JP2016051718A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波信号の伝送を行うにあたって、簡単で安価な構成で、信号の減衰特性の改善を効果的に図る。【解決手段】多層配線基板（１）は、複数層が積層された絶縁層（３）の表面部に、電子部品（１１）が実装されるランド（６）を備えると共に、前記絶縁層（３）の表面部又は内部に、前記ランド（６）から受信側に向けて延びる２本ペアの信号線（２ａ，２ａ）からなる信号伝送用の差動伝送線路（２）を備えるものであって、前記差動伝送線路（２）の各信号線（２ａ，２ａ）には、前記絶縁層（３）の積層方向に延び、該信号線（２ａ，２ａ）の幅寸法と同等の幅寸法を有し、一端が該信号線（２ａ，２ａ）に接続され且つ他端が開放されている開放スタブ（７）が夫々設けられている。【選択図】図１

Description

本発明は、複数が積層された絶縁層の表面部に電子部品が実装されるランドを備えると共に、前記絶縁層の表面部又は内部に信号伝送用の差動伝送線路を備える多層配線基板に関する。

例えばＣＰＵを含んだ情報機器等に用いられる多層配線基板は、複数の絶縁層を積層して備えると共に、各絶縁層の上面（下面）に配線パターンを設け、層間の配線パターンをビアにより接続して構成されている（例えば特許文献１参照）。この場合、多層配線基板上に実装された半導体チップ間、例えばＣＰＵとメモリとの間、或いはＣＰＵとそれに接続される他の機器との間で、前記配線パターンによりデータ伝送が行われる。

ここで、近年では、大規模集積回路（ＬＳＩ）の飛躍的な動作速度の向上や、取扱われるデータの伝送レートの高速化等が図られてきている。特に、ビッグデータ処理等に使用されるエンタープライズサーバや、エンタープライズルータのマザーボードの信号伝送レートは、２８Ｇｂｐｓ（クロック周波数１４ＧＨｚ）が規定されている。

ところが、信号線（配線パターン）を流れるギガヘルツレベルの高周波信号は、周波数が高いほど指数関数的に減衰が起こることが知られている。ある長さの信号線の特性を、Ｓ２１パラメータの図で示すと、例えば図９に実線で示すようになる。いわゆるアイ・パターンが開いてレシーバが信号として苦労なく拾える減衰値は、一般に、−７ｄＢとされており、クロック周波数としてｆ１が信号伝達周波数の限界となる。所望の信号伝達周波数をｆ２とするならば、ドライバやレシーバの回路的工夫によりイコライゼーションを行い、図９に点線で示すように改善する必要がある。半導体チップ内の回路によりイコライゼーションを行う（これをアクティブイコライゼーションという）場合、その回路は、クロックより更なる高速性能を付与しなければならないだけでなく、複雑で大電流を消費するものとなる。

特開２００８−２３５３３８号公報

これに対し、基板の信号線に付加的な工夫をすることで、イコライゼーションを行う（これをパッシブイコライゼーションという）方法も存在する。具体的には、信号線に、小さな容量をドライバの直後或いはレシーバの直前に位置して付加したり、インダクタと容量との双方を付ける、更には、インダクタ、容量、抵抗の三者からなる回路を付加したりすること等が行われる。

ところが、そのようなパッシブイコライゼーションも、周波数が５ＧＨｚレベルでの工夫に過ぎなかった。例えば１０Ｇｂｐｓ〜３０Ｇｂｐｓの高周波信号においては、電極やはんだ接続形状など、微妙な構造変化によってＳ２１パラメータは大きく劣化し、ＬＣＲの付加的な追加では、その追加構造が悪影響を及ぼすことがある。そのため、上記のようなパッシブイコライゼーションによる特性の改善は困難性を伴うものであった。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、高周波信号の伝送を行うにあたって、簡単で安価な構成で、信号の減衰特性の改善を効果的に図ることができる多層配線基板を提供することにある。

