JP2016018821A - Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and lead frame - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、リードフレームに関する。 The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method, a semiconductor device, and a lead frame.
従来の半導体装置には、例えば特許文献1のように、半導体素子と複数のリード端子(ピン端子)の長手方向の一端部とを電気接続し、これら半導体素子及び複数のリード端子の一端部を封止部(ケース)によって封止したものがある。この種の半導体装置では、封止部の外側に突出する複数のリード端子が一列に並べられている。 In a conventional semiconductor device, for example, as in Patent Document 1, a semiconductor element and one end portion of a plurality of lead terminals (pin terminals) in a longitudinal direction are electrically connected, and one end portion of the semiconductor element and the plurality of lead terminals is connected. Some are sealed by a sealing part (case). In this type of semiconductor device, a plurality of lead terminals protruding outside the sealing portion are arranged in a line.
特許文献1には、リード端子の長手方向の中間部分に屈曲部分を形成した半導体装置が開示されている。このような構成では、リード端子の他端部をはんだ等により配線基板等に接合して半導体装置を配線基板等に搭載した状態において、振動や熱による繰返し応力がリード端子と配線基板等との接合部分に作用しても、この応力をリード端子の屈曲部分において吸収できる。すなわち、リード端子と配線基板等との接合部分に作用する応力を緩和して、リード端子と配線基板等との接続状態を安定して維持できる。 Patent Document 1 discloses a semiconductor device in which a bent portion is formed at an intermediate portion in the longitudinal direction of a lead terminal. In such a configuration, in the state where the other end portion of the lead terminal is bonded to the wiring board or the like with solder or the like and the semiconductor device is mounted on the wiring board or the like, repeated stress due to vibration or heat is generated between the lead terminal and the wiring board or the like. Even if it acts on the joint portion, this stress can be absorbed in the bent portion of the lead terminal. That is, the stress acting on the joint portion between the lead terminal and the wiring board can be relaxed, and the connection state between the lead terminal and the wiring board can be stably maintained.
ところで、このような半導体装置を製造する場合には、複数のリード端子をフレーム部によって相互に連結したリードフレームを使用することが多い。
しかしながら、従来の半導体装置の製造方法では、半導体素子及び複数のリード端子の一端部を封止部によって封止した状態で、フレーム部を切り落として複数のリード端子を相互に分離した後に、複数のリード端子の中間部分に屈曲部分を形成する。このため、屈曲部分を形成した後の状態では、複数のリード端子の先端位置(リード端子の他端部の位置)が、リード端子の長手方向及び複数のリード端子の配列方向に直交する方向に互いにずれる虞がある。すなわち、複数のリード端子の先端位置にばらつきが生じる虞がある。リード端子の先端位置にばらつきが生じた場合、配線基板等に対する半導体装置のスルーホール実装が困難となる。
一方、フレーム部を切り落とさずにリード端子の中間部分に屈曲部分を形成しようとすると、リードフレームの他の部分に歪みが生じてしまう、という問題がある。
By the way, when manufacturing such a semiconductor device, a lead frame in which a plurality of lead terminals are connected to each other by a frame portion is often used.
However, in the conventional method for manufacturing a semiconductor device, a plurality of lead terminals are separated from each other by cutting off the frame portion in a state where one end portions of the semiconductor element and the plurality of lead terminals are sealed by the sealing portion. A bent portion is formed at an intermediate portion of the lead terminal. Therefore, in the state after forming the bent portion, the tip positions of the plurality of lead terminals (positions of the other end portions of the lead terminals) are in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the lead terminals and the arrangement direction of the plurality of lead terminals. There is a risk of misalignment. That is, there is a possibility that the tip positions of the plurality of lead terminals vary. When variations occur in the tip positions of the lead terminals, it becomes difficult to mount the semiconductor device on the wiring board or the like through holes.
On the other hand, if an attempt is made to form a bent portion in the middle portion of the lead terminal without cutting off the frame portion, there is a problem in that other portions of the lead frame are distorted.
本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、複数のリード端子に屈曲部分を形成しても複数のリード端子の先端位置にばらつきが生じることを防止でき、かつ、リード端子に屈曲部分を形成する際にリードフレームの他の部分に歪みが生じることも防止できる半導体装置の製造方法、該製造方法によって製造された半導体装置、及び、該半導体装置の製造に用いるリードフレームを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and even if bent portions are formed on a plurality of lead terminals, it is possible to prevent variations in tip positions of the plurality of lead terminals, and the bent portions on the lead terminals. To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can prevent distortion in other portions of the lead frame when forming the semiconductor device, a semiconductor device manufactured by the manufacturing method, and a lead frame used for manufacturing the semiconductor device With the goal.
