JP2015127078A - Processing method and processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は加工方法及び加工装置に関する。詳しくは、SiCやGaN、ダイヤモンド等の難加工物を高効率かつ高精度で加工可能な加工方法及びこうした加工方法を実現可能とする加工装置に係るものである。 The present invention relates to a processing method and a processing apparatus. Specifically, the present invention relates to a processing method capable of processing a difficult-to-work material such as SiC, GaN, and diamond with high efficiency and high accuracy, and a processing apparatus capable of realizing such a processing method.
古くから様々な場面で、機械的な加工が用いられてきた。例えば、機械研磨の加工では、工具を被加工表面に押し付け、機械的作用により表面の一部をはぎ取って加工するものである。 Mechanical processing has been used in various scenes since ancient times. For example, in mechanical polishing, a tool is pressed against a surface to be processed, and a part of the surface is removed by mechanical action.
しかし、こうした機械研磨の加工では、対象物の結晶格子に欠陥が生じてしまい、また、高精度な面を得ることが非常に困難であった。そこで、高精度な加工を行うために、化学的な加工方法が用いられる。 However, in such mechanical polishing processing, defects occur in the crystal lattice of the object, and it is very difficult to obtain a highly accurate surface. Therefore, a chemical processing method is used to perform highly accurate processing.
例えば、超微粉体を分散した懸濁液を被加工面に沿って流動させることにより、略無荷重の状態で超微粉体が被加工面に接触し、その際の相互作用により被加工面を加工する、いわゆるEEM(Elastic Emission Machining)による加工は既に知られている(特許文献1〜4)。
For example, by flowing a suspension in which ultrafine powder is dispersed along the work surface, the ultrafine powder comes into contact with the work surface under almost no load, and the work is performed by the interaction at that time. Processing by so-called EEM (Elastic Emission Machining) for processing a surface is already known (
また、反応ガスに基づく中性ラジカルと、被加工面の原子又は分子とのラジカル反応を利用して加工するプラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)も提案されている(特許文献5)。 Further, plasma CVM (Chemical Vaporization Machining) is proposed which uses a radical reaction between a neutral radical based on a reaction gas and an atom or molecule on a surface to be processed (Patent Document 5).
さらに、回転電極を高速に回転させることで、回転電極表面でガスを巻き込むことによって加工ギャップを横切るガス流を形成して加工する回転電極を用いた高密度ラジカル反応による高能率加工方法も提案されている(特許文献6)。 Furthermore, a high-efficiency machining method using a high-density radical reaction using a rotating electrode that forms a gas flow across the machining gap by rotating the rotating electrode at a high speed to entrain gas on the surface of the rotating electrode is proposed. (Patent Document 6).
前述のEEMやプラズマCVMは、化学的な加工として非常に優れている。EEMは、原子スケールで平滑な面を得ることが可能であり、プラズマCVMでは機械的な加工に匹敵する高能率な加工が高精度で可能である。 The aforementioned EEM and plasma CVM are very excellent as chemical processing. The EEM can obtain a smooth surface on an atomic scale, and the plasma CVM can perform highly efficient processing comparable to mechanical processing with high accuracy.
EEMは、高周波の空間波長に対して非常に平滑な面を得ることが可能である。EEMは、超純水によりSiО2等の微粒子を表面に供給し、微粒子の表面の原子と加工物表面の原子が化学的に結合することで加工が進むことが特徴である。しかしEEMは、その加工原理のゆえ数十μm以上の空間波長域を平坦化しにくいものとなっている。 EEM can obtain a very smooth surface with respect to high-frequency spatial wavelengths. EEM is characterized in that fine particles such as SiO 2 are supplied to the surface with ultrapure water, and the processing proceeds by the atoms on the surface of the fine particles and the atoms on the surface of the workpiece being chemically bonded. However, the EEM is difficult to flatten the spatial wavelength region of several tens of μm or more because of its processing principle.
また、プラズマCVMの加工は、プラズマ中の中性ラジカルと加工物表面の化学反応を利用している。1気圧という高圧力雰囲気下において高密度のプラズマを発生させ、プラズマ中で生成した中性ラジカルを加工物表面の原子に作用させ、揮発性の物質に変えることで加工している。 Further, plasma CVM processing utilizes a chemical reaction between neutral radicals in the plasma and the workpiece surface. Processing is performed by generating high-density plasma in a high-pressure atmosphere of 1 atm, causing neutral radicals generated in the plasma to act on atoms on the surface of the workpiece, and changing them into volatile substances.
ゆえに、プラズマCVMの加工では、被加工面の原子配列を乱すことなく、従来の機械加工に匹敵する加工能率を持っている。しかし、基準面を持たない加工法であるため、指数面による影響を受けやすい。 Therefore, plasma CVM machining has machining efficiency comparable to conventional machining without disturbing the atomic arrangement of the work surface. However, since the processing method does not have a reference surface, it is easily affected by the index surface.
こうしたなか、難加工物の高精度かつ高効率な加工を試みた加工方法が存在し、例えば、特許文献7に記載の触媒支援型化学加工方法が提案されている。
Under these circumstances, there are processing methods that attempt high-precision and high-efficiency processing of difficult-to-work products. For example, a catalyst-assisted chemical processing method described in
ここで、特許文献7は、酸化剤の溶液中に被加工物を配し、遷移金属からなる触媒を被加工面に接触、もしくは極近接させ、触媒表面上で生成した強力な酸化力を持つ活性種と被加工物の表面原子との化学反応で生成した化合物を除去、あるいは溶出させることによって被加工物を加工する方法が記載されている。
Here,
また、特許文献7では、実施形態として、触媒にFe、酸化剤に過酸化水素水(H2O2)を使用する点が開示されている。
In
この場合、Fe表面では、下記の[化1]及び[化2]で表されるフェントン(Fenton)反応により活性種としてОHラジカル(ヒドロキシラジカル)が発生する。ОHラジカル(ОHの右側にドットを付して表示)は、寿命は短いが、酸化力が非常に強い性質を有する。 In this case, on the Fe surface, OH radicals (hydroxy radicals) are generated as active species by the Fenton reaction represented by the following [Chemical Formula 1] and [Chemical Formula 2]. The OH radical (shown with a dot on the right side of OH) has a short life but has a very strong oxidizing power.
