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JP2016092088A - Optical module - Google Patents

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JP2016092088A
JP2016092088A JP2014222311A JP2014222311A JP2016092088A JP 2016092088 A JP2016092088 A JP 2016092088A JP 2014222311 A JP2014222311 A JP 2014222311A JP 2014222311 A JP2014222311 A JP 2014222311A JP 2016092088 A JP2016092088 A JP 2016092088A
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楠 謝
Nan Xie
楠 謝
俊一 内田
Shunichi Uchida
俊一 内田
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Fibest Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical module which inhibits changes of optical output relative to temperature fluctuation.SOLUTION: The optical module according to an embodiment includes: a transparent member; a base member; and support members disposed between the transparent member and the base member. The transparent member has: a laser beam incidence surface; an emission surface facing the incidence surface; and a first surface connecting the incidence surface with the emission surface. The base member is provided on the first surface side of the transparent member.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

実施形態は、光モジュールに関する。   Embodiments relate to an optical module.

WDM(Wavelength Division Multiplexing)方式の光通信システムに用いられる光モジュールの用途が拡大している。これに対応するために、様々な機能を集積化した光モジュールが求められている。例えば、複数の半導体レーザもしくは受光素子と、光合波器と、を内蔵した光モジュールは、大容量デジタル通信の送受信機として重要な役割を果たすであろう。しかしながら、光合波器などの光機能デバイスの小型化には限界がある。例えば、光合波器を搭載した光モジュールはサイズが大きく、その温度調整に多くの電力を消費する。   Applications of optical modules used in WDM (Wavelength Division Multiplexing) optical communication systems are expanding. In order to cope with this, an optical module in which various functions are integrated is required. For example, an optical module incorporating a plurality of semiconductor lasers or light receiving elements and an optical multiplexer will play an important role as a transceiver for large-capacity digital communication. However, there is a limit to miniaturization of optical functional devices such as optical multiplexers. For example, an optical module equipped with an optical multiplexer is large in size and consumes a large amount of power to adjust its temperature.

特開2005−249966号公報JP 2005-249966 A

実施形態は、温度変動に対する光出力の変化を抑制した光モジュールを提供する。   Embodiments provide an optical module that suppresses changes in optical output with respect to temperature fluctuations.

実施形態に係る光モジュールは、透明部材と、ベース部材と、前記透明部材と前記ベース部材との間に配置された複数の支持部材と、を備える。前記透明部材は、レーザ光の入射面と、前記入射面に対向する出射面と、前記入射面と前記出射面とをつなぐ第1面と、を有する。ベース部材は、前記透明部材の前記第1面側に設けられる。   The optical module according to the embodiment includes a transparent member, a base member, and a plurality of support members disposed between the transparent member and the base member. The transparent member has an incident surface for laser light, an exit surface facing the entrance surface, and a first surface connecting the entrance surface and the exit surface. The base member is provided on the first surface side of the transparent member.

実施形態によれば、温度変動に対する光出力の変化を抑制した光モジュールを実現することができる。   According to the embodiment, it is possible to realize an optical module that suppresses a change in optical output with respect to temperature fluctuation.

第1実施形態に係る光モジュールを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the optical module which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る光モジュールを示す別の模式図である。It is another schematic diagram which shows the optical module which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る光モジュールの特性を表すグラフである。It is a graph showing the characteristic of the optical module which concerns on 1st Embodiment. 比較例に係る光モジュールを示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows the optical module which concerns on a comparative example. 比較例に係る光モジュールの特性を表すグラフである。It is a graph showing the characteristic of the optical module which concerns on a comparative example. 比較例に係る光モジュールの別の特性を表すグラフである。It is a graph showing another characteristic of the optical module which concerns on a comparative example. 比較例に係る光モジュールの他の特性を表すグラフである。It is a graph showing the other characteristic of the optical module which concerns on a comparative example. 第1実施形態に係る光モジュールの別の特性を表すグラフである。It is a graph showing another characteristic of the optical module which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る光モジュールを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the optical module which concerns on 2nd Embodiment.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the same parts in the drawings are denoted by the same reference numerals, detailed description thereof will be omitted as appropriate, and different parts will be described as appropriate.