この課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、短冊状に形成されると共に幅方向に配列される複数のリード端子と、該リード端子の長手方向の第一端部に電気接続される半導体チップと、複数の前記リード端子の第一端部及び前記半導体チップを封止する封止部と、を備える半導体装置の製造方法であって、導電性板材に、外枠部、該外枠部の内側に配列された複数の前記リード端子、前記外枠部の内側において複数の前記リード端子の長手方向の第二端部を連結する帯状の連結部、並びに、前記外枠部及び前記連結部を相互に接続する接続部を形成したリードフレームを用意する準備工程と、複数の前記リード端子の第一端部を前記半導体チップに電気接続する電気接続工程と、複数の前記リード端子の第一端部及び前記半導体チップを前記封止部に封止する封止工程と、該封止工程後に、前記接続部を切り落として前記連結部を前記外枠部から分離する第一切断工程と、該第一切断工程後に、複数の前記リード端子の長手方向の中途部にキンク加工を施して波型形状の屈曲部を形成するキンク加工工程と、該キンク加工工程後に、前記連結部を切り落として複数の前記リード端子を個々に分離する第二切断工程と、を備えることを特徴とする。 In order to solve this problem, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a plurality of lead terminals that are formed in a strip shape and arranged in the width direction, and electrical connection to a first end portion in the longitudinal direction of the lead terminals. A semiconductor device manufacturing method comprising: a semiconductor chip to be connected; a plurality of first end portions of the lead terminals; and a sealing portion that seals the semiconductor chip. A plurality of the lead terminals arranged inside the outer frame part, a band-like connecting part for connecting the second ends of the lead terminals in the longitudinal direction inside the outer frame part, and the outer frame part And a preparation step of preparing a lead frame in which connection portions for connecting the connecting portions to each other are prepared, an electrical connection step of electrically connecting first end portions of the plurality of lead terminals to the semiconductor chip, and a plurality of the leads A first end of the terminal and the terminal A sealing step of sealing the conductor chip to the sealing portion; a first cutting step of cutting off the connecting portion and separating the connecting portion from the outer frame portion after the sealing step; and the first cutting step A kink processing step of forming a corrugated bent portion by kinking the longitudinal middle portions of the plurality of lead terminals, and a plurality of the lead terminals by cutting off the connecting portions after the kink processing step And a second cutting step for separating the components individually.
また、本発明のリードフレームは、短冊状に形成されると共に幅方向に配列される複数のリード端子と、該リード端子の長手方向の第一端部に電気接続される半導体チップと、複数の前記リード端子の第一端部及び前記半導体チップを封止する封止部と、を備え、前記リード端子の長手方向の中途部に波型形状の屈曲部を形成した半導体装置の製造に用いるリードフレームであって、導電性板材に、外枠部と、該外枠部の内側に配列された複数の前記リード端子と、前記外枠部の内側において複数の前記リード端子の長手方向の第二端部を連結する帯状の連結部と、前記外枠部及び前記連結部を相互に接続する接続部と、が形成されていることを特徴とする。 Further, the lead frame of the present invention includes a plurality of lead terminals formed in a strip shape and arranged in the width direction, a semiconductor chip electrically connected to the first end portion in the longitudinal direction of the lead terminals, and a plurality of lead terminals A lead used for manufacturing a semiconductor device comprising a first end portion of the lead terminal and a sealing portion for sealing the semiconductor chip, wherein a corrugated bent portion is formed in a middle portion in the longitudinal direction of the lead terminal. A conductive plate, an outer frame portion, a plurality of the lead terminals arranged inside the outer frame portion, and a second in the longitudinal direction of the plurality of lead terminals inside the outer frame portion A band-shaped connecting portion that connects end portions and a connecting portion that connects the outer frame portion and the connecting portion to each other are formed.
本発明によれば、キンク加工工程を実施する際には、複数のリード端子の第二端部(封止部から突出する複数のリード端子の先端部)が連結部によって互いに連結されている。このため、キンク加工工程を実施しても、複数のリード端子の第二端部の位置(先端位置)にばらつきが生じることを防止できる。したがって、製造後の半導体装置を配線基板等に対して容易にスルーホール実装することが可能となる。
また、本発明によれば、第一切断工程において接続部を切り落として連結部を外枠部から分離する。このため、連結部によって連結された複数のリード端子の第二端部は、キンク加工工程において外枠部に拘束されることなく、封止部に対してリード端子の長手方向に自由に移動できる。したがって、キンク加工工程を実施しても、リードフレームの他の部分に歪みが生じることを防止できる。
According to the present invention, when the kink processing step is performed, the second end portions of the plurality of lead terminals (tip portions of the plurality of lead terminals protruding from the sealing portion) are connected to each other by the connecting portion. For this reason, even if it implements a kink process, it can prevent that dispersion | variation arises in the position (tip position) of the 2nd edge part of a some lead terminal. Therefore, the manufactured semiconductor device can be easily mounted on the wiring board or the like through hole.
Moreover, according to this invention, a connection part is cut off in a 1st cutting process, and a connection part is isolate | separated from an outer frame part. For this reason, the 2nd end part of the some lead terminal connected by the connection part can be freely moved to the longitudinal direction of a lead terminal with respect to a sealing part, without being restrained by an outer frame part in a kink processing process. . Therefore, even if the kink processing step is performed, it is possible to prevent distortion in other portions of the lead frame.
