JP2016072308A

JP2016072308A - Drawing apparatus, drawing method, and article manufacturing method

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Publication number: JP2016072308A
Application number: JP2014197508A
Authority: JP
Inventors: 貴之川本; Takayuki Kawamoto
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2014-09-26
Filing date: 2014-09-26
Publication date: 2016-05-09

Abstract

【課題】基板に生じた未描画領域の描画を行う上で有利な技術を提供する。【解決手段】複数の基板に描画を行う描画装置は、前記複数の基板を保持する可動のステージと、前記複数の基板それぞれに関して設けられ、前記複数の基板のうちの対応する基板にそれぞれがビームを照射する複数の照射部と、前記複数の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記複数の基板のうち前記描画の欠落領域を有する２以上の基板に関して、前記複数の照射部のうち前記欠落領域に対応する照射部とは異なる照射部によって前記欠落領域の補償が行われるように、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御することを特徴とする。【選択図】図１PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an advantageous technique for drawing an undrawn area generated on a substrate. SOLUTION: A drawing apparatus for drawing on a plurality of boards is provided for a movable stage for holding the plurality of boards and each of the plurality of boards, and each beam is provided on a corresponding board among the plurality of boards. 2. With respect to the above substrates, arrangement of each of the two or more substrates on the stage so that the missing region is compensated by an irradiation unit different from the irradiation unit corresponding to the missing region among the plurality of irradiation portions. It is characterized by controlling. [Selection diagram] Fig. 1

Description

本発明は、描画装置、描画方法、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a drawing apparatus, a drawing method, and an article manufacturing method.

半導体デバイスなどを製造するために用いられるリソグラフィ装置として、荷電粒子線（電子線）をそれぞれ基板に照射する複数のカラム（光学系）を用いてパターン形成（描画）を基板に行うもの（描画装置）が注目されている。このように複数のカラムを有する描画装置では、荷電粒子線の照射に異常を有するカラム（異常カラム）が存在すると、描画が行われなかった領域（描画欠落領域）が基板上に生じうるため、当該欠落領域を他のカラムによって補償（描画）することが好ましい。特許文献１には、複数のカラムから射出された荷電粒子線を基板上で走査する工程と、荷電粒子線の走査方向とは垂直な方向に複数のカラムと基板とを相対的にステップ移動させる工程とを繰り返しながら当該基板に描画を行う描画装置が記載されている。特許文献１の描画装置は、ステップ移動のピッチを変えることにより、異常カラムが描画すべきであった基板上の欠落領域の描画を他のカラムで補償している。 Lithographic apparatus used for manufacturing semiconductor devices and the like that performs pattern formation (drawing) on a substrate using a plurality of columns (optical systems) that respectively irradiate the substrate with charged particle beams (electron beams) (drawing apparatus) ) Is attracting attention. Thus, in a drawing apparatus having a plurality of columns, if there is a column (abnormal column) having an abnormality in irradiation of charged particle beams, a region where drawing has not been performed (drawing missing region) may occur on the substrate. The missing region is preferably compensated (drawn) by another column. In Patent Document 1, a step of scanning charged particles emitted from a plurality of columns on a substrate and a step of moving the plurality of columns and the substrate relatively in a direction perpendicular to the scanning direction of the charged particle beams are disclosed. A drawing apparatus that performs drawing on the substrate while repeating the steps is described. The drawing apparatus of Patent Document 1 compensates for the drawing of the missing region on the substrate where the abnormal column should be drawn by changing the pitch of the step movement with the other columns.

また、スループットを向上させるため、複数の基板に並行して描画を行う描画装置が提案されている（特許文献２参照）。 In order to improve throughput, a drawing apparatus that performs drawing on a plurality of substrates in parallel has been proposed (see Patent Document 2).

特開２０１０−９８２９４号公報JP 2010-98294 A 特表２００８−５０１２４３号公報Special table 2008-501243 gazette

特許文献２の描画装置では、基板ごとにステップ移動のピッチを変えることができない。そのため、複数の基板の各々に対して異常カラムが存在する場合、特許文献１に記載された方法を適用しても、当該複数の基板の各々に生じた欠落領域を並行して補償するのが困難になりうる。結果として、スループットの点で不利となりうる。 In the drawing apparatus of Patent Document 2, the pitch of step movement cannot be changed for each substrate. Therefore, when there is an abnormal column for each of the plurality of substrates, even if the method described in Patent Document 1 is applied, it is possible to compensate for the missing region generated in each of the plurality of substrates in parallel. Can be difficult. As a result, it can be disadvantageous in terms of throughput.

そこで、本発明は、欠落領域の補償を行うのにスループットの点で有利な技術を提供することを例示的目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a technique advantageous in terms of throughput for compensating for a missing region.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、複数の基板に描画を行う描画装置であって、前記複数の基板を保持する可動のステージと、前記複数の基板それぞれに関して設けられ、前記複数の基板のうちの対応する基板にそれぞれがビームを照射する複数の照射部と、前記複数の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記複数の基板のうち前記描画の欠落領域を有する２以上の基板に関して、前記複数の照射部のうち前記欠落領域に対応する照射部とは異なる照射部によって前記欠落領域の補償が行われるように、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a drawing apparatus according to an aspect of the present invention is a drawing apparatus that performs drawing on a plurality of substrates, each of which is related to a movable stage that holds the plurality of substrates, and each of the plurality of substrates. A plurality of irradiation units each configured to irradiate a beam to a corresponding one of the plurality of substrates, and a control unit that controls arrangement of each of the plurality of substrates on the stage, and the control The unit compensates for the missing region with respect to two or more substrates having the drawing missing region among the plurality of substrates by an irradiation unit different from the irradiation unit corresponding to the missing region among the plurality of irradiation units. As described above, the arrangement of each of the two or more substrates on the stage is controlled.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、欠落領域の補償を行うのにスループットの点で有利な技術を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide a technique advantageous in terms of throughput for compensating for a missing region.

第１実施形態の描画装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the drawing apparatus of 1st Embodiment. 照射部の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of an irradiation part. 第１実施形態の描画装置を上から見たときの図である。It is a figure when the drawing apparatus of 1st Embodiment is seen from the top. 各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which changes arrangement | positioning on the stage of each board | substrate. 各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which changes arrangement | positioning on the stage of each board | substrate. 各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which changes arrangement | positioning on the stage of each board | substrate. 各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which changes arrangement | positioning on the stage of each board | substrate. 各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which changes arrangement | positioning on the stage of each board | substrate. 各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which changes arrangement | positioning on the stage of each board | substrate. 各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which changes arrangement | positioning on the stage of each board | substrate. 各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which changes arrangement | positioning on the stage of each board | substrate. 第１実施形態の描画装置における描画処理および補償処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the drawing process and compensation process in the drawing apparatus of 1st Embodiment.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member thru | or element, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の描画装置１００について説明する。図１は、第１実施形態の描画装置１００を示す概略図である。第１実施形態の描画装置１００は、例えば、荷電粒子線（ビーム）を用いて複数の基板１に描画を行う描画部１０と、複数の基板１を移動させるステージ部２０と、描画装置１００における各処理を制御する制御部３０とを含みうる。 <First Embodiment>
The drawing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a drawing apparatus 100 according to the first embodiment. The drawing apparatus 100 according to the first embodiment includes, for example, a drawing unit 10 that performs drawing on a plurality of substrates 1 using charged particle beams (beams), a stage unit 20 that moves the plurality of substrates 1, and the drawing apparatus 100. And a control unit 30 for controlling each process.