配線基板内の高周波信号の信号伝送には、一般に、ノイズに強く、高速化に対応が可能な差動伝送線路が用いられる。本発明者らは、上記目的を達成するために、種々の研究を重ね、高速伝送系では、差動伝送線路の各信号線に、他端側が接続されていない開放スタブを設けることにより、開放スタブが容量と同じ働きをすることに着目した。そして、小さな開放スタブであっても、差動伝送線路においてイコライザとして適切なプリエンファシス波形を得ることができるとの知見を得るに至り、本発明を成し遂げたのである。

本発明の多層配線基板（１，２１，３１）は、複数層が積層された絶縁層（３）の表面部に、電子部品（１１）が実装されるランド（６）を備えると共に、前記絶縁層（３）の表面部又は内部に、前記ランド（６）から受信側に向けて延びる２本ペアの信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）からなる信号伝送用の差動伝送線路（２，２２，３２）を備えるものであって、前記差動伝送線路（２，２２，３２）の各信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）には、前記絶縁層（３）の積層方向に延び、該信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）の幅寸法と同等の幅寸法を有し、一端が該信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）に接続され且つ他端が開放されている開放スタブ（７，３３）が夫々設けられているところに特徴を有する（請求項１の発明）。

本発明においては、実装された電子部品からの送信信号が、ランド（６）から２本ペアの信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）からなる信号伝送用の差動伝送線路（２，２２，３２）を通って受信側に伝送される。この場合、差動伝送線路（２，２２，３２）の各信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）に開放スタブ（７，３３）が設けられていることにより、開放スタブ（７，３３）が容量と同じ働きをする。

これにより、開放スタブ（７，３３）のチャージの時間だけ信号波形の立ち上がりの時間に遅れが出るようになり、プリエンファシス波形が得られることにより、減衰特性の改善を図ることができる。そしてこのとき、開放スタブ（７，３３）を信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）の幅寸法と同等の幅寸法で形成したことにより、十分な電荷エネルギが開放スタブ（７，３３）に流れ込むようになり、また、開放スタブ（７，３３）の設置面積を徒に大きくせずに済ませることができる。この結果、本発明によれば、高周波信号の伝送を行うにあたって、簡単で安価な構成で、信号の減衰特性の改善を効果的に図ることができるという優れた効果を奏する。

また、本発明の多層配線基板（４１）は、複数層が積層された絶縁層（３）の表面部に、電子部品（１１）が実装されるランド（６）を備えると共に、前記絶縁層（３）の表面部又は内部に、前記ランド（６）から受信側に向けて延びる２本ペアの信号線（４２ａ，４２ａ）からなる信号伝送用の差動伝送線路（４２）を備えるものであって、前記差動伝送線路（４２）の各信号線（４２ａ，４２ａ）には、前記絶縁層（３）の平面方向に延び、前記各信号線（４２ａ，４２ａ）の幅方向に広がるスタブ（４３，４３）が設けられているところに特徴を有する（請求項７の発明）。

本発明者の研究によれば、信号線（４２ａ，４２ａ）から絶縁層の厚み（積層）方向に延びる開放スタブでなくとも、絶縁層（３）の平面方向に延び、各信号線（４２ａ，４２ａ）の幅方向に広がるスタブ（４３，４３）を設けた場合でも、同様の作用・効果が得られることが確認されている。従って、この請求項７の発明によっても、高周波信号の伝送を行うにあたって、簡単で安価な構成で、信号の減衰特性の改善を効果的に図ることができるものである。