(化1)
Fe2++H2O2→Fe3++ОH‐+ОH・
(化2)
Fe3++H2O2→Fe2++2ООH‐
(Chemical formula 1)
Fe 2+ + H 2 O 2 → Fe 3+ + ОH − + ОH
(Chemical formula 2)
Fe 3+ + H 2 O 2 → Fe 2+ + 2OOOH −
一般的に、ハーバー―ワイス(Harber−Waiss)機構によるH2O2の分解でОHラジカルが生成されることは知られている。この反応では、低原子価の遷移金属(Fe2+、Ti3+、Cr2+、Cu+等)による一電子還元によりОHラジカルが生成する。 In general, it is known that OH radicals are produced by the decomposition of H 2 O 2 by the Harbor-Wais mechanism. In this reaction, OH radicals are generated by one-electron reduction with low-valent transition metals (Fe 2+ , Ti 3+ , Cr 2+ , Cu +, etc.).
特に、Fe2+による反応は、フェントン反応としてよく知られている。H2O2はレドックス反応を行いうる低原子価金属イオンと反応し、ОHラジカルを生成する。ここで、Fe2+は触媒的な作用をする。 In particular, the reaction with Fe 2+ is well known as the Fenton reaction. H 2 O 2 reacts with a low-valent metal ion capable of performing a redox reaction to generate an OH radical. Here, Fe 2+ acts as a catalyst.
ここで、被加工物がSiCの場合には、以下の[化3]に示すように、ОHラジカルと過酸化水素水中の溶存酸素によってSiC表面が酸化され、その部分が優先的に加工されるものと推測されている。 Here, when the workpiece is SiC, as shown in the following [Chemical Formula 3], the SiC surface is oxidized by the dissolved oxygen in the OH radical and hydrogen peroxide water, and the portion is processed preferentially. Presumed to be.
(化3)
SiC+4ОH・+О2→SiО2+2H2O+CО2↑
(Chemical formula 3)
SiC + 4OH ・ + О 2 → SiO 2 + 2H 2 O + CO 2 ↑
ここで、特許文献7に記載された加工方法でもSiC等の難加工物の加工は可能であるが、難加工物に対する加工精度及び加工効率の更なる向上が求められている。例えば、難加工物を利用した半導体基板の分野では、基板サイズの微細化、品質向上等の観点から、より精度の高い加工方法が要求されるようになっている。
Here, the processing method described in
本発明は以上の点に鑑みて発明されたものであり、SiCやGaN、ダイヤモンド等の難加工物を高効率かつ高精度で加工可能な加工方法及びこうした加工方法を実現可能とする加工装置を提供することを目的とする。 The present invention has been invented in view of the above points, and provides a processing method capable of processing difficult-to-work products such as SiC, GaN, and diamond with high efficiency and high accuracy, and a processing apparatus capable of realizing such a processing method. The purpose is to provide.
[加工方法について]
上記の目的を達成するために、本発明の加工方法は、加工基準面に遷移金属または金属酸化物からなる触媒を用い、水、過酸化水素水、オゾン水、あるいはこれらのいずれかを含む溶媒に被加工物の少なくとも一部を配し、前記溶媒に紫外光またはプラズマを照射すると共に、前記加工基準面を被加工物の被加工面に接触、もしくは極近接させた状態で前記被加工面と前記加工基準面を相対運動する工程を備える。
[About processing methods]
In order to achieve the above object, the processing method of the present invention uses a catalyst made of a transition metal or a metal oxide on the processing reference surface, and water, hydrogen peroxide water, ozone water, or a solvent containing any of these. The workpiece surface is disposed in a state where at least a part of the workpiece is disposed on the substrate, and the solvent is irradiated with ultraviolet light or plasma, and the machining reference surface is in contact with or in close proximity to the workpiece surface of the workpiece. And a step of relatively moving the processing reference surface.
ここで、紫外光またはプラズマの照射によって、水、過酸化水素水、オゾン水、あるいはこれらのいずれかを含む溶媒が分解され、活性種が生成する。また、溶媒の分解が続くと溶媒中の活性種が過剰となり、活性種が再結合し過酸化水素が生じる。そして、加工基準面に遷移金属または金属酸化物からなる触媒を用いることによって、過酸化水素と触媒が反応し、再び、触媒表面上に活性種が発生する。なお、ここでいう水とは、超純水や電解水が含まれるものを意味する。 Here, by irradiation with ultraviolet light or plasma, water, hydrogen peroxide water, ozone water, or a solvent containing any of these is decomposed to generate active species. Further, when the decomposition of the solvent continues, the active species in the solvent become excessive, and the active species are recombined to generate hydrogen peroxide. And by using the catalyst which consists of a transition metal or a metal oxide for a process reference surface, hydrogen peroxide and a catalyst react and an active seed | species generate | occur | produces on a catalyst surface again. In addition, water here means the thing containing ultrapure water and electrolyzed water.
