JP2016009635A - 光熱変換層、ドナーシート - Google Patents

Abstract

【課題】可視光透過性を備えた光熱変換層を提供することを目的とする。【解決手段】タングステン化合物粒子と、バインダー成分とを含有する光熱変換層であって、前記タングステン化合物粒子は、タングステン酸化物粒子および／または複合タングステン酸化物粒子であり、前記タングステン化合物粒子の体積平均粒子径が３５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である光熱変換層を提供する。【選択図】図３

Description

本発明は、光熱変換層、ドナーシートに関する。

基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する方法として、メタルマスク法、レーザ転写法、インクジェット法等が検討されてきた。メタルマスク法は次世代大型ディスプレイデバイスなどの大面積化への対応が困難であり、インクジェット法は適用への技術的課題が多く残されていることから、大型ディスプレイ向けのプロセスとしてはレーザ転写法が主流となるとみられている。

レーザ転写法はいくつかの方法があるが、ドナーシートと呼ばれるフィルムを用いて成膜を行う方式が主流である。ドナーシートとしては例えば、フィルム基材に光熱変換（ＬＴＨＣ：Ｌｉｇｈｔ Ｔｏ Ｈｅａｔ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ）層と呼ばれる光を吸収する層と、被転写層として例えばエレクトロルミネッセンス特性を持つ有機化合物の層とを成膜したものが用いられている。レーザ転写法により、基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する方法について様々な提案がなされているが、基本的な動作原理は共通である。すなわち、光熱変換層の特定箇所にレーザ光が照射されることで、光熱変換層に光が吸収されて熱が発生し、熱の作用により被転写層として形成した有機エレクトロルミネッセンス素子を転写することができる。

ドナーシートの光熱変換層の光吸収材料としてはさまざまな材料が提案されている。例えば特許文献１では、赤外領域において光を吸収する染料、カーボンブラックのような有機及び無機吸収材料、金属類、金属酸化物または金属硫化物およびその他既知の顔料および吸収材が開示されている。特許文献２では染料、顔料、金属、金属化合物、金属フィルム等が開示されている。特許文献３では黒色アルミニウムが開示されている。特許文献４ではカーボンブラック、黒鉛や赤外線染料が開示されている。

特表２０００−５１５０８３号公報 特表２００２−５３４７８２号公報 特許第３５６２８３０号公報 特開２００４−２００１７０号公報

既述のようにレーザ転写法により、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する場合、ドナーシートの光熱変換層のうち所望の箇所にレーザ光を照射し、ドナーシートに含まれる有機エレクトロルミネッセンス素子を転写することにより行うことができる。しかし、ドナーシート中に例えば異物や塗布ムラ等の欠陥が含まれる場合、レーザ照射箇所の有機エレクトロルミネッセンス素子が正常に転写されず、ディスプレイデバイスとなった際に点灯がされないドットが生じる原因となる。このため、歩留まり向上のためにはレーザ転写の前に欠陥を含むドナーシートを目視あるいは可視光センサ等により検出することが必要となる。

しかしながら、光熱変換層に適用する光吸収材料として特許文献１〜４に開示された材料を用いた場合、光熱変換層の可視光の透過性が十分ではなかった。すなわち、特許文献１〜４に開示された光吸収材料を用いた場合、光熱変換層は光透過性を実質的に有しない非常に暗い黒色を示すこととなる。このため、係る光熱変換層をドナーシートに適用した場合、目視や可視光センサ等により欠陥を検出することは不可能であった。

このように従来は、欠陥のあるドナーシートであっても検査によって十分に検出できなかったため、有機エレクトロルミネッセンス素子の欠陥に繋がり、ディスプレイデバイスの歩留まり低下の大きな原因となっていた。

そこで上記従来技術が有する問題に鑑み、本発明の一側面では、可視光透過性を備えた光熱変換層を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、タングステン化合物粒子と、バインダー成分とを含有する光熱変換層であって、
前記タングステン化合物粒子は、タングステン酸化物粒子および／または複合タングステン酸化物粒子であり、
前記タングステン化合物粒子の体積平均粒子径が３５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である光熱変換層を提供する。

本発明の光熱変換層の一態様によれば、可視光透過性を備えた光熱変換層を提供することができる。

六方晶を有する複合タングステン酸化物の結晶構造の模式図。 ドナーシートの断面構成例の説明図。 実施例１〜３、比較例１、２で測定されたドナーシートの透過曲線。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
（光熱変換層）
本実施形態ではまず、光熱変換層の一構成例について説明する。

本実施形態の光熱変換層は、タングステン化合物粒子と、バインダー成分とを含有することができる。そして、タングステン化合物粒子は、タングステン酸化物粒子および／または複合タングステン酸化物粒子であり、タングステン化合物粒子の体積平均粒子径が３５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。

本実施形態の光熱変換層に含まれる成分について以下、説明する。

まず、タングステン化合物粒子について説明する。

タングステン化合物粒子は、光熱変換層にレーザ光を照射した場合に、係るレーザ光を吸収し、熱を発生する赤外線吸収性粒子として機能することができる。また、本実施形態の光熱変換層は可視光透過性を備えていることが好ましいため、タングステン化合物粒子も可視領域の光については透過性が高い材料であることが好ましい。

そこで、本実施形態の光熱変換層においては、タングステン化合物粒子としてタングステン酸化物粒子および／または複合タングステン酸化物粒子を用いることができる。本発明の発明者らの検討によると、タングステン酸化物粒子および／または複合タングステン酸化物粒子は、可視領域の光については透過性を示し、赤外領域、特に近赤外領域のレーザ光を吸収し熱を発生することができる。

そして、タングステン化合物粒子は微粒子であることが好ましく、具体的には例えばタングステン化合物粒子の体積平均粒子径が３５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、３５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、３５ｎｍ以上９０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

なお、体積平均粒子径とはレーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味しており、本明細書において他の部分でも体積平均粒子径は同じ意味を有している。

タングステン化合物粒子について、可視領域の光の透過性を高めるためにはレイリー散乱・ミー散乱による光の拡散を抑制することが好ましいと考えられており、そのためには粒子径を十分に小さくすることが好ましいとされていた。このため、例えば体積平均粒子径が３５ｎｍ未満のものが好ましいと考えられていた。

しかし本発明の発明者らが検討を行ったところ、タングステン化合物粒子の体積平均粒子径を３５ｎｍ以上５００ｎｍ以下とした場合でも光熱変換層は十分な可視光透過性を有することを見出した。さらに、体積平均粒子径が３５ｎｍ以上のタングステン化合物粒子を含む光熱変換層は、体積平均粒子径が３５ｎｍ未満のタングステン化合物粒子を同じ重量含む光熱変換層と比較して近赤外領域の光の吸収が特に強化されることを見出し、本発明を完成させた。