〔第一実施形態〕
以下、図1〜6を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図1に示すように、複数のリード端子11、半導体チップ2及び封止部3を備える半導体装置1を製造する方法である。はじめに、半導体装置1について説明する。
[First embodiment]
The first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
The method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment is a method for manufacturing a semiconductor device 1 including a plurality of
半導体装置1において、複数のリード端子11は短冊状に形成されると共にリード端子11の幅方向に配列されている。短冊状のリード端子11は、その幅寸法が厚さ寸法よりも大きな帯板状のものだけでなく、幅寸法と厚さ寸法が同等である棒状のものも含む。本実施形態のリード端子11には、信号用の電流等の小電流が流れる信号用リード端子11Aと、電源用の電流等の大電流が流れる電源用リード端子11Bとがある。これら信号用リード端子11A及び電源用リード端子11Bは、いずれも棒状に形成されている。
In the semiconductor device 1, the plurality of
半導体チップ2は、リード端子11の長手方向の第一端部に電気接続されている。半導体チップ2とリード端子11との電気接続は、例えば、不図示のワイヤー、導電性を有する接続板、配線パターンを有する基板(配線基板)等を用いて行われる。図1に例示する半導体装置1は、複数の半導体チップ2を備えるが、これに限ることはない。
The
封止部3は、複数のリード端子11の第一端部及び半導体チップ2を封止する。本実施形態における封止部3は、複数のリード端子11の第一端部及び半導体チップ2を埋設してこれらを一体に固定するモールド樹脂であるが、例えば、複数のリード端子11の第一端部及び半導体チップ2を収容するケースであってもよい。
The sealing
各リード端子11のうち上記した封止部3から突出する部分には、波型形状の屈曲部21が形成されている。屈曲部21は、リード端子11の長手方向及び複数のリード端子11の配列方向(リード端子11の幅方向)に直交する方向に屈曲している。屈曲部21は、複数のリード端子11の配列方向から見て、例えばS字状やL字状に形成されてもよいが、本実施形態ではU字状に形成されている。また、本実施形態では、屈曲部21に対してリード端子11の長手方向の両側に位置するリード端子11の部分が、リード端子11の長手方向及び配列方向に直交する方向にずれずに位置している。
リード端子11の幅方向に配列された複数のリード端子11の屈曲部21は、互いに同じ形状及び大きさに形成されている。また、複数のリード端子11の屈曲部21は、複数のリード端子11の配列方向に並んでいる。
A
The
さらに、本実施形態の半導体装置1は、複数のリード端子11をその幅方向に間隔をあけて配列したリード端子群5を二つ有する。二つのリード端子群5のリード端子11は、封止部3から互いに逆向きに突出している。このため、各リード端子11は、全てのリード端子11の延出方向先端部が同一方向に延びるように折り曲げられている。各リード端子11の折り曲げ部分22は、各リード端子11の長手方向において屈曲部21よりも封止部3の近くに位置する。
Furthermore, the semiconductor device 1 of the present embodiment has two
次に、上記した半導体装置1の製造方法について説明する。
半導体装置1を製造する際には、はじめに、図2に示すように、導電性板材に外枠部12、複数のリード端子11、連結部13及び接続部14を形成したリードフレーム10を用意する準備工程を実施する。リードフレーム10は、銅板等のように導電性を有する導電性板材に、プレス加工等を施すことで得られる。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 will be described.
When manufacturing the semiconductor device 1, first, as shown in FIG. 2, a
本実施形態の外枠部12は、平面視矩形環状に形成されている。また、外枠部12にはその厚さ方向に貫通する複数(図示例では六つ)の位置決め用孔15(パイロット孔)が形成されている。図示例では、一つの位置決め用孔15が平面視四角形に形成され、残りの位置決め用孔15が平面視円形状に形成されているが、これに限ることはない。
The
複数のリード端子11は、外枠部12の内側においてリード端子11の幅方向に配列されている。
本実施形態のリードフレーム10は、複数のリード端子11をその幅方向に間隔をあけて配列したリード端子群5を二つ有する。二つのリード端子群5は、互いのリード端子11の第一端部が対向するように、互いに間隔をあけて配されている。また、二つのリード端子群5は、リード端子11の長手方向の第一端部から第二端部に向かう方向が互いに逆向きとなるように配されている。以下の説明では、二つのリード端子群5の一方を第一リード端子群5Aと呼び、二つのリード端子群5の他方を第二リード端子群5Bと呼ぶ。
The plurality of
The
また、本実施形態のリードフレーム10では、複数のリード端子11の一部が信号用リード端子11Aであり、残りのリード端子11が電源用リード端子11Bである。信号用リード端子11A及び電源用リード端子11Bは、いずれも棒状に形成されている。
信号用リード端子11Aは、全て第一リード端子群5Aに含まれており、リード端子11の幅方向に間隔をあけて配列されている。
In the
The
電源用リード端子11Bは、第一リード端子群5A及び第二リード端子群5Bの両方に含まれている。電源用リード端子11Bは、二つ以上の所定数(図示例では三つ)で一つの電源用端子部16を構成している。各電源用端子部16において、複数の電源用リード端子11Bは、リード端子11の幅方向に間隔をあけて配されている。また、同一の電源用端子部16を構成する複数の電源用リード端子11Bの第一端部は、一体に形成されている。これにより、各電源用端子部16の第一端部は、電源用リード端子11Bよりも幅広の板状に形成されている。
The
第一リード端子群5Aは、上記した電源用端子部16を二つ有する。これら二つの電源用端子部16は、複数の信号用リード端子11Aの配列方向の両側に配されている。第一リード端子群5Aにおいて、複数の信号用リード端子11A及び電源用リード端子11Bは、リード端子11の幅方向に等間隔に配列されている。また、第一リード端子群5Aにおいて、複数の信号用リード端子11A及び電源用リード端子11Bの長手方向は互いに平行している。
第二リード端子群5Bは、上記した電源用端子部16を三つ備える。これら三つの電源用端子部16は、リード端子11の配列方向に間隔をあけて配されている。隣り合う電源用端子部16の間隔は、図示例のように同一の電源用端子部16における電源用リード端子11B同士の間隔よりも広く設定されてもよいが、例えば電源用リード端子11B同士の間隔と同等に設定されてもよい。
The first
The second
連結部13は、外枠部12の内側において複数のリード端子11の長手方向の第二端部を相互に連結する。
本実施形態では、複数の信号用リード端子11Aの第二端部が、一つの連結部13によって相互に連結されている。また、同一の電源用端子部16を構成する複数の電源用リード端子11Bの第二端部が、一つの連結部13によって相互に連結されている。各連結部13は、リード端子11の幅方向に延びる帯状に形成されている。
The connecting
In the present embodiment, the second end portions of the plurality of
接続部14は、外枠部12及び連結部13を相互に接続する。