また、溶媒中に被加工物の少なくとも一部を配し、加工基準面を被加工物の被加工面に接触、もしくは極近接させた状態で被加工面と加工基準面を相対運動することによって、触媒表面上で生成した強力な酸化力を持つ活性種と被加工物の表面原子との化学反応により化合物が生成する。この生成した化合物を相対運動で除去することで被加工物を加工することができる。 Also, by placing at least a part of the work piece in the solvent and moving the work surface and the work reference surface relative to each other with the work reference surface in contact with or in close proximity to the work surface of the work piece A compound is formed by a chemical reaction between the active species having strong oxidizing power generated on the catalyst surface and the surface atoms of the workpiece. The workpiece can be processed by removing the generated compound by relative motion.
本発明では、水、過酸化水素水、オゾン水、あるいはこれらのいずれかを含む溶媒に紫外光またはプラズマを照射することで、活性種を過剰に生じさせることができるため、活性種の反応と触媒を利用した加工の効率を高めることができる。また、加工開始時の溶媒に、触媒と直接的に化学反応を生じる化合物、例えば、過酸化水素が含まれていない場合にも、紫外光またはプラズマを照射して活性種及び過酸化水素を生成することができるため、加工が可能となる。 In the present invention, the active species can be generated excessively by irradiating water, hydrogen peroxide solution, ozone water, or a solvent containing any of these with ultraviolet light or plasma. The efficiency of processing using a catalyst can be increased. In addition, even when a compound that causes a chemical reaction directly with the catalyst, such as hydrogen peroxide, is not included in the solvent at the start of processing, active species and hydrogen peroxide are generated by irradiation with ultraviolet light or plasma. Can be processed.
また、加工部材が加工基準面を有することによって、加工が進むにしたがって加工表面が変化してしまうことがなく、均一な加工を行うことができる。 Further, since the processing member has the processing reference surface, the processing surface does not change as processing proceeds, and uniform processing can be performed.
また、加工基準面に用いる遷移金属としては、例えば、Fe、Ni、Co、Cu、Cr、Tiが挙げられる。また、加工基準面に用いる金属酸化物としては、例えば、遷移金属の酸化物が挙げられる。 Further, examples of the transition metal used for the processing reference surface include Fe, Ni, Co, Cu, Cr, and Ti. Moreover, as a metal oxide used for a process reference surface, the oxide of a transition metal is mentioned, for example.
また、溶媒としては、例えば、水、過酸化水素水、超純水、オゾン水が挙げられる。また、被加工物としては、例えば、シリコンカーバイド、窒化ケイ素、GaN、ダイヤモンド、サファイア、ルビー、AINが挙げられる。 Examples of the solvent include water, hydrogen peroxide water, ultrapure water, and ozone water. Examples of the workpiece include silicon carbide, silicon nitride, GaN, diamond, sapphire, ruby, and AIN.
上記の目的を達成するために、本発明の加工方法は、加工基準面に遷移金属または金属酸化物からなる触媒を用い、活性種を生成可能な溶媒の中に被加工物の少なくとも一部を配し、前記溶媒に紫外光またはプラズマを照射すると共に、前記加工基準面を被加工物の被加工面に接触、もしくは極近接させた状態で前記被加工面と前記加工基準面を相対運動する工程を備える。 In order to achieve the above object, the processing method of the present invention uses a catalyst made of a transition metal or a metal oxide on a processing reference surface, and at least a part of the workpiece is placed in a solvent capable of generating active species. And irradiating the solvent with ultraviolet light or plasma, and relatively moving the work surface and the work reference surface with the work reference surface in contact with or in close proximity to the work surface of the work piece. A process is provided.
ここで、紫外光またはプラズマの照射によって、活性種を生成可能な溶媒が分解され、活性種が生成する。そして、生成した活性種に起因して遷移金属または金属酸化物からなる触媒を介した化学反応がおこり、被加工物の加工が可能になる。 Here, the solvent capable of generating active species is decomposed by irradiation with ultraviolet light or plasma, and active species are generated. And the chemical reaction through the catalyst which consists of a transition metal or a metal oxide originates in the produced | generated active species, and the workpiece can be processed.
本発明では、活性種を生成可能な溶媒に紫外光またはプラズマを照射することで、活性種を過剰に生じさせることができるため、活性種の反応と触媒を利用した加工の効率を高めることができる。また、加工開始時の溶媒に、触媒と直接的に化学反応を生じる化合物、例えば、過酸化水素が含まれていない場合にも、紫外光またはプラズマを照射して活性種を生成することができるため、加工が可能となる。 In the present invention, the active species can be generated excessively by irradiating the solvent capable of generating the active species with ultraviolet light or plasma, so that the reaction of the active species and the processing efficiency using the catalyst can be improved. it can. In addition, even when a compound that causes a chemical reaction directly with the catalyst, such as hydrogen peroxide, is not included in the solvent at the start of processing, active species can be generated by irradiation with ultraviolet light or plasma. Therefore, processing becomes possible.
また、加工部材が加工基準面を有することによって、加工が進むにしたがって加工表面が変化してしまうことがなく、均一な加工を行うことができる。 Further, since the processing member has the processing reference surface, the processing surface does not change as processing proceeds, and uniform processing can be performed.
また、溶媒としては、例えば、水、過酸化水素水、オゾン水、あるいはこれらを含む溶液が挙げられる。 Examples of the solvent include water, hydrogen peroxide solution, ozone water, or a solution containing these.