[第1実施形態]
図1は、第1実施形態に係る光モジュール1を示す模式図である。図1(a)は、光モジュール1の断面を表し、図1(b)は、各部品の配置を表す平面図である。
[First embodiment]
FIG. 1 is a schematic diagram showing an optical module 1 according to the first embodiment. FIG. 1A shows a cross section of the optical module 1, and FIG. 1B is a plan view showing the arrangement of components.

光モジュール1は、複数の半導体レーザ10と、透明部材20と、を備える。ここで、「透明」とは、半導体レーザから出射されるレーザ光を透過することを意味する。また、レーザ光を100%透過する場合に限定される訳ではなく、その一部を吸収しても良い。   The optical module 1 includes a plurality of semiconductor lasers 10 and a transparent member 20. Here, “transparent” means transmitting laser light emitted from the semiconductor laser. Further, the present invention is not limited to the case where 100% of the laser beam is transmitted, and a part of the laser beam may be absorbed.

透明部材20は、例えば、光合波器であり、複数の半導体レーザの出射光を合波した光を出射する。透明部材20は、レーザ光の入射面21と、入射面21に対向する出射面23と、を有する。また、透明部材20は、入射面21と出射面23とをつなぐ第1面25と、第1面25とは反対側の第2面27と、を有する。透明部材20には、例えば、石英などのガラス材を用いる。   The transparent member 20 is, for example, an optical multiplexer, and emits light obtained by combining the emitted light of a plurality of semiconductor lasers. The transparent member 20 includes a laser light incident surface 21 and an output surface 23 that faces the incident surface 21. The transparent member 20 includes a first surface 25 that connects the incident surface 21 and the emission surface 23, and a second surface 27 that is opposite to the first surface 25. For the transparent member 20, for example, a glass material such as quartz is used.

半導体レーザ10および透明部材20は、例えば、金属ケース50に収容される。金属ケース50は、ベース板51と、枠53と、蓋55と、を有する。ベース板51には、例えば、銅タングステン(CuW)を用いる。枠53には、例えば、コバールを用いる。枠53において、透明部材20の出射面23に対向する部分には、レーザ光を透過する窓57が設けられる。   The semiconductor laser 10 and the transparent member 20 are accommodated in a metal case 50, for example. The metal case 50 includes a base plate 51, a frame 53, and a lid 55. For the base plate 51, for example, copper tungsten (CuW) is used. For the frame 53, for example, Kovar is used. A window 57 that transmits laser light is provided in a portion of the frame 53 that faces the emission surface 23 of the transparent member 20.

図1(a)に示すように、ベース板51の上に、レーザホルダ13と、ベース部材30と、が配置される。半導体レーザ10は、その出射光が透明部材20の入射面に入射するようにレーザホルダ13の上にマウントされる。レーザホルダ13は、半導体レーザ10に電気的に接続された配線(図示しない)を含む。また、レーザホルダ13は、温度調節デバイス、例えば、ペルチェ素子を含んでも良い。   As shown in FIG. 1A, the laser holder 13 and the base member 30 are disposed on the base plate 51. The semiconductor laser 10 is mounted on the laser holder 13 so that the emitted light is incident on the incident surface of the transparent member 20. The laser holder 13 includes wiring (not shown) that is electrically connected to the semiconductor laser 10. The laser holder 13 may include a temperature adjustment device, for example, a Peltier element.

透明部材20は、ベース部材30の上に載置される。ベース部材30には、例えば、アルミナまたは窒化アルミニウムなどのセラミック材を用いる。また、ベース部材30は、金属でも良い。   The transparent member 20 is placed on the base member 30. For the base member 30, for example, a ceramic material such as alumina or aluminum nitride is used. The base member 30 may be a metal.