描画部１０は、例えば、荷電粒子線（ビーム）を基板１に照射して描画をそれぞれ行う複数の照射部１２を含む。複数の照射部１２は、基板１の枚数に対応する数のグループ１１に分けられ、１つの基板１に対して少なくとも２つの照射部１２で描画を行うように配置される。図１に示す例では、第１グループ１１ａに含まれる４つの照射部１２によって基板１ａの描画が行われうる。同様に、第２グループ１１ｂに含まれる４つの照射部１２によって基板１ｂの描画が行われ、第３グループ１１ｃに含まれる４つの照射部１２によって基板１ｃの描画が行われうる。また、各照射部１２は、図２に示すように、例えば、荷電粒子源１２１と、コリメータレンズ１２２と、アパーチャアレイ１２３と、ブランカアレイ１２４と、ブランキングアパーチャ１２５と、対物レンズ１２６とを含みうる。図２は、照射部１２の構成を示す概略図である。 The drawing unit 10 includes, for example, a plurality of irradiation units 12 that perform drawing by irradiating the substrate 1 with a charged particle beam (beam). The plurality of irradiation units 12 are divided into a number of groups 11 corresponding to the number of the substrates 1, and are arranged so that at least two irradiation units 12 perform drawing on one substrate 1. In the example shown in FIG. 1, the substrate 1a can be drawn by the four irradiation units 12 included in the first group 11a. Similarly, the drawing of the substrate 1b can be performed by the four irradiation units 12 included in the second group 11b, and the drawing of the substrate 1c can be performed by the four irradiation units 12 included in the third group 11c. Further, as shown in FIG. 2, each irradiation unit 12 includes, for example, a charged particle source 121, a collimator lens 122, an aperture array 123, a blanker array 124, a blanking aperture 125, and an objective lens 126. sell. FIG. 2 is a schematic diagram illustrating the configuration of the irradiation unit 12.

荷電粒子源１２１から発生した荷電粒子線は、コリメータレンズ１２２により光軸と略平行にされた後、複数の開口が２次元的に配列されたアパーチャアレイ１２３を通過する。これにより、複数の荷電粒子線が生成される。アパーチャアレイ１２３によって生成された複数の荷電粒子線の各々は、荷電粒子線を個別に偏向するブランカを複数含むブランカアレイ１２４に入射する。ブランカアレイ１２４に含まれる各ブランカは、例えば、対向する２枚の電極（電極対）を含み、２枚の電極の間に電圧を与えることにより電界を生じさせ、荷電粒子線を偏向することができる。ブランカアレイ１２４によって偏向された荷電粒子線は、ブランカアレイ１２４の後段に配置されるブランキングアパーチャ１２５によって遮断されて基板１に到達しない。一方で、ブランカアレイ１２４によって偏向されない荷電粒子線は、ブランキングアパーチャ１２５に形成された開口を通過して基板１に到達する。即ち、ブランカアレイ１２４は、基板１への各荷電粒子線の照射（オン）と非照射（オフ）とを切り替えている。ブランカアレイ１２４を通過した各荷電粒子線は、対物レンズ１２６によって基板１に結像される。ここで、コリメータレンズ１２２および対物レンズ１２６は、荷電粒子線を基板１に投影する投影系（荷電粒子光学系）として構成されており、アパーチャアレイ１２３上において開口が配置されている面が物面で、基板１が像面という関係になっている。 The charged particle beam generated from the charged particle source 121 is made substantially parallel to the optical axis by the collimator lens 122 and then passes through the aperture array 123 in which a plurality of openings are two-dimensionally arranged. Thereby, a plurality of charged particle beams are generated. Each of the plurality of charged particle beams generated by the aperture array 123 is incident on a blanker array 124 including a plurality of blankers that individually deflect the charged particle beams. Each blanker included in the blanker array 124 includes, for example, two electrodes (electrode pairs) facing each other to generate an electric field by deflecting the charged particle beam by applying a voltage between the two electrodes. it can. The charged particle beam deflected by the blanker array 124 is blocked by the blanking aperture 125 arranged at the subsequent stage of the blanker array 124 and does not reach the substrate 1. On the other hand, the charged particle beam not deflected by the blanker array 124 passes through the opening formed in the blanking aperture 125 and reaches the substrate 1. That is, the blanker array 124 switches between irradiation (ON) and non-irradiation (OFF) of each charged particle beam to the substrate 1. Each charged particle beam that has passed through the blanker array 124 is imaged on the substrate 1 by the objective lens 126. Here, the collimator lens 122 and the objective lens 126 are configured as a projection system (charged particle optical system) that projects a charged particle beam onto the substrate 1, and a surface on which an aperture is arranged on the aperture array 123 is an object surface. Thus, the substrate 1 is in an image plane relationship.

ステージ部２０は、例えば、ステージ２１と、複数の保持部２２とを含みうる。ステージ２１は、複数の基板１を搭載し、当該複数の基板１を互いに同じ方向に一括に移動させるように構成されている。また、複数の保持部２２は、基板１を保持してステージ上で可動にそれぞれ構成されており、ステージ上に搭載される複数の基板１の各々に対して１つずつ設けられうる。各保持部２２は、例えば、真空吸着や静電吸着などにより基板１を保持する基板チャック２２１と、基板チャック２２１（基板１）をステージ上で駆動する基板駆動部２２２とを含みうる。 The stage unit 20 can include, for example, a stage 21 and a plurality of holding units 22. The stage 21 is configured to mount a plurality of substrates 1 and collectively move the plurality of substrates 1 in the same direction. Further, the plurality of holding units 22 are configured to hold the substrate 1 and be movable on the stage, and can be provided one for each of the plurality of substrates 1 mounted on the stage. Each holding unit 22 may include, for example, a substrate chuck 221 that holds the substrate 1 by vacuum chucking or electrostatic chucking, and a substrate driving unit 222 that drives the substrate chuck 221 (substrate 1) on the stage.

制御部３０は、ステージ２１によって複数の基板１を同じ方向に一括に移動させながら複数の照射部１２の各々への荷電粒子線の照射を制御することによって、複数の基板１に描画を同時に行う処理（描画処理）を制御する。制御部３０は、例えば、ブランキング制御器３１と、ステージ制御器３２と、主制御器３３とを含みうる。ブランキング制御器３１は、ブランカアレイ１２４に含まれる複数のブランカを個別に制御する。ステージ制御器３２は、ステージ２１の位置を計測する計測器（不図示）からの信号に基づいてステージ２１の位置を制御する。ステージ２１の位置を計測する計測器としては、例えばレーザ干渉計が用いられうる。また、主制御器３３は、例えばＣＰＵやメモリなどを含み、複数の基板１の各々における描画処理や、後述する補償処理を制御する。 The control unit 30 simultaneously performs drawing on the plurality of substrates 1 by controlling the irradiation of the charged particle beams to each of the plurality of irradiation units 12 while collectively moving the plurality of substrates 1 in the same direction by the stage 21. Controls processing (drawing processing). The control unit 30 can include, for example, a blanking controller 31, a stage controller 32, and a main controller 33. The blanking controller 31 individually controls a plurality of blankers included in the blanker array 124. The stage controller 32 controls the position of the stage 21 based on a signal from a measuring instrument (not shown) that measures the position of the stage 21. As a measuring instrument for measuring the position of the stage 21, for example, a laser interferometer can be used. Further, the main controller 33 includes, for example, a CPU and a memory, and controls a drawing process on each of the plurality of substrates 1 and a compensation process to be described later.