[加工装置について]
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る加工装置は、遷移金属または金属酸化物からなる触媒を表面に含む加工基準面を有し、回転可能である加工部材と、該加工部材の回転軸に対して偏心した回転軸を有し回転可能であると共に、所定の被加工物を保持する保持機構と、前記加工部材及び前記保持機構を内側に配置可能であり、水、過酸化水素水、オゾン水、あるいはこれらのいずれかを含む溶媒を充填させる加工槽と、前記溶媒に紫外光またはプラズマを照射する処理部と、前記加工槽中で前記加工基準面を被加工物の被加工面に接触、もしくは極近接させた状態で前記被加工面と前記加工基準面を相対的に変位させる駆動部とを備える。
[About processing equipment]
In order to achieve the above object, a processing apparatus according to the present invention has a processing reference surface including a catalyst made of a transition metal or a metal oxide on the surface, and is a rotatable processing member, and the processing member A rotation mechanism that is eccentric with respect to the rotation axis of the workpiece, is rotatable, and can hold a predetermined workpiece, and the processing member and the holding mechanism can be disposed on the inside. A processing tank that is filled with hydrogen water, ozone water, or a solvent containing any of these, a processing unit that irradiates the solvent with ultraviolet light or plasma, and the processing reference surface that covers the workpiece in the processing tank. A driving unit that relatively displaces the surface to be processed and the processing reference surface in a state of being in contact with or in close proximity to the processing surface;
ここで、水、過酸化水素水、オゾン水、あるいはこれらのいずれかを含む溶媒を充填させる加工槽と、溶媒に紫外光またはプラズマを照射する処理部によって、加工槽中の溶媒を分解することができる。即ち、水、過酸化水素水、オゾン水、あるいはこれらのいずれかを含む溶媒が分解され、活性種が生成する。また、溶媒の分解が続くと溶媒中の活性種が過剰となり、活性種が再結合し過酸化水素が生じる。なお、ここでいう水とは、超純水や電解水が含まれるものを意味する。 Here, the solvent in the processing tank is decomposed by a processing tank filled with water, hydrogen peroxide water, ozone water, or a solvent containing any of these, and a processing unit that irradiates the solvent with ultraviolet light or plasma. Can do. That is, water, hydrogen peroxide solution, ozone water, or a solvent containing any of these is decomposed to generate active species. Further, when the decomposition of the solvent continues, the active species in the solvent become excessive, and the active species are recombined to generate hydrogen peroxide. In addition, water here means the thing containing ultrapure water and electrolyzed water.
また、遷移金属または金属酸化物からなる触媒を表面に含む加工基準面を有する加工部材と、加工部材及び保持機構を内側に配置可能であり、水、過酸化水素水、オゾン水、あるいはこれらのいずれかを含む溶媒を充填させる加工槽によって、溶媒中に生じた過酸化水素と触媒を反応させることができる。即ち、過酸化水素と触媒が反応し、再び、触媒表面上に活性種が発生する。 Further, a processing member having a processing reference surface including a catalyst made of a transition metal or a metal oxide on the surface, a processing member and a holding mechanism can be arranged inside, and water, hydrogen peroxide water, ozone water, or these By the processing tank filled with the solvent containing any of them, the hydrogen peroxide generated in the solvent and the catalyst can be reacted. That is, the hydrogen peroxide and the catalyst react to generate active species on the catalyst surface again.
また、加工部材及び保持機構を内側に配置可能であり、水、過酸化水素水、オゾン水、あるいはこれらのいずれかを含む溶媒を充填させる加工槽と、加工槽中で加工基準面を被加工物の被加工面に接触、もしくは極近接させた状態で被加工面と加工基準面を相対的に変位させる駆動部によって、被加工面に化学反応による加工を行うことができる。即ち、触媒表面上で生成した強力な酸化力を持つ活性種と被加工物の表面原子との化学反応により化合物が生成する。この生成した化合物を相対運動で除去することで被加工物を加工することができる。 In addition, the processing member and the holding mechanism can be arranged inside, a processing tank filled with water, hydrogen peroxide water, ozone water, or a solvent containing any of these, and a processing reference surface to be processed in the processing tank Processing by a chemical reaction can be performed on the processing surface by a driving unit that relatively displaces the processing surface and the processing reference surface in contact with or in close proximity to the processing surface of the object. That is, a compound is generated by a chemical reaction between the active species having a strong oxidizing power generated on the catalyst surface and the surface atoms of the workpiece. The workpiece can be processed by removing the generated compound by relative motion.
本発明では、水、過酸化水素水、オゾン水、あるいはこれらのいずれかを含む溶媒に紫外光またはプラズマを照射することで、溶媒中に活性種を過剰に生じさせることができるため、活性種の反応と触媒を利用した加工の効率を高めることができる。また、加工開始時の溶媒に、触媒と直接的に化学反応を生じる化合物、例えば、過酸化水素が含まれていない場合にも、紫外光またはプラズマを照射して活性種を生成することができるため、加工が可能となる。 In the present invention, the active species can be generated in excess in the solvent by irradiating water, hydrogen peroxide solution, ozone water, or a solvent containing any of these with ultraviolet light or plasma. It is possible to increase the efficiency of processing using the reaction and catalyst. In addition, even when a compound that causes a chemical reaction directly with the catalyst, such as hydrogen peroxide, is not included in the solvent at the start of processing, active species can be generated by irradiation with ultraviolet light or plasma. Therefore, processing becomes possible.
また、加工部材が加工基準面を有することによって、加工が進むにしたがって加工表面が変化してしまうことがなく、均一な加工を行うことができる。 Further, since the processing member has the processing reference surface, the processing surface does not change as processing proceeds, and uniform processing can be performed.
