JP2016051768A - 処理装置、処理方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スループットを向上し、装置の信頼性を高める。
【解決手段】ウエハ９に処理を行う処理装置であって、ステージ６に設置され、ウエハ９を保持するウエハチャック８と、ウエハ９を吸着してウエハチャック８から移動させる３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、ウエハ９をウエハチャック８から３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃによって移動させるとき、ウエハ９の貫通穴２６に関する情報に基づいて３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの吸着を停止又は低下する制御部１５とを備えた。
【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、処理装置、処理方法及びデバイスの製造方法に関する。

従来、半導体素子の製造に用いられる半導体露光装置では、ウエハをウエハステージへ供給及び回収するウエハ搬送ハンド、プリアライメントステージ、ウエハステージ搬送ロボット等を有している。プリアライメントステージは、ウエハステージへのウエハが移動する前に、ノッチ又はオリエンテーションフラットを使用してウエハの位置合わせを行う。ウエハステージ搬送ロボットはバキューム圧を用いてウエハを保持し、搬送する。特許文献１は、ウエハ搬送ハンドによるウエハの供給及び回収をするときに、ウエハステージの上方でウエハを保持するピン及びピン駆動機構を開示している。

近年このような半導体集積回路の製造技術を応用して、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）の製造が行われている。ＭＥＭＳとは、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、電子回路等を１つのシリコン基板、ガラス基板、又は有機材料等の上に集積化したデバイスをいう。

特開２００８−２５１７５４号公報

ところで、ＭＥＭＳは、従来の半導体デバイスとは異なり、対象となる半導体部材に機械的な加工が施されるのが通例で、例えば、ウエハの表面から裏面に向けた貫通穴が形成されることがある。特許文献１に開示された技術がＭＥＭＳの製造に使用されると、貫通穴が形成されているウエハについて貫通穴と吸着部とが重なった場合、吸着力が十分得られない場合がある。吸着力が十分得られない場合、吸着異常により装置が停止したりする可能性がある。また、吸着エアのリークによってバキューム元圧が変動し、同一のバキューム元圧に接続されている他の吸着保持機構による吸着を低下させる可能性がある。装置が停止した場合は装置のスループットが低下し、吸着力が低下した場合には装置の信頼性に影響を与える。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされたものであり、貫通穴が形成された基板を処理する場合であっても、スループット又は信頼性に関して有利な処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、基板に処理を行う処理装置であって、ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる吸着部と、前記基板を前記チャックから前記吸着部によって移動させるとき、前記基板の貫通穴に関する情報に基づいて前記吸着部の吸着を停止又は低下する制御部とを備えたことを特徴とする。

本発明によれば、例えば、貫通穴が形成された基板を処理する場合であっても、スループット又は信頼性が向上する処理装置を提供することができる。

本発明に係る露光装置の構成を示す図である。 露光装置を示す上面図である。 ３ピンの拡大図である。 ３ピンの説明図である。 ３ピンの動作を示す図である。 ３ピンの動作を示す図である。 制御部の構成を示す図である。 ウエハを３ピンから受け取りアームに受け渡す動作を示す図である。 貫通穴を持つウエハの例を示す図である。 単位ショットを拡大した図である。 ウエハの振動を模式的に説明した図である。 ウエハの振動の減衰を説明するグラフである。 ３ピンと貫通穴の位置関係の一例を示す図である。 ３ピンと貫通穴の位置関係の他の例を示す図である。 ３ピンと貫通穴の位置関係のさらに他の例を示す図である。 受け取りアームの制御プロファイルの一例を示す図である。 第１実施形態の制御を示すフローチャートである。 第２実施形態の制御を示すフローチャートである。 第３実施形態の制御を示すフローチャートである。 第４実施形態の制御を示すフローチャートである。

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。本発明は、ステージに設置されたチャックによって保持された基板に処理を行う処理装置に適用可能であるが、基板に露光処理を行う露光装置の例を用いて説明する。

図１に示すように、露光装置は、照明系１と、レチクル２を保持するレチクルステージ３と、レチクル位置計測器４と、投影光学系（投影露光レンズ）５と、ウエハ（基板）９を保持するウエハステージ（ステージ）６とを備える。露光装置は、さらに、レーザ干渉計７と、ウエハを真空吸着するウエハチャック（チャック）８と、ウエハチャック８の下部にあるウエハＺ駆動機構（不図示）と、ウエハ９のピント位置を計測するオートフォーカスユニット１０とを備える。照明系１は、光源及びシャッタを含む。レチクル２には、回路パターンが描かれている。レチクル位置計測器４は、レチクルステージ３上のレチクル２の位置を計測する。ウエハステージ６は、露光対象のウエハ９を載せてＸＹ平面内でＸ及びＹの２方向に移動する。レーザ干渉計７は、ウエハステージ６の位置を計測する。ウエハＺ駆動機構は、ウエハチャック８の下部に設けられ、ウエハ９を載せて、露光時のピントの調節（フォーカシング）のためにウエハ９を垂直方向（Ｚ方向）に移動させる。

図２Ａは、ウエハ９（図１）の搬送及びウエハチャック８によるウエハ９の吸着に関わる部分に注目した装置の上面から見た模式図である。露光装置は、チャンバ３０と、ウエハチャック８と、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、ウエハステージ６と、ウエハ搬入ステーション１６と、ウエハ搬出ステーション１７と、制御部１５と、プリアライメント部１３と、を備えている。露光装置は、また、ウエハ９を受け取る受け取りアーム（搬送部）１４と、ウエハ９を送り込む送り込みアーム１２と、を備えている。

チャンバ３０は露光環境を一定温度湿度に維持する。ウエハチャック８は、投影露光レンズ５（図１）の下部でウエハ９を真空吸着する。３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、ウエハチャック８にウエハ９を受け渡すために垂直方向に移動する。ウエハステージ６は、ウエハ９とウエハチャック８と３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃとを一体でＸＹ平面内のＸ及びＹの２方向（図１）に移動する。ウエハ搬入ステーション１６には、露光処理がされていないウエハ９がチャンバ３０の外部から搬入され配置される。ウエハ搬出ステーション１７には、露光処理がなされたウエハ９が配置されてチャンバ３０の外部に搬出される。制御部１５は、露光装置を制御するコンピュータであって、受け取りアーム１４、ウエハステージ６等と電気的に接続されている。プリアライメント部１３は、露光処理に先立ってウエハ９のプリアライメント（前処理）を行う。

受け取りアーム１４は、ウエハ搬入ステーション１６に搬入されたウエハ９をプリアライメント部１３まで搬送し、また、露光処理がなされて３ピン１１上に配置されたウエハ９をウエハ搬出ステーション１７まで搬送する。送り込みアーム１２は、プリアライメント部１３によってプリアライメントされたウエハ９を３ピン１１まで搬送する。

ウエハチャック８と３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃとの間でのウエハ９の受渡しは、３ピン１１が上下する構造であっても、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃが停止してウエハチャック８が上下する構造であっても可能である。制御部１５は、１台のコンピュータから構成されていてもよいし、複数のコンピュータから構成されてもいてもよい。３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、ウエハ９を垂直方向に移動可能であれば、４個以上で構成されていてもよい。

次に、ウエハチャック８によるウエハ９の吸着について説明する。送り込みアーム１２はウエハ９をウエハ供給位置１９でウエハステージ６に配置された３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃに引き渡す。受け取りアーム１４は、ウエハ９をウエハ回収位置１８でウエハステージ６に配置された３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃから受け取る。ウエハ回収位置１８及びウエハ供給位置１９は、それぞれの処理が実行されるウエハステージ６の位置を示すのみである。

次に、吸着部としての３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの構成について説明する。図２Ｂは、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃのうちピン１１ａを拡大して示した図である。ピン１１ａは、ウエハ保持部１１ａ１と、空気を吸引する吸着穴１１ａ２とを備える。図２Ｃに示すように、他のピン１１ｂ，１１ｃも、ピン１１ａと同様の構成を備える。図２Ｄは、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃを含む吸引手段の一例を説明する図である。吸引手段は、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、空気を吸引する吸引ポンプ２０と、吸引状態を開閉する開閉弁２１と、吸引状態を計測する圧力計２２から構成される。３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃには分岐配管がそれぞれ接続され、これら３本の分岐配管は単一の主配管に接続されている。主配管は開閉弁２１と圧力計２２を備え、吸引ポンプ２０に接続されている。吸引ポンプ２０と開閉弁２１と圧力計２２は制御部１５（図２Ａ）に電気的に接続されており、制御部１５によって制御される。

図２Ｅは、吸着部としての３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃを含む吸引手段の構成の他の例を説明する図である。吸着手段は、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、空気を吸引する吸引ポンプ２０と、吸引状態を開閉する開閉弁２１ａ，２１ｂ，２１ｃと、吸引状態を計測する圧力計２２ａ，２２ｂ，２２ｃから構成される。３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃには分岐配管がそれぞれ接続され、これら３本の分岐配管は単一の主配管に接続されている。分岐配管のそれぞれは、開閉弁２１ａ，２２ｂ，２２ｃと圧力計２２ａ，２２ｂ，２２ｃを備えている。主配管は吸引ポンプ２０に接続されている。吸引ポンプ２０と開閉弁２１ａ，２１ｂ，２１ｃと圧力計２２ａ，２２ｂ，２２ｃは制御部１５（図２Ａ）に電気的に接続されており、制御部１５によって制御される。

図３は制御部１５の構成を示す。制御部１５は、貫通穴位置情報格納部１５１と、受け取りアーム制御データ格納部１５２と、ステージ制御データ格納部１５３を備えている。これに加え、制御部１５は、ウエハ交換制御部１５４と、受け取りアーム制御部１５５と、ステージ・３ピン制御部１５６と、３ピン吸着部位置情報格納部１５７とを備える。貫通穴位置情報格納部１５１は、ロット単位で指定される露光情報レシピーに設定されたウエハの貫通穴の有無及び位置に関する情報を保持する。貫通穴位置情報格納部１５１は更に、保持している貫通穴の有無及び位置に関する情報をウエハ交換制御部１５４へ送信する。３ピン吸着部位置情報格納部１５７は、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２の位置情報（以下、３ピン吸着部位置情報）を保持する。なお、吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２はその処理装置に固有の情報である。３ピン吸着部位置情報格納部１５７は更に、保持している３ピン吸着部位置情報をウエハ交換制御部１５４へ送信する。

受け取りアーム制御データ格納部１５２は、受け取りアーム１４が待機位置からウエハ９を受け取るウエハ回収位置１８へ移動するときの受け取りアーム１４の制御プロファイル情報を格納している。受け取りアーム１４の制御プロファイル情報は、具体的には、受け取りアームの移動の速度、加速度及び動作継続時間等の情報を含んでいる。受け取りアーム制御データ格納部１５２は、受け取りアーム１４の制御プロファイル情報をウエハ交換制御部１５４へ送信する。ステージ制御データ格納部１５３は、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの制御プロファイル情報を格納している。３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの制御プロファイル情報は、具体的には、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの移動の速度、加速度及び動作継続時間等の情報を含んでいる。ステージ制御データ格納部１５３は、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの制御プロファイル情報をウエハ交換制御部１５４へ送信する。

ウエハ交換制御部１５４は、受け取りアーム制御データ格納部１５２から受け取りアーム１４の制御プロファイル情報を受け取り、またステージ制御データ格納部１５３から３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの制御プロファイル情報を受け取る。ウエハ交換制御部１５４は更に、貫通穴位置情報格納部１５１及び３ピン吸着部位置情報格納部１５７から受信した情報に基づいて受け取りアーム制御部１５５及びステージ・３ピン制御部１５６に指令を送る。具体的には、基板交換制御部１５４は、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと受け取りアーム１４との衝突が回避しつつ、ウエハ交換に要する時間が最小となるように制御する。受け取りアーム制御部１５５は、ウエハ交換制御部１５４からの指令に基づいて、受け取りアーム１４を制御する。ステージ・３ピン制御部１５６は、ウエハ交換制御部１５４からの指令に基づいて、ステージ６及び３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃを制御する。

図４は、ウエハチャック８に配置された露光済みのウエハ９を受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃから受け取る処理を横方向から見たもので、時系列に動きを示した模式図である。図４（Ａ）では、ウエハチャック８に配置された露光済みのウエハ９の吸着保持を解除する。図４（Ｂ）では、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃが垂直方向、すなわちウエハチャック８の面に対して垂直に移動し、ウエハ９の下面に当接して、ウエハ９をウエハチャック８の上方に持ち上げる。ここで、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃが上方に移動するとき、ウエハ９の貫通穴に関する情報に基づいて、ウエハ９の吸着を行いながら移動する、又は吸着を行わずに移動するかのいずれかが選択される。図４（Ｃ）では、受け取りアーム１４がウエハチャック８とウエハ９の間に侵入する。図４（Ｄ）では、受け取りアーム１４が上方に移動してウエハ９を保持する。図４（Ｅ）では、受け取りアーム１４が保持したウエハ９を引き取る。

図５は、貫通穴２６を有するウエハ９のレイアウトの一例を示す。図６は、図５の単位ショット２５を拡大した図である。図６（Ａ）は、単位ショット２５を上方から見た状態を示し、図６（Ｂ）は単位ショット２５を横方向から見た状態を示す。図５及び図６に示すように、ウエハ９のレイアウトには多数の単位ショット２５が配置され、それぞれの単位ショット２５は多数の長穴である貫通穴２６を含んでいる。貫通穴２６は図６（Ｂ）に示すようにウエハ９（図５）の単位ショット２５の表面から裏面に貫通している。

図７は、ウエハチャック８に配置された露光済みのウエハ９を受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃから受け取る処理を横方向から見たもので、時系列的に動きを示した模式図である。図７（Ａ）では、ウエハチャック８に配置された露光済みのウエハ９の吸着が解除される。続いて、図７（Ｂ）は、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃが吸着を停止した状態で上方に移動し、ウエハ９をウエハチャック８の上方に持ち上げを完了した状態である。このとき、ウエハ９の周縁部分は３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃを中心に上下に振動している。この後、受け取りアーム１４がウエハ９とステージ８との間に侵入する。

図８は、３ピンによる吸着力が異なる場合におけるウエハ９の経過時間に関して振動の減衰の度合いを説明するグラフである。実線は、吸着力が最も小さい場合、または３ピンが吸着しない状態で、ウエハ９をウエハチャック８から受け取った場合のウエハ９の特定位置での振動状態を示す。同様に、破線は吸着力が実線の場合よりも大きい場合の振動状態を示し、一点鎖線は吸着力が破線の場合よりも大きい場合の振動状態を示し、二点鎖線は吸着力が最も大きい場合の振動状態を示す。

実線の場合、すなわち吸着力が最も小さい場合又は３ピンが吸着しない状態のウエハ９の振動は、干渉限界上限と干渉限界下限の間に入るまでに要する時間はＴｃとなる。同様に、破線の場合は干渉限界上限と干渉限界下限の間に入るまでに要する時間はＴｂとなり、一点鎖線の場合は干渉限界上限と干渉限界下限の間に入るまでに要する時間はＴａとなる。二点鎖線の場合、すなわち吸着力が最も大きい場合はウエハ９の振動が干渉限界上限と干渉限界下限を超えることがない。振動が干渉限界上限と干渉限界下限の間に入っているとき、受け取りアーム１４が侵入してもウエハ９と干渉しない。吸着力と振動が安定するまでに要する時間（安定化時間）の関係は予め実験によって求められており、吸着力と安定化時間のテーブルとして制御部１５が保持している。なお、吸着力と安定化時間のテーブルではなく、これらの値を近似関数として制御部１５が保持してもよい。

図９は、ウエハ９の貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２の位置関係の一例を示す図である。このウエハ９のレイアウトでは、吸着穴１１ａ２，１１ｂ２は貫通穴２６と重なっておらず、吸着穴１１ｃ２が貫通穴２６と重なっている。

図１０は、ウエハ９の貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２の位置関係の他の例を示す図である。このウエハ９のレイアウトでは、吸着穴１１ａ２，１１ｂ２は貫通穴２６と重なっており、吸着穴１１ｃ２が貫通穴２６と重なっていない。

図１１は、ウエハ９の貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２の位置関係のさらに他の例を示す図である。このウエハ９のレイアウトでは、吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２と貫通穴２６は全て重なっていない。

図１２は、受け取りアーム制御データ格納部１５２が格納している受け取りアーム１４の制御プロファイル情報を示す。具体的には、図１２（Ａ）ないし（Ｇ）は、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上昇動作が完了した時点ｔ０以後、受け取りアーム１４がウエハチャック８とウエハ９の間に侵入するときの動作を制御する制御プロファイルを示す。これら制御プロファイルは、ウエハ９の貫通穴の位置情報に基づいて制御部１５によって選択されるが、詳細は図１３ないし図１６によって後述する。

制御プロファイル（Ａ）によれば、受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上昇動作が完了したと同時に移動を開始し、ウエハチャック８とウエハ９の間に侵入する。制御プロファイル（Ｂ）によれば、受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上昇動作が完了した後、Ｔ１時間だけ待ち、移動を開始し、ｔ１においてウエハチャック８とウエハ９の間に侵入する。制御プロファイル（Ｃ）によれば、受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上昇動作が完了した後、Ｔ２時間だけ待ち、移動を開始し、ｔ２においてウエハチャック８とウエハ９の間に侵入する。制御プロファイル（Ｄ）によれば、受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上昇動作が完了した後、Ｔ３時間だけ待ち、移動を開始し、ｔ３においてウエハチャック８とウエハ９の間に侵入する。このように、制御プロファイルを切り替えることによって、搬送部としての受け取りアーム１４の侵入を所定時間だけ遅延する。

制御プロファイル（Ｅ）によれば、受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上昇動作が完了したと同時にウエハチャック８とウエハ９の間に侵入を開始する。受け取りアーム１４の侵入のタイミングは制御プロファイル（Ａ）と同じであるが、受け取りアーム１４の駆動開始時の加速度と駆動終了時の加速度の絶対値がより小さく、均一速度（等速度）の継続時間がより長い。制御プロファイル（Ｆ）によれば、駆動開始時の加速度と駆動終了時の加速度の絶対値が制御プロファイル（Ｅ）より小さく、均一速度の継続時間がより長い。制御プロファイル（Ｇ）によれば、更に、駆動開始時の加速度と駆動終了時の加速度の絶対値が制御プロファイル（Ｆ）より小さく、均一速度の継続時間がより長い。このように、制御プロファイルを切り替えることによって、搬送部としての受け取りアーム１４の侵入の加速度又は速度を変更する。

［第１実施形態］
図１３は、本発明の第１実施形態にかかる処理装置において、ウエハ９の貫通穴２６の有無と位置に関する情報を用いて、受け取りアーム１４の制御を切り替える処理の流れを説明するフローチャートである。ウエハ９の貫通穴２６の有無と位置に関する情報は、処理の対象となるロット単位で指定される露光情報レシピーに予め設定されている。

Ｓ１０１において、ウエハチャック９上での露光処理を終了したウエハ（基板）に対して、ウエハ回収シーケンスを開始する。Ｓ１０２において、制御部１５は、貫通穴位置情報格納部１５１に記憶された露光情報レシピーに設定された貫通穴２６の有無に関する情報及び貫通穴がある場合は貫通穴２６の位置に関する情報を取得する。また、ウエハ交換制御部１５４は、３ピン吸着部位置情報格納部１５７に記憶された吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２の位置に関する情報を取得する。

Ｓ１０３において、制御部１５は、貫通穴２６の有無及び位置と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２の位置の関係を判断する。貫通穴２６がない場合、又は貫通穴２６と吸着穴１１ａ２、１１ｂ２、１１ｃ２が重ならない場合、フローはＳ１０４へ進む。貫通穴２６があり、且つ貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２が重なる場合、フローはＳ１０６へ進む。

Ｓ１０４において、制御部１５は、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃが吸着を行うため、開閉弁２１を開放する。続いてＳ１０５において、ウエハ交換制御部１５４は受け取りアーム１４に対して図１２の制御プロファイル（Ａ）を選択する。一方、Ｓ１０６において、制御部１５は、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃで吸着をしないため、開閉弁２１を閉鎖する。続いてＳ１０７において、ウエハ交換制御部１５４は受け取りアーム１４に対して図１２の制御プロファイル（Ｄ）を選択する。

Ｓ１０５又はＳ１０７の工程に続いて、Ｓ１０８において、図４（Ａ）ないし図４（Ｅ）に示す処理に従って、ウエハチャック８に配置された露光済みのウエハ９を受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃから受け取る。制御プロファイル（Ｄ）が選択された場合は、受け取りアーム１４はＴ３時間だけ待ち、上はチャック８とウエハ９の間に侵入を開始する。Ｓ１０９において、ウエハ回収処理シーケンスを終了する。

以上、第１実施形態で説明したように、貫通穴２６があり、且つ貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２が重なる場合、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃによる吸着を停止する。一方、従来の処理装置では、貫通穴があり、且つ貫通穴と吸着穴が重なる場合にも吸着を行っていたが、十分な吸着力が得られず、制御部はウエハ裏面に異物が付着していると判断し、処理シーケンスを中断又は停止していた。本実施形態によればこのような処理シーケンスの中断又は停止が防止され、スループットが向上する。

また、本実施形態によれば、貫通穴２６があり、且つ貫通穴２６と吸着穴１１ａ２等が重なる場合、吸着を停止することによって、同一のバキューム元圧に接続されている他の吸着保持機構による吸着の低下が発生しないため、装置の信頼性が向上する。

さらに、貫通穴２６があり、且つ貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２が重なる場合、制御プロファイル（Ｄ）が選択される。これによって、ウエハ９の振動が安定した後に受け取りアーム１４がウエハチャック８とウエハ９の間に侵入するので、受け取りアーム１４がウエハ９に接触することによるウエハ９の破損や位置ずれが防止され、装置の信頼性が向上する。

さらに、貫通穴２６がない場合、又は貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２が重ならない場合、制御プロファイル（Ａ）が選択される。この場合、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃによって吸着が十分なされており、受け取りアーム１４は待ち時間なしにウエハ９を受け取るので、スループットが維持される。

なお、本実施形態では、貫通穴２６の位置に関する情報と、吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２の位置に関する情報に基づいて、貫通穴と吸着穴が重なるか否かを制御部１５が自動的に判断していた。これに限られず、貫通穴と吸着穴が重なるか否かの情報を露光情報レシピーに設定しておき、露光情報レシピーから情報を取得してもよい。

［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る処理装置について説明する。第２実施形態に係る処理装置の構成は第１実施形態と同様であるが、受け取りアーム１４の制御を切り替える処理が異なる。図１４は、第２実施形態において、吸着圧力に関する情報に基づいて受け取りアーム１４の制御を切り替える処理の流れを説明するフローチャートである。

Ｓ２０１において、ウエハチャック９上での露光処理を終了したウエハ（基板）に対して、ウエハ回収シーケンスを開始する。Ｓ２０２において、制御部１５は圧力計２２から圧力値を読み取る。Ｓ２０３において、制御部１５は読み取った圧力値から吸着圧力が閾値ＬＭ１より大きいか否かを比較し、判断する。ＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３の間には、ＬＭ１＞ＬＭ２＞ＬＭ３の関係が予め設定されている。制御部１５は読み取った圧力値から吸着圧力がＬ１より大きいか又は等しい場合、フローはＳ２０４へ進む。吸着圧力がＬＭ１より小さい場合、フローはＳ２０５へ進む。

Ｓ２０４において、制御部１５は受け取りアーム１４に対して図１２の制御プロファイル（Ａ）を選択する。一方、Ｓ２０５において、制御部１５は読み取った圧力値から吸着圧力が閾値ＬＭ２より大きいか否かを比較し、判断する。Ｓ２０５で吸着圧力がＬＭ２より大きいか又は等しい場合、フローはＳ２０６へ進む。吸着圧力がＬＭ２より小さい場合、フローはＳ２０７へ進む。

Ｓ２０６において、制御部１５は受け取りアーム１４に対して図１２の制御プロファイル（Ｂ）を選択する。一方、Ｓ２０７において、制御部１５は読み取った圧力値から吸着圧力が閾値ＬＭ３より大きいか否かを比較し、判断する。Ｓ２０７で吸着圧力がＬＭ３より大きいか又は等しい場合、フローはＳ２０８へ進む。吸着圧力がＬＭ３より小さい場合、フローはＳ２０９へ進む。

Ｓ２０８において、制御部１５は受け取りアーム１４に対して図１２の制御プロファイル（Ｃ）を選択する。一方、Ｓ２０９において、制御部１５は受け取りアーム１４に対して図１２の制御プロファイル（Ｄ）を選択する。Ｓ２１０において、図４（Ａ）ないし図４（Ｅ）に示す処理に従って、ウエハチャック８に配置された露光済みのウエハ９を受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃから受け取る。Ｓ２１１において、ウエハ回収処理シーケンスを終了する。

以上、第２実施形態で説明したように、吸着圧力に応じて受け取りアーム１４に対して最適な制御プロファイルを選択することによって、ウエハ９の振動が安定に必要な時間だけ遅延して受け取りアーム１４が侵入する。これによって、無駄な待ち時間がなくなり、スループットが向上する。また、ウエハ９の振動が安定した後に受け取りアーム１４が侵入するので、受け取りアーム１４がウエハ９に接触することによるウエハ９の破損や位置ずれが防止され、装置の信頼性が向上する。

［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係る処理装置について説明する。第３実施形態に係る処理装置の構成は第１実施形態と同様であるが、図２Ｅに示す吸着部を備えており、さらに受け取りアーム１４の制御を切り替える処理が異なる。図１５は、第３実施形態において、吸着圧力に関する情報に基づいて受け取りアーム１４の制御を切り替える処理の流れを説明するフローチャートである。

Ｓ３０１において、ウエハチャック９上での露光処理を終了したウエハ（基板）に対して、ウエハ回収シーケンスを開始する。Ｓ３０２において、制御部１５は３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの中で何カ所のピンが吸着可能であるか判定するための変数ＰＮを０で初期化する。Ｓ３０３において、制御部１５は圧力計２２ａ，２２ｂ，２２ｃの圧力値を読み取る。

Ｓ３０４において、制御部１５はピン１１ａに対応する圧力計２２ａから読み取った圧力値から吸着圧力が判定閾値ＬＭ１より大きいか否か判定する。吸着圧力が閾値ＬＭ１よりも大きい場合、Ｓ３０５において、制御部１５は変数ＰＮに１を加える。一方、吸着圧力が閾値ＬＭ１よりも大きくない場合、Ｓ３０６において、制御部１５は吸着穴１１ａ２がウエハ９に形成された貫通穴２６と重なっていると判断し、開閉弁２１ａを閉鎖する。

Ｓ３０７において、制御部１５はピン１１ｂに対応する圧力計２２ｂから読み取った圧力値から吸着圧力が判定閾値ＬＭ１より大きいか否か判定する。吸着圧力が閾値ＬＭ１よりも大きい場合、Ｓ３０８において、制御部１５は変数ＰＮに１を加える。一方、吸着圧力が閾値ＬＭ１よりも大きくない場合、Ｓ３０９において、制御部１５は吸着穴１１ｂ２がウエハ９に形成された貫通穴２６と重なっていると判断し、開閉弁２１ｂを閉鎖する。

Ｓ３１０において、制御部１５はピン１１ｃに対応する圧力計２２ｃから読み取った圧力値から吸着圧力が判定閾値ＬＭ１より大きいか否か判定する。吸着圧力が閾値ＬＭ１よりも大きい場合、Ｓ３１１において、制御部１５は変数ＰＮに１を加える。一方、吸着圧力が閾値ＬＭ１よりも大きくない場合、Ｓ３１２において、制御部１５は吸着穴１１ｃ２がウエハ９に形成された貫通穴２６と重なっていると判断し、開閉弁２１ｃを閉鎖する。

Ｓ３１３において、制御部１５は変数ＰＮが０，１，２，３いずれかであるかを判断する。このとき、変数ＰＮは吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２のうち貫通穴と重っていない吸着穴の個数を表している。変数ＰＮが３の場合、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃのすべてで十分な吸着圧力が得られているので、Ｓ３１４において、制御部１５は受け取りアーム１４の制御プロファイル（Ａ）を選択する。

変数ＰＮが２の場合、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃいずれか２箇所のピンで十分な吸着圧力が得られているので、Ｓ３１５において、制御部１５は受け取りアーム１４の制御プロファイル（Ｂ）を選択する。変数ＰＮが１の場合、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃいずれか１箇所のみのピンで十分な吸着圧力が得られているので、Ｓ３１６において、制御部１５は受け取りアーム１４の制御プロファイル（Ｃ）を選択する。変数ＰＮが０の場合、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃすべてのピンで十分な吸着圧力が得られていないので、Ｓ３１７において、制御部１５は受け取りアーム１４の制御プロファイル（Ｄ）を選択する。

続いて、Ｓ３１８において、図４（Ａ）ないし図４（Ｅ）に示す処理に従って、ウエハチャック８に配置された露光済みのウエハ９を受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃから受け取る。Ｓ３１９において、ウエハ回収処理シーケンスを終了する。

以上、第３実施形態で説明したように、吸着圧力が十分に発生しているピンの数に応じて受け取りアーム１４に対して最適な制御プロファイルを選択することによって、ウエハ９の振動が安定に必要な時間だけ遅延して受け取りアーム１４が侵入する。これによって、無駄な待ち時間がなく、スループットが向上する。また、ウエハ９の振動が安定した後に受け取りアーム１４が侵入するので、受け取りアーム１４がウエハ９に接触することによるウエハ９の破損や位置ずれが防止され、装置の信頼性が向上する。さらに、貫通穴２６と重なっている吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２に対応する開閉弁２１ａ，２１ｂ，２１ｃを閉鎖することで、同一のバキューム元圧に接続されている他の吸着保持機構による吸着の低下を防止し、装置の信頼性が向上する。

［第４実施形態］
次に、本発明の第４施形態に係る処理装置について説明する。第４施形態に係る処理装置の構成は第１実施形態と同様であるが、受け取りアーム１４の制御を切り替える処理が異なる。図１６は、第４施形態において、ロット単位で指定される露光情報レシピーに設定された貫通穴の位置に関する情報に基づいて、受け取りアーム１４の制御を切り替える処理の流れを説明するフローチャートである。

Ｓ４０１において、ウエハチャック９上での露光処理を終了したウエハ（基板）に対して、ウエハ回収シーケンスを開始する。Ｓ４０２において、制御部１５は、通穴位置情報格納部１５１に記憶された露光情報レシピーに設定された貫通穴２６の有無に関する情報及び貫通穴がある場合は貫通穴２６の位置に関する情報を取得する。また、ウエハ交換制御部１５４は、３ピン吸着部位置情報格納部１５７に記憶された吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２の位置に関する情報を取得する。

Ｓ４０３において、制御部１５は貫通穴２６の有無及び位置と吸着穴１１ａ２、１１ｂ２、１１ｃ２の位置の関係を判断する。貫通穴２６が無い場合、又は貫通穴２６と吸着穴１１ａ２、１１ｂ２、１１ｃ２のいずれも重ならない場合（図１１に示す状態）、フローはＳ４０４へ進む。貫通穴２６があり、且つ貫通穴２６と吸着穴１１ａ２、１１ｂ２、１１ｃ２のうち１箇所以上重なる場合、フローはＳ４０６へ進む。

Ｓ４０４において、３ピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃすべてで吸着させるため、制御部１５は開閉弁２１ａ、２１ｂ、２１ｃ全てを開放する。続いて、Ｓ４０５において、制御部１５は受け取りアーム１４に対して制御プロファイル（Ａ）を選択する。

一方、貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２のいずれか１箇所以上重なる場合、Ｓ４０６において、制御部１５は貫通穴２６の有無及び位置と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２の位置の関係を判断する。貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２が２箇所以上重ならない場合、フローはＳ４０７へ進む。２箇所以上重なる場合、フローはＳ４０９へ進む。

Ｓ４０７において、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃに対して、貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２のうち１箇所が重なっている（図９に示す状態）。そして、重なっている１箇所の吸着穴に対応する開閉弁２１ａ，２１ｂ，２１ｃのいずれか１箇所のみ閉鎖し、重なっていない他の２箇所の吸着穴に対応する２箇所の開閉弁を開放する。続いて、Ｓ４０８において、制御部１５は受け取りアーム１４に対して制御プロファイル（Ｂ）を選択する。

一方、貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２のいずれか２箇所以上重なる場合、Ｓ４０９において、制御部１５は貫通穴２６の有無及び位置と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２の位置の関係を判断する。貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２の３箇所すべてが重ならない場合、フローはＳ４１０へ進む。３箇所すべてが重なる場合、フローはＳ４１２へ進む。

Ｓ４１０において、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃに対して、貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２のうち２箇所が重なっている（図１０に示す状態）。そして、重なっている２箇所の吸着穴に対応する開閉弁２１ａ，２１ｂ，２１ｃのいずれか２箇所のみ閉鎖し、重なっていない他の１箇所の吸着穴に対応する１箇所の開閉弁を開放する。続いて、Ｓ４１１において、制御部１５は受け取りアーム１４に対して制御プロファイル（Ｃ）を選択する。

Ｓ４１２において、貫通穴２６と吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２のすべてが重なっているので、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃすべてに対して吸着をしないように、開閉弁２１ａ、２１ｂ、２１ｃすべてを閉鎖する。続いて、Ｓ４１３において、制御部１５は受け取りアーム１４に対して制御プロファイル（Ｄ）を選択する。

続いて、Ｓ４１４において、図４（Ａ）ないし図４（Ｅ）に示す処理に従って、ウエハチャック８に配置された露光済みのウエハ９を受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃから受け取る。Ｓ４１５において、ウエハ回収処理シーケンスを終了する。

以上、第４実施形態で説明したように、貫通穴に重ならないピンのみ吸着を行い、且つ受け取りアーム１４に対して最適な制御プロファイルを選択することによって、ウエハ９の振動が安定に必要な時間だけ待って受け取りアーム１４が侵入する。これによって、無駄な待ち時間がなく、スループットが向上する。また、ウエハ９の振動が安定した後に受け取りアーム１４が侵入するので、受け取りアーム１４がウエハ９に接触することによるウエハ９の破損や位置ずれが防止され、装置の信頼性が向上する。さらに、貫通穴２６と重なっている吸着穴１１ａ２，１１ｂ２，１１ｃ２に対応する開閉弁２１ａ，２１ｂ，２１ｃを閉鎖することで、同一のバキューム元圧に接続されている他の吸着保持機構による吸着の低下を防止し、装置の信頼性が向上する。

［他の実施形態］

第１実施形態ないし第４実施形態では、受け取りアーム１４の制御プロファイルとして図１２に示す制御プロファイル（Ａ）ないし（Ｄ）のいずれかを選択した。第５実施形態として、これに代えて、あるいはこれに加えて、図１２に示す制御プロファイル（Ｂ）に代えて（Ｅ）、（Ｃ）に代えて（Ｆ）、（Ｄ）に代えて（Ｇ）を選択してもよい。制御プロファイル（Ｅ）ないし（Ｇ）では、受け取りアーム１４の移動の加速度、速度、継続時間を変化させることにより、（Ｂ）ないし（Ｄ）と同様に、ウエハ９の振動が安定した後、受け取りアーム１４がウエハチャック８とウエハ９との間に侵入する。具体的には、制御プロファイル（Ｅ）によれば、受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上昇動作が完了した後、直ちに移動を開始する。そして、移動の加速度と速度を低めつつ継続時間を長くすることにより、遅れたタイミングｔ１においてウエハチャック８とウエハ９の間に侵入する。制御プロファイル（Ｃ）によれば、受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上昇動作が完了した後、直ちに移動を開始する。そして、移動の加速度と速度をさらに低めつつ継続時間をさらに長くすることにより、さらに遅れたタイミングｔ２においてウエハチャック８とウエハ９の間に侵入する。制御プロファイル（Ｄ）によれば、受け取りアーム１４が３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上昇動作が完了した後、直ちに移動を開始する。そして、移動の加速度と速度を一層低めつつ継続時間を一層長くすることにより、一層遅れたタイミングｔ３においてウエハチャック８とウエハ９の間に侵入する。このように、制御プロファイルを切り替えることによって、搬送部としての受け取りアーム１４の侵入を所定時間だけ遅延する。これによって、無駄な待ち時間がなく、スループットが向上し、接触によるウエハ９の破損や位置ずれが防止され、装置の信頼性が向上する。

また、第１実施形態ないし第４実施形態では、受け取りアーム１４の制御プロファイルとして図１２に示す制御プロファイル（Ａ）ないし（Ｇ）のいずれかを選択した。これに限られず、３ピン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上昇動作に対する制御プロファイルを選択するようにしてもよい。例えば、吸着圧力または吸着可能なピンの数に応じて３ピン１１ａ，１１，１１ｃの上昇の加速度と速度を調整し、ウエハ９の振動を干渉限界上限と干渉限界下限の間に入るように設定する。これによって、受け取りアーム１４がウエハ９に干渉することなくウエハチャック８とウエハ９との間に侵入することが可能になる。これによって、無駄な待ち時間がなくなるのでスループットが向上し、接触によるウエハ９の破損や位置ずれが防止されるので装置の信頼性が向上する。

また、第１本実施形態ないし第４実施形態では、貫通穴２６の情報に基づいて、吸着を停止していたが、これに限られず、他の吸着保持機構による吸着の低下が発生しない程度に吸着力を低下するものであってもよい。ここで、吸着力を低下するとは、第３実施形態と第４実施形態における複数設けられた吸着部のうち一部の吸着を停止する場合、すなわち３ピンから構成される吸着部の全体の吸着力を低下させる場合を含む。

［デバイス製造方法］
次に、デバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集
積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前
述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する
工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージ
ング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることによ
り製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤
を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する
工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従
来よりも高品位のデバイスを製造することができる。以上、本発明の好ましい実施形態に
ついて説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の
変形および変更が可能である。

１１ａ，１１ｂ，１１ｃ ３ピン
１４ 受け取りアーム
１５ 制御部
２６ 貫通穴

Claims (17)

1. 基板に処理を行う処理装置であって、
   ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
   前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる吸着部と、
   前記基板を前記チャックから前記吸着部によって移動させるとき、前記基板の貫通穴に関する情報に基づいて前記吸着部の吸着を停止又は低下する制御部と
   を備えたことを特徴とする処理装置。
2. 前記吸着部によって移動された前記基板と前記チャックとの間に侵入する搬送部をさらに備え、
   前記制御部は前記基板の貫通穴に関する情報に基づいて前記搬送部の侵入を遅延することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
3. 前記吸着部によって移動された前記基板と前記チャックとの間に侵入する搬送部をさらに備え、
   前記制御部は前記基板の貫通穴に関する情報に基づいて前記搬送部の侵入の加速度又は速度を変更することを特徴とする請求項１又は２に記載の処理装置。
4. 前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記制御部は前記貫通穴と前記吸着部とが重なるか否かを判断し、前記貫通穴と前記吸着部が重なる場合、前記吸着部の吸着を停止または低下することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の処理装置。
5. 前記吸着部が複数設けられ、
   前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記制御部は前記貫通穴に重なる前記吸着部を判定し、前記貫通穴に重なる前記吸着部の吸着を停止または低下することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の処理装置。
6. 前記吸着部が複数設けられ、
   前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記制御部は前記貫通穴に重なる前記吸着部の個数を判定し、前記個数に基づいて前記搬送部の侵入を遅延する時間を変更することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の処理装置。
7. 基板に処理を行う処理装置であって、
   ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
   前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる吸着部と、
   前記吸着部の吸着圧力を計測する圧力計と、
   前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記圧力計から得られた前記吸着圧力と閾値を比較し、前記吸着圧力が前記閾値より小さい場合は前記吸着部の吸着を停止又は低下する制御部と
   を備えることを特徴とする処理装置。
8. 基板に処理を行う処理装置であって、
   ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
   前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる複数の吸着部と、
   前記複数の吸着部のぞれぞれの吸着圧力を計測する複数の圧力計と、
   前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記複数の圧力計から得られた前記吸着圧力と閾値を比較し、前記吸着圧力が前記閾値より小さい前記吸着部の吸着を停止または低下する制御部と
   を備えることを特徴とする処理装置。
9. 基板に処理を行う処理装置であって、
   ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
   前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる複数の吸着部と、
   前記複数の吸着部のぞれぞれの吸着圧力を計測する複数の圧力計と、
   前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記複数の圧力計から得られた前記吸着圧力と閾値を比較し、前記吸着圧力が前記閾値より小さい前記吸着部の個数を判定し、前記個数に基づいて前記搬送部の侵入を遅延する時間を変更する制御部と
   を備えることを特徴とする処理装置。
10. 基板に処理を行う処理装置であって、
    ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
    前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる吸着部と
    前記吸着部によって移動された前記基板と前記チャックとの間に侵入する搬送部をさらに備え、
    前記基板の貫通穴に関する情報に基づいて前記搬送部の侵入を遅延する制御部と
    を備えることを特徴とする処理装置。
11. 基板に処理を行う処理装置であって、
    ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
    前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる吸着部と、
    前記吸着部の吸着圧力を計測する圧力計と、
    前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記圧力計から得られた前記吸着圧力と閾値を比較し、前記吸着圧力が前記閾値より小さい場合は前記搬送部の侵入を遅延する制御部と
    を備えることを特徴とする処理装置。
12. 基板に処理を行う処理装置であって、
    ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
    前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる複数の吸着部と、
    前記複数の吸着部のぞれぞれの吸着圧力を計測する複数の圧力計と、
    前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記複数の圧力計から得られた前記吸着圧力と閾値を比較し、前記吸着圧力が前記閾値より小さい前記吸着部の個数を判定し、前記個数に基づいて前記搬送部の侵入を遅延する時間を変更する制御部と
    を備えることを特徴とする処理装置。
13. 前記制御部は複数の制御プロファイルを切り換えることによって、前記搬送部の侵入を遅延する時間を変更することを特徴とする請求項１、２、６ないし１２のいずれか１項記載の処理装置。
14. 前記処理は、前記基板を露光する露光処理を含む、ことを特徴とする請求項１ないし１１３のいずれか１項に記載の処理装置。
15. 請求項１４に記載の処理装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記工程で露光された基板を現像する工程と、
    を含む、ことを特徴とするデバイス製造方法。
16. 基板に処理を行う処理方法であって、
    ステージに設置されたチャックにより前記基板を保持する工程と、
    吸着部により前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる工程と、
    前記基板を前記チャックから前記吸着部によって移動させるとき、制御部により前記基板の貫通穴に関する情報に基づいて前記吸着部の吸着を停止又は低下する工程と
    を備えたことを特徴とする処理方法。
17. 基板に処理を行う処理方法であって、
    ステージに設置されたチャックにより前記基板を保持する工程と、
    吸着部により前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる工程と
    前記吸着部によって移動された前記基板と前記チャックとの間に搬送部が侵入する工程と、
    制御部が前記基板の貫通穴に関する情報に基づいて前記搬送部の侵入を遅延する工程と
    を備えることを特徴とする処理方法。
    

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