本発明の第１の実施形態を示すもので、多層配線基板の概略的な縦断面図 差動伝送線路部分の平面図 多層配線基板の基本的な製造工程を説明するための概略的な縦断面図 パルス信号波形と信号電圧波形とを時間軸表示で示すもので、理想状態（ａ）及び実用状態（ｂ）とを並べて示す図 パルス信号波形と信号電圧波形とを時間軸表示を示すもので、図４の実用状態の波形（ａ）とプリエンファシス波形（ｂ）とを並べて示す図 本発明の第２の実施形態を示すもので、多層配線基板の概略的な縦断面図 本発明の第３の実施形態を示すもので、差動伝送線路部分の平面図 本発明の第４の実施形態を示すもので、差動伝送線路部分の平面図 信号線におけるクロック周波数と信号の減衰との関係を示す特性図

（１）第１の実施形態
以下、本発明の第１の実施形態について図１から図５を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る多層配線基板１の縦断面構成を概略的に（簡略化して）示している。また、図２は、多層配線基板１に設けられる、例えば１０Ｇｂｐｓ〜３０Ｇｂｐｓの高速で信号伝送を行う差動伝送線路２部分を示す平面図である。

図１に示すように、多層配線基板１は、例えば熱可塑性樹脂材料からなる複数層が積層された絶縁層３を有している。前記各絶縁層３の表面には、例えば銅箔等からなる表面導体パターン４が設けられている。後述するように、この表面導体パターン４には、前記差動伝送線路２が含まれる。また、多層配線基板１には、絶縁層３間の表面導体パターン４を上下に電気的に接続する層間接続部（ビア）５が設けられている。尚、図１では、便宜上、絶縁層３を３層のみに簡略化して図示しているが、実際には、この絶縁層３の層数としては例えば十数層〜数十層の多層に構成されている。

また、多層配線基板１の表面部（上面部）には、例えばＣＰＵ等の電子部品１１が実装される多数個のランド６（１個のみ図示）が設けられている。電子部品１１は、例えばＢＧＡ（Ball Grid Array ）型の部品からなり、矩形状のパッケージの実装面（下面）に、ボール形の多数個のはんだバンプ１２（１個のみ図示）をグリッド状に有して構成されている。電子部品１１は、各はんだバンプ１２が前記各ランド６にはんだ接合されることにより、多層配線基板１上に実装される。

さて、本実施形態では、多層配線基板１の表面部に、図２にも示すように、２本ペアの信号線２ａ，２ａからなる差動伝送線路２が設けられている。この差動伝送線路２（信号線２ａ，２ａ）は、図で左側の基端部（信号送信端部）が前記ランド６に接続されている。このランド６が、前記電子部品１１の信号伝送（送信）を行う出力端子に接続される。また、差動伝送線路２（各信号線２ａ，２ａ）は、図で右方に平行に延び、図示はしないが、先端部（受信側の端部）は、他の電子部品（例えば外部との通信を行う光通信トランスポンダ）に接続されている。

そして、図１、図２に示すように、差動伝送線路２の各信号線２ａ，２ａには、一端（上端）が該信号線２ａ，２ａに接続され且つ他端（下端）が開放されている開放スタブ７が設けられている。本実施形態では、開放スタブ７は、各信号線２ａ，２ａの信号送信端部となるランド６の近傍に位置して、２個ずつが信号線２ａ，２ａの延びる方向に関して対応する位置に並行に並んで設けられている。各開放スタブ７は、信号線２ａの幅寸法と同等の幅寸法を有する円柱状をなし、絶縁層３の積層方向（深さ方向）に延びて設けられている。

尚、このとき、開放スタブ７は、信号線２ａ，２ａの信号の送信端部となるランド６のできるだけ近傍に設けることが望ましく、該ランド６から、差動伝送線路２全体の長さの１％以下の長さの範囲内に位置して設けることができる。特に、ランド６の真下に位置して設けることができる。また、差動伝送線路２の長さは、例えば３００ｍｍとされる。さらに、各信号線２ａ，２ａの幅寸法（即ち、開放スタブ７の直径寸法）は、例えば１００μｍとされている。開放スタブ７の深さ方向の寸法は、例えば２００μｍとされている。

