[go: up one dir, main page]

JP2016003993A - Electronic device, method of manufacturing electronic device, electronic apparatus, and mobile body - Google Patents

Electronic device, method of manufacturing electronic device, electronic apparatus, and mobile body Download PDF

Info

Publication number
JP2016003993A
JP2016003993A JP2014125481A JP2014125481A JP2016003993A JP 2016003993 A JP2016003993 A JP 2016003993A JP 2014125481 A JP2014125481 A JP 2014125481A JP 2014125481 A JP2014125481 A JP 2014125481A JP 2016003993 A JP2016003993 A JP 2016003993A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic device
pressure sensor
sensor element
wire
electronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2014125481A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
中島 敏
Satoshi Nakajima
敏 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2014125481A priority Critical patent/JP2016003993A/en
Priority to US14/738,067 priority patent/US9863828B2/en
Priority to CN201510337477.3A priority patent/CN105277172A/en
Publication of JP2016003993A publication Critical patent/JP2016003993A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device capable of reducing an external force applied to an electronic component, and also to provide a method of manufacturing the electronic device, an electronic apparatus, and a mobile body.SOLUTION: An electronic device 1 includes: an IC chip 4; a pressure sensor element 3; a bonding wire 15 which electrically connects the IC chip 4 and the pressure sensor element 3; and a bonding wire 13 which connects the IC chip 4 and the pressure sensor element 3 so that stress generated in the pressure sensor element 3 by connecting the bonding wire 15 is reduced.

Description

本発明は、電子装置、電子装置の製造方法、電子機器および移動体に関するものである。   The present invention relates to an electronic device, an electronic device manufacturing method, an electronic apparatus, and a moving body.

例えば、特許文献1に記載の電子部品では、電極パッドがボンディングワイヤーを介して外部端子に接続されている。また、この電子部品は、電極パッドの下方(直下)に、ボンディングワイヤーから生じる外部応力を緩和するための空洞を有している。しかしかしながら、このような構成としても、特に、ボンディングワイヤーの配置が不均一(非対称)である場合には、その不均一性から外部応力が発生してしまう。そのため、センサー精度(特性)が低下する。   For example, in the electronic component described in Patent Document 1, the electrode pad is connected to an external terminal via a bonding wire. In addition, this electronic component has a cavity for relaxing external stress generated from the bonding wire below (directly below) the electrode pad. However, even with such a configuration, particularly when the bonding wires are arranged non-uniformly (asymmetric), external stress is generated due to the non-uniformity. For this reason, the sensor accuracy (characteristic) decreases.

特開2008−235487号公報JP 2008-235487 A

本発明の目的は、電子部品に加わる外部応力を低減することのできる電子装置、電子装置の製造方法、電子機器および移動体を提供することにある。   The objective of this invention is providing the electronic device which can reduce the external stress added to an electronic component, the manufacturing method of an electronic device, an electronic device, and a moving body.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following application examples.

[適用例1]
本適用例の電子装置は、配線基板と、
電子部品と、
前記配線基板と前記電子部品とを電気的に接続している第1のワイヤーと、
前記第1のワイヤーによって前記電子部品に生じる応力を調整するように、前記配線基板と前記電子部品とを接続している第2のワイヤーと、を有することを特徴とする。
[Application Example 1]
The electronic device of this application example includes a wiring board,
Electronic components,
A first wire that electrically connects the wiring board and the electronic component;
It has a 2nd wire which has connected the said wiring board and the said electronic component so that the stress which arises in the said electronic component with the said 1st wire may be adjusted, It is characterized by the above-mentioned.

これにより、電子部品に加わる外部応力(不要な応力)を低減することのできる電子装置となる。   Thereby, it becomes an electronic device which can reduce the external stress (unnecessary stress) applied to the electronic component.

[適用例2]
本適用例の電子装置では、前記第1のワイヤーを複数有し、
平面視にて、前記第1のワイヤーの配置が前記電子部品の中心部に対して非対称であることが好ましい。
これにより、第1のワイヤーの配置の自由度が増す。
[Application Example 2]
In the electronic device of this application example, the electronic device includes a plurality of the first wires,
It is preferable that the arrangement of the first wires is asymmetric with respect to the central portion of the electronic component in plan view.
Thereby, the freedom degree of arrangement | positioning of a 1st wire increases.

[適用例3]
本適用例の電子装置では、前記第2のワイヤーは、前記配線基板と電気的に接続されていないことが好ましい。
[Application Example 3]
In the electronic device according to this application example, it is preferable that the second wire is not electrically connected to the wiring board.

これにより、意図しない短絡、寄生容量の発生、ノイズの発生等を低減することができる。   As a result, unintended short circuits, parasitic capacitance, noise, and the like can be reduced.

[適用例4]
本適用例の電子装置では、前記第2のワイヤーは、前記電子部品と電気的に接続されていないことが好ましい。
[Application Example 4]
In the electronic device according to this application example, it is preferable that the second wire is not electrically connected to the electronic component.

これにより、意図しない短絡、寄生容量の発生、ノイズの発生等を低減することができる。   As a result, unintended short circuits, parasitic capacitance, noise, and the like can be reduced.

[適用例5]
本適用例の電子装置では、前記配線基板には回路が設けられていることが好ましい。
これにより、配線基板によって、電子部品からの出力等を処理することができる。
[Application Example 5]
In the electronic device of this application example, it is preferable that a circuit is provided on the wiring board.
Thereby, the output from an electronic component etc. can be processed with a wiring board.

[適用例6]
本適用例の電子装置では、前記電子部品は、ダイアフラムを有する圧力センサー素子であることが好ましい。
[Application Example 6]
In the electronic device according to this application example, it is preferable that the electronic component is a pressure sensor element having a diaphragm.

これにより、電子装置を圧力センサー装置として用いることができ、その利便性が高まる。   Thereby, an electronic apparatus can be used as a pressure sensor apparatus, and the convenience increases.

[適用例7]
本適用例の電子装置では、前記第1のワイヤーと前記第2のワイヤーは、同じ金属材料を主材料に含んでいることが好ましい。
[Application Example 7]
In the electronic device according to this application example, it is preferable that the first wire and the second wire include the same metal material as a main material.

これにより、第1のワイヤーと第2のワイヤーとの共通化を図ることができ、装置構成が簡単となる。   Thereby, commonality with the 1st wire and the 2nd wire can be aimed at, and the device composition becomes simple.

[適用例8]
本適用例の電子装置では、前記配線基板と前記電子部品は、前記第1のワイヤーおよび前記第2のワイヤーによって直接接続されていることが好ましい。
これにより、配線の全長が短くなり、ノイズの発生を低減することができる。
[Application Example 8]
In the electronic device according to this application example, it is preferable that the wiring board and the electronic component are directly connected by the first wire and the second wire.
Thereby, the total length of the wiring is shortened, and the generation of noise can be reduced.

[適用例9]
本適用例の電子装置の製造方法は、配線基板と電子部品とを複数の第1のワイヤーおよび複数の第2のワイヤーで接続する工程と、
前記電子部品を測定する工程と、
前記測定する工程での測定結果に基づいて、必要に応じて、前記複数の第2のワイヤーによる接続のうちの少なくとも1つの前記接続を解除する工程と、を含むことを特徴とする。
[Application Example 9]
The manufacturing method of the electronic device of this application example includes a step of connecting the wiring board and the electronic component with a plurality of first wires and a plurality of second wires,
Measuring the electronic component;
And a step of releasing at least one of the plurality of connections by the second wires based on a measurement result in the measuring step, if necessary.

これにより、電子部品に加わる外部応力(不要な応力)を低減することのできる電子装置が得られる。   As a result, an electronic device that can reduce external stress (unnecessary stress) applied to the electronic component can be obtained.

[適用例10]
本適用例の電子装置の製造方法では、前記測定する工程では、前記電子部品の電気的特性を測定することが好ましい。
これにより、電子部品に加わっている応力を適切に測定(推測)することができる。
[Application Example 10]
In the electronic device manufacturing method according to this application example, it is preferable that the electrical characteristics of the electronic component are measured in the measuring step.
Thereby, the stress applied to the electronic component can be appropriately measured (estimated).

[適用例11]
本適用例の電子装置の製造方法では、前記解除する工程では、前記第2のワイヤーを切断することが好ましい。
これにより、簡単に、第2のワイヤーの接続を解除することができる。
[Application Example 11]
In the manufacturing method of the electronic device according to this application example, it is preferable that the second wire is cut in the releasing step.
Thereby, the connection of the second wire can be easily released.

[適用例12]
本適用例の電子装置の製造方法では、前記解除する工程では、レーザーを用いて前記第2のワイヤーを切断または除去することが好ましい。
これにより、簡単に、第2のワイヤーを切断または除去することができる。
[Application Example 12]
In the manufacturing method of the electronic device according to this application example, in the releasing step, it is preferable to cut or remove the second wire using a laser.
Thereby, a 2nd wire can be cut | disconnected or removed easily.

[適用例13]
本適用例の電子装置の製造方法は、配線基板と電子部品とを複数の第1のワイヤーおよび第2のワイヤーで接続する工程と、
前記電子部品を測定する工程と、
前記測定する工程での測定結果に基づいて、必要に応じて、配線基板と電子部品とを接続する前記第2のワイヤーを追加する工程と、を含むことを特徴とする。
[Application Example 13]
The manufacturing method of the electronic device of this application example includes a step of connecting the wiring board and the electronic component with a plurality of first wires and second wires,
Measuring the electronic component;
A step of adding the second wire for connecting the wiring board and the electronic component, if necessary, based on a measurement result in the measuring step.

これにより、電子部品に加わる外部応力(不要な応力)を低減することのできる電子装置が得られる。   As a result, an electronic device that can reduce external stress (unnecessary stress) applied to the electronic component can be obtained.

[適用例14]
本適用例の電子機器は、上記適用例の電子装置を備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
[Application Example 14]
An electronic apparatus according to this application example includes the electronic device according to the application example described above.
As a result, a highly reliable electronic device can be obtained.

[適用例15]
本適用例の移動体は、上記適用例の電子装置を備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
[Application Example 15]
The moving body of this application example includes the electronic device of the above application example.
Thereby, a mobile body with high reliability is obtained.

