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JP2016089674A - Igniter and vehicle - Google Patents

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JP2016089674A
JP2016089674A JP2014223096A JP2014223096A JP2016089674A JP 2016089674 A JP2016089674 A JP 2016089674A JP 2014223096 A JP2014223096 A JP 2014223096A JP 2014223096 A JP2014223096 A JP 2014223096A JP 2016089674 A JP2016089674 A JP 2016089674A
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gate
power transistor
circuit
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JP2014223096A
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雄也 大部
Yuya Obe
雄也 大部
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an igniter, capable of soft shut off with a small circuit scale.SOLUTION: A voltage comparator 302 compares a voltage V, which corresponds to an ignition signal IGT, to a reference voltage V, and generates a determination signal S. An overvoltage protection element 206 is provided between the gate and the emitter of a power transistor 204. A soft shut off circuit 320 becomes enable state if assert level state of a determination signal Scontinues over predetermined energization protection time T, and in the enable state, the circuit makes output of a driving stage 300B high impedance, and supplies a correction current Ito the gate of the power transistor 204.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、エンジンの点火プラグと接続されるイグニッションコイルを制御するイグナイタに関する。   The present invention relates to an igniter that controls an ignition coil connected to an ignition plug of an engine.

図1は、ガソリンエンジン車(以下、単に車両ともいう)100のエンジンルーム101の斜視図である。エンジンルーム101には、エンジン110、吸気マニホールド112、エアクリーナ113、ラジエータ114、バッテリ102などが収容される。図1には4気筒エンジンが示される。   FIG. 1 is a perspective view of an engine room 101 of a gasoline engine vehicle (hereinafter also simply referred to as a vehicle) 100. The engine room 101 accommodates an engine 110, an intake manifold 112, an air cleaner 113, a radiator 114, a battery 102, and the like. FIG. 1 shows a four-cylinder engine.

エンジン110には、気筒ごとにプラグホール(不図示)が設けられ、プラグホールには、点火プラグ(不図示)が挿入される。エンジン110の各気筒には、エアクリーナ113、吸気マニホールド112を経由した空気と、図示しない燃料タンクからの燃料との混合気体が供給される。点火プラグを適切なタイミングで点火(スパーク)させることで、エンジンが始動、回転する。   The engine 110 is provided with a plug hole (not shown) for each cylinder, and a spark plug (not shown) is inserted into the plug hole. Each cylinder of the engine 110 is supplied with a mixed gas of air that passes through the air cleaner 113 and the intake manifold 112 and fuel from a fuel tank (not shown). The engine is started and rotated by igniting (sparking) the spark plug at an appropriate timing.

図2は、車両100rの電気系統の一部のブロック図である。車両100rの電気系統は、バッテリ102、イグニッションコイル104、点火プラグ106、ECU108、イグナイタ200を備える。ECU108は、点火プラグ106の点火タイミングを指示する点火信号IGTを、エンジン110の回転と同期して周期的に発生する。イグニッションコイル104の2次コイルL2は点火プラグ106と接続される。イグナイタ200は、点火信号IGTに応じてイグニッションコイル104の1次コイルL1の電流を制御することにより、2次コイルL2に数十kVもの高電圧を発生させ、点火プラグ106を放電させて、エンジン110内の混合気を爆発させる。   FIG. 2 is a block diagram of a part of the electric system of the vehicle 100r. The electric system of the vehicle 100r includes a battery 102, an ignition coil 104, a spark plug 106, an ECU 108, and an igniter 200. ECU 108 periodically generates an ignition signal IGT instructing the ignition timing of ignition plug 106 in synchronization with the rotation of engine 110. The secondary coil L2 of the ignition coil 104 is connected to the spark plug 106. The igniter 200 controls the current of the primary coil L1 of the ignition coil 104 in accordance with the ignition signal IGT, thereby generating a high voltage of several tens of kV in the secondary coil L2 and discharging the spark plug 106 to The air-fuel mixture in 110 is exploded.

イグナイタ200は、スイッチ素子202およびスイッチ制御装置300rを備える。スイッチ素子202はたとえばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であり、そのコレクタは1次コイルL1と接続され、そのエミッタは接地される。スイッチ制御装置300rは、点火信号IGTに応じてスイッチ素子202の制御端子(ゲート)の電圧を制御し、スイッチ素子202のオン、オフを制御する。具体的にはスイッチ制御装置300rは、点火信号IGTがハイレベルの期間、スイッチ素子202をオン状態とする。スイッチ素子202がオンすると、1次コイルL1の両端間にバッテリ電圧VBATが印加され、1次コイルL1に流れる電流が時間とともに増大する。点火信号IGTがローレベルに遷移すると、スイッチ制御装置300rはスイッチ素子202を瞬時にターンオフさせ、1次コイルL1の電流IL1を遮断する。このとき1次コイルL1には、電流IL1の時間微分に比例した数百Vもの1次電圧VL1(=L・dIL1/dt)が発生する。このとき2次コイルL2には、1次電圧VL1に巻線比を乗じた数十kVもの2次電圧Vが発生する。 The igniter 200 includes a switch element 202 and a switch control device 300r. Switch element 202 is, for example, an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), the collector of which is connected to primary coil L1, and the emitter of which is grounded. The switch control device 300r controls the voltage of the control terminal (gate) of the switch element 202 according to the ignition signal IGT, and controls the on / off of the switch element 202. Specifically, the switch control device 300r turns on the switch element 202 while the ignition signal IGT is at a high level. When switch element 202 is turned on, battery voltage VBAT is applied across both ends of primary coil L1, and the current flowing through primary coil L1 increases with time. When the ignition signal IGT is changed to a low level, the switch control unit 300r is turning off the switch element 202 instantaneously interrupts the current I L1 of the primary coil L1. At this time, a primary voltage V L1 (= L · dI L1 / dt) of several hundred volts proportional to the time differentiation of the current I L1 is generated in the primary coil L1. At this time, a secondary voltage V S of several tens of kV obtained by multiplying the primary voltage V L1 by the winding ratio is generated in the secondary coil L2.

スイッチ制御装置300rは、主として判定ステージ300Aと、駆動ステージ300Bを備える。判定ステージ300Aは、ECU108からの点火信号IGTを受け、そのレベル(ハイ・ロー)を判定する。たとえば判定ステージ300Aは、入力ライン301の電圧VINを所定の基準電圧VREFと比較し、ハイ・ロー2値の判定信号SDETを生成する電圧コンパレータ302を含む。 The switch control device 300r mainly includes a determination stage 300A and a drive stage 300B. The determination stage 300A receives the ignition signal IGT from the ECU 108, and determines its level (high / low). For example determination stage 300A includes a voltage comparator 302 that the voltage V IN of the input line 301 is compared with a predetermined reference voltage V REF, and generates a determination signal S DET of the high-low binary.

駆動ステージ300Bは、判定信号SDETに応じて、スイッチ素子202のオン、オフを切りかえる。遅延回路304は、判定信号SDETに所定の遅延を与える。この遅延量は、点火信号IGTの遷移と点火プラグの放電の時間の時間差(遅れ)が所定値となるように設定される。プリドライバ306およびゲートドライバ308は、遅延回路304の出力に応じてスイッチ素子202のゲート電圧を制御する。 Driving stage 300B in response to the determination signal S DET, it switches on the switching element 202, and off. The delay circuit 304 gives a predetermined delay to the determination signal SDET . This delay amount is set so that the time difference (delay) between the transition of the ignition signal IGT and the discharge time of the spark plug becomes a predetermined value. The pre-driver 306 and the gate driver 308 control the gate voltage of the switch element 202 according to the output of the delay circuit 304.

特開2011−185165号公報JP 2011-185165 A 特開2014−051904号公報JP 2014-051904 A

ECU108が正常動作する際には、点火信号IGTは、ハイレベルとなった後、適切な時間の経過後にローレベルに遷移し、点火プラグ106が点火する。ところがECU108に何らかの異常が生ずると、点火信号IGTがローレベルに遷移せずにハイレベルを維持し続け、スイッチ素子202がオンし続ける。これにより、スイッチ素子202の発熱が大きくなったり、イグニッションコイル104の1次コイルL1に大電流が流れるといった問題が生じうる。   When the ECU 108 operates normally, the ignition signal IGT changes to a low level after an appropriate time has elapsed after the ignition signal IGT has become a high level, and the ignition plug 106 is ignited. However, if any abnormality occurs in the ECU 108, the ignition signal IGT does not transition to the low level and continues to maintain the high level, and the switch element 202 continues to be turned on. As a result, problems may arise such that the heat generated by the switch element 202 increases and a large current flows through the primary coil L1 of the ignition coil 104.

この問題を解決するために、通電保護回路310が設けられる。通電保護回路310は、点火信号IGTがハイレベルに遷移してから所定の通電保護時間Tが経過すると強制的にスイッチ素子202をオフし、点火プラグ106を点火させるものである。図3(a)は、通電保護回路310の動作を説明する波形図である。点火信号IGTがハイレベルに遷移するとスイッチ素子202がターンオンし、コイル電流(IGBTのコレクタ電流)Iが増大する。通電保護回路310にはタイマーが内蔵され、タイマーは、点火信号IGT(判定信号SDET)がハイレベルである時間を測定する。そしてタイマーのカウント値が通電保護時間Tに対応する設定値(##)に達すると、スイッチ素子202を強制オフし、コイル電流Iを遮断する。この場合、コイル電流Iの強制遮断により、イグニッションコイル104の2次コイルL2の電圧(2次電圧V)が大きく変化し、点火プラグ106が点火することとなる。 In order to solve this problem, an energization protection circuit 310 is provided. Energization protection circuit 310, an ignition signal IGT is turned off forcibly switching element 202 with a predetermined energization protection time from the transition to the high level T P has elapsed, in which ignites the spark plug 106. FIG. 3A is a waveform diagram for explaining the operation of the energization protection circuit 310. Ignition signal IGT is turned on switching elements 202 transits to the high level, (the collector current of the IGBT) coil current I C is increased. The energization protection circuit 310 includes a timer, and the timer measures the time during which the ignition signal IGT (determination signal S DET ) is at a high level. And when the set value is reached the count value of the timer corresponds to the energization protection time T P (##), to force off the switch element 202, to cut off the coil current I C. In this case, the forced interruption of the coil current I C, greatly changes the voltage of the secondary coil L2 of the ignition coil 104 (secondary voltage V S) is, the spark plug 106 is to be ignited.

エンジンやECUの種類によっては、スイッチ素子202の強制オフにともなう点火プラグ106の点火が好ましくない場合がある。この場合、図3(b)に示すように、通電保護時間Tの経過後にスイッチ素子202を緩やかにオフさせ、コイル電流Iを緩やかに減少させるソフトシャットオフ機能が要求される。 Depending on the type of engine or ECU, ignition of the spark plug 106 when the switch element 202 is forcibly turned off may not be preferable. In this case, as shown in FIG. 3 (b), gently off the switch element 202 after a power protection time T P, soft shutoff function to reduce the coil current I C slowly is required.