また、加工基準面に用いる遷移金属としては、例えば、Fe、Ni、Co、Cu、Cr、Tiが挙げられる。また、加工基準面に用いる金属酸化物としては、例えば、遷移金属の酸化物が挙げられる。 Further, examples of the transition metal used for the processing reference surface include Fe, Ni, Co, Cu, Cr, and Ti. Moreover, as a metal oxide used for a process reference surface, the oxide of a transition metal is mentioned, for example.
また、溶媒としては、例えば、水、過酸化水素水、オゾン水、水酸化カリウム水溶液が挙げられる。また、被加工物としては、例えば、シリコンカーバイド、窒化ケイ素、GaN、ダイヤモンド、サファイア、ルビー、AINが挙げられる。 Moreover, as a solvent, water, hydrogen peroxide solution, ozone water, potassium hydroxide aqueous solution is mentioned, for example. Examples of the workpiece include silicon carbide, silicon nitride, GaN, diamond, sapphire, ruby, and AIN.
本発明に係る加工方法及び加工装置は、SiCやGaN、ダイヤモンド等の難加工物を高効率かつ高精度で加工可能な加工方法及びこうした加工方法を実現可能とする加工装置となっている。 The processing method and the processing apparatus according to the present invention are a processing method capable of processing a difficult-to-work material such as SiC, GaN, and diamond with high efficiency and high accuracy, and a processing apparatus capable of realizing such a processing method.
以下、本発明の実施の形態について図1ないし図3を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3 in order to understand the present invention.
〔実施の形態〕
図1は本発明を適用した加工装置の概念図であり、ここで示す加工装置1は、純鉄定盤2と、紫外光光源3と、ダイヤモンド基板8を保持する試料ホルダー4と、純鉄定盤2及び試料ホルダー4を内側に配置した加工槽9を有している。また、加工槽9の内側は、過酸化水素水7で満たされている。
Embodiment
FIG. 1 is a conceptual diagram of a processing apparatus to which the present invention is applied. The
また、加工槽9の中心部に設けられた回転軸6はモータ(図示せず)と連結されており、純鉄定盤2は、加工槽9と一体となって、図1の符号Aで示す方向に回転可能に構成されている。
Moreover, the
また、試料ホルダー4は、純鉄定盤2の回転軸6に対して偏心した回転軸5を有し、回転軸5を中心として図1の符号Bで示す方向に回転可能に構成されている。また、試料ホルダー4はダイヤモンド基板8を保持した状態で上方からダイヤモンド基板8と純鉄定盤2が接触または極近接する位置まで下降する。
Further, the sample holder 4 has a
ここで、純鉄定盤2は加工部材の一例であり、紫外光光源3は処理部の一例であり、ダイヤモンド基板8は被加工物の一例であり、試料ホルダー4は保持機構の一例であり、モータは駆動部の一部であり、紫外光光源3から照射される189nm以下の波長は、紫外光の一例である。
Here, the pure
また、本実施の形態では、加工部材が純鉄で形成されている場合を例に挙げて説明を行っているが、必ずしも、純鉄で形成される必要はない。過酸化水素水と反応して活性種であるOHラジカルを生成できれば充分であり、例えば、Ni、Co、Cu、Cr、Ti等で形成されていても構わない。また、遷移金属の酸化物であってもよい。 In the present embodiment, the case where the processed member is made of pure iron is described as an example, but it is not always necessary to be made of pure iron. It is sufficient if it can react with hydrogen peroxide water to generate OH radicals which are active species, and may be formed of, for example, Ni, Co, Cu, Cr, Ti or the like. Moreover, the oxide of a transition metal may be sufficient.
また、本実施の形態では、試料ホルダー4に保持される被加工物としてダイヤモンド基板8を例に挙げて説明を行っているが、被加工物はダイヤモンド基板8に限定されるものではない。例えば、ダイヤモンドの関連材料(多結晶ダイヤモンド、CVDダイヤモンド、DLC膜)やSiC、GaN、サファイア、SiCセラミックス、Si3N4セラミックス、AIN、ガラスなどの硬脆材料も被加工物として採用し得る。
In the present embodiment, the
また、本実施の形態では、溶媒として過酸化水素水7を例に挙げて説明を行っているが、溶媒は過酸化水素水7に限定されるものではなく、紫外光またはプラズマを照射することでOHラジカルを生成するものであれば充分である。例えば、超純水、オゾン水等も採用しうる。
In this embodiment, the
また、紫外光光源3による溶媒への紫外光照射の位置は、溶媒中にOHラジカルが生成する構成であれば充分である。
Moreover, the position of the ultraviolet
以下、上記の様に構成された加工装置1による加工方法について説明する。即ち、本発明を適用した加工方法の一例について説明する。
Hereinafter, the processing method by the
まず、純鉄定盤2を内側に配置した加工槽9内を過酸化水素水7で満たす。そして、紫外光光源3を過酸化水素水7に照射しながら、純鉄定盤2の加工基準面に対して、試料ホルダー4に保持させたダイヤモンド基板8を接触させる。
First, the inside of the
また、紫外光光源3から過酸化水素水7に紫外光が照射されると、[化4]で示すように、水分子の分解でOHラジカルが発生する。また、紫外光の照射に伴い、溶媒中に過剰のOHラジカルが発生すると、[化5]で示すように、OHラジカルが再結合し、過酸化水素(H2O2)が生成される。即ち、加工開始時過酸化水素水7に加えて、水分子からも過酸化水素が生成されることになる。
When the
(化4)
H2О+hν→ОH・+H・(h:プランク定数、ν:光の振動数)
(化5)
2ОH・→H2O2
(Chemical formula 4)
H 2 O + hν → ОH · + H · (h: Planck constant, ν: frequency of light)
(Chemical formula 5)
2OH · → H 2 O 2
生成された過酸化水素を含む溶媒中で、Feを触媒とする純鉄定盤2を、ダイヤモンド基板8に接触、もしくは極近接させると、前述した[化1]に記載するようにOHラジカルが発生する。このOHラジカルと、ダイヤモンド基板8の表面原子とが反応してダイヤモンド表面が改質される。
When the pure
ここで、純鉄定盤2及び試料ホルダー4を回転させながら、所定の押圧力で試料ホルダー4に保持されたダイヤモンド基板8を純鉄定盤2に押圧する。これにより、加工基準面と被加工面との相互間で相対運動が生じる。
Here, while rotating the pure
また、純鉄定盤2及び試料ホルダー4が相対運動していることから、ダイヤモンド基板8の表面から触媒が離れ、改質層はダイヤモンド基板8の被加工表面から除去される。ここまでの流れによってダイヤモンド基板8の被加工面は加工されることとなる。
Further, since the pure
〔変形例〕
本実施の形態の変形例として、溶媒として超純水を用いることもできる。即ち、溶媒だけを超純水に置き換え、他の条件は実施の形態と同一のものとして加工を行うことが可能である。
[Modification]
As a modification of the present embodiment, ultrapure water can be used as a solvent. That is, it is possible to perform processing with only the solvent replaced with ultrapure water and the other conditions being the same as in the embodiment.