次に、上記構成の多層配線基板１を製造するための製造方法について、図３も参照しながら簡単に述べる。多層配線基板１を製造するにあたっては、まず、基材１４を形成する基材形成工程が実行される。この基材１４は、図３（ｅ）に示すように、前記多層配線基板１の各絶縁層３を構成する結晶転移型の熱可塑性樹脂からなるシート（フィルム）１５に、表面導体パターン４（ランド６を含む）を形成すると共に、シート１５の要所に形成されたビアホール１５ａ（図３（ｃ）参照）内に導電ペースト１６を充填して構成される。前記ビアホール１５ａ内の導電ペースト１６が、後に層間接続部５及び開放スタブ７になる。

前記シート１５は、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂３５〜６５重量％と、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂３５〜６５重量％とを含んだ材料からなり（商品名「ＰＡＬ−ＣＬＡＤ」）、厚みが例えば５０μｍ〜１００μｍの、多層配線基板１の大きさ（形状）に対応した矩形状をなしている。この樹脂材料は、例えば２００℃付近では軟質となるが、それより低い温度でも高い温度でも硬質となる（さらに高い温度（約４００℃）では溶解する）性状を呈し、また、高温から温度低下する際には、２００℃付近でも硬質を保つものとなっている。

図３は、この基材１４を製作する手順を示している。まず、図３（ａ）に示すように、シート１５の表面（上面）に貼付けられた導体箔この場合例えば厚さ１８ミクロンの銅箔１７に対して、エッチングにより表面導体パターン４（ランド６を含む）を形成する工程が実行される。図３（ｂ）に示すように、この表面導体パターン４の形成後、シート１５の裏面（下面）には、例えばポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）製の保護フィルム１８が貼付される。

次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば保護フィルム１８側からのレーザ照射（或いはドリル等の機械加工）により、シート１５の要所（層間接続部５及び開放スタブ７を構成する部分）に、表面導体パターン４を底面とする有底のビアホール１５ａを形成する工程が実行される。この場合、炭酸ガスレーザの出力及び照射時間の調整により、表面導体パターン４に穴が開かないようにしている。また、開放スタブ７に対応したビアホール１５ａは、差動伝送線路２の信号線２ａの幅と同等の直径寸法となるように形成される。

引続き、図３（ｄ）に示すように、前記ビアホール１５ａ内に、導電ペースト１６を充填する工程が実行される。この導電ペースト１６は、例えば、銀及びスズの金属粒子に、バインダ樹脂や有機溶剤を加えて混練してペースト状としたものであり、例えばメタルマスクを用いたスクリーン印刷によりビアホール１５ａ内に印刷充填される。導電ペースト１６の充填後、図３（ｅ）に示すように、シート１５から保護フィルム１８が剥がされ、基材１４が完成する。

上記のようにして多層配線基板１の各層を構成するための基材１４が形成されると、次に、それら複数枚の基材１４を、多層配線基板１の最終形態に応じた形態に上下に積層する積層工程が実行される。このとき、詳しく図示はしないが、形成したい開放スタブ７の長さ（深さ）寸法が、１層分の絶縁層３の厚みよりも大きい場合には、複数層（複数枚の基材１４）に渡って上下に連続するように、ビアホール１５ａが形成され、それら各ビアホールに導電ペースト１６が充填されている。尚、図示はしないが、この積層の際には、図１で最上層を構成する基材１４の上面側には、例えばポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）製のフィルムからなるカバーレイヤが配置される。

次いで、上記した積層物を一括して熱プレスする工程が実行される。この熱プレス工程では、上記積層物が真空加圧プレス機にセットされ、例えば２００〜３５０℃に加熱されながら、０．１〜１０Ｍｐａの圧力で上下方向に加圧される。この熱プレスの工程により、上記各基材１４を構成するシート１５が熱により一旦軟化した状態で加圧されることによって相互に融着し、その後結晶化（硬化）して一体化するようになる。また、これと共に、ビアホール１５ａ内の導電ペースト１６が硬化して層間接続部５及び開放スタブ７が形成されるようになる。この熱プレス工程後、前記カバーレイヤは取外される。