通電保護にともなうスイッチ素子202のターンオフによる点火を防止するためには、コイル電流Iを数十ms〜数百msもの長い時間スケールTSSOで減少させる必要があり、そのためにはスイッチ素子202のゲート電圧を、ハイレベル電圧(たとえば5V)からローレベル電圧(0V)まで、数十ms〜数百msの時間スケールで低下させる必要がある。 To prevent ignition by turning off the switching element 202 with the current protection, it is necessary to reduce the coil current I C tens ms~ several hundred ms ones over a timescale T SSO, the switching element 202 for the It is necessary to reduce the gate voltage from a high level voltage (for example, 5 V) to a low level voltage (0 V) on a time scale of several tens ms to several hundreds ms.

ところが、このような長い時定数を生成するためには、数十MΩもの高抵抗が必要であり、あるいは数nFものキャパシタが必要となる。これらの素子はスイッチ制御装置300rの半導体チップに集積化することはサイズの観点から現実的でなく、外付けの追加のチップ部品が必要となり、コスト増加、面積増加の要因となる。   However, in order to generate such a long time constant, a high resistance of several tens of MΩ is required, or a capacitor of several nF is required. Integration of these elements in the semiconductor chip of the switch control device 300r is not realistic from the viewpoint of size, and requires an additional external chip component, which causes an increase in cost and area.

本発明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、小さな回路規模でソフトシャットオフが可能なイグナイタの提供にある。   The present invention has been made in view of the above problems, and one of the exemplary purposes of an embodiment thereof is to provide an igniter capable of soft shut-off with a small circuit scale.

本発明のある態様は、イグナイタに関する。イグナイタは、イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じてスイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、を備える。スイッチ素子は、パワートランジスタと、パワートランジスタのゲートエミッタ間に設けられた過電圧保護素子と、を含む。スイッチ制御装置は、点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、判定信号がスイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、判定信号がスイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、判定信号がアサートレベルである状態が、所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、イネーブル状態において、駆動ステージの出力をハイインピーダンスとするとともに、パワートランジスタのゲートに補正電流を供給するソフトシャットオフ回路と、を含む。   One embodiment of the present invention relates to an igniter. The igniter includes a switch element connected to the primary coil of the ignition coil, and a switch control device that controls the switch element in accordance with an ignition signal from an ECU (Engine Control Unit). The switch element includes a power transistor and an overvoltage protection element provided between the gate emitter of the power transistor. The switch control device compares the voltage according to the ignition signal with a reference voltage, generates a determination signal, and when the determination signal is an assert level corresponding to ON of the switch element, the gate of the power transistor is at a high level. When a voltage is applied and the determination signal is at a negate level corresponding to turning off of the switch element, a drive stage that applies a low level voltage to the gate of the power transistor and a state in which the determination signal is at the assert level are predetermined energization protection And a soft shut-off circuit that is in an enable state when it lasts for a period of time and in which the output of the drive stage has a high impedance and supplies a correction current to the gate of the power transistor.

この態様によると、過電圧保護素子のリーク電流によってゲート容量(寄生容量)を放電することにより、大容量キャパシタや高抵抗を外付けすることなく小さな回路規模で、十分に長い時定数でゲート電圧を低下させることができ、点火を伴わないソフトシャットオフを実現できる。また実効的な放電電流は、リーク電流と補正電流の差分となるため、補正電流により時定数を調節できる。
ゲート、エミッタ、コレクタは便宜的な名称であり、パワートランジスタの種類に応じて、それぞれベース、ソース、ドレインと読み替えればよい。
According to this aspect, by discharging the gate capacitance (parasitic capacitance) due to the leakage current of the overvoltage protection element, the gate voltage can be reduced with a sufficiently long time constant with a small circuit scale without externally attaching a large capacitance capacitor or high resistance. The soft shut-off without ignition can be realized. Further, since the effective discharge current is the difference between the leak current and the correction current, the time constant can be adjusted by the correction current.
Gate, emitter, and collector are convenient names, and may be read as base, source, and drain, respectively, depending on the type of power transistor.

過電圧保護素子は、逆直列接続されたダイオードペア(Anti-Series Diode Pair)を含んでもよい。
これにより、パワートランジスタのゲートソース間のサージ耐圧を、正、負両方に関して高めることができる。
過電圧保護素子は、直列に接続される複数のダイオードペアを含んでもよい。
The overvoltage protection element may include an anti-series diode pair connected in anti-series.
Thereby, the surge withstand voltage between the gate and source of the power transistor can be increased in both positive and negative.
The overvoltage protection element may include a plurality of diode pairs connected in series.

ソフトシャットオフ回路は、イネーブル状態においてオン状態となり、オン状態において補正電流をパワートランジスタのゲートに供給する電流源を含んでもよい。   The soft shut-off circuit may include a current source that is turned on in the enable state and supplies a correction current to the gate of the power transistor in the on state.

補正電流は、イグニッションコイルに供給されるバッテリ電圧が大きいほど、大きくてもよい。バッテリ電圧が高いほど、パワートランジスタの発熱量が増加し、パワートランジスタの温度が上昇する。保護素子のリーク電流は正の温度特性を有するため、温度上昇にともない補正電流を増大させることで、時定数のばらつきを抑えることができる。   The correction current may be larger as the battery voltage supplied to the ignition coil is larger. The higher the battery voltage, the greater the amount of heat generated by the power transistor and the higher the temperature of the power transistor. Since the leakage current of the protection element has a positive temperature characteristic, variation in time constant can be suppressed by increasing the correction current as the temperature rises.

補正電流は、イグナイタの周囲温度が高いほど、大きくてもよい。イグナイタの周囲温度が高いほど、パワートランジスタの温度のベースラインも高くなる。保護素子のリーク電流は正の温度特性を有するため、温度が高いほど補正電流を増大させることで、時定数のばらつきを抑えることができる。   The correction current may be larger as the ambient temperature of the igniter is higher. The higher the igniter ambient temperature, the higher the power transistor temperature baseline. Since the leakage current of the protective element has a positive temperature characteristic, variation in time constant can be suppressed by increasing the correction current as the temperature increases.

駆動ステージは、電源ラインと接地ラインの間に直列に設けられたハイサイドトランジスタおよびローサイドトランジスタを含むゲートドライバと、判定信号に応じてハイサイドトランジスタおよびローサイドトランジスタのオン、オフを制御するプリドライバと、を含んでもよい。ソフトシャットオフ回路は、イネーブル状態において、ハイサイドトランジスタを利用して補正電流を供給してもよい。
この場合、ハイサイドトランジスタを補正電流を生成する電流源として利用できるため、回路規模を小さくできる。
The driving stage includes a gate driver including a high-side transistor and a low-side transistor provided in series between a power supply line and a ground line, and a pre-driver that controls on / off of the high-side transistor and the low-side transistor according to a determination signal , May be included. The soft shut-off circuit may supply the correction current using the high side transistor in the enabled state.
In this case, since the high side transistor can be used as a current source for generating a correction current, the circuit scale can be reduced.

イグナイタは、パワートランジスタに流れるコイル電流に応じた検出電圧を生成する電流検出回路をさらに備えてもよい。スイッチ制御装置は、検出電圧が所定のしきい値電圧を超えないようにパワートランジスタのゲート電圧を調節する過電流保護回路をさらに含んでもよい。過電流保護回路は、ソフトシャットオフ回路のイネーブル状態において、無効化されてもよい。
過電流保護回路を設けることにより、スイッチ素子のオンが長時間持続した場合に、コイル電流(パワートランジスタのコレクタ電流)を所定レベルでクランプし、上昇し続けるのを防止できる。また過電流保護回路を、ソフトシャットオフ回路がイネーブル状態の間、無効化することで、過電流保護回路によってゲート電圧が調節されて放電の時定数が変化するのを防止できる。
The igniter may further include a current detection circuit that generates a detection voltage corresponding to the coil current flowing through the power transistor. The switch control device may further include an overcurrent protection circuit that adjusts the gate voltage of the power transistor so that the detection voltage does not exceed a predetermined threshold voltage. The overcurrent protection circuit may be disabled in the enable state of the soft shutoff circuit.
By providing the overcurrent protection circuit, it is possible to prevent the coil current (the collector current of the power transistor) from being clamped at a predetermined level and continuously rising when the switch element is kept on for a long time. Further, by disabling the overcurrent protection circuit while the soft shut-off circuit is enabled, it is possible to prevent the gate voltage from being adjusted by the overcurrent protection circuit and changing the discharge time constant.

電流検出回路は、パワートランジスタのエミッタと接地ラインの間に設けられた電流検出抵抗を含み、電流検出抵抗の電圧降下が検出電圧であってもよい。過電流保護回路は、電流検出抵抗と並列に設けられ、ソフトシャットオフ回路のイネーブル状態においてオン、ディセーブル状態でオフとなる第1トランジスタを含んでもよい。
これにより、ソフトシャットオフ回路のイネーブル状態では、第1トランジスタをオンすることで電流検出抵抗の電圧降下に対応する検出値が実質的にゼロとなるため、過電流保護を無効化できる。また電流検出抵抗をバイパスすることで、電流検出抵抗が時定数に影響を及ぼすのを防止できる。
The current detection circuit may include a current detection resistor provided between the emitter of the power transistor and the ground line, and the voltage drop of the current detection resistor may be the detection voltage. The overcurrent protection circuit may include a first transistor that is provided in parallel with the current detection resistor and is turned on in the enable state of the soft shutoff circuit and turned off in the disabled state.
Thereby, in the enable state of the soft shut-off circuit, the detection value corresponding to the voltage drop of the current detection resistor becomes substantially zero by turning on the first transistor, so that the overcurrent protection can be invalidated. By bypassing the current detection resistor, it is possible to prevent the current detection resistor from affecting the time constant.

電流検出抵抗は、チップ部品であってもよいし、ボンディングワイヤの抵抗成分であってもよいし、スイッチ制御装置のICに集積化された抵抗であってもよい。   The current detection resistor may be a chip component, a resistance component of a bonding wire, or a resistor integrated in an IC of the switch control device.

過電流保護回路は、パワートランジスタのゲートと接地ラインの間に設けられた第2トランジスタと、検出電圧をしきい値電圧と比較し、検出電圧がしきい値電圧を超えると第2トランジスタをオンするコンパレータと、を含んでもよい。
この態様によれば、コイル電流があるしきい値レベルを超えると、第2トランジスタがオンし、ゲート電圧を低下させてコイル電流を減少させることができる。
The overcurrent protection circuit compares the detection voltage with the second transistor provided between the gate of the power transistor and the ground line and turns on the second transistor when the detection voltage exceeds the threshold voltage. And a comparator for performing.
According to this aspect, when the coil current exceeds a certain threshold level, the second transistor is turned on, and the gate voltage can be lowered to reduce the coil current.