透明部材20と、ベース部材30と、の間には、複数の支持部材40が配置される。支持部材40は、透明部材20を安定に支持するために、好ましくは、3つ以上配置する。支持部材40には、例えば、アルミナまたは窒化アルミニウムなどのセラミック材を用いる。   A plurality of support members 40 are disposed between the transparent member 20 and the base member 30. In order to stably support the transparent member 20, three or more support members 40 are preferably disposed. For the support member 40, for example, a ceramic material such as alumina or aluminum nitride is used.

また、実施形態に上記の例に限定される訳ではなく、例えば、ベース部材30を用いることなく、ベース板51の上に支持部材40を介して透明部材20を配置しても良い。   Further, the embodiment is not limited to the above example. For example, the transparent member 20 may be disposed on the base plate 51 via the support member 40 without using the base member 30.

図1(b)に示すように、この例では、4つの半導体レーザ10a〜10dが配置される。ただし、半導体レーザの数は、任意でありこの例には限定されない。半導体レーザ10a〜10dから出射されるレーザ光の波長は、それぞれ異なる。   As shown in FIG. 1B, in this example, four semiconductor lasers 10a to 10d are arranged. However, the number of semiconductor lasers is arbitrary and is not limited to this example. The wavelengths of the laser beams emitted from the semiconductor lasers 10a to 10d are different.

透明部材20の入射面21上には、半導体レーザ10a〜10dのそれぞれに対向する4つのバンドパスフィルタ13a〜13dが設けられる。半導体レーザ10aに対向するバンドパスフィルタ13aは、半導体レーザ10aから出射されるレーザ光を透過し、他の半導体レーザ10b〜10cから出射されるレーザ光を反射する。   On the incident surface 21 of the transparent member 20, four band pass filters 13 a to 13 d facing the semiconductor lasers 10 a to 10 d are provided. The band pass filter 13a facing the semiconductor laser 10a transmits the laser light emitted from the semiconductor laser 10a and reflects the laser light emitted from the other semiconductor lasers 10b to 10c.

一方、透明部材20の出射面23の上には、部分的に反射防止膜17が設けられる。反射防止膜17は、例えば、バンドパスフィルタ13aに対向する部分に設けられる。これにより、半導体レーザ10aから出射されるレーザ光は、バンドパスフィルタ13a、透明部材20および反射防止膜17を通過して、枠53に設けられた窓57から外部に出射される。   On the other hand, an antireflection film 17 is partially provided on the emission surface 23 of the transparent member 20. The antireflection film 17 is provided, for example, at a portion facing the band pass filter 13a. As a result, the laser light emitted from the semiconductor laser 10 a passes through the bandpass filter 13 a, the transparent member 20, and the antireflection film 17, and is emitted to the outside from the window 57 provided in the frame 53.

透明部材20の出射面23の他の部分には、反射膜15が設けられる。半導体レーザ10b〜10dから出射されたレーザ光は、透明部材20の内部において、反射膜15とバンドパスフィルタ13a〜13dの間で多重反射を繰り返し、最終的に反射防止膜17が設けられた部分から出射し、窓57から外部に出射される。   A reflective film 15 is provided on the other part of the emission surface 23 of the transparent member 20. The laser light emitted from the semiconductor lasers 10b to 10d repeats multiple reflections between the reflection film 15 and the band-pass filters 13a to 13d inside the transparent member 20, and is finally provided with the antireflection film 17 The light is emitted from the window 57 and emitted from the window 57 to the outside.

このように、半導体レーザ10a〜10dから出射されるレーザ光は、透明部材20において合波される。透明部材20の中における各レーザ光の伝播距離は、レーザ光の入射位置が反射防止膜17が設けられた部分から離れるほど長くなる。すなわち、半導体レーザ10dから出射されるレーザ光の伝播距離が最も長くなる。   Thus, the laser beams emitted from the semiconductor lasers 10a to 10d are combined in the transparent member 20. The propagation distance of each laser beam in the transparent member 20 becomes longer as the incident position of the laser beam becomes farther from the portion where the antireflection film 17 is provided. That is, the propagation distance of the laser light emitted from the semiconductor laser 10d is the longest.