また、従来タングステン化合物粒子であるタングステン酸化物粒子や、複合タングステン酸化物粒子のような局在表面プラズモン共鳴に起因する吸収をもつ物質は、粒径を大きくすると赤外光の吸収が弱化されても、強化されることはないと考えられていた。ところが本発明の発明者らの検討によると、体積平均粒子径が３５ｎｍ以上のタングステン化合物粒子を含む光熱変換層は近赤外領域の光の吸収が特に強化されている。従来の常識に反する上記現象の原因は明確ではないが、本発明者らはタングステン化合物粒子の表面付近の劣化に起因するものと考えている。この点について以下に説明する。

タングステン化合物粒子の最表面は、酸素欠陥、ドープ元素の脱離や結晶構造の表面緩和の影響を受け、バルクのタングステン化合物粒子とは異なる不完全な結晶構造を、最表面から内側へ数原子〜十数原子分の領域にもつと考えられる。そしてタングステン化合物粒子の粒子径が大きくなるほど、タングステン化合物粒子中でこの近赤外領域の光の吸収にほとんど寄与しない最表面の不完全領域が占める割合は小さくなり、単位重量あたりの吸収が大きくなると考えられる。このため、タングステン化合物粒子の体積平均粒子径を３５ｎｍ以上とすることにより、その最表面の不完全領域の割合を小さくすることができ、近赤外領域の光の吸収を強化することができると考えられる。

一方で本発明の発明者らは、体積平均粒子径が５００ｎｍより大きいと、局在表面プラズモン共鳴が弱化され単位重量あたりの光吸収がかえって弱くなる場合があり、また光散乱が大きくなり、可視光の透過性を損なう恐れがあることを同時に知見した。このため、本実施形態の光熱変換層においては、上述のようにタングステン化合物粒子の体積平均粒子径は５００ｎｍ以下であることが好ましい。

上述のように体積平均粒子径が３５ｎｍ以上５００ｎｍ以下のタングステン化合物粒子は単位重量当たりの近赤外領域の光の吸収特性に優れる。このため、光熱変換層に近赤外領域の光について十分な吸収を示す量のタングステン化合物粒子を添加する場合でも光熱変換層の厚さを薄くできる。

また、係るタングステン化合物粒子を含む光熱変換層は可視領域に大きな透過性をもつ。このため、例えば係る光熱変換層をドナーシート等に適用した場合でも目視や可視光センサ等による欠陥の検出が非常に容易に可能となる。

上述のように、タングステン化合物粒子としては、タングステン酸化物粒子および／または複合タングステン酸化物粒子を好ましく用いることができ、タングステン化合物粒子としては１種類の材料に限定されるものではなく、複数の異なる材料を含むことができる。このためタングステン化合物粒子は、例えばタングステン酸化物粒子と、複合タングステン酸化物粒子とを同時に含んでいていも良い。また、タングステン化合物粒子は、タングステン酸化物粒子と、複合タングステン酸化物粒子とのいずれか一方のみを含んでいてもよい。ただし、複合タングステン酸化物粒子の方が、タングステン酸化物粒子よりも可視光の透過率と、近赤外の光の吸収に優れることが多いため、タングステン化合物粒子は、複合タングステン酸化物粒子を含んでいることが好ましい。

タングステン化合物粒子の具体的な組成等は限定されるものではない。ただし、タングステン化合物粒子は化学式がＷ_ｙＯ_ｚ（２．２≦ｚ/ｙ＜３．０）で示されるタングステン酸化物粒子と、化学式がＭ_ｘＷ_ｙＯ_ｚ（ただし、Ｍは、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、Ｉのうちから選択される１種類以上の元素、０．００１≦ｘ/ｙ≦０．８、２．２≦ｚ／ｙ≦３．０）で示される複合タングステン酸化物粒子とから選ばれる１種類以上であることがより好ましい。

化学式Ｗ_ｙＯ_ｚで示されるタングステン酸化物粒子について説明する。なお、化学式Ｗ_ｙＯ_ｚ中、Ｗはタングステン、Ｏは酸素を示している。

一般に、三酸化タングステン（ＷＯ_３）中には有効な自由電子が存在しないため近赤外領域の吸収反射特性が少なく、赤外線吸収性粒子としては十分な機能を発揮しない場合がある。しかし、本発明の発明者らの検討によると、三酸化タングステンのタングステンに対する酸素の比率を３より低減することによって、すなわち、上述の式においてｚ／ｙ＜３．０とすることによって、当該タングステン酸化物中に自由電子を生成することができる。このため、効率の良い赤外線吸収性粒子とすることができる。

また、ＷＯ_２の結晶相は可視領域の光について吸収や散乱を生じさせ、近赤外領域の光の吸収を低下させる恐れがある。そこで、上述のようにタングステン酸化物粒子について２．２≦ｚ／ｙとすることにより、ＷＯ_２の結晶相が生じることを抑制することが好ましい。また、ｚ／ｙを上記範囲とすることにより材料としての化学的安定性を得ることができ、有効な赤外線吸収性粒子として適用できるため好ましい。

このため、タングステン酸化物粒子Ｗ_ｙＯ_ｚにおいては、２．２≦ｚ/ｙ＜３．０の関係を満たすことが好ましい。

さらに、一般式Ｗ_ｙＯ_ｚとしたとき２．４５≦ｚ／ｙ＜３．０で表される組成比を有する、所謂「マグネリ相」は化学的に安定であり、近赤外領域の光の吸収特性も良いので、赤外線吸収性粒子として好ましい。このため、タングステン酸化物粒子（Ｗ_ｙＯ_ｚ）について、２．４５≦ｚ／ｙ＜３．０の関係を満たすことがより好ましい。

次に、化学式Ｍ_ｘＷ_ｙＯ_ｚで示される複合タングステン酸化物粒子について説明する。

タングステン化合物粒子としては、上述のタングステン酸化物にさらに元素Ｍを添加した複合タングステン酸化物（Ｍ_ｘＷ_ｙＯ_ｚ）を用いることもできる。タングステン酸化物に元素Ｍを添加して複合タングステン酸化物とした場合、当該複合タングステン酸化物中に自由電子が生成され、近赤外領域に自由電子由来のより強い吸収特性が発現する。このため、波長１０００ｎｍ付近の近赤外線を吸収する赤外線吸収性材料として特に有効となり好ましい。

