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JP2015109758A - Manufacturing method of electric power conversion device - Google Patents

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JP2015109758A
JP2015109758A JP2013251602A JP2013251602A JP2015109758A JP 2015109758 A JP2015109758 A JP 2015109758A JP 2013251602 A JP2013251602 A JP 2013251602A JP 2013251602 A JP2013251602 A JP 2013251602A JP 2015109758 A JP2015109758 A JP 2015109758A
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JP
Japan
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pipe
storage space
flow path
semiconductor module
power semiconductor
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Pending
Application number
JP2013251602A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
尚志 市川
Hisashi Ichikawa
尚志 市川
浜田 晴喜
Haruki Hamada
晴喜 浜田
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Hitachi Astemo Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Systems Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Automotive Systems Ltd filed Critical Hitachi Automotive Systems Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the productivity in a manufacturing of a passage formation body for storing a power semiconductor module used in an electric power conversion device.SOLUTION: An electric power conversion device includes: a power semiconductor module which converts a direct current into an alternating current; a passage formation body which forms a storage space for storing the power semiconductor module; and a pipeline which introduces a cooling refrigerant into the storage space. A manufacturing method of the electric power conversion device according the invention includes: a first step where the pipeline is held in a mold in a state where an opening part of the pipeline is closed by a lid material; a second step where a material of the passage formation body is injected into the mold so as to cover the lid material and thereby forms the passage formation body; and a third step where a part of the material of the passage formation body covering the lid material and the lid material are cut to form the storage space connected with an inner space of the pipeline.

Description

本発明は、電力変換装置の製造方法に関し、特に車両に搭載されるのに適する電力変換装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a power converter, and more particularly, to a method for manufacturing a power converter suitable for being mounted on a vehicle.

3相インバータ回路を備える電力変換装置において、パワー半導体モジュールを冷却する水路を成型時、中子による成形が困難であったため、水路の蓋および取付けネジ、水路の蓋のシールが必要になり製造費が高価になるため、部品点数の削減が必要となっていた。   In a power converter equipped with a three-phase inverter circuit, it was difficult to mold with a core when molding a water channel for cooling a power semiconductor module, so it was necessary to seal the water channel lid, mounting screws, and water channel lid. Therefore, it is necessary to reduce the number of parts.

つまり、パワー半導体モジュールを冷却する流路を型形成する時、中子による形成が困難であったため、水路に蓋を付けて作製していた。このため、製造費(蓋、ネジ、組立工数、蓋シール面の切削加工、蓋シール等)が高価になる問題があった。   In other words, when forming the flow path for cooling the power semiconductor module, it was difficult to form with a core, so the water channel was covered with a lid. For this reason, there has been a problem that manufacturing costs (lids, screws, assembly man-hours, lid sealing surface cutting, lid sealing, etc.) are expensive.

特開2012-5323号公報JP 2012-5323 A

本発明の課題は、電力変換装置に用いられるパワー半導体モジュールを収納する流路形成体を製造する際の生産性を向上させることである。   The subject of this invention is improving the productivity at the time of manufacturing the flow-path formation body which accommodates the power semiconductor module used for a power converter device.

また本発明の別の課題は、電力変換装置の部品点数を少なくし、低コスト化を図ることである。   Another object of the present invention is to reduce the number of parts of the power converter and reduce the cost.

上記課題を解決する本発明に係る電力変換装置の製造方法は、直流電流を交流電流に変換するパワー半導体モジュールと、前記パワー半導体モジュールを収納する収納空間を形成する流路形成体と、前記収納空間に冷却冷媒を導入する配管と、を備えた電力変換装置の製造方法であって、前記配管の開口部が蓋材により塞がれた状態で、前記配管を金型内で保持する第1工程と、前記蓋材を覆うように、前記金型に前記流路形成体の材料を注入することで前記流路形成体を形成する第2工程と、前記蓋材を覆う前記流路形成体の材料の一部と前記蓋材とを切削することにより、前記配管の内部空間と繋がる前記収納空間を形成する第3工程と、を備える。   A method for manufacturing a power conversion device according to the present invention that solves the above problems includes a power semiconductor module that converts a direct current into an alternating current, a flow path forming body that forms a storage space for storing the power semiconductor module, and the storage A power conversion device manufacturing method comprising: a pipe for introducing a cooling refrigerant into a space, wherein the pipe is held in a mold in a state where an opening of the pipe is closed by a lid member. A second step of forming the flow path forming body by injecting a material of the flow path forming body into the mold so as to cover the lid material, and the flow path forming body covering the lid material. And a third step of forming the storage space connected to the internal space of the pipe by cutting a part of the material and the lid material.