図３は、第１実施形態の描画装置１００を上から見たときの図である。第１実施形態の描画装置１００では、ステージ上に３つの保持部２２ａ〜２２ｃが配置されており、各保持部２２ａ〜２２ｃが基板チャック２２１によって各基板１ａ〜１ｃをそれぞれ保持している。図３には、各照射部１２から射出された荷電粒子線が照射される照射エリア１２’が図示されている。制御部３０は、ステージ制御器３２によってステージ２１を移動させることで、ステージ上に搭載された複数の基板１ａ〜１ｃを互いに同じ方向に一括に移動させ、各照射部１２から射出された荷電粒子線が照射される照射エリア１２’を基板上で移動させる。第１実施形態では、例えば、Ｙ方向へのステージ２１の移動とＸ方向へのステージ２１のステップ移動とを繰り返すことにより、各基板上の全領域において照射エリア１２’を通過させることができる。そして、制御部３０は、Ｙ方向にステージ２１を移動させている間、各照射部１２におけるブランカアレイ１２４（各ブランカ）をブランキング制御器３１によって制御する。このように描画装置１００は、複数の基板１に描画を行う処理（描画処理）を制御することができる。 FIG. 3 is a diagram of the drawing apparatus 100 according to the first embodiment as viewed from above. In the drawing apparatus 100 according to the first embodiment, three holding units 22 a to 22 c are arranged on a stage, and the holding units 22 a to 22 c hold the substrates 1 a to 1 c by the substrate chuck 221, respectively. FIG. 3 shows an irradiation area 12 ′ where the charged particle beam emitted from each irradiation unit 12 is irradiated. The control unit 30 moves the stage 21 by the stage controller 32, thereby moving the plurality of substrates 1a to 1c mounted on the stage in the same direction to each other, and charged particles emitted from each irradiation unit 12 The irradiation area 12 ′ irradiated with the line is moved on the substrate. In the first embodiment, for example, by repeating the movement of the stage 21 in the Y direction and the step movement of the stage 21 in the X direction, the irradiation area 12 ′ can be passed through the entire area on each substrate. The control unit 30 controls the blanker array 124 (each blanker) in each irradiation unit 12 by the blanking controller 31 while moving the stage 21 in the Y direction. In this way, the drawing apparatus 100 can control a process (drawing process) for drawing on a plurality of substrates 1.

描画装置１００では、荷電粒子線の照射に異常を有する照射部１２（異常照射部）が存在していると、異常照射部の照射エリア１２’では荷電粒子線を基板１に照射することができない。その結果、図３に示すように、描画処理において描画を行うことができなかった領域、即ち、描画の欠落領域（以下、未描画領域２と称する）が基板１に生じうる。例えば、荷電粒子源１２１の寿命などにより荷電粒子線を射出することができない照射部１２が異常照射部として存在している場合では、描画処理において異常照射部で描画を行うべきであった領域が未描画領域２になりうる。また、ブランカアレイ１２４の動作不良などにより荷電粒子線の照射のオンオフ制御を正常に行うことができない照射部１２が異常照射部として存在している場合では、当該異常照射部を用いずに描画処理が行われる。そのため、この場合においても、異常照射部で描画を行うべきであった領域が未描画領域２になりうる。このように未描画領域２が基板１に生じている場合では、描画処理において未描画領域２の描画を行うべきであった照射部１２（異常照射部）とは異なる照射部１２によって、未描画領域２の描画を補償する処理（補償処理）を行うことが好ましい。例えば、図３に示すように、複数の基板１のうち真ん中の基板１ｂのみに未描画領域２が生じている場合を想定する。この場合では、制御部３０が、ステージ２１の移動を制御しながら異常照射部とは異なる照射部１２からの荷電粒子線の照射を制御することによって、未描画領域２の描画（補償処理）を行うことが好ましい。 In the drawing apparatus 100, if there is an irradiation unit 12 (abnormal irradiation unit) having an abnormality in the irradiation of the charged particle beam, the charged particle beam cannot be irradiated onto the substrate 1 in the irradiation area 12 ′ of the abnormal irradiation unit. . As a result, as shown in FIG. 3, a region where drawing could not be performed in the drawing process, that is, a drawing missing region (hereinafter referred to as an undrawn region 2) may occur on the substrate 1. For example, when the irradiation unit 12 that cannot emit a charged particle beam due to the lifetime of the charged particle source 121 or the like exists as an abnormal irradiation unit, the region where the abnormal irradiation unit should have drawn in the drawing process is This can be an undrawn area 2. In addition, when there is an irradiation unit 12 that cannot perform normal on / off control of charged particle beam irradiation due to malfunction of the blanker array 124 or the like, the drawing process is performed without using the abnormal irradiation unit. Is done. For this reason, even in this case, the region where the drawing should have been performed in the abnormal irradiation portion can be the undrawn region 2. As described above, when the undrawn area 2 is generated on the substrate 1, the non-drawn region is not drawn by the irradiation unit 12 that is different from the irradiation unit 12 (abnormal irradiation unit) that should have drawn the undrawn region 2 in the drawing process. It is preferable to perform a process (compensation process) for compensating the drawing of the area 2. For example, as shown in FIG. 3, a case is assumed where an undrawn region 2 is generated only in the middle substrate 1 b among the plurality of substrates 1. In this case, the control unit 30 controls the movement of the stage 21 and controls the irradiation of the charged particle beam from the irradiation unit 12 different from the abnormal irradiation unit, thereby drawing the undrawn region 2 (compensation process). Preferably it is done.