複合タングステン酸化物粒子を示す化学式Ｍ_ｘＷ_ｙＯ_ｚ中、Ｗはタングステン、Ｏは酸素を示している。また、上記式中の元素Ｍとしては例えば、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、Ｉのうちから選択される１種類以上の元素であることが好ましい。

特に元素Ｍを添加された当該複合タングステン酸化物における、安定性の観点から、元素Ｍは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、Ｉのうちから選択される１種類以上の元素であることがより好ましい。

複合タングステン酸化物粒子の赤外線吸収性粒子としての光学特性、耐候性を向上させる観点からは、上述した元素Ｍとしてより好ましい元素のうち、アルカリ金属、アルカリ土類金属元素、遷移金属元素（希土類元素、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｏｓ）に属するものがさらに好ましい。

複合タングステン酸化物については、タングステン酸化物において説明した酸素量の制御と、自由電子を生成する元素Ｍの添加とを併用することで、より効率の良い赤外線吸収材料を得ることができる。酸素量の制御と、自由電子を生成する元素Ｍの添加とを併用した場合、複合タングステン酸化物を示す化学式Ｍ_ｘＷ_ｙＯ_ｚにおいて、０．００１≦ｘ／ｙ≦０．８、２．２≦ｚ／ｙ≦３．０の関係を満たすことが好ましい。

ここで、上述の複合タングステン酸化物の化学式中の元素Ｍの添加量を示すｘ／ｙの値について説明する。ｘ／ｙの値が０．００１以上の場合、十分な量の自由電子が生成され、目的とする赤外線吸収効果を得ることができるため好ましい。そして、元素Ｍの添加量が多いほど自由電子の供給量が増加し、赤外線吸収効率も上昇するが、ｘ／ｙの値が０．８程度で当該効果も飽和する。また、ｘ／ｙの値が０．８以下であれば、当該赤外線吸収材料中に不純物相が生成されるのを回避できるので好ましい。

次に、酸素量の制御を示すｚ／ｙの値について説明する。ｚ／ｙの値については、Ｍ_ｘＷ_ｙＯ_ｚで表記される赤外線吸収材料においても、上述したＷ_ｙＯ_ｚで表記される赤外線吸収材料と同様の機構が働くことに加え、ｚ／ｙ＝３．０においても上述した元素Ｍの添加量による自由電子の供給がある。このため、２．２≦ｚ／ｙ≦３．０が好ましい。

複合タングステン酸化物粒子に含まれる複合タングステン酸化物の結晶構造は特に限定されるものではなく、任意の結晶構造の複合タングステン酸化物を含有することができる。ただし、複合タングステン酸化物粒子に含まれる複合タングステン酸化物が六方晶の結晶構造を有する場合、当該粒子の可視領域の光の透過率、及び近赤外領域の光の吸収が特に向上するため好ましい。

係る六方晶の結晶構造の模式的な平面図を図１に示す。図１において、符号１１で示されるＷＯ_６単位により形成される８面体が、６個集合して六角形の空隙（トンネル）が構成されている。そして、当該空隙中に、符号１２で示される元素Ｍを配置して１箇の単位を構成し、この１箇の単位が多数集合して六方晶の結晶構造を構成する。

このように、複合タングステン酸化物粒子がＷＯ_６単位で形成される８面体が６個集合して六角形の空隙が構成され、該空隙中に元素Ｍを配置した単位構造を含む複合タングステン酸化物を含有する場合、可視領域の光の透過率及び近赤外領域の光の吸収を特に向上できる。なお、複合タングステン酸化物粒子全体が図１に示した構造を有する結晶質の複合タングステン酸化物粒子により構成されている必要はなく、例えば局所的に係る構造を有する場合でも可視領域の光の透過率及び近赤外領域の光の吸収を向上する効果を得ることができる。このため、複合タングステン酸化物粒子全体としては、結晶質であっても非晶質であってもよい。

そして、複合タングステン酸化物の元素Ｍとして、イオン半径の大きな元素Ｍを添加したときに上述の六方晶が形成され易い。具体的には元素Ｍとして例えばＣｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｆｅ、Ｓｎのうちの１種類以上を添加したとき六方晶が形成され易い。なお、六方晶が形成されるためには、これら以外の元素でもＷＯ_６ 単位で形成される六角形の空隙に元素Ｍが存在すれば良く、元素Ｍとして上記元素を添加した場合に限定される訳ではない。

複合タングステン酸化物粒子に含まれる複合タングステン酸化物の結晶構造を、均一な六方晶とする場合、元素Ｍの添加量は、ｘ／ｙの値で０．２０以上０．５０以下が好ましく、０．２５以上０．４０以下であることがさらに好ましい。ｚ／ｙについては既述のように、２．２≦ｚ／ｙ≦３．０とすることが好ましい。なお、ｚ／ｙ＝３．０の時、ｘ／ｙの値が０．３３となることで、元素Ｍが六角形の空隙の全てに配置されると考えられる。

また、複合タングステン酸化物粒子に含まれる複合タングステン酸化物は、上述の六方晶以外に、正方晶、立方晶のタングステンブロンズの構造をとることもでき、係る構造の複合タングステン酸化物も赤外線吸収材料として有効である。複合タングステン酸化物はその結晶構造によって、近赤外領域の吸収位置が変化する傾向がある。例えば、近赤外領域の吸収位置は、立方晶よりも正方晶のときの方が長波長側に移動し、さらに六方晶のときは正方晶のときよりも長波長側に移動する傾向がある。また、当該吸収位置の変動に付随して、可視領域の光の吸収は六方晶が最も少なく、次に正方晶であり、立方晶はこれらの中では可視領域の光の吸収が最も大きい。よって、可視領域の光の透過率が高く、近赤外領域の光の吸収率が高いことが求められる用途には、六方晶のタングステンブロンズを用いることが好ましい。ただし、ここで述べた光学特性の傾向は、あくまで大まかな傾向であり、添加した元素Ｍの種類や、添加量、酸素量によっても変化する。このため、本実施形態の光熱変換層に用いる赤外吸収性粒子の材料がこれに限定されるわけではない。

本実施形態の光熱変換層に用いることができる複合タングステン酸化物粒子に含まれる複合タングステン酸化物の結晶構造は上述のように限定されず、例えば、異なる結晶構造の複合タングステン酸化物を同時に含んでいてもよい。