ソフトシャットオフ回路は、判定信号がネゲートレベルに遷移するとディセーブル状態となってもよい。これにより、通常動作時には補正電流をゼロとして無駄な消費電力を低減できる。   The soft shut-off circuit may be disabled when the determination signal transitions to the negate level. Thereby, the wasteful power consumption can be reduced by setting the correction current to zero during normal operation.

ソフトシャットオフ回路は、判定信号がアサートレベルに遷移するとカウント動作を開始するカウンタを含み、カウンタのカウント値が通電保護時間に対応する設定値となると、イネーブル状態となってもよい。   The soft shut-off circuit may include a counter that starts a count operation when the determination signal transitions to the assert level, and may be enabled when the count value of the counter reaches a set value corresponding to the energization protection time.

本発明の別の態様もまた、イグナイタに関する。このイグナイタは、イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じてスイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、を備える。スイッチ素子は、パワートランジスタと、パワートランジスタのゲートエミッタ間に逆直列接続されたダイオードペアと、を含む。スイッチ制御装置は、点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、判定信号がスイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、判定信号がスイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、判定信号がアサートレベルである状態が所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、イネーブル状態において駆動ステージの出力をハイインピーダンスとするとともに、パワートランジスタのゲートの電荷を、ダイオードペアを介して放電することにより、パワートランジスタのゲート電圧を緩やかに低下せしめるソフトシャットオフ回路と、を備える。   Another aspect of the invention also relates to an igniter. The igniter includes a switch element connected to the primary coil of the ignition coil, and a switch control device that controls the switch element in accordance with an ignition signal from an ECU (Engine Control Unit). The switch element includes a power transistor and a diode pair connected in reverse series between the gate emitter of the power transistor. The switch control device compares the voltage according to the ignition signal with a reference voltage, generates a determination signal, and when the determination signal is an assert level corresponding to ON of the switch element, the gate of the power transistor is at a high level. When a voltage is applied and the determination signal is at a negate level corresponding to turning off of the switch element, a drive stage that applies a low level voltage to the gate of the power transistor, and a state in which the determination signal is at the assert level is a predetermined energization protection time In the enable state, the output of the drive stage becomes high impedance, and the gate voltage of the power transistor is gently lowered by discharging the power transistor gate charge through the diode pair. Shut-off times And, equipped with a.

本発明のさらに別の態様もまた、イグナイタに関する。このイグナイタは、イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じてスイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、を備える。スイッチ素子は、パワートランジスタと、パワートランジスタのゲートエミッタ間に逆直列接続されたダイオードペアと、を含む。スイッチ制御装置は、点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、判定信号がスイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、判定信号がスイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、判定信号がアサートレベルである状態が所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、イネーブル状態において駆動ステージからパワートランジスタのゲートに補正電流を供給することにより、パワートランジスタのゲートの電荷を、ダイオードペアのリーク電流と補正電流との差分電流で放電することにより、パワートランジスタのゲート電圧を緩やかに低下せしめるソフトシャットオフ回路と、を備える。   Yet another aspect of the invention also relates to an igniter. The igniter includes a switch element connected to the primary coil of the ignition coil, and a switch control device that controls the switch element in accordance with an ignition signal from an ECU (Engine Control Unit). The switch element includes a power transistor and a diode pair connected in reverse series between the gate emitter of the power transistor. The switch control device compares the voltage according to the ignition signal with a reference voltage, generates a determination signal, and when the determination signal is an assert level corresponding to ON of the switch element, the gate of the power transistor is at a high level. When a voltage is applied and the determination signal is at a negate level corresponding to turning off of the switch element, a drive stage that applies a low level voltage to the gate of the power transistor and a state in which the determination signal is at the assert level is a predetermined energization protection time In the enable state, a correction current is supplied from the drive stage to the gate of the power transistor to discharge the charge of the gate of the power transistor with a differential current between the leakage current of the diode pair and the correction current. The power transistor gate Comprising a soft shutoff circuit allowed to lower the voltage slowly, the.

スイッチ制御装置は、ひとつの半導体基板に一体集積化されてもよい。
「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。
The switch control device may be integrated on a single semiconductor substrate.
“Integrated integration” includes the case where all of the circuit components are formed on a semiconductor substrate and the case where the main components of the circuit are integrated. A resistor, a capacitor, or the like may be provided outside the semiconductor substrate.

本発明の別の態様は、車両に関する。車両は、ガソリンエンジンと、点火プラグと、1次コイルと、点火プラグと接続される2次コイルと、を有するイグニッションコイルと、点火プラグの点火を指示する点火信号を生成するECUと、点火信号に応じてイグニッションコイルを駆動する上述のいずれかのイグナイタと、を備えてもよい。   Another aspect of the present invention relates to a vehicle. The vehicle includes an ignition coil having a gasoline engine, an ignition plug, a primary coil, and a secondary coil connected to the ignition plug, an ECU that generates an ignition signal instructing ignition of the ignition plug, an ignition signal The above-described igniter that drives the ignition coil according to the above may be provided.

なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや、本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。   It should be noted that any combination of the above-described constituent elements, and those in which constituent elements and expressions of the present invention are mutually replaced between methods, apparatuses, systems, and the like are also effective as an aspect of the present invention.

本発明のある態様によれば、小さな回路規模でソフトシャットオフを実現できる。   According to an aspect of the present invention, soft shutoff can be realized with a small circuit scale.

ガソリンエンジン車のエンジンルームの斜視図である。It is a perspective view of the engine room of a gasoline engine car. 車両の電気系統の一部のブロック図である。It is a block diagram of a part of electric system of vehicles. 図3(a)は、通電保護回路の動作を説明する波形図であり、図3(b)はソフトシャットオフを説明する図である。FIG. 3A is a waveform diagram for explaining the operation of the energization protection circuit, and FIG. 3B is a diagram for explaining soft shut-off. 実施の形態に係るイグナイタの回路図である。It is a circuit diagram of the igniter which concerns on embodiment. 図5(a)〜(d)は、スイッチ素子202の構成例を示す回路図である。5A to 5D are circuit diagrams illustrating configuration examples of the switch element 202. FIG. 図4のイグナイタの動作波形図である。FIG. 5 is an operation waveform diagram of the igniter of FIG. 4. ソフトシャットオフ回路がイネーブル状態であるときのイグナイタの等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of an igniter when the soft shut-off circuit is in an enable state. スイッチ制御装置の第1の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the 1st structural example of a switch control apparatus. スイッチ制御装置の第2の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the 2nd structural example of a switch control apparatus. 図10(a)、(b)は、パワートランジスタのジャンクション温度Tの時間変化を示す図である。FIGS. 10A and 10B are diagrams showing the time change of the junction temperature TJ of the power transistor. 補正電流Iの、周囲温度Ta依存性およびバッテリ電圧VBATの依存性の一例を示す図である。The correction current I S, is a view showing an example of the dependence of the ambient temperature Ta dependence and the battery voltage V BAT. 図12(a)、(b)は、ソフトシャットオフ回路およびゲートドライバの変形例を示す回路図である。12A and 12B are circuit diagrams showing modifications of the soft shut-off circuit and the gate driver.

以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。   The present invention will be described below based on preferred embodiments with reference to the drawings. The same or equivalent components, members, and processes shown in the drawings are denoted by the same reference numerals, and repeated descriptions are omitted as appropriate. The embodiments do not limit the invention but are exemplifications, and all features and combinations thereof described in the embodiments are not necessarily essential to the invention.

本明細書において、「部材Aと部材Bが接続」された状態とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合や、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
In this specification, “the state in which the member A and the member B are connected” means that the member A and the member B are physically directly connected, or the member A and the member B are in an electrically connected state. Including the case of being indirectly connected through other members that do not affect the above.
Similarly, “the state in which the member C is provided between the member A and the member B” refers to the case where the member A and the member C or the member B and the member C are directly connected, as well as an electrical condition. It includes the case of being indirectly connected through another member that does not affect the connection state.

図4は、実施の形態に係るイグナイタ200の回路図である。イグナイタ200は、その入力端子INにECU108からの点火信号IGTを受け、点火信号IGTに応じて、その出力端子OUTに接続されるイグニッションコイル104の1次コイルL1の電流(コイル電流、あるいはコレクタ電流という)を制御する。   FIG. 4 is a circuit diagram of the igniter 200 according to the embodiment. The igniter 200 receives the ignition signal IGT from the ECU 108 at its input terminal IN, and in response to the ignition signal IGT, the current (coil current or collector current) of the primary coil L1 of the ignition coil 104 connected to its output terminal OUT. Control).

イグナイタ200は、スイッチ素子202およびスイッチ制御装置300を備え、モジュール化されてひとつのパッケージに収容される。スイッチ制御装置300の基本構成は図1のそれと同じであり、判定ステージ300A、駆動ステージ300Bを備え、ひとつの半導体基板に一体集積化された機能ICである。   The igniter 200 includes a switch element 202 and a switch control device 300, and is modularized and accommodated in one package. The basic configuration of the switch control device 300 is the same as that of FIG. 1, and is a functional IC that includes a determination stage 300A and a drive stage 300B and is integrated on a single semiconductor substrate.

スイッチ素子202は、パワートランジスタ204、保護素子206、208を備え、高耐圧プロセスで製造されるひとつの半導体基板に集積化されている。パワートランジスタ204は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)である。パワートランジスタ204のコレクタCはOUT端子と接続され、そのエミッタEはGND(接地)端子と接続される。なおパワートランジスタ204としてMOSFETを用いてもよく、この場合、エミッタをソース、コレクタをドレインと読み替えればよい。   The switch element 202 includes a power transistor 204 and protection elements 206 and 208, and is integrated on one semiconductor substrate manufactured by a high breakdown voltage process. The power transistor 204 is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). The collector C of the power transistor 204 is connected to the OUT terminal, and the emitter E thereof is connected to the GND (ground) terminal. A MOSFET may be used as the power transistor 204. In this case, the emitter may be read as the source and the collector as the drain.

保護素子206は、過電圧保護を目的としてパワートランジスタ204のゲートエミッタ間に設けられる。たとえば保護素子206は、パワートランジスタ204のゲートエミッタ間に逆直列接続されたダイオードペアD1、D2を含んでもよい。この場合、ゲートエミッタ間に正の過電圧(サージノイズ)が印加された場合、ゲートエミッタ間電圧VGEは、BV+Vにてクランプされる。またゲートエミッタ間に負の過電圧が印加された場合、ゲートエミッタ間電圧VGEは、−BV−Vにてクランプされる。BVはダイオードの逆降伏電圧であり、Vは順方向電圧である。 The protection element 206 is provided between the gate and emitter of the power transistor 204 for the purpose of overvoltage protection. For example, the protection element 206 may include a diode pair D1 and D2 connected in reverse series between the gate and emitter of the power transistor 204. In this case, if the positive over-voltage (surge noise) is applied between the gate-emitter, gate-emitter voltage V GE is clamped by BV + V F. Also when a negative overvoltage is applied between the gate emitter, gate-emitter voltage V GE is clamped at -BV-V F. BV is the reverse breakdown voltage of the diode, V F is the forward voltage.