一方で、複数の異常照射部が描画部１０に存在し、ステージ上に搭載された複数の基板１のうち少なくとも２枚の基板１（２以上の基板１）の各々に未描画領域２が生じている場合がある。この場合、描画装置１００には、スループットを向上させるため、できるだけ少ない回数の補償処理によって各基板１に生じた未描画領域２の描画を行うことが求められる。しかしながら、第１実施形態の描画装置１００は、ステージ２１によって複数の基板１を同じ方向に一括に移動させるように構成されている。そのため、少なくとも２枚の基板１の各々に未描画領域２が生じている場合では、各基板１に生じた未描画領域２の描画を同時に行うことが困難になりうる。そこで、第１実施形態の描画装置１００は、複数の基板１の各々のステージ上での配置を変更する変更部を含む。そして、描画装置１００は、異常照射部とは異なる照射部１２によって未描画領域２の描画が行われるように、各基板１のステージ上での配置を変更部により個別に変更する。そして、ステージ２１によって複数の基板１を一括に移動させながら各基板１に生じた未描画領域２の描画を同時に行う。各基板１のステージ上での配置を変更する変更部としては、例えば、各基板１を保持してステージ上で個別に可動の複数の保持部２２、および各基板１を搬送する搬送部４０（搬送アーム）の少なくとも一方が用いられうる。 On the other hand, a plurality of abnormal irradiation portions exist in the drawing portion 10, and an undrawn region 2 is generated on each of at least two substrates 1 (two or more substrates 1) among the plurality of substrates 1 mounted on the stage. There may be. In this case, in order to improve the throughput, the drawing apparatus 100 is required to draw the undrawn area 2 generated on each substrate 1 by the compensation process as few times as possible. However, the drawing apparatus 100 according to the first embodiment is configured to move a plurality of substrates 1 in the same direction by the stage 21 at once. Therefore, when the undrawn area 2 is generated on each of at least two substrates 1, it may be difficult to simultaneously draw the undrawn area 2 generated on each substrate 1. Therefore, the drawing apparatus 100 according to the first embodiment includes a changing unit that changes the arrangement of each of the plurality of substrates 1 on the stage. And the drawing apparatus 100 changes the arrangement | positioning on the stage of each board | substrate 1 separately by the change part so that the undrawn area | region 2 may be drawn by the irradiation part 12 different from an abnormal irradiation part. Then, while the plurality of substrates 1 are moved together by the stage 21, the undrawn area 2 generated on each substrate 1 is simultaneously drawn. Examples of the changing unit that changes the arrangement of each substrate 1 on the stage include, for example, a plurality of holding units 22 that hold each substrate 1 and are individually movable on the stage, and a transfer unit 40 that transfers each substrate 1 ( At least one of the transfer arms can be used.

ここで、第１実施形態の描画装置１００は、荷電粒子線の照射に異常を有する異常照射部を特定するため、複数の照射部１２の各々における荷電粒子線の照射状態を検出する検出部２３を含みうる。検出部２３は、例えば、荷電粒子線の照射強度を検出するセンサを含み、図３に示すように、ステージ２１に搭載された各保持部２２の上にそれぞれ設けられうる。このように検出部２３が設けられることにより、制御部３０は、検出部２３による検出結果（検出部２３の出力）に基づいて、複数の照射部１２の中から異常照射部を特定することができる。 Here, the drawing apparatus 100 according to the first embodiment detects a charged particle beam irradiation state in each of the plurality of irradiation units 12 in order to identify an abnormal irradiation unit having an abnormality in charged particle beam irradiation. Can be included. The detection unit 23 includes, for example, a sensor that detects the irradiation intensity of the charged particle beam, and can be provided on each holding unit 22 mounted on the stage 21 as shown in FIG. By providing the detection unit 23 in this manner, the control unit 30 can identify an abnormal irradiation unit from among the plurality of irradiation units 12 based on the detection result (output of the detection unit 23) by the detection unit 23. it can.

［各基板１のステージ上での配置の変更について］
次に、複数の基板１にそれぞれ生じた未描画領域２を描画するために各基板１のステージ上での配置を変更する実施例について、図４〜図１１を参照しながら説明する。図４〜図１１は、各基板１のステージ上での並進および回転のうち少なくとも一方を制御して各基板１のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。各図において、基板１における斜線部分は、荷電粒子線の照射に異常を有さない照射部１２（正常照射部）の照射エリア１２’が描画処理において通過した基板上の領域（描画領域３）を示す。また、基板１における白抜き部分は、異常照射部の照射エリア１２’が描画処理において通過した基板上の領域（未描画領域２）を示す。即ち、未描画領域２は、補償処理を行うべき基板上の領域である。 [Change in arrangement of each substrate 1 on the stage]
Next, an embodiment in which the arrangement of the substrates 1 on the stage in order to draw the undrawn regions 2 respectively generated on the plurality of substrates 1 will be described with reference to FIGS. 4-11 is a figure for demonstrating the Example which changes the arrangement | positioning on the stage of each board | substrate 1 by controlling at least one among the translation and rotation on the stage of each board | substrate 1. FIG. In each figure, the hatched portion in the substrate 1 is a region on the substrate (drawing region 3) through which the irradiation area 12 'of the irradiation unit 12 (normal irradiation unit) having no abnormality in the irradiation of the charged particle beam has passed in the drawing process. Indicates. A white portion on the substrate 1 indicates a region (undrawn region 2) on the substrate through which the irradiation area 12 ′ of the abnormal irradiation portion has passed in the drawing process. That is, the undrawn area 2 is an area on the substrate on which compensation processing is to be performed.

（実施例１）
実施例１では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ_１および１２ａ_２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ_１がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図４（ａ）に示すように、基板１ａおよび基板１ｂに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図４（ｂ）に示すように、第１グループ１１ａにおける正常照射部である照射部１２ａ_３および１２ａ_４によって基板１ａの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ａを保持する保持部２２ａを＋Ｘ方向に移動させる。また、制御部３０は、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ_２によって基板１ｂの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ｂを保持する保持部２２ｂを＋Ｘ方向に移動させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することで、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。 Example 1
In Example 1, the case irradiation unit 12a ₁ and 12a ₂ of the first group 11a, the irradiation portion 12b ₁ of the second group 11b are each abnormal irradiation unit. In this case, when the drawing process is performed, as shown in FIG. 4A, undrawn regions 2 may be generated on the substrate 1a and the substrate 1b, respectively. Therefore, the control unit 30, as shown in FIG. 4 (b), the drawing board 1a of the non-drawing region 2 by the irradiation unit 12a ₃ and 12a ₄ are normal irradiation unit in the first group 11a is performed, The holding portion 22a that holds the substrate 1a is moved in the + X direction. The control unit 30 is moved, as the drawing non-drawing region 2 of the substrate 1b by the irradiation unit 12b ₂ is normal irradiation unit in the second group 11b is performed, the holding portion 22b for holding a substrate 1b in the + X direction Let Thereby, the stage 21 of each substrate 1 can be scanned so that the irradiation area 12 ′ of the normal irradiation unit can be scanned on the undrawn area of each substrate 1 by simply moving the plurality of substrates 1 together by the stage 21. The arrangement of can be changed. For this reason, the control unit 30 controls the irradiation of the charged particle beam by each irradiation unit 12 while the plurality of substrates 1 are collectively moved by the stage 21, so that the undrawn region 2 generated on each substrate 1 is controlled. Drawing (compensation processing) can be performed.