本発明の第1実施形態に係る電子装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the electronic device which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図1に示す電子装置の平面図である。It is a top view of the electronic device shown in FIG. 図1に示す電子装置が有する圧力センサー素子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the pressure sensor element which the electronic device shown in FIG. 1 has. 図3に示す圧力センサー素子が有する圧力センサー部を示す平面図である。It is a top view which shows the pressure sensor part which the pressure sensor element shown in FIG. 3 has. 図4に示す圧力センサー部を含んだ回路を示す図である。It is a figure which shows the circuit containing the pressure sensor part shown in FIG. 図1に示す電子装置が備える第2のワイヤーの機能を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the function of the 2nd wire with which the electronic apparatus shown in FIG. 1 is provided. 図1に示す電子装置が備える第2のワイヤーの機能を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the function of the 2nd wire with which the electronic apparatus shown in FIG. 1 is provided. 図1に示す電子装置の製造方法を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図1に示す電子装置の製造方法を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図1に示す電子装置の製造方法を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図1に示す電子装置の別の製造方法を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating another manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図1に示す電子装置の別の製造方法を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating another manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 本発明の第2実施形態に係る電子装置を示す平面図である。It is a top view which shows the electronic device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る電子装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the electronic device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 図14に示す電子装置の平面図である。FIG. 15 is a plan view of the electronic device shown in FIG. 14. 本発明の第4実施形態に係る電子装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the electronic device which concerns on 4th Embodiment of this invention. 図16に示す電子装置の平面図である。FIG. 17 is a plan view of the electronic device shown in FIG. 16. 本発明の電子機器の一例であるナビゲーションシステムを示す正面図である。It is a front view which shows the navigation system which is an example of the electronic device of this invention. 本発明の電子機器の一例である高度計を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the altimeter which is an example of the electronic device of this invention. 本発明の移動体の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the moving body of this invention.

以下、本発明の電子装置、電子装置の製造方法、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, an electronic device, a method for manufacturing the electronic device, an electronic apparatus, and a moving body of the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings.

<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子装置を示す断面図である。図2は、図1に示す電子装置の平面図である。図3は、図1に示す電子装置が有する圧力センサー素子を示す断面図である。図4は、図3に示す圧力センサー素子が有する圧力センサー部を示す平面図である。図5は、図4に示す圧力センサー部を含んだ回路を示す図である。図6および図7は、それぞれ、図1に示す電子装置が備える第2のワイヤーの機能を説明するための図である。図8ないし図10は、それぞれ、図1に示す電子装置の製造方法を説明するための平面図である。図11および図12は、それぞれ、図1に示す電子装置の別の製造方法を説明するための平面図である。なお、以下の説明では、図1、図3中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an electronic device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the electronic device shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a pressure sensor element included in the electronic device shown in FIG. 4 is a plan view showing a pressure sensor unit included in the pressure sensor element shown in FIG. FIG. 5 is a diagram showing a circuit including the pressure sensor unit shown in FIG. 6 and 7 are diagrams for explaining the function of the second wire included in the electronic device shown in FIG. 8 to 10 are plan views for explaining a method of manufacturing the electronic device shown in FIG. 11 and 12 are plan views for explaining another method for manufacturing the electronic device shown in FIG. In the following description, the upper side in FIGS. 1 and 3 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

図1に示す電子装置1は、圧力センサー素子(電子部品)3と、圧力センサー素子3と電気的に接続されているICチップ(配線基板)4と、圧力センサー素子3およびICチップ4を収納するパッケージ2と、パッケージ2内で圧力センサー素子3およびICチップ4を囲っている充填材11と、を有している。以下、これら各部について順に説明する。   An electronic device 1 shown in FIG. 1 houses a pressure sensor element (electronic component) 3, an IC chip (wiring board) 4 electrically connected to the pressure sensor element 3, and the pressure sensor element 3 and the IC chip 4. And a filler 11 surrounding the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 in the package 2. Hereinafter, each of these units will be described in order.

≪パッケージ≫
パッケージ2は、圧力センサー素子3を、その内部に形成された内部空間28に収納するとともに、固定(支持)する機能を有するものである。
≪Package≫
The package 2 has a function of accommodating (fixing) the pressure sensor element 3 in an internal space 28 formed therein.

図1に示すように、パッケージ2は、ベース21と、ハウジング22と、可撓性配線基板(支持基板)25と、を有し、ベース21とハウジング22とで可撓性配線基板25を挟み込むようにして、これらを互いに接合して構成されている。ベース21と可撓性配線基板25との接合、および、ハウジング22と可撓性配線基板25との接合は、それぞれ、接着剤で構成される接着剤層26を介して行われている。   As shown in FIG. 1, the package 2 includes a base 21, a housing 22, and a flexible wiring board (supporting board) 25, and the flexible wiring board 25 is sandwiched between the base 21 and the housing 22. In this way, these are joined together. Bonding between the base 21 and the flexible wiring board 25 and bonding between the housing 22 and the flexible wiring board 25 are performed via an adhesive layer 26 made of an adhesive.

ベース21は、パッケージ2の底面を構成し、本実施形態では、全体形状が平板状をなし、その平面視形状は、正方形状となっている。ベース21の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックスのような各種セラミックスや、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ABS樹脂、エポキシ樹脂のような各種樹脂材料等の絶縁性材料が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、各種セラミックスであることが好ましい。これにより、優れた機械的強度を有するパッケージ2を得ることができる。なお、ベース21の平面視形状としては、その他、例えば、円形状、長方形状、五角形以上の多角形状等をなすものであってもよい。   The base 21 constitutes the bottom surface of the package 2. In the present embodiment, the overall shape is a flat plate shape, and the planar view shape is a square shape. The constituent material of the base 21 is not particularly limited. For example, various ceramics such as oxide ceramics such as alumina, silica, titania and zirconia, nitride ceramics such as silicon nitride, aluminum nitride and titanium nitride, polyethylene, Insulating materials such as various resin materials such as polyamide, polyimide, polycarbonate, acrylic resin, ABS resin, and epoxy resin can be used, and one or more of these can be used in combination. Among these, various ceramics are preferable. Thereby, the package 2 having excellent mechanical strength can be obtained. In addition, as the planar view shape of the base 21, for example, a circular shape, a rectangular shape, a polygonal shape of pentagon or more, and the like may be used.

ハウジング22は、パッケージ2の蓋部を構成し、本実施形態では、全体形状が筒状をなしている。また、ハウジング22は、その外径および内径が、下端から上端に向かってパッケージ高さの途中まで漸減する部位を有している。ハウジング22の構成材料としては、ベース21の構成材料として挙げたのと同様のものを用いることができる。なお、ハウジング22の形状としては、特に限定されない。   The housing 22 constitutes a lid portion of the package 2, and in this embodiment, the overall shape is a cylindrical shape. Further, the housing 22 has a portion where the outer diameter and inner diameter gradually decrease from the lower end toward the upper end to the middle of the package height. As the constituent material of the housing 22, the same materials as those mentioned as the constituent material of the base 21 can be used. The shape of the housing 22 is not particularly limited.

可撓性配線基板25は、パッケージ2の厚さ方向において、ベース21とハウジング22との間に位置し、圧力センサー素子3およびICチップ4をパッケージ2内で支持するとともに、圧力センサー素子3やICチップ4からの電気信号をパッケージ2の外部に取り出す機能を有している。このような可撓性配線基板25は、可撓性を有する基材23と、基材23の下面側に形成された配線24とで構成される。   The flexible wiring board 25 is located between the base 21 and the housing 22 in the thickness direction of the package 2, and supports the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 in the package 2. It has a function of taking out an electrical signal from the IC chip 4 to the outside of the package 2. Such a flexible wiring board 25 includes a flexible base material 23 and a wiring 24 formed on the lower surface side of the base material 23.

また、図2に示すように、基材23は、略四角形の枠状をなし中心部に開口部233を有する枠部231と、枠部231の一辺において突出するように一体的に形成された帯状をなす帯体232と、で構成されている。基材23の構成材料としては、可撓性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   In addition, as shown in FIG. 2, the base material 23 is formed integrally with a frame portion 231 having a substantially rectangular frame shape and having an opening 233 at the center, and protruding on one side of the frame portion 231. And a belt body 232 having a belt shape. The constituent material of the base material 23 is not particularly limited as long as it has flexibility, and examples thereof include polyimide, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polyethersulfone (PES). Of these, one or two or more of these can be used in combination.

配線24は、導電性を有し、図2に示すように、枠部231と帯体232にかけて設けられ(引き回され)ている。このような配線24は、圧力センサー素子3とICチップ4とを電気的に接続する4つの配線部241と、ICチップ4と電子装置1の外部とを電気的に接続する4つの配線部245と、圧力センサー素子3に加わる不要な応力を調整・緩和するために用いられる応力調整用の3つの配線部249と、を有している。   The wiring 24 has conductivity, and is provided (routed) over the frame portion 231 and the band body 232 as shown in FIG. Such wiring 24 includes four wiring parts 241 that electrically connect the pressure sensor element 3 and the IC chip 4, and four wiring parts 245 that electrically connect the IC chip 4 and the outside of the electronic device 1. And three wiring portions 249 for stress adjustment used for adjusting / relaxing unnecessary stress applied to the pressure sensor element 3.

4つの配線部241は、枠部231の1つの辺231aに沿って並んで配置されている。そして、各配線部241は、その一端部(辺231a側の端部)にて、ボンディングワイヤー(第1のワイヤー)15を介して圧力センサー素子3の接続端子743と電気的に接続されている。また、このボンディングワイヤー15によって、圧力センサー素子3が枠部231から離間して、かつ、枠部231に対して浮遊した状態で支持されている。また、各配線部241は、その他端部にて、ボンディングワイヤー14を介してICチップの接続端子42と電気的に接続されている。これにより、配線部241を介して圧力センサー素子3とICチップ4とが電気的に接続された状態となる。   The four wiring parts 241 are arranged side by side along one side 231a of the frame part 231. Each wiring portion 241 is electrically connected to the connection terminal 743 of the pressure sensor element 3 via the bonding wire (first wire) 15 at one end portion (end portion on the side 231a side). . Further, the pressure sensor element 3 is supported by the bonding wire 15 in a state of being separated from the frame portion 231 and floating with respect to the frame portion 231. Each wiring part 241 is electrically connected to the connection terminal 42 of the IC chip via the bonding wire 14 at the other end. As a result, the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 are electrically connected via the wiring portion 241.

一方、4つの配線部245は、それぞれ、その基端側が帯体232に設けられ、先端側が枠部231に設けられている。また、4つの配線部245の先端部は、辺231aと対向する辺231bに沿って配置されている。そして、配線部245は、それぞれ、ボンディングワイヤー16を介してICチップ4の接続端子42と電気的に接続されている。このボンディングワイヤー16および上述したボンディングワイヤー14によって、圧力センサー素子3が枠部231および圧力センサー素子3から離間して、かつ、枠部231に対して浮遊した状態で支持されている。   On the other hand, each of the four wiring portions 245 has a base end side provided in the band body 232 and a tip end side provided in the frame portion 231. Moreover, the front-end | tip part of the four wiring parts 245 is arrange | positioned along the edge | side 231b facing the edge | side 231a. The wiring portions 245 are electrically connected to the connection terminals 42 of the IC chip 4 via the bonding wires 16, respectively. The bonding wire 16 and the bonding wire 14 described above support the pressure sensor element 3 in a state of being separated from the frame portion 231 and the pressure sensor element 3 and floating with respect to the frame portion 231.