スイッチ制御装置300は、判定ステージ300A、駆動ステージ300Bおよびソフトシャットオフ回路320を備えて、ひとつの半導体基板に集積化された機能ICである。   The switch control device 300 includes a determination stage 300A, a drive stage 300B, and a soft shut-off circuit 320, and is a functional IC integrated on one semiconductor substrate.

判定ステージ300Aは、電圧コンパレータ302を備える。入力ライン301には、ECU108からの点火信号IGTが入力される。電圧コンパレータ302の前段には、入力ライン301の高周波ノイズを除去する高周波フィルタが挿入されてもよい。   The determination stage 300A includes a voltage comparator 302. An ignition signal IGT from the ECU 108 is input to the input line 301. A high-frequency filter that removes high-frequency noise in the input line 301 may be inserted before the voltage comparator 302.

電圧コンパレータ302は、入力ライン301の電圧VINを基準電圧VREFと比較し、判定信号SDETを生成する。本実施の形態ではVIN>VREFの状態が、スイッチ素子202のオンに、VIN<VREFの状態が、スイッチ素子202のオフに対応づけられる。また、判定信号SDETは、VIN>VREFのとき、ハイレベル(アサート)、VIN<VREFのときローレベル(ネゲート)であり、したがって、判定信号SDETのハイレベルは、スイッチ素子202のオンに対応するアサートレベルであり、判定信号SDETのローレベルは、スイッチ素子202のオフに対応するネゲートレベルである。なお、ハイレベル、ローレベルとアサート、ネゲートの割り当ては設計事項であり、入れかえてもよい。 Voltage comparator 302, the voltage V IN of the input line 301 is compared with the reference voltage V REF, and generates a determination signal S DET. In the present embodiment, the state of V IN > V REF is associated with the switch element 202 being on, and the state of V IN <V REF is associated with the switch element 202 being off. The determination signal S DET when the V IN> V REF, a high level (asserted), low level when V IN <V REF (negated), therefore, the high level of the determination signal S DET, the switch element 202 is asserted level corresponding to oN, the low level of the determination signal S DET is a negated level corresponding to the oFF of the switch element 202. Note that the assignment of high level, low level and assert, and negate is a design matter and may be replaced.

駆動ステージ300Bは、判定ステージ300Aにより生成された判定信号SDETに応じて、スイッチ素子202のオン、オフを制御する。駆動ステージ300Bは判定信号SDETがスイッチ素子202のオンに対応するアサートレベル(ハイレベル)であるとき、パワートランジスタ204のゲートGにハイレベル電圧Vを印加し、判定信号SDETがスイッチ素子202のオフに対応するネゲートレベル(ローレベル)であるとき、パワートランジスタ204のゲートGにローレベル電圧Vを印加する。ハイレベル電圧Vは、たとえば5V、ローレベル電圧Vは接地電圧VGND(=0V)である。スイッチ制御装置300は、バッテリ電圧VBATを受け、安定化してハイレベル電圧Vを生成するレギュレータを含んでもよい。 Driving stage 300B in response to the determination signal S DET generated by the decision stage 300A, and controls on of the switch element 202, off. When driving stage 300B is the determination signal S DET is asserted level corresponding to ON of the switching element 202 (high level), a high-level voltage V H is applied to the gate G of the power transistor 204, the determination signal S DET switch element When it is at the negate level (low level) corresponding to turning off 202, the low level voltage V L is applied to the gate G of the power transistor 204. The high level voltage V H is, for example, 5 V, and the low level voltage V L is the ground voltage V GND (= 0 V). The switch control device 300 may include a regulator that receives the battery voltage V BAT and stabilizes it to generate the high level voltage V H.

駆動ステージ300Bは、遅延回路304、プリドライバ306、ゲートドライバ308を含む。遅延回路304は、判定信号SDETに所定の遅延を与える。この遅延量は、点火信号IGTの遷移と点火プラグの放電の時間の時間差(遅れ)が所定値となるように設定される。ゲートドライバ308は、GATE端子を介して、パワートランジスタ204のゲートGにハイレベル電圧Vを出力する状態φ、ローレベル電圧Vを出力する状態φが切りかえ可能となっている。プリドライバ306は、遅延された判定信号SDET’に応じて、ゲートドライバ308の状態を制御する。ゲートドライバ308は、上記の2つの状態φ、φに加えて、その出力がハイインピーダンスとなる状態(ハイインピーダンス状態という)φHZが切りかえ可能に構成される。 The drive stage 300B includes a delay circuit 304, a pre-driver 306, and a gate driver 308. The delay circuit 304 gives a predetermined delay to the determination signal SDET . This delay amount is set so that the time difference (delay) between the transition of the ignition signal IGT and the discharge time of the spark plug becomes a predetermined value. The gate driver 308 through a GATE terminal has become the gate G of the power transistor 204 state phi H for outputting a high level voltage V H, the state phi L that outputs a low level voltage V L is switched. The pre-driver 306 controls the state of the gate driver 308 according to the delayed determination signal S DET '. In addition to the two states φ H and φ L described above, the gate driver 308 is configured to be able to switch a state φ HZ in which the output becomes high impedance (referred to as high impedance state).

ソフトシャットオフ回路320は、判定信号SDETがアサートレベルである状態が、所定の通電保護時間Tにわたり持続するとイネーブル状態となる。ソフトシャットオフ回路320はイネーブル状態において、ゲートドライバ308を状態φからハイインピーダンス状態φに切りかえ、駆動ステージ300Bの出力をハイインピーダンスとする。またソフトシャットオフ回路320は、イネーブル状態において、パワートランジスタ204のゲートGに補正電流ICMPを供給する。 Soft shutoff circuit 320, the state determination signal S DET is asserted level becomes the enable state when sustained for a predetermined energization protection time T P. Soft shutoff circuit 320 in an enabled state, switching the gate driver 308 from the state phi H in a high impedance state phi Z, the output of the drive stage 300B a high impedance. The soft shut-off circuit 320 supplies the correction current ICMP to the gate G of the power transistor 204 in the enabled state.

たとえばソフトシャットオフ回路320は、判定信号SDETのポジティブエッジを契機として時間測定を開始するタイマー回路を含み、タイマー回路で計測した時間が通電保護時間Tに達すると、イネーブル状態となってもよい。タイマー回路は、アナログ回路であるとデジタル回路であるとを問わない。 For example, the soft shut-off circuit 320 includes a timer circuit that starts time measurement triggered by a positive edge of the determination signal SDET , and when the time measured by the timer circuit reaches the energization protection time TP , Good. The timer circuit may be an analog circuit or a digital circuit.

またソフトシャットオフ回路320は、判定信号SDETがネゲートレベルに遷移するとディセーブル状態となってもよい。これにより、通常動作時には補正電流ICMPをゼロとして無駄な消費電力を低減できる。 The soft shutoff circuit 320, the determination signal S DET may become transits negates level disabled state. As a result, the wasteful power consumption can be reduced by setting the correction current ICMP to zero during normal operation.

図5(a)〜(d)は、スイッチ素子202の構成例を示す回路図である。上述のように、パワートランジスタ204のゲートエミッタ間、ゲートコレクタ間には保護素子206、208が設けられ、保護素子206、208はそれぞれ、逆直列接続されたダイオードペアD1、D2(Dpとも示す)を含む。ダイオードペアD1、D2は、図4に示すようにカソードコモンであってもよいし、図5(a)に示すようにアノードコモンであってもよい。保護素子206、208の一方をカソードコモンのダイオードペア、他方をアノードコモンのダイオードペアで構成してもよい。   5A to 5D are circuit diagrams illustrating configuration examples of the switch element 202. FIG. As described above, the protection elements 206 and 208 are provided between the gate emitter and the gate collector of the power transistor 204, and the protection elements 206 and 208 are respectively diode pairs D1 and D2 (also referred to as Dp) connected in reverse series. including. The diode pair D1, D2 may be a cathode common as shown in FIG. 4, or may be an anode common as shown in FIG. One of the protection elements 206 and 208 may be a cathode common diode pair, and the other may be an anode common diode pair.

また保護素子206、208はそれぞれ、直列にスタックされる複数のダイオードペアDpを含んでもよい。図5(b)には、アノードコモンのダイオードペアDpが複数個、スタックされる構成が示され、図5(c)には、カソードコモンのダイオードペアDpが複数個、スタックされる構成が示される。   Each of the protection elements 206 and 208 may include a plurality of diode pairs Dp stacked in series. FIG. 5B shows a configuration in which a plurality of anode common diode pairs Dp are stacked, and FIG. 5C shows a configuration in which a plurality of cathode common diode pairs Dp are stacked. It is.

ダイオードペアDp、1段当たりの耐圧(Vf+BV)は半導体プロセスにも依存するが典型的には数Vである。たとえばダイオードペアDpの耐圧を7Vとし、パワートランジスタ204のゲートエミッタ間電圧、ゲートコレクタ間電圧を420V以下にクランプしたい場合には、60段(=420/7)のダイオードペアDpをスタックすればよい。   The withstand voltage (Vf + BV) per diode pair Dp is typically several volts although it depends on the semiconductor process. For example, when the withstand voltage of the diode pair Dp is set to 7V and the gate-emitter voltage and the gate-collector voltage of the power transistor 204 are clamped to 420V or less, 60 stages (= 420/7) of diode pairs Dp may be stacked. .

図5(d)に示すように、図4のダイオードD1、D2それぞれを、複数のダイオードを直列接続して構成してもよい。同様に図5(a)のダイオードD1、D2それぞれを、複数のダイオードを直列接続して構成してもよい。ダイオードD1、D2はツェナーダイオードであってもよい。   As shown in FIG. 5D, each of the diodes D1 and D2 in FIG. 4 may be configured by connecting a plurality of diodes in series. Similarly, each of the diodes D1 and D2 in FIG. 5A may be configured by connecting a plurality of diodes in series. The diodes D1 and D2 may be zener diodes.