本実施形態において、接続部14は、リード端子11の幅方向に延びる各連結部13の長手方向の両端に接続されている。すなわち、本実施形態の接続部14は、同一の連結部13に対して一対設けられる。
各接続部14は、リード端子11の第二端部から外枠部12の内縁まで、リード端子11の長手方向に延びている。各接続部14の幅寸法は、図示例のようにリード端子11と同等に設定されてもよいが、これに限ることはない。
The connecting
In the present embodiment, the connecting
Each
また、本実施形態のリードフレーム10には、リード保持部17が形成されている。
リード保持部17は、少なくとも後述する第一切断工程後の状態において複数のリード端子11を外枠部12に保持する。
本実施形態において、リード保持部17は、複数のリード端子11のうちこれらの配列方向の端部に配された一のリード端子11Cと、外枠部12とを連結するように形成されている。本実施形態における一のリード端子11Cは電源用リード端子11Bである。各リード保持部17は、一のリード端子11Cから外枠部12の内縁までリード端子11の配列方向に延びている。
In addition, a
The
In the present embodiment, the
また、各リード保持部17は、一のリード端子11Cのうち後述する屈曲部21(図5,6参照)の形成予定領域よりも一のリード端子11Cの第一端部側に近い位置に接続されている。さらに、各リード保持部17は、後述する封止工程において形成される封止部3(図3参照)によって封止されない位置に設けられている。また、各リード保持部17は、一のリード端子11Cのうちその第一端部と屈曲部21の形成予定領域との間の部分に接続されている。
Each
また、本実施形態のリードフレーム10には、タイバー部18が形成されている。
タイバー部18は、後述する封止部3によって封止されない範囲で、リード端子11の第二端部よりも第一端部側に近い位置において相互に隣り合うリード端子11を連結する。
タイバー部18は、前述した本実施形態のリード保持部17と同様に、複数のリード端子11の配列方向に延びている。タイバー部18は、図示例のようにリード保持部17に対してリード端子11の配列方向に並べられてもよいが、例えばリード端子11の長手方向にずれて位置してもよい。図示例のタイバー部18は、後述する屈曲部21の形成予定領域よりもリード端子11の第一端部側に近づけて位置している。
In addition, a
The
The
本実施形態において、タイバー部18は、相互に隣り合う信号用リード端子11Aの間、信号用リード端子11Aと電源用端子部16との間、及び、相互に隣り合う電源用端子部16の間に設けられている。同一の電源用端子部16を構成する複数の電源用リード端子11Bは、その第一端部が一体に形成されているため、これら複数の電源用リード端子11Bの間には上記したタイバー部18が設けられない。
In the present embodiment, the
上記では、一つの半導体装置1の製造に要するリードフレーム10について説明したが、リードフレーム10は複数の半導体装置1を製造するように構成されてもよい。この場合、リードフレーム10において複数の外枠部12を一体に形成すればよい。
The
上記したリードフレーム10を用意する準備工程の後には、図3に示すように、複数のリード端子11の第一端部を半導体チップ2に電気接続する電気接続工程、及び、複数のリード端子11の第一端部及び半導体チップ2を封止部3に封止する封止工程、を順番に実施する。
After the preparation step for preparing the
電気接続工程では、従来周知のワイヤー、接続板、配線基板の配線パターン、はんだ等を介してリード端子11と半導体チップ2とを電気接続すればよい。電気接続工程においては、例えば半導体チップ2を配線基板に搭載し、配線基板をリード端子11の第一端部に接合してもよい。また、例えば、前述した準備工程においてリードフレーム10に半導体チップ2を搭載するダイパッドを形成しておき、電気接続工程において半導体チップ2をダイパッド上に搭載してもよい。
In the electrical connection step, the
封止工程では、例えば複数のリード端子11の第一端部及び半導体チップ2を封止部3としてのケース内に収容してもよいが、本実施形態の封止工程では、複数のリード端子11の第一端部及び半導体チップ2を埋設するモールド樹脂を封止部3として形成する。本実施形態では、封止工程後の状態で、リードフレーム10のうちリード端子11の第一端部以外の部分が、封止部3の外側に位置する。
In the sealing step, for example, the first end portions of the plurality of
上記した封止工程後には、図3,4に示すように、リードフレーム10の接続部14を切り落として、連結部13を外枠部12から分離する第一切断工程を実施する。本実施形態では、第一切断工程においてタイバー部18も切り落とす。
第一切断工程後の状態では、複数のリード端子11がリード保持部17によって外枠部12に保持されている。本実施形態では、複数のリード端子11の配列方向の端部に配された一のリード端子11C(電源用リード端子11B)だけが、リード保持部17によって外枠部12に連結されている。一のリード端子11Cを除く複数のリード端子11は、連結部13や封止部3を介して一のリード端子11Cに連結されている。これにより、全てのリード端子11がリード保持部17によって外枠部12に保持されている。
After the above-described sealing step, as shown in FIGS. 3 and 4, a first cutting step is performed in which the connecting
In the state after the first cutting step, the plurality of
第一切断工程後には、図4,5に示すように、複数のリード端子11の長手方向の中途部にキンク加工を施して波型形状の屈曲部21を形成するキンク加工工程を実施する。図4において二点鎖線で囲まれた領域は、本実施形態における屈曲部21の形成予定領域PAである。
After the first cutting step, as shown in FIGS. 4 and 5, a kink processing step is performed in which corrugated
屈曲部21は、リード端子11の長手方向及び複数のリード端子11の配列方向(リード端子11の幅方向)に直交する方向に屈曲して形成される。屈曲部21は、複数のリード端子11の配列方向から見て、例えばS字状やL字状に形成されてもよいが、本実施形態ではU字状に形成されている。
また、本実施形態では、屈曲部21に対してリード端子11の長手方向の両側に位置するリード端子11の部分が、リード端子11の厚さ方向(導電性板材の厚さ方向)にずれずに位置する。
本実施形態のキンク加工工程では、幅方向に配列された複数のリード端子11の第二端部が連結部13によって連結されているため、幅方向に配列された複数のリード端子11に対して屈曲部21を一括して形成する。この際、連結部13によって複数のリード端子11の第二端部は、封止部13に対してリード端子11の長手方向に移動する、具体的には、封止部13に近づくように移動する。
The
Further, in the present embodiment, the portions of the
In the kink processing step of the present embodiment, since the second end portions of the plurality of
また、本実施形態のキンク加工工程では、図5に例示するキンク加工用の金型Mを用いてリード端子11に屈曲部21を形成する。キンク加工用の金型Mの下型BMには、リード端子11を載置する載置面BM1に凹部BM2が形成されている。下型BMの載置面BM1上に配される上型UMは、載置面BM1との間にリード端子11を挟み込むストリッパSと、リード端子11の一部を下型BMの凹部BM2内に押し込むパンチPと、を備える。
