JP2016021468A - インプリントモールドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製造されたインプリントモールドの微細凹凸パターンに欠損等を発生させることなく、当該インプリントモールドのパターン形成面に付着している異物を除去することのできるインプリントモールドの製造方法を提供する。
【解決手段】インプリントモールドの製造方法は、第１面及びそれに対向する第２面を有し、金属膜パターンが第１面側に設けられたインプリントモールド用基材にエッチング処理を施して、インプリントモールド用基材の第１面側に微細凹凸パターンを形成し、微細凹凸パターンが形成されたインプリントモールド用基材の第１面側に異物が存在しているか否かを検査し、インプリントモールド用基材の第１面側における異物を含む領域を活性エネルギー線硬化性樹脂に接触させ、活性エネルギー線硬化性樹脂を半硬化させ、半硬化した活性エネルギー線硬化性樹脂から、インプリントモールド用基材を離間させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、インプリントモールドを製造する方法に関する。

微細加工技術としてのナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸パターンが形成されてなる型部材（インプリントモールド）を用い、当該微細凹凸パターンをインプリント樹脂等の被加工物に転写することで微細凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である。特に、半導体デバイスにおける配線パターン等のさらなる微細化の進行等に伴い、半導体デバイスの製造プロセス等においてナノインプリント技術が益々注目されている。

このナノインプリント技術に用いられるインプリントモールドの微細凹凸パターンが形成されている面（パターン形成面）に異物が付着した状態で、インプリント樹脂等に当該インプリントモールドが押圧されると、当該異物に依存するパターン欠陥が発生してしまうという問題が生じる。

このような問題を解決すべく、従来、インプリントモールドのパターン形成面を、ダミー基板上の光硬化性樹脂に押し付け、当該光硬化性樹脂を硬化させた後にインプリントモールドを剥離し、パターン形成面に付着している異物を除去する方法（特許文献１参照）等が提案されている。

特許第５１２１５４９号公報

上記特許文献１に記載の方法においては、異物を除去するために用いられるダミー基板を準備し、当該ダミー基板上に塗布した光硬化性樹脂にインプリントモールドのパターン形成面を押し付けた状態で、当該光硬化性樹脂を完全に硬化させている。これにより、インプリントモールドのパターン形成面に付着している異物が、硬化した光硬化性樹脂に取り込まれるため、当該光硬化性樹脂からインプリントモールドを剥離することで、異物が除去され得る。

しかしながら、光硬化性樹脂を完全に硬化させることで、当該光硬化性樹脂からインプリントモールドを剥離する際に当該インプリントモールドにかかる応力が大きくなってしまう。その結果、インプリントモールドの剥離時に、微細凹凸パターンが欠損する等のおそれがある。

特に、上記特許文献１に記載の方法においては、インプリントモールドを押し付けた光硬化性樹脂に光を照射する時間を、通常のインプリント処理（インプリントモールドを用いて転写パターンを形成するための処理）における光照射時間よりも長くし、硬化後の光硬化性樹脂の機械的強度を高くしている。そのため、硬化した光硬化性樹脂からインプリントモールドを剥離する際にインプリントモールドにかかる応力がより大きくなると予想される。したがって、インプリントモールドのパターン形成面に付着している異物を除去することができたとしても、当該インプリントモールドの微細凹凸パターンの欠損等が発生する可能性が高まるという問題がある。

上記課題に鑑みて、本発明は、製造されたインプリントモールドの微細凹凸パターンの欠損等を発生させることなく、当該インプリントモールドのパターン形成面に付着している異物を除去することのできるインプリントモールドの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、インプリントモールドを製造する方法であって、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、金属膜パターンが前記第１面側に設けられてなるインプリントモールド用基材に、当該金属層をマスクとしたエッチング処理を施して、当該インプリントモールド用基材の前記第１面側に微細凹凸パターンを形成する工程と、前記微細凹凸パターンが形成された前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に異物が存在しているか否かを検査する工程と、前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に前記異物が存在している場合に、前記第１面側における前記異物を含む領域を活性エネルギー線硬化性樹脂に接触させる工程と、前記活性エネルギー線硬化性樹脂を半硬化させる工程と、前記半硬化した活性エネルギー線硬化性樹脂から、前記インプリントモールド用基材を離間させる工程とを含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する（発明１）。