以上がイグナイタ200の基本構成である。続いてその動作を説明する。
図6は、図4のイグナイタ200の動作波形図である。
時刻t0より前に、点火信号IGTはローレベルであり、ゲートドライバ(DR)308は状態φであり、パワートランジスタ204のゲート電圧Vはローレベル電圧Vである。時刻t1に点火信号IGTがハイレベルに遷移し、続いて時刻t2に入力電圧VINが基準電圧VREFを超えると判定信号SDETがハイレベルとなる。これにより、ゲートドライバ308は状態φ2に切りかえられ、パワートランジスタ204がオンし、コイル電流Iが増大していく。
The above is the basic configuration of the igniter 200. Next, the operation will be described.
FIG. 6 is an operation waveform diagram of the igniter 200 of FIG.
Before the time t0, the ignition signal IGT is at a low level, the gate driver (DR) 308 is a state phi L, the gate voltage V G of the power transistor 204 is at a low level voltage V L. When the ignition signal IGT transits to a high level at time t1, and subsequently the input voltage VIN exceeds the reference voltage V REF at time t2, the determination signal SDET becomes a high level. Thus, the gate driver 308 is switched to a state .phi.2, the power transistor 204 is turned on, go coil current I C is increased.

ソフトシャットオフ回路320は判定信号SDETがハイレベルとなると、時間測定を開始する。通電保護時間Tが経過するとイネーブル状態となる(t2)。図6においてSSOはソフトシャットオフ回路320の状態を示す。ソフトシャットオフ回路320がイネーブル状態となると、ゲートドライバ308はハイインピーダンス状態φHZとなる。またソフトシャットオフ回路320は、パワートランジスタ204のゲートに補正電流ICMPを供給する。 The soft shut-off circuit 320 starts time measurement when the determination signal SDET becomes high level. When energization protection time T P has passed the enable state (t2). In FIG. 6, SSO indicates the state of the soft shutoff circuit 320. When the soft shut-off circuit 320 is enabled, the gate driver 308 is in the high impedance state φHZ . The soft shut-off circuit 320 supplies a correction current ICMP to the gate of the power transistor 204.

図7は、ソフトシャットオフ回路320がイネーブル状態であるときのイグナイタ200の等価回路図である。パワートランジスタ204のゲートエミッタ間、ゲートコレクタ間には、寄生容量(ゲート入力容量)が存在する。この寄生容量をCiで示す。V<BV+Vであるから、保護素子206のダイオードD2はブレークダウンせず、保護素子206には、微小なリーク電流ILEAKが流れる。 FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the igniter 200 when the soft shut-off circuit 320 is in an enabled state. A parasitic capacitance (gate input capacitance) exists between the gate emitter and the gate collector of the power transistor 204. This parasitic capacitance is denoted by Ci. Since a V H <BV + V F, the diode D2 of the protection element 206 is not broken down, the protection element 206, a small leakage current I LEAK.

この状態では、パワートランジスタ204の寄生容量Ciは、保護素子206のリーク電流ILEAKにより放電される。それと同時に、ゲート容量Ciはソフトシャットオフ回路320からの補正電流ICMPで充電される。したがってゲート容量Ciは、放電電流IDIS=ILEAK−ICMPで放電される。 In this state, the parasitic capacitance Ci of the power transistor 204 is discharged by the leakage current I LEAK of the protection element 206. At the same time, the gate capacitance Ci is charged by the correction current I CMP from soft shutoff circuit 320. Thus the gate capacitance Ci is discharged at a discharging current I DIS = I LEAK -I CMP.

時刻t2において、ゲート容量Ciに蓄えられている電荷量Qは、式(1)で与えられる。
Q=Ci×V …(1)
At time t2, the charge amount Q stored in the gate capacitance Ci is given by equation (1).
Q = Ci × V H (1)

放電電流IDISである時間Tにわたり容量Ciを放電したときの電荷量は、式(2)で与えられる。
Q=∫ DIS(t)dt …(2)
説明の簡潔化と理解の容易化のため、リーク電流ILEAK、補正電流ICMPが時間によらず一定であるとする。このとき放電電流IDISも一定となり、式(3)を得る。
Q=T×IDIS …(3)
The amount of charge when the capacitor Ci is discharged over the time T, which is the discharge current I DIS , is given by equation (2).
Q = ∫ 0 T I DIS (t) dt (2)
For simplicity and ease of understanding of the description, the leakage current I LEAK, the correction current I CMP is constant with time. At this time, the discharge current I DIS is also constant, and Equation (3) is obtained.
Q = T × I DIS (3)

式(1)と(3)から、式(4)を得る。式(4)は、ゲート容量Ciの電荷をある時間(ソフトシャットオフ時間という)TSSOで完全に放電するために必要な電流量IDISを示す。
DIS=C×V/TSSO …(4)
Equation (4) is obtained from equations (1) and (3). Equation (4) shows the amount of current I DIS required to completely discharge the charge of the gate capacitance Ci in a certain time (referred to as soft shut-off time) TSSO .
I DIS = C i × V H / T SSO (4)

ソフトシャットオフ時間TSSOは、点火プラグ106がスパークしない程度に長くなければならない。たとえばTSSO=50ms、V=5V、Ci=2nFであるとすれば、要求される放電電流IDISは、IDIS=200nA(=0.2μA)となる。たとえばデバイスの典型的なジャンクション温度Tにおけるリーク電流ILEAKが1.6μAであるとすれば、補正電流ICMPの典型値を、IDIS−ILEAK=1.4μAとすればよい。 The soft shut-off time TSSO must be long enough that the spark plug 106 does not spark. For example, if T SSO = 50 ms, V H = 5 V, and Ci = 2 nF, the required discharge current I DIS is I DIS = 200 nA (= 0.2 μA). For example if the leakage current I LEAK in a typical junction temperature T J of the device is 1.6Myuei, the typical value of the correction current I CMP, it may be set to I DIS -I LEAK = 1.4μA.

図6に戻る。時刻t2にゲートドライバ308の出力がハイインピーダンスとなると、ゲート容量Ciが放電電流IDISで放電され、ゲート電圧Vは放電時間(ソフトシャットオフ時間)TSSOに応じた時定数で十分長い時間をかけて低下していく。その結果、コイル電流Iも緩やかに減少させることができ、2次電圧Vの変動を抑制し、点火プラグ106をスパークを防止できる。 Returning to FIG. When the output of the gate driver 308 becomes high impedance at time t2, the gate capacitance Ci is discharged with the discharge current I DIS , and the gate voltage V G is a sufficiently long time with a time constant corresponding to the discharge time (soft shut-off time) TSSO. It will decrease over time. As a result, the coil current I C can also be reduced gradually to suppress the variation of the secondary voltage V S, the spark plug 106 can be prevented sparks.

以上がイグナイタ200の動作である。
このように、イグナイタ200によれば、パワートランジスタ204の保護素子206の微小なリーク電流ILEAKを利用して、ゲート電圧を緩やかに低下させることにより、ソフトシャットオフを実現できる。保護素子206は、パワートランジスタ204を過電圧から保護するという別の機能を有するため、保護素子206を追加したことによる回路面積の増加は本質的ではない。
The above is the operation of the igniter 200.
Thus, according to the igniter 200, soft shut-off can be realized by gently reducing the gate voltage by using the minute leak current ILEK of the protection element 206 of the power transistor 204. Since the protection element 206 has another function of protecting the power transistor 204 from overvoltage, an increase in circuit area due to the addition of the protection element 206 is not essential.

また回路構成としては、従来のイグナイタ200rに加えて、ゲートドライバ308をハイインピーダンス状態φHZに切りかえるための回路と、補正電流ICMPを生成するための回路のみを追加すればよく、長い時定数を実現するために大容量キャパシタや高抵抗が不要であるため、小さな回路規模でソフトシャットオフが実現できる。 As also circuitry, in addition to the conventional igniter 200 r, a circuit for switching the gate driver 308 in a high impedance state phi HZ, it may be added only a circuit for generating a correction current I CMP, when a long constant Since a large-capacitance capacitor and high resistance are not required to realize the above, soft shut-off can be realized with a small circuit scale.

本発明は、図4のブロック図・回路図として把握され、あるいは上述の説明から導かれるさまざまな回路に及ぶものであり、特定の回路構成に限定されるものではないが、以下では、その具体的な構成を説明する。   The present invention is understood as the block diagram / circuit diagram of FIG. 4 or extends to various circuits derived from the above description, and is not limited to a specific circuit configuration. A typical configuration will be described.

図8は、スイッチ制御装置300の第1の構成例を示す回路図である。
ソフトシャットオフ回路320は、イネーブル状態においてオン状態となる電流源322を含む。電流源322は、オン状態において補正電流ICMPをパワートランジスタのゲートGATEに供給する。スイッチ324は、電流源322のオン、オフを切りかえるために設けられる。なおスイッチ324の位置は特に限定されず、補正電流ICMPのオン、オフが切りかえ可能であればどこに配置してもよい。たとえばスイッチ324に相当するトランジスタが、電流源322の内部に設けられてもよい。
FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a first configuration example of the switch control device 300.
Soft shut-off circuit 320 includes a current source 322 that is turned on in the enabled state. The current source 322 supplies the correction current ICMP to the gate GATE of the power transistor in the on state. The switch 324 is provided to switch the current source 322 on and off. Note the position of the switch 324 is not particularly limited, on the correction current I CMP, may be located anywhere off switched if. For example, a transistor corresponding to the switch 324 may be provided inside the current source 322.

ソフトシャットオフ回路320は、カウンタ326を含む。カウンタ326は、通電保護時間Tを測定する上述のタイマーであり、判定信号SDETがアサートレベルに遷移するとクロック信号CLKのカウントを開始する。ロジック回路328は、カウンタ326のカウント値が通電保護時間Tに対応する設定値に達すると、イネーブル信号ENをアサートし、ソフトシャットオフ回路320をイネーブル状態とする。またロジック回路328は、判定信号SDETのネガティブエッジを検出すると、イネーブル信号ENをネゲートし、ソフトシャットオフ回路320をディセーブル状態とする。 Soft shutoff circuit 320 includes a counter 326. Counter 326 is above a timer which measures an energization protection time T P, the determination signal S DET starts counting of the clock signal CLK transits to assert level. Logic circuit 328, the count value of the counter 326 reaches the set value corresponding to the current protection time T P, asserts the enable signal EN, the soft shutoff circuit 320 and the enable state. When the logic circuit 328 detects a negative edge of the determination signal SDET , the logic circuit 328 negates the enable signal EN and disables the soft shutoff circuit 320.

ゲートドライバ308は、電源ラインVと接地ラインVの間に直列に設けられたハイサイドトランジスタM1、ローサイドトランジスタM2を含む。またゲート電圧Vのスルーレート(傾き)を最適化するために、抵抗R1、R2が挿入されてもよい。 The gate driver 308 includes a high side transistor M1 and a low side transistor M2 provided in series between the power supply line VH and the ground line VL . In order to optimize the slew rate (slope) of the gate voltage V G, the resistors R1, R2 may be inserted.