ただし、上述のように六方晶の複合タングステン酸化物粒子は可視光の透過率と、近赤外の光の吸収を高めることができるため、本実施形態の光熱変換層に用いるタングステン化合物粒子として特に好ましく用いることができる。そして、元素Ｍとして例えばセシウムを用いた場合、複合タングステン酸化物の結晶構造が六方晶となり易いことから、複合タングステン酸化物粒子として、六方晶セシウム酸化タングステン粒子をより好ましく用いることができる。

また、既述のようにタングステン化合物粒子として複合タングステン酸化物粒子をより好ましく用いることができることから、タングステン化合物粒子として、六方晶セシウム酸化タングステン粒子を用いることが特に好ましい。

本発明の発明者らの検討によると、六方晶セシウム酸化タングステン粒子は波長１０００ｎｍ近傍の光についてモル吸光係数が非常に高い。さらに、可視領域の光の透過率が高く、赤外領域、特に近赤外領域の光の透過率が低いため、可視領域の光の透過率と、赤外領域の光の透過率とのコントラストが大きい。従って、光熱変換層に六方晶セシウム酸化タングステン粒子を近赤外領域の光を吸収するために十分な量を添加した場合でも、特に可視領域の光の透過率を高く維持することができ、タングステン化合物粒子として特に好適に用いることができる。

次にバインダー成分について説明する。

バインダー成分としては特に限定されるものではなく、任意のバインダー成分を用いることができる。ただし、本実施形態においては、可視光透過性を備えた光熱変換層を提供することを目的とすることから、固体状になった場合の可視光透過性に優れたバインダー成分を用いることが好ましい。また、光熱変換層に対してレーザ光を照射した場合に、光熱変換層に含まれる赤外線吸収性粒子として機能するタングステン化合物粒子に該レーザ光を照射できるよう、赤外領域、特に近赤外領域の光の透過性も優れたバインダー成分を用いることが好ましい。

バインダー成分としては具体的には例えば、ＵＶ硬化樹脂（紫外線硬化樹脂）、熱硬化樹脂、電子線硬化樹脂、常温硬化樹脂、熱可塑樹脂等が目的に応じて選定可能である。具体的には、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ふっ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独使用であっても混合使用であっても良い。また、バインダー成分として金属アルコキシドの利用も可能である。金属アルコキシドとしては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ等のアルコキシドが挙げられる。これら金属アルコキシドを用いたバインダーは、加熱等により加水分解・縮重合させることで、酸化物膜を形成することが可能である。

光熱変換層に含まれるタングステン化合物粒子と、バインダー成分との比率は特に限定されるものではなく、光熱変換層の厚さや、光熱変換層に要求されるレーザ光の吸収特性等に応じて任意に選択することができ、特に限定されるものではない。ただし、例えば各種用途において光熱変換層を使用する際、光熱変換層が膜の形態を保てるようにタングステン化合物粒子と、バインダー成分との比率を選択することが好ましい。

光熱変換層は、上述したタングステン化合物粒子、及びバインダー成分以外にもさらに任意の成分を添加することができる。例えば赤外線吸収性の粒子としてタングステン化合物粒子以外の成分を添加することもできる。ただし、可視光の透過性を高め、近赤外領域の光の吸収を十分に高めるため、赤外線吸収性粒子としては、タングステン化合物粒子のみを含むことが好ましい。

また、後述のように、光熱変換層を形成する際、光熱変換層の原料となるインクには例えば分散剤や、溶媒等を添加することができ、これらの成分が残留し、光熱変換層に含まれていても良い。

そして、本実施形態の光熱変換層は、ＪＩＳ Ｒ ３１０６に基づいて算出される可視光透過率が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、６３％以上であることがより好ましい。

光熱変換層の可視光透過率が５０％以上の場合、光熱変換層の透明性を十分に高めることができる。このため、例えばドナーシートのフィルム基材上に光熱変換層、被転写層を形成した場合に、フィルム基材、光熱変換層を介して被転写層等を視認することが可能になり好ましい。

また、本実施形態の光熱変換層は、波長１０００ｎｍの光の透過率が１０％以下であることが好ましく、９％以下であることがより好ましい。

これは、例えばドナーシートにおいて被転写層を転写する際には主に近赤外領域、特に波長１０００ｎｍ近傍の波長を有するレーザ光が用いられている。このため、光熱変換層は係る領域の光の吸収率が高いことが好ましい。すなわち、係る領域の光の透過率が低いことが好ましい。そして、波長１０００ｎｍ以下の光の透過率が１０％以下の場合、光熱変換層は波長１０００ｎｍ近傍の光を十分に吸収し、熱発生することができるため好ましい。

光熱変換層の厚さは特に限定されるものではなく、光熱変換層に添加したタングステン化合物粒子の赤外線の吸収特性、光熱変換層内のタングステン化合物粒子の充填密度、要求される可視光透過率、波長１０００ｎｍ以下の光の透過率の程度等に応じて任意に選択できる。

ただし、光熱変換層の厚さは例えば５μｍ以下とすることが好ましく、３μｍ以下とすることがより好ましい。これは光熱変換層の厚さが厚くなると、光熱変換層にレーザ光を照射した際に生じた熱が拡散しやすくなるためである。例えばドナーシートの光熱変換層として用いた場合、レーザ光を照射した点から面内方向に熱が拡散すると、レーザ光を照射していない部分についても被転写層が剥離し転写される恐れがあり、好ましくないためである。

光熱変換層の厚さの下限値は特に限定されるものではなく、タングステン化合物粒子の赤外線吸収特性等に応じて任意に選択することができる。このため、光熱変換層の厚さは０より大きければ良いが、５００ｎｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。これは光熱変換層の厚さが薄くなると、レーザ光を照射した際に生じる熱量を所定値以上とするためには、光熱変換層内に充填されるタングステン化合物粒子の充填密度を高める必要が生じ、膜の形状を維持することが困難になる恐れがあるためである。

次に光熱変換層の製造方法の一構成例について説明する。

上述の光熱変換層は、例えばタングステン化合物粒子、分散剤、溶媒、及びバインダー成分を含有するインクを基材上に塗布し、塗布したインクを乾燥させた後、乾燥させたインクを硬化させることにより形成することができる。

なお、タングステン化合物粒子、分散剤、溶媒、及びバインダー成分を含有するインクを塗布する基材としては、例えばフィルム基材を含有する基材であることが好ましい。このため、基材は、フィルム基材のみから構成することもできるが、フィルム基材上に任意の層を形成した基材、例えばフィルム基材のインクを塗布する側の面に中間層が形成された基材を用いることもできる。