この後、図示はしないが、多層配線基板１の表面部の必要な部分（ランド６を除く部分）を覆うレジスト膜が形成される。これにて、図１に示すように、複数の絶縁層３の表面部に、ランド６及び差動伝送線路２を含む表面導体パターン４を備えると共に、内部に層間接続部５及び開放スタブ７を備える多層配線基板１が構成される。更にこの後、多層配線基板１の表面部に対し、例えば高機能ＣＰＵや光通信トランスポンダ、大容量メモリ等の電子部品１１の実装の工程（リフロー工程）が実行される。

上記構成の多層配線基板１においては、電子部品１１からの送信信号が、ランド６から２本ペアの信号線２ａ，２ａからなる信号伝送用の差動伝送線路２を通って受信側に伝送される。この場合、差動伝送線路２の各信号線２ａ，２ａに開放スタブ７が設けられていることにより、開放スタブ７が容量と同じ働きをする。これにより、開放スタブ７のチャージの時間だけ信号波形の立ち上がりの時間に遅れが出るようになり、プリエンファシス波形が得られることにより、減衰特性の改善を図ることができる。

ここで、上記開放スタブ７の機能について検討する。２８Ｇｂｐｓレベルのパッシブイコライザに要求される容量を計算する。図４に示すように、パルスの立ち上がりの時間と電流によりドライバ直後の容量にチャージされる電荷の影響を想定すればよい。

開放端ＩＯシステムで考えると、送信信号は１／２Ｖddであり、Ｖddを仮に１Ｖ、信号振幅電圧を０．５Ｖとすると、Ｒon＝Ｚ0 でなければならず、Ｚ0 ＝１００Ωのため、電流ｉは、
ｉ＝Ｖdd／（Ｒon＋Ｚ0 ）＝５ｍＡとなる。

立下りのときは逆方向の電流となり、放電される。これは従属的な原理であり、以下、立ち上がり状態での説明を中心に行う。
図４のＢは信号電圧の時間軸表示で、上図（ａ）が理想状態、下図（ｂ）が実用的状態で、トランジスタ特性と電源供給状態で異なる非線形の波形となる。ここでは一つの典型的例を示している。しかし理想的な状態で論理説明を行うことにする。立ち上がり時間ｔｒの間、Ａのようにｔｒ時間電流が流れる。２８Ｇｂｐｓの信号では１４ＧＨｚのクロック周波数であり、一般に、
ｔｒ＝０．３５／（１４×１０⁹ ）＝２５ｐｓ
となるため、この１回の立ち上がりのための電化量Ｑと、Ｖddを配慮した容量Ｃは、
Ｑ＝ｉ×ｔｒ＝１２５×１０^-15 Ｃ
Ｃ＝（０．１２５×１０^-15 ）／Ｖdd＝０．１２５ｐＦとなる。

図４（ｂ）の実用的波形が信号線を進行するにつれどんどんなまり、ｔｒがどんどん大きくなって、クロックの半周期の時間に達し、さらに大きくなった時から、振幅がどんどん下がり、波形としての用を成さないことになる。そのため、イコライザの一般論としてプリエンファシス波形が適切であると言われ、チップ内の回路でその波形を作ることでｔｒの増加を防止することがよく行われている。すなわち、図５のようにする。上図（ａ）は図４の実用上の波形でありそれと比較している。下図（ｂ）がプリエンファシス波形である。これは、本実施形態の波形を再現している。