（実施例２）
実施例２では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ_１および１２ａ_２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ_１がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図５（ａ）に示すように、基板１ａおよび基板１ｂに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図５（ｂ）に示すように、第１グループ１１ａにおける正常照射部である照射部１２ａ_３および１２ａ_４によって基板１ａの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ａを保持する保持部２２ａを１８０度回転させる。また、制御部３０は、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ_４によって基板１ｂの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ｂを保持する保持部２２ｂを１８０度回転させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することで、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。 (Example 2)
In Example 2, the case irradiation unit 12a ₁ and 12a ₂ of the first group 11a, the irradiation portion 12b ₁ of the second group 11b are each abnormal irradiation unit. In this case, when the drawing process is performed, as shown in FIG. 5A, undrawn regions 2 may be generated on the substrate 1a and the substrate 1b, respectively. Therefore, the control unit 30, as shown in FIG. 5 (b), the drawing board 1a of the non-drawing region 2 by the irradiation unit 12a ₃ and 12a ₄ are normal irradiation unit in the first group 11a is performed, The holding portion 22a that holds the substrate 1a is rotated 180 degrees. The control unit 30, as the drawing non-drawing region 2 of the substrate 1b by the irradiation unit 12b ₄ is normal irradiation unit in the second group 11b is made to rotate the holding portion 22b for holding a substrate 1b 180 degrees . Thereby, the stage 21 of each substrate 1 can be scanned so that the irradiation area 12 ′ of the normal irradiation unit can be scanned on the undrawn area of each substrate 1 by simply moving the plurality of substrates 1 together by the stage 21. The arrangement of can be changed. For this reason, the control unit 30 controls the irradiation of the charged particle beam by each irradiation unit 12 while the plurality of substrates 1 are collectively moved by the stage 21, so that the undrawn region 2 generated on each substrate 1 is controlled. Drawing (compensation processing) can be performed.

（実施例３）
実施例３では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ_１および１２ａ_２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ_１がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図６（ａ）に示すように、基板１ａおよび基板１ｂに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図６（ｂ）に示すように、第１グループ１１ａにおける正常照射部である照射部１２ａ_３および１２ａ_４によって基板１ａの未描画領域２の描画が行われるように、搬送部４０によって基板１ａを＋Ｘ方向に移動させる。また、制御部３０は、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ_２によって基板１ｂの未描画領域２の描画が行われるように、搬送部４０によって基板１ｂを＋Ｘ方向に移動させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することで、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。 (Example 3)
In Example 3, the case irradiation unit 12a ₁ and 12a ₂ of the first group 11a, the irradiation portion 12b ₁ of the second group 11b are each abnormal irradiation unit. In this case, when the drawing process is performed, as shown in FIG. 6A, undrawn regions 2 may be generated on the substrate 1a and the substrate 1b, respectively. Therefore, the control unit 30, as shown in FIG. 6 (b), the drawing board 1a of the non-drawing region 2 by the irradiation unit 12a ₃ and 12a ₄ are normal irradiation unit in the first group 11a is performed, The substrate 1a is moved in the + X direction by the transport unit 40. The control unit 30, as the drawing non-drawing region 2 of the substrate 1b by the irradiation unit 12b ₂ is normal irradiation unit in the second group 11b is performed, moving the substrate 1b in the + X direction by the conveyance portion 40. Thereby, the stage 21 of each substrate 1 can be scanned so that the irradiation area 12 ′ of the normal irradiation unit can be scanned on the undrawn area of each substrate 1 by simply moving the plurality of substrates 1 together by the stage 21. The arrangement of can be changed. For this reason, the control unit 30 controls the irradiation of the charged particle beam by each irradiation unit 12 while the plurality of substrates 1 are collectively moved by the stage 21, so that the undrawn region 2 generated on each substrate 1 is controlled. Drawing (compensation processing) can be performed.

（実施例４）
実施例４では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ_１および１２ａ_２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ_１がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図７（ａ）に示すように、基板１ａおよび基板１ｂに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図７（ｂ）に示すように、第１グループ１１ａにおける正常照射部である照射部１２ａ_３および１２ａ_４によって基板１ａの未描画領域２の描画が行われるように、搬送部４０によって基板１ａを１８０度回転させる。また、制御部３０は、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ_４によって基板１ｂの未描画領域２の描画が行われるように、搬送部４０によって基板１ｂを１８０度回転させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することで、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。 Example 4
In Example 4, a case irradiation unit 12a ₁ and 12a ₂ of the first group 11a, the irradiation portion 12b ₁ of the second group 11b are each abnormal irradiation unit. In this case, when the drawing process is performed, as shown in FIG. 7A, undrawn regions 2 may be generated on the substrate 1a and the substrate 1b, respectively. Therefore, the control unit 30, as shown in FIG. 7 (b), the drawing board 1a of the non-drawing region 2 by the irradiation unit 12a ₃ and 12a ₄ are normal irradiation unit in the first group 11a is performed, The substrate 1a is rotated 180 degrees by the transport unit 40. The control unit 30, as the drawing non-drawing region 2 of the substrate 1b by the irradiation unit 12b ₄ is normal irradiation unit in the second group 11b is performed, rotating the substrate 1b 180 degrees by the transport unit 40. Thereby, the stage 21 of each substrate 1 can be scanned so that the irradiation area 12 ′ of the normal irradiation unit can be scanned on the undrawn area of each substrate 1 by simply moving the plurality of substrates 1 together by the stage 21. The arrangement of can be changed. For this reason, the control unit 30 controls the irradiation of the charged particle beam by each irradiation unit 12 while the plurality of substrates 1 are collectively moved by the stage 21, so that the undrawn region 2 generated on each substrate 1 is controlled. Drawing (compensation processing) can be performed.

（実施例５）
実施例５では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ_１および１２ａ_２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ_３および１２ｂ_４がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図８（ａ）に示すように、基板１ａおよび基板１ｂに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図８（ｂ）に示すように、搬送部４０によって基板１ａと基板１ｂとの位置を交換する。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することで、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。つまり、第１グループ１１ａにおける正常照射部である照射部１２ａ_３および１２ａ_４によって基板１ｂの未描画領域２の描画を行うことができる。同様に、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ_１および１２ｂ_２によって基板１ａの未描画領域２の描画を行うことができる。 (Example 5)
In Example 5, it will be described irradiating portion 12a ₁ and 12a ₂ of the first group 11a, the irradiation part 12b ₃ and 12b ₄ in the second group 11b are each abnormal irradiation unit. In this case, when the drawing process is performed, as shown in FIG. 8A, undrawn regions 2 may be generated on the substrate 1a and the substrate 1b, respectively. Therefore, the control unit 30 exchanges the positions of the substrate 1a and the substrate 1b by the transport unit 40 as shown in FIG. Thereby, the stage 21 of each substrate 1 can be scanned so that the irradiation area 12 ′ of the normal irradiation unit can be scanned on the undrawn area of each substrate 1 by simply moving the plurality of substrates 1 together by the stage 21. The arrangement of can be changed. For this reason, the control unit 30 controls the irradiation of the charged particle beam by each irradiation unit 12 while the plurality of substrates 1 are collectively moved by the stage 21, so that the undrawn region 2 generated on each substrate 1 is controlled. Drawing (compensation processing) can be performed. That is, it is possible to draw the non-drawing region 2 of the substrate 1b by the irradiation unit 12a ₃ and 12a ₄ are normal irradiation unit in the first group 11a. Similarly, it is possible to draw the non-drawing region 2 of the substrate 1a by the irradiation unit 12b ₁ and 12b ₂ are normal irradiation unit in the second group 11b.