従って、タングステン化合物粒子、分散剤、溶媒、及びバインダー成分を含有するインクを基材上に塗布するとは、上述のインクをフィルム基材上に直接塗布する場合に限定されるものではない。例えば、フィルム基材上に後述する中間層等を形成し、フィルム基材上に形成された該中間層上に係るインクを塗布する場合も包含する。このようにフィルム基材上に任意の層を配置した場合も、インクを塗布後、インクを乾燥、硬化させることにより光熱変換層を形成することができる。

光熱変換層の製造方法は例えば以下の工程を有することができる。

タングステン化合物粒子、分散剤、溶媒、及びバインダー成分を含有するインクを基材上に塗布する塗布工程。

基材上に塗布したインクを乾燥させる乾燥工程。

乾燥工程で乾燥させたインクを硬化させる硬化工程。

ここでまず、塗布工程について説明する。

塗布工程で用いるインクは上述のように、タングステン化合物粒子、分散剤、溶媒、バインダー成分を含有することができる。

タングステン化合物粒子、及びバインダー成分については既に説明したため説明を省略する。

分散剤は、インクにした際にタングステン化合物粒子を溶媒中で安定して分散するための添加剤であり、公知の各種分散剤を用いることができる。例えばアクリル系高分子分散剤等の高分子系分散剤やシラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等を好ましく用いることができる。

溶媒は、インクとした場合にタングステン化合物粒子を分散させるための溶媒であり、アルコール系、ケトン系、炭化水素系、グリコール系、水系など、種々のものを選択することが可能である。具体的には例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコールなどのアルコール系溶剤；アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロンなどのケトン系溶剤；３−メチル−メトキシ−プロピオネートなどのエステル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテートなどのグリコール誘導体；フォルムアミド、Ｎ−メチルフォルムアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのアミド類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；エチレンクロライド、クロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類などを挙げることができる。これらの中でも極性の低い有機溶剤が好ましく、特に、イソプロピルアルコール、エタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、ジメチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ｎ−ブチルなどがより好ましい。これらの溶媒は１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

分散剤、溶媒の添加量に関しても特に限定されるものではなく、分散剤についてはタングステン化合物粒子の添加量と、分散剤の分散性能等に応じて任意にその添加量を選択することができる。また、溶媒については、基材上にインクを塗布する際の作業性や、塗布後の乾燥工程に要する時間等を考慮して任意にその添加量を選択することができる。

また、インクには、上述のタングステン化合物粒子、分散剤、溶媒、バインダー成分以外にも必要に応じて任意の添加成分を添加することができる。例えばタングステン化合物粒子の分散性を高めるために、界面活性剤等のコーティング補助剤を添加しても良い。

インクを調製する方法は特に限定されるものではなく、上述のインクの原料となる材料を所望の比率となるように秤量、混合することで調製することができる。

例えば、タングステン化合物粒子と、分散剤と、溶媒とを予め粉砕・分散することにより分散液を調製した後、得られた分散液にバインダー成分を添加してインクとすることができる。タングステン化合物粒子と、分散剤と、溶媒とを粉砕・分散する方法は特に限定されるものではないが、例えば、ペイントシェーカーや、超音波照射、ビーズミル、サンドミル等を用いて実施することができる。

分散液におけるタングステン化合物粒子の体積平均粒子径は３５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、３５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、３５ｎｍ以上９０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

分散液とバインダー成分とを混合し、インクとする際には、両者が十分に混ざり合う程度に混合すればよい。このため、分散液の段階でタングステン化合物粒子の体積平均粒子径を、光熱変換層において好適な体積平均粒子径とすることが好ましいためである。

分散液と、バインダー成分とを混合する方法も特に限定されるものではなく、例えば、分散液を調製する際に用いた粉砕・分散手段と同じ手段を用いて分散液と、バインダー成分とを混合することもできる。ただし、上述のようにインクを調製する際には、分散液とバインダー成分とが十分に混ざり合う程度に混合すればよく、分散液を調製した際よりも混合時間は短くすることができる。

インクを基材上に塗布する方法は特に限定されるものではなく、例えばバーコート法、グラビヤコート法、スプレーコート法、ディップコート法等により塗布することができる。

なお、基材については既述のようにフィルム基材を含むことができる。フィルム基材としては特に限定されるものではなく、用途に応じて任意のフィルム基材を用いることができる。例えば後述のドナーシートの場合と同様のフィルム基材を用いることもできる。

乾燥工程においてインクを乾燥する方法は特に限定されるものではなく、例えば用いた溶媒の沸点に応じて加熱温度を選択し、乾燥することができる。

硬化工程において、乾燥工程で乾燥させたインクを硬化させる方法は特に限定されるものではなく、バインダー成分の樹脂等に応じた方法で硬化させることができる。例えば、バインダー成分が紫外線硬化樹脂の場合には紫外線を照射することにより硬化することができる。また、バインダー成分が熱硬化樹脂の場合には、硬化温度まで昇温することにより硬化することができる。

以上に説明した本実施形態の光熱変換層によれば、可視光透過性に優れた光熱変換層とすることができる。このため、本実施形態の光熱変換層をドナーシート等に適用した場合、目視や可視光センサ等により欠陥を非常に容易に検出できるようになる。

また、本実施形態の光熱変換層は、特に近赤外領域の光の吸収特性に優れた体積平均粒子径が３５ｎｍ以上５００ｎｍ以下のタングステン化合物粒子を含有している。このため、光熱変換層に近赤外領域の光について十分な吸収を示す量のタングステン化合物粒子を添加する場合でも光熱変換層の厚さを薄くできる。

本実施形態の光熱変換層は、レーザ光を吸収し、熱を発生させる光熱変換層が要求される各種用途に用いることができ、その用途は特に限定されるものではないが、例えばドナーシートの光熱変換層として好適に用いることができる。
（ドナーシート）
次に、本実施形態のドナーシートの一構成例について説明する。

本実施形態のドナーシートは、ここまで説明した光熱変換層と、フィルム基材と、被転写層とを有することができる。

図２にドナーシートの断面構成例を示す。図２に示したようにドナーシート２０は、例えばフィルム基材２１の一方の面２１Ａ上に、タングステン化合物粒子２２１を含む光熱変換層２２と、被転写層２３と、を積層した構造を有することができる。