図2は、第1実施形態に係る光モジュール1を示す別の模式図である。図2(a)は、光モジュール1の部品配置を表す平面図であり、図2(b)は、透明部材20の支持構造を表す部分断面である。   FIG. 2 is another schematic diagram showing the optical module 1 according to the first embodiment. FIG. 2A is a plan view showing the component arrangement of the optical module 1, and FIG. 2B is a partial cross section showing the support structure of the transparent member 20.

図2(a)に示すように、支持部材40は、例えば、透明部材20の下に4つ配置される。前述したように、3つ以上の支持部材40を配置することにより、透明部材20を安定して保持することができる。また、図2(a)に示す支持部材40の形状は、四角形であるが、これに限定される訳ではない。例えば、円形であっても良い。また、支持部材40の形状により、2つの支持部材であっても透明部材20を安定に保持できる場合がある。例えば、入射面21もしくは出射面23に沿って延びる2つの支持部材40を配置しても良い。   As shown in FIG. 2A, for example, four support members 40 are arranged under the transparent member 20. As described above, the transparent member 20 can be stably held by arranging three or more support members 40. Moreover, although the shape of the support member 40 shown to Fig.2 (a) is a square, it is not necessarily limited to this. For example, it may be circular. Further, depending on the shape of the support member 40, the transparent member 20 may be stably held even with two support members. For example, two support members 40 extending along the entrance surface 21 or the exit surface 23 may be disposed.

図2(b)に示すように、ベース部材30は、接着層33を介してベース板51の上に固定される。さらに、支持部材40は、接着層43(第1接着層)を介してベース部材30の上に固定される。透明部材20は、接着層45(第2接着層)を介して支持部材40に接続される。接着層33、43および45には、例えば、銀(Ag)ペーストもしくはエポキシ系樹脂を含む接着剤を用いることができる。
複数の支持部材40の相互の間隔Wは、透明部材20の第1面25に平行な方向の支持部材40の幅Wよりも広くすることが好ましい。
As shown in FIG. 2B, the base member 30 is fixed on the base plate 51 via the adhesive layer 33. Further, the support member 40 is fixed on the base member 30 via the adhesive layer 43 (first adhesive layer). The transparent member 20 is connected to the support member 40 via the adhesive layer 45 (second adhesive layer). For the adhesive layers 33, 43, and 45, for example, an adhesive containing a silver (Ag) paste or an epoxy resin can be used.
The interval W 1 between the plurality of support members 40 is preferably wider than the width W 2 of the support member 40 in the direction parallel to the first surface 25 of the transparent member 20.

図3は、第1実施形態に係る光モジュール1の特性を表すグラフである。横軸は、ケース温度であり、縦軸は、光モジュール1から出力されるレーザ光のパワーPfである。出力パワーPfは、25℃における出力パワーに対する相対値として示されている。以下に示す他のグラフについても同じである。   FIG. 3 is a graph showing characteristics of the optical module 1 according to the first embodiment. The horizontal axis represents the case temperature, and the vertical axis represents the laser light power Pf output from the optical module 1. The output power Pf is shown as a relative value with respect to the output power at 25 ° C. The same applies to other graphs shown below.

図3に示す特性は、半導体レーザ10dから出射されるレーザ光の出力特性である。すなわち、透明部材20中における伝播距離が最も長いレーザ光の出力特性であり、例えば、温度変化よる透明部材20の歪み等に最も影響され易い。図3に示すように、光モジュール1の出力変動は、−5℃から75℃の温度範囲において、2dB以下に抑制されている。   The characteristic shown in FIG. 3 is the output characteristic of the laser beam emitted from the semiconductor laser 10d. That is, it is an output characteristic of laser light having the longest propagation distance in the transparent member 20, and is most easily influenced by, for example, distortion of the transparent member 20 due to temperature change. As shown in FIG. 3, the output fluctuation of the optical module 1 is suppressed to 2 dB or less in the temperature range of −5 ° C. to 75 ° C.