プリドライバ306はイネーブル信号ENを受ける。プリドライバ306は、イネーブル信号ENがネゲート(つまりソフトシャットオフ回路320がディセーブル状態)のとき、判定信号SDET’に応じてトランジスタM1、M2のゲート電圧を制御する。またプリドライバ306は、イネーブル信号ENがアサート(つまりソフトシャットオフ回路320がイネーブル状態)のとき、判定信号SDET’にかかわらず、トランジスタM1、M2をオフ状態とし、ゲートドライバ308の出力をハイインピーダンスとする。 The pre-driver 306 receives an enable signal EN. The pre-driver 306 controls the gate voltages of the transistors M1 and M2 according to the determination signal S DET ′ when the enable signal EN is negated (that is, the soft shut-off circuit 320 is disabled). Further, when the enable signal EN is asserted (that is, the soft shutoff circuit 320 is enabled), the pre-driver 306 turns off the transistors M1 and M2 regardless of the determination signal SDET ', and sets the output of the gate driver 308 to high. Impedance.

図9は、スイッチ制御装置300の第2の構成例を示す回路図である。このスイッチ制御装置300は、過電流保護機能を備える。具体的にはイグナイタ200は、電流検出回路210をさらに備える。電流検出回路210は、パワートランジスタ204に流れるコイル電流Iを検出する。たとえば電流検出回路210は、パワートランジスタ204のエミッタEと接地ラインの間に設けられた電流検出抵抗RCSを含み、電流検出抵抗RCSの電圧降下を電流検出値VCSとして出力してもよい。電流検出値VCSは、スイッチ制御装置300のCS(電流検出)端子に入力される。電流検出抵抗RCSは、チップ部品であってもよいし、ボンディングワイヤの抵抗成分であってもよいし、スイッチ制御装置のICに集積化された抵抗であってもよい。 FIG. 9 is a circuit diagram illustrating a second configuration example of the switch control device 300. The switch control device 300 has an overcurrent protection function. Specifically, the igniter 200 further includes a current detection circuit 210. Current detecting circuit 210 detects a coil current I C flowing in the power transistor 204. For example, the current detection circuit 210 includes a current detection resistor R CS provided between the emitter E and the ground line of the power transistor 204 may output a voltage drop across the current detection resistor R CS as the current detection value V CS . The current detection value V CS is input to the CS (current detection) terminal of the switch control device 300. The current detection resistor RCS may be a chip component, a resistance component of a bonding wire, or a resistor integrated in an IC of the switch control device.

スイッチ制御装置300は、過電流保護回路330をさらに備える。過電流保護回路330は、コイル電流Iの検出値VCSが所定のしきい値電圧VTHを超えないようにパワートランジスタ204のゲート電圧Vを調節する。過電流保護回路330は、ソフトシャットオフ回路320のイネーブル状態において無効化され、ゲート電圧Vの調節を行なわない。 The switch control device 300 further includes an overcurrent protection circuit 330. The overcurrent protection circuit 330 adjusts the gate voltage V G of the power transistor 204 so that the detected value V CS of the coil current I C does not exceed a predetermined threshold voltage V TH . Overcurrent protection circuit 330 is disabled in the enabled state of the soft shutoff circuit 320 does not perform the adjustment of the gate voltage V G.

過電流保護回路330を設けることにより、スイッチ素子202のオンが長時間持続した場合に、コイル電流I(パワートランジスタのコレクタ電流)を所定レベルでクランプし、上昇し続けるのを防止できる。また過電流保護回路330を、ソフトシャットオフ回路320がイネーブル状態の間、無効化することで、過電流保護回路330によってゲート電圧Vが調節されて放電の時定数が変化するのを防止できる。 By providing the overcurrent protection circuit 330, it is possible to prevent the coil current I C (the collector current of the power transistor) from being clamped at a predetermined level and kept rising when the switch element 202 is kept on for a long time. Further, by disabling the overcurrent protection circuit 330 while the soft shut-off circuit 320 is in an enabled state, it is possible to prevent the overcurrent protection circuit 330 from adjusting the gate voltage V G and changing the discharge time constant. .

過電流保護回路330は、電流検出抵抗RCSと並列に設けられ、ソフトシャットオフ回路320のイネーブル状態においてオン、ディセーブル状態でオフとなる第1トランジスタ332を含む。過電流保護回路330は、電流検出抵抗RCSの電圧降下に応じた検出値VCSが所定のしきい値電圧VTHを超えないようにパワートランジスタ204のゲート電圧Vを調節してもよい。 The overcurrent protection circuit 330 includes a first transistor 332 that is provided in parallel with the current detection resistor RCS and is turned on in the enable state of the soft shutoff circuit 320 and turned off in the disabled state. The overcurrent protection circuit 330 may adjust the gate voltage V G of the power transistor 204 so that the detection value V CS corresponding to the voltage drop of the current detection resistor R CS does not exceed a predetermined threshold voltage V TH. .

これにより、ソフトシャットオフ回路320のイネーブル状態では、第1トランジスタ332をオンすることで電流検出抵抗RCSの電圧降下に対応する検出値VCSが実質的にゼロとなり、VCS<VTHとなるため過電流保護を無効化できる。また電流検出抵抗RCSをバイパスすることで、電流検出抵抗RCSが時定数に影響を及ぼすのを防止できる。 Thus, in the enabled state of the soft shutoff circuit 320, the detection value V CS that corresponds to the voltage drop across the current sensing resistor R CS by turning on the first transistor 332 becomes substantially zero, and V CS <V TH Therefore, overcurrent protection can be disabled. In addition, by bypassing the current sensing resistor R CS, possible to prevent the current detection resistor R CS affects the time constant.

過電流保護回路330は、パワートランジスタ204のゲートと接地ラインの間に設けられた第2トランジスタ336と、検出電圧VCSをしきい値電圧VTHと比較し、VCS>VTHのとき第2トランジスタ336をオンするコンパレータ334と、を含む。これにより、コイル電流Iがあるしきい値レベルを超えると、第2トランジスタ336がオンし、ゲート電圧Vを低下させてコイル電流Iを減少させることができる。 The overcurrent protection circuit 330 compares the detection voltage V CS with the second transistor 336 provided between the gate of the power transistor 204 and the ground line and the threshold voltage V TH, and when V CS > V TH , And a comparator 334 that turns on the two-transistor 336. Thus, beyond a threshold level in which the coil current I C, the second transistor 336 is turned on, it is possible to reduce the coil current I C decreases the gate voltage V G.

以上がスイッチ制御装置300の第2の構成例である。このスイッチ制御装置300によればソフトシャットオフを邪魔することなく、過電流保護を行なうことができる。   The above is the second configuration example of the switch control device 300. According to the switch control device 300, overcurrent protection can be performed without disturbing soft shut-off.

続いて、補正電流ICMPについて説明する。イグナイタ200の放熱性能によっては、デバイス(パワートランジスタ204)のジャンクション温度Tが、イグナイタ200の周囲温度Taや、パワートランジスタ204の自己発熱の影響で大きく変化する場合がある。保護素子206をダイオードで構成する場合、そのリーク電流ILEAKは、ジャンクション温度Tに依存して変化し、具体的には、ジャンクション温度Tが高いほど、リーク電流ILEAKは大きくなる。したがって、ジャンクション温度Tの変動による、ゲート容量Ciの放電時間の変動を抑制するためには、ジャンクション温度Tに応じて、補正電流ICMPを変化させ、放電電流IDISを一定に保つことが望ましい。 Next, the correction current ICMP will be described. The heat radiation performance of the igniter 200, a junction temperature T J of the device (power transistor 204) is, and the ambient temperature Ta of the igniter 200, can vary greatly due to the influence of self-heating of the power transistor 204. When the protection element 206 is formed of a diode, the leakage current I LEAK changes depending on the junction temperature T J. Specifically, the higher the junction temperature T J , the larger the leakage current I LEAK . Therefore, due to variations in the junction temperature T J, in order to suppress the variation in the discharge time of the gate capacitance Ci, depending on the junction temperature T J, changing the correction current I CMP, to keep the discharge current I DIS constant Is desirable.

ここでスイッチ制御装置300とスイッチ素子202が別々の半導体チップに集積化される場合、補正電流ICMPを生成するスイッチ制御装置300側において、パワートランジスタ204のジャンクション温度Tを直接知ることは難しい。そこでソフトシャットオフ回路320は、以下のようにして、補正電流ICMPを変化させてもよい。 Here, if the switching control unit 300 and switch element 202 are integrated into separate semiconductor chips, the switch control device 300 side, which generates a correction current I CMP, it is difficult to know the junction temperature T J of the power transistor 204 directly . Therefore, the soft shut-off circuit 320 may change the correction current ICMP as follows.

図10(a)、(b)は、パワートランジスタ204のジャンクション温度Tの時間変化を示す図である。図10(a)には、周囲温度Taの依存性が示される。ジャンクション温度Tは、周囲温度Taを始点として、コイル電流Iとパワートランジスタ204のコレクタエミッタ間電圧VCEの積である消費電力Pに応じた傾きで増大していく。したがって周囲温度Taが高いほどジャンクション温度Tは高くなり、リーク電流ILEAKの時間積分値(放電電荷量)も大きくなる。そこで、ソフトシャットオフ回路320は、周囲温度Taが高いほど補正電流ICMPを大きくすることにより、放電電流IDIS(=ILEAK−ICMP)の変動を抑えてもよい。 FIGS. 10A and 10B are diagrams showing the time change of the junction temperature TJ of the power transistor 204. FIG. FIG. 10A shows the dependency of the ambient temperature Ta. Junction temperature T J is starting at an ambient temperature Ta, gradually increases with a gradient corresponding to the power consumption P is the product of the collector-emitter voltage V CE of the coil current I C and the power transistor 204. Therefore, the higher the ambient temperature Ta, the higher the junction temperature TJ , and the time integral value (discharge charge amount) of the leakage current I LEAK also increases. Therefore, soft shutoff circuit 320, by increasing the correction current I CMP higher ambient temperatures Ta, may suppress the fluctuation of the discharge current I DIS (= I LEAK -I CMP ).

図10(b)には、パワートランジスタ204の自己発熱の依存性が示される。スイッチ制御装置300に過電流保護回路330が設けられる場合、コイル電流Iは実質的に一定とみなすことができる。一方、パワートランジスタ204のコレクタエミッタ間電圧は、バッテリ電圧VBATが高いほど、大きくなるから、パワートランジスタ204の自己発熱量(つまりジャンクション温度Tの傾き)は、バッテリ電圧VBATが高いほど大きくなる。したがってバッテリ電圧VBATが高いほどジャンクション温度Tは高くなり、リーク電流ILEAKの時間積分値(放電電荷量)も大きくなる。そこで、ソフトシャットオフ回路320は、バッテリ電圧VBATが高いほど補正電流ICMPを大きくすることにより、放電電流IDIS(=ILEAK−ICMP)の変動を抑えてもよい。 FIG. 10B shows the dependency of self-heating of the power transistor 204. If the overcurrent protection circuit 330 is provided to the switch control unit 300, the coil current I C can be regarded as substantially constant. On the other hand, the collector-emitter voltage of the power transistor 204 increases as the battery voltage V BAT increases. Therefore, the self-heat generation amount (that is, the slope of the junction temperature T J ) of the power transistor 204 increases as the battery voltage V BAT increases. Become. Therefore, the higher the battery voltage VBAT , the higher the junction temperature TJ , and the time integral value (discharge charge amount) of the leakage current ILEAK also increases. Therefore, soft shutoff circuit 320 by the battery voltage V BAT to increase the higher correction current I CMP, may suppress the fluctuation of the discharge current I DIS (= I LEAK -I CMP ).