ここで、図２に示したドナーシート２０の各層の構成例について説明する。

まず、フィルム基材２１について説明する。

フィルム基材２１は光熱変換層２２や、被転写層２３を支持する層である。そして、ドナーシート２０に対してレーザ光を照射する場合、例えば波長１０００ｎｍ近傍のレーザ光をフィルム基材２１の他方の面２１Ｂ側から照射することになる。このため、フィルム基材２１は係るレーザ光が光熱変換層２２まで透過できるように、赤外領域、特に近赤外領域の光の透過性に優れていることが好ましい。また、ドナーシート２０中の例えば異物や塗布ムラ等の欠陥を、目視や可視光センサ等により検出できるよう、フィルム基材２１は可視光の透過性についても優れていることが好ましい。

このため、フィルム基材２１としては、可視光、及び赤外領域、特に近赤外領域の光の透過性に優れた材料を好ましく用いることができる。具体的には例えば、ガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリル、ウレタン、ポリカーボネート、ポリエチレン、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル、ふっ素樹脂等から選択される１種以上の材料をフィルム基材２１として用いることができる。

フィルム基材２１の厚さは特に限定されるものではなく、フィルム基材２１に用いる材料の種類や、ドナーシートに要求される可視光や赤外光の透過性等に応じて任意に選択することができる。

フィルム基材２１の厚さは例えば、１μｍ以上２００μｍ以下とすることが好ましく、２μｍ以上５０μｍ以下とすることがより好ましい。これは、フィルム基材２１の厚さを２００μｍ以下とすることにより、可視光や赤外光の透過性を高めることができ、好ましいためである。また、フィルム基材２１の厚さを１μｍ以上とすることによりフィルム基材２１上に形成した光熱変換層２２等を支持し、ドナーシート２０が破損することを特に防止できるためである。

光熱変換層２２については既述のため説明を省略する。

被転写層２３は、ドナーシート２０にレーザ光を照射することによりドナーシート２０から剥離し、転写する層であり、その構成は特に限定されるものではなく、任意の層とすることができる。また、図２では被転写層２３が一層により構成された例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、例えば二層以上からなる被転写層２３を構成することもできる。

既述のようにドナーシート２０は例えば有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する際に用いることができる。このため、被転写層２３は、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、ブロッキング層、電子輸送層等から選択される一層以上を含むように構成することができる。

なお、被転写層２３の形成方法は特に限定されるものではなく、層を構成する材料の種類に応じて任意の方法により形成することができる。

また、ドナーシート２０は有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する場合だけでなく、電子回路、抵抗器、キャパシタ、ダイオード、整流器、メモリ素子、トランジスタ等の各種電子デバイスや、光導波路等の各種光デバイスなどを形成する場合にも用いることができる。このため、被転写層２３は用途に応じて任意の構成とすることができる。

ここまでドナーシートの一構成例について説明したが、ドナーシートの構成は係る形態に限定されるものではなく、さらに任意の層を付加することもできる。例えばフィルム基材２１と光熱変換層２２との間、および／または光熱変換層２２と被転写層２３との間、に中間層を設けることができる。中間層を設けることにより例えば、被転写層２３の転写部分の損傷および汚染を抑制することができる。あるいは中間層により、層と層の間の密着力を調整することができる。あるいはレーザ照射により光熱変換層の効果で被転写層が加熱された際に、被転写層２３が基材から良好に剥離し基板側へ転写されるように、濡れ性および密着力を調整するよう中間層を構成することもできる。

中間層の構成は特に限定されるものではなく、例えばポリマフィルム、金属層、無機層（例えば、シリカ、チタニア、ジルコニア等の無機酸化物層）、有機／無機複合層等により構成することができる。

ドナーシートの各層を積層する順番も図２の形態に限定されるものではない。例えばフィルム基材２１の一方の面２１Ａ上に被転写層２３を、他方の面２１Ｂ上に光熱変換層２２を配置することもできる。

以上に本実施形態のドナーシートの一構成例について説明したが、本実施形態のドナーシートは、上述した光熱変換層を有している。そして、係る光熱変換層は可視光の透過率が高いため、光熱変換層を通しても目視や可視光センサ等によりドナーシート内の欠陥を検出し、欠陥のあるドナーシートについては検査によって除去することができる。このため、ドナーシートを用いて有機エレクトロルミネッセンス素子等の電子デバイスや、光デバイス等を作製した場合の歩留まりを高めることが可能になる。

以下に具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
（光熱変換層の作製）
以下の手順により光熱変換層を作製した。

まず、赤外線吸収性粒子として機能するタングステン化合物粒子と、分散剤と、溶媒とを粉砕・分散して分散液を調製した。

この際、タングステン化合物粒子としては、複合タングステン酸化物粒子であるＣｓ_０．３３ＷＯ_３（六方晶セシウム酸化タングステン）を用い、分散液中の割合が２０重量％となるように秤量した。

分散剤としては、官能基としてアミンを含有する基を有するアクリル系高分子分散剤（アミン価４８ｍｇＫＯＨ／ｇ、分解温度２５０℃のアクリル系高分子分散剤）（以下、分散剤ａと略称する。）を用い、分散液中の割合が１０重量％となるように秤量した。

溶媒としては、メチルイソブチルケトンを用い、分散液中の割合が７０重量％となるように秤量した。

複合タングステン酸化物粒子と、分散剤と、溶媒とを０．３ｍｍφＺｒＯ_２ビーズを入れたペイントシェーカーに装填し、２．３時間粉砕・分散処理し、複合タングステン酸化物粒子分散液（以下、分散液Ａと略称する）を得た。

ここで、分散液Ａにおける複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径をレーザ回折／散乱式粒子分布測定装置（日機装株式会社製 ナノトラックＵＰＡ−ＵＴ）を用いて測定したところ５２ｎｍであることを確認できた。

次に、得られた分散液と、バインダー成分とを混合してインクを調製した。本実施例ではバインダー成分としてハードコート用紫外線硬化樹脂を用いた。

分散液Ａ１００重量部に対し、ハードコート用紫外線硬化樹脂であり、アクリル樹脂である東亜合成製アロニックスＵＶ−３７０１（以下、ＵＶ−３７０１と略称する）を５０重量部混合して複合タングステン酸化物粒子を含有するインクとした。

なお、インクにした後についても複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径を上述の方法と同様に測定したところ５２ｎｍであることを確認できた。この後の操作において、複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径には変化は生じないと考えられることから、後述する光熱変換層内の複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径も同様になっているものといえる。

次に、得られたインク（塗布液）を、フィルム基材である厚さが５０μｍのＰＥＴフィルム（帝人製ＨＰＥ−５０。他の実施例・比較例でも同じ）上に、バーＮｏ．が３のバーコーターを用いて塗布し塗布膜を形成した（塗布工程）。