図4は、比較例に係る光モジュール2を示す模式断面図である。図4に示すように、光モジュール2では、透明部材20は、ベース部材60の上に直接載置される。また、透明部材20は、図示しない接着層(Agペースト)を介してベース部材60の上に固定される。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an optical module 2 according to a comparative example. As shown in FIG. 4, in the optical module 2, the transparent member 20 is placed directly on the base member 60. Moreover, the transparent member 20 is fixed on the base member 60 through an adhesive layer (Ag paste) (not shown).

図5〜図7に光モジュール2a〜2cの特性を示す。各図の(a)は、部品配置を表す平面図であり、(b)は、光モジュール2a〜2cの出力特性を表すグラフである。各図に示す光モジュール2は、透明部材20と、ベース部材60と、の間に設けられる接着層の位置もしくは大きさが異なる。また、各図の(b)は、半導体レーザ10dから出射されるレーザ光の出力特性であり、同時に透明部材20中の伝播特性を表している。   5 to 7 show the characteristics of the optical modules 2a to 2c. (A) of each figure is a top view showing component arrangement | positioning, (b) is a graph showing the output characteristic of optical module 2a-2c. In the optical module 2 shown in each drawing, the position or size of the adhesive layer provided between the transparent member 20 and the base member 60 is different. Moreover, (b) of each figure is an output characteristic of the laser beam emitted from the semiconductor laser 10d, and also represents a propagation characteristic in the transparent member 20 at the same time.

図5(a)に示す光モジュール2aでは、透明部材20と、ベース部材60と、の間に4つの接着層61が設けられる。
図5(b)に示すように、光モジュール2aの出力は、低温側および高温側の両方で低下する。−5℃から75℃の温度範囲における出力変動の幅は、9dBを超える。
In the optical module 2 a shown in FIG. 5A, four adhesive layers 61 are provided between the transparent member 20 and the base member 60.
As shown in FIG. 5B, the output of the optical module 2a decreases on both the low temperature side and the high temperature side. The range of the output fluctuation in the temperature range of −5 ° C. to 75 ° C. exceeds 9 dB.

図6(a)に示す光モジュール2bでは、透明部材20と、ベース部材60と、の間に接着層63が設けられる。接着層63は、透明部材20の中央に1つ設けられる。
図6(b)に示すように、光モジュール2aの出力は、高温側で大きく低下する。−5℃から75℃の温度範囲における出力変動の幅は、約8dBである。
In the optical module 2 b shown in FIG. 6A, an adhesive layer 63 is provided between the transparent member 20 and the base member 60. One adhesive layer 63 is provided at the center of the transparent member 20.
As shown in FIG. 6B, the output of the optical module 2a greatly decreases on the high temperature side. The range of the output fluctuation in the temperature range of −5 ° C. to 75 ° C. is about 8 dB.

図7(a)に示す光モジュール2cでは、透明部材20と、ベース部材60と、の間に接着層65が設けられる。接着層65は、透明部材20の中央に1つ設けられ、接着層63よりも小さい。
図7(b)に示すように、光モジュール2cの出力は、低温側で約2dB低下するが、高温側の変化が抑制されている。−5℃から75℃の温度範囲における出力変動の幅は、約2dBである。
In the optical module 2 c shown in FIG. 7A, an adhesive layer 65 is provided between the transparent member 20 and the base member 60. One adhesive layer 65 is provided in the center of the transparent member 20 and is smaller than the adhesive layer 63.
As shown in FIG. 7B, the output of the optical module 2c decreases by about 2 dB on the low temperature side, but the change on the high temperature side is suppressed. The range of the output fluctuation in the temperature range of −5 ° C. to 75 ° C. is about 2 dB.