図11は、補正電流Iの周囲温度Taの依存性およびバッテリ電圧VBATの依存性の一例を示す図である。 Figure 11 is a diagram showing an example of the dependence of the dependence and the battery voltage V BAT of the ambient temperature Ta of the correction current I S.

正の温度特性を有する電流を生成する回路は公知であり、ソフトシャットオフ回路320の電流源は、こうした公知技術を用いて構成できる。たとえば正の温度特性を有する電流源としては、ポリシリコン抵抗、拡散抵抗、ウェル抵抗の温度依存性を利用したもの、サーミスタを利用したもの、バイポーラトランジスタのベースエミッタ間電圧(PN接合の順方向電圧)の温度依存性を利用したもの、熱電圧Vを利用したもの等が例示されるが、その構成は特に限定されない。 A circuit that generates a current having a positive temperature characteristic is known, and the current source of the soft shut-off circuit 320 can be configured using such a known technique. For example, current sources having positive temperature characteristics include those using the temperature dependence of polysilicon resistance, diffusion resistance, and well resistance, those using a thermistor, and the base-emitter voltage of a bipolar transistor (forward voltage of the PN junction). ) which utilizes the temperature dependence of, but such as those using thermal voltage V T is exemplified, the configuration is not particularly limited.

任意の電圧に応じた電流を生成する電流源も公知であり、ソフトシャットオフ回路320の電流源は、こうした公知技術を用いて構成できる。たとえばソフトシャットオフ回路320は、電圧/電流変換回路、gmアンプ等を用いて構成することができる。   A current source that generates a current corresponding to an arbitrary voltage is also known, and the current source of the soft shut-off circuit 320 can be configured using such a known technique. For example, the soft shut-off circuit 320 can be configured using a voltage / current conversion circuit, a gm amplifier, or the like.

当業者によれば、正の温度特性を有し、および/または、バッテリ電圧VBATに対して正の依存性を有する補正電流ICMPを生成するための電流源にさまざまなバリエーションが存在しうること、それらのバリエーションが本発明の範囲に含まれることが理解される。 According to those skilled in the art, there can be various variations in the current source for generating the correction current ICMP having a positive temperature characteristic and / or having a positive dependence on the battery voltage VBAT . It will be understood that variations thereof are within the scope of the present invention.

実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例を説明する。   The embodiments are exemplifications, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications can be made to combinations of the respective constituent elements and processing processes, and such modifications are within the scope of the present invention. . Hereinafter, such modifications will be described.

(第1変形例)
実施の形態では、ソフトシャットオフ回路320が補正電流ICMPを生成する電流源322を含む場合を説明したが、本発明はそれに限定されない。パワートランジスタ204のゲート容量Ciの容量値、ハイレベル電圧Vおよびリーク電流ILEAKの電流量の組み合わせによっては、補正電流ICMPを供給しなくても、適切な10〜100ms程度の適切な放電時間が得られる場合もあり得る。この場合、電流源322は省略し、補正電流ICMPは供給しなくてもよい。
(First modification)
In the embodiment, the case where the soft shut-off circuit 320 includes the current source 322 that generates the correction current ICMP has been described, but the present invention is not limited thereto. The capacitance value of the gate capacitance Ci of the power transistor 204, a combination of current amount of high-level voltage V H and the leakage current I LEAK, without supplying a correction current I CMP, suitable for about suitable 10~100ms discharge Time may be available. In this case, the current source 322 may be omitted, and the correction current ICMP may not be supplied.

(第2変形例)
実施の形態では、ソフトシャットオフ回路320が補正電流ICMPを生成する電流源322を含み、バッテリ電圧VBATや周囲温度Taに応じて補正電流ICMPを変化させる場合を説明したが本発明はそれに限定されない。イグナイタ200が搭載されるプラットフォームによっては、ソフトシャットオフにより点火プラグ106のスパークを防止できれば十分であり、ソフトシャットオフ時間TSSOが変動することが許容される場合もある。この場合、補正電流ICMPを一定としてもよいし、周囲温度Taのみに依存して変化させてもよいし、あるいはバッテリ電圧VBATのみに依存して変化させてもよい。
(Second modification)
In includes a current source 322 that soft shutoff circuit 320 generates a correction current I CMP, a case has been described of changing the correction current I CMP according to the battery voltage V BAT and the ambient temperature Ta invention embodiment It is not limited to it. Depending on the platform on which the igniter 200 is mounted, it is sufficient that the spark of the spark plug 106 can be prevented by the soft shutoff, and the soft shutoff time TSSO may be allowed to vary. In this case, the correction current ICMP may be constant, changed depending only on the ambient temperature Ta, or changed depending only on the battery voltage VBAT .

(第3変形例)
ソフトシャットオフ回路320は、ゲートドライバ308を利用して補正電流ICMPを生成してもよい。図12(a)、(b)は、ソフトシャットオフ回路320およびゲートドライバ308の変形例を示す回路図である。図12(a)に示すように、ゲートドライバ308のハイサイドトランジスタM1を、NチャンネルMOSFETで構成してもよい。プリドライバ306は、ソフトシャットオフ回路320のイネーブル状態において、ローサイドトランジスタM2をオフする。またソフトシャットオフ回路320はイネーブル状態において、ハイサイドトランジスタM1のゲートに、適切なゲート電圧VG1を与えることにより、ハイサイドトランジスタM1に補正電流ICMPを発生させる。図12(a)において、トランジスタM1はPチャンネルMOSFETであってもよい。あるいは、トランジスタM1、M2をバイポーラトランジスタで構成してもよい。
(Third Modification)
The soft shut-off circuit 320 may generate the correction current ICMP using the gate driver 308. 12A and 12B are circuit diagrams showing modifications of the soft shut-off circuit 320 and the gate driver 308. FIG. As shown in FIG. 12A, the high-side transistor M1 of the gate driver 308 may be configured with an N-channel MOSFET. The pre-driver 306 turns off the low-side transistor M2 when the soft shut-off circuit 320 is enabled. In the enable state soft shutoff circuit 320, the gate of the high side transistor M1, by providing the appropriate gate voltage V G1, to generate a correction current I CMP to the high side transistor M1. In FIG. 12A, the transistor M1 may be a P-channel MOSFET. Alternatively, the transistors M1 and M2 may be bipolar transistors.

図12(b)に示すように、ソフトシャットオフ回路320は、トランジスタM3と電流源CS1を含んでもよい。トランジスタM3は、ハイサイドトランジスタM1と同型であり、ハイサイドトランジスタM1とともにカレントミラー回路を形成する。電流源CS1は、ソフトシャットオフ回路320のイネーブル状態においてオンとなり、補正電流ICMPを指示する電流を生成し、カレントミラー回路の入力側トランジスタM3に供給する。図12(b)において、トランジスタM1〜M3はバイポーラトランジスタであってもよい。 As shown in FIG. 12B, the soft shutoff circuit 320 may include a transistor M3 and a current source CS1. The transistor M3 is of the same type as the high side transistor M1, and forms a current mirror circuit together with the high side transistor M1. Current source CS1 is turned on in the enabled state of the soft shutoff circuit 320 generates a current indicating the correction current I CMP, supplied to the input side transistor M3 of the current mirror circuit. In FIG. 12B, the transistors M1 to M3 may be bipolar transistors.

(第4変形例)
図9のイグナイタ200において、電流検出回路210を電流検出抵抗RCSで構成したが本発明はそれに限定されない。コイル電流Iを検出する手段としては、パワートランジスタ204に流れる電流をカレントミラー回路によりコピーし、コピーされた電流を検出してもよいし、パワートランジスタ204のオン抵抗を利用してコイル電流を検出してもよい。あるいは、イグニッションコイル104に補助巻線を追加し、補助巻線に流れる電流にもとづいてコイル電流Iを推定してもよい。
(Fourth modification)
In the igniter 200 of FIG. 9, the current detection circuit 210 is configured by the current detection resistor RCS , but the present invention is not limited thereto. As a means for detecting the coil current I C, the current flowing through the power transistor 204 is copied by the current mirror circuit, may be detected copied current, the coil current by using the on-resistance of the power transistor 204 It may be detected. Alternatively, by adding an auxiliary winding in the ignition coil 104 may estimate the coil current I C on the basis of the current flowing through the auxiliary winding.

実施の形態にもとづき本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎないことはいうまでもなく、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められることはいうまでもない。   Although the present invention has been described based on the embodiments, it should be understood that the embodiments merely illustrate the principles and applications of the present invention, and the embodiments are defined in the claims. It goes without saying that many modifications and changes in arrangement are allowed without departing from the spirit of the present invention.

100…車両、102…バッテリ、104…イグニッションコイル、L1…1次コイル、L2…2次コイル、106…点火プラグ、108…ECU、110…エンジン、112…吸気マニホールド、113…エアクリーナ、114…ラジエータ、200…イグナイタ、202…スイッチ素子、204…パワートランジスタ、206…保護素子、210…電流検出回路、300…スイッチ制御装置、300A…判定ステージ、300B…駆動ステージ、301…入力ライン、302…電圧コンパレータ、304…遅延回路、306…プリドライバ、308…ゲートドライバ、310…通電保護回路、320…ソフトシャットオフ回路、322…電流源、324…スイッチ、326…カウンタ、328…ロジック回路、RCS…電流検出抵抗、330…過電流保護回路、332…第1トランジスタ、334…コンパレータ、336…第2トランジスタ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Vehicle, 102 ... Battery, 104 ... Ignition coil, L1 ... Primary coil, L2 ... Secondary coil, 106 ... Spark plug, 108 ... ECU, 110 ... Engine, 112 ... Intake manifold, 113 ... Air cleaner, 114 ... Radiator , 200 ... igniter, 202 ... switch element, 204 ... power transistor, 206 ... protection element, 210 ... current detection circuit, 300 ... switch control device, 300A ... determination stage, 300B ... drive stage, 301 ... input line, 302 ... voltage Comparator, 304 ... Delay circuit, 306 ... Pre-driver, 308 ... Gate driver, 310 ... Current-carrying protection circuit, 320 ... Soft shut-off circuit, 322 ... Current source, 324 ... Switch, 326 ... Counter, 328 ... Logic circuit, RCS ... Current detection resistor, 30 ... overcurrent protection circuit, 332 ... first transistor, 334 ... comparator, 336 ... second transistor.