塗布工程で形成した塗布膜を８０℃で６０秒間乾燥し溶媒を蒸発させた（乾燥工程）。

乾燥工程の後に、高圧水銀ランプを用いてバインダー成分を硬化させることで、複合タングステン酸化物粒子を含有した光熱変換層をフィルム基材上に作製した（硬化工程）。

フィルム基材の断面に対してＴＥＭ観察を行ったところ、光熱変換層の厚さは約２．０μｍであることを確認できた。

光熱変換層をフィルム基材上に形成したシートの光学特性を分光光度計（日立製作所（株）製 型式：Ｕ−４１００）を用いて測定した。

用いたフィルム基材のみについても同様にして光学特性を測定し、上述の測定値から差し引くことで光熱変換層の光学特性を算出した。

算出した光熱変換層の光学特性をもとに、ＪＩＳ Ｒ ３１０６：１９９８に基づいて可視光透過率を算出した。

また、算出した光熱変換層の光学特性をもとに、波長１０００ｎｍの光の透過率を算出した。

以上の手順により光熱変換層の可視光透過率と、波長１０００ｎｍの光の透過率を算出したところ、可視光透過率は６６％であることを確認できた。また、波長１０００ｎｍの光の透過率は８％であることを確認できた。結果を表１に示す。

なお、表１においては、「タングステン化合物粒子の体積平均粒子径」の欄に、光熱変換層中のタングステン化合物粒子、すなわち本実施例では複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径をあわせて示す。上述のようにインク中の複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径を、光熱変換層中の複合タングステン酸化物粒子（タングステン化合物粒子）の体積平均粒子径とすることができる。以下の実施例、比較例においても同様のことがいえる。

また測定結果から算出した光熱変換層の透過曲線を図３に示す。
（ドナーシートの作製）
また、作製した光熱変換層上にさらに被転写層を形成し、ドナーシートを形成した。ドナーシートは図２に示した構造となるように形成した。

具体的には、光熱変換層２２の上面に被転写層２３を形成した。被転写層２３としては、光熱変換層２２側から順に電子輸送層、有機発光層、正孔輸送層、及び正孔注入層を積層した。

被転写層２３に含まれる各層は以下のようにして成膜した。

電子輸送層は、Ａｌｑ３［ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（ＩＩＩ）］を蒸着法により成膜し、膜厚を２０ｎｍとした。

また、有機発光層は、電子輸送性のホスト材料であるＡＤＮ（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ ｄｉｎａｐｈｔｙｌ）に、青色発光性のゲスト材料である４，４‘≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％で混合した材料を蒸着法により成膜し、膜厚は約２５ｎｍとした。

正孔輸送層は、α−ＮＰＤ［４，４−ｂｉｓ（Ｎ−１−ｎａｐｈｔｈｙｌ−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ］を蒸着法により成膜し、膜厚を３０ｎｍとした。

正孔注入層は、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ］を蒸着法により成膜し、膜厚は１０ｎｍとした。

得られたドナーシートについてはフィルム基材側から被転写層２３を目視し、その状態の確認を行った。
［実施例２］
複合タングステン酸化物粒子分散液を調製する際の、ペイントシェーカーにより粉砕・分散時間を３．４時間とした以外は実施例１と同様にして、複合タングステン酸化物粒子分散液（以下、分散液Ｂと略称する）を得た。

ここで、分散液Ｂにおける複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径をレーザ回折／散乱式粒子分布測定装置を用いて測定したところ３９ｎｍであることを確認できた。
分散液Ａの代替として分散液Ｂを用いた以外は実施例１と同様にして、光熱変換層をフィルム基材上に作製し、評価を行った。

なお、分散液Ｂにバインダー成分を混合してインクを調製した後の複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径を実施例１と同様にして測定したところ３９ｎｍであることを確認できた。この後の操作において、複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径には変化は生じないと考えられることから、光熱変換層内の複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径も同様になっているものといえる。

実施例１と同様にしてフィルム基材の断面に対してＴＥＭ観察を行ったところ、光熱変換層の厚さは約２．０μｍであることを確認できた。

実施例１と同様にして光熱変換層の可視光透過率と、波長１０００ｎｍの光の透過率を算出したところ、可視光透過率は６９％であることを確認できた。また、波長１０００ｎｍの光の透過率は９％であることを確認できた。結果を表１に示す。

また測定結果から算出した光熱変換層の透過曲線を図３に示す。

また、作製した光熱変換層上に、実施例１と同様にしてさらに被転写層を形成し、ドナーシートを作製した。
［実施例３］
複合タングステン酸化物粒子分散液を調製する際の、ペイントシェーカーより粉砕・分散時間を１．０時間とした以外は実施例１と同様にして、複合タングステン酸化物粒子分散液（以下、分散液Ｃと略称する）を得た。

ここで、分散液Ｃにおける複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径をレーザ回折／散乱式粒子分布測定装置を用いて測定したところ９８ｎｍであることを確認できた。
分散液Ａの代替として分散液Ｃを用いた以外は実施例１と同様にして、光熱変換層をフィルム基材上に作製し、評価を行った。

なお、分散液Ｃにバインダー成分を混合してインクを調製した後の複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径を実施例１と同様にして測定したところ９８ｎｍであることを確認できた。この後の操作において、複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径には変化は生じないと考えられることから、光熱変換層内の複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径も同様になっているものといえる。

実施例１と同様にしてフィルム基材の断面に対してＴＥＭ観察を行ったところ、光熱変換層の厚さは約２．０μｍであることを確認できた。

実施例１と同様にして光熱変換層の可視光透過率と、波長１０００ｎｍの光の透過率を算出したところ、可視光透過率は５６％であることを確認できた。また、波長１０００ｎｍの光の透過率は１０％であることを確認できた。結果を表１に示す。また測定結果から算出した光熱変換層の透過曲線を図３に示す。

また、作製した光熱変換層上に、実施例１と同様にしてさらに被転写層を形成し、ドナーシートを作製した。
［比較例１］
複合タングステン酸化物粒子分散液を調製する際の、ペイントシェーカーより粉砕・分散時間を１０時間とした以外は実施例１と同様にして、複合タングステン酸化物粒子分散液（以下、分散液αと略称する）を得た。

ここで、分散液αにおける複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径をレーザ回折／散乱式粒子分布測定装置を用いて測定したところ２１ｎｍであることを確認できた。
分散液Ａの代替として分散液αを用いた以外は実施例１と同様にして、光熱変換層をフィルム基材上に作製し、評価を行った。