このように、光モジュール2の出力特性は、透明部材20と、ベース部材60と、の間の接着層の配置もしくは大きさに依存する。そして、光モジュール2の出力の温度変化は、透明部材20の中央に小さい接着層65を配置した場合に最も抑制される。しかしながら、透明部材20の中央において、透明部材20とベース部材60とを接着層65により接続する構成では、接着強度の低下が懸念される。すなわち、光モジュール2cの剥離による信頼性の低下を招く恐れがある。   Thus, the output characteristics of the optical module 2 depend on the arrangement or size of the adhesive layer between the transparent member 20 and the base member 60. And the temperature change of the output of the optical module 2 is most suppressed when the small contact bonding layer 65 is arrange | positioned in the center of the transparent member 20. FIG. However, in the configuration in which the transparent member 20 and the base member 60 are connected by the adhesive layer 65 at the center of the transparent member 20, there is a concern that the adhesive strength is reduced. That is, there is a risk that reliability may be reduced due to the peeling of the optical module 2c.

図7(b)の光モジュール2cの出力特性と、図3の光モジュール1の出力特性を比較すると、光モジュール1の出力変動は2dB以下であり、光モジュール2cよりもさらに温度変化が抑制されていることが分かる。また、光モジュール1の支持部材40の配置は、光モジュール2aの接着層61の配置と同じであるが、光出力の変動は大幅に抑制されている。   When the output characteristics of the optical module 2c in FIG. 7B and the output characteristics of the optical module 1 in FIG. 3 are compared, the output fluctuation of the optical module 1 is 2 dB or less, and the temperature change is further suppressed as compared with the optical module 2c. I understand that Further, the arrangement of the support member 40 of the optical module 1 is the same as the arrangement of the adhesive layer 61 of the optical module 2a, but the fluctuation of the optical output is greatly suppressed.

図8は、半導体レーザ10a〜10dから出射されたレーザ光のそれぞれの出力特性を示すグラフである。図8(a)は、光モジュール1の特性を示しており、図8(b)は、光モジュール2の特性を表している。図8(a)および図8(b)において、半導体レーザ10aから出射されるレーザ光の出力特性はLaであり、半導体レーザ10b〜10dから出射されるレーザ光の出力特性は、それぞれLb〜Ldである。   FIG. 8 is a graph showing output characteristics of the laser beams emitted from the semiconductor lasers 10a to 10d. FIG. 8A shows the characteristics of the optical module 1, and FIG. 8B shows the characteristics of the optical module 2. 8A and 8B, the output characteristics of the laser beam emitted from the semiconductor laser 10a is La, and the output characteristics of the laser beams emitted from the semiconductor lasers 10b to 10d are Lb to Ld, respectively. It is.

図8(a)に示すように、光モジュール1では、高温側において光出力がやや低下するが、その変動幅は、2dB以下である。また、半導体レーザ10a〜10cから出射されるレーザ光の出力特性における変動幅は1dBに抑えられている。   As shown in FIG. 8A, in the optical module 1, the light output slightly decreases on the high temperature side, but the fluctuation range is 2 dB or less. Further, the fluctuation range in the output characteristics of the laser light emitted from the semiconductor lasers 10a to 10c is suppressed to 1 dB.

図8(b)に示す光モジュール2は、図7に示す光モジュール2cとは別のサンプルであるが、半導体レーザ10a〜10dのそれぞれの伝播特性の変動幅は、2dB以下に抑えられている。しかしながら、各レーザ光の温度変化の傾向は区々である。すなわち、半導体レーザ10dから出射されるレーザ光の出力(Ld)は、低温側および高温側の両方で低下している。一方、半導体レーザ10bから出射されるレーザ光の出力(Lb)は、低温側で低下し、高温側で上昇する。結果として、光モジュール2の出力変動の幅は、2dBを超えている。   The optical module 2 shown in FIG. 8B is a sample different from the optical module 2c shown in FIG. 7, but the fluctuation width of each of the propagation characteristics of the semiconductor lasers 10a to 10d is suppressed to 2 dB or less. . However, the temperature change tendency of each laser beam varies. That is, the output (Ld) of the laser beam emitted from the semiconductor laser 10d is decreased on both the low temperature side and the high temperature side. On the other hand, the output (Lb) of the laser beam emitted from the semiconductor laser 10b decreases on the low temperature side and increases on the high temperature side. As a result, the output fluctuation width of the optical module 2 exceeds 2 dB.