この金型Mを用いてリード端子11に屈曲部21を形成する際には、はじめに、リード端子11を下型BMの載置面BM1に配し、次いで、上型UMのストリッパSにより載置面BM1との間にリード端子11を挟み込む。最後に、上型UMのパンチPによりリード端子11の一部を下型BMの凹部BM2内に押し込むことで、U字状の屈曲部21がリード端子11に形成される。
Further, in the kink processing step of the present embodiment, the
When the
本実施形態では、図4に示すように、キンク加工工程の前の状態において、複数のリード端子11がリード保持部17によって外枠部12に保持されている。このため、キンク加工工程を実施する際には、外枠部12やその位置決め用孔15によって複数のリード端子11を上記した金型Mに対して位置決めすることができる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the plurality of
キンク加工工程後には、図4,6に示すように、連結部13を切り落として複数のリード端子11を個別に分離する第二切断工程を実施する。また、本実施形態の製造方法では、第二切断工程において、リード保持部17を切り落として、複数のリード端子11を外枠部12から分離する。
After the kink processing step, as shown in FIGS. 4 and 6, a second cutting step is performed in which the connecting
半導体装置1の製造は、上記した第二切断工程を実施することで完了してもよいが、本実施形態の製造方法では、第二切断工程後の状態において、二つのリード端子群5のリード端子11が、封止部3から互いに逆向きに延びている。このため、本実施形態の製造方法では、第二切断工程後に、図1に示すように、複数のリード端子11を折り曲げる折曲工程を実施する。折曲工程は、封止部3から延出する全てのリード端子11の延出方向先端部が、同一方向に延びるように実施される。折曲工程における各リード端子11の折り曲げ部分22は、屈曲部21よりも封止部3側に位置する。
The manufacturing of the semiconductor device 1 may be completed by performing the above-described second cutting process. However, in the manufacturing method of the present embodiment, the leads of the two lead
以上説明したように、本実施形態の半導体装置1の製造方法、及び、半導体装置1の製造に使用するリードフレーム10によれば、キンク加工工程を実施する際に、封止部3から突出する複数のリード端子11の第二端部が連結部13によって互いに連結されている(図4参照)。このため、キンク加工工程を実施しても、複数のリード端子11の第二端部の位置(先端位置)にばらつきが生じることを防止できる。特に、複数のリード端子11の先端位置が、リード端子11の長手方向及び複数のリード端子11の配列方向に直交する方向に互いにずれることを防止できる。したがって、製造後の半導体装置1を配線基板等に対して容易にスルーホール実装することが可能となる。
また、本実施形態では、第一切断工程において接続部14を切り落とし、連結部13を外枠部12から分離する。このため、連結部13によって連結された複数のリード端子11の第二端部は、キンク加工工程において外枠部12に拘束されることなく、封止部3に対してリード端子11の長手方向に自由に移動できる。したがって、キンク加工工程を実施しても、リードフレーム10の他の部分に歪みが生じることを防止できる。
As described above, according to the manufacturing method of the semiconductor device 1 of the present embodiment and the
In the present embodiment, the connecting
また、本実施形態によれば、第一切断工程後の状態において、複数のリード端子11がリード保持部17によって外枠部12に保持されている(図4参照)。このため、キンク加工工程を実施する際には、外枠部12やその位置決め用孔15により複数のリード端子11をキンク加工用の金型Mに対して位置決めすることができる。ここで、リードフレーム10において一列に並べられるリード端子11の数や太さ、リード端子11同士の間隔が異なっていても、外枠部12の形状や外枠部12における位置決め用孔15の位置を統一することができる。したがって、一列に並べられるリード端子11の数や太さ、リード端子11同士の間隔が異なる様々な種類のリードフレーム10であっても、キンク加工工程を実施する際には、複数のリード端子11を同一の金型Mに対して位置決めすることができる。すなわち、同一の金型Mを用いて、様々な種類のリードフレーム10のリード端子11に対してキンク加工工程を実施することが可能となる。
Further, according to the present embodiment, in the state after the first cutting step, the plurality of
さらに、本実施形態によれば、第一切断工程後(キンク加工工程前)の状態において、一列に配列されたリード端子11のうちこれらの配列方向の端部に配された一のリード端子11Cが、リード保持部17によって外枠部12に連結されている(図4参照)。また、リード保持部17が、一のリード端子11Cのうち屈曲部21の形成予定領域PAよりも一のリード端子11Cの第一端部側に近い位置に接続されている(図4参照)。このため、リード保持部17は、複数のリード端子11に対するキンク加工を阻害しない。すなわち、キンク加工工程において、複数のリード端子11に屈曲部21を適切に形成することができる。
Furthermore, according to this embodiment, in the state after the first cutting step (before the kink processing step), among the
さらに、本実施形態によれば、複数のリード端子11が、その長手方向に間隔をあけた位置において連結部13及びタイバー部18によって相互に連結されている(図2参照)。このように複数のリード端子11が連結された状態では、準備工程から封止工程に至るまでの間に、個々のリード端子11の第一端部が、外力によって第二端部に対して揺れ動いたり、変形したりすることを抑制できる。すなわち、複数のリード端子11を安定した状態に保持できる。
Furthermore, according to the present embodiment, the plurality of
また、本実施形態によれば、リードフレーム10の接続部14が、各連結部13の長手方向の両端に設けられている(図2,3参照)。このため、第一切断工程を実施するまでの間に、複数のリード端子11を外枠部12に対して安定に保持することができる。
Further, according to the present embodiment, the connecting
なお、上記第一実施形態のリードフレーム10においては、例えば、同一のリード端子群5を構成する全てのリード端子11の第二端部が、一つの連結部13によって相互に連結されてもよい。
In the
〔第二実施形態〕