なお、分散液αにバインダー成分を混合してインクを調製した後の複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径を実施例１と同様にして測定したところ２１ｎｍであることを確認できた。この後の操作において、複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径には変化は生じないと考えられることから、光熱変換層内の複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径も同様になっているものといえる。

実施例１と同様にしてフィルム基材の断面に対してＴＥＭ観察を行ったところ、光熱変換層の厚さは約２．０μｍであることを確認できた。

実施例１と同様にして光熱変換層の可視光透過率と、波長１０００ｎｍの光の透過率を算出したところ、可視光透過率は７５％であることを確認できた。また、波長１０００ｎｍの光の透過率は１５％であることを確認できた。結果を表１に示す。また測定結果から算出した光熱変換層の透過曲線を図３に示す。

また、作製した光熱変換層上に、実施例１と同様にしてさらに被転写層を形成し、ドナーシートを作製した。
［比較例２］
複合タングステン酸化物粒子分散液を調製する際の、ペイントシェーカーより粉砕・分散時間を０．２時間とした以外は実施例１と同様にして、複合タングステン酸化物粒子分散液（以下、分散液βと略称する）を得た。

ここで、分散液βにおける複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径をレーザ回折／散乱式粒子分布測定装置を用いて測定したところ５３７ｎｍであることを確認できた。
分散液Ａの代替として分散液βを用いた以外は実施例１と同様にして、光熱変換層をフィルム基材上に作製し、評価を行った。

なお、分散液βにバインダー成分を混合してインクを調製した後の複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径を実施例１と同様にして測定したところ５３７ｎｍであることを確認できた。この後の操作において、複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径には変化は生じないと考えられることから、光熱変換層内の複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径も同様になっているものといえる。

実施例１と同様にしてフィルム基材の断面に対してＴＥＭ観察を行ったところ、光熱変換層の厚さは約２．０μｍであることを確認できた。

実施例１と同様にして光熱変換層の可視光透過率と、波長１０００ｎｍの光の透過率を算出したところ、可視光透過率は６０％であることを確認できた。また、波長１０００ｎｍの光の透過率は３５％であることを確認できた。結果を表１に示す。また測定結果から算出した光熱変換層の透過曲線を図３に示す。

また、作製した光熱変換層上に、実施例１と同様にしてさらに被転写層を形成し、ドナーシートを作製した。

以上の結果によると、実施例１〜実施例３については、可視光透過率は５０％以上であり、十分な可視光透過率を有していることも確認できた。また、波長１０００ｎｍの光の透過率が１０％以下と低くなっていることが確認できた。

ここで、実施例１〜実施例３及び比較例１、比較例２では、光熱変換層を形成する際、同一の複合タングステン酸化物を同一濃度で分散した分散液を、同一比率でバインダーと混合したインクを用いている。そして、同一のバーＮｏ．のバーコーターを用いてインクを塗布しており、得られた光熱変換層の膜厚もほぼ一定であった。すなわち、全ての実施例および比較例において、光熱変換層の単位面積あたりに含まれるタングステン化合物粒子である複合タングステン酸化物粒子の重量は同一であった。

しかしながら、複合タングステン酸化物粒子の体積平均粒子径が３５ｎｍ未満である比較例１は、波長１０００ｎｍの光の透過率が１５％となっており、実施例１〜実施例３の場合と比較して波長１０００ｎｍの光の透過率が非常に高くなっていることが確認できた。

複合タングステン酸化物粒子等のタングステン化合物粒子の最表面は、酸素欠陥や、ドープ元素の脱離や結晶構造の表面緩和の影響を受け、バルクのタングステン化合物粒子とは異なる不完全な結晶構造を有し、近赤外領域の光の吸収にほとんど寄与しない不完全領域になっていると考えられる。

そして、比較例１のように複合タングステン酸化物粒子の粒径が３５ｎｍ未満の場合、係る不完全領域の占める割合が高くなり、近赤外領域の光の吸収率が低下すると考えられる。このため、比較例１においては、実施例１〜実施例３と単位面積当たりの複合タングステン酸化物粒子の重量は同一であるにも関わらず、波長１０００ｎｍの光の透過率が高くなったと考えられる。

また、比較例２についても、波長１０００ｎｍの光の透過率が３５％と、実施例１〜実施例３と比較して非常に高くなることが確認できた。これは、比較例２では、タングステン化合物粒子の体積平均粒子径を５３７ｎｍと、５００ｎｍを超えて大きくしたために、粒子の微粒化に伴う現象である局在表面プラズモン共鳴が十分に発現せず、近赤外領域の光の吸収率が低下し、波長１０００ｎｍの光の透過率が高くなったと考えられる。

また、各実施例、比較例で作製したドナーシートは、実施例１〜３および比較例１に関しては被転写層の状態がフィルム基材側から目視で確認できたが、比較例２については粗大な複合タングステン酸化物に起因する強い光散乱により、光熱変換層の透明性が十分ではなく、被転写層の状態を目視で確認できなかった。

２０ ドナーシート
２１ フィルム基材
２２ 光熱変換層
２３ 被転写層

Claims (6)

1. タングステン化合物粒子と、バインダー成分とを含有する光熱変換層であって、
   前記タングステン化合物粒子は、タングステン酸化物粒子および／または複合タングステン酸化物粒子であり、
   前記タングステン化合物粒子の体積平均粒子径が３５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である光熱変換層。
2. 前記タングステン化合物粒子が、化学式がＷ_ｙＯ_ｚ（２．２≦ｚ/ｙ＜３．０）で示されるタングステン酸化物粒子と、化学式がＭ_ｘＷ_ｙＯ_ｚ（ただし、Ｍは、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、Ｉのうちから選択される１種類以上の元素、０．００１≦ｘ/ｙ≦０．８、２．２≦ｚ／ｙ≦３．０）で示される複合タングステン酸化物粒子とから選ばれる１種類以上である請求項１に記載の光熱変換層。
3. 前記タングステン化合物粒子が六方晶セシウム酸化タングステン粒子である、請求項２に記載の光熱変換層。
4. 厚さが５μｍ以下である請求項１乃至３のいずれに一項に記載の光熱変換層。
5. 前記タングステン化合物粒子、分散剤、溶媒、及び前記バインダー成分を含有するインクを基材上に塗布し、前記塗布したインクを乾燥させた後、乾燥させたインクを硬化させることにより形成された請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光熱変換層。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光熱変換層と、フィルム基材と、被転写層とを有するドナーシート。

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