このように、本実施形態に係る光モジュール1では、動作環境の温度変化に対する出力の変化を抑制することができる。また、光モジュール1では、透明部材20と、ベース部材30と、の間に複数の支持部材40が配置される。これにより、透明部材20の接着強度を向上させることができる。すなわち、本実施形態では、光出力の温度変化を抑制した信頼性の高い光モジュール1を実現することができる。   Thus, in the optical module 1 according to the present embodiment, it is possible to suppress changes in output with respect to temperature changes in the operating environment. In the optical module 1, a plurality of support members 40 are disposed between the transparent member 20 and the base member 30. Thereby, the adhesive strength of the transparent member 20 can be improved. That is, in this embodiment, it is possible to realize a highly reliable optical module 1 that suppresses a temperature change in optical output.

[第2実施形態]
図9は、第2実施形態に係る光モジュール3を示す模式図である。図9(a)は、光モジュール3を表す断面図である。図9(b)は、透明部材20の支持構造の一例を表す部分断面部である。
[Second Embodiment]
FIG. 9 is a schematic diagram showing the optical module 3 according to the second embodiment. FIG. 9A is a cross-sectional view illustrating the optical module 3. FIG. 9B is a partial cross-sectional portion showing an example of a support structure for the transparent member 20.

図9(a)に示すように、光モジュール3では、透明部材20は、ベース部材70の上に載置される。ベース部材70は、透明部材20側の表面に複数の凸部71を有する。透明部材20は、図示しない接着層を介して凸部71の上に固定される。   As shown in FIG. 9A, in the optical module 3, the transparent member 20 is placed on the base member 70. The base member 70 has a plurality of convex portions 71 on the surface on the transparent member 20 side. The transparent member 20 is fixed on the convex portion 71 through an adhesive layer (not shown).

ベース部材70には、例えば、アルミナもしくは窒化アルミニウムなどのセラミック材を用いることができる。ベース部材70は、金属であっても良い。また、凸部71の相互の間隔は、透明部材20の第1面25に平行な方向の凸部71の幅よりも広いことが好ましい。   For the base member 70, for example, a ceramic material such as alumina or aluminum nitride can be used. The base member 70 may be a metal. Moreover, it is preferable that the mutual space | interval of the convex part 71 is wider than the width | variety of the convex part 71 of the direction parallel to the 1st surface 25 of the transparent member 20. FIG.

図9(b)に示すように、ベース部材70は、ベース板51の上に接着層73を介して固定される。凸部71は、図9(a)に示すような一体構造でも良いが、複数の突起75を含む構造でも良い。突起75の高さHは、透明部材20の第1面25に平行な方向の幅Wよりも高いことが好ましい。 As shown in FIG. 9B, the base member 70 is fixed on the base plate 51 via an adhesive layer 73. The convex portion 71 may have an integrated structure as shown in FIG. 9A, or may have a structure including a plurality of protrusions 75. The height H 1 of the protrusion 75 is preferably higher than the width W 3 in the direction parallel to the first surface 25 of the transparent member 20.

透明部材20は、接着層77を介して複数の突起75の上に固定される。接着層73および77には、例えば、Agペーストもしくはエポキシ系樹脂を含む接着剤を用いることができる。   The transparent member 20 is fixed on the plurality of protrusions 75 via the adhesive layer 77. For the adhesive layers 73 and 77, for example, an adhesive containing Ag paste or epoxy resin can be used.

光モジュール3では、ベース部材70に突起を設けることにより、透明部材20とベース部材70との間に生ずる応力を軽減し、透明部材の歪みを抑制する。これにより、光出力の温度変化を抑制することができる。   In the optical module 3, by providing a protrusion on the base member 70, stress generated between the transparent member 20 and the base member 70 is reduced, and distortion of the transparent member is suppressed. Thereby, the temperature change of optical output can be suppressed.

上記の実施形態では、複数の半導体レーザと、合波器と、を備える発光モジュールについて説明したが、これに限定される訳ではない。例えば、分波器と、複数の受光素子と、を備える受光モジュールに適用することも可能である。   In the above embodiment, a light emitting module including a plurality of semiconductor lasers and a multiplexer has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a light receiving module including a duplexer and a plurality of light receiving elements.