変形例においては、超純水に対して紫外光を照射して、過剰なOHラジカルを生成させ、過酸化水素を生じさせることができる。よって、溶媒にあらかじめ過酸化水素が含まれていなくても、触媒反応による被加工物の加工が可能となる。 In the modified example, the ultrapure water can be irradiated with ultraviolet light to generate excess OH radicals and generate hydrogen peroxide. Therefore, even if the solvent does not contain hydrogen peroxide in advance, the workpiece can be processed by the catalytic reaction.
また、変形例の方法では、加工に用いる化学物質の使用量を減らすことができるため、環境への負担が抑えられる点で利点を有している。 Further, the modified method has an advantage in that the burden on the environment can be suppressed because the amount of chemical substances used for processing can be reduced.
〔効果〕
本発明を適用した加工装置1は、純鉄定盤2と試料ホルダー4が相互に相対運動するため、発生したОHラジカルが被加工物の表面原子と化学反応することで生成した化合物を除去することができる。
〔effect〕
In the
また、発生したОHラジカルが被加工物の表面原子と化学反応することで生成した化合物を、純鉄定盤2と試料ホルダー4の相互の相対運動により除去することができるので、随時新しい被加工面が出現することとなり、加工が進みやすくなる。
In addition, since the generated OH radicals chemically react with the surface atoms of the work piece, it can be removed by the relative movement of the pure
また、本発明を適用した加工装置1では、溶媒中にOHラジカルを過剰に生成し、過酸化水素を生じさせることができるため、OHラジカルの反応と触媒を利用した加工の効率を高めることができる。
Moreover, in the
また、触媒表面で生成されたOHラジカルは、触媒表面から離れると急激に不活性化するので、OHラジカルは基準面となる触媒表面上若しくは極近接した位置にしか存在せず、それにより空間的に制御された状態で加工することができる。 In addition, since the OH radicals generated on the catalyst surface are inactivated rapidly when they are separated from the catalyst surface, the OH radicals are present only on the catalyst surface as a reference surface or in a very close position, thereby spatially Can be processed in a controlled state.
また、過酸化水素水7に紫外光を照射して生じるOHラジカルにより、過酸化水素水7や純鉄定盤2表面上のケミカルコンタミネーション(有機汚染物質)を除去し、ダイヤモンド基板8表面との化学反応を安定化させることができる。この結果、ダイヤモンド基板8の表面を高精度に加工することができる。
Further, the OH radical generated by irradiating the
また、本発明を適用した加工方法では研磨剤は不要であるので、コストを大幅に抑制することができる。 Further, since the polishing method is not necessary in the processing method to which the present invention is applied, the cost can be greatly suppressed.
以下、図1ないし図3を用いて、本発明の実施例及び比較例について説明する。なお、ここで示す実施例及び比較例は一例であり、本発明を限定するものではない。
図2は、本発明の実施例の加工前、及び加工後の表面粗さを非接触形状測定機で測定した結果である。
Examples of the present invention and comparative examples will be described below with reference to FIGS. In addition, the Example and comparative example which are shown here are examples, and do not limit this invention.
FIG. 2 shows the results of measuring the surface roughness before and after processing of the example of the present invention with a non-contact shape measuring machine.
[実施例1]
まず、本発明の実施例1の加工方法について説明する。
遷移金属であるニッケル製定盤に、被加工物として単結晶ダイヤモンドを3.3Mpaの荷重で押圧し、ニッケル定盤を40rpmで回転させると共に、試料ホルダーを40rpmで回転させた。また、溶媒には過酸化水素水を用い、図1に示すように溶媒に対して紫外光を照射した。
[Example 1]
First, the processing method of Example 1 of this invention is demonstrated.
Single crystal diamond as a work piece was pressed against a nickel surface plate, which is a transition metal, with a load of 3.3 Mpa, the nickel surface plate was rotated at 40 rpm, and the sample holder was rotated at 40 rpm. Further, hydrogen peroxide water was used as the solvent, and the solvent was irradiated with ultraviolet light as shown in FIG.
このような状況で14時間の加工を行い、実施例1について、表面粗さについて確認した。加工前後の表面粗さのデータを図2に示す。 Processing for 14 hours was performed in such a situation, and the surface roughness of Example 1 was confirmed. The surface roughness data before and after processing is shown in FIG.