（実施例６）
実施例６では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ_１および１２ａ_２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ_３、第３グループ１１ｃにおける照射部１２ｃ_２および１２ｃ_３がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図９（ａ）に示すように、基板１ａ、基板１ｂおよび基板１ｃに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図９（ｂ）に示すように、基板１ａを保持する保持部２２ａを１８０度回転させ、搬送部４０によって基板１ｂと基板１ｃとの位置を交換する。そして、制御部３０は、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ_１および１２ｂ_２によって基板１ｃの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ｃを保持する保持部２２ｂを−Ｘ方向に移動させる。また、制御部３０は、第３グループ１１ｃにおける正常照射部である照射部１２ｃ_４によって基板１ｂの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ｂを保持する保持部２２ｃを＋Ｘ方向に移動させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することにより、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。 (Example 6)
In the sixth embodiment, the case where the irradiation units 12a ₁ and 12a ₂ in the first group 11a, the irradiation unit 12b ₃ in the second group 11b, and the irradiation units 12c ₂ and 12c ₃ in the third group 11c are abnormal irradiation units will be described. To do. In this case, when the drawing process is performed, as shown in FIG. 9A, undrawn regions 2 may be generated on the substrate 1a, the substrate 1b, and the substrate 1c, respectively. Therefore, as shown in FIG. 9B, the control unit 30 rotates the holding unit 22a that holds the substrate 1a by 180 degrees, and exchanges the positions of the substrate 1b and the substrate 1c by the transport unit 40. Then, the control unit 30, as in the drawing non-drawing region 2 of the substrate 1c is performed by irradiating portion 12b ₁ and 12b ₂ are normal irradiation unit in the second group 11b, and the holding portion 22b for holding a substrate 1c - Move in the X direction. The control unit 30 is moved, as the drawing non-drawing region 2 of the substrate 1b by the irradiation unit 12c ₄ is normal irradiation unit in the third group 11c is performed, the holding portion 22c for holding the substrate 1b in the + X direction Let Thereby, the stage 21 of each substrate 1 can be scanned so that the irradiation area 12 ′ of the normal irradiation unit can be scanned on the undrawn area of each substrate 1 by simply moving the plurality of substrates 1 together by the stage 21. The arrangement of can be changed. Therefore, the control unit 30 controls the irradiation of the charged particle beam by each irradiation unit 12 while the plurality of substrates 1 are collectively moved by the stage 21, whereby the undrawn region 2 generated on each substrate 1 is controlled. Drawing (compensation processing) can be performed.

（実施例７）
実施例７では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ_４、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ_１、１２ｂ_２および１２ｂ_４、第３グループ１１ｃにおける照射部１２ｃ_１および１２ｃ_４がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、各基板１の配置を変更せずに描画処理を行うと、図１０に示すように各基板１に未描画領域２が生じ、１回の補償処理では各基板１に生じた未描画領域２の全ての描画を行うことが困難になりうる。そのため、制御部３０は、１回の補償処理によって各基板１の未描画領域２の全ての描画を行うことができるように、異常照射部の場所に応じて各基板１の配置を変更した後、描画処理を開始する。例えば、制御部３０は、図１１（ａ）に示すように、第２グループ１１ｂにおける複数の照射部１２のＸ方向におけるピッチの１つ分だけ、基板１ｂを保持する保持部２２ｂを−Ｘ方向に移動させる。同様に、第３グループ１１ｃにおける複数の照射部１２のＸ方向におけるピッチの１つ分だけ、基板１ｃを保持する保持部２２ｃを＋Ｘ方向に移動させる。そして、制御部３０は、保持部２２ｂおよび２２ｃを移動させた状態においてステージ２１により複数の基板１を一括に移動させて描画処理を行う。描画処理が終了した後、制御部３０は、図１１（ｂ）に示すように、搬送部４０によって基板１ａと基板１ｂとの位置を交換する。また、制御部３０は、第３グループ１１ｃにおける照射部１２ｃ_２〜１２ｃ_３によって基板１ｃの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ｃを保持する保持部２２ｃを−Ｘ方向に移動させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することにより、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。 (Example 7)
In Example 7, the irradiation unit 12a ₄ in the first group 11a, the irradiation units 12b ₁ , 12b ₂ and 12b ₄ in the second group 11b, and the irradiation units 12c ₁ and 12c ₄ in the third group 11c are abnormal irradiation units, respectively. The case will be described. In this case, if the drawing process is performed without changing the arrangement of each substrate 1, an undrawn area 2 is generated on each substrate 1 as shown in FIG. 10, and the undrawn area generated on each substrate 1 in one compensation process. It may be difficult to draw all of the area 2. Therefore, after changing the arrangement of each substrate 1 according to the location of the abnormal irradiation unit, the control unit 30 can perform all drawing of the undrawn region 2 of each substrate 1 by one compensation process. The drawing process is started. For example, as illustrated in FIG. 11A, the control unit 30 moves the holding unit 22b that holds the substrate 1b by one pitch in the X direction of the plurality of irradiation units 12 in the second group 11b in the −X direction. Move to. Similarly, the holding unit 22c that holds the substrate 1c is moved in the + X direction by one pitch in the X direction of the plurality of irradiation units 12 in the third group 11c. And the control part 30 performs the drawing process by moving the several board | substrate 1 collectively with the stage 21 in the state which moved the holding parts 22b and 22c. After the drawing process is completed, the control unit 30 exchanges the positions of the substrate 1a and the substrate 1b by the transport unit 40 as shown in FIG. The control unit 30 moves as rendering non-drawing region 2 is made of a substrate 1c by the irradiation unit _12c 2 ～12C ₃ in the third group 11c, the holding portion 22c for holding the substrate 1c in the -X direction . Thereby, the stage 21 of each substrate 1 can be scanned so that the irradiation area 12 ′ of the normal irradiation unit can be scanned on the undrawn area of each substrate 1 by simply moving the plurality of substrates 1 together by the stage 21. The arrangement of can be changed. Therefore, the control unit 30 controls the irradiation of the charged particle beam by each irradiation unit 12 while the plurality of substrates 1 are collectively moved by the stage 21, whereby the undrawn region 2 generated on each substrate 1 is controlled. Drawing (compensation processing) can be performed.

［描画処理および補償処理のフローについて］
次に、第１実施形態の描画装置１００における描画処理および補償処理のフローについて、図１２を参照しながら説明する。図１２は、第１実施形態の描画装置１００における描画処理および補償処理を示すフローチャートである。以下では、複数の照射部１２のうち少なくとも２つの照射部１２が異常照射部であり、描画処理によって、ステージ２１に搭載された複数の基板１のうち少なくとも２枚の基板１の各々に未描画領域２が生じる場合について説明する。 [Drawing processing and compensation processing flow]
Next, the flow of the drawing process and the compensation process in the drawing apparatus 100 of the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a flowchart illustrating a drawing process and a compensation process in the drawing apparatus 100 according to the first embodiment. Hereinafter, at least two irradiation units 12 among the plurality of irradiation units 12 are abnormal irradiation units, and are not drawn on each of at least two substrates 1 among the plurality of substrates 1 mounted on the stage 21 by the drawing process. A case where the region 2 occurs will be described.