以上、本発明に係る一実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、出願時の技術水準に基づいて、当業者がなし得る設計変更や、材料の変更等、本発明と技術的思想を同じとする実施態様も本発明の技術的範囲に含有される。   As mentioned above, although this invention was demonstrated with reference to one embodiment which concerns on this invention, this invention is not limited to these embodiment. For example, embodiments that have the same technical idea as the present invention, such as design changes and material changes that can be made by those skilled in the art based on the technical level at the time of filing, are also included in the technical scope of the present invention.

1〜3…光モジュール、 10…半導体レーザ、 13…レーザホルダ、 13a〜13d…バンドパスフィルタ、 15…反射膜、 17…反射防止膜、 20…透明部材、 21…入射面、 23…出射面、 25…第1面、 27…第2面、 30、60、70…ベース部材、 33、43、45、61、63、65、73、77…接着層、 40…支持部材、 50…金属ケース、 51…ベース板、 53…枠、 55…蓋、 57…窓、 71…凸部、 75…突起   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1-3 ... Optical module, 10 ... Semiconductor laser, 13 ... Laser holder, 13a-13d ... Band pass filter, 15 ... Reflection film, 17 ... Antireflection film, 20 ... Transparent member, 21 ... Incident surface, 23 ... Output surface 25 ... 1st surface, 27 ... 2nd surface, 30, 60, 70 ... Base member, 33, 43, 45, 61, 63, 65, 73, 77 ... Adhesive layer, 40 ... Support member, 50 ... Metal case 51 ... Base plate, 53 ... Frame, 55 ... Lid, 57 ... Window, 71 ... Projection, 75 ... Projection

Claims (5)

レーザ光の入射面と、前記入射面に対向する出射面と、前記入射面と前記出射面とをつなぐ第1面と、を有する透明部材と、
前記透明部材の前記第1面側に設けられたベース部材と、
前記透明部材と、前記ベース部材と、の間に配置された複数の支持部材と、
を備えた光モジュール。
A transparent member having an incident surface of laser light, an exit surface facing the entrance surface, and a first surface connecting the entrance surface and the exit surface;
A base member provided on the first surface side of the transparent member;
A plurality of support members disposed between the transparent member and the base member;
With optical module.
前記複数の支持部材のそれぞれと、前記ベース部材と、の間に設けられた第1接着層と、
前記複数の支持部材のそれぞれと、前記透明部材と、の間に設けられた第2接着層と、
をさらに備えた請求項1記載の光モジュール。
A first adhesive layer provided between each of the plurality of support members and the base member;
A second adhesive layer provided between each of the plurality of support members and the transparent member;
The optical module according to claim 1, further comprising:
前記透明部材と、前記ベース部材と、の間に、少なくとも3つの支持部材を配置した請求項1または2に記載の光モジュール。   The optical module according to claim 1, wherein at least three support members are disposed between the transparent member and the base member. 前記透明部材は、前記入射面上に設けられた複数のバンドパスフィルタを有し、前記出射面の一部に反射防止膜を有する請求項1〜3のいずれか1つに記載の光モジュール。   The optical module according to claim 1, wherein the transparent member includes a plurality of bandpass filters provided on the incident surface, and includes an antireflection film on a part of the emission surface. レーザ光の入射面と、前記入射面に対向する出射面と、前記入射面と前記出射面とをつなぐ第1面と、を有する透明部材と、
前記透明部材の前記第1面に向かって突出した複数の凸部を有するベース部材と、
前記透明部材と、前記複数の凸部のそれぞれと、の間に配置された接着層と、
を備えた光モジュール。
A transparent member having an incident surface of laser light, an exit surface facing the entrance surface, and a first surface connecting the entrance surface and the exit surface;
A base member having a plurality of protrusions protruding toward the first surface of the transparent member;
An adhesive layer disposed between the transparent member and each of the plurality of convex portions;
With optical module.
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