また、3つの配線部249は、辺231bに沿って配置されている。また、配線部249は、平面視にて、圧力センサー素子3を介して配線部241と対向して配置されている。また、配線部249は、配線部241、245と離間して配置され、配線部241、245と電気的に接続されていない。また、配線部249は、辺231bに略直交して、圧力センサー素子3から遠ざかるように延在している。   Further, the three wiring portions 249 are arranged along the side 231b. In addition, the wiring part 249 is disposed to face the wiring part 241 with the pressure sensor element 3 interposed therebetween in plan view. In addition, the wiring portion 249 is spaced apart from the wiring portions 241 and 245 and is not electrically connected to the wiring portions 241 and 245. Further, the wiring portion 249 extends so as to be away from the pressure sensor element 3 substantially perpendicular to the side 231b.

これら配線部249は、それぞれ、ボンディングワイヤー(第2のワイヤー)13を介して圧力センサー素子3の応力補正用端子744と接続されている。すなわち、圧力センサー素子3は、ボンディングワイヤー15によって一方側に支持され、ボンディングワイヤー13によって他方側に支持されることで両持ち支持された状態となっている。ここで、ボンディングワイヤー13は、ボンディングワイヤー15とは異なり、圧力センサー素子3やICチップ4と電気的に接続されていない。すなわち、ボンディングワイヤー13は、圧力センサー素子3とICチップ4の電気的な接続や、ICチップ4と外部との電気的な接続には用いられない。これにより、ボンディングワイヤー13に起因する短絡(ショート)や、寄生容量の発生、ノイズの発生等を防止することができ、より優れた特性の電子装置1となる。このようなボンディングワイヤー13は、ボンディングワイヤー15との接続によって圧力センサー素子3に生じる応力(歪み)を、相殺または緩和することで、圧力センサー素子3の圧力検知能の低下を低減(調整)する機能を有している。この機能については後に詳述する。   Each of these wiring portions 249 is connected to a stress correction terminal 744 of the pressure sensor element 3 via a bonding wire (second wire) 13. That is, the pressure sensor element 3 is supported on one side by the bonding wire 15 and is supported on both sides by being supported on the other side by the bonding wire 13. Here, unlike the bonding wire 15, the bonding wire 13 is not electrically connected to the pressure sensor element 3 or the IC chip 4. That is, the bonding wire 13 is not used for electrical connection between the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 or electrical connection between the IC chip 4 and the outside. Thereby, a short circuit due to the bonding wire 13, generation of parasitic capacitance, generation of noise, and the like can be prevented, and the electronic device 1 having more excellent characteristics can be obtained. Such a bonding wire 13 reduces (adjusts) a decrease in pressure sensing ability of the pressure sensor element 3 by offsetting or mitigating stress (distortion) generated in the pressure sensor element 3 due to connection with the bonding wire 15. It has a function. This function will be described in detail later.

なお、ボンディングワイヤー13、15の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、金、銅、アルミニウム等の各種金属や、これら金属を含む合金等を用いることができる。また、ボンディングワイヤー13、15は、互いに同じ材料を主材料として含んでいることが好ましく、同じ構成であることがより好ましい。また、ワイヤー径も同じであることが好ましい。これにより、ボンディングワイヤー13、15を共通化することができ、装置の構成が簡単なものとなる。ただし、ボンディングワイヤー13、15は、互いに材料が異なっていてもよいし、ワイヤー径が異なっていてもよい。   In addition, although it does not specifically limit as a constituent material of the bonding wires 13 and 15, For example, various metals, such as gold | metal | money, copper, aluminum, an alloy containing these metals, etc. can be used. Moreover, it is preferable that the bonding wires 13 and 15 contain the mutually same material as a main material, and it is more preferable that it is the same structure. Moreover, it is preferable that the wire diameter is also the same. Thereby, the bonding wires 13 and 15 can be made common, and the configuration of the apparatus becomes simple. However, the bonding wires 13 and 15 may be made of different materials, or may have different wire diameters.

以上、パッケージ2について説明した。このような構成のパッケージ2によれば、配線部245の端部に、例えば、後述する電子機器または移動体のマザーボード等を電気的に接続することで、圧力センサー素子3やICチップ4からの電気信号をパッケージ2の外部に取り出すことができる。   The package 2 has been described above. According to the package 2 having such a configuration, for example, an electronic device described later or a mother board of a moving body is electrically connected to the end portion of the wiring portion 245 so that the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 can be connected. An electric signal can be taken out of the package 2.

なお、配線24が有する配線部241、245の数は、特に限定されず、圧力センサー素子3に設けられている接続端子743の数や、ICチップ4に設けられている接続端子42の数に合わせて適宜設定すればよい。また、配線部249の数も特に限定されず、ボンディングワイヤー15との接続により圧力センサー素子3に生じる応力の大きさ等に基づいて適宜設定することができる。また、このような配線24の構成材料としては、導電性を有していれば特に限定されず、例えば、Ni、Pt、Li、Mg、Sr、Ag、Cu、Co、Al等の金属、これらを含むMgAg、AlLi、CuLi等の合金、ITO、SnO2等の酸化物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Note that the number of the wiring portions 241 and 245 included in the wiring 24 is not particularly limited. What is necessary is just to set suitably collectively. Further, the number of wiring portions 249 is not particularly limited, and can be set as appropriate based on the magnitude of the stress generated in the pressure sensor element 3 due to the connection with the bonding wire 15. In addition, the constituent material of the wiring 24 is not particularly limited as long as it has conductivity. For example, metals such as Ni, Pt, Li, Mg, Sr, Ag, Cu, Co, and Al, these An alloy such as MgAg, AlLi, or CuLi containing oxide, an oxide such as ITO, SnO 2, or the like can be used, and one or more of these can be used in combination.

≪圧力センサー≫
圧力センサー素子3は、受けた圧力を検知することができる素子であり、図3に示すように、基板5と、圧力センサー部6と、素子周囲構造体7と、空洞部8と、図示しない半導体回路と、を有している。以下、これら各部について順に説明する。
≪Pressure sensor≫
The pressure sensor element 3 is an element capable of detecting the received pressure, and as shown in FIG. 3, the substrate 5, the pressure sensor part 6, the element surrounding structure 7, the cavity part 8, and not shown. And a semiconductor circuit. Hereinafter, each of these units will be described in order.

基板5は、板状をなし、SOI基板(第1のSi層511、SiO層512、第2のSi層513がこの順で積層している基板)で構成された半導体基板51上に、シリコン酸化膜(SiO膜)で構成された第1絶縁膜52と、シリコン窒化膜(SiN膜)で構成された第2絶縁膜53と、をこの順に積層することで構成されている。ただし、半導体基板51としては、SOI基板に限定されず、例えば、シリコン基板を用いることができる。 The substrate 5 has a plate shape and is formed on a semiconductor substrate 51 formed of an SOI substrate (a substrate in which the first Si layer 511, the SiO 2 layer 512, and the second Si layer 513 are stacked in this order) The first insulating film 52 made of a silicon oxide film (SiO 2 film) and the second insulating film 53 made of a silicon nitride film (SiN film) are stacked in this order. However, the semiconductor substrate 51 is not limited to an SOI substrate, and for example, a silicon substrate can be used.

また、半導体基板51には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム54が設けられている。このダイアフラム54は、半導体基板51の下面に有底の凹部55を設けることで形成され、その下面(凹部55の底面)が受圧面541となっている。   Further, the semiconductor substrate 51 is provided with a diaphragm 54 that is thinner than the surrounding portion and bends and deforms by receiving pressure. The diaphragm 54 is formed by providing a bottomed recess 55 on the lower surface of the semiconductor substrate 51, and the lower surface (the bottom surface of the recess 55) serves as a pressure receiving surface 541.

このような半導体基板51上およびその上方には図示しない半導体回路(回路)が作り込まれている。この半導体回路には、必要に応じて形成されたMOSトランジスタ等の能動素子、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオードおよび配線等の回路要素が含まれている。   A semiconductor circuit (circuit) (not shown) is formed on and above the semiconductor substrate 51. This semiconductor circuit includes circuit elements such as active elements such as MOS transistors, capacitors, inductors, resistors, diodes, and wirings formed as necessary.

圧力センサー部(出力信号部)6は、図4に示すように、ダイアフラム54に設けられている4つのピエゾ抵抗素子61、62、63、64を有している。これら4つのピエゾ抵抗素子61、62、63、64は、それぞれ、平面視で四角形をなすダイアフラム54の各辺に対応して設けられている。   As shown in FIG. 4, the pressure sensor unit (output signal unit) 6 includes four piezoresistive elements 61, 62, 63, and 64 provided in the diaphragm 54. These four piezoresistive elements 61, 62, 63, and 64 are provided corresponding to the respective sides of the diaphragm 54 that forms a quadrangle in plan view.

ピエゾ抵抗素子61、62は、ダイアフラム54の外縁部に設けられているピエゾ抵抗部611、621と、ピエゾ抵抗部611、621の両端部に接続されている配線613、623と、を有している。一方、ピエゾ抵抗素子63、64は、ダイアフラム54の外縁部に設けられている1対のピエゾ抵抗部631、641と、1対のピエゾ抵抗部631、641同士を接続している接続部632、642と、1対のピエゾ抵抗部631、641の他端部に連結されている配線633、643と、を有している。   The piezoresistive elements 61 and 62 include piezoresistive portions 611 and 621 provided on the outer edge portion of the diaphragm 54, and wirings 613 and 623 connected to both ends of the piezoresistive portions 611 and 621. Yes. On the other hand, the piezoresistive elements 63 and 64 include a pair of piezoresistive parts 631 and 641 provided on the outer edge of the diaphragm 54 and a connection part 632 that connects the pair of piezoresistive parts 631 and 641. 642 and wirings 633 and 643 connected to the other ends of the pair of piezoresistive parts 631 and 641.

ピエゾ抵抗部611、621、631、641は、それぞれ、例えば、半導体基板51の第1のSi層511にリン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)することで構成されている。また、配線613、623、633、643および接続部632、642は、それぞれ、例えば、第1のSi層511に、ピエゾ抵抗部611、621、631、641よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)することで構成されている。   The piezoresistive portions 611, 621, 631, and 641 are configured by doping (diffusing or implanting) impurities such as phosphorus and boron into the first Si layer 511 of the semiconductor substrate 51, for example. In addition, the wirings 613, 623, 633, 643 and the connection portions 632, 642 are formed of, for example, phosphorus, boron, etc. at a higher concentration than the piezoresistive portions 611, 621, 631, 641, It is configured by doping impurities (diffusion or implantation).