本発明により、電力変換装置の生産性を向上させることが出来る。   According to the present invention, the productivity of a power converter can be improved.

また本発明により、電力変換装置の低コスト化することができる。   Further, according to the present invention, the cost of the power conversion device can be reduced.

電力変換装置の流路形成体の流路19のみの状態図。The state figure of only the flow path 19 of the flow path formation body of a power converter device. 電力変換装置の流路成形体900図。The flow-path molded object 900 figure of an electric power converter. 電力変換装置にインサートする配管図。The piping diagram inserted in a power converter device. 電力変換装置の流路成形体900の製造第1工程図。The manufacturing 1st process drawing of the flow-path molded object 900 of a power converter device. 電力変換装置の流路成形体900の製造第2工程図。The manufacturing 2nd process drawing of the flow-path molded object 900 of an electric power converter. 図4Bの配管保持のための台911〜914を取除いた図。The figure which removed the bases 911-914 for the piping holding | maintenance of FIG. 4B. 電力変換装置の流路成形体900の製造第2工程後のパワー半導体モジュール収納部の鋳抜き図。The cast drawing of the power semiconductor module accommodating part after manufacture 2nd process of the flow-path molded object 900 of a power converter device. 電力変換装置の流路成形体900の製造第5工程図。The 5th manufacturing process drawing of the flow-path molded object 900 of a power converter device. 電力変換装置の流路成形体900にパワー半導体モジュール300U〜300Wが装着された外観図。The external view with which the power semiconductor modules 300U-300W were mounted | worn with the flow-path molded object 900 of the power converter device. パワー半導体モジュール単体を示す図。The figure which shows a power semiconductor module single-piece | unit. パワー半導体モジュール300U〜300Wが配置された流路形成体900を水平に断面した図。The figure which carried out the horizontal cross section of the flow-path formation body 900 in which the power semiconductor modules 300U-300W are arrange | positioned. パワー半導体モジュール300Uが配置された流路形成体900を、流路19に垂直に断面した図。FIG. 5 is a cross-sectional view of a flow path forming body 900 in which a power semiconductor module 300U is disposed, perpendicularly to a flow path 19; パワー半導体モジュール300Vが配置された流路形成体900を、流路19に垂直に断面した図。FIG. 5 is a cross-sectional view of a flow path forming body 900 in which a power semiconductor module 300V is disposed, perpendicularly to a flow path 19;

以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施形態である電力変換装置の流路形成体900(図2参照)の流路19のみの状態図である。流路形成体900に搭載されるパワー半導体モジュール300Uの第1収納空間915は、配管901と配管902の間に存在する。パワー半導体モジュール300Uの外観については、図6に記載する。なお、パワー半導体モジュール300V及びパワー半導体モジュール300Wは、パワー半導体モジュール300Uと同様の構成である。   FIG. 1 is a state diagram of only the flow path 19 of the flow path forming body 900 (see FIG. 2) of the power conversion device according to the embodiment of the present invention. The first storage space 915 of the power semiconductor module 300U mounted on the flow path forming body 900 exists between the pipe 901 and the pipe 902. The appearance of the power semiconductor module 300U is described in FIG. The power semiconductor module 300V and the power semiconductor module 300W have the same configuration as the power semiconductor module 300U.

流路形成体900に搭載されるパワー半導体モジュール300Vの第2収納空間916は、配管902と配管903の間に存在する。流路形成体900に搭載されるパワー半導体モジュール300Wの第3収納空間917は、配管903と配管904の間に存在する。   The second storage space 916 of the power semiconductor module 300V mounted on the flow path forming body 900 exists between the pipe 902 and the pipe 903. The third storage space 917 of the power semiconductor module 300W mounted on the flow path forming body 900 exists between the pipe 903 and the pipe 904.

配管901と第1収納空間915の第1配列方向と、配管904と第3収納空間917の第2配列方向は、平行である。配管902と第2収納空間916と配管903の配列方向は、第1配列方向及び第2配列方向を横切る。つまり、配管901や第1収納空間915等により、流路19全体でコの字状の形状になる。   The first arrangement direction of the pipe 901 and the first storage space 915 and the second arrangement direction of the pipe 904 and the third storage space 917 are parallel to each other. The arrangement direction of the pipe 902, the second storage space 916, and the pipe 903 crosses the first arrangement direction and the second arrangement direction. That is, the entire flow path 19 has a U-shape due to the pipe 901, the first storage space 915, and the like.

図2は、電力変換装置の流路成形体900の上面斜視図及び矢印Aから見た下面斜視図である。なお、本実施形態の流路成形体900は、外面が電力変換装置自体の外面を形成することになり、流路成形体900が筐体を兼ねている。   FIG. 2 is a top perspective view and a bottom perspective view of the flow path molded body 900 of the power converter as viewed from the arrow A. FIG. In addition, as for the flow-path molded object 900 of this embodiment, an outer surface will form the outer surface of power converter device itself, and the flow-path molded object 900 serves as a housing | casing.

図3は、流路形成体900にインサートする配管901〜904を示す斜視図である。   FIG. 3 is a perspective view showing pipes 901 to 904 inserted into the flow path forming body 900.

配管901は、第1収納空間915(図1参照)に近い側に第1開口を形成し、この第1開口は蓋材905により塞がれる。   The pipe 901 forms a first opening on the side close to the first storage space 915 (see FIG. 1), and the first opening is closed by the lid member 905.

配管902は、第1収納空間915(図1参照)に近い側に第2開口を形成し、この第2開口は蓋材906により塞がれる。また配管902は、第2収納空間916(図1参照)に近い側に第3開口を形成し、この第3開口は蓋材907により塞がれる。   The pipe 902 forms a second opening on the side close to the first storage space 915 (see FIG. 1), and the second opening is closed by the lid member 906. The pipe 902 forms a third opening on the side close to the second storage space 916 (see FIG. 1), and the third opening is closed by the lid member 907.

配管903は、第2収納空間916(図1参照)に近い側に第4開口を形成し、この第4開口は蓋材908により塞がれる。また配管903は、第3収納空間917(図1参照)に近い側に第5開口を形成し、この第5開口は蓋材909により塞がれる。   The pipe 903 forms a fourth opening on the side close to the second storage space 916 (see FIG. 1), and the fourth opening is closed by the lid member 908. Further, the pipe 903 forms a fifth opening on the side close to the third storage space 917 (see FIG. 1), and the fifth opening is closed by the lid member 909.

配管904は、第3収納空間917(図1参照)に近い側に第6開口を形成し、この第6開口は蓋材910により塞がれる。   The pipe 904 forms a sixth opening on the side close to the third storage space 917 (see FIG. 1), and the sixth opening is closed by the lid member 910.

図4(A)ないし(E)は、流路形成体900及び配管901〜904の製造工程を示す。   4A to 4E show a manufacturing process of the flow path forming body 900 and the pipes 901 to 904.

図4(A)は、第1工程図である。第1工程においては、配管901は、金型内で保持させる台911により保持され、かつ第1収納空間915を除く場所に配置される。また配管902は、金型内で保持させる台912により保持され、かつ第1収納空間915及び第2収納空間916を除く場所に配置される。また配管903は、金型内で保持させる台913により保持され、かつ第2収納空間916及び第3収納空間917を除く場所に配置される。また配管904は、金型内で保持させる台914により保持され、かつ第3収納空間917を除く場所に配置される。   FIG. 4A is a first process diagram. In the first step, the pipe 901 is held by a table 911 that is held in the mold, and is arranged at a place excluding the first storage space 915. The pipe 902 is held by a table 912 that is held in the mold, and is disposed at a place excluding the first storage space 915 and the second storage space 916. The pipe 903 is held by a table 913 that is held in the mold, and is disposed at a place excluding the second storage space 916 and the third storage space 917. The pipe 904 is held by a table 914 that is held in the mold, and is disposed at a place excluding the third storage space 917.

図4(B)は、第2工程図を示し、流路形成体900の上面図及び下面図である。図3に示された配管901〜904の蓋材905〜910を覆うように金型に流路成形体900の材料が注入される。配管901〜904が蓋材905〜910により配管口を塞いだ状態で、配管を金型内で保持させるため、流路成形体材料を注入するとき、材料が配管901〜904内に流入することなく、流路成形体900を製造することが可能になる。このとき、配管901〜904の材質は、流路形成体900の材質より融点が高いため、溶融することなく、流路成形体900が製造される。つまり、配管901〜904の材質は、流路形成体900の材質より融点が高い材質となっている。例えば、配管901〜904の材質はSUS材、流路形成体900の材質はアルミ合金が考えられる。   FIG. 4B shows a second process diagram, and is a top view and a bottom view of the flow path forming body 900. The material of the flow path molded body 900 is injected into the mold so as to cover the cover members 905 to 910 of the pipes 901 to 904 shown in FIG. In order to hold the pipe in the mold in a state where the pipes 901 to 904 block the pipe ports with the lid members 905 to 910, the material flows into the pipes 901 to 904 in order to inject the channel molded body material. Therefore, the flow path molded body 900 can be manufactured. At this time, since the material of the pipes 901 to 904 has a higher melting point than the material of the flow path forming body 900, the flow path forming body 900 is manufactured without melting. That is, the material of the pipes 901 to 904 has a higher melting point than the material of the flow path forming body 900. For example, the material of the pipes 901 to 904 can be an SUS material, and the material of the flow path forming body 900 can be an aluminum alloy.

図4(C)は、第3工程図を示し、流路形成体900の上面斜視図及び下面斜視図である。第3工程は、配管を保持するための台911〜914を取除く。台911〜914を取除いた場所には、配管901〜904の一部が露出した状態になっている。   FIG. 4C shows a third process diagram, and is a top perspective view and a bottom perspective view of the flow path forming body 900. A 3rd process removes the stands 911-914 for holding piping. A part of the pipes 901 to 904 is exposed at a place where the bases 911 to 914 are removed.

図4(D)は、第4工程図を示し、流路形成体900の上面図と短辺方向の側面図と長辺方向の側面図と収納空間915の拡大図である。   FIG. 4D shows a fourth process diagram, and is a top view of the flow path forming body 900, a side view in the short side direction, a side view in the long side direction, and an enlarged view of the storage space 915.

図4(B)に示された第2工程終了後、流路成形体900は、第1収納空間915より小さく、配管901及び配管902に接触しない凹部919で鋳抜きする。第3収納空間917も、第1収納空間915と同様に配管904、903に接触しない凹部921で鋳抜きする。さらに第2収納空間916より小さく、配管902、903に接触しない凹部920で鋳抜きする。   After completion of the second step shown in FIG. 4 (B), the flow path molded body 900 is cast by a recess 919 that is smaller than the first storage space 915 and does not contact the pipe 901 and the pipe 902. Similarly to the first storage space 915, the third storage space 917 is cast by a recess 92 1 that does not contact the pipes 904 and 903. Furthermore, it casts by the recessed part 920 which is smaller than the 2nd storage space 916, and does not contact piping 902,903.

このことにより、図4(E)にて後述するパワー半導体モジュール収納空間を作成する第5工程時のドリル切削代922が、鋳抜き分、つまり凹部919と凹部920と凹部921分、小さくすることが出来る。このため、切削工数を削減することが出来、原価の低減を図ることが出来る。   As a result, the drill cutting allowance 922 at the time of the fifth step for creating the power semiconductor module housing space, which will be described later with reference to FIG. 4 (E), is reduced by the amount of casting, that is, the recesses 919, 920, 921 I can do it. For this reason, the number of cutting steps can be reduced, and the cost can be reduced.

図4(E)は、第5工程図を示し、流路形成体900の上面図である。   FIG. 4E is a top view of the flow path forming body 900, showing the fifth step diagram.

第5工程は、図4(D)に示される流路成形体900の切削部922と配管901の蓋材905と配管902の蓋材906を切削することにより、第1収納空間915を形成し、第1収納空間915と配管901の内部空間を繋ぐ。第3収納空間917も同様に形成される。   In the fifth step, the first storage space 915 is formed by cutting the cutting portion 922, the lid member 905 of the pipe 901, and the lid member 906 of the pipe 902 shown in FIG. The first storage space 915 and the internal space of the pipe 901 are connected. The third storage space 917 is formed similarly.

また、図4(D)に示される流路成形体900の切削部923と配管902の蓋材907と配管903の蓋材908を切削することにより、第2収納空間916を形成し、第2収納空間916と配管902と配管903の内部空間を繋ぐ。   Further, the second storage space 916 is formed by cutting the cutting portion 923, the lid member 907 of the pipe 902, and the lid member 908 of the pipe 903 shown in FIG. The internal space of the storage space 916, the pipe 902, and the pipe 903 is connected.

切削方法は、ドリル918により、パワー半導体モジュールの収納空間915〜917を成形する。   The cutting method forms the storage spaces 915 to 917 of the power semiconductor module with a drill 918.

前記第2〜5工程を実施後、配管901〜904の蓋材905〜910は削除され、冷却媒体を流す流路19を形成することが可能となる。これにより、冷却媒体を流す流路形成体の下カバーを流路形成体と一体成形することが可能となり、下カバーと流路形成体を固定するネジ、下カバーと流路形成体の間に配置する冷却水の漏れを防ぐシール部材を削減することが出来る。   After implementing the said 2nd-5th process, the cover materials 905-910 of the piping 901-904 are deleted, and it becomes possible to form the flow path 19 through which a cooling medium flows. As a result, the lower cover of the flow path forming body for flowing the cooling medium can be formed integrally with the flow path forming body, and the screw for fixing the lower cover and the flow path forming body, between the lower cover and the flow path forming body. The sealing member which prevents the cooling water to arrange | position can be reduced.

図5は、本発明の実施形態である流路形成体900にパワー半導体モジュール300U〜300Wが固定された外観図である。第1収納空間915にU相のパワー半導体モジュール300Uが固定され、第2収納空間916にV相のパワー半導体モジュール300Vが固定され、第3収納空間917にW相のパワー半導体モジュール300Wが固定される。流路形成体900は平面形状が略正方形の直方体を成し、その側面900dに配管901および配管904が設けられている。流路19は、残りの3つの側面900a〜900cに沿うようにコの字形状に形成されている。   FIG. 5 is an external view in which the power semiconductor modules 300U to 300W are fixed to the flow path forming body 900 according to the embodiment of the present invention. The U-phase power semiconductor module 300U is fixed in the first storage space 915, the V-phase power semiconductor module 300V is fixed in the second storage space 916, and the W-phase power semiconductor module 300W is fixed in the third storage space 917. The The flow path forming body 900 has a rectangular parallelepiped shape in plan view, and a pipe 901 and a pipe 904 are provided on the side surface 900d thereof. The flow path 19 is formed in a U shape so as to follow the remaining three side surfaces 900a to 900c.

図6は電力変換装置の流路形成体900に搭載されるパワー半導体モジュール300U〜300Wの外観図である。上記パワー半導体モジュール300U〜300Wはいずれも同じ構造である。構成は、特開2012-5323号公報に示されているものと同様である。   FIG. 6 is an external view of power semiconductor modules 300U to 300W mounted on the flow path forming body 900 of the power conversion device. The power semiconductor modules 300U to 300W all have the same structure. The configuration is the same as that shown in JP 2012-5323 A.

図7は、図5に示すようにパワー半導体モジュール300U〜300Wが配置された流路形成体900を、水平に断面した図である。上述したように、流路形成体900にはコの字形状の流路19が形成されており、図示左側の側面900bに沿って形成された第1収納空間915には、U相パワー半導体モジュール300Uが配置される。同様に、配管901及び配管904が設けられた側面900dと反対側の側面900aに沿って形成された第2収納空間916には、V相パワー半導体モジュール300Vが配置され、右側の側面900cに沿って形成された第3収納空間917にはW相パワー半導体モジュール300Wが配置される。   FIG. 7 is a horizontal cross-sectional view of the flow path forming body 900 in which the power semiconductor modules 300U to 300W are arranged as shown in FIG. As described above, the U-shaped channel 19 is formed in the channel forming body 900, and the U-phase power semiconductor module is provided in the first storage space 915 formed along the left side surface 900b in the drawing. 300U is arranged. Similarly, in the second storage space 916 formed along the side surface 900a opposite to the side surface 900d provided with the pipe 901 and the pipe 904, the V-phase power semiconductor module 300V is disposed and along the right side surface 900c. The W-phase power semiconductor module 300W is disposed in the third storage space 917 formed in this way.

なお、本実施形態では、配管902等により流路19が形成できるため、第1収納空間915と第2収納空間916とを繋ぐ配管902は、圧力損失が小さくなるような曲線形状を、容易に形成することができる。   In the present embodiment, since the flow path 19 can be formed by the pipe 902 or the like, the pipe 902 connecting the first storage space 915 and the second storage space 916 can be easily curved so that the pressure loss is reduced. Can be formed.

具体的には、配管902又は配管903は、これらの内壁が第2収納空間916の内壁よりも外側に形成されることで、冷媒の流れが滑らかになり、圧力損失が低減される。   Specifically, the pipe 902 or the pipe 903 has these inner walls formed outside the inner wall of the second storage space 916, whereby the flow of the refrigerant becomes smooth and the pressure loss is reduced.

図8は、図5に示すようにパワー半導体モジュール300Uが配置された流路形成体900を、流路19に沿って垂直に断面した図である。   FIG. 8 is a view in which a flow path forming body 900 in which the power semiconductor module 300U is arranged as shown in FIG.

配管901から取込まれた冷却媒体は、発熱したパワー半導体モジュール300Uを通り抜けパワー半導体モジュール300Uを冷却する。冷却媒体の流速図924の流速が早い場所がパワー半導体素子(IGBT328、330、ダイオード156、166)に出来るだけ当たるような位置に配管901は配置される。   The cooling medium taken in from the pipe 901 passes through the generated power semiconductor module 300U and cools the power semiconductor module 300U. Flow Rate of Cooling Medium The pipe 901 is arranged at a position where the place where the flow rate in FIG. 924 is as high as possible hits the power semiconductor elements (IGBTs 328 and 330, diodes 156 and 166).

図9は、図5に示すようにパワー半導体モジュール300Vが配置された流路形成体900を、流路19に沿って垂直に断面した図である。   FIG. 9 is a view in which the flow path forming body 900 in which the power semiconductor module 300V is arranged as shown in FIG.

上述した各実施形態はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施形態での効果を単独あるいは相乗して奏することができるからである。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。   Each of the embodiments described above may be used alone or in combination. This is because the effects of the respective embodiments can be achieved independently or synergistically. In addition, the present invention is not limited to the above embodiment as long as the characteristics of the present invention are not impaired.

19:流路、156、166:ダイオード、300U、V、W:パワー半導体モジュール、328、330:IGBT、900:流路形成体、900a〜d:流路形成体の側面、901〜904:配管、905〜910:配管の蓋材、911〜914:配管901〜904を金型内で保持させる台、915:第1収納空間、916:第2収納空間、917:第3収納空間、918:ドリル、919〜921:凹部、922、923:切削代、924:冷却媒体流速図、 19: flow path, 156, 166: diode, 300U, V, W: power semiconductor module, 328, 330: IGBT, 900: flow path formation body, 900a to d: side surface of flow path formation body, 901 to 904: piping , 905 to 910: piping cover material, 911 to 914: a base for holding the piping 901 to 904 in the mold, 915: first storage space, 916: second storage space, 917: third storage space, 918: Drill, 919 to 921: recess, 922, 923: cutting allowance, 924: cooling medium flow chart,

Claims (4)

直流電流を交流電流に変換するパワー半導体モジュールと、
前記パワー半導体モジュールを収納する収納空間を形成する流路形成体と、
前記収納空間に冷却冷媒を導入する配管と、を備えた電力変換装置の製造方法であって、
前記配管の開口部が蓋材により塞がれた状態で、前記配管を金型内で保持する第1工程と、
前記蓋材を覆うように、前記金型に前記流路形成体の材料を注入することで前記流路形成体を形成する第2工程と、
前記蓋材を覆う前記流路形成体の材料の一部と前記蓋材とを切削することにより、前記配管の内部空間と繋がる前記収納空間を形成する第3工程と、を備える電力変換装置の製造方法。
A power semiconductor module that converts direct current to alternating current;
A flow path forming body that forms a storage space for storing the power semiconductor module;
A pipe for introducing a cooling refrigerant into the storage space, and a method for manufacturing a power conversion device comprising:
A first step of holding the pipe in a mold in a state where the opening of the pipe is closed by a lid member;
A second step of forming the flow path forming body by injecting a material of the flow path forming body into the mold so as to cover the lid material;
A third step of forming the housing space connected to the internal space of the pipe by cutting a part of the material of the flow path forming body covering the lid material and the lid material. Production method.
請求項1に記載された電力変換装置の製造方法であって、
前記第1工程において、
前記配管は、保持台によって所定の位置に保持される電力変換装置の製造方法。
A method for manufacturing the power conversion device according to claim 1,
In the first step,
The said piping is a manufacturing method of the power converter device hold | maintained in a predetermined position with a holding stand.
請求項1または2に記載された電力変換装置の製造方法であって、
前記第2工程において、
前記筐体には、当該筐体において前記収納空間が形成される領域の一部に、鋳抜きにより前記筐体の前記材料が注入されない空間が形成される電力変換装置の製造方法。
A method for manufacturing the power conversion device according to claim 1 or 2,
In the second step,
A method for manufacturing a power conversion device, wherein a space in which the material of the housing is not poured by casting is formed in a part of a region where the storage space is formed in the housing.
請求項1ないし4に記載されたいずれかの電力変換装置の製造方法であって、
前記パワー半導体モジュールは、第1パワー半導体モジュールと第2パワー半導体モジュールにより構成され、
前記流路形成体は、前記第1パワー半導体モジュールを収納する第1収納空間と、前記第2パワー半導体モジュールを収納する第2収納空間と、を形成し、
前記配管は、前記第1収納空間に冷却冷媒を導入する第1配管と、前記第1収納空間から流出した冷却冷媒を前記第2収納空間に導入する第2配管と、により構成され、
前記第1工程は、前記第1配管の開口部が第1蓋材により塞がれた状態で前記配管を金型内で保持され、かつ前記第2配管の開口部が第2蓋材により塞がれた状態で前記配管を金型内で保持され、
前記第2工程は、前記第1蓋材及び前記第2蓋材を覆うように、前記金型に前記流路形成体の材料を注入することで前記流路形成体を形成し、
前記第3工程は、前記第1蓋材を覆う前記流路形成体の材料の一部と前記第2蓋材を覆う前記流路形成体の材料の一部と前記第1蓋材と前記第2蓋材を切削することにより、前記第1配管及び前記第2配管の内部空間と繋がる前記第1収納空間及び前記第2収納空間を形成する電力変換装置の製造方法。
A method of manufacturing a power conversion device according to any one of claims 1 to 4,
The power semiconductor module includes a first power semiconductor module and a second power semiconductor module,
The flow path forming body forms a first storage space for storing the first power semiconductor module and a second storage space for storing the second power semiconductor module;
The pipe is configured by a first pipe for introducing a cooling refrigerant into the first storage space, and a second pipe for introducing the cooling refrigerant flowing out of the first storage space into the second storage space,
In the first step, the pipe is held in a mold in a state where the opening of the first pipe is closed by the first lid member, and the opening of the second pipe is closed by the second lid member. The pipe is held in the mold in a peeled state,
In the second step, the flow path forming body is formed by injecting the material of the flow path forming body into the mold so as to cover the first lid material and the second lid material,
The third step includes a part of the material of the flow path forming body that covers the first lid member, a part of the material of the flow path forming body that covers the second lid material, the first lid material, and the first cover material. The manufacturing method of the power converter device which forms the said 1st storage space and said 2nd storage space connected with the internal space of the said 1st piping and the said 2nd piping by cutting 2 lid | cover materials.
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