この結果、図2に示すように被加工面の加工後の表面粗さは、良好な状態(PV:1.713nm、rms:0.162nm、Ra:0.129nm)となっている。 As a result, as shown in FIG. 2, the processed surface roughness of the processed surface is in a good state (PV: 1.713 nm, rms: 0.162 nm, Ra: 0.129 nm).
次に、実施例と比較例の加工方法を行い、被加工物の加工効率について確認した。なお、以下で記す実施例2については、前述の実施例1と同じ方法である。
図3は、本発明の実施例及び比較例の加工能率の結果を示すグラフである。
Next, the processing method of an Example and a comparative example was performed, and the processing efficiency of the workpiece was confirmed. Note that Example 2 described below is the same method as Example 1 described above.
FIG. 3 is a graph showing the results of processing efficiency of examples of the present invention and comparative examples.
[実施例2]
まず、本発明の実施例2の加工方法について説明する。
遷移金属であるニッケル製定盤に、被加工物として単結晶ダイヤモンドを3.3Mpaの荷重で押圧し、ニッケル定盤を40rpmで回転させると共に、試料ホルダーを40rpmで回転させた。また、溶媒には超純水を用い、図1に示すように溶媒に対して紫外光を照射した。このような状況で14時間の加工を行った。
[Example 2]
First, the processing method of Example 2 of the present invention will be described.
Single crystal diamond as a work piece was pressed against a nickel surface plate, which is a transition metal, with a load of 3.3 Mpa, the nickel surface plate was rotated at 40 rpm, and the sample holder was rotated at 40 rpm. Also, ultrapure water was used as the solvent, and the solvent was irradiated with ultraviolet light as shown in FIG. Processing for 14 hours was performed in such a situation.
[比較例1]
比較例1では、ニッケル定盤に、被加工物として単結晶ダイヤモンドを3.3Mpaの荷重で押圧し、ニッケル定盤を40rpmで回転させると共に、試料ホルダーを40rpmで回転させた。また、溶媒は過酸化水素水を用いた。なお、実施例1及び実施例2とは違い、溶媒に対して紫外光照射は行わなかった。
[Comparative Example 1]
In Comparative Example 1, single crystal diamond as a workpiece was pressed against a nickel surface plate with a load of 3.3 Mpa, the nickel surface plate was rotated at 40 rpm, and the sample holder was rotated at 40 rpm. Further, hydrogen peroxide water was used as the solvent. In addition, unlike Example 1 and Example 2, ultraviolet light irradiation was not performed with respect to the solvent.
[比較例2]
比較例2では、ニッケル定盤に、被加工物として単結晶ダイヤモンドを3.3Mpaの荷重で押圧し、ニッケル定盤を40rpmで回転させると共に、試料ホルダーを40rpmで回転させた。また、溶媒には超純水を用いた。なお、実施例1及び実施例2とは違い、溶媒に対して紫外光照射は行わなかった。
[Comparative Example 2]
In Comparative Example 2, single crystal diamond as a workpiece was pressed against a nickel surface plate with a load of 3.3 Mpa, the nickel surface plate was rotated at 40 rpm, and the sample holder was rotated at 40 rpm. Moreover, ultrapure water was used as the solvent. In addition, unlike Example 1 and Example 2, ultraviolet light irradiation was not performed with respect to the solvent.
以下、実施例1、実施例2、比較例1及び比較例2の加工条件を表1に示す。 The processing conditions of Example 1, Example 2, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 are shown in Table 1 below.
上記の様に構成された実施例1、実施例2、比較例1及び比較例2の加工方法における加工能率の結果を図3に示す。 The result of the processing efficiency in the processing method of Example 1, Example 2, the comparative example 1, and the comparative example 2 comprised as mentioned above is shown in FIG.
図3に示すとおり、符号10で示す実施例1では、41.0nm/hの加工能率であった。また、符号11で示す比較例1では、31.0nm/hの加工能率であった。この結果、溶媒に過酸化水素水を用いた方法では、紫外光を照射する実施例1で加工能率が向上していた。
As shown in FIG. 3, in Example 1 shown by the code |
また、符号12で示す実施例2では、17.6nm/hの加工能率であった。また、符号13で示す比較例2では、11.8nm/hの加工能率であった。この結果、溶媒に超純水を用いた方法では、紫外光を照射する実施例2で加工能率が向上していた。
Moreover, in Example 2 shown with the code |
図3の結果から、過酸化水素水と超純水のいずれを溶媒として用いても、紫外光を照射しながら加工を行った場合のほうが、紫外光を照射せずに加工を行った場合よりも加工能率が向上していた。 From the results shown in FIG. 3, regardless of whether hydrogen peroxide water or ultrapure water is used as the solvent, the processing is performed while irradiating ultraviolet light, but the processing is performed without irradiating ultraviolet light. Even the machining efficiency was improved.
以上までで、本発明を適用した加工装置及び加工方法について説明を行ったが、本発明の加工方法では、溶媒中にオゾン(О3)、酸素(О2)をマイクロバブル状にして添加する方法も採用しうる。 The processing apparatus and processing method to which the present invention is applied have been described so far. In the processing method of the present invention, ozone (O 3 ) and oxygen (O 2 ) are added in the form of microbubbles to the solvent. Methods can also be employed.
この場合、[化6]ないし[化8]で示すように、溶媒中で、さらにОHラジカルの生成反応が促進され、ОHラジカルが再結合した過酸化水素水を生成することができる。即ち、触媒による加工の効率を更に高めることができる。 In this case, as shown in [Chemical Formula 6] to [Chemical Formula 8], the OH radical generation reaction is further promoted in the solvent, and hydrogen peroxide water in which the OH radicals are recombined can be generated. That is, the efficiency of processing with a catalyst can be further increased.