また、ピエゾ抵抗素子61、62、63、64は、自然状態における抵抗値が互いに等しくなるように構成されている。そして、これらのピエゾ抵抗素子61、62、63、64は、配線613、623、633、643等を介して、互いに電気的に接続され、図5に示すように、ブリッジ回路60(ホイートストンブリッジ回路)を構成し、半導体回路と接続されている。このブリッジ回路60には、駆動電圧AVDCを供給する駆動回路(図示せず)が接続されている。そして、ブリッジ回路60は、ピエゾ抵抗素子61、62、63、64の抵抗値に応じた信号(電圧)を出力する。   Further, the piezoresistive elements 61, 62, 63, 64 are configured so that the resistance values in the natural state are equal to each other. These piezoresistive elements 61, 62, 63, 64 are electrically connected to each other via wirings 613, 623, 633, 643, etc., and as shown in FIG. 5, a bridge circuit 60 (Wheatstone bridge circuit) is provided. ) And is connected to the semiconductor circuit. The bridge circuit 60 is connected to a drive circuit (not shown) for supplying a drive voltage AVDC. The bridge circuit 60 outputs a signal (voltage) corresponding to the resistance values of the piezoresistive elements 61, 62, 63, and 64.

素子周囲構造体7は、空洞部8を画成するように形成されている。この素子周囲構造体7は、図3に示すように、層間絶縁膜71と、層間絶縁膜71上に形成された配線層72と、配線層72および層間絶縁膜71上に形成された層間絶縁膜73と、層間絶縁膜73上に形成された配線層74と、配線層74および層間絶縁膜73上に形成された表面保護膜75と、封止層76とを有している。配線層74は、空洞部8の内外を連通する複数の細孔742を備えた被覆層741を有しており、被覆層741上に配置されている封止層76が細孔742を封止している。なお、配線層72、74は、空洞部8を囲むように形成されている配線層と、半導体回路の配線を構成する配線層と、を含んでいる。半導体回路は、配線層72、74によって圧力センサー素子3の上面に引き出され、配線層74の一部が接続端子743となっており、接続端子743が表面保護膜75から露出している。そして、この接続端子743が、ボンディングワイヤー15を介して配線部241と電気的に接続されている。   The element surrounding structure 7 is formed so as to define the cavity 8. As shown in FIG. 3, the element surrounding structure 7 includes an interlayer insulating film 71, a wiring layer 72 formed on the interlayer insulating film 71, and an interlayer insulating film formed on the wiring layer 72 and the interlayer insulating film 71. A film 73, a wiring layer 74 formed on the interlayer insulating film 73, a surface protective film 75 formed on the wiring layer 74 and the interlayer insulating film 73, and a sealing layer 76 are included. The wiring layer 74 has a coating layer 741 having a plurality of pores 742 communicating with the inside and outside of the cavity 8, and the sealing layer 76 disposed on the coating layer 741 seals the pores 742. doing. Note that the wiring layers 72 and 74 include a wiring layer formed so as to surround the cavity 8 and a wiring layer that constitutes the wiring of the semiconductor circuit. The semiconductor circuit is drawn to the upper surface of the pressure sensor element 3 by the wiring layers 72 and 74, a part of the wiring layer 74 serves as a connection terminal 743, and the connection terminal 743 is exposed from the surface protective film 75. The connection terminal 743 is electrically connected to the wiring portion 241 through the bonding wire 15.

また、図3に示すように、配線層74の一部が応力補正用端子744となっており、応力補正用端子744が表面保護膜75から露出している。そして、この応力補正用端子744が、ボンディングワイヤー13を介して配線部249と接続されている。なお、応力補正用端子744は、前記半導体回路と電気的に接続されていないことが好ましい。これにより、ボンディングワイヤー13と前記半導体回路との電気的な接続を防止することができる。   As shown in FIG. 3, a part of the wiring layer 74 serves as a stress correction terminal 744, and the stress correction terminal 744 is exposed from the surface protective film 75. The stress correction terminal 744 is connected to the wiring portion 249 through the bonding wire 13. Note that the stress correction terminal 744 is preferably not electrically connected to the semiconductor circuit. Thereby, the electrical connection between the bonding wire 13 and the semiconductor circuit can be prevented.

層間絶縁膜71、73としては、特に限定されないが、例えば、シリコン酸化膜(SiO膜)等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層72、74としては、特に限定されないが、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、封止層76としては、特に限定されないが、Al、Cu、W、Ti、TiN等の金属膜を用いることができる。また、表面保護膜75としは、特に限定されないが、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜など、素子を水分、ゴミ、傷などから保護するための耐性を有するものを用いることができる。 The interlayer insulating films 71 and 73 are not particularly limited. For example, an insulating film such as a silicon oxide film (SiO 2 film) can be used. Further, the wiring layers 72 and 74 are not particularly limited, but for example, a metal film such as an aluminum film can be used. In addition, the sealing layer 76 is not particularly limited, but a metal film such as Al, Cu, W, Ti, TiN, or the like can be used. Further, the surface protective film 75 is not particularly limited, but a film having resistance to protect the element from moisture, dust, scratches, etc., such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, a polyimide film, and an epoxy resin film is used. Can do.

基板5と素子周囲構造体7とで画成された空洞部8は、密閉された空間であり、圧力センサー素子3が検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する。このような空洞部8は、ダイアフラム54の受圧面541とは反対側に位置し、また、ダイアフラム54と重なるように配置されている。そして、ダイアフラム54が空洞部8を画成する壁部の一部を構成している。また、空洞部8は、真空状態(例えば10Pa以下)となっている。これにより、圧力センサー素子3を、真空状態を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー素子」として用いることができる。ただし、空洞部8は、真空状態でなくてもよく、例えば、大気圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が低い減圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が高い加圧状態であってもよい。   A cavity 8 defined by the substrate 5 and the element surrounding structure 7 is a sealed space, and functions as a pressure reference chamber serving as a reference value of pressure detected by the pressure sensor element 3. Such a cavity portion 8 is located on the side opposite to the pressure receiving surface 541 of the diaphragm 54 and is disposed so as to overlap the diaphragm 54. The diaphragm 54 constitutes a part of the wall that defines the cavity 8. The cavity 8 is in a vacuum state (for example, 10 Pa or less). As a result, the pressure sensor element 3 can be used as a so-called “absolute pressure sensor element” that detects pressure based on a vacuum state. However, the cavity 8 may not be in a vacuum state, and may be, for example, an atmospheric pressure state, a reduced pressure state where the atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure, or an atmospheric pressure higher than the atmospheric pressure. It may be in a pressurized state.

≪ICチップ≫
図1および図2に示すように、ICチップ4には半導体回路41が設けられている。この半導体回路41は、必要に応じて、MOSトランジスタ等の能動素子、コンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線等の回路要素を含んでいる。このような半導体回路41は、その上面(圧力センサー素子3側の面)に配置されている接続端子42を介して配線部241、245と電気的に接続されている。
≪IC chip≫
As shown in FIGS. 1 and 2, the IC chip 4 is provided with a semiconductor circuit 41. The semiconductor circuit 41 includes circuit elements such as an active element such as a MOS transistor, a capacitor, an inductor, a resistor, a diode, and a wiring as necessary. Such a semiconductor circuit 41 is electrically connected to the wiring portions 241 and 245 via connection terminals 42 arranged on the upper surface (the surface on the pressure sensor element 3 side).

ここで、ICチップ4内の半導体回路41および圧力センサー素子3内の前記半導体回路には、例えば、ブリッジ回路60に電圧を供給するための駆動回路や、ブリッジ回路60からの出力を圧力センサーの温度に応じて温度補償する温度補償回路や、温度補償回路からの出力を所定の出力形式(CMOS、LV−PECL、LVDS等)に変換して出力する出力回路等が含まれている。なお、駆動回路、温度補償回路、出力回路等の配置は特に限定されず、例えば、圧力センサー素子3内の半導体回路に駆動回路が形成され、ICチップ4内の半導体回路41に温度補償回路および出力回路が形成されていてもよい。このように、半導体回路41を有するICチップ4を圧力センサー素子3と別体で設けることで、例えば、ICチップ4を省略し、半導体回路41を圧力センサー素子3内に形成する場合と比較して、電子装置1の小型化を図ることができる。   Here, the semiconductor circuit 41 in the IC chip 4 and the semiconductor circuit in the pressure sensor element 3 include, for example, a drive circuit for supplying a voltage to the bridge circuit 60 and an output from the bridge circuit 60 of the pressure sensor. A temperature compensation circuit that performs temperature compensation according to temperature, an output circuit that converts an output from the temperature compensation circuit into a predetermined output format (CMOS, LV-PECL, LVDS, etc.), and the like are included. The arrangement of the drive circuit, the temperature compensation circuit, the output circuit, and the like is not particularly limited. For example, the drive circuit is formed in the semiconductor circuit in the pressure sensor element 3, and the temperature compensation circuit and the semiconductor circuit 41 in the IC chip 4 are formed. An output circuit may be formed. Thus, by providing the IC chip 4 having the semiconductor circuit 41 separately from the pressure sensor element 3, for example, the IC chip 4 is omitted and the semiconductor circuit 41 is formed in the pressure sensor element 3. Thus, the electronic device 1 can be downsized.

以上、圧力センサー素子3およびICチップ4について説明した。圧力センサー素子3は、前述したように、ボンディングワイヤー15を介して配線部241に接合され、ボンディングワイヤー13を介して配線部249に接合されている。これにより、圧力センサー素子3が枠部231に支持されると共に、各接続端子743が配線部241に電気的に接続されている。一方で、ICチップ4は、前述したように、ボンディングワイヤー14、16を介して配線部241、245に接合されており、これにより、ICチップ4が枠部231に支持されると共に、各接続端子42が配線部241、245に電気的に接続されている。これにより、配線部241を介して圧力センサー素子3とICチップ4とが電気的に接続されるとともに、配線部245によってICチップ4から外部へ出力することができる。   The pressure sensor element 3 and the IC chip 4 have been described above. As described above, the pressure sensor element 3 is bonded to the wiring portion 241 via the bonding wire 15 and is bonded to the wiring portion 249 via the bonding wire 13. Accordingly, the pressure sensor element 3 is supported by the frame portion 231 and each connection terminal 743 is electrically connected to the wiring portion 241. On the other hand, as described above, the IC chip 4 is joined to the wiring parts 241 and 245 via the bonding wires 14 and 16, whereby the IC chip 4 is supported by the frame part 231 and each connection is made. The terminal 42 is electrically connected to the wiring parts 241 and 245. As a result, the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 are electrically connected via the wiring portion 241, and can be output from the IC chip 4 to the outside by the wiring portion 245.

このようにして固定されている圧力センサー素子3およびICチップ4は、図1に示すように、ボンディングワイヤー13、14、15、16と充填材11とによって、パッケージ2の内部空間28内で浮いた状態(内壁と接触していない状態)となっている。これにより、振動等がパッケージ2を介して圧力センサー素子3やICチップ4に伝わり難くなるため、電子装置1による圧力検出精度の低下を抑制することができる。また、平面視で、圧力センサー素子3がICチップ4と重なるように配置(上下に重なって配置)されているため、電子装置1の小型化を図ることができる。   As shown in FIG. 1, the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 fixed in this manner are floated in the internal space 28 of the package 2 by the bonding wires 13, 14, 15, 16 and the filler 11. It is in the state (the state which is not in contact with the inner wall). This makes it difficult for vibrations and the like to be transmitted to the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 via the package 2, so that a decrease in pressure detection accuracy by the electronic device 1 can be suppressed. In addition, since the pressure sensor element 3 is disposed so as to overlap the IC chip 4 in a plan view (arranged vertically), the electronic device 1 can be reduced in size.