Claims (15)

イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、
ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じて前記スイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、
を備え、
前記スイッチ素子は、
パワートランジスタと、
前記パワートランジスタのゲートエミッタ間に設けられた過電圧保護素子と、
を含み、
前記スイッチ制御装置は、
前記点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、
前記判定信号が前記スイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、前記判定信号が前記スイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、
前記判定信号が前記アサートレベルである状態が、所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、前記イネーブル状態において、前記駆動ステージの出力をハイインピーダンスとするとともに、前記パワートランジスタのゲートに補正電流を供給するソフトシャットオフ回路と、
を含むことを特徴とするイグナイタ。
A switch element connected to the primary coil of the ignition coil;
A switch control device that controls the switch element in response to an ignition signal from an ECU (Engine Control Unit);
With
The switch element is
A power transistor;
An overvoltage protection element provided between the gate and emitter of the power transistor;
Including
The switch control device includes:
A voltage comparator that compares a voltage according to the ignition signal with a reference voltage and generates a determination signal;
When the determination signal is an assert level corresponding to turning on of the switch element, a high level voltage is applied to the gate of the power transistor, and when the determination signal is a negate level corresponding to turning off of the switch element, A drive stage for applying a low level voltage to the gate of the power transistor;
When the state in which the determination signal is at the assert level continues for a predetermined energization protection time, the enable state is enabled. In the enable state, the output of the drive stage is set to high impedance, and a correction current is applied to the gate of the power transistor. A soft shut-off circuit to supply,
An igniter characterized by including
前記過電圧保護素子は、逆直列接続されたダイオードペアを含むことを特徴とする請求項1に記載のイグナイタ。   The igniter according to claim 1, wherein the overvoltage protection element includes a diode pair connected in reverse series. 前記ソフトシャットオフ回路は、
前記イネーブル状態においてオン状態となり、前記オン状態において前記補正電流を前記パワートランジスタのゲートに供給する電流源を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のイグナイタ。
The soft shut-off circuit is
3. The igniter according to claim 1, further comprising a current source that is turned on in the enable state and supplies the correction current to a gate of the power transistor in the on state.
前記補正電流は、前記イグニッションコイルに供給されるバッテリ電圧が大きいほど、大きいことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のイグナイタ。   4. The igniter according to claim 1, wherein the correction current increases as the battery voltage supplied to the ignition coil increases. 5. 前記補正電流は、前記イグナイタの周囲温度が高いほど、大きいことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のイグナイタ。   The igniter according to any one of claims 1 to 4, wherein the correction current is larger as the ambient temperature of the igniter is higher. 前記駆動ステージは、
電源ラインと接地ラインの間に直列に設けられたハイサイドトランジスタおよびローサイドトランジスタを含むゲートドライバと、
前記判定信号に応じて前記ハイサイドトランジスタおよび前記ローサイドトランジスタのオン、オフを制御するプリドライバと、
を含み、
前記ソフトシャットオフ回路は、前記イネーブル状態において、前記ハイサイドトランジスタを利用して前記補正電流を供給することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のイグナイタ。
The drive stage is
A gate driver including a high-side transistor and a low-side transistor provided in series between a power supply line and a ground line;
A pre-driver that controls on and off of the high-side transistor and the low-side transistor in accordance with the determination signal;
Including
The igniter according to any one of claims 1 to 5, wherein the soft shut-off circuit supplies the correction current using the high-side transistor in the enable state.
前記パワートランジスタに流れるコイル電流に応じた検出電圧を生成する電流検出回路をさらに備え、
前記スイッチ制御装置は、前記検出電圧が所定のしきい値電圧を超えないように前記パワートランジスタのゲート電圧を調節する過電流保護回路をさらに含み、
前記過電流保護回路は、前記ソフトシャットオフ回路のイネーブル状態において、無効化されることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のイグナイタ。
A current detection circuit for generating a detection voltage corresponding to the coil current flowing through the power transistor;
The switch control device further includes an overcurrent protection circuit that adjusts a gate voltage of the power transistor so that the detection voltage does not exceed a predetermined threshold voltage,
The igniter according to any one of claims 1 to 6, wherein the overcurrent protection circuit is disabled in an enable state of the soft shut-off circuit.
前記電流検出回路は、前記パワートランジスタのエミッタと接地ラインの間に設けられた電流検出抵抗を含み、前記電流検出抵抗の電圧降下が前記検出電圧であり、
前記過電流保護回路は、前記電流検出抵抗と並列に設けられ、前記ソフトシャットオフ回路の前記イネーブル状態においてオン、ディセーブル状態でオフとなる第1トランジスタを含むことを特徴とする請求項7に記載のイグナイタ。
The current detection circuit includes a current detection resistor provided between an emitter of the power transistor and a ground line, and a voltage drop of the current detection resistor is the detection voltage,
The overcurrent protection circuit includes a first transistor that is provided in parallel with the current detection resistor and is turned on in the enable state of the soft shutoff circuit and turned off in the disable state. The igniter described.
前記過電流保護回路は、
前記パワートランジスタのゲートと接地ラインの間に設けられた第2トランジスタと、
前記検出電圧を前記しきい値電圧と比較し、前記検出電圧が前記しきい値電圧を超えると前記第2トランジスタをオンするコンパレータと、
を含むことを特徴とする請求項7または8に記載のイグナイタ。
The overcurrent protection circuit is
A second transistor provided between the gate of the power transistor and a ground line;
A comparator that compares the detected voltage with the threshold voltage and turns on the second transistor when the detected voltage exceeds the threshold voltage;
The igniter according to claim 7 or 8, characterized by comprising:
前記ソフトシャットオフ回路は、前記判定信号がネゲートレベルに遷移するとディセーブル状態となることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のイグナイタ。   The igniter according to any one of claims 1 to 9, wherein the soft shut-off circuit is disabled when the determination signal transitions to a negate level. 前記ソフトシャットオフ回路は、前記判定信号が前記アサートレベルに遷移するとカウント動作を開始するカウンタを含み、前記カウンタのカウント値が前記通電保護時間に対応する設定値となると、前記イネーブル状態となることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載のイグナイタ。   The soft shut-off circuit includes a counter that starts a count operation when the determination signal transitions to the assert level, and enters the enable state when the count value of the counter reaches a set value corresponding to the energization protection time. The igniter according to any one of claims 1 to 10, wherein: イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、
ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じて前記スイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、
を備え、
前記スイッチ素子は、
パワートランジスタと、
前記パワートランジスタのゲートエミッタ間に逆直列接続されたダイオードペアと、
を含み、
前記スイッチ制御装置は、
前記点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、
前記判定信号が前記スイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、前記判定信号が前記スイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、
前記判定信号が前記アサートレベルである状態が所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、前記イネーブル状態において前記駆動ステージの出力をハイインピーダンスとするとともに、前記パワートランジスタのゲートの電荷を、前記ダイオードペアを介して放電することにより、前記パワートランジスタのゲート電圧を緩やかに低下せしめるソフトシャットオフ回路と、
を備えることを特徴とするイグナイタ。
A switch element connected to the primary coil of the ignition coil;
A switch control device that controls the switch element in response to an ignition signal from an ECU (Engine Control Unit);
With
The switch element is
A power transistor;
A diode pair connected in reverse series between the gate and emitter of the power transistor;
Including
The switch control device includes:
A voltage comparator that compares a voltage according to the ignition signal with a reference voltage and generates a determination signal;
When the determination signal is an assert level corresponding to turning on of the switch element, a high level voltage is applied to the gate of the power transistor, and when the determination signal is a negate level corresponding to turning off of the switch element, A drive stage for applying a low level voltage to the gate of the power transistor;
When the state in which the determination signal is at the assert level continues for a predetermined energization protection time, the enable state is enabled. In the enable state, the output of the drive stage is set to high impedance, and the charge of the gate of the power transistor is changed to the diode. A soft shut-off circuit that gently reduces the gate voltage of the power transistor by discharging through the pair;
An igniter comprising:
イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、
ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じて前記スイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、
を備え、
前記スイッチ素子は、
パワートランジスタと、
前記パワートランジスタのゲートエミッタ間に逆直列接続されたダイオードペアと、
を含み、
前記スイッチ制御装置は、
前記点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、
前記判定信号が前記スイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、前記判定信号が前記スイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、
前記判定信号が前記アサートレベルである状態が所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、前記イネーブル状態において前記駆動ステージから前記パワートランジスタのゲートに補正電流を供給することにより、前記パワートランジスタのゲートの電荷を、前記ダイオードペアのリーク電流と前記補正電流との差分電流で放電することにより、前記パワートランジスタのゲート電圧を緩やかに低下せしめるソフトシャットオフ回路と、
を備えることを特徴とするイグナイタ。
A switch element connected to the primary coil of the ignition coil;
A switch control device that controls the switch element in response to an ignition signal from an ECU (Engine Control Unit);
With
The switch element is
A power transistor;
A diode pair connected in reverse series between the gate and emitter of the power transistor;
Including
The switch control device includes:
A voltage comparator that compares a voltage according to the ignition signal with a reference voltage and generates a determination signal;
When the determination signal is an assert level corresponding to turning on of the switch element, a high level voltage is applied to the gate of the power transistor, and when the determination signal is a negate level corresponding to turning off of the switch element, A drive stage for applying a low level voltage to the gate of the power transistor;
When the state in which the determination signal is at the assert level continues for a predetermined energization protection time, the enable state is enabled, and in the enable state, a correction current is supplied from the drive stage to the gate of the power transistor, thereby A soft shut-off circuit that gently reduces the gate voltage of the power transistor by discharging the charge of the diode pair with a differential current between the leakage current of the diode pair and the correction current;
An igniter comprising:
前記スイッチ制御装置は、ひとつの半導体基板に一体集積化されることを特徴とする請求項1から13のいずれかに記載のイグナイタ。   14. The igniter according to claim 1, wherein the switch control device is integrated on a single semiconductor substrate. ガソリンエンジンと、
点火プラグと、
1次コイルと、前記点火プラグと接続される2次コイルと、を有するイグニッションコイルと、
前記点火プラグの点火を指示する点火信号を生成するECUと、
前記点火信号に応じて前記イグニッションコイルを駆動する請求項1から14のいずれかに記載のイグナイタと、
を備えることを特徴とする車両。
A gasoline engine,
Spark plugs,
An ignition coil having a primary coil and a secondary coil connected to the spark plug;
An ECU for generating an ignition signal instructing ignition of the spark plug;
The igniter according to any one of claims 1 to 14, wherein the ignition coil is driven in response to the ignition signal.
A vehicle comprising:
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