溶液が付与された後、セラミック素子１は、必要に応じて純水などの極性溶媒により洗浄されてもよい。

こうして、セラミック素子１からイオン化されて析出したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と樹脂とを含む樹脂組成物８が、セラミック素子１の空隙１ａに形成される。その後、樹脂組成物８は加熱処理がされる。

次に、工程Ｓ１０で、セラミック素子１の両端部に、外部電極ペーストが塗布される。その後、セラミック素子１は、樹脂組成物８が熱分解しない温度で、内部電極４ａ，４ｂにそれぞれ電気的に接続された外部電極６ａ，６ｂが形成される。

次に、工程Ｓ１１で、めっき皮膜７ａ，７ｂが、電解または無電解めっき法により、外部電極６ａ，６ｂの上に形成される。図４は、［方法２］の製造方法によって外部電極６ｂが形成されている部分の拡大断面図である。

（ｃ）［方法３］の場合
［方法３］の製造方法の場合は、工程Ｓ１２で、セラミック素子１の両端部に、外部電極ペーストが塗布される。その後、セラミック素子１は、９００℃の温度で外部電極ペーストが焼き付けられ、内部電極４ａ，４ｂにそれぞれ電気的に接続された外部電極６ａ，６ｂが形成される。

次に、工程Ｓ１３で、めっき皮膜７ａ，７ｂが、電解または無電解めっき法により、外部電極６ａ，６ｂの上に形成される。

次に、工程Ｓ１４で、セラミック素子１は、樹脂含有溶液が浸漬法により付与され、もしくは、スピンコーティングにより塗布され、好ましくは、攪拌を行ったり、真空／加圧含浸を行ったりして付与ないしは塗布される。樹脂含有溶液は、セラミック素子１の表面をエッチングして（溶解して）セラミック素子１の構成元素をイオン化する。そして、樹脂含有溶液に溶解（分散）している樹脂成分が、イオン化したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と反応することによって、樹脂成分の電荷が中和される。その結果、樹脂成分が、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と共に沈降し、セラミック素子表面に析出する。従って、析出した樹脂成分には、溶解してイオン化したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素が取り込まれている。なお、樹脂含有溶液が付与された後、セラミック素子１は、必要に応じて純水などの極性溶媒により洗浄されてもよい。

こうして、セラミック素子１からイオン化されて析出したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と樹脂とを含む樹脂組成物８が、セラミック素子１の空隙１ａおよびセラミック素子１と外部電極６ａ，６ｂの界面の空隙３ａ，３ｂに形成される。その後、樹脂組成物８は加熱処理がされる。図５は、［方法３］の製造方法によって外部電極６ｂが形成されている部分の拡大断面図である。

次に、本発明に係るセラミック電子部品について、積層コイル以外の例として、積層セラミックコンデンサを説明する。

図６は、本発明に係るセラミック電子部品である積層セラミックコンデンサ３０を示す断面図である。積層セラミックコンデンサ３０は、略直方体のセラミック素子２１と、セラミック素子２１の左右の端部に形成された外部電極２６ａ，２６ｂと、を備えている。

セラミック素子２１は、厚み方向において、複数のセラミック層２２と、セラミック層２２を介して互いに対向している複数対の内部電極２４ａ，２４ｂと、を積み重ねた積層体である。

セラミック層２２は、主成分のＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃−ＰｂＴｉＯ₃−Ｐｂ（Ｃｕ，Ｗ）−ＺｎＯ−ＭｎＯ₂に、還元防止剤のＬｉ₂Ｏ−ＢａＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂を混合したセラミック材料や、ＣａＺｒＯ₃−ＣａＴｉＯ₃を主成分とするセラミック材料などからなる。

内部電極２４ａは、例えば平面的に見て略矩形状に形成され、その端部がセラミック素子２１の左端面に引き出され、外部電極２６ａに電気的に接続されている。内部電極２４ｂは、例えば平面的に見て略矩形状に形成され、その端部がセラミック素子２１の右端面に引き出され、外部電極２６ｂに電気的に接続されている。そして、内部電極２４ａ，２４ｂの対向している部分にて、コンデンサ機能が発揮される。内部電極２４ａ，２４ｂは、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、または、これら金属の合金などからなる。