また、本実施形態では、4本のボンディングワイヤー15が、平面視にて、圧力センサー素子3の中心部O(ダイアフラム54)に対して非対称に配置されている。具体的には、全てのボンディングワイヤー15が枠部231の辺231a側に向けて延在している。このように、中心部Oに対して非対称に配置することで、例えば、中心部Oに対して対称に配置する場合と比較して配線24(配線部241)の配置の自由度が増す。そのため、電子装置1の設計がより容易となる。   Moreover, in this embodiment, the four bonding wires 15 are arrange | positioned asymmetrically with respect to center part O (diaphragm 54) of the pressure sensor element 3 by planar view. Specifically, all the bonding wires 15 extend toward the side 231 a of the frame portion 231. As described above, the asymmetric arrangement with respect to the central portion O increases the degree of freedom of arrangement of the wiring 24 (wiring portion 241) as compared with, for example, a symmetrical arrangement with respect to the central portion O. Therefore, the design of the electronic device 1 becomes easier.

次に、ボンディングワイヤー13の機能について詳細に説明する。上述したように、本実施形態では、圧力センサー素子3が4つのボンディングワイヤー15によって辺231a側で支持されているため、仮に、ボンディングワイヤー13を設けない場合には、図6に示すように、ボンディングワイヤー15の張力Aによって、圧力センサー素子3を屈曲させるような応力Bが圧力センサー素子3に加わる場合がある。また、このような構成とすると、圧力センサー素子3の姿勢を制御することが比較的難しくなり、圧力センサー素子3が傾いてしまう場合がある。姿勢が傾いてしまう応力Bの発生が助長されてしまったり、圧力センサー素子3がICチップ4等に接触し、当該接触によって、さらに不要な応力が加わったりするおそれがある。このようにして発生する不要な応力によって、ダイアフラム54に意図しない応力(圧力以外の応力)が加わってしまい、受けた圧力を精度よく検出することができなくなる。そこで、このような不要な応力を相殺または低減するために、ボンディングワイヤー13を設けている。   Next, the function of the bonding wire 13 will be described in detail. As described above, in the present embodiment, since the pressure sensor element 3 is supported on the side 231a side by the four bonding wires 15, if the bonding wire 13 is not provided, as shown in FIG. A stress B that bends the pressure sensor element 3 may be applied to the pressure sensor element 3 by the tension A of the bonding wire 15. Further, with such a configuration, it is relatively difficult to control the posture of the pressure sensor element 3, and the pressure sensor element 3 may be inclined. There is a possibility that the generation of the stress B whose posture is inclined is promoted, or the pressure sensor element 3 comes into contact with the IC chip 4 and the like, and unnecessary stress is further applied by the contact. Unwanted stress (stress other than pressure) is applied to the diaphragm 54 due to the unnecessary stress generated in this manner, and the received pressure cannot be detected with high accuracy. Therefore, in order to cancel or reduce such unnecessary stress, the bonding wire 13 is provided.

具体的には、図7に示すように、ボンディングワイヤー13で圧力センサー素子3をボンディングワイヤー15とは反対側に支持することで、ボンディングワイヤー13の張力Cを利用して、前述した圧力センサー素子3を屈曲させる応力Bを相殺または緩和(減少)している。また、ボンディングワイヤー13によって、圧力センサー素子3の姿勢を補正することもできる。これにより、ダイアフラム54に生じる応力を低減することができ、すなわち、意図しない不要な応力(受けた圧力以外の応力)が加わり難くなり、受けた圧力を精度よく検出することができる。   Specifically, as shown in FIG. 7, the pressure sensor element 3 is supported by the bonding wire 13 on the side opposite to the bonding wire 15, and the above-described pressure sensor element is utilized by using the tension C of the bonding wire 13. 3 is offset or relaxed (reduced). Further, the posture of the pressure sensor element 3 can be corrected by the bonding wire 13. Thereby, the stress generated in the diaphragm 54 can be reduced, that is, it becomes difficult to apply unintended unnecessary stress (stress other than the received pressure), and the received pressure can be accurately detected.

特に、本実施形態では、複数のボンディングワイヤー13を設けているため、圧力センサー素子3の姿勢制御を2次元的に、精度よく行うことができる。さらに、平面視で、複数のボンディングワイヤー13の延在方向を異ならせることで、姿勢制御をさらに精度よく行うことができる。また、配線部249が辺231bに略直交する方向(圧力センサー素子3から離間する方向)に延在しているため、ボンディングワイヤー13の長さの自由度が増し、前述の応力調整範囲が広がるとともに、応力調整をより精度よく行うことができる。   In particular, in the present embodiment, since the plurality of bonding wires 13 are provided, the posture control of the pressure sensor element 3 can be accurately performed two-dimensionally. Furthermore, by changing the extending directions of the plurality of bonding wires 13 in plan view, posture control can be performed with higher accuracy. Further, since the wiring portion 249 extends in a direction substantially perpendicular to the side 231b (a direction away from the pressure sensor element 3), the degree of freedom of the length of the bonding wire 13 is increased, and the above-described stress adjustment range is expanded. At the same time, the stress adjustment can be performed with higher accuracy.

なお、ボンディングワイヤー13の数としては、特に限定されず、応力Bの大きさ等に基づいて適宜変更することができる。すなわち、応力Bがより小さくなるように、ボンディングワイヤー13の数を設定すればよい。   The number of bonding wires 13 is not particularly limited, and can be appropriately changed based on the magnitude of the stress B or the like. That is, the number of bonding wires 13 may be set so that the stress B becomes smaller.

≪充填材≫
図1に示すように、充填材11は、パッケージ2内に形成された内部空間28内に充填され、これにより、内部空間28内に収納された圧力センサー素子3およびICチップ4を覆っている。この充填材11により、圧力センサー素子3およびICチップ4を保護(防塵および防水)するとともに、電子装置1に作用した外部応力を低減させることができる。なお、電子装置1に加わった圧力は、ハウジング22の開口および充填材11を介して、圧力センサー素子3の受圧面541に作用する。
≪Filler≫
As shown in FIG. 1, the filler 11 is filled in an internal space 28 formed in the package 2, thereby covering the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 accommodated in the internal space 28. . With this filler 11, the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 can be protected (dustproof and waterproof), and external stress that has acted on the electronic device 1 can be reduced. Note that the pressure applied to the electronic device 1 acts on the pressure receiving surface 541 of the pressure sensor element 3 through the opening of the housing 22 and the filler 11.

このような充填材11は、圧力センサー素子3、ICチップ4およびパッケージ2よりも軟らかい特性を有する物質であればよく、例えば、液状またはゲル状をなしており、具体的な一例としては、シリコーンオイル、フッ素系オイル、シリコーンゲル等を用いることができる。言い換えれば、充填材11は、圧力センサー素子3およびICチップ4よりもヤング率の小さい物質とすることができる。また、充填材11の粘度としては、特に限定されないが、例えば、針入度が50以上、250以下の範囲内であることが好ましく、150以上、250以下の範囲内であることがより好ましい。これにより、充填材11を十分に柔らかくすることができ、電子装置1に加わった圧力が受圧面541に効率的に作用する。   Such a filler 11 may be a substance having characteristics that are softer than those of the pressure sensor element 3, the IC chip 4, and the package 2. For example, the filler 11 has a liquid or gel shape, and a specific example is silicone. Oil, fluorine-based oil, silicone gel, or the like can be used. In other words, the filler 11 can be a substance having a Young's modulus smaller than that of the pressure sensor element 3 and the IC chip 4. Further, the viscosity of the filler 11 is not particularly limited, but, for example, the penetration is preferably in the range of 50 or more and 250 or less, and more preferably in the range of 150 or more and 250 or less. Thereby, the filler 11 can be made sufficiently soft, and the pressure applied to the electronic device 1 acts on the pressure receiving surface 541 efficiently.

以上、電子装置1の構成について詳細に説明した。次に、電子装置1の製造方法について説明する。   The configuration of the electronic device 1 has been described in detail above. Next, a method for manufacturing the electronic device 1 will be described.

電子装置1の製造方法は、ICチップ4と圧力センサー素子3とを複数のボンディングワイヤー13、15を用いて接続する接続工程と、圧力センサー素子3の電気的特性を測定する測定工程と、測定結果に基づいて、必要に応じて、複数のボンディングワイヤー13の接続のうちの少なくとも1つの接続を解除する応力調整工程と、ICチップおよび圧力センサー素子3をパッケージ2に収容する収容工程と、を含んでいる。   The manufacturing method of the electronic device 1 includes a connection step of connecting the IC chip 4 and the pressure sensor element 3 using a plurality of bonding wires 13 and 15, a measurement step of measuring the electrical characteristics of the pressure sensor element 3, and a measurement Based on the result, if necessary, a stress adjusting step for releasing at least one of the plurality of bonding wires 13 and a housing step for housing the IC chip and the pressure sensor element 3 in the package 2. Contains.

[接続工程]
まず、可撓性配線基板25およびICチップ4を用意し、図8に示すように、可撓性配線基板25とICチップ4とをボンディングワイヤー14、16を介して接続する。当該接続は、ワイヤーボンディング法を用いて行うことができる。次に、圧力センサー素子3を用意し、図9に示すように、可撓性配線基板25と圧力センサー素子3とをボンディングワイヤー13、15を介して接続する。当該接続は、ワイヤーボンディング法を用いて行うことができる。なお、この状態では、ボンディングワイヤー15との接続によって圧力センサー素子3に発生する応力を相殺することができる以上の張力を発生させるように、ボンディングワイヤー13を多めに設けておくことが好ましい。また、少なくとも1本のボンディングワイヤー13の張力を他のボンディングワイヤー13の張力と異ならせておいてもよい。これにより、後述する応力調整工程にて、どのボンディングワイヤー13を切断するのかの選択が可能となり、より適切な応力調整を行うことができる。
[Connection process]
First, the flexible wiring board 25 and the IC chip 4 are prepared, and the flexible wiring board 25 and the IC chip 4 are connected via bonding wires 14 and 16 as shown in FIG. The connection can be performed using a wire bonding method. Next, the pressure sensor element 3 is prepared, and the flexible wiring board 25 and the pressure sensor element 3 are connected via bonding wires 13 and 15 as shown in FIG. The connection can be performed using a wire bonding method. In this state, it is preferable to provide a large number of bonding wires 13 so as to generate a tension that can cancel the stress generated in the pressure sensor element 3 due to the connection with the bonding wires 15. Further, the tension of at least one bonding wire 13 may be different from the tension of other bonding wires 13. Thereby, it becomes possible to select which bonding wire 13 is to be cut in a stress adjustment step described later, and more appropriate stress adjustment can be performed.