ドライバの直後の伝送線路に小さな開放スタブを付けると、立ち上がり時に、その開放スタブのチャージの時間だけ波形の立ち上がり遅れが出ることになる。すなわち容量と同じ働きをする。一般に容量性の間口インピーダンス（チップキャパシタの周波数特性でよく示されている特性）は信号の伝送線路特性インピーダンス、この場合は１００Ωであるが、それより小さいことが多く、伝送線路に電荷が流れる前に容量にチャージされるため、立ち上がり遅れが出る。これは公知であるが、本実施形態の構造はこの原理を巧妙に利用したものである。

チップキャパシタでは、寄生インダクタンスの影響で高周波用のものでも２ＧＨｚレベルから急激に高くなり、本目的で考える１４ＧＨｚでは、信号線の特性インピーダンス１００Ωよりはるかに高く、１ｋ〜１００ｋΩぐらいになる。そのため、この周波数では、チップキャパシタを付加的に付けることは無理である。ここで示した開放スタブ７は特性インピーダンスとその中を進行する時間でチャージされるため基本的に周波数特性を持たないことから、信号の正弦波成分ＤＣから１４ＧＨｚ×９倍高調波に対応する容量近似成分となる。

開放スタブにフルに充電された後、ドライバの信号立ち上がりが止まった瞬間、開放スタブから電流が流れ出し、１／２Ｖddよりオーバーシュートができる。この状態は立ち上がり時の電荷量（０．１２５ｐＦ）より少なくてもそれなりの効果が期待され、シミュレーションで求めると、１／３から１／１０まで効果的であることが判明する。

この容量を作る構造を規定する。多層配線基板１の深さ方向に差動伝送線路２の信号線幅と同じ直径の開放スタブ７を対向させた図１の構造を作ることで容量成分を作り上げることを基本条件とし、その先端はどこにもつながっていない構造とする。容量を増やすため、深さ方向で調節するだけでなく、開放スタブ７の間口インピーダンスを下げるため多連構造を採用することもできる。さらにビアパッドを設けることを含むもので、開放スタブ７にチャージされる電荷量は上記計算式で求められる容量の１／３から１／１０の値となる範囲である。

まず、開放スタブ７の間口インピーダンスを求める。下記の近似式で表わされる伝送線路特性インピーダンスＺ0と同じになる。ここでｄは開放スタブ７（円形）の中心間の距離、ｒは開放スタブ７の半径、εereffは実効的比誘電率である。今、ｄ＝１６０μｍ、ｒ＝５０μｍ、比誘電率３とする。

となり、信号配線Ｚ0 ＝１００Ωにほぼ同じであり、信号立ち上がり時には開放スタブ７に、
１００Ω／（１００Ω＋１００Ω）＝０．５０
の比率で電荷が開放スタブ７に流れる。この５０Ωをさらに低くするために多連構造、例えば４連構造とすると、
１００Ω／（２５Ω＋１００Ω）＝０．８０
となり、ほとんどの電荷エネルギがまず開放スタブ７に流れ込む。この間、信号線の立ち上がりが遅れて、図５（ｂ）のようなオーバーシュートが生じることになる。

差動伝送線路２の特性インピーダンスは信号線２ａの太さ（幅寸法）と信号線２ａ，２ａ間の距離によって決まるので、信号線２ａの直流抵抗が大きくならないように太さを確保する必要があるが、太くすると所定の特性インピーダンスに合わせるためには信号線２ａ，２ａ間の距離を広げる必要があり、許容される面積の中で最適な設計を行う必要がある。

また、高密度実装では、プレーナペアの信号線対の隣接線対とのピッチはクロストークが少ない状態でできるだけ狭くし、基板１の配線密度を向上させることが重要であり、余分な平面的な増大は許されない。開放スタブ７の第一に必要な条件は、間口特性インピーダンスが１／３以下で、１００Ω／（３３Ω＋１００Ω）＝０．７５から、開放スタブ７に信号エネルギが０．７５以上流れることが望ましい。第二に、この設置面積を増大させない。従って、開放スタブ７の直径寸法を、信号線２ａの幅寸法と同等にすることが最も望ましい。