Ｓ１０１では、制御部３０は、各照射部１２における荷電粒子線の照射状態に関する情報（以下、各照射部１２における照射情報）を取得する。各照射部１２における照射情報とは、例えば、複数の照射部１２のうちどの照射部１２が異常照射部であるか（異常照射部の場所）を示す情報を含みうる。制御部３０は、各照射部１２における照射情報を、例えば、各照射部１２における荷電粒子線の照射状態を検出部２３に検出させた結果に基づいて取得してもよいし、過去に行われた描画の履歴に基づいて取得してもよい。 In S <b> 101, the control unit 30 acquires information on the irradiation state of the charged particle beam in each irradiation unit 12 (hereinafter, irradiation information in each irradiation unit 12). The irradiation information in each irradiation unit 12 may include, for example, information indicating which irradiation unit 12 among the plurality of irradiation units 12 is an abnormal irradiation unit (location of the abnormal irradiation unit). The control unit 30 may acquire the irradiation information in each irradiation unit 12 based on, for example, a result of causing the detection unit 23 to detect the irradiation state of the charged particle beam in each irradiation unit 12 or may be performed in the past. It may be acquired based on the history of drawing.

Ｓ１０２では、制御部３０は、Ｓ１０１で取得した各照射部１２における照射情報に基づいて、描画処理において各基板１のステージ上での配置を変更するか否かを判断する。例えば、上述の実施例７に示すように、補償処理の回数をできるだけ少なくするため、描画処理において各基板１のステージ上の配置を変更した方がよい場合がある。この場合、制御部３０は、描画処理によって生じうる未描画領域２の描画をできるだけ少ない回数（例えば１回）の補償処理で行うことができるように、描画処理における各基板１のステージ上の配置を決定することが好ましい。制御部３０は、例えば、異常照射部の場所と描画処理における各基板１のステージ上での配置との対応関係（例えば対応表）を予め記憶しておく。そして、当該対応関係と各照射部１２における照射情報とに基づいて、描画処理における各基板１のステージ上での配置を決定するとよい。Ｓ１０２において、描画処理における各基板１のステージ上での配置を変更すると判断した場合はＳ１０３に進み、当該配置を変更しないと判断した場合はＳ１０４に進む。 In S102, the control unit 30 determines whether or not to change the arrangement of each substrate 1 on the stage in the drawing process based on the irradiation information in each irradiation unit 12 acquired in S101. For example, as shown in the above-described seventh embodiment, in order to reduce the number of times of compensation processing as much as possible, it may be better to change the arrangement of each substrate 1 on the stage in the drawing processing. In this case, the control unit 30 arranges each substrate 1 on the stage in the drawing process so that the drawing of the undrawn region 2 that may be caused by the drawing process can be performed by the compensation process as few times as possible (for example, once). Is preferably determined. For example, the control unit 30 stores in advance a correspondence relationship (for example, a correspondence table) between the location of the abnormal irradiation unit and the arrangement of each substrate 1 on the stage in the drawing process. And based on the said correspondence and the irradiation information in each irradiation part 12, it is good to determine arrangement | positioning on the stage of each board | substrate 1 in a drawing process. If it is determined in S102 that the arrangement of each substrate 1 on the stage in the drawing process is to be changed, the process proceeds to S103, and if it is determined that the arrangement is not to be changed, the process proceeds to S104.

Ｓ１０３では、制御部３０は、Ｓ１０２で決定した各基板１のステージ上での配置に従って変更部を制御し、複数の基板１のうち少なくとも１枚の基板１におけるステージ上での位置および向きの少なくとも一方を変更する。Ｓ１０４では、制御部３０は、ステージ２１によって複数の基板１を同じ方向に一括に移動させながら複数の照射部１２からの荷電粒子線の照射を制御することによって、複数の基板１に描画を同時に行う（描画処理を行う）。Ｓ１０５では、制御部３０は、ステージ２１に搭載された複数の基板のうち未描画領域２が生じた基板１があるか否かを判断する。制御部３０は、例えば、Ｓ１０１で取得した各照射部１２における照射情報に基づいて、複数の照射部１２に異常照射部がある場合は未描画領域２が生じた基板１があると判断し、異常照射部が無い場合は未描画領域が無いと判断することができる。Ｓ１０５において未描画領域２が生じた基板１があると判断した場合はＳ１０６に進み、未描画領域２が生じた基板１が無いと判断した場合は終了する。 In S103, the control unit 30 controls the changing unit according to the arrangement of each substrate 1 on the stage determined in S102, and at least the position and orientation on the stage of at least one substrate 1 out of the plurality of substrates 1 are determined. Change one. In S <b> 104, the control unit 30 controls the charged particle beam irradiation from the plurality of irradiation units 12 while moving the plurality of substrates 1 in the same direction by the stage 21, thereby simultaneously drawing on the plurality of substrates 1. Perform (perform drawing processing). In S <b> 105, the control unit 30 determines whether there is a substrate 1 in which the undrawn area 2 is generated among the plurality of substrates mounted on the stage 21. For example, based on the irradiation information in each irradiation unit 12 acquired in S101, the control unit 30 determines that there is a substrate 1 in which an undrawn region 2 occurs when there are abnormal irradiation units in the plurality of irradiation units 12, When there is no abnormal irradiation part, it can be determined that there is no undrawn area. If it is determined in S105 that there is a substrate 1 in which an undrawn area 2 is generated, the process proceeds to S106, and if it is determined that there is no substrate 1 in which an undrawn area 2 is generated, the process ends.

Ｓ１０６では、制御部３０は、できるだけ少ない回数の補償処理で各基板の未描画領域の描画を行うことができるように、補償処理を計画する。このとき、制御部３０は、補償処理に要する時間（各基板１のステージ上の配置を変更するために要する時間と未描画領域２の描画に要する時間との総和）が許容範囲に収まるように、補償処理を計画することが好ましい。例えば、制御部３０は、表１に示すように、各基板１のステージ上での配置を変更する量（配置の変更量）の組み合わせと、その組み合わせでの補償処理に要する時間との対応関係を示す情報を予め記憶しておく。各基板１のステージ上での配置は、各基板１のステージ上での向きおよび位置（Ｘ方向）を含みうる。制御部３０は、当該対応関係における組み合わせのうち、基板１に生じた未描画領域２の描画を行うことができるものを抽出する。そして、制御部３０は、抽出された組み合わせのうちから補償処理に要する時間が許容範囲に収まるもの（例えば最短のもの）を選択する。これにより、制御部３０は、補償処理における各基板１のステージ上での配置を決定し、補償処理を計画することができる。 In S106, the control unit 30 plans the compensation process so that the undrawn area of each substrate can be drawn with as few compensation processes as possible. At this time, the control unit 30 ensures that the time required for the compensation process (the sum of the time required for changing the arrangement of each substrate 1 on the stage and the time required for drawing the undrawn region 2) is within an allowable range. It is preferable to plan the compensation process. For example, as shown in Table 1, the control unit 30 correlates the combination of the amount of changing the arrangement of each substrate 1 on the stage (the amount of changing the arrangement) and the time required for compensation processing in the combination. Is stored in advance. The arrangement of each substrate 1 on the stage can include the orientation and position (X direction) of each substrate 1 on the stage. The control unit 30 extracts combinations that can draw the undrawn region 2 generated on the substrate 1 from the combinations in the correspondence relationship. And the control part 30 selects the thing (for example, the shortest thing) in which the time which a compensation process requires is in an allowable range among the extracted combinations. Thereby, the control part 30 can determine the arrangement | positioning on the stage of each board | substrate 1 in a compensation process, and can plan a compensation process.