外部電極２６ａ，２６ｂは、それぞれ、その表面にめっき皮膜２７ａ，２７ｂが形成されている。めっき皮膜２７ａ，２７ｂは、外部電極２６ａ，２６ｂを保護し、かつ、外部電極２６ａ，２６ｂのはんだ付け性を良好にする。

この積層セラミックコンデンサ３０では、例えば、セラミック素子２１の表面側に空隙２１ａを有するとともに、セラミック素子２１と外部電極２６ａ，２６ｂの界面に空隙２３ａ，２３ｂを有する。そのため、セラミック素子２１の空隙２１ａと、セラミック素子２１と外部電極２６ａ，２６ｂの界面の空隙２３ａ，２３ｂとには、それぞれ、積層コイル１０の場合と同様に、樹脂組成物２８が充填されている。樹脂組成物２８は、樹脂と、セラミック素子２１の構成元素のうちカチオン性の元素と、を含んでいる。

樹脂組成物２８に含まれているセラミック素子２１の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック素子２１のセラミック層２２の一部が溶け出して析出したものである。より具体的には、セラミック素子２１の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック層のＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃−ＰｂＴｉＯ₃−Ｐｂ（Ｃｕ，Ｗ）−ＺｎＯ−ＭｎＯ₂、Ｌｉ₂Ｏ−ＢａＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂、ＣａＺｒＯ₃−ＣａＴｉＯ₃などからそれぞれ溶け出して析出したＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｚｒなどである。

１．実施例および比較例
実施例および比較例の各セラミック電子部品（積層コイル、積層セラミックコンデンサ）が作製され、特性評価が行われた。

２．実施例および比較例の作製
（ａ）実施例１〜実施例３
表１に示すように、前記実施の形態の［方法１］の製造方法によって、樹脂組成物８をセラミック素子１の空隙１ａおよびセラミック素子１と外部電極６ａ，６ｂの界面の空隙３ａ，３ｂに充填した積層コイル１０（図１参照）を作製した。

樹脂含有溶液としては、樹脂成分が水系の溶媒に分散した市販のラテックスに、エッチング促進成分と界面活性剤を添加したものが使用された。

実施例１の樹脂含有溶液は、樹脂成分としてのアクリル系樹脂（商品名：Ｎｉｐｏｌ ＬＸ８１４Ａ（日本ゼオン製））に、エッチング促進成分としての硫酸を添加して、ｐＨを３．０に調整したものを用いた。これに界面活性剤としてニューレックス（登録商標、日油製）を１ｖｏｌ％添加した。樹脂含有溶液は固形分濃度が１０ｗｔ％になるように調整した。

実施例２の樹脂含有溶液は、樹脂成分としてのシリコーン系樹脂（商品名：ＰＯＬＯＮ−ＭＦ−５６（信越化学工業製））に、エッチング促進成分としての硫酸を添加して、ｐＨを３．０に調整したものを用いた。これに界面活性剤としてニューレックス（登録商標、日油製）を１ｖｏｌ％添加した。樹脂含有溶液は固形分濃度が１０ｗｔ％になるように調整した。

実施例３の樹脂含有溶液は、樹脂成分としてのエポキシ系樹脂（商品名：モデピクス３０２（荒川化学工業製））に、エッチング促進成分としての硫酸を添加して、ｐＨを３．０に調整したものを用いた。これに界面活性剤としてニューレックス（登録商標、日油製）を１ｖｏｌ％添加した。樹脂含有溶液は固形分濃度が１０ｗｔ％になるように調整した。

（ｂ）実施例４
表２に示すように、前記実施の形態の［方法１］の製造方法によって、樹脂組成物２８をセラミック素子２１の空隙２１ａおよびセラミック素子２１と外部電極２６ａ，２６ｂの界面の空隙２３ａ，２３ｂに充填した積層セラミックコンデンサ３０（図６参照）が作製された。

実施例４の樹脂含有溶液は、樹脂成分としてのアクリル系樹脂（商品名：Ｎｉｐｏｌ ＬＸ８１４Ａ（日本ゼオン製））に、エッチング促進成分としての硫酸を添加して、ｐＨを３．０に調整したものを用いた。これに界面活性剤としてニューレックス（登録商標、日油製）を１ｖｏｌ％添加した。樹脂含有溶液は固形分濃度が１０ｗｔ％になるように調整した。

（ｃ）比較例１，２
表１および表２に示すように、図２に示す樹脂組成物形成処理を実施していない、積層コイル（比較例１）および積層セラミックコンデンサ（比較例２）が作製された。