次に、本発明の第二実施形態について、図7〜10を参照して第一実施形態との相違点を中心に説明する。なお、第一実施形態と共通する構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with a focus on differences from the first embodiment with reference to FIGS. In addition, about the structure which is common in 1st embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、第一実施形態と同様の準備工程、電気接続工程、封止工程、第一切断工程、キンク加工工程及び第二切断工程を順次実施すればよい。また、必要に応じて第二切断工程後に折曲工程を実施すればよい。ただし、本実施形態の製造方法は、前述した第一実施形態の製造方法と一部相違する。以下、本実施形態の製造方法について第一実施形態の製造方法との相違点を中心に説明する。 In the method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment, the same preparation process, electrical connection process, sealing process, first cutting process, kink processing process, and second cutting process as those in the first embodiment may be sequentially performed. Moreover, what is necessary is just to implement a bending process after a 2nd cutting process as needed. However, the manufacturing method of this embodiment is partly different from the manufacturing method of the first embodiment described above. Hereinafter, the manufacturing method of the present embodiment will be described focusing on differences from the manufacturing method of the first embodiment.
図7に示すように、本実施形態の準備工程において用意するリードフレーム30は、導電性板材に、第一実施形態と同様の外枠部12、複数のリード端子11、連結部13及び接続部14を形成して構成されている。また、本実施形態のリードフレーム30には、第一実施形態と同様に、複数のリード端子11を外枠部12に保持するリード保持部37、及び、後述する封止部3(図8参照)によって封止されない範囲でリード端子11の第二端部よりも第一端部側に近い位置において相互に隣り合うリード端子11を連結するタイバー部18が形成されている。
本実施形態の外枠部12及びタイバー部18は、第一実施形態と同様である。
As shown in FIG. 7, the
The
本実施形態のリードフレーム30は、第一実施形態と同様に、複数のリード端子11をその幅方向に間隔をあけて配列したリード端子群35を二つ有する。また、本実施形態では、一部のリード端子11が信号用リード端子11Aであり、残りのリード端子11が電源用リード端子11Bである。信号用リード端子11Aは第一実施形態と同様に棒状に形成されている。ただし、本実施形態の電源用リード端子11Bは、信号用リード端子11Aよりも幅広の板状(帯板状)に形成されている。
Similar to the first embodiment, the
電源用リード端子11Bは、一方のリード端子群35Aにおいて複数の信号用リード端子11Aの両側に一つずつ配されている。また、電源用リード端子11Bは、他方のリード端子群35Bにおいてリード端子11の配列方向に間隔をあけて複数(図示例では三つ)配されている。
また、本実施形態の電源用リード端子11Bの長手方向の寸法は、信号用リード端子11Aよりも短く設定されている。ここで、一方のリード端子群35Aにおいては、信号用リード端子11A及び電源用リード端子11Bの第一端部が、複数のリード端子11の配列方向に並んでいるため、電源用リード端子11Bの第二端部は信号用リード端子11Aの第二端部よりも第一端部側の近くに位置する。
One power
The longitudinal dimension of the power
本実施形態のリードフレーム30における連結部13は、複数の信号用リード端子11Aの長手方向の第二端部を相互に連結するだけである。これに伴い、本実施形態のリードフレーム30における接続部14は、上記した連結部13だけを外枠部12に接続する。
The connecting
本実施形態のリードフレーム30におけるリード保持部37には、各リード端子群35において複数のリード端子11のうちこれらの配列方向の端部に配された一のリード端子11Cと外枠部12とを連結する第一リード保持部37A、及び、各電源用リード端子11Bの長手方向の第二端部と外枠部12とを連結する第二リード保持部37Bがある。本実施形態における一のリード端子11Cは、第一実施形態と同様に電源用リード端子11Bである。
In the
第一リード保持部37Aは、第一実施形態のリード保持部17と同様であり、一のリード端子11Cのうちその第一端部側に近い位置に接続されている。これにより、一のリード端子11Cはその長手方向の端部が第一、第二リード保持部37A,37Bによって支持される。また、第一リード保持部37Aは、一のリード端子11Cをなす電源用リード端子11Bから外枠部12の内縁まで複数のリード端子11の配列方向に延びている。
一方、第二リード保持部37Bは、各電源用リード端子11Bの第二端部から外枠部12の内縁まで、リード端子11の長手方向に延びている。
上記した本実施形態のリード保持部37は、いずれも第一実施形態と同様に、封止工程において形成される封止部3(図8参照)によって封止されない位置に設けられる。
37 A of 1st lead holding parts are the same as that of the
On the other hand, the second
The
上記した準備工程の後には、図8に示すように、第一実施形態と同様の電気接続工程及び封止工程を順番に実施する。さらに、封止工程後には、第一実施形態と同様の第一切断工程を実施する。
本実施形態の第一切断工程においては、図8,9に示すように、第一実施形態と同様に、リードフレーム30の接続部14を切り落として、連結部13を外枠部12から分離する。また、タイバー部18も切り落とす。さらに、本実施形態の第一切断工程では、第一リード保持部37Aも切り落とす。
このため、本実施形態の第一切断工程後の状態では、複数のリード端子11が第二リード保持部37Bによって外枠部12に保持されている。すなわち、各電源用リード端子11Bが第二リード保持部37Bによって外枠部12に連結されている。複数の信号用リード端子11Aは、封止部3を介して電源用リード端子11Bに連結されている。これにより、全てのリード端子11が第二リード保持部37Bによって外枠部12に保持されている。
After the above-described preparation process, as shown in FIG. 8, the same electrical connection process and sealing process as in the first embodiment are performed in order. Furthermore, after the sealing step, the same first cutting step as that in the first embodiment is performed.
In the first cutting process of the present embodiment, as shown in FIGS. 8 and 9, the connecting
For this reason, in the state after the first cutting step of the present embodiment, the plurality of
上記した第一切断工程後には、第一実施形態と同様のキンク加工工程を実施する。