[測定工程]
次に、圧力センサー素子3の電気的特性を測定する。具体的には、例えば、まず、圧力センサー素子3を所定(既知)の気圧雰囲気下に置き、その状態で圧力を検知する。そして、検知された圧力(出力値)と実際の圧力とを比較し、その誤差情報を得る。なお、誤差が多い程、圧力センサー素子3に不要な応力が大きく加わっていると推察される。
[Measurement process]
Next, the electrical characteristics of the pressure sensor element 3 are measured. Specifically, for example, first, the pressure sensor element 3 is placed in a predetermined (known) atmospheric pressure atmosphere, and the pressure is detected in that state. Then, the detected pressure (output value) is compared with the actual pressure to obtain error information. It is assumed that unnecessary stress is applied to the pressure sensor element 3 as the error increases.

[応力調整工程]
次に、測定工程で得られた誤差情報に基づいて、図10に示すように、複数のボンディングワイヤー13の少なくとも1本(図10ではボンディングワイヤー13’、13”の2本)の接続を解除する。これにより、ボンディングワイヤー13の張力を低下させて、その分、圧力センサー素子3に加わる応力を減らす。そして、圧力センサー素子3が検知する圧力(出力値)と実際の圧力との誤差を所定範囲以内に収める。ボンディングワイヤー13の接続を解除する方法としては、特に限定されないが、例えば、レーザーによってボンディングワイヤー13を切断または除去する方法が挙げられる。これにより、簡単に、ボンディングワイヤー13の接続を解除することができる。また、レーザーを用いることで、ボンディングワイヤー13の局所的な加熱で済むため、他の部分(特に圧力センサー素子3やICチップ4)への熱ダメージを低減することができる。
[Stress adjustment process]
Next, based on the error information obtained in the measurement process, as shown in FIG. 10, the connection of at least one of the plurality of bonding wires 13 (two bonding wires 13 ′ and 13 ″ in FIG. 10) is released. As a result, the tension of the bonding wire 13 is reduced, and the stress applied to the pressure sensor element 3 is reduced correspondingly, and the error between the pressure (output value) detected by the pressure sensor element 3 and the actual pressure is reduced. The method for releasing the connection of the bonding wire 13 is not particularly limited, and includes, for example, a method of cutting or removing the bonding wire 13 by a laser. The connection can be released, and the bonding wire 13 can be obtained by using a laser. Therefore, thermal damage to other parts (particularly the pressure sensor element 3 and the IC chip 4) can be reduced.

なお、測定工程と本工程を繰り返し行うことで、徐々に、前記誤差を所定範囲内に収めて行ってもよい。また、測定工程で得られた誤差情報が最初から前記所定範囲内に収まっている場合には、本工程を省略することができる。   Note that the error may be gradually reduced within a predetermined range by repeatedly performing the measurement step and this step. Moreover, when the error information obtained in the measurement process is within the predetermined range from the beginning, this process can be omitted.

[収容工程]
次に、ベース21とハウジング22とを用意し、ベース21とハウジング22とで可撓性配線基板25を挟み込むようにして、これらを互いに接合する。これにより、パッケージ2が得られ、パッケージ2内に圧力センサー素子3およびICチップ4が収容された状態となる。最後に、パッケージ2内に充填材11を注入することで、電子装置1が得られる。
[Containment process]
Next, the base 21 and the housing 22 are prepared, and the flexible wiring board 25 is sandwiched between the base 21 and the housing 22, and these are joined to each other. Thereby, the package 2 is obtained, and the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 are accommodated in the package 2. Finally, the electronic device 1 is obtained by injecting the filler 11 into the package 2.

以上のような製造方法によれば、優れた圧力検知特性を有する、すなわち、測定誤差の小さい電子装置1を簡単に製造することができる。
なお、電子装置1は、次のような製造方法によっても製造することができる。
According to the manufacturing method as described above, the electronic device 1 having excellent pressure detection characteristics, that is, a small measurement error can be easily manufactured.
The electronic device 1 can also be manufactured by the following manufacturing method.

電子装置1の別の製造方法は、ICチップ4および圧力センサー素子3を複数のボンディングワイヤー15と1本のボンディングワイヤー13とで接続する接続工程と、圧力センサー素子3の電気的特性を測定する測定工程と、前記測定工程での測定結果に基づいて、必要に応じて、ICチップ4と圧力センサー素子3とを接続するボンディングワイヤー13を追加する応力調整工程と、ICチップおよび圧力センサー素子3をパッケージ2に収容する収容工程と、を含んでいる。   Another manufacturing method of the electronic device 1 is a process of connecting the IC chip 4 and the pressure sensor element 3 with a plurality of bonding wires 15 and one bonding wire 13, and measuring the electrical characteristics of the pressure sensor element 3. Based on the measurement process, the measurement result in the measurement process, a stress adjustment process for adding a bonding wire 13 for connecting the IC chip 4 and the pressure sensor element 3 as necessary, the IC chip and the pressure sensor element 3 And a housing step of housing the product in the package 2.

[接続工程]
まず、可撓性配線基板25およびICチップ4を用意し、可撓性配線基板25とICチップ4とをボンディングワイヤー14、16を介して接続する。次に、圧力センサー素子3を用意し、図11に示すように、可撓性配線基板25と圧力センサー素子3とを複数のボンディングワイヤー15と1本のボンディングワイヤー13とを介して接続する。なお、本工程で接続するボンディングワイヤー13の数としては、1本に限定されず、2本以上であってもよい。
[Connection process]
First, the flexible wiring board 25 and the IC chip 4 are prepared, and the flexible wiring board 25 and the IC chip 4 are connected via bonding wires 14 and 16. Next, the pressure sensor element 3 is prepared, and the flexible wiring board 25 and the pressure sensor element 3 are connected via a plurality of bonding wires 15 and one bonding wire 13 as shown in FIG. Note that the number of bonding wires 13 to be connected in this step is not limited to one and may be two or more.

[測定工程]
次に、圧力センサー素子3の電気的特性を測定する。具体的には、例えば、まず、圧力センサー素子3を所定(既知)の気圧雰囲気下に置き、その状態で圧力を検知する。そして、検知された圧力(出力値)と実際の圧力とを比較し、その誤差情報を得る。なお、誤差が多い程、圧力センサー素子3に不要な応力が大きく加わっていると推察される。
[Measurement process]
Next, the electrical characteristics of the pressure sensor element 3 are measured. Specifically, for example, first, the pressure sensor element 3 is placed in a predetermined (known) atmospheric pressure atmosphere, and the pressure is detected in that state. Then, the detected pressure (output value) is compared with the actual pressure to obtain error information. It is assumed that unnecessary stress is applied to the pressure sensor element 3 as the error increases.

[応力調整工程]
次に、測定工程で得られた誤差情報に基づいて、図12に示すように、少なくとも1本の新たなボンディングワイヤー13によって可撓性配線基板25と圧力センサー素子3とを接続する。すなわち、ボンディングワイヤー13を追加する。これにより、新たなボンディングワイヤー13の張力を利用して圧力センサー素子3に加わる応力を減らし、圧力センサー素子3が検知する圧力(出力値)と実際の圧力との誤差を所定範囲以内に収める。
[Stress adjustment process]
Next, based on the error information obtained in the measurement process, the flexible wiring board 25 and the pressure sensor element 3 are connected by at least one new bonding wire 13 as shown in FIG. That is, the bonding wire 13 is added. As a result, the stress applied to the pressure sensor element 3 is reduced using the tension of the new bonding wire 13, and the error between the pressure (output value) detected by the pressure sensor element 3 and the actual pressure falls within a predetermined range.

なお、測定工程と本工程を繰り返し行うことで、徐々に、前記誤差を所定範囲内に収めて行ってもよい。また、測定工程で得られた誤差情報が最初から前記所定範囲内に収まっている場合には、本工程を省略することができる。   Note that the error may be gradually reduced within a predetermined range by repeatedly performing the measurement step and this step. Moreover, when the error information obtained in the measurement process is within the predetermined range from the beginning, this process can be omitted.

[収容工程]
次に、ベース21とハウジング22とを用意し、ベース21とハウジング22とで可撓性配線基板25を挟み込むようにして、これらを互いに接合する。これにより、パッケージ2が得られ、パッケージ2内に圧力センサー素子3およびICチップ4が収容された状態となる。最後に、パッケージ2内に充填材11を注入することで、電子装置1が得られる。
[Containment process]
Next, the base 21 and the housing 22 are prepared, and the flexible wiring board 25 is sandwiched between the base 21 and the housing 22, and these are joined to each other. Thereby, the package 2 is obtained, and the pressure sensor element 3 and the IC chip 4 are accommodated in the package 2. Finally, the electronic device 1 is obtained by injecting the filler 11 into the package 2.

以上のような製造方法によれば、優れた圧力検知特性を有する、すなわち、測定誤差の小さい電子装置1を簡単に製造することができる。   According to the manufacturing method as described above, the electronic device 1 having excellent pressure detection characteristics, that is, a small measurement error can be easily manufactured.

<第2実施形態>
図13は、本発明の第2実施形態に係る電子装置を示す平面図である。
Second Embodiment
FIG. 13 is a plan view showing an electronic device according to the second embodiment of the present invention.

以下、電子装置の第2実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。   Hereinafter, the second embodiment of the electronic device will be described, but the description will focus on differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.

第2実施形態は、第2のワイヤーの配置(応力補正用端子の配置)が異なる以外は、前述した第1実施形態と同様である。   The second embodiment is the same as the first embodiment described above except that the arrangement of the second wires (the arrangement of the stress correction terminals) is different.

図13に示すように、本実施形態の電子装置1では、圧力センサー素子3の中心部Oよりも辺231a側と中心部Oよりも辺231b側の両方に応力補正用端子744が設けられており、各応力補正用端子744と配線部249とがボンディングワイヤー13で接続されている。このように、中心部Oを介して両側に応力補正用端子744を設けることで、前述の第1実施形態で説明したような応力の相殺または緩和や姿勢制御をより効果的に行うことができる。   As shown in FIG. 13, in the electronic device 1 of the present embodiment, the stress correction terminal 744 is provided on both the side 231 a side of the pressure sensor element 3 and the side 231 b side of the center portion O. Each stress correcting terminal 744 and the wiring portion 249 are connected by a bonding wire 13. As described above, by providing the stress correction terminals 744 on both sides via the central portion O, stress cancellation or relaxation and posture control as described in the first embodiment can be performed more effectively. .

このような第2実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。   Also according to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be exhibited.

<第3実施形態>
図14は、本発明の第3実施形態に係る電子装置を示す断面図である。図15は、図14に示す電子装置の平面図である。
<Third Embodiment>
FIG. 14 is a cross-sectional view showing an electronic device according to the third embodiment of the present invention. 15 is a plan view of the electronic device shown in FIG.

以下、電子装置の第3実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。   Hereinafter, the third embodiment of the electronic device will be described. However, the difference from the above-described embodiment will be mainly described, and the description of the same matters will be omitted.