以上のように、本実施形態の多層配線基板１によれば、差動伝送線路２の信号線２ａ，２ａに、信号線２ａの幅寸法と同等の幅寸法を有する開放スタブ７を設けるようにした。これにより、高周波信号の伝送を行うにあたって、開放スタブ７を設けるだけの簡単で安価な構成で、信号の減衰特性の改善を効果的に図ることができるという優れた効果を得ることができる。このとき、開放スタブ７を信号線２ａの幅寸法と同等の幅寸法で形成したことにより、十分な電荷エネルギが開放スタブ７に流れ込むようになり、また、開放スタブ７の設置面積を徒に大きくせずに済ませることができる。

また、前記開放スタブ７は、プリエンファシス波形を形成するという目的から、差動伝送線路２のうち、できるだけ信号の送信端部となる部分に設けることが望ましく、電子部品１１が実装されるランド６の真下に位置して設けることが最も望ましい。但し、スペースの関係などから、ランド６の真下に位置して設けることが難しい場合もあり、このような場合には、できるだけ、ランド６の近傍に設けることが望ましい。この場合、本発明者等の研究によれば、開放スタブ７は、ランド６から、差動伝送線路２全体の長さの１％以下の長さの範囲内に位置して設ければ、より効果的となる。

更に、開放スタブ７を設ける場合、上記したような必要な容量が得られる長さに設けることが望ましいが、１個の開放スタブで、必要な長さが確保できない場合には、各信号線２ａ，２ａに複数個ずつの開放スタブ７を、並んで設ける構成としても良い。これにより、開放スタブ７の深さ方向の寸法を大きくせずに、必要な容量（プリエンファシス波形）を得ることができる。ペアとなる信号線２ａ，２ａにおいて、開放スタブ７を、該信号線２ａ，２ａの延びる方向に関して対応（対向）する位置に設けることがより望ましいことも確認されている。

（２）第２〜第４の実施形態、その他の実施形態
図６は、第２の実施形態の多層配線基板２１の構成を概略的に示しており、上記第１の実施形態と異なるところは、差動伝送線路２２が、絶縁層３の内層に設けられている点にある。この場合、差動伝送線路２２は、多層配線基板２１の表面部に設けられたランド６から表面部を図で右方に延びた後、層間接続部２３を介して内層を右方に延びている。また、差動伝送線路２２の送信側端部部分には、上記第１の実施形態と同様に、やはり開放スタブ７が設けられている。このような構成であっても、上記第１の実施形態と同様の作用・効果を得ることができる。

図７は、第３の実施形態の多層配線基板３１を示すものであり、上記第１の実施形態と異なるところは、差動伝送線路３２に設けられる開放スタブ３３の配置にある。即ち、差動伝送線路３２は、ペアとなる２本の信号線３２ａ，３２ａを備え、各信号線３２ａ，３２ａの送信端部側に各２個の開放スタブ３３が設けられる。このとき、２本の信号線３２ａ，３２ａにおいて、各開放スタブ３３を、対応した位置ではなく、信号線３２ａ，３２ａの延びる方向に関してずれた位置に設けるようにしている。このような構成であっても、上記第１の実施形態と同様の作用・効果を得ることができる。

図８は、第４の実施形態の多層配線基板４１を示しており、上記第１の実施形態と異なるところは次の点にある。即ち、この多層配線基板４１においては、差動伝送線路４２の各信号線４２ａ，４２ａには、絶縁層３の平面方向に延び、各信号線４２ａ，４２ａの幅方向に広がるスタブ４３，４３が夫々設けられている。これらスタブ４３，４３が、各絶縁層３（基材）の銅箔による表面導体パターンの形成時に、各信号線４２ａ，４２ａと一体に形成される。