上記発明（発明１）においては、活性エネルギー線硬化性樹脂を半硬化させることで、インプリントモールド用基材の第１面側に付着する異物を、半硬化した活性エネルギー線硬化性樹脂に取り込ませて除去することができる。また、当該活性エネルギー線硬化性樹脂が完全に硬化していないことで、インプリントモールド用基材を活性エネルギー線硬化性樹脂から離間させる際に当該基材にかかる応力を低減することができる。よって、上記発明（発明１）によれば、製造されたインプリントモールドの微細凹凸パターンの欠損等を発生させることなく、当該インプリントモールドにおける微細凹凸パターンが形成されている面に付着している異物を除去することができる。

上記発明（発明１）において、前記金属層が前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に設けられたままの状態で、前記第１面側における前記異物を含む領域を活性エネルギー線硬化性樹脂に接触させるのが好ましい（発明２）。

上記発明（発明１，２）において、前記金属層は、前記活性エネルギー線が透過しない又は透過困難な材料により構成されており、前記インプリントモールド用基材の前記異物が付着している領域を物理的に包含する領域と前記活性エネルギー線硬化性樹脂とを接触させた状態で、前記インプリントモールド用基材の前記第２面側から前記活性エネルギー線を照射するのが好ましい（発明３）。

上記発明（発明１〜３）において、前記インプリントモールド用基材として、透明基材を用いることができる（発明４）。

上記発明（発明１〜４）において、前記半硬化した活性エネルギー線硬化性樹脂から前記インプリントモールド用基材を離間させた後、当該インプリントモールド用基材の前記第１面側から前記異物が除去されたか否かを検査する工程をさらに含むのが好ましい（発明５）。

上記発明（発明５）において、前記インプリントモールド用基材の前記第１面側から前記異物が除去されたと判断された場合に、前記インプリントモールド用基材の前記第１面側から前記金属層を除去するのが好ましい（発明６）。

上記発明（発明１〜６）において、前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に前記微細凹凸パターンを形成した後、前記異物が存在しているか否かを検査する前に、前記インプリントモールド用基材を洗浄する工程をさらに含むのが好ましい（発明７）。

上記発明（発明１〜７）において、前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に前記微細凹凸パターンを形成した後、前記微細凹凸パターンが形成された前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に異物が存在しているか否かを、光学式検査装置を用いて検査するのが好ましい（発明８）。

本発明によれば、製造されたインプリントモールドの微細凹凸パターンの欠損等を発生させることなく、当該インプリントモールドのパターン形成面に付着している異物を除去することのできるインプリントモールドの製造方法を提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。 図２は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程であって、図１に示す工程フロー図の続きの工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。 図３は、本発明の一実施形態において、活性エネルギー線硬化性樹脂が塗布される工程の他の例を示す、切断端面図である。

本発明の実施の形態に係るインプリントモールドの製造方法につき、図面を参照しつつ説明する。図１及び図２は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断断面図にて示す工程フロー図である。

本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法においては、まず、第１面１０ａ及び第１面１０ａに対向する第２面１０ｂを有し、第１面１０ａに金属膜１１が設けられてなるインプリントモールド用基材１０を準備し、当該金属膜１１上に所定の開口部１２ａを有するレジストパターン１２を形成する（図１（Ａ）参照）。

インプリントモールド用基材１０としては、製造されるインプリントモールドの用途（光インプリント用、熱インプリント用等の用途）に応じて適宜選択され得るものであり、インプリントモールドを製造する際に一般的に用いられている基板（例えば、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板；ニッケル基板、チタン基板、アルミニウム基板等の金属基板；シリコン基板、窒化ガリウム基板等の半導体基板等）を用いることができる。特に、インプリントモールド用基材１０として石英ガラス基板等の透明基板を用いた場合に、本実施形態に係る製造方法が有用である。

インプリントモールド基材１０の厚さは、基板の強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。なお、本実施形態において「透明」とは、波長３００〜４５０ｎｍの光線の透過率が８５％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。

金属膜１１は、紫外線等の活性エネルギー線が透過不能又は透過困難な膜であって、例えば、クロム、チタン、タンタル、珪素、アルミニウム等の金属；窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル化合物、窒化チタン、窒化珪素、酸窒化珪素等を単独で、又は任意に選択した２種以上の組み合わせにより構成され得る。

金属膜１１の波長２４０〜４００ｎｍの光（活性エネルギー線）の透過率は、好ましくは４０〜８０％、特に好ましくは５０〜７０％である。本実施形態においては、金属膜１２がパターニングされた金属膜パターン１２ａをインプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に残存させたままの状態で、当該第１面１０ａを活性エネルギー線硬化性樹脂４０に接触させ、その後、活性エネルギー線硬化性樹脂４０に活性エネルギー線を照射することにより、当該活性エネルギー線硬化性樹脂４０を半硬化させる（図２（Ｂ）〜（Ｃ）参照）。そのため、金属膜１１の透過率（波長２４０〜４００ｎｍの光（活性エネルギー線）の透過率）が上記範囲内であることで、活性エネルギー線硬化性樹脂４０への活性エネルギー線の照射量や照射時間等の制御をすることなく、当該活性エネルギー線硬化性樹脂４０を容易に半硬化させることができる。

後述する工程（図１（Ｂ）参照）にて、金属膜１１がパターニングされることで、金属膜パターン１３が形成され、当該金属膜パターン１３が、インプリントモールド用基材１０をエッチングする際のマスクとして用いられる（図１（Ｃ）参照）。そのため、インプリントモールド用基材１０の種類に応じたエッチング選択比等を考慮して、金属膜１１の構成材料が選択され得る。例えば、インプリントモールド用基材１０が石英ガラス基板である場合、金属膜１１として金属クロム膜等が好適に選択され得る。

なお、金属膜１１の厚さは、インプリントモールド用基材１０の種類に応じたエッチング選択比、波長２４０〜４００ｎｍの光の透過率等を考慮して適宜設定される。例えば、インプリントモールド用基材１０が石英ガラス基板であって、金属膜１１が金属クロム膜である場合、金属膜１１の厚さは、２〜１５ｎｍ程度に設定され得る。

レジストパターン１２を構成するレジスト材料としては、特に限定されるものではなく、従来公知の活性エネルギー線感応型レジスト材料（例えば、電子線感応型レジスト材料、紫外線感応型レジスト材料等）等が用いられ得る。

レジストパターン１２の開口部１２ａの形状及び寸法は、本実施形態において製造されるインプリントモールド１（図２（Ｅ）参照）の微細凹凸パターン２の形状及び寸法に応じて、適宜設定され得る。

金属膜１１上にレジストパターン１２を形成する方法としては、特に限定されるものではない。例えば、電子線リソグラフィー法、フォトリソグラフィー法等により金属膜１１上にレジストパターン１２を形成する方法であってもよいし、レジストパターン１２に対応する微細凹凸パターンを有するインプリントモールドを用いたインプリントリソグラフィー法により金属膜１１上にレジストパターン１２を形成する方法であってもよい。

次に、レジストパターン１２をマスクとして用いて金属膜１１をエッチングすることで、当該レジストパターン１２に対応する金属膜パターン１３を形成する（図１（Ｂ）参照）。そして、このようにして形成された金属膜パターン１３をマスクとして用いてインプリントモールド用基材１０をエッチングすることで、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａに微細凹凸パターン２を形成する（図１（Ｃ）参照）。

このようにして微細凹凸パターン２が形成されたインプリントモールド用基材１０を洗浄した後、当該インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に異物が付着しているか否かを検査する。

異物の有無を検査する方法としては、例えば、光学式検査装置（レーザーテック社製，Ｍａｔｒｉｃｓ等）を用いて検査する方法が挙げられる。本実施形態においては、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に金属膜パターン１３が残存したままの状態で、異物の有無を検査する。上記光学式検査装置を用いてインプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側の異物の有無を検査する場合、インプリントモールド用基材１０が石英ガラス基板等の透明基材であって、かつ金属膜パターン１３が存在していないと、異物とインプリントモールド用基材１０とのコントラストが低下し、異物の検出が困難となるおそれがある。しかしながら、本実施形態においては、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に金属膜パターン１３が残存していることで、当該第１面１０ａ側に付着する異物のコントラストが向上し、第１面１０ａ側に付着する異物を容易に、かつより短時間で検出することができる。

なお、本実施形態において、インプリントモールドの製造時にインプリントモールド用基材１０の第１面１０ａに付着し得る異物としては、例えば、石英、レジスト、クロム、窒化シリコン、酸化シリコン等を含むものが挙げられる。

インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に異物２０が付着していることを検出した場合（図２（Ａ）参照）、第１面１０ａ側における当該異物が付着している位置（第１面１０ａにおける座標等）を特定するのが好ましい。後述するように、本実施形態においては、異物が付着している領域（平面視において異物を物理的に包含する領域）を、所定の基板３０上に塗布した活性エネルギー線硬化性樹脂４０に接触させる（図２（Ｂ）参照）。そのため、当該異物が付着している位置を特定しておくことで、後述する工程において、所定の基板３０上における活性エネルギー線硬化性樹脂４０の塗布位置を決定することができる。

上記検査の結果、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に異物２０が付着していないと判断された場合、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に設けられている金属膜パターン１３を除去した後、所望により、当該インプリントモールド用基材１０を洗浄する。これにより、インプリントモールド１が製造される（図２（Ｅ）参照）。

一方、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に異物２０が付着している場合（図２（Ａ）参照）、まず、所定の基板３０を準備し、当該基板３０上に活性エネルギー線硬化性樹脂４０を塗布する（図２（Ｂ）参照）。上記検査にてインプリントモールド用基材１０の第１面１０ａにおける異物２０の付着位置が特定されている場合、図３に示すように、当該異物２０の付着位置に対応する基板３０上の領域であって、平面視において異物２０を物理的に包含可能な領域にのみ活性エネルギー線硬化性樹脂４０を塗布してもよい。異物２０を除去するための活性エネルギー線硬化性樹脂４０が、さらなる異物してインプリントモールド用基材１０の第１面１０ａに付着してしまう可能性も否定できないが、図３に示すように、活性エネルギー線硬化性樹脂４０が接触する領域（インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側における領域）を最低限必要な領域とすることで、さらなる異物の付着を抑制する効果が奏され得る。なお、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａの全面に活性エネルギー線硬化性樹脂４０が接触するように、基板３０上に活性エネルギー線硬化性樹脂４０が塗布されていてもよい（図２（Ｂ）参照）。

次に、基板３０上に塗布された活性エネルギー線硬化性樹脂４０に、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ上における異物２０が付着している領域（平面視において異物を物理的に包含する領域）を接触させ、当該領域における微細凹凸パターン２に活性エネルギー線硬化性樹脂４０を充填させ、活性エネルギー線硬化性樹脂４０に活性エネルギー線を照射し、活性エネルギー線硬化性樹脂４０を半硬化させる（図２（Ｃ）参照）。

半硬化とは、異物２０が活性エネルギー線硬化性樹脂４０に取り込まれ得る程度であって、活性エネルギー線硬化性樹脂４０が全体として完全に硬化していない状態を意味する。例えば、活性エネルギー線硬化性樹脂４０の全体が半硬化である（完全に硬化していない）態様や、部分的に硬化の程度が異なる態様も、本実施形態における「半硬化」に概念として含まれる。

なお、「活性エネルギー線硬化性樹脂４０が半硬化状態である」とは、例えば、硬さ測定装置（Ｆｉｓｈｅｒ社製，ピコデンターＨＭ５００等）を用いて測定される、活性エネルギー線硬化性樹脂４０の硬度が、完全に硬化させた活性エネルギー線硬化性樹脂４０の硬度の５０〜８０％程度であると定義することができる。完全に硬化させた活性エネルギー線硬化性樹脂４０の硬度は、活性エネルギー線硬化性樹脂４０の種類によって異なるが、１００〜４００Ｎ／ｍｍ²程度である。

活性エネルギー線硬化性樹脂４０としては、通常のインプリント処理において用いられるもの等を用いることができ、例えば、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等を用いることができる。

活性エネルギー線硬化性樹脂４０に対する活性エネルギー線の照射時間は、通常のインプリント処理における照射時間と同等、又はそれよりも短い時間であるのが好ましい。また、活性エネルギー線の照射量は、通常のインプリント処理における照射量と同等、又はそれよりも少ない照射量であるのが好ましい。本実施形態においては、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に金属膜パターン１３が残存したままの状態で、インプリントモールド用基材１０の第２面１０ｂ側から活性エネルギー線が照射されるため、少なくとも金属膜パターン１３と基板３０との間に位置する部分４１には、活性エネルギー線硬化性樹脂４０が完全に硬化するほどの活性エネルギー線が照射されない。そのため、活性エネルギー線の照射時間や照射量を厳密に制御しなくても、本実施形態において所望とする半硬化状態を容易に作り出すことができる。

活性エネルギー線硬化性樹脂４０を半硬化させた後、インプリントモールド用基材１０を活性エネルギー線硬化性樹脂４０から離間させる（図２（Ｄ）参照）。上述したように、本実施形態においては、活性エネルギー線硬化性樹脂４０を半硬化状態とすることで、当該半硬化状態の活性エネルギー線硬化性樹脂４０を含む樹脂層に異物２０を取り込ませることができる。それとともに、インプリントモールド用基材１０に接触する活性エネルギー線硬化性樹脂４０が全体として完全に硬化していないことで、剥離時にインプリントモールド用基材１０にかかる応力が小さくなる。その結果、インプリントモールド用基材１０の微細凹凸パターン２に欠損等が生じ難くなる。

続いて、活性エネルギー線硬化性樹脂４０から離間させたインプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側から、異物２０が除去されたか否かを検査する。かかる検査は、上述した光学式検査装置等を用いて行われる。本実施形態においては、活性エネルギー線硬化性樹脂４０の硬化状態等によっては、異物２０が活性エネルギー線硬化性樹脂４０に取り込まれずに、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側から除去されないおそれがある。また、半硬化状態の活性エネルギー線硬化性樹脂４０がさらなる異物としてインプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に付着してしまうおそれもある。そこで、半硬化状態の活性エネルギー線硬化性樹脂４０から離間させたインプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に異物２０が付着しているか否かを検査し、異物２０が除去されずに残存している場合や、新たな異物が付着している場合には、図２（Ｂ）に示す工程以降の工程を繰り返し実施する。

一方、異物２０が除去された場合には、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に設けられている金属膜パターン１３を除去した後、所望により、当該インプリントモールド用基材１０を洗浄する。このようにして、インプリントモールド１が製造される（図２（Ｅ）参照）。