第3実施形態は、ICチップと可撓性配線基板の接続方法が異なる以外は、前述した第1実施形態と同様である。   The third embodiment is the same as the first embodiment described above except that the connection method between the IC chip and the flexible wiring board is different.

図14および図15に示すように、本実施形態の電子装置1では、配線部241、245の一端部が開口部233内に突出するフライングリード241a、245aとなっている。そして、これらフライングリード241a、245aの先端部に、導電性の固定部材17を介してICチップ4が固定されていると共に、固定部材17を介して接続端子42とフライングリード241a、245aとが電気的に接続されている。なお、固定部材17としては、特に限定されず、例えば、半田等の金属ろう材、金バンプ等の金属バンプ、導電性接着剤等を用いることができる。   As shown in FIGS. 14 and 15, in the electronic device 1 of the present embodiment, one end portions of the wiring portions 241 and 245 are flying leads 241 a and 245 a protruding into the opening portion 233. The IC chip 4 is fixed to the leading ends of the flying leads 241a and 245a via the conductive fixing member 17, and the connection terminal 42 and the flying leads 241a and 245a are electrically connected via the fixing member 17. Connected. The fixing member 17 is not particularly limited. For example, a metal brazing material such as solder, a metal bump such as a gold bump, a conductive adhesive, or the like can be used.

このような第3実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。   Also according to the third embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be exhibited.

<第4実施形態>
図16は、本発明の第4実施形態に係る電子装置を示す断面図である。図17は、図16に示す電子装置の平面図である。
<Fourth embodiment>
FIG. 16 is a cross-sectional view showing an electronic device according to the fourth embodiment of the present invention. 17 is a plan view of the electronic device shown in FIG.

以下、電子装置の第4実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。   Hereinafter, the fourth embodiment of the electronic device will be described. However, the difference from the above-described embodiment will be mainly described, and the description of the same matters will be omitted.

第4実施形態は、ICチップと圧力センサー素子との接続方法が異なる以外は、前述した第1実施形態と同様である。   The fourth embodiment is the same as the first embodiment described above except that the connection method between the IC chip and the pressure sensor element is different.

図16および図17に示すように、本実施形態の電子装置1では、圧力センサー素子3がボンディングワイヤー13、15を介してICチップに直接接続されている。すなわち、圧力センサー素子3は、可撓性配線基板25(配線部241)を介することなく、ICチップ4に接続されている。これにより、配線長を短くすることができ、ノイズの発生を低減することができる。また、装置の小型化を図ることができる。なお、上記のような構成ため、本実施形態では、応力補正用の配線部249に相当する応力補正用端子43がICチップ4の上面に接続端子42と離間して配置されており、この応力補正用端子43と応力補正用端子744とがボンディングワイヤー13で接続されている。   As shown in FIGS. 16 and 17, in the electronic device 1 of the present embodiment, the pressure sensor element 3 is directly connected to the IC chip via bonding wires 13 and 15. That is, the pressure sensor element 3 is connected to the IC chip 4 without passing through the flexible wiring board 25 (wiring part 241). Thereby, the wiring length can be shortened and the generation of noise can be reduced. In addition, the apparatus can be reduced in size. In the present embodiment, the stress correction terminal 43 corresponding to the stress correction wiring portion 249 is disposed on the upper surface of the IC chip 4 so as to be separated from the connection terminal 42 due to the above configuration. The correction terminal 43 and the stress correction terminal 744 are connected by the bonding wire 13.

このような第4実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。   According to the fourth embodiment, the same effect as that of the first embodiment described above can be exhibited.

次に、本発明の電子装置を備える電子機器について説明する。
図18は、本発明の電子機器の一例であるナビゲーションシステムを示す正面図である。
Next, an electronic apparatus provided with the electronic device of the present invention will be described.
FIG. 18 is a front view showing a navigation system as an example of the electronic apparatus of the present invention.

図18に示すように、ナビゲーションシステム300には、図示しない地図情報と、GPS(全地球測位システム:Global Positioning System)からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、電子装置1と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部301とを備えている。   As shown in FIG. 18, the navigation system 300 includes a map information (not shown), position information acquisition means from a GPS (Global Positioning System), a gyro sensor, an acceleration sensor, and vehicle speed data. Means, an electronic device 1, and a display unit 301 for displaying predetermined position information or course information.

このナビゲーションシステムによれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。高度情報を得ることにより、例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には、一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。そこで、本実施形態に係るナビゲーションシステム300では、高度情報を電子装置1によって取得することができ、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出し、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。   According to this navigation system, altitude information can be acquired in addition to the acquired position information. By obtaining altitude information, for example, when traveling on an elevated road that shows approximately the same position as a general road, if you do not have altitude information, you are traveling on an ordinary road or on an elevated road The navigation system was unable to determine whether or not the vehicle was being used, and the general road information was provided to the user as priority information. Therefore, in the navigation system 300 according to the present embodiment, altitude information can be acquired by the electronic device 1, an altitude change due to entering from a general road to an elevated road is detected, and navigation information in the traveling state of the elevated road is obtained. Can be provided to the user.

図19は、本発明の電子機器の一例である高度計を示す斜視図である。
図19に示すように、高度計200は、腕時計のように手首に装着することができる。また、高度計200の内部には、電子装置1が搭載されており、表示部201に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部201には、高度、気圧の他、例えば、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。
FIG. 19 is a perspective view showing an altimeter which is an example of the electronic apparatus of the present invention.
As shown in FIG. 19, the altimeter 200 can be worn on the wrist like a wristwatch. In addition, the electronic device 1 is mounted inside the altimeter 200, and the altitude from the sea level of the current location, the atmospheric pressure of the current location, or the like can be displayed on the display unit 201. In addition to altitude and atmospheric pressure, the display unit 201 can display various information such as the current time, the user's heart rate, and weather.

なお、本発明の電子機器は、上記のものに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、携帯電話、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレーター等に適用することができる。   The electronic apparatus of the present invention is not limited to the above-described ones. For example, a personal computer, a mobile phone, a medical device (for example, an electronic thermometer, a blood pressure monitor, a blood glucose meter, an electrocardiogram measuring device, an ultrasonic diagnostic device, an electronic endoscope, Mirror), various measuring devices, instruments (for example, instruments for vehicles, aircraft, ships), flight simulators, and the like.

次に、本発明の電子装置を備える移動体について説明する。
図20は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
Next, a moving body provided with the electronic device of the present invention will be described.
FIG. 20 is a perspective view showing an example of the moving object of the present invention.

図20に示すように、移動体400は、車体401と、4つの車輪402とを有しており、車体401に設けられた図示しない動力源(エンジン)によって車輪402を回転させるように構成されている。このような移動体400には、ナビゲーションシステム300(電子装置1)が内蔵されている。   As shown in FIG. 20, the moving body 400 has a vehicle body 401 and four wheels 402, and is configured to rotate the wheels 402 by a power source (engine) (not shown) provided in the vehicle body 401. ing. Such a moving body 400 incorporates a navigation system 300 (electronic device 1).

以上、本発明の電子装置、電子装置の製造方法、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。   As mentioned above, although the electronic device, the manufacturing method of the electronic device, the electronic device, and the moving body of the present invention have been described based on the illustrated embodiments, the present invention is not limited thereto, and the configuration of each part is the same. It can be replaced with any configuration having the above function. Moreover, other arbitrary structures and processes may be added. Moreover, you may combine each embodiment suitably.

また、前述した実施形態では、圧力センサー素子が有する圧力センサー部としてピエゾ抵抗素子を用いたものについて説明したが、圧力センサー部としては、これに限定されず、例えば、フラップ型の振動子を用いた構成や、櫛歯電極等の他のMEMS振動子や、水晶振動子等の振動素子を用いることもできる。   In the above-described embodiment, the pressure sensor unit using the piezoresistive element is described as the pressure sensor unit. However, the pressure sensor unit is not limited to this, and for example, a flap-type vibrator is used. It is also possible to use other MEMS vibrators such as comb-shaped electrodes, and vibration elements such as quartz vibrators.

また、前述した実施形態では、圧力センサー素子の下側(パッケージの底部側)にICチップが配置されているが、これらの配置は、特に限定されず、反対に、圧力センサー素子の上側(パッケージの開口側)にICチップが配置されていてもよい。また、前述した実施形態では、圧力センサー素子は、ダイアフラムを下側に向けて配置されているが、反対に、ダイアフラムを上側に向けて配置されていてもよい。   In the above-described embodiment, the IC chip is disposed on the lower side of the pressure sensor element (the bottom side of the package). However, these arrangements are not particularly limited. The IC chip may be disposed on the opening side of the first side. In the above-described embodiment, the pressure sensor element is disposed with the diaphragm facing downward, but conversely, the pressure sensor element may be disposed with the diaphragm facing upward.

また、前述した実施形態では、第2のワイヤーが圧力センサー素子およびICチップのいずれにも電気的に接続されていないが、電子装置の電気的駆動を阻害しない限り、圧力センサー素子およびICチップの少なくとも一方と電気的に接続されていてもよい。このような場合として、例えば、配線部245が配線部249を兼ねている場合が挙げられる。このような構成とすることで、配線部の数を減らすことができるので、その分、装置の小型化等を図ることができる。   In the above-described embodiment, the second wire is not electrically connected to either the pressure sensor element or the IC chip. However, as long as the electric drive of the electronic device is not hindered, the pressure sensor element and the IC chip are not connected. It may be electrically connected to at least one. As such a case, for example, the case where the wiring part 245 also serves as the wiring part 249 can be cited. With such a configuration, the number of wiring portions can be reduced, so that the apparatus can be downsized accordingly.

1……電子装置
11……充填材
13、14、15、16……ボンディングワイヤー
17……固定部材
2……パッケージ
21……ベース
22……ハウジング
23……基材
231……枠部
231a、231b……辺
232……帯体
233……開口部
24……配線
241……配線部
241a、245a……フライングリード
245……配線部
249……配線部
25……可撓性配線基板
26……接着剤層
28……内部空間
3……圧力センサー素子
4……ICチップ
41……半導体回路
42……接続端子
43……応力補正用端子
5……基板
51……半導体基板
511……第1のSi層
512……SiO
513……第2のSi層
52……第1絶縁膜
53……第2絶縁膜
54……ダイアフラム
541……受圧面
55……凹部
6……圧力センサー部
60……ブリッジ回路
61、62、63、64……ピエゾ抵抗素子
611、621、631、641……ピエゾ抵抗部
632、642……接続部
613、623、633、643……配線
7……素子周囲構造体
71、73……層間絶縁膜
72、74……配線層
741……被覆層
742……細孔
743……接続端子
744……応力補正用端子
75……表面保護膜
76……封止層
8……空洞部
200……高度計
201……表示部
300……ナビゲーションシステム
301……表示部
400……移動体
401……車体
402……車輪
O……中心部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic device 11 ... Filler 13, 14, 15, 16 ... Bonding wire 17 ... Fixing member 2 ... Package 21 ... Base 22 ... Housing 23 ... Base material 231 ... Frame part 231a, 231b …… Side 232 …… Strip 233 …… Opening 24 …… Wiring 241 …… Wiring 241a, 245a …… Flying lead 245 …… Wiring 249 …… Wiring 25… Flexible wiring board 26… ... Adhesive layer 28 ... Internal space 3 ... Pressure sensor element 4 ... IC chip 41 ... Semiconductor circuit 42 ... Connection terminal 43 ... Stress correction terminal 5 ... Substrate 51 ... Semiconductor substrate 511 ... No. 1 of Si layer 512 ...... SiO 2 layer 513 ...... second Si layer 52 ...... first insulating film 53 ...... second insulating film 54 ...... diaphragm 541 ...... pressure receiving surface 55 ...... recess 6 ... Pressure sensor part 60 ... Bridge circuit 61, 62, 63, 64 ... Piezoresistive element 611, 621, 631, 641 ... Piezoresistive part 632, 642 ... Connection part 613, 623, 633, 643 ... Wiring 7: Element peripheral structure 71, 73: Interlayer insulating film 72, 74 ... Wiring layer 741 ... Cover layer 742 ... Pore 743 ... Connection terminal 744 ... Stress correction terminal 75 ... Surface protective film 76 …… Sealing layer 8 …… Cavity portion 200 …… Altitude meter 201 …… Display portion 300 …… Navigation system 301 …… Display portion 400 …… Moving body 401 …… Car body 402 …… Wheel O …… Center portion

Claims (15)

配線基板と、
電子部品と、
前記配線基板と前記電子部品とを電気的に接続している第1のワイヤーと、
前記第1のワイヤーによって前記電子部品に生じる応力を調整するように、前記配線基板と前記電子部品とを接続している第2のワイヤーと、を有することを特徴とする電子装置。
A wiring board;
Electronic components,
A first wire that electrically connects the wiring board and the electronic component;
An electronic device comprising: a second wire connecting the wiring board and the electronic component so as to adjust a stress generated in the electronic component by the first wire.
前記第1のワイヤーを複数有し、
平面視にて、前記第1のワイヤーの配置が前記電子部品の中心部に対して非対称である請求項1に記載の電子装置。
A plurality of the first wires;
The electronic device according to claim 1, wherein the arrangement of the first wires is asymmetric with respect to a central portion of the electronic component in a plan view.
前記第2のワイヤーは、前記配線基板と電気的に接続されていない請求項1または2に記載の電子装置。   The electronic device according to claim 1, wherein the second wire is not electrically connected to the wiring board. 前記第2のワイヤーは、前記電子部品と電気的に接続されていない請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電子装置。   The electronic device according to claim 1, wherein the second wire is not electrically connected to the electronic component. 前記配線基板には回路が設けられている請求項1ないし4のいずれか1項に記載の電子装置。   The electronic device according to claim 1, wherein a circuit is provided on the wiring board. 前記電子部品は、ダイアフラムを有する圧力センサー素子である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電子装置。   The electronic device according to claim 1, wherein the electronic component is a pressure sensor element having a diaphragm. 前記第1のワイヤーと前記第2のワイヤーは、同じ金属材料を主材料に含んでいる請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電子装置。   The electronic device according to claim 1, wherein the first wire and the second wire contain the same metal material as a main material. 前記配線基板と前記電子部品は、前記第1のワイヤーおよび前記第2のワイヤーによって直接接続されている請求項1ないし7のいずれか1項に記載の電子装置。   The electronic device according to claim 1, wherein the wiring board and the electronic component are directly connected by the first wire and the second wire. 配線基板と電子部品とを複数の第1のワイヤーおよび複数の第2のワイヤーで接続する工程と、
前記電子部品を測定する工程と、
前記測定する工程での測定結果に基づいて、必要に応じて、前記複数の第2のワイヤーによる接続のうちの少なくとも1つの前記接続を解除する工程と、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
Connecting the wiring board and the electronic component with a plurality of first wires and a plurality of second wires;
Measuring the electronic component;
A step of releasing at least one of the plurality of connections by the second wires based on a measurement result in the measuring step, if necessary. Production method.
前記測定する工程では、前記電子部品の電気的特性を測定する請求項9に記載の電子装置の製造方法。   The method for manufacturing an electronic device according to claim 9, wherein in the measuring step, electrical characteristics of the electronic component are measured. 前記解除する工程では、前記第2のワイヤーを切断する請求項9または10に記載の電子装置の製造方法。   The method of manufacturing an electronic device according to claim 9, wherein in the releasing step, the second wire is cut. 前記解除する工程では、レーザーを用いて前記第2のワイヤーを切断または除去する請求項9ないし11のいずれか1項に記載の電子装置の製造方法。   The method for manufacturing an electronic device according to claim 9, wherein, in the releasing step, the second wire is cut or removed using a laser. 配線基板と電子部品とを複数の第1のワイヤーおよび第2のワイヤーで接続する工程と、
前記電子部品を測定する工程と、
前記測定する工程での測定結果に基づいて、必要に応じて、配線基板と電子部品とを接続する前記第2のワイヤーを追加する工程と、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
Connecting the wiring board and the electronic component with a plurality of first wires and second wires;
Measuring the electronic component;
And a step of adding the second wire for connecting the wiring board and the electronic component, if necessary, based on a measurement result in the measuring step.
請求項1ないし8のいずれか1項に記載の電子装置を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electronic device according to claim 1. 請求項1ないし8のいずれか1項に記載の電子装置を備えていることを特徴とする移動体。   A moving body comprising the electronic device according to claim 1.
JP2014125481A 2014-06-18 2014-06-18 Electronic device, method of manufacturing electronic device, electronic apparatus, and mobile body Withdrawn JP2016003993A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014125481A JP2016003993A (en) 2014-06-18 2014-06-18 Electronic device, method of manufacturing electronic device, electronic apparatus, and mobile body
US14/738,067 US9863828B2 (en) 2014-06-18 2015-06-12 Physical quantity sensor, electronic device, altimeter, electronic apparatus, and mobile object
CN201510337477.3A CN105277172A (en) 2014-06-18 2015-06-17 Physical quantity sensor, electronic device, altimeter, electronic apparatus, and mobile object

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014125481A JP2016003993A (en) 2014-06-18 2014-06-18 Electronic device, method of manufacturing electronic device, electronic apparatus, and mobile body

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016003993A true JP2016003993A (en) 2016-01-12

Family

ID=55223354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014125481A Withdrawn JP2016003993A (en) 2014-06-18 2014-06-18 Electronic device, method of manufacturing electronic device, electronic apparatus, and mobile body

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016003993A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018055953A1 (en) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社鷺宮製作所 Pressure sensor
CN109476476A (en) * 2016-05-20 2019-03-15 应美盛公司 Integrated package containing MEMS acoustic sensor and pressure sensor
US11987494B2 (en) 2020-11-24 2024-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wire-bond damper for shock absorption

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006250550A (en) * 2005-03-08 2006-09-21 Omron Corp Sensor
JP2008235487A (en) * 2007-03-19 2008-10-02 Oki Electric Ind Co Ltd Electronic component, method for manufacturing electronic component, acceleration sensor, and method for manufacturing acceleration sensor
JP2009264820A (en) * 2008-04-23 2009-11-12 Panasonic Corp Inertial force sensor
US20100271787A1 (en) * 2009-03-30 2010-10-28 Martin Holzmann Sensor module

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006250550A (en) * 2005-03-08 2006-09-21 Omron Corp Sensor
JP2008235487A (en) * 2007-03-19 2008-10-02 Oki Electric Ind Co Ltd Electronic component, method for manufacturing electronic component, acceleration sensor, and method for manufacturing acceleration sensor
JP2009264820A (en) * 2008-04-23 2009-11-12 Panasonic Corp Inertial force sensor
US20100271787A1 (en) * 2009-03-30 2010-10-28 Martin Holzmann Sensor module

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109476476A (en) * 2016-05-20 2019-03-15 应美盛公司 Integrated package containing MEMS acoustic sensor and pressure sensor
WO2018055953A1 (en) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社鷺宮製作所 Pressure sensor
JP2018048965A (en) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社鷺宮製作所 Pressure sensor
US11987494B2 (en) 2020-11-24 2024-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wire-bond damper for shock absorption
KR20240112795A (en) * 2020-11-24 2024-07-19 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Wire-bond damper for shock absorption
US12358783B2 (en) 2020-11-24 2025-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wire-bond damper for shock absorption
KR102857790B1 (en) 2020-11-24 2025-09-09 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Wire-bond damper for shock absorption

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9863828B2 (en) Physical quantity sensor, electronic device, altimeter, electronic apparatus, and mobile object
JP2016003977A (en) Physical quantity sensor device, altimeter, electronic apparatus, and mobile body
US20160209285A1 (en) Pressure sensor, method of manufacturing pressure sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object
US20170089789A1 (en) Pressure sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object
US20160258828A1 (en) Pressure sensor, portable apparatus, electronic apparatus, and moving object
JP2017151064A (en) Electronic device, altimeter, electronic equipment, and moving body
JP2015068800A (en) Pressure sensor, electronic device, and mobile body
CN107084817A (en) Waterproof component, manufacturing method of waterproof component, pressure sensor, and electronic module
JP2016003993A (en) Electronic device, method of manufacturing electronic device, electronic apparatus, and mobile body
US20180266910A1 (en) Pressure sensor, pressure sensor module, electronic apparatus, and vehicle
US20180252607A1 (en) Pressure sensor, pressure sensor module, electronic apparatus, and vehicle
JP2018112433A (en) Pressure sensor, electronic apparatus, and movable body
JP2015230237A (en) Physical quantity sensor, altimeter, electronic equipment and mobile object
US20180266907A1 (en) Pressure sensor, pressure sensor module, electronic apparatus, and vehicle
JP6340940B2 (en) Pressure sensor, altimeter, electronic equipment and mobile
JP2016133401A (en) Pressure sensor, pressure sensor manufacturing method, altimeter, electronic device, and moving object
JP2016133398A (en) Pressure sensor, pressure sensor manufacturing method, altimeter, electronic device, and moving object
JP2015179001A (en) Physical quantity sensor, altimeter, electronic equipment and mobile object
JP2018048974A (en) Pressure sensor, pressure sensor module and electronic equipment
JP2015143634A (en) Pressure sensor, altimeter, electronic apparatus and movable body
JP2019128291A (en) Pressure sensor module, electronic apparatus, and movable body
JP2016138872A (en) Pressure sensor element, pressure sensor, altimeter, electronic device and moving object
JP2018004463A (en) Physical quantity sensor, altimeter, electronic apparatus, and mobile body
JP2015121513A (en) Physical quantity detection sensor, altimeter, electronic apparatus and movable body
JP2015143633A (en) PHYSICAL QUANTITY SENSOR CHIP, ALTimeter, ELECTRONIC DEVICE, MOBILE BODY AND MANUFACTURING METHOD FOR PHYSICAL QUANTITY SENSOR CHIP

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170509

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180220

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20180417