本発明者等の研究によれば、信号線４２ａ，４２ａから絶縁層３の厚み（積層）方向に延びる開放スタブ７でなくとも、絶縁層３の平面方向に延び、各信号線４２ａ，４２ａの幅方向に広がるスタブ４３を設けた場合でも、同様の作用・効果が得られることが確認されている。従って、この第４の実施形態の多層配線基板４１によっても、上記第１の実施形態と同様に、高周波信号の伝送を行うにあたって、簡単で安価な構成で、信号の減衰特性の改善を効果的に図ることができるという優れた効果を得ることができる。

尚、上記第１〜第３の実施形態では、各信号線に開放スタブを２個ずつ設けるようにしたが、上記のように、所期の効果が得られるのであれば、各１個でも良いことは勿論である。本発明者等の研究によれば、開放スタブの個数としては、１本の信号線に関し４個までに抑えることが好ましい。また、周波数や各部の寸法等の数値についても、一例を挙げたに過ぎず、変更が可能であることは勿論である。その他、例えば絶縁層や開放スタブの材質等についても、様々なものが採用できる等、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るものである。

図面中、１，２１，３１，４１は多層配線基板、２，２２，３２，４２は差動伝送線路、２ａ，２２ａ，３ａ，４２ａは信号線、３は絶縁層、６はランド、７、３３は開放スタブ、１１は電子部品、４３はスタブを示す。

Claims (7)

1. 複数層が積層された絶縁層（３）の表面部に、電子部品（１１）が実装されるランド（６）を備えると共に、前記絶縁層（３）の表面部又は内部に、前記ランド（６）から受信側に向けて延びる２本ペアの信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）からなる信号伝送用の差動伝送線路（２，２２，３２）を備える多層配線基板（１，２１，３１）であって、
   前記差動伝送線路（２，２２，３２）の各信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）には、前記絶縁層（３）の積層方向に延び、該信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）の幅寸法と同等の幅寸法を有し、一端が該信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）に接続され且つ他端が開放されている開放スタブ（７，３３）が夫々設けられていることを特徴とする多層配線基板。
2. 前記開放スタブ（７，３３）は、前記差動伝送線路（２，２２，３２）の前記各信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）のうち、信号の送信端部となる前記ランド（６）の近傍の、該ランド（６）から、該差動伝送線路（２，２２，３２）全体の長さの１％以下の長さの範囲内に位置して設けられていることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
3. 前記開放スタブ（７，３３）は、前記差動伝送線路（２，２２，３２）の前記各信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）のうち、信号の送信端部となる前記ランド（６）の真下に位置して設けられていることを特徴とする請求項２記載の多層配線基板。
4. 前記開放スタブ（７，３３）は、前記差動伝送線路（２，２２，３２）の前記各信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）に複数個ずつが該信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ，３２ａ，３２ａ）の延びる方向に並んで設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の多層配線基板。
5. 前記開放スタブ（７）は、前記差動伝送線路（２，２２）の前記各信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ）に対し、該信号線（２ａ，２ａ，２２ａ，２２ａ）の延びる方向に関して対応する位置に設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の多層配線基板。
6. 前記開放スタブ（３３）は、前記差動伝送線路（３２）の前記各信号線（３２ａ，３２）に対し、該信号線（３２ａ，３２ａ）の延びる方向に関してずれた位置に設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の多層配線基板。
7. 複数層が積層された絶縁層（３）の表面部に、電子部品（１１）が実装されるランド（６）を備えると共に、前記絶縁層（３）の表面部又は内部に、前記ランド（６）から受信側に向けて延びる２本ペアの信号線（４２ａ，４２ａ）からなる信号伝送用の差動伝送線路（４２）を備える多層配線基板（４１）であって、
   前記差動伝送線路（４２）の各信号線（４２ａ，４２ａ）には、前記絶縁層（３）の平面方向に延び、前記各信号線（４２ａ，４２ａ）の幅方向に広がるスタブ（４３，４３）が設けられていることを特徴とする多層配線基板。

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