上述したように、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法においては、インプリントモールド用基材１０の第１面１０ａ側に付着する異物２０を、半硬化した活性エネルギー線硬化性樹脂４０に取り込ませて除去することができる。また、当該活性エネルギー線硬化性樹脂４０が完全に硬化していないことで、インプリントモールド用基材１０を活性エネルギー線硬化性樹脂４０から離間させる際に、当該インプリントモールド用基材１０にかかる応力を小さくすることができる。

よって、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法によれば、製造されたインプリントモールドの微細凹凸パターンの欠損等を発生させることなく、当該インプリントモールドにおける微細凹凸パターンが形成されている面に付着している異物を除去することができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

上記実施形態においては、金属膜パターン１３が設けられたままのインプリントモールド用基材１０を活性エネルギー線硬化性樹脂４０に接触させて、その状態で活性エネルギー線硬化性樹脂４０に活性エネルギー線が照射されることで、当該活性エネルギー線硬化性樹脂４０の半硬化状態を作り出しているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、活性エネルギー線硬化性樹脂４０に対する活性エネルギー線の照射時間の短縮（例えば、通常のインプリント処理時の照射時間の１／２程度）及び／又は活性エネルギー線の照射量の低減（例えば、通常のインプリント処理時の照射量の１／２程度）等により、活性エネルギー線硬化性樹脂４０を半硬化させてもよい。

本発明は、半導体デバイスの製造過程において半導体基板等に微細凹凸パターンを形成するためのナノインプリント工程にて用いられるインプリントモールドを製造する方法として有用である。

１…インプリントモールド
２…微細凹凸パターン
１０…インプリントモールド用基材
１０ａ…第１面
１０ｂ…第２面
１１…金属膜
１３…金属膜パターン
２０…異物

Claims (8)

1. インプリントモールドを製造する方法であって、
   第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、金属膜がパターニングされてなる金属膜パターンが前記第１面側に設けられてなるインプリントモールド用基材に、当該金属膜パターンをマスクとしたエッチング処理を施すことにより、前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に微細凹凸パターンを形成する工程と、
   前記微細凹凸パターンが形成された前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に異物が存在しているか否かを検査する工程と、
   前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に前記異物が存在している場合に、前記第１面側における前記異物を含む領域を活性エネルギー線硬化性樹脂に接触させる工程と、
   前記活性エネルギー線硬化性樹脂を半硬化させる工程と、
   前記半硬化した活性エネルギー線硬化性樹脂から、前記インプリントモールド用基材を離間させる工程と
   を含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
2. 前記金属膜パターンが前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に設けられたままの状態で、前記第１面側における前記異物を含む領域を活性エネルギー線硬化性樹脂に接触させることを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールドの製造方法。
3. 前記金属膜パターンは、前記活性エネルギー線が透過しない又は透過困難な材料により構成されており、
   前記インプリントモールド用基材の前記異物が付着している領域を物理的に包含する領域と前記活性エネルギー線硬化性樹脂とを接触させた状態で、前記インプリントモールド用基材の前記第２面側から前記活性エネルギー線を照射することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントモールドの製造方法。
4. 前記インプリントモールド用基材が、透明基材であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
5. 前記半硬化した活性エネルギー線硬化性樹脂から前記インプリントモールド用基材を離間させた後、前記インプリントモールド用基材の前記第１面側から前記異物が除去されたか否かを検査する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
6. 前記インプリントモールド用基材の前記第１面側から前記異物が除去されたと判断された場合に、前記インプリントモールド用基材の前記第１面側から前記金属膜パターンを除去することを特徴とする請求項５に記載のインプリントモールドの製造方法。
7. 前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に前記微細凹凸パターンを形成した後、前記異物が存在しているか否かを検査する前に、前記インプリントモールド用基材を洗浄する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
8. 前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に前記微細凹凸パターンを形成した後、前記微細凹凸パターンが形成された前記インプリントモールド用基材の前記第１面側に前記異物が存在しているか否かを、光学式検査装置を用いて検査することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。

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