ただし、本実施形態のキンク加工工程では、複数の信号用リード端子11Aの長手方向の中途部にキンク加工を施して、第一実施形態と同様の屈曲部21(図5参照)を形成する。すなわち、本実施形態の製造方法では、電源用リード端子11Bに屈曲部21を形成しない。図9において二点鎖線で囲まれた領域は、屈曲部21の形成予定領域PAを示している。
After the first cutting step described above, the same kink processing step as that in the first embodiment is performed.
However, in the kink processing step of the present embodiment, kink processing is performed on the middle portions in the longitudinal direction of the plurality of
キンク加工工程後には、図9,10に示すように、連結部13を切り落として複数の信号用リード端子11Aを個別に分離する第二切断工程を実施する。また、本実施形態の第二切断工程では、第二リード保持部37Bを切り落として、複数のリード端子11(特に電源用リード端子11B)を外枠部12から分離する。
After the kink processing step, as shown in FIGS. 9 and 10, a second cutting step is performed in which the connecting
さらに、本実施形態の製造方法では、第一実施形態と同様に、上記した第二切断工程後に複数のリード端子11を折り曲げる折曲工程を実施して、半導体装置1の製造を完了する。
折曲工程では、第一実施形態と同様に、封止部3から延出する全てのリード端子11の延出方向先端部が同一方向に延びるように、全てのリード端子11を折り曲げる。
Furthermore, in the manufacturing method of the present embodiment, as in the first embodiment, the bending process of bending the plurality of
In the bending process, as in the first embodiment, all the
上記した製造方法によって製造される半導体装置を配線基板に搭載する場合には、例えば、信号用リード端子11Aを配線基板のスルーホールに挿通させればよい。電源用リード端子11Bは、例えば溶接等によって外部の回路(例えば配線基板に接続されたバスバー)に接続されればよい。
When the semiconductor device manufactured by the above manufacturing method is mounted on a wiring board, for example, the
本実施形態の半導体装置の製造方法、及び、半導体装置の製造に使用するリードフレーム30によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
すなわち、本実施形態でも、第一切断工程において接続部14を切り落とし、連結部13を外枠部12から分離する。このため、連結部13によって連結された複数の信号用リード端子11Aの第二端部は、キンク加工工程において外枠部12及びキンク加工を施さない電源用リード端子11Bに拘束されることなく、封止部3に対して信号用リード端子11Aの長手方向に自由に移動できる。したがって、キンク加工工程を実施しても、リードフレーム10の他の部分に歪みが生じることを防止できる。
また、キンク加工工程を実施する際には、複数の信号用リード端子11Aの第二端部が連結部13によって互いに連結されているため、複数の信号用リード端子11Aの第二端部の位置(先端位置)にばらつきが生じることを防止できる。
According to the semiconductor device manufacturing method of the present embodiment and the
That is, also in this embodiment, the
Further, when the kink processing step is performed, the second end portions of the plurality of
なお、上記第二実施形態では、第一リード保持部37Aが第一切断工程において切り落とされるが、例えば第二切断工程において切り落とされてもよい。この場合には、第一リード保持部37Aも、第二リード保持部37Bと同様に、キンク加工工程においてリード端子11を外枠部12に保持する役割を果たす。また、第一リード保持部37Aを第二切断工程において切り落とす場合、第二リード保持部は、例えば第一切断工程において切り落とされてもよい。
In the second embodiment, the first
以上、本発明の詳細について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。 Although the details of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
例えば、タイバー部18は、上記実施形態のように第一切断工程において切り落とされることに限らず、第二切断工程において切り落とされてもよい。この場合、タイバー部18が、リード端子11のうち屈曲部21の形成予定領域PAよりもリード端子11の第一端部側に近づけて位置していれば、タイバー部18はリード端子11に対するキンク加工を阻害しない。すなわち、キンク加工工程において、リード端子11に屈曲部21を適切に形成することができる。
For example, the
また、本発明の製造方法及びリードフレームは、リード端子11が封止部3から逆向きに突出する半導体装置に適用されることに限らず、例えば、全てのリード端子11が封止部3から同じ方向に突出する半導体装置にも適用可能である。
In addition, the manufacturing method and the lead frame of the present invention are not limited to being applied to a semiconductor device in which the
1 半導体装置
2 半導体チップ
3 封止部
10,30 リードフレーム
11 リード端子
11C 一のリード端子
12 外枠部
13 連結部
14 接続部
17,37 リード保持部
37A 第一リード保持部
37B 第二リード保持部
18 タイバー部
21 屈曲部
PA 形成予定領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (7)
導電性板材に、外枠部、該外枠部の内側に配列された複数の前記リード端子、前記外枠部の内側において複数の前記リード端子の長手方向の第二端部を連結する帯状の連結部、並びに、前記外枠部及び前記連結部を相互に接続する接続部を形成したリードフレームを用意する準備工程と、
複数の前記リード端子の第一端部を前記半導体チップに電気接続する電気接続工程と、
複数の前記リード端子の第一端部及び前記半導体チップを前記封止部に封止する封止工程と、
該封止工程後に、前記接続部を切り落として前記連結部を前記外枠部から分離する第一切断工程と、
該第一切断工程後に、複数の前記リード端子の長手方向の中途部にキンク加工を施して波型形状の屈曲部を形成するキンク加工工程と、