(化6)
О3+hν→О(1D,3P)+О2(O(1D):第1励起状態の酸素原子、O(3P):基底状態の酸素原子)
(化7)
О2+hν→О(1D)+О(3P)
(化8)
О(1D)+H2О→2ОH・
(Chemical formula 6)
О 3 + hν → О (1 D, 3 P) + О 2 (O (1 D): an oxygen atom of the first excited state, O (3 P): an oxygen atom in the ground state)
(Chemical formula 7)
О 2 + hν → О ( 1 D) + О ( 3 P)
(Chemical formula 8)
О (1 D) + H 2 О → 2ОH ·
以上のとおり、本発明により、SiCやGaN、ダイヤモンド等の難加工物を高効率かつ高精度で加工可能な加工方法及びこうした加工方法を実現可能とする加工装置を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a processing method capable of processing a difficult-to-work product such as SiC, GaN, and diamond with high efficiency and high accuracy, and a processing apparatus capable of realizing such a processing method.
1 加工装置
2 純鉄定盤
3 紫外光光源
4 試料ホルダー
5 回転軸
6 回転軸
7 過酸化水素水
8 ダイヤモンド基板
9 加工槽
DESCRIPTION OF
Claims (10)
加工方法。 A catalyst comprising a transition metal or a metal oxide is used as a processing reference surface, and at least a part of the workpiece is disposed in water, hydrogen peroxide water, ozone water, or a solvent containing any of these, and the solvent A method of irradiating the workpiece with the ultraviolet light or plasma and relatively moving the workpiece reference surface with the workpiece reference surface in a state where the workpiece reference surface is in contact with or in close proximity to the workpiece reference surface. .
請求項1に記載の加工方法。 The processing method according to claim 1, wherein the transition metal is made of one or a combination of two or more selected from Fe, Ni, Co, Cu, Cr, and Ti.
請求項1に記載の加工方法。 The processing method according to claim 1, wherein the metal oxide is an oxide of a transition metal.
請求項1、請求項2または請求項3に記載の加工方法。 The processing method according to claim 1, 2 or 3, wherein the solvent comprises one or a combination of two or more selected from water, hydrogen peroxide water, ultrapure water, and ozone water.
請求項1、請求項2、請求項3または請求項4に記載の加工方法。 The processing method according to claim 1, claim 2, claim 3, or claim 4, wherein the workpiece is made of any one of silicon carbide, silicon nitride, GaN, diamond, sapphire, ruby, and AIN.
前記相対運動は、前記ホルダーに保持した被加工物を前記回転定盤に所定の押圧力で押圧しながら回転させる運動である
請求項1、請求項2、請求項3、請求項4または請求項5に記載の加工方法。 The solvent is supplied between a flat rotating surface plate serving as the processing reference surface and a processing surface of a workpiece held by a holder having a rotation axis that is eccentric with respect to the rotation axis of the rotation surface plate. ,
The relative movement is a movement of rotating the workpiece held by the holder while pressing the workpiece against the rotating surface plate with a predetermined pressing force. 5. The processing method according to 5.
請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5または請求項6に記載の加工方法。 The processing method according to claim 1, claim 2, claim 3, claim 4, claim 5, or claim 6, wherein the transition metal is Fe and is processed using a Fenton reaction.
請求項1、請求項2、請求項3又は請求項4、請求項5、請求項6または請求項7に記載の加工方法。 Irradiation with ultraviolet light or plasma in a state where at least one of oxygen and ozone is supplied to the solvent. Claims 1, 2, 3, 4 and 5, Claim 6, Claim 7 The processing method as described in.
加工方法。 Using a catalyst made of a transition metal or metal oxide on the processing reference surface, arranging at least a part of the workpiece in a solvent capable of generating active species, irradiating the solvent with ultraviolet light or plasma, A processing method comprising a step of relatively moving the processing surface and the processing reference surface in a state where the processing reference surface is in contact with or in close proximity to the processing surface of the workpiece.
該加工部材の回転軸に対して偏心した回転軸を有し回転可能であると共に、所定の被加工物を保持する保持機構と、
前記加工部材及び前記保持機構を内側に配置可能であり、水、過酸化水素水、オゾン水、あるいはこれらのいずれかを含む溶媒を充填させる加工槽と、
前記溶媒に紫外光またはプラズマを照射する処理部と、
前記加工槽中で前記加工基準面を被加工物の被加工面に接触、もしくは極近接させた状態で前記被加工面と前記加工基準面を相対的に変位させる駆動部とを備える
加工装置。 A processing member having a processing reference surface including a catalyst made of a transition metal or a metal oxide on its surface and being rotatable;
A holding mechanism for holding a predetermined workpiece while being rotatable and having a rotating shaft eccentric with respect to the rotating shaft of the processing member;
The processing member and the holding mechanism can be arranged inside, a processing tank for filling water, hydrogen peroxide water, ozone water, or a solvent containing any of these,
A processing unit for irradiating the solvent with ultraviolet light or plasma;
A processing apparatus comprising: a drive unit that relatively displaces the processing surface and the processing reference surface in a state where the processing reference surface is in contact with or in close proximity to the processing surface of the workpiece in the processing tank.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2013273289A JP2015127078A (en) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | Processing method and processing apparatus |
Publications (1)
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|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013273289A Pending JP2015127078A (en) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | Processing method and processing apparatus |
Country Status (1)
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