３．実施例および比較例における特性評価および評価方法
作製された実施例１〜３および比較例１の積層コイルと実施例４および比較例２の積層セラミックコンデンサとに対して、以下の恒温恒湿試験による特性変化の評価が行なわれた。

（ａ）恒温恒湿試験によるインピーダンスの変化
実施例１〜３および比較例１の積層コイルについて、それぞれ、温度８５℃、湿度８５％において試料２０個を定格電流２Ａで１００時間の恒温恒湿試験によるインピーダンスの変化を調べた。この場合、特に、恒温恒湿試験前のインピーダンスを基準として恒温恒湿試験後のインピーダンスの変化率を調べた。また、インピーダンスの変化率は、試料２０個の平均値とした。

（ｂ）恒温恒湿試験による絶縁抵抗の変化
実施例４および比較例２の積層セラミックコンデンサについて、それぞれ、温度８５℃、湿度８５％に設定した恒温恒湿槽中に試料２０個を２０００時間放置した後の絶縁抵抗を測定した。そして、絶縁抵抗が１０⁷Ω（１０ＭΩ）以下のものをＮＧ（不良）と判定して、絶縁抵抗の不良発生率を調べた。なお、それらの積層セラミックコンデンサは、それぞれ、恒温恒湿試験前には、絶縁抵抗が１０⁷Ω（１０ＭΩ）を超えており、不良ではなかった。

４．実施例および比較例における特性評価結果
表１は実施例１〜３および比較例１の特性評価の結果を示す。
表２は実施例４および比較例２の特性評価の結果を示す。

表１の結果より、インピーダンスの変化は、未処理品（比較例１）ではマイグレーションの発生により−５０％であったのに対して、本実施例の構成（実施例１〜３）では０％であった。

また、表２の結果より、絶縁抵抗の不良発生率は、未処理品（比較例２）では１０％であったのに対して、本実施例の構成（実施例４）では０％であった。

なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。

この発明にかかるセラミック電子部品は、特に小型化や軽量化が求められる例えば携帯通信機器などの携帯用機器の部品などとして好適に用いられる。

１ セラミック素子
１ａ セラミック素子の空隙
２ セラミック層
３ａ，３ｂ セラミック素子と外部電極の界面の空隙
４ａ，４ｂ，４ｃ 内部電極
６ａ，６ｂ 外部電極
７ａ，７ｂ めっき皮膜
８ 樹脂組成物
１０ 積層コイル
２１ セラミック素子
２１ａ セラミック素子の空隙
２２ セラミック層
２３ａ，２３ｂ セラミック素子と外部電極の界面の空隙
２４ａ，２４ｂ 内部電極
２６ａ，２６ｂ 外部電極
２７ａ，２７ｂ めっき皮膜
２８ 樹脂組成物
３０ 積層セラミックコンデンサ

Claims (7)

1. セラミック素子と、前記セラミック素子表面に設けられた電極と、を備えたセラミック電子部品であって、
   前記セラミック素子および前記セラミック素子と前記電極の界面の空隙の少なくとも一部に、樹脂と前記セラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素とを含む樹脂組成物を充填したこと、を特徴とする、セラミック電子部品。
2. 前記セラミック素子の構成元素は、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｉのうち少なくとも１種を含むこと、を特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記樹脂の熱分解温度が２４０℃以上であること、を特徴とする、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
4. 前記樹脂が、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、フッ素系樹脂のうち少なくとも１種を含むこと、を特徴とする、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
5. 前記樹脂組成物が加熱により架橋したものであること、を特徴とする、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
6. 前記電極にめっき皮膜が形成されていること、を特徴とする、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
7. セラミック素子と、前記セラミック素子表面に設けられた電極と、前記セラミック素子および前記セラミック素子と前記電極の界面の空隙の少なくとも一部に充填された樹脂組成物と、を備えたセラミック電子部品の製造方法であって、
   前記セラミック素子表面をエッチングして前記セラミック素子の構成元素をイオン化する機能を有する樹脂含有溶液を、前記セラミック素子表面に付与する工程と、
   樹脂と前記セラミック素子からイオン化されて析出したセラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素とを含む樹脂組成物を、前記セラミック素子および前記セラミック素子と前記電極の界面の空隙の少なくとも一部に形成する工程とを有する、セラミック電子部品の製造方法。