該キンク加工工程後に、前記連結部を切り落として複数の前記リード端子を個々に分離する第二切断工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A plurality of lead terminals formed in a strip shape and arranged in the width direction, a semiconductor chip electrically connected to a first end portion in the longitudinal direction of the lead terminals, a first end portion of the plurality of lead terminals, and A method for manufacturing a semiconductor device comprising: a sealing portion for sealing the semiconductor chip,
A conductive plate material, an outer frame part, a plurality of the lead terminals arranged inside the outer frame part, and a belt-like shape connecting the second ends in the longitudinal direction of the lead terminals inside the outer frame part A preparation step of preparing a lead frame formed with a connecting portion, and a connecting portion for connecting the outer frame portion and the connecting portion to each other;
An electrical connection step of electrically connecting first end portions of the plurality of lead terminals to the semiconductor chip;
A sealing step of sealing the first end portions of the plurality of lead terminals and the semiconductor chip in the sealing portion;
After the sealing step, a first cutting step of cutting off the connecting portion and separating the connecting portion from the outer frame portion;
After the first cutting step, a kink processing step of forming a corrugated bent portion by performing kink processing in a longitudinal direction of a plurality of the lead terminals;
After the kink processing step, a second cutting step of cutting off the connecting portion and separating the plurality of lead terminals individually;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記第二切断工程において、前記リード保持部を切り落として複数の前記リード端子を前記外枠部から分離することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 In the lead frame prepared in the preparation step, a lead holding portion that holds the plurality of lead terminals in the outer frame portion at least after the first cutting step is formed,
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein in the second cutting step, the lead holding portion is cut off to separate the plurality of lead terminals from the outer frame portion.
前記第一切断工程あるいは前記第二切断工程において、前記タイバー部を切り落とすことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 Tie bar portion for connecting the lead terminals adjacent to each other at a position closer to the first end portion side than the second end portion to the lead frame prepared in the preparation step within a range not sealed by the sealing portion Formed,
4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the tie bar portion is cut off in the first cutting step or the second cutting step. 5.
導電性板材に、外枠部と、該外枠部の内側に配列された複数の前記リード端子と、前記外枠部の内側において複数の前記リード端子の長手方向の第二端部を連結する帯状の連結部と、前記外枠部及び前記連結部を相互に接続する接続部と、が形成されていることを特徴とするリードフレーム。 A plurality of lead terminals formed in a strip shape and arranged in the width direction, a semiconductor chip electrically connected to a first end portion in the longitudinal direction of the lead terminals, a first end portion of the plurality of lead terminals, and A lead frame used for manufacturing a semiconductor device comprising a sealing portion that seals the semiconductor chip, and a corrugated bent portion formed in a middle portion in the longitudinal direction of the lead terminal,
An outer frame portion, a plurality of the lead terminals arranged inside the outer frame portion, and a second end portion in the longitudinal direction of the plurality of lead terminals inside the outer frame portion are connected to the conductive plate member. A lead frame comprising: a strip-shaped connecting portion; and a connecting portion that connects the outer frame portion and the connecting portion to each other.
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