Ｓ１０７では、制御部３０は、補償処理を行う。補償処理において制御部３０は、例えば、補償処理の計画に従って変更部を制御し、少なくとも２枚の基板１の各々におけるステージ上での位置および向きの少なくとも一方を変更する。そして、制御部３０は、ステージ２１によって当該少なくとも２枚の基板１を同じ方向に一括に移動させながら、各照射部１２からの荷電粒子線の照射を制御することによって当該少なくとも２枚の基板の各々に生じた未描画領域２に描画を同時に行う。ここで、Ｓ１０６において複数回の補償処理を計画した場合では、制御部３０は、当該計画に従って、各基板１のステージ上での配置を変更して各基板１の未描画領域２に描画を行う工程を繰り返す。 In S107, the control unit 30 performs compensation processing. In the compensation processing, for example, the control unit 30 controls the changing unit according to the compensation processing plan, and changes at least one of the position and orientation on the stage in each of the at least two substrates 1. Then, the control unit 30 controls the irradiation of the charged particle beam from each irradiation unit 12 while collectively moving the at least two substrates 1 in the same direction by the stage 21, thereby controlling the at least two substrates. Drawing is simultaneously performed in the undrawn area 2 generated in each. Here, in the case where a plurality of compensation processes are planned in S106, the control unit 30 changes the arrangement of each substrate 1 on the stage and performs drawing in the undrawn area 2 of each substrate 1 according to the plan. Repeat the process.

上述したように、第１実施形態の描画装置１００は、複数の基板１の各々のステージ上での配置を変更する変更部を含む。描画装置１００は、少なくとも２枚の基板１の各々に生じた未描画領域２の描画が異常照射部とは異なる照射部１２によって行われるように、当該少なくとも２枚の基板１の各々におけるステージ上での配置を変更部により個別に変更する。そして、ステージ２１によって当該少なくとも２枚の基板１を一括に移動させながら当該少なくとも２枚の基板１の各々に生じた未描画領域２の描画を同時に行う。これにより、描画装置１００は、ステージ２１に搭載された複数の基板のうち少なくとも２枚の基板の各々に生じた未描画領域２の描画を同時に行うことができる。ここで、本実施形態は、特に、描画処理によって、ステージ２１に搭載された複数の基板１のうち少なくとも２枚の基板１の各々に未描画領域２が生じる場合に効果を発揮する。しかしながら、それに限られるものではなく、例えば、描画処理によって、複数の基板１のうち１枚の基板１のみに未描画領域２が生じる場合においても本実施形態を適用してもよい。 As described above, the drawing apparatus 100 according to the first embodiment includes the changing unit that changes the arrangement of each of the plurality of substrates 1 on the stage. The drawing apparatus 100 is arranged on the stage of each of the at least two substrates 1 so that the undrawn area 2 generated on each of the at least two substrates 1 is drawn by the irradiation unit 12 different from the abnormal irradiation unit. The arrangement in is individually changed by the changing unit. Then, the stage 21 simultaneously draws the undrawn region 2 generated on each of the at least two substrates 1 while moving the at least two substrates 1 at a time. Thereby, the drawing apparatus 100 can simultaneously draw the undrawn area 2 generated on each of at least two of the plurality of substrates mounted on the stage 21. Here, the present embodiment is particularly effective when an undrawn region 2 is generated on each of at least two of the plurality of substrates 1 mounted on the stage 21 by the drawing process. However, the present embodiment is not limited to this. For example, the present embodiment may be applied to a case where the undrawn region 2 is generated only on one of the plurality of substrates 1 by the drawing process.

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。 <Embodiment of Method for Manufacturing Article>
The method for manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a fine structure. In the method for manufacturing an article according to the present embodiment, a latent image pattern is formed on the photosensitive agent applied to the substrate by using the above drawing apparatus (a step of drawing on the substrate), and the latent image pattern is formed by such a step. Developing the processed substrate. Further, the manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like). The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。 As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

１：基板、１０：描画部、１２：照射部、２０：ステージ部、２１：ステージ、２２：保持部、３０：制御部、４０：搬送部、１００：描画装置 1: substrate 10: drawing unit 12: irradiation unit 20: stage unit 21: stage 22: holding unit 30: control unit 40: transport unit 100: drawing apparatus

Claims

A drawing apparatus for drawing on a plurality of substrates,
A movable stage for holding the plurality of substrates;
A plurality of irradiation units provided for each of the plurality of substrates, each of which irradiates a beam to a corresponding substrate of the plurality of substrates;
A controller that controls the placement of each of the plurality of substrates on the stage;
Including
The control unit compensates for the missing region with respect to two or more substrates having the drawing missing region among the plurality of substrates by an irradiation unit different from the irradiation unit corresponding to the missing region among the plurality of irradiation units. The drawing apparatus controls the arrangement of each of the two or more substrates on the stage so as to be performed.

The said control part controls arrangement | positioning on the said stage of each of these two or more board | substrates based on the position of the irradiation part corresponding to the said missing area among these irradiation parts. The drawing apparatus described in 1.

A detector for detecting a beam from each of the plurality of irradiation units;
The drawing apparatus according to claim 2, wherein the control unit specifies an irradiation unit corresponding to the missing region among the plurality of irradiation units based on an output of the detection unit.

The said control part controls the said arrangement | positioning based on the time which the arrangement | positioning change on the said stage of each of the said 2 or more board | substrates requires, The characterized by the above-mentioned. Drawing device.

5. The drawing apparatus according to claim 1, wherein the stage includes a plurality of holding units that respectively hold the plurality of substrates and are individually movable on the stage. 6.

The controller controls at least one of translation and rotation of each of the two or more substrates on the stage to control arrangement of the two or more substrates on the stage. The drawing apparatus according to any one of claims 1 to 5.

A drawing method in which drawing is performed on the plurality of substrates by a plurality of irradiation units provided on each of the plurality of substrates held on a movable stage, and each of the plurality of substrates irradiating a beam to the corresponding substrate. And
With respect to two or more substrates having the drawing missing region among the plurality of substrates, the missing region is compensated by an irradiation unit different from the irradiation unit corresponding to the missing region among the plurality of irradiation units. A drawing method comprising controlling the arrangement of each of the two or more substrates on the stage.

The drawing method according to claim 7, wherein arrangement of each of the two or more substrates on the stage is controlled based on a position of an irradiation unit corresponding to the missing region among the plurality of irradiation units. .

9. The arrangement of each of the two or more substrates on the stage is controlled by controlling at least one of translation and rotation of the two or more substrates on the stage. The drawing method described in 1.

Drawing on a substrate using the drawing apparatus according to any one of claims 1 to 6 or the drawing method according to any one of claims 7 to 9,
Developing the substrate on which the drawing has been performed in the step;
A method for producing an article comprising: