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JP2015228460A - 発光装置、電子機器および検査方法 - Google Patents

発光装置、電子機器および検査方法 Download PDF

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Abstract

【課題】近赤外領域で発光する高効率かつ長寿命な発光素子、この発光素子を備える発光装置、認証装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の発光装置１００は、陽極３と、陰極８と、陽極３と陰極８との間に設けられ、陽極３と陰極８との間に通電することにより近赤外領域の光を発光する発光層５とを有する発光素子１Ａを備え、陽極３と陰極８との間に３００Ａ／ｃｍ２以下の電流密度で通電したとき、５ｃｄ／ｃｍ２以上の可視光を発光する。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置、電子機器および検査方法に関するものである。
有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。
このような発光素子としては、７００ｎｍを超える近赤外領域で発光するものが知られており（例えば、特許文献１、２参照）、近年、このような近赤外領域で面発光する発光素子を、例えば、静脈、指紋等の生体情報を用いて個人を認証する生体認証用の光源や、軍事用途等の近赤外線ディスプレイのような発光装置として、その実現が検討されている。
ところで、この発光装置の製造後における出荷前検査では、異物および気泡等に起因するダークスポット、非発光および画素欠陥等の不具合が生じている発光装置を欠陥品として取り除く必要がある。
可視光を発光する発光装置であれば、出荷前検査において、当該発光装置を点灯させて肉眼により前記不具合を観察することで、所定の検査機器を用いることなく欠陥品を取り除くことが可能である。これは当該所定の検査機器による検査結果の正しさを肉眼によって確認できることであり、当該所定の検査機器の動作の確認が人により可能であることを意味する。
特開２０００−０９１０７３号公報 特開２００１−１１０５７０号公報
しかしながら、近赤外領域の光を発光する発光装置では、肉眼により近赤外領域の光を認識できないため、このような手法を適用することができなかった。
本発明の目的のひとつは、出荷前検査において欠陥品か否かを簡単に知り得る発光装置、かかる発光装置を備える電子機器、および、かかる発光装置が欠陥品か否かを検査する検査方法を提供することにある。
上記の課題の少なくともひとつを解決するために、本願発明は以下の構成をとることができる。
本発明の発光装置は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられ、前記陽極と前記陰極との間に通電することにより近赤外領域の光を発光する発光層とを有する発光素子を備え、
前記陽極と前記陰極との間に３００ｍＡ／ｃｍ２以下の電流密度で通電したとき、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光することを特徴とする。
このように発光装置は、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光することから、出荷前検査において、この可視光を観察することで、欠陥品か否かを簡単に知ることができる。
本発明の発光装置では、前記発光層は、発光材料と、前記発光材料を保持するホスト材料とを含んで構成されることが好ましい。
これにより、発光材料とホスト材料とを適切に組み合わせることで、発光層を、近赤外領域と、可視光領域との双方で発光するものとし得る。
本発明の発光装置では、前記発光材料は、下記一般式（ＩＲＤ−１）で表わされる化合物、下記一般式（ＩＲＤ−２）で表わされる化合物、下記一般式（ＩＲＤ−３）で表わされる化合物、および、下記一般式（ＩＲＤ−４）で表わされる化合物のうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。
Figure 2015228460
 ［前記一般式（ＩＲＤ−１）中、各Ｒは、それぞれ独立して、アリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミン、または、これらの誘導体のうちの少なくとも１種を含む基を示す。］
Figure 2015228460
 ［前記一般式（ＩＲＤ−２）中、各Ｒは、それぞれ独立して、アリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミン、または、これらの誘導体のうちの少なくとも１種を含む基を示す。］
Figure 2015228460
 ［前記一般式（ＩＲＤ−３）中、Ｘは、水素が結合している炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒは、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリル基、アルコキシ基、もしくは複素環基を示す。］
Figure 2015228460
 ［前記一般式（ＩＲＤ−４）中、各Ｒは、それぞれ独立して、フェニル基、チオフェニル基、フリル基、または、これらの誘導体のうちの少なくとも１種を含む基を示す。］
これにより、発光層を、近赤外領域で発光するものとし得る。
本発明の発光装置では、前記ホスト材料は、下記式ＩＲＨ−１で表わされる化合物を含むことが好ましい。
Figure 2015228460
 ［前記式ＩＲＨ−１中、ｎは、１〜１２の自然数を示し、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。］
これにより、発光層を、可視光を発光する層とすることができ、具体的には、緑色の光を発光するものとすることができる。
本発明の発光装置では、前記発光層中における前記発光材料の含有量は、４．０ｗｔ％以下であることが好ましい。
これにより、発光層において、発光層に注入されたキャリアを発光材料での再結合ばかりでなく、ホスト材料での再結合にも使用することができるようになるため、発光素子を、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を確実に発光するものとすることができる。また、発光素子の発光効率と寿命とのバランスを優れたものとすることができる。
本発明の発光装置では、前記発光素子は、前記発光層と前記陰極との間に設けられた電子輸送層を備えることが好ましい。
これにより、電子輸送層を、可視光を発光する層として適用することができる。
本発明の発光装置では、前記電子輸送層は、アントラセン骨格を有する化合物を含んで構成されていることが好ましい。
これにより、電子輸送層を、可視光を発光する層とすることができ、具体的には、青色の光を発光するものとすることができる。
本発明の発光装置では、前記電子輸送層の厚さは、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
これにより、発光素子は、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を確実に発光するものとなる。
本発明の発光装置では、前記発光層の厚さは、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。
これにより、発光素子は、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を確実に発光するものとなる。
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
このような電子機器は、欠陥品ではないとされた発光装置を備えるので、信頼性に優れる。
本発明の検査方法は、本発明の発光装置において、前記陽極と前記陰極との間に３００ｍＡ／ｃｍ２以下の電流密度で通電し、発光する５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を観察することにより検査することを特徴とする。
このような検査方法により、発光装置が欠陥品か否かを簡単に知ることができる。
発光装置の実施形態を示す縦断面図である。 図１に示す発光装置が備える発光素子を模式的に拡大した部分拡大断面図である。 発光装置を適用した認証装置の実施形態を示す図である。 電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 実施例１、２に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例３、４に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例５、６に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例７、８に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例９、１０に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例１１、１２に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例１３、１４に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例１５、１６に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例１７、１８に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例１９、２０に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例２１、２２に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例２３、２４に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例２５、２６に係る発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。
以下、本発明の発光装置、電子機器および検査方法を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
まず、本発明の発光装置について説明する。
図１は、本発明の発光装置の実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示す発光装置が備える発光素子を模式的に拡大した部分拡大断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１、２中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
図１に示す発光装置１００は、基板２１と、複数の発光素子１Ａと、各発光素子１Ａをそれぞれ駆動するための複数の駆動用トランジスタ２４とを有している。ここで、発光装置１００は、基板２１の反対側（後述する封止基板２０側）から発光した光を取り出すトップエミッション構造を有する。
基板２１上には、複数の駆動用トランジスタ２４が設けられ、これらの駆動用トランジスタ２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
各駆動用トランジスタ２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
また、平坦化層上には、各駆動用トランジスタ２４に対応して、反射膜３２と、腐食防止膜３３とがこの順で積層して設けられている。
さらに、各腐食防止膜３３上には、これらに対応して、すなわち駆動用トランジスタ２４に対応して、発光素子１Ａが設けられている。
発光素子１Ａは、腐食防止膜３３上に、陽極３、積層体（有機ＥＬ発光部）１４、陰極８、陰極カバー３４がこの順に積層されており、積層体１４は、図２に示す通り、正孔注入層４と、発光層５と、第１電子輸送層６ｂと、第２電子輸送層６ａと、電子注入層７と、陰極８とがこの順に積層されている。
かかる構成の発光素子１Ａの隣接するもの同士の間には、隔壁３１が設けられ、これにより各発光素子１Ａが個別に設けられている。
本実施形態では、各発光素子１Ａにおいて、反射膜３２、腐食防止膜３３および陽極３が隔壁３１で区画されることにより個別に設けられ、積層体１４、陰極８および陰極カバー３４が一体的に設けられている。かかる構成とすることで、各発光素子１Ａの陽極３は、画素電極を構成し、さらに、各発光素子１Ａの陰極８は、共通電極を構成する。また、各発光素子１Ａの陽極３は、各駆動用トランジスタ２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。
このように、発光素子１Ａを備える発光装置１００において、発光素子１Ａの作動を駆動用トランジスタ２４を用いて制御することにより、すなわち発光素子１Ａへの電圧の印加を制御することにより、発光が可能となる。
かかる構成の発光装置１００が備える発光素子１Ａは、近赤外領域で発光するものであるが、この発光素子１Ａの詳細については後に説明する。
さらに、これらの発光素子１Ａ上には、これらを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層３５が形成されている。
そして、エポキシ層３５上には、これらを覆うように封止基板２０が設けられている。これにより、発光素子１Ａの気密性が確保され、酸素や水分の浸入を防止できることから、発光素子１Ａの信頼性の向上を図ることができる。
かかる構成の発光装置１００は、例えば軍事用途等の近赤外線ディスプレイとして用いることも可能である。
以上説明したような発光装置１００において、前述の通り、発光素子１Ａは、近赤外領域で発光するものであるが、以下、この発光素子１Ａについて、説明する。
（発光素子）
図２に示す発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１Ａは、陽極３と正孔注入層４と発光層５と電子輸送層６と電子注入層７と陰極８とがこの順に積層されてなるものである。すなわち、発光素子１Ａでは、陽極３と陰極８との間に、陽極３側から陰極８側へ正孔注入層４と発光層５と電子輸送層６と電子注入層７とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。
このような発光素子１Ａにあっては、陽極３および陰極８に駆動電圧が印加されることにより、発光層５に対し、それぞれ、陰極８側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、発光層５では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。これにより、発光素子１Ａは、発光する。
特に、この発光素子１Ａは、後述するように、下記一般式（ＩＲＤ−１）で表わされる化合物であるチアジアゾール系化合物、下記一般式（ＩＲＤ−２）で表わされる化合物であるチアジアゾール系化合物、下記一般式（ＩＲＤ−３）で表わされる化合物であるピロメテン系ホウ素錯体、および、下記一般式（ＩＲＤ−４）で表わされる化合物であるベンゾ−ビス−チアジアゾール系化合物等の少なくとも１種を発光材料として含んでいることにより、７００ｎｍ以上の波長領域のような近赤外領域で発光する。なお、本明細書において、「近赤外領域」とは、７００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の波長領域を言い、近赤外領域での発光とは、発光波形のピークが７００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である発光をいう。
なお、このような発光素子１Ａでは、陽極３と陰極８との間の距離（すなわち積層体１４の平均厚さ）は、１００〜５００ｎｍであるのが好ましく、１００〜３００ｎｍであるのがより好ましく、１００〜２５０ｎｍであるのがさらに好ましい。これにより、簡単かつ確実に、発光素子１Ａの駆動電圧を実用的な範囲内にすることができる。
以下、発光素子１Ａを構成する各部を順次説明する。
（陽極）
陽極３は、正孔注入層４に正孔を注入する電極である。この陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
特に、陽極３は、ＩＴＯで構成されているのが好ましい。ＩＴＯは、透明性を有するとともに、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料である。これにより、陽極３から正孔注入層４へ効率的に正孔を注入することができる。
また、陽極３の正孔注入層４側の面（図１、２にて上面）は、プラズマ処理が施されているのが好ましい。これにより、陽極３と正孔注入層４との接合面の化学的および機械的な安定性を高めることができる。その結果、陽極３から正孔注入層４への正孔注入性を向上させることができる。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
（陰極）
一方、陰極８は、後述する電子注入層７を介して電子輸送層６に電子を注入する電極である。この陰極８の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極８の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体、複数種の混合層等として）用いることができる。
特に、陰極８の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極８の構成材料として用いることにより、陰極８の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極８の平均厚さは、本実施形態の発光素子１Ａがトップエミッション型であるため、陰極８側から光を透過させる必要があるので、１〜５０ｎｍ程度であるのが好ましい。
また、ボトムエミッション型である場合には、陰極８に光透過性は特に要求されないので、陰極８の平均厚さは、１００〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
（正孔注入層）
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能を有する（すなわち正孔注入性を有する）ものである。これにより、発光素子１Ａの発光効率を高めることができる。ここで、正孔注入層４は、陽極３から注入された正孔を発光層５まで輸送する機能をも有する（すなわち正孔輸送性を有する）ものである。したがって、正孔注入層４は、前述したように正孔輸送性を有することから、正孔輸送層であるということもできる。なお、正孔注入層４と発光層５との間に、正孔注入層４とは異なる材料（例えばベンジジン誘導体等のアミン系化合物）で構成された正孔輸送層を別途設けてもよい。
この正孔注入層４は、正孔注入性を有する材料（正孔注入性材料）を含んでいる。
この正孔注入層４に含まれる正孔注入性材料としては、特に限定されず、例えば、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−Ｎ, Ｎ’−ジフェニル−ビフェニル−４−４’−ジアミン等のアミン系材料が挙げられる。
中でも、正孔注入層４に含まれる正孔注入性材料としては、正孔注入性および正孔輸送性に優れるという観点から、アミン系材料を用いるのが好ましく、ジアミノベンゼン誘導体、ベンジジン誘導体（ベンジジン骨格を有する材料）、分子内に「ジアミノベンゼン」ユニットと「ベンジジン」ユニットとの両方を有するトリアミン系化合物、テトラアミン系化合物（具体的には、例えば、下記式ＨＩＬ１〜ＨＩＬ２７で表されるような化合物）を用いるのがより好ましい。
Figure 2015228460
Figure 2015228460
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また、正孔注入層４の構成材料のＬＵＭＯは、発光層５に用いるホスト材料のＬＵＭＯとの差が０．５ｅＶ以上であることが好ましい。これにより、電子が発光層５から正孔注入層４へ抜けてしまうのを低減し、発光効率を高めることができる。
また、正孔注入層４の構成材料のＨＯＭＯは、４．７ｅＶ以上５．６ｅＶ以下であることが好ましく、また、正孔注入層４の構成材料のＬＵＭＯは、２．２ｅＶ以上３．０ｅＶ以下であることが好ましい。
（発光層）
発光層５は、前述した陽極３と陰極８との間に通電することにより、発光するものである。
この発光層５は、近赤外領域での発光を得るものであれば特に限定されないが、発光ドーパントとして機能する発光材料を含んで構成される。
この発光材料としては、例えば、下記一般式（ＩＲＤ−１）で表わされる化合物であるチアジアゾール系化合物（以下、単に「チアジアゾール系化合物１」とも言う）、下記一般式（ＩＲＤ−２）で表わされる化合物であるチアジアゾール系化合物（以下、単に「チアジアゾール系化合物２」とも言う）、下記一般式（ＩＲＤ−３）で表わされる化合物であるピロメテン系ホウ素錯体（以下、単に「ピロメテン系ホウ素錯体」とも言う）、および、下記一般式（ＩＲＤ−４）で表わされる化合物であるベンゾ−ビス−チアジアゾール系化合物（以下、単に「ベンゾ−ビス−チアジアゾール系化合物」とも言う）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、発光層５を、近赤外領域で発光するものとし得る。
Figure 2015228460
 ［前記一般式（ＩＲＤ−１）中、各Ｒは、それぞれ独立して、アリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミン、または、これらの誘導体のうちの少なくとも１種を含む基を示す。］
前記一般式（ＩＲＤ−１）中の各基Ｒとして、アリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミン、または、これらの誘導体が挙げられ、これらのうちの２種以上を組み合わせたものを用いることができ、かかる基Ｒを備えるチアジアゾール系化合物１を発光ドーパントとして含む発光層５は、近赤外領域での発光を得ることができる。
上記のような基Ｒを備えるチアジアゾール系化合物１としては、具体的には、例えば、下記式ＩＲＤ−１１〜ＩＲＤ−１８で表わされる化合物またはその誘導体が挙げられる。
Figure 2015228460
Figure 2015228460
 ［前記一般式（ＩＲＤ−２）中、各Ｒは、それぞれ独立して、アリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミン、または、これらの誘導体のうちの少なくとも１種を含む基を示す。］
前記一般式（ＩＲＤ−２）中の各基Ｒとして、アリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミン、または、これらの誘導体が挙げられ、これらのうちの２種以上を組み合わせたものを用いることができ、かかる基Ｒを備えるチアジアゾール系化合物２を発光ドーパントとして含む発光層５は、近赤外領域での発光を得ることができる。
上記のような基Ｒを備えるチアジアゾール系化合物２としては、具体的には、例えば、下記式ＩＲＤ−２１〜ＩＲＤ−２６で表わされる化合物またはその誘導体が挙げられる。
Figure 2015228460
Figure 2015228460
 ［前記一般式（ＩＲＤ−３）中、Ｘは、水素が結合している炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒは、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリル基、アルコキシ基、もしくは複素環基を示す。］
ここで、前記一般式（ＩＲＤ−３）中のＲとして用いる複素環基としては、特に限定されないが、ピロール、フラン、チオフェン等の五員複素環基、または、ピリジン等の六員複素環基を用いることが好ましい。
このようなピロメテン系ホウ素錯体を含む発光層５は、近赤外領域での発光を得ることができる。
また、発光層５に用いる発光材料としては、前記一般式（ＩＲＤ−３）で表される化合物であり、かつ、近赤外領域での発光が可能なものであればよいが、具体的には、例えば、下記式ＩＲＤ−３１〜ＩＲＤ−３５で表わされる化合物またはその誘導体が挙げられる。
Figure 2015228460
Figure 2015228460
 ［前記一般式（ＩＲＤ−４）中、各Ｒは、それぞれ独立して、フェニル基、チオフェニル基、フリル基、または、これらの誘導体のうちの少なくとも１種を含む基を示す。］
前記一般式（ＩＲＤ−４）中の各基Ｒとしては、フェニル基、チオフェニル基、フリル基、または、これらの誘導体のうちの少なくとも１種を含むものであれば、特に限定されないが、例えば、フェニル基、チオフェニル基（チオフェン基）、フリル基（フラン基）、オキサゾール基およびオキサジアゾール基等を含むもの挙げられ、これらのうちの２種以上を組み合わせたものであることが好ましい。これにより、かかる基Ｒを備えるベンゾ−ビス−チアジアゾール系化合物を発光ドーパントとして含む発光層５は、近赤外領域での発光を得るもの、特に８５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の波長領域での発光を得るものとなる。
上記のような基Ｒを備えるベンゾ−ビス−チアジアゾール系化合物としては、具体的には、例えば、下記式ＩＲＤ−４１〜ＩＲＤ−４５で表わされる化合物またはその誘導体が挙げられる。
Figure 2015228460
なお、発光層５は、上述した発光材料以外の発光材料（各種蛍光材料、各種燐光材料）が含まれていてもよい。
また、発光層５は、前述したような発光材料に加えて、この発光材料がゲスト材料（ドーパント）として添加（担持）されるホスト材料を含んで構成されている。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、発光材料を励起する機能を有する。そのため、発光素子１Ａの発光効率を高めることができる。このようなホスト材料は、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
発光層５に用いるホスト材料は、特に限定されないが、下記式ＩＲＨ−１で表わされる化合物であるアントラセン系材料であることが特に好ましい。
Figure 2015228460
 ［前記式ＩＲＨ−１中、ｎは、１〜１２の自然数を示し、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。］
前述したような発光材料として挙げた各種化合物（ベンゾ−ビス−チアジアゾール系化合物等）は、極性が高い（分極が大きい）ため、発光材料として用いた場合、発光層中の濃度が高いときに、発光材料の分子同士の相互作用により発光効率が低下する現象である濃度消光を生じやすい。
一方、前記テトラセン系材料は、極性が低い（分極が小さい）。そのため、テトラセン系材料をホスト材料として用いることにより、前述したような発光材料の分子同士の相互作用を低減し、濃度消光性を低減することができる。
これに対し、例えば、極性が高い（分極が大きい）Ａｌｑ３をホスト材料として用いた場合、ホスト材料および発光材料の双方の極性が高く（分極が大きく）なるため、発光材料の分子同士の相互作用が生じやすく、濃度消光性が高くなってしまう。
また、テトラセン系材料と同じアセン系材料であるアントラセン系材料は、ホスト材料として用いた場合、濃度消光性を低減する効果があるものの、テトラセン系材料をホスト材料として用いた場合と比べて、発光効率が低くなる。これは、アントラセン系材料をホスト材料として用いると、ホスト材料から発光材料へのエネルギー移動が十分でないこと、および、ホスト材料のＬＵＭＯに注入された電子が陽極側へ突き抜ける確率が高いことが原因であると推察される。このようなことから、アントラセン系材料は、適したホスト材料とは言えない。なお、このような現象は、アントラセン系材料の他、ペンタセン系材料についても同様に生じる。
このようなことから、ホスト材料としてテトラセン系材料（アセン系材料）を用いることにより、発光素子１Ａの発光効率を高めることができるため、ホスト材料として好ましく用いられる。
また、テトラセン系材料は、電子および正孔に対する耐性に優れる。また、テトラセン系材料は、熱安定性にも優れる。そのため、発光素子１Ａは、長寿命化を図ることができる。また、テトラセン系材料は、熱安定性に優れるため、気相成膜法を用いて発光層を形成する場合に、成膜時の熱によるホスト材料の分解を防止することができる。そのため、優れた膜質を有する発光層を形成することができ、その結果、この点でも、発光素子１Ａの発光効率を高めるとともに長寿命化を図ることができる。
さらに、テトラセン系材料は、それ自体発光しにくいので、ホスト材料が発光素子１Ａの発光スペクトルに悪影響を及ぼすのを防止することもできる。
また、ホスト材料として用いるテトラセン系材料としては、前記式ＩＲＨ−１で表され、かつ、前述したようなホスト材料としての機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、下記式ＩＲＨ−２で表わされる化合物を用いるのが好ましく、下記ＩＲＨ−３で表わされる化合物を用いるのがより好ましい。
Figure 2015228460
 ［前記式ＩＲＨ−２、ＩＲＨ−３中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、互いに同じであっても異なっていてもよい。］
また、ホスト材料として用いるテトラセン系材料は、炭素原子および水素原子で構成されているのが好ましい。これにより、ホスト材料の極性を低くし、ホスト材料と発光材料との不本意な相互作用が生じるのを防止することができる。そのため、発光素子１Ａの発光効率を高めることができる。また、電位および正孔に対するホスト材料の耐性を高めることができる。そのため、発光素子１Ａの長寿命化を図ることができる。
具体的には、テトラセン系材料としては、例えば、下記式Ｈ−１〜Ｈ−２７で表される化合物を用いるのが好ましい。
Figure 2015228460
Figure 2015228460
また、発光層５に用いるホスト材料のＨＯＭＯは、５．０ｅＶ以上５．８ｅＶ以下であることが好ましく、また、正孔注入層４の構成材料のＬＵＭＯは、２．５ｅＶ以上３．６ｅＶ以下であることが好ましい。
（電子輸送層）
電子輸送層６は、陰極８から電子注入層７を介して注入された電子を発光層５に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層６の構成材料（電子輸送性材料）としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等のフェナントロリン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールないしその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、アザインドリジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラセン系材料等のアセン系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、電子輸送層６に用いる電子輸送性材料としては、アントラセン骨格を有する化合物を用いることが好ましい。また、フェナントロリン誘導体、フェナントロリン誘導体のように骨格中に窒素原子を備える含窒素化合物を用いることが好ましい。これらのことから、特に、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格の双方を分子内に有するアザインドリジン系化合物（以下、単に「アザインドリジン系化合物」ともいう）を用いることがより好ましい。これにより、発光層５へ電子を効率的に輸送・注入することができる。その結果、発光素子１Ａの発光効率を高めることができる。
また、電子輸送層６は、前述したような電子輸送性材料のうち２種以上を組み合わせて用いる場合、２種以上の電子輸送性材料を混合した混合材料で構成されていてもよいし、異なる電子輸送性材料で構成された複数の層を積層して構成されていてもよい。本実施形態では、図２に示すように、電子輸送層６は、第１電子輸送層６ｂと、第１電子輸送層６ｂと発光層５との間に設けられた第２電子輸送層６ａと、を有している。
第１電子輸送層６ｂの構成材料として用いるアントラセン骨格を有する化合物は、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格の双方を分子内に有するアザインドリジン系化合物であることが好ましい。また、第２電子輸送層６ａの構成材料として用いるアントラセン骨格を有する化合物は、アントラセン骨格を分子内に有し、かつ、炭素原子および水素原子で構成されているアントラセン系化合物であることが好ましい。これにより、発光層５へ電子を効率的に輸送・注入するとともに、電子輸送層６の劣化を低減することができる。その結果、発光素子１Ａの発光効率を高めるとともに、発光素子１Ａの長寿命化を図ることができる。
ここで、光学的な光取り出しに必要な電子輸送層６の厚さを第２電子輸送層６ａにより確保しつつ、第１電子輸送層６ｂの厚さを薄くして長寿命化を図ることができる。
電子輸送層６に用いるアザインドリジン系化合物は、１つの分子内に含まれるアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格の数がそれぞれ１つまたは２つであるのが好ましい。これにより、電子輸送層６の電子輸送性および電子注入性を優れたものとすることができる。
具体的には、電子輸送層６に用いるアザインドリジン系化合物としては、例えば、下記式ＥＴＬ１−１〜２４で表わされるような化合物、下記式ＥＴＬ１−２５〜３６で表わされるような化合物、下記式ＥＴＬ１−３７〜５６で表わされる化合物を用いるのが好ましい。
Figure 2015228460
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このようなアザインドリジン系化合物は、電子輸送性および電子注入性に優れる。そのため、発光素子１Ａの発光効率を向上させることができる。
このようなアザインドリジン系化合物の電子輸送性および電子注入性が優れるのは、以下のような理由によるものと考えられる。
前述したようなアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有するアザインドリジン系化合物は、その分子全体がπ共役系で繋がっているため、電子雲が分子全体に亘って拡がっている。
そして、かかるアザインドリジン系化合物のアザインドリジン骨格の部分は、電子を受け入れる機能と、その受け取った電子をアントラセン骨格の部分へ送り出す機能とを有する。一方、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、アザインドリジン骨格の部分から電子を受け入れる機能と、その受け入れた電子を、電子輸送層６の陽極３側に隣接する層、すなわち発光層５へ受け渡す機能とを有する。
より具体的に説明すると、かかるアザインドリジン系化合物のアザインドリジン骨格の部分は、２つの窒素原子を有し、その一方（アントラセン骨格の部分に近い側）の窒素原子がｓｐ２混成軌道を有し、他方（アントラセン骨格の部分に遠い側）の窒素原子がｓｐ３混成軌道を有する。ｓｐ２混成軌道を有する窒素原子は、アザインドリジン系化合物の分子の共役系の一部を構成するとともに、炭素原子よりも電気陰性度が高く、電子を引き付ける強さが大きいため、電子を受け入れる部分として機能する。一方、ｓｐ３混成軌道を有する窒素原子は、通常の共役系ではないが、非共有電子対を有するため、その電子がアザインドリジン系化合物の分子の共役系に向けて電子を送り出す部分として機能する。
一方、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、電気的に中性であるため、アザインドリジン骨格の部分から電子を容易に受け入れることができる。また、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、発光層５の構成材料、特にホスト材料（テトラセン系材料）と軌道の重なりが大きいため、発光層５のホスト材料へ電子を容易に受け渡すことができる。
また、かかるアザインドリジン系化合物は、前述したように電子輸送性および電子注入性に優れるため、結果として、発光素子１Ａの駆動電圧を低電圧化することができる。
また、アザインドリジン骨格の部分は、ｓｐ２混成軌道を有する窒素原子が還元されても安定であり、ｓｐ３混成軌道を有する窒素原子が酸化されても安定である。そのため、かかるアザインドリジン系化合物は、電子および正孔に対する安定性が高いものとなる。その結果、発光素子１Ａの長寿命化を図ることができる。
また、電子輸送層６（第２電子輸送層６ａを有する場合、特に第２電子輸送層６ａ）に用いるアントラセン系化合物としては、下記式ＥＴＬ２で表される化合物であればよいが、下記式ＥＴＬ２−Ａ、下記式ＥＴＬ２−Ｂ、下記式ＥＴＬ２−Ｃまたは下記式ＥＴＬ２−Ｄで表される化合物であることが好ましく、より具体的には、例えば、下記式ＥＴＬ２−１〜５６で表される化合物であることが好ましい。
Figure 2015228460
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また、電子輸送層６（より具体的には、第２電子輸送層６ａ）の構成材料のＨＯＭＯは、発光層５に用いるホスト材料のＨＯＭＯとの差が０．２ｅＶ以上であることが好ましい。これにより、正孔が発光層５から電子輸送層６へ抜けてしまうのを低減し、発光効率を高めることができる。
また、第２電子輸送層６ａの構成材料のＨＯＭＯは、５．５ｅＶ以上６．０ｅＶ以下であることが好ましく、また、第２電子輸送層６ａの構成材料のＬＵＭＯは、２．５ｅＶ以上３．０ｅＶ以下であることが好ましい。
また、第１電子輸送層６ｂの構成材料のＨＯＭＯは、５．８ｅＶ以上６．５ｅＶ以下であることが好ましく、また、第１電子輸送層６ｂの構成材料のＬＵＭＯは、２．８ｅＶ以上３．５ｅＶ以下であることが好ましい。
また、第２電子輸送層６ａの厚さは、第１電子輸送層６ｂの厚さよりも厚いことが好ましい。これにより、発光素子１Ａの駆動電圧を抑制しつつ、発光層５へ電子を効率的に輸送・注入するとともに、電子輸送層６の劣化を低減することができる。
また、第２電子輸送層６ａの具体的な厚さは、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましく、７０ｎｍ以上９０ｎｍ以下であることがより好ましい。これにより、発光素子１Ａの駆動電圧を抑制しつつ、発光層５へ電子を効率的に輸送・注入するとともに、電子輸送層６の劣化を低減することができる。
なお、第２電子輸送層６ａは、第１電子輸送層６ｂと発光層５との構成材料の組み合わせ等によっては、省略してもよい。
（電子注入層）
電子注入層７は、陰極８からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層７の構成材料（電子注入性材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層７を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層７を構成することにより、発光素子１Ａは、高い輝度が得られるものとなる。
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層７の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
なお、この電子注入層７は、陰極８および電子輸送層６の構成材料や厚さ等によっては、省略してもよい。
以上のように構成された発光素子１Ａによれば、近赤外領域での発光を可能とすることができる。
（発光装置の製造方法）
以上のような発光装置１００は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１］まず、基板２１を用意し、形成すべき発光素子１Ａに対応するように、複数の駆動用トランジスタ２４を形成したのち、これらトランジスタ２４を覆うように平坦化層２２を形成する。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。
［１−Ａａ］まず、基板２１上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ａｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。
［１−Ａｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とすることで半導体層２４１を得、これら島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ａｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ａｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
［１−Ｂ］次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｂａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１平坦化層を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃ］次に、ドレイン電極２４５と陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｃａ］まず、第１平坦化層上に、第２平坦化層を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
なお、［１−Ｂ］工程および［１−Ｃ］工程において形成された第１平坦化層および第２平坦化層により平坦化層２２が構成される。
［２］次に、平坦化層２２上に、各配線２７に対応するように、反射膜３２、腐食防止膜３３および陽極（個別電極）３をこの順で積層して形成する。
この反射膜３２は、平坦化層２２上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により、反射膜３２の構成材料を主材料として構成される薄膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
また、腐食防止膜３３は、反射膜３２を覆うように平坦化層２２上に、前記と同様にして、腐食防止膜３３の構成材料を主材料として構成される薄膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
さらに、陽極３は、反射膜３２および腐食防止膜３３を覆うように平坦化層２２上に、前記と同様にして、陽極３の構成材料を主材料として構成される薄膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
［３］次に、平坦化層２２上に、各陽極３を区画するように、すなわち、各発光素子１Ａを形成する領域を区画するように、隔壁（バンク）３１を形成する。
隔壁３１は、反射膜３２および腐食防止膜３３および陽極３を覆うように平坦化層２２上に、絶縁膜を形成した後、陽極３が露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。
ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、平坦化層２２等との密着性等を考慮して選択される。
具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ２のような無機材料が挙げられる。
また、隔壁３１の開口の形状は、図１に示すように、四角形の他、例えば、円形、楕円形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
このような隔壁３１の高さは、特に限定されないが、３０〜５００ｎｍ程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁（バンク）としての機能が発揮される。
［４］次に、陽極３および隔壁３１に重なるように、すなわち、隔壁３１の陽極３と反対側の全面を覆うように、正孔注入層４を形成する。
これにより、各発光素子１Ａに共通の正孔注入層４が一括（一体的）に形成される。
正孔注入層４は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成するのが好ましい。
なお、正孔注入層４は、例えば、正孔注入性材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極３および隔壁３１上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
また、本工程に先立って、陽極３の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極３の上面に親液性を付与すること、陽極３の上面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、基板２１の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。
［５］次に、正孔注入層４の全面を覆うように、発光層５を形成する。これにより、各発光素子１Ａに共通の発光層５が一括に形成される。
［６］次に、発光層５の全面を覆うように、電子輸送層６（第１電子輸送層６ｂおよび第２電子輸送層６ａ）を形成する。これにより、各発光素子１Ａに共通の電子輸送層６（第１電子輸送層６ｂおよび第２電子輸送層６ａ）が一括に形成される。
［７］次に、電子輸送層６の全面を覆うように、電子注入層７を形成する。これにより、各発光素子１Ａに共通の電子注入層７が一括に形成される。
［８］次に、電子注入層７の全面を覆うように、陰極８を形成する。これにより、各発光素子１Ａに共通の陰極８が一括に形成される。
［９］次に、陰極８の全面を覆うように、陰極カバー３４を形成する。これにより、各発光素子１Ａに共通の陰極カバー３４が一括に形成される。
なお、前記工程［５］〜［９］で形成する各層も、前記工程［４］で正孔注入層４を形成する際に説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、隣接する層同士間における層溶解を防止しつつ、形成すべき層を確実に形成することができる。
以上のようにして、駆動用トランジスタ２４に対応して、複数の発光素子１Ａが形成される。
［１０］ 次に、封止基板２０を用意し、陰極カバー３４と封止基板２０との間にエポキシ系の接着剤を介在させた後、この接着剤を乾燥させる。
これにより、エポキシ層３５を介して、封止基板２０で陰極カバー３４（陰極８）を覆うように陰極カバー３４（陰極８）と封止基板２０とを接合することができる。
この封止基板２０は、各発光素子１Ａを保護する保護基板としての機能を発揮する。このような封止基板２０を、陰極８側に設ける構成とすることで、発光素子１Ａが酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、発光素子１Ａの信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
以上のような工程を経て、各発光素子１Ａが封止基板２０により封止された発光装置１００が完成される。
さて、かかる構成の発光素子１Ａを備える発光装置１００は、本発明では、陽極３と陰極８との間に３００ｍＡ／ｃｍ２以下の電流密度で通電したとき、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光するものとなっている。
これにより、発光素子１Ａは、近赤外領域の発光ばかりではなく、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光する。そのため、異物および気泡等に起因するダークスポット、非発光および画素欠陥等の不具合が生じている発光装置を欠陥品として取り除く出荷前検査において、発光装置１００の点灯時に発光する５ｃｄ／ｍ２以上の可視光に基づいて、肉眼において前記不具合を観察することができる。したがって、従来の可視光を発光する他のディスプレイ装置と同様に、出荷前検査において、検査対象の発光装置１００が欠陥品か否かを簡単に判別することが可能となる。
すなわち、発光装置１００において、陽極３と陰極８との間に３００ｍＡ／ｃｍ２以下の電流密度で通電し、発光する５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を観察することにより、前記不具合が生じているディスプレイ装置を欠陥品として取り除く出荷前検査（本発明の検査方法）を実施することができる。
ここで、発光素子１Ａを、近赤外領域の発光ばかりではなく、可視光を発光するものとし得るのは、発光素子１Ａが備える正孔注入層４、発光層５および電子輸送層６にそれぞれ含まれる正孔注入材料、ホスト材料および電子輸送材料の種類を適宜選択することにより実現することができる。
具体的には、例えば、正孔注入層４に含まれる正孔注入材料として、前述の通り、アミン系材料を用いることにより、正孔注入層４を青色の光を発光するものとすることができ、発光層５に含まれるホスト材料として、テトランセン系材料を用いることにより、発光層５を緑色の光を発光するものとすることができ、さらに、電子輸送層６に含まれる電子輸送材料として、アントラセン系材料を用いることにより、電子輸送層６を青色の光を発光するものとすることができる。したがって、正孔注入層４、発光層５および電子輸送層６で発光する発光色を適宜選択することにより発光素子１Ａに所望の色を発光させることができる。
また、発光素子１Ａを、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光するものとするには、例えば、正孔注入層４、発光層５および電子輸送層６の膜厚をそれぞれ調整する他、発光層５に含まれるホスト材料の含有量を調整することにより実現することができる。
具体的には、このような正孔注入層４の平均厚さは、正孔注入材料の種類、発光波長、或いは光取出しの構造（ボトムエミッションか、または、トップエミッションか）によっても異なるが、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるのが好ましく、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であるのがより好ましい。
また、発光層５の平均厚さは、ホスト材料の種類、発光材料の種類、及び、発光層の積層数によっても若干異なるが、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるのがより好ましい。
さらに、電子輸送層６全体の厚さは、正孔輸送材料の種類、発光波長、或いは光取出しの構造（ボトムエミッションか、または、トップエミッションか）によっても異なるが、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
正孔注入層４、発光層５および電子輸送層６の平均厚さを、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、発光素子１Ａは、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を確実に発光するものとなる。また、発光層５の平均厚さを前記範囲内に設定することにより、発光素子１Ａの駆動電圧を抑制しつつ、発光素子１Ａの長寿命化を図ることができる。さらに、電子輸送層６の平均厚さを前記範囲内に設定することにより、発光素子１Ａの駆動電圧を抑制しつつ、発光層５へ電子を効率的に輸送・注入することができる。
また、発光層５が、前述のように発光材料およびホスト材料を含むものである場合、この発光層５中における発光材料の含有量（ドープ量）は、４．０ｗｔ％以下であるのが好ましく、０．２５ｗｔ％以上２．０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、発光層５において、発光層５に注入されたキャリアが発光材料でのみ消費されるのではなく、ホスト材料もしくは発光層に隣接する層で消費され発光することができるようになるため、発光素子１Ａを、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を確実に発光するものとすることができる。また、発光素子１Ａの発光効率と寿命とのバランスを優れたものとすることができる。
さらに、発光素子１Ａは、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光するものとすることで、肉眼または（可視光）カメラにより、少なくとも暗室環境下において不具合を観察することができるが、１０ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光するものであることが好ましく、３０ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光するものであることがより好ましい。発光素子１Ａを１０ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光するものとすることで、少なくとも暗室環境下において不具合を容易に観察することができ、発光素子１Ａを３０ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光するものとすることで、蛍光灯下においても不具合を容易に観察することができるようになる。
なお、発光素子１Ａを、５ｃｄ／ｍ２の可視光を発光するものとする場合、例えば、波長４５０ｎｍの光を発光させる際には、発光素子１Ａに供給すべきエネルギー量は、１９２ｍＷ／ｓｒ／ｍ２となり、波長４８５ｎｍの光を発光させる際には、発光素子１Ａに供給すべきエネルギー量は、４３ｍＷ／ｓｒ／ｍ２となり、波長５５５ｎｍの光を発光させる際には、発光素子１Ａに供給すべきエネルギー量は、７ｍＷ／ｓｒ／ｍ２となり、波長６４０ｎｍの光を発光させる際には、発光素子１Ａに供給すべきエネルギー量は、４２ｍＷ／ｓｒ／ｍ２となり、さらに、波長６５０ｎｍの光を発光させる際には、発光素子１Ａに供給すべきエネルギー量は、６９ｍＷ／ｓｒ／ｍ２となる。
換言すれば、青色の光を発光させる際には、発光素子１Ａに供給すべきエネルギー量は、２００ｍＷ／ｓｒ／ｍ２程度となり、緑色の光を発光させる際には、発光素子１Ａに供給すべきエネルギー量は、４０ｍＷ／ｓｒ／ｍ２程度となり、さらに、赤色の光を発光させる際には、発光素子１Ａに供給すべきエネルギー量は、１００ｍＷ／ｓｒ／ｍ２程度となるため、可視光を発光させる際には、発光素子１Ａに供給すべきエネルギー量は、４０〜２００ｍＷ／ｓｒ／ｍ２程度総量として必要となる。
よって、発光素子１Ａに供給するエネルギー量の観点からは、発光素子１Ａを緑色の光を発光するものとするのが好ましい。これにより、発光素子１Ａを優れたエネルギー効率により、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光させることができる。また、観察は可視光カメラを用いることで行ってもよい。可視光カメラを用いて発光素子１Ａの可視光の発光を観察する場合、発光素子１Ａを青色の光を発光するものとするのが好ましい。可視光カメラは、発光素子１Ａの発光によるエネルギー量を測定するため、発光素子１Ａが同一の輝度を発光するものである場合、短波長である青色を観察することにより、優れた感度で発光素子１Ａの発光を観察することができる。さらに、肉眼で発光素子１Ａの可視光の発光を観察する場合、発光素子１Ａを緑色の光を発光するものとするのが好ましく、白色の光を発光するものとするのがより好ましい。これにより、検査者の眼の負担を低減することができる。
また、本発明では、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光光として得る際に、陽極３と陰極８との間で通電するときの電流密度は、３００ｍＡ／ｃｍ２以下に設定される。これは、発光装置１００の欠陥品を取り除く出荷前検査は、通常、比較的長い時間（例えば、３０秒以上）の連続点灯下で実施される。
そのため、例えば、５００ｍＡ／ｃｍ２程度の電流密度で陽極３と陰極８との間で通電すると、蓄熱による熱により発光素子内部の温度が各層を構成する構成材料のＴｇを超えることとなる。その結果、発光素子の各層が流動性を帯びることに起因して、発光素子の発光効率が低下するおそれがあった。
これに対して、前記電流密度を３００ｍＡ／ｃｍ２以下に設定することにより、出荷前検査の際に、たとえ長時間の連続点灯を実施したとしても、各層が熱により流動性を帯びることを抑制または防止することができるため、発光素子１Ａの発光効率の低下が的確に抑制または防止される。
なお、前記電流密度は、３００ｍＡ／ｃｍ２以下に設定されていれば良いが、好ましくは２００ｍＡ／ｃｍ２以下、より好ましくは１００ｍＡ／ｃｍ２以下に設定される。これにより、前述した効果をより顕著に発揮させることができる。
（認証装置）
また、本発明の発光装置は、前述の通り、ディスプレイ装置（表示装置）に適用し得るが、その他、認証装置に適用できる。以下、本発明の発光装置を、認証装置に適用した場合の実施形態を説明する。
図３は、本発明の発光装置を適用した認証装置の実施形態を示す図である。
図３に示す認証装置１０００は、生体Ｆ（本実施形態では指先）の生体情報を用いて個人を認証する生体認証装置である。
この認証装置１０００は、光源１００Ｂと、カバーガラス１００１と、マイクロレンズアレイ１００２と、受光素子群１００３と、発光素子駆動部１００６と、受光素子駆動部１００４と、制御部１００５とを有する。
光源１００Ｂは、前述した発光装置１００が有する発光素子１Ａを複数備えるものであり、撮像対象物である生体Ｆへ向けて、近赤外領域の光を面発光することで照射する。例えば、この光源１００Ｂの複数の発光素子１Ａは、カバーガラス１００１の外周部に沿って配置される。
カバーガラス１００１は、生体Ｆが接触または近接する部位である。
マイクロレンズアレイ１００２は、カバーガラス１００１の生体Ｆが接触または近接する側と反対側に設けられている。このマイクロレンズアレイ１００２は、複数のマイクロレンズがマトリクス状に配列して構成されている。
受光素子群１００３は、マイクロレンズアレイ１００２に対してカバーガラス１００１とは反対側に設けられている。この受光素子群１００３は、マイクロレンズアレイ１００２の複数のマイクロレンズに対応してマトリクス状に設けられた複数の受光素子で構成されている。この受光素子群１００３の各受光素子としては、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ等を用いることができる。
発光素子駆動部１００６は、光源１００Ｂを駆動する駆動回路である。
受光素子駆動部１００４は、受光素子群１００３を駆動する駆動回路である。
制御部１００５は、例えば、ＭＰＵであり、発光素子駆動部１００６および受光素子駆動部１００４の駆動を制御する機能を有する。
また、制御部１００５は、受光素子群１００３の受光結果と、予め記憶された生体認証情報との比較により、生体Ｆの認証を行う機能を有する。
例えば、制御部１００５は、受光素子群１００３の受光結果に基づいて、生体Ｆに関する画像パターン（例えば静脈パターン）を生成する。そして、制御部１００５は、その画像パターンと、生体認証情報として予め記憶された画像パターンとを比較し、その比較結果に基づいて、生体Ｆの認証（例えば静脈認証）を行う。
このような光源１００Ｂを備える認証装置１０００により、近赤外光を用いて生体認証を行うことができるが、この光源１００Ｂを備える認証装置１０００に本発明の発光装置が適用され、本発明の検査方法を用いて、認証装置１０００（光源１００Ｂ）が欠陥品か否かを検査することができる。
また、このような認証装置１０００は、各種の電子機器に組み込むことができる。
（電子機器）
図４は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、本体部１１０４には、前述した認証装置１０００が設けられている。
このようなパーソナルコンピュータ１１００によれば、高効率および長寿命な発光素子１Ａを備えるので、信頼性に優れる。
なお、本発明の電子機器は、図４のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）の他にも、例えば、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、脈拍計測装置、脈波計測装置、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の発光装置、電子機器および検査方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の発光装置は照明用の光源として用いてもよい。
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．発光材料の製造
（ＩＲＤ−１５の製造）
Figure 2015228460
合成（Ａ１−１）
５リットルのフラスコに発煙硝酸１５００ｍｌを入れ冷却した。そこへ１０〜５０℃に保つようにして硫酸１５００ｍｌを分割添加した。さらにそこへ原料のジブロモベンゾチアジアゾールである化合物（ａ）を１５０ｇを１時間かけて少量ずつ添加した。その際に溶液温度は５℃以下になるように行った。全量添加後、室温（２５℃）において２０時間反応させた。反応後、氷３ｋｇに反応液を注ぎ、一晩攪拌した。その後、ろ過してメタノール、ヘプタンで洗浄した。
ろ過して残った物を２００ｍｌのトルエンで熱溶解させた後、室温まで徐冷後にろ過し、残ったものを少量のトルエンで洗浄後、減圧乾燥させた。
これにより、ＨＰＬＣ純度９５％の化合物（ｂ）（４、７−ジブロモ−５、６−ジニトロ−ベンゾ[１、２、５]チアジアゾール）６０ｇを得た。
合成（Ａ１−２）
Ａｒ下、５リットルのフラスコに、得られたジブロモ体である化合物（ｂ）３０ｇとトリフェニルアミンのボロン酸体１６０ｇ、トルエン２５００ｍｌ、２Ｍ炭酸セシウム水溶液（１５２ｇ／（蒸留水）２３４ｍｌ）を入れ、９０℃で一晩反応させた。反応後ろ過、分液、濃縮し、得られた粗体５２ｇをシリカゲルカラム（ＳｉＯ２ ５ｋｇ）で分離し、赤紫色固体を得た。
これにより、ＨＰＬＣ純度９６％の化合物（ｃ）（５、６−ジニトロ−４、７−ジフェニル−ベンゾ[１、２、５]チアジアゾール）６ｇを得た。
合成（Ａ１−３）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジニトロ体である化合物（ｃ）６ｇ、還元鉄７ｇ、酢酸６００ｍｌを入れ、８０℃で４時間反応させて室温まで冷却させた。反応後、反応液をイオン交換水１．５リットルに注ぎ、そこへ酢酸エチル１．５リットルをさらに添加した。添加後、固体が析出していたので、テトラヒドロフラン１リットルと食塩３００ｇを添加し、分液した。水層は１リットルのテトラヒドロフランで再抽出した。濃縮乾燥したものを再度、少量の水、メタノールにて洗浄し、橙色固体を得た。
これにより、ＨＰＬＣ純度８０％の化合物（ｄ）（４、７−ジフェニル−ベンゾ[１、２、５]チアジアゾロ−５、６−ジアミン）７ｇを得た。
合成（Ａ１−４）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物（ｄ）４．５ｇ、ベンジル３．７ｇ、溶媒として酢酸３００ｍｌを入れ、８０℃にて２時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水１リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、７ｇの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラム（ＳｉＯ２ １ｋｇ）で精製した。
これにより、ＨＰＬＣ純度９９％の化合物（ｅ）（前記式ＩＲＤ−１５で表わされる化合物）４ｇを得た。この化合物（ｅ）を質量分析したところ、Ｍ＋：４９２であった。
さらに、得られた化合物（ｅ）を設定温度３４０℃で昇華精製した。その昇華精製後の化合物（ｅ）のＨＰＬＣ純度は９９％であった。
（ＩＲＤ−２４の製造）
Figure 2015228460
前述した前記式ＩＲＤ−１５の合成において、合成（Ａ１−４）で使用するベンジルの代わりに１，２−ベンゾキノンを用いた以外は、前述したＩＲＤ−１５の合成と同様にして合成を行った。これにより、前記ＩＲＤ−２４で表わされる化合物を得た。
（ＩＲＤ−３１の製造）
以下の工程１〜６により、前記式ＩＲＤ−３１で表されるピロメテン系ホウ素錯体を合成した。
［工程１］エチルエステル体（5-Methyl-thiophene-2-carboxylic acid ethyl ester）の合成
Figure 2015228460
Ａｒガス気流の下、１リットルの３つ口フラスコに２−メチルチオフェン（１．７ｇ、０．１７５ｍｏｌ）を脱水ＴＨＦ（１５０ｍｌ）に加え、−６５℃まで冷却した。その後、１．６Ｍのｎ−ＢｕＬｉヘキサン溶液（１２０ｍｌ、０．１９ｍｏｌ）を−６０℃以下で滴下し、そのまま１時間撹拌した。
続いて、２−エチルクロロホルメイト（Ｃ２Ｈ５ＯＣＯＣｌ：２．１ｇ、０．１９ｍｏｌ）を脱水ＴＨＦ（１０ｍｌ）に加えて、−５５℃以下に冷却した。この溶液を先の溶液に−５０℃以下で滴下した。滴下後、反応液の冷却を中止し、一晩かけて室温まで上昇させた。
反応後、溶液に水５０ｍｌを滴下／撹拌した。分液ロートにて有機層を分取した後、減圧下にて濃縮操作を行った。
得られた粗体（３５ｇ）をシリカゲルクロマトグラフィー（５００ｇ、展開：ＣＨ２Ｃｌ２／Ｈｅｐ＝１／２→ＣＨ２Ｃｌ２／Ｈｅｐ＝１／１）にて精製し、目的物であるエチルエステル体を得た（収量８．１ｇ、収率２７％）。
［工程２］ヒドラジド体（5-Methyl-thiophene-2-carboxylic acid hydrazide）の合成
Figure 2015228460
Ａｒ気流下、３００ｍｌの３つ口フラスコに、工程１で得られたエチルエステル体（８．１ｇ、４８ｍｍｏｌ）をエタノール（１００ｍｌ）に懸濁させ、ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２Ｏ（７ｍｌ、１４０ｍｍｏｌ）を加え、７８℃にて加温し、一晩反応させた。その反応液をモニターし、エチルエステル体の消失を確認後、室温まで冷却した。
反応液を１リットルのビーカー移し、３００ｍｌのＣＨ２Ｃｌ２と１００ｍｌの蒸留水を加えて、撹拌した。全量を１リットルの分液ロートに移して有機層を分取し、蒸留水での洗浄を２回行った。最後に、有機層を分取後、濃縮し、ヘプタンを２０ｍｌ程度添加し、沈殿させたものをろ過し、目的物であるヒドラジド体を得た（収量３ｇ、収率４０％）。
［工程３］中間体（5-Methyl-thiophene-2-carboxylic acid [1-(2-hydroxy-4-methoxy-phenyl)-ethylidene]-hydrazide）の合成
Figure 2015228460
Ａｒ気流下、３０ｍｌの３つ口フラスコに、工程２で得られたヒドラジド体（２．６４ｇ、１６．９ｍｍｏｌ）と２−ヒドロキシ−４−メトキシアセトフェノン（２．８４ｇ、１７．１ｍｍｏｌ）を加え、外温８０℃にて１０時間撹拌した。
室温まで冷却後、反応溶液から取り出すためにＴＨＦを用い、減圧濃縮後にヘプタンを加えて沈殿させて目的物である中間体を得た（収量４．４ｇ、収率８５％）。
［工程４］ジケトン体（1-[4-Methoxy-2-(5-methyl-thiophene-2-carbonyl)-phenyl]-ethanone）の合成
Figure 2015228460
Ａｒ気流下、１００ｍｌの３つ口フラスコに、工程３で得られた中間体（２．２５ｇ、７．３９ｍｍｏｌ）を脱水ＴＨＦ（３５ｍｌ）に懸濁させ、３０℃以下にてゆっくりとＰｂ（ＯＡｃ）４（３．９３ｇ、８．８６ｍｍｏｌ）を加えた。一晩撹拌後、反応液を濾過し、ろ液を減圧濃縮後にＣＨ２Ｃｌ２（１００ｍｌ）と蒸留水（１００ｍｌ）とで洗浄／抽出し、濃縮することで目的物であるジケトン体を得た（収量２．２ｇ）。
［工程５］前駆体の合成
Figure 2015228460
Ａｒ気流下、１００ｍｌの３つ口フラスコに、工程４で得られたジケトン体（３．０ｇ、１０．９ｍｍｏｌ）を酢酸３０ｍｌとＥｔＯＨ（１００ｍｌ）に加え、内温６５℃で加熱した。その後、酢酸アンモニウム（５．１ｇ、６６．４ｍｍｏｌ）と塩化アンモニウム（５８３ｍｇ、１０．９ｍｍｏｌ）を加え、５時間そのまま撹拌した。さらに、反応温度を８５℃まで昇温し、約１時間撹拌した。
反応液を室温ｍで冷却し、減圧下、濃縮操作を行った。残渣を水（３００ｍｌ）に注ぎいれ、ＣＨ２Ｃｌ２を用いて抽出操作を行った。得られた有機層を減圧下、濃縮操作を行い、得られた粗体をシリカゲルクロマトグラフィー（１００ｇ、展開：ＣＨ２Ｃｌ２→ＣＨ２Ｃｌ２+ＴＨＦ（５０：５０））にて精製を行い、目的物である前駆体を得た（収量８３０ｍｇ、収率２９％）。
［工程６］ＩＲＤ−３１の合成
Figure 2015228460
Ａｒ気流下、１００ｍｌの３つ口フラスコに、工程５で得られた前駆体（８３０ｍｇ、１．５８ｍｍｏｌ）を脱水ＣＨ２Ｃｌ２（１００ｍｌ）に溶解させ、５℃まで冷却した。そこへ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（６１１ｍｇ、４．７３ｍｍｏｌ）とＢＦ３・ＯＥｔ２（１．３４ｇ、９．４６ｍｍｏｌ）を順次滴下し、室温まで昇温した。約２時間撹拌した後、水（１００ｍｌ）を加え洗浄操作を行った。得られた有機層をシリカゲルクロマトグラフィー（１００ｇ、展開ＣＨ２Ｃｌ２）にて精製を行い、目的物である前記式ＩＲＤ−３１で表される化合物を得た（収量６００ｍｇ、収率７０％）。
（ＩＲＤ−４１の製造）
以下の工程１〜６により、前記式ＩＲＤ−４１で表されるベンゾ−ビス−チアジアゾール系化合物を合成した。
［工程１］
Figure 2015228460
まず、１リットルの３つ口フラスコに発煙硝酸（９７％）３４５ｍｌを仕込み、内温５℃まで冷却した。そこへ、濃硫酸（９５％）（３４５ｍｌ）を内温が１０℃以下でゆっくりと分割添加した。添加終了後、室温放置し、一晩撹拌した。
次いで、氷水（１リットル）へ反応液を注ぎ入れ、固体を濾過した。得られた固体（３０ｇ）にトルエン（１００ｍｌ）を加え、再結晶することで目的物を得た（収量１６ｇ、収率３３％）。
［工程２］
Figure 2015228460
まず、Ａｒガス下、１リットルの三口フラスコに４−ブロモトリフェニルアミン（２５ｇ、７７ｍｍｏｌ）を脱水ＴＨＦ（５００ｍｌ）に溶解し、−７８℃まで冷却した。そこへ１．６Ｍｎ−ＢｕＬｉヘキサン溶液（５２．５ｍｌ、８４．５ｍｍｏｌ）を内温−６０℃以下で滴下し、そのまま３０分間撹拌した。その後、塩化トリブチルすず（ＩＶ）（２５．１ｇ、７７ｍｍｏｌ）を内温−６０℃以下で滴下した。滴下後、室温まで上昇させ、一晩撹拌した。
次いで、ＮａＦ（４．２０ｇ、１００ｍｍｏｌ）を水（５００ｍｌ）に溶解し、そこへ反応液を注ぎ入れた。トルエン（２５０ｍｌ）を加えて１時間撹拌した後、有機層を分取し、再度有機層を水（２５０ｍｌ×２）を用いて洗浄した。得られた有機層を減圧下濃縮操作を行うことによって、目的物を得た（収量４２ｇ）。
［工程３］
Figure 2015228460
まず、Ａｒガス下、５００ｍｌの３つ口フラスコにジブロモ体（７．５ｇ、１９．５ｍｍｏｌ）とスズ体（工程２の成果物）（２５．１ｇ、５０ｍｍｏｌ）をジオキサン（３５０ｍｌ）に溶解し、そこへＰｄ（ＰＰｈ３）４（１．１３ｇ、０．９７５ｍｍｏｌ）を加え、内温９５℃まで昇温し、一晩撹拌した。
次いで、室温まで冷却後、反応液を減圧下濃縮した。得られた固体をトルエンにて洗浄し、その後、トルエン４００ｍｌを用いて再結晶を行うことにより目的物を得た（収量７．８ｇ、収率５６％）。
［工程４］
Figure 2015228460
まず、Ａｒガス下、３００ｍｌの３つ口フラスコに酢酸（２００ｍｌ）とＦｅ（１０．２ｇ、１８２ｍｍｏｌ）を加えて、内温６５℃まで昇温した。そこへ工程３で得られたジニトロ体（１０．１ｇ、１４，２ｍｍｏｌ）をゆっくりと分割添加し、８０℃まで昇温、３時間そのまま撹拌した。
次いで、反応液を室温まで冷却後、水（３００ｍｌ）へ注ぎ入れた。その後、固体（Ｆｅ含む）を濾過した。その固体からＴＨＦ（３００ｍｌ）を用いて有機物を抽出し、減圧下濃縮した。得られた残渣にトルエン（１５０ｍｌ）を加え、再度減圧濃縮することによって目的物を得た（収量７．２ｇ、収率７８％）。
［工程５］
Figure 2015228460
Ａｒガス下、３００ｍｌの３つ口フラスコに工程４で得られたジアミン体（７．２１ｇ、１１．０ｍｍｏｌ）を脱水ピリジン（１８０ｍｌ）に溶解し、Ｎ−チオニルアニリン（１．６９ｇ、１２ｍｍｏｌ）とトリメチルシリルクロリド（２．４ｇ、２２ｍｍｏｌ）を加えた。その後、内温８０℃まで昇温、一晩撹拌した。
反応液を室温まで冷却後、水（２００ｍｌ）に注ぎ入れた。析出晶をろ取し、固体をＴＨＦにて洗浄し、３．８ｇの固体を得た。
シリカゲルクロマトグラフィー（シリカゲル１００ｇ、展開溶媒クロロベンゼン）にて精製を行った。
最後にキシレンを用いた再沈殿法により精製を行うことで、目的物である前記化学式ＩＲＤ−４１で表わされる化合物を得た（収量２．２ｇ、収率３０％）。
２．発光素子の製造
（実施例１）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。
＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、前記式ＨＩＬ−１で表わされる化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔注入層上に、発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２５ｎｍの発光層を形成した。発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式ＩＲＤ−１５で表わされる化合物（チアジアゾール系化合物１）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした。
＜４＞ 次に、発光層上に、前記式ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ８０ｎｍの電子輸送層（第１電子輸送層）を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜７＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、ボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例２）
発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を１．０ｗｔ％とした以外は、前述した実施例１と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例３）
発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を０．５ｗｔ％とした以外は、前述した実施例１と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例４）
前記工程＜４＞において、前記式ＥＴＬ２−３０で表される化合物（アントラセン系化合物）を真空蒸着法により成膜した後、前記式ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜して、平均厚さ２５ｎｍの第２電子輸送層に平均厚さ５ｎｍの第１電子輸送層が積層された電子輸送層を形成した以外は、前述した実施例１と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例５）
前記工程＜４＞において、前記式ＥＴＬ２−３０で表される化合物（アントラセン系化合物）を真空蒸着法により成膜した後、前記式ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜して、平均厚さ２０ｎｍの第２電子輸送層に平均厚さ５ｎｍの第１電子輸送層が積層された電子輸送層を形成した以外は、前述した実施例１と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例６）
前記工程＜４＞において、前記式ＥＴＬ２−３０で表される化合物（アントラセン系化合物）を真空蒸着法により成膜した後、前記式ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜して、平均厚さ２０ｎｍの第２電子輸送層に平均厚さ５ｎｍの第１電子輸送層が積層された電子輸送層を形成した以外は、前述した実施例３と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例７）
前記工程＜２＞において、平均厚さ３０ｎｍの正孔注入層を形成し、前記工程＜４＞において、前記式ＥＴＬ２−３０で表される化合物（アントラセン系化合物）を真空蒸着法により成膜した後、前記式ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜して、平均厚さ５５ｎｍの第２電子輸送層に平均厚さ５ｎｍの第１電子輸送層が積層された電子輸送層を形成した以外は、前述した実施例１と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例８）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。
＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、前記式ＨＩＬ−１で表わされる化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔注入層上に、発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２５ｎｍの発光層を形成した。発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式ＩＲＤ−１５で表わされる化合物（チアジアゾール系化合物１）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を１．０ｗｔ％とした。
＜４＞ 次に、発光層上に、前記式ＥＴＬ２−３０で表される化合物（アントラセン系化合物）を真空蒸着法により成膜した後、前記式ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜して、平均厚さ５５ｎｍの第２電子輸送層に平均厚さ５ｎｍの第１電子輸送層が積層された電子輸送層を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子注入層上に、ＭｇとＡｇとを１：２０の重量比で真空蒸着法により成膜した。これにより、ＭｇＡｇで構成される平均厚さ２０ｎｍの陰極を形成した。
＜７＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、トップエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例９）
前記工程＜１＞において、平均厚さ２０ｎｍのＩＴＯ電極を形成した以外は、前述した実施例８と同様にしてトップエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例１０）
前記工程＜１＞において、平均厚さ３０ｎｍのＩＴＯ電極を形成した以外は、前述した実施例８と同様にしてトップエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例１１）
前記工程＜１＞において、平均厚さ７０ｎｍのＩＴＯ電極を形成した以外は、前述した実施例８と同様にしてトップエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例１２）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。
＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、前記式ＨＩＬ−１で表わされる化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ６０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔注入層上に、発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２５ｎｍの発光層を形成した。発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式ＩＲＤ−２４で表わされる化合物（チアジアゾール系化合物２）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を４．０ｗｔ％とした。
＜４＞ 次に、発光層上に、前記式ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ９０ｎｍの電子輸送層（第１電子輸送層）を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜７＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、ボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例１３）
発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした以外は、前述した実施例１２と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例１４）
発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を１．０ｗｔ％とした以外は、前述した実施例１２と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例１５）
前記工程＜３＞において、平均厚さ４０ｎｍの発光層を形成し、前記工程＜４＞において、平均厚さ７５ｎｍの電子輸送層（第１電子輸送層）を形成した以外は、前述した実施例１４と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例１６）
前記工程＜３＞において、平均厚さ６０ｎｍの発光層を形成し、前記工程＜４＞において、平均厚さ５５ｎｍの電子輸送層（第１電子輸送層）を形成した以外は、前述した実施例１４と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例１７）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１８ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。
＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、前記式ＨＩＬ−１で表わされる化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ７０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔注入層上に、発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２５ｎｍの発光層を形成した。発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式ＩＲＤ−２４で表わされる化合物（チアジアゾール系化合物２）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした。
＜４＞ 次に、発光層上に、前記式ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ７０ｎｍの電子輸送層（第１電子輸送層）を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子注入層上に、ＭｇとＡｇとを１：２０の重量比で真空蒸着法により成膜した。これにより、ＭｇＡｇで構成される平均厚さ２０ｎｍの陰極を形成した。
＜７＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、トップエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例１８）
前記工程＜１＞において、平均厚さ２５ｎｍのＩＴＯ電極を形成した以外は、前述した実施例１７と同様にしてトップエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例１９）
前記工程＜１＞において、平均厚さ３０ｎｍのＩＴＯ電極を形成した以外は、前述した実施例１７と同様にしてトップエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例２０）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。
＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、前記式ＨＩＬ−１で表わされる化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔注入層上に、発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２５ｎｍの発光層を形成した。発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式ＩＲＤ−３１で表わされる化合物（ピロメテン系ホウ素錯体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を１．０ｗｔ％とした。
＜４＞ 次に、発光層上に、前記式ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ８０ｎｍの電子輸送層（第１電子輸送層）を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１０００ｎｍの陰極を形成した。
＜７＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、ボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例２１）
発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を０．５ｗｔ％とした以外は、前述した実施例２０と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例２２）
発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を０．２５ｗｔ％とした以外は、前述した実施例２０と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例２３）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。
＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、前記式ＨＩＬ−１で表わされる化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ７０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔注入層上に、発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２５ｎｍの発光層を形成した。発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式ＩＲＤ−４１で表わされる化合物（ベンゾ−ビス−チアジアゾール系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした。
＜４＞ 次に、発光層上に、前記ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ９５ｎｍの電子輸送層（第１電子輸送層）を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜７＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、ボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例２４）
発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を１．０ｗｔ％とした以外は、前述した実施例２０と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例２５）
発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を０．５ｗｔ％とした以外は、前述した実施例２０と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
（実施例２６）
前記工程＜４＞において、前記式ＥＴＬ２−３０で表される化合物（アントラセン系化合物）を真空蒸着法により成膜した後、前記式ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜して、平均厚さ９０ｎｍの第２電子輸送層に平均厚さ５ｎｍの第１電子輸送層が積層された電子輸送層を形成した以外は、前述した実施例２６と同様にしてボトムエミッション型の発光素子を製造した。
３．評価
各実施例の発光素子について、一定電流電源（株式会社東陽テクニカ製 ＫＥＩＴＨＬＥＹ２４００）を用いて、発光素子に５０ｍＡ／ｃｍ２、１００ｍＡ／ｃｍ２、および、３００ｍＡ／ｃｍ２の定電流を、それぞれ、流し、各発光素子における発光スペクトルを、小型ファイバ光学分光器（コニカミノルタ社製 ＣＳ−１０００）を用いて、発光エネルギー量（ｍＷ／ｓｒ／ｍ２）として測定した。
そして、各実施例の発光素子で測定された、５０ｍＡ／ｃｍ２、１００ｍＡ／ｃｍ２、および、３００ｍＡ／ｃｍ２における発光スペクトルを、それぞれ、発光エネルギー量（ｍＷ／ｓｒ／ｍ２）から発光輝度（ｃｄ／ｍ２）に換算し、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）に換算された発光スペクトルから、可視光（４００〜６００ｎｍ）における発光輝度（ｃｄ／ｍ２）を求めた。
その結果を、表１に示す。
Figure 2015228460
表１から明らかなように、各実施例の発光素子は、それぞれ、３００ｍＡ／ｃｍ２の定電流を流したときに、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光し得ることが判った。
また、実施例２、３、１３、１４、２１、２２、２４、２５に示す通り、発光層中における発光材料の濃度を低濃度に設定することにより、発光輝度の向上が図られることが明らかとなった。さらに、実施例４〜７、１５、１６、２６に示す通り、発光層および正孔注入層の膜厚を変更したり、電子輸送層の層構成を変更することによっても、発光輝度の向上が図られることが明らかとなった。また、実施例８〜１１、１７〜１９に示す通り、本発明は、ボトムエミッション型のものばかりではなく、トップエミッション型のものにも適用可能であることが判った。
次いで、各実施例の発光素子で測定された、３００ｍＡ／ｃｍ２における発光スペクトルを、図５〜１７に示す。なお、各図中、左側グラフは、発光エネルギー量（Ｗ／ｓｒ／ｍ２）に基づく発光スペクトルであり、右側グラフは、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）に基づく発光スペクトルである。
そして、各実施例の発光素子で測定された３００ｍＡ／ｃｍ２における発光スペクトルから、それぞれ、可視光（４００〜６００ｎｍ）における発光輝度（ｃｄ／ｍ２）、発光エネルギー量（Ｗ／ｓｒ／ｍ２）の最大値、および、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）の最大値を求めた（表２−１参照。）。
さらに、これらの結果から、発光素子を、５ｃｄ／ｍ２以上、１０ｃｄ／ｍ２以上、さらには、３０ｃｄ／ｍ２以上の発光輝度を有するものとするために必要となる、発光エネルギー量（Ｗ／ｓｒ／ｍ２）の最大値、および、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）の最大値を、それぞれの平均（Ave.）＋３標準偏差（σ）の値を求めることにより得た（表２−２〜２−４参照。）。
その結果を、表２に示す。
Figure 2015228460
表２から明らかなように、発光素子を５ｃｄ／ｍ２以上の発光輝度を有するものとするには、発光エネルギー量（Ｗ／ｓｒ／ｍ２）の最大値、および、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）の最大値が、それぞれ、2.614E-04（Ｗ／ｓｒ／ｍ２）以上、および、1.274E-01（ｃｄ／ｍ２）以上のものである必要があり、また、発光素子を１０ｃｄ／ｍ２以上の発光輝度を有するものとするには、発光エネルギー量（Ｗ／ｓｒ／ｍ２）の最大値、および、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）の最大値が、それぞれ、5.229E-04（Ｗ／ｓｒ／ｍ２）以上、および、2.549E-01（ｃｄ／ｍ２）以上のものである必要であり、さらに、発光素子を３０ｃｄ／ｍ２以上の発光輝度を有するものとするには、発光エネルギー量（Ｗ／ｓｒ／ｍ２）の最大値、および、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）の最大値が、それぞれ、1.569E-03（Ｗ／ｓｒ／ｍ２）以上、および、7.646E-01（ｃｄ／ｍ２）以上のものである必要があることが判った。
１Ａ‥‥発光素子
３‥‥陽極
４‥‥正孔注入層
５‥‥発光層
６‥‥電子輸送層
６ａ‥‥第２電子輸送層
６ｂ‥‥第１電子輸送層
７‥‥電子注入層
８‥‥陰極
１４‥‥積層体
２０‥‥封止基板
２１‥‥基板
２２‥‥平坦化層
２４‥‥駆動用トランジスタ
２７‥‥配線
３１‥‥隔壁
３２‥‥反射膜
３３‥‥腐食防止膜
３４‥‥陰極カバー
３５‥‥エポキシ層
１００‥‥発光装置
１００Ｂ‥‥光源
２４１‥‥半導体層
２４２‥‥ゲート絶縁層
２４３‥‥ゲート電極
２４４‥‥ソース電極
２４５‥‥ドレイン電極
１０００‥‥認証装置
１００１‥‥カバーガラス
１００２‥‥マイクロレンズアレイ
１００３‥‥受光素子群
１００４‥‥受光素子駆動部
１００５‥‥制御部
１００６‥‥発光素子駆動部
１１００‥‥パーソナルコンピュータ
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
Ｆ‥‥生体

Claims (11)

  1. 陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられ、前記陽極と前記陰極との間に通電することにより近赤外領域の光を発光する発光層とを有する発光素子を備え、
    前記陽極と前記陰極との間に３００ｍＡ／ｃｍ２以下の電流密度で通電したとき、５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を発光することを特徴とする発光装置。
  2. 前記発光層は、発光材料と、前記発光材料を保持するホスト材料とを含んで構成される請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記発光材料は、下記一般式（ＩＲＤ−１）で表わされる化合物、下記一般式（ＩＲＤ−２）で表わされる化合物、下記式（ＩＲＤ−３）で表わされる化合物、および、下記一般式（ＩＲＤ−４）で表わされる化合物のうちの少なくとも１種を含む請求項２に記載の発光装置。
    Figure 2015228460
     ［前記一般式（ＩＲＤ−１）中、各Ｒは、それぞれ独立して、アリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミン、または、これらの誘導体のうちの少なくとも１種を含む基を示す。］
    Figure 2015228460
     ［前記一般式（ＩＲＤ−２）中、各Ｒは、それぞれ独立して、アリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミン、または、これらの誘導体のうちの少なくとも１種を含む基を示す。］
    Figure 2015228460
     ［前記式（ＩＲＤ−３）中、Ｘは、水素が結合している炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒは、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリル基、アルコキシ基、もしくは複素環基を示す。］
    Figure 2015228460
     ［前記一般式（ＩＲＤ−４）中、各Ｒは、それぞれ独立して、フェニル基、チオフェニル基、フリル基、または、これらの誘導体のうちの少なくとも１種を含む基を示す。］
  4. 前記ホスト材料は、下記式ＩＲＨ−１で表わされる化合物を含む請求項２または３に記載の発光装置。
    Figure 2015228460
     ［前記式ＩＲＨ−１中、ｎは、１〜１２の自然数を示し、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。］
  5. 前記発光層中における前記発光材料の含有量は、４．０ｗｔ％以下である請求項２ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記発光素子は、前記発光層と前記陰極との間に設けられた電子輸送層を備える請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記電子輸送層は、アントラセン骨格を有する化合物を含んで構成されている請求項６に記載の発光装置。
  8. 前記電子輸送層の厚さは、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である請求項６または７に記載の発光装置。
  9. 前記発光層の厚さは、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の発光装置。
  10. 請求項１ないし９のいずれか１項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
  11. 請求項１ないし９のいずれか１項に記載の発光装置において、前記陽極と前記陰極との間に３００ｍＡ／ｃｍ２以下の電流密度で通電し、発光する５ｃｄ／ｍ２以上の可視光を観察することにより検査することを特徴とする検査方法。
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